TW202035976A

TW202035976A - 圖案檢查裝置及圖案檢查方法

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Publication number: TW202035976A
Application number: TW108135989A
Authority: TW
Inventors: 井上貴文; 中島和弘; 磯部学; 秋山裕照
Original assignee: 日商紐富來科技股份有限公司
Priority date: 2018-11-15
Filing date: 2019-10-04
Publication date: 2020-10-01
Also published as: JP7215882B2; CN111192836A; TWI757642B; JP2020085454A; US11145050B2; CN111192836B; US20200160496A1

Abstract

本發明涉及圖案檢查裝置及圖案檢查方法。本發明的一態樣的圖案檢查裝置具備：光學圖像取得機構，其從形成有複數個圖形圖案之基板取得複數個區域的光學圖像資料；複數個比較處理電路，其等進行將光學圖像資料彼此進行比較的晶粒-晶粒檢查處理、和將光學圖像資料與從設計圖案資料作成的參照圖像資料進行比較的晶粒-資料庫檢查處理中的一個處理；和檢查處理電路，其按複數個區域中的每個區域，對複數個比較處理電路之中被按區域可變地設定的數量的比較處理電路分別輸出該區域的光學圖像資料，對光學圖像資料的輸出目的地的各比較處理電路控制為進行晶粒-晶粒檢查處理或晶粒-資料庫檢查處理。

Description

圖案檢查裝置及圖案檢查方法

本發明涉及圖案檢查裝置及圖案檢查方法。例如，涉及就物體(成為用於半導體製造之樣品者)的圖案缺陷進行檢查的圖案檢查技術，涉及就在製造半導體元件、液晶顯示器(LCD)時使用的光罩、晶圓、或液晶基板等的極小的圖案的缺陷進行檢查的方法。

近年來，隨著大型積體電路(LSI)的高積體化及大容量化，半導體元件所要求的電路線寬逐漸變窄。此等半導體元件是使用形成有電路圖案的原始圖像圖案(亦稱為遮罩或倍縮光罩。以下總稱為遮罩)，以稱為所謂的步進曝光機的縮小投影曝光裝置將圖案曝光轉印於晶圓上而形成電路從而製造。因此，在為了將該微細的電路圖案轉印於晶圓用的遮罩的製造中，使用一圖案描繪裝置，該圖案描繪裝置為使用可描繪微細的電路圖案之電子束者。有時亦使用該圖案描繪裝置直接將圖案電路描繪於晶圓。或者，除電子束以外正亦嘗試使用雷射光束而描繪的雷射束描繪裝置的開發。並且，就耗費極大的製造成本的LSI的製造而言，良率的提升至關重要。然而，如以十億位元級的DRAM(隨機存取記憶體)為代表，構成LSI的圖案將從亞微米邁向奈米級。作為使良率降低的重大的因素之一，舉例在以光刻技術將超微細圖案曝光並轉印於半導體晶圓上之際使用的遮罩的圖案缺陷。近年來，隨著形成於半導體晶圓上的LSI圖案尺寸的微細化，需要作為圖案缺陷被檢測出的尺寸亦變為極小者。為此，需要就使用於LSI製造的轉印用遮罩的缺陷進行檢查的圖案檢查裝置的高精度化。檢查手法方面，已知比較使用放大光學系統以既定的倍率就形成於光刻遮罩等的樣品上的圖案進行攝像所得的光學圖像、和設計資料或就樣品上的相同圖案進行攝像所得的光學圖像從而進行檢查的方法。例如，圖案檢查方法方面，包括：將就相同遮罩上的不同位置的相同圖案進行攝像所得的光學圖像資料彼此進行比較的「晶粒-晶粒(die to die)檢查」；對檢查裝置輸入將經圖案設計的CAD資料轉換為裝置輸入格式(為了在將圖案描繪於遮罩時描繪裝置進行輸入)所得的描繪資料(設計資料)，以此為基礎生成設計圖像(參照圖像)，將其與光學圖像(就圖案進行攝像所得的測定資料)進行比較的「晶粒-資料庫(die to database)檢查」。在該檢查裝置的檢查方法，樣品被載置於載台上，載台移動使得光束在樣品上掃描，進行檢查。對樣品，透過光源及照明光學系統照射光束。在樣品透射或反射的光經由光學系統而成像於感測器上。以感測器攝像所得的圖像被作為測定資料送往比較電路。在比較電路，進行圖像彼此的位置對準後，依適切的運算法比較測定資料與參照資料，未落入容許內的情況下，判定為有圖案缺陷。於此，上述的晶粒-晶粒(DD)檢查與晶粒-資料庫(DB)檢查是獨立動作。為此，檢查1個基板時，在摻雜打算進行上述的晶粒-晶粒檢查的區域與打算進行晶粒-資料庫檢查的區域的情況下，需要特意實施2次檢查。為此，進行兩檢查的情況下，需要2次掃描動作與2次設定動作，存在檢查時間延長化如此的問題。於此，配置可進行晶粒-晶粒檢查與晶粒-資料庫檢查雙方的複數個檢查比較部，對以1次攝像獲得的圖像資料，在相同的檢查比較部內，首先進行晶粒-資料庫檢查。並且，在判斷為無缺陷的情況下判斷為該圖像資料ok。並且，在相同的檢查比較部內，在ok的圖像資料與其他圖像資料之間進行晶粒-晶粒檢查。在判定為存在缺陷的情況下判斷為在該其他圖像資料存在缺陷如此的技術已被揭露(例如參見特開2005-134347號公報)。然而，該技術僅為將可使用於晶粒-晶粒檢查的作為原件(master)的晶粒的圖像資料以晶粒-資料庫檢查進行探索。

本發明的一態樣提供即使摻雜打算進行晶粒-晶粒檢查的區域與打算進行晶粒-資料庫檢查的區域的情況下仍可使檢查處理有效率地進行的圖案檢查裝置及圖案檢查方法。本發明的一態樣的圖案檢查裝置具備：光學圖像取得機構，其從形成有複數個圖形圖案之基板取得複數個區域的光學圖像資料；複數個比較處理電路，其等進行將光學圖像資料彼此進行比較的晶粒-晶粒檢查處理、和將光學圖像資料與從設計圖案資料作成的參照圖像資料進行比較的晶粒-資料庫檢查處理進行中的一個處理；檢查處理電路，其按複數個區域中的每個區域，對複數個比較處理電路之中被按區域可變地設定的數量的比較處理電路分別輸出該區域的光學圖像資料，對光學圖像資料的輸出目的地的各比較處理電路控制為進行晶粒-晶粒檢查處理或晶粒-資料庫檢查處理。本發明的一態樣的圖案檢查方法：從形成有複數個圖形圖案之基板取得複數個區域的光學圖像資料，按複數個區域中的每個區域，進行將光學圖像資料彼此進行比較的晶粒-晶粒檢查處理、和將光學圖像資料與從設計圖案資料作成的參照圖像資料進行比較的晶粒-資料庫檢查處理中的一個處理，對複數個比較處理電路之中被按區域可變地設定的數量的比較處理電路分別輸出該區域的光學圖像資料，透過光學圖像資料的輸出目的地的各比較處理電路，對該區域的光學圖像資料進行晶粒-晶粒檢查處理或晶粒-資料庫檢查處理，輸出結果。

以下，在實施方式就即使摻雜打算進行晶粒-晶粒檢查的區域與打算進行晶粒-資料庫檢查的區域的情況下仍可有效率地進行檢查處理的檢查裝置及方法進行說明。 [實施方式1] 圖1為就實施方式1中的圖案檢查裝置的構成進行繪示的構成圖。於圖1，就形成於檢查對象基板如遮罩的圖案的缺陷進行檢查的檢查裝置100具備光學圖像取得機構150及控制系統電路160。光學圖像取得機構150具有光源103、照明光學系統170、被可移動地配置的XYθ平台102、放大光學系統104、光電二極體陣列105(感測器的一例)、感測器電路106、長條圖案記憶體123、雷射測長系統122、及自動裝載器130。於XYθ平台102上，配置從自動裝載器130搬送的基板101。基板101方面，例如包含將圖案轉印於晶圓等的半導體基板的曝光用的光罩。此外，於此光罩，形成有複數個圖形圖案(成為檢查對象者)。基板101例如被使圖案形成面朝向下側而配置於XYθ平台102。在控制系統電路160，就檢查裝置100整體進行控制的控制計算機110經由匯流排120連接於位置電路107、複數個比較電路108(108a~108n)、複數個參照圖像作成電路112(112a~112m)、自動裝載器控制電路113、平台控制電路114、結合電路140、比較電路種運算電路142、分配電路144、磁碟裝置109、圖形使用者介面(GUI)電路111、磁帶裝置115、軟碟裝置(FD)116、CRT117、圖案監視器118、及印表機119。此外，感測器電路106連接於長條圖案記憶體123，長條圖案記憶體123連接於複數個比較電路108a~108n。此外，XYθ平台102被透過X軸馬達、Y軸馬達、θ軸馬達而驅動。XYθ平台102為載台的一例。另外，位置電路107、複數個比較電路108 (108a~108n)、複數個參照圖像作成電路112(112a~112m)、自動裝載器控制電路113、平台控制電路114、結合電路140、比較電路種運算電路142、及分配電路144如此的一連串的「~電路」具有處理電路(processing circuit)。該處理電路方面，包括電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或半導體裝置等。此外，各「~電路」可使用共通的處理電路(相同的處理電路)。或者，亦可使用不同的處理電路(個別的處理電路)。例如，位置電路107、複數個比較電路108(108a~108n)、複數個參照圖像作成電路112(112a~112m)、自動裝載器控制電路113、平台控制電路114、結合電路140、比較電路種運算電路142、及分配電路144如此的一連串的「~電路」可被由控制計算機110構成並執行。予以執行處理器等的程式可記錄於磁碟裝置109、磁帶裝置115、FD116、或ROM(唯讀記憶體)等的記錄媒體。複數個比較電路108a~108n能以進行DD檢查用、DB檢查用中的任一者的方式預先區別。或者，亦可構成為不特別區別而可應對於任一個處理。另外，n、m為2以上的整數如10左右為適。在檢查裝置100，由光源103、XYθ平台102、照明光學系統170、放大光學系統104、光電二極體陣列105、及感測器電路106構成高倍率的檢查光學系統。此外，XYθ平台102在控制計算機110的控制之下被透過平台控制電路114驅動。透過驅動於X方向、Y方向、θ方向的如3軸 (X-Y-θ)馬達的驅動系統而可移動。此等X馬達、Y馬達、θ馬達例如可使用步進馬達。XYθ平台102可透過XYθ各軸的馬達而移動於水平方向及旋轉方向。並且，配置於XYθ平台102上的基板101的移動位置被透過雷射測長系統122測定，供應至位置電路107。此外，基板101的從自動裝載器130往XYθ平台102的搬送、及基板101的從XYθ平台102往自動裝載器130的搬送處理由自動裝載器控制電路113控制。作為被檢查基板101的圖案形成的根基的描繪資料(設計資料)被從檢查裝置100的外部輸入，儲存於磁碟裝置109。於描繪資料，定義有複數個圖形圖案，各圖形圖案一般而言由複數個要素圖形的組合而構成。另外，亦可存在以一個圖形而構成的圖形圖案。於被檢查基板101上，根據定義於該描繪資料的各圖形圖案，分別形成有對應的圖案。於此，在圖1，記載有關為了說明實施方式1所必要的構成部分。就檢查裝置100而言，一般而言，當然亦可包含必要的其他構成。圖2是為了說明實施方式1中的檢查區域用的概念圖。基板101的檢查區域10(檢查區域整體)如示於圖2，例如假想地分割為朝向Y方向掃描寬W的長條狀的複數個檢查條20。並且，在檢查裝置100，按每個檢查條20取得圖像(長條區域圖像)。對檢查條20的各個，使用雷射光，朝向該長條區域的長邊方向(X方向)就配置於該長條區域內的圖形圖案的圖像進行攝像。另外，為了防止圖像的漏取，複數個檢查條20是優選上設定為鄰接的檢查條20彼此間以既定的邊距寬重疊。透過XYθ平台102的移動，一面使光電二極體陣列105相對地連續移動於X方向一面取得光學圖像。在光電二極體陣列105，連續就如示於圖2的掃描寬W的光學圖像進行攝像。換言之，作為感測器的一例之光電二極體陣列105一面與XYθ平台102(載台)相對移動，一面使用檢查光就形成於基板101的圖形圖案的光學圖像進行攝像。在實施方式1，就一個檢查條20的光學圖像進行攝像後，朝Y方向移動至下個檢查條20的位置，下次一面朝反向移動一面同樣地連續就掃描寬W的光學圖像進行攝像。亦即，以在去路與返路上反向前進的前進(FWD)-後退(BWD)的方向反覆攝像。此外，實際的檢查時，各檢查條20的長條區域圖像如示於圖2，分割為例如掃描寬的1/2的尺寸的矩形的複數個畫格(frame)圖像30。並且，按畫格圖像30進行檢查下去。各檢查條20的長條區域被分割為該畫格圖像30的尺寸的區域即為畫格區域。換言之，各檢查條20的長條區域如示於圖2，被分割為例如掃描寬的1/2的尺寸的矩形的複數個畫格區域。例如，被分割為512×512像素的尺寸。因此，與畫格圖像30進行比較的參照圖像亦同樣地按畫格區域而作成。另外，複數個畫格圖像30是為了防止圖像的漏取而優選上設定為鄰接的畫格圖像30彼此間以既定的邊距寬重疊。於此，攝像的方向不限於前進(FWD)-後退(BWD)的反覆。亦可從其中一個方向進行攝像。例如，亦可為FWD-FWD的反覆。或者，亦可為BWD-BWD的反覆。圖3為就實施方式1中的檢查方法的主要程序進行繪示的流程圖。於圖3，實施方式1中的檢查方法實施晶粒-晶粒(DD)區域/晶粒-資料庫(DB)區域判定程序(S102)、面積比率運算程序(S104)、資料量比率運算程序(S106)、區域分割程序(S107)、系統數決定程序(S108)、分配處理程序(S110)、長條圖像取得程序(S120)、參照圖像作成程序(S130)、並列的複數個檢查程序(S140a~S140d)、和結合程序(S160)如此的一連串的程序。各檢查程序(S140a~S140d)是作為內部程序，實施模式判定程序(S202)、區域判定程序(S204)、畫格圖像作成程序(S206)、位置對準程序(S208)、和比較處理程序(S210)如此的一連串的程序。在圖3之例，示出在兩個檢查程序(S140a、140b)實施DD檢查的情況，示出在兩個檢查程序(S140c、140d)實施DB檢查的情況。圖4為就實施方式1中的比較電路種運算電路的內部構成的一例進行繪示的圖。於圖4，於比較電路種運算電路142內，配置晶粒-晶粒(DD)區域/晶粒-資料庫(DB)區域判定部41、面積比率運算部42、資料量運算部43、資料量比率運算部44、區域分割部45、系統數決定部46、困難度運算部47、及困難度比率運算部48。資料量運算部43及資料量比率運算部44之組、和困難度運算部47及困難度比率運算部48之組是可省略一方。DD區域/DB區域判定部41、面積比率運算部42、資料量運算部43、資料量比率運算部44、區域分割部45、系統數決定部46、困難度運算部47、及困難度比率運算部48如此的一連串的「~部」具有處理電路。該處理電路方面，包括電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或半導體裝置等。此外，各「~部」可使用共通的處理電路(相同的處理電路)。或者，亦可使用不同的處理電路(個別的處理電路)。DD區域/DB區域判定部41、面積比率運算部42、資料量運算部43、資料量比率運算部44、區域分割部45、系統數決定部46、困難度運算部47、及困難度比率運算部48所需的輸入資料或運算的結果每次都被記憶於未圖示的記憶體。圖5為就實施方式1中的晶粒-晶粒(DD)區域/晶粒-資料庫(DB)區域的一例進行繪示的圖。如上述般，檢查1個基板101時，有時摻雜打算進行晶粒-晶粒(DD)檢查的區域與打算進行晶粒-資料庫(DB)檢查的區域。在圖5之例，基板101的檢查區域10中，將右半面之中央部至上方的部分表示為打算進行DD檢查的區域，將其他部分表示為打算進行DB檢查的區域。例如，就形成有線隙圖案等的反覆圖案的區域，DD檢查為優選。此外，配置有相同的圖案佈局之兩個區域間是DD檢查為優選。此外，在配置有未反覆的個別圖案的區域是DB檢查為優選。在圖5之例，將打算進行DD檢查的區域的左半部表示為晶粒1，將右半部表示為晶粒2。另一方面，檢查條20是無關乎打算進行DD檢查的區域與打算進行DB檢查的區域，基板101的檢查區域10被分割為長條狀而被設定。為此，於各檢查條20內，包含僅存在打算進行DD檢查的區域與打算進行DB檢查的區域中的一方的情況或摻雜雙方的情況。再者，於檢查條20間，可能打算進行DD檢查的區域與打算進行DB檢查的區域的位置、尺寸會不同。因此，在實施方式1，就打算進行DD檢查的區域進行DD檢查，就打算進行DB檢查的區域進行DB檢查。為此，首先令使用者從GUI電路111輸入打算進行DD檢查的區域(DD區域)與打算進行DB檢查的區域(DB區域)，將該DD區域/DB區域資訊登錄於磁碟裝置109等。 DD區域/DB區域判定程序(S102)方面，DD區域/DB區域判定部41按檢查條20(區域)，在該檢查條20內判定進行晶粒-晶粒(DD)檢查處理的區域部分與進行晶粒-資料庫(DB)檢查處理的區域部分。具體而言，如以下般動作。DD區域/DB區域判定部41讀出儲存於磁碟裝置109的DD區域/DB區域資訊，按檢查條20，就檢查條20內判定DD區域與DB區域。在圖5之例，例如就檢查條20a，所有的區域判定為DB區域。另一方面，例如就檢查條20b，左半部的區域判定為DB區域21a，右半部的區域判定為DD區域21b。形成於DD區域21b內的圖案非單純的反覆圖案的情況下，只要被配置相同的圖案佈局之兩個區域被預先指定(登錄)，DD區域/DB區域判定部41即可將DD區域21b內進一步分為兩個區域而判定。面積比率運算程序(S104)方面，面積比率運算部42按檢查條20(區域)在該檢查條20內運算進行晶粒-晶粒(DD)檢查處理的部分與進行晶粒-資料庫(DB)檢查處理的部分的面積比率。在圖5之例，就檢查條20a運算為DD區域0% (或0)、DB區域100%(或1)。或者，運算為DD區域/DB區域=0。就檢查條20b，運算為DD區域50%(或0.5)、DB區域50%(或0.5)。或者，運算為DD區域/DB區域=0.5。於摻雜DD區域21b與DB區域21a的檢查條20，在DD區域21b，在晶粒1與晶粒2之間進行比較，故檢查所需的區域進一步成為1/2程度。因此，處理比就相同的尺寸的DB區域21a進行DB檢查的情況還快結束。換言之，DB區域21a的DB檢查是處理時間比DD區域21b的DD檢查長。例如，DD區域21b與DB區域21a的面積比為1：1的情況下，DB檢查比起DD檢查，耗費例如2倍時間。如後述般，在實施方式1，使進行DD檢查的比較電路108和進行DB檢查的比較電路108並列執行。為此，即使僅其中一個比較電路處理先結束，作為對象之檢查條20的檢查仍不會結束直到另一個比較電路的處理結束為止。為此，好不容易處理先結束的其中一個比較電路成為待機狀態直到在另一個比較電路的處理結束為止，效率不佳。為此，如上述般，運算DD區域21b與DB區域21a的面積比率，使得能以DD檢查與DB檢查中的一方處理盡可能不會比另一方延遲的方式而調整在一個比較電路進行處理的檢查條20內的區域。在圖5之例，將DB區域21a分割為DB區域21-1a與DB區域21-2a。於DB檢查耗費時間的其他因素方面，舉例從設計圖案資料作成參照圖像需要長的時間。在DB檢查，在取得透過掃描動作而取得作為對象之檢查條20的光學圖像的期間，需要作成作為對象之檢查條20的參照圖像。只要參照圖像的作成比光學圖像的取得延遲，該期間將使檢查處理為待機。因此，為了不使參照圖像作成的延遲發生，進行以下的運算。資料量比率運算程序(S106)方面，資料量運算部43按檢查條20運算該檢查條20的設計圖案資料的資料大小。具體而言，資料量運算部43從磁碟裝置109讀出描繪資料，運算作為對象之檢查條20的配置於DB區域21a內的圖形圖案的圖案資料的資料大小。並且，接著資料量比率運算部44按檢查條20運算資料大小與資料量閾值Th’的資料量比率。資料量閾值Th’可預先設定期望的值。例如，設定為可在檢查條20的掃描時間內進行圖像展開的資料量為適。圖6是為了說明實施方式1中的取決於資料量的差異之區域分割數用的圖。於圖6，配置於DB區域21a的圖形圖案的資料量比資料量閾值Th’小的情況下，將DB區域21a整體的參照圖像以一個參照圖像作成電路112作成即足。相對於此，配置於DB區域21a的圖形圖案的資料量比資料量閾值Th’大的情況下，不將DB區域21a分割為DB區域21-1a與DB區域21-2a的兩個區域而以兩個參照圖像作成電路112進行並列處理時可能發生跟不上比較處理的時點。為此，如上述般，運算資料大小的比率，從而可調整為不使參照圖像作成的延遲發生。於此，代替資料量比率運算程序(S106)而實施困難度比率運算程序(未圖示)亦為合適。換言之，代替運算DB區域21a內的設計圖案資料的資料大小的比率而運算困難度的比率亦為合適。該情況下，困難度運算部47按檢查條20使用該檢查條20的設計圖案資料，運算該檢查條20的參照圖像作成的困難度。困難度的指標方面，使用DB區域21a內的圖形數、圖案密度、或圖案線寬為適。圖形數多時作成參照圖像所需的圖像展開方面耗時。同樣，圖案密度大時作成參照圖像所需的圖像展開方面耗時。此外，圖案線寬細時作成參照圖像所需的圖像展開方面耗時。並且，接著困難度比率運算部48按檢查條20運算困難度與困難度閾值的困難度比率。圖7是為了說明實施方式1中的取決於圖形數的差異之區域分割數用的圖。於圖7，配置於DB區域21a的圖形圖案的圖形數(困難度的一例)比圖形數閾值Th”1(困難度閾值的一例)小的情況下，將DB區域21a整體的參照圖像以一個參照圖像作成電路112作成即足。相對於此，配置於DB區域21a的圖形圖案的圖形數比圖形數閾值Th”1大的情況下，不將DB區域21a分割為DB區域21-1a與DB區域21-2a的兩個區域而以兩個參照圖像作成電路112進行並列處理時可能發生跟不上比較處理的時點。為此，如上述般，運算困難度比率，從而可調整為不使參照圖像作成的延遲發生。圖形數閾值Th”1可預先設定期望的值。例如，設定為可在檢查條20的掃描時間內進行圖像展開的圖形數為適。圖8是為了說明實施方式1中的取決於圖案密度的差異之區域分割數用的圖。於圖8，配置於DB區域21a的圖形圖案的圖案密度(困難度的一例)比圖案密度閾值Th”2(困難度閾值的其他一例)小的情況下，將DB區域21a整體的參照圖像以一個參照圖像作成電路112作成即足。相對於此，配置於DB區域21a的圖形圖案的圖案密度比圖案密度閾值Th”2大的情況下，不將DB區域21a分割為DB區域21-1a與DB區域21-2a的兩個區域而以兩個參照圖像作成電路112進行並列處理時可能發生跟不上比較處理的時點。為此，如上述般，運算困難度比率，從而可調整為不使參照圖像作成的延遲發生。圖案密度閾值Th”2可預先設定期望的值。例如，設定為可在檢查條20的掃描時間內進行圖像展開的圖案密度為適。圖9是為了說明實施方式1中的取決於圖案線寬的差異之區域分割數用的圖。於圖9，配置於DB區域21a的圖形圖案的圖案線寬(困難度的一例)相對於圖案線寬閾值Th”3(困難度閾值的其他一例)寬(大)的情況下，將DB區域21a整體的參照圖像以一個參照圖像作成電路112作成即足。相對於此，配置於DB區域21a的圖形圖案的圖案線寬比圖案線寬閾值Th”3窄(小)的情況下，不將DB區域21a分割為DB區域21-1a與DB區域21-2a的兩個區域而以兩個參照圖像作成電路112進行並列處理時可能發生跟不上比較處理的時點。為此，如上述般，運算困難度比率，從而可調整為不使參照圖像作成的延遲發生。圖案線寬閾值Th”3可預先設定期望的值。例如，設定為可在檢查條20的掃描時間內進行圖像展開的圖案線寬為適。區域分割程序(S107)方面，區域分割部45依DD區域與DB區域的面積比率，將檢查處理時間耗費較長的區域(例如，DB區域21a)分割為複數個小區域(例如，DB區域21-1a、DB區域21-2a)。此外，區域分割部45就DB區域21a，依上述的資料量比率或困難度比率，分割為複數個小區域21-1a、21-2a。例如，DD區域/DB區域(面積比率)=1(全部DD區域21b)時，維持1區域而不分割。全部為DD區域21b故資料量比率(或困難度比率)不存在。或成為零。例如，DD區域/DB區域(面積比率)=0.7時，暫定為DD區域21b與DB區域21a就這樣維持各一個區域。再者，資料量比率(或困難度比率)為1以下時，維持各1區域而不分割。該情況下，對象檢查條20合計為2區域。資料量比率(或困難度比率)比1大且2以下時，將DB區域21a分割為2區域。該情況下，對象檢查條20合計為3區域。資料量比率(或困難度比率)比2大的情況下，將DB區域21a分割為3區域。該情況下，對象檢查條20合計為4區域。例如，DD區域/DB區域(面積比率)=0.5時，DD區域21b就這樣維持一個區域，將DB區域21a暫定為2個小區域。再者，資料量比率(或困難度比率)為2以下時，就這樣將DD區域21b分割為1區域，將DB區域21a分割為2區域。該情況下，對象檢查條20合計為3區域。資料量比率(或困難度比率)比2大的情況下，將DD區域21b分割為1區域，將DB區域21a分割為3區域。該情況下，對象檢查條20合計為4區域。例如，DD區域/DB區域(面積比率)=0(全部DB區域21a)時，將DB區域21a暫定為1區域。再者，資料量比率(或困難度比率)為1以下時，維持1區域而不分割。資料量比率(或困難度比率)比1大且2以下時，將DB區域21a分割為2區域。該情況下，對象檢查條20合計為3區域。資料量比率(或困難度比率)比2大的情況下，將DB區域21a分割為3區域。該情況下，對象檢查條20合計為4區域。系統數決定程序(S108)方面，系統數決定部46(決定部)按檢查條20，依面積比率可變地決定作為光學圖像資料的輸出目的地之進行DD檢查處理的比較電路108的數量與進行DB檢查處理之比較電路108的數量。同樣，系統數決定部46按檢查條20，依資料量比率或困難度比率可變地決定作為光學圖像資料的輸出目的地之進行DB檢查處理的比較電路108的數量。換言之，系統數決定部46以依資料量比率或困難度比率使進行DB檢查處理的比較電路108的數量比對應於面積比率的數量增加的方式進行決定。具體而言，系統數決定部46對區域分割程序(S107)的結果所獲得的區域數決定系統數。例如，DD區域/DB區域(面積比率)=0.5且資料量比率(或困難度比率)為2以下時，對DD檢查決定為1系統，對DB檢查決定為2系統。資料量比率(或困難度比率)比2大的情況下，對DD檢查決定為1系統，對DB檢查決定為3系統。例如，DD區域/DB區域(面積比率)=0(全部DB區域21a)且資料量比率(或困難度比率)為1以下時，對DD檢查暫定為0系統，對DB檢查暫定為1系統。資料量比率(或困難度比率)比1大且2以下時，對DD檢查決定為0系統，對DB檢查決定為2系統。資料量比率(或困難度比率)比2大的情況下，對DD檢查決定為0系統，對DB檢查決定為3系統。分配處理程序(S110)方面，分配電路144(檢查控制部)按複數個檢查條20的每個檢查條20，對複數個比較電路108之中被按檢查條20可變地設定的數量的比較電路108分別輸出該檢查條20的光學圖像資料，對光學圖像資料的輸出目的地的各比較電路108指示進行DD檢查處理或DB檢查處理。分配電路144按檢查條20，依上述的面積比率可變地控制作為光學圖像資料的輸出目的地之進行DD檢查處理的比較電路108的數量與進行DB檢查處理之比較電路108的數量。此外，分配電路144按檢查條20，依上述的資料量比率，可變地控制進行DB檢查處理的比較電路108的數量。或者，分配電路144按檢查條20，依上述的困難度比率，可變地控制進行DB檢查處理的比較電路108的數量。以下，說明具體的動作。此外，在以下說明的分配電路144的處理內容由控制計算機110實施亦為合適。圖10為就實施方式1中的分配電路的內部構成的一例進行繪示的圖。於圖10，於分配電路144內，配置判定部50、指示部52、判定部54、分配處理部56、及判定部58。判定部50、指示部52、判定部54、分配處理部56、及判定部58如此的一連串的「~部」具有處理電路。該處理電路方面，包括電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或半導體裝置等。此外，各「~電路」可使用共通的處理電路(相同的處理電路)。或者，亦可使用不同的處理電路(個別的處理電路)。判定部50、指示部52、判定部54、分配處理部56、及判定部58所需的輸入資料或運算的結果每次都被記憶於未圖示記憶體。圖11為就實施方式1中的分配處理程序的內部程序的一例進行繪示的流程圖。於圖11，分配處理程序(S110)是作為內部程序，實施閒置比較電路數判定程序(S10)、掃描及參照圖像作成指示程序(S12)、DD/DB判定程序(S14)、分配處理程序(S16)、分配處理程序(S18)、長條處理判定程序(S20)如此的一連串的程序。閒置比較電路數判定程序(S10)方面，判定部50按檢查條20，判定否是存在依面積比率、資料量比率、或困難度比率對於對象檢查條20可變地決定的系統數a以上的閒置比較電路108。從各比較電路108，在處理結束時完畢通知被輸出至分配電路144。透過該完畢通知，可判定那個比較電路閒置(處理等待)。決定的系統數a以上的閒置比較電路108不存在的情況下，待機直到決定的系統數a以上的比較電路108的處理變閒置。掃描及參照圖像作成指示程序(S12)方面，指示部52在存在對作為對象的檢查條20決定的系統數a以上的閒置比較電路108的情況下，經由控制計算機110對光學圖像取得機構150指示下個檢查條20的掃描。如後述般，光學圖像取得機構150依指示開始下個檢查條20的掃描。透過使下個檢查條20的掃描動作待機直到需要的系統數的比較電路108變閒置，使得可使資料容量大的緩衝器的配置變不需要。此外，指示部52對下個檢查條20的DB區域21a的數量的參照圖像作成電路112，與擔當的區域資訊一起，指示下個檢查條20的參照圖像作成。如後述般，參照圖像作成電路112依指示開始下個檢查條20的參照圖像作成。對作為對象的檢查條20，例如並列進行掃描動作與參照圖像作成處理，且只要動作成參照圖像作成在掃描動作中結束，為可進行下個掃描動作的狀態時，則同時亦成為可進行透過複數個參照圖像作成電路112之參照圖像作成的狀態。因此，可同時期輸出掃描指示與參照圖像作成指示。在被指示掃描動作的檢查條20實施掃描。長條圖像取得程序(S120)方面，光學圖像取得機構150從形成有複數個圖形圖案之基板101取得複數個檢查條20(區域)的光學圖像資料。具體而言，就被指示掃描動作的檢查條20，按檢查條20，取得光學圖像資料。具體而言，如以下般動作。使XYθ平台102移動至可就作為對象之檢查條20進行攝像的位置。對形成於基板101的圖案，從適切的光源103，經由照明光學系統170照射作為檢查光之紫外區以下的波長的雷射光(例如，DUV光)。穿透基板101的光經由放大光學系統104，作為光學像而成像且入射於光電二極體陣列105(感測器的一例)。成像於光電二極體陣列105上的圖案的圖像被透過光電二極體陣列105的各光接收元件進行光電轉換，進一步被透過感測器電路106進行A/D(類比/數位)轉換。並且，於長條圖案記憶體123，儲存作為測定對象的檢查條20的像素資料。在就該像素資料(長條區域圖像)進行攝像之際，光電二極體陣列105的動態範圍例如使用以照明光的光量入射60%的情況為最大階調的動態範圍。測定資料(像素資料)為例如8位元的無符號(unsigned)資料，顯示各像素的明度的階調(光量)。參照圖像作成程序(S130)方面，參照圖像作成電路112a~112m(參照圖像作成部)作成與複數個檢查條20(區域)的長條圖像(光學圖像)對應的複數個參照圖像。在實施方式1，每個檢查條20的參照圖像方面，以對應於畫格圖像30的方式，按畫格區域作成參照圖像。然而，不限於此。亦可為按檢查條20作成參照圖像的情況。具體而言，如以下般動作。參照圖像作成電路112a~112m被輸入作成指示，就作為對象之檢查條20的被指定的DB區域21a從記憶裝置109通過控制計算機110讀出描繪資料(設計圖案資料)，將定義於讀出的設計圖案資料的各圖形圖案轉換為2值或多值的影像資料。定義於設計圖案資料的圖形為例如使長方形、三角形為基本圖形者，例如儲存以圖形的基準位置上的座標 (x、y)、邊的長度、成為區別長方形、三角形等的圖形種類之識別符的圖形代碼如此的資訊定義了各圖案圖形的外形、大小、位置等的圖形資料。成為該圖形資料的設計圖案資料被輸入至參照圖像作成電路112a~112m時展開至每個圖形的資料，解譯顯示該圖形資料的圖形形狀的圖形代碼、圖形尺寸等。並且，作為配置於以既定的量子化尺寸的網格為單位之網格內的圖案而展開為2值或多值的設計圖案圖像資料，加以輸出。換言之，讀取設計資料，運算在將畫格區域假想分割為以既定的尺寸為單位之網格而得到的每個網格中設計圖案中的圖形所佔的佔有率，輸出n位元的佔有率資料(設計圖像資料)。例如，將一個網格設定為1像素為適。並且，使1像素具有1/2⁸ (=1/256)的解析度時，僅配置於像素內的圖形的區域份分配1/256的小區域而運算像素內的佔有率。並且，作成為8位元的佔有率資料。該網格(檢查像素)匹配於測定資料的像素即可。接著，參照圖像作成電路112a~112m對為圖形的影像資料之設計圖案的設計圖像資料，使用濾波函數實施濾波處理。圖12是為了說明實施方式1中的濾波處理用的圖。從基板101攝像的光學圖像的像素資料為依使用於攝像的光學系統的解像特性等使濾波器產生作用的狀態，換言之為連續變化的類比狀態，故如例示於圖12，圖像強度(濃淡值)與數位值的展開圖像(設計圖像)不同。為此，參照圖像作成電路112對展開圖像實施圖像加工(濾波處理)而作成予以接近光學圖像之參照圖像。據此，可使為圖像強度(濃淡值)是數位值的設計側的影像資料之設計圖像資料匹配於測定資料(光學圖像)的像生成特性。作成為如以上，取得作為對象之檢查條20的光學圖像(長條資料)，作成其參照圖像。接著，將此等圖像資料分配給複數個比較電路108a~108n。將複數個比較電路108a~108n預先區別為DD檢查用和DB檢查用的情況下，實施以下的程序。 DD/DB判定程序(S14)方面，判定部54按檢查條20判定就對象檢查條20僅進行DD檢查與DB檢查中的一方或進行雙方。分配處理程序(S16)方面，分配處理部56按檢查條20，在實施DD檢查與DB檢查雙方的情況下，控制為，對決定的系統數的比較電路108，輸出被附加有將比較處理進行分配且分別實施的檢查的檢查模式的識別資訊的指示檢查的指示指令、和檢查的區域的資訊，同時從長條圖案記憶體123輸出長條資料(長條區域圖像)。輸出長條資料的情況下，將顯示從位置電路107輸出的XYθ平台102上的基板101的位置之資料一併輸出。此外，實施DB檢查的情況下，以對實施DB檢查的比較電路予以輸出對應的DB區域的參照圖像的方式控制參照圖像作成電路112。分配處理程序(S18)方面，分配處理部56按檢查條20，在僅實施DD檢查與DB檢查中的一方的情況下，控制為，對決定的系統數的比較電路108，輸出被附加有將比較處理進行分配、實施的檢查的檢查模式的識別資訊的指示檢查的指示指令、和檢查的區域的資訊，同時從長條圖案記憶體123輸出長條資料(長條區域圖像)。輸出長條資料的情況下，將顯示從位置電路107輸出的XYθ平台102上的基板101的位置之資料一併輸出。此外，以對實施DB檢查的比較電路予以輸出對應的DB區域的參照圖像的方式控制參照圖像作成電路112。就不實施檢查的另一方，將指示指令輸出至原本為進行不實施的另一方的檢查的預定之比較電路108。在被輸入指示指令而無長條資料的輸入的比較電路108，不進行比較處理而將完畢通知輸出至分配電路144。或者，就不實施檢查的另一方，亦可不輸出指示指令。該情況下，原本為進行不實施的另一方的檢查的預定之比較電路108單純維持為待機狀態。構成為不將複數個比較電路108a~108n預先區別為DD檢查用與DB檢查用而任一者皆可應對的情況下，省略DD/DB判定程序(S14)與分配處理程序(S18)，實施分配處理程序(S16)即可。長條處理判定程序(S20)方面，判定部58判定所有的檢查條20的檢查是否結束。尚存在檢查未結束的檢查條20時，返回閒置比較電路數判定程序(S10)，反覆從閒置比較電路數判定程序(S10)至長條處理判定程序(S20)為止的各程序，直到所有的檢查條20的檢查結束。所有的檢查條20的檢查結束的情況下，分配處理程序(S110)結束。作成為如以上，對決定的系統數a的各比較電路108輸出作為對象之長條資料、指示指令、檢查的區域的資訊。此外，對決定的系統數的比較電路108之中予以實施DB檢查的比較電路108進一步輸出對應的DB區域21a的參照圖像。例如，第1個檢查條20的長條圖像資料被輸出至比較電路108a~108c。第2個檢查條20的長條圖像資料被輸出至比較電路108d~108g。第3個檢查條20的長條圖像資料被輸出至比較電路108h~108j。第4個檢查條20的長條圖像資料在有系統數a的閒置比較電路時，再度被輸出至比較電路108a~108c等。以下，依序被輸出長條圖像資料。圖13為就實施方式1中的各比較電路的內部構成進行繪示的圖。於圖13，在複數個比較電路108a~108n的各比較電路內，配置磁碟裝置等的記憶裝置70、71、72、76、模式判定部73、畫格圖像作成部74、區域判定部75、完畢通知輸出部77、位置對準部78、及比較處理部79。模式判定部73、畫格圖像作成部74、區域判定部75、完畢通知輸出部77、位置對準部78、及比較處理部79如此的一連串的「~部」具有處理電路。該處理電路方面包括電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或半導體裝置等。此外，各「~電路」可使用共通的處理電路(相同的處理電路)。或者，亦可使用不同的處理電路(個別的處理電路)。模式判定部73、畫格圖像作成部74、區域判定部75、完畢通知輸出部77、位置對準部78、及比較處理部79所需的輸入資料或運算的結果每次都被記憶於未圖示的記憶體。輸入至各比較電路108(例如3系統時，例如108a、108b、108c)的長條資料(光學圖像資料)、指示指令、及檢查的區域資訊分別被儲存於記憶裝置70。此外，被輸入至予以實施DB檢查的各比較電路108(例如3系統中，以2系統進行DB檢查的情況下例如108a、108b)的參照圖像資料被儲存於記憶裝置72。並列的複數個檢查程序(S140a~S140d)方面，各比較電路108(比較部)進行將光學圖像資料彼此進行比較的晶粒-晶粒(DD)檢查處理、和將光學圖像資料與從設計圖案資料作成的參照圖像資料進行比較的晶粒-資料庫(DB)檢查處理中的一個處理。各比較電路108進行並列處理。例如，對第1個檢查條20分配3系統的比較電路108a、108b、108c，DD檢查為1系統、DB檢查為2系統時，3系統的檢查程序(S140a、S140c、S140D)被並列地實施。以下，就實施複數個比較電路108a~108n的DD檢查的一者與實施DB檢查的一者說明其等之處理內容。實施同種的檢查的各比較電路108a~108n的處理內容可為相同。模式判定程序(S202)方面，模式判定部73按檢查條20，從記憶裝置70讀出指示指令，從附加有指示指令所指示的檢查模式為DD檢查或DB檢查的資訊之識別資訊進行判定。區域判定程序(S204)方面，區域判定部75按檢查條20，從記憶裝置70讀出區域資訊，判定對象檢查條20之中擔當的區域。模式判定的結果，實施DD檢查的情況下，判定DD區域21b的位置。實施DB檢查的情況下，判定DB區域21a的位置。例如，DB區域21a被進一步細分化的情況下，判定擔當的例如DB區域21-1a的位置。畫格圖像作成程序(S206)方面，畫格圖像作成部74按檢查條20，從記憶裝置70讀出長條資料，就擔當的區域，作成示於圖2的每個畫格區域的畫格圖像30。例如，作成512×512像素的畫格圖像。複數個畫格圖像30作成為鄰接的畫格圖像30彼此間以既定的邊距寬而重疊。透過該處理，取得對應於複數個畫格區域之複數個畫格圖像30(光學圖像)。複數個畫格圖像30被儲存於記憶裝置76。根據以上，生成為了檢查而被比較的其中一個圖像(測定的圖像)資料。位置對準程序(S208)方面，位置對準部78在被指示DB檢查的情況下，將作為比較對象之畫格圖像30(光學圖像)從記憶裝置76讀出，同樣地將作為比較對象之參照圖像從記憶裝置72讀出。並且，以既定的運算法進行位置對準。例如，使用最小平方法進行位置對準。位置對準部78在被指示DD檢查的情況下，將被配置與作為檢查對象的畫格圖像30(晶粒1)相同的圖案的別的畫格圖像30(晶粒2)從記憶裝置76讀出。並且，以既定的運算法進行位置對準。例如，使用最小平方法進行位置對準。比較處理程序(S210)方面，比較處理部79(比較部)在被指示DB檢查的情況下，按每個畫格區域(檢查單位區域)，比較光學圖像與參照圖像。換言之，比較處理部79按複數個畫格區域(小區域)的每個畫格區域，將該畫格區域的畫格圖像30(光學圖像)與對應於該畫格圖像30的參照圖像按像素進行比較，檢查圖案的缺陷。比較處理部79依既定的判定條件按像素比較兩者，判定例如形狀缺陷如此的缺陷的有無。判定條件方面，例如依既定的運算法按像素比較兩者，判定缺陷的有無。例如，按像素運算從參照圖像的像素值減去畫格圖像30的像素值的差分值，將差分值比閾值Th大的情況判定為缺陷。並且，比較結果被輸出至記憶裝置71。比較處理部79(比較部)在被指示DD檢查的情況下，按每個配置有相同的圖案的晶粒1的畫格圖像30和晶粒2的畫格圖像30的組合，比較光學圖像彼此。換言之，比較處理部79按每個晶粒1、2的對應的畫格區域(小區域)彼此的組合，將晶粒1的畫格圖像30(光學圖像)與晶粒2的畫格圖像30(光學圖像)按像素進行比較，檢查圖案的缺陷。比較處理部79依既定的判定條件按像素比較兩者，判定例如形狀缺陷如此的缺陷的有無。判定條件方面，例如依既定的運算法按像素比較兩者，判定缺陷的有無。例如，按像素運算從光學圖像的其中一個像素值減去另一個像素值的差分值，將差分值比閾值Th大的情況判定為缺陷。並且，比較結果被輸出至記憶裝置71。此處，比較的結果包含判定為缺陷的缺陷處之畫格圖像30的資料被作為缺陷圖像資料，暫時儲存於記憶裝置71。此外，缺陷位置之例如座標資料(缺陷特定資料)被暫時儲存於記憶裝置71。存在複數個缺陷時，按每個缺陷，包含缺陷處的畫格圖像30的資料被作為缺陷圖像資料，暫時儲存於記憶裝置71。此外，同樣地，按每個缺陷，缺陷位置之例如座標資料(缺陷特定資料)被暫時儲存於記憶裝置71。此等缺陷圖像資料與缺陷特定資料被轉送至結合電路140。並且，在轉送的時點，完畢通知輸出部77將顯示在該比較電路108的處理完畢之完畢通知輸出至分配電路144。此外，儲存於記憶裝置71的各資料在轉送後覆寫於下個檢查條20的資料。圖14為就實施方式1中的分配區域與檢查時間的關係的一例進行繪示的圖。在圖14之例，例如示出以DB檢查為2系統、DD檢查為1系統的合計3系統的比較電路108進行檢查的情況。如以上，就DB區域21a(此處是DB區域21-1a與DB區域21-2a)與DD區域21b以並行在同時期進行檢查，故可縮短檢查時間。此外，就具有檢查時間變長的傾向的DB區域21a，進一步進行區域的細分化，使得可與DD區域21b的檢查在同時期予以結束。因此，可進行有效率的檢查。再者，使掃描動作待機直到有決定的系統數a的閒置比較電路為止，使得可達成緩衝器的小型化，同可防止成為記憶體不足之事態，可抑制發生記憶體的交換(swap)動作等。因此，可抑制發生交換動作等的情況下的運算處理延遲等所致的檢查時間的增大。結合程序(S160)方面，結合電路140接收比較的結果包含判定為缺陷的缺陷圖像資料的缺陷轉送用資料的轉送，基於轉送的資料生成缺陷資訊。在圖1之例，雖示出一個結合電路140，惟不限於此。配置至少一個結合電路140即可。結合電路140基於轉送的座標資料，判定反覆的缺陷圖像資料。結合電路140按每個缺陷，在存在反覆的複數個缺陷圖像資料(畫格圖像30)時，作成將其中一個與缺陷座標予以結合的缺陷資訊。缺陷資訊方面，例如生成使缺陷座標重疊於缺陷圖像資料上的缺陷座標位置的圖像。另外，在相同的缺陷圖像資料內存在複數個缺陷的情況下，生成使複數個缺陷的缺陷座標重疊於一個缺陷圖像資料(畫格圖像30)上的圖像亦為合適。作成的缺陷資訊輸出至磁碟裝置109、磁帶裝置115、軟碟裝置(FD)116、CRT117、圖案監視器118或可從印表機119輸出。如以上般依實施方式1時，能以1次掃描實施晶粒-晶粒檢查與晶粒-資料庫檢查雙方。因此，即使摻雜打算進行晶粒-晶粒檢查的區域與打算進行晶粒-資料庫檢查的區域的情況下仍可有效率地進行檢查處理。以上，一面參照具體例一面就實施方式進行說明。然而，本發明未限定於此等具體例。例如，在實施方式，照明光學系統170方面，雖示出使用透射光的透射照明光學系統，惟不限於此。例如，亦可為使用反射光的反射照明光學系統。或者，亦可將透射照明光學系統與反射照明光學系統進行組合而同時使用透射光與反射光。此外，光源103不限於紫外線(光)的光源，亦可為電子束的發射源。此外，就裝置構成、控制手法等本發明的說明中非直接需要的部分等雖省略記載，惟可酌情選擇需要的裝置構成、控制手段。例如，控制檢查裝置100的控制部構成方面，雖省略記載，惟當然可酌情選擇需要的控制部構成。此外，具備本發明的要素且本發明所屬技術領域中具有一般知識者可酌情變更設計的全部的圖案檢查裝置及圖案檢查方法包含於本發明的範圍中。雖就本發明之數個實施方式進行說明，惟此等實施方式是作為例示而提示者，並未意圖限定發明之範圍。此等新穎的實施方式能以其他各種的方式實施，在不脫離發明的要旨的範圍下，可進行各種的省略、置換、變更。此等實施方式、其變形落入發明的範圍、要旨，同時落入記載於申請專利範圍的發明與其均等的範圍。

10:檢查區域 20:檢查條 20a:檢查條 20b:檢查條 21-1a:DB區域 21-2a:DB區域 21a:DB區域 21b:DD區域 30:畫格圖像 41:DD區域/DB區域判定部 42:面積比率運算部 43:資料量運算部 44:資料量比率運算部 45:區域分割部 46:系統數決定部 47:困難度運算部 48:困難度比率運算部 50:判定部 52:指示部 54:判定部 56:分配處理部 58:判定部 70:記憶裝置 71:記憶裝置 72:記憶裝置 73:模式判定部 74:畫格圖像作成部 75:區域判定部 76:記憶裝置 77:完畢通知輸出部 78:位置對準部 79:比較處理部 100:檢查裝置 101:基板 102:XYθ平台 103:光源 104:放大光學系統 105:光電二極體陣列 106:感測器電路 107:位置電路 108a~n:比較電路 109:磁碟裝置 110:控制計算機 111:GUI電路 112a~112m:參照圖像作成電路 113:自動裝載器控制電路 114:平台控制電路 115:磁帶裝置 116:軟碟裝置(FD) 117:CRT 118:圖案監視器 119:印表機 120:匯流排 122:雷射測長系統 123:長條圖案記憶體 130:自動裝載器 140:結合電路 142:比較電路種運算電路 144:分配電路 150:光學圖像取得機構 160:控制系統電路 170:照明光學系統 DB:晶粒-資料庫 DD:晶粒-晶粒 Th:閾值

[圖1]為就實施方式1中的圖案檢查裝置的構成進行繪示的構成圖。 [圖2]是為了說明實施方式1中的檢查區域用的概念圖。 [圖3]為就實施方式1中的檢查方法的主要程序進行繪示的流程圖。 [圖4]為就實施方式1中的比較電路種運算電路的內部構成的一例進行繪示的圖。 [圖5]為就實施方式1中的晶粒-晶粒(DD)區域/晶粒-資料庫(DB)區域的一例進行繪示的圖。 [圖6]是為了說明實施方式1中的取決於資料量的差異之區域分割數用的圖。 [圖7]是為了說明實施方式1中的取決於圖形數的差異之區域分割數用的圖。 [圖8]是為了說明實施方式1中的取決於圖案密度的差異之區域分割數用的圖。 [圖9]是為了說明實施方式1中的取決於圖案線寬的差異之區域分割數用的圖。 [圖10]為就實施方式1中的分配電路的內部構成的一例進行繪示的圖。 [圖11]為就實施方式1中的分配處理程序的內部程序的一例進行繪示的流程圖。 [圖12]是為了說明實施方式1中的濾波處理用的圖。 [圖13]為就實施方式1中的各比較電路的內部構成進行繪示的圖。 [圖14]為就實施方式1中的分配區域與檢查時間的關係的一例進行繪示的圖。

100:檢查裝置

101:基板

102:XYθ平台

103:光源

104:放大光學系統

105:光電二極體陣列

106:感測器電路

107:位置電路

108a~n:比較電路

109:磁碟裝置

110:控制計算機

111:GUI電路

112a~112m:參照圖像作成電路

113:自動裝載器控制電路

114:平台控制電路

115:磁帶裝置

116:軟碟裝置(FD)

117:CRT

118:圖案監視器

119:印表機

120:匯流排

122:雷射測長系統

123:長條圖案記憶體

130:自動裝載器

140:結合電路

142:比較電路種運算電路

144:分配電路

150:光學圖像取得機構

160:控制系統電路

170:照明光學系統

Claims

一種圖案檢查裝置，具備：光學圖像取得機構，其從形成有複數個圖形圖案之基板取得複數個區域的光學圖像資料；複數個比較處理電路，其等進行將光學圖像資料彼此進行比較的晶粒-晶粒檢查處理、和將光學圖像資料與從設計圖案資料作成的參照圖像資料進行比較的晶粒-資料庫檢查處理中的一個處理；和檢查處理電路，其按前述複數個區域中的每個區域，對前述複數個比較處理電路之中被按前述區域可變地設定的數量的比較處理電路分別輸出該區域的光學圖像資料，對前述光學圖像資料的輸出目的地的各比較處理電路控制為進行前述晶粒-晶粒檢查處理或前述晶粒-資料庫檢查處理。
如請求項1的圖案檢查裝置，其進一步具備面積比率運算處理電路，前述面積比率運算處理電路按每個前述區域，運算在該區域內進行前述晶粒-晶粒檢查處理的區域部分與進行前述晶粒-資料庫檢查處理的區域部分的面積比率，前述檢查處理電路依前述面積比率可變地控制作為前述光學圖像資料的輸出目的地之進行前述晶粒-晶粒檢查處理的比較處理電路的數量與進行前述晶粒-資料庫檢查處理的比較處理電路的數量。
如請求項1的圖案檢查裝置，其進一步具備：資料大小運算處理電路，其按每個前述區域，運算該區域的設計圖案資料的資料大小；和資料量比率運算處理電路，其運算前述資料大小與資料量閾值的資料量比率；前述檢查處理電路按每個前述區域，依前述資料量比率，可變地控制進行前述晶粒-資料庫檢查處理的比較處理電路的數量。
如請求項1的圖案檢查裝置，其進一步具備：困難度運算處理電路，其按每個前述區域，使用該區域的設計圖案資料，運算該區域的參照圖像作成的困難度；和困難度比率運算處理電路，其運算前述困難度與困難度閾值的困難度比率；前述檢查處理電路按每個前述區域，依前述困難度比率，可變地控制進行前述晶粒-資料庫檢查處理的比較處理電路的數量。
如請求項1的圖案檢查裝置，其進一步區域判定處理電路，前述區域判定處理電路按每個前述區域，判定在該區域內進行前述晶粒-晶粒檢查處理的部分與進行前述晶粒-資料庫檢查處理的部分。
如請求項2的圖案檢查裝置，其進一步具備區域分割處理電路，前述區域分割處理電路按每個前述區域，依前述面積比率將進行前述晶粒-晶粒檢查處理的區域部分與進行前述晶粒-資料庫檢查處理的區域部分之中耗費較長的檢查處理時間的區域分割為複數個小區域。
如請求項2的圖案檢查裝置，其進一步具備決定處理電路，前述決定處理電路按每個前述區域，依前述面積比率可變地決定進行前述晶粒-晶粒檢查處理的比較處理電路的數量與進行前述晶粒-資料庫檢查處理的比較處理電路的數量。
如請求項7的圖案檢查裝置，其進一步具備：資料大小運算處理電路，其按每個前述區域，運算該區域的設計圖案資料的資料大小；和資料量比率運算處理電路，其運算前述資料大小與資料量閾值的資料量比率；前述決定處理電路以依前述資料量比率使進行前述晶粒-資料庫檢查處理的比較處理電路的數量比對應於前述面積比率之數量增加的方式進行決定。
如請求項7的圖案檢查裝置，其進一步具備：困難度運算處理電路，其按每個前述區域，使用該區域的設計圖案資料，運算該區域的參照圖像作成的困難度；和困難度比率運算處理電路，其運算前述困難度與困難度閾值的困難度比率；前述決定處理電路以依前述困難度比率使進行前述晶粒-資料庫檢查處理的比較處理電路的數量比對應於前述面積比率之數量增加的方式進行決定。
一種圖案檢查方法，從形成有複數個圖形圖案之基板取得複數個區域的光學圖像資料，按前述複數個區域中的每個區域，進行將光學圖像資料彼此進行比較的晶粒-晶粒檢查處理、和將光學圖像資料與從設計圖案資料作成的參照圖像資料進行比較的晶粒-資料庫檢查處理中的一個處理，對複數個比較處理電路之中被按前述區域可變地設定的數量的比較處理電路分別輸出該區域的光學圖像資料，透過前述光學圖像資料的輸出目的地的各比較處理電路，對該區域的光學圖像資料進行前述晶粒-晶粒檢查處理或前述晶粒-資料庫檢查處理，輸出結果。