TW202023793A - 光學薄膜 - Google Patents

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Abstract

一種光學薄膜，其係由包含具有結晶性之聚合物的熱塑性樹脂而成的光學薄膜，面內方向的延遲Re為20 nm以下，熱機械分析試驗後的前述光學薄膜相對於前述熱機械分析試驗前的前述光學薄膜之尺寸的尺寸變化率之絕對值｜R｜為0%以上且1.5%以下。

Description

光學薄膜
本發明係關於光學薄膜。
已對以熱塑性樹脂作為原料的薄膜進行各種開發（專利文獻1～3）。薄膜得作為「保護安裝於液晶顯示裝置等之偏光件」的偏光件保護薄膜等光學薄膜使用。
『專利文獻』 《專利文獻1》：日本專利第4296632號公報 《專利文獻2》：國際專利公報第2015/151466號（對應外國專利公報：美國專利申請公開第2017/0173850號說明書） 《專利文獻3》：日本專利公開第2002-172694號公報
若在薄膜之表面狀態有皺褶或波紋等瑕疵，則將薄膜與偏光件等光學構件貼合時，有製造出不會發揮期望之功能的光學構件之虞。並且在連續生產光學構件的情況下，若在薄膜之表面狀態有瑕疵，則有必須中斷生產的情事發生之虞，招致生產成本上升。
並且，光學構件會安裝於影像顯示裝置等裝置，而有在室溫以上之呈高溫的場所中使用的情形。在此情況下，若薄膜發生捲曲，則與薄膜貼合之光學構件有變形之虞而不佳。
因此，要求表面狀態良好且捲曲量小的光學薄膜。
本發明人為能解決前述問題而潛心研究。其結果，發現藉由「由包含具有結晶性之聚合物的熱塑性樹脂而成、面內方向的延遲Re為指定之值以下、指定之熱機械分析試驗後的尺寸變化率之絕對值｜R｜為指定之範圍」的光學薄膜，可解決前述問題，進而完成本發明。
亦即，本發明提供以下內容。
［1］一種光學薄膜，其係由包含具有結晶性之聚合物的熱塑性樹脂而成的光學薄膜， 面內方向的延遲Re為20 nm以下，熱機械分析試驗後的前述光學薄膜相對於前述熱機械分析試驗前的前述光學薄膜之尺寸的尺寸變化率之絕對值｜R｜為0%以上且1.5%以下，前述熱機械分析試驗係在下述條件下進行：對於自前述光學薄膜切下之試片之長度L（20）之一部分，在長邊方向上賦予25 mN之拉伸荷重，同時將前述試片以5℃／分鐘之速度自20℃升溫至160℃，隨後維持在160℃3分鐘，隨後以5℃／分鐘之速度自160℃降溫至0℃，前述尺寸變化率R係由下式（1）：R＝（L（20＋α）－L（20））／L（20）×100　（1）求出，前述式（1）中，L（20）表示前述熱機械分析試驗前的前述試片之前述一部分的長度，L（20＋α）表示前述熱機械分析試驗後的前述試片之前述一部分的長度。
［2］如［1］所記載之光學薄膜，其厚度方向的延遲Rth為30 nm以下。
［3］如［1］或［2］所記載之光學薄膜，其中前述具有結晶性之聚合物係含脂環結構聚合物。
［4］如［1］～［3］之任1項所記載之光學薄膜，其係延伸薄膜。
［5］如［4］所記載之光學薄膜，其係單軸延伸薄膜。
本揭露內容亦包含以下內容。
［6］一種光學薄膜的製造方法，其包含： 準備由包含具有結晶性之聚合物的熱塑性樹脂而成的薄膜之工序（1）、 將前述薄膜以前述熱塑性樹脂之玻璃轉移溫度Tg（℃）＋5℃以上預熱之工序（2）、 將經預熱之前述薄膜延伸之工序（3）、 將經延伸之前述薄膜以（Tg＋70）℃以上熱處理25秒鐘以上之工序（4），以及 將經熱處理之前述薄膜以（Tg）℃以下熱固定之工序（5），其中 前述工序（3）包含將前述薄膜以（Tg＋10）℃以上且未達（Tg＋50）℃延伸之工序（3-1）、隨後將前述薄膜以（Tg＋50）℃以上延伸之工序（3-2）。
根據本發明，可提供表面狀態良好且捲曲量小的光學薄膜。
以下揭示實施型態及示例物以詳細說明本發明。惟本發明並非受限於以下所揭示之實施型態及示例物者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等之範圍的範圍內，得任意變更而實施。
在以下說明中，所謂「長條狀」的薄膜，係謂具有相對於幅寬為5倍以上之長度的薄膜，以具有10倍或其以上之長度為佳，具體上係謂具有可收捲成卷狀儲存或搬運之程度之長度的薄膜。薄膜之長度的上限並無特別限制，得定為例如相對於幅寬為10萬倍以下。
在以下說明中，所謂固有雙折射為正的材料，除非另有註記，否則意謂延伸方向的折射率變得較與之垂直之方向的折射率還大的材料。並且，所謂固有雙折射為負的材料，除非另有註記，否則意謂延伸方向的折射率變得較與之垂直之方向的折射率還小的材料。固有雙折射之值可由介電常數分布計算。
在以下說明中，薄膜之在面內方向上的延遲Re，除非另有註記，否則係由Re＝（nx－ny）×d所示之值。並且，薄膜之厚度方向的延遲Rth，除非另有註記，否則係由Rth＝｛［（nx＋ny）／2］－nz｝×d所示之值。於此，nx表示係為與薄膜之厚度方向垂直之方向（面內方向）且賦予最大折射率之方向的折射率。ny表示係為薄膜之前述面內方向且與nx之方向正交之方向的折射率。nz表示薄膜之厚度方向的折射率。d表示薄膜的厚度。量測波長，除非另有註記，否則為590 nm。
在以下說明中，所謂構件的方向為「平行」、「垂直」及「正交」，除非另有註記，否則亦可包含不損及本發明之效果之範圍內──例如：±3°、±2°或±1°之範圍內──的誤差。
［1.光學薄膜］
本實施型態之光學薄膜係由包含具有結晶性之聚合物的熱塑性樹脂而成的光學薄膜，面內方向的延遲Re為20 nm以下，指定之熱機械分析試驗後的前述光學薄膜相對於前述熱機械分析試驗前的前述光學薄膜之尺寸的尺寸變化率之絕對值｜R｜為0%以上且1.5%以下。
［1.1.光學薄膜的材料］
光學薄膜由包含具有結晶性之聚合物的熱塑性樹脂而成。以下亦將構成光學薄膜之包含具有結晶性之聚合物的熱塑性樹脂稱作「結晶性樹脂」。
於此，所謂「具有結晶性之聚合物」，係謂具有熔點Mp之聚合物。所謂「具有熔點Mp」，係謂可利用微差掃描熱量計（DSC）觀測到熔點。在以下說明中，亦將「具有結晶性之聚合物」稱作「結晶性聚合物」。
作為結晶性樹脂所包含之結晶性聚合物，可列舉具有結晶性之含脂環結構聚合物及具有結晶性之聚苯乙烯系聚合物（參照日本專利公開第2011-118137號公報）。其中，就機械性強度、耐熱性及成形性優異而言，以具有結晶性之含脂環結構聚合物為佳。
所謂含脂環結構聚合物，係謂「係為在分子內具有脂環結構之聚合物且得藉由使用環烯烴作為單體之聚合反應來獲得」的聚合物或其氫化物。並且，含脂環結構聚合物可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。
作為含脂環結構聚合物所具有之脂環結構，可列舉例如環烷結構及環烯結構。此等之中，就容易獲得熱穩定性等特性優異之光學薄膜而言，以環烷結構為佳。1個脂環結構所包含之碳原子的數量以4個以上為佳，以5個以上為較佳，且以30個以下為佳，以20個以下為較佳，以15個以下為尤佳。藉由1個脂環結構所包含之碳原子的數量位於上述範圍內，機械性強度、耐熱性及成形性可取得高度平衡。
在含脂環結構聚合物中，具有脂環結構之結構單元相對於所有結構單元的比例以30重量%以上為佳，以50重量%以上為較佳，以70重量%以上為尤佳。藉由將在含脂環結構聚合物中之具有脂環結構之結構單元的比例做成如前所述之多，可提高耐熱性。
並且，在含脂環結構聚合物中，具有脂環結構之結構單元以外的剩餘部分並無特別限定，得因應使用目的適當選擇。
作為具有結晶性之含脂環結構聚合物，可列舉例如下述聚合物（α）～聚合物（δ）。此等之中，就容易獲得耐熱性優異之光學薄膜而言，作為結晶性之含脂環結構聚合物，以聚合物（β）為佳。 聚合物（α）：環烯烴單體之開環聚合物，且具有結晶性者。 聚合物（β）：聚合物（α）之氫化物，且具有結晶性者。 聚合物（γ）：環烯烴單體之加成聚合物，且具有結晶性者。 聚合物（δ）：聚合物（γ）之氫化物等，且具有結晶性者。
具體而言，作為含脂環結構聚合物，以雙環戊二烯之開環聚合物且具有結晶性者及雙環戊二烯之開環聚合物之氫化物且具有結晶性者為較佳，以雙環戊二烯之開環聚合物之氫化物且具有結晶性者為尤佳。於此，所謂雙環戊二烯之開環聚合物，係謂源自雙環戊二烯之結構單元相對於所有結構單元的比例通常為50重量%以上──以70重量%以上為佳，以90重量%以上為較佳，以100重量%為更佳──的聚合物。
雙環戊二烯之開環聚合物之氫化物以外消旋二單元組的比例高為佳。具體而言，在雙環戊二烯之開環聚合物之氫化物中的重複單元之外消旋二單元組的比例，以51%以上為佳，以70%以上為較佳，以85%以上為尤佳。外消旋二單元組的比例高，表示對排立體規則性高。據此，外消旋二單元組的比例愈高，雙環戊二烯之開環聚合物之氫化物的熔點有愈高的傾向。
外消旋二單元組的比例可依據於後敘述之實施例所記載的13 C-NMR光譜分析來決定。
如前所述之具有結晶性之含脂環結構聚合物得藉由例如國際專利公開第2016/067893號所記載之方法來製造。
結晶性聚合物的熔點Mp以200℃以上為佳，以230℃以上為較佳，且以290℃以下為佳。藉由使用具有此種熔點Mp之結晶性聚合物，可獲得成形性與耐熱性之平衡更優異的光學薄膜。
結晶性聚合物的玻璃轉移溫度Tg並不特別受限，但通常為85℃以上，且通常為170℃以下。
結晶性聚合物的重量平均分子量（Mw）以1,000以上為佳，以2,000以上為較佳，且以1,000,000以下為佳，以500,000以下為較佳。具有此種重量平均分子量的結晶性聚合物，成形加工性與耐熱性之平衡優異。
結晶性聚合物的分子量分布（Mw／Mn）以1.0以上為佳，以1.5以上為較佳，且以4.0以下為佳，以3.5以下為較佳。於此，Mn表示數量平均分子量。具有此種分子量分布的結晶性聚合物，成形加工性優異。
結晶性聚合物的重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn）得藉由以四氫呋喃作為溶析液之凝膠滲透層析法（GPC）量測為聚苯乙烯換算值。
在結晶性樹脂中之結晶性聚合物的比例以50重量%以上為佳，以70重量%以上為較佳，以90重量%以上為尤佳。藉由使結晶性聚合物的比例為前述範圍之下限值以上，可有效提高光學薄膜的耐熱性。
結晶性樹脂所包含之結晶性聚合物在製造光學薄膜之前，亦可未結晶化。然而，在製造光學薄膜之後，該光學薄膜所包含之結晶性聚合物以已結晶化為佳，以具有高結晶度為佳。具體之結晶度的範圍得因應期望之性能適當選擇，但以10%以上為佳，以15%以上為較佳。藉由使光學薄膜所包含之結晶性聚合物的結晶度為前述範圍之下限值以上，可對光學薄膜賦予高的耐熱性或化學抗性。光學薄膜所包含之具有結晶性之聚合物的結晶度得藉由X射線繞射法來量測。
結晶性樹脂除了具有結晶性之聚合物以外，還得包含任意成分。作為任意成分，可列舉例如：抗氧化劑；光穩定劑；蠟；成核劑；螢光增白劑；紫外線吸收劑；無機填料；著色劑；阻燃劑；阻燃助劑；抗靜電劑；塑化劑；近紅外線吸收劑；滑劑；填料；及具有結晶性之聚合物以外的任意聚合物；等。並且，任意成分可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。
［1.2.光學薄膜的延遲］
光學薄膜之面內方向的延遲Re通常為20 nm以下，以15 nm以下為佳，以10 nm以下為較佳，且通常為0 nm以上，亦可為1 nm以上。藉由面內方向的延遲Re落於前述範圍，可減小光學薄膜的捲曲量，可優化表面狀態。
光學薄膜之面內方向的延遲Re之參差以3 nm以下為佳，以2 nm以下為較佳，理想上為0 nm，但可為0 nm以上，亦可為1 nm以上。藉由面內方向的延遲Re之參差落於前述範圍，可有效減小光學薄膜的捲曲量，可優化表面狀態。
面內方向的延遲Re之參差得藉由下述方法來量測。
在自光學薄膜之中央部起算往幅寬方向兩端距離約50 cm之多個點（例如2點），量測面內方向的延遲。並且，在光學薄膜係例如正方形或圓形等無法具有幅寬方向之概念之形狀的薄膜之情況下，在自該光學薄膜之中央部起算往任意一方向距離約50 cm之多個點，量測面內方向的延遲。使用所量測到之在面內方向上的延遲之最大值Re（max）及在面內方向上的延遲之最小值Re（min），藉由下式（A1）求出在面內方向上的延遲Re之參差ΔRe。 ΔRe＝Re（max）－Re（min）　（A1）
光學薄膜之厚度方向的延遲Rth以30 nm以下為佳，以25 nm以下為較佳，以20 nm以下為更佳，且以1 nm以上為佳，以2 nm以上為較佳，以3 nm以上為更佳。藉由厚度方向的延遲Rth落於前述範圍，可有效減小光學薄膜的捲曲量，可優化表面狀態。
光學薄膜之在面內方向上的延遲Re在透過延伸原料薄膜來製造光學薄膜的情況下，可藉由調整原料薄膜的厚度或調整延伸倍率等來調整。
並且，光學薄膜之厚度方向的延遲Rth在透過延伸原料薄膜來製造光學薄膜的情況下，可藉由調整原料薄膜的厚度或調整延伸倍率等來調整。
［1.3.光學薄膜的熱機械特性］
本實施型態之光學薄膜，於指定之熱機械分析試驗後的尺寸變化率R小。尺寸變化率R具體上可藉由下述條件之熱機械分析（TMA）試驗來量測。 自光學薄膜切下長度40 mm、幅寬5 mm、厚度為任意的試片。 隨後，以熱機械分析裝置所具備之一對薄膜夾頭握持該試片之在長邊方向上之兩邊緣部。於此，將該一對薄膜夾頭的離間距離定為20 mm。 隨後，對於試片之位於一對薄膜夾頭之間之一部分（長度L（20）＝20 mm），在長邊方向上賦予25 mN之拉伸荷重，同時將試片以5℃／分鐘之速度自20℃升溫至160℃，隨後維持在160℃下3分鐘，隨後以5℃／分鐘之速度自160℃降溫至0℃。 於在前述條件下進行之熱機械分析試驗後，量測試片之位於一對薄膜夾頭之間之一部分之長度L（20＋α），藉由下式（1）求出尺寸變化率R。 R＝（L（20＋α）－L（20））／L（20）×100　（1）
尺寸變化率R得定為對於自光學薄膜切下之多片試片求出的尺寸變化率之平均值。在光學薄膜係長條狀的薄膜之情況下，得定為對於「以長邊方向與運送方向一致之方式切下的試片」與「以長邊方向與正交於運送方向之方向（幅寬方向）一致之方式切下的試片」求出之各個尺寸變化率之平均值。
尺寸變化率之絕對值｜R｜以1.5%以下為佳，以1.0%以下為較佳，理想上為0%，但可為0%以上，亦可為0.1%以上。
藉由尺寸變化率之絕對值｜R｜為前述上限值以下，可減小光學薄膜的捲曲量，可優化表面狀態。
舉例而言，藉由透過於後敘述之製造方法來製造光學薄膜，得使光學薄膜的尺寸變化率之絕對值｜R｜為前述上限值以下。
［1.4.光學薄膜的型態、特性等］
光學薄膜可為裁斷成張的薄膜，亦可為長條狀的薄膜。
長條狀的光學薄膜，在面內方向上賦予最大折射率nx之方向與光學薄膜之幅寬方向所夾之角度以5°以下為佳，以4°以下為較佳，以3°以下為更佳，且以0°以上為佳。於此，長條狀的光學薄膜之幅寬方向通常係與光學薄膜之運送方向正交的方向。
此種長條狀的光學薄膜可因應構成光學薄膜之結晶性樹脂之固有雙折射的正負，藉由將長條狀的原料薄膜橫向單軸延伸或縱向單軸延伸來製造。舉例而言，在結晶性樹脂之固有雙折射為正的情形中，藉由將長條狀的原料薄膜橫向單軸延伸，可製造賦予折射率nx之方向與光學薄膜之幅寬方向所夾之角度位於前述範圍的光學薄膜。
係為長條狀的光學薄膜之幅寬得因應使用目的等適當選擇。係為長條狀的光學薄膜之幅寬以1000 mm以上為佳，以1500 mm以上為較佳，且以3000 mm以下為佳，以2500 mm以下為較佳。
光學薄膜之厚度得因應光學薄膜的用途等適當選擇，但以10 μm以上為佳，以12 μm以上為較佳，且以100 μm以下為佳，以50 μm以下為較佳。藉由光學薄膜之厚度為前述範圍之下限值以上，可獲得高的機械性強度。並且，藉由為上限值以下，可薄化包含光學薄膜的光學構件之厚度。
光學薄膜以具有高的全光線穿透率為佳。具體而言，光學薄膜之全光線穿透率以80%以上為佳，以85%以上為較佳，以88%以上為尤佳。光學薄膜之全光線穿透率得使用紫外線―可見光分光計在波長400 nm～700 nm之範圍量測。
光學薄膜之霧度小。具體而言，光學薄膜之霧度以2.0%以下為佳，以1.0%以下為較佳，以0.8%以下為更佳，理想上為0%。霧度如此之小的光學薄膜得合適使用於透明性受到要求的偏光件保護薄膜等。
光學薄膜之霧度，得以光學薄膜之中央部為中心，將此光學薄膜切成50 mm×50 mm之正方形，獲得樣本，使用霧度計量測此樣本。
光學薄膜之內部霧度小。具體而言，光學薄膜之內部霧度以1.0%以下為佳，以0.5%以下為較佳，以0.3%以下為更佳，理想上為0%。
光學薄膜之內部霧度，得藉由下述方式來量測：將已以純水稀釋溴化鋅的水溶液置入石英槽內，將已自光學薄膜切下之長方形狀的薄膜片插入前述石英槽中，將石英槽設置於霧度計以量測其霧度。
光學薄膜以延伸薄膜為佳，以單軸延伸薄膜為較佳。在本說明書中，除非另有註記，否則所謂單軸延伸，係謂僅往一延伸方向的延伸且不會進行往其以外之方向之延伸的延伸。並且，前述單軸延伸以不會使在與延伸方向垂直之面內方向上之尺寸變化的固定端單軸延伸為佳。
［2.光學薄膜的用途］
光學薄膜得使用於任意用途。光學薄膜得作為例如：液晶顯示裝置用之偏光板保護薄膜、有機電致發光（有機EL）顯示裝置用之保護薄膜、光學用多層薄膜之基材薄膜等合適使用。
［3.光學薄膜的製造方法］
製造本實施型態之光學薄膜的方法並不特別受限。本實施型態之光學薄膜可藉由例如包含下述工序（1）～（5）的製造方法來製造。
［3.1.工序（1）］
在工序（1）中，準備由包含具有結晶性之聚合物的熱塑性樹脂而成的薄膜（延伸前薄膜）。製造薄膜的方法並不特別受限。得藉由例如射出成形法、擠製成形法、加壓成形法、吹脹成形法、吹塑成形法、砑光成形法、壓鑄成形法、壓縮成形法等樹脂成形法來製造。此等之中，就容易控制厚度而言，以擠製成形法為佳。
在藉由擠製成形法製造延伸前薄膜的情況下，在此擠製成形法中的製造條件以如下所述為佳。料缸溫度（熔融樹脂溫度）以Mp以上為佳，以「Mp＋20℃」以上為較佳，且以「Mp＋100℃」以下為佳，以「Mp＋50℃」以下為較佳。並且，鑄造輥溫度以「Tg－50℃」以上為佳，且以「Tg＋70℃」以下為佳，以「Tg＋40℃」以下為較佳。再者，冷卻輥溫度以「Tg－70℃」以上為佳，以「Tg－50℃」以上為較佳，且以「Tg＋60℃」以下為佳，以「Tg＋30℃」以下為較佳。藉由在此種條件下製造延伸前薄膜，可製造適於光學薄膜之製造的延伸前薄膜。於此，構成薄膜之熱塑性樹脂的熔點定為Mp（℃），構成薄膜之熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度定為Tg（℃）。在以下記載中亦同。
延伸前薄膜準備為長條狀的薄膜。延伸前薄膜可以長條狀的薄膜就此供於工序（2）以後的工序。並且，延伸前薄膜亦可切成任意大小而獲得裁斷成張的薄膜，並將此裁斷成張的薄膜供於工序（2）以後的工序。
［3.2.工序（2）］
在工序（2）中，將在工序（1）中所準備的薄膜預熱。預熱的溫度通常為（Tg＋5）℃以上，以（Tg＋10）℃以上為佳，以（Tg＋15）℃以上為較佳，且以未達（Tg＋50）℃為佳，以（Tg＋40）℃以下為較佳，以（Tg＋35）℃以下為更佳。預熱的溫度係薄膜所暴露之加熱氣體環境的溫度，通常呈與加熱裝置之設定溫度相同的溫度。
作為將薄膜預熱的加熱裝置，以可以非接觸加熱薄膜的加熱裝置為佳，作為此種加熱裝置之例，可列舉烘箱及加熱爐。
本工序通常在把持薄膜之位於邊緣部之至少兩個邊的狀態下進行。並且，薄膜之邊的把持，通常以所把持之薄膜不會收縮的方式進行。所把持之薄膜通常會呈施有張力的緊繃狀態，而不會產生撓曲。因此，在預熱溫度中，薄膜可維持平坦，由熱收縮所致之變形受到抑制。於此，所謂將薄膜維持平坦，係謂以不會在薄膜產生波紋及皺褶等變形之方式使薄膜保有平面形狀。惟在如此受到把持的狀態中，不包含受到把持的薄膜實質上延伸的狀態。並且，所謂實質上延伸，係謂薄膜之往任一方向的延伸倍率通常呈1.01倍以上。
在把持薄膜的情況下，通常透過適切的把持具把持薄膜之邊。把持具可為得連續把持薄膜之邊之全長者，亦可為得空出間隔而間斷把持者。舉例而言，亦可透過以指定之間隔排列的把持具間斷把持薄膜之邊。
為了在薄膜之寬廣面積中防止變形，以把持包含相對的兩個邊的邊為佳。舉例而言，在矩形之裁斷成張的薄膜中，藉由把持相對的兩個邊（例如兩個長邊或兩個短邊），可在此裁斷成張的薄膜之整個面中防止變形。並且，在長條狀的薄膜中，藉由把持位於幅寬方向之邊緣部的兩個邊（亦即長邊），可在此長條狀的薄膜之整個面中防止變形。如此已防止變形的薄膜，即使因熱收縮而於薄膜內產生應力，皺褶等變形的產生亦會受到抑制。
為了更確實抑制在工序（2）中的變形，以把持更多邊為佳。據此，舉例而言，在裁斷成張的薄膜中，以把持其所有邊為佳。若要舉出具體例，在矩形之裁斷成張的薄膜中，以把持四個邊為佳。
作為得把持薄膜之邊的把持具，以在薄膜之邊以外的部分不與薄膜接觸者為佳。藉由使用此種把持具，可獲得平滑性更優異的薄膜。
並且，作為把持具，以得在工序（2）中固定把持具彼此之相對位置者為佳。此種把持具由於在工序（2）中把持具彼此之位置不會相對移動，故容易抑制在工序（2）中之薄膜實質上的延伸。
作為合適的把持具，可舉出例如得以指定間隔設置於模框並握持薄膜之邊的夾具（clip）等握持件作為矩形之薄膜用的把持具。並且，舉例而言，作為用以把持「位於長條狀的薄膜之幅寬方向之邊緣部的兩個邊」的把持具，可舉出得設置於拉幅延伸機並握持薄膜之邊的握持件。
在使用長條狀的薄膜之情況下，亦可把持薄膜之施以預熱處理之部位之長邊方向上的兩側。舉例而言，亦可於薄膜之施以預熱處理之部位之長邊方向的兩側，設置得把持薄膜的把持裝置。作為此種把持裝置，可列舉例如：2根輥之組合、擠製機與牽引輥之組合等。藉由利用此等組合對薄膜施加運送張力等張力，可抑制在施以預熱處理之部位中該薄膜的熱收縮。因此，若將前述組合作為把持裝置使用，即可沿長邊方向運送薄膜同時把持該薄膜，故可有效率製造光學薄膜。
［3.3.工序（3）］
在工序（3）中，將經工序（2）預熱之薄膜延伸。工序（3）通常與工序（2）連續進行。作為延伸之例，可列舉單軸延伸及同時雙軸延伸，以單軸延伸為佳。單軸延伸為縱向單軸延伸、橫向單軸延伸及斜向單軸延伸之任一者皆可。
在工序（3）中的延伸倍率以1.1倍以上為佳，以1.15倍以上為較佳，且以4.0倍以下為佳，以3.0倍以下為較佳。
延伸在將經延伸之薄膜加熱的同時進行。
工序（3）包含將薄膜以（Tg＋10）℃以上且未達（Tg＋50）℃延伸之工序（3-1）、隨後將前述薄膜以（Tg＋50）℃以上延伸之工序（3-2）。通常進行工序（3-1）的溫度為進行工序（2）的溫度以上。
工序（3-1）與工序（3-2）以連續的工序為佳。加熱的溫度係薄膜所暴露之加熱氣體環境的溫度，通常呈與加熱裝置之設定溫度相同的溫度。良佳之加熱裝置及其例與在工序（2）之說明中所列舉之裝置相同。
進行工序（3-2）的溫度以未達（Tg＋120）℃為佳。
在工序（3-1）及工序（3-2）個別之中，可於將薄膜延伸期間在前述溫度之範圍內連續使加熱溫度上升，亦可分段使加熱溫度上升，還可於將薄膜延伸期間在前述溫度之範圍內將加熱溫度保持一定。
在工序（3-1）及工序（3-2）個別之中，以於將薄膜延伸期間在前述溫度範圍內將加熱溫度保持一定為佳。亦即，工序（3-1）以將薄膜以（Tg＋10）℃以上且未達（Tg＋50）℃之一定溫度延伸的工序為佳。工序（3-2）以將薄膜以（Tg＋50）℃以上之一定溫度延伸的工序為佳。
工序（3-1）之時間相對於工序（3-2）之時間的比率（（3-1）／（3-2））以3／5以上為佳，以4／5以上為較佳，以9／10以上為更佳，且以5／3以下為佳，以5／4以下為較佳，以10／9以下為更佳。
［3.4.工序（4）］
在工序（4）中，將經工序（3）延伸之薄膜以（Tg＋70）℃以上熱處理25秒鐘。工序（4）通常與工序（3）連續進行。
熱處理的溫度通常為（Tg＋70）℃以上，以（Tg＋80）℃以上為佳，以（Tg＋90）℃以上為較佳，且以（Tg＋120）℃以下為佳，以（Tg＋110）℃以下為較佳，以（Tg＋100）℃以下為更佳。熱處理的溫度係薄膜所暴露之加熱氣體環境的溫度，通常呈與加熱裝置之設定溫度相同的溫度。良佳之加熱裝置及其例與在工序（2）之說明中所列舉之裝置相同。通常進行工序（4）的溫度較進行工序（3-2）的溫度高。
熱處理的時間通常為25秒鐘以上，以30秒鐘以上為佳，以35秒鐘以上為較佳，且以50秒鐘以下為佳，以40秒鐘以下為較佳。
藉由工序（4），可促進接下來所進行之工序（5）中之具有結晶性之聚合物的結晶化。
本工序與前述工序（2）相同，通常在把持薄膜之至少兩個邊的狀態下進行。藉此，可抑制經延伸之薄膜的熱收縮。
［3.5.工序（5）］
在工序（5）中，將經前述工序（4）熱處理之薄膜以（Tg）℃以下熱固定。工序（5）通常與工序（4）連續進行。所謂熱固定，係藉由將經熱處理之薄膜暴露於較在工序（4）中之熱處理溫度還低的溫度來促使薄膜所包含之具有結晶性之聚合物結晶化的工序。
熱固定的溫度通常為（Tg）℃以下，以（Tg－5）℃以下為佳，且以（Tg－60）℃以上為佳，以（Tg－40）℃以上為較佳，以（Tg－15）℃以上為更佳。熱固定的溫度係薄膜所暴露之加熱氣體環境的溫度，通常呈與加熱裝置之設定溫度相同的溫度。良佳之加熱裝置及其例與在工序（2）之說明中所列舉之裝置相同。
本工序與前述工序（2）相同，通常在把持薄膜之至少兩個邊的狀態下進行。藉此，可抑制經熱處理之薄膜的熱收縮。
前述光學薄膜的製造方法亦可更包含任意工序組合至工序（1）～（5）。作為此種工序之例，可舉出對光學薄膜施以表面處理之工序。
［4.光學薄膜的製造裝置］
光學薄膜的製造方法得藉由延伸裝置來進行。作為延伸裝置之例，可列舉：橫向單軸延伸裝置、縱向單軸延伸裝置、斜向延伸裝置及縱向橫向同時雙軸延伸裝置，光學薄膜可以任一延伸裝置製造。以下舉出橫向單軸延伸裝置作為光學薄膜的製造裝置之一例來說明。
圖1係概略繪示得在光學薄膜的製造方法中使用之延伸裝置的俯視示意圖。
在圖1中，延伸裝置100包含拉幅夾具運送裝置200及烘箱300。拉幅夾具運送裝置200具備導軌220L及220R、分別為導軌220L及220R所引導之一對夾具鏈（並未在圖1中圖示）與驅動夾具鏈的驅動裝置（並未圖示）。一對夾具鏈分別係連結有多個拉幅夾具者。在圖1所示之例中，導軌220L及220R的配置做成將薄膜30之邊緣部30L及30R以橫向單軸延伸之方式引導的配置。透過驅動裝置，拉幅夾具沿導軌220L及220R等速移動。
烘箱300圍繞薄膜的運送路徑，於內部具備隔牆350，藉此於內部劃定預熱區310、延伸區320a、延伸區320b、熱處理區330及熱固定區340。預熱區310的溫度設定成Tg（℃）＋5℃以上。延伸區320a的溫度設定成（Tg＋10）℃以上且未達（Tg＋50）℃。延伸區320b的溫度設定成（Tg＋50）℃以上。以使薄膜通過延伸區320a之時間與薄膜通過延伸區320b之時間呈相同的方式來制定延伸區320a及延伸區320b在薄膜運送方向上的長度。具體而言，延伸區320a的長度相對於延伸區320b的長度之比呈1：1。
熱處理區330的溫度設定成（Tg＋70）℃以上。熱固定區340設定成（Tg）℃以下。並且，以使薄膜通過熱處理區330之時間成為25秒鐘以上的方式來設定熱處理區330。
在延伸裝置100的操作中，在導軌220L及220R的上游端以拉幅夾具握持自送出卷20送出之薄膜30的邊緣部30L及30R，藉由使夾具鏈迴轉將薄膜30引導至下游而橫向單軸延伸，獲得作為光學薄膜的延伸薄膜10。延伸薄膜10回收為薄膜卷40。
『實施例』
以下揭示實施例以具體說明本發明。惟本發明並非受限於以下所揭示之實施例者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等之範圍的範圍內，得任意變更而實施。
在以下說明中，表示量的「%」及「份」，除非另有註記，否則係重量基準。並且，以下所說明之操作，除非另有註記，否則在常溫及常壓的條件下進行。
［評價方法］
（薄膜的尺寸變化率R的量測方法）
自光學薄膜切下長度40 mm、幅寬5 mm、厚度為任意的試片。
準備「以長邊方向與對應延伸前薄膜之運送方向（MD）之光學薄膜的方向一致之方式切下的試片」與「以長邊方向與對應延伸前薄膜之幅寬方向（TD）之光學薄膜的方向一致之方式切下的試片」2片試片。
隨後，以熱機械分析裝置所具備之一對薄膜夾頭握持該試片之在長邊方向上之兩邊緣部。於此，將該一對薄膜夾頭的離間距離定為20 mm。
隨後，對於試片之位於一對薄膜夾頭之間之一部分（長度L（20）＝20 mm），在長邊方向上賦予25 mN之拉伸荷重，同時將試片以5℃／分鐘之速度自20℃升溫至160℃，隨後維持在160℃下3分鐘，隨後以5℃／分鐘之速度自160℃降溫至0℃。
於在前述條件下進行之熱機械分析試驗後，量測試片之位於一對薄膜夾頭之間之一部分之長度L（20＋α），藉由下式（1）求出尺寸變化率R。 R＝（L（20＋α）－L（20））／L（20）×100　（1）
求出自2片試片獲得之尺寸變化率R的平均值，作為光學薄膜的尺寸變化率R。
（薄膜之厚度的量測方法）
使用卡規（Mitutoyo公司製「ID-C112BS」），在位於薄膜之中央部的直徑50 mm之區域內的多個點量測厚度。藉由計算此等量測值的平均值，求出該薄膜的平均厚度。
（薄膜之霧度的量測方法）
以光學薄膜之中央部為中心，將該薄膜切成50 mm×50 mm之正方形，獲得樣本。之後，對於此樣本，使用霧度計（日本電色工業公司製「NDH-300A」）量測霧度。
（薄膜之內部霧度的量測方法）
將以純水稀釋溴化鋅的水溶液（折射率1.53）置入高55 mm、橫40 mm、寬14 mm的石英槽內。將石英槽設置於霧度計（日本電色工業公司製「NDH2000」），量測內部霧度，進行歸零校正。隨後，將薄膜切成長方形狀，將所切下的薄膜片插入前述石英槽中。將插入薄膜片之石英槽設置於霧度計（日本電色工業公司製「NDH2000」），量測薄膜之內部霧度。
（薄膜之延遲Re及Rth的量測方法）
使用雙折射量量測計（Axometrics公司製「AxoScan」），在量測波長590 nm量測光學薄膜之面內方向的延遲Re及厚度方向的延遲Rth。
（重量平均分子量及數量平均分子量的量測方法）
聚合物的重量平均分子量及數量平均分子量，使用凝膠滲透層析（GPC）系統（東曹公司製「HLC-8320」），量測為聚苯乙烯換算值。量測時，使用H型管柱（東曹公司製）作為管柱，並使用四氫呋喃作為溶劑。並且，量測時的溫度為40℃。
（玻璃轉移溫度Tg及熔點Mp的量測方法）
以液態氮將在氮氣氣體環境下加熱至300℃的試樣急速冷卻，使用微差掃描熱量計（DSC），以10℃／分鐘升溫，分別求出試樣的玻璃轉移溫度Tg及熔點Mp。
（聚合物之氫化率的量測方法）
聚合物之氫化率，以鄰二氯苯-d4 作為溶劑，在145℃下藉由1 H-NMR量測來量測。
（聚合物之外消旋二單元組之比例的量測方法）
以鄰二氯苯-d4 作為溶劑，在200℃下，應用反閘控去耦（inverse-gated decoupling）法，進行聚合物的13 C-NMR量測。由此13 C-NMR量測的結果，以鄰二氯苯-d4 之127.5 ppm的尖峰作為基準位移，鑑定源自內消旋二單元組的43.35 ppm之訊號與源自外消旋二單元組的43.43 ppm之訊號。依據此等訊號之強度比，求出聚合物的外消旋二單元組之比例。
（捲曲量）
自所獲得之薄膜之幅寬方向的中央處割下100 mm×幅寬100 mm的薄膜片。將割下的薄膜片置於平坦的載台上。在室溫23℃下放置1小時後，以尺量測自載台浮起之薄膜片之四個角落之角自載台起算的高度。將量測到之高度之角端4點之平均值定為薄膜的捲曲量。利用以下基準來評價捲曲量。 良：捲曲量未達4 mm。 不良：捲曲量為4 mm以上。
（薄膜表面狀態）
以目視觀察光學薄膜的表面狀態。自目視觀察結果與前述薄膜試樣的捲曲量，以下述基準來綜合評價薄膜表面狀態。 良：未於薄膜看見皺褶、波紋等變形且捲曲量未達4.0 mm。 不良：於薄膜看見皺褶、波紋等變形或者捲曲量為4.0 mm以上。
［製造例1：雙環戊二烯的開環聚合物之氫化物的製造］
將金屬製之耐壓反應器充分乾燥之後氮氣置換。於此金屬製耐壓反應器加入環己烷154.5份、雙環戊二烯（內型異構物含率99%以上）之濃度70%環己烷溶液42.8份（雙環戊二烯之量為30份）及1-己烯1.9份，加溫至53℃。
於將四氯化苯基醯亞胺(四氫呋喃)鎢錯合物0.014份溶解於0.70份之甲苯的溶液中，加入濃度19%的乙氧化二乙基鋁／正己烷溶液0.061份並攪拌10分鐘，製備觸媒溶液。
將此觸媒溶液加入耐壓反應器，起始開環聚合反應。之後，保持53℃同時使其反應4小時，獲得雙環戊二烯之開環聚合物的溶液。
所獲得的雙環戊二烯之開環聚合物的數量平均分子量（Mn）及重量平均分子量（Mw），分別為8,750及28,100，由此等求出的分子量分布（Mw／Mn）為3.21。
於所獲得之雙環戊二烯之開環聚合物的溶液200份中，添加1,2-乙二醇0.037份作為終止劑，加溫至60℃，攪拌1小時，使聚合反應終止。於此，加入類水滑石化合物（協和化學工業公司製「KYOWAAD（註冊商標）2000」）1份，加溫至60℃，攪拌1小時。之後，加入助濾劑（昭和化學工業公司製「Radiolite（註冊商標）#1500」）0.4份，使用PP折筒式濾器（ADVANTEC東洋公司製「TCP-HX」）過濾分開吸附劑與溶液。
將環己烷100份加入過濾後的雙環戊二烯之開環聚合物的溶液200份（聚合物量30份），添加氯氫化羰基參(三苯基膦)釕0.0043份，並在氫壓6 MPa、180℃下進行氫化反應4小時。藉此，獲得包含雙環戊二烯的開環聚合物之氫化物的反應液。此反應液會析出氫化物而成為漿體溶液。
使用離心分離器分離前述反應液所包含之氫化物與溶液，在60℃下減壓乾燥24小時，獲得具有結晶性之雙環戊二烯的開環聚合物之氫化物28.5份。此氫化物的氫化率為99%以上，玻璃轉移溫度Tg為93℃，熔點Mp為262℃，外消旋二單元組的比例為89%。
［製造例2.延伸前薄膜的製造］
於在製造例1中所獲得之雙環戊二烯的開環聚合物之氫化物100份中，混合抗氧化劑（肆{3-[3’,5’-二(三級丁基)-4’-羥基苯基]丙酸亞甲基}甲烷；BASF Japan公司製「Irganox（註冊商標）1010」）1.1份，獲得成為薄膜之材料的樹脂。此樹脂所包含之氫化物的氫化率為99%以上，樹脂的玻璃轉移溫度Tg為92℃，樹脂的熔點Mp為260℃。
將前述樹脂放入具備4個內徑3 mmØ之模孔的雙軸擠製機（東芝機械公司製「TEM-37B」）。藉由透過前述雙軸擠製機將樹脂熱熔融擠製成形，成形為股狀的成形體。以股線切割機細切此成形體，獲得樹脂的顆粒。前述雙軸擠製機的運轉條件揭示於下。 ・料桶設定溫度：270～280℃ ・模具設定溫度：250℃ ・螺桿轉數：145 rpm ・進料器轉數：50 rpm
接下來，將所獲得之顆粒供給至具備T字模的熱熔融擠製薄膜成形機。使用此薄膜成形機，以在2 m／分鐘之速度收捲成卷的方法製造由前述樹脂而成的長條狀之延伸前薄膜（厚度20 μm、幅寬350 mm）。前述薄膜成形機的運轉條件揭示於下。 ・料桶溫度設定：280℃～290℃ ・模具溫度：270℃ ・螺桿轉數：30 rpm
［實施例1］
（1-1.預熱工序：工序（2））
將在製造例2中所獲得之長條狀之延伸前薄膜，於任意區域切下350 mm×350 mm之正方形。此切割以所切下的延伸前薄膜之正方形的邊呈與長條狀之延伸前薄膜之長邊方向或幅寬方向平行的方式進行。
準備小型延伸機（東洋精機製作所公司製「EX10-B型」）。此小型延伸機具備得握持薄膜之四邊的多個夾具，具有可藉由使此夾具移動來將薄膜延伸的結構。利用此小型延伸機的夾具握持前述所切下的延伸前薄膜之四邊。
之後，將延伸前薄膜的溫度維持在120℃，進行預熱工序（工序（2））。
（1-2.第1延伸工序：工序（3-1））
之後，使用小型延伸機，將經預熱之延伸前薄膜，在延伸倍率1.18倍、延伸溫度130℃的條件下，往對應長條狀之延伸前薄膜之幅寬方向的方向（TD）延伸。
（1-3.第2延伸工序：工序（3-2））
接下來，將經工序（3-1）延伸之薄膜，在延伸倍率1.35倍、延伸溫度160℃的條件下，往TD延伸。
（1-4.熱處理工序：工序（4））
接下來，將薄膜的溫度維持在170℃35秒鐘，將經工序（3-2）延伸之薄膜熱處理。熱處理，利用前述小型延伸機之夾具握持薄膜之四邊，在以薄膜不會發生尺寸變化之方式維持平坦的狀態下進行。
（1-5.熱固定工序：工序（5））
接下來，將薄膜的溫度維持在85℃，將經工序（4）熱處理之薄膜熱固定。熱固定，與工序（4）相同，利用前述小型延伸機之夾具握持薄膜之四邊，在以薄膜不會發生尺寸變化之方式維持平坦的狀態下進行。藉由前述方法評價所獲得之作為光學薄膜的延伸薄膜。
［實施例2］
除了變更下述事項以外，比照實施例1操作，獲得作為光學薄膜的延伸薄膜，對於所獲得之延伸薄膜予以評價。 ・在熱處理工序中，將薄膜的溫度維持在170℃所要的時間自35秒鐘變更為25秒鐘。
［實施例3］
除了變更下述事項以外，比照實施例1操作，獲得作為光學薄膜的延伸薄膜，對於所獲得之延伸薄膜予以評價。 ・將在第2延伸工序中的延伸溫度自160℃變更為130℃。
［實施例4］
除了變更下述事項以外，比照實施例1操作，獲得作為光學薄膜的延伸薄膜，對於所獲得之延伸薄膜予以評價。 ・在第1延伸工序及第2延伸工序中，將薄膜所要延伸的方向，自對應長條狀之延伸前薄膜之幅寬方向的方向（TD），變更為對應長條狀之延伸前薄膜之運送方向的方向（MD）。
［實施例5］
除了變更下述事項以外，比照實施例1操作，獲得作為光學薄膜的延伸薄膜，對於所獲得之延伸薄膜予以評價。 ・在預熱工序中，將延伸前薄膜所要維持的溫度自120℃變更為110℃。 ・將在第1延伸工序中的延伸溫度自130℃變更為135℃。
［實施例6］
除了變更下述事項以外，比照實施例1操作，獲得作為光學薄膜的延伸薄膜，對於所獲得之延伸薄膜予以評價。 ・使用長條狀之聚對酞酸乙二酯薄膜（PET）（TORAY公司製「Lumirror T60」，厚度25 μm，玻璃轉移溫度Tg＝76℃，熔點Mp＝263℃），代替在製造例2中所獲得之長條狀之延伸前薄膜作為延伸前薄膜。 ・在預熱工序中，將延伸前薄膜所要維持的溫度自120℃變更為110℃。 ・將在第1延伸工序中的延伸溫度自130℃變更為135℃。 ・在熱處理工序中，將薄膜的溫度維持在170℃所要的時間自35秒鐘變更為100秒鐘。 ・在熱固定工序中，將薄膜所要維持的溫度自85℃變更為160℃。
［實施例7］
除了變更下述事項以外，比照實施例1操作，獲得作為光學薄膜的延伸薄膜，對於所獲得之延伸薄膜予以評價。 ・在預熱工序中，將延伸前薄膜所要維持的溫度自120℃變更為110℃。 ・將在第1延伸工序中的延伸溫度自130℃變更為135℃。 ・在第1延伸工序及第2延伸工序中，將薄膜沿「對應長條狀之延伸前薄膜之幅寬方向的方向（TD）」及「對應長條狀之延伸前薄膜之運送方向的方向（MD）」二方向同時延伸成延伸倍率1.32。於此，延伸倍率係TD的延伸倍率與MD的延伸倍率之積。
［比較例1］
除了變更下述事項以外，比照實施例1操作，獲得作為光學薄膜的延伸薄膜，對於所獲得之延伸薄膜予以評價。 ・將在第2延伸工序中的延伸溫度自160℃變更為130℃。 ・在熱處理工序中，將薄膜所要維持的溫度自170℃變更為165℃。
［比較例2］
除了變更下述事項以外，比照實施例1操作，獲得作為光學薄膜的延伸薄膜，對於所獲得之延伸薄膜予以評價。 ・在熱固定工序中，將薄膜所要維持的溫度自85℃變更為115℃。
［比較例3］
除了變更下述事項以外，比照實施例1操作，獲得作為光學薄膜的延伸薄膜，對於所獲得之延伸薄膜予以評價。 ・在熱處理工序中，將薄膜的溫度維持在170℃所要的時間自35秒鐘變更為20秒鐘。
以上結果揭示於下表。
在表1及表2中，縮寫表示下述意義。 COP：在製造例1中所獲得之雙環戊二烯的開環聚合物之氫化物 PET：聚對酞酸乙二酯 ＊1：於薄膜有皺褶及波紋。
『表1』
表1              
實施例 1 實施例 2 實施例 3 實施例 4 實施例 5 實施例 6 實施例 7
結晶性樹脂 COP COP COP COP COP PET COP
Re(nm) 3 3 4 3 5 18 5
Rth(nm) 12 12 13 12 37 48 65
尺寸變化率絕對值｜R｜(%) 1.15 1.2 1.4 1.15 1.4 1.5 1.5
預熱工序溫度(℃) 120 120 120 120 110 110 110
第1延伸工序溫度(℃) 130 130 130 130 135 135 135
第2延伸工序溫度(℃) 160 160 130 160 160 160 160
熱處理工序溫度(℃) 170 170 170 170 170 170 170
熱固定工序溫度(℃) 85 85 85 85 85 160 85
熱處理工序時間(min) 35 25 35 35 35 100 35
霧度(%) 0.8 0.8 1.5 0.8 1.0 6.0 3.0
內部霧度(%) 0.05 0.1 0.3 0.05 0.3 5.0 2.6
捲曲(mm) 0.5 0.5 1.0 0.5 1.5 2.0 2.5
捲曲評價 良 良 良 良 良 良 良
薄膜表面狀態 良 良 良 良 良 良 良
『表2』
表2      
比較例 1 比較例 2 比較例 3
結晶性樹脂 COP COP COP
Re 4 6 3
Rth 14 15 12
尺寸變化率絕對值｜R｜(%) 1.75 1.85 3.25
預熱工序溫度(℃) 120 120 120
第1延伸工序溫度(℃) 130 130 130
第2延伸工序溫度(℃) 130 160 160
熱處理工序溫度(℃) 165 170 170
熱固定工序溫度(℃) 85 115 85
熱處理工序時間(min) 35 35 20
霧度(%) 1.7 1.8 6.0
內部霧度(%) 0.45 1.0 5.0
捲曲(mm) 4.0 4.5 6.0
捲曲評價 不良 不良 不良
薄膜表面狀態 不良*1 不良*1 不良*1
根據以上結果，可知以下情事。
尺寸變化率之絕對值｜R｜大於1.5%的比較例1～3相關之光學薄膜，捲曲量大，薄膜表面狀態不良。
另一方面，尺寸變化率之絕對值｜R｜為1.5%以下且延遲Re為20 nm以下的實施例相關之光學薄膜，捲曲量小，薄膜表面狀態良好。
並且，實施例1、2、4、5、7相關之光學薄膜，捲曲的量少，薄膜表面狀態良好。實施例1、2、4、5、7相關之光學薄膜係由下述製造方法所製造，所述製造方法包含：將薄膜以結晶性樹脂之玻璃轉移溫度Tg（℃）＋5℃以上預熱的工序（2）、將經預熱之前述薄膜延伸的工序（3）、將經延伸之前述薄膜以（Tg＋70）℃以上熱處理25秒鐘以上的工序（4），以及將經熱處理之前述薄膜以（Tg）℃以下熱固定的工序（5），前述工序（3）包含將前述薄膜以（Tg＋10）℃以上且未達（Tg＋50）℃延伸的工序（3-1）、隨後將前述薄膜以（Tg＋50）℃以上延伸的工序（3-2）。
10:延伸薄膜 20:送出卷 30:薄膜 30R、30L:邊緣部 40:薄膜卷 100:延伸裝置 200:拉幅夾具運送裝置 220R、220L:導軌 300:烘箱 310:預熱區 320a:延伸區 320b:延伸區 330:熱處理區 340:熱固定區 350:隔牆
〈圖1〉圖1係概略繪示得在光學薄膜的製造方法中使用之延伸裝置的俯視示意圖。
10:延伸薄膜
20:送出卷
30:薄膜
30R、30L:邊緣部
40:薄膜卷
100:延伸裝置
200:拉幅夾具運送裝置
220R、220L:導軌
300:烘箱
310:預熱區
320a:延伸區
320b:延伸區
330:熱處理區
340:熱固定區
350:隔牆

Claims (5)

  1. 一種光學薄膜，其係由包含具有結晶性之聚合物的熱塑性樹脂而成的光學薄膜，面內方向的延遲Re為20 nm以下，熱機械分析試驗後的前述光學薄膜相對於前述熱機械分析試驗前的前述光學薄膜之尺寸的尺寸變化率之絕對值｜R｜為0%以上且1.5%以下，前述熱機械分析試驗係在下述條件下進行：對於自前述光學薄膜切下之試片之長度L（20）之一部分，在長邊方向上賦予25 mN之拉伸荷重，同時將前述試片以5℃／分鐘之速度自20℃升溫至160℃，隨後維持在160℃下3分鐘，隨後以5℃／分鐘之速度自160℃降溫至0℃，前述尺寸變化率R係由下式（1）：R＝（L（20＋α）－L（20））／L（20）×100　（1）求出，前述式（1）中，L（20）表示前述熱機械分析試驗前的前述試片之前述一部分的長度，L（20＋α）表示前述熱機械分析試驗後的前述試片之前述一部分的長度。
  2. 如請求項1所述之光學薄膜，其厚度方向的延遲Rth為30 nm以下。
  3. 如請求項1或2所述之光學薄膜，其中前述具有結晶性之聚合物係含脂環結構聚合物。
  4. 如請求項1或2所述之光學薄膜，其係延伸薄膜。
  5. 如請求項4所述之光學薄膜，其係單軸延伸薄膜。
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