JP3692906B2 - 電力配線構造及び半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体スイッチング素子を用いた電力変換装置における低インダクタンス配線構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
絶縁物を挟むなどして、幅広電極を狭い間隔で対向させて配置し、これらに逆方向の電流を流すと、発生する磁界が相殺されて減少するので、電極のインダクタンスを低減できることが一般的に知られており、高電位側のP電力母線と低電位側のN電力母線とを、上記のような2層の対向電極構造としてインダクタンスを低減する従来技術としては特開平6−38507号公報に記載されたものがある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
インバータ回路を集積化したインバータモジュール内部でも前記と同様の効果を期待してPN電力母線を2層の対向電極構造にする場合があるが、実際の電流の流れ方を観ると、PまたはN母線に流れる電流は出力線Uを流れて負荷に供給されるため、必ずしも対向した電極に逆方向の同じ値の電流が流れるわけではなく、ループを描いて電流が流れることが判る。例えば図9に示すごときU−V2相のインバータモジュール1において、U相とV相のそれぞれの回路でP母線とN母線とを対向電極として配置した場合、黒太線で示した経路と大きな矢印で示すようなループの経路とを介して電流が流れるので、丸で囲んだAとBの部分(インバータモジュールの外部)では相互に逆方向の電流が流れて磁界が相殺されるが、インバータモジュール1の内部では発生する磁界が相殺されず、したがって配線のインダクタンスを低減する効果が十分に得られないという問題があった。
なお、インバータの素子がスイッチングをするとインダクタンスLの大きさに比例したサージ電圧V=−L・di/dtを発生するため、配線のインダクタンスが大きいと、大きなサージ電圧が発生してスイッチング素子を破損してしまうおそれがある。このため、スイッチング素子の破損を防止する目的でスナバ回路を設けることがあるが、これによれば部品点数が増加するので、装置の大型化とコストが高くなるという問題が新たに発生する。また、スナバ回路を使用しない方法として、スイッチングの速度を遅くすることによりサージ電圧の低減が可能であるが、この方法ではスイッチングの高周波化を阻害し、かつ、スイッチング時間が長くなることにより、スイッチング損失が増加して素子が発熱し、放熱器が大型化すると共に効率も低下するという問題が新たに発生する。
【0004】
本発明は上記のごとき従来技術の問題を解決するためになされたものであり、低インダクタンス化を可能にした電力配線構造を提供することを目的とする。また、本発明においては上記の電力配線構造を用いた半導体装置を提供することも目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明においては、相補的に開閉するスイッチング素子が2個直列に接続された回路で、その両端に電源からの電力線が接続され、前記2個のスイッチング素子の接続点から負荷への出力線を引出した回路であって、前記両端の電力線を高電位側のPと低電位側のNとし、前記出力線をUとし、前記P、NおよびUをそれぞれ厚さよりも幅が大きい幅広電極で形成し、かつ、相互に絶縁体を介してPUNの順に厚さ方向に積層して3層幅広電極構造とし、かつ、前記負荷に接続される出力線Uが多相の場合に、前記高電位側のP電力線と低電位側のN電力線とに挟まれた位置で、多相の各出力線の端部を一個所に集結して重ね合わせ、重ね合わせた状態でP電力線とN電力線の間から外部に引き出す構成としている。なお、上記の相補的に開閉するスイッチング素子が2個直列に接続された回路とは、例えばインバータ回路、インバータ回路が2個並列に組み合わされたHブリッジ回路、或いはインバータ回路が3個並列に組み合わされた3相インバータ回路などに相当する。
【0006】
上記の構成においては、漏れ電流が無いと考えると、出力線Uに流れるのと同じ電流がP電力線またはN電力線のどちらかを出力線Uと反対方向に流れるため、電流によって発生する磁界を相殺することが出来るので、配線のインダクタンスを効果的に低減できる。
【0007】
また、請求項2以下に記載した半導体装置においては、上記の3層幅広電極構造を利用し、インバータモジュール内部の配線(ボンディングワイヤ等による配線)も磁界が相殺されるように配置することにより、インバータ内部の配線におけるインダクタンスも有効に低減することが出来るように構成している。
【0008】
【発明の効果】
本発明によれば、実際の電力配線におけるインダクタンスを効果的に低減できる。そのため、高速でスイッチングを行っても大きなサージ電圧によってスイッチング素子を破損してしまうおそれがなくなる。このためスナバ回路を設ける必要がなく、装置の小型化と低コスト化が可能である。また、スイッチングの速度を速くすることが可能なので、スイッチング損失が低減でき、素子発熱の低減および効率の向上という効果が得られる。また、インバータモジュール内部の配線におけるインダクタンスも有効に低減することが出来る。
【0009】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の一実施例を示す図であり、(a)は回路図、(b)は電力配線構造の基本的構成を示す斜視図、(c)は接続部分の構造を示す図である。
【0010】
図1の実施例は、2個のスイッチング素子を直列に接続した単相のインバータ回路に本発明を適用した場合の例である。図1において、1はインバータモジュール、2は負荷、3は電源である。また、4と5はスイッチング素子であり、6と7は平滑用コンデンサである。なお、ここではスイッチング素子をトランジスタで示しているが、トランジスタ以外にサイリスタ等の他のスイッチング素子を用いてもよい。また、スイッチング素子には還流ダイオードが並列に接続されている。
【0011】
また、図1(a)の回路における各素子を接続する配線(インダクタンスの記号で示す)は、図1(b)に示すように、高電位側のP母線と低電位側のN母線とが、出力線Uを挟んでPUNの順に積層された3層構造を有する。なお、上記P、NおよびUの各線は、それぞれ厚さよりも幅が大きい幅広電極で形成されており、かつ、相互に絶縁体(図示省略)を介して厚さ方向に積層されている。また、接続線の端部は図1(c)に示すように、出来るだけ端まで3層構造を保ち、末端部で別れるようになっている。
【0012】
図1の回路においては、スイッチング素子4と5は逆位相でオン、オフする。例えばスイッチング素子4がオンの時はスイッチング素子5はオフであり、このとき図1(a)に黒太線で示す経路(電源3の+端子→スイッチング素子4→平滑用コンデンサ7→負荷2→電源3の−端子)を通って電流が流れる。したがって上記の経路を構成する配線(前記の3層幅広電極)においては、丸で囲んだA、B、C、D、Eの各部分で相互に逆方向の電流が流れて磁界が相殺される。逆に、スイッチング素子4がオフの時はスイッチング素子5はオンであり、「電源3の+端子→平滑用コンデンサ6→負荷2→スイッチング素子5→電源3の−端子」の経路で電流が流れる。したがってこの場合にも電流経路となる配線の各部において相互に逆方向の電流が流れて磁界が相殺される。したがってインダクタンスを大幅に低減することが出来ると共に、電磁波の放射も低減出来る。
【0013】
図2は、本発明をU−V2相のインバータモジュールに適用した例を示す図であり、(a)は回路図、(b)は接続部分の構造を示す図である。図2において、インバータモジュール1は、トランジスタとダイオードの並列回路からなるスイッチング素子2個が1組となったスイッチングブロック14と、同じ構成のスイッチングブロック15とからなる。また、配線を構成する3層幅広電極は、P母線とN母線との間に、U相とV相の2相の電極がそれぞれの部分に挟まれた構造となっている。このようにU−V2相のインバータモジュールにおいても前記図1と同様に、配線の各部分において相互に逆方向の電流が流れて磁界が相殺されるので、インダクタンスを大幅に低減することが出来る。なお、3相以上のインバータモジュールにおいても同様である。
【0014】
また、上記の例においては、3層幅広電極により単相インバータを複数個並列接続して多相インバータモジュールを構成する場合について説明をしたが、スイッチング素子を直接に電気的接続する内部電極においても、各相を接続する電極を前記図1(b)に示すごとき3層広幅電極構造とすることにより、同様にインダクタンスを低減することができると共に、電磁波の放射も低減出来る。
【0015】
次に、図3は、出力線の引き出し構造の一実施例を示す図であり、(a)は斜視図、(b)は(a)のA−A断面図、(c)は(a)のB−B断面図、(d)は(a)のC−C断面図である。
図3ではU−V−W3相インバータの場合における出力線の引き出し構造を示す。PN電力母線に挟まれた各出力線をV相を中心に一点に集結し、各出力線をPN母線の間から引き出した部分からすぐに重ねる構造とする。A−A断面ではUVWの3相が平面上の並んでいるが、B−B断面ではU相とW相が屈曲してV相を挟む形となり、C−C断面ではUVWの3相が重なっている。このような3層幅広電極の厚さは全体的にほぼ電極板3枚分(正確にはこれに薄い絶縁層分が加わる)であり、構造が簡単で、製造も容易である。なお、UVWの3相が重なる部分は相互に絶縁されることは当然である。
【0016】
ただし、図3の例では出力線をPN母線から引き出すところで各出力線が単独となるため、出力線のインダクタンスを低減できない部分が生じる。また、電流が配線電極の中心を流れると近似して考えると、引き出し部の出力線のUVW電極の中心は間隔を開けて並んでいるため、この部分ではPN母線の電流と対向して流れる電流が存在しないことになり、PN母線のインダクタンスも部分的に低減できていない。
【0017】
上記の問題を解決した構造を図4に示す。図4(a)は斜視図、(b)は(a)のA−A断面図、(c)は(a)のB−B断面図である。
図4の構造では、A−A断面に示すように、PN母線に挟まれた位置で、UVWの各出力線をV相を中心にして一点に集結し、3枚の出力線を重ねた後にPN母線から引き出す構造としている。このような構造にすることにより、出力線が単独になることがないため、出力線のインダクタンスを確実に低減できる。また、PN母線の間で出力線を重ねるため、PN母線の電流と出力線の電流が対向して流れることになり、引き出し部でのPN母線のインダクタンスも効果的に低減できる。
【0018】
次に、インバータモジュールの内部構成について本発明を適用した場合を説明する。図5はインバータモジュールの一実施例図であり、(a)は斜視図、(b)は回路図である。この半導体装置は前記図1に示した単相のインバータ回路に相当する。
図5において、20は絶縁基板、21はスイッチング用のトランジスタ、22は還流ダイオード、23はトランジスタ21のゲートへの信号線を接続するための導電箔であり、これらは上アームのスイッチング素子(図1のスイッチング素子4に相当)を構成している。同様に絶縁基板24、トランジスタ25、還流ダイオード26は下アームのスイッチング素子(図1のスイッチング素子5に相当)を構成している。上記の上アームと下アームのスイッチング素子は、3層幅広電極29の両側に分かれて設置される。上記のトランジスタ21、25と還流ダイオード22、26は、それぞれ導電箔28等上に設置され、それぞれの下面電極は導電箔に接続されている。そして上記トランジスタ等の上面電極はボンディングワイヤ30を介して3層幅広電極29に接続され、また、上記導電箔もボンディングワイヤ30を介して3層幅広電極29に接続される。図5においては、上アームの高電位側(上面電極)がワイヤボンディングを介してP電極に接続され、上アームの低電位側(下面電極)がU電極に接続され、下アームの高電位側がU電極に接続され、下アームの低電位側がN電極に接続されている。
また、図5に示すように、トランジスタと還流ダイオードとが3層幅広電極29に沿って平行に並ぶ場合には、絶縁基板上の金属箔はトランジスタ用と還流ダイオード用とが分離され、それぞれがワイヤボンディングによって3層幅広電極29に接続される。また、上アームのトランジスタ21と還流ダイオード22は3層幅広電極29を挟んで下アームの還流ダイオード26とトランジスタ25に対向している。
【0019】
上記のように構成すれば、トランジスタおよび還流ダイオードに流れる電流は入力電流と出力電流が対向して逆方向に流れるため、インダクタンスが低減される。また、上下アームのトランジスタと還流ダイオードが対向して配置されるため、トランジスタがオフすると直ちに対向している還流ダイオードに電流が還流する。そして配線長が短いためインダクタンスが小さい。
【0020】
図6は、図5に示した半導体装置における動作時の電流の流れを説明するための図であり、左半分は回路図、右半分は断面図である。図6において、(a)は上アームのトランジスタ21がオンの状態、(b)は上アームのトランジスタ21がオフになって下アームの還流ダイオード26に電流が還流した状態、(c)は下アームのトランジスタ25がオンの状態、(d)は下アームのトランジスタ25がオフになって上アームの還流ダイオード22に電流が還流した状態を示す図である。
図6に示すように、3層幅広電極29およびボンディングワイヤ30を介して流れる電流は、図6に矢印で示したように、入力方向と出力方向とが全て対向して流れるので、発生する磁界を有効に相殺することができ、したがってインダクタンスを大幅に低減出来ると共に電磁波の放射も低減出来る。
【0021】
次に、図7はトランジスタと還流ダイオードの他の配置を示す断面図である。まず、図7(a)に示す配置においては、上下アームのそれぞれにおいて、3層幅広電極29の近傍に還流ダイオード22、26を配置し、その外側にトランジスタ21、25を配置している。このように還流ダイオードとトランジスタとが3層幅広電極29の両側に縦方向(3層幅広電極29に対して直角方向)に並ぶ場合には、絶縁基板31上の金属箔32、33はトランジスタと還流ダイオードに供用できるため、3層幅広電極29に接続するワイヤボンディングが共通となり、製造が簡易になる。この場合にも上下アームのトランジスタと還流ダイオードが対向して配置されるため、図5の場合と同様にインダクタンスが小さい。
【0022】
また、図7(b)においては、3層幅広電極29を傾けて設置することにより、上アームと下アームの接続位置の高さを同じにしたものである。このように構成することにより、上下アームの配線長を均一にしてインダクタンスを均一にすることができる。そのため、上下アームの間でのサージ電圧が均一になり、電気特性のバランスが良くなる。なお、図7(b)においては、トランジスタと還流ダイオードの部分は省略して表示しているが、この部分は図7(a)のような配置でも図5のような配置でもよい。
【0023】
次に、図8は、上下アームの他の配置を示す斜視図であり、3層幅広電極29の片側に並べて配置した例を示す。図8(a)は前記図5のようにトランジスタと還流ダイオードを3層幅広電極29に平行に配置した例、図8(b)は前記図7(a)のように還流ダイオードとトランジスタを3層幅広電極29に対して縦方向に配置した例を示す。
図8に示す構造では、半導体素子を集約出来るため、製造が容易になる。また、図8(a)においては図5と同様に、トランジスタの配線が短いため、インダクタンスが小さくなる。また、図8(b)においては、図7(a)と同様に基板上の金属箔やワイヤボンディングが共通となり、製造が簡易になる。
なお、これまでの実施例において、絶縁基板を上アームと下アームとで別けて表示した場合もあるが、共通の絶縁基板を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す図であり、(a)は回路図、(b)は電力配線構造の基本的構成を示す斜視図、(c)は接続部分の構造を示す図。
【図2】本発明をU−V2相のインバータモジュールに適用した例を示す図であり、(a)は回路図、(b)は接続部分の構造を示す図。
【図3】出力線の引き出し構造の一実施例を示す図であり、(a)は斜視図、(b)は(a)のA−A断面図、(c)は(a)のB−B断面図、(d)は(a)のC−C断面図。
【図4】出力線の引き出し構造の他の実施例を示す図であり、(a)は斜視図、(b)は(a)のA−A断面図、(c)は(a)のB−B断面図。
【図5】インバータモジュールに本発明を適用した場合の一実施例図であり、(a)は斜視図、(b)は回路図。
【図6】図5に示した半導体装置における動作時の電流の流れを説明するための図であり、(a)は上アームのトランジスタ21がオンの状態、(b)は上アームのトランジスタ21がオフになって下アームの還流ダイオード26に電流が還流した状態、(c)は下アームのトランジスタ25がオンの状態、(d)は下アームのトランジスタ25がオフになって上アームの還流ダイオード22に電流が還流した状態を示す図。
【図7】トランジスタと還流ダイオードの他の配置を示す断面図。
【図8】上下アームの他の配置を示す斜視図。
【図9】従来例の回路図。
【符号の説明】
1…インバータモジュール 2…負荷
3…電源 4、5…スイッチング素子
6、7…平滑用コンデンサ 14、15…スイッチングブロック
20…絶縁基板 21…スイッチング用のトランジスタ
22…還流ダイオード 23…導電箔
24…絶縁基板 25…トランジスタ
26…還流ダイオード 27、28…導電箔
29…3層幅広電極 30…ボンディングワイヤ
31…絶縁基板 32、33…金属箔
Claims (8)
- 相補的に開閉するスイッチング素子が2個直列に接続された回路で、その両端に電源からの電力線が接続され、前記2個のスイッチング素子の接続点から負荷への出力線を引出した回路であって、
前記両端の電力線を高電位側のPと低電位側のNとし、前記出力線をUとし、前記P、NおよびUをそれぞれ厚さよりも幅が大きい幅広電極で形成し、かつ、相互に絶縁体を介してPUNの順に厚さ方向に積層して3層幅広電極構造とし、かつ、前記負荷に接続される出力線Uが多相の場合に、前記高電位側のP電力線と低電位側のN電力線とに挟まれた位置で、多相の各出力線の端部を一個所に集結して重ね合わせ、重ね合わせた状態でP電力線とN電力線の間から外部に引き出したことを特徴とする電力配線構造。 - 電力線を高電位側のPと低電位側のNとし、出力線をUとし、前記P、NおよびUをそれぞれ厚さよりも幅が大きい幅広電極で形成し、かつ、相互に絶縁体を介してPUNの順に厚さ方向に積層した3層幅広電極と、
第1の絶縁基板上に選択的に設けられた第1の導電層と、
前記第1の導電層上に配置され、前記第1の導電層に下面電極が電気接続された第1の半導体チップと、
第2の絶縁基板上に選択的に設けられた第2の導電層と、
前記第2の導電層の上に配置され、前記第2の導電層に下面電極が電気接続された第2の半導体チップと、
前記3層幅広電極のP電極に前記第1の導電層を電気接続する手段と、
前記3層幅広電極のU電極に前記第1の半導体チップの上面電極を電気接続する手段と、
前記3層幅広電極のN電極に前記第2の半導体チップの上面電極を電気接続する手段と、
前記3層幅広電極のU電極に前記第2の導電層を電気接続する手段と、
を備え、
かつ、前記3層幅広電極を挟んで、前記第1の絶縁基板と前記第2の絶縁基板とを配置し、前記第1の絶縁基板側への配線と前記第2の絶縁基板側への配線との接続位置の高さが同じになるように、前記3層幅広電極を傾けて配置したことを特徴とする半導体装置。 - 電力線を高電位側のPと低電位側のNとし、出力線をUとし、前記P、NおよびUをそれぞれ厚さよりも幅が大きい幅広電極で形成し、かつ、相互に絶縁体を介してPUNの順に厚さ方向に積層した3層幅広電極と、
第1の絶縁基板上に選択的に設けられた第1の導電層と、
前記第1の導電層上に配置され、前記第1の導電層に下面電極が電気接続された第1の半導体チップと、
第2の絶縁基板上に選択的に設けられた第2の導電層と、
前記第2の導電層の上に配置され、前記第2の導電層に下面電極が電気接続された第2の半導体チップと、
前記3層幅広電極のP電極に前記第1の導電層を電気接続する手段と、
前記3層幅広電極のU電極に前記第1の半導体チップの上面電極を電気接続する手段と、
前記3層幅広電極のN電極に前記第2の半導体チップの上面電極を電気接続する手段と、
前記3層幅広電極のU電極に前記第2の導電層を電気接続する手段と、
を備え、
かつ、前記3層幅広電極の片側に前記第1の絶縁基板と前記第2の絶縁基板とを前記3層幅広電極と平行に並べて配置したことを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体チップはスイッチング素子と還流ダイオードからなり、該スイッチング素子と還流ダイオードを前記3層幅広電極に対して平行に配置し、かつ、前記スイッチング素子と還流ダイオードの下面電極が接続される導電層を別個に分離して設けたことを特徴とする請求項2または請求項3に記載の半導体装置。
- 前記半導体チップはスイッチング素子と還流ダイオードからなり、該スイッチング素子と還流ダイオードを前記3層幅広電極に対して縦方向に配置したことを特徴とする請求項2または請求項3に記載の半導体装置。
- 前記電気接続する手段はボンディングワイヤであることを特徴とする請求項2乃至請求項5の何れかに記載の半導体装置。
- 下面電極に接続するボンディングワイヤの引出し方向と、半導体チップの上面に接続するボンディングワイヤの引出し方向とが、同じであることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 前記第1の絶縁基板と前記第2の絶縁基板が共通の一つの基板からなることを特徴とする請求項2乃至請求項7の何れかに記載の半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000154704A JP3692906B2 (ja) | 2000-05-25 | 2000-05-25 | 電力配線構造及び半導体装置 |
US09/855,605 US6501167B2 (en) | 2000-05-25 | 2001-05-16 | Low inductance power wiring structure and semiconductor device |
EP01112178A EP1160866B1 (en) | 2000-05-25 | 2001-05-17 | Semiconductor device with power wiring structure |
DE60127027T DE60127027T2 (de) | 2000-05-25 | 2001-05-17 | Halbleiterelement mit Leistungsverdrahtungsstruktur |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000154704A JP3692906B2 (ja) | 2000-05-25 | 2000-05-25 | 電力配線構造及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001332688A JP2001332688A (ja) | 2001-11-30 |
JP3692906B2 true JP3692906B2 (ja) | 2005-09-07 |
Family
ID=18659761
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000154704A Expired - Fee Related JP3692906B2 (ja) | 2000-05-25 | 2000-05-25 | 電力配線構造及び半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6501167B2 (ja) |
EP (1) | EP1160866B1 (ja) |
JP (1) | JP3692906B2 (ja) |
DE (1) | DE60127027T2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
US9941255B2 (en) | 2014-02-11 | 2018-04-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor module |
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US7119437B2 (en) | 2002-12-26 | 2006-10-10 | Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha | Electronic substrate, power module and motor driver |
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JP4603956B2 (ja) | 2005-08-26 | 2010-12-22 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
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-
2000
- 2000-05-25 JP JP2000154704A patent/JP3692906B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-05-16 US US09/855,605 patent/US6501167B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-17 EP EP01112178A patent/EP1160866B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-17 DE DE60127027T patent/DE60127027T2/de not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6501167B2 (en) | 2002-12-31 |
EP1160866A2 (en) | 2001-12-05 |
DE60127027T2 (de) | 2007-06-28 |
EP1160866B1 (en) | 2007-03-07 |
EP1160866A3 (en) | 2004-12-22 |
US20010045639A1 (en) | 2001-11-29 |
JP2001332688A (ja) | 2001-11-30 |
DE60127027D1 (de) | 2007-04-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040315 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050322 |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050428 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050531 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050613 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090701 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100701 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110701 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120701 Year of fee payment: 7 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |