TW202027950A - 耐熱離型片及熱壓著方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之耐熱離型片係於利用熱加壓頭所進行之壓著對象物之熱壓著時配置於壓著對象物與熱加壓頭之間，用以防止壓著對象物與熱加壓頭之固著之片材，其包含厚度35 μm以下之單層之耐熱性樹脂膜，構成耐熱性樹脂膜之耐熱性樹脂具有310℃以上之熔點及/或210℃以上之玻璃轉移溫度。該耐熱離型片之使用溫度例如可設為250℃以上。根據本發明之耐熱離型片，針對熱壓著溫度之上升之要求，可更確實地應對。

Description

耐熱離型片及熱壓著方法
本發明係關於一種耐熱離型片及使用其之熱壓著方法。
使用NCF(Non-Conductive Film，非導電膜)及NCP(Non-Conductive Paste，非導電膏)等底部填充膠之半導體晶片之製造及覆晶封裝、以及印刷電路基板(PCB)之製造採用熱壓著之方法。熱壓著之方法亦用於使用各向異性導電膜(ACF)之PCB與電子零件之連接等。壓著對象物之熱壓著一般使用作為熱源及壓力源之熱加壓頭。為了防止熱壓著時之壓著對象物與熱加壓頭之固著，通常於壓著對象物與熱加壓頭之間配置耐熱離型片。
專利文獻1中雖未揭示耐熱離型片其本身，但揭示了一種離型用片材，其係於熱硬化性樹脂之塑模成形時收容於塑模模具而使用者，其係於熱塑性樹脂膜之至少一面形成包含氟矽酮之離型層而成。 先前技術文獻 專利文獻
[專利文獻1]日本專利特開2011-201033號公報
[發明所欲解決之問題]
預想壓著對象物之熱壓著時之熱壓著溫度之進一步上升。藉由熱壓著溫度之進一步上升，例如，可進行積層有較先前更多之層之壓著對象物之熱壓著，可提高半導體晶片之製造效率及封裝效率。然而，專利文獻1之離型用片材係以熱硬化性樹脂之一般之塑模溫度即最大200℃左右時之使用為前提。於專利文獻1中，於利用熱加壓頭所進行之熱壓著中，對今後預想之熱壓著溫度之進一步上升並無任何考慮。又，專利文獻1之離型用片材僅為用於熱硬化性樹脂之塑模成形者，利用熱加壓頭所進行之熱壓著中之使用為設想之外。
本發明之目的在於提供一種針對利用熱加壓頭所進行之熱壓著中之熱壓著溫度之進一步上升之要求可更確實地應對的耐熱離型片。 [解決問題之技術手段]
本發明提供一種耐熱離型片， 其係於利用熱加壓頭所進行之壓著對象物之熱壓著時配置於上述壓著對象物與上述熱加壓頭之間，用以防止上述壓著對象物與上述熱加壓頭之固著者， 其包含厚度35 μm以下之單層之耐熱性樹脂膜， 構成上述耐熱性樹脂膜之耐熱性樹脂係具有310℃以上之熔點及/或210℃以上之玻璃轉移溫度之耐熱離型片。
根據另一態樣，本發明提供一種熱壓著方法， 其係利用熱加壓頭所進行之壓著對象物之熱壓著方法， 於將耐熱離型片配置於上述熱加壓頭與上述壓著對象物之間之狀態下，藉由上述熱加壓頭對上述壓著對象物進行熱壓著， 上述耐熱離型片係上述本發明之耐熱離型片。 [發明之效果]
第一，構成本發明之耐熱離型片之耐熱性樹脂膜具有較高之耐熱性。第二，根據本發明人等之研究，於將專利文獻1之離型用片材用於使熱壓著溫度進一步上升之利用熱加壓頭所進行之熱壓著之情形時，壓著對象物會產生表面之離型層之分解所伴隨之污染。然而，根據本發明之耐熱離型片，該片材包含單層之耐熱性樹脂膜，故而可防止對壓著對象物之污染。第三，於使熱壓著溫度進一步上升之情形時，尤其於實施對積層有較先前更多之層之壓著對象物的熱壓著時，配置於熱加壓頭與壓著對象物之間之耐熱離型片之熱傳導性會對熱壓著之效率造成較大影響。根據本發明之耐熱離型片，該片材為單層，且具有特定以下之厚度，故而可確保良好之熱傳導性。基於該等方面，本發明之耐熱離型片針對利用熱加壓頭所進行之熱壓著中之熱壓著溫度之進一步上升之要求，可更確實地應對。
再者，耐熱性樹脂膜就構成耐熱性樹脂膜之耐熱性樹脂之特性之方面而言，於先前之熱壓著溫度即200℃附近下缺乏厚度方向之緩衝性，故而難以針對壓著對象物均勻地施加由熱加壓頭所產生之壓力，因此，多年以來，業者一直認為「無法用作利用熱加壓頭所進行之熱壓著之耐熱離型片」。然而，根據本發明人等之研究明確知道，於使熱壓著溫度上升至例如250℃左右、尤其是300℃左右之情形時，意外地，可確保厚度方向之緩衝性，可用作利用熱加壓頭所進行之熱壓著之耐熱離型片。本發明之耐熱離型片藉由基於本發明人等之上述各研究之在此之前未曾有過之見解而達成。
以下，一面參照圖式，一面對本發明之實施形態進行說明。
[耐熱離型片] 將本發明之耐熱離型片之一例示於圖1中。圖1所示之耐熱離型片1包含聚醯亞胺膜2。圖1之耐熱離型片1具有聚醯亞胺膜2之單層構造。耐熱離型片1具有來自膜2中所包含之聚醯亞胺之較高之耐熱性。耐熱離型片1之耐熱性較包含聚四氟乙烯(PTFE)及四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯共聚物(PFA)等氟樹脂之膜之耐熱離型片更高。
又，聚醯亞胺膜2與例如氟樹脂之膜相比，於高溫下亦不易變形。因此，包含聚醯亞胺膜2之耐熱離型片1於高溫下之尺寸穩定性優異。就該觀點而言，耐熱離型片1亦針對利用熱加壓頭所進行之熱壓著中之熱壓著溫度之進一步上升之要求，可更確實地應對。
於工業性熱壓著步驟中，一般於壓著對象物之搬送路徑配置熱加壓頭，並對沿該路徑依序搬送來之壓著對象物連續地進行熱壓著。於該熱壓著步驟中，存在帶狀之耐熱離型片藉由搬送而供給至熱加壓頭與壓著對象物之間之情況。於此情形時，對耐熱離型片施加由熱加壓頭所產生之熱，並且施加由搬送所產生之向長度方向之張力。然而，聚醯亞胺膜之由高溫下之拉伸力所產生之伸長率較少。因此，具有聚醯亞胺膜2之耐熱離型片1於上述供給時可穩定地搬送。就該觀點而言，耐熱離型片1亦針對利用熱加壓頭所進行之熱壓著中之熱壓著溫度之進一步上升之要求，可更確實地應對。
聚醯亞胺膜2、及包含聚醯亞胺膜2之耐熱離型片1之厚度為35 μm以下。藉由包含厚度35 μm以下之單層之聚醯亞胺膜2，於耐熱離型片1中，可確保良好之熱傳導性。上述厚度之上限可為30 μm以下、25 μm以下，進而可為20 μm以下。上述厚度之下限例如為5 μm以上，亦可為超過5 μm、7 μm以上，進而亦可為10 μm以上。
於工業性熱壓著步驟中，存在將帶狀之耐熱離型片藉由搬送而供給至熱加壓頭與壓著對象物之間之情況，乃如上所述。於此情形時，通常針對每1次熱壓著供給新的耐熱離型片，換言之，針對每次熱壓著，將耐熱離型片自常溫加熱至熱壓著溫度，所需之熱傳遞至壓著對象物。因此，耐熱離型片所具有之熱傳導性之少許之差對熱壓著所需之時間即工作時間造成之影響較大。又，隨著熱壓著溫度上升，該影響進而變大，例如，大幅左右利用熱壓著步驟之半導體晶片之製造效率及封裝效率。然而，於包含聚醯亞胺膜2之耐熱離型片1中，可確保良好之熱傳導性。因此，根據耐熱離型片1，除了針對熱壓著溫度之進一步上升之要求之外，針對工作時間之縮短之要求，亦可謀求更確實之應對。
耐熱離型片1之厚度方向之緩衝性可藉由利用熱機械分析(以下，記為「TMA」)之所謂「針入模式」測得之該片材之壓入硬度而進行評價。耐熱離型片1之250℃下之壓入硬度利用由式：A250 (%)＝(d250 /t0 )×100所賦予之壓入度A250 表示，例如為3%以上，亦可為4%以上、5%以上、6%以上、6.5%以上、7%以上，進而亦可為7.5%以上。壓入度A250 之上限例如為15%以下。又，耐熱離型片1之300℃下之壓入硬度利用由式：A300 (%)＝(d300 /t0 )×100所賦予之壓入度A300 表示，例如為3%以上，亦可為5%以上、6%以上、9%以上、9.5%以上、10%以上、10.5%以上，進而亦可為11%以上。壓入度A300 之上限例如為20%以下，亦可為15%以下。其中，t0 係常溫(20℃)下之耐熱離型片1之厚度。d250 係藉由基於以下之測定條件之TMA而評價之250℃下之針入探針對耐熱離型片1之壓入量。d300 係藉由基於以下之測定條件之TMA而評價之300℃下之針入探針對耐熱離型片1之壓入量。 [測定條件] ・測定模式：針入模式、升溫測定 ・針入探針之形狀及前端直徑：圓柱狀及1 mmϕ ・施加壓力：1 MPa ・升溫起始溫度及升溫速度：20℃及10℃/分鐘
於耐熱離型片1具有上述範圍之壓入度A250 及/或A300 之情形時，針對利用熱加壓頭所進行之熱壓著中之熱壓著溫度之進一步上升之要求，可進一步確實地應對。又，於此情形時，於利用熱加壓頭所進行之熱壓著時，可對壓著對象物更均勻地施加壓力，藉此，例如可提高壓著對象物之熱壓著精度及效率。
耐熱離型片1之拉伸強度例如為200 MPa以上，亦可為220 MPa以上、240 MPa以上，進而亦可為260 MPa以上。拉伸強度之上限例如為500 MPa以下。根據具有該等範圍之拉伸強度之耐熱離型片1，可更確實且穩定地實施利用向熱加壓頭與壓著對象物之間之搬送所進行之供給。
耐熱離型片1之最大拉伸伸長率例如為200%以下，亦可為180%以下、150%以下、100%以下、50%以下、40%以下，進而亦可為35%以下。最大拉伸伸長率之下限例如為5%以上。根據具有該等範圍之最大拉伸伸長率之耐熱離型片1，在向熱加壓頭與壓著對象物之間搬送之耐熱離型片1之供給時，於熱加壓頭及/或壓著對象物與耐熱離型片1之間局部地發生接合時，亦可抑制片材1根據伸長率而追隨該等構件。換言之，可進一步提高對熱加壓頭及/或壓著對象物之耐熱離型片1之離型性。
聚醯亞胺膜2、及包含聚醯亞胺膜2之耐熱離型片1通常為非多孔質片材，為不使水等流體(fluid)於厚度方向上透過之不透性片材。又，聚醯亞胺膜2、及包含聚醯亞胺膜2之耐熱離型片1亦可基於聚醯亞胺所具有之較高之絕緣性而為絕緣片材(非導電片材)。
耐熱離型片1之形狀例如為包含正方形及長方形之多邊形、圓形、橢圓形、以及帶狀。多邊形之角亦可變圓。但是，耐熱離型片1之形狀並不限定於該等例。分別而言，多邊形、圓形及橢圓形之耐熱離型片1可實現作為單片之流通，帶狀之耐熱離型片1可實現作為捲繞為捲芯之捲繞體(捲筒)之流通。帶狀之耐熱離型片1之寬度、及捲繞帶狀之耐熱離型片1而成之捲繞體之寬度可自由地設定。
構成縮聚醯亞胺膜2之聚醯亞胺例如為四羧酸二酐與二胺之縮合聚合物。但是，構成縮聚醯亞胺膜2之聚醯亞胺並不限定於上述例。又，於聚醯亞胺為上述縮合聚合物之情形時，四羧酸二酐及二胺之種類並無限定。典型而言，構成縮聚醯亞胺膜2之聚醯亞胺為芳香族聚醯胺。
耐熱離型片1例如可基於一般之聚醯亞胺膜之製造方法而製造。製造方法之一例如下所示。首先，由四羧酸二酐及二胺形成作為聚醯亞胺之前驅物之聚醯胺酸之溶液。其次，將所形成之聚醯胺酸溶液塗佈於基材片材之表面。基材片材例如包含樹脂、金屬、紙及其等之複合材料。亦可對基材片材中之塗佈聚醯胺酸溶液之表面實施用以使自基材片材之聚醯亞胺膜之剝離變得容易之剝離處理。剝離處理可應用公知之方法。對基材片材之聚醯胺酸溶液之塗佈可使用公知之各種塗佈機。亦可藉由將基材片材浸漬於聚醯胺酸溶液，而於基材片材之表面塗佈聚醯胺酸溶液。其次，對形成於基材片材之表面之聚醯胺酸溶液之塗佈膜進行醯亞胺化而形成聚醯亞胺膜。醯亞胺化例如可藉由加熱及/或觸媒之添加而進行。其次，視需要實施用以去除溶劑等之後期加熱後，將所形成之聚醯亞胺膜自基材片材剝離，而獲得聚醯亞胺膜2。所獲得之聚醯亞胺膜2可直接用作耐熱離型片1，亦可經特定之處理後用作耐熱離型片1。於該方法中，可根據對基材片材之聚醯胺酸溶液之塗佈厚度而控制所獲得之聚醯亞胺膜2之厚度。
耐熱離型片1亦可包含除聚醯亞胺以外之耐熱性樹脂。耐熱性樹脂具有310℃以上之熔點及/或210℃以上之玻璃轉移溫度。熔點可為超過310℃、315℃以上、320℃以上，進而可為325℃以上。熔點之上限例如為400℃以下。玻璃轉移溫度可為220℃以上、230℃以上、240℃以上，進而可為250℃以上。玻璃轉移溫度例如為300℃以下。再者，本說明書中之「樹脂之熔點」意指於示差掃描熱量測定(以下，記為「DSC」)中以一定之升溫速度、例如10℃/分鐘將樹脂升溫之情形時所測定之「基於結晶熔解之吸熱峰」之峰溫度。又，本說明書中之「樹脂之玻璃轉移溫度」意指於DSC中以一定之升溫速度、例如10℃/分鐘將樹脂升溫之情形時所測定之「基於玻璃轉移之吸熱峰」之峰溫度。
耐熱性樹脂例如為選自聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚碸、聚醚碸、芳香族聚醚酮及聚醯胺醯亞胺之至少1種。耐熱性樹脂亦可為聚醯亞胺及/或芳香族聚醚酮。芳香族聚醚酮例如為聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酮、聚醚酮酮、聚醚醚酮酮。芳香族聚醚酮亦可為PEEK。聚四氟乙烯(PTFE)、聚偏二氟乙烯、全氟烷氧基烷烴(PFA)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)、乙烯-四氟乙烯(ETFE)等氟樹脂亦可自耐熱性樹脂除外。
包含除聚醯亞胺膜2以外之耐熱性樹脂膜之耐熱離型片1具有該耐熱性樹脂膜之單層構造而代替聚醯亞胺膜2之單層構造，除此以外，可具有與包含聚醯亞胺膜2之上述耐熱離型片1同樣之構成及/或特性。又，關於除聚醯亞胺膜2以外之耐熱性樹脂膜，構成該膜之材料並非聚醯亞胺而為其他耐熱性樹脂，除此以外，可具有與聚醯亞胺膜2同樣之構成及/或特性。
除聚醯亞胺膜2以外之耐熱性樹脂膜例如可基於熔融擠出等各種膜成形方法而製造。
根據另一態樣，本發明提供一種耐熱離型片， 其係於利用熱加壓頭所進行之壓著對象物之熱壓著時配置於上述壓著對象物與上述熱加壓頭之間，用以防止上述壓著對象物與上述熱加壓頭之固著者， 其包含厚度35 μm以下之單層之耐熱性樹脂膜， 構成上述耐熱性樹脂膜之耐熱性樹脂係選自聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚碸、聚醚碸、芳香族聚醚酮及聚醯胺醯亞胺之至少1種。 該耐熱離型片可具有與包含聚醯亞胺膜2之上述耐熱離型片1同樣之構成及/或特性。
[耐熱離型片之使用] 如圖2所示，耐熱離型片1可用作利用熱加壓頭21所進行之壓著對象物22之熱壓著時配置於熱加壓頭21與壓著對象物22之間且防止兩者之固著之耐熱離型片。耐熱離型片1之離型性優異。根據耐熱離型片1，可防止由熱壓著時之熱所導致之對熱加壓頭21及/或壓著對象物22之該片材1之固著(熱固著)。
耐熱離型片1亦可藉由搬送而供給及配置於熱加壓頭21與壓著對象物22之間。藉由搬送而供給及配置之耐熱離型片1例如為帶狀。
壓著對象物22例如為半導體晶片、PCB、電子零件。耐熱離型片1例如可用於利用熱壓著之半導體晶片之製造及覆晶封裝、PCB之製造、以及電子零件之連接等。
熱壓著時之熱加壓頭21之加熱設定溫度，換言之，耐熱離型片1之使用溫度例如可設為250℃以上。使用溫度可為260℃以上、270℃以上、280℃以上、290℃以上，進而可為300℃以上。但是，耐熱離型片1之使用溫度並不限定於該等範圍。
[熱壓著方法] 可使用本發明之耐熱離型片1對壓著對象物22進行熱壓著。該熱壓著方法係利用熱加壓頭21所進行之壓著對象物22之熱壓著方法，於將耐熱離型片1配置於熱加壓頭21與壓著對象物22之間之狀態下，藉由熱加壓頭21對壓著對象物22進行熱壓著。耐熱離型片1例如可藉由搬送而供給及配置於熱加壓頭21與壓著對象物22之間。
[熱壓著物之製造方法] 可使用本發明之耐熱離型片1製造熱壓著物。該熱壓著物之製造方法包含如下步驟：於將耐熱離型片1配置於熱加壓頭21與壓著對象物22之間之狀態下，實施使用熱加壓頭21之壓著對象物22之熱壓著，而獲得壓著對象物22之熱壓著體即熱壓著物。熱壓著物之例係PCB及電子零件。 [實施例]
以下，藉由實施例而對本發明更詳細地進行說明。本發明並不限定於以下之實施例。
首先，示出本實施例中所製作之耐熱離型片之評價方法。
[熱壓著時之離型性] 如下所述般評價熱壓著時之離型性。
於具備熱加壓頭及載置台之熱壓著裝置(東麗工程製造，覆晶接合機FC-3000W)之載置台上配置半導體晶片(尺寸7.3 mm×7.3 mm，厚度725 μm)作為模擬之壓著對象物，進而，於該半導體晶片之上配置裁斷為尺寸75 mm×75 mm之評價對象之耐熱離型片。耐熱離型片以自與載置台之配置面垂直之方向觀察時半導體晶片位於耐熱離型片之大致中央之方式配置。載置台之設定溫度係設為120℃。其次，使熱加壓頭以達到20 N之加壓壓力之方式下降後，將該頭升溫至300℃並實施加壓時間10秒之熱壓著試驗，並評價是否發生對熱加壓頭或壓著對象物即半導體晶片之耐熱離型片之熱固著。將熱壓著試驗後耐熱離型片自熱加壓頭或半導體晶片自然地剝離，或藉由用手拉拽該片材而剝離之情形判斷為離型性良(○)，將即便用手拉拽該片材亦不剝離之情形判斷為離型性不佳(×)。
[熱壓著時之熱傳導性] 如下所述般評價熱壓著時之熱傳導性。一面參照圖3，一面對具體之評價方法進行說明。
假定模擬之覆晶封裝，於具備熱加壓頭57及載置台51之熱壓著裝置(東麗工程製造，覆晶接合機FC-3000W)之載置台51上依序配置矽基片52(厚度360 μm)、假定為NCF之接著片材53(日東電工製造，EM-350ZT-P，厚度60 μm)及半導體晶片54(尺寸7.3 mm×7.3 mm，厚度725 μm)。再者，於接著片材53之中埋入用以測定熱壓著試驗時之接著片材53之最大到達溫度之熱電偶55。熱電偶55以自與載置台51之配置面垂直之方向觀察時前端之測定部位於接著片材53之大致中央之方式配置。其次，於半導體晶片54上配置裁斷為尺寸150 mm×150 mm之評價對象之耐熱離型片56。耐熱離型片56以自與載置台51之配置面垂直之方向觀察時半導體晶片54位於耐熱離型片56之大致中央之方式配置。載置台51之設定溫度係設為120℃。其次，使熱加壓頭57以到達20 N之加壓壓力之方式下降後，將該頭升溫至300℃並實施加壓時間10秒之熱壓著試驗，藉由熱電偶55測定試驗時之接著片材53之最大到達溫度，並根據所測得之最大到達溫度而評價使用熱加壓頭之熱壓著時之耐熱離型片之熱傳導性。
[耐熱性] 藉由將設定為280℃、290℃或300℃之烙鐵之前端壓抵，而評價耐熱性。具體而言，將設定為上述各溫度之烙鐵之前端壓抵於評價對象之耐熱離型片之表面10秒，將耐熱離型片之表面未因烙鐵之熱而熔融之情形判斷為耐熱性良(○)，將熔融之情形判斷為耐熱性不佳(×)。
[厚度方向之緩衝性(壓入硬度)] 作為250℃及300℃之各溫度下之厚度方向之緩衝性，藉由上述方法而評價壓入度A250 及壓入度A300 。具體而言，如下所述。首先，將作為評價對象之耐熱離型片剪切為7 mm×7 mm之正方形而獲得試片。其次，作為厚度t0 ，藉由測微計(Mitutoyo製造)而測定試片之厚度。其次，將試片載置於TMA測定裝置(BRUKER製造，TMA4000S)之評價台上，使用直徑1 mm之圓柱狀之針入探針，於針入模式及升溫測定之測定模式下，測定250℃及300℃下之針入探針對試片之壓入量d250 及d300 。再者，對試片施加之施加壓力係設為1 MPa之固定壓力，將升溫起始溫度設為20℃，將升溫速度設為10℃/分鐘。然後，分別由所測得之厚度t0 及壓入量d250 、d300 ，根據式：A250 (%)＝(d250 /t0 )×100求出壓入度A250 ，根據式：A300 (%)＝(d300 /t0 )×100求出壓入度A300 。
[拉伸強度及最大拉伸伸長率] 拉伸強度(拉伸斷裂強度)及最大拉伸伸長率藉由使用拉伸試驗機(島津製作所製造，AG-I)之拉伸試驗而求出。拉伸方向係設為耐熱離型片之長度方向(MD(Machine direction，機械)方向)。試片之形狀係設為JIS K6251：1993中所規定之啞鈴1號形。測定條件係設為測定溫度25℃、試片之標線間距離40 mm、夾頭間距離70 mm及拉伸速度200 mm/分鐘。最大拉伸伸長率由試驗前之上述標線間距離、及斷裂時之標線間距離算出。
(實施例1) 作為實施例1之耐熱離型片，準備厚度25 μm之聚醯亞胺膜(東麗杜邦製造，Kapton 100H)。
(實施例2) 作為實施例2之耐熱離型片，準備厚度17.5 μm之聚醯亞胺膜(東麗杜邦製造，Kapton 70H)。
(比較例1) 作為比較例1之耐熱離型片，準備厚度25 μm之PFA膜(DAIKIN INDUSTRIES製造，Neoflon PFA AF-0025)。
(實施例3) 作為實施例3之耐熱離型片，準備厚度12.5 μm之聚醯亞胺膜(東麗杜邦製造，Kapton 50H)。
(實施例4) 作為實施例4之耐熱離型片，準備厚度25 μm之PEEK膜(Shin-Etsu Polymer製造，Shin-Etsu Sepla Film)。
將對實施例及比較例之耐熱離型片之特性之評價結果示於以下之表1中。比較例1之熱傳導性(最大到達溫度)由於耐熱離型片熔融，故而無法測定。
[表1]
   實施例 比較例
1 2 3 4 1
離型性(對熱加壓頭) ○ ○ ○ ○ ×
離型性(對壓著對象物) ○ ○ ○ ○ ×
熱傳導性/最大到達溫度(℃) 247 252 258 256 熔融
耐熱性 280℃ ○ ○ ○ ○ ○
290℃ ○ ○ ○ ○ ×
300℃ ○ ○ ○ ○ ×
厚度方向之緩衝性 壓入度A250 (%) 7.2 7.2 7.2 4.7 -3.8
壓入度A300 (%) 11.9 11.9 11.9 6.1 4.6
拉伸強度(MPa) 268 247 246 275 66
最大拉伸伸長率(%) 35 31 30 175 120
如表1所示，實施例之耐熱離型片之耐熱性及離型性優異，並且於假定利用熱加壓頭所進行之熱壓著之熱傳導性試驗中，表現出優異之熱傳導性。再者，於包含PFA膜之比較例1之耐熱離型片中，壓入度A250 為負之值，壓入度A300 為正之值，但該情況反映出，PFA膜於200～280℃之溫度區域中表現出較大熱膨脹後，於280℃以上之溫度下急遽地熱軟化。 [產業上之可利用性]
本發明之耐熱離型片於利用熱加壓頭所進行之壓著對象物之熱壓著時配置於熱加壓頭與壓著對象物之間，且可用以防止兩者之固著。使用本發明之耐熱離型片之熱壓著例如可應用於半導體晶片之製造及覆晶封裝、PCB之製造、以及電子零件之連接等。
1:耐熱離型片 2:聚醯亞胺膜 21:熱加壓頭 22:壓著對象物 51:載置台 52:矽基片 53:接著片材 54:半導體晶片 55:熱電偶 56:耐熱離型片 57:熱加壓頭
圖1係模式性地表示本發明之耐熱離型片之一例之剖視圖。 圖2係用以說明使用本發明之耐熱離型片之熱壓著方法之一例之模式圖。 圖3係用以說明針對實施例及比較例之耐熱離型片評價使用熱加壓頭之熱壓著時對壓著對象物之熱傳導性之方法的模式圖。
1:耐熱離型片
2:聚醯亞胺膜

Claims (7)

  1. 一種耐熱離型片，其係於利用熱加壓頭所進行之壓著對象物之熱壓著時配置於上述壓著對象物與上述熱加壓頭之間，用以防止上述壓著對象物與上述熱加壓頭之固著者， 其包含厚度35 μm以下之單層之耐熱性樹脂膜， 構成上述耐熱性樹脂膜之耐熱性樹脂具有310℃以上之熔點及/或210℃以上之玻璃轉移溫度。
  2. 如請求項1之耐熱離型片，其中上述耐熱性樹脂膜之厚度為25 μm以下。
  3. 如請求項1或2之耐熱離型片，其中上述耐熱性樹脂係選自聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚碸、聚醚碸、芳香族聚醚酮及聚醯胺醯亞胺之至少1種。
  4. 如請求項1至3中任一項之耐熱離型片，其使用溫度為250℃以上。
  5. 如請求項1至4中任一項之耐熱離型片，其中上述耐熱離型片之300℃下之壓入硬度利用由式：A300 (%)＝(d300 /t0 )×100所賦予之壓入度A300 表示，為3～15%， 其中，t0 係常溫(20℃)下之上述耐熱離型片之厚度，d300 係藉由基於以下之測定條件之熱機械分析(TMA)而評價之300℃下之針入探針對上述耐熱離型片之壓入量， [測定條件] 測定模式：針入模式、升溫測定 針入探針之形狀及前端直徑：圓柱狀及1 mmϕ 施加壓力：1 MPa 升溫起始溫度及升溫速度：20℃及10℃/分鐘。
  6. 一種耐熱離型片，其係於利用熱加壓頭所進行之壓著對象物之熱壓著時配置於上述壓著對象物與上述熱加壓頭之間，用以防止上述壓著對象物與上述熱加壓頭之固著者， 其包含厚度35 μm以下之單層之耐熱性樹脂膜， 構成上述耐熱性樹脂膜之耐熱性樹脂係選自聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚碸、聚醚碸、芳香族聚醚酮及聚醯胺醯亞胺之至少1種。
  7. 一種熱壓著方法，其係利用熱加壓頭所進行之壓著對象物之熱壓著方法， 於將耐熱離型片配置於上述熱加壓頭與上述壓著對象物之間之狀態下，藉由上述熱加壓頭對上述壓著對象物進行熱壓著， 上述耐熱離型片係如請求項1至6中任一項之耐熱離型片。
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