JP2004015910A - ゲート駆動回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】電力用半導体素子を2つ以上並列接続して駆動する場合に、或る素子の異常加熱現象や高サージ電圧化を効果的に解消し、素子破壊を防止する。
【解決手段】ゲート駆動回路15から並列接続された電力用半導体素子IGBT1,2を駆動する場合、温度が高くなる側の素子IGBT1に流れる電流Ic1の微分値をコンパレータ21により検出し、オフ指令13が与えられたときアンド回路22を介してトランス23の一次巻線を駆動することで、素子のゲート間に接続された二次巻線に電圧を誘起させ、温度が高くなる側の素子IGBT1のゲート電位を上げ、両素子のコレクタ電流Ic1,Ic2の電流アンバランスを是正する。
【選択図】 図1
【解決手段】ゲート駆動回路15から並列接続された電力用半導体素子IGBT1,2を駆動する場合、温度が高くなる側の素子IGBT1に流れる電流Ic1の微分値をコンパレータ21により検出し、オフ指令13が与えられたときアンド回路22を介してトランス23の一次巻線を駆動することで、素子のゲート間に接続された二次巻線に電圧を誘起させ、温度が高くなる側の素子IGBT1のゲート電位を上げ、両素子のコレクタ電流Ic1,Ic2の電流アンバランスを是正する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、IGBT(絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ)などの電力用半導体素子のゲート駆動回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
図4にIGBTを用いた一般的なインバータの主回路例を示す。
1は直流電源回路(交流入力の場合は整流器+コンデンサ)、2は直流を交流に変換するインバータ回路、3A,3BはIGBTのゲート駆動回路(各素子対応に設けられる)、4はIGBTがターンオフする場合のサージ電圧からIGBTを保護するためのスナバコンデンサ、5はスナバコンデンサ4とインバータ回路2との間の配線インダクタンス、6はモータなどの負荷である。
【0003】
図5にゲート駆動回路の構成例を示す。7は本回路駆動用電源、8および9はIGBTをターンオンまたはターンオフさせるためのスイッチ素子で、上位からの指令信号10および制御部11からのオン指令信号12またはオフ指令信号13によって動作する。14はゲート抵抗を示す。
図6にIGBTを並列駆動する際の構成例を示す。上位からの指令信号10がゲート駆動回路15に入力され、ゲート抵抗16,17を介してそれぞれのIGBT1,2が駆動される構成となっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
図7に、IGBTを2並列接続した場合のターンオフ波形例を示す。
IGBT1,2を並列接続して駆動するとき、図8に示すように放熱器18の冷却用ファン19による風の流れ方向にIGBT1,2を上下に配置する構造(スタック構造)にすると、IGBT1とIGBT2の温度差によって、IGBTのターンオフ波形は実際には図7のように、それぞれのIGBT1,IGBT2のコレクタ電流Ic1,Ic2がアンバランスな波形となる(図8の例ではIGBT1側が風下側にあるため高温状態となり、結果としてIGBT1のスイッチング速度が遅くなっている)。
【0005】
このようなアンバランス現象が発生すると、特定の素子(スイッチング速度の遅い素子)のターンオフ損失が増加し、結果的に異常過熱現象や、特定の素子のターンオフ時の高di/dt(電流変化率)化と、配線インダクタンス(図4の符号5参照)による高サージ電圧化によって、最悪IGBTの破壊を招くという現象が発生する可能性がある。
したがって、この発明の課題は、ターンオフ時の電流アンバランス現象を抑制し、異常過熱現象や高サージ電圧化による素子破壊を回避することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するため、請求項1の発明では、並列接続された2つの電力用半導体素子のゲートを駆動するゲート駆動回路において、
前記2つの電力用半導体素子のうち温度が高くなる側の素子に流れる電流の微分値を検出する電流微分値検出手段と、その電流微分検出値を電力用半導体素子にターンオフ指令が出ている期間のみ有効とする条件判断回路と、この条件判断回路からの出力により前記温度が高くなる側の素子のゲート電位が高くなるように電圧を印加する電圧印加手段とを設け、ターンオフ時の温度差により2つの素子に流れる電流アンバランスの解消を図ることを特徴とする。
【0007】
上記請求項1の発明においては、前記電力用半導体素子を3つ以上並列接続するときは、前記温度差が生じる2つの素子間を組として、前記電流微分値検出手段,前記条件判断回路および前記電圧印加手段を設けることができる(請求項2の発明)。また、これら請求項1または2の発明においては、前記電圧印加手段は、前記条件判断回路の出力によって駆動される一次巻線と、この一次巻線と電磁的に結合され前記2つの素子のゲート間に接続される二次巻線とからなるトランスとすることができる(請求項3の発明)。
【0008】
【発明の実施の形態】
図1はこの発明の第1の実施の形態を示す回路図である。
同図において、20はインダクタンス、21はこのインダクタンス20の両端の電圧(IGBTのコレクタ電流の微分値相当)を検出し、或るレベル以上のとき所定の信号を出力するコンパレータである。22はコンパレータ21の出力信号と、オフ指令信号とのANDをとる論理演算回路(AND回路)で、その出力はトランス23の一次側に入力される。
【0009】
論理演算回路22の出力がハイレベルになると(図7の期間t1参照)、トランス23の二次側には矢印方向の電圧が発生する。これにより、IGBT1側のゲート電位Vg1は上昇する一方、IGBT2側のゲート電位Vg2は低下する。一般に、ゲート電位の高い方がスイッチング速度が速くなり、ゲート電位が低い方のIGBTのスイッチング速度は遅くなるので、図1のように構成することによりコレクタ電流Ic1,Ic2が、図2に示すようにバランスするようになり、図7との相違は一目瞭然となる。
【0010】
図3(a),(b)にIGBTのコレクタ電流の微分値を検出するための別の例を示す。同図(a)はセンス端子を持ったセンスIGBTとシャント抵抗24を用いた例、同図(b)はシャント抵抗25のみを用いた例である。いずれもシャント抵抗24,25の両端の電圧を検出し、微分回路26,27により電流の微分値相当を検出するものである。
【0011】
図9にIGBTを3並列にした場合の配置例を示す。
この場合、スタック構造的にIGBTの各温度がIGBT1>IGBT2>IGBT3となるので、IGBT1とIGBT3の間で図1の回路を接続する。また、4並列の場合はIGBT1とIGBT4,IGBT2とIGBT3、またはIGBT1とIGBT3,IGBT2とIGBT4の組み合わせで、1組または2組で実施する。なお、5並列以上の場合も同様である。
【0012】
【発明の効果】
この発明によれば、温度が高くなる側の素子のゲート電位を上げてターンオフを速め、温度が低くなる側の素子のゲート電位を下げてターンオフを遅くすることで、電流のアンバランスを解消することが可能となる。その結果、特定素子の異常過熱現象や素子破壊を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施の形態を示す回路図である。
【図2】図1の場合の動作を説明するための波形図である。
【図3】電流微分値検出回路の別の例を示す構成図である。
【図4】一般的なインバータ主回路例を示す回路図である。
【図5】図4で用いられるゲート駆動回路の例を示す構成図である。
【図6】素子が並列に接続されている場合のゲート駆動回路例を示す構成図である。
【図7】図6の場合の動作説明図である。
【図8】スタック構造におけるファンによる風の流れ説明図である。
【図9】図8とは異なるスタック構造におけるファンによる風の流れ説明図である。
【符号の説明】
13…オフ指令、15…ゲート駆動回路、16,17…ゲート抵抗、20…インダクタンス、21…コンパレータ、22…論理演算回路(AND回路)、23…トランス、24,25…シャント抵抗、26,27…微分回路。
【発明の属する技術分野】
この発明は、IGBT(絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ)などの電力用半導体素子のゲート駆動回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
図4にIGBTを用いた一般的なインバータの主回路例を示す。
1は直流電源回路(交流入力の場合は整流器+コンデンサ)、2は直流を交流に変換するインバータ回路、3A,3BはIGBTのゲート駆動回路(各素子対応に設けられる)、4はIGBTがターンオフする場合のサージ電圧からIGBTを保護するためのスナバコンデンサ、5はスナバコンデンサ4とインバータ回路2との間の配線インダクタンス、6はモータなどの負荷である。
【0003】
図5にゲート駆動回路の構成例を示す。7は本回路駆動用電源、8および9はIGBTをターンオンまたはターンオフさせるためのスイッチ素子で、上位からの指令信号10および制御部11からのオン指令信号12またはオフ指令信号13によって動作する。14はゲート抵抗を示す。
図6にIGBTを並列駆動する際の構成例を示す。上位からの指令信号10がゲート駆動回路15に入力され、ゲート抵抗16,17を介してそれぞれのIGBT1,2が駆動される構成となっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
図7に、IGBTを2並列接続した場合のターンオフ波形例を示す。
IGBT1,2を並列接続して駆動するとき、図8に示すように放熱器18の冷却用ファン19による風の流れ方向にIGBT1,2を上下に配置する構造(スタック構造)にすると、IGBT1とIGBT2の温度差によって、IGBTのターンオフ波形は実際には図7のように、それぞれのIGBT1,IGBT2のコレクタ電流Ic1,Ic2がアンバランスな波形となる(図8の例ではIGBT1側が風下側にあるため高温状態となり、結果としてIGBT1のスイッチング速度が遅くなっている)。
【0005】
このようなアンバランス現象が発生すると、特定の素子(スイッチング速度の遅い素子)のターンオフ損失が増加し、結果的に異常過熱現象や、特定の素子のターンオフ時の高di/dt(電流変化率)化と、配線インダクタンス(図4の符号5参照)による高サージ電圧化によって、最悪IGBTの破壊を招くという現象が発生する可能性がある。
したがって、この発明の課題は、ターンオフ時の電流アンバランス現象を抑制し、異常過熱現象や高サージ電圧化による素子破壊を回避することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するため、請求項1の発明では、並列接続された2つの電力用半導体素子のゲートを駆動するゲート駆動回路において、
前記2つの電力用半導体素子のうち温度が高くなる側の素子に流れる電流の微分値を検出する電流微分値検出手段と、その電流微分検出値を電力用半導体素子にターンオフ指令が出ている期間のみ有効とする条件判断回路と、この条件判断回路からの出力により前記温度が高くなる側の素子のゲート電位が高くなるように電圧を印加する電圧印加手段とを設け、ターンオフ時の温度差により2つの素子に流れる電流アンバランスの解消を図ることを特徴とする。
【0007】
上記請求項1の発明においては、前記電力用半導体素子を3つ以上並列接続するときは、前記温度差が生じる2つの素子間を組として、前記電流微分値検出手段,前記条件判断回路および前記電圧印加手段を設けることができる(請求項2の発明)。また、これら請求項1または2の発明においては、前記電圧印加手段は、前記条件判断回路の出力によって駆動される一次巻線と、この一次巻線と電磁的に結合され前記2つの素子のゲート間に接続される二次巻線とからなるトランスとすることができる(請求項3の発明)。
【0008】
【発明の実施の形態】
図1はこの発明の第1の実施の形態を示す回路図である。
同図において、20はインダクタンス、21はこのインダクタンス20の両端の電圧(IGBTのコレクタ電流の微分値相当)を検出し、或るレベル以上のとき所定の信号を出力するコンパレータである。22はコンパレータ21の出力信号と、オフ指令信号とのANDをとる論理演算回路(AND回路)で、その出力はトランス23の一次側に入力される。
【0009】
論理演算回路22の出力がハイレベルになると(図7の期間t1参照)、トランス23の二次側には矢印方向の電圧が発生する。これにより、IGBT1側のゲート電位Vg1は上昇する一方、IGBT2側のゲート電位Vg2は低下する。一般に、ゲート電位の高い方がスイッチング速度が速くなり、ゲート電位が低い方のIGBTのスイッチング速度は遅くなるので、図1のように構成することによりコレクタ電流Ic1,Ic2が、図2に示すようにバランスするようになり、図7との相違は一目瞭然となる。
【0010】
図3(a),(b)にIGBTのコレクタ電流の微分値を検出するための別の例を示す。同図(a)はセンス端子を持ったセンスIGBTとシャント抵抗24を用いた例、同図(b)はシャント抵抗25のみを用いた例である。いずれもシャント抵抗24,25の両端の電圧を検出し、微分回路26,27により電流の微分値相当を検出するものである。
【0011】
図9にIGBTを3並列にした場合の配置例を示す。
この場合、スタック構造的にIGBTの各温度がIGBT1>IGBT2>IGBT3となるので、IGBT1とIGBT3の間で図1の回路を接続する。また、4並列の場合はIGBT1とIGBT4,IGBT2とIGBT3、またはIGBT1とIGBT3,IGBT2とIGBT4の組み合わせで、1組または2組で実施する。なお、5並列以上の場合も同様である。
【0012】
【発明の効果】
この発明によれば、温度が高くなる側の素子のゲート電位を上げてターンオフを速め、温度が低くなる側の素子のゲート電位を下げてターンオフを遅くすることで、電流のアンバランスを解消することが可能となる。その結果、特定素子の異常過熱現象や素子破壊を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施の形態を示す回路図である。
【図2】図1の場合の動作を説明するための波形図である。
【図3】電流微分値検出回路の別の例を示す構成図である。
【図4】一般的なインバータ主回路例を示す回路図である。
【図5】図4で用いられるゲート駆動回路の例を示す構成図である。
【図6】素子が並列に接続されている場合のゲート駆動回路例を示す構成図である。
【図7】図6の場合の動作説明図である。
【図8】スタック構造におけるファンによる風の流れ説明図である。
【図9】図8とは異なるスタック構造におけるファンによる風の流れ説明図である。
【符号の説明】
13…オフ指令、15…ゲート駆動回路、16,17…ゲート抵抗、20…インダクタンス、21…コンパレータ、22…論理演算回路(AND回路)、23…トランス、24,25…シャント抵抗、26,27…微分回路。
Claims (3)
- 並列接続された2つの電力用半導体素子のゲートを駆動するゲート駆動回路において、
前記2つの電力用半導体素子のうち温度が高くなる側の素子に流れる電流の微分値を検出する電流微分値検出手段と、その電流微分検出値を電力用半導体素子にターンオフ指令が出ている期間のみ有効とする条件判断回路と、この条件判断回路からの出力により前記温度が高くなる側の素子のゲート電位が高くなるように電圧を印加する電圧印加手段とを設け、ターンオフ時の温度差により2つの素子に流れる電流アンバランスの解消を図ることを特徴とするゲート駆動回路。 - 前記電力用半導体素子を3つ以上並列接続するときは、前記温度差が生じる2つの素子間を組として、前記電流微分値検出手段,前記条件判断回路および前記電圧印加手段を設けることを特徴とする請求項1に記載のゲート駆動回路。
- 前記電圧印加手段は、前記条件判断回路の出力によって駆動される一次巻線と、この一次巻線と電磁的に結合され前記2つの素子のゲート間に接続される二次巻線とからなるトランスであることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載のゲート駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002165529A JP2004015910A (ja) | 2002-06-06 | 2002-06-06 | ゲート駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002165529A JP2004015910A (ja) | 2002-06-06 | 2002-06-06 | ゲート駆動回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004015910A true JP2004015910A (ja) | 2004-01-15 |
Family
ID=30433345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002165529A Pending JP2004015910A (ja) | 2002-06-06 | 2002-06-06 | ゲート駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004015910A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005096486A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Ngk Insulators, Ltd. | 高電圧パルス発生回路 |
JP2006191774A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Toyota Motor Corp | パワー制御回路および車両 |
US7558094B2 (en) | 2005-09-12 | 2009-07-07 | Denso Corporation | Control device for power conversion circuit |
JP2011155764A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換器 |
CN102412710A (zh) * | 2011-11-14 | 2012-04-11 | 浙江海得新能源有限公司 | 一种适用于大功率逆变器的igbt模块驱动电路 |
-
2002
- 2002-06-06 JP JP2002165529A patent/JP2004015910A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005096486A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Ngk Insulators, Ltd. | 高電圧パルス発生回路 |
JP2005295667A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Ngk Insulators Ltd | 高電圧パルス発生回路 |
JP4494066B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-06-30 | 日本碍子株式会社 | 高電圧パルス発生回路 |
JP2006191774A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Toyota Motor Corp | パワー制御回路および車両 |
US7558094B2 (en) | 2005-09-12 | 2009-07-07 | Denso Corporation | Control device for power conversion circuit |
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