TW202103188A - 電路基板之製造方法 - Google Patents

電路基板之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202103188A
TW202103188A TW109108708A TW109108708A TW202103188A TW 202103188 A TW202103188 A TW 202103188A TW 109108708 A TW109108708 A TW 109108708A TW 109108708 A TW109108708 A TW 109108708A TW 202103188 A TW202103188 A TW 202103188A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
magnetic
resin composition
circuit board
layer
epoxy resin
Prior art date
Application number
TW109108708A
Other languages
English (en)
Inventor
大山秀樹
田中孝幸
松村恵理
Original Assignee
日商味之素股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商味之素股份有限公司 filed Critical 日商味之素股份有限公司
Publication of TW202103188A publication Critical patent/TW202103188A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
    • H01F41/041—Printed circuit coils
    • H01F41/046—Printed circuit coils structurally combined with ferromagnetic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
    • H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
    • H01F1/20—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys in the form of particles, e.g. powder
    • H01F1/22—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys in the form of particles, e.g. powder pressed, sintered, or bound together
    • H01F1/24—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys in the form of particles, e.g. powder pressed, sintered, or bound together the particles being insulated
    • H01F1/26—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys in the form of particles, e.g. powder pressed, sintered, or bound together the particles being insulated by macromolecular organic substances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
    • H01F41/16—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates the magnetic material being applied in the form of particles, e.g. by serigraphy, to form thick magnetic films or precursors therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/165—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed inductors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
    • H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
    • H01F1/36—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites in the form of particles
    • H01F1/37—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites in the form of particles in a bonding agent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H01F27/292—Surface mounted devices
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/08—Magnetic details
    • H05K2201/083—Magnetic materials
    • H05K2201/086—Magnetic materials for inductive purposes, e.g. printed inductor with ferrite core
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/425—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern
    • H05K3/427—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern initial plating of through-holes in metal-clad substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

本發明之課題在於可以提供根據在含磁性粉體的磁性硬化物上根據濕式鍍層形成導體層之電路基板之製造方法，且為即使在不根據氧化劑進行磁性硬化物層表面的處理的情形，也可以抑制磁性異物的產生之製造方法。 解決手段之電路基板之製造方法，係依序包含：(1)使樹脂組成物熱硬化，得到磁性硬化物之步驟，(2)研磨磁性硬化物表面之至少一部分的步驟，及(3)於磁性硬化物之研磨的面上的至少一部分，藉由濕式鍍層形成導體層之步驟；樹脂組成物，包含(A)含鎳的磁性粉體，(B)環氧樹脂，及(C)硬化劑之電路基板之製造方法。

Description

電路基板之製造方法
本發明係關於使用含磁性粉體的樹脂組成物之電路基板之製造方法及該樹脂組成物。
會被稱為功率電感、高頻帶域用感應器、共模抗流線圈的感應器，多量地被載設於行動電話、智慧型手機等資訊終端。從前是獨立的感應器零件被實裝在電路基板上，近年來變成採用藉助電路基板的導體圖案形成線圈，將感應器設於電路基板內部的方法。
例如，在專利文獻1，揭示著在多層基板之複數層形成繞捲複數圈的渦卷狀導體圖案，使各層導體圖案之端在上層與下層之間層間連接，全體形成螺旋狀的線圈，而內設感應器之多層電路基板。此外，於專利文獻2，揭示著為了電路基板的薄型化，將感應器零件內設於電路基板之核心基板。
如此般要製造藉由被形成於絕緣層上的複數導體圖案形成感應器之感應器零件的情形，作為形成絕緣層之用的材料考慮使用含磁性粉體之樹脂組成物。使用含磁性粉體的絕緣層(磁性硬化物層)的話，可以提高電感值，此外可以防止磁力線漏到感應器外。例如，於專利文獻2，揭示著在構成附支撐體的樹脂薄板的樹脂組成物層之樹脂組成物含有磁性粉體，使形成的絕緣層為磁性體。
此外，例如於專利文獻3，揭示著將感應器零件用的電路基板之穿通孔，以含磁性粉體的樹脂組成物填充，形成磁性體芯，在電路基板之被形成配線層的線圈的中心，配置該磁性體芯，而達成小型且高電感的感應器零件。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-16504號公報 [專利文獻2]日本特開2012-186440號公報 [專利文獻3]日本特開2016-197624號公報
[發明所欲解決之課題]
這些感應器零件(電路基板)的製造，會在含磁性粉體的磁性硬化物層上形成導體層，希望藉由在成本上有利的濕式鍍層來形成導體層。
於不含磁性粉體的絕緣層上形成導體層時，通常，一般採用以氧化劑處理絕緣層的表面之後形成導體層之方法。然而，本案發明人在到目前為止的技術，發現在含有磁性粉體的磁性硬化物層上形成導體層的情形，以氧化劑處理磁性硬化物層的表面的話會有樹脂及磁性粉體的溶出，磁性硬化物層變脆，所以要使鍍層密接性良好會變得困難。
因此，本案發明人等，就不使用氧化劑在磁性硬化物層上形成導體層的製程，檢討研磨磁性硬化物層的表面形成導體層的方法。然而，研磨磁性硬化物層的表面後，往磁性硬化物層上根據濕式鍍層進行導體層的形成時，於進行濕式鍍層的製程，會產生應該是來自包含於磁性硬化物層中的磁性粉體之沉澱物或析出物等磁性異物，而有汙染浴液及基板等的新的課題產生。特別是進行無電解鍍層的情形，發現在磁性硬化物層表面賦予鈀等觸媒之後，在使該觸媒以還原劑活化的觸媒活化步驟，汙染變得顯著。
本發明係有鑑於前述情形而完成之發明，目的在於提供即使不根據氧化劑進行磁性硬化物層表面的處理的情形，也在含磁性粉體的磁性硬化物層上根據濕式鍍層形成導體層的電路基板的製造上，可以抑制磁性異物的產生之基板的製造方法。 [供解決課題之手段]
本案發明人等，為達成前述目的，經過銳意檢討的結果，發現藉由使樹脂組成物中含有的磁性粉體使用含鎳者，不根據氧化劑進行磁性硬化物層表面的處理，而作為替代採用進行研磨處理的情形，可以抑制濕式鍍層製程之磁性異物的產生，從而完成本發明。
亦即，本發明包含以下的內容。 [1]電路基板之製造方法，依序包含：(1)使樹脂組成物熱硬化，得到磁性硬化物之步驟，(2)研磨磁性硬化物表面之至少一部分的步驟，及(3)於磁性硬化物之研磨的面上的至少一部分，藉由濕式鍍層形成導體層之步驟；樹脂組成物，包含(A)含鎳的磁性粉體，(B)環氧樹脂，及(C)硬化劑之電路基板之製造方法。 [2]如前述[1]之電路基板之製造方法，其中(A)成分為鎳鐵合金系金屬粉。 [3]如前述[1]或[2]之電路基板之製造方法，其中(A)成分中的鎳含量為30質量%～90質量%。 [4]如前述[1]～[3]之任一之電路基板之製造方法，其中以樹脂組成物中不揮發成分為100質量%的情形，樹脂組成物中的(A)成分含量為70質量%～98質量%。 [5]如前述[1]～[4]之任一之電路基板之製造方法，其中在2N硫酸40℃下浸漬5分鐘的情形之(A)成分的重量保持率為90%以上。 [6]如前述[1]～[5]之任一之電路基板之製造方法，其中(B)成分包含在25℃下為液狀的環氧樹脂。 [7]如前述[1]～[6]之任一之電路基板之製造方法，其中(C)成分為由酸酐系硬化劑、胺系硬化劑及咪唑系硬化劑構成的群所選擇的硬化劑。 [8]如前述[1]～[7]之任一之電路基板之製造方法，其中在步驟(1)得到的磁性硬化物的表面之依照日本工業標準JIS K 5600-5-4測定的鉛筆硬度分級為F～5H。 [9]如前述[1]～[8]之任一之電路基板之製造方法，其中把在步驟(1)得到的磁性硬化物在30℃下浸漬於軟蝕刻液(Na2 S2 O8 100g/L,H2 SO4 (75%水溶液))中1分鐘的情形之蝕刻速率為25mg/cm2 以下。 [10]如前述[1]～[9]之任一之電路基板之製造方法，其中樹脂組成物為糊狀。 [11]樹脂組成物，含有(A)含鎳的磁性粉體、(B)環氧樹脂、及(C)硬化劑。 [發明之效果]
藉由把本發明之使樹脂組成物硬化而得的磁性硬化物使用於電路基板的製造，即使在不根據氧化劑進行磁性硬化物層表面的處理的情形，也可以抑制在濕式鍍層製程會在處理液中產生的磁性異物的產生量。
以下，參照圖式說明本發明之實施型態。又，各圖式只是在可以理解發明之程度上，概略地顯示構成要素的形狀、大小及配置。本發明，並不因以下的記述而受限定，各構成要素係可以適宜變更。於以下的說明所用的圖式，有對於相同構成要素賦予相同符號、省略重複的說明之情形。此外，相關於本發明的實施型態的構成，未必限於根據圖示例的配置，來製造或使用。
[電路基板] 電路基板，係指於單面或雙面形成導體層(電路)之基板。電路基板，可以用作供搭載半導體晶片等的電子零件用之線路板，也可以用作以相關的線路板作為內層基板來使用之(多層)印刷線路板。
以下，說明電路基板之製造方法。
[電路基板之製造方法] 本發明之電路基板之製造方法，依序包含：(1)使樹脂組成物熱硬化，得到磁性硬化物之步驟，(2)研磨磁性硬化物表面之至少一部分的步驟，及(3)於磁性硬化物之研磨的面上的至少一部分，藉由濕式鍍層形成導體層之步驟。此外，樹脂組成物，包含(A)含鎳的磁性粉體，(B)環氧樹脂，及(C)硬化劑。如此般，本發明之樹脂組成物中作為磁性粉體使用耐酸的(A)含鎳的磁性粉體，所以藉由將其磁性硬化物用於電路基板之製造，即使不利用氧化劑進行磁性硬化物層表面的處理，作為替代而進行研磨處理的情形，也可以抑制於濕式鍍層製程會在處理液中產生的磁性異物的產生量，因而可以防止浴液、基板等的汙染。特別是具備具有面包含(A)含鎳的磁性粉體之磁性硬化物、與被形成於前述面的導體層之電路基板，可以抑制磁性異物的產生量同時製造電路基板。此外，於一實施型態，本發明之樹脂組成物，係可以藉由含有(A)成分而容易得到適於研磨的硬度的磁性硬化物。從而，於該實施型態，本發明之樹脂組成物的磁性硬化物，研磨性優異，所以可以有效率地進行濕式鍍層製程之(2)研磨步驟的研磨。
-(1)步驟- (1)步驟，係使樹脂組成物熱硬化，得到磁性硬化物之步驟。磁性硬化物的形狀並不特別限定，可以因應使用態樣等而適當設定。進行(1)步驟中，也可以包含準備樹脂組成物之步驟。(1)步驟之樹脂組成物的硬化溫度，隨樹脂組成物的組成或種類之不同而異，但在120℃以上為佳，在130℃以上更佳，150℃以上又更佳，在240℃以下為佳，220℃以下更佳，200℃以下又更佳。樹脂組成物的硬化時間，在5分鐘以上為佳，在10分鐘以上更佳，15分鐘以上又更佳，在120分鐘以下為佳，100分鐘以下更佳，90分鐘以下又更佳。
在使樹脂組成物熱硬化之前，對樹脂組成物，實施以比硬化溫度還低的溫度進行加熱之預備加熱處理亦可。例如，先於使樹脂組成物熱硬化，通常在50℃以上未滿120℃(較佳為60℃以上110℃以下、更佳為70℃以上100℃以下)的溫度，把樹脂組成物，通常預備加熱5分鐘以上(較佳為5～150分鐘、更佳為15～120分鐘)亦可。
於(1)步驟得到的磁性硬化物的硬化度，為80%以上佳，85%以上更佳，90%以上又更佳。硬化度，係可以使用例如差異掃描量熱儀(differential scanning calorimete)來測定。
-(2)步驟- (2)步驟，係研磨磁性硬化物的表面之步驟。研磨之面，為磁性硬化物表面之至少一部分即可。作為研磨方法，例如可列舉拋光研磨、帶研磨等。市售的拋光研磨裝置，可列舉石井表記(股)公司製造的「NT-700IM」等。
磁性硬化物的研磨了的面之算數平均粗糙度(Ra)，由與導體層的鍍層密接性提升之觀點而言，為300nm以上佳，350nm以上更佳，為400nm以上又更佳。上限為1000nm以下佳，900nm以下更佳，800nm以下又更佳。表面粗糙度(Ra)，例如，可以使用非接觸型表面粗糙度計進行測定。
於(2)步驟後(3)步驟前，在進而提高磁性硬化物的硬化度等之目的下，依照需要而進行熱處理步驟亦可。熱處理步驟之溫度，依據前述的硬化溫度來進行即可，在120℃以上為佳，在130℃以上更佳，150℃以上又更佳，在240℃以下為佳，220℃以下更佳，200℃以下又更佳。熱處理時間，在5分鐘以上為佳，在10分鐘以上更佳，15分鐘以上又更佳，在90分鐘以下為佳，70分鐘以下更佳，60分鐘以下又更佳。
於(2)步驟，藉由研磨磁性硬化物的表面，對於該表面可以不進行利用氧化劑之處理而在磁性硬化物上形成導體層，因而防止磁性硬化物變脆，且可以達成良好的鍍層密接性。
此外，於這樣得到的磁性硬化物的研磨面，有(A)含鎳的磁性粉體一部分露出之情形，但由於(A)成分耐酸，所以可抑低磁性異物的產生量。
-(3)步驟- (3)步驟，係於磁性硬化物的研磨了的面上之至少一部分，藉由濕式鍍層而形成導體層之步驟。於磁性硬化物的研磨面可以存在(A)含鎳的磁性粉體，而(A)含鎳的磁性粉體，難以在鍍層所使用的液溶出，所以可抑制磁性異物的產生。作為導體層的材料，例如可以舉出金、鉑、鈀、銀、銅、鋁、鈷、鉻、鋅、鎳、鈦、鎢、鐵、錫、銦等單金屬，或者金、鉑、鈀、銀、銅、鋁、鈷、鉻、鋅、鎳、鈦、鎢、鐵、錫及銦之群所選擇的2種以上金屬的合金。其中，由泛用性、成本、圖案化的容易性等觀點來看，以鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅，或者鎳鉻合金、銅鎳合金、銅鈦合金為佳，又以鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅，或者鎳鉻合金為更佳，使用銅進而更佳。
在(3)步驟的最佳實施型態，進行無電解鍍層處理作為濕式鍍層處理、形成導體層為佳，進行無電解鍍層處理之後，再進行電解鍍層處理，形成導體層更佳。因而，(3)步驟藉由半主動法、全主動法等而於磁性硬化物的表面進行鍍層、形成導體層為佳。(3)步驟，由導體層製造的容易度之觀點而言，藉由半主動法來形成導體層為佳。
半主動法之詳細內容，首先，於磁性硬化物的表面，藉由無電解鍍層處理而形成鍍層種子層。接著，在形成的鍍層種子層上，對應於所要的配線圖案形成使鍍層種子層的一部分露出之遮罩圖案。於露出之鍍層種子層上，藉由電解鍍層處理形成導體層之後，除去遮罩圖案。其後，可以藉由蝕刻等除去不要的鍍層種子層，形成具有所要的配線圖案之導體層。
無電解鍍層處理，係使磁性硬化物浸漬於無電解鍍液而進行。無電解鍍層處理，例如，可列舉無電解鍍銅、無電解鍍鎳、無電解鍍鎳-鎢、無電解鍍錫、無電解鍍金等，以無電解鍍銅為佳。
無電解鍍層處理所使用的無電解鍍液，例如，可列舉含有銅、鎳、鎢、錫、金、鈀、PdCl2 等的金屬離子之液。此外，無電解鍍液，也可以包含還原劑等的其他添加劑。無電解鍍液，可以使用市售品。市售品，例如，可列舉C.Uyemura & Co., Ltd.製造的「THRU-CUP PEA」、或JAPAN KANIGEN Co., Ltd.製造的「S-KPD」等。
無電解鍍層處理的處理時間，由使觸媒活化之觀點而言，10分鐘以上為佳，在20分鐘以上更佳，30分鐘以上又更佳；在60分鐘以下為佳，50分鐘以下更佳，40分鐘以下又更佳。
無電解鍍層處理的處理溫度，由導體層形成的效率化之觀點而言，在10℃以上為佳，在20℃以上更佳，30℃以上又更佳；在60℃以下為佳，55℃以下更佳，50℃以下又更佳。
藉由無電解鍍層處理形成鍍層種子層之後，於鍍層種子層上層積乾膜(dry film)。其後，以對應於所要的線路圖案並使鍍層種子層的一部分露出之方式，使用光罩並在指定條件下進行曝光、顯像，形成遮罩圖案。曝光、顯像條件，係可以在已公知的條件下進行。
乾膜，可以使用由光阻劑組成物所構成的感光性乾膜。那樣的乾膜，例如，可列舉酚醛樹脂(novolak)、丙烯酸樹脂(壓克力樹脂)等。
遮罩圖案，係作為電解鍍銅處理之鍍層遮罩來使用。電解鍍層處理後，遮罩圖案將被除去。
電解鍍層處理，係使無電解鍍層處理後的磁性硬化物浸漬於鍍液而進行。此時，電流流到鍍浴來進行。電解鍍層處理，可列舉電解鍍銅、電解鍍鎳、電解鍍錫、電解鍍金等，以電解鍍銅為佳。
電解鍍層處理所使用的鍍浴，可列舉含硫酸銅、焦磷酸銅、氰化銅等之浴。
電解鍍層處理的處理時間，由使觸媒活化之觀點而言，30分鐘以上為佳，在40分鐘以上更佳，50分鐘以上又更佳；在90分鐘以下為佳，80分鐘以下更佳，70分鐘以下又更佳。
電解鍍層處理的處理溫度，由導體層形成的效率化之觀點而言，在10℃以上為佳，在15℃以上更佳，20℃以上又更佳；在50℃以下為佳，40℃以下更佳，30℃以下又更佳。
電解鍍層處理的電流密度，由導體層形成的效率化之觀點而言，為1.0A/dm2 以上佳，1.5A/dm2 以上更佳，2.0A/dm2 以上又更佳；為4.0A/dm2 以下佳，3.5A/dm2 以下更佳，3.0A/dm2 以下又更佳。
導體層形成後，在提升導體層的剝離強度(peeling strength)等之目的下，依照需要而進行退火處理亦可。退火處理，例如，可以藉由以150～200℃加熱基板20～90分鐘來進行。
導體層的厚度，由薄型化的觀點而言，為70μm以下佳，60μm以下更佳，50μm以下又更佳，為40μm以下進而又更佳，特佳者為30μm以下、20μm以下、15μm以下或10μm以下。下限為1μm以上佳，3μm以上更佳，5μm以上又更佳。
以下，根據電路基板之製造方法，說明具體例之第1實施型態及第2實施型態。當然，相關於本發明之電路基板之製造方法，並不受限定於以下例示的第1及第2實施型態。
＜第1實施形態＞ 第1實施型態之電路基板，係包含被形成穿通孔的基板、與填充前述穿通孔的磁性硬化物。從而，第1實施型態之電路基板之製造方法，係依序包含： (1A)於基板的穿通孔內填充樹脂組成物，使樹脂組成物熱硬化而得到磁性硬化物之步驟， (2A)研磨磁性硬化物表面之至少一部分的步驟， (3A)於磁性硬化物之研磨了的面上的至少一部分，藉由濕式鍍層形成導體層之步驟。
第1實施型態之電路基板之製造方法，較佳是再於(2A)步驟後(3A)步驟前依序進而包含： (2A-1)將磁性硬化物表面、以含界面活性劑的溶液加以處理之調節(conditioning)步驟，及 (2A-2)於磁性硬化物表面賦予觸媒之觸媒化步驟； 更佳是於(2A-2)步驟後(3A)步驟前，進而包含： (2A-3)使觸媒活化之觸媒活化步驟；於(2A)步驟結束後進行(2A-1)~(2A-3)步驟之情形，特別可抑制於(2A-2)步驟及(2A-3)步驟會發生的不溶物等的產生。
此外，於(2A-1)步驟後(2A-2)步驟前，亦可包含 (2A-1-1)由不需要界面活性劑的部位除去界面活性劑之微蝕刻步驟。
-(1A)步驟- (1A)步驟，係於基板的穿通孔內填充樹脂組成物，使樹脂組成物熱硬化而形成磁性硬化物之步驟。在(1A)步驟，最好是使用磁性糊來形成磁性硬化物。此外，進行(1A)步驟時，如圖1作為一例所示，亦可包含準備芯基板10之步驟，其具備支撐基板11、及設於該支撐基板11兩表面的由銅箔等的金屬所構成的第1金屬層12、以及第2金屬層13。支撐基板11的材料之例，可列舉玻璃環氧樹脂基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚苯硫醚基板等的絕緣性基材。
此外，如圖2作為一例所示，也可以包含於芯基板10形成穿通孔14之步驟。穿通孔14，例如，可以藉由鑽頭、雷射照射、電漿照射等而形成。具體而言，可以藉由使用鑽頭等而於芯基板10形成貫通穴，而形成穿通孔14。
穿通孔14的形成，可以使用市售的鑽頭裝置來實施。市售的鑽頭裝置，例如，可列舉Hitachi Via Mechanics, Ltd.製造的「ND-1S211」等。
於芯基板10形成穿通孔14之後，如圖3作為一例所示，也可以包含進行芯基板10的粗化處理，於穿通孔14內、第1金屬層12的表面上、及第2金屬層13的表面上形成鍍層20之步驟。
前述的粗化處理，亦可進行乾式或濕式之任一種粗化處理。乾式粗化處理之例，可列舉電漿處理等。此外，濕式粗化處理之例，可列舉依序進行利用膨潤液之膨潤處理、利用氧化劑之粗化處理、以及利用中和液之中和處理之方法。
鍍層20，係依照鍍層法而被形成，依照鍍層法形成鍍層20之順序，係與後述的(3A)步驟之導體層的形成相同。
在準備於穿通孔14內形成了鍍層20之芯基板10之後，如圖4作為一例所示，將樹脂組成物30a往穿通孔14填充。填充方法，例如，可列舉透過刮板而將樹脂組成物30a往穿通孔14填充之方法、透過卡匣填充樹脂組成物30a之方法、遮罩印刷而填充樹脂組成物30a之方法、輥塗布法、噴墨法等。樹脂組成物30a最好是磁性糊。
於穿通孔14內填充樹脂組成物30a後，使樹脂組成物30a熱硬化，如圖5作為一例所示，於穿通孔14內形成磁性硬化物30。(1A)步驟之樹脂組成物30a的熱硬化條件、及磁性硬化物30的硬化度，係與前述之(1)步驟所示相同。
-(2A)步驟- (2A)步驟，研磨磁性硬化物表面之至少一部分的步驟。在(2A)步驟，如圖6作為一例所示，藉由研磨由芯基板10突出或附著之多餘的磁性硬化物30而除去、平坦化。作為研磨方法，可以採用能把由芯基板10突出或附著之多餘的磁性硬化物30予以研磨之方法。那樣的研磨方法，係與前述的(2)步驟所示相同。
(2A)步驟後的磁性硬化物的研磨了的面之算數平均粗糙度(Ra)，由與導體層的鍍層密接性提升之觀點而言，為300nm以上佳，350nm以上更佳，為400nm以上又更佳。上限為1000nm以下佳，900nm以下更佳，800nm以下又更佳。表面粗糙度(Ra)，例如，可以使用非接觸型表面粗糙度計進行測定。
於(2A)步驟，藉由研磨磁性硬化物的表面，對於該表面可以不進行利用氧化劑之處理而在磁性硬化物上形成導體層，因而防止磁性硬化物變脆，且可以達成良好的鍍層密接性。
此外，於這樣得到的磁性硬化物的研磨面，有(A)含鎳的磁性粉體一部分露出之情形，但由於(A)成分耐酸，所以可抑低磁性異物的產生量。
於(2A)步驟後(3A)步驟前，於前述(2)步驟後(3)步驟前同樣地，在進而提高磁性硬化物的硬化度等之目的下，依照需要而進行熱處理步驟亦可。
-(2A-1)步驟- (2A-1)步驟，係將磁性硬化物表面、以含界面活性劑的溶液加以處理之調節步驟。在(2A-1)步驟，通常，藉由使含界面活性劑的溶液與磁性硬化物表面接觸，可以洗淨磁性硬化物表面，同時調整表面電荷以於(2A-2)步驟可容易吸附觸媒。
作為(2A-1)步驟所使用的含界面活性劑的溶液，係能使用含界面活性劑的溶液，可以洗淨磁性硬化物表面，同時可調整表面電荷以於(2A-2)步驟可容易吸附觸媒。作為這樣的溶液，可列舉含界面活性劑的鹼溶液、含界面活性劑的酸溶液等，由抑制不溶物等之觀點而言，則含界面活性劑的鹼溶液為佳。作為鹼溶液，可列舉氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液等。
含界面活性劑的鹼溶液的pH，超過7為佳，8以上更佳，10以上又更佳。上限並未特別限制，但在14以下佳、可以在13以下等。含界面活性劑的酸溶液的pH，在1以上為佳，2以上更佳，3以上又更佳。上限並未特別限制，但在未滿7為佳、可以在6以下等。
作為界面活性劑，例如可以舉出烷基胺鹽、烷基三甲基銨鹽、烷基二甲基苄基銨鹽等陽離子界面活性劑；油酸鈉等脂肪酸鹽、烷基硫酸酯鹽、烷基苯磺酸鹽、烷基磺基琥珀酸鹽、萘磺酸鹽、聚氧乙烯烷基硫酸鹽、鏈烷磺酸鈉、烷基二苯醚磺酸鈉鹽等陰離子性界面活性劑；聚氧乙烯壬基苯基醚、聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯苯乙烯基苯基醚、聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯山梨醇四油酸酯、聚氧乙烯-聚氧丙烯共聚物等非離子性界面活性劑等。
界面活性劑，可以使用市售品。作為市售品，例如可以舉出Atotech Japan公司製造之「Securigand (音譯) 902」、上村工業社製造之「PED-104」等。
(2A-1)步驟的處理時間，由容易吸附觸媒之觀點而言，1分鐘以上為佳，在2分鐘以上更佳，3分鐘以上又更佳；在20分鐘以下為佳，15分鐘以下更佳，10分鐘以下又更佳。
含界面活性劑的溶液的溫度，由容易吸附觸媒之觀點而言，在30℃以上為佳，在40℃以上更佳，50℃以上又更佳；在90℃以下為佳，80℃以下更佳，70℃以下又更佳。
(2A-1)步驟結束後，亦可因應需要而進行水洗處理。
-(2A-1-1)步驟- (2A-1-1)步驟，係由不需要界面活性劑的部位除去界面活性劑之微蝕刻步驟。在(2A-1-1)步驟，通常，藉由使微蝕刻液與磁性硬化物表面接觸，而由不需要界面活性劑的部位除去界面活性劑。不需要界面活性劑的部位，可列舉例如第1金屬層12及第2金屬層13等。
作為微蝕刻液，可列舉鹽酸、硫酸、過氧化氫水溶液、過硫酸鈉、過硫酸銨鹽及由這些的組合所構成的溶液等。
微蝕刻液的濃度，僅由不需要界面活性劑的部位除去之觀點而言，依當量濃度，通常為2N以下，1.5N以下為佳、在1N以下更佳；由容易除去界面活性劑之觀點而言，0.1N以上為佳，0.2N以上更佳，在0.5N以上又更佳。
微蝕刻液的溫度，由容易除去界面活性劑之觀點而言，在10℃以上為佳，在15℃以上更佳，20℃以上又更佳；在50℃以下為佳，40℃以下更佳，30℃以下又更佳。
(2A-1-1)步驟的處理時間，由容易除去界面活性劑之觀點而言，10秒以上為佳，在15秒以上更佳，30秒以上又更佳；在60秒以下為佳，50秒以下更佳，40秒以下又更佳。
(2A-1-1)步驟結束後，亦可因應需要而進行水洗處理。
-(2A-2)步驟- (2A-2)步驟，係於磁性硬化物表面賦予觸媒之觸媒化步驟。在(2A-2)步驟，藉由於磁性硬化物表面賦予觸媒，而可以提升磁性硬化物與導體層之間的密接性。通常，(2A-2)步驟，係將磁性硬化物浸漬於含有觸媒的溶液，使磁性硬化物表面吸附觸媒。
作為觸媒，例如，可列舉鈀鹽、鈀錯合物、錫･鈀的錯鹽、錫･鈀膠體等。
含有觸媒的溶液，通常，使用鹼性溶液。藉此，可以顯著地抑制不溶物等的產生。該鹼性溶液的pH，超過7為佳，8以上更佳，10以上又更佳。上限並未特別限制，但在14以下佳、可以在13以下等。
此外，含有觸媒的溶液的濃度，由使磁性硬化物全體吸附觸媒之觀點而言，依當量濃度，1mmol/L以上為佳，5mmol/L以上更佳，10mmol/L以上又更佳；在500mmol/L以下為佳，300mmol/L以下更佳，100mmol/L以下又更佳。
含有觸媒的溶液，可以使用市售品。作為市售品，例如可以舉出安美特(Atotech Japan)公司製造之「Actibeta neogand(音譯) 834」、日本Kanigen公司製造之「Brown SUMER」等。
(2A-2)步驟的處理時間，由使磁性硬化物全體吸附觸媒之觀點而言，1分鐘以上為佳，在2分鐘以上更佳，3分鐘以上又更佳；在20分鐘以下為佳，15分鐘以下更佳，10分鐘以下又更佳。
含有觸媒的溶液的溫度，由使磁性硬化物全體吸附觸媒之觀點而言，10℃以上為佳，20℃以上更佳，30℃以上又更佳；在60℃以下為佳，50℃以下更佳，40℃以下又更佳。
(2A-2)步驟結束後，亦可因應需要而進行水洗處理。
-(2A-3)步驟- (2A-3)步驟，係使觸媒活化之觸媒活化步驟。在(2A-3)步驟，藉由活化觸媒，而可以提升磁性硬化物與導體層之間的密接性。通常，(2A-3)步驟，係將被賦予觸媒的磁性硬化物浸漬於還原劑溶液、使觸媒的核生成，使磁性硬化物表面被賦予的觸媒活化。
從前一般的磁性粉體(不含鎳的金屬粉體等)，容易溶解於還原劑溶液。此外，溶解了的磁性粉體的成分一部分或全部，會藉由利用還原劑的還原而析出，容易產生異物。但是，本發明所使用的(A)成分，不易溶解於還原劑溶液，所以可抑制異物產生。
在(2A-3)步驟使用的還原劑，例如，可列舉次磷酸鹽、二甲基胺硼烷與有機酸的鉀鹽之混合液等。
還原劑溶液，通常，使用酸性溶液。這樣的酸性溶液，容易溶解一般的磁性粉體，而(A)含鎳的磁性粉體不易溶解，所以可顯著地抑制不溶物等產生。該酸性溶液的pH，在1以上為佳，2以上更佳，3以上又更佳。上限並未特別限制，但在未滿7為佳、可以在6以下等。
此外，還原劑溶液中的還原劑濃度，由使磁性硬化物表面被賦予的觸媒活化之觀點而言，依當量濃度，0.3N以上為佳，0.4N以上更佳，0.5N以上又更佳；在3N以下為佳，2N以下更佳，1N以下又更佳。
還原劑溶液，可以使用市售品。作為市售品，例如可以舉出安美特(Atotech Japan)公司製造之「Reducer Accelerator(音譯) 810mod.」、「Reducer neogand(音譯) WA」、日本Kanigen公司製造之「K-PVD」等。
(2A-3)步驟的處理時間，由活化觸媒之觀點而言，1分鐘以上為佳，在2分鐘以上更佳，3分鐘以上又更佳；在20分鐘以下為佳，15分鐘以下更佳，10分鐘以下又更佳。
還原劑溶液的溫度，由活化觸媒之觀點而言，10℃以上為佳，20℃以上更佳，30℃以上又更佳；在60℃以下為佳，50℃以下更佳，40℃以下又更佳。
(2A-3)步驟結束後，亦可因應需要而進行水洗處理。
-(3A)步驟- (3A)步驟，係於磁性硬化物的研磨了的面上之至少一部分，藉由濕式鍍層而形成導體層之步驟。在(3A)步驟，如圖7作為一例所示，於研磨了的磁性硬化物30上，藉由濕式鍍層而形成導體層40。再者，形成導體層40之後，如圖8作為一例所示，亦可藉由蝕刻等的處理而將導體層40、第1金屬層12、第2金屬層13、及鍍層20的一部分除去後形成圖案導體層41。(3A)步驟之導體層40及圖案導體層41之材料、形成方法等，係可以適用前述所示(3)步驟之導體層的材料、形成方法等。
＜第2實施形態＞ 第2實施型態之電路基板，係包含：含有配線的基板、與密封保護前述配線的磁性硬化物。例如，具備層狀的磁性硬化物之型態。第2實施型態之電路基板之製造方法，係依序包含： (1B)以樹脂組成物層與基板接合之方式，於基板上層積磁性薄板，使樹脂組成物層熱硬化而形成磁性硬化物之步驟， (2B)研磨磁性硬化物表面之至少一部分的步驟，以及 (3B)於磁性硬化物之研磨了的面上的至少一部分，藉由濕式鍍層形成導體層之步驟。
第2實施型態之電路基板之製造方法，較佳是再於(1B)步驟後(2B)步驟前， 包含(1B-1)對磁性硬化物進行開孔加工之步驟。
更佳是再於(2B)步驟後(3B)步驟前，依序進而包含： (2B-1)將磁性硬化物表面、以含界面活性劑的溶液加以處理之調節步驟，以及 (2B-2)於磁性硬化物表面賦予觸媒之觸媒化步驟； 更佳是於(2B-2)步驟後(3B)步驟前，進而包含： (2B-3)使觸媒活化之觸媒活化步驟。
此外，於(2B-1)步驟後(2B-2)步驟前，亦可包含 (2B-1-1)由不需要界面活性劑的部位除去界面活性劑之微蝕刻步驟。
-(1B)步驟- (1B)步驟，係以樹脂組成物層與基板接合之方式，於基板上層積磁性薄板，使樹脂組成物層熱硬化而形成磁性硬化物之步驟。進行(1B)步驟中，也可以包含準備磁性薄板之步驟。
於(1B)步驟，如圖9作為一例所示，磁性薄板310包含支撐體330、與被設於該支撐體330上的樹脂組成物層320a，以樹脂組成物層320a與內層基板200接合之方式，使內層基板200上層積磁性薄板310。
內層基板200，係絕緣性的基板。內層基板200的材料，例如，可列舉玻璃環氧樹脂基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚苯硫醚基板等的絕緣性基材。內層基板200，也可以是於其厚度內進行配線等之內層電路基板。
如圖9作為一例所示，內層基板200，係具有設於第1主表面200a上的第1導體層420、與設於第2主表面200b上的外部端子240。第1導體層420，係包含複數配線。圖示例係僅顯示構成感應器元件的線圈狀導電性構造體400之配線。外部端子240係供與未圖示的外部的裝置等導電接續用之端子。外部端子240，係可以作為設於第2主表面200b的導體層的一部分而構成。
得以構成第1導體層420、外部端子240、其他的導體層之導體材料，係與(3)步驟中說明了的導體層材料相同。
第1導體層420、外部端子240、其他的導體層，可以為單層構造，也可以是不同種類的金屬或合金所構成的單金屬層或合金層層積2層以上之複層構造。此外，第1導體層420、外部端子240、其他的導體層之厚度，係與第1實施型態之圖案導體層相同。
第1導體層420及外部端子240的線徑(L)/間距(S)比並未特別限制，但由減少表面凹凸得到平滑性優異的磁性硬化物之觀點而言，通常為900/900μm以下，較佳為700/700μm以下，500/500μm以下更佳，300/300μm以下又更佳，200/200μm以下又再更佳。線徑/間距比之下限並未特別限制，但由可良好地進行往空間埋入樹脂組成物層之觀點而言，最好是1/1μm以上。
內層基板200係具有以由第1主表面200a到達第2主表面200b之方式貫通內層基板200之複數穿通孔220。於穿通孔220設置著穿通孔內配線220a。穿通孔內配線220a，係導電接續第1導體層420與外部端子240。
樹脂組成物層320a與內層基板200之接合，例如，可以藉由從支撐體330側，把磁性薄板310加熱壓接於內層基板200而進行。作為把磁性薄板310加熱壓接於內層基板200的構件(以下也稱為「加熱壓接構件」)，例如，可列舉被加熱的金屬板(不鏽鋼(SUS)鏡板等)或者金屬輥(SUS輥)等。又，並非把加熱壓接構件直接接觸並擠壓於磁性薄板310，而是以磁性薄板310充分地追隨於內層基板200的表面凹凸的方式，中介著由耐熱橡膠等彈性材所構成的薄板等來擠壓為佳。
加熱壓接時的溫度，為80℃～160℃佳，更佳為90℃～140℃，進而更佳為100℃～120℃之範圍；加熱壓接時的壓力，為0.098MPa～1.77MPa較佳，更佳為0.29MPa～1.47MPa之範圍；加熱壓接時間較佳為20秒～400秒，更佳為30秒～300秒之範圍。磁性薄板與內層基板之接合，最好是在壓力26.7hPa以下的減壓條件下來實施。
磁性薄板310的樹脂組成物層320a與內層基板200之接合，可以藉由市售的真空層疊機來進行。市售的真空層疊機，例如，可列舉MEIKI CO., LTD.製造的真空加壓式層疊機，Nikko-Materials Co.,Ltd.製造的真空敷貼機(Vacuum Applicator)等。
磁性薄板310與內層基板200之接合後，於常壓下(大氣壓下)，例如，藉由從支撐體側擠壓加熱壓接構件，進行被層積的磁性薄板310之平滑化處理亦可。平滑化處理之擠壓條件，可以與前述層積之加熱壓接條件相同的條件。平滑化處理，可以藉由市售的真空層疊機來進行。又，層積與平滑化處理，亦可使用前述市售的真空層疊機連續地進行。
於內層基板層積磁性薄板之後，使樹脂組成物層熱硬化而形成磁性硬化物。如圖10作為一例所示，使接合於內層基板200之樹脂組成物層320a熱硬化、形成第1磁性硬化物層320。樹脂組成物層320a的熱硬化條件、及第1磁性硬化物層320的硬化度，係與(1)步驟說明了的熱硬化條件及硬化度相同。
支撐體330，可在(1B)步驟的熱硬化後與(2B)步驟之間除去，抑或在(2B)步驟之後剝離。
此外，(1B)步驟，取代於內層基板上層積磁性薄板，而藉由於內層基板上直接塗布或印刷糊狀的樹脂組成物(磁性糊)來進行亦可。
-(1B-1)步驟- (1B-1)步驟，係對磁性硬化物進行開孔加工之步驟。於(1B-1)步驟，如圖11作為一例所示，對第1磁性硬化物層320進行開孔加工，形成通孔(via hole)360。通孔360，係成為供將第1導體層420、與後述的第2導體層440導電接續用之路徑。通孔360的形成係可以藉由與(1)步驟中說明了的穿通孔的形成相同的方法來進行。
-(2B)步驟- (2B)步驟，研磨磁性硬化物表面之至少一部分的步驟。作為(2B)步驟之研磨方法，係可以藉由與第1實施型態的(2A)步驟中說明了的相同的研磨來進行。
(2B)步驟後的磁性硬化物的研磨了的面之算數平均粗糙度(Ra)，由與導體層的鍍層密接性提升之觀點而言，為300nm以上佳，350nm以上更佳，為400nm以上又更佳。上限為1000nm以下佳，900nm以下更佳，800nm以下又更佳。表面粗糙度(Ra)，例如，可以使用非接觸型表面粗糙度計進行測定。
於(2B)步驟，藉由研磨磁性硬化物的表面，對於該表面可以不進行利用氧化劑之處理而在磁性硬化物上形成導體層，因而防止磁性硬化物變脆，且可以達成良好的鍍層密接性。
此外，於這樣得到的磁性硬化物的研磨面，有(A)含鎳的磁性粉體一部分露出之情形，但由於(A)成分耐酸，所以可抑低磁性異物的產生量。
(2B-1)～(2B-3)步驟係分別如在第1實施型態的(2A-1)～(2A-3)步驟之說明。
-(3B)步驟- (3B)步驟，係於磁性硬化物的研磨了的面上之至少一部分，藉由濕式鍍層而形成導體層之步驟。在(3B)步驟，如圖12作為一例所示，於第1磁性硬化物層320的研磨了的面上，部分地形成第2導體層440。第2導體層440之形成方法，係如第1實施型態之說明。又，藉由此步驟，於通孔360內一併形成通孔內配線360a。藉形成第2導體層440而形成導體層400。第2導體層440，係包含複數配線。
得以構成第2導體層440之導體材料，係與第1導體層420相同。第2導體層440，可以為單層構造，也可以是不同種類的金屬或合金所構成的單金屬層或合金層層積2層以上之複層構造。第2導體層440為複層構造的情形，與磁性硬化物相接之層，以鉻、鋅或者鈦之單金屬層，或者鎳鉻合金之合金層為佳。此外，第2導體層440之厚度，係與第1導體層420之厚度相同。
第1導體層420及第2導體層440，例如以後述的圖13~15作為一例所示的方式，設成渦卷狀亦可。於一例，第2導體層440的渦卷狀配線部之中的中心側的一端係藉由通孔內配線360a而導電地接續到第1導體層420的渦卷狀配線部之中的中心側的一端。第2導體層440的渦卷狀配線部之中的外周側的另一端係藉由通孔內配線360a而導電地接續到第1導體層420的連接盤420a。因而，第2導體層440的渦卷狀配線部之中的外周側的另一端係，經由通孔內配線360a、連接盤420a、穿通孔內配線220a而導電地接續到外部端子240。
線圈狀導電性構造體400，係藉由第1導體層420的一部分之渦卷狀配線部、第2導體層440的一部分之渦卷狀配線部、將第1導體層420的渦卷狀配線部與第2導體層440的渦卷狀配線部導電地接續之通孔內配線360a而構成。
(3B)步驟後，進而進行於導體層上形成磁性硬化物之步驟亦可。詳細內容，如圖14作為一例所示，係於被形成第2導體層440及通孔內配線360a之第1磁性硬化物層320上形成第2磁性硬化物。第2磁性硬化物藉由與已說明的步驟同樣的步驟來形成即可。
[磁性糊] 本發明之樹脂組成物，係藉由使用液狀的環氧樹脂等，可以不含有機溶劑也作成糊狀的磁性糊。磁性糊含有機溶媒之情形，其含量對磁性糊的全質量，較佳為未滿1.0質量%，為0.8質量%以下更佳，0.5質量%以下又更佳，特佳為0.1質量%以下。下限並沒有特別限制，但在0.001質量%以上、或不含。藉由磁性糊中有機溶劑的含量少、或者不含有機溶劑，可抑制因有機溶劑的揮發造成的空孔產生，再者可以使操作性、作業性優異。
磁性糊的黏度，在25℃為20Pa･s以上佳，更佳為25Pa･s以上，又更佳為30Pa･s以上、50Pa･s以上；通常為未滿200Pa･s，為180Pa･s以下佳，160Pa･s以下更佳。黏度，係可以將磁性糊的溫度保持在25±2℃、使用E型黏度計來測定。
這樣的磁性糊，對基板的穿通孔內填充時是有用的。
[磁性薄板] 磁性薄板，係包含支撐體，與以設於該支撐體上之、本發明之樹脂組成物形成的樹脂組成物層。
樹脂組成物層的厚度，由薄型化的觀點而言，較佳為250μm以下，更佳為200μm以下，進而更佳為150μm以下、100μm以下。樹脂組成物的厚度的下限雖沒有特別限制，通常得為5μm以上等。
作為支撐體，例如可以舉出由塑膠材料所構成的膜、金屬箔、脫膜紙，以塑膠材料所構成的膜、金屬箔為佳。
作為支撐體使用由塑膠材料所構成的膜的情形，作為塑膠材料，例如，可以舉出聚對苯二甲酸乙二酯(以下亦簡稱為「PET」)、聚萘二甲酸乙二醇酯(以下亦簡稱為「PEN」)等聚酯、聚碳酸酯(以下亦簡稱為「PC」)、聚甲基丙烯酸甲酯(以下亦簡稱為「PMMA」)等丙烯酸、環狀聚烯烴、三乙醯基纖維素(TAC)、聚醚碸(PES)、聚醚酮、聚醯亞胺等。其中，以聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯為佳，廉價的聚對苯二甲酸乙二酯特佳。
作為支撐體使用金屬箔的情形，作為金屬箔，例如可以舉出銅箔、鋁箔等，以銅箔為佳。作為銅箔，亦可使用銅之單金屬所構成的箔，亦可使用銅與其他金屬(例如錫、鉻、銀、鎂、鎳、鋯、矽、鈦等)之合金所構成的箔。
支撐體，亦可對與樹脂組成物層接合之面施以毛面處理、電暈處理。
此外，作為支撐體，亦可使用在與樹脂組成物層接合的面具有脫模層的附有脫模層的支撐體。作為使用於附有脫模層的支撐體的脫模層之脫模劑，例如可以舉出選自醇酸樹脂樹脂、聚烯烴樹脂、胺甲酸乙酯樹脂、及聚矽氧樹脂構成的群之1種以上的脫模劑。附有脫模層的支撐體，亦可使用市售品，例如，具有以乙醇酸樹脂樹脂系脫模劑為主成分的脫模層的PET膜之Lintec公司製造之SK-1」、「AL-5」、「AL-7」、Toray公司製造的「Lumirror T60」、，帝人公司製造之「Purex」、UNITIKA公司製造的「Unipeel」等。
支撐體的厚度沒有特別限定，以5μm～75μm之範圍為佳，10μm～60μm之範圍更佳。又，使用附有脫模層的支撐體的情形，附有脫模層的支撐體全體的厚度以在前述範圍為佳。
磁性薄板，例如可以藉由調製在有機溶劑溶解樹脂組成物的磁性糊，將此磁性糊使用模具塗布機等塗布於支撐體上，進而使乾燥形成樹脂組成物層而製作。又，樹脂組成物為糊狀的情形，可以藉由使用模具塗布機等直接將樹脂組成物塗布於支撐體上形成樹脂組成物層而製作。
作為有機溶劑，例如可以舉出丙酮、甲乙酮(MEK)及環己酮等酮類、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇乙醚醋酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯及二乙二醇單乙基醚醋酸酯等醋酸酯類、乙二醇乙醚及二乙二醇丁醚等二乙二醇乙醚類、甲苯及二甲苯等芳香族碳化氫類、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺(DMAc)及N-甲基咯烷酮等醯胺系溶媒等。有機溶劑可以單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。
乾燥，亦可藉由加熱、吹噴熱風等公知的方法來實施。乾燥條件沒有特別限定，但以使樹脂組成物層中的有機溶劑含量成為10質量%以下，較佳為成為5質量%以下的方式使其乾燥。雖會隨著磁性糊中的有機溶劑的沸點而有所不同，例如在使用包含30質量%～60質量%的有機溶劑的磁性糊的情形，藉由在50℃～150℃溫度下乾燥3分鐘～10分鐘，可以形成樹脂組成物層。
於磁性薄板，在不與樹脂組成物層的支撐體接合的面(亦即與支撐體相反側的面)，進而層積與支撐體一致的保護膜亦可。保護膜的厚度沒有特別限定，例如為1μm～40μm。藉由層積保護膜，可以抑制垃圾等附著或損傷樹脂組成物層的表面。磁性薄板，可以捲取為卷狀而保存。磁性薄板具有保護膜的情形，藉由剝除保護膜而成為可以使用。
[感應器零件] 作為本發明之電路基板，具有藉由圖案導體層形成的感應器元件之感應器零件為佳。
感應器零件，係包含藉由本發明之電路基板的製造方法得到的電路基板。這樣的感應器零件，包含藉由電路基板的製造方法之第1實施型態得到之電路基板之情形，具有於前述的樹脂組成物的磁性硬化物的周圍之至少一部分利用導體而形成的感應器元件。這樣的感應器零件，可以適用例如日本特開2016-197624號公報所記載者。
此外，包含藉由電路基板的製造方法之第2實施型態得到的電路基板之情形，感應器零件，具有樹脂組成物(樹脂組成物層)的磁性硬化物、與至少一部分被埋入此磁性硬化物之導電性構造體；包含此導電性構造體，與延伸於磁性硬化物的厚度方向、並且藉由被導電性構造體包圍的磁性硬化物之中的一部分而構成的感應器元件。在此，圖13係由厚度方向之一方來觀察內設感應器元件的感應器零件之模式平面圖。圖14係顯示在圖13的II-II單點虛線所示的位置切斷之感應器零件的切斷端面之模式圖。圖15係用以說明感應器零件之中的第1導體層的構成之模式平面圖。
感應器零件100，如圖13及圖14作為一例所示，得以是具有複數磁性硬化物(第1磁性硬化物層320、第2磁性硬化物層340)及複數導體層(第1導體層420、第2導體層440)之，亦即具有堆積磁性硬化物層及堆積導體層之堆積線路板。此外，感應器零件100係具備內層基板200。
由圖14，第1磁性硬化物層320及第2磁性硬化物層340係構成磁性部300，其可視為一體的磁性硬化物。因而，線圈狀導電性構造體400，係設成至少一部分被埋入磁性部300。亦即，於本實施型態之感應器零件100，感應器元件係藉由線圈狀導電性構造體400，與延伸於磁性部300的厚度方向、並且被線圈狀導電性構造體400包圍的磁性部300之中的一部分之芯部而構成。
如圖15作為一例所示，第1導體層420係包含用以構成線圈狀導電性構造體400之渦卷狀配線部、及與穿通孔內配線220a導電地接續之矩形狀連接盤420a。圖示例中，渦卷狀配線部係包含直線狀部、屈曲成直角的屈曲部、與繞過連接盤420a的迂迴部。圖示例中，第1導體層420的渦卷狀配線部其全體的輪廓為略矩形狀，具有由中心側向其外側沿逆時針方向捲繞之形狀。
同樣地，於第1磁性硬化物層320上設置第2導體層440。第2導體層440係包含用以構成線圈狀導電性構造體400之渦卷狀配線部。圖13或圖14中，渦卷狀配線部係包含直線狀部與屈曲成直角的屈曲部。圖13或圖14中，第2導體層44的渦卷狀配線部其全體的輪廓為略矩形狀，具有由中心側向其外側沿順時針方向捲繞之形狀。
這樣的感應器零件，可以用作供搭載半導體晶片等的電子零件用之線路板，也可以用作以相關的線路板作為內層基板來使用之(多層)印刷線路板。此外，也可以用作把相關的線路板個片化之晶片感應器零件，也可用作把該晶片感應器零件予以表面實裝了的印刷線路板。
此外，可以使用相關的線路板，來製造種種態樣的半導體裝置。相關的包含線路板的半導體裝置，可以適用於電氣製品(例如電腦、行動電話、數位相機及電視等)以及交通工具(例如摩托車、汽車、電車、船舶及飛機等)等。
[樹脂組成物] 本發明之樹脂組成物，係包含(A)含鎳的磁性粉體，(B)環氧樹脂，及(C)硬化劑。樹脂組成物，有進而含有(D)非磁性無機填充材之情形，再者得以因應需要而含有(E)其他的添加劑。
藉由將這樣的樹脂組成物的磁性硬化物用於電路基板之製造，即使不進行磁性硬化物層表面的處理，作為替代而進行研磨處理的情形，也可以抑制於濕式鍍層製程會在處理液中產生的磁性異物的產生量，因而可以防止浴液、基板等的汙染。於一實施型態，本發明之樹脂組成物，係可以藉由含有(A)成分而容易得到適於研磨的硬度的磁性硬化物。從而，於該實施型態，本發明之樹脂組成物的磁性硬化物，研磨性優異。以下，說明本發明的樹脂組成物的各成分。
＜(A)含鎳的磁性粉體＞ 本發明之樹脂組成物，係含有(A)含鎳的磁性粉體。含鎳的磁性粉體，例如，可列舉純鎳粉末；Ni-Zn系鐵氧體粉末、Ba-Ni系鐵氧體粉末、Ba-Ni-Co系鐵氧體粉末等的含鎳氧化鐵粉；Fe-Ni-Cr系合金粉末、Fe-Ni系合金粉末、Fe-Ni-Mo系合金粉末、Fe-Ni-Mo-Cu系合金粉末等的鎳鐵合金系金屬粉等。
含鎳的磁性粉體，其中，以由含鎳氧化鐵粉及鎳鐵合金系金屬粉所選擇出的至少1種較佳，以鎳鐵合金系金屬粉更佳，以Fe-Ni系合金粉末或Fe-Ni-Mo系合金粉末特別佳。含鎳氧化鐵粉，除了Fe、Ni之外，也可以還包含由Cu、Mn、及Zn選擇出的至少1種。此外，鎳鐵合金系金屬粉，除了Fe、Ni之外，也可以還包含含由Si、Cr、Al、Mo、Cu、及Co選擇出的至少1種之鐵合金系金屬粉。
(A)成分中的鎳含量，由顯著得到本發明所要的效果之觀點而言，為例如10質量%以上、20質量%以上、30質量%以上，較佳為35質量%以上，更佳為40質量%以上，特佳為45質量%以上。上限雖沒有特別限定，例如，可以為100質量%以下、未滿100質量%、95質量%以下、90質量%以下、85質量%以下等。
(A)成分中的鐵含量沒有特別限定，但例如為90質量%以下、80質量%以下、70質量%以下，較佳為65質量%以下，更佳為60質量%以下，特別佳為55質量%以下。下限雖沒有特別限定，例如，可以為0質量%以上、超過0質量%、5質量%以上、10質量%以上、15質量%以上等。
(A)成分，可以使用市售的磁性粉體。作為得以使用的市售的磁性粉體之具體例，可列舉DOWA Electronics Materials(股)公司製造的「MA-RCO-5」、EPSON ATMIX公司製造的「80%Ni-4Mo」等。磁性粉體可以單獨使用1種，或者亦可併用2種以上。
(A)成分為球狀較佳。磁性粉體的長軸長度除以短軸長度之值(深寬比：aspect ratio)，2以下較佳，1.5以下更佳，1.2以下又更佳。一般而言，磁性粉體不是球狀而為扁平的形狀者，較容易提高相對導磁率。但是，特別是，通常上，由可以減低磁損失、與得到具有較佳的黏度的糊之觀點而言，使用球狀的磁性粉體者較佳。
(A)成分的平均粒徑，由提高相對導磁率之觀點而言，為0.01μm以上較佳，0.5μm以上更佳，1μm以上又更佳。此外，較佳為30μm以下，20μm以下更佳，10μm以下又更佳。
(A)成分的平均粒徑可以藉由根據Mie散射理論之雷射繞射/散射法來測定。具體而言，可以藉由雷射繞射散射式粒徑分布測定裝置，以體積基準作成磁性粉體的粒徑分布，藉由以其真直徑(median diameter )作為平均粒徑來測定。測定試樣，可以最好是使用把磁性粉體藉由超音波分散於水者。作為雷射繞射散射式粒徑分布測定裝置，可以使用HORIBA, Ltd.製造的「LA-500」、Shimadzu Corporation製造的「SALD-2200」等。
(A)成分的比表面積，由提高相對導磁率之觀點而言，為0.05m2 /g以上較佳，0.1m2 /g以上更佳，0.3m2 /g以上又更佳。此外，較佳為10m2 /g以下，8m2 /g以下更佳，5m2 /g以下又更佳。磁性粉體的比表面積，係了利用BET法來測定。
(A)成分浸漬酸時的未溶解率，亦即重量保持率，由顯著地得到本發明所要的效果之觀點而言，例如，於40℃下浸漬於2N硫酸5分鐘之情形，較佳為70%以上，80%以上更佳，90%以上又更佳，特別佳為95%以上。
(A)成分的含量(體積%)，由提高相對導磁率以及減低損失係數之觀點而言，以樹脂組成物中的不揮發成分為100體積%之情形，為10體積%以上較佳，20體積%以上更佳，30體積%以上又更佳。此外，較佳為85體積%以下，80體積%以下更佳，75體積%以下又更佳。
(A)成分的含量(質量%)，由提高相對導磁率以及減低損失係數之觀點而言，以樹脂組成物中的不揮發成分為100質量%時，較佳為70質量%以上，75質量%以上更佳，78質量%以上又更佳。此外，較佳為98質量%以下，95質量%以下更佳，90質量%以下又更佳。
＜(B)環氧樹脂＞ 本發明之樹脂組成物含有(B)環氧樹脂。
(B)作為環氧樹脂，例如可以舉出鄰苯二酚型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、三苯酚型環氧樹脂、萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、tert-丁基-鄰苯二酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、蔥(anthracene)型環氧樹脂、縮水甘油基胺型環氧樹脂、縮水甘油基酯型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、線狀脂肪族環氧樹脂、具有丁二烯構造的環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、含有螺環的環氧樹脂、環己烷型環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂，三羥甲基型環氧樹脂，四苯基乙烷型環氧樹脂等。環氧樹脂可以單獨使用1種類，亦可組合使用2種類以上。
樹脂組成物，作為(B)環氧樹脂，以包含在1分子中具有2個以上環氧基之環氧樹脂為佳。由顯著得到本發明所要的效果之觀點而言，相對於(B)環氧樹脂的不揮發成分100質量%，1分子中有2個上環氧基之環氧樹脂之比率，為50質量%以上較佳，60質量%以上更佳，特別佳為70質量%以上。
於環氧樹脂，有在溫度25℃為液狀的環氧樹脂(以下稱為「液狀環氧樹脂」)，以及在溫度25℃為固體狀的環氧樹脂(以下稱為「固體狀環氧樹脂」)。於一實施型態，本發明之樹脂組成物，作為環氧樹脂包含液狀環氧樹脂。於一實施型態，本發明之樹脂組成物，作為環氧樹脂包含固體狀環氧樹脂。本發明之樹脂組成物，作為環氧樹脂，可以僅含液狀環氧樹脂，或者僅含固體狀環氧樹脂亦可，抑或包含組合液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂，但最佳實施型態為僅含液狀環氧樹脂。
作為液狀環氧樹脂，以在1分子中具有2個以上環氧基之液狀環氧樹脂為佳。
作為液狀環氧樹脂，以雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、縮水甘油酯環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、苯酚酚醛型環氧樹脂、具有酯骨架的脂環式環氧樹脂、環己烷型環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、及具有丁二烯構造的環氧樹脂為佳。
作為液狀環氧樹脂之具體例，可以舉出DIC公司製造之「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」(萘型環氧樹脂)、三菱化學公司製造之「828US」、「828EL」、「jER828EL」、「825」、「Epikote 828EL」(雙酚A型環氧樹脂)、三菱化學公司製造之「jER807」、「1750」(雙酚F型環氧樹脂)、三菱化學公司製造之「jER152」(苯酚酚醛型環氧樹脂)、三菱化學公司製造之「630」、「630LSD」(縮水甘油胺型環氧樹脂)、新日鐵住金化學公司製造之「ZX1059」(雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂之混合產品)、Nagase Chemtex公司製造之「EX-721」(縮水甘油酯型環氧樹脂)、Daicel公司製造之「Celloxide 2021P」(具有酯骨架之脂環式環氧樹脂)、Daicel公司製造之「PB-3600」、日本曹達公司製造之「JP-100」、「JP-200」(具有丁二烯構造之環氧樹脂)、新日鐵住金化學公司製造之「ZX1658」、「ZX1658GS」(液狀1,4-縮水甘油環己烷型環氧樹脂)等。這些可以單獨使用1種類，亦可組合2種類以上使用。
作為固體狀環氧樹脂，以1分子中具有3個以上環氧基的固體狀環氧樹脂為佳，1分子中具有3個以上環氧基的芳香族系的固體狀的環氧樹脂為更佳。
作為固體狀環氧樹脂，以苯二酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘型4官能基環氧樹脂、鄰甲基酚醛型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、三苯酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、苯甲醚型環氧樹脂、蔥(anthracene)型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、四苯乙烷型環氧樹脂為佳。
作為固體狀環氧樹脂的具體例，可以舉出DIC公司製造之「HP4032H」(萘型環氧樹脂)、DIC公司製造之「HP-4700」、「HP-4710」(萘型4官能基環氧樹脂)、DIC公司製造之「N-690」(鄰甲基酚醛型環氧樹脂)、DIC公司製造之「N-695」(鄰甲基酚醛型環氧樹脂)、DIC公司製造之「HP-7200」、「HP-7200HH」、「HP-7200H」(雙環戊二烯型環氧樹脂)、DIC公司製造之「EXA-7311」、「EXA-7311-G3」、「EXA-7311-G4」、「EXA-7311-G4S」、「HP6000」(萘醚型環氧樹脂)、日本化藥公司製造之「EPPN-502H」(三苯酚環氧樹脂)、日本化藥公司製造之「NC7000L」(萘酚酚醛型環氧樹脂)、日本化藥公司製造之「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(聯苯型環氧樹脂)、新日鐵住金化學公司製造之「ESN475V」(萘酚酚醛型環氧樹脂)、新日鐵住金化學公司製造之「ESN485」(萘酚酚醛型環氧樹脂)、三菱化學公司製造之「YX4000H」、「YX4000」、「YL6121」(聯苯型環氧樹脂)、三菱化學公司製造之「YX4000HK」(雙二甲酚型環氧樹脂)、三菱化學公司製造之「YX8800」(蔥(anthracene)型環氧樹脂)、三菱化學公司製造之「YX7700」(含有二甲苯構造的分權型環氧樹脂)、大阪Gas chemical公司製造之「PG-100」、「CG-500」、三菱化學公司製造之「YL7760」(雙酚AF型環氧樹脂)、三菱化學公司製造之「YL7800」(芴型環氧樹脂)、三菱化學公司製造之「jER1010」、(固體狀雙酚A型環氧樹脂)、三菱化學公司製造之「jER1031S」(四苯乙烷型環氧樹脂)等。這些可以單獨使用1種類，亦可組合2種類以上使用。
(B)作為環氧樹脂，組合使用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂的情形，液狀環氧樹脂對固體狀環氧樹脂之質量比(液狀環氧樹脂/固體狀環氧樹脂）依質量比較佳為1以上，更佳為10以上，特佳為50以上。
(B)環氧樹脂之環氧當量，較佳為50g/eq.～5000g/eq.，更佳為50g/eq.～3000g/eq.，進而更佳為80g/eq.～2000g/eq.，進而又更佳為110g/eq.～1000g/eq.。藉由成為此範圍，磁性薄板的磁性硬化物的架橋密度變得充分，可得表面粗糙度小的磁性硬化物層。環氧當量，為包含1當量的環氧基的樹脂之質量。環氧當量可以依照日本工業規格JIS K7236進行測定。
(B)環氧樹脂之重量平均分子量(Mw)，由顯著獲得本發明所期待的效果的觀點來看，較佳為100～5000，更佳為250～3000，進而更佳為400～1500。樹脂之重量平均分子量，是藉由凝膠浸透色層分析法(GPC)法，作為換算聚苯乙烯之值來測定。
(B)環氧樹脂之含量，沒有特別限定，由顯著獲得本發明所期待的效果的觀點來看，樹脂組成物中的不揮發成分為100質量%的情形，較佳為1質量%以上，更佳為5質量%以上，進而更佳為8質量%以上，特佳為10質量%以上。其上限，由顯著獲得本發明所期待的效果的觀點來看，較佳為50質量%以下，更佳為40質量%以下，進而更佳為30質量%以下，特佳為20質量%以下。
＜(C)硬化劑＞ 本發明之樹脂組成物含有(C)硬化劑。
(C)作為硬化劑，只要具有使環氧樹脂硬化的機能即可，沒有特別限定，例如可以舉出苯酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、酸酐系硬化劑、活性酯系硬化劑、苯並惡嗪系硬化劑、氰酸酯系硬化劑、及碳二亞胺(carbodiimide)系硬化劑、磷系硬化劑、胺系硬化劑、咪唑系硬化劑、胍系硬化劑、金屬系硬化劑等。其中，以酸酐系硬化劑、胺系硬化劑、及咪唑系硬化劑為佳。(C)硬化劑，可以單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。
作為苯酚系硬化劑及萘酚系硬化劑，由耐熱性及耐水性的觀點來看，以具有酚醛構造的苯酚系硬化劑，或者具有酚醛構造的萘酚系硬化劑為佳。此外，由對被附著體的密接性的觀點來看，以含氮苯酚系硬化劑或含氮萘酚系硬化劑為佳，含有三氮雜苯骨架的苯酚系硬化劑或者含有三氮雜苯骨架的萘酚系硬化劑更佳。其中，由高度滿足耐熱性、耐水性以及密接性的觀點來看，含有三氮雜苯骨架的苯酚酚醛樹脂為佳。作為苯酚系硬化劑及萘酚系硬化劑之具體例，例如可以舉出明和化成公司製造之「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」、「MEH-8000H」、日本化藥公司製造之「NHN」、「CBN」、「GPH」、新日鐵住金化學公司製造之「SN-170」、「SN-180」、「SN-190」、「SN-475」、「SN-485」、「SN-495」、「SN-375」、「SN-395」、DIC公司製造之「LA-7052」、「LA-7054」、「LA-3018」、「LA-3018-50P」、「LA-1356」、「TD2090」等。
作為酸酐系硬化劑，可以舉出1分子內具有1個以上酸酐基的硬化劑。酸酐系硬化劑的具體例，可以舉出包括鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、甲基四氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、甲基萘酸酐、氫化甲基萘酸酐、三烷基四氫鄰苯二甲酸酐、十二碳烯基琥珀酸酐、5-(2,5-二氧四氫-3-呋喃基）-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸酐，苯偏三酸酐、均苯四甲酸酐、二苯甲酮四羧酸二酐、聯苯四羧酸二酐、萘四羧酸二酐、氧二鄰苯二甲酸二酐，3,3’-4,4’-二苯碸四羧酸二酐，1,3,3a,4,5,9b-六氫-5-(四氫-2,5-二氧代-3-呋喃基)-萘[1,2-C]呋喃-1,3-二酮、乙二醇雙(脫水三酸酯)，甲基雙環[2.2.1]庚烷-2,3-二羧酸酐/雙環[2.2.1]庚烷-2,3-二羧酸酐(市售品有新日本理化社製造的「HNA-100」)，苯乙烯和順丁烯二酸共聚合之苯乙烯･順丁烯二酸樹脂等高分子型的酸酐等。
作為活性酯系硬化劑，沒有特別限制，但一般較佳為使用苯酚酯類、硫代苯酚酯類、N-羥基胺酯類、雜環羥基化合物之酯類等，在1分子中具有2個以上反應活性高的酯基的化合物。該活性酯系硬化劑，以藉由羧酸化合物及/或硫代羧酸化合物與羥基化合物及/或氫硫基化合物之縮合反應而得者為佳。特別是由提高耐熱性的觀點來看，以由羧酸化合物與羥基化合物所得到的活性酯系硬化劑為佳，由羧酸化合物與苯酚化合物及/或萘酚化合物所得到的活性酯系硬化劑為更佳。作為羧酸化合物，例如可以舉出安息香酸、醋酸、琥珀酸、順丁烯二酸、亞甲基丁二酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、均苯四甲酸等。作為苯酚化合物或萘酚化合物，例如可以舉出對苯二酚、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、苯酚萘、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、苯酚、o-甲酚、m-甲酚、p-甲酚、鄰苯二酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、間苯三酚、苯三酚、二環戊二烯型二酚化合物、苯酚酚醛等。在此，所謂「雙環戊二烯型二酚化合物」，是指於雙環戊二烯1分子縮合2分子苯酚而得的二苯酚化合物。
具體而言，包含二環戊二烯型二酚構造的活性酯化合物、包含萘構造的活性酯化合物、包含苯酚酚醛的乙醯化物之活性酯化合物、包含苯酚酚醛的苯醯化物之活性酯化合物為佳，其中以包含萘構造的活性酯化合物、雙環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物為更佳。所謂「雙環戊二烯型二酚構造」，係由伸苯基-雙環戊二烯-伸苯基所構成的2價的構造單位。
活性酯系硬化劑的市售品，可以舉出包含二環戊二烯型雙酚構造的活性酯化合物「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC-8000」、「HPC-8000H」、「HPC-8000-65T」、「HPC-8000H-65TM」、「EXB-8000L」、「EXB-8000L-65TM」(DIC公司製造)；包含萘構造的活性酯化合物「EXB9416-70BK」、「EXB-8150-65T」(DIC社製)；包含苯酚酚醛之乙醯化物之活性酯化合物「DC808」(三菱化學公司製造)；包含苯酚酚醛的苯甲醯化物的活性酯化合物「YLH1026」(三菱化學公司製造)；苯酚酚醛的乙醯化物之活性酯系硬化劑「DC808」(三菱化學公司製造)；苯酚酚醛的苯甲醯化物之活性酯系硬化劑「YLH1026」、「YLH1030」、「YLH1048」(三菱化學公司製造)等。
苯並惡嗪系硬化劑的具體例，可以舉出JFE化學公司製造之「JBZ-OP100D」、「ODA-BOZ」；昭和高分子公司製造之「HFB2006M」、四國化成工業公司製造之「P-d」、「F-a」等。
作為氰酸酯系硬化劑，例如可以舉出雙酚A二氰酸酯，多酚氰酸酯(低聚(3-亞甲基-1,5-亞苯基氰酸酯))，4,4’-亞甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)，4,4’-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-雙(4-氰酸酯)苯基丙烷，1,1-雙(4-氰酸酯苯基甲烷)，雙(4-氰酸酯-3,5-二甲基苯基)甲烷，1,3-雙(4-氰酸酯苯基-1-(甲基亞乙基))苯，雙(4-氰酸酯苯基)硫醚、及雙(4-氰酸酯苯基）醚等2官能基氰酸酯樹脂，苯酚酚醛及甲酚酚醛等所衍生的多官能基氰酸酯樹脂，這些氰酸酯樹脂一部分三氮雜苯化之預聚物等。作為氰酸酯系硬化劑之具體例，可以舉出Lonza Japan公司製造之「PT30」及「PT60」(均為苯酚酚醛型多官能基氰酸酯樹脂)、「BA230」，「BA230S75」(雙酚A二氰酸酯的一部分或全部被三氮雜苯化成為三量體之預聚物)等。
作為碳二亞胺(carbodiimide)系硬化劑之具體例，可以舉出日清紡Chemical公司製造之「V-03」、「V-07」等。
作為磷系硬化劑，例如可以舉出三苯基膦、硼酸磷化合物、四苯基磷四苯基硼酸鹽、n-丁基磷四苯基硼酸鹽、四丁基磷癸酸鹽、(4-甲基苯基)三苯基磷硫氰酸鹽、四苯基磷硫氰酸鹽、丁基三苯基磷硫氰酸鹽等。
作為胺系硬化劑，例如可以舉出三乙胺、三丁胺、4-二甲基氨基吡啶(DMAP)、苄基二甲基胺、2,4,6,-三(二甲基氨基甲基)苯酚、1,8-二氮雜雙環(5,4,0）-十一碳烯等，4-二甲基氨基吡啶、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一碳烯等脂族胺系硬化劑；聯苯胺、鄰甲苯胺、4,4’-二氨基二苯基甲烷、4,4’-二氨基-3,3’-二甲基二苯基甲烷(市售品有日本化藥公司製造的「Kayabond C-100」）、4,4’-二氨基-3,3’-二乙基二苯基甲烷(市售品有日本化藥公司製造的「Kayahard A-A」)、4,4’-二氨基-3,3’,5,5’-四甲基二苯基甲烷(市售品有日本化藥公司製造的「Kayabond C-200S」)、4,4’-二氨基-3,3’,5,5’-四乙基二氫乙烯基甲烷(市售品有日本化藥公司製造的「Kayabond C-300S」)、4,4’-二氨基-3,3’-二乙基-5,5’-二甲基二苯基甲烷、4,4’-二氨基二苯基醚、1,3-雙(3-氨基苯氧基)苯，1,3-雙(4-氨基苯氧基)苯、1,4-雙(3-氨基苯氧基)苯、1,4-雙(4-氨基苯氧基)苯、1,3-雙(4-氨基苯氧基)新戊烷、4,4’-[1,3-亞苯基雙(1-甲基-亞乙基)]雙苯胺(市售品有三井化學製造的「Bisaniline-M」)、4,4’-[1,4-苯撐雙(1-甲基-亞乙基)]雙苯胺(市售品有三井化學製造的「Bisaniline-P」)，2,2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(市售品有和歌山精化製造的「BAPP」)、2,2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷、4,4’-雙(4-氨基苯氧基)聯苯等芳香族胺系硬化劑。
咪唑系硬化劑，例如可以舉出2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-庚基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑偏苯三酸酯、1-氰基乙基-2-偏苯三酸苯基咪唑鎓、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪異氰尿酸加合物、2-苯基咪唑異氰尿酸加合物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2,3-二氫-1H-吡咯並[1,2-a]苯並咪唑、1-十二烷基-2-甲基-3-苄基氯化咪唑、2-甲基咪唑啉、2-苯基咪唑啉等咪唑化合物及咪唑化合物與環氧樹脂的加合物。
作為咪唑系硬化劑，可以使用市售品，例如可以舉出三菱化學公司製造之「P200-H50」等。
胍系硬化劑，例如可以舉出二氰二胺、1-甲基胍、1-乙基胍、1-環己基胍、1-苯基胍、1-(鄰甲苯基)胍、二甲基胍、二苯基胍、三甲基胍、四甲基胍、五甲基胍、1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯、7-甲基-1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯、1-甲基雙胍、1-乙基雙胍、1-正丁基雙胍、1-正十八烷基雙胍、1,1-二甲基雙胍、1,1-二乙基雙胍、1-環己基雙胍、1-烯丙基雙胍、1-苯基雙胍、1-(鄰甲苯基)雙胍等。
作為金屬系硬化劑，例如可以舉出鈷、銅、鋅、鐵、鎳、錳、錫等金屬之有機金屬錯合物或有機金屬鹽。作為有機金屬錯合物之具體例，可以舉出鈷(II)乙醯丙酮酸鹽(acetylacetonate)、鈷(III)乙醯丙酮酸鹽等有機鈷錯合物、銅(II)乙醯丙酮酸鹽等有機銅錯合物、鋅(II)乙醯丙酮酸鹽等有機鋅錯合物、鐵(III)乙醯丙酮酸鹽等有機鐵錯合物、鎳(II)乙醯丙酮酸鹽等有機鎳錯合物、錳(II)乙醯丙酮酸鹽等有機錳錯合物等。作為有機金屬鹽，例如可以舉出辛酸鋅、辛酸錫、環烷酸鋅、環烷酸鈷、硬脂酸錫、硬脂酸鋅等。
環氧樹脂與硬化劑之含量比，依[環氧樹脂的環氧基之合計數]：[硬化劑之反應基的合計數]之比率，以1：0.2～1：2之範圍為佳，1：0.3～1：1.5更佳，1：0.4～1：1.2進而更佳。在此，所謂硬化劑的反應基，是指活性羥基、活性酯基等，隨著硬化劑的種類而有所不同。此外，環氧樹脂之環氧基的合計數，是指把各環氧樹脂的不揮發成分質量除以環氧當量之值針對全部的環氧樹脂合計之值，所謂硬化劑的反應基的合計數，是指把各硬化劑的不揮發成分質量除以反應基當量之值針對全部的硬化劑合計之值。藉由使環氧樹脂與硬化劑之含量比在這樣的範圍，可以更為提高所得到的硬化物的耐熱性。
(C)硬化劑之含量，沒有特別限定，樹脂組成物中的不揮發成分為100質量%的情形，較佳為0.01質量%以上，更佳為0.1質量%以上，進而為0.5質量%以上。其上限，較佳為10質量%以下，更佳為5質量%以下，進而更佳為2質量%以下。
＜(D)非磁性無機填充材＞ 本發明之樹脂組成物作為任意成分有含有(D)非磁性無機填充材的情形。(D)非磁性無機填充材，係與(A)成分不同，為無磁性之成分。
(D)非磁性無機填充材的材料沒有特別限制，例如可以舉出二氧化矽、氧化鋁、玻璃、堇青石、氧化矽、硫酸鋇、碳酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氧化鋅、水滑石、勃姆石、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、氮化鋁、氮化錳、硼酸鋁、碳酸鍶、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化鈦、氧化鋯、鈦酸鋇、鈦酸鋯酸鋇、鋯酸鋇、鋯酸鈣、磷酸鋯、磷酸鎢酸鋯等，以二氧化矽為特別適切。作為二氧化矽，例如可以舉出無定形二氧化矽、熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、合成二氧化矽、中空二氧化矽等。此外，作為二氧化矽以球形二氧化矽為佳。(D)非磁性無機填充材，可以單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。
(D)作為非磁性無機填充材之市售品，例如可以舉出Nippon Aerosil公司製造之「RY-200」、「A200」；電化化學工業社製造之「UFP-30」；新日鐵住金材料公司製造之「SP60-05」、「SP507-05」；Admatechs公司製造之「YC100C」、「YA050C」、「YA050C-MJE」、「YA010C」；Denka公司製造的「UFP-30」；Tokuyama公司製造的「Silfill NSS-3N」、「Silfill NSS-4N」、「Silfill NSS-5N」；Admatex公司製造的「SC2500SQ」、「SO-C4」、「SO-C2」、「SO-C1」等。
(D)非磁性無機填充材之平均粒徑，雖沒有特別限定，由得到本發明所要的效果之觀點而言，較佳為20μm以下，更佳為10μm以下，又更佳為8μm以下，進而又更佳為6μm以下，特別佳為5μm以下。非磁性無機填充材之平均粒徑之下限，由得到本發明所要的效果之觀點而言，較佳為0.1μm以上，更佳為1μm以上，又更佳為2μm以上，進而又更佳為3μm以上，特別佳為4μm以上。非磁性無機填充材的平均粒徑可以藉由根據Mie散射理論之雷射繞射/散射法來測定。具體而言，可以藉由雷射繞射散射式粒徑分布測定裝置，以體積基準作成非磁性無機填充材的粒徑分布，藉由以其真直徑(median diameter)作為平均粒徑來測定。測定試樣，可以使用秤取非磁性無機填充材100mg、甲基乙基酮10g於小玻璃瓶(vial)中，以超音波分散10分鐘者。將測定試樣、使用雷射繞射式粒徑分布測定裝置、且使用光源波長設為藍色及紅色，以流通槽(flow cell)方式測定非磁性無機填充材的體積基準之粒徑分布，由得到的粒徑分布算出平均粒徑作為真直徑。作為雷射繞射式粒徑分布測定裝置，可列舉HORIBA, Ltd.製造的「LA-960」等。
(D)非磁性無機填充材，由提高耐濕性及分散性之觀點而言，以胺基矽烷系耦合劑、環氧矽烷系耦合劑、巰基矽烷戲耦合劑、烷氧基矽烷化合物、有機矽氧烷化合物、鈦酸鹽系耦合劑等之1種以上的表面處理劑所處理為佳。表面處理劑之市售品，例如可以舉出信越化學工業公司製造之「KBM403」(3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製造之「KBM803」(3-巰基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製造之「KBE903」(3-胺基丙基三乙氧基矽烷)、信越化學工業公司製造之「KBM573」(N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製造之「SZ-31」(六甲基二矽氮烷)、信越化學工業公司製造之「KBM103」(苯基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製造之「KBM-4803」(長鏈環氧型矽烷耦合劑)、信越化學工業公司製造之「KBM-7103」(3,3,3-三氟丙基三甲氧基矽烷)等。
利用表面處理劑的表面處理之程度，由提高非磁性無機填充材的分散性之觀點而言，落在指定的範圍為佳。具體而言，非磁性無機填充材100質量%，以0.2質量%～5質量%之表面處理劑來進行表面處理較佳，以0.2質量%～3質量%來進行表面處理更佳，以0.3質量%～2質量%來進行表面處理又更佳。
利用表面處理劑之表面處理的程度，可以根據非磁性無機填充材之單位表面積的碳量來進行評估。非磁性無機填充材之單位表面積的碳量，由提高非磁性無機填充材的分散性之觀點而言，為0.02mg/m2 以上較佳，0.1mg/m2 以上更佳，0.2mg/m2 以上又更佳。另一方面，由防止磁性糊的熔融黏度或在薄板型態之熔融黏度的上升之觀點而言，為1mg/m2 以下較佳，0.8mg/m2 以下更佳，0.5mg/m2 以下又更佳。
(D)非磁性無機填充材的單位表面積的碳量，可以在藉由溶劑(例如甲基乙基酮(MEK))洗淨處理表面處理後的非磁性無機填充材之後進行測定。具體而言，作為溶劑把充分量的MEK加入以表面處理劑表面處理之非磁性無機填充材，在25℃進行5分鐘的超音波洗淨。可以在除去上部澄清液，使固形成分乾燥之後，使用碳分析計測定非磁性無機填充材的單位表面積之碳量。作為碳分析計，可以使用堀場製作所公司製造的「EMIA-320V」等。
(D)非磁性無機填充材的比表面積，由更為提高本發明的效果之觀點而言，為1m2 /g以上較佳，2m2 /g以上更佳，特別佳為3m2 /g以上。上限雖沒有特別限制，較佳為50m2 /g以下，20m2 /g以下更佳，10m2 /g以下或5m2 /g以下又更佳。非磁性無機填充材的比表面積，係依照BET法，藉由使用比表面積測定裝置(MOUNTECH(股)公司製造的Macsorb HM-1210)並使試樣表面吸附氮氣，採用BET多點法算出比表面積而得。
(D)非磁性無機填充材之含量，樹脂組成物中的不揮發成分為100質量%之情形，為10質量%以下較佳，5質量%以下更佳，2質量%以下又更佳，特別佳為1質量%以下。樹脂組成物含有(D)非磁性無機填充材之情形，其含量的下限雖沒有特別限定，例如，可以為0.001質量%以上、0.01質量%以上、0.1質量%以上、0.2質量%以上等。
＜(E)其他添加劑＞ 本發明之樹脂組成物，因應需要進而含有(E)其他添加劑亦可。作為這個其他添加劑，例如，可列舉其他的樹脂成分、分散劑、硼酸三乙酯等的硬化阻滯劑、難燃劑、增黏劑、消泡劑、調平劑、密接性賦予劑、及著色劑等的樹脂添加劑、有機溶劑等。其他添加劑的含量，可以根據熟悉該項技藝者(業者)而適當設定。
＜樹脂組成物之特性＞ 本發明之樹脂組成物，作為磁性粉體而使用含鎳的磁性粉體，所以藉由把該樹脂組成物的磁性硬化物使用於電路基板的製造，即使在不利用氧化劑進行磁性硬化物層表面的處理的情形，也可以抑制在基板製造之濕式鍍層製程會在處理液中產生的磁性異物的產生量。
將熱硬化本發明之樹脂組成物而得到的磁性硬化物、在30℃浸漬1分鐘於軟蝕刻液(Na2 S2 O8 100g/L,H2 SO4 (75%水溶液))之情形之單位表面積的質量減少量、亦即蝕刻速率，較佳為25mg/cm2 以下，20mg/cm2 以下更佳，15mg/cm2 以下又更佳，特別佳為12mg/cm2 以下。下限雖沒有特別限制，例如，可以為0.01mg/cm2 以上、0.1mg/cm2 以上、1mg/cm2 以上等。
本發明之樹脂組成物熱硬化而得到的磁性硬化物在測定頻率100MHz、室溫23℃之相對導磁率(μ’)，為2以上較佳，3以上更佳，3.5以上又更佳，特別佳為4以上。
於一實施型態，本發明之樹脂組成物，係可以藉由含有(A)成分而容易得到適於研磨的硬度的磁性硬化物。從而，於該實施型態，本發明之樹脂組成物的磁性硬化物，研磨性優異，所以可以容易進行濕式鍍層製程之(2)研磨步驟的研磨。藉由本發明之樹脂組成物含有(A)成分，例如，樹脂組成物熱硬化而得到的磁性硬化物表面依據JIS K 5600-5-4而測定之鉛筆硬度，較佳為5H以下，特別佳是4H以下。下限為F以上較佳，H以上更佳，2H以上又更佳，特別佳為3H以上。
＜樹脂組成物之製造方法＞ 樹脂組成物，例如，可以藉由將配合成分、使用3個輥、旋轉混合機、高速旋轉混合機等的攪拌裝置予以攪拌之方法來製造。樹脂組成物，可以於製造後等進行脫泡。例如，可列舉利用靜置的脫泡、利用離心分離的脫泡、真空脫泡、攪拌脫泡、及利用該等的組合等之脫泡。
形成基板的磁性硬化物時，樹脂組成物，可以在糊狀的樹脂組成物(磁性糊)的型態下使用，抑或在包含該樹脂組成物的層之磁性薄板的型態下使用。 [實施例]
以下，根據實施例進而更具體地說明本發明，但本發明並不以這些實施例為限。又，於以下的記載，表示量的「部」及「%」在沒有另外特別明示的情形，分別意味著「質量部」以及「質量%」。
＜實施例1＞ 將環氧樹脂(「ZX-1059」、雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂的混合品、NIPPON STEEL Chemical & Material(股)公司製造)8.3質量部、硬化劑(「2MZA-PW」、咪唑系硬化促進劑、2,4-雙胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION製造)1質量部、氣相式二氧化矽(「RY200」、NIPON AEROSIL(股)公司製造)0.2質量部、磁性粉體(「MA-RCO-5」、Fe-Ni系合金、鎳含有率50%：Fe含有率50%、平均粒徑3μm、DOWA Electronics Materials(股)公司製造)62質量部予以混合，調製糊狀的樹脂組成物。
＜實施例2＞ 將實施例1中、磁性粉體(「MA-RCO-5」、Fe-Ni系合金、鎳含有率50%：Fe含有率50%、平均粒徑3μm、DOWA Electronics Materials(股)公司製造)62質量部，變更為53質量部。以上的事項以外係與實施例1同樣作法，調製糊狀的樹脂組成物。
＜實施例3＞ 將實施例1中、磁性粉體(「MA-RCO-5」、Fe-Ni系合金、鎳含有率50%：Fe含有率50%、平均粒徑3μm、DOWA Electronics Materials(股)公司製造)62質量部，變更為70質量部。以上的事項以外係與實施例1同樣作法，調製糊狀的樹脂組成物。
＜實施例4＞ 將實施例1中、磁性粉體(「MA-RCO-5」、Fe-Ni系合金、鎳含有率50%：Fe含有率50%、平均粒徑3μm、DOWA Electronics Materials(股)公司製造)62質量部，變更為磁性粉體(「80%Ni-4Mo」、Fe-Ni-Mo系合金、Ni含有率80%：Fe含有率16%：Mo含有率4%、平均粒徑3μm、EPSON ATMIX Corporation製造)62質量部。以上的事項以外係與實施例1同樣作法，調製糊狀的樹脂組成物。
＜實施例5＞ 將實施例1中、磁性粉體(「MA-RCO-5」、Fe-Ni系合金、鎳含有率50%：Fe含有率50%、平均粒徑3μm、DOWA Electronics Materials(股)公司製造)62質量部，變更為44質量部。以上的事項以外係與實施例1同樣作法，調製糊狀的樹脂組成物。
＜實施例6＞ 將實施例1中、磁性粉體(「MA-RCO-5」、Fe-Ni系合金、鎳含有率50%：Fe含有率50%、平均粒徑3μm、DOWA Electronics Materials(股)公司製造)62質量部，變更為36質量部。以上的事項以外係與實施例1同樣作法，調製糊狀的樹脂組成物。
＜比較例1＞ 將實施例1中、磁性粉體(「MA-RCO-5」、Fe-Ni系合金、鎳含有率50%：Fe含有率50%、平均粒徑3μm、DOWA Electronics Materials(股)公司製造)62質量部，變更為磁性粉體(「AW2-08PF3F」、Fe-Si系合金、平均粒徑3μm、EPSON ATMIX Corporation製造)53質量部。以上的事項以外係與實施例1同樣作法，調製糊狀的樹脂組成物。
＜比較例2＞ 將實施例1中、磁性粉體(「MA-RCO-5」、Fe-Ni系合金、鎳含有率50%：Fe含有率50%、平均粒徑3μm、DOWA Electronics Materials(股)公司製造)62質量部，變更為磁性粉體(「Fe-6.5Si-4.5Cr」、Fe-Si-Cr系合金、平均粒徑3μm、EPSON ATMIX Corporation製造)62質量部。以上的事項以外係與實施例1同樣作法，調製糊狀的樹脂組成物。
＜試驗例1：磁性粉體的溶解性評估＞ 計量10g糊狀樹脂組成物的原料之磁性粉體，投入2N硫酸100mL，40℃浸漬5分鐘。其後，用濾紙(Kiriyama Glass Works Co.製造、No.5B 60mmφ)回收磁性粉體，於100℃進行60分鐘的乾燥之後用精密天秤進行磁性粉體的重量測定，算出重量保持率(%)。
＜試驗例2：相對導磁率評估＞ 作為支撐體，準備矽系脫模劑處理的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(Lintec(股)製造的「PET501010」、厚度50μm)。將實施例及比較例的糊狀樹脂組成物於前述PET膜的脫模面上、以乾燥後的糊層厚度成為100μm之方式，用刮刀均勻地塗布，得到樹脂薄板。藉由將得到的樹脂薄板在180℃加熱90分鐘，使糊層熱硬化，藉由剝離支撐體而得到薄板狀硬化物。
將製作的薄板狀硬化物、切斷成寬幅5mm、長度18mm的試驗片，進行評估試樣。將此評估試樣、用Agilent Technologies(股)公司製造的「HP8362B」，依3匝線圈法設定測定頻率100MHz，於室溫23℃測定相對導磁率(μ’)。
＜試驗例3：蝕刻速率評估＞ 將使用實施例及比較例的糊狀樹脂組成物製作出的試驗例2的薄板狀硬化物裁斷成5cmx5cm的大小，在130℃乾燥15分鐘，該乾燥後立即測定質量。以這作為試樣A，試樣A的質量設為「X1」。將試樣A、於Atotech Japan(股)公司製造的Cleaner sequricant902(音譯)在60℃下浸漬5分鐘，水洗處理後，於軟蝕刻液(Na2 S2 O8 ：100g/L,H2 SO4 (75%aq.)14.2ml/L)在30℃下浸漬1分鐘後，得到粗化試樣A。將粗化試樣A予以水洗，在130℃下乾燥15分鐘後立即測定質量。該剛乾燥後的粗化試樣A的質量設為「X2」。藉由下列式，求出藉由樹脂組成物的硬化物的粗化處理之蝕刻速率(mg/cm2 )。 蝕刻速率(mg/cm2 )=｛(X1-X2)/25｝
＜試驗例4：鉛筆硬度評估＞ 針對使用實施例及比較例的糊狀樹脂組成物製作出的試驗例2的薄板狀硬化物之不與PET膜相對向的面，依據JIS K 5600-5-4的試驗方法，測定薄板狀硬化物表面的硬度。以不產生畫痕的最硬鉛筆的硬度設為鉛筆硬度。
＜試驗例5：不溶物量評估＞ 作為印刷基板，準備將玻璃布基材環氧樹脂雙面貼銅層積版(銅箔厚度18μm、基板厚度0.8mm、松下電工(股)公司製造R1515A)的雙面、用微蝕刻劑(MEC COMPANY LTD.製造CZ8100)蝕刻1μm並進行銅表面的粗化處理者。於準備了的印刷基板上，將製作的樹脂組成物用刮刀均勻地塗布，形成約120μm厚的糊層。將糊層在130℃下加熱30分鐘，進而藉由在145℃下加熱30分鐘而熱硬化，形成磁性硬化物。實施形成的磁性硬化物的表面拋光研磨之後，藉由高壓水洗(3.0MPa、15秒)予以洗淨，藉由在180℃加熱30分鐘來進行熱處理。將製作的基板切斷成5cm見方後，以該基板作為評估基板。
將製作的評估基板(5cm見方)、於還原用溶液(「Reducer Accelerator 810mod.」、Atotech Japan(股)公司製造、60ml、「Reducer neo-Gant WA」、Atotech Japan(股)公司製造、3ml)在40℃下浸漬24小時。使用濾紙(Kiriyama Glass Works Co.製造、No.5B 60mmφ)將析出的沉澱物作為不溶物濾出，於真空乾燥5小時後用精密天秤進行不溶物量(mg/L)的測定，依以下的基準進行評估。 ○：不溶物量為未滿300mg/L ×：不溶物量為300mg/L以上
將實施例及比較例的樹脂組成物的不揮發成分及其含量、以及試驗例的測定結果及評估，顯示於後記表1。
Figure 02_image001
由實施例可知，作為磁性粉體使用含鎳者之情形，可大大抑制不溶物量。另一方面，不使用含鎳的磁性粉體之比較例，析出多量的不溶物。此外，由實施例可知，作為磁性粉體使用含鎳者之情形，與不使用之情形相比較，前者鉛筆硬度低、研磨性優異。
10:芯基板 11:支撐基板 12:第1金屬層 13:第2金屬層 14:穿通孔 20:鍍層 30a:樹脂組成物 30:磁性硬化物 40:導體層 41:圖案導體層 100:感應器零件 200:內層基板 200a:第1主表面 200b:第2主表面 220:穿通孔 220a:穿通孔內配線 240:外部端子 300:磁性部 310:磁性薄板 320a:樹脂組成物層 320:第1磁性硬化物層 330:支撐體 340:第2磁性硬化物層 360:通孔(via hole) 360a:通孔內配線 400:線圈狀導電性構造體 420:第1導體層 420a:連接盤 440:第2導體層
[圖1]係電路基板的製造方法之第1實施型態之一例之芯基板的模式剖面圖。 [圖2]係電路基板的製造方法之第1實施型態之一例之形成穿通孔的芯基板的模式剖面圖。 [圖3]係電路基板的製造方法之第1實施型態之一例之在穿通孔內形成鍍層的模樣之模式剖面圖。 [圖4]係電路基板的製造方法之第1實施型態之一例之在穿通孔內填充穿通孔填充用糊的模樣之模式剖面圖。 [圖5]係電路基板的製造方法之第1實施型態之一例之使填充的穿通孔填充用糊熱硬化的磁性硬化物的模樣之模式剖面圖。 [圖6]係電路基板的製造方法之第1實施型態之一例之研磨磁性硬化物後的模樣之模式剖面圖。 [圖7]係電路基板的製造方法之第1實施型態之一例之在研磨的面上形成導體層的模樣之模式剖面圖。 [圖8]係電路基板的製造方法之第1實施型態之一例之形成圖案導體層的模樣之模式剖面圖。 [圖9]係供說明電路基板的製造方法之第2實施型態之一例之(α)步驟的模式剖面圖。 [圖10]係供說明電路基板的製造方法之第2實施型態之一例之(α)步驟的模式剖面圖。 [圖11]係供說明電路基板的製造方法之第2實施型態之一例之(β)步驟的模式剖面圖。 [圖12]係電路基板的製造方法之第2實施型態之一例之形成圖案導體層的模樣之模式剖面圖。 [圖13]係由厚度方向之一方來觀察包含藉由作為一例之電路基板之製造方法的第2實施型態所得到的電路基板之感應器零件的模式平面圖。 [圖14]係顯示包含作為一例在II-II單點虛線所示的位置切斷之藉由電路基板之製造方法的第2實施型態所得到的電路基板之感應器零件的切斷端面之模式圖。 [圖15]係包含藉由作為一例之電路基板之製造方法的第2實施型態所得到的電路基板之感應器零件之中的第1導體層的構成之模式平面圖。

Claims (11)

  1. 一種電路基板之製造方法，依序包含： (1)使樹脂組成物熱硬化，得到磁性硬化物之步驟， (2)研磨磁性硬化物表面之至少一部分的步驟，及 (3)於磁性硬化物之研磨的面上的至少一部分，藉由濕式鍍層形成導體層之步驟； 樹脂組成物，包含 (A)含鎳的磁性粉體， (B)環氧樹脂，及 (C)硬化劑。
  2. 如請求項1之電路基板之製造方法，其中(A)成分為鎳鐵合金系金屬粉。
  3. 如請求項1之電路基板之製造方法，其中(A)成分中的鎳含量為30質量%～90質量%。
  4. 如請求項1之電路基板之製造方法，其中以樹脂組成物中之不揮發成分為100質量%的情形，樹脂組成物中的(A)成分含量為70質量%～98質量%。
  5. 如請求項1之電路基板之製造方法，其中在2N硫酸在40℃下浸漬5分鐘的情形之(A)成分的重量保持率為90%以上。
  6. 如請求項1之電路基板之製造方法，其中(B)成分包含在25℃下為液狀的環氧樹脂。
  7. 如請求項1之電路基板之製造方法，其中(C)成分為由酸酐系硬化劑、胺系硬化劑及咪唑系硬化劑構成的群所選擇的硬化劑。
  8. 如請求項1之電路基板之製造方法，其中在步驟(1)得到的磁性硬化物的表面之依照日本工業標準JIS K 5600-5-4測定的鉛筆硬度分級為F～5H。
  9. 如請求項1之電路基板之製造方法，其中把在步驟(1)得到的磁性硬化物在30℃下浸漬於軟蝕刻液(Na2 S2 O8 100g/L,H2 SO4 (75%水溶液))中1分鐘的情形之蝕刻速率為25mg/cm2 以下。
  10. 如請求項1之電路基板之製造方法，其中樹脂組成物為糊狀。
  11. 一種樹脂組成物，含有(A)含鎳的磁性粉體、(B)環氧樹脂、及(C)硬化劑。
TW109108708A 2019-03-18 2020-03-17 電路基板之製造方法 TW202103188A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-050281 2019-03-18
JP2019050281 2019-03-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202103188A true TW202103188A (zh) 2021-01-16

Family

ID=72520158

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109108708A TW202103188A (zh) 2019-03-18 2020-03-17 電路基板之製造方法

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP3944272A4 (zh)
JP (2) JP7414805B2 (zh)
KR (1) KR20210138607A (zh)
CN (1) CN113597652A (zh)
TW (1) TW202103188A (zh)
WO (1) WO2020189692A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI763499B (zh) * 2021-05-24 2022-05-01 大陸商宏啟勝精密電子（秦皇島）有限公司 電路板及其製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113573486B (zh) * 2021-09-28 2021-12-14 广东科翔电子科技股份有限公司 一种rf-ic载板制作装置以及制作方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09129449A (ja) * 1995-10-30 1997-05-16 Toshiba Corp インダクタおよびその製造方法
JP2001096665A (ja) * 1999-10-01 2001-04-10 Tdk Corp 基 板
JP2001203463A (ja) * 2000-01-21 2001-07-27 Taiyo Ink Mfg Ltd 層間接続用導電性ペースト、及びそれを用いた多層プリント配線板とその製造方法
US6706975B2 (en) * 2000-07-13 2004-03-16 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Paste for filling throughhole and printed wiring board using same
JP2002175921A (ja) * 2000-09-20 2002-06-21 Tdk Corp 電子部品およびその製造方法
JP2004047700A (ja) * 2002-07-11 2004-02-12 Jfe Steel Kk 非接触充電器用平面磁気素子
JP2005317351A (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Alps Electric Co Ltd 導電性ペースト
JP2008081818A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd ニッケル―鉄合金ナノ粒子の前駆体粉末の製造方法およびニッケル―鉄合金ナノ粒子の前駆体粉末、ニッケル―鉄合金ナノ粒子の製造方法およびニッケル―鉄合金ナノ粒子
JP2009016504A (ja) 2007-07-03 2009-01-22 Shinko Electric Ind Co Ltd インダクタ内蔵型多層配線基板
JP2012131899A (ja) * 2010-12-21 2012-07-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、樹脂シート、金属ベース回路基板、インバータ装置、及びパワー半導体装置
JP2012186440A (ja) 2011-02-18 2012-09-27 Ibiden Co Ltd インダクタ部品とその部品を内蔵しているプリント配線板及びインダクタ部品の製造方法
JP2016197624A (ja) 2015-04-02 2016-11-24 イビデン株式会社 インダクタ部品、インダクタ部品の製造方法、インダクタ部品を内蔵するプリント配線板
KR101564197B1 (ko) * 2015-05-19 2015-10-28 주식회사 뉴프린텍 홀 플러깅용 복합 수지 조성물
JP6407186B2 (ja) * 2016-03-23 2018-10-17 Tdk株式会社 電子回路パッケージ
JP6953279B2 (ja) * 2016-12-07 2021-10-27 日東電工株式会社 モジュールの製造方法
JP2018133358A (ja) * 2017-02-13 2018-08-23 株式会社豊田中央研究所 印刷用磁性体ペースト及びその製造方法
WO2018194100A1 (ja) * 2017-04-19 2018-10-25 味の素株式会社 樹脂組成物
JP6901327B2 (ja) * 2017-06-12 2021-07-14 株式会社フジミインコーポレーテッド フィラー、成形体、及び放熱材料
KR20200130323A (ko) * 2018-03-23 2020-11-18 아지노모토 가부시키가이샤 스루홀 충전용 페이스트

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI763499B (zh) * 2021-05-24 2022-05-01 大陸商宏啟勝精密電子（秦皇島）有限公司 電路板及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020189692A1 (ja) 2020-09-24
JP7414805B2 (ja) 2024-01-16
EP3944272A4 (en) 2022-12-28
JPWO2020189692A1 (ja) 2021-11-04
CN113597652A (zh) 2021-11-02
KR20210138607A (ko) 2021-11-19
JP2022126796A (ja) 2022-08-30
JP7420167B2 (ja) 2024-01-23
EP3944272A1 (en) 2022-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI793282B (zh) 通孔用填充糊
TWI781166B (zh) 樹脂組成物、硬化物、接著薄膜、內載電感元件之配線板、晶片電感零件以及印刷配線板
WO2020022393A1 (ja) 磁性ペースト
TW201842123A (zh) 樹脂組成物
JP2017179058A (ja) 樹脂シート
JP7420167B2 (ja) 回路基板の製造方法
JP2017179055A (ja) 熱硬化性樹脂組成物
JP2017149861A (ja) 支持体付き樹脂シート
JP2023164858A (ja) 磁性組成物
TW202214780A (zh) 樹脂組成物
TW202230402A (zh) 磁性糊料
JP2024010200A (ja) 樹脂組成物
WO2020189778A1 (ja) 樹脂組成物
TW202245556A (zh) 樹脂組成物
JP7222228B2 (ja) 基板の製造方法
JP7463736B2 (ja) 樹脂組成物
TWI811344B (zh) 附有支撐體的接著薄片
TW202134341A (zh) 磁性糊料
JP7423896B2 (ja) 基板の製造方法
WO2024048283A1 (ja) 磁性基板の製造方法、及び、磁性基板
TWI835277B (zh) 樹脂組成物
TW202344148A (zh) 印刷配線板之製造方法