CN112789148B - 耐热脱模片和热压接方法 - Google Patents

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Abstract

本申请的耐热脱模片是在利用热加压头进行压接对象物的热压接时配置在压接对象物与热加压头之间而用于防止压接对象物与热加压头的固着的片，其由厚度35μm以下的单层的耐热性树脂薄膜构成，构成耐热性树脂薄膜的耐热性树脂具有310℃以上的熔点和/或210℃以上的玻璃化转变温度。该耐热脱模片的使用温度可以设为例如250℃以上。根据本申请的耐热脱模片，能够更可靠地应对热压接温度上升的要求。

Description

耐热脱模片和热压接方法
技术领域
本发明涉及耐热脱模片和使用了其的热压接方法。
背景技术
在使用了NCF(非导电膜，Non-Conductive Film)和NCP(非导电糊剂，Non-Conductive Paste)等底部填充物的半导体芯片的制造和倒装芯片安装、以及印刷电路基板(PCB)的制造中使用热压接的方法。热压接的方法也被用于使用了各向异性导电薄膜(ACF)的PCB与电子部件的连接等。在压接对象物的热压接中，通常使用作为热源和压力源的热加压头。为了防止热压接时的压接对象物与热加压头的固着，在压接对象物与热加压头之间通常配置耐热脱模片。
专利文献1中虽未公开耐热脱模片自身，但公开了一种在热固性树脂的模制成形时收纳在成形模具中使用的脱模用片，该脱模用片在热塑性树脂薄膜的至少一面形成有包含氟有机硅的脱模层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-201033号公报
发明内容
发明要解决的问题
可预料到压接对象物的热压接时的热压接温度会进一步上升。通过热压接温度的进一步上升，例如，能够实现与以往相比层叠有更多的层的压接对象物的热压接，能够提高半导体芯片的制造效率和安装效率。但是，专利文献1的脱模用片的前提是在热固性树脂的一般塑模温度、即最高200℃左右时的使用。专利文献1中，针对今后在利用热加压头进行的热压接中可预料到的热压接温度的进一步上升未作任何考虑。此外，专利文献1的脱模用片只不过是在热固性树脂的模制成形中使用的脱模用片，其未设想在利用热加压头进行的热压接中的使用。
本发明的目的在于，提供能够更可靠地应对利用热加压头进行的热压接中的热压接温度的进一步上升这一要求的耐热脱模片。
用于解决问题的方案
本发明提供一种耐热脱模片，其是在利用热加压头进行压接对象物的热压接时配置在前述压接对象物与前述热加压头之间而用于防止前述压接对象物与前述热加压头的固着的耐热脱模片，
其由厚度35μm以下的单层的耐热性树脂薄膜构成，
构成前述耐热性树脂薄膜的耐热性树脂具有310℃以上的熔点和/或210℃以上的玻璃化转变温度。
从其它方面出发，本发明提供一种热压接方法，
其为利用热加压头进行的压接对象物的热压接方法，其中，
以将耐热脱模片配置在前述热加压头与前述压接对象物之间的状态，利用前述热加压头对前述压接对象物进行热压接，
前述耐热脱模片为上述本发明的耐热脱模片。
发明的效果
第一，构成本发明的耐热脱模片的耐热性树脂薄膜具有高耐热性。第二，根据本发明人等的研究，在进一步提高了热压接温度的利用热加压头进行的热压接中使用专利文献1的脱模用片时，压接对象物会产生与表面的脱模层的分解相伴的污染。但是，根据本发明的耐热脱模片，由于该片由单层的耐热性树脂薄膜构成，因此，能够防止对压接对象物造成的污染。第三，在进一步提高热压接温度的情况下，尤其是对与以往相比层叠有更多的层的压接对象物实施热压接时，配置在热加压头与压接对象物之间的耐热脱模片的导热性会对热压接的效率造成明显影响。根据本发明的耐热脱模片，由于该片为单层且具有规定以下的厚度，因此能够确保良好的导热性。基于这些观点，本发明的耐热脱模片能够更可靠地应对利用热加压头进行热压接时的热压接温度的进一步上升的要求。
需要说明的是，从构成耐热性树脂薄膜的耐热性树脂的特性方面出发，耐热性树脂薄膜在以往的热压接温度、即200℃附近缺乏厚度方向的缓冲性，因此难以利用热加压头对压接对象物均匀地施加压力，因此，本领域技术人员多年来一直认为“其无法用作利用热加压头进行热压接的耐热脱模片”。但是，根据本发明人等的研究可明确：在使热压接温度上升至例如250℃左右、尤其是300℃左右的情况下，意外地能够确保厚度方向的缓冲性，能够用作利用热加压头进行热压接的耐热脱模片。本发明的耐热脱模片是基于本发明人等的上述各种研究而得到的至今为止尚不存在的见解而实现的。
附图说明
图1是示意性地示出本发明的耐热脱模片的一例的剖视图。
图2是用于说明使用了本发明的耐热脱模片的热压接方法的一例的示意图。
图3是用于说明针对实施例和比较例的耐热脱模片评价向使用热加压头进行热压接时的压接对象物的导热性的方法的示意图。
具体实施方式
以下，针对本发明的实施方式，参照附图进行说明。
[耐热脱模片]
将本发明的耐热脱模片的一例示于图1。图1所示的耐热脱模片1由聚酰亚胺薄膜2构成。图1的耐热脱模片1具有聚酰亚胺薄膜2的单层结构。耐热脱模片1具有来自薄膜2所含的聚酰亚胺的高耐热性。耐热脱模片1的耐热性比由聚四氟乙烯(PTFE)和四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯共聚物(PFA)等氟树脂的薄膜构成的耐热脱模片更高。
此外，聚酰亚胺薄膜2与例如氟树脂的薄膜相比即使在高温也不易变形。因此，由聚酰亚胺薄膜2构成的耐热脱模片1在高温下的尺寸稳定性优异。从该观点出发，耐热脱模片1也能够更可靠地应对利用热加压头进行热压接时的热压接温度的进一步上升的要求。
在工业上的热压接工序中，通常在压接对象物的输送路径中配置热加压头，对在该路径中依次输送的压接对象物连续进行热压接。在该热压接工序中，有时通过输送而向热加压头与压接对象物之间供给带状的耐热脱模片。该情况下，在利用热加压头对耐热脱模片施加热的同时，还会因输送而向长度方向施加张力。但是，聚酰亚胺薄膜的由高温下的拉伸力导致的伸长率少。因此，具有聚酰亚胺薄膜2的耐热脱模片1在上述供给时能够稳定地输送。从该观点出发，耐热脱模片1也能够更可靠地应对利用热加压头进行热压接时的热压接温度的进一步上升的要求。
聚酰亚胺薄膜2和由聚酰亚胺薄膜2构成的耐热脱模片1的厚度为35μm以下。通过由厚度35μm以下的单层的聚酰亚胺薄膜2构成，耐热脱模片1能够确保良好的导热性。上述厚度的上限可以为30μm以下、25μm以下，进而可以为20μm以下。上述厚度的下限例如为5μm以上，可以超过5μm、为7μm以上，进而可以为10μm以上。
在工业上的热压接工序中，如上所述有时通过输送而向热加压头与压接对象物之间供给带状的耐热脱模片。该情况下，通过在每1次热压接中供给新的耐热脱模片，换言之，在每次热压接中，耐热脱模片从常温被加热至热压接温度，向压接对象物传导必要的热。因此，耐热脱模片所具备的导热性的微小差异对热压接所需的时间、即操作时间(work time)造成的影响大。此外，随着热压接温度的上升，该影响进一步变大，例如，大幅左右基于热压接工序的半导体芯片的制造效率和安装效率。但是，由聚酰亚胺薄膜2构成的耐热脱模片1能够确保良好的导热性。因此，根据耐热脱模片1，在热压接温度的进一步上升的要求的基础上，对于缩短操作时间的要求也能够实现更可靠的应对。
耐热脱模片1的厚度方向的缓冲性可以用通过热机械分析(以下记作“TMA”)的所谓“贯穿模式”而测得的该片的压痕硬度来评价。耐热脱模片1的250℃时的压痕硬度用通过式子A250(％)＝(d250/t0)×100而提供的压痕度A250来表示，例如为3％以上，可以为4％以上、5％以上、6％以上、6.5％以上、7％以上，进而可以为7.5％以上。压痕度A250的上限例如为15％以下。此外，耐热脱模片1的300℃时的压痕硬度用通过式子A300(％)＝(d300/t0)×100而提供的压痕度A300来表示，例如为3％以上，可以为5％以上、6％以上、9％以上、9.5％以上、10％以上、10.5％以上，进而可以为11％以上。压痕度A300的上限例如为20％以下，可以为15％以下。其中，t0为常温(20℃)时的耐热脱模片1的厚度。d250为通过基于以下测定条件的TMA而评价的、250℃下的贯穿探针相对于耐热脱模片1的压痕量。d300为通过基于以下测定条件的TMA而评价的、300℃下的贯穿探针相对于耐热脱模片1的压痕量。
[测定条件]
·测定模式：贯穿模式、升温测定
·贯穿探针的形状和前端直径：圆柱状和1mmφ
·施加压力：1MPa
·升温开始温度和升温速度：20℃和10℃/分钟
耐热脱模片1具有上述范围的压痕度A250和/或A300时，能够更可靠地应对利用热加压头进行热压接时的热压接温度的进一步上升的要求。此外，该情况下，能够在利用热加压头进行热压接时对压接对象物更均匀地施加压力，由此能够提高例如压接对象物的热压接精度和效率。
耐热脱模片1的拉伸强度例如为200MPa以上，可以为220MPa以上、240MPa以上，进而可以为260MPa以上。拉伸强度的上限例如为500MPa以下。根据具有这些范围的拉伸强度的耐热脱模片1，能够更可靠且稳定地通过输送而向热加压头与压接对象物之间实施供给。
耐热脱模片1的最大拉伸伸长率例如为200％以下，可以为180％以下、150％以下、100％以下、50％以下、40％以下，进而可以为35％以下。最大拉伸伸长率的下限例如为5％以上。根据具有这些范围的最大拉伸伸长率的耐热脱模片1，在通过输送而向热加压头与压接对象物之间供给耐热脱模片1时，即使在热加压头和/或压接对象物与耐热脱模片1之间局部地发生接合时，也能够抑制片1因伸长而追随于这些部件。换言之，能够进一步提高耐热脱模片1对于热加压头和/或压接对象物的脱模性。
聚酰亚胺薄膜2和由聚酰亚胺薄膜2构成的耐热脱模片1通常为非多孔片，其是不使水等流体(fluid)在厚度方向上透过的不透性片。此外，聚酰亚胺薄膜2和由聚酰亚胺薄膜2构成的耐热脱模片1基于聚酰亚胺所具有的高绝缘性而可以为绝缘片(非导电片)。
耐热脱模片1的形状例如为包括正方形和长方形在内的多边形、圆形、椭圆形和带状。多边形的角可以带有弧度。其中，耐热脱模片1的形状不限定于这些例子。多边形、圆形和椭圆形的耐热脱模片1可以以单片的形式流通，带状的耐热脱模片1可以以卷绕于卷芯而成的卷绕体(卷)的形式流通。带状的耐热脱模片1的宽度和将带状的耐热脱模片1卷绕而成的卷绕体的宽度可自由设定。
构成聚酰亚胺薄膜2的聚酰亚胺例如为四羧酸二酐与二胺的缩合聚合物。其中，构成聚酰亚胺薄膜2的聚酰亚胺不限定于上述例子。此外，聚酰亚胺为上述缩合聚合物时，四羧酸二酐和二胺的种类没有限定。构成聚酰亚胺薄膜2的聚酰亚胺典型而言为芳香族聚酰胺。
耐热脱模片1可基于例如通常的聚酰亚胺薄膜的制造方法来制造。以下示出制造方法的一例。首先，由四羧酸二酐和二胺形成作为聚酰亚胺的前体的聚酰胺酸的溶液。接着，将所形成的聚酰胺酸溶液涂布于基材片的表面。基材片由例如树脂、金属、纸和它们的复合材料构成。基材片的要涂布聚酰胺酸溶液的表面可以实施用于使聚酰亚胺薄膜容易自基材片剥离的剥离处理。剥离处理可以应用公知的方法。对基材片涂布聚酰胺酸溶液可以使用公知的各种涂布机。也可以通过将基材片浸渍于聚酰胺酸溶液，从而在基材片的表面涂布聚酰胺酸溶液。接着，对于在基材片的表面形成的聚酰胺酸溶液的涂布膜进行酰亚胺化而形成聚酰亚胺薄膜。酰亚胺化可通过例如加热和/或添加催化剂来进行。接着，根据需要实施用于去除溶剂等的后加热后，将所形成的聚酰亚胺薄膜自基材片上剥离，得到聚酰亚胺薄膜2。所得聚酰亚胺薄膜2可以直接用作耐热脱模片1，也可以在历经规定的处理后用作耐热脱模片1。该方法中，可通过对基材片涂布的聚酰胺酸溶液的厚度来控制所得聚酰亚胺薄膜2的厚度。
耐热脱模片1可以由除聚酰亚胺之外的耐热性树脂构成。耐热性树脂具有310℃以上的熔点和/或210℃以上的玻璃化转变温度。熔点可以超过310℃、为315℃以上、320℃以上，进而可以为325℃以上。熔点的上限例如为400℃以下。玻璃化转变温度可以为220℃以上、230℃以上、240℃以上，进而可以为250℃以上。玻璃化转变温度例如为300℃以下。需要说明的是，本说明书中的“树脂的熔点”是指：在差示扫描量热测定(以下记作“DSC”)中以规定的升温速度、例如10℃/分钟将树脂升温时测得的“基于结晶熔解的吸热峰”的峰温度。此外，本说明书中的“树脂的玻璃化转变温度”是指：在DSC中以规定的升温速度、例如10℃/分钟将树脂升温时测得的“基于玻璃化转变的吸热峰”的峰温度。
耐热性树脂例如为选自聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚砜、聚醚砜、芳香族聚醚酮和聚酰胺酰亚胺中的至少1种。耐热性树脂可以为聚酰亚胺和/或芳香族聚醚酮。芳香族聚醚酮例如为聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酮、聚醚酮酮、聚醚醚酮酮。芳香族聚醚酮可以为PEEK。聚四氟乙烯(PTFE)、聚偏二氟乙烯、全氟烷氧基烷烃(PFA)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)、乙烯-四氟乙烯(ETFE)等氟树脂可以从耐热性树脂中排除。
由除聚酰亚胺薄膜2之外的耐热性树脂薄膜构成的耐热脱模片1中，除了具有该耐热性树脂薄膜的单层结构来代替聚酰亚胺薄膜2的单层结构之外，可以具有与由聚酰亚胺薄膜2构成的上述耐热脱模片1相同的构成和/或特性。此外，除聚酰亚胺薄膜2之外的耐热性树脂薄膜除了构成该薄膜的材料不是聚酰亚胺而是其它耐热性树脂之外，可以具有与聚酰亚胺薄膜2相同的构成和/或特性。
除聚酰亚胺薄膜2之外的耐热性树脂薄膜例如可基于熔融挤出等各种薄膜成形方法来制造。
从其它方面出发，本发明提供一种耐热脱模片，
其是在利用热加压头进行压接对象物的热压接时配置在前述压接对象物与前述热加压头之间而用于防止前述压接对象物与前述热加压头的固着的耐热脱模片，
其由厚度35μm以下的单层的耐热性树脂薄膜构成，
构成前述耐热性树脂薄膜的耐热性树脂为选自聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚砜、聚醚砜、芳香族聚醚酮和聚酰胺酰亚胺中的至少1种。
该耐热脱模片可以具有与由聚酰亚胺薄膜2构成的上述耐热脱模片1相同的构成和/或特性。
[耐热脱模片的使用]
如图2所示那样，耐热脱模片1可用作在利用热加压头21进行压接对象物22的热压接时配置在热加压头21与压接对象物22之间来防止两者固着的耐热脱模片。耐热脱模片1的脱模性优异。根据耐热脱模片1，能够防止由热压接时的热导致的该片1对于热加压头21和/或压接对象物22的固着(热固着)。
耐热脱模片1可通过输送而向热加压头21与压接对象物22之间供给和配置。通过输送而供给和配置的耐热脱模片1例如为带状。
压接对象物22例如为半导体芯片、PCB、电子部件。耐热脱模片1可用于例如基于热压接的半导体芯片的制造和倒装芯片安装、PCB的制造、以及电子部件的连接等。
热压接时的热加压头21的加热设定温度、换言之耐热脱模片1的使用温度例如可以设为250℃以上。使用温度可以为260℃以上、270℃以上、280℃以上、290℃以上，进而可以为300℃以上。其中，耐热脱模片1的使用温度不限定于这些范围。
[热压接方法]
可以使用本发明的耐热脱模片1对压接对象物22进行热压接。该热压接方法是利用热加压头21进行的压接对象物22的热压接方法，以将耐热脱模片1配置在热加压头21与压接对象物22之间的状态，利用热加压头21对压接对象物22进行热压接。例如，可通过输送而向热加压头21与压接对象物22之间供给和配置耐热脱模片1。
[热压接物的制造方法]
可以使用本发明的耐热脱模片1来制造热压接物。该热压接物的制造方法包括如下工序：以将耐热脱模片1配置在热加压头21与压接对象物22之间的状态，使用热加压头21来实施压接对象物22的热压接，从而得到压接对象物22的热压接体、即热压接物。热压接物的例子为PCB和电子部件。
实施例
以下，通过实施例更详细地说明本发明。本发明不限定于以下的实施例。
首先，示出在本实施例中制作的耐热脱模片的评价方法。
[热压接时的脱模性]
如下那样地评价热压接时的脱模性。
在具备热加压头和基座的热压接装置(东丽工程公司制、倒装芯片焊接机FC-3000W)的基座上，作为模拟压接对象物而配置半导体芯片(尺寸为7.3mm×7.3mm、厚度为725μm)，进一步在该半导体芯片上配置尺寸裁切为75mm×75mm的作为评价对象的耐热脱模片。耐热脱模片以从与基座的配置面垂直的方向来看半导体芯片位于耐热脱模片的大致中央的方式进行配置。基座的设定温度设为120℃。接着，使热加压头以加压压力达到20N的方式下降后，将该头升温至300℃来实施加压时间为10秒的热压接试验，评价是否发生耐热脱模片对于热加压头或作为压接对象物的半导体芯片的热固着。将在热压接试验后耐热脱模片自然地或通过用手拉扯该片而自热加压头或半导体芯片剥离的情况判断为脱模性良好(○)，将即使用手拉扯该片也未剥离的情况判断为脱模性不合格(×)。
[热压接时的导热性]
如下那样地评价热压接时的导热性。参照图3来说明具体的评价方法。
假定模拟性的倒装芯片安装，在具备热加压头57和基座51的热压接装置(东丽工程公司制、倒装芯片焊接机FC-3000W)的基座51上，依次配置硅底座52(厚度为360μm)、假定为NCF的粘接片53(日东电工公司制、EM-350ZT-P、厚度为60μm)和半导体芯片54(尺寸为7.3mm×7.3mm、厚度为725μm)。需要说明的是，向粘接片53中埋入用于测定热压接试验时的粘接片53的最大到达温度的热电偶55。热电偶55以从与基座51的配置面垂直的方向来看其前端的测定部位于粘接片53的大致中央的方式进行配置。接着，在半导体芯片54上配置尺寸裁切为150mm×150mm的作为评价对象的耐热脱模片56。耐热脱模片56以从与基座51的配置面垂直的方向来看半导体芯片54位于耐热脱模片56的大致中央的方式进行配置。基座51的设定温度设为120℃。接着，使热加压头57以加压压力达到20N的方式下降后，将该头升温至300℃来实施加压时间为10秒的热压接试验，利用热电偶55来测定试验时的粘接片53的最大到达温度，并根据所测得的最大到达温度来评价使用热加压头进行热压接时的耐热脱模片的导热性。
[耐热性]
通过按压设定至280℃、290℃或300℃的烙铁的前端来评价耐热性。具体而言，将设定至上述各温度的烙铁的前端向评价对象的耐热脱模片的表面按压10秒，将耐热脱模片的表面未因烙铁的热而熔融的情况判断为耐热性良好(○)，将发生了熔融的情况判断为耐热性不合格(×)。
[厚度方向的缓冲性(压痕硬度)]
作为250℃和300℃的各温度下的厚度方向的缓冲性，通过上述方法来评价压痕度A250和压痕度A300。具体而言，如下所示。首先，将作为评价对象的耐热脱模片切成7mm×7mm的正方形而得到试验片。接着，作为厚度t0，利用测微器(MITUTOYO公司制)来测定试验片的厚度。接着，在TMA测定装置(BRUKER公司制、TMA4000S)的评价台上载置试验片，使用直径1mm的圆柱状的贯穿探针，利用贯穿模式和升温测定的测定模式，测定250℃和300℃下的贯穿探针相对于试验片的压痕量d250和d300。需要说明的是，对试验片施加的施加压力设为1MPa的规定压力，将升温开始温度设为20℃，将升温速度设为10℃/分钟。并且，根据所测得的厚度t0和压痕量d250、d300，分别通过式子A250(％)＝(d250/t0)×100求出压痕度A250，通过式子A300(％)＝(d300/t0)×100来求出压痕度A300。
[拉伸强度和最大拉伸伸长率]
拉伸强度(拉伸断裂强度)和最大拉伸伸长率通过使用了拉伸试验机(岛津制作所制、AG-I)的拉伸试验来求出。拉伸方向设为耐热脱模片的长度方向(MD方向)。试验片的形状设为JIS K6251:1993中规定的哑铃1号形。测定条件设为：测定温度25℃、试验片的标线间距离40mm、夹具间距离70mm和拉伸速度200mm/分钟。最大拉伸伸长率由试验前的上述标线间距离和断裂时的标线间距离来计算。
(实施例1)
作为实施例1的耐热脱模片，准备厚度25μm的聚酰亚胺薄膜(Dupont-Toray公司制、KAPTON 100H)。
(实施例2)
作为实施例2的耐热脱模片，准备厚度17.5μm的聚酰亚胺薄膜(Dupont-Toray公司制、KAPTON 70H)。
(比较例1)
作为比较例1的耐热脱模片，准备厚度25μm的PFA薄膜(Daikin Industries公司制、NEOFLON PFA AF-0025)。
(实施例3)
作为实施例3的耐热脱模片，准备厚度12.5μm的聚酰亚胺薄膜(Dupont-Toray公司制、KAPTON 50H)。
(实施例4)
作为实施例4的耐热脱模片，准备厚度25μm的PEEK薄膜(Shin-Etsu Polymer Co.,Ltd.制、Shin-Etsu Sepla Film)。
将针对实施例和比较例的耐热脱模片的特性的评价结果示于以下的表1。比较例1的导热性(最大到达温度)因耐热脱模片发生熔融而无法测定。
[表1]
Figure BDA0003003915160000121
如表1所示那样，实施例的耐热脱模片在耐热性和脱模性优异的同时，在假定了利用热加压头进行热压接的导热性试验中，也显示优异的导热性。需要说明的是，在由PFA薄膜构成的比较例1的耐热脱模片中，压痕度A250成为负值，压痕度A300成为正值，这反映了：PFA薄膜在200～280℃的温度区域中显示明显的热膨胀后，在280℃以上的温度中急剧地发生热软化。
产业上的可利用性
本发明的耐热脱模片能够在利用热加压头进行压接对象物的热压接时配置在热加压头与压接对象物之间而用于防止两者的固着。使用了本发明的耐热脱模片的热压接可应用于例如半导体芯片的制造和倒装芯片安装、PCB的制造、以及电子部件的连接等。

Claims (6)

1.一种耐热脱模片，其是在利用热加压头进行压接对象物的热压接时配置在所述压接对象物与所述热加压头之间而用于防止所述压接对象物与所述热加压头的固着且用于防止由所述热压接时的热导致的对于所述热加压头和所述压接对象物这两者的固着的耐热脱模片，
其由厚度35μm以下的单层的耐热性树脂薄膜构成，
构成所述耐热性树脂薄膜的耐热性树脂具有310℃以上的熔点和/或210℃以上的玻璃化转变温度，
所述耐热性树脂为选自聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚砜、聚醚砜、芳香族聚醚酮和聚酰胺酰亚胺中的至少1种，
从所述耐热性树脂中排除氟树脂。
2.根据权利要求1所述的耐热脱模片，其中，所述耐热性树脂薄膜的厚度为25μm以下。
3.根据权利要求1所述的耐热脱模片，其使用温度为250℃以上。
4.根据权利要求1所述的耐热脱模片，其中，所述耐热脱模片的300℃时的压痕硬度用通过式子A300(％)＝(d300/t0)×100而提供的压痕度A300来表示，且为3～15％，
其中，t0为常温即20℃时的所述耐热脱模片的厚度；d300为通过基于以下测定条件的热机械分析(TMA)而评价的、300℃下的贯穿探针相对于所述耐热脱模片的压痕量，
测定条件：
·测定模式：贯穿模式、升温测定
·贯穿探针的形状和前端直径：圆柱状和1mmφ
·施加压力：1MPa
·升温开始温度和升温速度：20℃和10℃/分钟。
5.一种耐热脱模片，其是在利用热加压头进行压接对象物的热压接时配置在所述压接对象物与所述热加压头之间而用于防止所述压接对象物与所述热加压头的固着且用于防止由所述热压接时的热导致的对于所述热加压头和所述压接对象物这两者的固着的耐热脱模片，
其由厚度35μm以下的单层的耐热性树脂薄膜构成，
构成所述耐热性树脂薄膜的耐热性树脂为选自聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚砜、聚醚砜、芳香族聚醚酮和聚酰胺酰亚胺中的至少1种，
从所述耐热性树脂中排除氟树脂。
6.一种热压接方法，其为利用热加压头进行的压接对象物的热压接方法，其中，
以将耐热脱模片配置在所述热加压头与所述压接对象物之间的状态，利用所述热加压头对所述压接对象物进行热压接，
所述耐热脱模片为权利要求1～5中任一项所述的耐热脱模片。
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