TW307041B - - Google Patents

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A7 B7 307041 五、發明説明（1 ) [發明所屬之技術領域] (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明一般而言係闞於一種半導體記憶簞元，更特別指 明而言，係翮於一種在記憶單元端部上為了可防止在A1配 線和單元板之間發生電氣短路而改良的半導體記憶裝置。 [習知之技術] 1C記憶體係由：由多涸記憶元件所構成的記憶單元陣列 ;及對輸入輸出所必要的週邊電路所構成，該等多有形成 於同一基板上之情況。 圖10顯示習知之DRAM的基本構造。指定目的記憶單元之 位置（記憶體之位址）的位址信號，係自X位址和Y位址輸入 ，而給其位址之寫入，或自該處之讀出，係依輸入輸出控 制信號來進行。 解碼器係使用位址信號而選出位址的電路。 參照圖10和圖11，X解碼器、Y解碼器的輸出，係各別依 X線（字元線）、Y線ί位元線），而傳達至各位址的E憶單元 上。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 圖12為記憶單元陣列的平面圖。參照圖12，記憶單元陣 列1 0包含有多個記憶單元塊1 1。 圖13為圖12中之Α部的放大圖。 各個記憶單元塊11包含有：存儲節點2;及為了被覆存 儲節點2而設的單元板1。 圖14為更詳细說明存儲節點之部份的圖。存儲節點2係 設在位元線（BL)和傳輸閘（TG)之交叉點的附近。存儲節點 接點12和位元線接點13係形成於活性領域14内。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4 一 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（2 ) 圖15為沿著圖14中之XV-XV線的截面圖。參照圖15，可 設置單元板1 Μ便被覆存儲節點2。 [發明所欲解決之問題] 參照圖12和圖13，習知之DRAM在記憶單元塊11端部之轉 角部上，存儲節點2之反覆圖案的端緣部以縱横排列者， 而單元板1則全面被覆在其上面。 圖16為沿著圖13中之XVI-XVI線的截面圖，為形成單元 板接點15之製程的截面圖。 參照圖16，為了覆蓋半導體基板16上所形成的存儲節點 2，而設置單元板1。為了覆蓋單元板1而設置層間膜3。並 在層間膜3上設置抗蝕劑4。 參照圖16，在記憶單元塊11之端部上，因存儲節點2之 厚度產生高低差，所Μ會在層間膜3上發生傾斜。若在層 間膜3上有傾斜的狀態下塗佈抗蝕劑4的話，則會在層間膜 3的傾斜部份，產生抗蝕劑4之膜厚為最小的部份（Μ下稱 為抗蝕劑膜厚之最小部）5。若實際製造16 M(2. 5) DRAM時* 對抗蝕劑4之塗佈膜厚100〇f而言，抗蝕劑膜厚之最小部5 則為3 6 0 0 X。 其结果可參照圖17，為了形成單元板1之接點15用的層 間膜3在蝕刻時，抗蝕劑4會減膜，而在抗蝕劑膜厚之最小 部5中，層間膜3會露出。其結果，在抗蝕劑膜厚之最小部 5上，會急遽地開始進行層間膜3的蝕刻，並因層間膜3被 挖而產生凹部6。之後在層間膜3上形成A1配線之製程中， 在該凹部6之部份上可使A1配線和單元板1短路。抗蝕劑4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ------—.—〇 裝. 訂 」 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 3_41 Λ7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（3 ) 和層間膜3的蝕刻選擇比在不夠大時，則發生如此之不良 機率會增加。其结果，會製造出電氣電路不正常動作的半 導體記憶裝置。 本發明係為了解決上述之問題點而所成者，而其目的係 在於提供一棰為了使電氣電路可正常動作而改良的半導體 記憶裝置。 [解決問題之手段] 按照本發明之第一局面的半導髖記憶裝置*係備有半導 體基板。在半導體基板上，設置動態隨機存取記憶臞之記 憶單元塊。在上述記憶單元塊的轉角部近旁，設置存儲節 點之虛圖案（M下稱為虛存儲節點）。為了覆蓋上述虛存儲 節點，且為了自上述動態隨機存取記憶體之本體單元開始 進行電氣絕緣，而設置單元板之虚圖案（M下稱為虛單元 板）。 若依據本發明之第一局面的半導體記憶裝置，則即使A1 配線和虛單元板短路，虛單元板因和本體單元板Μ電氣絕 緣，故電氣電路亦可正常動作。 按照本發明之第二局面的半導體記憶裝置，係備有半導 體基板。在上述半導體基板上，設有動態随機存取記憶體 之記憶單元塊。而上述記憶單元塊之轉角部的角因被削去 ，所Κ層間膜之傾斜會緩和。 [發明之實施形態] 以下係就圖來說明本發明之實施形態。 發明之實施形態1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1^1 nn 1 nn I —L^— —^ϋ H—ΛΤ m ^^^1 · 訂 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（4 ) 在發明之實施形態1中，記憶單元陣列之平面圖，係和 圖12所示之習知者相同。圖1係顯示本發明之實施形態1中 之情況的A部放大圖。若依據本發明之實施形態，則在記 憶單元塊11之轉角部近旁，設有存儲節點之虛圖案8(以下 稱為虛存儲節點）。 圖2為沿著圖1中之Ε-ϋ線的截面圖。由圖2可明白，在 半導體基板16上所形成的虚單元板7，可自本體單元板1開 始做電氣絕緣。 參照圖2和圖3，在形成單元板之接點15之際，在抗蝕劑 膜厚之最小部5上，因層間膜3被挖而產生凹部6，所以在 層間膜3上所形成的Α1配線（未圖示）和虛單元板7即使電氣 短路，空單元板7因和本體之單元板1電氣絕緣，所Μ電氣 電路仍可正常動作》 發明之實施形態2 圖1所示之半専體記憶裝置，雖例示為了圃住記憶單元 塊之轉角部而設置虚存儲節點8之情況，但是本發明並非 限於此。亦即參照圖4，即使只在由一方之邊和另-·方之 邊所構成的記憶單元塊之轉角部的一方之邊側，形成虛存 儲節點8，亦可實現同樣之效果。 發明之奮施形態3 參照圖5，即使將虛存儲節點8在記憶單元塊之轉角Μ平 面形狀形成四角形，亦可實現同樣之效果。 發明之實施形態4 參照圖6，在半導體基板（未圖示）上，設置動態隨機存 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) il· I —^n 1^1 In

、1T 7 A7 B7 307041 五、發明説明（5 ) 取記憶體之記憶單元塊11。存儲節點2之圖案的轉角部之 角係Μ 4 5 °之角度切削。轉角部係切削角成直線狀。藉由 將存儲節點2之圖案的轉角部形成如此之形狀·參照圖9, 則層間膜3的傾斜得以緩和，進而可將抗蝕劑之最小膜厚 部15的膜厚加大。其结果，在形成單元板1之接點之際， 層間膜3可被挖。進而，Α1配線和單元板1不會短路。另外 ，圖9中*圖16所示之習知之層間膜的傾斜亦可Μ點線表 示 。 發明之實施形態5 發明之實施形態4雖例示將存儲節點之圖案的轉角部之 角切削成直線狀的情況，但是本發明並非限於此。亦即， 參照圖7，即使將轉角部在平面形狀上切削成梯狀，亦可 達到同樣的效果。 發明之實施形態6 上述發明之實施形態，雖例示將存儲節點之圖案的轉角 部之角切削成直線狀或者梯狀的情況，但是本發明並非限 於此。亦即，參照圖8，即使將轉角部之角取曲線狀，亦 可實現同樣的效果。 [圖式之簡單說明] 圖1為發明之實施形態1中之半導體記憶裝置的記憶單元 塊之轉角部的平面圖。 圖2為沿著圖1中之Ε - Ε線的截面圖= 圖3為關於發明之實施形態1的半導體記憶裝置之製造方 法中之形成單元板接點之製程之半導體記憶裝置的截面Μ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 請 先 閱 讀 背 τέ 意 事 項 再 i η 經 濟 部 t 央 標 準 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 -8 - 五、發明説明（6 ) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 圖4為關於發明之實施形態2之半導體記憶裝置的記憶單 元塊之轉角部的平面圖。 圖5為闞於發明之簧_形態3之半導體記憶装置的記憶單 元塊之轉角部的平面圖。 圖6為關於發明之《施形態4之半導體記憶装置的記憶單 元塊之轉角部的平面圖。 圖7為關於發明之實施形態5之半専體記憶裝置的記憶單 元塊之轉角部的平面圖。 圖8為闞於發明之實_形態6之半導體記憶裝置的記憶單 元塊之轉角部的平面圖。 圖9為說明闞於發明之簧施形態4之方法的作用效果用的 画。 圖10顯示習知之DRAM之基本構造的圖。 圖11顯示習知之對記憶單元配線的模型圖。 圖12為習知之記憶單元陣列的平面圖。 圖13為圖12中之A部的放大圖。 圖14為圖13中之存儲節點之部份的詳细圖。 圖15為沿著圖14中之XV-XV線的截面圏。 圖16為沿著圖13中之XVI-XVI線的截面圖。 圖17顳示習知之半導體記憶裝置中之問題點的圖。 [元件編號之說明] 7....虛單元板， 8.,..虛存儲節點， 11. ...DRAM之 記憶單元塊， 1 6 ....半導體基板。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本1) -------1-------裝------訂------^ 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 9

Claims (1)

1. 如 7041六、申請專利範圍 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 單 憶 記 之 體 憶 記 取 ·· 存 備機 具隨 為態 Int 動 S3 > 之 置上 裝板 憶基 記體 體.，導 導板半 半基述 種體前 一 導在 1.半設 塊 元 案 圖 虛 之 點 節 儲 存 的 旁 近 部 角 轉 之 塊 元 單 憶 記 述 前 在及 設 Μ 存圖 機虛 随之 態板 動元 述單 前的 自設 且 而 , 緣 案絕 圖氣 虛電 之始 點開 節板 儲元 存單 述體 前本 蓋之 覆體 了 憶 為記 取 案 述 前 中 其 置 裝 憶 記 體 導 半 之 項 11 第 圍 範 利 專 請 甲 如 部 角 轉 之 塊 元 單 憶 記 述 前 住 圍 了 為 係 案 圖 虛 之 酤 。 Β3Λ 節的 儲設 存而 由 係 第， 画部 範角 利轉 專之 請塊 申元 如單 3.憶 記 虛 之 黏 節 。 儲 上 存側 述邊 前之 而方 (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 裝 憶 記 髖 導 半 之 項 述 前 中 其 成 形 所 邊 之 方 j 另 和 邊 之 方 述 前 之 部 角 轉 述 前 在 設 只 係 述 前 中 其 置 裝 憶 記 撞 導 半 之 項 4 形 面 平 Μ 角 轉 之 塊 元 單 憶 記 述 前 在 第係 圃 ， 範案 利圖 。 専虛形 請之角 申點四 如節成 4 儲形 存狀 備 具 為 其 置 装 憶 及 記M 體 導板 半基 種體 一 導 5 半 随 態 動 的 案 圖 之 。 點，角 節為之 儲徵部 存特角 之其轉 上 ·，的 板塊案 基元圖 體單之 導憶點 半記節 述之儲 前體存 在憶述 設記前 含取削 包存切 機 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 6. 如申請專利範園第5項之半導體記憶裝置，其中前述 存儲節點之圖案的轉角部係Μ 4 5 °之角度切削者。 7. 如申請專利範圍第5項之半導體記憶裝置，其中前述 存儲節點之圖案的轉角部係切削角成直線狀。 8 .如申請專利範圍第5項之半導體記憶裝置，其中前述 存儲節點之圖案的轉角部，係在平面形狀中切削成梯狀。 9.如申讁專利範圍第5項之半導體記憶装置*其中前述 存儲節點之圖案的轉角部，係切削角成曲線狀。 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 經濟部中央梯準局貝工消费合作社印製 本紙張尺度逋用中國國家梂準（CNS ) Α4规格（210X297公釐）