JPWO2011122279A1 - モータ駆動回路モジュール - Google Patents

モータ駆動回路モジュール Download PDF

Info

Publication number
JPWO2011122279A1
JPWO2011122279A1 JP2012508183A JP2012508183A JPWO2011122279A1 JP WO2011122279 A1 JPWO2011122279 A1 JP WO2011122279A1 JP 2012508183 A JP2012508183 A JP 2012508183A JP 2012508183 A JP2012508183 A JP 2012508183A JP WO2011122279 A1 JPWO2011122279 A1 JP WO2011122279A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
electrode surface
drive circuit
motor drive
circuit module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012508183A
Other languages
English (en)
Inventor
真生 関
真生 関
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Honda Motor Co Ltd
Original Assignee
Honda Motor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Honda Motor Co Ltd filed Critical Honda Motor Co Ltd
Publication of JPWO2011122279A1 publication Critical patent/JPWO2011122279A1/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/14Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
    • H05K7/1422Printed circuit boards receptacles, e.g. stacked structures, electronic circuit modules or box like frames
    • H05K7/1427Housings
    • H05K7/1432Housings specially adapted for power drive units or power converters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/071Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/14Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
    • H05K7/1422Printed circuit boards receptacles, e.g. stacked structures, electronic circuit modules or box like frames
    • H05K7/1427Housings
    • H05K7/1432Housings specially adapted for power drive units or power converters
    • H05K7/14329Housings specially adapted for power drive units or power converters specially adapted for the configuration of power bus bars
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/291Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/33Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H01L2224/331Disposition
    • H01L2224/3318Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/33181On opposite sides of the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/051Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/492Bases or plates or solder therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/33Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/30107Inductance
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/003Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

このモータ駆動用回路モジュールは、第1電極の第1電極面と第3電極の第3電極面とが、互いに対向し、なおかつ前記第1電極に電流が流れた際の電流の流れる向きが前記第1電極及び前記第3電極とで逆向きとなるように配置されている。また、第2電極の第2電極面と前記第3電極の第3電極面とが、互いに対向し、なおかつ前記第2電極に電流が流れた際の電流の流れる向きが前記第2電極及び前記第3電極とで逆向きとなるように配置されている。

Description

この発明は、モータ駆動回路モジュールに関する。
本願は、2010年3月29日に、日本に出願された特願2010−075743号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
モータを駆動するために用いられるモータ駆動回路モジュールでは、スイッチングデバイスを切り換えてモータ駆動電流を電源からモータへ供給する場合に、駆動回路の配線のインダクタンスがサージ電圧の上昇の原因となる。サージ電圧が高いと電力損失を生じ、スイッチングデバイスの耐圧を超えたサージ電圧が印加されるとスイッチングデバイスの劣化の原因となる。これを抑制するために、インダクタンスに対して、同一時間に互いに逆方向の電流を流すことで相互効果により低減することが行われている。
特開2005−261035号公報
しかしながら、上記従来のモータ駆動回路モジュールにおいては、スイッチングデバイスを平置きにしていたため、インダクタンスを十分に低減することができないという問題がある。
そこで、この発明は、相互インダクタンス効果を利用して効果的にインダクタンスの低減を図ることができるモータ駆動用回路モジュールを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は以下を採用した。
(1)本発明の一態様は、電源の一方極に接続される第1電極線と前記電源の他方極に接続される第2電極線とを備え前記電源からの電力でモータを駆動するパワーコントロールユニットに設けられ、前記第1電極線及び前記第2電極線と前記モータとの間に配置されるモータ駆動回路モジュールであって、スイッチングデバイスをモールドした樹脂モールド部の内部に前記第1電極線に接続される第1電極と;前記第2電極線に接続される第2電極と;前記モータに接続される第3電極と;を備え、前記第1電極の第1電極面と前記第3電極の第3電極面とが、互いに対向し、なおかつ前記第1電極に電流が流れた際の電流の流れる向きが前記第1電極及び前記第3電極とで逆向きとなるように配置され;前記第2電極の第2電極面と前記第3電極の第3電極面とが、互いに対向し、なおかつ前記第2電極に電流が流れた際の電流の流れる向きが前記第2電極及び前記第3電極とで逆向きとなるように配置されている。
(2)上記(1)に記載のモータ駆動回路モジュールでは、前記第1電極の第1電極面と前記第3電極の第3電極面との対向している部分、及び前記第2電極の第2電極面と前記第3電極の第3電極面との対向している部分に、部分的に他の部分よりも前記第1電極面と前記第3電極面及び前記第2出力電極面と前記第3電極面の距離が狭くなっているインダクタンス相殺部が各々設けられている構成を採用してもよい。
(3)上記(2)に記載のモータ駆動回路モジュールの場合、前記各インダクタンス相殺部に対応する、前記第1電極の第1電極面と前記第3電極の第3電極面との間及び前記第2電極の第2電極面と前記第3電極の第3電極面との間に介装された絶縁材をさらに備えてもよい。
上記(1)に記載の態様によれば、第1電極の第1電極面と第3電極の第3電極面及び第2電極の第2電極面と第3電極の第3電極面とが対向し、かつ互いに電流が逆向きに流れるようになっているため、相互インダクタンスによって効果的にインダクタンスの低減を図ることができる。
上記(2)に記載の場合、第1電極の第1電極面と第3電極の第3電極面との距離、第2電極の第2電極面と第3電極の第3電極面との距離がより小さくなったインダクタンス相殺部を備えたことにより、インダクタンスを更に低減することができる。
上記(3)に記載の場合、絶縁材を設けることで第1電極の第1電極面と第3電極の第3電極面との距離、第2電極の第2電極面と第3電極の第3電極面との距離を最小限にすることができ、インダクタンスを最も低くすることができる。
本発明の一実施形態におけるモータ駆動回路装置の回路図である。 同実施形態におけるモータ駆動回路モジュールの斜視図である。 同モータ駆動回路モジュールの分解斜視図である。 同モータ駆動回路モジュールの回路図である。 同モータ駆動回路モジュールの断面図である。 同実施形態におけるスイッチング時のサージ電圧の変化を示すグラフであって、サージ電圧が抑制されている状況を示している。 本発明の他の実施形態におけるモータ駆動回路モジュールを示す図であって、図5に相当する断面図である。 同実施形態における、電極間距離と相互インダクタンス効果との関係を示すグラフである。
本発明の各実施形態を図面に基づいて以下に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係るハイブリッド車両のパワーコントロールユニット(PCU)を含む回路1の構成を示している。この回路1は、高圧系のバッテリ2とパワーコントロールユニット3とモータ4とを備えて構成されている。ハイブリッド車両では、例えば、エンジンルーム内にエンジンとこれに直結されたモータ4とが配置されている。ハイブリッド車両の車室後部には、パワーコントロールユニット3及びバッテリ2が配置されている。モータ4とパワーコントロールユニット3との間は、三相ケーブル5により接続されている。
パワーコントロールユニット3の正極電極線Pはバッテリ2の正極に接続され、パワーコントロールユニット3の負極電極線Nはバッテリ2の負極に接続されている。これによって、バッテリ2よりパワーコントロールユニット3へ電力が供給され、パワーコントロールユニット3の電力電圧を昇圧した状態でモータ4を駆動する。モータ4が回生作動する場合には、パワーコントロールユニット3の電力電圧が降圧して正極電極線Pと負極電極線Nとによりバッテリ2が充電される。パワーコントロールユニット3は、パワードライブユニット(PDU)9で構成されている。パワードライブユニット(PDU)9は、平滑コンデンサ6とゲートドライブ基板7と、ブリッジ回路8とを備えている。
パワードライブユニット9のブリッジ回路8は、ハイ側(高電位側)U相スイッチングデバイス(UH)11,ロー側(低電位側)U相スイッチングデバイス(UL)12及びハイ側V相スイッチングデバイス(VH)21,ロー側V相スイッチングデバイス(VL)22及びハイ側W相スイッチングデバイス(WH)31,ロー側W相スイッチングデバイス(WL)32をブリッジ接続して構成されている。ここで、ハイ側U相スイッチングデバイス(UH)11,ロー側U相スイッチングデバイス(UL)12は、配線で接続されており、その配線は、三相ケーブル5のU相に接続されている。ハイ側V相スイッチングデバイス(VH)21とロー側V相スイッチングデバイス(VL)22は配線で接続されており、その配線は、三相ケーブル5のV相に接続されている。ハイ側W相スイッチングデバイス(WH)31とロー側W相スイッチングデバイス(WL)32は、配線で接続されており、その配線は、三相ケーブル5のW相に接続されている。ここで、スイッチングデバイスとしては、トランジスタやFET(電界効果型トランジスタ)、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)などが用いられる。
ハイ側スイッチングデバイスであるハイ側U相スイッチングデバイス11、ハイ側V相スイッチングデバイス21、ハイ側W相スイッチングデバイス31は正極電極線Pに接続されており、これらはハイサイドアームを構成している。ロー側スイッチングデバイスであるロー側U相スイッチングデバイス12、ロー側V相スイッチングデバイス22、ロー側W相スイッチングデバイス32は負極電極線Nに接続されており、これらはローサイドアームを構成している。
バイポーラトランジスタをスイッチングデバイスとして用いた例を示す。各スイッチングデバイス11,12,21,22,31,32のコレクタ−エミッタ間には、エミッタからコレクタに向けて順方向となるようにして、ダイオード(DUH)13,ダイオード(DUL)14,ダイオード(DVH)23,ダイオード(DVL)24,ダイオード(DWH)33,ダイオード(DWL)34が各々接続されている。
ブリッジ回路8とモータ4のU相、V相、W相の各コイルは、三相ケーブル5によって接続されている。三相ケーブル5は、第3U電極線UOUT、第3V電極線VOUT、第3W電極線WOUTの3本の電極線によって構成されている。
ここで、第3U電極線UOUT、第3V電極線VOUT、第3W電極線WOUTはモータ4を回生作動させる場合には、電流が流れ込むことから、符号「OUT」だけではなく、符号「IN」の記載も付すべきであるが、煩雑になるので「OUT」という記載のみを各部の名称に使用した。
ここで、ハイ側U相スイッチングデバイス11とロー側U相スイッチングデバイス12とダイオード13とダイオード14は樹脂によりU相モータ駆動回路モジュール15として一体でモールド成形されている。ハイ側V相スイッチングデバイス21とロー側V相スイッチングデバイス22とダイオード23とダイオード24は樹脂によりV相モータ駆動回路モジュール25として一体でモールド成形されている。ハイ側W相スイッチングデバイス31とロー側W相スイッチングデバイス32とダイオード33とダイオード34は樹脂によりW相モータ駆動回路モジュール35として一体でモールド成形されている。
したがって、これらU相モータ駆動回路モジュール15とV相モータ駆動回路モジュール25とW相モータ駆動回路モジュール35が、正極電極線Pと負極電極線Nとモータ4との間に配置されている。
図2は、本発明の実施形態におけるモータ駆動回路モジュールの斜視図である。図3はU相モータ駆動回路モジュール15の分解斜視図を示している。尚、V相モータ駆動回路モジュール25とW相モータ駆動回路モジュール35もU相モータ駆動回路モジュール15と同様の構成であるので説明は省略する。
図4は、モータ駆動回路モジュールの回路図である。図5は、モータ駆動回路モジュールの断面図である。
図2〜図5に示すように、U相モータ駆動回路モジュール15は上側に正極電極線Pに接続される正極電極38と下側に負極電極線Nに接続される負極電極39と、これら正極電極38と負極電極39との間に配置され、第3U電極線UOUTに接続されるOUT電極40とが上面から見て重なるように積層されている。これらは、樹脂モールド部41によってモールドされている。尚、符号38T,39T,40Tは、各々、正極電極38と負極電極39とOUT電極40の端子部を示しており、樹脂モールド部41の外側に突出している。
図3に示すように、樹脂モールド部41の内部には、ハイ側U相スイッチングデバイス11とダイオード13と信号端子43が共に、ハンダ層42を介して正極電極38とOUT電極40との間に実装されている。信号端子43の信号線44は樹脂モールド部の外側に突出している。
樹脂モールド部41の内部には、ロー側U相スイッチングデバイス12とダイオード14と信号端子45が、ハンダ層42を介してOUT電極40と負極電極39との間に実装されている。信号端子45の信号線46も樹脂モールド部41の外側に突出している。
樹脂モールド部41の内部であって、ハイ側U相スイッチングデバイス11とダイオード13、ロー側U相スイッチングデバイス12とダイオード14とが配置されていない部分には、正極電極38とOUT電極40間と、OUT電極40と負極電極39間には、樹脂モールド部41のみが介在している。その部分では、正極電極38の正極電極面38DとOUT電極40のOUT電極面40D、OUT電極40のOUT電極面40Dと負極電極39の負極電極面39Dとが互いに対向している。
また、図4に示すように、正極電極38とOUT電極40、および負極電極39は、正極電極38に電流が流れた際、正極電極38に流れる電流の向きとOUT電極40に流れる電流の向きが逆向き(実線矢印)となるように配置されている。更に、負極電極39に電流が流れた際、負極電極39に流れる電流の向きと、OUT電極40に流れる電流の向きが逆向き(破線矢印)となるように配置されている。
上記実施形態によれば、図5に示すように、正極電極38の正極電極面38DとOUT電極40のOUT電極面40D、OUT電極40のOUT電極面40Dと負極電極39の負極電極面39Dとが樹脂モールド部41内で互いに対向し、かつ正極電極38に電流が流れた際の電流の流れる向きが正極電極38及びOUT電極40とで逆向きとなるように配置され(図4の実線)、負極電極39に電流が流れた際の電流の流れる向きが負極電極39とOUT電極40とで逆向きとなるように配置されているため(図4の破線)、相互インダクタンス効果によって効果的にインダクタンスの低減を図ることができる。
図6は、従来の駆動モジュールにおけるスイッチング波形の例と本発明の実施形態における駆動モジュールのスイッチング波形を示す。縦軸は相対的な電圧値および相対的な電流値を示す。横軸は時間を示す。
従来のように正極電極38とOUT電極40とが対向せずに別方向に延びているような配置を採用した場合(図5で言えばOUT電極40が右側に延びている場合)、配線のインダクタンスは正極端子38TとOUT電極端子40Tとの距離に比例して発生し、スイッチング動作の際に電流I(実線)が急激に減少すると電圧が急激に立ち上がるサージ電圧の上昇(図6中の鎖線)が生じる。これに対して、発明の実施形態によれば、このサージ電圧の上昇を実線の電圧Vとして抑えることができるので、損失やスイッチングデバイスの耐圧オーバー(スイッチングデバイスの耐圧を超えた電圧印加)などを防止できる。
つまり、図5における正極電極38の正極電極面38DとOUT電極40のOUT電極面40Dとを例にすると、正極電極面38DとOUT電極面40Dとは対向配置されることによって相互誘導が生じる。これによって、正極電極38の正極電極面38Dに電流が流れると相互インダクタンスで決まる誘導起電力が発生し、OUT電極40のOUT電極面40Dに正極電極面38Dの電流とは逆向きに流れる電流により生ずる相互インダクタンスで決まる誘導起電力によって互いに打ち消し合うため(相互インダクタンス効果)、その結果として全体のインダクタンスを低減することができる。
次に、図7、図8に基づいて、この発明の他の実施形態を説明する。
図7に示すように、この実施形態は第1実施形態において対向している正極電極38の正極電極面38DとOUT電極40のOUT電極面40D、OUT電極40のOUT電極面40Dと負極電極39の負極電極面39Dにおいて、部分的に他の部分よりも正極電極38の正極電極面38DとOUT電極40のOUT電極面40Dの距離が狭くなっているインダクタンス相殺部47、及び部分的に他の部分よりもOUT電極40のOUT電極面40Dと負極電極39の負極電極面39Dの距離が狭くなっているインダクタンス相殺部47が各々設けられている。具体的には、正極電極面38DとOUT電極面40Dが図7の左右方向中央部分がOUT電極面40Dに近づいてきて、OUT電極面40Dに近接するインダクタンス相殺部47を形成している。
そして、このインダクタンス相殺部47に対応する、正極電極38の正極電極面38DとOUT電極40のOUT電極面40Dとの間、OUT電極40のOUT電極面40Dと負極電極39の負極電極面39Dとの間には絶縁材48が介装されている。具体的にはOUT電極40のOUT電極面40Dの上下面を覆うように絶縁材48が設けられている。
したがって、この実施形態においては、絶縁材48を設けることで、正極電極38の正極電極面38DとOUT電極40のOUT電極面40D及びOUT電極40のOUT電極面40Dと負極電極39の負極電極面39Dの距離を最小限にすることができるので、相互インダクタンスが増加して、全体のインダクタンスを低くすることができる。
つまり、図8に示すように、電極間距離と相互インダクタンス効果とは反比例の関係があるが、絶縁材48を設けない場合(樹脂モールド部のみ)には、短絡を防止するため例えば3mm程度が限界であった電極間距離が、絶縁材48を追加することで、電極間距離を1mm以下に小さくできる。これによって、相互効果の大きい範囲を使用することができる。
尚、この発明は上記実施形態のみに限られるものではなく、例えば、ハイブリッド車両以外に、電気自動車、燃料電池自動者等のモータを走行駆動力に使用する車両に適用することができる。
相互インダクタンスによって効果的にインダクタンスの低減を図ることができるモータ駆動用回路モジュールを提供することができる。
2 バッテリ(電源)
P 正極電極線(第1電極線)
N 負極電極線(第2電極線)
4 モータ
3 パワーコントロールユニット
15 U相モータ駆動回路モジュール
25 V相モータ駆動回路モジュール
35 W相モータ駆動回路モジュール
11 ハイ側U相スイッチングデバイス
12 ロー側U相スイッチングデバイス
21 ハイ側V相スイッチングデバイス
22 ロー側V相スイッチングデバイス
31 ハイ側W相スイッチングデバイス
32 ロー側W相スイッチングデバイス
41 樹脂モールド部
38 正極電極(第1電極)
39 負極電極(第2電極)
40 OUT電極(第3電極)
38D 正極電極面(第1電極面)
39D 負極電極面(第2電極面)
40D OUT電極面(第3電極面)
47 インダクタンス相殺部
48 絶縁材

Claims (3)

  1. 電源の一方極に接続される第1電極線と前記電源の他方極に接続される第2電極線とを備え前記電源からの電力でモータを駆動するパワーコントロールユニットに設けられ、前記第1電極線及び前記第2電極線と前記モータとの間に配置されるモータ駆動回路モジュールであって、
    スイッチングデバイスをモールドした樹脂モールド部の内部に前記第1電極線に接続される第1電極と;
    前記第2電極線に接続される第2電極と;
    前記モータに接続される第3電極と;
    を備え、
    前記第1電極の第1電極面と前記第3電極の第3電極面とが、互いに対向し、なおかつ前記第1電極に電流が流れた際の電流の流れる向きが前記第1電極及び前記第3電極とで逆向きとなるように配置され;
    前記第2電極の第2電極面と前記第3電極の第3電極面とが、互いに対向し、なおかつ前記第2電極に電流が流れた際の電流の流れる向きが前記第2電極及び前記第3電極とで逆向きとなるように配置されている;
    ことを特徴とするモータ駆動回路モジュール。
  2. 前記第1電極の第1電極面と前記第3電極の第3電極面との対向している部分、及び前記第2電極の第2電極面と前記第3電極の第3電極面との対向している部分に、
    部分的に他の部分よりも前記第1電極面と前記第3電極面及び前記第2出力電極面と前記第3電極面の距離が狭くなっているインダクタンス相殺部が各々設けられている
    ことを特徴とする請求項1記載のモータ駆動回路モジュール。
  3. 前記各インダクタンス相殺部に対応する、前記第1電極の第1電極面と前記第3電極の第3電極面との間及び前記第2電極の第2電極面と前記第3電極の第3電極面との間に介装された絶縁材をさらに備えることを特徴とする請求項2記載のモータ駆動回路モジュール。
JP2012508183A 2010-03-29 2011-03-09 モータ駆動回路モジュール Pending JPWO2011122279A1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010075743 2010-03-29
JP2010075743 2010-03-29
PCT/JP2011/055503 WO2011122279A1 (ja) 2010-03-29 2011-03-09 モータ駆動回路モジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2011122279A1 true JPWO2011122279A1 (ja) 2013-07-08

Family

ID=44712004

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012508183A Pending JPWO2011122279A1 (ja) 2010-03-29 2011-03-09 モータ駆動回路モジュール

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20130069573A1 (ja)
EP (1) EP2555406A1 (ja)
JP (1) JPWO2011122279A1 (ja)
CN (1) CN102812629A (ja)
WO (1) WO2011122279A1 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5798951B2 (ja) * 2012-03-02 2015-10-21 日立オートモティブシステムズ株式会社 インバータ装置
JP5811072B2 (ja) * 2012-11-02 2015-11-11 トヨタ自動車株式会社 パワーモジュール
KR102034717B1 (ko) * 2013-02-07 2019-10-21 삼성전자주식회사 파워모듈용 기판, 파워모듈용 터미널 및 이들을 포함하는 파워모듈
JP2014183078A (ja) * 2013-03-18 2014-09-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
CN103354414B (zh) * 2013-06-17 2016-02-24 许继电气股份有限公司 一种并联igbt功率单元
JP2015173147A (ja) 2014-03-11 2015-10-01 株式会社東芝 半導体装置
JP6326038B2 (ja) * 2015-12-24 2018-05-16 太陽誘電株式会社 電気回路装置
US10021802B2 (en) * 2016-09-19 2018-07-10 General Electric Company Electronic module assembly having low loop inductance
CN108319995B (zh) * 2018-01-15 2020-11-27 苏州互盟信息存储技术有限公司 一种usb存储卡数据读写装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62144578A (ja) * 1985-12-17 1987-06-27 Mitsubishi Electric Corp インバ−タ回路
JP2001332688A (ja) * 2000-05-25 2001-11-30 Nissan Motor Co Ltd 電力配線構造及び半導体装置
JP2002017092A (ja) * 2000-06-30 2002-01-18 Nissan Motor Co Ltd 配線構造
JP2004056984A (ja) * 2002-07-24 2004-02-19 Mitsubishi Electric Corp 電力変換装置
JP2004140068A (ja) * 2002-10-16 2004-05-13 Nissan Motor Co Ltd 積層型半導体装置およびその組み立て方法
JP2008042086A (ja) * 2006-08-09 2008-02-21 Honda Motor Co Ltd 半導体装置
JP2009017718A (ja) * 2007-07-06 2009-01-22 Fuji Electric Systems Co Ltd 並行配線導体構造
JP2010016947A (ja) * 2008-07-02 2010-01-21 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 電力変換装置のパワーモジュール

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3460973B2 (ja) * 1999-12-27 2003-10-27 三菱電機株式会社 電力変換装置
JP2005261035A (ja) 2004-03-10 2005-09-22 Toyota Motor Corp 半導体装置
JP4851601B2 (ja) 2010-01-08 2012-01-11 タイヨーエレック株式会社 遊技機

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62144578A (ja) * 1985-12-17 1987-06-27 Mitsubishi Electric Corp インバ−タ回路
JP2001332688A (ja) * 2000-05-25 2001-11-30 Nissan Motor Co Ltd 電力配線構造及び半導体装置
JP2002017092A (ja) * 2000-06-30 2002-01-18 Nissan Motor Co Ltd 配線構造
JP2004056984A (ja) * 2002-07-24 2004-02-19 Mitsubishi Electric Corp 電力変換装置
JP2004140068A (ja) * 2002-10-16 2004-05-13 Nissan Motor Co Ltd 積層型半導体装置およびその組み立て方法
JP2008042086A (ja) * 2006-08-09 2008-02-21 Honda Motor Co Ltd 半導体装置
JP2009017718A (ja) * 2007-07-06 2009-01-22 Fuji Electric Systems Co Ltd 並行配線導体構造
JP2010016947A (ja) * 2008-07-02 2010-01-21 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 電力変換装置のパワーモジュール

Also Published As

Publication number Publication date
EP2555406A1 (en) 2013-02-06
US20130069573A1 (en) 2013-03-21
CN102812629A (zh) 2012-12-05
WO2011122279A1 (ja) 2011-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2011122279A1 (ja) モータ駆動回路モジュール
JP6785276B2 (ja) 電力変換装置
US9425707B2 (en) Inverter device capable of appropriately fixing a power module having a switching element and a smoothing capacitor in a limited region
US8274807B2 (en) Power conversion device
US7768149B2 (en) Power module
US9906158B2 (en) Power conversion device
US9117789B2 (en) Semiconductor device
CN106057751A (zh) 电子控制单元
JPWO2016132851A1 (ja) 電力変換装置
JP2014038973A (ja) パワー半導体モジュール
JP2017200315A (ja) 半導体装置
JP5451994B2 (ja) 電力変換装置の導体配置構造
JP4064741B2 (ja) 半導体装置
JP2007089357A (ja) パワーモジュール
JP6407798B2 (ja) パワー半導体装置
JP2018107950A (ja) インバータユニット
WO2022054476A1 (ja) 電力変換装置
JP2014057494A (ja) 車両用回転電機
WO2018211580A1 (ja) 電力変換装置
JP2019062585A (ja) 半導体装置
WO2019150870A1 (ja) 半導体モジュール
JP3922698B2 (ja) 半導体装置
JP2021100357A (ja) 電力変換装置
JP2006174566A (ja) 電流制御素子、昇圧装置およびインバータ装置
US20240213887A1 (en) Power conversion device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130611

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140520

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140924