JP4494066B2 - 高電圧パルス発生回路 - Google Patents
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Description
16…直流電源部 22…インダクタ
24…主スイッチ部 26…副スイッチ部
28、28a〜28d…第1の半導体スイッチ
30、30a〜30d…第2の半導体スイッチ
48…ダイオード部
50、50A、50B、50a1、50a2、50b1、50b2、50a〜50c…ダイオード
Claims (11)
- 直流電源部の両端に直列接続されたインダクタ、主スイッチ部及び副スイッチ部を有し、
前記主スイッチ部は、複数の第1の半導体スイッチを有し、
前記インダクタの一端は、前記第1の半導体スイッチのアノード端子が接続され、
前記副スイッチ部は、少なくとも1つの第2の半導体スイッチを有し、
前記第1の半導体スイッチのゲート端子と前記インダクタの他端間にダイオード部が接続され、
前記ダイオード部は、アノード端子が前記第1の半導体スイッチのゲート端子に接続され、カソード端子が前記インダクタの他端に接続された複数のダイオードを有する高電圧パルス発生回路であって、
前記ダイオード部は、
前記第1の半導体スイッチと前記ダイオードとが1対1、あるいは多対1、あるいは1対多、あるいはこれらの組み合わせの関係で接続され、
前記複数の第1の半導体スイッチの各オフ時点がほぼ同じになるように、前記各第1の半導体スイッチと、これら各第1の半導体スイッチに対応する1つあるいは複数のダイオードとの間の配線は、それぞれインピーダンスが調整されていることを特徴とする高電圧パルス発生回路。 - 請求項1記載の高電圧パルス発生回路において、
前記インピーダンスは、
前記各第1の半導体スイッチと、これら各第1の半導体スイッチに対応する1つあるいは複数のダイオードとの間のインダクタンス成分、あるいはレジスタンス成分、あるいはこれらの組み合わせであることを特徴とする高電圧パルス発生回路。 - 直流電源部の両端に直列接続されたインダクタ、主スイッチ部及び副スイッチ部を有し、
前記主スイッチ部は、複数の第1の半導体スイッチを有し、
前記インダクタの一端は、前記第1の半導体スイッチのアノード端子が接続され、
前記副スイッチ部は、少なくとも1つの第2の半導体スイッチを有し、
前記第1の半導体スイッチのゲート端子と前記インダクタの他端間にダイオード部が接続され、
前記ダイオード部は、アノード端子が前記第1の半導体スイッチのゲート端子に接続され、カソード端子が前記インダクタの他端に接続された複数のダイオードを有する高電圧パルス発生回路であって、
前記ダイオード部は、
前記第1の半導体スイッチと前記ダイオードとが1対1、あるいは多対1、あるいは1対多、あるいはこれらの組み合わせの関係で接続され、
前記複数の第1の半導体スイッチの各オフ時点がほぼ同じになるように、前記各第1の半導体スイッチと、これら各第1の半導体スイッチに対応する1つあるいは複数のダイオードは、順方向電圧あるいは順回復電圧が調整されていることを特徴とする高電圧パルス発生回路。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の高電圧パルス発生回路において、
前記インダクタは、複数の巻線を有し、
前記第1の半導体スイッチと前記巻線とが1対1、あるいは多対1、あるいは1対多、あるいはこれらの組み合わせの関係で接続されていることを特徴とする高電圧パルス発生回路。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の高電圧パルス発生回路において、
前記副スイッチ部は、複数の前記第2の半導体スイッチを有し、
前記第1の半導体スイッチと前記第2の半導体スイッチとが1対1、あるいは多対1、あるいは1対多、あるいはこれらの組み合わせの関係で接続されていることを特徴とする高電圧パルス発生回路。 - 請求項5記載の高電圧パルス発生回路において、
前記複数の第1の半導体スイッチの各オフ時点がほぼ同じになるように、前記各第1の半導体スイッチに対応する1つあるいは複数の第2の半導体スイッチは、それぞれオフするタイミングが調整されていることを特徴とする高電圧パルス発生回路。 - 請求項1又は3記載の高電圧パルス発生回路において、
前記副スイッチ部は、複数の前記第2の半導体スイッチを有し、
前記主スイッチ部と前記副スイッチ部とが共通接点を介して接続されていることを特徴とする高電圧パルス発生回路。 - 請求項1又は3記載の高電圧パルス発生回路において、
前記主スイッチ部と前記ダイオード部とが共通接点を介して接続されていることを特徴とする高電圧パルス発生回路。 - 請求項1又は3記載の高電圧パルス発生回路において、
前記副スイッチ部は、複数の前記第2の半導体スイッチを有し、
前記主スイッチ部と前記副スイッチ部とが第1の共通接点を介して接続され、
前記主スイッチ部と前記ダイオード部とが第2の共通接点を介して接続されていることを特徴とする高電圧パルス発生回路。 - 請求項1〜9のいずれか1項に記載の高電圧パルス発生回路において、
前記第1の半導体スイッチは、静電誘導サイリスタを有することを特徴とする高電圧パルス発生回路。 - 請求項1〜10のいずれか1項に記載の高電圧パルス発生回路において、
前記第2の半導体スイッチは、電力用金属酸化半導体電界効果トランジスタを有することを特徴とする高電圧パルス発生回路。
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