TWI829868B - 相位差薄膜及其製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 72
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 251
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 251
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 186
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 128
- 238000009998 heat setting Methods 0.000 claims abstract description 53
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 159
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 88
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 claims description 86
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 43
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 43
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 28
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 claims description 22
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 16
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 768
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 77
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 41
- 230000008859 change Effects 0.000 description 37
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 27
- 229920006038 crystalline resin Polymers 0.000 description 20
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 20
- -1 cyclic olefin Chemical class 0.000 description 18
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 17
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 16
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 14
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 14
- 239000000047 product Substances 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 10
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 9
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 7
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 5
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 5
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- 238000009474 hot melt extrusion Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 4
- RFFLAFLAYFXFSW-RHQRLBAQSA-N 1,2-dichloro-3,4,5,6-tetradeuteriobenzene Chemical compound [2H]C1=C([2H])C([2H])=C(Cl)C(Cl)=C1[2H] RFFLAFLAYFXFSW-RHQRLBAQSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 3
- 150000001925 cycloalkenes Chemical group 0.000 description 3
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 2
- 150000007980 azole derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 150000001924 cycloalkanes Chemical group 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 2
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Natural products C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 2
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TXVWTOBHDDIASC-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenylethene-1,2-diamine Chemical class C=1C=CC=CC=1C(N)=C(N)C1=CC=CC=C1 TXVWTOBHDDIASC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 1-(2H-benzotriazol-5-yl)-3-methyl-8-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carbonyl]-1,3,8-triazaspiro[4.5]decane-2,4-dione Chemical compound CN1C(=O)N(c2ccc3n[nH]nc3c2)C2(CCN(CC2)C(=O)c2cnc(NCc3cccc(OC(F)(F)F)c3)nc2)C1=O YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZELXJBMMZFDDU-UHFFFAOYSA-N Imidazol-2-one Chemical class O=C1N=CC=N1 WZELXJBMMZFDDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N N-[[(5S)-2-oxo-3-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)-1,3-oxazolidin-5-yl]methyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1O[C@H](CN1C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N [3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-ylmethyl)-1-oxa-2,8-diazaspiro[4.5]dec-2-en-8-yl]-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]methanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CC1=NOC2(C1)CCN(CC2)C(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229940058303 antinematodal benzimidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical class N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 150000001565 benzotriazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000000071 blow moulding Methods 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003490 calendering Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000004512 die casting Methods 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- GCPCLEKQVMKXJM-UHFFFAOYSA-N ethoxy(diethyl)alumane Chemical compound CCO[Al](CC)CC GCPCLEKQVMKXJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000006081 fluorescent whitening agent Substances 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- SFMJNHNUOVADRW-UHFFFAOYSA-N n-[5-[9-[4-(methanesulfonamido)phenyl]-2-oxobenzo[h][1,6]naphthyridin-1-yl]-2-methylphenyl]prop-2-enamide Chemical compound C1=C(NC(=O)C=C)C(C)=CC=C1N1C(=O)C=CC2=C1C1=CC(C=3C=CC(NS(C)(=O)=O)=CC=3)=CC=C1N=C2 SFMJNHNUOVADRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005209 naphthoic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002667 nucleating agent Substances 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920001281 polyalkylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 238000007151 ring opening polymerisation reaction Methods 0.000 description 1
- YBCAZPLXEGKKFM-UHFFFAOYSA-K ruthenium(iii) chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Ru+3] YBCAZPLXEGKKFM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000012748 slip agent Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C55/00—Shaping by stretching, e.g. drawing through a die; Apparatus therefor
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Abstract
在包含準備原料薄膜之準備工序、以指定面延伸倍率將原料薄膜延伸以獲得延伸薄膜之延伸工序、將延伸薄膜的溫度升溫之升溫工序與將延伸薄膜溫度維持於指定範圍之熱固定工序之樹脂薄膜的製造方法中，適度控制在升溫工序中之延伸薄膜的升溫。
Description
本發明係關於樹脂薄膜的製造方法以及相位差薄膜及其製造方法。
以往，使用「包含含有脂環結構且具有結晶性之聚合物的樹脂」之樹脂薄膜已為人所知。舉例而言，在專利文獻1中，記載有使用「包含含有脂環結構且具有結晶性之聚合物的樹脂」以製造延伸薄膜的技術。
『專利文獻』
《專利文獻1》：日本專利第6406479號公報
作為使用「包含含有脂環結構且具有結晶性之聚合物的樹脂」之樹脂薄膜的製造方法，有包含以下工序的方法：準備透過前述樹脂形成的原料薄膜之工序、將此原料薄膜延伸以獲得延伸薄膜之工序與對此延伸薄膜施以熱固定處理以獲得樹脂薄膜之工序。根據延伸，通常可使聚合物之分子定向，故可於薄膜使延遲顯現。並且，根據熱固定處理，通常可促使聚合物之結晶化，故可降低薄膜的熱膨脹率。據此，根據前述製造方法，期待可獲得具有期望延遲且熱膨脹率小的樹脂薄膜。
根據本發明人之研究，明白若以高溫進行在前述製
造方法中之原料薄膜的延伸，則延遲的顯現性容易變低，所獲得之樹脂薄膜的內部霧度容易變大。於是，本發明人嘗試以低溫進行延伸。具體而言，嘗試以Tg+5℃以上且Tg+25℃以下(Tg表示聚合物的玻璃轉移溫度。)進行延伸。然而，發現若如此以低溫進行延伸，則最終所獲得之樹脂薄膜的膜厚參差可能會變大。
第一本發明係鑑於前述第一問題而首創者，其目的在於提供「可製造由包含含有脂環結構且具有結晶性之聚合物的樹脂所形成且熱膨脹率、膜厚參差及內部霧度皆小的樹脂薄膜」之包含在低溫下之延伸的製造方法。
由包含含有脂環結構且具有結晶性之聚合物的樹脂所形成之薄膜，由於可藉由延伸使聚合物之分子定向，故可顯現雙折射。並且，若對經如此延伸之薄膜進行熱固定以使聚合物之結晶化進行，可增大雙折射。於是，本發明人嘗試：藉由準備包含「包含含有脂環結構且具有結晶性之聚合物的樹脂」之樹脂薄膜，並對此樹脂薄膜進行延伸及熱固定，來製造具有大的雙折射的相位差薄膜。
一般而言，在以高延伸溫度進行樹脂薄膜之延伸的情況下，雙折射之顯現性有變小的傾向。於是，本發明人為了達成大的雙折射，而嘗試降低延伸溫度。然而，在延伸溫度低的情況下，所獲得之相位差薄膜的膜厚參差有變大的傾向。據此，在以往的技術中，使用「包含含有脂環結構且具有結晶性之聚合物的樹脂」以製造雙折射大且膜厚參差小的相位差薄膜，實屬困難。
第二本發明係鑑於前述第二問題而首創者，其目的在於提供由包含含有脂環結構且具有結晶性之聚合物的樹脂所形成、雙折射大且膜厚參差小的相位差薄膜及其製造方法。
本發明人為能解決前述第一及第二問題而潛心研究。其結果，本發明人發現藉由在包含「準備原料薄膜之準備工序、將原料薄膜以指定面延伸倍率延伸以獲得延伸薄膜之延伸工序、將延伸薄膜的溫度升溫之升溫工序與將延伸薄膜的溫度維持於指定範圍之熱固定工序」之樹脂薄膜的製造方法中適度控制在升溫工序中之延伸薄膜的升溫，可解決前述第一及第二問題，進而完成第一及第二本發明。
亦即，本發明包含下述內容。
〔1〕一種樹脂薄膜的製造方法，其係包含下述工序之樹脂薄膜的製造方法：準備由包含含有脂環結構且具有結晶性之聚合物的樹脂所形成的原料薄膜之準備工序，將前述原料薄膜延伸至面延伸倍率1.1倍以上以獲得延伸薄膜之延伸工序，將前述延伸薄膜的溫度自前述延伸工序之結束時間點的溫度T1升溫至溫度T3之升溫工序，與將前述延伸薄膜的溫度維持於前述溫度T3以上之熱固定工序；其中前述升溫工序包含：
將前述延伸薄膜的溫度以一定升溫速度自前述溫度T1升溫至較前述溫度T3還低5℃以上的溫度T2之前期升溫工序，與將前述延伸薄膜的溫度自前述溫度T2升溫至前述溫度T3之後期升溫工序；在前述前期升溫工序中，自前述延伸薄膜的溫度開始升溫之時間點至到達前述溫度T2之時間點的時間為15秒鐘以上且250秒鐘以下；自「在前述前期升溫工序中前述延伸薄膜的溫度到達前述溫度T2之時間點」至「結束在熱固定工序中之前述溫度T3以上的維持之時間點」的時間為10秒鐘以上且250秒鐘以下；前述聚合物具有玻璃轉移溫度Tg及結晶化尖峰溫度Tc；前述溫度T1為Tg+5℃以上且Tg+25℃以下；前述溫度T2為Tc+5℃以上且Tc+30℃以下；前述溫度T3為Tc+10℃以上且Tc+100℃以下。
〔2〕如〔1〕所記載之樹脂薄膜的製造方法，其中前述聚合物為雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物。
〔3〕一種相位差薄膜，其係由包含含有脂環結構且具有結晶性之聚合物的樹脂所形成的相位差薄膜，其中前述相位差薄膜之面內方向的雙折射及厚度方向的雙折射之至少一者為0.008以上，前述相位差薄膜的內部霧度為1%以下，且
由下述式(II-1)所示之膜厚參差VtII為5%以下。
VtII〔%〕=〔(tII max-tII min)/tII ave〕×100 (II-1)
(前述式(II-1)中，tII max表示前述相位差薄膜之厚度的最大值，tII min表示前述相位差薄膜之厚度的最小值，tII ave表示前述相位差薄膜之厚度的平均值。)
〔4〕如〔3〕所記載之相位差薄膜，其中前述相位差薄膜之厚度方向的延遲Rth為200nm以上。
〔5〕如〔3〕或〔4〕所記載之相位差薄膜，其中前述聚合物為雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物。
〔6〕一種相位差薄膜的製造方法，其係如〔3〕~〔5〕之任一項所記載之相位差薄膜的製造方法；其中前述製造方法包含：準備由包含含有脂環結構且具有結晶性之聚合物的樹脂所形成的原料薄膜之準備工序，將前述原料薄膜延伸至面延伸倍率1.1倍以上以獲得延伸薄膜之延伸工序，將前述延伸薄膜的溫度自前述延伸工序之結束時間點的溫度T1升溫至溫度T3之升溫工序，與將前述延伸薄膜的溫度維持於前述溫度T3以上之熱固定工序；前述升溫工序包含：
將前述延伸薄膜的溫度以一定升溫速度自前述溫度T1升溫至較前述溫度T3還低5℃以上的溫度T2之前期升溫工序，與將前述延伸薄膜的溫度自前述溫度T2升溫至前述溫度T3之後期升溫工序；在前述前期升溫工序中，自前述延伸薄膜之溫度開始升溫之時間點至到達前述溫度T2之時間點的時間為15秒鐘以上且250秒鐘以下；自「在前述前期升溫工序中前述延伸薄膜的溫度到達前述溫度T2之時間點」至「結束在熱固定工序中之前述溫度T3以上的維持之時間點」的時間為10秒鐘以上且250秒鐘以下；前述聚合物具有玻璃轉移溫度Tg及結晶化尖峰溫度Tc，前述溫度T1為Tg+5℃以上且Tg+25℃以下，前述溫度T2為Tc+5℃以上且Tc+30℃以下，前述溫度T3為Tc+10℃以上且Tc+100℃以下。
根據第一本發明，可提供「可製造由包含含有脂環結構且具有結晶性之聚合物的樹脂所形成且熱膨脹率、膜厚參差及內部霧度皆小的樹脂薄膜」之包含在低溫下之延伸的製造方法。
根據第二本發明，可提供由包含含有脂環結構且具有結晶性之聚合物的樹脂所形成、雙折射大且膜厚參差小的相位差薄膜及其製造方法。
以下揭示實施型態及示例物以詳細說明本發明。惟本發明並非受限於以下所揭示之實施型態及示例物者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等之範圍的範圍內，得任意變更而實施。
在以下說明中，所謂「長條狀」的薄膜，係謂具有相對於幅寬為5倍以上之長度的薄膜，以具有10倍或其以上之長度為佳，具體上係謂具有可收捲成卷狀來儲存或搬運之程度之長度的薄膜。長度的上限並無特別限制，但通常相對於幅寬為10萬倍以下。
在以下說明中，所謂構件的方向為「平行」、「垂直」及「正交」，除非另有註記，否則在不損及本發明之效果的範圍內，亦可包含例如±5°之範圍內的誤差。
在以下說明中，長條狀之薄膜的長邊方向通常與在生產線中之薄膜運送方向平行。並且，MD方向(machine direction)係在生產線中之薄膜的運送方向，通常與長條狀之薄膜的長邊方向平行。再者，TD方向(transverse direction)係平行於薄膜面的方向，且係垂直於前述MD方向的方向，通常與長條狀之薄膜的幅寬方向平行。
在以下說明中，所謂面內方向，除非另有註記，否則表示與厚度方向正交的方向。
〔I.第一實施型態〕
〔I-1.樹脂薄膜的製造方法之概要〕
本發明之第一實施型態相關之樹脂薄膜的製造方法係藉由包含含有脂環結構且具有結晶性之聚合物的樹脂來製造樹脂薄膜的方法。在以下說明中，有時將含有脂環結構且具有結晶性之聚合物稱作「脂環結晶性聚合物」。並且，有時將包含脂環結晶性聚合物之前述樹脂稱作「結晶性樹脂」。
第一實施型態相關之樹脂薄膜的製造方法包含：準備由結晶性樹脂所形成的原料薄膜之準備工序(i)；將原料薄膜延伸至指定範圍的面延伸倍率以獲得延伸薄膜之延伸工序(ii)；將延伸薄膜的溫度自延伸工序之結束時間點的溫度T1升溫至指定溫度T3之升溫工序(iii)；與將延伸薄膜的溫度維持於溫度T3以上之熱固定工序(iv)。
在以下說明中，有時將延伸工序之結束時間點的溫度T1稱作「延伸結束溫度」T1。並且，有時將在升溫工序中升溫的溫度T3稱作「熱固定起始溫度」T3。
並且，在第一實施型態相關之樹脂薄膜的製造方法中，前述升溫工序(iii)包含：將延伸薄膜的溫度以一定升溫速度自延伸結束溫度T1升溫至較熱固定起始溫度T3還低5℃以上的溫度T2之前期升溫工序(iii-1)；與
將延伸薄膜的溫度自溫度T2升溫至熱固定起始溫度T3之後期升溫工序(iii-2)。在以下說明中，有時將在前期升溫工序(iii-1)中升溫的溫度T2稱作「途經溫度」T2。
再者，在第一實施型態相關之樹脂薄膜的製造方法中，延伸結束溫度T1、途經溫度T2及熱固定起始溫度T3分別落於指定溫度範圍。並且，在前期升溫工序(iii-1)中，自延伸薄膜的溫度開始升溫之時間點至到達途經溫度T2之時間點的時間位於指定範圍。在以下說明中，有時將在前期升溫工序(iii-1)中延伸薄膜的溫度開始升溫之時間點至到達途經溫度T2之時間點的時間稱作「前期升溫時間」。
再者，在第一實施型態相關之樹脂薄膜的製造方法中，自「在前期升溫工序(iii-1)中延伸薄膜的溫度到達途經溫度T2之時間點」至「結束在熱固定工序(iv)中之熱固定起始溫度T3以上的維持之時間點」的時間位於指定範圍。在以下說明中，有時將自「在前期升溫工序(iii-1)中延伸薄膜的溫度到達途經溫度T2之時間點」至「結束在熱固定工序(iv)中之熱固定起始溫度T3以上的維持之時間點」的時間稱作「T2後時間」。
滿足此等要件之第一實施型態相關之製造方法係包含在延伸工序(ii)中之在低溫下之延伸的製造方法，同時可製造由結晶性樹脂所形成且熱膨脹率、膜厚參差及內部霧度皆小的樹脂薄膜。
〔I-2.準備工序(i)〕
在準備工序(i)中，準備由結晶性樹脂所形成之作為延伸前之薄膜的原料薄膜。結晶性樹脂包含作為含有脂環結構且具有結晶性之聚合物的脂環結晶性聚合物。所謂含有脂環結構之聚合物，表示在分子內具有脂環結構的聚合物。此種含有脂環結構之聚合物得為例如得藉由使用環烯烴作為單體之聚合反應獲得的聚合物或其氫化物。
作為脂環結晶性聚合物所具有的脂環結構，可舉出例如環烷結構及環烯結構。此等之中，就可輕易獲得熱穩定性等特性優異的樹脂薄膜而言，以環烷結構為佳。1個脂環結構所包含之碳原子的數量，以4個以上為佳，以5個以上為較佳，且以30個以下為佳，以20個以下為較佳，以15個以下為尤佳。藉由1個脂環結構所包含之碳原子的數量位於上述範圍內，可使機械強度、耐熱性及成形性取得高度平衡。
在脂環結晶性聚合物中，具有脂環結構之結構單元相對於全部結構單元的比例，以30重量%以上為佳，以50重量%以上為較佳，以70重量%以上為尤佳。透過使在脂環結晶性聚合物中之具有脂環結構之結構單元的比例如前所述之多，可提高耐熱性。具有脂環結構之結構單元相對於全部結構單元的比例，得定為100重量%以下。
並且，在脂環結晶性聚合物中，具有脂環結構之結構單元以外的殘基並無特別限制，得因應使用目的而適當選擇。
作為含有脂環結構且具有結晶性之聚合物的脂環結
晶性聚合物，具有結晶性。所謂「具有結晶性的聚合物」，表示具有熔點Tm的聚合物。亦即，所謂「具有結晶性的聚合物」，表示可利用微差掃描熱量計(DSC)來觀測熔點的聚合物。
作為脂環結晶性聚合物，可列舉例如下述聚合物(α)~聚合物(δ)。在此等之中，就可輕易獲得耐熱性優異的樹脂薄膜而言，作為脂環結晶性聚合物，以聚合物(β)為佳。
聚合物(α)：環烯烴單體的開環聚合物且具有結晶性者。
聚合物(β)：聚合物(α)的氫化物且具有結晶性者。
聚合物(γ)：環烯烴單體的加成聚合物且具有結晶性者。
聚合物(δ)：聚合物(γ)的氫化物且具有結晶性者。
具體而言，作為脂環結晶性聚合物，以雙環戊二烯的開環聚合物且具有結晶性者及雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物且具有結晶性者為較佳。作為脂環結晶性聚合物，以雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物且具有結晶性者為尤佳。於此，所謂雙環戊二烯的開環聚合物，係謂源自雙環戊二烯之結構單元相對於全結構單元的比例通常為50重量%以上──以70重量%以上為佳，以90重量%以上為較佳，以100重量%為更佳──的聚合物。
作為上述聚合物(α)~聚合物(δ)，得使用藉由於WO2018/062067號公報所揭露之製造方法獲得之聚合物。
脂環結晶性聚合物的熔點Tm，以200℃以上為佳，以230℃以上為較佳，且以290℃以下為佳。藉由使用具有此種熔點Tm的脂環結晶性聚合物，可獲得成形性與耐熱性之平衡更為
優異的樹脂薄膜。
通常，脂環結晶性聚合物具有玻璃轉移溫度Tg。脂環結晶性聚合物之具體的玻璃轉移溫度Tg並不特別受限，但通常為85℃以上，且通常為170℃以下。
通常，脂環結晶性聚合物具有結晶化尖峰溫度Tc。脂環結晶性聚合物之具體的結晶化尖峰溫度Tc並不特別受限，但以120℃以上為佳，且以220℃以下為佳。
聚合物的玻璃轉移溫度Tg、熔點Tm及結晶化尖峰溫度Tc可藉由以下方法來量測。首先，藉由加熱使聚合物熔解，以乾冰將熔解的聚合物急速冷卻。接下來，使用此聚合物作為試樣，使用微差掃描熱量計(DSC)以10℃/分鐘之升溫速度(升溫模式)，得量測聚合物的玻璃轉移溫度Tg、熔點Tm及結晶化尖峰溫度Tc。
脂環結晶性聚合物的重量平均分子量(Mw)，以1,000以上為佳，以2,000以上為較佳，且以1,000,000以下為佳，以500,000以下為較佳。具有此種重量平均分子量的脂環結晶性聚合物，成形加工性與耐熱性的平衡優異。
脂環結晶性聚合物的分子量分布(Mw/Mn)，以1.0以上為佳，以1.5以上為較佳，且以4.0以下為佳，以3.5以下為較佳。於此，Mn表示數量平均分子量。具有此種分子量分布的脂環結晶性聚合物，成形加工性優異。
脂環結晶性聚合物的重量平均分子量(Mw)及分子
量分布(Mw/Mn)得藉由以四氫呋喃作為溶析液之凝膠滲透層析法(GPC)量測作為聚苯乙烯換算值。
脂環結晶性聚合物，在製造樹脂薄膜更之前，可結晶化，亦可未經結晶化。脂環結晶性聚合物的結晶化度，得藉由X射線繞射法量測。
脂環結晶性聚合物可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。
在結晶性樹脂中，脂環結晶性聚合物的比例，以50重量%以上為佳，以70重量%以上為較佳，以90重量%以上為尤佳。在脂環結晶性聚合物的比例為前述範圍之下限值以上的情況下，可提高樹脂薄膜的耐熱性。脂環結晶性聚合物之比例的上限，得為100重量%以下。
結晶性樹脂，除了脂環結晶性聚合物之外，還得包含任意成分。作為任意成分，可列舉例如：酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑、硫系抗氧化劑等抗氧化劑；受阻胺系光穩定劑等光穩定劑；石油系蠟、費托蠟、聚伸烷蠟等蠟；山梨醇系化合物、有機磷酸之金屬鹽、有機羧酸之金屬鹽、高嶺土及滑石等成核劑；二胺基二苯乙烯衍生物、香豆素衍生物、唑系衍生物(例如苯并
唑衍生物、苯并三唑衍生物、苯并咪唑衍生物及苯并噻唑衍生物)、咔唑衍生物、吡啶衍生物、萘酸衍生物及咪唑酮衍生物等螢光增白劑；二苯基酮系紫外線吸收劑、水楊酸系紫外線吸收劑、苯并三唑系紫外線吸收劑等紫外線吸收劑；滑石、矽石、碳酸鈣、玻
璃纖維等無機填充材；著色劑；阻燃劑；阻燃助劑；抗靜電劑；塑化劑；近紅外線吸收劑；滑劑；填料；及軟質聚合物等脂環結晶性聚合物以外的任意聚合物；等。任意成分可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。
原料薄膜的厚度，得考量之後的延伸工序(ii)中之延伸倍率而適度設定。原料薄膜之具體的厚度通常為5μm以上，以10μm以上為佳，且通常為1mm以下，以500μm以下為佳。
原料薄膜得藉由例如射出成形法、擠製成形法、加壓成形法、吹脹成形法、吹塑成形法、軋光成形法、壓鑄成形法、壓縮成形法等樹脂成形法來製造。在此等之中，就厚度的控制容易而言，以擠製成形法為佳。
在擠製成形法中的製造條件，以下述內容為佳。圓筒溫度(熔融樹脂溫度)，以Tm以上為佳，以「Tm+20℃」以上為較佳，且以「Tm+100℃」以下為佳，以「Tm+50℃」以下為較佳。並且，擠製成薄膜狀之熔融樹脂最先接觸的冷卻件並不特別受限，但通常使用鑄造輥。此鑄造輥溫度，以「Tg-50℃」以上為佳，且以「Tg+70℃」以下為佳，以「Tg+40℃」以下為較佳。再者，冷卻輥溫度，以「Tg-70℃」以上為佳，以「Tg-50℃」以上為較佳，且以「Tg+60℃」以下為佳，以「Tg+30℃」以下為較佳。在以此種條件製造原料薄膜的情況下，可輕易製造厚度1μm~1mm的原料薄膜。於此，「Tm」如前所述表示脂環結晶性聚合物的熔點，「Tg」表示脂環結晶性聚合物的玻璃轉移溫度。
〔I-3.延伸工序(ii)〕
在準備工序(i)中準備好原料薄膜之後，進行將原料薄膜延伸之延伸工序(ii)。藉由在此延伸工序(ii)中之延伸，可獲得由結晶性樹脂所形成之作為延伸後之薄膜的延伸薄膜。
在延伸工序(ii)中之延伸係以指定範圍之面延伸倍率進行。所謂面延伸倍率，係由「延伸後之延伸薄膜的面積」相對於「延伸前之原料薄膜的面積」之比所示之延伸倍率。據此，面延伸倍率係由下述式(I-1)所示。
面延伸倍率=〔(延伸後之延伸薄膜的面積)/(延伸前之原料薄膜的面積)〕 (I-1)
在延伸工序(ii)中之面延伸倍率的範圍通常為1.1倍以上，以1.2倍以上為佳，且通常為20倍以下，以10倍以下為佳，以5倍以下為較佳。具體的面延伸倍率，以因應欲製造之樹脂薄膜的光學特性、厚度、強度等要件由前述範圍適當設定為符合期望。在面延伸倍率為前述範圍之下限值以上的情況下，可藉由延伸使大的雙折射顯現。並且，在面延伸倍率為前述範圍之上限值以下的情況下，可抑制薄膜的斷裂，輕易進行樹脂薄膜的製造。
延伸以在指定範圍之延伸溫度下進行為佳。具體的延伸溫度之範圍通常為「Tg+5℃」以上，以「Tg+10℃」以上為佳，且通常為「Tg+25℃」以下，以「Tg+20℃」以下為佳。在延伸溫度為前述範圍之下限值以上的情況下，可使薄膜充分軟化
以均勻進行延伸。並且，在延伸溫度為前述範圍之上限值以下的情況下，由於可抑制由脂環結晶性聚合物之結晶化的進行所致之薄膜的固化，故可順利進行延伸，並且，可藉由延伸使大的雙折射顯現。再者，通常可減小所獲得之樹脂薄膜的霧度以提高透明性。在延伸工序中，延伸溫度亦可隨時間變動，但以固定為佳。由於原料薄膜一般為薄，故進入某溫度之氣體環境之原料薄膜的溫度通常會迅速朝此氣體環境的溫度調整。因此，延伸之原料薄膜的溫度通常與其氣體環境的溫度一致。據此，通常上述延伸溫度與在延伸工序(ii)中薄膜所暴露之氣體環境溫度一致，據此得與延伸機的設定溫度一致。
此外，在準備工序(i)之後、延伸工序(ii)之前，亦可為了將原料薄膜加熱至指定延伸溫度而進行預熱。通常預熱溫度與延伸溫度相同，但亦可相異。預熱溫度相對於延伸結束溫度T1，以T1+5℃以下為佳，以T1+2℃以下為較佳，且以T1-10℃以上為佳，以T1-5℃以上為較佳。
預熱係藉由將原料薄膜在處於前述預熱溫度之氣體環境內保持指定時間來進行。如上所述，由於原料薄膜一般為薄，故原料薄膜的溫度通常與其氣體環境的溫度一致。因此，通常預熱後之原料薄膜的溫度與氣體環境溫度一致，據此得與烘箱等溫度調整裝置的設定溫度一致。
預熱時間為任意，但得以1秒鐘以上為佳，以5秒鐘以上為較佳，並且得以60秒鐘以下為佳，以30秒鐘以下為較
佳。
作為延伸所需之時間的延伸時間，得因應延伸倍率而設定。
延伸方法並無特別的限制，得使用任意延伸方法。舉例而言，可列舉：將原料薄膜於長邊方向單軸延伸之方法(縱向單軸延伸法)、將原料薄膜於幅寬方向單軸延伸之方法(橫向單軸延伸法)等單軸延伸法；將原料薄膜於長邊方向延伸同時於幅寬方向延伸之同時雙軸延伸法、將原料薄膜於長邊方向及幅寬方向之一者延伸之後再於另一者延伸之逐次雙軸延伸法等雙軸延伸法；將原料薄膜於既不平行亦不垂直於幅寬方向的斜向延伸之方法(斜向延伸法)；等。
作為前述縱向單軸延伸法，可舉出例如利用輥間的圓周速率之差之延伸方法等。
並且，作為前述橫向單軸延伸法，可舉出例如使用拉幅延伸機之延伸方法等。
再者，作為前述同時雙軸延伸法，可舉出例如使用具備多個夾具的拉幅延伸機，在拉開夾具之間隔以將原料薄膜於長邊方向延伸的同時，藉由導軌之擴大角度將原料薄膜於幅寬方向延伸之延伸方法等，所述多個夾具能設置成沿導軌移動且得固定原料薄膜。
並且，作為前述逐次雙軸延伸法，可舉出例如在利用輥間的圓周速率之差來將原料薄膜於長邊方向延伸之後，以夾具
夾持此原料薄膜的兩邊緣部，藉由拉幅延伸機於幅寬方向延伸之延伸方法等。
再者，作為前述斜向延伸法，可舉出例如使用拉幅延伸機將原料薄膜於斜向連續延伸的延伸方法等，所述拉幅延伸機得對原料薄膜於長邊方向或幅寬方向施加左右相異之速度的輸送力、拉伸力或牽引力。
藉由對原料薄膜施以如前所述之延伸，可獲得延伸薄膜。此延伸薄膜的延伸工序之結束時間點的溫度為延伸結束溫度T1。延伸結束溫度T1通常落於於上已述之延伸溫度的範圍。於是，在第一實施型態相關之樹脂薄膜的製造方法中，進行將延伸薄膜的溫度自延伸結束溫度T1升溫至熱固定起始溫度T3之升溫工序(iii)。
〔I-4.前期升溫工序(iii-1)〕
升溫工序(iii)包含將延伸薄膜的溫度以一定升溫速度自延伸結束溫度T1升溫至途經溫度T2之前期升溫工序(iii-1)。通常，由於延伸工序(ii)與前期升溫工序(iii-1)連續進行，故於延伸工序(ii)與前期升溫工序(iii-1)之間不進行其他工序。
途經溫度T2通常較熱固定起始溫度T3還低5℃以上。據此，途經溫度T2通常滿足下述式(I-2)。
T3-T2≧5℃ (I-2)
更詳細而言，熱固定起始溫度T3與途經溫度T2之
差T3-T2通常為5℃以上，以10℃以上為佳，且以30℃以下為佳，以20℃以下為較佳。藉由控制升溫至此種途經溫度T2之期間之延伸薄膜的溫度變化，可有效減小樹脂薄膜的膜厚參差。並且，溫差T3-T2，就可抑制結晶化之過度的進行以抑制內部霧度的上升之觀點而言，以前述範圍的下限值以上為符合期望，就可有效抑制樹脂薄膜的膜厚參差之觀點而言，以前述範圍的上限值以下為符合期望。
並且，途經溫度T2通常在與脂環結晶性聚合物的結晶化尖峰溫度Tc之間滿足指定關係。具體而言，途經溫度T2通常為「Tc+5℃」以上，以「Tc+10℃」以上為佳，且通常為「Tc+30℃」以下，以「Tc+25℃」以下為佳。藉由控制升溫至此種途經溫度T2之期間之延伸薄膜的溫度變化，可有效減小樹脂薄膜的膜厚參差。尤其，為了充分抑制樹脂薄膜的膜厚參差，以途經溫度T2為前述範圍之下限值以上為符合期望。再者，就可縮短工序所需之時間、抑制結晶化之過度的進行以抑制內部霧度的上升之觀點而言，以途經溫度T2為前述範圍之上限值以下為符合期望。
在前期升溫工序(iii-1)中，延伸薄膜之溫度的升溫以一定升溫速度進行。所謂升溫速度為「一定」，表示將前期升溫工序(iii-1)以時間計來分成10等分而獲得之時間區段各自的溫度變化△Ti之變異係數為指定值以下。具體而言，在前期升溫工序(iii-1)中，將「自延伸薄膜的溫度開始升溫之時間點至到達
途經溫度T2之時間點」的時間分成10等分，獲得10個時間區段。然後，求出在各時間區段中之延伸薄膜的溫度變化△Ti。由此等10個時間區段的溫度變化△Ti，求出其變異係數(=標準差/平均值×100(%))。在此變異係數通常為20%以下──以10%以下為佳──之情況下，定義為升溫速度為「一定」。藉由使延伸薄膜的溫度自延伸結束溫度T1至到達途經溫度T2之升溫速度為一定，可有效減小樹脂薄膜的膜厚參差。
在前期升溫工序(iii-1)中，自延伸薄膜的溫度開始升溫之時間點至到達途經溫度T2之時間點的前期升溫時間通常為15秒鐘以上，以20秒鐘以上為佳，且通常為250秒鐘以下，以200秒鐘以下為佳。藉由花費如前所述之指定時間以進行自延伸結束溫度T1至途經溫度T2的升溫，可有效減小樹脂薄膜的膜厚參差。並且，在前期升溫時間為前述範圍之上限值以下的情況下，可抑制內部霧度的上升。
再者，在前期升溫工序(iii-1)中之前期升溫時間以「1〔秒鐘/℃〕×(T2〔℃〕-T1〔℃〕)」以上為尤佳，並且，以「3〔秒鐘/℃〕×(T2〔℃〕-T1〔℃〕)」以下為尤佳。在前期升溫時間為前述範圍之下限值以上的情況下，可有效減小樹脂薄膜的膜厚參差。並且，在前期升溫時間為前述範圍之上限值以下的情況下，可有效抑制內部霧度的上升。
由於延伸薄膜一般為薄，故延伸薄膜的溫度通常與其氣體環境的溫度一致。因此，在前期升溫工序(iii-1)的升溫，
舉例而言，得藉由能夠調整延伸薄膜之氣體環境的溫度之溫度調整裝置來進行。通常，在前期升溫工序(iii-1)中之延伸薄膜的溫度，與在前期升溫工序(iii-1)中薄膜所暴露之氣體環境溫度一致，據此得與溫度調整裝置的設定溫度一致。作為此種溫度調整裝置，以能以非接觸之方式加熱薄膜的溫度調整裝置為佳，若要舉出具體例，可列舉烘箱及加熱爐。
若要舉出具體例，前期升溫工序(iii-1)得使用能調整溫度的烘箱來進行。舉例而言，藉由在將延伸薄膜收置於烘箱內的狀態下，使此烘箱的溫度以滿足於上已述之條件的方式自延伸結束溫度T1變化至途經溫度T2，可進行前期升溫工序(iii-1)。
若要舉出另一具體例，前期升溫工序(iii-1)得使用於內部具有能設定溫度的薄膜運送路徑的烘箱來進行。舉例而言，將烘箱內之薄膜運送路徑在薄膜運送方向上區分為多個區塊。然後，將此等區塊的溫度以愈下游變得愈高溫的方式設定。在此情況下，具體的區塊之溫度，以通過此等區塊運送之延伸薄膜的溫度滿足於上已述之條件的方式設定。然後，以通過此烘箱之薄膜運送路徑的方式運送延伸薄膜，藉此可進行前期升溫工序(iii-1)。
前期升溫工序(iii-1)，通常為了不讓延伸薄膜因收縮而變形，會在抓持延伸薄膜之至少兩邊的狀態下進行。所謂「抓持延伸薄膜之至少兩邊的狀態」，係謂以於延伸薄膜未觀察到撓曲之程度透過抓持具抓持延伸薄膜的狀態。惟此狀態不包含延伸薄膜實質延伸的抓持狀態。並且，所謂實質延伸，係謂延伸薄膜
之朝任一方向的延伸倍率通常成為1.03倍以上。
〔I-5.後期升溫工序(iii-2)〕
升溫工序(iii)，包含在前期升溫工序(iii-1)之後將延伸薄膜的溫度自途經溫度T2升溫至熱固定起始溫度T3的後期升溫工序(iii-2)。通常，由於前期升溫工序(iii-1)與後期升溫工序(iii-2)連續進行，故前期升溫工序(iii-1)與後期升溫工序(iii-2)之間不進行其他工序。
熱固定起始溫度T3通常在與脂環結晶性聚合物的結晶化尖峰溫度Tc之間滿足指定關係的範圍內設定。具體而言，熱固定起始溫度T3設定在下述範圍：通常為「Tc+10℃」以上，以「Tc+20℃」以上為佳，以「Tc+30℃」以上為尤佳，且通常為「Tc+100℃」以下，以「Tc+60℃」以下為佳，以「Tc+40℃」以下為尤佳。在後期升溫工序(iii-2)之後的熱固定工序(iv)中，延伸薄膜的溫度得維持於此熱固定起始溫度T3以上之溫度範圍以進行脂環結晶性聚合物的結晶化。據此，在熱固定起始溫度T3為前述範圍之下限值以上的情況下，可使在熱固定工序(iv)中之脂環結晶性聚合物的結晶化有效進行以獲得熱膨脹率小的樹脂薄膜。並且，通常可增大樹脂薄膜的雙折射。另一方面，在熱固定起始溫度T3為前述範圍之上限值以下的情況下，可減小樹脂薄膜的霧度。
在後期升溫工序(iii-2)中的升溫速度為任意。並且，在後期升溫工序(iii-2)中自「延伸薄膜的溫度自途經溫度T2開
始升溫之時間點」至「到達熱固定起始溫度T3之時間點」的時間為任意。在以下說明中，有時將在後期升溫工序(iii-2)中自「延伸薄膜的溫度自途經溫度T2開始升溫之時間點」至「到達熱固定起始溫度T3之時間點」的時間稱作「後期升溫時間」。
如上所述，由於延伸薄膜一般為薄，故延伸薄膜的溫度通常與其氣體環境的溫度一致。因此，在後期升溫工序(iii-2)中之升溫，舉例而言，得藉由與前期升溫工序(iii-1)相同的溫度調整裝置來進行。通常，在後期升溫工序(iii-2)中之延伸薄膜的溫度，與在後期升溫工序(iii-2)中薄膜所暴露之氣體環境溫度一致，據此得與溫度調整裝置的設定溫度一致。作為溫度調整裝置之例，可舉出與在前期升溫工序(iii-1)已示例之溫度調整裝置相同之例。
後期升溫工序(iii-2)，通常為了不讓延伸薄膜因收縮而變形，會在抓持延伸薄膜之至少兩邊的狀態下進行。在後期升溫工序(iii-2)中之延伸薄膜之所謂「抓持至少兩邊的狀態」，得與在前期升溫工序(iii-1)中之延伸薄膜之「抓持至少兩邊的狀態」相同。
〔I-6.熱固定工序(iv)〕
在後期升溫工序(iii-2)中將延伸薄膜的溫度升溫至熱固定起始溫度T3之後，進行將此延伸薄膜的溫度維持於指定熱固定溫度之熱固定工序(iv)。通常，由於後期升溫工序(iii-2)與熱固定工序(iv)連續進行，故後期升溫工序(iii-2)與熱
固定工序(iv)之間不進行其他工序。
熱固定溫度在熱固定起始溫度T3以上的範圍設定。熱固定溫度之具體的範圍，得為與作為熱固定起始溫度T3的範圍已說明之範圍相同的範圍。熱固定溫度亦可隨時間變動，但以固定為佳。在熱固定工序(iv)中之延伸薄膜的溫度，以維持固定在熱固定起始溫度T3為尤佳。
在熱固定工序(iv)中，通常可促進脂環結晶性聚合物的結晶化。藉由如此促進之結晶化的進行，可改善結晶性樹脂的熱特性，據此可獲得熱膨脹率小的樹脂薄膜。並且，通常透過結晶化的進行，脂環結晶性聚合物的分子得於延伸工序(ii)中之延伸方向高度定向，故可增大薄膜的雙折射。再者，藉由在前期升溫工序(iii-1)中以於上已述之方式控制的同時進行升溫，可抑制伴隨用於升溫之急速加熱的薄膜面內之溫度不均勻性，面內之張力平衡可保持均勻，故可抑制樹脂薄膜的膜厚參差。
在熱固定工序(iv)中，有時將「將延伸薄膜的溫度維持於熱固定溫度的時間」稱作「熱固定時間」。在熱固定工序(iv)中，熱固定時間係以T2後時間(亦即，自「在前期升溫工序(iii-1)中延伸薄膜的溫度到達途經溫度T2之時間點」至「結束在熱固定工序(iv)中之熱固定起始溫度T3以上的維持之時間點」的時間)落於指定範圍的方式設定。具體而言，T2後時間通常為10秒鐘以上，以15秒鐘以上為佳，且通常為250秒鐘以下，以180秒鐘以下為佳。T2後時間相當於自前期升溫工序(iii-1)
之結束時間點至熱固定工序(iv)之結束時間點的時間。在T2後時間為前述範圍之下限值以上的情況下，可使脂環結晶性聚合物的結晶化有效進行以改善樹脂薄膜的熱特性，故可減小樹脂薄膜的熱膨脹率。並且，通常可獲得雙折射大的樹脂薄膜。另一方面，在T2後時間為前述範圍之上限值以下的情況下，可減小樹脂薄膜的霧度。
再者，T2後時間以「60〔秒鐘〕-0.2〔秒鐘/℃〕×T3〔℃〕」以上為尤佳，並且以「360〔秒鐘〕-1.3〔秒鐘/℃〕×T3〔℃〕」以下為尤佳。在T2後時間為前述範圍之下限值以上的情況下，可使脂環結晶性聚合物的結晶化有效進行以改善樹脂薄膜的熱特性，故可減小樹脂薄膜的熱膨脹率。並且，通常可獲得雙折射大的樹脂薄膜。另一方面，在T2後時間為前述範圍之上限值以下的情況下，可減小樹脂薄膜的霧度。
並且，在熱固定工序(iv)中之熱固定時間，以T2後時間的1/4以上為佳，以T2後時間的1/3以上為較佳，以T2後時間的1/2以上為尤佳。在熱固定時間為前述範圍之下限值以上的情況下，可使脂環結晶性聚合物的結晶化有效進行以改善樹脂薄膜的熱特性，故可減小樹脂薄膜的熱膨脹率。並且，通常可獲得雙折射大的樹脂薄膜。
如上所述，由於延伸薄膜一般為薄，故延伸薄膜的溫度通常與其氣體環境的溫度一致。因此，熱固定工序(iv)通常藉由將延伸薄膜保持在處於前述熱固定溫度之氣體環境內進行。通
常，在熱固定工序(iv)中之延伸薄膜的溫度，與在熱固定工序(iv)中薄膜所暴露之氣體環境溫度一致，據此得與溫度調整裝置的設定溫度一致。而且，熱固定時間得與將延伸薄膜保持在處於前述熱固定溫度之氣體環境內的時間一致。在此情況下，合適的溫度調整裝置，以能以非接觸之方式加熱薄膜的溫度調整裝置為佳，若要舉出具體例，可列舉烘箱及加熱爐。
熱固定工序(iv)，以在抓持延伸薄膜之至少兩邊的狀態下進行為佳。於在抓持延伸薄膜之至少兩邊的狀態下進行熱固定工序(iv)的情況下，可抑制在抓持之邊之間的區域中由延伸薄膜的熱收縮所致之變形。在熱固定工序(iv)中之延伸薄膜之「抓持至少兩邊的狀態」，得與在前期升溫工序(iii-1)中之延伸薄膜之「抓持至少兩邊的狀態」相同。於在抓持延伸薄膜之至少兩邊的狀態下進行熱固定工序(iv)的情況下，將為了不熱收縮而抓持至少兩邊之延伸薄膜的溫度維持於前述熱固定溫度的時間，以落於前述熱固定時間的範圍為佳。
在熱固定工序(iv)中，以做成「抓持延伸薄膜之至少兩邊使其張緊的狀態」取代上述「抓持延伸薄膜之至少兩邊的狀態」為佳。所謂「抓持延伸薄膜之至少兩邊使其張緊的狀態」，係謂對延伸薄膜雖不至於延伸的地步，但至少施以某種程度的張力。此係因在熱固定工序(iv)中以考量到由將延伸薄膜暴露於較延伸工序(ii)還高的溫度所致之熱收縮者為佳之故。藉此，可不損及延伸薄膜的平滑性而促進結晶化。
〔I-7.任意工序〕
第一實施型態相關之樹脂薄膜的製造方法，亦可更包含任意工序組合至於上已述之工序。
舉例而言，於上已述之樹脂薄膜的製造方法，在熱固定工序(iv)之後，為了使在熱固定工序(iv)中獲得之樹脂薄膜熱收縮以去除殘留應力，亦可進行鬆弛工序(v)。在鬆弛工序(v)中，將在熱固定工序(iv)中獲得之樹脂薄膜維持平坦的同時，在指定溫度範圍中，進行使前述樹脂薄膜之張緊鬆弛的鬆弛處理。
所謂使樹脂薄膜之張緊鬆弛，係謂自藉由抓持裝置抓持而張緊的狀態放開樹脂薄膜，若樹脂薄膜未張緊則亦可以抓持裝置抓持樹脂薄膜。若如此使張緊鬆弛，則樹脂薄膜變成得發生熱收縮的狀態。在鬆弛工序(v)中，藉由使樹脂薄膜發生熱收縮，來消除在加熱時可能發生的應力。是故，由於可減小樹脂薄膜之在高環境下的熱收縮，故可獲得在高溫環境下之尺寸穩定性優異的樹脂薄膜。
樹脂薄膜之張緊的鬆弛，可一次進行，亦可花費時間連續或分段進行。惟為了抑制所獲得之樹脂薄膜的起伏及皺褶等變形的發生，張緊的鬆弛以連續或分段進行為佳。
前述樹脂薄膜之張緊的鬆弛，在進行的同時將樹脂薄膜維持平坦。於此，所謂將樹脂薄膜維持平坦，係謂為了不於樹脂薄膜發生起伏及皺褶之變形而將樹脂薄膜保持平面形狀。藉此，可抑制所獲得之樹脂薄膜的起伏及皺褶等變形的發生。
鬆弛處理時之樹脂薄膜的處理溫度，相對於在熱固定工序(iv)中之熱固定溫度T3為T3+20℃以下，以T3+10℃以下之範圍內為佳，並且為T3-50℃以上，以T3-20℃以上的範圍內為佳。藉此，可有效去除樹脂薄膜的殘留應力。
在鬆弛工序(v)中，將樹脂薄膜維持於前述溫度範圍的處理時間，以1秒鐘以上為佳，以5秒鐘以上為較佳。此處理時間的上限，以設定成在熱固定時間與鬆弛工序(v)中之處理時間之合計為90秒鐘以下且熱固定時間之2倍呈在鬆弛工序(v)中之處理時間以上為佳。在處理時間為前述範圍之下限值以上的情況下，可有效提高樹脂薄膜之在高溫環境下之尺寸穩定性。並且，在上限值以下的情況下，可有效提高樹脂薄膜之在高溫環境下之尺寸穩定性，並且可抑制由在鬆弛工序(v)中之結晶化的進行所致之霧度的上升。
於在鬆弛工序(v)中對裁斷成張的樹脂薄膜施以鬆弛處理的情況下，得採用例如在抓持此樹脂薄膜之四邊的同時連續或分段縮窄抓持部分之間隔的方法。在此情況下，亦可同時縮窄在樹脂薄膜之四邊中抓持部分的間隔。並且，亦可在縮窄一部分之邊中抓持部分的間隔之後，縮窄另一部分之邊之抓持部分的間隔。再者，亦可維持而不縮窄一部分之邊之抓持部分的間隔。並且，亦可連續或分段縮窄一部分之邊之抓持部分的間隔，而一次縮窄另一部分之邊之抓持部分的間隔。
並且，於在鬆弛工序(v)中對長條狀的樹脂薄膜施
以鬆弛處理的情況下，可舉出例如使用拉幅延伸機於樹脂薄膜的運送方向縮窄得引導夾具之導軌之間隔或縮窄相鄰之夾具之間隔的方法。
於藉由在抓持樹脂薄膜的狀態下縮窄抓持部分的間隔來進行樹脂薄膜之張緊的鬆弛之情況下，縮窄間隔的程度得因應殘留在熱固定工序(iv)中獲得之樹脂薄膜的應力之大小而設定。
通常，在熱固定工序(iv)中獲得之樹脂薄膜，由於已施以延伸處理，故大的應力有殘留的傾向。是故，為了使此樹脂薄膜之張緊鬆弛而縮窄間隔的程度，以使之相較於使用未施以延伸處理之薄膜的情形還大為佳。
在鬆弛工序(v)中縮窄抓持間隔的程度，得以「在鬆弛工序(v)中之在樹脂薄膜的處理溫度下不對樹脂薄膜賦予張緊的狀態下」的熱收縮率S(%)作為基準而訂定。具體而言，縮窄抓持間隔的程度，通常為0.1S以上，以0.5S以上為佳，以0.7S以上為較佳，並且通常為1.2S以下，以1.0S以下為佳，以0.95S以下為較佳。並且，在例如於正交之2方向上熱收縮率S相異的情況般前述熱收縮率S有各向異性的情況下，得訂定對於各方向在前述範圍內縮窄抓持間隔的程度。藉由定為此種範圍，可充分去除樹脂薄膜的殘留應力且使平坦性維持。
並且，於上已述之樹脂薄膜的製造方法，亦可包含例如對樹脂薄膜施以表面處理的工序作為任意工序。
〔I-8.可製造的樹脂薄膜〕
藉由於上已述之製造方法，可獲得由結晶性樹脂所形成的樹脂薄膜。此樹脂薄膜可減小膜厚參差，可減小內部霧度，且可減小熱膨脹率。
(I-8.1.膜厚參差)
樹脂薄膜的膜厚參差VtI愈小愈佳，具體而言，以5.0%以下為佳，以4.0%以下為更佳，以3.0%以下為尤佳。根據第一實施型態相關之製造方法，可獲得膜厚參差VtI如此小的樹脂薄膜。通常，此種膜厚參差VtI小的樹脂薄膜，由於可均勻延遲及定向，故可使具備該樹脂薄膜之影像顯示裝置的顯示畫質均勻。樹脂薄膜之膜厚參差VtI的下限，理想上為0.0%，但亦可超過0.0%。
樹脂薄膜的膜厚參差VtI，係表示樹脂薄膜之整體厚度之均勻度的指標，係由下述式(I-3)所示。
VtI〔%〕=〔(tI max-tI min)/tI ave〕×100 (I-3)
(式(I-3)中，tI max表示樹脂薄膜之厚度的最大值，tI min表示樹脂薄膜之厚度的最小值，tI ave表示樹脂薄膜之厚度的平均值。)
此膜厚參差VtI，可藉由下述方法量測。
首先，於樹脂薄膜之面上訂定樹脂薄膜之厚度的量測對象區域。舉例而言，在樹脂薄膜之4邊(長邊及短邊)的長度皆為1m以下之裁斷成張的薄膜之情況下，得將薄膜面整體定
為量測對象區域。並且，舉例而言，在樹脂薄膜之4邊(長邊及短邊)的長度之任一者或皆為超過1m之裁斷成張的薄膜或長條狀的薄膜之情況下，得將薄膜面所包含之短邊的長度×短邊的長度之尺寸的任意區域定為量測對象區域。
其次，在如上所述訂定之量測對象區域內，訂定至少30點樹脂薄膜之厚度的量測處。此等量測處，定為「將在薄膜面上分布於上述量測對象區域之外緣側的量測處以直線連結而形成之多邊形的面積佔量測對象區域之70%以上」。惟分布於外緣側的量測處，滿足「連結彼此相鄰之2點量測處的線段」與「連結此線段之一端點與位於此端點旁之量測處的線段」所夾之內角為180°以下這樣的條件。只要確立了分布於外緣側的量測處，其他量測處即可在上述多邊形的區域內任意訂定其位置及數量。惟前述量測處以「以量測處作為頂點之所有三角形X滿足下述要件(A)及(B)」的方式訂定。(A)三角形X的面積為50cm2以下。(B)三角形X的面積為量測對象區域之面積的5%以下。於此，三角形X係以多個量測處之中的3點作為頂點的三角形。惟在以多個量測處之中的3點作為頂點的三角形之中，於其邊上及其內側的區域包含該3點以外之量測處的三角形並不包含於三角形X的範疇。舉例而言，在4邊的長度皆為1m以下之裁斷成張的薄膜之情況下，得藉由如實施例中說明的方法訂定量測處。
然後，在如上所述訂定之量測處量測樹脂薄膜的厚度。在至少30點之測量處所獲得之厚度之中，將其最大值定為樹
脂薄膜之厚度的最大值tI max，將其最小值定為樹脂薄膜之厚度的最小值tI min，將其平均值定為樹脂薄膜之厚度的平均值tI ave。然後，將如此求出之最大值tI max、最小值tI min及平均值tI ave代入式(I-3)，得求出膜厚參差VtI。
(I-8.2.內部霧度)
一般而言，霧度包含由位於薄膜的表面之細微的凹凸所致之光散射所造成者與由薄膜內部之折射率分布所造成者。所謂樹脂薄膜的內部霧度，係謂自樹脂薄膜之整體霧度扣除由位於樹脂薄膜的表面之細微的凹凸所致之光散射所造成的霧度者。根據第一實施型態相關之製造方法，可減小所製造之樹脂薄膜的內部霧度，具體而言，可以1.0%以下為佳，以0.5%以下為更佳，以0.2%以下為尤佳。此種內部霧度小的樹脂薄膜由於透明性優異，故可提升具備該樹脂薄膜之影像顯示裝置的影像鮮明性。樹脂薄膜之內部霧度的下限，理想上為0.0%，但亦可超過0.0%。
樹脂薄膜的內部霧度，得藉由下述方法量測。
形成依序具備環烯烴薄膜、透明光學黏合薄膜、透明光學黏合薄膜及環烯烴薄膜的貼合堆疊體。使用霧度計量測此貼合堆疊體的霧度值。量測到之貼合堆疊體的霧度值符合2片環烯烴薄膜的霧度值與2層透明光學黏合薄膜的霧度值之和。
另一方面，於樹脂薄膜的兩表面中介前述透明光學黏合薄膜以貼合前述環烯烴薄膜，獲得試驗堆疊體。隨後，使用霧度計量測此試驗堆疊體的霧度。由獲得自量測結果之試驗堆疊
體的霧度值扣除於上已述之2片環烯烴薄膜的霧度值與2層透明光學黏合薄膜的霧度值之和，可獲得樹脂薄膜的內部霧度。
(I-8.3.熱膨脹率)
透過於上已述之製造方法，可獲得熱膨脹率小的樹脂薄膜。此樹脂薄膜之具體的熱膨脹率，以0.0%~2.0%為佳，以0.0%~1.0%為更佳，以0.0%~0.5%為尤佳。熱膨脹率如此小的樹脂薄膜由於由溫度變化所致之尺寸變化小，故可提升例如使用此樹脂薄膜作為基材的薄膜感測器等之製造良率。
樹脂的熱膨脹率，得藉由下述方法量測。
自樹脂薄膜切下5mm×20mm之條片狀的試樣。在延伸工序(ii)中之延伸方向為單一方向的情況下，以使此延伸方向與試樣之長邊方向一致的方式進行裁切。並且，在延伸工序(ii)中之延伸方向為二個方向以上的情況下，以使延伸倍率最大之延伸方向與試樣之長邊方向一致的方式進行裁切。在延伸倍率最大之延伸方向為多個的情況下，以使延伸倍率最大之延伸方向之中之一者與試樣之長邊方向一致的方式進行裁切。在沿此試樣之長邊方向施加50mN之張力的狀態下，以升溫速度10℃/分鐘量測自溫度20℃至130℃的線膨脹。於此，所謂「線膨脹」，表示試樣之長邊方向之尺寸的變化量。將所量測之線膨脹之值除以線膨脹前之試片的長度，可計算熱膨脹率(%)。
(I-8.4.其他特性)
樹脂薄膜的面內延遲Re，因應樹脂薄膜的用途而為
任意。根據第一實施型態相關之製造方法，由於可在廣泛的範圍調整樹脂薄膜之面內方向的雙折射，故即使薄仍可具有因應用途之面內延遲Re。
舉例而言，樹脂薄膜的面內延遲Re亦可以10nm以下為佳，以5nm以下為較佳，以3nm以下為尤佳。在此情況下，樹脂薄膜對於沿厚度方向穿透該樹脂薄膜的光可發揮作為光學各向同性之薄膜的功能。
並且，舉例而言，樹脂薄膜的面內延遲Re得以100nm以上為佳，以110nm以上為較佳，以120nm以上為尤佳，且得以180nm以下為佳，以170nm以下為較佳，以160nm以下為尤佳。在此情況下，樹脂薄膜可發揮作為1/4波長板的功能。
再者，舉例而言，樹脂薄膜的面內延遲Re得以245nm以上為佳，以265nm以上為較佳，以270nm以上為尤佳，且得以320nm以下為佳，以300nm以下為較佳，以295nm以下為尤佳。在此情況下，樹脂薄膜可發揮作為1/2波長板的功能。
樹脂薄膜之厚度方向的延遲Rth，因應樹脂薄膜的用途而為任意。根據第一實施型態相關之製造方法，由於可在廣泛的範圍調整樹脂薄膜之厚度方向的雙折射，故即使薄仍可具有因應用途之厚度方向的延遲Rth。舉例而言，樹脂薄膜之厚度方向的延遲Rth得以200nm以上為佳，以250nm以上為較佳，以300nm以上為尤佳。並且，上限得為10000nm以下。
樹脂薄膜的面內延遲Re，除非另有註記，否則係由
Re=(NxI-NyI)×tI所示之值。並且，樹脂薄膜之厚度方向的延遲Rth，除非另有註記，否則係由Rth={〔(NxI+NyI)/2〕-NzI}×tI所示之值。「NxI」表示係為樹脂薄膜之面內方向且折射率呈最大之方向的折射率。並且，「NyI」表示係為樹脂薄膜之面內方向且折射率呈最小之方向的折射率。再者，「NzI」表示樹脂薄膜之厚度方向的折射率。並且，「tI」表示樹脂薄膜的厚度，此值通常得採用樹脂薄膜之厚度的平均值tI ave。面內延遲Re及厚度方向的延遲Rth，如前所述，得使用雙折射量測裝置(Axometrics公司製「AxoScan」)在量測波長590nm量測。
由於在熱固定工序(iv)中會促進脂環結晶性聚合物的結晶化，故所獲得之樹脂薄膜所包含的脂環結晶性聚合物得具有某種程度以上的結晶化度。具體的結晶化度的範圍得因應期望的性能而適當選擇，但以10%以上為佳，以15%以上為較佳，以30%以上為尤佳。藉由具有此脂環結晶性聚合物，樹脂薄膜除了於前已述之優異的效果之外，還得進一步具有高的耐曲折性及化學抗性。
樹脂薄膜所包含之脂環結晶性聚合物的結晶化度，得透過X射線繞射法量測。
樹脂薄膜由於如上所述可減小膜厚參差VtI，故通常即使曲折亦不易發生不均勻的應力集中，其結果，不易發生斷裂。並且，通常樹脂薄膜由於可提高不僅膜厚還有延遲及聚合物分子之定向方向在面內方向的均勻性，故可減小延遲及定向方向的不
均勻性。
樹脂薄膜的全光線穿透率以80%以上為佳，以85%以上為較佳，以88%以上為尤佳。樹脂薄膜的全光線穿透率，得使用紫外線-可見光分光計在波長400nm~700nm的範圍量測。
樹脂薄膜的厚度，可因應期望的用途而適當設定，以5μm以上為佳，以10μm以上為較佳，且以50μm以下為佳，以30μm以下為較佳。在樹脂薄膜的厚度為前述範圍之下限值以上的情況下，可使處理性良好，提高強度。並且，在樹脂薄膜的厚度為上限值以下的情況下，可輕易收捲長條狀的樹脂薄膜。第一實施型態相關之製造方法中製造的樹脂薄膜，由於可減小膜厚參差VtI，故通常可減小收捲成卷時的捲繞不均勻性，並且亦可抑制皺褶的發生。再者，通常可抑制於樹脂薄膜的表面設置塗布層時之塗布不均勻性及塗布厚度的不均勻性。
樹脂薄膜得使用於任意用途。其中，樹脂薄膜合適作為例如：光學各向同性薄膜及相位差薄膜等光學薄膜、電機電子用薄膜、障壁薄膜用之基材薄膜以及導電性薄膜用之基材薄膜。作為前述光學薄膜，可列舉例如：液晶顯示裝置用之相位差薄膜、偏光板保護薄膜、有機EL顯示裝置之圓偏光板用之相位差薄膜等。作為電機電子用薄膜，可列舉例如：可撓性佈線基板、薄膜電容器用絕緣材料等。作為障壁薄膜，可列舉例如：有機EL元件用之基板、密封薄膜、太陽電池之密封薄膜等。作為導電性薄膜，可列舉例如：有機EL元件或太陽電池之可撓性電池、觸控面板
組件等。
〔II.第二實施型態〕
〔II-1.相位差薄膜之概要〕
本發明之第二實施型態相關之相位差薄膜係由包含含有脂環結構且具有結晶性之聚合物的樹脂所形成。如同第一實施型態，在以下說明中，有時將含有脂環結構且具有結晶性之聚合物稱作「脂環結晶性聚合物」。並且，有時將包含脂環結晶性聚合物之前述樹脂稱為「結晶性樹脂」。此相位差薄膜之面內方向的雙折射及厚度方向的雙折射之至少一者為指定值以上。並且，此相位差薄膜的內部霧度為指定值以下。再者，由下述式(II-1)所示之相位差薄膜的膜厚參差VtII為指定值以下。
VtII〔%〕=〔(tII max-tII min)/tII ave〕×100 (II-1)
(前述式(II-1)中，tII max表示相位差薄膜之厚度的最大值，tII min表示相位差薄膜之厚度的最小值，tII ave表示相位差薄膜之厚度的平均值。)
本發明之第二實施型態相關之相位差薄膜難以透過以往的技術來製造，但透過使用在第一實施型態中已說明之製造方法，可製造作為樹脂薄膜的相位差薄膜。
〔II-2.結晶性樹脂〕
結晶性樹脂得使用與第一實施型態相同者。在第二實施型態中使用與第一實施型態相同之結晶性樹脂的情況下，可
獲得與第一實施型態相同的優點。
在第二實施型態中，結晶性樹脂所包含之脂環結晶性聚合物，在製造相位差薄膜更之前，亦可未經結晶化。然而，在製造好相位差薄膜之後，形成該相位差薄膜之結晶性樹脂所包含的脂環結晶性聚合物，通常透過結晶化，可具有某種程度的結晶化度。在相位差薄膜所包含之脂環結晶性聚合物之結晶化進行的情況下，相位差薄膜可具有大的雙折射。具體的結晶化度的範圍，得因應期望的性能而適當選擇，但以10%以上為佳，以15%以上為較佳，以30%以上為尤佳。並且，通常在相位差薄膜所包含之脂環結晶性聚合物的結晶化度為前述範圍之下限值以上的情況下，可對相位差薄膜賦予高耐熱性或化學抗性。
相位差薄膜所包含之脂環結晶性聚合物的結晶化度，得透過X射線繞射法量測。
〔II-3.相位差薄膜的特性〕
(II-3.1.相位差薄膜的雙折射)
將係為相位差薄膜之面內方向且折射率呈最大之方向的折射率以「NxII」表示。並且，將係為相位差薄膜之面內方向且折射率呈最小之方向的折射率以「NyII」表示。再者，將係為相位差薄膜之厚度方向的折射率以「NzII」表示。並且，此等方向的折射率之差如下述式(II-2)~(II-4)所示。
△Nxy=NxII-NyII (II-2)
△Nxz=NxII-NzII (II-3)
△Nyz=NyII-NzII (II-4)
在前述情況下，由式(II-2)所示之折射率之差△Nxy，表示相位差薄膜之面內方向的雙折射。並且，由式(II-3)所示之折射率之差△Nxz與由式(II-4)所示之折射率之差△Nyz的平均「(△Nxz+△Nyz)/2」，表示相位差薄膜之厚度方向的雙折射。在第二實施型態相關之相位差薄膜中，其面內方向的雙折射「△Nxy」及厚度方向的雙折射「(△Nxz+△Nyz)/2」之至少一者為0.008以上。
詳細而言，第二實施型態相關之相位差薄膜之面內方向的雙折射「△Nxy」，通常為0.008以上，以0.015以上為佳，以0.020以上為更佳。第二實施型態相關之相位差薄膜，可達成如此大之值之面內方向的雙折射「△Nxy」。相位差薄膜之面內方向的雙折射「△Nxy」的上限，並無特別限制，但通常得為0.025以下。在面內方向之雙折射「△Nxy」為前述上限值以下的情況下，可提高相位差薄膜的機械性強度。
並且，第二實施型態相關之相位差薄膜之厚度方向的雙折射「(△Nxz+△Nyz)/2」，通常為0.008以上，以0.012以上為佳，以0.015以上為更佳。第二實施型態相關之相位差薄膜，可達成如此大之值之厚度方向的雙折射「(△Nxz+△Nyz)/2」。相位差薄膜之厚度方向的雙折射「(△Nxz+△Nyz)/2」的上限，並無特別限制，但通常得為0.022以下。在厚度方向的雙折射「(△Nxz+△Nyz)/2」為前述上限值以下的情況下，可提
高相位差薄膜的機械強度。
相位差薄膜之面內方向的雙折射「△Nxy」及厚度方向的雙折射「(△Nxz+△Nyz)/2」之中，可兩者位於前述範圍，亦可僅面內方向的雙折射「△Nxy」位於前述範圍，亦可僅厚度方向的雙折射「(△Nxz+△Nyz)/2」位於前述範圍。據此，舉例而言，亦可面內方向的雙折射「△Nxy」位於前述範圍且厚度方向的雙折射「(△Nxz+△Nyz)/2」未達前述範圍的下限值。並且，舉例而言，亦可厚度方向的雙折射「(△Nxz+△Nyz)/2」位於前述範圍且面內方向的雙折射「△Nxy」未達前述範圍的下限值。具體的雙折射之值，以因應相位差薄膜的用途而設定為符合期望。
相位差薄膜之面內方向的雙折射「△Nxy」，可將相位差薄膜的面內延遲Re除以相位差薄膜的厚度tII，作為Re/tII而求出。並且，相位差薄膜之厚度方向的雙折射「(△Nxz+△Nyz)/2」，可將相位差薄膜之厚度方向的延遲Rth除以相位差薄膜的厚度tII，作為Rth/tII而求出。面內延遲Re及厚度方向的延遲Rth，得使用雙折射量測裝置(Axometrics公司製「AxoScan」)在量測波長590nm量測。並且，計算雙折射時，作為相位差薄膜的厚度tII，通常得採用於後所述之相位差薄膜之厚度的平均值tII ave。
(II-3.2.相位差薄膜的內部霧度)
所謂相位差薄膜的內部霧度，係謂自相位差薄膜之整體霧度扣除由位於相位差薄膜的表面之細微的凹凸所致之光散
色所造成的霧度者。第二實施型態相關之相位差薄膜的內部霧度，通常為1.0%以下，以0.5%以下為佳，以0.2%以下為更佳。第二實施型態相關之相位差薄膜，可達成如此小之值的內部霧度。而且，此種內部霧度小的相位差薄膜，由於透明性優異，故可提升具備該相位差薄膜之影像顯示裝置的影像鮮明性。相位差薄膜之內部霧度的下限，理想上為0.0%，但亦可超過0.0%。
相位差薄膜的內部霧度，得藉由下述方法量側。
形成依序具備環烯烴薄膜、透明光學黏合薄膜、透明光學黏合薄膜及環烯烴薄膜的貼合堆疊體。使用霧度計量測此貼合堆疊體的霧度值。量測到之貼合堆疊體的霧度值符合2片環烯烴薄膜的霧度值與2層透明光學黏合薄膜的霧度值之和。
另一方面，於相位差薄膜的兩表面中介前述透明光學黏合薄膜以貼合前述環烯烴薄膜，獲得試驗堆疊體。隨後，使用霧度劑量測此試驗堆疊體的霧度。由獲得自量測結果之試驗堆疊體的霧度值扣除於上已述之2片環烯烴薄膜的霧度值與2層透明光學黏合薄膜的霧度值之和，可獲得相位差薄膜的內部霧度。
(II-3.3.相位差薄膜的膜厚參差)
第二實施型態相關之相位差薄膜的膜厚參差VtII，通常為5.0%以下，以4.0%以下為佳，以3.0%以下為尤佳。第二實施型態相關之相位差薄膜，可如此減小膜厚參差VtII。而且，此種膜厚參差小的相位差薄膜，由於可均勻延遲及定向，故可使具備該相位差薄膜之影像顯示裝置的畫質均勻。相位差薄膜之膜厚
參差VtII的下限，理想上為0.0%，但亦可超過0.0%。
相位差薄膜的膜厚參差VtII，係表示相位差薄膜之整體厚度之均勻度的指標，由前述式(II-1)所示。此膜厚參差VtII得使用相位差薄膜之厚度的最大值tII max、最小值tII min及平均值tII ave來求出。具體而言，膜厚參差VtII可藉由下述方法量測。
首先，於相位差薄膜之面上訂定相位差薄膜之厚度的量測對象區域。舉例而言，在相位差薄膜之4邊(長邊及短邊)的長度皆為1m以下之裁斷成張的薄膜之情況下，得將薄膜面整體定為量測對象區域。並且，舉例而言，在相位差薄膜之4邊(長邊及短邊)的長度之任一者或皆為超過1m之裁斷成張的薄膜或長條狀的薄膜之情況下，得將薄膜面所包含之短邊的長度×短邊的長度之尺寸的任意區域定為量測對象區域。
其次，在如上所述訂定之量測對象區域內，訂定至少30點相位差薄膜之厚度的量測處。此等量測處，定為「將在薄膜面上分布於上述量測對象區域之外緣側的量測處以直線連結而形成之多邊形的面積佔量測對象區域之70%以上」。惟分布於外緣側的量測處，滿足「連結彼此相鄰之2點量測處的線段」與「連結此線段之一端點與位於此端點旁之量測處的線段」所夾之內角為180°以下這樣的條件。只要確立了分布於外緣側的量測處，其他量測處即可在上述多邊形的區域內任意訂定其位置及數量。惟前述量測處以「以量測處作為頂點之所有三角形X滿足下述要件(A)及(B)」的方式訂定。(A)三角形X的面積為50cm2以
下。(B)三角形X的面積為量測對象區域之面積的5%以下。於此，三角形X係以多個量測處之中的3點作為頂點的三角形。惟在以多個量測處之中的3點作為頂點的三角形之中，於其邊上及其內側的區域包含該3點以外之量測處的三角形並不包含於三角形X的範疇。舉例而言，在4邊的長度皆為1m以下之裁斷成張的薄膜之情況下，得藉由如實施例中說明的方法訂定量測處。
然後，在如上所述訂定之量測處量測相位差薄膜的厚度。在至少30點之測量處所獲得之厚度之中，將其最大值定為相位差薄膜之厚度的最大值tII max，將其最小值定為相位差薄膜之厚度的最小值tII min，將其平均值定為相位差薄膜之厚度的平均值tII ave。然後，將如此求出之最大值tII max、最小值tII min及平均值tII ave代入式(II-1)，得求出膜厚參差VtII。
(II-3.4.相位差薄膜的其他特性)
相位差薄膜的面內延遲Re，因應相位差薄膜的用途而為任意。第二實施型態相關之相位差薄膜，由於可在廣泛的範圍調整面內方向的雙折射「△Nxy」，故即使薄仍可具有因應用途之面內延遲Re。
舉例而言，相位差薄膜的面內延遲Re亦可以10nm以下為佳，以5nm以下為較佳，以3nm以下為尤佳。在此情況下，相位差薄膜對於沿厚度方向穿透該相位差薄膜的光可發揮作為光學各向同性之薄膜的功能。
並且，舉例而言，相位差薄膜的面內延遲Re得以100
nm以上為佳，以110nm以上為較佳，以120nm以上為尤佳，且得以180nm以下為佳，以170nm以下為較佳，以160nm以下為尤佳。在此情況下，相位差薄膜可發揮作為1/4波長板的功能。
再者，舉例而言，相位差薄膜的面內延遲Re得以245nm以上為佳，以265nm以上為較佳，以270nm以上為尤佳，且得以320nm以下為佳，以300nm以下為較佳，以295nm以下為尤佳。在此情況下，相位差薄膜可發揮作為1/2波長板的功能。
相位差薄膜之厚度方向的延遲Rth，因應相位差薄膜的用途而為任意。第二實施型態相關之相位差薄膜，由於可在廣泛的範圍調整厚度方向的雙折射「(△Nxz+△Nyz)/2」，故即使薄仍可具有因應用途之厚度方向的延遲Rth。舉例而言，相位差薄膜之厚度方向的延遲Rth，得以200nm以上為佳，以250nm以上為較佳，以300nm以上為尤佳。並且，上限得為10000nm以下。
相位差薄膜的面內延遲Re，除非另有註記，否則係由Re=(NxII-NyII)×tII所示之值。並且，相位差薄膜之厚度方向的延遲Rth，除非另有註記，否則係由Rth={〔(NxII+NyII)/2〕-NzII}×tII所示之值。面內延遲Re及厚度方向的延遲Rth，如前所述，得使用雙折射量測裝置(Axometrics公司製「AxoScan」)在量測波長590nm量測。
相位差薄膜由於如上所述可減小膜厚參差VtII，故通常即使曲折亦不易發生不均勻的應力集中，其結果，不易發生斷裂。並且，通常相位差薄膜由於可提高不僅膜厚還有延遲及聚合物分子之定向方向在面內方向的均勻性，故可減小延遲及定向方向的不均勻性。
相位差薄膜的全光線穿透率以80%以上為佳，以85%以上為較佳，以88%以上為尤佳。相位差薄膜的全光線穿透率，得使用紫外線-可見光分光計在波長400nm~700nm的範圍量測。
相位差薄膜的厚度，可因應期望的用途而適當設定，以5μm以上為佳，以10μm以上為較佳，且以50μm以下為佳，以30μm以下為較佳。在相位差薄膜的厚度為前述範圍之下限值以上的情況下，可使處理性良好、提高強度。並且，在相位差薄膜的厚度為上限值以下的情況下，可輕易收捲長條狀的樹脂薄膜。第二實施型態相關之相位差薄膜由於膜厚參差VtII小，故通常可減小收捲成卷時的捲繞不均勻性，並且亦可抑制皺褶的發生。再者，通常可抑制於相位差薄膜的表面設置塗布層時之塗布不均勻性及塗布厚度的不均勻性。
相位差薄膜得使用於任意用途。舉例而言，相位差薄膜的用途，可列舉：液晶顯示裝置用之相位差薄膜、作為偏光板保護薄膜之相位差薄膜、有機EL顯示裝置之圓偏光板用之相位差薄膜等。
〔II-4.相位差薄膜的製造方法〕
第二實施型態相關之相位差薄膜，可透過第一實施型態相關之樹脂薄膜的製造方法製造作為樹脂薄膜。透過採用第一實施型態相關之樹脂薄膜的製造方法作為第二實施型態相關之相位差薄膜的製造方法，始可製造於上已述之本發明之第二實施型態相關之相位差薄膜。
在透過第一實施型態相關之樹脂薄膜的製造方法製造第二實施型態相關之相位差薄膜作為樹脂薄膜的情況下，可獲得與在第一實施型態中已說明者相同的優點。
再者，在熱固定起始溫度T3與途經溫度T2之差T3-T2為在前期升溫工序(iii-1)之項目中已說明之範圍的上限值以下的情況下，可有效使脂環結晶性聚合物的結晶化進行，有效提高相位差薄膜的雙折射。
『實施例』
以下揭示實施例以具體說明本發明。惟本發明並非受限於以下所揭示之實施例者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等之範圍的範圍內，得任意變更而實施。
在以下說明中，表示量的「%」及「份」，除非另有註記，否則係重量基準。以下所說明之操作，除非另有註記，否則在常溫及常壓的條件下進行。
〔I.對應第一發明之實施例及比較例的說明〕
〔在對應第一發明之實施例及比較例中的評價方法〕
(聚合物之氫化率的量測方法)
聚合物的氫化率，以鄰二氯苯-d4作為溶劑，在145℃透過1H-NMR量測來量測。
(聚合物之重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn的量測方法)
聚合物之重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn，使用凝膠滲透層析法(GPC)系統(東曹公司製「HLC-8320」)，量測為聚苯乙烯換算值。量測時，作為管柱，使用H型管柱(東曹公司製)，作為溶劑，使用四氫呋喃。並且，量測時的溫度為40℃。
(聚合物之外消旋二單元組的比例的量測方法)
聚合物之外消旋二單元組的比例的量測以如下所述的方式進行。以鄰二氯苯-d4作為溶劑，在200℃應用反閘控去耦(inverse-gated decoupling)法，進行聚合物的13C-NMR量測。在此13C-NMR量測的結果中，將鄰二氯苯-d4之127.5ppm的峰值作為參考位移，鑑定源自內消旋二單元組之43.35ppm的訊號與源自外消旋二單元組之43.43ppm的訊號。依據此等訊號的強度比，求出聚合物之外消旋二單元組的比例。
(玻璃轉移溫度Tg、熔點Tm及結晶化尖峰溫度Tc量測方法)
聚合物之玻璃轉移溫度Tg、熔點Tm及結晶化尖峰溫度Tc的量測，以如下所述的方式進行。首先，透過加熱使聚合
物熔解，藉由乾冰急速冷卻已熔解之聚合物。接下來，使用此聚合物作為試樣，使用微差掃描熱量計(DSC)以10℃/分鐘之升溫速度(升溫模式)量測聚合物的玻璃轉移溫度Tg、熔點Tm及結晶化尖峰溫度Tc。
(樹脂薄膜之膜厚及膜厚參差的量測方法)
自在實施例或比較例中獲得之矩形的樹脂薄膜之四邊的各邊緣部分裁掉50mm幅寬之部分，獲得剩下的部分作為試片。
在試片的4邊之中，將彼此相對的1組邊定為「邊A」，且將正交於邊A之另1組邊定為「邊B」，於薄膜面上訂定平行於邊A的3條直線。3條直線之中，1條定為與一邊A相離邊B之長度之1/20之距離的直線，另1條定為通過邊B之中點的直線，剩下1條定為與另一邊A相離邊B之長度之1/20之距離的直線。在各直線上，將自一邊B起位於邊A之長度之1/20之距離的點定為厚度之測量處的起點，將自另一邊B起位於邊A之長度之1/20的點定為終點，訂定出以等間隔彼此分離的10點測量處，在各測量處測量厚度。厚度(μm)，使用接觸式WEB厚度計(明產公司製「RC-101」)量測。
然後，在共30點測量處所獲得之厚度之中，將其最大值定為樹脂薄膜之厚度的最大值tI max，將其最小值定為樹脂薄膜之厚度的最小值tI min，將其平均值定為樹脂薄膜之厚度的平均值tI ave。
由如此求出之樹脂薄膜之厚度的最大值tI max、最小值tI min及平均值tI ave，透過式(I-3)計算樹脂薄膜的膜厚參差VtI〔%〕。
並且，將樹脂薄膜之厚度的平均值tI ave在於後所述之表中作為膜厚表示。
(樹脂薄膜之延遲的量測方法)
自膜厚量測後之試片，沿試片各邊平行切割，將其中央部切出100mm×100mm尺寸，獲得延遲量測用之樣品薄膜。在此樣品薄膜之4個角各自附近的位置設定4個量測點。具體而言，在自角朝向樣品薄膜的中心靠近20mm的位置設定4個量測點。在此等4個量測點與樣品薄膜的中心點共計5點中，量測樣品薄膜的面內延遲及厚度方向的延遲。量測使用雙折射量測裝置(Axometrics公司製「AxoScan」)在量測波長590nm進行。將如此獲得之量測值的平均值作為樹脂薄膜的面內延遲Re及厚度方向的延遲Rth而獲得。
(樹脂薄膜之內部霧度的量測方法)
自延遲量測後之樣品薄膜，切下50mm×50mm之尺寸的薄膜片。在此薄膜片的兩表面中介厚度50μm的透明光學黏合薄膜(3M公司製「8146-2」)，貼合環烯烴薄膜(日本瑞翁公司製「ZeonorFilm ZF14-040」，厚度40μm)，獲得試驗堆疊體。隨後，使用霧度計(日本電色工業公司製「NDH5000」)量測此試驗堆疊體的霧度。由獲得自量測結果之霧度值扣除2片環烯烴
薄膜的霧度與2層透明光學黏合薄膜的霧度值之和0.04%，求出作為試片之樹脂薄膜的內部霧度。
並且，2片環烯烴薄膜的霧度值與2層透明光學黏合薄膜的霧度值之和，藉由下述要領量測。形成依序具備環烯烴薄膜、透明光學黏合薄膜、透明光學黏合薄膜及環烯烴薄膜的貼合堆疊體。然後，量測此貼合堆疊體的霧度值，將如此獲得之量測值定為2片環烯烴薄膜的霧度值與2層透明光學黏合薄膜的霧度值之和。
(樹脂薄膜之熱膨脹率的量測方法)
將「延遲量測後之樣品薄膜之將內部霧度量測用之薄膜片切下之剩下的部分」切成5mm×20mm的條片狀，獲得試樣。此裁切以條片狀之試樣的長邊方向與原料薄膜之TD方向一致的方式進行。在沿此試樣之長邊方向施加50mN之張力的狀態下，以升溫速度10℃/分鐘，量測自溫度20℃至130℃的線膨脹。量測使用熱機械分析裝置(SII NanoTechnology Inc.製「TMA/SS7100」)進行。將量測到之線膨脹之值除以原本的長度(即線膨脹前的長度)，求出熱膨脹率(%)。
〔製造例I-1.雙環戊二烯之開環聚合物之氫化物的製造〕
將金屬製的耐壓反應器充分乾燥後，進行氮氣置換。在此金屬製耐壓反應器中，加入環己烷154.5份、雙環戊二烯(內型體含率99%以上)之濃度70%環己烷溶液42.8份(就雙環戊二
烯的量而言為30份)及1-己烯1.8份，加溫至53℃。
在將四氯化苯基醯亞胺(四氫呋喃)鎢錯合物0.014份溶解於0.70份之甲苯的溶液中，加入濃度19%之二乙基乙氧基鋁/正己烷溶液0.061份攪拌10分鐘，製備觸媒溶液。
將此觸媒溶液加入耐壓反應器中，起始開環聚合反應。之後，使之反應4小時同時保持53℃，獲得雙環戊二烯之開環聚合物的溶液。
所獲得之雙環戊二烯之開環聚合物的數量平均分子量(Mn)及重量平均分子量(Mw)分別為8,830及29,800，自此等求得之分子量分布(Mw/Mn)為3.37。
在所獲得之雙環戊二烯之開環聚合物的溶液200份中，加入1,2-乙二醇0.037份作為終止劑，加溫至60℃攪拌1小時，使聚合反應終止。於此，加入類水滑石化合物(協和化學工業公司製「KYOWAAD(註冊商標)2000」)1份，加溫至60℃攪拌1小時。之後，加入過濾助劑(昭和化學工業公司製「RADIOLITE(註冊商標)#1500」)0.4份，使用PP摺筒式濾器(ADVANTEC東洋公司製「TCP-HX」)濾掉吸附劑與溶液。
在過濾後之雙環戊二烯之開環聚合物的溶液200份(聚合物量30份)中，加入環己烷100份，添加氯氫化羰基參(三苯基膦)釕0.0043份，在氫壓6MPa、180℃進行氫化反應4小時。藉此，可獲得包含雙環戊二烯之開環聚合物之氫化物的反應液。此反應液析出氫化物而成為漿料溶液。
使用離心分離器將前述反應液所包含之氫化物與溶液分離，在60℃減壓乾燥24小時，獲得具有結晶性之雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物28.5份。此氫化物的氫化率為99%以上，玻璃轉移溫度Tg為97℃，熔點Tm為266℃，結晶化尖峰溫度Tc為136℃，外消旋二單元組的比例為89%。
〔製造例I-2.原料薄膜的製造〕
在製造例I-1中獲得之雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物100份中，混合抗氧化劑(肆{3-[3’,5’-二(三級丁基)-4’-羥基苯基]丙酸亞甲基}甲烷；BASF Japan公司製「Irganox(註冊商標)1010」)1.1份，獲得結晶性樹脂。
將前述結晶性樹脂放入具備4個內徑3mmΦ之模孔的雙軸擠製機(東芝機械公司製「TEM-37B」)。透過前述雙軸擠製機，藉由熱熔融擠製成形，將樹脂成形為股狀之成形體。將此成形體以股線切割機細切，獲得樹脂的顆粒。前述雙軸擠製機的運轉條件如下所示。
‧料桶設定溫度：270℃~280℃
‧模具設定溫度：250℃
‧螺桿轉數：145rpm
‧進料器轉數：50rpm
繼續將所獲得之樹脂的顆粒供給至具備T字模之熱熔融擠製薄膜成形機。設定料桶溫度280℃~290℃、模具溫度270℃及螺桿轉數30rpm作為薄膜成形機的運轉條件。此薄膜成
形機將由前述樹脂顆粒熔融之熔融樹脂朝向以表面線速度3.8m/分鐘旋轉之鑄造輥上擠製(鑄製)成幅寬500mm之薄膜狀。之後，經擠製之熔融樹脂藉由在輥上冷卻，成形為長條狀的薄膜狀，獲得厚度80μm的原料薄膜。
〔實施例I-1〕
準備批次式雙軸延伸裝置(衛藤公司製)。此延伸裝置具備能各自獨立設定溫度的3個烘箱單元與能固定薄膜片的延伸用的夾具。若使用此延伸裝置，則透過調整烘箱的設定溫度，能使薄膜片的溫度以任意升溫速度升溫。並且，若使用此延伸裝置，則藉由在將薄膜片固定於夾具的狀態下就此交換烘箱單元，能急速變更薄膜片的溫度。
將在製造例I-2中獲得之厚度80μm的原料薄膜切割成MD方向：150mm、TD方向：200mm之尺寸，獲得矩形的薄膜片。將此薄膜片安裝於前述延伸裝置。具體而言，將薄膜片的四邊固定於延伸裝置的夾具。
之後，在固定好夾具的狀態下，將薄膜片的溫度維持於與於後所述之延伸溫度相同的預熱溫度30秒鐘(預熱工序)。
隨後，透過花費30秒鐘以延伸溫度110℃擴大夾具的間隔，在MD方向的長度固定的狀態下就此沿TD方向延伸至2.0倍(延伸工序)。據此，此延伸的面延伸倍率為2.0倍。由於延伸以固定的溫度進行，故延伸結束溫度T1為110℃。
之後，繼續在以該夾具固定薄膜片之四邊的狀態下，
花費130秒鐘將薄膜片的溫度自前述延伸結束溫度T1升溫至155℃之途經溫度T2(前期升溫工序)。由「將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為6%」，確認到升溫速度為一定。
再來，繼續花費30秒鐘，使薄膜片的溫度自前述途經溫度T2升溫至170℃之熱固定起始溫度T3(後期升溫工序)。
隨後，將薄膜片的溫度於前述熱固定起始溫度T3維持30秒鐘(熱固定工序)。之後，自延伸裝置取出薄膜片，將取出的薄膜片作為樹脂薄膜予以評價。
並且，透過X射線繞射法量測薄膜片所包含之聚合物(雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物)的結晶化度(%)，結果為32%。
〔實施例I-2〕
透過將在前期升溫工序中使用之烘箱單元與預先設定為熱固定起始溫度T3之烘箱單元交換，進行後期升溫工序。據此，在後期升溫工序中之升溫急速進行，自途經溫度T2至熱固定起始溫度T3之薄膜片的升溫在3秒鐘以內完成。
並且，在熱固定工序中，在自後期升溫工序中交換烘箱單元之時間點30秒鐘後的時間點進行薄膜片自延伸裝置之取出。
除了以上事項以外，透過與實施例I-1相同之操作，進行樹脂薄膜的製造及評價。
〔實施例I-3〕
在前期升溫工序中，透過變更升溫速度，將薄膜片的溫度自延伸結束溫度T1升溫至途經溫度T2所需的升溫時間變更為50秒鐘。將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為11%。除了以上事項以外，透過與實施例I-1相同之操作，進行樹脂薄膜的製造及評價。
〔實施例I-4〕
在前期升溫工序中，透過變更升溫速度，將薄膜片的溫度自延伸結束溫度T1升溫至途經溫度T2所需的升溫時間變更為20秒鐘。將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為14%。除了以上事項以外，透過與實施例I-1相同之操作，進行樹脂薄膜的製造及評價。
〔實施例I-5〕
在前期升溫工序中，透過變更升溫速度，將薄膜片的溫度自延伸結束溫度T1升溫至途經溫度T2所需的升溫時間變更為15秒鐘。將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為15%。除了以上事項以外，透過與實施例I-1相同之操作，進行樹脂薄膜的製造及評價。
〔比較例I-1〕
在前期升溫工序中，透過變更升溫速度，將薄膜片的溫度自延伸結束溫度T1升溫至途經溫度T2所需的升溫時間變更為10秒鐘。將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度
變化△Ti的變異係數為16%。除了以上事項以外，透過與實施例I-1相同之操作，進行樹脂薄膜的製造及評價。
〔比較例I-2〕
透過將在延伸工序中使用之烘箱單元與預先設定為途經溫度T2之烘箱單元交換，進行前期升溫工序。據此，在前期升溫工序中之升溫急速進行，自延伸結束溫度T1至途經溫度T2之薄膜片的升溫在3秒鐘以內完成。
除了以上事項以外，透過與實施例I-1相同之操作，進行樹脂薄膜的製造及評價。
〔比較例I-3〕
透過將在延伸工序中使用之烘箱單元與預先設定為途經溫度T2之烘箱單元交換，進行前期升溫工序。據此，在前期升溫工序中之升溫急速進行，自延伸結束溫度T1至途經溫度T2之薄膜片的升溫在3秒鐘以內完成。
並且，透過將在前期升溫工序中使用之烘箱單元與預先設定為熱固定起始溫度T3之烘箱單元交換，進行後期升溫工序。據此，在後期升溫工序中之升溫急速進行，自途經溫度T2至熱固定起始溫度T3之薄膜片的升溫在3秒鐘以內完成。
再來，在熱固定工序中，在自後期升溫工序中交換烘箱單元之時間點30秒鐘後的時間點進行薄膜片自延伸裝置之取出。
除了以上事項以外，透過與實施例I-1相同之操作，
進行樹脂薄膜的製造及評價。
〔實施例I-6〕
在前期升溫工序中，透過變更升溫速度，將薄膜片的溫度自延伸結束溫度T1升溫至途經溫度T2所需的升溫時間變更為200秒鐘。將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為5%。除了以上事項以外，透過與實施例I-1相同之操作，進行樹脂薄膜的製造及評價。
〔實施例I-7〕
在前期升溫工序中，透過變更升溫速度，將薄膜片的溫度自延伸結束溫度T1升溫至途經溫度T2所需的升溫時間變更為250秒鐘。將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為4%。除了以上事項以外，透過與實施例I-1相同之操作，進行樹脂薄膜的製造及評價。
〔比較例I-4〕
在前期升溫工序中，透過變更升溫速度，將薄膜片的溫度自延伸結束溫度T1升溫至途經溫度T2所需的升溫時間變更為300秒鐘。將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為3%。除了以上事項以外，透過與實施例I-1相同之操作，進行樹脂薄膜的製造及評價。
〔實施例I-8〕
透過將在前期升溫工序中使用之烘箱單元與預先設定為熱固定起始溫度T3之烘箱單元交換，進行後期升溫工序。據
此，在後期升溫工序中之升溫急速進行，自途經溫度T2至熱固定起始溫度T3之薄膜片的升溫在3秒鐘以內完成。
並且，在熱固定工序中，在自後期升溫工序中交換烘箱單元之時間點15秒鐘後的時間點進行薄膜片自延伸裝置之取出。
除了以上事項以外，透過與實施例I-1相同之操作，進行樹脂薄膜的製造及評價。
〔比較例I-5〕
透過將在前期升溫工序中使用之烘箱單元與預先設定為熱固定起始溫度T3之烘箱單元交換，進行後期升溫工序。據此，在後期升溫工序中之升溫急速進行，自途經溫度T2至熱固定起始溫度T3之薄膜片的升溫在3秒鐘以內完成。
並且，在熱固定工序中，在自後期升溫工序中交換烘箱單元之時間點5秒鐘後的時間點進行薄膜片自延伸裝置之取出。
除了以上事項以外，透過與實施例I-1相同之操作，進行樹脂薄膜的製造及評價。
〔比較例I-6〕
透過將在延伸工序中使用之烘箱單元與預先設定為途經溫度T2之烘箱單元交換，進行前期升溫工序。據此，在前期升溫工序中之升溫急速進行，自延伸結束溫度T1至途經溫度T2之薄膜片的升溫在3秒鐘以內完成。
並且，透過將在前期升溫工序中使用之烘箱單元與
預先設定為熱固定起始溫度T3之烘箱單元交換，進行後期升溫工序。據此，在後期升溫工序中之升溫急速進行，自途經溫度T2至熱固定起始溫度T3之薄膜片的升溫在3秒鐘以內完成。
再來，在熱固定工序中，在自後期升溫工序中交換烘箱單元之時間點5秒鐘後的時間點進行薄膜片自延伸裝置之取出。
除了以上事項以外，透過與實施例I-1相同之操作，進行樹脂薄膜的製造及評價。
〔實施例I-9〕
在後期升溫工序中，透過變更升溫速度，將薄膜片的溫度自途經溫度T2升溫至熱固定起始溫度T3所需的升溫時間變更為120秒鐘。
並且，在後期升溫工序及熱固定工序中，將熱固定起始溫度T3變更為190℃。
除了以上事項以外，透過與實施例I-1相同之操作，進行樹脂薄膜的製造及評價。
〔實施例I-10〕
在後期升溫工序中，透過變更升溫速度，將薄膜片的溫度自途經溫度T2升溫至熱固定起始溫度T3所需的升溫時間變更為170秒鐘。
並且，在後期升溫工序及熱固定工序中，將熱固定起始溫度T3變更為190℃。
除了以上事項以外，透過與實施例I-1相同之操作，
進行樹脂薄膜的製造及評價。
〔比較例I-7〕
在後期升溫工序中，透過變更升溫速度，將薄膜片的溫度自途經溫度T2升溫至熱固定起始溫度T3所需的升溫時間變更為270秒鐘。
並且，在後期升溫工序及熱固定工序中，將熱固定起始溫度T3變更為190℃。
除了以上事項以外，透過與實施例I-1相同之操作，進行樹脂薄膜的製造及評價。
〔實施例I-11〕
在預熱工序及延伸工序中，將預熱溫度及延伸溫度變更為115℃。據此，延伸結束溫度T1為115℃。
並且，在前期升溫工序中，以「薄膜片的溫度自延伸結束溫度T1升溫至途經溫度T2所需的升溫時間呈130秒鐘」的方式變更升溫速度。將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為6%。
除了以上事項以外，透過與實施例I-1相同之操作，進行樹脂薄膜的製造及評價。
〔實施例I-12〕
在預熱工序及延伸工序中，將預熱溫度及延伸溫度變更為120℃。據此，延伸結束溫度T1為120℃。
並且，在前期升溫工序中，以「薄膜片的溫度自延伸
結束溫度T1升溫至途經溫度T2所需的升溫時間呈130秒鐘」的方式變更升溫速度。將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為6%。
除了以上事項以外，透過與實施例I-1相同之操作，進行樹脂薄膜的製造及評價。
〔比較例I-8〕
在預熱工序及延伸工序中，將預熱溫度及延伸溫度變更為130℃。據此，延伸結束溫度T1為130℃。
並且，在前期升溫工序中，以「薄膜片的溫度自延伸結束溫度T1升溫至途經溫度T2所需的升溫時間呈130秒鐘」的方式變更升溫速度。將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為6%。
除了以上事項以外，透過與實施例I-1相同之操作，進行樹脂薄膜的製造及評價。
〔實施例I-13〕
在預熱工序及延伸工序中，將預熱溫度及延伸溫度變更為105℃。據此，延伸結束溫度T1為105℃。
並且，在前期升溫工序中，將途經溫度T2變更為165℃。再者，在前期升溫工序中，以「薄膜片的溫度自延伸結束溫度T1升溫至途經溫度T2所需的升溫時間呈200秒鐘」的方式變更升溫速度。將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為5%。
再來，透過將在前期升溫工序中使用之烘箱單元與預先設定為熱固定起始溫度T3之烘箱單元交換，進行後期升溫工序。據此，在後期升溫工序中之升溫急速進行，自途經溫度T2至熱固定起始溫度T3之薄膜片的升溫在3秒鐘以內完成。
並且，在熱固定工序中，在「於後期升溫工序中交換烘箱單元之時間點30秒鐘後」的時間點進行薄膜片自延伸裝置之取出。
除了以上事項以外，透過與實施例I-1相同之操作，進行樹脂薄膜的製造及評價。
〔實施例I-14〕
在預熱工序及延伸工序中，將預熱溫度及延伸溫度變更為120℃。據此，延伸結束溫度T1為120℃。
並且，在前期升溫工序中，將途經溫度T2變更為145℃。再者，在前期升溫工序中，以「薄膜片的溫度自延伸結束溫度T1升溫至途經溫度T2所需的升溫時間呈25秒鐘」的方式，變更升溫速度。將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為13%。
除了以上事項以外，透過與實施例I-1相同之操作，進行樹脂薄膜的製造及評價。
〔結果〕
前述實施例及比較例的構成及結果揭示於下述表中。
『表1』
※1：未控制升溫速度。在3秒鐘以內完成升溫。
※2：未控制升溫時間。在3秒鐘以內完成升溫，就此維持溫度T3完成熱固定。
〔II.對應第二發明之實施例及比較例的說明〕
〔在對應第二發明之實施例及比較例中的評價方法〕
(聚合物之氫化率的量測方法)
聚合物的氫化率，藉由與在對應第一發明之實施例及比較例中使用的量測方法相同的方法量測。
(聚合物之重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn的量測方法)
聚合物之重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn，
藉由與在對應第一發明之實施例及比較例中使用的量測方法相同的方法量測。
(聚合物之外消旋二單元組的比例的量測方法)
聚合物之外消旋二單元組的比例，藉由與在對應第一發明之實施例及比較例中使用的量測方法相同的方法量測。
(玻璃轉移溫度Tg、熔點Tm及結晶化尖峰溫度Tc的量測方法)
聚合物之玻璃轉移溫度Tg、熔點Tm及結晶化尖峰溫度Tc的量測，藉由與在對應第一發明之實施例及比較例中使用的量測方法相同的方法量測。
(相位差薄膜之膜厚及膜厚參差的量測方法)
自在實施例或比較例中獲得之矩形的相位差薄膜之四邊的各邊緣部分裁掉50mm幅寬之部分，獲得剩下的部分作為試片。
在試片的4邊之中，將彼此相對的1組邊定為「邊A」，且將正交於邊A之另1組邊定為「邊B」，於薄膜面上訂定平行於邊A的3條直線。3條直線之中，1條定為與一邊A相離邊B之長度之1/20之距離的直線，另1條定為通過邊B之中點的直線，剩下1條定為與另一邊A相離邊B之長度之1/20之距離的直線。在各直線上，將自一邊B起位於邊A之長度之1/20之距離的點定為厚度之測量處的起點，將自另一邊B起位於邊A之長度之1/20的點定為終點，訂定出以等間隔彼此分離的10
點測量處，在各測量處測量厚度。厚度(μm)，使用接觸式WEB厚度計(明產公司製「RC-101」)量測。
然後，在共30點測量處所獲得之厚度之中，將其最大值定為相位差薄膜之厚度的最大值tII max，將其最小值定為相位差薄膜之厚度的最小值tII min，將其平均值定為相位差薄膜之厚度的平均值tII ave。
由如此求出之相位差薄膜之厚度的最大值tII max、最小值tII min及平均值tII ave，透過式(II-1)計算相位差薄膜的膜厚參差VtII〔%〕。
並且，將相位差薄膜之厚度的平均值tII ave在於後所述之表中作為膜厚表示。
(相位差薄膜之延遲的量測方法)
相位差薄膜之延遲，藉由與在對應第一發明之實施例及比較例中使用的樹脂薄膜之延遲的量測方法相同的方法量測。
(相位差薄膜之雙折射的量測方法)
將相位差薄膜的面內延遲Re除以相位差薄膜之厚度的平均值tII ave，求出面內方向的雙折射△Nxy。
並且，將相位差薄膜之厚度方向的延遲Rth除以相位差薄膜之厚度的平均值tII ave，求出厚度方向的雙折射「(△Nxz+△Nyz)/2」。
(相位差薄膜之內部霧度的量測方法)
相位差薄膜之內部霧度，藉由與在對應第一發明之
實施例及比較例中使用的樹脂薄膜之內部霧度的量測方法相同的方法量測。
〔製造例II-1.雙環戊二烯之開環聚合物之氫化物的製造〕
透過與製造例I-1相同的方法，獲得具有結晶性之雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物。此氫化物的氫化率為99%以上，玻璃轉移溫度Tg為97℃，熔點Tm為266℃，結晶化尖峰溫度Tc為136℃，外消旋二單元組的比例為89%。
〔製造例II-2.原料薄膜II-1的製造〕
在製造例II-1中獲得之雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物100份中，混合抗氧化劑(肆{3-[3’,5’-二(三級丁基)-4’-羥基苯基]丙酸亞甲基}甲烷；BASF Japan公司製「Irganox(註冊商標)1010」)1.1份，獲得結晶性樹脂。
將前述結晶性樹脂放入具備4個內徑3mmΦ之模孔的雙軸擠製機(東芝機械公司製「TEM-37B」)。透過前述雙軸擠製機，藉由熱熔融擠製成形，將樹脂成形為股狀之成形體。將此成形體以股線切割機細切，獲得樹脂的顆粒。前述雙軸擠製機的運轉條件如下所示。
‧料桶設定溫度：270℃~280℃
‧模具設定溫度：250℃
‧螺桿轉數：145rpm
‧進料器轉數：50rpm
繼而將所獲得之樹脂的顆粒供給至具備T字模之熱熔融擠製薄膜成形機。設定料桶溫度280℃~290℃、模具溫度270℃及螺桿轉數30rpm作為薄膜成形機的運轉條件。此薄膜成形機將由前述樹脂顆粒熔融之熔融樹脂朝向以表面線速度3m/分鐘旋轉之鑄造輥上擠製(鑄製)成幅寬500mm之薄膜狀。之後，經擠製之熔融樹脂藉由在輥上冷卻，成形為長條狀的薄膜狀，獲得厚度100μm的原料薄膜II-1。
〔製造例II-3.原料薄膜2的製造〕
除了將鑄造輥的表面線速度變更為6m/分鐘以外，進行與製造例II-2相同的操作，製造厚度50μm的原料薄膜II-2。
〔實施例II-1〕
準備批次式雙軸延伸裝置(衛藤公司製)。此延伸裝置具備能各自獨立設定溫度的3個烘箱單元與能固定薄膜片的延伸用的夾具。若使用此延伸裝置，則透過調整烘箱的設定溫度，能使薄膜片的溫度以任意升溫速度升溫。並且，若使用此延伸裝置，則藉由在薄膜片固定於夾具的狀態下就此交換烘箱單元，能急速變更薄膜片的溫度。
將在製造例II-2中獲得之厚度100μm的原料薄膜II-1切割成MD方向：150mm、TD方向：150mm之尺寸，獲得矩形的薄膜片。將此薄膜片安裝於前述延伸裝置。具體而言，將薄膜片的四邊固定於延伸裝置的夾具。
之後，在固定好夾具的狀態下，將薄膜片的溫度維持於與於後所述之延伸溫度相同的預熱溫度30秒鐘(預熱工序)。
隨後，透過在延伸溫度110℃擴大夾具的間隔，進行花費30秒鐘將薄膜片沿MD方向及TD方向同時延伸的同時雙軸延伸(延伸工序)。MD方向及TD方向的延伸倍率皆為2.2倍，面延伸倍率為4.84倍。由於此同時雙軸延伸以固定的溫度進行，故延伸結束溫度T1為110℃。
之後，繼續在以該夾具固定薄膜片的四邊的狀態下，花費90秒鐘將薄膜片的溫度自前述延伸結束溫度T1升溫至155℃之途經溫度T2(前期升溫工序)。由「將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為8%」，確認到升溫速度為一定。
再來，繼續花費30秒鐘，使薄膜片的溫度自前述途經溫度T2升溫至170℃之熱固定起始溫度T3(後期升溫工序)。
隨後，將薄膜片的溫度於前述熱固定起始溫度T3維持30秒鐘(熱固定工序)。之後，自延伸裝置取出薄膜片，將取出的薄膜片作為相位差薄膜予以評價。
並且，透過X射線繞射法量測薄膜片所包含之聚合物(雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物)的結晶化度(%)，結果為35%。
〔實施例II-2〕
在前期升溫工序中，透過變更升溫速度，將薄膜片的
溫度自延伸結束溫度T1升溫至途經溫度T2所需的升溫時間變更為50秒鐘。將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為11%。除了以上事項以外，透過與實施例II-1相同之操作，進行相位差薄膜的製造及評價。
〔實施例II-3〕
在前期升溫工序中，透過變更升溫速度，將薄膜片的溫度自延伸結束溫度T1升溫至途經溫度T2所需的升溫時間變更為20秒鐘。將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為14%。除了以上事項以外，透過與實施例II-1相同之操作，進行相位差薄膜的製造及評價。
〔比較例II-1〕
在前期升溫工序中，透過變更升溫速度，將薄膜片的溫度自延伸結束溫度T1升溫至途經溫度T2所需的升溫時間變更為10秒鐘。將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為16%。除了以上事項以外，透過與實施例II-1相同之操作，進行相位差薄膜的製造及評價。
〔比較例II-2〕
在前期升溫工序中，透過變更升溫速度，將薄膜片的溫度自延伸結束溫度T1升溫至途經溫度T2所需的升溫時間變更為10秒鐘。將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為16%。
並且，透過將在前期升溫工序中使用之烘箱單元與
預先設定為熱固定起始溫度T3之烘箱單元交換，進行後期升溫工序。據此，在後期升溫工序中之升溫急速進行，自途經溫度T2至熱固定起始溫度T3之薄膜片的升溫在3秒鐘以內完成。
並且，在熱固定工序中，在自後期升溫工序中交換烘箱單元之時間點30秒鐘後的時間點進行薄膜片自延伸裝置之取出。
除了以上事項以外，透過與實施例II-1相同之操作，進行相位差薄膜的製造及評價。
〔比較例II-3〕
透過將在延伸工序中使用之烘箱單元與預先設定為途經溫度T2之烘箱單元交換，進行前期升溫工序。據此，在前期升溫工序中之升溫急速進行，自延伸結束溫度T1至途經溫度T2之薄膜片的升溫在3秒鐘以內完成。
並且，透過將在前期升溫工序中使用之烘箱單元與預先設定為熱固定起始溫度T3之烘箱單元交換，進行後期升溫工序。據此，在後期升溫工序中之升溫急速進行，自途經溫度T2至熱固定起始溫度T3之薄膜片的升溫在3秒鐘以內完成。
再來，在熱固定工序中，在自後期升溫工序中交換烘箱單元之時間點30秒鐘後的時間點進行薄膜片自延伸裝置之取出。
除了以上事項以外，透過與實施例II-1相同之操作，進行相位差薄膜的製造及評價。
〔實施例II-4〕
在前期升溫工序中，透過變更升溫速度，將薄膜片的溫度自延伸結束溫度T1升溫至途經溫度T2所需的升溫時間變更為200秒鐘。將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為5%。
並且，在後期升溫工序中，透過變更升溫速度，將薄膜片的溫度自途經溫度T2升溫至熱固定起始溫度T3所需的升溫時間變更為150秒鐘。
再來，在熱固定工序中，將薄膜片的溫度維持於熱固定起始溫度T3的時間變更為50秒鐘。
除了以上事項以外，透過與實施例II-1相同之操作，進行相位差薄膜的製造及評價。
〔比較例II-4〕
在前期升溫工序中，透過變更升溫速度，將薄膜片的溫度自延伸結束溫度T1升溫至途經溫度T2所需的升溫時間變更為300秒鐘。將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為3%。
並且，在後期升溫工序中，透過變更升溫速度，將薄膜片的溫度自途經溫度T2升溫至熱固定起始溫度T3所需的升溫時間變更為225秒鐘。
再來，在熱固定工序中，將薄膜片的溫度維持於熱固定起始溫度T3的時間變更為75秒鐘。
除了以上事項以外，透過與實施例II-1相同之操作，進行相位差薄膜的製造及評價。
〔實施例II-5〕
將預熱溫度及延伸溫度變更為120℃。據此，延伸結束溫度T1亦變更為120℃。並且，在前期升溫工序中，以「薄膜片的溫度自延伸結束溫度T1升溫至途經溫度T2所需的升溫時間呈90秒鐘」的方式，調整薄膜片的升溫速度。將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為8%。
除了以上事項以外，透過與實施例II-1相同之操作，進行相位差薄膜的製造及評價。
〔實施例II-6〕
將預熱溫度及延伸溫度變更為122℃。據此，延伸結束溫度T1亦變更為122℃。並且，在前期升溫工序中，以「薄膜片的溫度自延伸結束溫度T1升溫至途經溫度T2所需的升溫時間呈90秒鐘」的方式，調整薄膜片的升溫速度。將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為8%。
除了以上事項以外，透過與實施例II-1相同之操作，進行相位差薄膜的製造及評價。
〔比較例II-5〕
將預熱溫度及延伸溫度變更為130℃。據此，延伸結束溫度T1亦變更為130℃。並且，在前期升溫工序中，以「薄膜片的溫度自延伸結束溫度T1升溫至途經溫度T2所需的升溫時間
呈90秒鐘」的方式，調整薄膜片的升溫速度。將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為8%。
除了以上事項以外，透過與實施例II-1相同之操作，進行相位差薄膜的製造及評價。
〔實施例II-7〕
透過將在延伸工序中之MD方向的延伸倍率變更為2.0倍且將TD方向的延伸倍率變更為2.0倍，將面延伸倍率變更為4.00倍。
並且，在前期升溫工序中，將途經溫度T2變更為165℃。再者，透過變更升溫速度，將薄膜片的溫度自延伸溫度T1升溫至途經溫度T2所需的升溫時間變更為70秒鐘。將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為9%。
並且，在後期升溫工序及熱固定工序中，將熱固定起始溫度T3變更為180℃。
再來，透過將在前期升溫工序中使用之烘箱單元與預先設定為熱固定起始溫度T3之烘箱單元交換，進行後期升溫工序。據此，在後期升溫工序中之升溫急速進行，自途經溫度T2至熱固定起始溫度T3之薄膜片的升溫在3秒鐘以內完成。
並且，在熱固定工序中，在自後期升溫工序中交換烘箱單元之時間點30秒鐘後的時間點進行薄膜片自延伸裝置之取出。
除了以上事項以外，透過與實施例II-1相同之操作，
進行相位差薄膜的製造及評價。
〔實施例II-8〕
將在製造例II-3中獲得之厚度50μm的原料薄膜2切割成MD方向：150mm、TD方向：250mm之尺寸，獲得矩形的薄膜片。將此薄膜片安裝於與實施例II-1相同的延伸裝置。具體而言，將薄膜片的四邊固定於延伸裝置的夾具。
之後，在固定好夾具的狀態下，將薄膜片的溫度維持於與於後所述之延伸溫度相同的預熱溫度30秒鐘(預熱工序)。
隨後，透過在延伸溫度115℃擴大夾具的間隔，進行在將TD方向之長度固定的狀態下就此花費30秒鐘將薄膜片延伸的固定端單軸延伸(延伸工序)。MD方向的延伸倍率為2.50倍，據此，面延伸倍率亦為2.50倍。由於此固定端單軸延伸以固定的溫度進行，故延伸結束溫度T1為115℃。
之後，繼續在以該夾具固定薄膜片的四邊的狀態下，花費90秒鐘將薄膜片的溫度自前述延伸結束溫度T1升溫至150℃之途經溫度T2(前期升溫工序)。由「將此前期升溫工序分成10等分之各時間區段之溫度變化△Ti的變異係數為8%」，確認到升溫速度為一定。
再者，繼續花費30秒鐘，使薄膜片的溫度自前述途經溫度T2升溫至170℃之熱固定起始溫度T3(後期升溫工序)。
隨後，將薄膜片的溫度於前述熱固定起始溫度T3維持30秒鐘(熱固定工序)。之後，自延伸裝置取出薄膜片，將取
出的薄膜片作為相位差薄膜予以評價。
〔實施例II-9〕
除了透過將朝向MD方向之延伸倍率變更為2.00倍，將面延伸倍率變更為2.00倍以外，透過與實施例II-8相同的操作，進行相位差薄膜的製造及評價。
〔結果〕
前述實施例及比較例的構成及結果揭示於下述表中，在下述表中，簡稱的意義如同下述。
延伸方法之欄「A」：同時雙軸延伸(MD、TD等倍延伸)。
延伸方向之欄「B」：固定端單軸延伸(MD)。
※1：未控制升溫速度。在3秒鐘以內完成升溫。
※2：未控制升溫時間。在3秒鐘以內完成升溫，就此維持溫度T3完成熱固定。
Claims (4)
- 一種相位差薄膜，其係由包含含有脂環結構且具有結晶性之聚合物的樹脂所形成的相位差薄膜，其中前述相位差薄膜之厚度方向的雙折射為0.008以上，前述相位差薄膜的內部霧度為1%以下，且由下述式(II-1)所示之膜厚參差VtII為5%以下，VtII〔%〕=〔(tII max-tII min)/tII ave〕×100 (II-1)(前述式(II-1)中，tII max表示前述相位差薄膜之厚度的最大值，tII min表示前述相位差薄膜之厚度的最小值，tII ave表示前述相位差薄膜之厚度的平均值)。
- 如請求項1所述之相位差薄膜，其中前述相位差薄膜之厚度方向的延遲Rth為200nm以上。
- 如請求項1或2所述之相位差薄膜，其中前述聚合物為雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物。
- 一種相位差薄膜的製造方法，其係如請求項1至3之任一項所述之相位差薄膜的製造方法；其中前述製造方法包含：準備由包含含有脂環結構且具有結晶性之聚合物的樹脂所形成的原料薄膜之準備工序，將前述原料薄膜延伸至面延伸倍率1.1倍以上以獲得延伸薄膜之延伸工序， 將前述延伸薄膜的溫度自前述延伸工序之結束時間點的溫度T1升溫至溫度T3之升溫工序，與將前述延伸薄膜的溫度維持於前述溫度T3以上之熱固定工序；前述升溫工序包含：將前述延伸薄膜的溫度以一定升溫速度自前述溫度T1升溫至較前述溫度T3還低5℃以上的溫度T2之前期升溫工序，與將前述延伸薄膜的溫度自前述溫度T2升溫至前述溫度T3之後期升溫工序；在前述前期升溫工序中，自前述延伸薄膜之溫度開始升溫之時間點至到達前述溫度T2之時間點的時間為15秒鐘以上且250秒鐘以下；自「在前述前期升溫工序中前述延伸薄膜的溫度到達前述溫度T2之時間點」至「結束在熱固定工序中之前述溫度T3以上的維持之時間點」的時間為10秒鐘以上且250秒鐘以下；前述聚合物具有玻璃轉移溫度Tg及結晶化尖峰溫度Tc，前述溫度T1為Tg+5℃以上且Tg+25℃以下，前述溫度T2為Tc+5℃以上且Tc+30℃以下，前述溫度T3為Tc+10℃以上且Tc+100℃以下。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019-036106 | 2019-02-28 | ||
| JP2019036070 | 2019-02-28 | ||
| JP2019036106 | 2019-02-28 | ||
| JP2019-036070 | 2019-02-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202043011A TW202043011A (zh) | 2020-12-01 |
| TWI829868B true TWI829868B (zh) | 2024-01-21 |
Family
ID=72239435
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109105338A TWI829868B (zh) | 2019-02-28 | 2020-02-19 | 相位差薄膜及其製造方法 |
| TW112132779A TW202400400A (zh) | 2019-02-28 | 2020-02-19 | 樹脂薄膜的製造方法以及相位差薄膜的製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW112132779A TW202400400A (zh) | 2019-02-28 | 2020-02-19 | 樹脂薄膜的製造方法以及相位差薄膜的製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7375807B2 (zh) |
| KR (1) | KR20210132651A (zh) |
| CN (1) | CN113454501B (zh) |
| TW (2) | TWI829868B (zh) |
| WO (1) | WO2020175217A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023176691A1 (ja) * | 2022-03-14 | 2023-09-21 | 日東電工株式会社 | 表示システム、表示方法、表示体および表示体の製造方法 |
| WO2023176692A1 (ja) * | 2022-03-14 | 2023-09-21 | 日東電工株式会社 | 表示システム、表示方法、表示体および表示体の製造方法 |
| JP2023167059A (ja) * | 2022-05-11 | 2023-11-24 | Ｔｏｐｐａｎホールディングス株式会社 | 調光シート、および調光シートの製造方法 |
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| TW201900417A (zh) * | 2017-03-30 | 2019-01-01 | 日商日本瑞翁股份有限公司 | 有機電致發光顯示裝置用之多層薄膜，以及包含此之偏光板、抗反射薄膜及有機電致發光顯示裝置 |
Family Cites Families (6)
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| JP2010243821A (ja) | 2009-04-07 | 2010-10-28 | Sekisui Chem Co Ltd | 位相差補償フィルムの製造方法、位相差補償フィルム、複合偏光板、偏光板及び液晶表示装置 |
| EP3520996B1 (en) * | 2016-09-30 | 2024-09-04 | Zeon Corporation | Resin film, conductive film and method for producing these films |
-
2020
- 2020-02-17 CN CN202080014739.1A patent/CN113454501B/zh active Active
- 2020-02-17 JP JP2021501988A patent/JP7375807B2/ja active Active
- 2020-02-17 WO PCT/JP2020/006105 patent/WO2020175217A1/ja active Application Filing
- 2020-02-17 KR KR1020217025040A patent/KR20210132651A/ko active Search and Examination
- 2020-02-19 TW TW109105338A patent/TWI829868B/zh active
- 2020-02-19 TW TW112132779A patent/TW202400400A/zh unknown
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201815873A (zh) * | 2016-09-29 | 2018-05-01 | 日商日本瑞翁股份有限公司 | 樹脂薄膜、阻隔薄膜及導電性薄膜、以及此等之製造方法 |
| TW201900417A (zh) * | 2017-03-30 | 2019-01-01 | 日商日本瑞翁股份有限公司 | 有機電致發光顯示裝置用之多層薄膜，以及包含此之偏光板、抗反射薄膜及有機電致發光顯示裝置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20210132651A (ko) | 2021-11-04 |
| CN113454501A (zh) | 2021-09-28 |
| TW202043011A (zh) | 2020-12-01 |
| WO2020175217A1 (ja) | 2020-09-03 |
| JPWO2020175217A1 (ja) | 2021-12-23 |
| CN113454501B (zh) | 2023-06-02 |
| TW202400400A (zh) | 2024-01-01 |
| JP7375807B2 (ja) | 2023-11-08 |
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