JPH04322174A - 車両用電力変換装置 - Google Patents
車両用電力変換装置Info
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- JPH04322174A JPH04322174A JP3088159A JP8815991A JPH04322174A JP H04322174 A JPH04322174 A JP H04322174A JP 3088159 A JP3088159 A JP 3088159A JP 8815991 A JP8815991 A JP 8815991A JP H04322174 A JPH04322174 A JP H04322174A
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 12
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
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- Rectifiers (AREA)
- Electric Propulsion And Braking For Vehicles (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[発明の目的]
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は車両用電力変換装置に係
わり、特に高速スイッチング素子を用いターンオフ時の
サージ電圧の発生を低減した車両用電力変換装置に関す
る。
わり、特に高速スイッチング素子を用いターンオフ時の
サージ電圧の発生を低減した車両用電力変換装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】車両用電力変換装置としてバイポーラ・
ダーリントン・トランジスタ(以下GTRと称す)を用
いたPWM制御による駆動電動機可変速装置が広く採用
されているが、そのスイッチング周波数は素子の特性上
の理由により1〜5kHz程度に制限されている。
ダーリントン・トランジスタ(以下GTRと称す)を用
いたPWM制御による駆動電動機可変速装置が広く採用
されているが、そのスイッチング周波数は素子の特性上
の理由により1〜5kHz程度に制限されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このように素子の特性
上の制約によりスイッチング周波数に限度があり次のよ
うな問題が生じる。
上の制約によりスイッチング周波数に限度があり次のよ
うな問題が生じる。
【0004】(1)この素子を用いた電力変換装置の出
力電流のリップルが小さくならず、モータ騒音の主因と
なり、さらにモータの発熱損も増加し、このための絶縁
を強固にする必要からモータの形状も大形化する。 (2)このリップルを除去するためフィルタ回路が必要
となり装置が大形化する。 (3)電力変換装置の構成部品は使用周波数が高くなる
と一般に小型化することができるが、このメリットが得
られない。
力電流のリップルが小さくならず、モータ騒音の主因と
なり、さらにモータの発熱損も増加し、このための絶縁
を強固にする必要からモータの形状も大形化する。 (2)このリップルを除去するためフィルタ回路が必要
となり装置が大形化する。 (3)電力変換装置の構成部品は使用周波数が高くなる
と一般に小型化することができるが、このメリットが得
られない。
【0005】又車両固有の制約として、特に床下機器等
では、機器に割り当てられるスペースが限られており、
それより高実装密度が要求される。更にメンテナンスフ
リーの風潮の中にあり、素子冷却を自冷とする事が必須
となる。これらの条件下において、従来よりの一般の電
力変換装置でみられる、盤構造型の実装技術は適用でき
ないものである。
では、機器に割り当てられるスペースが限られており、
それより高実装密度が要求される。更にメンテナンスフ
リーの風潮の中にあり、素子冷却を自冷とする事が必須
となる。これらの条件下において、従来よりの一般の電
力変換装置でみられる、盤構造型の実装技術は適用でき
ないものである。
【0006】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
で、高速スイッチング素子を用い、装置およびシステム
の小形化、軽量化を図り騒音の少ない電力変換装置を提
供する事を目的とする。 [発明の構成]
で、高速スイッチング素子を用い、装置およびシステム
の小形化、軽量化を図り騒音の少ない電力変換装置を提
供する事を目的とする。 [発明の構成]
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
高速スイッチング素子を用いるが、この素子の使用に付
随する問題を配置的に解決するようにしたもので、本発
明の電力変換装置は直流電力を交流電力変換する電力変
換装置に於て、交流各相の上アーム、下アームを高速ス
イッチング素子で構成し、それと近接して対応するスナ
バ抵抗4又はスナバコンデンサ3を配設したスタックで
、これに接続される導体は重ね合わせた形で接続された
ものである。
高速スイッチング素子を用いるが、この素子の使用に付
随する問題を配置的に解決するようにしたもので、本発
明の電力変換装置は直流電力を交流電力変換する電力変
換装置に於て、交流各相の上アーム、下アームを高速ス
イッチング素子で構成し、それと近接して対応するスナ
バ抵抗4又はスナバコンデンサ3を配設したスタックで
、これに接続される導体は重ね合わせた形で接続された
ものである。
【0008】
【作用】一般に高速スイッチング素子(以下IGBTと
称す。IGBTはInsulated Gate
Bipolar Transisterの略)を電力
変換装置に適用する場合その高速性(例えばスイッチン
グ周波数が10kHz以上となる)のため、GTRを用
いた場合よりターンオフ時のサージ電圧が大きくなる。 図15はこれを説明するもので、ターンオフ時の電圧波
形30、電流波形31、エネルギ損32、サージ電圧3
0aを表わしている。サージ電圧30aは、下記式でも
明らかな様にサージ電圧30a=L×di/dt
称す。IGBTはInsulated Gate
Bipolar Transisterの略)を電力
変換装置に適用する場合その高速性(例えばスイッチン
グ周波数が10kHz以上となる)のため、GTRを用
いた場合よりターンオフ時のサージ電圧が大きくなる。 図15はこれを説明するもので、ターンオフ時の電圧波
形30、電流波形31、エネルギ損32、サージ電圧3
0aを表わしている。サージ電圧30aは、下記式でも
明らかな様にサージ電圧30a=L×di/dt
【0009】素子廻りのインダクタンスLに大きく影響
される、又di/dtが大きくなる、すなわち高速にな
るにつれて大きくなる。これが高速化の妨げであり又サ
ージ電圧30aが大きくなる事は、素子特性である耐圧
の利用率を悪くする事であり、これにより素子の直列数
が増加し、装置を長大化し、さらに無駄な部分を多く作
る事にもつながる。
される、又di/dtが大きくなる、すなわち高速にな
るにつれて大きくなる。これが高速化の妨げであり又サ
ージ電圧30aが大きくなる事は、素子特性である耐圧
の利用率を悪くする事であり、これにより素子の直列数
が増加し、装置を長大化し、さらに無駄な部分を多く作
る事にもつながる。
【0010】このサージ電圧30aを低く抑制するには
、配線インダクタンスL及びdi/dtを小さくする事
にあるが、di/dtは素子の大容量化及び高速化と相
反するもので避けられないものであり、これより今まで
以上に配線インダクタンスLを極限に近づくよう小さく
しなければならない。これが最終的な課題とも言えよう
。
、配線インダクタンスL及びdi/dtを小さくする事
にあるが、di/dtは素子の大容量化及び高速化と相
反するもので避けられないものであり、これより今まで
以上に配線インダクタンスLを極限に近づくよう小さく
しなければならない。これが最終的な課題とも言えよう
。
【0011】本発明は上記構成により、スナバ回路を構
成するスナバ抵抗又はスナバコンデンサを、対応するI
GBTに近接して配置して配線長を短くし、スナバ回路
のインダクタンスを低くし、サージ電圧30aを抑制す
る事はもとより、更にこれらIGBT2に接続される主
回路導体(直流入力導体及び交流導体)を密着の如く重
ね合わせる事により、磁束の打ち消し合いの効果により
インダクタンスLを激減させる事ができる。この時導体
間の絶縁は充分に考えられているものである。又直流導
体ばかりでなく交流導体をも重ね合わせる事により一層
低減の効果が得られる。
成するスナバ抵抗又はスナバコンデンサを、対応するI
GBTに近接して配置して配線長を短くし、スナバ回路
のインダクタンスを低くし、サージ電圧30aを抑制す
る事はもとより、更にこれらIGBT2に接続される主
回路導体(直流入力導体及び交流導体)を密着の如く重
ね合わせる事により、磁束の打ち消し合いの効果により
インダクタンスLを激減させる事ができる。この時導体
間の絶縁は充分に考えられているものである。又直流導
体ばかりでなく交流導体をも重ね合わせる事により一層
低減の効果が得られる。
【0012】
【実施例】以下、本発明の実施例を図1〜図6を用いて
説明する。
説明する。
【0013】図1は図4に示した回路図の上下アーム(
相)に相当する部分の実装状態を示したもので、左半分
が上アーム、右半分が下アームに相当する。IGBT2
は特に冷却上の都合によりヒートパイプ1に実装し、
それに対応するスナバ抵抗3又はスナバコンデンサ4は
ヒートパイプ1の裏面もしくは上下面に配置し、極めて
近接した配置として低インダクタンスを実現している。 こうして得られた上アームスタックもしくは下アームス
タックを、IGBT3の実装面が相対するよう配置する
事により、これらに接続される直流入力導体6,7及び
交流入力導体8が重ね合わされる形で接続され、これら
導体を流れる電流によって生じる。磁束が打ち消し合う
事により低インダクタンス化を実現する。図2はヒート
パイプ1にIGBT2を実装したものを示し上もしくは
下アームの素子部を表わしている。IGBT2はヒート
パイプ面に物理的に可能な限り夫々近接して配置するも
のとしている。図3はスタックに接続される導体を示し
たものである。図5はスナバ抵抗4、スナバコンデンサ
3等を実装したものを表わしておりできる限りIGBT
2に近づく配置としている。図6はこれら相ユニット9
を3個組込み更に制御部10を要し、いわゆる電力変換
装置として構成したものである。
相)に相当する部分の実装状態を示したもので、左半分
が上アーム、右半分が下アームに相当する。IGBT2
は特に冷却上の都合によりヒートパイプ1に実装し、
それに対応するスナバ抵抗3又はスナバコンデンサ4は
ヒートパイプ1の裏面もしくは上下面に配置し、極めて
近接した配置として低インダクタンスを実現している。 こうして得られた上アームスタックもしくは下アームス
タックを、IGBT3の実装面が相対するよう配置する
事により、これらに接続される直流入力導体6,7及び
交流入力導体8が重ね合わされる形で接続され、これら
導体を流れる電流によって生じる。磁束が打ち消し合う
事により低インダクタンス化を実現する。図2はヒート
パイプ1にIGBT2を実装したものを示し上もしくは
下アームの素子部を表わしている。IGBT2はヒート
パイプ面に物理的に可能な限り夫々近接して配置するも
のとしている。図3はスタックに接続される導体を示し
たものである。図5はスナバ抵抗4、スナバコンデンサ
3等を実装したものを表わしておりできる限りIGBT
2に近づく配置としている。図6はこれら相ユニット9
を3個組込み更に制御部10を要し、いわゆる電力変換
装置として構成したものである。
【0014】以上のように構成された電力変換装置にお
いてIGBT2とそれに対応するスナバ抵抗4又はスナ
バコンデンサ3が近接されたスタックで、それに接続さ
れる入出力導体は重ね合わせた形で接続されることによ
り、その低インダクタンス化によりIGBT2のターン
オフ時のサージ電圧30aを激減する事ができる。これ
により容易にスイッチング周波数の高速化が実現する。 すなわちIGBT2の特徴を活かす事ができると言える
。 次に図7〜図12を用いて第2の実施例を説明する。
いてIGBT2とそれに対応するスナバ抵抗4又はスナ
バコンデンサ3が近接されたスタックで、それに接続さ
れる入出力導体は重ね合わせた形で接続されることによ
り、その低インダクタンス化によりIGBT2のターン
オフ時のサージ電圧30aを激減する事ができる。これ
により容易にスイッチング周波数の高速化が実現する。 すなわちIGBT2の特徴を活かす事ができると言える
。 次に図7〜図12を用いて第2の実施例を説明する。
【0015】図7は図9〜図11に示す回路図、すなわ
ち車両用架線に直接接続した3分圧電力変換装置の1段
分のスタック図を示す。IGBT2aの接続は図11の
如く1S2P接続とし1相で4個のIGBT2aを要す
。この1相分をヒートパイプ1に配置する。
ち車両用架線に直接接続した3分圧電力変換装置の1段
分のスタック図を示す。IGBT2aの接続は図11の
如く1S2P接続とし1相で4個のIGBT2aを要す
。この1相分をヒートパイプ1に配置する。
【0016】この相ユニット91 を3相分並べ1段分
の変換部分としたものである。この場合でも図8に示す
ように直流入力導体6a,7aは重ね合わせ又交流出力
導体5aも重ね合っている。
の変換部分としたものである。この場合でも図8に示す
ように直流入力導体6a,7aは重ね合わせ又交流出力
導体5aも重ね合っている。
【0017】第1の実施例における図3と第2の実施例
における図8は原理的には同じである。又図12は3分
圧時に於ける変換器24のベクトル的に示したもので、
この方式では3段とも全く同じタイミングでスイッチン
グする事となる。図13は図7、1段分の変換部分を3
段分並べて、更に架線直線接続特有の機器サイリスタス
イッチ20等を有している。制御部10aは、どの場合
でも必要不可欠の部品である。これらをまとめて架線直
接接続の電力変換装置としたものである。
における図8は原理的には同じである。又図12は3分
圧時に於ける変換器24のベクトル的に示したもので、
この方式では3段とも全く同じタイミングでスイッチン
グする事となる。図13は図7、1段分の変換部分を3
段分並べて、更に架線直線接続特有の機器サイリスタス
イッチ20等を有している。制御部10aは、どの場合
でも必要不可欠の部品である。これらをまとめて架線直
接接続の電力変換装置としたものである。
【0018】図14は第2の実施例における図7の変形
例でIGBT2aに対応するスナバコンデンサ4a、ス
ナバ抵抗3aをIGBT2a側上位面に配置したもので
、スナバ回路のインダクタンス低減に効果している事は
前例と変わらない。第2の実施例に於ける作用効果は第
1実施例と同様である。以上に述べる第1及び第2実施
例の効果は次の通りである。 (1)出力電流のリップルを小さくする事により、モー
タの小形化及低騒音化ができる。更に変換装置そのもの
の静音化にも大きな効果がある。 (2)出力フィルタ回路が省略できシステムの小形化、
簡素化ができる。 (3)高い周波数域で運転できるので主回路電気品の小
形化ができる。 (4)IGBTはMosゲート入力の為(電圧駆動形)
駆動電力が極めて小さくて済みベース駆動回路の小形化
ができる。以上の複合作用によりシステムの小形化、軽
量化、低騒音化が図れる。又車両固有の制約条件にも良
く適合した実装技術となる。
例でIGBT2aに対応するスナバコンデンサ4a、ス
ナバ抵抗3aをIGBT2a側上位面に配置したもので
、スナバ回路のインダクタンス低減に効果している事は
前例と変わらない。第2の実施例に於ける作用効果は第
1実施例と同様である。以上に述べる第1及び第2実施
例の効果は次の通りである。 (1)出力電流のリップルを小さくする事により、モー
タの小形化及低騒音化ができる。更に変換装置そのもの
の静音化にも大きな効果がある。 (2)出力フィルタ回路が省略できシステムの小形化、
簡素化ができる。 (3)高い周波数域で運転できるので主回路電気品の小
形化ができる。 (4)IGBTはMosゲート入力の為(電圧駆動形)
駆動電力が極めて小さくて済みベース駆動回路の小形化
ができる。以上の複合作用によりシステムの小形化、軽
量化、低騒音化が図れる。又車両固有の制約条件にも良
く適合した実装技術となる。
【0019】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明は
高速スイッチング素子を用い、各構成部品を近接し、か
つ接続導体を重ね合わせる事により、サージ電圧の発生
を激減し、小形、軽量で低騒音の車両用電力変換装置を
実現する。
高速スイッチング素子を用い、各構成部品を近接し、か
つ接続導体を重ね合わせる事により、サージ電圧の発生
を激減し、小形、軽量で低騒音の車両用電力変換装置を
実現する。
【図1】本発明の第1実施例のスタック構成を示す図。
【図2】同スタックの側面図でIGBT配置を示す図。
【図3】IGBTに接続される導体を示した図。
【図4】第1実施例の1相当たりの回路図。
【図5】スタック側面図でスナバ部品の配置を示す図。
【図6】第1実施例の変換装置を示す図。
【図7】第2実施例のスタック構成図。
【図8】この場合のIGBTに接続される導体を示した
図。
図。
【図9】第2実施例の回路図。
【図10】第2実施例の回路図。
【図11】第2実施例の回路図。
【図12】1相当たりの回路図である。
【図13】第2実施例の変換装置を示す図。
【図14】図7における変形例。
【図15】IGBTのターンオフ特性を示す図。
1…ヒートパイプ、2,2a…IGBT、3…スナバコ
ンデンサ、4,4a…スナバ抵抗、5,6,7…入出力
導体、8…亘り導体、9,9a,91…スタック(ユニ
ット)、10,10a…制御部、11,11a…変換装
置、12…フィルタコンデンサユニット、13…スナバ
コンデンサ。
ンデンサ、4,4a…スナバ抵抗、5,6,7…入出力
導体、8…亘り導体、9,9a,91…スタック(ユニ
ット)、10,10a…制御部、11,11a…変換装
置、12…フィルタコンデンサユニット、13…スナバ
コンデンサ。
Claims (1)
- 【請求項1】 直流電力を交流電力変換する車両用電
力変換装置において、交流各相の上アーム、下アームを
高速スイッチング素子で構成し、それと近接して対応す
るスナバ抵抗又はスナバコンデンサを配設したスタック
でこれに接続される導体は、重ね合わせた形で接続され
る事を特徴とする車両用電力変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3088159A JPH04322174A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 車両用電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3088159A JPH04322174A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 車両用電力変換装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04322174A true JPH04322174A (ja) | 1992-11-12 |
Family
ID=13935146
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3088159A Pending JPH04322174A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 車両用電力変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04322174A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5459655A (en) * | 1991-09-20 | 1995-10-17 | Hitachi, Ltd. | Neutral-point clamped inverter device using semiconductor modules |
US5731970A (en) * | 1989-12-22 | 1998-03-24 | Hitachi, Ltd. | Power conversion device and semiconductor module suitable for use in the device |
EP1081833A1 (en) * | 1999-09-06 | 2001-03-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power converter apparatus |
JP2005295667A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Ngk Insulators Ltd | 高電圧パルス発生回路 |
-
1991
- 1991-04-19 JP JP3088159A patent/JPH04322174A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5731970A (en) * | 1989-12-22 | 1998-03-24 | Hitachi, Ltd. | Power conversion device and semiconductor module suitable for use in the device |
US5459655A (en) * | 1991-09-20 | 1995-10-17 | Hitachi, Ltd. | Neutral-point clamped inverter device using semiconductor modules |
EP1081833A1 (en) * | 1999-09-06 | 2001-03-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power converter apparatus |
JP2005295667A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Ngk Insulators Ltd | 高電圧パルス発生回路 |
JP4494066B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-06-30 | 日本碍子株式会社 | 高電圧パルス発生回路 |
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