TW307012B - - Google Patents

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經濟部中央標率局貝工消费合作社印製 A7 _B7__ 五、發明説明（1 ) 發明背署 - 發明铕城 本發明偽開於一種非揮發性半導體記億元件，尤其是 非揮發性半導饅記憶元件寫入作業且/或消除作業之改 良〇 祖景說明 在非揮發性半導體記億元件中，於元件安置在印刷電 路板上之後，就可完成寫入作業.此一元件之典型範例為具 有資料儲存可以不用備份電池且其中偽非常高的積體性 之快閃式記億體。 於習用技術之非揮發性記億元件中，由一選澤之記億 單胞在一確定之時間週期執行寫入作業，然後，由此選 擇之記億單胞執行寫入確認作業以確定此記億單胞之臨 限電壓是否高於低限制值，結果，若所選擇之記億單胞 的臨限電壓並不高於該低限制值，則由此選擇之記憶單 胞在上述之時間週期再次執行寫入作業，此將詳述於後。 於上述習用技術元件中，若該記億單胞之劣化超過預 定值，刖寫入時間就會立即加倍，此可造成進一步增加 該記億單胞劣化之過寫入作業，而且，最後會增加寫入 時間。 發明槪秫 本發明之目的偽要抑制非揮發性半導體記億元件之記 億單胞之劣化。 另一目的偽要減少此非揮發性半導體記億元件之寫入 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消费合作社印笨 3u7012 A7 A7 B7 五、發明説明（2 ) 時間週期。 又一目的傜要減少此非揮發性半導醴記億元件之消除 時間週期。 根據本發明，在非揮發性半導體記億元件中，提供一 値非揮發性計數器以儲存一些消除作業，記億單胞寫入 作業之時間週期傜根據這些消除作業而改變，同時，記 億單胞消除作業之時間週期也是根據這些消除作業而變。 圓式簡怵 與習用技術比較，從下面參考附圖之説明，本發明將 會更清楚明瞭，其中： 第1圖為習用技術之非揮發性半導體記億元件之電路 圖； 第2圖為第1圖控制電路之作業流程圖； 第3A和3B圖為第1圖控制電路之作業時序圖； 第4圖為寫入作業次數和寫入時間週期之間的關偽圖； 第5圖為根據本發明之非揮發性半導體記億元件實施 例的電路圖； 第6,7,9, 11和13圖為第5圖控制電路之作業流程圖； 以及 第8六，88,8(：，10/\,108，10(：，12六，128,12(：，14為，143和14<：圖為 第5圖控制電路之作業時序圖。 應蓰啻旃例說明 在說明優選實施例之前，將先參考第1,2,3和4圖說明 一種習用技術之非揮發性半導體記億元件。 -4 - 本紙張尺度逋用中國國家橾车（CNS > A4規格（210X297公釐） ----------f '1·— - . (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 307012 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五 •發明説明 ( 3 ) 1 1 在 示 於 第 1 圖 之 習 用 技 術 的 非揮 發 性 半 導 體 記 億 元件 1 1 中 > 提 供 有 許 多 字 元 線 WL0 . WL1 ,. * · 和 許 多 位 元 線 BL0 , 1 1 BL1 , .· .參考數字1 表示- -由各自具有- -源極， 連接到 /·—V 請 1 先 1 位 元 線 BL0 . BL 1 , * · .其中之- -的一汲極， -浮動閘極和 閲 1 連 接 到 字 元 線 WL0 , WL1 , .. .其中之- -的控制閘極之 記億 背 面 1 I 之 1 單 胞 M00 . M0 1 , • * .所形成的記億單胞陣列。 注 意 | 列 解 碼 器 2 m 擇 字 元 線 WL0， WL1 , .其中之- • 項 1 電 源 電 路 3 連 接 到 所 有 記 億 單胞 M00 , M01 , 的 源 極， 再 填 •mJ 本 ▲ 結 果 » 在 消 除 模 式 期 間 9 源 極 之電 壓 為 高 電 壓 (==V PP ) 頁 1 1 * 但 是 • 在 包 含 寇 入 確 認 作 業 和消 除 確 認 作 業 之 寫 入/ 1 1 讀 取 模 式 期 間 • 源 極 係 接 地 〇 1 1 行 選 擇 電 路 4 % 由 各 白 連 接 到在位元線BLO, rBLl. •參 其中之 - 1 訂 - 和 數 位 線 DL之 間 的 行 選 擇 電 晶體 QcO， Q cl » ♦ • * 所 組成 - 1 • 此 行 選 擇 電 晶 體 Q cO， Qci 9 ♦ ..其 中 之 — % 利 用 行 解碼 1 | 器 5 選 擇 而 導 通 〇 1 1 寫 入 放 大 器 6 由 輸 入 / 輸 出 緩衝 器 7 接 收 輸 入 資 料， 1 1 然 後 將 其 傳 送 到 數 位 線 DL • 此 外， 感 測 放 大 器 8 在 數位 I 線 DL處 感 測 資 料 而 將 其 傳 送 到 輸入 / 輸 出 緩 衝 器 7 , 該 1 1 寫 入 放 大 器 6 和 感 測 放 大 器 8 也連 接 到 控 制 電 路 9 , 此 1 控 制 電 路 9 自 輸 入 / 輸 出 緩 衝 器7 接 收 控 制 信 號 以 控制 1 整 値 元 件 〇 1 1 該 列 解 碼 器 2 和 行 解 碼 器 5 像由 外 部 位 址 信 m A D D 1 和 1 1 來 白 控 制 電 路 9 之 内 部 位 址 信 號ADD2所 控 制 9 而 且 ,控 1 I 制 電 路 9 分 別 供 應 電 源 霣 5 壓 V PY 到 列 解 碼 器 2 和行 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度逋用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 _ B7_ 五、發明説明（4 ) 解碼器5,此外，該控制電路9産生一控制電源電路3之 消除信號ER,及産生一控制寫入放大器6之程式信號PG。 接箸參考由控制電路9所完成程序之第2圖說明一艏 記億箪胞，如第1圖元件之M00,之寫入操作，在此情形 下，假設記億單胞M00由外部位置信號ADD1所選擇。 首先，在步驟201處，控制電路9産生一程序倍號PG 而且將電源供應電B Vpx和vPY增加到Vpp ,例如：對時 間週期T1,由20增加到25V,結果，該程式信號PG使寫 入放大器6動作.因此，高電壓Vpp通過行選擇電晶體 Qc0到該記億單胞M00之汲極，同時，高電饜 Vpp 也供應到該記億單胞M00之控制閘極，在此情形下，因為 消除信號ER為低電位（=GND),所以罨源電路3不會動 作，而使得該記億單胞MOO之源極接地，因此，對時間 週期T1,執行記億單胞M00之寫入作業。 其次，在步驟202處，執行記憶單胞M00之寫入確認作 業以確定該記億單胞M00之臨限電壓是否高於與電源供 應電壓Vcc相同或稍高之低限制值VL,在此情形下，控 制電路9不會有程式信號PG和消除信號ER,此外，電源 供應電壓Vpx增加到V L ,而電源供應電壓VpY增加到V ，如5V,因此，使用臨限電壓VL執行記億單胞M00之讀 取作業.而且其確定從感測放大器8所讀取之資料是否 為”0”，即是否完成寫入作業，因此完成寫入確認作業 ，只要該讀取資料為M 0 ”，則執行到步驟2 0 3之控制程序 ，因此完成第2圖之程序，反之，則重覆步驟201之控 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局貝工消费合作社印聚 A7 B7 五、發明説明（5 ) 制，此處假設寫入確認作業係在時間邂期TO完成。 如第3A圖所示，若這些寫入確認作業為一次，則記億 單胞M00寫入作業之時間週期為 T1 + TO (1) 此外，如第3B圖所示，這些寫入確認作業為2次，則記 億單胞M00寫入作業之時間為 (T1 + TO) + (T1 + TO) =2 · (ΤΙ + TO) (2) 一般而言，當包含消除作業之寫入作業次數增加而增 強記憶單胞之單胞電晶體應力時，則此單胞電晶體會劣 化，結果，如第4圖所示，當寫入作業（消除作業）之次 數增加時，則需要較長之寫入時間週期，在此情形下， 因為記億單胞之單胞電晶體會逐漸劣化，所以寫入時間 週期會逐漸增加。 在第1圖之元件中，如使用第2圖所示之流程圖，若 記億單胞之劣化超出設定值時，則寫入時間週期會突然 從T1+T0增加到2 · (T1 + T0).此可造成記億單胞劣化 進一步增加之過寫入作業，同時，該寫入時間週期會增 加。 在説明本發明實施例之第5圖中，一非揮發性計數器 10加入第1圖之構件中，此非揮發性計數器10計數間接 顯示一平均記億單胞寫入作業次數之快閃式消除作業次 數。 該非揮發性計數器10之内容CNT由示於第6圖之程序 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

J 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 A7 B7_ 五、發明説明（6 ) 更新，其也由控制電路9完成，注意：非揮發性計數器 10之内容CHT要在交用之前清除。 首先，在步驟601處，執行所有記憶單胞MOO, M01, ... 避免過消除作業之程式化或寫入作業，即，

PG= Vcc ER = GND

V PX= V PY= VPP 同時，資料”0”供應到寫入放大器6,在此狀態下，順 序增加由内部位址信號ADD2所界定之位址，結果，所有 記億單胞之臨限電壓皆為高電位。 其次，在步驟602處，執行所有記億單胞MOO, M01, ... 之快閃式消除作業，即，

GP = GND ER= Vcc VPX = VPY= GND 結果.高電源供應電壓VPP加到所有記億單胞MOO, M01, ...之源極，而所有字元線WL0,WL1,...皆接地因此，所 有記億單胞之臨限電位皆為低電位。 其次，在步驟603處.執行所有記憶單胞之消除確認 作業以確定記億單胞之臨限電壓是否要低於稍高於讀取 電醱VR之上限制值VU,如2.5V,即，

PG = GND ER = GHD VPX : =VU νργ= =V ¥ CC 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS〉Α4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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、1T 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（7 ) 在此狀態下，順序增加由内部位址倍號ADD2所界定之 位址，而且確定從感測放大器8讀取之資料是否為”1” ，因此完成消除確認作業，只要所有的讀取資料為”1”， 控制就前進到步驟604,如此就完成第6 _之程序，反 之，在步驟603之控制前進到步驟605。 在步驟605處，非揮發性計數器10之内容CNT增加+1, 然後，在步驟606確定非揮發性計數器10之内容CNT是否 大於最大值MAX,只要CNTS MAX,就重覆步驟602和603 之控制，反之，控制就前進到步驟607,如此就完成第 6圖之程度。 第5圖控制電路9之寫入作業示於第7圖，步驟701 和702加入第2圖之步驟。 首先，f步驟701,決定非揮發性計數器10之内容CNT 是否達到設定值CNT0,結果，CNTSCNT0,則控制前進 到步驟201,在S —方面.若CNT>CHT0,則控制前進到 步驟702。 在步驟201處，對於時間週期T1完成記億單胞，如M00 ，之寫入作業.反之，在步驟702處，對於滿足下式之 時間週期T2完成記億單胞，如M00,之寫入操作： ΤΙ < T2 < 2 ♦ T1 同時•若在步驟202之寫入確認作業失效，則控制以 同於第2圖之方式前進到步驟201。 如第8A圖所示，若寫入確認作業之次數為1,則記億 單胞M00寫入作業之時間適期為 -9 - 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) T1 + TO (3) 此時間週期相同於第3A圖（參見方程式（1)>。 另一方面，如第8B圖所示，若寫入確認作業之次數為2 ，刖記億單胞M00寫入作業之時間為 T2 + TO (4) 以時間週期小於重示於第8 C圃之第3 B圖的時間週期（ 參見方程式（2)),例如， (T2 + T0) / (ΤΙ+T0)与 1 . 3 注意，若CN TO之值適當，則寫入確認作業之次數很少 會為3次或更多。 因此，根據第7圖之寫入作業程序，即使當記億單胞 進一步劣化時，增加之寫入時間週期也會很少，所以可 避免過寫入作業，而抑制記億單胞之劣化，甚至，最終 會減少寫入時間週期。 第7圖之修飾程序示於第9圖中，步驟901加入於第 7圖之步驟，換言之，若在步驟202之寫入確認作業失 效，則控制前進到對於滿足下式之時間週期T3執行記 億單胞，如M00,寫入作業之步驟901: T3< Τ1 然後，控制回到步驟2 0 2。 如第10Α圖所示，若寫入確認作業之次數為1,則記億 單胞Μ00寫入作業之時間週期為 ΤΙ + Τ0 (5 ) 此時間週期相同於第3A圖之時間遇期（參見方程式（1 ))。 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

A7 3G7012 B7 五、發明説明（9 ) 另一方面.如第10BS1所示，寫入確認作業之次數為· 2,則記億單胞M00寫入作業之時間為 T2+T0+T3+T0 (6) 此時間週期小於由完成第7画程序所得到第10C圖之 時間週期。 因此，根據第9圖之寫入作業程序，即使當記憶單胞 進一步劣化，使要完成記憶單胞2次寫入作業時，增加 雉· 之寫入時間週期也會很少，所以可避免過寫入作業，而 進一步抑制記億單胞之劣化，此外，最終會減少寫入時 間週期。 如第7圖所示之控制鼴用到示於第11圖之快閃式消除 作業，其也由控制電路9完成程序，注意：非揮發性計 數器之内容CNT要在交用之前清除。 · 首先，在步驟1101處，執行所有記億單胞Μ 00, M01, ...避免過消除作業之程序化或寫入作業，即，

PG = VCC ER = GND VPX= VPY= Vpp 同時，資料”0”供應到寫入放大器6,在此狀態下，順序 增加由内部位址信號ADD2所界定之位址，結果，所有記 億簞胞之臨限電壓皆為高電位。 其次，在步驟1102處，確定非揮發性計數器10之内容 CNT是否達到設定值CNT0,結果，若CNTSCNT0,則控制 前進到步驟1103,在S-*方面，若CNT>CNT0,則控制 -1 1 - 本紙張尺度逋用中國國家梂準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .装. 訂 經濟部中央裸準局貝工消費合作社印製 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（10 ) 前進到步驟1104。 在步驟1103處，對於時間週期T1’完成所有記憶單胞 之快閃式消除作業，但是，在步驟1104處，對於滿足下 列之時間週期T2 ’完成所有記億單胞之快閃式消除作業： Tl ' < T2'< 2 · T1 ' 注意，在下列之條件下完成步驟1103和1104之快閃式 消除作業： PG = GND E R = V cc

V ρχ = V py = GND 結果，高電源供應電壓Vm被施加於所有記憶單胞MOO,

PP M01, ...之源極，而將所有字元線WL0,WL1,...接地， 因此，所有記億單胞之臨限電壓皆為低電位。 其次，在步驟1105處，執行所有記億單胞之消除確認 作業以確定記憶單胞之臨限電壓是否要低於上限制值VU .即，

PG = GND ER = GND

V PX = VU VPY= Vcc 在此狀態下，順序增加由内部位址信號ADD2所界定之 位址，而且確定從感測放大器8讀取之資料是否為”1” ，因此完成消除確認作業，只要所有的讀取資料為”1”， 控制就前進到步驟1106,如此就完成第11圖之程序，反 -12- 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) Α4洗格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（《I ) 之，在步驟1105之控制前進到步驟1107,此處，假設如 此之消除確認作業傜在時間週期T0’完成β 在.步驟1107處，非揮發性計數器10之内容CUT增加+1 ，然後，在步驟1108處，確定非揮發性計數器10之内容 CNT是否大於最大值MAX,只要CUTS MAX,就重覆步驟1103 和1105之控制，反之，控制前進到步驟1109，如此就完 成圖1 1之程序\ 如第12 ΑΙΪ所示，若消除若確認作業之次數為1,則快閃 式消除作業之時間週期為 T 1 ' + T0 ' ( 7 ) 此時間週期相同於習用技術之時間週期。 另一方面，如第12B圖所示，若消除確認作業之次數 為2,則快閃式消除作業之時間週期為 T2'+ TO' (8) 以時間週期小於第12C圖所示之習用技術的時間週期， 例如， (T2'+T0')/ (Τ1'+Τ0')= 1.3 注意，若C H Τ 0之值適當，則消除確認作業之次數很少 為3次或更多。 因此，根據第11圖之快閃式消除作業程序，即使當記 億單胞進一步劣化時，增加之快閃式消除時間週期也會 很少，所以可避免過消除作業，此可抑制記億單胞之劣 化，甚至，最終之消除時間週期會減少。 第11圖之修飾程序示，於第13圖中，步驟13D1加入於第 -1 3 - 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS )人4*1格（210Χ297公嫠） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

I 訂 307012 A7 B7 五、發明説明‘（12 ) 11圖之步驟，換言之，若步驟1105之消除確認作業失效 ,則控制前進到對於滿足下式之時間週期T3 '執行所有 記億單胞快閃式消除作業之步驟1301: T3' < T1 ' 然後，控制回到步驟1105。 如第14A圖所示，若消除確認作業之次數為1,則消除 作業之時間週期為 ΤΙ ' +TO ' (9 ) 此時間週期相同於第1 2 A圖之時間週期（參見方程式（7 ))。 另一方面，如第1 4 B圖所示，若消除確認作業之次數為2 .刖消除作業之時間週期為 T2'+T0’+T3，+T0， (10) 此時間週期小於由完成第1 1圖程序所得到第1 4C圖之時 間週期。 因此，根據第13圖之消除作業程序.即使當記億單胞 進一步劣化，使要完成2次記憶單胞消除作業時，增加 之消除時間也很少，所以可避免過消除作業，此可進一 步抑制記億單胞之劣化，此外，最終之消除時間週期會 減少。 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述之實施例傜關於快閃式非揮發性半導體記億元件 ,但是本發明可應用至紫外線可消除半導體記億元件。 綜上所述，根據本發明，可以抑制記億單胞之劣化， 而且也可減少寫入時間週期和消除時間週期。 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210X 297公釐）

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種非揮發性半導體記億元件，包含： · 一儲存消除作業之次數（CNT)的非揮發性計數器（10) ;以及 在根據儲存於該非揮發性計數器中之消除作業的次 數而改變之時間週期，執行記億單胞（M00)寫入作業之 iffr ο» 裝置。 2. —種非揮發性半導體記億元件，包含： 一儲存消除作業之次數（CNT)的非揮發性計數器（10)； 決定儲存在該非揮發性計數器中之消除作業的次 數是否逹到某值（CHT0)之裝置； 在儲存於該非揮發性計數器之消除作業的次數達到 該某值之前，在第一時間週期（T1)執行記億單胞（M00) 之第一寫入作業的裝置；以及 在儲存於該非揮發性計數器之消除作業的次數達到 該某值之後，在第二時間週期（T2)執行該記億單胞之 第二寫入作業的装置， 該第二時間週期較該第一時間週期長。 3. 如申請專利範圍第2項之元件，尚包含： 經濟部中央梂準局負工消費合作社印製 (請先Η讀背面之注$項再填寫本頁) 在完成該第一和第二寫入作業其中之一後，執行該 記億單胞之寫入確認作業以確定該記億單胞之臨限電 壓是否高於一低限制值（VL)之裝置；以及 當該記億單胞之臨限電壓並未髙於該低限制值時， 重覆該第一寫入作業和該寫入確認作業之裝置。 4. 如申請專利範圍第2項之元件，尚包含： -15- 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Α4規格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 1 在 «±9 兀 成 該 第 一 和 第 二 寫 入 作 業 其 中 之 一 後 ,執 行 該 1 I 記 億 單 胞 之 寫 入 確 認 作 業 以 確 定 該 記 億 單 胞 之臨 限 電 1 1 壓 是 否 高 於 —-. 低 限 制 值 (VL)之裝置 ; 以 及 1 I 請 1 I 當 該 記 億 單 胞 之 臨 限 電 壓 並 未 高 於 該 低 限 制值 時 1 先 閲 1 I 在 小 於 該 第 時 間 週 期 之 第 三 時 間 週 期 (Τ 3 )執行該記 讀 背 1 ώ I 億 no 単 胞 之 第 三 寫 入 作 業 之 裝 置 以 及 之 注 1 意 1 I 在 t=Ss» TC 成 該 第 三 寫 入 作 業 之 後 • 番 覆 該 寫 入 確認 作 業 事 項 | 之 裝 置 再 填 寫 袭 5 . — 種 非 揮 發 性 半 導 體 記 億 元 件 1 包 含 本 頁 1 一 儲 存 消 除 作 業 之 次 數 (CNT)的非揮發性計數器（10) 1 I t 以 及 1 1 在 根 據 儲 存 於 該 非 揮 發 性 計 數 器 中 之 消 除 作業 的 次 .丨 數 而 改 變 之 時 間 週 期 執 行 記 憶 單 胞 (Μ00 % Μ0 1 , • ..) 訂 消 除 作 業 之 裝 置 〇 I 1 6 .如 _ 請 專 利 範 圍 第 5 項 之 元 件 » 尚 包 含 在 執 行該 記 億 1 1 αο m m 之 該 消 除 作 業 之 前 » 執 行 該 記 億 單 胞 程 式化 作 業 1 之 裝 置 〇 7 . — 種 非 揮 發 性 半 導 體 記 憶 元 件 1 包 含 1 l 一 儲 存 消 除 作 業 之 次 數 (CNT)的非揮發性計數器（ 10)； 1 決 定 儲 存 在 該 非 揮 發 性 計 數 器 之 消 除作業的次數是否 1 達 到 某 值 (CNT0)之装置 1 I 在 儲 存 於 該 非 揮 發 性 計 數 器 之 消 除 作 業 的 次數 達 到 1 t 該 某 值 之 ,w· 刖 在 第 一 時 間 游 週 期 (T1 ' )執行記億單胞（Μ 0 0 1 1 MO 1 , * · . >第 一 消 除 作 業 之 裝 置 以 及 1 I -1 6- 1 1 1 1 1 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 在儲存於該非揮發性計數器之消除作業的次數達到 該某值之後，在第二時間週期（T2’）執行該記億單胞第 二消除作業之裝置.， 該第二時間週期較該第一時間週期長。 8. 如申請專利範圍第7項之元件，尚包含在執行該記億 單胞之該消除作業之前，執行該記億單胞程式化作業 之裝置。 9. 如申請專利範圍第7項之元件，尚包含： 在完成該第一和第二消除作業其中之一後，執行該 記憶單胞之消除確認作業以確定該記億單胞之臨限電 壓是否低於一上限制值（VU >之裝置；以及 當至少有一該記億單胞之臨限電壓不低於該上限制 值時，重覆該第一消除作業和該消除確認作業之裝置。 10. 如申請專利範圍第7項之元件，尚包含： 在完成該第一和第二消除作業其中之一後，執行該 記憶單胞之消除確認作業以確定該記億單胞之臨限電 壓是否高於一上限製值（VU)之装置； 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 — II —^1 _ —^1-^1 ^ n 11 I-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 當至少有一該記億單胞之臨限電壓不低於該上限制 值時，在小於該第一時間週期之第三時間週期（T 3 ’）執 行該記億單胞第三消除作業之裝置；以及 在完成該第三消除作業之後，重覆該消除確認作業 之装置。 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐）