KR100586558B1 - 컬럼 경로회로 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (28)
- 페이지 어드레스 신호의 레벨천이를 검출하여 소정의 인에이블 구간을 갖는 천이검출신호를 출력하는 복수의 어드레스 천이 검출부와;상기 복수의 어드레스 천이 검출부로부터의 천이검출신호를 논리연산하여 출력하는 검출신호 결합부와;상기 검출신호 결합부로부터의 신호의 인에이블에 응답하여 소정 인에이블 구간을 갖는 스트로브 준비신호를 출력하는 준비신호 발생부와;상기 스트로브 준비신호에 응답하여, 소정 리드 스트로브 신호와, 상기 페이지 어드레스 신호를 래치하기 위한 페이지 어드레스 스트로브 신호를 생성하는 스트로브 신호 생성부와;상기 페이지 어드레스 스트로브 신호에 의해 인에이블되어 페이지 어드레스 신호를 래치하여 버퍼링하는 복수의 페이지 어드레스 버퍼와;상기 복수의 페이지 어드레스 버퍼에 의해 버퍼링된 페이지 어드레스 신호를 디코딩하는 페이지 어드레스 디코더와;상기 리드 스트로브 신호에 동기하여, 상기 디코딩된 페이지 어드레스 신호에 대응하는 컬럼 선택신호를 출력하는 컬럼 선택신호 발생부를 포함하여 구성되는 컬럼 경로회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 검출신호 결합부는 상기 복수의 어드레스 천이 검출부로부터의 천이검출신호를 논리합연산하여 출력하는 컬럼 경로회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 스트로브 신호 생성부는 상기 스트로브 준비신호에 응답하여 상기 리드 스트로브 신호와 페이지 어드레스 스트로브 신호의 생성을 위한 리셋 신호를 출력하는 리셋신호 생성부와,상기 리셋 신호에 응답하여 상기 리드 스트로브 신호와 페이지 어드레스 스트로브 신호를 출력하는 리드 스트로브 출력부를 포함하는 컬럼 경로회로.
- 제 3항에 있어서,상기 리셋 신호 생성부는피드백되는 상기 페이지 어드레스 스트로브신호를 소정시간 지연시킨 신호에 응답하여 제 1 노드를 풀-다운 구동하는 제 1 풀-다운소자와,피드백되는 상기 리드 스트로브 신호의 반전 신호에 응답하여 상기 제 1 노드를 풀-업 구동하는 제 1 풀-업 소자와,상기 제 1 노드로부터의 신호와 상기 스트로브 준비신호를 논리연산하여 출 력하는 제 1 논리부와,상기 제 1 논리부로부터의 신호에 응답하여 소정 인에이블 구간을 갖는 상기 리셋신호를 생성하는 제 1 신호발생부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 컬럼 경로회로.
- 제 4항에 있어서,상기 리셋 신호 생성부는 상기 제 1 노드의 신호를 소정시간 래치시키는 제 1 래치부를 상기 제 1 노드와 상기 제 1 논리부 사이에 더 포함하는 컬럼 경로회로.
- 제 4항에 있어서,상기 리셋 신호 생성부는 상기 리드 스트로브 신호의 반전신호에 응답하여 상기 제 1 노드와 제 1 풀-다운 소자 간을 스위칭하는 제 1 스위치소자를 더 포함하는 컬럼 경로회로.
- 제 6항에 있어서,상기 제 1 스위치 소자는 NMOS 소자인 컬럼 경로회로.
- 제 4항에 있어서,상기 제 1 논리부는 논리곱 연산을 수행하는 컬럼 경로회로.
- 제 4항에 있어서,상기 제 1 신호발생부는상기 제 1 논리부로부터의 신호를 소정시간 지연시키는 제 1 지연부와,상기 제 1 지연부로부터의 신호를 버퍼링하는 제 1 버퍼와,상기 제 1 논리부로부터의 신호와 상기 제 1 버퍼로부터의 신호를 논리연산하여 출력하는 제 2 논리부를 포함하여 구성되는 컬럼 경로회로.
- 제 9항에 있어서,상기 제 1 버퍼는 인버팅동작을 수행하고, 상기 제 2 논리부는 논리곱 연산을 수행하는 컬럼 경로회로.
- 제 4항에 있어서,상기 리셋 신호 생성부는소정 초기화 신호에 응답하여 상기 제 1 노드를 풀-업구동하는 제 2 풀-업 소자를 더 포함하는 컬럼 경로회로.
- 제 3항에 있어서,상기 리드 스트로브 출력부는상기 리셋 신호에 응답하여 제 2 노드를 풀-다운 구동하는 제 2 풀-다운소자와,피드백되는 상기 리드 스트로브 신호의 반전 신호에 응답하여 상기 제 2 노드를 풀-업 구동하는 제 3 풀-업 소자와,상기 제 2 노드로부터의 신호를 소정시간 래치시키는 제 2 래치부와,상기 제 2 래치부로부터의 신호에 응답하여 소정 인에이블 구간을 갖는 상기 페이지 어드레스 스트로브 신호를 출력하는 제 2 신호발생부와,상기 페이지 어드레스 스트로브 신호를 소정시간 지연시켜 상기 리드 스트로브 신호를 출력하는 제 2 지연부를 포함하여 구성되는 컬럼 경로회로.
- 제 12항에 있어서,상기 리드 스트로브 출력부는 상기 리드 스트로브 신호의 반전신호에 응답하 여 상기 제 2 노드와 제 2 풀-다운 소자 간을 스위칭하는 제 2 스위치소자를 더 포함하는 컬럼 경로회로.
- 제 13항에 있어서,상기 제 2 스위치 소자는 NMOS 소자인 컬럼 경로회로.
- 제 12항에 있어서,상기 제 2 래치부는 상기 제 2 노드의 신호를 반전시켜 출력하는 반전 래치인 컬럼 경로회로.
- 제 12항에 있어서,상기 제 2 신호발생부는상기 제 2 래치부로부터의 신호를 소정시간 지연시키는 제 3 지연부와,상기 제 3 지연부로부터의 신호를 버퍼링하는 제 2 버퍼와,상기 제 2 래치부로부터의 신호와 상기 제 2 버퍼로부터의 신호를 논리연산하여 출력하는 제 3 논리부를 포함하여 구성되는 컬럼 경로회로.
- 제 16항에 있어서,상기 제 2 버퍼는 인버팅동작을 수행하고, 상기 제 3 논리부는 논리곱 연산을 수행하는 컬럼 경로회로.
- 제 12항에 있어서,상기 리드 스트로브 출력부는 소정 초기화 신호에 응답하여 상기 제 2 노드를 풀-업구동하는 제 4 풀-업 소자를 더 포함하는 컬럼 경로회로.
- 제 3항에 있어서,상기 준비신호 발생부는상기 검출신호 결합부로부터의 신호에 응답하여 제 3 노드를 풀-다운 구동하는 제 3 풀-다운소자와,상기 리셋 신호의 반전신호에 응답하여 상기 제 3 노드를 풀-업 구동하는 제 5 풀-업 소자와,상기 제 3 노드로부터의 신호를 소정시간 래치시키고 상기 스트로브 준비신호를 출력하는 제 3 래치부를 포함하는 컬럼 경로회로.
- 제 19항에 있어서,상기 준비신호 발생부는 상기 리셋 신호의 반전신호에 응답하여 상기 제 3 노드와 제 3 풀-다운 소자 간을 스위칭하는 제 3 스위치소자를 더 포함하는 컬럼 경로회로.
- 제 20항에 있어서,상기 제 3 스위치 소자는 NMOS 소자인 컬럼 경로회로.
- 제 19항에 있어서,상기 제 3 래치부는 상기 제 3 노드의 신호를 반전시켜 출력하는 반전 래치인 컬럼 경로회로.
- 제 19항에 있어서,상기 준비신호 발생부는 소정 초기화 신호에 응답하여 상기 제 3 노드를 풀-업구동하는 제 6 풀-업 소자를 더 포함하는 컬럼 경로회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 페이지 어드레스 버퍼는상기 페이지 어드레스 스트로브 신호에 응답하여 제 4노드를 풀-업구동하는 제 7 풀-업 소자와,상기 페이지 어드레스 스트로브 신호에 응답하여 제 5노드를 풀-업구동하는 제 8 풀-업 소자와,상기 페이지 어드레스 신호에 응답하여 상기 제 4노드를 풀-다운 구동하는 제 4 풀-다운 소자와,상기 페이지 어드레스 신호를 버퍼링한 신호에 응답하여 상기 제 5노드를 풀-다운 구동하는 제 5 풀-다운 소자와,상기 제 4 노드로부터의 신호에 응답하여 상기 제 5 노드를 풀-업 구동하는 제 9 풀-업 소자와,상기 제 5 노드로부터의 신호에 응답하여 상기 제 4 노드를 풀-업 구동하는 제 10 풀-업 소자와,상기 제 4 노드로부터의 신호를 버퍼링한 신호에 응답하여 제 6노드를 풀-다운 구동하는 제 6 풀-다운 소자와,상기 제 5 노드로부터의 신호에 응답하여 제 6노드를 풀-업 구동하는 제 11 풀-업 소자를 포함하여 구성되는 컬럼 경로회로.
- 제 24 항에 있어서,상기 페이지 어드레스 버퍼는 상기 페이지 어드레스 스트로브 신호에 응답하여 동작하고, 상기 제 4 풀-다운소자와 제 5 풀-다운 소자의 공동 접속노드와 접지단 간을 스위칭하는 제 4 스위치를 더 포함하는 컬럼 경로회로.
- 제 24항에 있어서,상기 제 5 풀-다운 소자는 상기 페이지 어드레스 신호의 반전 신호에 응답하여 동작하고, 상기 제 6 풀-다운 소자는 상기 제 4 노드로부터의 신호의 반전신호에 응답하여 동작하는 컬럼 경로회로.
- 제 24항에 있어서,상기 페이지 어드레스 버퍼는 상기 제 6노드로부터의 신호를 반전시켜 상기 버퍼링된 페이지 어드레스 신호를 출력하는 인버터 소자를 더 포함하는 컬럼 경로회로.
- 제 24항에 있어서,상기 페이지 어드레스 버퍼는 상기 제 6 노드의 신호를 소정시간 래치시키는 제 4 래치부를 더 포함하는 컬럼 경로회로.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050029108A KR100586558B1 (ko) | 2005-04-07 | 2005-04-07 | 컬럼 경로회로 |
US11/275,595 US7428186B2 (en) | 2005-04-07 | 2006-01-18 | Column path circuit |
DE102006003583A DE102006003583A1 (de) | 2005-04-07 | 2006-01-25 | Spaltenpfadschaltung |
TW095104033A TWI307512B (en) | 2005-04-07 | 2006-02-07 | Column path circuit |
JP2006104230A JP4889348B2 (ja) | 2005-04-07 | 2006-04-05 | コラム経路回路 |
US12/190,281 US7626885B2 (en) | 2005-04-07 | 2008-08-12 | Column path circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050029108A KR100586558B1 (ko) | 2005-04-07 | 2005-04-07 | 컬럼 경로회로 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100586558B1 true KR100586558B1 (ko) | 2006-06-08 |
Family
ID=37026461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050029108A KR100586558B1 (ko) | 2005-04-07 | 2005-04-07 | 컬럼 경로회로 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7428186B2 (ko) |
JP (1) | JP4889348B2 (ko) |
KR (1) | KR100586558B1 (ko) |
DE (1) | DE102006003583A1 (ko) |
TW (1) | TWI307512B (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100586558B1 (ko) * | 2005-04-07 | 2006-06-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 컬럼 경로회로 |
US9171609B2 (en) * | 2013-12-04 | 2015-10-27 | Integrated Silicon Solution (Shanghai), Inc. | Address transition detecting circuit |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5764895U (ko) * | 1980-10-03 | 1982-04-17 | ||
US5333300A (en) * | 1991-02-11 | 1994-07-26 | Intel Corporation | Timing circuitry and method for controlling automated programming and erasing of a non-volatile semiconductor memory |
CA2172890C (en) * | 1995-06-06 | 2005-02-22 | Harold R. Schnetzka | Switch driver circuit |
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KR0169419B1 (ko) | 1995-09-28 | 1999-02-01 | 김광호 | 불휘발성 반도체 메모리의 독출방법 및 장치 |
JP3523004B2 (ja) * | 1997-03-19 | 2004-04-26 | 株式会社東芝 | 同期式ランダムアクセスメモリ |
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DE60017704D1 (de) | 2000-02-29 | 2005-03-03 | St Microelectronics Srl | Spaltedekodierer für das Lesen von Seiten in einem Halbleiterspeicher |
JP2002150768A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-24 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
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KR100482766B1 (ko) | 2002-07-16 | 2005-04-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 메모리 소자의 컬럼 선택 제어 신호 발생 회로 |
KR100527569B1 (ko) * | 2003-05-09 | 2005-11-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 강유전체 메모리 및 그 제어 장치 |
KR100586558B1 (ko) * | 2005-04-07 | 2006-06-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 컬럼 경로회로 |
-
2005
- 2005-04-07 KR KR1020050029108A patent/KR100586558B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-01-18 US US11/275,595 patent/US7428186B2/en active Active
- 2006-01-25 DE DE102006003583A patent/DE102006003583A1/de not_active Withdrawn
- 2006-02-07 TW TW095104033A patent/TWI307512B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-04-05 JP JP2006104230A patent/JP4889348B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-08-12 US US12/190,281 patent/US7626885B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006294228A (ja) | 2006-10-26 |
DE102006003583A1 (de) | 2006-10-12 |
US7428186B2 (en) | 2008-09-23 |
US20060227651A1 (en) | 2006-10-12 |
TW200639874A (en) | 2006-11-16 |
US7626885B2 (en) | 2009-12-01 |
JP4889348B2 (ja) | 2012-03-07 |
TWI307512B (en) | 2009-03-11 |
US20090040845A1 (en) | 2009-02-12 |
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A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
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