TW299483B

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Publication number: TW299483B
Application number: TW084102223A
Authority: TW
Original assignee: Texas Instruments Inc
Priority date: 1994-01-28
Filing date: 1995-03-09
Publication date: 1997-03-01
Also published as: EP0665580A3; EP0665580A2; US5434107A; KR950034586A; JPH0817812A

Description

A7 B7 299483 五、發明説明（/ ) 本發明大致係有關將由半導晶體晶圓予Μ平面化之領域，特別是有關將晶圓表面予以平面化，Κ製造可在其上形成互接導線之平坦表面的技術領域。 ULSI電路中之多層金屬層的形成對於表面在進行金屬化之前的平整性有嚴苛的限制。確實，在不對金屬化層之間的插入層作某種形式的平面化處理的情況下，下層的表面形貌或多或少或反映出絕緣層@表面形貌，該絕緣層形成一在其上形成各附加金鼷層的表面。由於它會增加所需的處理步驟、提高流程的複雜性且可能導致裝置之可靠性的降低，因此這是吾人所不樂見的。有兩種型式的平面化作業必須完成-局部與整體。在局部平面化中，靠近封裝零件之間的空間充填中間層絕緣體。最理想的是，該絕緣體可提供無空隙充填局部平面化的表面。然而，實際上，充填區域的表面仍會反映出某些下層形貌。當晶圓覆Μ外露表面平坦的中間絕緣體時，即達成整體平面化。通常，先執行局部平面化而隨後進行整體平面化。有許多種局部平面化的方法為已知且經證明為成功者。其中一種方法涉及TEOS與03之氣壓化學蒸氣沈積法（A PCVD)與低氣壓化學蒸氣沈積法（SACVD)。這些方法提供次微米空間的無空隙充填而具有相當平整的TE0S氧化膜，但無法達成整體平面化。這些膜提供良好的電氣特性，所此薄膜具有高破裂強度、無針孔且具有低介電常數。此膜成為該裝置結構的一部分。 -λ- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 線 ¾齊部中夹瞟隼曷員X消費合作社印製 80. 10. 平 Μ Α7 ^ Β7 _ 專利申請案第84102223號 ROC Patent Λρρίη. No.84102223 說明書修正頁中文本-附件一 Amended Pages of Specification in Chinese - Enel. I (民國年ΙϋΜ j曰送呈) (Submitted on October s , 1996) 雖然有某些缺點•局部平面化亦可M電子迴旋加速器諧振沈積氧化膜來達成*然而，上表面的形貌會反映出下層部件的形貌。此方法的其他問題包括沈積期間所用之高偏壓電壓的安全性考量及令人無法接受的故障頻率。然而，所製成之薄膜具有良好的電氣特性且成為裝置结構的一部分。用於局部平面化的第三種方法涉及在硼磷矽酸玻璃（ BPSG)沈積與軟熔之後的低壓化學蒸氣沈積法（LPCVD) 或電漿強化化學蒸氣沈積法（PECVD)沈積TE0S氧化層。哗過程適用於局部平面化，但無法證明適用於完整的整體平面化。；經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第四種方法涉及傳統的鋁濺射沈積，其中鋁材料可產生用Μ—形成互接的平面膜。薄膜在接頭/接點上的梯鈒覆層的品質不佳，因而造成不完整的充填。基於此原因， CVD鎢（由於其具有高順應性而具有良好的間隙充填特性 )被用以充填接頭/接點，而鋁被用以形成互接。然而本方法的程序複雜，且最好有單一的鋁沈積層以形成接頭/ 接點銷並形成互接。近來，應用高溫鋁沈積層來改良梯级覆層的鋁軟熔法已證實可用於無空隙接頭/接點充填。然而，本方法對晶圓表面的狀態相當敏感，且無法可靠地充填接萠/接點。局部平面化通常伴隨有整體平面化技術。最常見的方法之一涉及在表面上塗覆絕緣^，而稍後由深蝕刻法予W 蝕刻的技術。這包括諸如S0G深蝕刻法與抗深蝕刻法’其本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐）經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ___ B7_ 五、發明説明（¾ ) 中晶圓覆Μ絕緣體。由於絕緣體在塗覆期間具有低表面張力，因此絕緣體傾向於流入晶圓上的較低區域中，該晶圓在凝固期間形成一可降低下層表面形貌之突出性的薄膜。表面形貌之突出性的降低随後經由深蝕刻法傳達至下層絕緣體中，在深而蝕刻法中，不要的絕緣體被除去。重覆此循環數次後即可獲得平面化的衷面。然而，本方法最大的缺點為，需施Μ多重塗覆與深蝕刻循環才能獲得可接受的平面化效果。通常需要多於四次的循環才能獲致適當的平面化。可利用阻隔罩來減少循環的次數，被蝕刻的絕緣體塗覆於其中並隨後被圖形化，以使其在表面形貌上充滿浸液。隨後塗覆另一層被蝕刻的絕緣體·Μ產生平面化的表面。此平坦表面形貌藉由深蝕刻法傳達至下層絕緣體。另一種普及的整體平面化方法為化學機械拋光法。在此技術中，拋光墊與活性赍劑共用以將晶圓拋光，直到其表面被平面化為止。然而，此技術有多種限制。拋光率為多種變數的函數，包括元件尺寸、外觀比、元件密度與材料型式。拋光率在晶圓之間亦有所不同，並取決於拋光墊之品質。後製程序中的晶圓清潔亦為考慮之要點。然而，若小心地應用，本技術堪稱為成功的技術。有些方法仍在實驗階段，並涉及鋪造技術或沈積絕緣體的技術，Μ提供提供良好的空隙充填、電性及熱性並提供良好的整體平面化的絕緣體fej技術。這些材料的例子包括各種型式的氟化聚合物、聚醯亞胺及矽氧化物。這些方 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂· 線本紙張尺度適用中國國家掙準(CNS)A4規格(210X297公釐) i ΟΓ . >5 -p" I O^· I：·：', · ί 丨' A7 i ! B7 l _ _ 五、發明説明（4 ) 法都可知增加了平面化的尺寸長度（大於100微米），但仍無法提提供真正的整體平面化。本發明試圖克服前述有關晶圓上表面之平面化的問題。本發明的第一步驟利用已經發展成熟的技術，Μ中間絕緣體達成高品質的次微米空間的充填，Μ產生局部平面化表面。在某些實例中，可沈積第二層中間絕緣體以產生所需的中間層厚度並提高整體平面性。之後，晶圓覆以諸如金屬或絕緣體材料之類的可變形材料所製成的可變形膜。該膜在一受控的凝固期間機械變形，此係藉由施加一均勻壓力於該膜Μ使該膜流入晶圓上表面中之大型與小型凹陷中，並使該膜之上表面超平坦表面而達成。在凝固之後，可變形膜具有一平坦表面，在該平坦表面上可形成諸如金屬層或其他结構層。第1圖為本發明之平面化方法的流程簡圖；第2圖為用於本發明之方法之裝置的示意圖，用κ施加均勻壓力至一可變形膜上，該膜正在一晶圓之表面被平面化；經濟部中央標準局員工·消費合作衽印製 1-----^--訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第3圖；為本發明之方法之另一裝置的示意圖，用以施加均勻壓力至一可變形膜上，該膜正在一晶圓之表面被平面化；本發明之方法的流程簡圜顯示於第1圖。起始步驟為 ’在次微米空間中充填中間層絕緣體，雖然諸如高密度電漿沈積氧化物等其他絕緣材料亦可用於該中間層絕緣體 ’但該絕緣體典型地包括諸如TE0S/ Ο 3等氧化物。該氧本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）經濟部中央橾準局員工消費合作社印製五、發明説明u ) 化物可利用任何適當的沈積方法加Μ沈積，例如常壓或低壓化學蒸氣沈積法（CVD)。這將使结構中的次微米空間被充填，而形成被局部平面化的上表面。在某些實例中，堪需要第二絕緣體沈積層的步驟以產生所須的絕緣厚度並增進整體平面化的效果。由於該覆層通常會反映出下層结構的形貌，因此通常須採行深蝕刻步驟來使下層结構的反映極小化。該深蝕刻與覆膜的步驟可重覆進行。在該等步驟後所獲得的所需表面的外形比例（零件的梯級高度對横向寬度之比）最好小於1.反三丄2 該用於局部平面化的絕緣層需具有良好的特性，例如具有高破裂強度、低介電常數、無針孔等特性，此乃由於該絕緣層將成為完成之裝置結構的一部分。一旦該絕緣層達到所需的厚度且局部平面化已完成即 .— ------------------- — 可開始整體平面化的程序。在整體平面化期間，晶圓首先覆Μ可變形材料膜，例如低熔點金屬或合金、SOG、適當 - - —*-—...···——.....- 的樹脂甚或軟熔玻璃。前述及其他用於可變形膜的材料具有Κ下特性：通常是在溫度上升時發生，其中該材料會在壓力下變形。一旦該未硬化之可變形膜覆於晶圓上，即被保持在通常高於室溫而可產生變形的溫度上。隨後在兩個超平行、 —1 — _ 超平坦的座體間擠壓該覆膜晶圓以使該可變形膜變形。在 ------------- 本文中，超平坦表面係指其相對於平均高度的最大高度變化在250Α的層級之内。超平行k指擠壓該晶圓之兩座體的表面距離變量在平均間距附近250A之內。當可變形膜上的一 7一本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公嫠) ......................^…… (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂線 299483 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（U ) 應力超過其彎曲應力，該膜將會變形Μ順應與該可變形膜接觸之板片的形狀。在實務中，在擠壓期間施加一最高為 2Mpa的壓力，雖然對某些材料而言需要更高的壓力才能產生變形。可控制座體的溫度K控制該可變形膜的凝固。典型地，座體之溫度會在擠壓操作開始時急速地上升。在可變形膜化學凝固的情況下，溫度上升通常可加速凝固。這將加速製程的循環時間。對玻璃類的材料而言，它們會在所施加的壓力下，於上升的溫度具有可變形性。然而，當該材料可變形時，即可降低壓力，此乃由於變形率太大時可變形膜會碎裂。此外，必需降壓K防止將大部分的可變形膜擠出而不與板片接觸。一旦可變形膜凝固，板片溫度可降低K便取出該晶圓，而新的晶圓可再載入擠壓裝置中。在某些實例中可能需要多重擠壓與釋放的循環，K使壓抵該薄膜之座體表面上的晶圓表面上所覆的薄膜具有所此外，為完成擠壓步驟，在某些情況下可能需要蝕刻使該膜的厚度降低至所需的厚度。第2圖顯示一用Μ在可變形膜凝固期間擠壓晶圓的裝置。該擠壓裝置位於一封閉室59內，並包括一具有可在其上置放晶圓32的控溫盤30。盤30具有三個垂直定位的孔洞，Κ使三根上載/下載指34可在需要時通過其中。該等指 34附接於可由任何適當的機件在雙箭號38的方向上將其升起或下降的平板36。當指34在^ 2圖中所示的下部位置時，該晶圓32將置於盤30之上表面。然而，當板36上升時（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝、π. 線本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 里齊邹中!*!:溧华笱員1消費合作fi印製 A7 __B7__ 五、發明説明) 未顯示），所有的指34會從盤30之上表面上的位置下方穿過盤30的上表面並支撐晶圓32。由於晶圓32亦由指34支撐，一晶圓移動臂（未顯示）可穿過室59中的開口 39 (通常由圖中所示之位於關閉位置的門40加Μ覆蓋），並將晶圓 32從指34上舉起。晶圓可以同樣的方式載入第2圖的裝置中。第2圖之裝置包括具有平行於盤30而裝置之超平坦下表面的控溫板42。板42最好覆Μ諸如氟化聚合物（亦即，筚氡襲）之類的非黏著材料43，其可防止形成於晶圓32上表面的可變形膜在板42的壓力收回時與晶圓剝離。板42具有三個安裝於其上表面的常平架44。該等常平架44耦接於安裝在板46之下表面的壓電傳動器51，其中板46可環繞軸 47旋轉或在雙箭號48的方向上升起或下降。板42與盤30之間的間隙由三個位置感測器50 (其中兩個未顯示）加以監控。板42向下朝盤30而操作。當板42位於盤30上方所需的位置時，感測器50將啟動耦接於其中的壓電傳動器51，Κ 調節施加於晶圓32上的擠壓壓力至所需的壓力值。雖然本發明之較佳實施例具有與晶圓上的可變形膜接觸的平板42Κ在膜上產生平坦的表面，前述裝置亦可用以製造不平坦的表面。這可藉由在之下表面形成所需之表面形貌而達成。板42隨後繞軸47旋轉而被可旋轉地安裝，並被降下K施壓於覆膜晶圓。當該板被壓入晶圓頂部之未凝固可變形膜時，膜的上表to將會順應板42之下表面而成形。 (請先閲讀背面之注意事項再蜞寫本頁) 裝· .ΤΓ- 線本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經齊邹中夬漂隼局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（分）盤30與板42此二者應用傳統控溫技術而為控溫型式。盤30與板42可具有埋置於其中而外接至控溫電路的熱阻元件•該控制電路提供經控制之電力至熱元件中，俾使盤30 與板42可被加熱至一選定的上升溫度。或者，盤30與板42 可由抽送通過其中之流體通道的加熱流體予Μ加熱。其他控熱方法與裝置亦可使用，只要其可維持所選定之可使該膜變形之足夠溫度即可。上述裝置由置於主要由外牆60所界定之封閉室59内的設備所組成。示於其闞閉位置的門40在開啟時提供通過開口 39而進入室59的通道。控制室59之内部壓力的節流閥62 裝置於由牆60所界定之室59與真空泵（未顯示）之間，該真空泵將空氣Μ箭號64所示的方向抽出室59。這使得設備操作員可選擇室59中所需的壓力，而使可變形膜在低壓環境上凝固。相反地，若要使膜在高於大氣壓力的壓力下凝固*則需要有一壓力源耦接至節流閥62, Μ使氣體在所需壓力下進入室59。一旦晶圓之表面已經局部平面化，諸如S0G或可變形金靥之類的可變形材料膜即可沈積於晶圓上。該膜材料可以不同方法沈積於晶圓上，例如，可在晶圓_成時將膜材料以液態型式噴滴於晶圓上。在可變形金靥膜的情況下，可將其經由濺射法或CVD法加Μ沈積，且其通常由包括鋁、錫或其他低熔點金屬的組合中選出。在此點，晶圓準備要進行凝固程序，而在此程序¥該膜被平坦化。膜之凝固受溫度影響。因此，在本裝置之較佳實施例 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝、-SJ· 線本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 經齊郎中失漂準局貝工消費合作社印製 A7 _B7_ 五、發明説明（1 ) 中，盤30與板42為控溫式。例如，在由BPSG製成之膜的凝固期間*盤30與板42之溫度將升高至攝氏700度並維持此溫度約兩分鐘。雖然可應用其他的方法來加熱盤30與板42 ，但達成此種溫度上升最簡單的方法為，使一受控電流流過埋置於盤30與板42的熱阻性元件。該溫度随後利用被送入盤30與板42中之冷卻通道的液態冷媒予Μ降低。該液態冷媒用以將盤30與板42快速冷卻，然而，若需要較低或不同的冷卻率，吾人亦可使用其他时冷卻方法，例如幅射冷卻、控制通過熱阻元件之電流的減少量，或任何其他可達到所需之冷卻率的方法。現在參考第3圖，其中顯示第2圖之裝置的另一個實施例。在此圖式中，第3圖中與第2圖之元件相同的元件在第3圖中具有與第2圖相同的管線標記。第2圖與第3 圖之裝置的主要異差為，在第2圖中，薄膜表面上的與均勻壓力是由與晶圓表面之薄膜互相接觸的板42所提供，而在第3圖中，高壓流體70被裝置於平72與晶圓32之間Μ對晶圓32上的膜施加均匀壓力。第3圖之裝置包括可在雙箭號74所標示的方向中上下移動的壓力板72。板72在第3圖中概略地繪示，而由上向下看時側包括一碟形體。板72之作用有如一活塞，並可由一耦接至軸73的馬達或其他適合的動力產生裝置（未顯示 )下壓。板72的下移對置於板72與晶圓32之間的流體70施壓。這將使可變形膜平面化，k充填間隙與空隙。如第2 圖之裝置，吾人可藉由維持板30、板72與流體70之溫度於 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂線本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 經濟部中央慄準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（丨<〇一適合的凝固溫度* Μ使晶圓32維持在適當的凝固溫度。在覆膜晶圓32之上表面上之流體70的壓力在凝固期間維持在有關第2圖之裝置的說明中所述的範圍内。流體70亦可為液體、氣體或超臨界流體。超臨界流體在低壓下具有與氣體相似的特性而在高壓下具有介於氣流與液體之間的特性。流體70圖中概示的導管76與78導入板30與板72之間的空腔並由其中被汲出。閥62與附接之泵64用以在晶圓上載或下載時，或者在導管76、78未能如所期望地將流體排出時，將所有的流體70從裝置中排出。第3圖之裝置包括將垂直壁84上的孔洞82加以密封的 80，該垂直壁84環繞板72與30，Μ形成晶圓32在其中遭遇加壓流體70的封閉室。適當的壓力密封環86裝置於板72與壁84之間以防止流體70在受壓時從形成於壁84、板30與72 之間的室中溢出。若吾人不希望充填板30與外牆90之間的室88，則可能需要適當的外加密封環。在此變化中，可能在柱34與板30之間亦需要密封件。晶圓32Κ類Μ於第2圖中的方法從第3圖之裝置中上載與下載。將置中的氣壓首先調整至門40外的環境壓力。柱34上升Μ舉起板30與外部臂（未顯示）上的晶圓32,並進入室中，且將晶圓32從柱34上擧起。隨後，晶圓被取出而置入另一片晶圓Μ將其平面化。雖然Κ上敘述係針對圖式中所示之本發明實施例作說明，然一般熟習此技術之人士k可瞭解，特定形式的實施例可Μ前面所略述的許多方式，Μ及在不悖離下列申請專本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) .......................裝................訂................線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經齊部中夬瞟华局員X消費合作杜印製五、發明説明（\丨> 利範圍所界定之本發明之精神與範嚼的其他方法加K改變 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂線本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐)

Claims

3 8 4 0J 9 2 8 8 8 8 ABCD 申請專利範圍經濟部中央標準局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中囷國家標準（CMS > A4現格（210X297公釐）專利申請案第84102223號 ROC Patent Λρρίη. No.84102223 修正之申請專利範圍中文本-附件二 Amended Claims in Chinese - Enel.11 (民國肋年1U月t曰送呈) (Submitted on October f ， 1996) 1. 一種用M在上面形成有零件的半導體晶圓表面上進行整體與局部平面化的方法，該方法包括以下步驟： a. 在該等零件間的空隙中充填中間絕緣材料； b. 在晶圓上塗覆可變形膜； c. 在覆膜晶圓上施以均勻壓力以使該膜變形，俾形成平坦表面。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該中間絕緣體為用Μ充填形成於晶圓上的零伴間的空隙的材料。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該可變形膜係Κ 可在高溫與高壓中變形的材料製成。 4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中還包括Κ下步驟 :將該可變形膜維持於該可變形膜可在壓力下變形的溫度。 5. —種半導體晶圓表面之整體與局部平面化的方法，該方法包括Μ下步驟： a. 在晶圓上塗覆可變形膜； b. 控制兩個具有相當平坦且平行之表面的機座的溫度； c. 在該等平行表面間擠壓該晶圓，以使該膜變形而在其上形成平坦表面。 6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中還包括以下步驟 :繼績擠壓該晶圓直到該可變形膜凝固。 7. 如申請專利範圍第5項^方法，其中該控制步驟包括在可變形膜凝固之前提高其溫度，而一旦該可變形膜 14 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局員工消費合作衽印製 A8 .S ______ D8 六、申請專利範圍凝固即降低該溫度。 8. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該充填步驟使晶圓上的零件的外觀比不大於約1.5/ 1。 9. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該可變形膜包括由鑲形玻璃、低熔點金屬、低熔點合金、樹脂與軟熔坡璃的組合中所選出的一種材料。 1〇.—種用以在上面形成有零件的半導體晶圓表面上進行整體與局部平面彳b的方法，該方法包括Μ下步驟： a. 在該等零件間的空隙中充填中間絕緣材料； b. 在晶圓上塗覆可在凝固期間變形的可變形膜 > c. 將該覆膜i圓置於相當平坦的控溫盤中； d. 在該膜凝固期間Μ—選定之壓力將一相當平坦的控溫板壓在覆有該膜的晶圓表面上*以在該膜凝固時形成相當平坦的表面。 Π·如申請專利範圍第10項之方法，其中在該充填步驟後，該晶圓上零件的外觀比不大於約1.5/1。 12. 如申請專利範圍第1〇項之方法，其中該中間絕緣體為用以充填形成於晶圓上的零件間的空隙的材料。 13. 如申請專利範圍第1〇項之方法，其中該可變形膜係以可在高溫與高壓中變形的材料製成。 14. 如申請專利範圍第10項之方法，其中遷包括以下步驟 :將該可變形膜維持於該'可變形膜可在壓力下變形的溫度。 ____ - 15 - 本紙張適用十國國家標準（CNS ) Α（2|〇χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ A8 B8 C8 __ D8 六、申請專利範圍 15. —種半導體晶圓表面之整體與局部平面化的方法，該方法包括以下步驟： a. 在晶圓上塗覆可在凝固期間變形的可變形膜 9 b. 將該覆膜晶圓置於相當平坦的控溫盤中； C. 在該膜凝固期間以一選定之壓力在該盤與一板中擠壓該晶圓，以在該覆膜晶圓上形成順應該板之表面形貌的表面。 " 16. 如申請專利範圍第15項之方法，其中還包括Κ下步驟 :將該板與盤的溫度維持在可使晶圓溫度保持在所需的凝固溫度上。 17. —種在晶圓表面上形成順應於所需之表面形狀之表面的裝置，其組件包括：用以支撐一.塗覆可變形膜材料之半導體晶圓的裝置，該支撐裝置具有相當平坦的表面，晶圓即置於該表面上；經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 用Μ施加均勻壓力至該晶圓之覆膜表面，俾在該覆膜晶圓上形成平坦表面的裝置。 18. 如申請專利範圍第17項之裝置，還包括用Μ控制該板與該支撐裝置之溫度的裝置。 19. 一種用Κ在上面形成有零件的半導體晶圓表面上進行 ' 整體與局部平面化的方法，該方法包括以下步驟： a. 在該等零件間^空隙中充填中間絕緣材料； b .在晶圓上塗覆可在凝固期間變形的可變形膜 -16 - 本紙張尺度^中關家標準（CNS )八4胁（210X297公釐) Α8 Β8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製、申請專利範圍 C.將該覆膜晶圓置於相當平坦的控溫盤中； d.在該膜凝固期間以一選定之力施加一相當均勻的流體壓力在覆有該膜的晶圓表面上，以在該膜凝固時形成相當平坦的表面。 2〇.如申請專利範圍第19項之方法，其中在該充填步驟後，該晶圓上零件的外觀比不大於約1.5/1。 21. 如申請專利範圍第19項之方法，其中該中間絕緣體為用以充填形成於晶圓上的零件間的空隙的材料。 22. 如申請專利範圍第19項之方法，其中該可變形膜係以可在高溫與高壓中變形的材料製成。 23. 如申請專利範圍第化項之方法，其中還包括以下步驟 :將該可變形膜維持於該可變形膜可在壓力下變形的溫度。 24. 如申請專利範圍第1或19項之方法，其中該可變形膜係Μ 可在高溫與高壓中變形的金屬製成。 25. 如申請專利範圍第24項之方法，其中該金屬係從包括錫與鋁的金屬組合中所選出。 -17 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（2〖ΟΧ297公釐） -----.-----^〈----Μ丨1 訂-------1 (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁)