TW202139500A - 蒸鍍遮罩捆包體及蒸鍍遮罩捆包方法 - Google Patents

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Abstract

由本發明所致之蒸鍍遮罩捆包體，係具備有：支承部；和蓋部，係與支承部相對向；和蒸鍍遮罩，係被配置在支承部與蓋部之間，並具備被形成有複數之貫通孔之有效區域。支承部，係具備有與蓋部相對向之第1對向面、和被設置在第1對向面處之凹部。凹部，係藉由第1可撓性薄膜而被覆蓋。蒸鍍遮罩之有效區域，係在凹部上隔著第1可撓性薄膜而被作配置。

Description

蒸鍍遮罩捆包體及蒸鍍遮罩捆包方法
本發明，係有關於將包含複數之貫通孔的蒸鍍遮罩作了捆包的蒸鍍遮罩捆包體及蒸鍍遮罩捆包方法。
近年來，對於在智慧型手機或平板型PC等之能夠攜帶的裝置中所使用之顯示裝置，係要求高精細度，例如要求像素密度係為400ppi以上。又，在能夠攜帶的裝置中，對於與超高解像度相對應一事的需求亦係提高，於此情況，係要求顯示裝置之像素密度例如為800ppi以上。
在顯示裝置之中，起因於回應性之良好、消耗電力為低以及對比為高的因素，有機EL顯示裝置係備受矚目。作為形成有機EL顯示裝置之像素的方法，係周知有：使用被形成有以所期望之圖案來作了配列的貫通孔之蒸鍍遮罩來以所期望之圖案而形成像素的方法。具體而言，首先，係相對於有機EL顯示裝置用之基板，而使蒸鍍遮罩作密著，接著，將相互密著了的蒸鍍遮罩以及基板一同投入至蒸鍍裝置中，而進行將有機材料蒸鍍在基板上之蒸鍍工程。於此情況，為了精密地製作具備有高像素密度的有機EL顯示裝置，係要求依循設計而精密地再現蒸鍍遮罩之貫通孔的位置及形狀。
作為蒸鍍遮罩之製造方法，例如係如同在專利文獻1中所揭示一般，周知有藉由使用有光微影技術之蝕刻來在金屬板上形成貫通孔的方法。例如，首先，係在金屬板之第1面上形成第1光阻圖案，並在金屬板之第2面上形成第2光阻圖案。接著，對於金屬板之第1面中的並未被第1光阻圖案所覆蓋之區域進行蝕刻，而在金屬板之第1面上形成第1開口部。之後，對於金屬板之第2面中的並未被第2光阻圖案所覆蓋之區域進行蝕刻，而在金屬板之第2面上形成第2開口部。此時，藉由以使第1開口部會與第2開口部相通的方式來進行蝕刻，係能夠形成貫通金屬板之貫通孔。用以製作蒸鍍遮罩之金屬板，例如，係藉由將鐵合金等之母材作壓延，而得到之。
除此之外，作為蒸鍍遮罩之製造方法，例如係如同在專利文獻2中所揭示一般，周知有利用電鍍處理來製造蒸鍍遮罩的方法。例如，在專利文獻2所記載之方法中，首先，係準備具有導電性之基材。接著，在基材之上，空出有特定之間隙地而形成光阻圖案。此光阻圖案，係被設置在應形成蒸鍍遮罩之貫通孔的位置處。之後，對於光阻圖案之間隙供給電鍍液，並藉由電解電鍍處理來使金屬層在基材之上析出。之後，藉由將金屬層從基材而分離，係能夠得到被形成有複數之貫通孔的蒸鍍遮罩。在如此這般地而利用電鍍處理的情況時，係能夠謀求貫通孔之高精細化。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5382259號公報 [專利文獻2]日本特開2001-234385號公報
[發明所欲解決之課題]
在輸送蒸鍍遮罩時，若是將蒸鍍遮罩挾持於藉由塑膠板等所製作的支承部與蓋部之間，則會從支承部與蓋部而直接性地對於蒸鍍遮罩施加有力。因此，係有著開捆後所取出的蒸鍍遮罩可能會發生塑性變形的問題。又，起因於在輸送時所受到的衝擊，也會有使蒸鍍遮罩發生塑性變形的可能性。
又，在輸送蒸鍍遮罩時，為了使輸送效率提昇，係會有在1個的捆包體內而層積有複數之蒸鍍遮罩的情形。於此情況，係會有相鄰之其中一方的蒸鍍遮罩之貫通孔與另外一方的蒸鍍遮罩之貫通孔相互勾到或者是在將各個的蒸鍍遮罩取出時導致蒸鍍遮罩發生塑性變形之虞。作為對於此問題之對策，在相鄰之一對之蒸鍍遮罩之間，係被插入有內插紙。
然而，若是在輸送時發生有溫度變化，則會產生起因於由蒸鍍遮罩之熱膨脹所致之尺寸變化與由內插紙之熱膨脹所致之尺寸變化之間的差異所導致的位置偏移，而會有在蒸鍍遮罩處形成皺折或傷痕的問題。特別是，若是蒸鍍遮罩之厚度變薄，則蒸鍍遮罩係變得容易發生塑性變形。
於此，於使用蒸鍍遮罩而在基板上成膜蒸鍍材料的情況時，不僅是在基板處，在蒸鍍遮罩處也會附著有蒸鍍材料。例如，在蒸鍍材料中，係亦存在有沿著相對於蒸鍍遮罩之法線方向而大幅度地傾斜了的方向來朝向基板前進者，此種蒸鍍材料，係會在到達基板處之前便到達蒸鍍遮罩之貫通孔的壁面處並附著。於此情況，在基板中之位置於蒸鍍遮罩之貫通孔之壁面的近旁處之區域中，蒸鍍材料係成為難以附著，其結果，可以推測到，係會有所附著的蒸鍍材料之厚度相較於其他部分而變小或者是產生並未附著有蒸鍍材料之部分的情形。亦即是，可以推測到，在蒸鍍遮罩之貫通孔之壁面的近旁處之蒸鍍係會變得不安定。其結果，係成為使有機EL顯示裝置之發光效率降低。
為了解決此種課題，係考慮有將用以製造蒸鍍遮罩所使用的金屬板之厚度縮小。此係因為，藉由將金屬板之厚度縮小，係能夠將蒸鍍遮罩之貫通孔之壁面的高度縮小，藉由此，係能夠使蒸鍍材料中之附著在貫通孔之壁面上者的比例降低之故。
如此這般，為了防止有機EL顯示裝置之發光效率的降低，蒸鍍遮罩之厚度係有著變薄的傾向。因此，係希望就算是厚度為薄之蒸鍍遮罩，也能夠防止輸送時之塑性變形。
本發明之目的，係在於提供一種能夠防止在輸送時而蒸鍍遮罩發生塑性變形的情形之蒸鍍遮罩捆包體及蒸鍍遮罩捆包方法。 [用以解決課題之手段]
本發明，係為一種蒸鍍遮罩捆包體，其特徵為，係具備有：支承部；和蓋部，係與前述支承部相對向；和蒸鍍遮罩，係被配置在前述支承部與前述蓋部之間，並具備被形成有複數之貫通孔之有效區域，前述支承部，係具備有與前述蓋部相對向之第1對向面、和被設置在前述第1對向面處之凹部，前述凹部，係藉由第1可撓性薄膜而被覆蓋，前述蒸鍍遮罩之前述有效區域，係在前述凹部上隔著前述第1可撓性薄膜而被作配置。
在由本發明所致之蒸鍍遮罩捆包體中，係亦可構成為：前述蒸鍍遮罩之第1方向上之兩側的端部，係被配置在前述支承部之前述第1對向面上。
在由本發明所致之蒸鍍遮罩捆包體中，係亦可構成為：前述凹部之在與前述第1方向相正交之第2方向上之尺寸，係較前述蒸鍍遮罩之在前述第2方向上之尺寸而更大。
在由本發明所致之蒸鍍遮罩捆包體中，係亦可構成為：在前述蒸鍍遮罩與前述第1可撓性薄膜之間，係中介存在有內插薄片，前述內插薄片之在與前述第1方向相正交之第2方向上之尺寸，係較前述凹部之在前述第2方向上之尺寸而更小。
在由本發明所致之蒸鍍遮罩捆包體中，係亦可構成為：前述第1可撓性薄膜，係為PET薄膜。
在由本發明所致之蒸鍍遮罩捆包體中，係亦可構成為：前述第1可撓性薄膜，係被進行有防帶電塗敷。
在由本發明所致之蒸鍍遮罩捆包體中，係亦可構成為：在前述蓋部與前述蒸鍍遮罩之間，係中介存在有第2可撓性薄膜。
在由本發明所致之蒸鍍遮罩捆包體中，係亦可構成為：前述支承部與前述蓋部，係經由樞軸部而被作連結。
在由本發明所致之蒸鍍遮罩捆包體中，係亦可構成為：係更進而具備有將前述支承部與前述蓋部作了密封的密封袋。
在由本發明所致之蒸鍍遮罩捆包體中，係亦可構成為：係更進而具備有將被施加於前述蒸鍍遮罩處的衝擊檢測出來之衝擊感測器。
又，本發明，係為一種蒸鍍遮罩捆包方法，係為將具備被形成有複數之貫通孔之有效區域的蒸鍍遮罩作捆包之蒸鍍遮罩捆包方法，其特徵為，係具備有：準備具備有第1對向面和被設置在前述第1對向面並且藉由第1可撓性薄膜而被作了覆蓋的凹部之支承部之工程；和得到被載置於前述支承部上之前述蒸鍍遮罩之工程；和在前述蒸鍍遮罩上配置蓋部，並使前述支承部與前述蓋部相對向之工程；和藉由前述支承部與前述蓋部來挾持前述蒸鍍遮罩之工程，在配置前述蒸鍍遮罩之工程中，前述蒸鍍遮罩之前述有效區域，係在前述凹部上隔著前述第1可撓性薄膜而被作載置。
本發明，係為一種蒸鍍遮罩捆包體，其特徵為，係具備有：支承部；和蓋部，係與前述支承部相對向；和蒸鍍遮罩層積體，係被配置在前述支承部與前述蓋部之間，前述蒸鍍遮罩層積體，係具備有：蒸鍍遮罩，係具有第1面、和位置於前述第1面之相反側之第2面、以及從前述第1面起而延伸至前述第2面之複數之貫通孔；和複數之內插薄片，係被層積於前述蒸鍍遮罩之前述第1面以及前述第2面處，前述蒸鍍遮罩之熱膨脹係數與前述內插薄片之熱膨脹係數之間之差，係為7ppm／℃以下。
在由本發明所致之蒸鍍遮罩捆包體中，係亦可構成為：前述內插薄片，係具備有當沿著前述蒸鍍遮罩之層積方向來作了觀察時，能夠使前述內插薄片之周緣涵蓋全周地而從前述蒸鍍遮罩超出之尺寸。
在由本發明所致之蒸鍍遮罩捆包體中，係亦可構成為：前述蒸鍍遮罩以及前述內插薄片，係藉由包含有30質量％以上且54質量％以下之鎳的鐵合金所形成。
在由本發明所致之蒸鍍遮罩捆包體中，係亦可構成為：前述蒸鍍遮罩以及前述內插薄片，係藉由包含有鉻之鐵合金所形成。
在由本發明所致之蒸鍍遮罩捆包體中，係亦可構成為：構成前述內插薄片之材料，係與構成前述蒸鍍遮罩之材料相同。
在由本發明所致之蒸鍍遮罩捆包體中，係亦可構成為：前述內插薄片之厚度，係為20μm～100μm。
在由本發明所致之蒸鍍遮罩捆包體中，係亦可構成為：前述蒸鍍遮罩之厚度，係為15μm以上。
在由本發明所致之蒸鍍遮罩捆包體中，係亦可構成為：前述支承部，係具備有與前述蓋部相對向之第1對向面、和被設置於前述第1對向面處之凹部，前述蒸鍍遮罩之在第1方向上的兩側之端部，係被配置在前述支承部之前述第1對向面上，前述內插薄片之在與前述第1方向正交之第2方向上之尺寸，係較前述凹部之在前述第2方向上之尺寸而更小。
又，本發明，係為一種蒸鍍遮罩捆包方法，係為將包含有第1面和位置於前述第1面之相反側之第2面以及從前述第1面起而延伸至前述第2面之複數之貫通孔的蒸鍍遮罩作捆包之蒸鍍遮罩捆包方法，其特徵為，係具備有：得到蒸鍍遮罩層積體之工程，該蒸鍍遮罩層積體，係為被載置於支承部上之蒸鍍遮罩層積體，並具備有前述蒸鍍遮罩、和被層積於前述蒸鍍遮罩之前述第1面以及前述第2面上之內插薄片；和在前述蒸鍍遮罩層積體上配置蓋部，並使前述支承部與前述蓋部相對向之工程；和藉由前述支承部與前述蓋部來挾持前述蒸鍍遮罩層積體之工程，前述蒸鍍遮罩之熱膨脹係數與前述內插薄片之熱膨脹係數之間之差，係為7ppm／℃以下。 [發明之效果]
若依據本發明，則係能夠防止在輸送時而蒸鍍遮罩發生塑性變形的情形。
以下，參考圖面，針對本發明之其中一個實施形態作說明。另外，在本說明書所添附的圖面中，為了易於圖示並易於理解，係會適宜將縮尺以及縱橫之尺寸比等相對於實物而作變更並誇張化。
圖1～圖26，係為用以對於本發明之其中一個實施形態中的蒸鍍遮罩作說明之圖。在以下之實施形態及其變形例中，係列舉出為了在製造有機EL顯示裝置時將有機材料以所期望之圖案來在基板上進行圖案化所使用的蒸鍍遮罩為例，來進行說明。但是，係並不被限定於此種適用，而可對於被使用在各種的用途中之蒸鍍遮罩而適用本發明。
另外，在本說明書中，「板」、「薄片」、「薄膜」之用語，係僅在稱呼上有所差異，而並非為相互明確作區別者。例如，「板」，係為亦包含有可被稱作薄片或薄膜之構件的概念。
又，所謂「板面(薄片面、薄膜面)」，係指在對於成為對象之板狀(薄片狀、薄膜狀)的構件而全體性且綜觀性地作觀察的情況時之與成為對象之板狀構件(薄片狀構件、薄膜狀構件)的平面方向相互一致之面。又，所謂相對於板狀(薄片狀、薄膜狀)之構件所使用的法線方向，係指相對於該構件之板面(薄片面、薄膜面)的法線方向。
進而，關於在本說明書中所使用的形狀與幾何學性之條件及物理性特性以及對於該些之程度作特定的例如「平行」、「正交」、「同一」、「同等」等之用語或者是長度和角度及物理性特性之值等，係並非為被限定於嚴密的定義中者，而係被解釋為亦包含有能夠期待有同樣之功能的範圍者。
(蒸鍍裝置) 首先，針對實施使蒸鍍材料被蒸鍍在對象物上的蒸鍍處理之蒸鍍裝置90，參考圖1來作說明。如同圖1中所示一般，蒸鍍裝置90，係具備有蒸鍍源(例如坩堝94)、加熱器96以及蒸鍍遮罩裝置10。坩堝94，係收容有機發光材料等之蒸鍍材料98。加熱器96，係加熱坩堝94，並使蒸鍍材料98蒸發。蒸鍍遮罩裝置10，係以與坩堝94相對向的方式而被作配置。
(蒸鍍遮罩裝置) 以下，針對蒸鍍遮罩裝置10作說明。如同圖1中所示一般，蒸鍍遮罩裝置10，係具備有蒸鍍遮罩20、和支持蒸鍍遮罩20之框架15。框架15，係以不會使蒸鍍遮罩20撓折的方式，而將蒸鍍遮罩20以朝向其之長邊方向(第1方向)作了拉張的狀態來作支持。蒸鍍遮罩裝置10，係如同圖1中所示一般，以使蒸鍍遮罩20會與身為使蒸鍍材料98作附著之對象物的基板、例如有機EL基板92相對面的方式，來配置在蒸鍍裝置90內。在以下之說明中，係將蒸鍍遮罩20之面中的有機EL基板92側之面，稱作第1面20a，並將位置於第1面20a之相反側處之面，稱作第2面20b。其中，框體15係面向蒸鍍遮罩20之第2面20b。
蒸鍍遮罩裝置10，係如同圖1中所示一般，亦可具備有被配置在有機EL基板92之與蒸鍍遮罩20相反側之面處的磁石93。藉由設置磁石93，來藉由磁力而將蒸鍍遮罩20拉向磁石93側，而能夠使蒸鍍遮罩20密著於有機EL基板92上。
圖3，係為對於從蒸鍍遮罩20之第1面20a側來對於蒸鍍遮罩裝置10作了觀察的情況作展示之平面圖。如同圖3中所示一般，蒸鍍遮罩裝置10，係具備有在平面觀察時為具有略矩形狀之形狀的複數之蒸鍍遮罩20，各蒸鍍遮罩20，係在蒸鍍遮罩20之長邊方向上的一對之端部20e處，被與框架15作熔接而被作固定。
蒸鍍遮罩20，係包含有貫通蒸鍍遮罩20之複數之貫通孔25。從坩堝94而蒸發並到達了蒸鍍遮罩裝置10處之蒸鍍材料98，係通過蒸鍍遮罩20之貫通孔25而附著在有機EL基板92上。藉由此，係能夠以與蒸鍍遮罩20之貫通孔25的位置相對應之所期望之圖案，來將蒸鍍材料98成膜在有機EL基板92之表面上。
圖2，係為對於使用圖1之蒸鍍裝置90所製造出的有機EL顯示裝置100作展示之剖面圖。有機EL顯示裝置100，係具備有：有機EL基板92、和包含被設置為圖案狀的蒸鍍材料98之像素。
另外，在想要進行由複數之顏色所致之彩色顯示的情況時，係分別準備搭載有與各色相對應之蒸鍍遮罩20之蒸鍍裝置90，並將有機EL基板92依序投入至各蒸鍍裝置90中。藉由此，例如，係能夠將紅色用之有機發光材料、綠色用之有機發光材料以及藍色用之有機發光材料，依序蒸鍍在有機EL基板92上。
另外，蒸鍍處理，係會有在成為高溫氛圍之蒸鍍裝置90之內部而被實施的情況。於此情況，在蒸鍍處理的期間中，被保持於蒸鍍裝置90之內部的蒸鍍遮罩20、框架15以及有機EL基板92也會被加熱。此時，蒸鍍遮罩20、框架15以及有機EL基板92，係成為展現有基於各自之熱膨脹係數所致的尺寸變化之行為。於此情況，若是蒸鍍遮罩20和框架15與有機EL基板92之熱膨脹係數有大幅度之差異，則會發生起因於該些之尺寸變化之差異所導致的位置偏移，其結果，附著在有機EL基板92上的蒸鍍材料98之尺寸精確度和位置精確度係會降低。
為了解決此種課題，蒸鍍遮罩20以及框架15之熱膨脹係數，較理想，係身為與有機EL基板92之熱膨脹係數同等之值。例如，當作為有機EL基板92而使用有玻璃基板的情況時，作為蒸鍍遮罩20以及框架15之主要的材料，係可使用包含有鎳之鐵合金。例如，作為構成蒸鍍遮罩20之金屬板的材料，係可使用包含有30質量％～54質量％以下之鎳的鐵合金。作為包含有鎳之鐵合金的具體例，係可列舉出包含有34質量％～38質量％以下之鎳的恆範鋼材、包含有30質量％～34質量％以下之鎳並且更進而包含有鈷之超恆範鋼材、包含有48質量％～54質量％以下之鎳的低熱膨脹Fe-Ni系電鍍合金等。另外，在本說明書中，藉由「～」之記號所表現的數值範圍，係包含有被置於「～」之記號的前後之數值。例如，藉由「34～38質量％」之表現所區劃出的數值範圍，係與藉由「34質量％以上並且38質量％以下」之表現所區劃出的數值範圍相同。
另外，在進行蒸鍍處理時，當蒸鍍遮罩20、框架15以及有機EL基板92之溫度並不會到達高溫的情況時，係並不特別需要將蒸鍍遮罩20以及框架15之熱膨脹係數設為與有機EL基板92之熱膨脹係數同等之值。於此情況，作為構成蒸鍍遮罩20之材料，係亦可使用上述之鐵合金以外的材料。例如，係亦可使用包含鉻的鐵合金等之上述之包含有鎳之鐵合金以外的鐵合金。作為包含有鉻之鐵合金，例如，係可使用被稱作所謂的不鏽鋼之鐵合金。又，係亦可使用鎳或鎳-鈷合金等之鐵合金以外的合金。
(蒸鍍遮罩) 接著，針對蒸鍍遮罩20作詳細說明。如同圖3～圖5中所示一般，蒸鍍遮罩20，係包含有：被形成有從第1面20a起而延伸至第2面20b處的貫通孔25之有效區域22、和包圍有效區域22之周圍區域23。周圍區域23，係為用以支持有效區域22之區域，而並非為使希望被蒸鍍至有機EL基板92上之蒸鍍材料98作通過的區域。例如，有效區域22，係為蒸鍍遮罩20中之與有機EL基板92之顯示區域相對面的區域。
如同圖3中所示一般，有效區域22，例如，在平面觀察下係具備有略四角形形狀、更正確而言係在平面觀察下具備有略矩形狀的輪廓。另外，雖並未圖示，但是，各有效區域22，係可因應於有機EL基板92之顯示區域的形狀，而具備有各種之形狀的輪廓。例如，各有效區域22，係亦可具備有圓形狀之輪廓。
如同圖3中所示一般，有效區域22，係沿著蒸鍍遮罩20之長邊方向而空出有特定之間隔地被作複數配列。1個的有效區域22，係對應於1個的有機EL顯示裝置100之顯示區域。因此，若依據圖1中所示之蒸鍍遮罩裝置10，則係能夠進行有機EL顯示裝置100之多面蒸鍍。如同圖4中所示一般，在有效區域22處，複數之貫通孔25，係沿著相互正交之二個方向而分別以特定之節距被規則性地作配列。
以下，針對貫通孔25及其周圍之部分的形狀作詳細說明。
(藉由蝕刻處理所製造的蒸鍍遮罩) 於此，針對在藉由蝕刻處理來形成蒸鍍遮罩20的情況時之貫通孔25及其周圍之部分的形狀作說明。
圖4，係為從藉由蝕刻處理所製造出的蒸鍍遮罩20之第2面20b側來對於有效區域22作擴大展示之平面圖。如同圖4中所示一般，在圖示之例中，被形成於各有效區域22處的複數之貫通孔25，係在該有效區域22處，沿著相互正交之二個方向而分別以特定之節距被作配列。針對貫通孔25之其中一例，主要參考圖5～圖7來更進一步作詳細敘述。圖5～圖7，係分別為沿著圖4之有效區域22之V-V方向～VII-VII方向的剖面圖。另外，在圖5～圖7中所示之有效區域22與周圍區域23之間的邊界線，係僅為其中一例，此邊界線之位置係為任意。例如，此邊界線，係亦可被配置在並未被形成有第2凹部35之區域(較在圖5中之最為左側之第2凹部35而更左側)處。
如同圖5～圖7中所示一般，複數之貫通孔25，係從成為沿著蒸鍍遮罩20之法線方向N的其中一側之第1面20a起，朝向成為沿著蒸鍍遮罩20之法線方向N的另外一側之第2面20b作貫通。在圖示之例中，如同於後所詳細敘述一般，在成為蒸鍍遮罩20之法線方向N處的其中一側之金屬板21之第1面21a處，係藉由蝕刻而被形成有第1凹部30(或者是第1開口部30)，在成為蒸鍍遮罩20之法線方向N處的另外一側之金屬板21之第2面21b處，係被形成有第2凹部35(或者是第2開口部35)。第1凹部30，係被與第2凹部35作連接，藉由此，第2凹部35和第1凹部30係以會相通的方式而被形成。貫通孔25，係藉由第2凹部35、和被與第2凹部35作連接之第1凹部30，而構成之。
如同圖5～圖7中所示一般，隨著從蒸鍍遮罩20之第2面20b之側起朝向第1面20a之側，在沿著蒸鍍遮罩20之法線方向N的各位置處之於沿著蒸鍍遮罩20之板面的剖面處之各第2凹部35之開口面積，係逐漸地縮小。同樣的，隨著從蒸鍍遮罩20之第1面20a之側起朝向第2面20b之側，在沿著蒸鍍遮罩20之法線方向N的各位置處之於沿著蒸鍍遮罩20之板面的剖面處之各第1凹部30之開口面積，係逐漸地縮小。
如同圖5～圖7中所示一般，第1凹部30之壁面31和第2凹部35之壁面36，係經由周狀之連接部41而被作連接。連接部41，係藉由使相對於蒸鍍遮罩20之法線方向N而有所傾斜的第1凹部30之壁面31和相對於蒸鍍遮罩20之法線方向N而有所傾斜的第2凹部35之壁面36相互匯合而成的膨出部之稜線，而被區劃出來。而，連接部41，係區劃出蒸鍍遮罩20之在平面觀察下而貫通孔25之開口面積會成為最小的貫通部42。
如同圖5～圖7中所示一般，在沿著蒸鍍遮罩20之法線方向N的另外一側之面、亦即是在蒸鍍遮罩20之第1面20a上，相鄰之2個的貫通孔25，係沿著蒸鍍遮罩20之板面而彼此相互分離。亦即是，當如同後述之製造方法一般地而從以對應於蒸鍍遮罩20之第1面20a之方式所成的金屬板21之第1面21a側起來對於該金屬板21進行蝕刻並製作第1凹部30的情況時，在相鄰之2個的第1凹部30之間係成為殘存有金屬板21之第1面21a。
同樣的，如同圖5～圖7中所示一般，在沿著蒸鍍遮罩20之法線方向N的其中一側、亦即是在蒸鍍遮罩20之第2面20b之側處，亦同樣的，相鄰之2個的第2凹部35，係亦可沿著蒸鍍遮罩20之板面而彼此相互分離。亦即是，係亦可在相鄰之2個的第2凹部35之間而殘存有金屬板21之第2面21b。在以下之說明中，係將金屬板21之第2面21b的有效區域22中之並未被蝕刻而殘留的部分，亦稱作頂部43。藉由以會殘留有此種頂部43的方式來製作蒸鍍遮罩20，係能夠使蒸鍍遮罩20具有充分的強度。藉由此，例如係能夠對於在搬送中等而蒸鍍遮罩20發生破損的情形作抑制。另外，若是頂部43之寬幅β過大，則在蒸鍍工程中會產生陰影部，起因於此，係會有導致蒸鍍材料98之利用效率降低的情形。故而，較理想，係以不會使頂部43之寬幅β過度地變大的方式來製作蒸鍍遮罩20。例如，頂部43之寬幅β，係以身為2μm以下為理想。另外，頂部43之寬幅β，一般而言，係會因應於將蒸鍍遮罩20作切斷之方向而改變。例如，在圖5以及圖7中所示之頂部43之寬幅β，係會有互為相異的情形。於此情況，係亦能夠以不論是以何種之方向來將蒸鍍遮罩20切斷的情況時頂部43之寬幅β均會成為2μm以下的方式，來構成蒸鍍遮罩20。
另外，如同圖6中所示一般，依存於場所，係亦能夠以會使相鄰之2個的第2凹部35相互連接的方式，來實施蝕刻。亦即是，係亦可存在有在相鄰之2個的第2凹部35之間而並未殘存有金屬板21之第2面21b的場所。又，雖並未圖示，但是，係亦能夠以會涵蓋第2面21b之全部區域地而使相鄰之2個的第2凹部35相互連接的方式，來實施蝕刻。
在如同圖1中所示一般地將蒸鍍遮罩裝置10收容於蒸鍍裝置90中的情況時，如同在圖5中以二點鍊線所示一般，蒸鍍遮罩20之第1面20a係與有機EL基板92相對面，蒸鍍遮罩20之第2面20b係位置在將蒸鍍材料98作了保持的坩堝94側處。故而，蒸鍍材料98，係通過使開口面積逐漸縮小的第2凹部35而附著在有機EL基板92上。如同在圖5中以從第2面20b側起朝向第1面20a之箭頭所標示一般，蒸鍍材料98，係不僅是從坩堝94而朝向有機EL基板92來沿著有機EL基板92之法線方向N移動，而亦會有朝向相對於有機EL基板92之法線方向N而大幅度地作了傾斜的方向移動的情形。此時，若是蒸鍍遮罩20之厚度為大，則傾斜移動的蒸鍍材料98之多數，係在通過貫通孔25而到達有機EL基板92處之前，便會到達第2凹部35之壁面36處並附著。故而，為了提高蒸鍍材料98之利用效率，可以推測到，較理想，係將蒸鍍遮罩20之厚度T0縮小，藉由此，來將第2凹部35之壁面36和第1凹部30之壁面31的高度縮小。亦即是，可以說，較理想，作為用以構成蒸鍍遮罩20之金屬板21，係使用在能夠確保蒸鍍遮罩20之強度的範圍內而盡可能使厚度為小的金屬板21。考慮到此點，在本實施形態中，較理想，蒸鍍遮罩20之厚度T0，係為85μm以下，例如係設定為5μm以上並且85μm以下。又，厚度T0，係設定為80μm以下、例如設定為10μm以上並且80μm、或者是20μm以上並且80μm以下。為了使蒸鍍之精確度更進一步作提昇，係亦可將蒸鍍遮罩20之厚度T0，設定為40μm以下、例如設定為10以上並且40μm以下或者是20以上並且40μm以下。另外，厚度T0，係為周圍區域23之厚度，亦即是蒸鍍遮罩20中之並未被形成有第1凹部30以及第2凹部35的部分之厚度。故而，厚度T0，亦可以說是金屬板21之厚度。
在圖5中，通過「貫通孔25之成為具有最小開口面積之部分的連接部41」和「第2凹部35之壁面36之其他之任意的位置」之直線L1，其之相對於蒸鍍遮罩20之法線方向N所成的最小角度，係以元件符號θ1來作標示。亦即是，與在後述之圖21中所示之情況相同地，身為通過在蒸鍍遮罩20之第2面20b側處的貫通孔25(第2凹部35)之端部38的蒸鍍材料98之路徑之能夠到達有機EL基板92處的路徑中之「相對於蒸鍍遮罩20之法線方向N而成角度θ1」的路徑，係以元件符號L1來作標示。為了使傾斜移動之蒸鍍材料98並不會到達壁面36地來盡可能到達有機EL基板92處，將角度θ1增大一事係為有利。為了將角度θ1增大，除了將蒸鍍遮罩20之厚度T0縮小以外，將上述之頂部43之寬幅β縮小一事亦為有效。
在圖7中，元件符號α，係代表金屬板21之第1面21a之有效區域22中的並未被蝕刻而殘留之部分(以下，亦稱作肋部)的寬幅。肋部之寬幅α以及貫通部42之尺寸r2 ，係因應於有機EL顯示裝置之尺寸以及顯示像素數而適宜被制定。在表1中，對於在5吋的有機EL顯示裝置中的顯示像素數以及因應於顯示像素數所被要求的肋部之寬幅α以及貫通部42之尺寸r2 之值的其中一例作展示。
Figure 02_image001
雖並未特別限定，但是，由本實施形態所致之蒸鍍遮罩20，在製作具備有450ppi以上之像素密度之有機EL顯示裝置的情況時，係為特別有效。以下，參考圖8，針對為了製作此種高像素密度之有機EL顯示裝置所要求的蒸鍍遮罩20之尺寸的其中一例作說明。圖8，係為對於圖5中所示之蒸鍍遮罩20的貫通孔25及其近旁之區域作擴大展示之剖面圖。
在圖8中，作為關連於貫通孔25之形狀的參數，係將從蒸鍍遮罩20之第1面20a起直到連接部41為止的在沿著蒸鍍遮罩20之法線方向N的方向上之距離、亦即是第1凹部30之壁面31的高度，以元件符號r1 來作標示。進而，係將在第1凹部30與第2凹部35作連接的部分處之第1凹部30之尺寸、亦即是貫通部42之尺寸，以元件符號r2 來作標示。又，在圖8中，係將連結「連接部41」和「在金屬板21之第1面21a上的第1凹部30之前端緣」的直線L2之相對於金屬板21之法線方向N所成之角度，以元件符號θ2來作標示。
在製作具備有450ppi以上之像素密度之有機EL顯示裝置的情況時，貫通部42之尺寸r2 ，較理想，係設定為10以上並且60μm以下。藉由此，係可提供能夠製作高像素密度之有機EL顯示裝置的蒸鍍遮罩20。較理想，第1凹部30之壁面31之高度r1 ，係被設定為6μm以下。
接著，針對圖8中所示之上述之角度θ2作說明。角度θ2，係相當於在以相對於金屬板21之法線方向N而傾斜並且在連接部41之近旁處通過貫通部42的方式所飛來的蒸鍍材料98中之能夠到達有機EL基板92處的蒸鍍材料98之傾斜角度的最大值。此係因為，通過連接部41並以較角度θ2而更大之傾斜角度所飛來的蒸鍍材料98，在到達有機EL基板92處之前便會附著於第1凹部30之壁面31上之故。故而，藉由將角度θ2縮小，係能夠對於以大的傾斜角度而飛來並通過貫通部42的蒸鍍材料98附著於有機EL基板92上之情形作抑制，藉由此，係能夠對於蒸鍍材料98附著在有機EL基板92中之較與貫通部42相重疊之部分而更外側之部分處的情形作抑制。亦即是，將角度θ2縮小一事，係有助於附著在有機EL基板92上之蒸鍍材料98的面積及厚度之參差的抑制。從此種觀點來看，例如，貫通孔25，係以使角度θ2會成為45度以下的方式而被形成。另外，在圖8中，係針對使在第1面21a處之第1凹部30的尺寸(亦即是在第1面21a處之貫通孔25之開口尺寸)成為較在連接部41處之第1凹部30之尺寸r2 而更大的例子作展示。亦即是，係針對角度θ2之值為正值的例子作了展示。然而，雖並未圖示，但是，在連接部41處之第1凹部30之尺寸r2 ，係亦可成為較在第1面21a處之第1凹部30的尺寸而更大。亦即是，角度θ2之值係亦可為負值。
接著，針對藉由蝕刻處理來製造蒸鍍遮罩20之方法作說明。
(金屬板之製造方法) 首先，針對為了製造蒸鍍遮罩而使用的金屬板之製造方法作說明。
[壓延工程] 首先，如同圖9中所示一般，準備由含有鎳的鐵合金所構成之母材155，並將此母材155朝向包含有一對的壓延輥156a、156b之壓延裝置156而沿著以箭頭所標示之方向作搬送。到達了一對的壓延輥156a、156b之間之母材155，係藉由一對的壓延輥156a、156b而被作壓延，其結果，母材155，係使其之厚度被減低並且沿著搬送方向而被作延伸。藉由此，係能夠得到厚度t0 之板材164X。如同圖9中所示一般，係亦可藉由將板材164X捲繞在芯161上而形成卷體162。厚度t0 之具體性之值，較理想，係如同上述一般，成為5μm以上並且85μm以下。
另外，圖9，係僅為對於壓延工程之概略內容作展示，關於用以實施壓延工程之具體性的構成以及處理程序，係並未特別作限定。例如，壓延工程，係亦可包含有以會使構成母材155之恆範鋼材的結晶配列改變之溫度以上的溫度來對於母材進行加工之熱間壓延工程或者是以會使構成母材155之恆範鋼材的結晶配列改變之溫度以下的溫度來對於母材進行加工之冷間壓延工程。又，在使母材155或板材164X通過一對的壓延輥156a、156b之間時的方向，係並不被限定於單一方向。例如，係亦能夠藉由反覆以在圖9以及圖10中之從紙面左側起朝向右側之方向以及從紙面右側起朝向左側之方向來使母材155或板材164X通過一對的壓延輥156a、156b之間，來將母材155或板材164X逐漸作壓延。
[切開工程] 之後，係亦可實施以使板材164X之寬幅會成為特定之範圍內的方式來將藉由壓延工程所得到的板材164X之寬幅方向上的兩端分別涵蓋特定之範圍地而切落的切開工程。此切開工程，係為了將可能會起因於壓延而在板材164X之兩端處所產生的碎裂除去，而被實施。藉由實施此種切開工程，係能夠防止以碎裂作為起點而發生板材164X破斷之現象(亦即是所謂的板折斷現象)的情形。
[退火工程] 之後，為了將起因於壓延而積蓄在板材164X内的殘留應力(内部應力)除去，係如同圖10中所示一般，使用退火裝置157來對於板材164X進行退火，藉由此，係得到長條金屬板164。退火工程，係亦可如同圖10中所示一般，一面將板材164X或長條金屬板164朝向搬送方向(長邊方向)作拉張一面實施之。亦即是，退火工程，係亦可並非為所謂的批次式之退火，而是作為一面搬送一面進行的連續退火來實施之。
較理想，上述之退火工程，係在非還原氛圍或惰性氣體氛圍中而被實施。於此，所謂非還原氛圍，係指並不包含有氫等之還原性氣體的氛圍。所謂「並不包含有還原性氣體」，係指氫等之還原性氣體的濃度為4％以下。又，所謂惰性氣體氛圍，係指氬氣、氦氣、氮氣等之惰性氣體為存在90％以上的氛圍。藉由在非還原氛圍或惰性氣體氛圍中而實施退火工程，係能夠對於在長條金屬板164之第1面164a或第2面164b處而形成上述之鎳氫氧化物的情形作抑制。
藉由實施退火工程，係能夠得到將殘留形變作了某種程度之除去的厚度t0 之長條金屬板164。另外，厚度t0 ，通常係成為與蒸鍍遮罩20之厚度T0相等。
另外，係亦可藉由將上述之壓延工程、切開工程以及退火工程反覆進行複數次，來製作出厚度t0 之長條之金屬板164。又，在圖10中，雖係針對退火工程為一面將長條金屬板164朝向長邊方向作拉張一面實施的例子來作了展示，但是，係並不被限定於此，亦可將退火工程，在使長條金屬板164被捲繞在芯161上的狀態下來實施之。亦即是，係亦可實施批次式之退火。另外，當在使長條金屬板164被捲繞在芯161上的狀態下而實施退火工程的情況時，係會有對於金屬板164而附加有與卷體162之捲繞直徑相對應的彎曲度的情形。故而，依存於卷體162之捲繞直徑或構成母材155之材料，一面將長條金屬板164朝向長邊方向作拉張一面實施退火工程一事係為有利。
[切斷工程] 之後，將長條金屬板164之寬幅方向上的兩端分別涵蓋特定之範圍地而切落，藉由此，來實施將長條金屬板164之寬幅調整為特定之寬幅的切斷工程。如此這般，係能夠得到具備有所期望之厚度以及寬幅的長條金屬板164。
(蒸鍍遮罩之製造方法) 接著，針對使用長條金屬板164來製造蒸鍍遮罩20之方法，主要參考圖11～圖19來作說明。在以下所說明的蒸鍍遮罩20之製造方法中，係如同圖11中所示一般，被供給有長條金屬板164，並在此長條金屬板164處被形成有貫通孔25，且進而將長條金屬板164裁斷，藉由此，而得到由單片狀之金屬板21所成的蒸鍍遮罩20。
更具體而言，蒸鍍遮罩20之製造方法，係包含有：供給延伸為帶狀之長條之金屬板164之工程；和對於長條之金屬板164施加使用有光微影技術之蝕刻，而對於長條金屬板164從第1面164a之側起來形成第1凹部30之工程；和對於長條金屬板164施加使用有光微影技術之蝕刻，而對於長條金屬板164從第2面164b之側起來形成第2凹部35之工程。之後，藉由使被形成於長條金屬板164處之第1凹部30與第2凹部35相通，在長條金屬板164處係被製作出貫通孔25。在圖12～圖19所示之例中，係在第2凹部35之形成工程之前，實施第1凹部30之形成工程，並且，在第1凹部30之形成工程與第2凹部35之形成工程之間，係更進而設置有將所製作出的第1凹部30作密封之工程。以下，針對各工程之詳細內容作說明。
在圖11中，係對於用以製作蒸鍍遮罩20之製造裝置160作展示。如同圖11中所示一般，首先，準備將長條金屬板164捲繞在芯161上的卷體162。之後，藉由使此芯161旋轉並將卷體162送出，來如同圖11中所示一般地供給延伸為帶狀之長條金屬板164。另外，長條金屬板164，係成為被形成有貫通孔25之單片狀之金屬板21，並進而成為蒸鍍遮罩20。
被作了供給的長條金屬板164，係藉由搬送滾輪72而被搬送至蝕刻裝置(蝕刻手段)170處。藉由蝕刻手段170，而施加於圖12～圖19中所示之各處理。另外，在本實施形態中，係在長條金屬板164之寬幅方向上分割附加有複數之蒸鍍遮罩20。亦即是，複數之蒸鍍遮罩20，係從在長邊方向上而佔據長條金屬板164之特定之位置的區域而製作出來。於此情況，較理想，係以使蒸鍍遮罩20之長邊方向會與長條金屬板164之壓延方向相互一致的方式，來將複數之蒸鍍遮罩20分割附加於長條金屬板164處。
首先，如同圖12中所示一般，在長條金屬板164之第1面164a上以及第2面164b上，形成包含有負型之感光性光阻材料的光阻膜165c、165d。作為形成光阻膜165c、165d之方法，係採用將被形成有丙烯酸系光硬化性樹脂等的感光性光阻材料之層之薄膜(亦即是所謂的乾薄膜)貼附在長條金屬板164之第1面164a上以及第2面164b上的方法。
接著，準備構成為不會使光透過光阻膜165c、165d中之想要除去之區域的曝光遮罩168a、168b，並將曝光遮罩168a、168b分別如同圖13中所示一般地來配置在光阻膜165c、165d上。作為曝光遮罩168a、168b，例如，係使用構成為不會使光透過光阻膜165c、165d中之想要除去之區域的玻璃乾板。之後，藉由真空密著來使曝光遮罩168a、168b充分地與光阻膜165c、165d相密著。另外，作為感光性光阻材料，係亦可使用正型之光阻材料。於此情況，作為曝光遮罩，係使用構成為會使光透過光阻膜中之想要除去之區域的曝光遮罩。
之後，隔著曝光遮罩168a、168b來對於光阻膜165c、165d進行曝光(曝光工程)。進而，為了在被作了曝光的光阻膜165c、165d上成像，而將光阻膜165c、165d顯像(顯像工程)。如同上述一般，如同圖14中所示一般，係能夠在長條金屬板164之第1面164a上形成第1光阻圖案165a，並在長條金屬板164之第2面164b上形成第2光阻圖案165b。另外，顯像工程，係亦可包含有用以將光阻膜165c、165d之硬度提高或者是用以相對於長條金屬板164而使光阻膜165c、165d更牢固地密著的光阻熱處理工程。光阻熱處理工程，係在氬氣、氦氣、氮氣等之惰性氣體之氛圍中，例如以100℃以上並且400℃以下來實施。
接著，如同圖15中所示一般，實施對於長條金屬板164之第1面164a中的並未被第1光阻圖案165a所覆蓋之區域，而使用第1蝕刻液來進行蝕刻的第1面蝕刻工程。例如，係將第1蝕刻液，從被配置在與所被搬送的長條金屬板164之第1面164a相對面之側處的噴嘴來隔著第1光阻圖案165a而朝向長條金屬板164之第1面164a噴射。其結果，如同圖15中所示一般，在長條金屬板164中之並未被第1光阻圖案165a所覆蓋之區域處，由第1蝕刻液所致之侵蝕係進行。藉由此，在長條金屬板164處之第1面164a處，係被形成有多數之第1凹部30。作為第1蝕刻液，例如係使用包含有氯化鐵溶液以及鹽酸者。
之後，如同圖16中所示一般，藉由相對於在後續之第2面蝕刻工程中所使用的第2蝕刻液而具有耐性的樹脂169，來被覆第1凹部30。亦即是，係藉由具備有相對於第2蝕刻液之耐性的樹脂169，來將第1凹部30作密封。在圖16所示之例中，係將樹脂169之膜，以並不僅是覆蓋所形成的第1凹部30而亦覆蓋第1面164a(第1光阻圖案165a)的方式來形成之。
接著，如同圖17中所示一般，實施對於長條金屬板164之第2面164b中的並未被第2光阻圖案165b所覆蓋之區域進行蝕刻而在第2面164b上形成第2凹部35之第2面蝕刻工程。第2面蝕刻工程，係一直實施直到第1凹部30與第2凹部35相通並藉由此而形成貫通孔25為止。作為第2蝕刻液，係與上述之第1蝕刻液相同的，例如使用包含有氯化鐵溶液以及鹽酸者。
另外，由第2蝕刻液所致之侵蝕，係在長條金屬板164中之被第2蝕刻液所接觸之部分而進行。故而，侵蝕，係並不僅是在長條金屬板164之法線方向N(厚度方向)上進行，而亦在沿著長條金屬板164之板面的方向上而進行。於此，較理想，第2面蝕刻工程，係在使分別被形成於與第2光阻圖案165b之相鄰之2個的孔166a相對面的位置處之2個的第2凹部35於位置在2個的孔166a之間之架橋部167a的裡側而會合之前便結束。藉由此，如同圖18中所示一般，係能夠在長條金屬板164處之第2面164b處殘留上述之頂部43。
而後，如同圖19中所示一般，將樹脂169從長條金屬板164而除去。樹脂169，例如係能夠藉由使用鹼系剝離液來除去之。在使用有鹼系剝離液的情況時，如同圖19中所示一般，與樹脂169同時地，光阻圖案165a、165b亦被除去。另外，在將樹脂169除去之後，係亦可使用與用以使樹脂169剝離之剝離液相異的剝離液，來與樹脂169相互獨立地而另外將光阻圖案165a、165b除去。
如此這般地而被形成有多數之貫通孔25之長條金屬板164，係藉由在將該長條金屬板164作了挾持的狀態下而旋轉之搬送滾輪172、172，而被搬送至切斷裝置(切斷手段)173處。另外，透過經由此搬送滾輪172、172之旋轉而作用於長條金屬板164處之張力(拉張應力)，上述之供給芯161係被作旋轉，並成為從卷體162而供給有長條金屬板164。
之後，藉由將被形成有多數之貫通孔25之長條金屬板164藉由切斷裝置(切斷手段)173來切斷為特定之長度以及寬幅，係得到被形成有多數之貫通孔25之單片狀的金屬板21、亦即是蒸鍍遮罩20。
(藉由電鍍處理所製造的蒸鍍遮罩) 另外，蒸鍍遮罩20，係亦可利用電鍍處理來製造之。因此，以下，針對藉由電鍍處理所製造的蒸鍍遮罩20作說明。於此，首先，係針對在藉由電鍍處理來形成蒸鍍遮罩20的情況時之貫通孔25及其周圍之部分的形狀作說明。
圖20，係為從藉由電鍍處理所製造出的蒸鍍遮罩20之第2面20b側來對於有效區域22作擴大展示之平面圖。如同圖4中所示一般，在圖示之例中，被形成於各有效區域22處的複數之貫通孔25，係在該有效區域22處，沿著相互正交之二個方向而分別以特定之節距被作配列。針對貫通孔25之其中一例，主要參考圖21來更進一步作詳細敘述。圖21，係為從A-A方向來對於圖20之有效區域作了觀察的剖面圖。
如同圖21中所示一般，蒸鍍遮罩20，係具備有構成第1面20a之第1金屬層32、和被設置在第1金屬層32上並構成第2面20b之第2金屬層37。在使蒸鍍材料98被蒸鍍於有機EL基板92上時(蒸鍍時)，第2金屬層37，係被配置在上述之框架15(參考圖1等)之側處。在第1金屬層32處，係以特定之圖案而被設置有第1開口部30，又，在第2金屬層37處，係以特定之圖案而被設置有第2開口部35。藉由使第1開口部30與第2開口部35相互通連，係構成從蒸鍍遮罩20之第1面20a起而延伸至第2面20b處的貫通孔25。
如同圖20中所示一般，構成貫通孔25之第1開口部30和第2開口部35，係亦可在平面觀察下而成為略多角形狀。於此，係針對第1開口部30以及第2開口部35為成為略四角形狀(更具體而言，成為略正方形狀)之例作展示。又，雖並未圖示，但是，第1開口部30和第2開口部35，係亦可成為略六角形狀或略八角形狀等之其他的略多角形狀。另外，所謂「略多角形狀」，係為包含有使多角形之角部作了圓角之形狀的概念。又，雖並未圖示，但是，第1開口部30和第2開口部35，係亦可成為圓形狀。又，只要是在平面觀察下而第2開口部35具備有包圍第1開口部30之輪廓，則第1開口部30之形狀與第2開口部35之形狀係並不需要成為相似的形狀。
在圖21中，元件符號41，係代表使第1金屬層32和第2金屬層37作連接的連接部。又，元件符號S0，係代表在第1金屬層32和第2金屬層37之間之連接部41處的貫通孔25之尺寸。另外，在圖21中，雖係針對第1金屬層32與第2金屬層37為相接的例子來作了展示，但是，係並不被限定於此，亦可在第1金屬層32與第2金屬層37之間而中介存在有其他之層。例如，亦可在第1金屬層32與第2金屬層37之間，設置有用以促進在第1金屬層32上之第2金屬層37之析出的觸媒層。
圖22，係為對於圖21之第1金屬層32以及第2金屬層37的一部分作擴大展示之圖。如同圖22中所示一般，在蒸鍍遮罩20之第2面20b處的第2金屬層37之寬幅M2，係成為較在蒸鍍遮罩20之第1面20a處的第1金屬層32之寬幅M1而更小。換言之，在第2面20b處之貫通孔25(第2開口部35)之開口尺寸S2，係成為較在第1面20a處之貫通孔25(第1開口部30)之開口尺寸S1而更大。以下，針對如此這般地來構成第1金屬層32以及第2金屬層37的情況時之優點作說明。
從蒸鍍遮罩20之第2面20b側所飛來的蒸鍍材料98，係依序通過貫通孔25之第2開口部35以及第1開口部30而附著在有機EL基板92上。有機EL基板92中之蒸鍍材料98所附著的區域，主要係依據在第1面20a處之貫通孔25之開口尺寸S1以及開口形狀而被決定。另外，如同在圖21以及圖22中以從第2面20b側起朝向第1面20a之箭頭L1所標示一般，蒸鍍材料98，係不僅是從坩堝94而朝向有機EL基板92來沿著有機EL基板92之法線方向N移動，而亦會有朝向相對於蒸鍍遮罩20之法線方向N而大幅度地作了傾斜的方向移動的情形。此時，假設若是在第2面20b處之貫通孔25之開口尺寸S2係為與在第1面20a處之貫通孔25之開口尺寸S1相同，則朝向相對於蒸鍍遮罩20之法線方向N而大幅度地作了傾斜之方向而移動的蒸鍍材料98之多數，係在通過貫通孔25而到達有機EL基板92處之前，便會附著在蒸鍍遮罩20之第2面20b(圖21中之第2金屬層37之上面)處，並且到達貫通孔25之第2開口部35之壁面36處而附著。因此，無法通過貫通孔25之蒸鍍材料98係變多。故而，為了提高蒸鍍材料98之利用效率，可以說，較理想，係將第2開口部35之開口尺寸S2增大，亦即是將第2金屬層37之寬幅M2縮小。
在圖21中，「與第2金屬層37之壁面36以及第1金屬層32之壁面31相接之直線L1」之相對於蒸鍍遮罩20之法線方向N所成的最小角度，係以元件符號θ1來作標示。為了使傾斜移動之蒸鍍材料98儘可能到達有機EL基板92處，將角度θ1增大一事係為有利。例如，較理想，係將角度θ1設為45°以上。
為了將角度θ1增大，相較於第1金屬層32之寬幅M1而將第2金屬層37之寬幅M2縮小一事，係為有效。又，如同根據圖面而可清楚得知一般，為了將角度θ1增大，將第1金屬層32之厚度T1或第2金屬層37之厚度T2縮小一事，亦為有效。另外，若是將第2金屬層37之寬幅M2、第1金屬層32之厚度T1或第2金屬層37之厚度T2過度地縮小，則蒸鍍遮罩20之強度係會降低，因此，可以推測到，在搬送時或使用時，蒸鍍遮罩20係會破損。例如，可以推測到，起因於在將蒸鍍遮罩20張設於框體15處時所施加在蒸鍍遮罩20處之拉張應力，係會有蒸鍍遮罩20破損的情形。若是對此些問題作考慮，則可以說，第1金屬層32以及第2金屬層37之尺寸，係以被設定為以下之範圍為理想。藉由此，係能夠將上述之角度θ1例如設為45°以上。
・第1金屬層32之寬幅M1：5μm以上並且25μm以下 ・第2金屬層37之寬幅M2：2μm以上並且20μm以下 ・蒸鍍遮罩20之厚度T0：3μm以上並且50μm以下，更理想係為3μm以上並且50μm以下，又更理想係為3μm以上並且30μm以下，再更理想係為3μm以上並且25μm以下 ・第1金屬層32之厚度T1：5μm以下 ・第2金屬層37之厚度T2：2μm以上並且50μm以下，更理想係為3μm以上並且50μm以下，又更理想係為3μm以上並且30μm以下，再更理想係為3μm以上並且25μm以下 另外，在本實施形態中，蒸鍍遮罩20之厚度T0，係在有效區域22以及周圍區域23處而為相同。
上述之開口尺寸S0、S1、S2，係對於有機EL顯示裝置之像素密度及上述之角度θ1之所期望之值等作考慮，而被適宜作設定。例如，在製作400ppi以上之像素密度之有機EL顯示裝置的情況時，於連接部41處之貫通孔25之開口尺寸S0，係可設定為15μm以上並且60μm以下。又，在第1面20a處之第1開口部30之開口尺寸S1，係可設定為10μm以上並且50μm以下，在第2面20b處之第2開口部35之開口尺寸S2，係可設定為15μm以上並且60μm以下。
如同圖22中所示一般，在藉由第1金屬層32所構成的蒸鍍遮罩20之第1面20a處，係亦可被形成有凹陷部34。凹陷部34，在藉由電鍍處理而製造蒸鍍遮罩20的情況時，係對應於後述之圖案基板50之導電性圖案52地而被形成。凹陷部34之深度D，例如係為50nm以上並且500nm以下。較理想，被形成於第1金屬層32處之凹陷部34之外緣34e，係位置在第1金屬層32之端部33與連接部41之間。
接著，針對藉由電鍍處理來製造蒸鍍遮罩20之例作說明。
(蒸鍍遮罩之製造方法) 圖23～圖26，係為對於蒸鍍遮罩20之製造方法作說明之圖。
[圖案基板準備工程] 首先，準備圖23中所示之圖案基板50。圖案基板50，係具備有具有絕緣性之基材51、和被形成於基材51上之導電性圖案52。導電性圖案52，係具備有對應於第1金屬層32之圖案。另外，為了使將蒸鍍遮罩20從圖案基板50而分離的後述之分離工程容易化，係亦可對於圖案基板50預先施加離模處理。
[第1電鍍處理工程] 接著，對於被形成有導電性圖案52之基材51上供給第1電鍍液，並實施在導電性圖案52上而使第1金屬層32析出之第1電鍍處理工程。例如，係將被形成有導電性圖案52之基材51，浸漬在被填充有第1電鍍液之電鍍槽中。藉由此，如同圖24中所示一般，在圖案基板50上，得到以特定之圖案而被設置有第1開口部30之第1金屬層32。
另外，在電鍍處理之特性上，如同圖24中所示一般，第1金屬層32，係不僅是會被形成在當沿著基材51之法線方向來作觀察的情況時之與導電性圖案52相重疊之部分處，而也可能會被形成在並未與導電性圖案52相重疊之部分處。此係起因於在與導電性圖案52之端部54相重疊的部分處所析出了的第1金屬層32之表面上，第1金屬層32更進一步作析出，而導致者。其結果，如同圖24中所示一般，第1開口部30之端部33，係可能會成為當沿著基材51之法線方向來作觀察的情況時而位置在並未與導電性圖案52相重疊之部分處。又，在第1金屬層32中之與導電性圖案52相接之側之面上，係被形成有與導電性圖案52之厚度相對應之上述之凹陷部34。
只要是能夠在導電性圖案52上而使第1金屬層32析出，則第1電鍍處理工程之具體性的方法係並未被特別作限定。例如，第1電鍍處理工程，係亦可作為藉由使電流在導電性圖案52中流動一事來在導電性圖案52上而使第1金屬層32析出之所謂的電解電鍍處理工程來實施之。或者是，第1電鍍處理工程，係亦可為無電解電鍍工程。
所使用的第1電鍍液之成分，係因應於對於第1金屬層32所要求之特性而適宜被決定。例如，當第1金屬層32為藉由含有鎳之鐵合金來構成的情況時，作為第1電鍍液，係可使用含有鎳化合物之溶液與含有鐵化合物之溶液的混合溶液。例如，係可使用含有氨基磺酸鎳或溴化鎳之溶液與含有氨基磺酸亞鐵之溶液的混合溶液。在電鍍液中，係亦可含有各種的添加劑。作為添加劑，係可使用硼酸等之pH緩衝劑、糖精鈉等之一次光澤劑、丁炔二醇、炔丙醇、香豆素、福馬林、硫脲等之二次光澤劑、防氧化劑、應力緩和劑等。其中，一次光澤劑係亦可含有硫成分。
[光阻形成工程] 接著，實施在基材51以及第1金屬層32上空出有特定之間隙56地而形成光阻圖案55之光阻形成工程。如同圖25中所示一般，光阻形成工程，係以第1金屬層32之第1開口部30會被光阻圖案55所覆蓋並且光阻圖案55之間隙56會位置在第1金屬層32上的方式，而被實施。
[第2電鍍處理工程] 接著，對於光阻圖案55之間隙56供給第2電鍍液，並實施在第1金屬層32上而使第2金屬層37析出之第2電鍍處理工程。例如，係將被形成有第1金屬層32之基材51，浸漬在被填充有第2電鍍液之電鍍槽中。藉由此，如同圖26中所示一般，係能夠在第1金屬層32上形成第2金屬層37。
只要是能夠在第1金屬層32上而使第2金屬層37析出，則第2電鍍處理工程之具體性的方法係並未被特別作限定。例如，第2電鍍處理工程，係亦可作為藉由使電流在第1金屬層32中流動一事來在第1金屬層32上而使第2金屬層37析出之所謂的電解電鍍處理工程來實施之。或者是，第2電鍍處理工程，係亦可為無電解電鍍工程。
作為第2電鍍液，係亦可使用與上述之第1電鍍液相同的電鍍液。或者是，作為第2電鍍液，係亦可使用與第1電鍍液相異的電鍍液。當第1電鍍液之組成與第2電鍍液之組成係為相同的情況時，構成第1金屬層32之金屬的組成和構成第2金屬層37之金屬的組成亦係成為相同。
[光阻除去工程] 之後，實施將光阻圖案55除去之光阻除去工程。例如，藉由使用鹼系玻璃液，係能夠將光阻圖案55從基材51、第1金屬層32或第2金屬層37而剝離。
[分離工程] 接著，實施將第1金屬層32以及第2金屬層37之組合體從基材51而分離之分離工程。在將該組合體從基材51而分離時，在導電性圖案52上，由於係被形成有藉由上述之離模處理所形成的有機物之膜，因此，組合體之第1金屬層32係被從有機物之膜的表面而剝離，導電性圖案52係與有機物之膜一同地而殘留在基材51上。藉由此，係能夠得到具備有以特定之圖案而被設置有第1開口部30之第1金屬層32和被設置有與第1開口部30相通連之第2開口部35之第2金屬層37的蒸鍍遮罩20。
在以上之說明中，係針對藉由電鍍處理所形成的蒸鍍遮罩20為藉由第1金屬層32和第2金屬層37所構成之例，來作了說明。然而，係並不被限定於此，藉由電鍍處理所形成的蒸鍍遮罩20，係亦可藉由單一之金屬層(未圖示)來構成之。
(蒸鍍遮罩裝置之製造方法) 接著，針對使用如同上述一般所得到了的蒸鍍遮罩20來製造蒸鍍遮罩裝置10之方法作說明。
首先，實施將藉由蝕刻處理或電鍍處理而如同上述一般地所準備了的蒸鍍遮罩20熔接於框架15處之熔接工程。藉由此，係能夠得到具備有蒸鍍遮罩20以及框架15之蒸鍍遮罩裝置10。所得到的蒸鍍遮罩20，係以被作了張設的狀態而被熔接在框架15處，並得到如同圖3中所示一般之蒸鍍遮罩裝置10。
(蒸鍍遮罩捆包體) 接著，針對將藉由蝕刻處理或電鍍處理所得到的上述之蒸鍍遮罩20作了捆包的蒸鍍遮罩捆包體，使用圖27～圖41來作說明。
如同圖27～圖29中所示一般，由本實施形態所致之蒸鍍遮罩捆包體60，係具備有：支承部61；和蓋部62，係被設置在支承部61之上方，並與支承部61相對向；和蒸鍍遮罩層積體80，係被配置在支承部61與蓋部62之間。其中，蒸鍍遮罩層積體80，係具備有上述之蒸鍍遮罩20、和被層積於蒸鍍遮罩20處之複數之內插薄片81。針對蒸鍍遮罩層積體80的詳細內容，係於後再述。
蒸鍍遮罩層積體80，係藉由支承部61和蓋部62而被作挾持。在本實施形態中，支承部61和蓋部62，係藉由彈性帶63(綁束手段)而被作綁束，藉由此彈性帶63之彈性力，支承部61以及蓋部62係對於蒸鍍遮罩層積體80作推壓並將其作挾持。於此，雖係針對支承部61和蓋部62為藉由2個的彈性帶63而被作綁束的例子作展示，但是，只要是能夠防止支承部61和蓋部62在輸送中而相互偏移的情形，則彈性帶63之個數係為任意。又，只要是能夠使支承部61和蓋部62將蒸鍍遮罩層積體80作挾持，則係並不被限定於使用彈性帶63。
在本實施形態中，支承部61和蓋部62，係經由樞軸部64而被作連結。亦即是，支承部61以及蓋部62，係成為能夠經由樞軸部64而被作彎折，並成為能夠從圖30中所示之展開狀態來變遷至圖27～圖29中所示之彎折狀態。在開捆後，係能夠回復至展開狀態。
支承部61和蓋部62以及樞軸部64，係被一體性地形成，並構成對開式之捆包構件65。於圖30中，對於此捆包構件65之橫剖面作展示。於此，所謂縱剖面，係指被作了捆包的蒸鍍遮罩20之長邊方向(第1方向)之剖面。所謂橫剖面，係指被作了捆包的蒸鍍遮罩20之與長邊方向相正交之寬幅方向(第2方向)之剖面。
如同圖30中所示一般，在支承部61與樞軸部64之間，係被形成有V字狀之支承部側溝66。在樞軸部64與蓋部62之間，係被形成有V字狀之蓋部側溝67。在將捆包構件65彎折成圖27～圖29中所示之狀態時，此些之溝66、67係被壓潰。亦即是，區劃出溝66、67之一對的溝壁面係相互近接或是抵接，捆包構件65係成為能夠彎折。在支承部側溝66以及蓋部側溝67為具備有90°之頂角的情況時，在將捆包構件65作了彎折的狀態下，係能夠使支承部61和蓋部62略平行地相對向。在捆包構件65處，只要是能夠防止輸送時之蒸鍍遮罩20的塑性變形，則係可使用任意之材料，但是，例如，從強度與質量的觀點來看，係可合適使用塑膠製之硬板箱。
如同圖28～圖32中所示一般，支承部61，係具備有與蓋部62相對向之平坦狀的第1對向面68、和被設置在第1對向面68處之凹部69。在將支承部61設為使複數枚之材料薄片(例如，塑膠製之硬板箱薄片)作了層積之構成的情況時，係亦可構成為在第1對象面68之側的薄片處設置開口部並且在第1對象面68之相反側之薄片處並不設置開口部。於此情況，在作為支承部61來作觀察時，係能夠得到被形成於第1對向面68處之凹部69。於此，塑膠製之硬板箱薄片，係包含有一對之襯裡、和中介存在於襯裡之間之具有波浪形狀之橫剖面的中芯。在將複數之硬板箱薄片作層積的情況時，較理想，係以使相互鄰接之硬板箱薄片之中芯的波浪形狀之峰(或者是谷)所延伸的方向會相互正交的方式，來作層積。於此情況，係能夠使由被層積了的硬板箱薄片所構成之支承部61的強度提昇。
如同圖33中所示一般，在沿著蒸鍍遮罩20之層積方向(蒸鍍遮罩20之法線方向N)來作了觀察時，凹部69，係以具有長邊方向的方式而被形成為矩形狀。凹部69之長邊方向，係沿著蒸鍍遮罩20之長邊方向(第1方向)。換言之，蒸鍍遮罩20，係以使其之長邊方向沿著凹部69之長邊方向的方式，而被載置在凹部69上。
凹部69之長邊方向尺寸D1，係成為較蒸鍍遮罩20之長邊方向上的複數之有效區域22之從其中一端起直到另外一端為止的尺寸D2而更大。藉由此，蒸鍍遮罩20之有效區域22的全部，係被配置在凹部69上。然而，凹部69之長邊方向尺寸D1，係成為較蒸鍍遮罩20之長邊方向全長(長邊方向尺寸)D3而更小。藉由此，蒸鍍遮罩20之長邊方向兩側的端部20e，係並非為被配置在凹部69上而是被配置在第1對向面68上，並被支承部61和蓋部62所挾持。因此，蒸鍍遮罩20在支承部61與蓋部62之間而於橫方向上偏移的情形係被防止。
凹部69之在蒸鍍遮罩20之寬幅方向上的尺寸W1，係成為較蒸鍍遮罩20之寬幅方向尺寸W2而更大。於此情況，在蒸鍍遮罩20之有效區域22的近旁處，蒸鍍遮罩20之寬幅方向兩側之側緣20f係被配置在凹部69上。藉由此，係能夠使受到了朝向下方之力的蒸鍍遮罩20之有效區域22在凹部69內而有效地撓折。因此，係能夠有效地防止有效區域22發生塑性變形的情形。
如同圖31～圖33中所示一般，凹部69，係藉由具有可撓性之第1可撓性薄膜70而被覆蓋。在第1可撓性薄膜70處，較理想，係具備有能夠吸收在捆包狀態下所對於蒸鍍遮罩20而施加之力和在輸送時而施加之衝擊的程度之可撓性。又，第1可撓性薄膜70，較理想，係具備有能夠支持包含有蒸鍍遮罩20之蒸鍍遮罩層積體80(於後再述)的程度之強度。若是身為具備有此種特性之薄膜，則在第1可撓性薄膜70處，係可使用具備有任意之厚度的任意之薄膜材料，例如，係可合適使用厚度為0.15～0.20mm之PET(聚對苯二甲酸乙二酯)薄膜。PET薄膜，由於係為較硬而難以形成皺折，因此係能夠有效地防止蒸鍍遮罩20之塑性變形。
第1可撓性薄膜70，為了防止靜電之發生，較理想，係被進行有防帶電塗敷。更具體而言，係亦可構成為在第1可撓性薄膜70處，係被塗敷有防帶電劑，而在第1可撓性薄膜70之兩面處被形成有防帶電層。於此情況，係能夠防止第1可撓性薄膜70帶電的情形，在開捆時能夠防止蒸鍍遮罩20與內插薄片81起因於靜電作用而相互附著的情形。作為此種第1可撓性薄膜70之其中一例，係可列舉出作為商品名稱CRISPR(註冊商標)而販賣的東洋紡股份有限公司製之聚酯系合成紙K2323-188-690mm。
第1可撓性薄膜70，係在支承部61之第1對向面68處，使用接著膠帶而被作貼附。更具體而言，如同圖33中所示一般，第1可撓性薄膜70之在蒸鍍遮罩20之長邊方向上的尺寸D4，係成為較凹部69之長邊方向尺寸D1而更大。又，第1可撓性薄膜70之在蒸鍍遮罩20之寬幅方向上的尺寸W3，係成為較凹部69之寬幅方向尺寸W1而更大。又，較理想，第1可撓性薄膜70之周緣部，係涵蓋全周地來連續性地被貼附在第1對向面68處。藉由此，當在蒸鍍遮罩20處被施加有朝向下方之力的情況時，係能夠有效地發揮第1可撓性薄膜70之可撓性，而能夠更進一步地防止被支持於第1可撓性薄膜70處之蒸鍍遮罩20之塑性變形。在接著膠帶中，只要是能夠將第1可撓性薄膜70良好地接著於支承部61處，則係可使用任意之材料，但是，作為其中一例，係可列舉出作為商品名稱SCOTCH(註冊商標)所販賣的3M製之雙面膠帶665。另外，第1可撓性薄膜70，係亦可構成為在支承部61之第1對向面68處塗布接著劑而被作貼附。
如同圖28～圖32中所示一般，蓋部62，係具備有與支承部61相對向之平坦狀的第2對向面71。在本實施形態中，於第2對向面71處，係並未被設置有如同第1對向面68一般之凹部。亦即是，蓋部62之第2對向面71，係全體性地被形成為平坦狀。藉由此，係能夠確保蓋部62之強度。此第1對向面68中之對應於蒸鍍遮罩層積體80之部分，係藉由第2可撓性薄膜72而被覆蓋。在第2可撓性薄膜72處，係可合適使用具備有與第1可撓性薄膜70相同之厚度的薄膜材料，並能夠與第1可撓性薄膜70同樣地而接合於蓋部62之第2對向面71處。在將蓋部62藉由塑膠製之硬板箱薄片來構成的情況時，藉由此第2可撓性薄膜72，係能夠防止硬板箱薄片之中芯的波浪形狀被轉印至蒸鍍遮罩20上的情形。又，藉由使用第2可撓性薄膜72，係能夠防止對於蓋部62之第2對向面71而造成傷痕的情形。
如同圖28以及圖29中所示一般，在第1可撓性薄膜70與第2可撓性薄膜71之間，係中介存在有將複數之蒸鍍遮罩20作了層積的蒸鍍遮罩層積體80。亦即是，蒸鍍遮罩層積體80，係隔著第1可撓性薄膜70與第2可撓性薄膜72，而被支承部61以及蓋部62所挾持。
如同圖31以及圖32中所示一般，蒸鍍遮罩層積體80，係具備有相互被作了層積的複數之蒸鍍遮罩20、和被層積於蒸鍍遮罩20之第1面20a以及第2面20b處之複數之內插薄片81。在本實施形態中，複數之蒸鍍遮罩20與複數之內插薄片81，係被交互作層積，各蒸鍍遮罩20之第1面20a，係被面向第1面20a之內插薄片81所覆蓋，第2面20b，係被面向第2面20b之內插薄片81所覆蓋。又，蒸鍍遮罩層積體80之最下段以及最上段，係成為內插薄片81。亦即是，在被配置於最下方處之蒸鍍遮罩20與支承部61之間，係中介存在有內插薄片81，在被配置於最上方處之蒸鍍遮罩20與蓋部62之間，係中介存在有內插薄片81。
內插薄片81，係為用以防止相鄰之其中一方的蒸鍍遮罩20之貫通孔25與另外一方的蒸鍍遮罩20之貫通孔25相互勾到的情形者。因此，內插薄片81之兩面(面向蒸鍍遮罩20或者是可撓性薄膜70、72之面)，係被形成為平坦狀，在內插薄片81處，係並未被形成有孔或凹凸等。藉由此內插薄片81，在從蒸鍍遮罩層積體80而將各個的蒸鍍遮罩20取出時，係防止蒸鍍遮罩20之塑性變形。
構成蒸鍍遮罩層積體80之蒸鍍遮罩20以及內插薄片81，係均未被與支承部61作接合，並且亦並未被與蓋部62作接合。
較理想，在蒸鍍遮罩層積體80中之蒸鍍遮罩20，係具備有相同之形狀，並以使各蒸鍍遮罩20之有效區域22以在沿著層積方向來作了觀察時會相互重疊的方式而被作配置，但是，係並不被限定於此。只要是能夠在作了層積的狀態下而使各蒸鍍遮罩20之有效區域22之全體均被配置在凹部69上，則例如各蒸鍍遮罩20之有效區域22的個數或者是形狀係亦可為相異。
在內插薄片81處，只要是能夠防止蒸鍍遮罩20之塑性變形，則係可使用任意之材料，但是，較理想，蒸鍍遮罩20之熱膨脹係數與內插薄片81之熱膨脹係數之間之差，係成為特定之範圍內。在本實施形態中，蒸鍍遮罩20之熱膨脹係數與內插薄片81之熱膨脹係數之間之差(絕對值)，係成為7ppm／℃以下。藉由此，來將蒸鍍遮罩20之熱膨脹係數與內插薄片81之熱膨脹係數之間之差降低。
當蒸鍍遮罩20為藉由包含有30質量％以上且54質量％以下之鎳的鐵合金來構成的情況時，較理想，內插薄片81亦係為藉由包含有30質量％以上且54質量％以下之鎳的鐵合金來構成。例如，當蒸鍍遮罩20為藉由包含有34質量％以上且38質量％以下之鎳的恆範鋼材來構成的情況時，較理想，內插薄片81亦係為藉由此種恆範鋼材所構成。於此情況，係能夠將蒸鍍遮罩20之熱膨脹係數與內插薄片81之熱膨脹係數之間之差降低。又，當蒸鍍遮罩20為藉由容易獲取之不鏽鋼等之含有鉻之鐵合金來構成的情況時，較理想，內插薄片81亦係為藉由此種含有鉻之鐵合金來構成，於此情況中，亦同樣的，係能夠將蒸鍍遮罩20之熱膨脹係數與內插薄片81之熱膨脹係數之間之差降低。進而，為了將蒸鍍遮罩20之熱膨脹係數與內插薄片81之熱膨脹係數之間之差更進一步降低，較理想，構成內插薄片81之材料，係與構成蒸鍍遮罩20之材料相同。然而，若是成為上述之熱膨脹係數之差的範圍內，則構成內插薄片81之材料與構成蒸鍍遮罩20之材料係亦可為相異。例如，內插薄片81，係亦可藉由42Alloy(包含有42％之鎳的鐵合金)來形成。另外，內插薄片81，只要是能夠對於內插薄片81勾到蒸鍍遮罩20之貫通孔25的情形作防止，則亦可藉由紙等之包含纖維材料之材料來形成。例如，內插薄片81，係亦可藉由壓克力含浸紙來形成之。
內插薄片81之厚度，係以成為20μm～100μm為理想。藉由設為20μm以上，係能夠防止起因於被層積在內插薄片81之其中一面上的蒸鍍遮罩20之貫通孔25所導致的凹凸形狀出現在另外一面上的情形。又，係能夠防止內插薄片81破損的情形，並且能夠對於內插薄片81作再利用，而更為經濟。另一方面，藉由設為100μm以下，係能夠減低內插薄片81之質量，而能夠對於作為蒸鍍遮罩捆包體60之質量的增大作抑制。
內插薄片81，較理想，係具備有當沿著蒸鍍遮罩20之層積方向來作了觀察時，能夠使內插薄片81之周緣81a涵蓋全周地而從蒸鍍遮罩20超出之尺寸。在本實施形態中，如同圖33中所示一般，內插薄片81之在蒸鍍遮罩20之長邊方向上的尺寸(長邊方向全長)D5，係成為較蒸鍍遮罩20之長邊方向全長D3而更大，並且，內插薄片81之在蒸鍍遮罩20之寬幅方向上的尺寸W4，係成為較蒸鍍遮罩20之寬幅方向尺寸W2而更大。藉由此，在蒸鍍遮罩層積體80處，係能夠使內插薄片81涵蓋全周地而從蒸鍍遮罩20超出，而能夠防止相互鄰接之蒸鍍遮罩20彼此直接相接觸並重疊的情形。亦即是，若是內插薄片81之長邊方向全長D5為較蒸鍍遮罩20之長邊方向全長D3而更小，則位於內插薄片81之其中一側處的蒸鍍遮罩20與位於另外一側處的蒸鍍遮罩20係會直接作接觸並重合，而會有使貫通孔25變形的可能性。又，當內插薄片81之寬幅方向尺寸W4為較蒸鍍遮罩20之寬幅方向尺寸W2而更小的情況時，亦同樣的，係會有使貫通孔25變形的可能性。相對於此，若依據本實施形態，則由於內插薄片81之長邊方向全長D5係成為較蒸鍍遮罩20之長邊方向全長D3而更大，並且內插薄片81之寬幅方向尺寸W4係成為較蒸鍍遮罩20之寬幅方向尺寸W2而更大，因此係能夠防止位於內插薄片81之兩側處的蒸鍍遮罩20彼此直接性接觸並重疊的情形。故而，係能夠有效地防止貫通孔25變形的情形。另外，內插薄片81之寬幅方向尺寸W4，較理想，係較凹部69之寬幅方向尺寸W1而更小。
如同圖28以及圖29中所示一般，將蒸鍍遮罩層積體80作了挾持的支承部61以及蓋部62，係被密封在密封袋73中。密封袋73內，係被作真空抽氣而被減壓。又，在密封袋73內，係收容有乾燥劑74(例如，氧化矽凝膠)，而使乾燥劑74吸附密封袋73內之水分，並將密封袋73內之氣體氛圍的乾燥狀態作維持。藉由此，來防止蒸鍍遮罩20起因於水分而發生變質的情形。另外，在圖27中，係將密封袋73作省略。
又，如同圖28以及圖29中所示一般，由本發明所致之蒸鍍遮罩捆包體60，係亦可具備有將被施加於蒸鍍遮罩20處的衝擊檢測出來之衝擊感測器75。於此情況，係能夠在輸送後，對於在輸送中所被施加於蒸鍍遮罩20處之衝擊作確認。因此，當在輸送中而被施加有特定值以上之衝擊的情況時，係可推測到會有在該蒸鍍遮罩20處而發生不良的可能性，而能夠使蒸鍍遮罩20之輸送品質提昇。衝擊感測器75，係如同圖28以及圖29中所示一般，較理想，密封袋73係被收容在硬板箱76中，並將衝擊感測器75安裝在將此硬板箱76作捆包的木箱77內，但是，係並不被限定於此。作為衝擊感測器75，例如，係可適當使用SHOCKWATCH Inc.製之衝擊觀察標籤L-30(綠)。
接著，針對由此種構成所成之本實施形態的作用作說明。於此，針對蒸鍍遮罩20之捆包方法作說明。
(蒸鍍遮罩捆包方法) 首先，準備上述之蒸鍍遮罩20，並如同圖34中所示一般，準備藉由支承部61以及蓋部62所構成的捆包構件65。此時，第1可撓性薄膜70，係以將支承部61之凹部69作覆蓋的方式而被貼附在支承部61之第1對向面68處，並且，第2可撓性薄膜72，係被貼附在蓋部62之第2對向面71處。另外，第1可撓性薄膜70與第2可撓性薄膜72，只要並未發生有變質等之利用上的問題，則係亦可作再利用。
接著，如同圖35中所示一般，得到被載置在捆包構件65之支承部61上的蒸鍍遮罩層積體80。
於此情況，首先，係在第1可撓性薄膜70上，載置內插薄片81。內插薄片81，係被配置在會與後述之蒸鍍遮罩20相重疊一般的位置處。
接著，在內插薄片81上，載置蒸鍍遮罩20。亦即是，係在第1可撓性薄膜70上，隔著內插薄片81而載置蒸鍍遮罩20。於此情況，蒸鍍遮罩20之有效區域22的全部，係在凹部69上隔著第1可撓性薄膜70而被作配置，蒸鍍遮罩20之端部20e，係被配置在第1對向面68上。
接著，在蒸鍍遮罩20上，載置內插薄片81。藉由此，在蒸鍍遮罩20之第1面20a以及第2面20b之間，係被層積有內插薄片81。於此情況之內插薄片81，係以當沿著層積方向來作觀察時會與此蒸鍍遮罩20之下面的內插薄片81相重疊的方式，而被作配置。
之後，藉由如同上述一般地反覆進行蒸鍍遮罩20之載置和內插薄片81之載置，複數之蒸鍍遮罩20和複數之內插薄片81係被交互作層積。之後，在最後所被層積的蒸鍍遮罩20上，載置內插薄片81，蒸鍍遮罩層積體80之最下段以及最上段，係成為內插薄片81(參考圖31以及圖32)。
在得到了被載置在支承部61上的蒸鍍遮罩層積體80之後，如同圖36中所示一般，在蒸鍍遮罩層積體80上配置蓋部62。於此情況，捆包構件65係藉由樞軸部64而被作彎折，蓋部62係被配置在蒸鍍遮罩層積體80之上方處。藉由此，支承部61和蓋部62係相對向，在蒸鍍遮罩層積體80之上下方向兩側處，係被配置有支承部61和蓋部62。
接著，如同圖37中所示一般，藉由支承部61和蓋部62，蒸鍍遮罩層積體80係被作挾持。於此情況，支承部61和蓋部62係藉由彈性帶63而被作綁束。例如，在蒸鍍遮罩20之長邊方向上，係於相異之位置處而被裝著有2個的彈性帶63(參考圖27)。藉由此，支承部61和蓋部62係被作綁束，藉由彈性帶63之彈性力，蒸鍍遮罩層積體80係被挾持於支承部61和蓋部62之間。詳細而言，並非為蒸鍍遮罩20之全體，而是蒸鍍遮罩20之長邊方向兩側的端部20e會被支承部61和蓋部62所挾持。此時，在支承部61之第1對向面68與蓋部62之第2對向面71之間，係形成有起因於蒸鍍遮罩層積體80之厚度所導致的間隙。
蒸鍍遮罩層積體80，係藉由彈性帶63之彈性力，而受到有上下方向之力。在蒸鍍遮罩20之端部20e處，此力，係藉由支承部61之第1對向面68與蓋部62之第2對向面71而被作支持。另一方面，由於蒸鍍遮罩20之有效區域22係被配置在凹部69上，因此，如同圖39中所示一般，起因於從蓋部62之第2對向面71所受到的朝向下方之力，蒸鍍遮罩20之有效區域22係朝向下方撓折。蒸鍍遮罩20，由於係在凹部69上藉由第1可撓性薄膜70而被作支持，因此，第1可撓性薄膜70係對於蒸鍍遮罩20之撓折作抑制，蒸鍍遮罩20之變形的情形係被抑制。因此，係能夠將蒸鍍遮罩20之變形量降低，並抑制在彈性變形範圍內之變形。故而，在將彈性帶63卸下後的開捆時，蒸鍍遮罩20，係能夠藉由自身之彈性力來恢復為原本的形狀(捆包前的形狀)。
又，在蒸鍍遮罩20之間，由於係中介存在有內插薄片81，因此，係對於相互鄰接之蒸鍍遮罩20彼此直接相接觸並重疊的情形有所避免。故而，在包含有多數的貫通孔25之有效區域22中，受到有朝向下方之力的蒸鍍遮罩20之彼此相互咬合的情形係被防止，蒸鍍遮罩20係能夠順暢地朝向下方而撓折，並且能夠順暢地復原。
在使蒸鍍遮罩層積體80被作了挾持之後，如同圖38中所示一般，捆包構件65係被密封在密封袋73中。於此情況，係在密封袋73中將捆包構件65與乾燥劑74一同作收容。接著，從密封袋73之開口來對於內部進行真空抽氣。若是密封袋73內之壓力一直降低至特定之真空度，則密封袋73之開口係被作密封。
藉由密封袋73而被作了密封的捆包構件65，係如同圖28以及圖29中所示一般，被收容在硬板箱76中，此硬板箱76係藉由木箱77而被作捆包。此時，在木箱77內，係被安裝有衝擊感測器75。如此這般，而得到由本實施形態所致之蒸鍍遮罩捆包體60。
接著，針對將如同上述一般所得到了的蒸鍍遮罩捆包體60作輸送的情況進行說明。
在輸送蒸鍍遮罩捆包體60的期間中，係會有在蒸鍍遮罩20處而被施加有衝擊的情況。例如，當起因於此衝擊而對於蒸鍍遮罩20施加有朝向下方之力的情況時，如同圖39中所示一般，起因於此朝向下方之力，蒸鍍遮罩20之有效區域22係朝向下方撓折。如同上述一般，蒸鍍遮罩20，由於係在凹部69上藉由第1可撓性薄膜70而被作支持，因此，蒸鍍遮罩20之變形的情形係被抑制。故而，係能夠將蒸鍍遮罩20之變形抑制在彈性變形範圍內，就算是在受到有輸送時之衝擊的情況時，也能夠對於蒸鍍遮罩20發生塑性變形的情形作防止。
又，在蒸鍍遮罩20之間，由於係中介存在有內插薄片81，因此，係對於相互鄰接之蒸鍍遮罩20彼此直接相接觸並重疊的情形有所避免。故而，就算是在受到有輸送時之衝擊的情況時，也能夠對於蒸鍍遮罩20彼此在有效區域22處而相互咬合的情形作防止，並且也能夠防止相互鄰接之蒸鍍遮罩20彼此摩擦的情形。如此這般，係能夠防止蒸鍍遮罩20之塑性變形。
於輸送時，起因於周圍環境的變化，會有使蒸鍍遮罩捆包體60之溫度變化的情況。於此情況，蒸鍍遮罩20和內插薄片81，係會分別伸長或縮短。然而，在本實施形態中，蒸鍍遮罩20之熱膨脹係數與內插薄片81之熱膨脹係數之間之差，係成為7ppm／℃以下。藉由此，係能夠將蒸鍍遮罩20之尺寸變化(伸長或縮短)與內插薄片81之尺寸變化(伸長或縮短)之間之差降低。因此，發生蒸鍍遮罩20和內插薄片81之間之位置偏移並導致在蒸鍍遮罩20處形成皺折或傷痕的情形係被防止，而能夠防止蒸鍍遮罩20之塑性變形。
在將輸送後之蒸鍍遮罩捆包體60開捆的情況時，係只要依循與上述之蒸鍍遮罩20之捆包方向相反的處理程序來進行即可。特別是，在相互鄰接之蒸鍍遮罩20之間，由於係中介存在有內插薄片81，因此，蒸鍍遮罩20與被配置在其之下方的蒸鍍遮罩20相互咬合的情形係被防止。故而，係能夠從蒸鍍遮罩層積體80而將各個的蒸鍍遮罩20順暢地取出。因此，係能夠防止蒸鍍遮罩20之塑性變形，並且亦能夠使蒸鍍遮罩20之處理容易性提昇。
如此這般，若依據本實施形態，則蒸鍍遮罩20之熱膨脹係數與內插薄片81之熱膨脹係數之間之差，係成為7ppm／℃以下。藉由此，係能夠將蒸鍍遮罩20之熱膨脹係數與內插薄片81之熱膨脹係數之間之差降低。因此，就算是在起因於輸送中之周圍環境之變化而導致蒸鍍遮罩捆包體60之溫度有所變化的情況時，亦能夠將蒸鍍遮罩20之尺寸變化與內插薄片81之尺寸變化之間之差降低。其結果，係能夠對於在蒸鍍遮罩20以及內插薄片81處形成起因於尺寸變化之差異所可能產生的皺折或傷痕的情形作防止，而能夠防止蒸鍍遮罩20之塑性變形。
又，若依據本實施形態，則蒸鍍遮罩20之有效區域22，係在支承部61之凹部69上，隔著第1可撓性薄膜70而被作配置。藉由此，係能夠將蒸鍍遮罩20之有效區域22藉由第1可撓性薄膜70來作支持。因此，係能夠對起因於被施加在蒸鍍遮罩20之有效區域22處的朝向下方之力而導致有效區域22朝向下方撓折的變形作抑制。故而，係能夠將蒸鍍遮罩20之變形抑制在彈性變形範圍內，而能夠防止蒸鍍遮罩20之塑性變形。
又，若依據本實施形態，則由於內插薄片81之寬幅方向尺寸W4係成為較凹部69之寬幅方向尺寸W1而更小，因此，係能夠對於蒸鍍遮罩20發生塑性變形的情形作抑制。
於此，當內插薄片81之寬幅方向尺寸W4係如同圖40中所示一般而成為凹部69之寬幅方向尺寸W1以上的情況時，可以推測到，會有起因於輸送時之衝擊等而導致蒸鍍遮罩20發生塑性變形的情況。亦即是，在圖40所示之例中，內插薄片81之周緣81a係涵蓋全周地而被配置在凹部69之外側處，內插薄片81中之較凹部69而更靠寬幅方向外側的部分，係被配置在支承部61之第1對向面68上。若是受到圖39中之朝向下方之力，則內插薄片81中之凹部69上的部分，係會與第1可撓性薄膜70以及蒸鍍遮罩20一同地而朝向下方撓折。在內插薄片81之作了撓折的部分處，係會有形成如同圖40中所示之如同皺折一般之凹陷81X的情況。此凹陷81X，係會被轉印至與此內插薄片81相接之蒸鍍遮罩20處，蒸鍍遮罩20係會發生塑性變形。凹陷81X，係有著若是內插薄片81之材質越柔軟(更具體而言，若是耐力越小)則會越容易形成，並且若是厚度越小則越容易形成的傾向。另外，當在第1可撓性薄膜70處使用PET等之較硬之材質的情況時，雖然能夠防止在第1可撓性薄膜70處形成凹陷的情形，但是，就算是當在第1可撓性薄膜70處並未被形成有凹陷的情況時，也可能會在內插薄片81處形成有凹陷81X。
相對於此，若依據本實施形態，則如同圖33中所示一般，由於內插薄片81之寬幅方向尺寸W4係成為較凹部69之寬幅方向尺寸W1而更小，因此，內插薄片81中之凹部69上的部分，係涵蓋內插薄片81之寬幅方向全體地而被配置在凹部69上。藉由此，若是受到朝向下方之力，則內插薄片81之凹部69上的部分，係涵蓋寬幅方向全體地而以進入至凹部69內的方式來撓折。因此，係能夠對於形成如同圖40中所示一般之凹陷81X的情形作防止，而能夠防止蒸鍍遮罩20之塑性變形。
以上，雖係針對本發明之實施形態作了詳細說明，但是，由本發明所致之蒸鍍遮罩捆包體以及蒸鍍遮罩捆包方法，係並不被上述之實施形態所限定，在不脫離發明之要旨的範圍內，係可作各種之變更。
在上述之本實施形態中，係針對支承部61和蓋部62為經由樞軸部64而被作連結並被一體性地形成的例子來作了說明。然而，係並不被限定於此，支承部61和蓋部62，係亦可如同圖41中所示一般地來相互獨立地形成之。於此情況，亦同樣的，係能夠藉由彈性帶63來將支承部61和蓋部62作綁束，並將蒸鍍遮罩層積體80挾持於支承部61和蓋部62之間。
又，在上述之本實施形態中，係針對被挾持於支承部61和蓋部62之間的蒸鍍遮罩層積體80為具備有複數之蒸鍍遮罩20的例子來作了說明。然而，係並不被限定於此，蒸鍍遮罩層積體80，係亦可藉由1個的蒸鍍遮罩20、和被層積於此蒸鍍遮罩20之第1面20a以及第2面20b處之2個的內插薄片81，來構成之。於此情況，亦同樣的，係能夠防止其他的構件勾到蒸鍍遮罩20之貫通孔25的情況，而能夠防止蒸鍍遮罩20之塑性變形。
又，在上述之本實施形態中，係針對在捆包構件65之支承部61上將內插薄片81以及蒸鍍遮罩20交互作層積而形成蒸鍍遮罩層積體80的例子來作了說明。然而，係並不被限定於此，亦可在預先形成了蒸鍍遮罩層積體80之後，將此蒸鍍遮罩層積體80載置在支承部61上。 [實施例]
使用各種的內插薄片81，來進行將蒸鍍遮罩20作了捆包的蒸鍍遮罩捆包體60之輸送試驗，並對於輸送後之蒸鍍遮罩20的狀態作了確認。
使用於輸送試驗中的蒸鍍遮罩20，係如同表2中所示一般，使用了具備有各種的厚度T0之蒸鍍遮罩20。各個的蒸鍍遮罩20，係為藉由圖4～圖19中所示之蝕刻處理所製作出的蒸鍍遮罩20。此蒸鍍遮罩20之材料，係設為包含有36質量％之鎳的恆範鋼材。不論是何者之蒸鍍遮罩20，均係將寬幅方向尺寸W2(參考圖33)設為67mm，並將長邊方向全長D3設為850mm。
內插薄片81，係如同表2中所示一般，使用了由各種材料所成之薄片。更詳細而言，作為實施例1，係在內插薄片81處使用含有36質量％之鎳的恆範鋼材，作為實施例2，係使用42Alloy，作為實施例3，係使用壓克力含浸紙。另一方面，作為比較例1，係使用不鏽鋼(SUS430)，作為比較例2，係使用高分子聚乙烯(PE)，作為比較例3，係使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)，作為比較例4，係使用低分子聚乙烯。各材料之在25℃下的熱膨脹係數，係成為如同表2中所示一般。在表2中，係針對從內插薄片81之熱膨脹係數而減去了蒸鍍遮罩20之熱膨脹係數(含有36質量％之鎳的恆範鋼材)之後的值作展示。各內插薄片81之寬幅方向尺寸W4係設為150mm，長邊方向全長D5係設為980mm，厚度係設為75μm。
Figure 02_image003
將5枚的蒸鍍遮罩20和4枚的內插薄片81交互重疊，而製作了由上述之實施形態所致之蒸鍍遮罩捆包體60。蒸鍍遮罩捆包體60之製作，係在室溫被管理為25℃的作業室中而進行。
將所製作出的蒸鍍遮罩捆包體60，經由陸路、空路、陸路來輸送至目的地。目的地之氣溫，係為  -16℃，此係為輸送中之周圍環境的最低氣溫，並直到蒸鍍遮罩20被開捆為止而一直降低至了-16℃。蒸鍍遮罩捆包體60之開捆，係在室溫被管理為25℃的作業室中而進行。另外，輸送中之周圍環境的最高氣溫，雖然係會有成為較25℃而更高的可能性，但是，可以推測到，就算是在此種情況，捆包時之溫度與最高氣溫之間的溫度差亦為較捆包時之溫度與最低氣溫之間的溫度差而更小。因此，可以推測到，只要注目於捆包時之氣溫與最低氣溫之間的溫度差來對於蒸鍍遮罩20之變形作確認即可，而進行了輸送試驗。
在開捆後，藉由目視(裸眼)，來對於在各蒸鍍遮罩20處是否形成有波浪狀之皺折以及是否形成有傷痕一事作了確認。將其結果展示於表2中。於此，○記號，係代表在5枚之全部的蒸鍍遮罩20處均未藉由目視而確認到皺折和傷痕，×記號，係代表在5枚中之至少1枚的蒸鍍遮罩20處藉由目視而確認到皺折和傷痕之至少其中一者。
如同表2中所示一般，當蒸鍍遮罩20之熱膨脹係數與內插薄片81之熱膨脹係數之間之差係成為7ppm／℃以下的情況時，針對所有的厚度之蒸鍍遮罩20，均能夠確認到係並未被形成有皺折或傷痕。亦即是，藉由將熱膨脹係數之差設為7ppm／℃以下，係能夠對於在蒸鍍遮罩20處形成皺折或傷痕的情形作抑制，而能夠防止蒸鍍遮罩20之塑性變形。又，若是蒸鍍遮罩20之厚度係為15μm以上，則係能夠確保蒸鍍遮罩20自身之強度，而可推測到係能夠對於在蒸鍍遮罩20處形成皺折一事更進一步作抑制。
另外，在本實施例中，雖係使用有藉由蝕刻處理所製作出的蒸鍍遮罩20，但是，可以推測到，針對藉由電鍍處理所製作出之蒸鍍遮罩20，至少也能夠得到同樣的結果。亦即是，在如同上述一般之蝕刻處理的蒸鍍遮罩20中，係使用有作為壓延材所製作出的金屬板21，但是，相較於此金屬板21之結晶，藉由電鍍處理所製作出的蒸鍍遮罩20之結晶係為更細緻。起因於此，電鍍處理之蒸鍍遮罩20的硬度和耐力，係成為較金屬板21而更大。故而，可以推測到，就算是在使用藉由電鍍處理所製作出之蒸鍍遮罩20的情況時，也能夠得到與本實施例同等或者是更佳的結果，而能夠對於皺折或傷痕的形成作更進一步的抑制。
10:蒸鍍遮罩裝置 15:框架 20:蒸鍍遮罩 20a:第1面 20b:第2面 20e:端部 20f:側緣 21:金屬板 21a:第1面 21b:第2面 22:有效區域 23:周圍區域 25:貫通孔 30:第1凹部 31:壁面 32:第1金屬層 33:端部 34:凹陷部 34e:外緣 35:第2凹部 36:壁面 37:第2金屬層 38:端部 41:連接部 42:貫通部 43:頂部 50:圖案基板 51:基材 52:導電性圖案 54:端部 55:光阻圖案 56:間隙 60:蒸鍍遮罩捆包體 61:支承部 62:蓋部 63:彈性帶 64:樞軸部 65:捆包構件 66:支承部側溝 67:蓋部側溝 68:第1對向面 69:凹部 70:第1可撓性薄膜 71:第2對向面 72:第2可撓性薄膜 73:密封袋 74:乾燥劑 75:衝擊感測器 76:硬板箱 77:木箱 80:蒸鍍遮罩層積體 81:內插薄片 81a:周緣 81X:凹陷 90:蒸鍍裝置 92:有機EL基板 93:磁石 94:坩堝 96:加熱器 98:蒸鍍材料 100:有機EL顯示裝置 155:母材 156:壓延裝置 156a:壓延輥 156b:壓延輥 157:退火裝置 160:製造裝置 161:芯 162:卷體 164:長條金屬板 164a:第1面 164b:第2面 164X:板材 165a:第1光阻圖案 165b:第2光阻圖案 165c:光阻膜 165d:光阻膜 166a:孔 167a:架橋部 168a:曝光遮罩 168b:曝光遮罩 169:樹脂 170:蝕刻裝置 172:搬送滾輪 173:切斷裝置
[圖1]係為對於具備有由本發明之其中一種實施形態所致之蒸鍍遮罩裝置的蒸鍍裝置作展示之圖。 [圖2]係為對於使用圖1中所示之蒸鍍遮罩裝置所製造出的有機EL顯示裝置作展示之剖面圖。 [圖3]係為對於由本發明之其中一種實施形態所致之蒸鍍遮罩裝置作展示之平面圖。 [圖4]係為對於圖3中所示之蒸鍍遮罩的有效區域作展示之部分平面圖。 [圖5]係為沿著圖4之V-V線的剖面圖。 [圖6]係為沿著圖4之VI-VI線的剖面圖。 [圖7]係為沿著圖4之VII-VII線的剖面圖。 [圖8]係為對於圖5中所示之貫通孔及其近旁之區域作擴大展示之剖面圖。 [圖9]係為對於將母材作壓延而得到具有所期望之厚度的金屬板之工程作展示之圖。 [圖10]係為對於將藉由壓延所得到的金屬板作退火的工程作展示之圖。 [圖11]係為用以對於蒸鍍遮罩之製造方法的其中一例作全體性說明之示意圖。 [圖12]係為對於在金屬板上形成光阻膜的工程作展示之圖。 [圖13]係為對於使曝光遮罩密著於光阻膜的工程作展示之圖。 [圖14]係為對於對光阻膜進行顯像的工程作展示之圖。 [圖15]係為對於第1面蝕刻工程作展示之圖。 [圖16]係為對於將第1凹部藉由樹脂來作被覆的工程作展示之圖。 [圖17]係為對於第2面蝕刻工程作展示之圖。 [圖18]係為接續於圖17而對於第2面蝕刻工程作展示之圖。 [圖19]係為對於從長條金屬板而將樹脂以及光阻圖案除去的工程作展示之圖。 [圖20]係為將蒸鍍遮罩之有效區域作擴大展示之平面圖。 [圖21]係為從A-A方向來對於圖20之有效區域作了觀察的剖面圖。 [圖22]係為圖21之蒸鍍遮罩的部分擴大剖面圖。 [圖23]係為對於由本發明之其中一種實施形態所致之蒸鍍遮罩製造方法之其中一例作說明之圖。 [圖24]係為對於由本發明之其中一種實施形態所致之蒸鍍遮罩製造方法之其中一例作說明之圖。 [圖25]係為對於由本發明之其中一種實施形態所致之蒸鍍遮罩製造方法之其中一例作說明之圖。 [圖26]係為對於由本發明之其中一種實施形態所致之蒸鍍遮罩製造方法之其中一例作說明之圖。 [圖27]係為對於由本發明之其中一種實施形態所致之蒸鍍遮罩捆包體作展示之立體圖。 [圖28]係為對於圖27之蒸鍍遮罩捆包體作展示的縱剖面圖。 [圖29]係為對於圖27之蒸鍍遮罩捆包體作展示的橫剖面圖。 [圖30]係為對於圖27之捆包構件的展開狀態作展示之橫剖面圖。 [圖31]係為對於圖28以及圖29之蒸鍍遮罩層積體作擴大展示的縱剖面圖。 [圖32]係為對於圖28以及圖29之蒸鍍遮罩層積體作擴大展示的橫剖面圖。 [圖33]係為對於圖28以及圖29之被載置於支承部處的蒸鍍遮罩作展示之平面圖。 [圖34]係為對於由本發明之其中一種實施形態所致之蒸鍍遮罩捆包方法之其中一例作說明之圖。 [圖35]係為對於由本發明之其中一種實施形態所致之蒸鍍遮罩捆包方法之其中一例作說明之圖。 [圖36]係為對於由本發明之其中一種實施形態所致之蒸鍍遮罩捆包方法之其中一例作說明之圖。 [圖37]係為對於由本發明之其中一種實施形態所致之蒸鍍遮罩捆包方法之其中一例作說明之圖。 [圖38]係為對於由本發明之其中一種實施形態所致之蒸鍍遮罩捆包方法之其中一例作說明之圖。 [圖39]係為針對對於圖28以及圖29之蒸鍍遮罩層積體而作用有朝向下方之力的狀態作說明之縱剖面圖。 [圖40]係為對於當內插薄片之寬幅方向尺寸乃身為凹部之寬幅方向尺寸以上的情況時所形成之凹陷作展示之平面圖。 [圖41]係為對於圖29之蒸鍍遮罩捆包體的其中一個變形例作展示之橫剖面圖。
20:蒸鍍遮罩
20e:端部
20f:側緣
22:有效區域
69:凹部
70:第1可撓性薄膜
81:內插薄片
81a:周緣

Claims (9)

  1. 一種蒸鍍遮罩捆包體，其特徵為，係具備有： 支承部；和 蓋部，係與前述支承部相對向；和 蒸鍍遮罩層積體，係被配置在前述支承部與前述蓋部之間， 前述蒸鍍遮罩層積體，係具備有： 蒸鍍遮罩，係具有第1面、和位置於前述第1面之相反側之第2面、以及從前述第1面起而延伸至前述第2面之複數之貫通孔；和 複數之內插薄片，係被層積於前述蒸鍍遮罩之前述第1面以及前述第2面處， 前述蒸鍍遮罩之熱膨脹係數與前述內插薄片之熱膨脹係數之間之差，係為7ppm／℃以下。
  2. 如請求項1所記載之蒸鍍遮罩捆包體，其中， 前述內插薄片，係具備有當沿著前述蒸鍍遮罩之層積方向來作了觀察時，能夠使前述內插薄片之周緣涵蓋全周地而從前述蒸鍍遮罩超出之尺寸。
  3. 如請求項1或2所記載之蒸鍍遮罩捆包體，其中， 前述蒸鍍遮罩以及前述內插薄片，係藉由包含有30質量％以上且54質量％以下之鎳的鐵合金所形成。
  4. 如請求項1或2所記載之蒸鍍遮罩捆包體，其中， 前述蒸鍍遮罩以及前述內插薄片，係藉由包含有鉻的鐵合金所形成。
  5. 如請求項1或2所記載之蒸鍍遮罩捆包體，其中， 構成前述內插薄片之材料，係與構成前述蒸鍍遮罩之材料相同。
  6. 如請求項1或2所記載之蒸鍍遮罩捆包體，其中， 前述內插薄片之厚度，係為20μm～100μm。
  7. 如請求項1或2所記載之蒸鍍遮罩捆包體，其中， 前述蒸鍍遮罩之厚度，係為15μm以上。
  8. 如請求項1或2項所記載之蒸鍍遮罩捆包體，其中， 前述支承部，係具備有與前述蓋部相對向之第1對向面、和被設置於前述第1對向面處之凹部， 前述蒸鍍遮罩之在第1方向上的兩側之端部，係被配置在前述支承部之前述第1對向面上， 前述內插薄片之在與前述第1方向正交之第2方向上之尺寸，係較前述凹部之在前述第2方向上之尺寸而更小。
  9. 一種蒸鍍遮罩捆包方法，係為將包含有第1面和位置於前述第1面之相反側之第2面以及從前述第1面起而延伸至前述第2面之複數之貫通孔的蒸鍍遮罩作捆包之蒸鍍遮罩捆包方法，其特徵為，係具備有： 得到蒸鍍遮罩層積體之工程，該蒸鍍遮罩層積體，係為被載置於支承部上之蒸鍍遮罩層積體，並具備有前述蒸鍍遮罩、和被層積於前述蒸鍍遮罩之前述第1面以及前述第2面上之內插薄片；和 在前述蒸鍍遮罩層積體上配置蓋部，並使前述支承部與前述蓋部相對向之工程；和 藉由前述支承部與前述蓋部來挾持前述蒸鍍遮罩層積體之工程， 前述蒸鍍遮罩之熱膨脹係數與前述內插薄片之熱膨脹係數之間之差，係為7ppm／℃以下。
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