TW202112856A - 感光性轉印構件、樹脂圖案之製造方法、電路配線之製造方法、觸控面板之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題在於提供一種因曝光後延遲所導致之圖案線寬的變動較少且所形成之圖案的解析度亦優異之感光性轉印構件。又，本發明的另一課題在於提供一種使用上述感光性轉印構件而成之樹脂圖案之製造方法、電路配線之製造方法及觸控面板之製造方法。本發明的感光性轉印構件具有臨時支撐體及感光性樹脂層，前述感光性轉印構件中，上述感光性樹脂層含有聚合物X及聚合物Y中的任一種以上及光酸產生劑，上述聚合物X含有具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元A及具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B，上述聚合物Y含有具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元A、具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B及具有鹼性基之構成單元C，上述感光性樹脂層中的具有上述3員環或4員環的醚骨架之構成單元B的含量相對於上述感光性樹脂層的總質量係8.0～700.0μmol/g。其中，上述感光性樹脂層含有上述聚合物X之情況下，上述感光性樹脂層還含有鹼性化合物。

Description

感光性轉印構件、樹脂圖案之製造方法、電路配線之製造方法、觸控面板之製造方法
本發明係關於一種感光性轉印構件、樹脂圖案之製造方法、電路配線之製造方法及觸控面板之製造方法。
在具備靜電電容型輸入裝置等觸控面板之顯示裝置（作為顯示裝置，具體而言有機電致發光（EL）顯示裝置及液晶顯示裝置等）中，在觸控面板內部設置有相當於視覺辨認部的感測器之電極圖案、邊緣配線部分及引出配線部分的配線等導電層圖案。 通常在已圖案化之層的形成中，用於獲得所需之圖案形狀之步驟數量少，因此廣泛使用對使用感光性轉印構件（亦有時稱為感光性轉印材料。）在任意基板上設置之感光性樹脂組成物的層，經由具有所期望的圖案之遮罩進行曝光後顯影之方法。
例如在專利文獻1中公開有“一種感光性轉印材料，其特徵為依序具有支撐體及包含下述（A）聚合物成分及（B）光酸產生劑之感光性樹脂組成物層。 一種（A）聚合物成分，其包含滿足下述（1）及（2）中的至少一者之聚合物。 （1）均含有具有酸基被酸分解性基保護之基團之構成單元（a1）及具有交聯性基之構成單元（a2）之聚合物。 （2）均含有包含具有酸基被酸分解性基保護之基團之構成單元（a1）之聚合物及包含具有交聯性基之構成單元（a2）之聚合物。”。在專利文獻1中公開有，作為具有上述交聯性基之構成單元（a2），具有環氧基及氧雜環丁基中的任一種以上之構成單元。
[專利文獻1]日本特開2014-010382號公報
本發明人等使用專利文獻1中所記載之感光性轉印材料進行正型圖案形成之結果發現了，曝光之後放置預定時間之後進行顯影來形成圖案時（換言之，延遲之後進行顯影來形成圖案時），有時取決於放置時間而圖案的線寬產生變動。另外，以下將曝光之後放置預定時間之後進行顯影來形成圖案時所形成之圖案的線寬的變動較少之情況亦稱為“因曝光後延遲所導致之圖案線寬的變動較少”。 又，亦作為基本性能而要求感光性轉印材料中所形成之圖案的解析度優異。
因此，本發明的課題在於提供一種因曝光後延遲所導致之圖案線寬的變動較少且所形成之圖案的解析度亦優異之感光性轉印構件。 又，本發明的課題在於提供一種使用上述感光性轉印構件而成之樹脂圖案之製造方法、電路配線之製造方法及觸控面板之製造方法。
本發明人等為了解決上述課題而進行深入研究之結果，發現只要將感光性樹脂層設為規定的組成就能夠解決上述課題，從而完成了本發明。 亦即，發現了藉由以下的構成能夠解決上述課題。
［1］一種感光性轉印構件，其係具有臨時支撐體及感光性樹脂層，前述感光性轉印構件中， 上述感光性樹脂層含有聚合物X及聚合物Y中的任一種以上及光酸產生劑， 上述聚合物X含有具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元A及具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B， 上述聚合物Y含有具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元A、具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B及具有鹼性基之構成單元C， 上述感光性樹脂層中的具有上述3員環或4員環的醚骨架之構成單元B的含量相對於上述感光性樹脂層的總質量係8.0～700.0μmol/g。 其中，上述感光性樹脂層含有上述聚合物X之情況下，上述感光性樹脂層還含有鹼性化合物。 ［2］如［1］所述之感光性轉印構件，其中 上述具有鹼性基之構成單元C與上述鹼性化合物的總含量相對於上述感光性樹脂層的總質量係3.0～100.0μmol/g。 ［3］如［1］或［2］所述之感光性轉印構件，其中 在上述感光性樹脂層中，具有酸基之低分子化合物與含有具有酸基之構成單元之聚合物中所包含之具有上述酸基之構成單元的總含量相對於上述感光性樹脂層的總質量係100.0μmol/g以下。 ［4］如［1］至［3］之任一項所述之感光性轉印構件，其中 上述聚合物X及上述聚合物Y中的具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元A係由後述之式A3表示之構成單元。 ［5］如［4］所述之感光性轉印構件，其中 在由上述式A3表示之構成單元中，R31 或R32 與R33 彼此連接而形成5員環或6員環的環狀醚。 ［6］如［1］至［5］之任一項所述之感光性轉印構件，其中 上述聚合物X及上述聚合物Y中的具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B係具有由後述之式B1～B3表示之部分結構中的任一個之構成單元。 ［7］如［1］至［6］之任一項所述之感光性轉印構件，其中 上述聚合物X及上述聚合物Y中的具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B係選自包括由後述之式B11～B13表示之構成單元之群組中。 ［8］如［1］至［7］之任一項所述之感光性轉印構件，其中 上述聚合物X及上述聚合物Y的總含量相對於感光性樹脂層的總質量係80質量%以上。 ［9］如［1］至［8］之任一項所述之感光性轉印構件，其係含有上述聚合物Y。 ［10］如［1］至［8］之任一項所述之感光性轉印構件，其係含有上述聚合物X。 ［11］一種樹脂圖案之製造方法，其依序包括： 使［1］至［10］之任一項所述之感光性轉印構件中的與上述感光性樹脂層的上述臨時支撐體側相反的一側的表面與基板接觸，以貼合上述感光性轉印構件與上述基板之步驟； 對上述感光性樹脂層進行圖案曝光之步驟；及 對經曝光之上述感光性樹脂層進行顯影而形成樹脂圖案之步驟。 ［12］一種電路配線之製造方法，其依序包括： 使［1］至［10］之任一項所述之感光性轉印構件中的與上述感光性樹脂層的上述臨時支撐體側相反的一側的表面與具有導電層之基板中的上述導電層接觸，以貼合上述感光性轉印構件與具有上述導電層之基板之步驟； 對上述感光性樹脂層進行圖案曝光之步驟； 對經曝光之上述感光性樹脂層進行顯影而形成樹脂圖案之步驟；及 對未配置上述樹脂圖案之區域中的上述導電層進行蝕刻處理之步驟。 ［13］一種觸控面板之製造方法，其依序包括： 使［1］至［10］之任一項所述之感光性轉印構件中的與上述感光性樹脂層的上述臨時支撐體側相反的一側的表面與具有導電層之基板中的上述導電層接觸，以貼合上述感光性轉印構件與具有上述導電層之基板之步驟； 對上述感光性樹脂層進行圖案曝光之步驟； 對經曝光之上述感光性樹脂層進行顯影而形成樹脂圖案之步驟；及 對未配置上述樹脂圖案之區域中的上述導電層進行蝕刻處理之步驟。 [發明效果]
依據本發明，能夠提供一種因曝光後延遲所導致之圖案線寬的變動較少且所形成之圖案的解析度亦優異之感光性轉印構件。 又，依據本發明，能夠提供一種使用上述感光性轉印構件而成之樹脂圖案之製造方法、電路配線之製造方法及觸控面板之製造方法。
以下，對本發明進行詳細說明。 以下所記載之構成要件的說明有時基於本發明的代表性實施態樣來進行，但是本發明並不限定於該等實施態樣。 關於本說明書中的基團（原子團）的標記，除非違背本發明的主旨，未標有經取代及未經取代之標記包含不具有取代基之基團，並且亦包含具有取代基之基團。例如，“烷基”不僅包含不具有取代基之烷基（未經取代的烷基），還包含具有取代基之烷基（經取代的烷基）。又，本說明書中的“有機基”係指包含至少1個碳原子之基團。 只要沒有特別說明，取代基係1價的取代基為較佳。 在本說明書中，“～”係以將記載於其前後之數值作為下限值及上限值而包含之含義來使用。 在本說明書中所標記之2價的基團的鍵結方向只要沒有特別說明就無限制。例如，由“X-Y-Z”通式表示之化合物中的Y係-COO-之情況下，Y可以為-CO-O-，亦可以為-O-CO-。亦即，上述化合物可以為“X-CO-O-Z”，亦可以為“X-O-CO-Z”。 在本說明書中，（甲基）丙烯酸酯表示丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯，（甲基）丙烯酸表示丙烯酸及甲基丙烯酸。 在本說明書中，“曝光”只要沒有特別說明，不僅包含使用光之曝光，亦包含使用電子束及離子束等粒子束之描繪。又，作為曝光中所使用之光，通常可舉出水銀燈的明線光譜、以準分子雷射為代表之遠紫外線、極紫外線（EUV（Extreme Ultraviolet，極紫外線）光）、X射線及電子束等光化射線（活性能量射線）。 在本說明書中，只要無特別說明，樹脂的重量平均分子量（Mw）及數量平均分子量（Mn）係藉由使用TSKgel GMHxL、TSKgel G4000HxL、TSKgel G2000HxL（均為TOSOH Corporation製的產品名）的管柱之凝膠滲透層析法（GPC）分析裝置並且藉由溶劑THF（四氫呋喃）、差示折射計來進行檢測，作為標準物質使用聚苯乙烯來進行換算之分子量。
在本說明書中，“步驟”的術語不僅為獨立之步驟，而且即使在無法與其他步驟明確區分之情況下，只要實現步驟的所期望的目的，則包含在本術語中。
在本說明書中，作為鹵素原子，例如可舉出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。
[感光性轉印構件] 本發明的感光性轉印構件具有臨時支撐體及感光性樹脂層，前述感光性轉印構件中， 上述感光性樹脂層含有聚合物X及聚合物Y中的任一種以上（以下，亦稱為“特定聚合物”。）及光酸產生劑， 上述聚合物X含有具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元A及具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B， 上述聚合物Y含有具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元A、具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B及具有鹼性基之構成單元C， 感光性樹脂層中的具有上述3員環或4員環的醚骨架之構成單元B的含量相對於上述感光性樹脂層的總質量係8.0～700.0μmol/g。 其中，感光性樹脂層含有聚合物X之情況下，感光性樹脂層還含有鹼性化合物。
本發明的感光性轉印構件藉由上述結構因曝光後延遲所導致之圖案線寬的變動較少且所形成之圖案的解析度亦優異。其詳細內容雖不明確，但是本發明人等推測為如下。 作為本發明的感光性轉印構件的特徵點，可舉出以規定含量含有具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B之點。該構成單元B中的3員環或4員環的醚骨架對在感光性樹脂層內產生之強酸作為鹼而發揮功能。亦即，構成單元B中的3員環或4員環的醚骨架作為藉由捕獲在感光性樹脂層內產生之強酸而引起開裂反應能夠使該強酸失活之酸擴散控制劑而發揮功能（例如，構成單元B中的3員環或4員環的醚骨架係環氧基並且在感光性樹脂層內產生之強酸係甲苯磺酸之情況下，能夠發生下述反應）。另外，失活之強酸由於酸性度降低，對具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元A的脫保護反應沒有幫助。
[化學式1]
Figure 02_image001
亦即，藉由感光性樹脂層含有構成單元B，即使曝光感光性轉印構件之後延遲之情況下，亦能夠抑制曝光部中產生之酸擴散於未曝光部。 與感光性樹脂層所包含之鹼性化合物與酸的中和反應相比，上述開裂反應係反應速度緩慢的反應。因此，只要感光性樹脂層中的構成單元B的含量調整為規定量，就無需使上述構成單元B在曝光時在曝光部中將從光酸產生劑產生之酸不必要地失活（亦即，無需使構成單元A的脫保護反應不必要地阻礙），感光性轉印構件不會因此而導致圖案的解析度的降低。另外，本發明人等試圖藉由增加感光性樹脂層中的鹼性化合物的含量來提高感光性轉印構件的曝光之後的延遲時的穩定性，但是發現了若增加鹼性化合物的含量則感光性樹脂層的靈敏度降低之傾向。亦即，藉由感光性樹脂層以規定量含有構成單元B，能夠實現良好的靈敏度的同時顯現所期望的效果。 本發明人等藉由此次的探討確認了，感光性樹脂層中的上述構成單元B的含量相對於感光性樹脂層的總質量係8.0μmol/g以上之情況下，感光性轉印構件的因曝光後延遲所導致之圖案線寬的變動較少，另一方面，上述構成單元B的含量相對於感光性樹脂層的總質量係700.0μmol/g以下之情況下，藉由感光性轉印構件形成之圖案的解析度優異。
以下，對本發明的感光性轉印構件進行詳細說明。 圖1係表示本發明的感光性轉印構件的實施形態的一例之剖面示意圖。 圖1所示之感光性轉印構件100係依序積層臨時支撐體12、感光性樹脂層14及覆蓋膜16之結構。 感光性樹脂層12含有聚合物X及聚合物Y中的任一種以上及光酸產生劑，聚合物X及聚合物Y中所包含之具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B的含量相對於上述感光性樹脂層的總質量係8.0～700.0μmol/g。其中，感光性樹脂層含有聚合物X之情況下，感光性樹脂層還含有鹼性化合物。
另外，本發明的感光性轉印構件中所包含之感光性樹脂層相當於所謂之“正型感光性樹脂組成物層”，化學增幅型正型感光性樹脂組成物層為較佳。 後述之鎓鹽及肟磺酸鹽化合物等光酸產生劑中，與活性放射線（光化射線）感應而產生之酸相對於特定聚合物中的被保護之酸基的脫保護作為觸媒而發揮作用，因此藉由1個光量子的作用而產生之酸有助於多個脫保護反應，量子產率大於1，例如成為如10數次方的較大的值，作為所謂之化學增幅的結果，可獲得高靈敏度。 另一方面，作為與光化射線感應之光酸產生劑使用醌二疊氮化合物之情況下，藉由逐次型光化學反應產生酸基，但是其量子產率必須為1以下，不符合化學增幅型。
［臨時支撐體］ 臨時支撐體為支撐感光性樹脂層且能夠從感光性樹脂層剝離的支撐體。 從對感光性樹脂層進行圖案曝光時能夠經由臨時支撐體對感光性樹脂層進行曝光之觀點考慮，臨時支撐體具有透光性為較佳。 在此，“具有透光性”係指用於圖案曝光之光的主波長的透射率為50%以上。從曝光靈敏度更優異之觀點考慮，圖案曝光中所使用之光的主波長的透射率係60%以上為較佳，70%以上為更佳。作為透射率的測量方法，可舉出使用Otsuka Electronics Co.,Ltd.製MCPD Series進行測量之方法。
作為臨時支撐體，具體而言，可舉出玻璃基板、樹脂薄膜及紙等，從強度及可撓性等更優異之觀點考慮，樹脂薄膜為較佳。作為樹脂薄膜，可舉出聚對酞酸乙二酯薄膜、三乙酸纖維素薄膜、聚苯乙烯薄膜及聚碳酸酯薄膜等。其中，雙軸拉伸聚對酞酸乙二酯薄膜為較佳。
作為臨時支撐體的厚度，並無特別限制，5～200μm為較佳，從操作容易性及通用性優異之觀點考慮，10～150μm為更佳。 從作為支撐體的強度、與電路配線形成用基板的貼合所需之可撓性及最初的曝光步驟中所需之透光性等的觀點考慮，臨時支撐體的厚度依據材質能夠適當選擇。
作為臨時支撐體的較佳的態樣，例如在日本特開2014-085643號公報的0017～0018段、日本特開2016-027363號公報的0019～0026段、WO2012/081680A1公報的0041～0057段及WO2018/179370A1公報的0029～0040段中有記載，該等公報的內容被編入到本說明書中。
［感光性樹脂層］ ＜特定聚合物＞ 感光性樹脂層含有聚合物X及聚合物Y中的任一種以上（特定聚合物）。 聚合物X：含有具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元A及具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B之聚合物。 聚合物Y：含有具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元A、具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B及具有鹼性基之構成單元C之聚合物。 另外，聚合物X與聚合物Y的區別僅在於是否含有具有鹼性基之構成單元C之點。 又，在構成單元A中，“被酸分解性基保護之酸基”係指被藉由酸的作用而分解之保護基保護之酸基。
聚合物X及聚合物Y含有具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元A。因此，關於聚合物X及聚合物Y，因曝光而產生之觸媒量的酸等酸性物質的作用，藉此被酸分解性基保護之酸基受到脫保護反應而成為酸基。藉由該酸基，感光性樹脂層能夠溶解於顯影液中。
作為聚合物X及聚合物Y，加成聚合型樹脂為較佳，含有來自於（甲基）丙烯酸或該酯之構成單元之聚合物為更佳。另外，聚合物X及聚合物Y可以含有除了來自於（甲基）丙烯酸或該酯之構成單元以外的構成單元、例如來自於苯乙烯化合物之構成單元及來自於乙烯基化合物之構成單元等。
以下，首先對聚合物X進行說明。 （聚合物X） 《構成單元A》 聚合物X含有具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元A。 作為上述酸基及上述酸分解性基，能夠使用公知者，並無特別限制。酸基的定義如後述，具體而言，羧基或酚性羥基為較佳。 又，作為上述酸分解性基，可以為藉由酸相對容易分解之基團（例如，1-烷氧基烷基、四氫吡喃基及四氫呋喃基等縮醛型保護基），亦可以為藉由酸相對難以分解之基團（例如，三級丁基等三級烷基及三級丁基氧羰基等三級烷基氧羰基（碳酸酯型保護基））。作為上述酸分解性基，其中，從靈敏度及解析度更優異之觀點考慮，具有以縮醛的形式保護之結構之基團（縮醛型酸分解性基）為較佳。 另外，作為上述被酸分解性基保護之酸基，其中，從靈敏度及解析度更優異之觀點考慮，被縮醛型酸分解性基保護之羧基為較佳。 又，作為上述酸分解性基，從抑制應用於形成導電圖案時的導電配線的線寬的偏差之觀點考慮，300以下的酸分解性基為較佳。
作為具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元A，從靈敏度及解析度更優異之觀點考慮，由式A1、式A2或式A3表示之構成單元為較佳，由式A3表示之構成單元為更佳。
[化學式2]
Figure 02_image003
式A1中，R11 及R12 分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基。其中，R11 及R12 中的至少一者表示烷基或芳基。R13 表示烷基或芳基。R14 表示氫原子或甲基。X1 表示單鍵或2價的連結基。R15 表示取代基。n表示0～4的整數。另外，R11 或R12 與R13 可以彼此連接而形成除了3員環或4員環以外的環狀醚。
式A2中，R21 及R22 分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基。其中，R21 及R22 中的至少一者表示烷基或芳基。R23 表示烷基或芳基。R24 分別獨立地表示羥基、鹵素原子、烷基、烷氧基、烯基、芳基、芳烷基、烷氧羰基、羥基烷基、芳基羰基、芳基氧羰基或環烷基。m表示0～3的整數。另外，R21 或R22 與R23 可以彼此連接而形成除了3員環或4員環以外的環狀醚。
式A3中，R31 及R32 分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基。其中，R31 及R32 中的至少一者表示烷基或芳基。R33 表示烷基或芳基。R34 表示氫原子或甲基。X0 表示單鍵或2價的連結基。另外，R31 或R32 與R33 可以彼此連接而形成除了3員環或4員環以外的環狀醚。
式A3中，作為由R31 及R32 表示之烷基，碳數1～10（較佳為碳數1～6、更佳為碳數1～4）的直鏈狀、支鏈鏈狀或環狀的烷基為較佳。 作為由R31 及R32 表示之芳基，苯基為較佳。 作為R31 及R32 ，其中，分別獨立地為氫原子或碳數1～4的烷基為較佳。 由R31 及R32 表示之烷基及芳基，還可以具有取代基。
式A3中，作為由R33 表示之烷基及芳基，分別可舉出與由R31 及R32 表示之烷基及芳基相同者，較佳的態樣亦相同。 由R33 表示之烷基及芳基還可以具有取代基。
式A3中，R31 或R32 與R33 可以彼此連接而形成環狀醚。其中，上述環狀醚係除了3員環或4員環以外的環狀醚，5員環或6員環為較佳，5員環為更佳。
式A3中，作為由X0 表示之2價的連結基，並無特別限制，伸芳基為較佳。另外，上述伸芳基還可以具有取代基。 作為X0 ，單鍵為較佳。 由上述式A3表示之構成單元A為具有被縮醛型酸分解性基保護之羧基之構成單元。在聚合物X含有由式A3表示之構成單元A之情況下，圖案形成時的靈敏度優異，又解析度更優異。
式A3中，作為R34 ，從能夠更降低聚合物X的玻璃轉移溫度（Tg）之觀點考慮，氫原子為較佳。 聚合物X中所包含之構成單元A中，式A3中的R34 係氫原子之構成單元的含量相對於聚合物X中所包含之構成單元A的總質量係20質量%以上為較佳。另外，構成單元A中的式A3中的R34 為氫原子之構成單元的含量（含有比例：質量比）能夠藉由從13 C-核磁共振光譜（NMR）測量藉由常規方法算出之峰值強度的強度比來確認。
又，作為式A1～式A3的較佳的態樣，能夠參閱國際公開第2018/179640號的0044～0058段。
式A1中，從靈敏度更優異之觀點考慮，R11 或R12 與R13 彼此連接而形成除了3員環或4員環以外的環狀醚為較佳。作為上述環狀醚，5員環或6員環狀的環狀醚為較佳，四氫呋喃環或四氫哌喃環為更佳，四氫呋喃環為進一步較佳。 式A2中，從靈敏度更優異之觀點考慮，R21 或R22 與R23 彼此連接而形成除了3員環或4員環以外的環狀醚為較佳。作為上述環狀醚，5員環或6員環狀的環狀醚為較佳，四氫呋喃環或四氫哌喃環為更佳，四氫呋喃環為進一步較佳。 式A3中，從靈敏度更優異之觀點考慮，R31 或R32 與R33 彼此連接而形成除了3員環或4員環以外的環狀醚為較佳。作為上述環狀醚，5員環或6員環狀的環狀醚為較佳，四氫呋喃環或四氫哌喃環為更佳，四氫呋喃環為進一步較佳。
聚合物X中所包含之構成單元A可以為1種，亦可以為2種以上。 聚合物X中的構成單元A的含量（構成單元A含有複數個種之情況下為其總含量）相對於聚合物X的總質量係10～70質量%為較佳，15～50質量%為更佳，20～40質量%為進一步較佳。若在上述範圍內，則更提高解析度。另外，聚合物X中的構成單元A的含量（含有比例：質量比）能夠藉由從13 C-NMR測量藉由常規方法計算之峰值強度的強度比來確認。
《構成單元B》 聚合物X含有具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B。 作為形成具有3員環的醚骨架（環氧基）之構成單元B之單體的具體例，例如可舉出丙烯酸環氧丙（基）、甲基丙烯酸環氧丙（基）、α-乙基丙烯酸環氧丙（基）、α-正丙基丙烯酸環氧丙（基）、α-正丁基丙烯酸環氧丙（基）、丙烯酸-3,4-環氧丁基、甲基丙烯酸-3,4-環氧丁基、丙烯酸-3,4-環氧環己基甲基、甲基丙烯酸-3,4-環氧環己基甲基、α-乙基丙烯酸-3,4-環氧環己基甲基、鄰乙烯基苄基環氧丙基醚、間乙烯基苄基環氧丙基醚、對乙烯基苄基環氧丙基醚及日本專利第4168443號公報的0031～0035段中所記載之含有脂環式環氧骨架之化合物等，該等內容被編入到本申請說明書中。 作為形成具有4員環的醚骨架（氧雜環丁基）之構成單元B之單體的具體例，例如可舉出日本特開2001-330953號公報的0011～0016段中所記載之具有氧雜環丁基之（甲基）丙烯酸酯等，該等內容被編入到本申請說明書中。
具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B中，具有由下述式B1～B3表示之部分結構中的任一種之構成單元為較佳。
[化學式3]
Figure 02_image005
式B2中，Rb0 表示氫原子或烷基。 作為由Rb0 表示之烷基的碳數，1～10為較佳，1～6為更佳，1～4為進一步較佳。上述烷基係直鏈狀或支鏈鏈狀為較佳。又，上述烷基還可以具有取代基。
作為具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B，由下述式B11～B13表示之構成單元中的任一種為更佳。
[化學式4]
Figure 02_image007
式B2中，Rb1 表示氫原子或甲基。
聚合物X中所包含之構成單元B可以為1種，亦可以為2種以上。 聚合物X中的構成單元B的含量（構成單元B含有複數個種之情況下為其總含量）相對於聚合物X的總質量係0.1～20質量%為較佳，0.1～15質量%為更佳，0.1～10質量%為進一步較佳。另外，聚合物X中的構成單元B的含量（含有比例：質量比）能夠藉由從13 C-NMR測量藉由常規方法計算之峰值強度的強度比來確認。
《其他構成單元》 聚合物X可以含有其他構成單元。 以下，對聚合物X能夠含有之其他構成單元進行說明。 ・具有酸基之構成單元D 聚合物X可以含有具有酸基之構成單元D（以下，亦稱為“構成單元D”。）。 構成單元D係不被酸分解性基保護之酸基、亦即含有不具有保護基之酸基之構成單元。藉由聚合物X包含構成單元D，圖案形成時的靈敏度變得良好，變得容易溶解於圖案曝光後的顯影步驟中鹼性的顯影液中，並能夠實現顯影時間的縮短化。 另外，本說明書中的酸基係指pKa為12以下的質子解離性基。 從提高靈敏度的觀點考慮，酸基的pKa為10以下為較佳，6以下為更佳。 又，作為酸基的pKa的下限值，-5以上為較佳。 作為上述酸基，可舉出羧基、磺醯胺基、膦酸基、磺酸基、酚性羥基及磺醯基醯亞胺基等。其中，羧基或酚性羥基為較佳，羧基為更佳。
聚合物X中所包含之構成單元D可以僅為1種，亦可以為2種以上。 在聚合物X含有構成單元D之情況下，聚合物X中的構成單元D的含量（構成單元D含有複數個種之情況下為其總含量）相對於聚合物X的總質量，例如係0.1質量%以上。又，其上限值並無特別限制，例如係10質量%以下，1.0質量%以下為較佳。另外，聚合物X中的構成單元D的含量（含有比例：質量比）能夠藉由從13 C-NMR測量藉由常規方法計算之峰值強度的強度比來確認。
・構成單元E 聚合物X可以含有除了既述的構成單元A、構成單元B及構成單元D以外的其他構成單元E（以下亦稱為“構成單元E”。其中，構成單元E不含有後述之構成單元C（相當於聚合物Y所含有之構成單元。））。 作為形成構成單元E之單體並無特別限制，例如能夠舉出苯乙烯類、（甲基）丙烯酸烷基酯、（甲基）丙烯酸環狀烷基酯、（甲基）丙烯酸芳基酯、不飽和二羧酸二酯、雙環不飽和化合物、順丁烯二醯亞胺化合物、不飽和芳香族化合物、共軛二烯系化合物、不飽和單羧酸、不飽和二羧酸、不飽和二羧酸酐、具有脂肪族環式骨架之基團、其他不飽和化合物。 藉由使用構成單元E調整種類及含量中的至少任一種，能夠調整聚合物X的各種特性。尤其，藉由含有構成單元E，能夠輕易地調整聚合物X的Tg、酸值及親疏水性。
作為構成單元E，具體而言可舉出對苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙醯氧基苯乙烯、甲氧基苯乙烯、乙氧基苯乙烯、氯苯乙烯、乙烯基苯甲酸甲酯、乙烯基苯甲酸乙酯、（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸正丙酯、（甲基）丙烯酸異丙酯、（甲基）丙烯酸正丁酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸2-羥基乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基丙酯、（甲基）丙烯酸苄酯、（甲基）丙烯酸環戊酯、（甲基）丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸異莰、丙烯腈或乙二醇單乙醯氧基乙酸酯單（甲基）丙烯酸酯等進行聚合而形成之構成單元。此外，可舉出日本特開2004-264623號公報的0021～0024段中所記載之化合物。
又，作為形成構成單元E之單體，從更提高密接性之觀點考慮，（甲基）丙烯酸烷基酯為較佳，具有碳數4～12的烷基之（甲基）丙烯酸烷基酯為更佳。具體而言，可舉出（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸正丁酯及（甲基）丙烯酸2-乙基己酯等。
聚合物X中所包含之構成單元E可以僅為1種，亦可以為2種以上。 在聚合物X含有構成單元E之情況下，聚合物X中的構成單元E的含量（構成單元E含有複數個種之情況下為其總含量）相對於聚合物X的總質量，90質量%以下為較佳，85質量%以下為更佳，80質量%以下為進一步較佳。作為下限值，10質量%以上為較佳，20質量%以上為更佳。若在上述範圍內，則更提高解析度及密接性。另外，聚合物X中的構成單元E的含量（含有比例：質量比）能夠藉由從13 C-NMR測量藉由常規方法計算之峰值強度的強度比來確認。
以下，對聚合物Y進行說明。另外，聚合物X與聚合物Y的區別僅在於是否含有具有鹼性基之構成單元C之點。 （聚合物Y） 《構成單元A》 聚合物Y含有具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元A。 作為具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元A，與上述之聚合物X中所包含之具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元A的含義相同，較佳的態樣亦相同。
聚合物Y中所包含之構成單元A可以為1種，亦可以為2種以上。 聚合物Y中的構成單元A的含量（構成單元A含有複數個種之情況下為其總含量）相對於聚合物Y的總質量係10～70質量%為較佳，15～50質量%為更佳，20～40質量%為進一步較佳。若在上述範圍內，則更提高解析度。另外，聚合物Y中的構成單元A的含量（含有比例：質量比）能夠藉由從13 C-NMR測量藉由常規方法計算之峰值強度的強度比來確認。
《構成單元B》 聚合物Y含有具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B。 作為具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B，與上述之聚合物X中所包含之具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B的含義相同，較佳的態樣亦相同。
聚合物Y中所包含之構成單元B可以為1種，亦可以為2種以上。 聚合物Y中的構成單元B的含量（構成單元B含有複數個種之情況下為其總含量）相對於聚合物Y的總質量係0.1～20質量%為較佳，0.1～15質量%為更佳，0.1～10質量%為進一步較佳。另外，聚合物Y中的構成單元B的含量（含有比例：質量比）能夠藉由從13 C-NMR測量藉由常規方法計算之峰值強度的強度比來確認。
《具有鹼性基之構成單元C》 聚合物Y含有具有鹼性基之構成單元C。 作為上述鹼性基，具體而言可舉出脂肪族胺基、芳香族胺基及含氮雜芳香環基等具有氮原子之基團，脂肪族胺基為較佳。 作為脂肪族胺基，可以為第一級胺基、第二級胺基及三級胺基中的任一種，但是從解析度的觀點考慮，第二級胺基或三級胺基為較佳。
作為形成具有鹼性基之構成單元之單體，具體而言，可舉出甲基丙烯酸1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶、甲基丙烯酸2-（二甲基胺基）乙酯、丙烯酸2,2,6,6-四甲基-4-哌啶、甲基丙烯酸2,2,6,6-四甲基-4-哌啶、丙烯酸2,2,6,6-四甲基-4-哌啶、甲基丙烯酸2-（二乙基胺基）乙酯、丙烯酸2-（二甲基胺基）乙酯、丙烯酸2-（二乙基胺基）乙酯、甲基丙烯酸N-（3-二甲基胺基）丙酯、丙烯酸N-（3-二甲基胺基）丙酯、甲基丙烯酸N-（3-二乙基胺基）丙酯、丙烯酸N-（3-二乙基胺基）丙酯、甲基丙烯酸2-（二異丙基胺基）乙酯、甲基丙烯酸2-嗎啉基乙酯、丙烯酸2-嗎啉基乙酯、N-[3-（二甲基胺基）丙基]丙烯醯胺、4-胺基苯乙烯、4-乙烯基吡啶、2-乙烯基吡啶、3-乙烯基吡啶、1-乙烯基咪唑、2-甲基-1-乙烯基咪唑、1-烯丙基咪唑及1-乙烯基-1,2,4-三唑等。其中，甲基丙烯酸1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶為較佳。
聚合物Y中所包含之構成單元C可以僅為1種，亦可以為2種以上。 聚合物Y中的構成單元C的含量（構成單元C含有複數個種之情況下為其總含量）相對於聚合物Y的總質量係0.01～10質量%為較佳，0.01～5質量%為更佳。另外，聚合物Y中的構成單元C的含量（含有比例：質量比）能夠藉由從13 C-NMR測量藉由常規方法計算之峰值強度的強度比來確認。
《其他構成單元》 聚合物Y可以含有其他構成單元。 以下，對聚合物Y能夠含有之其他構成單元進行說明。 ・具有酸基之構成單元D 聚合物Y可以含有具有酸基之構成單元D。作為具有酸基之構成單元D，與上述之聚合物X中所包含之具有酸基之構成單元D的含義相同，較佳的態樣亦相同。
在聚合物Y含有構成單元D之情況下，聚合物Y中的構成單元D的含量（構成單元D含有複數個種之情況下為其總含量）相對於聚合物Y的總質量係例如係0.1質量%以上。又，其上限值並無特別限制，例如係10質量%以下，1.0質量%以下為較佳。另外，聚合物Y中的構成單元D的含量（含有比例：質量比）能夠藉由從13 C-NMR測量藉由常規方法計算之峰值強度的強度比來確認。
・構成單元E 聚合物Y可以含有除了既述的構成單元A、構成單元B、構成單元C及構成單元D以外的其他構成單元E。作為構成單元E，與上述之聚合物X中所包含之構成單元E的含義相同，較佳的態樣亦相同。
聚合物Y中所包含之構成單元E可以僅為1種，亦可以為2種以上。 在聚合物Y含有構成單元E之情況下，聚合物Y中的構成單元E的含量（構成單元E含有複數個種之情況下為其總含量）相對於聚合物Y的總質量係90質量%以下為較佳，85質量%以下為更佳，80質量%以下為進一步較佳。作為下限值，10質量%以上為較佳，20質量%以上為更佳。若在上述範圍內，則更提高解析度及密接性。另外，聚合物Y中的構成單元E的含量（含有比例：質量比）能夠藉由從13 C-NMR測量藉由常規方法計算之峰值強度的強度比來確認。
（特定聚合物的重量平均分子量） 特定聚合物的重量平均分子量以聚苯乙烯換算重量平均分子量計為60,000以下為較佳。在特定聚合物的重量平均分子量係60,000以下之情況下，在轉印感光性轉印構件時，能夠實現低溫（例如130℃以下）下的轉印。 又，從顯影殘渣抑制的觀點考慮，特定聚合物的重量平均分子量係2,000～60,000為較佳，3,000～50,000為更佳，10,000～40,000為特佳。 特定聚合物的數量平均分子量與重量平均分子量之比（分散度）為1.0～5.0為較佳，1.05～3.5為更佳。
（特定聚合物之製造方法） 特定聚合物能夠藉由公知的方法來合成。
（感光性樹脂層中的各構成單元的含量） 感光性樹脂層中，具有上述3員環或4員環的醚骨架之構成單元B的含量相對於感光性樹脂層的總質量係8.0μmol/g以上，從因曝光後延遲所導致之圖案線寬的變動更少之觀點考慮，12.0μmol/g以上為較佳。又，其上限值係700.0μmol/g以下，從所形成之圖案的解析度更優異之觀點考慮，480.0μmol/g以下為較佳。 另外，具有上述3員環或4員環的醚骨架之構成單元B的含量係指感光性樹脂層（g）中所包含之上述構成單元B的含量的合計（μmol）。例如，在感光性樹脂層僅含有聚合物X及聚合物Y中的其中一個之情況下，係指所含有之聚合物中的構成單元B的含量，在感光性樹脂層含有聚合物X及聚合物Y該兩者之情況下，係指聚合物X中的構成單元B及聚合物Y中的構成單元B的總含量。
又，感光性樹脂層中，從所形成之圖案的解析度更優異之觀點考慮，具有鹼性基之構成單元C與後述之鹼性化合物的總含量相對於感光性樹脂層的總質量係3.0μmol/g以上為較佳，10.0μmol/g以上為更佳。又，作為其上限值，從靈敏度更優異之觀點考慮，100.0μmol/g以下為較佳，60.0μmol/g以下為更佳。 另外，計算具有鹼性基之構成單元C與後述之鹼性化合物的總含量時，在不含有具有鹼性基之構成單元C及鹼性化合物中的一個之情況下，其不含有之成分量計算為0。
又，感光性樹脂層係含有具有酸基之構成單元之聚合物及後述之具有酸基之低分子化合物的含量愈少愈為較佳。這是因為該等成分無需與聚合物X及聚合物Y中所包含之構成單元B中的3員環或4員環狀的環氧骨架反應。藉由降低感光性樹脂層中的上述成分的含量，能夠抑制與聚合物X及聚合物Y中所包含之構成單元B中的3員環或4員環狀的環氧骨架的反應，能夠更減小因曝光後延遲所導致之圖案線寬的變動。 感光性樹脂層中，具有酸基之構成單元與後述之具有酸基之低分子化合物的總含量相對於感光性樹脂層的總質量係100.0μmol/g以下為較佳。 另外，具有酸基之構成單元的含量係指感光性樹脂層（g）中所包含之上述構成單元的含量的合計（μmol）。例如，在感光性樹脂層含有1種具有上述構成單元之聚合物之情況下，係指上述聚合物中所包含之具有酸基之構成單元的含量。又，在感光性樹脂層含有複數個具有上述構成單元之聚合物之情況下，係指上述複數個種聚合物中所包含之具有酸基之構成單元的總含量。 又，計算具有酸基之低分子化合物及含有具有酸基之構成單元之聚合物中所包含之具有上述酸基之構成單元的總含量時，在不含有具有酸基之低分子化合物及含有具有酸基之構成單元之聚合物中所包含之具有上述酸基之構成單元中的一個之情況下，其不含有之成分量計算為0。 又，在上述之特定聚合物含有具有酸基之構成單元D之情況下，該特定聚合物相當於“含有具有酸基之構成單元之聚合物”。
感光性樹脂層還可以含有除了特定聚合物以外的其他聚合物。 在上述感光性樹脂層含有其他聚合物之情況下，其他聚合物的含量相對於特定聚合物與其他聚合物的總含量係50質量%以下為較佳，30質量%以下為更佳，20質量%以下為進一步較佳。 作為其他聚合物，例如可舉出聚羥基苯乙烯。作為聚羥基苯乙烯的市售品，可舉出SMA 1000P、SMA 2000P、SMA 3000P、SMA 1440F、SMA 17352P、SMA 2625P及SMA 3840F（以上為Sartomer Company, Inc.製）、ARUFON UC-3000、ARUFON UC-3510、ARUFON UC-3900、ARUFON UC-3910、ARUFON UC-3920及ARUFON UC-3080（以上為TOAGOSEI CO.,LTD.製）以及Joncryl 690、Joncryl 678、Joncryl 67及Joncryl 586（以上為BASF公司製）等。
特定聚合物可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。 作為感光性樹脂層中的特定聚合物的含量（含有複數種之情況下為其總含量），從靈敏度及解析度更優異之觀點考慮，相對於感光性樹脂層的總質量係70質量%以上為較佳，從所形成之圖案的解析度更優異之觀點考慮，80質量%以上為更佳。作為其上限值並無特別限制，例如99質量%以下為較佳，98質量%以下為更佳。
＜光酸產生劑＞ 感光性樹脂層含有光酸產生劑。 作為光酸產生劑，係指能夠藉由紫外線、遠紫外線、X射線及電子束等光化射線的照射產生酸之化合物。 作為光酸產生劑，與波長300nm以上（較佳為波長300～450nm）的光化射線感應而產生酸之化合物為較佳，但是其化學結構並不受限制。又，關於未與波長300nm以上的光化射線直接感應的光酸產生劑，只要為藉由與增感劑併用與波長300nm以上的光化射線感應來產生酸之化合物，則亦能夠與增感劑組合而較佳地使用。 作為光酸產生劑，產生pKa為4以下的酸之光酸產生劑為較佳，產生pKa為3以下的酸之光酸產生劑為更佳，產生pKa為2以下的酸之光酸產生劑為進一步較佳。作為pKa的下限值並無特別限制，例如-10.0以上為較佳。 又，從因曝光後延遲所導致之圖案線寬的變動更少之觀點考慮，光酸產生劑含有產生碳數1～4的烷基磺酸之光酸產生劑和/或產生芳基磺酸之光酸產生劑為較佳。
作為光酸產生劑，可以為離子性光酸產生劑及非離子性光酸產生劑中的任一種。 作為離子性光酸產生劑，例如可舉出二芳基錪鹽類及三芳基鋶鹽類等鎓鹽化合物以及四級銨鹽類等。該等中，鎓鹽化合物為較佳，三芳基鋶鹽類及二芳基錪鹽類為更佳。 又，作為離子性光酸產生劑，日本特開2014-085643號公報的0114～0133段中所記載之離子性光酸產生劑亦為較佳。 作為非離子性光酸產生劑，例如可舉出三氯甲基均三𠯤類、重氮甲烷化合物、醯亞胺磺酸鹽化合物及肟磺酸鹽化合物等。該等之中，從靈敏度、解析度及密接性更優異之觀點考慮，肟磺酸鹽化合物為較佳。
另外，作為三氯甲基均三𠯤類、重氮甲烷化合物及醯亞胺磺酸鹽化合物的具體例，可舉出日本特開2011-221494號公報的0083～0088段中所記載之化合物。
又，作為肟磺酸鹽化合物的具體例，可舉出國際公開第2018/179640號的0084～0088段中所記載之化合物。
作為光酸產生劑，從靈敏度及解析度的觀點考慮，選自包括鎓鹽化合物及肟磺酸鹽化合物之群組中之1種以上的化合物為較佳，肟磺酸鹽化合物為更佳。 又，作為光酸產生劑，下述結構的光酸產生劑亦為較佳。
[化學式5]
Figure 02_image009
光酸產生劑可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。 作為感光性樹脂層中的光酸產生劑的含量（含有複數種之情況下為其總含量），從靈敏度及解析度更優異之觀點考慮，相對於感光性樹脂層的總質量係0.1～10質量%為較佳，0.5～5質量%為更佳。
＜鹼性化合物＞ 在感光性樹脂層含有聚合物X之情況下，感光性樹脂層含有鹼性化合物。另外，在感光性樹脂層含有聚合物Y之情況下，感光性樹脂層可以含有鹼性化合物。 另外，鹼性化合物中不含有上述之聚合物。 作為鹼性化合物的分子量，2,000以下為較佳，1,000以下為更佳，500以下為進一步較佳，400以下為特佳。 作為鹼性化合物，能夠從化學增幅抗蝕劑中所使用之鹼性化合物之中任意選擇而使用，例如可舉出脂肪族胺、芳香族胺、雜環式胺、氫氧化四級銨及羧酸的四級銨鹽等。作為該等具體例，可舉出日本特開2011-221494號公報的0204段～0207段中所記載的化合物，該等內容被編入到本說明書中。 作為脂肪族胺，例如可舉出三甲基胺、二乙胺、三乙胺、二正丙基胺、三正丙基胺、二正戊基胺、三正戊基胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二環己基胺及二環己基甲基胺等。 作為芳香族胺，例如可舉出苯胺、苄基胺、N,N-二甲基苯胺及二苯基胺等。 作為雜環式胺，例如可舉出吡啶、2-甲基吡啶、4-甲基吡啶、2-乙基吡啶、4-乙基吡啶、2-苯基吡啶、4-苯基吡啶、N-甲基-4-苯基吡啶、4-二甲基胺基吡啶、咪唑、苯并咪唑、4-甲基咪唑、2-苯基苯并咪唑、2,4,5-三苯基咪唑、菸鹼、菸鹼酸、菸鹼醯胺、喹啉、8-羥基喹啉、吡𠯤、吡唑、嗒𠯤、嘌呤、吡咯啶、哌啶、哌𠯤、口末啉、4-甲基口末啉、1,5-二吖雙環[4.3.0]-5-壬烯及1,8-二吖雙環[5.3.0]-7-十一烯等。 作為羧酸的四級銨鹽，例如可舉出四甲基乙酸銨、四甲基苯甲酸銨、四正丁基乙酸銨及四正丁基苯甲銨等。 又，作為鹼性化合物，亦能夠較佳地使用N-環己基-N’-[2-（4-口末啉基）乙基]硫脲（CMTU）。又，作為CMTU的市售品，例如能從Toyo Kasei Kogyo Co.,Ltd.等獲得。
鹼性化合物可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。 關於鹼性化合物的含量如既述。
＜具有酸基之低分子化合物＞ 感光性樹脂層亦可以含有具有酸基之低分子化合物。 另外，具有酸基之低分子化合物係指不具有重複單元之非聚合物，不含有上述之聚合物。 作為具有酸基之低分子化合物，2,000以下為較佳，1,000以下為更佳，500以下為進一步較佳，400以下為特佳。 酸基係指pKa為12以下的質子解離性基。 上述酸基的定義如上述，具體而言，可舉出羧基、磺醯胺基、膦酸基、磺酸基、酚性羥基及磺醯基醯亞胺基等。 具有酸基之低分子化合物例如可舉出苯甲酸等。
具有酸基之低分子化合物可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。 關於具有酸基之低分子化合物的含量如既述。
＜其他添加劑＞ 感光性樹脂層依據需要亦可以含有其他添加劑。 作為其他添加劑，例如可舉出界面活性劑、塑化劑、增感劑、雜環狀化合物及烷氧基矽烷化合物等，從厚度均勻性的觀點考慮，界面活性劑為較佳。
作為界面活性劑，可舉出陰離子性界面活性劑、陽離子性界面活性劑、非離子性（Nonionic）界面活性劑及兩性界面活性劑，非離子性界面活性劑為較佳。 作為非離子性界面活性劑，例如可舉出聚氧乙烯高級烷基醚類、聚氧乙烯高級烷基苯基醚類、聚氧乙二醇的高級脂肪酸二酯類、聚矽氧系界面活性劑及氟系界面活性劑。
作為界面活性劑，例如亦能夠使用國際公開第2018/179640號的0120～0125段中所記載之界面活性劑。 又，作為界面活性劑的市售品，例如亦能夠使用MEGAFACE F-552及MEGAFACE F-554（以上為DIC CORPORATION製）。 又，作為界面活性劑，亦能夠使用日本專利第4502784號公報的0017段、日本特開2009-237362號公報的0060～0071段中所記載之界面活性劑。
界面活性劑可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。 作為感光性樹脂層中的界面活性劑的含量（含有複數種之情況下為其總含量）相對於感光性樹脂層的總質量係0.001～10質量%為較佳，0.01～3質量%為更佳。
作為塑化劑、增感劑、雜環狀化合物及烷氧基矽烷化合物，例如可舉出國際公開第2018/179640號的0097～0119段中所記載者。
另外，感光性樹脂層亦可以含有溶劑。在藉由含有溶劑之感光性樹脂組成物形成感光性樹脂層之情況下，有時亦殘留溶劑。 感光性樹脂層中的溶劑的含量相對於感光性樹脂層的總質量係5質量%以下為較佳，2質量%以下為更佳，1質量%以下為進一步較佳，0.5質量%以下為特佳，0.1質量%以下為最佳。
又，感光性樹脂層中，作為其他添加劑，還可以含有防鏽劑、金屬氧化物粒子、抗氧化劑、分散劑、酸增殖劑、顯影促進劑、導電性纖維、著色劑、熱自由基聚合起始劑、熱酸產生劑、紫外線吸收劑、增黏劑、交聯劑及有機或無機的防沉澱劑等公知的添加劑。 關於該等成分的較佳的態樣，分別在日本特開2014-085643號公報的0165段～0184段中有記載，該公報的內容被編入到本說明書中。
＜感光性樹脂層的平均厚度＞ 作為感光性樹脂層的平均厚度，0.5～20μm為較佳。若感光性樹脂層的平均厚度係20μm以下，則圖案的解析度更優異，若感光性樹脂層的平均厚度係0.5μm以上，則從圖案直線性的觀點考慮為較佳。作為感光性樹脂層的平均厚度，0.8～15μm為更佳，1.0～10μm為進一步較佳。 另外，本說明書中，感光性轉印構件中的各層的平均厚度藉由掃描型電子顯微鏡（SEM）觀察與轉印構件的面方向垂直的方向的截面來測量。又，平均厚度係指測量10點以上的厚度時的平均值。
＜感光性樹脂層的形成方法＞ 關於感光性樹脂層，能夠製備含有用於形成感光性樹脂層之成分及溶劑之感光性樹脂組成物，對其進行塗佈及乾燥來形成。製成將各成分分別預先溶解於溶劑之溶液之後，以規定的比例混合所獲得之溶液亦能夠製備組成物。如以上製備之組成物使用例如孔徑0.2～30μm的過濾器等進行過濾為較佳。 將感光性樹脂組成物塗佈於臨時支撐體或覆蓋膜上並且使其乾燥，藉此能夠形成感光性樹脂層。 作為塗佈方法並無特別限制，可舉出狹縫塗佈、旋轉塗佈、簾幕塗佈及噴墨塗佈等公知的方法。 又，在臨時支撐體或覆蓋膜上形成後述之其他層之情況下，感光性樹脂層亦可以形成於上述其他層上。
（感光性樹脂組成物） 感光性樹脂組成物含有用於形成感光性樹脂層之成分及溶劑為較佳。混合各成分及溶劑來調節黏度，對其進行塗佈及乾燥，藉此能夠較佳地形成感光性樹脂層。 作為用於形成感光性樹脂層之成分，如既述。 作為溶劑，能夠使用公知的溶劑，例如能夠使用國際公開第2018/179640號的0092～0094段中所記載之溶劑。
又，日本特開2018-177889公報的0014段中所記載之20℃下的蒸氣壓亦能夠較佳地使用1kPa～16kPa的溶劑。 溶劑可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。
塗佈感光性樹脂組成物時的溶劑的含量相對於感光性樹脂組成物中的總固體成分100質量份係50～1，900質量份為較佳，100～900質量份為更佳。
［其他層］ 感光性轉印構件亦可以含有除了上述之感光性樹脂層以外的其他層（以下，亦稱為“其他層”。）。作為其他層，例如可舉出對比度增強層、中間層、覆蓋膜及熱塑性樹脂層等，能夠適當採用公知者。
關於對比度增強層的較佳的態樣，在國際公開第2018/179640號的0134段中有記載，關於熱塑性樹脂層的較佳的態樣，在日本特開2014-085643號公報的0189～0193段中有記載，關於除了上述以外的其他層的較佳的態樣，在日本特開2014-085643號公報的0194～0196段中有記載，該公報的內容被編入到本說明書中。
[感光性轉印構件之製造方法] 感光性轉印構件之製造方法並無特別限制，能夠適用公知之製造方法。 作為感光性轉印構件之製造方法，包括藉由將感光性樹脂組成物塗佈於臨時支撐體上並且使其乾燥來形成感光性樹脂層之步驟為較佳，在形成上述感光性樹脂層之步驟之後，進而包括將覆蓋膜配置於上述感光性樹脂層上之步驟為更佳。
[樹脂圖案之製造方法及電路配線之製造方法] 作為本發明的樹脂圖案之製造方法，只要為使用上述之感光性轉印構件而成之樹脂圖案之製造方法則並無特別限制，但是依序包括將上述之感光性轉印構件中的感光性樹脂層的與臨時支撐體側相反的一側的表面與基板接觸來貼合感光性轉印構件與基板之步驟（以下，亦稱為“貼合步驟”。又，將該貼合亦稱為“轉印”或“層壓”。）、對上述感光性樹脂層進行圖案曝光之步驟（以下，亦稱為“曝光步驟”。）及對經曝光之上述感光性樹脂層進行顯影來形成圖案之步驟（以下，亦稱為“顯影步驟”）為較佳。
本發明的電路配線之製造方法只要為包括使用上述之感光性轉印構件之方法之形態則並無特別限制，但是依序包括使上述之感光性轉印構件中的感光性樹脂層的與臨時支撐體側相反的一側的表面與具有導電層之基板中的導電層接觸來貼合感光性轉印構件與具有導電層之基板之步驟（貼合步驟）、對經貼合之上述感光性轉印構件中的上述感光性樹脂層進行圖案曝光之步驟（曝光步驟）、對經圖案曝光之上述感光性樹脂層進行顯影而形成樹脂圖案之步驟（顯影步驟）及對未配置上述樹脂圖案之區域中的上述導電層進行蝕刻處理之步驟（以下，有時亦稱為“蝕刻步驟”。）為較佳。
又，本發明的電路配線之製造方法係以上述貼合步驟、上述曝光步驟、上述顯影步驟及上述蝕刻步驟這4步驟設為1組反覆複數次進行之態樣亦為較佳。
另外，上述感光性樹脂層係以不照射光化射線之部分作為圖像而殘留之正型感光性樹脂層。在上述感光性樹脂層中，藉由照射光化射線，例如使用照射光化射線而產生酸之感光劑等來提高曝光部的溶解性，因此在圖案曝光時刻曝光部及未曝光部均未硬化，所獲得之圖案形狀不良之情況下，能夠藉由全面曝光等來再利用（再加工）基板。 作為本發明的電路配線之製造方法的實施形態，能夠參閱國際公開第2006/190405號，該內容被編入到本說明書中。
［貼合步驟］ 本發明的樹脂圖案之製造方法及本發明的電路配線之製造方法包括使上述之感光性轉印構件中的感光性樹脂層的與臨時支撐體側相反的一側的表面與具有基板或導電層之基板的導電層接觸來貼合感光性轉印構件與具有基板或導電層之基板之步驟（貼合步驟）為較佳。 在上述貼合步驟中，以感光性轉印構件及具有基板或導電層之基板接觸之方式壓接為較佳。若在上述態樣，則能夠將曝光及顯影之後的進行圖案形成之感光性樹脂層作為對導電層進行蝕刻時的蝕刻抗蝕劑而較佳地使用。 作為壓接上述基板或具有導電層之基板及上述感光性轉印構件之方法，並無特別限制，能夠適用公知的轉印方法及層壓方法。 上述貼合藉由基於輥等之加壓及加熱來進行為較佳。貼合時能夠使用層壓機、真空層壓機及自動切割層壓機等公知的層壓機。 尤其，在本發明的電路配線之製造方法中，藉由卷對卷方式進行為較佳，因此，作為基板，樹脂薄膜為較佳。 以下，對卷對卷方式進行說明。 卷對卷方式係指如下方式：作為基板使用能夠進行捲繞及展開之基板，包括本發明的電路配線之製造方法中所包含之任意步驟之前展開基板或包含基板之結構體之步驟（亦稱為“展開步驟”。）及在任一步驟之後捲繞基板或包含基板之結構體之步驟（亦稱為“捲繞步驟”。），一邊輸送基板或包含基板之結構體，一邊進行至少任一步驟（較佳為所有步驟或除了加熱步驟以外的所有步驟）。 作為展開步驟中的展開方法及捲繞步驟中的捲繞方法並無特別限制，應用卷對卷方式之製造方法中使用公知的方法即可。
作為貼合感光性轉印構件之上述基板（以下，亦稱為“基板A”。）及具有貼合感光性轉印構件之導電層之基板（以下，亦稱為“基板B”。）中所包含之基板，玻璃基板、矽基板及樹脂薄膜為較佳。 基板A及基板B係透明為較佳。 基板A及基板B的折射率係1.50～1.52為較佳。 基板A及基板B可以由玻璃基板等透光性基板構成，亦能夠使用例如以Corning Incorporated的GORILLA玻璃為代表之強化玻璃等。又，作為基板A及基板B中所包含之材料，日本特開2010-086684號公報、日本特開2010-152809號公報及日本特開2010-257492號公報中所使用之材料亦為較佳。 在作為基板A及基板B使用樹脂薄膜基材之情況下，光失真小和/或透明度高的樹脂薄膜為更佳。作為具體的原材料，可舉出聚對酞酸乙二酯（PET）、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、三乙醯纖維素及環烯烴聚合物等。
作為基板B，從以卷對卷方式製造之觀點考慮，樹脂薄膜為較佳。
作為導電層，可舉出通常的電路配線或觸控面板配線中所使用之任意導電層。 作為導電層，從導電性及細線形成性的觀點考慮，選自包括金屬層、導電性金屬氧化物層、石墨烯層、奈米碳管層及導電聚合物層之群組中之1種以上的層為較佳，金屬層為更佳，銅層或銀層為進一步較佳。 又，配置於基板B上之導電層可以為1層，亦可以為2層以上。在導電層配置2層以上之情況下，彼此不同之材質的導電層為較佳。 作為導電層的材料，可舉出金屬單體及導電性金屬氧化物等。 作為金屬單體，可舉出Al、Zn、Cu、Fe、Ni、Cr、Mo、Ag及Au等。 作為導電性金屬氧化物，可舉出ITO（Indium Tin Oxide）、IZO（Indium Zinc Oxide）及SiO2 等。另外，“導電性”係指體積電阻率小於1×106 Ωcm，體積電阻率小於1×104 Ωcm為較佳。
在本發明的電路配線之製造方法中，在使用具有複數個導電層之基板之情況下，複數個導電層中的至少一個導電層含有導電性金屬氧化物為較佳。 作為導電層，相當於靜電電容型觸控面板中所使用之視覺辨認部的感測器之電極圖案或周邊取出部的配線為較佳。
［曝光步驟］ 本發明的樹脂圖案之製造方法及本發明的電路配線之製造方法包括在上述貼合步驟後對上述感光性樹脂層進行圖案曝光之步驟（曝光步驟）為較佳。
在曝光步驟中，圖案的詳細的配置及具體的尺寸並無特別限制。從能夠提高具備具有藉由本發明的電路配線之製造方法製造之電路配線之輸入裝置之顯示裝置（例如觸控面板）的顯示品質又能夠盡可能地減小引出配線所佔之面積之觀點考慮，圖案的至少一部分（尤其觸控面板的電極圖案及引出配線的部分）為100μm以下的細線為較佳，70μm以下的細線為更佳。
作為曝光中所使用之光源，只要為照射能夠曝光感光性樹脂層之波長區域的光（例如為365nm、405nm等），則能夠適當選定。具體而言，可舉出超高壓水銀燈、高壓水銀燈、金屬鹵化物燈及LED（Light Emitting Diode）等。
作為曝光量，5～200mJ/cm2 為較佳，10～100mJ/cm2 為更佳。
曝光步驟中，可以在從感光性樹脂層剝離臨時支撐體之後進行圖案曝光，亦可以在剝離臨時支撐體之前經由臨時支撐體進行圖案曝光之後剝離臨時支撐體。為了防止因感光性樹脂層與遮罩的接觸而引起之遮罩污染及避免因附著於遮罩之異物而引起之曝光的影響，不剝離臨時支撐體而進行圖案曝光為較佳。另外，圖案曝光可以為經由遮罩之曝光，亦可以為使用雷射等之直接曝光。
〔顯影步驟〕 本發明的樹脂圖案之製造方法及本發明的電路配線之製造方法包括上述曝光步驟後對經曝光之上述感光性樹脂層進行顯影而形成樹脂圖案之步驟（顯影步驟）為較佳。
上述顯影步驟中的經曝光之上述感光性樹脂層的顯影能夠使用顯影液來進行。 作為顯影液，只要能夠去除感光性樹脂層的非圖像部，則並無特別限制，例如能夠使用日本特開平5-072724號公報中所記載之顯影液等公知的顯影液。另外，顯影液係感光性樹脂層的曝光部（正型）進行溶解型顯影行為之顯影液為較佳。例如，以0.05～5mol/L（升）的濃度含有pKa=7～13的化合物之鹼水溶液系顯影液為較佳。顯影液還可以含有水溶性有機溶劑及界面活性劑等。作為顯影液，例如國際公開第2015/093271號的0194段中所記載之顯影液為較佳。
作為顯影方式並無特別限制，可以為旋覆浸沒顯影、噴淋顯影、旋轉顯影及浸漬顯影等中的任一種。其中，若對噴淋顯影進行說明，則以噴淋的方式對曝光後的感光性樹脂層噴射顯影液，藉此能夠去除曝光部分。又，顯影之後，藉由噴淋噴射清洗劑等，一邊用刷子等進行摩擦一邊去除顯影殘渣為較佳。作為顯影液的液溫度，20～40℃為較佳。
本發明的樹脂圖案之製造方法及本發明的電路配線之製造方法還可以包括對含有進行顯影而獲得之感光性樹脂層之圖案進行加熱處理之後烘烤步驟。 後烘烤在8.1～121.6kPa的環境下進行為較佳，在50.66kPa以上的環境下進行為更佳。另一方面，在111.46kPa以下的環境下進行為更佳，在101.3kPa以下的環境下進行為進一步較佳。 後烘烤的溫度係80～250℃為較佳，110～170℃為更佳，130～150℃為進一步較佳。 後烘烤的時間係1～30分鐘為較佳，2～10分鐘為更佳，2～4分鐘為進一步較佳。 後烘烤可以在空氣環境下進行，亦可以在氮取代環境下進行。
又，本發明的電路配線之製造方法中，在後述的蝕刻步驟之前亦可以包括後曝光步驟等其他步驟。
［蝕刻步驟］ 本發明的電路配線之製造方法包括對未配置上述樹脂圖案之區域中的導電層進行蝕刻處理之步驟（蝕刻步驟）為較佳。
在上述蝕刻步驟中，將藉由述顯影步驟由上述感光性樹脂層形成之圖案用作蝕刻抗蝕劑，進行上述導電層的蝕刻處理。 作為蝕刻處理的方法，能夠應用日本特開2010-152155號公報的0048～0054端等中所記載之基於濕式蝕刻之方法及基於公知的電漿蝕刻等乾式蝕刻之方法等。
例如，作為蝕刻處理的方法，可舉出通常進行之浸漬於蝕刻液之濕式蝕刻法。濕式蝕刻中所使用之蝕刻液依據蝕刻的對象適當選擇酸性類型或鹼性類型蝕刻液即可。 作為酸性類型蝕刻液，可例示鹽酸、硫酸、氟酸及磷酸等酸性成分單獨的水溶液以及酸性成分與三氯化鐵、氟化銨或高錳酸鉀等鹽的混合水溶液等。酸性成分可以使用組合複數個酸性成分之成分。 作為鹼性類型蝕刻液，可例示氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨、有機胺及氫氧化四甲基銨等的有機胺的鹽等鹼成分單獨的水溶液以及鹼成分與高錳酸鉀等鹽的混合水溶液等。鹼成分可以使用組合複數個鹼成分之成分。
蝕刻液的溫度並無特別限制，45℃以下為較佳。在本發明的電路配線之製造方法中，用作蝕刻遮罩（蝕刻圖案）之樹脂圖案相對於45℃以下的溫度區域內的酸性及鹼性蝕刻液發揮尤其優異之耐性為較佳。然而，蝕刻步驟中為了防止剝離感光性樹脂層，選擇性地蝕刻不存在感光性樹脂層之部分。 在蝕刻步驟之後，為了防止生產線的污染，依據需要可以進行對經蝕刻處理之基板進行清洗之清洗步驟及對經清洗之基板進行乾燥之乾燥步驟。
［去除步驟］ 本發明的電路配線之製造方法包括去除樹脂圖案之步驟（去除步驟）為較佳。 去除步驟並無特別限制，能夠依據需要進行，但是在蝕刻步驟之後進行為較佳。 作為去除所殘留之樹脂圖案之方法並無特別限制，但是可舉出藉由藥品處理來去除之方法，使用去除液之方法為較佳。 作為樹脂圖案的去除方法，可舉出將具有樹脂圖案之基板在30～80℃（較佳為50～80℃）下攪拌中的去除液中浸漬1～30分鐘之方法。
作為去除液，例如可舉出將無機鹼成分或有機鹼成分溶解於水、二甲基亞碸、N-甲基吡咯啶酮或該等混合溶液之去除液。另外，作為無機鹼成分，可舉出氫氧化鈉及氫氧化鉀等。作為有機鹼成分，可舉出一級胺化合物、二級胺化合物、三級胺化合物及四級銨鹽化合物等。 又，亦可以使用去除液並且藉由噴霧法、噴淋法及旋覆浸沒法等來去除。
〔樹脂圖案的全面曝光步驟〕 在上述去除步驟之前，包括對上述樹脂圖案進行全面曝光之步驟（以下，亦稱為“全面曝光步驟”。）為較佳。進而依據需要亦可以包括對經全面曝光之上述樹脂圖案進行加熱之步驟（以下，亦稱為“加熱步驟”。）。全面曝光步驟及加熱步驟在蝕刻步驟之後並且在去除步驟前進行為較佳。 在蝕刻步驟之後，對用作蝕刻遮罩之上述樹脂圖案進行全面曝光，藉此與去除液的溶解性及去除液的浸透性提高，長時間使用去除液之情況下，去除性亦優異。又，進而包括加熱步驟之情況下，藉由加熱步驟，能夠更提高光酸產生劑的反應速度及所產生之酸與正型感光性樹脂的反應速度，其結果提高去除性能。
作為全面曝光步驟中的曝光中所使用之光源並無特別限制，能夠使用公知的曝光光源。從去除性的觀點考慮，使用包含與上述曝光步驟相同的波長的光之光源為較佳。
作為全面曝光步驟中的曝光量，從去除性的觀點考慮，5～1,000mJ/cm2 為較佳，10～800mJ/cm2 為更佳，100～500mJ/cm2 為進一步較佳。
作為全面曝光步驟中的曝光量，從去除性的觀點考慮，上述曝光步驟中的曝光量以上為較佳，多於上述曝光步驟中的曝光量為更佳。
〔其他步驟〕 本發明的電路配線之製造方法可以包括除了上述之以外的任意步驟（其他步驟）。例如可舉出如以下的步驟，但是並不限制於該等步驟。 又，作為本發明的電路配線之製造方法能夠包括之曝光步驟、顯影步驟及其他步驟的例，亦能夠較佳地使用日本特開2006-023696號公報的0035～0051段中所記載之方法。
＜覆蓋膜剝離步驟＞ 在感光性轉印構件具有覆蓋膜之情況下，本發明的樹脂圖案之製造方法及本發明的電路配線之製造方法包括剝離上述感光性轉印構件的覆蓋膜之步驟（以下，亦稱為“覆蓋膜剝離步驟”。）為較佳。剝離覆蓋膜之方法並無特別限制，能夠適用公知的方法。
＜降低可見光線反射率之步驟＞ 本發明的電路配線之製造方法可以包括進行降低基板上的複數個導電層的一部分或所有可見光線反射率之處理之步驟。 作為降低可見光線反射率之處理，可舉出氧化處理。例如，對銅進行氧化處理來製得氧化銅，藉此能夠藉由黑化來降低導電層的可見光線反射率。 關於降低可見光線反射率之處理的較佳的態樣，在日本特開2014-150118號公報的0017段～0025段以及日本特開2013-206315號公報的0041段、0042段、0048段及0058段中有記載，該公報的內容被編入到本說明書中。
＜形成絕緣膜之步驟、在絕緣膜上形成新的導電層之步驟＞ 本發明的電路配線之製造方法包括在所形成之電路配線上形成絕緣膜之步驟及在絕緣膜上形成新的導電層之步驟亦為較佳。 對該新的導電層，再次實施上述貼合步驟、上述曝光步驟、上述顯影步驟及上述蝕刻步驟這4步驟，藉此進而能夠形成第二導電圖案。亦即，藉由該等構成，能夠在基板上與第一導電圖案彼此絕緣的同時形成第二導電圖案。 關於形成絕緣膜之步驟的順序並無特別限制，可舉出形成公知的永久膜之方法。又，使用具有絕緣性之感光性材料，藉由光微影亦可以形成所期望的圖案的絕緣膜。 關於在絕緣膜上形成新的導電層之步驟的順序並無特別限制。使用具有導電性之感光性材料，藉由光微影亦可以形成所期望的圖案的新的導電層。
本發明的電路配線之製造方法使用在兩個表面分別具有複數個導電層之基板對形成於兩個表面之導電層逐次或同時進行電路形成亦為較佳。藉由該等構成，能夠形成在基板中的其中一個的表面形成第一導電圖案並且在另一表面形成第二導電圖案之觸控面板用電路配線。又，以卷對卷從基材的兩面形成該等結構的觸控面板用電路配線亦為較佳。
藉由本發明的電路配線之製造方法製造之電路配線能夠使用於各種裝置。作為具備藉由本發明的電路配線之製造方法製造之電路配線之裝置，例如可舉出輸入裝置等，觸控面板為較佳，靜電電容型觸控面板為更佳。又，上述輸入裝置亦能夠適用於有機EL顯示裝置及液晶顯示裝置等顯示裝置。
[觸控面板之製造方法] 本發明的觸控面板之製造方法只要為包括使用上述之感光性轉印構件之方法之態樣則並無特別限制，但是依序包括使上述之感光性轉印構件中的感光性樹脂層的與臨時支撐體側相反的一側的表面與具有導電層之基板中的導電層接觸來貼合感光性轉印構件與具有導電層之基板之步驟（貼合步驟）、對上述感光性樹脂層進行圖案曝光之步驟（曝光步驟）、對經曝光之上述感光性樹脂層進行顯影而形成樹脂圖案之步驟（顯影步驟）及對未配置上述樹脂圖案之區域中的上述導電層進行蝕刻處理之步驟（蝕刻步驟）為較佳。
關於本發明的觸控面板之製造方法中的各步驟的具體的態樣及進行各步驟之順序等的實施態樣，如上述“電路配線之製造方法”的項中說明，較佳之態樣亦相同。 作為本發明的觸控面板之製造方法，除了上述之態樣以外的結構，能夠參閱公知的觸控面板之製造方法。 又，本發明的觸控面板之製造方法可以包括除了上述之步驟以外的任意步驟（其他步驟）。
圖2及圖3中示出本發明的觸控面板之製造方法中所使用之遮罩的圖案的一例。 圖2所示之圖案A及圖3所示之圖案B中，SL及G係非圖像部（遮光部），DL係虛擬地示出對準的框。本發明的觸控面板之製造方法中，例如隔著具有圖2所示之圖案A之遮罩對感光性樹脂層進行曝光，藉此能夠製造形成有具有與SL及G對應之圖案A之電路配線之觸控面板。具體而言，能夠藉由國際公開第2016/190405號的圖1中所記載之方法製作。經製造之觸控面板的一例中，G係形成透明電極（觸控面板用電極）之部分，SL係形成周邊引出部的配線之部分。
藉由本發明的觸控面板之製造方法製造之觸控面板具有透明基板、電極、絕緣層或保護層為較佳。 作為上述觸控面板中的檢測方法，可以為電阻膜方式、靜電電容方式、超聲波方式、電磁感應方式及光學方式等公知的方式中的任一種。其中，靜電電容方式為較佳。 作為觸控面板型，可舉出所謂之內嵌型（例如日本特表2012-517051號公報的圖5、圖6、圖7、圖8中所記載者）、所謂之外嵌型（例如日本特開2013-168125號公報的圖19中所記載者、日本特開2012-089102號公報的圖1及圖5中所記載者）、OGS（One Glass Solution）型、TOL（Touch-on-Lens）型（例如日本特開2013-054727號公報的圖2中所記載者）、其他結構（例如日本特開2013-164871號公報的圖6中所記載者）以及各種外掛型（所謂之GG、G1·G2、GFF、GF2、GF1、G1F等）。 [實施例]
以下，基於實施例對本發明進行進一步詳細的說明。以下的實施例所示之材料、使用量、比例、處理內容及處理順序等只要不脫離本發明的主旨便能夠適當地變更。從而，本發明的範圍不應被以下所示之實施例限定地解釋。
[實施例1～19及比較例1～5的感光性轉印構件的製作及評價] ［感光性樹脂組成物的各種成分］ ＜聚合物＞ 表2所示之聚合物（聚合物A-1～A-19）使用了按照後述之聚合物A-1的合成方法（合成例3）合成者。
表1中示出構成聚合物A-1～A-19之單體的種類。另外，在表1中的各聚合物A-1～A-19中，各單體的含量係指質量%。 又，表1中，“醚值（μmol/g）”表示聚合物中的具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B的含量（μmol/g）。 又，表1中，“胺值（μmol/g）”表示聚合物中的具有鹼性基之構成單元C的含量（μmol/g）。 又，表1中，“酸值（μmol/g）”表示聚合物中的具有酸基之構成單元D的含量（μmol/g）。
[表1]
聚合物 構成單元A （具有被酸分解性基團保護之酸基之構成單元） 構成單元D（具有酸基之構成單元） 構成單元B （具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元） 構成單元C （具有鹼性基之構成單元） 其他構成單元 醚值 （μmol/g） 胺值 （μmol/g） 酸值 （μmol/g） 重量平均分子量 備註1
ATHF MAEVE MATHP MATHF AA GMA QXE-30 M-100 PMPMA DMAEA CHA MMA EA
A-1 27         1     1   60   11 70.3 41.8 0.0 27000 聚合物成分Y
A-2       30       0.2 2     39.5 28.3 10.2 83.6 0.0 22000 聚合物成分Y
A-3 40             0.2 0.1     28 31.7 10.2 4.2 0.0 19000 聚合物成分Y
A-4   29         10     1.2 5 35 19.8 542.9 83.8 0.0 23000 聚合物成分Y
A-5     40       10   0.1     28 21.9 542.9 4.2 0.0 30000 聚合物成分Y
A-6 29             0.2   1.8 5 35 29 10.2 125.7 0.0 26000 聚合物成分Y
A-7       40       0.2 0.05   20 28 11.75 10.2 2.1 0.0 23000 聚合物成分Y
A-8 30           10   0.05   5 35 19.95 542.9 2.1 0.0 25000 聚合物成分Y
A-9       40     10   3   20 5 22 542.9 125.3 0.0 25000 聚合物成分Y
A-10 40         0.1     2     28 29.9 7.0 83.6 0.0 28000 聚合物成分Y
A-11   25       0.1       0.06 29 28 17.84 7.0 4.2 0.0 31000 聚合物成分Y
A-12   35         15   0.1   5 28 16.9 814.3 4.2 0.0 19000 聚合物成分Y
A-13 40           15   2   28   15 814.3 83.6 0.0 19000 聚合物成分Y
A-14 27         0.6     0.7     30 41.7 42.2 29.2 0.0 24000 聚合物成分Y
A-15 27           5   0.8   30   37.2 271.4 33.4 0.0 22000 聚合物成分Y
A-16 27             0.3   0.5   30 42.2 15.3 34.9 0.0 26000 聚合物成分Y
A-17   27           0.3     20 30 22.7 15.3 0.0 0.0 19000 聚合物成分X
A-18 27         0.3         20 20 32.7 21.1 0.0 0.0 24000 聚合物成分X
A-19     27   1 0.6     1   10 30 30.4 42.2 41.8 138.8 28000 聚合物成分Y
表1中所示之各縮寫如以下。 ATHF：2-四氫呋喃丙烯酸酯（使用了藉由後述之合成方法（合成例1）合成者。） MAEVE：1-乙氧基甲基丙烯酸乙酯（Wako Pure Chemical Industries, Ltd.製） MATHP：四氫-2H-哌喃-2-基甲基丙烯酸酯（Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製） MATHF：2-四氫呋喃甲基丙烯酸酯（使用了藉由後述之合成方法（合成例2）合成者。） AA：丙烯酸（FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製） GMA：甲基丙烯酸環氧丙酯FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製） OXE-30：（3-乙基氧環丁烷-3-基）甲基丙烯酸甲酯（OSAKA ORGANIC CHEMICAL INDUSTRY LTD.製） M-100：CYCLOMER M-100（Daicel Corporation Co.,Ltd.製） PMPMA：甲基丙烯酸1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶（FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製） DMAEA：丙烯酸2-（二甲基胺基）乙酯（FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製） CHA：丙烯酸環己酯（FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製） MMA：甲基丙烯酸甲酯（FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製） EA：丙烯酸乙酯（FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製）
《合成例1：ATHF的合成方法》 向三口燒瓶添加丙烯酸（72.1g、1.0mol）、己烷（72.1g）並冷卻到20℃。滴加樟腦磺酸（7.0mg、0.03mmol）、2-二羥基呋喃（77.9g、1.0mol）之後，在20℃±2℃下攪拌1.5小時之後，升溫到35℃並攪拌了2小時。在吸濾器上依序鋪展KYOWARD200（過濾材料、氫氧化鋁粉末、Kyowa Chemical Industry Co.,Ltd.製）、KYOWARD1000（過濾材料、水滑石系粉末、Kyowa Chemical Industry Co.,Ltd.製）之後，過濾反應液，藉此獲得了過濾液。向所獲得之過濾液加入氫醌單甲醚（MEHQ、1.2mg）之後，在40℃下進行減壓濃縮，藉此獲得了140.8g作為無色油狀物的2-四氫呋喃丙烯酸酯（ATHF）（產率99.0%）。
《合成例2：MATHF的合成方法》 將丙烯酸（72.1g、1.0mol）變更為甲基丙烯酸（86.1g、1.0mol），除此以外，藉由與上述之合成例1相同的方法合成了2-四氫呋喃甲基丙烯酸酯（MATHF）。
《合成例3：聚合物A-1的合成例》 向三口燒瓶加入PGMEA（75.0g），在氮氣環境下升溫到90℃。將加入了ATHF（27.0g）、GMA（1.0g）、PMPMA（1.0g）、CHA（60.0g）、EA（11.0g）、V-601（4.0g）及PGMEA（75.0g）之溶液經2小時滴加到維持成90℃±2℃之三口燒瓶溶液中。結束滴加之後，在90℃±2℃下攪拌2小時，藉此獲得了聚合物A-1（固體成分濃度40.0質量%）。藉由GPC法，作為聚苯乙烯換算值，聚合物A-1的重量平均分子量係27,000。
另外，合成例3中所記載之各縮寫如以下。 PGMEA：丙二醇單甲醚乙酸酯（SHOWA DENKO K.K.製） V-601：二甲基2,2’-偶氮雙（2-丙酸甲酯）（FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製）
關於聚合物A-2～A-19，亦變更為表1所示之單體種類，除此以外，藉由與聚合物A-1相同的方法進行了合成。另外，在聚合物A-2～A-19的合成中，聚合物的固體成分濃度設為40質量%。另外，藉由GPC法，作為聚苯乙烯換算值，聚合物A-2～A-19的重量平均分子量係19,000～31,000的範圍。表1中示出聚合物A-2～A-19的各重量平均分子量。
＜光酸產生劑＞ 以下示出表2所示之光酸產生劑（B-1～B-4）。 B-1：按照下述結構的光酸產生劑（日本特開2013-047765號公報的0227段中所記載之方法進行了合成）。
[化學式6]
Figure 02_image011
B-2：PAG103（產品名、BASF公司製：下述結構的光酸產生劑）
[化學式7]
Figure 02_image013
B-3：按照下述結構的光酸產生劑（日本特開2014-197155號公報的0210段中所記載之方法進行了合成）
[化學式8]
Figure 02_image015
B-4：GSID-26-1（產品名、BASF公司製：下述結構的光酸產生劑） [化學式9]
Figure 02_image017
＜鹼性化合物＞ 以下示出表2所示之鹼性化合物（D-1、D-2）。 D-1：下述結構的鹼性化合物
[化學式10]
Figure 02_image019
D-2：三辛胺（Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.製）
＜界面活性劑＞ 以下示出表2所示之界面活性劑（C-1）。
[化學式11]
Figure 02_image021
＜具有酸基之低分子化合物＞ 表2所示之具有酸基之低分子化合物如以下。 苯甲酸（Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.製）
＜其他低分子化合物＞ 表2所示之苯磺醯胺如以下。 苯磺醯胺（Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.製）
［感光性樹脂組成物的製備］ 以成為表2所示之固體成分比（另外，表2中的各成分的數值的單位係質量份。）的方式，將聚合物、光酸產生劑、鹼性化合物、界面活性劑、苯磺醯胺及苯甲酸溶解混合於PGMEA，以使成為固體成分濃度10質量%，藉由孔徑0.2μm的聚四氟乙烯製過濾器進行過濾，從而製備了實施例及比較例的感光性樹脂組成物。
〔感光性轉印構件的製作〕 使用狹縫狀噴嘴，將所獲得之感光性樹脂組成物塗佈於成為臨時支撐體之厚度30μm的聚對酞酸乙二酯（PET）薄膜上，以使乾燥膜厚成為3.0μm、塗佈寬度成為1.0m。之後，經40秒鐘通過80℃的乾燥區域，最後作為覆蓋膜壓接聚乙烯薄膜（Tredegar Corporation製、OSM-N），從而製作了感光性轉印構件。 另外，上述PET薄膜的總光霧度係0.19%。關於薄膜霧度，使用Suga Test Instruments Co.,Ltd.製霧度計HZ-2並且依據JIS-K-7136測量了基底小片的總光霧度值（%）。
〔性能評價〕 ＜具有導電層之基板＞ 作為具有導電層之基板，使用了藉由濺射法將厚度500nm的銅層積層於厚度188μm的聚對酞酸乙二酯（PET）薄膜上進行了製作之附銅層之PET基板。
＜靈敏度評價＞ 展開經製作之感光性轉印構件之後，在積層輥溫度120℃、線壓1.0MPa、線速度0.5m/min.的層壓條件下積層於上述之附銅層之PET基板。此時，剝離覆蓋膜，實施了層壓，以使感光性轉印構件中的感光性樹脂層與銅層接觸。未剝離臨時支撐體而經由線寬10μm的線與空間圖案遮罩（Duty比 1:1）藉由超高壓水銀燈進行曝光之後，延遲2小時之後剝離臨時支撐體來進行了顯影。關於顯影，使用25℃的1.0%碳酸鈉水溶液，藉由噴淋顯影進行了30秒鐘。 用上述方法形成10μm的線與空間圖案時，藉由掃描型電子顯微鏡（SEM）觀察空間部的殘渣，求出了完全沒有殘渣之曝光量。依據下述評價基準對所獲得之曝光量進行了評價。另外，實用上評價為“3”以上（亦即，曝光量小於200mJ/cm2 ）為較佳。 “5”：小於80mJ/cm2 “4”：80mJ/cm2 以上且小於150mJ/cm2 “3”：150mJ/cm2 以上且小於200mJ/cm2 “2”：200mJ/cm2 以上且小於300mJ/cm2 “1”：300mJ/cm2 以上
＜延遲時間依賴性的評價＞ 展開經製作之感光性轉印構件之後，在積層輥溫度120℃、線壓1.0MPa、線速度0.5m/min.的層壓條件下積層於上述之附銅層之PET基板。此時，剝離覆蓋膜，實施了層壓，以使感光性轉印構件中的感光性樹脂層與銅層接觸。未剝離臨時支撐體而經由線寬10μm的線與空間圖案遮罩（Duty比 1:1），在上述之靈敏度評價中藉由沒有殘渣之曝光量進行了曝光之後，延遲了24小時。延遲之後，剝離臨時支撐體並且進行了顯影。關於顯影，使用25℃的1.0%碳酸鈉水溶液，藉由噴淋顯影進行了30秒鐘。 藉由掃描型電子顯微鏡（SEM）觀察所獲得之線與空間圖案的線寬，依據下述評價基準評價了從10μm的線寬的變動。另外，實用上，評價為“3”以上（亦即，從10μm的線寬的變動小於1.5μm）為較佳。
“5”：小於0.5μm “4”：0.5μm以上且小於1.0μm “3”：1.0μm以上且小於1.5μm “2”：1.5μm以上且小於3μm “1”：3μm以上
＜配線的解析度評價＞ 在輥溫度120℃、線壓0.8MPa、線速度1.0m/min.的層壓條件下，將經製作之感光性轉印構件層壓於上述之附銅層之PET基板。此時，剝離覆蓋膜，實施了層壓，以使感光性轉印構件中的感光性樹脂層與銅層接觸。 未剝離臨時支撐體而經由線寬3～20μm的線與空間圖案遮罩（Duty比 1:1）藉由超高壓水銀燈進行曝光之後，延遲2小時之後剝離臨時支撐體來進行了顯影。關於顯影，使用25℃的1.0%碳酸鈉水溶液，藉由噴淋顯影進行了30秒鐘。 接著，使用25℃的銅蝕刻液（KANTO CHEMICAL CO.,INC.製Cu-02）並藉由浸漬法蝕刻了銅層60秒鐘。 上述蝕刻之後，使用50℃的剝離液（KANTO CHEMICAL CO.,INC.製KP-301）藉由噴淋剝離了殘留之感光性樹脂層。 藉由如上所述所獲得之線與空間圖案（圖案狀銅層），將最高解析度之圖案設為到達解析度。又，判斷到達解析度之後，在圖案的側壁部產生粗糙之情況下，視為無法分辨。藉由下述評價基準，評價了到達解析度。另外，實用上，評價為“3”以上為較佳。
“5”：小於4μm “4”：4μm以上且小於5μm “3”：5μm以上且小於6μm “2”：6μm以上且小於7μm “1”：7μm以上
以下示出表2。 又，表2中，“醚值（μmol/g）”一欄中，“聚合物中的含量”表示聚合物中的具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B的含量（μmol/g）。又，“感光性樹脂層中的含量”表示相對於感光性樹脂層的總質量之具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B的含量（μmol/g）。 又，表2中，“胺值（μmol/g）”一欄中，“聚合物中的含量”表示聚合物中的具有鹼性基之構成單元C的含量（μmol/g）。又，“感光性樹脂層中的含量”表示相對於感光性樹脂層的總質量之具有鹼性基之構成單元C的含量（μmol/g）與鹼性化合物的含量（μmol/g）的總含量。 又，表2中，“酸值（μmol/g）”一欄中，“聚合物中的含量”表示聚合物中的具有酸基之構成單元D的含量（μmol/g）。又，“感光性樹脂層中的含量”表示相對於感光性樹脂層的總質量之具有酸基之構成單元D的含量（μmol/g）與具有酸基之低分子化合物（苯甲酸）的含量（μmol/g）的總含量。 又，表2中，“聚合物欄”的“固體成分中的聚合物的比例（%）”係指相對於構成感光性樹脂層之總固體成分（固體成分係指形成感光性樹脂層之成分，不含有溶劑。又，只要為形成感光性樹脂層之成分，則其性狀可以為液體狀，亦視為固體成分。）之聚合物的總含量（質量%）。另外，表2中，“固體成分中的聚合物的比例（%）”與相對於感光性樹脂層的總質量之聚合物的含量（質量%）大致一致。
[表2]
  感光性樹脂層的組成 感光性樹脂層的特徵 評價
聚合物 光酸產生劑 鹼性化合物 界面活性劑 0.1質量份 苯磺醯胺 具有酸基之低分子化合物（苯甲酸） 醚值（μmol/g） 胺值（μmol/g） 酸值（μmol/g） 靈敏度 延遲時間依賴性（PED） 解析度
種類 添加量 （質量份） 固體成分中的聚合物的比例（%） 種類 添加量 （質量份） 種類 添加量 （質量份） 添加量 （質量份） 添加量 （質量份） 聚合物中的含量 感光性樹脂層中的含量 聚合物中的含量 感光性樹脂層中的含量 聚合物中的含量 感光性樹脂層中的含量
實施例1 A-1 100 95 B-1 5     C-1     70.3 66.9 41.8 39.8 0.0 0.0 5 5 5
實施例2 A-2 100 92 B-1 9     C-1     10.2 9.3 83.6 76.6 0.0 0.0 4 4 5
實施例3 A-3 100 96 B-2 4     C-1     10.2 9.8 4.2 4.0 0.0 0.0 5 4 4
實施例4 A-4 100 93 B-1 8     C-1     542.9 502.2 83.8 77.5 0.0 0.0 4 5 4
實施例5 A-5 100 95 B-1 5     C-1     542.9 516.5 4.2 4.0 0.0 0.0 5 5 3
實施例6 A-6 100 91 B-3 10     C-1     10.2 9.3 125.7 114.2 0.0 0.0 3 4 5
實施例7 A-7 100 97 B-1 3     C-1     10.2 9.9 2.1 2.0 0.0 0.0 5 4 4
實施例8 A-8 100 98 B-2 2     C-1     542.9 531.7 2.1 2.0 0.0 0.0 5 5 3
實施例9 A-9 100 91 B-3 10     C-1     542.9 493.1 125.3 113.8 0.0 0.0 3 5 4
實施例11 A-14 100 95 B-1 5     C-1     42.2 40.2 29.2 27.8 0.0 0.0 5 5 5
實施例12 A-15 100 95 B-1 5     C-1     271.4 258.3 33.4 31.8 0.0 0.0 5 5 5
實施例13 A-16 100 95 B-1 5     C-1     15.3 14.5 34.9 33.2 0.0 0.0 5 5 5
實施例14 A-17 100 95 B-1 4 D-1 1 C-1     15.3 14.5 0.0 35.1 0.0 0.0 5 5 5
實施例15 A-18 100 94 B-1 5 D-2 1 C-1     21.1 19.9 0.0 26.6 0.0 0.0 5 5 5
實施例16 A-19 100 95 B-2 5     C-1     42.2 40.2 41.8 39.8 138.8 132.0 5 4 5
實施例17 A-1 100 93 B-1 5     C-1   2 70.3 65.7 41.8 39.0 0.0 152.9 5 4 5
實施例18 A-1 100 78 B-1 5     C-1 23   70.3 54.9 41.8 32.6 0.0 0.0 5 5 3
比較例1 A-10 100 93 B-1 7     C-1     7.0 6.6 83.6 78.0 0.0 0.0 4 2 5
比較例2 A-11 100 95 B-1 5     C-1     7.0 6.7 4.2 4.0 0.0 0.0 5 2 4
比較例3 A-12 100 95 B-4 5     C-1     814.3 774.8 4.2 4.0 0.0 0.0 5 5 1
比較例4 A-13 100 93 B-1 7     C-1     814.3 760.3 83.6 78.0 0.0 0.0 4 5 2
可知實施例的感光性轉印構件對所形成之圖案的解析度及因曝光後延遲所導致之圖案線寬的變動的抑制（延遲時間依賴性（PED））中的任一個均優異。 從實施例1～18的結果能夠確認，感光性樹脂層中具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B的含量相對於感光性樹脂層的總質量係12.0μmol/g以上之情況下，因曝光後延遲所導致之圖案線寬的變動更少，480.0μmol/g以下之情況下，解析度更優異。 從實施例1～18的結果能夠確認，感光性樹脂層中具有鹼性基之構成單元C與後述之鹼性化合物的總含量相對於感光性樹脂層的總質量係10.0μmol/g以上之情況下，解析度更優異，60.0μmol/g以下之情況下，靈敏度更優異。 從實施例1～18的結果能夠確認，感光性樹脂層中具有酸基之構成單元D的含量相對於感光性樹脂層的總質量係100.0μmol/g以下之情況下，因曝光後延遲所導致之圖案線寬的變動更少。 從實施例1～18的結果能夠確認，感光性樹脂層中特定聚合物的含量相對於感光性樹脂層的總質量係80質量%以上之情況下，所形成之圖案的解析度更優異。
[實施例101（第2次：PET剝離曝光）] 在100微米厚度的PET基材上，作為第2層的導電層將ITO藉由濺射以150nm厚度進行成膜，在其上作為第1層的導電層將銅藉由真空蒸鍍法以200nm厚度進行成膜，藉此製得電路形成基板。 在銅層上積層了在實施例1中獲得之感光性轉印構件（積層輥溫度120℃、線壓0.8MPa、線速度1.0m/min.）。此時，剝離覆蓋膜，實施了層壓，以使感光性轉印構件中的感光性樹脂層與銅層接觸。未剝離臨時支撐體而使用設置有具有沿單向連結有導電層焊墊之結構之圖2所示之圖案A之光罩進行接觸圖案曝光。之後剝離臨時支撐體並進行顯影、水洗來獲得了圖案A。接著，使用銅蝕刻液（KANTO CHEMICAL CO.,INC.製Cu-02）對銅層進行了蝕刻後，使用ITO蝕刻液（KANTO CHEMICAL CO.,INC.製ITO-02）對ITO層進行了蝕刻，藉此獲得了由銅和ITO一同描繪出圖案A之基板。 接著，在對準之狀態下使用設置有圖3所示之圖案B的開口部之光罩進行圖案曝光，並進行了顯影、水洗。之後，使用Cu-02對銅層進行蝕刻，使用剝離液（KANTO CHEMICAL CO.,INC.製KP-301）剝離剩餘之感光性樹脂層，從而獲得了電路配線基板。 用顯微鏡觀察所得到之電路基板時，係無剝離或缺失等完美的圖案。
[實施例102（第2次：透過PET曝光）] 在100微米厚度的PET基材上，作為第2層的導電層將ITO藉由濺射以150nm厚度進行成膜，在其上作為第1層的導電層將銅藉由真空蒸鍍法以200nm厚度進行成膜，藉此製得電路形成基板。 在銅層上捲繞在實施例1中得到之感光性轉印材料（輥溫度120℃、線壓0.8MPa、線速度1.0m/min.）並且進行了積層。此時，剝離覆蓋膜，實施了層壓，以使感光性轉印構件中的感光性樹脂層與銅層接觸。未剝離臨時支撐體而使用設置有具有沿單向連結有導電層焊墊之結構之圖2所示之圖案A之光罩進行了圖案曝光。之後剝離臨時支撐體並進行顯影、水洗來獲得了圖案A。接著，使用銅蝕刻液（KANTO CHEMICAL CO.,INC.製Cu-02）對銅層進行了蝕刻後，使用ITO蝕刻液（KANTO CHEMICAL CO.,INC.製ITO-02）對ITO層進行了蝕刻，藉此獲得了由銅和ITO一同描繪出圖案A之基板。 接著，作為保護層在殘留之抗蝕劑上層壓了PET（A）（厚度30μm的PET薄膜且總光霧度係0.19%。關於薄膜霧度，使用Suga Test Instruments Co.,Ltd.製霧度計HZ-2並且以JIS-K-7136為基準測量了基底小片的總光霧度值（%）。）。在該狀態下，在對準之狀態下使用設置有圖3所示之圖案B的開口部之光罩進行圖案曝光，剝離PET（A）之後進行了顯影、水洗。之後，使用Cu-02對銅配線進行蝕刻，使用剝離液（KANTO CHEMICAL CO.,INC.製KP-301）剝離剩餘之感光性樹脂層，從而獲得了電路配線基板。 用顯微鏡觀察所得到之電路基板時，係無剝離或缺失等完美的圖案。
12:臨時支撐體 14:感光性樹脂層 16:覆蓋膜 100:感光性轉印構件 S,SL:實線部 G:灰色部 DL:點線部
圖1係表示實施形態之感光性轉印構件的層結構的一例之概要圖。 圖2係表示圖案A之概要圖。 圖3係表示圖案B之概要圖。
12:臨時支撐體
14:感光性樹脂層
16:覆蓋膜
100:感光性轉印構件

Claims (13)

  1. 一種感光性轉印構件，其係具有臨時支撐體及感光性樹脂層，前述感光性轉印構件中， 前述感光性樹脂層含有聚合物X及聚合物Y中的任一種以上及光酸產生劑， 前述聚合物X含有具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元A及具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B， 前述聚合物Y含有具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元A、具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B及具有鹼性基之構成單元C， 前述感光性樹脂層中的前述具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B的含量相對於前述感光性樹脂層的總質量係8.0μmol/g～700.0μmol/g， 其中，前述感光性樹脂層含有前述聚合物X之情況下，前述感光性樹脂層還含有鹼性化合物。
  2. 如請求項1所述之感光性轉印構件，其中 前述具有鹼性基之構成單元C與前述鹼性化合物的總含量相對於前述感光性樹脂層的總質量係3.0μmol/g～100.0μmol/g。
  3. 如請求項1或請求項2所述之感光性轉印構件，其中 在前述感光性樹脂層中，具有酸基之低分子化合物與含有具有酸基之構成單元之聚合物中所包含之前述具有酸基之構成單元的總含量相對於前述感光性樹脂層的總質量係100.0μmol/g以下。
  4. 如請求項1或請求項2所述之感光性轉印構件，其中 前述聚合物X及前述聚合物Y中的具有被酸分解性基保護之酸基之構成單元A係由下述式A3表示之構成單元，
    Figure 03_image022
    式中，R31 及R32 分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，其中，R31 及R32 中的至少一者表示烷基或芳基，R33 表示烷基或芳基，R34 表示氫原子或甲基，X0 表示單鍵或2價的連結基，另外，R31 或R32 與R33 可以彼此連接而形成除了3員環或4員環以外的環狀醚。
  5. 如請求項4所述之感光性轉印構件，其中 在由前述式A3表示之構成單元中，R31 或R32 與R33 彼此連接而形成5員環或6員環的環狀醚。
  6. 如請求項1或請求項2所述之感光性轉印構件，其中 前述聚合物X及前述聚合物Y中的具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B係具有由下述式B1～B3表示之部分結構中的任一個之構成單元，
    Figure 03_image023
    式B2中，Rb0 表示氫原子或烷基。
  7. 如請求項1或請求項2所述之感光性轉印構件，其中 前述聚合物X及前述聚合物Y中的具有3員環或4員環的醚骨架之構成單元B係選自包括由下述式B11～B13表示之構成單元之群組中，
    Figure 03_image025
    式中，Rb1 表示氫原子或甲基。
  8. 如請求項1或請求項2所述之感光性轉印構件，其中 上述聚合物X及上述聚合物Y的總含量相對於感光性樹脂層的總質量係80質量%以上。
  9. 如請求項1或請求項2所述之感光性轉印構件，其係含有前述聚合物Y。
  10. 如請求項1或請求項2所述之感光性轉印構件，其係含有前述聚合物X。
  11. 一種樹脂圖案之製造方法，其依序包括： 使請求項1至請求項10之任一項所述之感光性轉印構件中的前述感光性樹脂層的與前述臨時支撐體側相反的一側的表面與基板接觸，以貼合前述感光性轉印構件與前述基板之步驟； 對前述感光性樹脂層進行圖案曝光之步驟；及 對經曝光之前述感光性樹脂層進行顯影而形成樹脂圖案之步驟。
  12. 一種電路配線之製造方法，其依序包括： 使請求項1至請求項10之任一項所述之感光性轉印構件中的前述感光性樹脂層的與前述臨時支撐體側相反的一側的表面與具有導電層之基板中的前述導電層接觸，以貼合前述感光性轉印構件與前述具有導電層之基板之步驟； 對前述感光性樹脂層進行圖案曝光之步驟； 對經曝光之前述感光性樹脂層進行顯影而形成樹脂圖案之步驟；及 對未配置前述樹脂圖案之區域中的前述導電層進行蝕刻處理之步驟。
  13. 一種觸控面板之製造方法，其依序包括： 使請求項1至請求項10之任一項所述之感光性轉印構件中的前述感光性樹脂層的與前述臨時支撐體側相反的一側的表面與具有導電層之基板中的前述導電層接觸，以貼合前述感光性轉印構件與前述具有導電層之基板之步驟； 對前述感光性樹脂層進行圖案曝光之步驟； 對經曝光之前述感光性樹脂層進行顯影而形成樹脂圖案之步驟；及 對未配置前述樹脂圖案之區域中的前述導電層進行蝕刻處理之步驟。
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