TW202132087A - 相位差薄膜的製造方法 - Google Patents

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Abstract

製造相位差薄膜的方法包含使樹脂薄膜接觸溶劑並延伸之工序。前述樹脂薄膜與前述溶劑的接觸以藉由將前述樹脂薄膜浸漬於前述溶劑來進行為佳。並且，前述樹脂薄膜以由固有雙折射值為正的樹脂而成之態樣為佳。

Description

相位差薄膜的製造方法
本發明係關於相位差薄膜的製造方法。
以往以來，提案有相位差薄膜的製造技術（參照例如專利文獻1～2）。
『專利文獻』 《專利文獻1》：國際專利公開第2017/065222號（對應公報：美國專利申請公開第2020/292742號說明書） 《專利文獻2》：日本專利公開第2016-212171號公報
相位差薄膜在面內方向及厚度方向中之至少一者上具有延遲。作為獲得此種相位差薄膜的方法，已知將樹脂製之薄膜加熱至前述樹脂之玻璃轉移溫度Tg以上來延伸的方法（參照例如專利文獻1）。然而，在採用此種方法的情況下，需要用以將樹脂製之薄膜加熱的裝置或設備，有製造設備大型化的問題。並且，亦有消耗能量大的問題。
本發明以提供能夠簡化製造設備之相位差薄膜的製造方法為目的。
本發明人為能解決前述問題而潛心進行研究。其結果，本發明人發現以下見解，進而完成本發明：藉由使樹脂薄膜接觸溶劑並延伸，即使不加熱樹脂薄膜，亦可使面內方向及厚度方向中之至少一者顯現延遲，其結果，可解決上述問題。
亦即，本發明包含下述內容。
〔1〕一種相位差薄膜的製造方法，其係製造相位差薄膜的方法，包含 使樹脂薄膜接觸溶劑並延伸之工序。
〔2〕如〔1〕所記載之相位差薄膜的製造方法，其中藉由將前述樹脂薄膜浸漬於前述溶劑來進行前述樹脂薄膜與前述溶劑的接觸。
〔3〕如〔1〕或〔2〕所記載之相位差薄膜的製造方法，其中前述樹脂薄膜係由固有雙折射值為正的樹脂而成。
〔4〕如〔1〕～〔3〕之任一項所記載之相位差薄膜的製造方法，其中前述樹脂薄膜係由包含具有結晶性之聚合物的樹脂而成。
〔5〕如〔4〕所記載之相位差薄膜的製造方法，其中前述具有結晶性之聚合物係雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物。
〔6〕如〔1〕～〔5〕之任一項所記載之相位差薄膜的製造方法，其中前述溶劑係烴系的溶劑。
〔7〕如〔1〕～〔6〕之任一項所記載之相位差薄膜的製造方法，其中不加熱前述樹脂薄膜即進行前述工序。
根據本發明，可提供能夠簡化製造設備之相位差薄膜的製造方法。
以下揭示實施型態及示例物以詳細說明本發明。惟本發明並非受限於以下所揭示之實施型態及示例物者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等之範圍的範圍中，得任意變更而實施。
在以下說明中，薄膜的面內延遲Re，除非另有註記，否則係由「Re＝（nx－ny）×d」所示之值。並且，薄膜之面內方向的雙折射，除非另有註記，否則係由「（nx－ny）」所示之值，據此由「Re／d」表示。再者，薄膜之厚度方向的延遲Rth，除非另有註記，否則係由「Rth＝｛［（nx＋ny）／2］－nz｝×d」所示之值。並且，薄膜之厚度方向的雙折射，除非另有註記，否則係由「｛［（nx＋ny）／2］－nz｝」所示之值，據此由「Rth／d」表示。再者，薄膜的NZ係數，除非另有註記，否則係由「（nx－nz）／（nx－ny）」所示之值，據此由「0.5＋Rth／Re」表示。nx表示係為與薄膜之厚度方向垂直之方向（面內方向）且賦予最大折射率之方向的折射率。ny表示係為薄膜之前述面內方向且與nx之方向正交之方向的折射率。nz表示薄膜之厚度方向的折射率。d表示薄膜的厚度。量測波長，除非另有註記，否則為590 nm。
在以下說明中，所謂固有雙折射為正的材料，除非另有註記，否則意謂延伸方向之折射率變得較與之垂直之方向之折射率還大的材料。並且，所謂固有雙折射為負的材料，除非另有註記，否則意謂延伸方向之折射率變得較與之垂直之方向之折射率還小的材料。固有雙折射之值可由介電常數分布計算。
在以下說明中，所謂長條狀之薄膜的斜向，除非另有註記，否則表示係為此薄膜之面內方向且既不平行亦不垂直於此薄膜之幅寬方向的方向。
在以下說明中，所謂「長條狀」之薄膜，係謂具有相對於幅寬為5倍以上之長度的薄膜，以具有10倍或其以上之長度為佳，具體上係謂具有可收捲成卷狀儲存或搬運之程度之長度的薄膜。長度的上限並無特別之限制，但通常相對於幅寬為10萬倍以下。
在以下說明中，長條狀之薄膜的長邊方向通常與生產線中的薄膜運送方向平行。並且，MD方向（machine direction）係生產線中之薄膜的運送方向，通常與長條狀之薄膜的長邊方向平行。再者，TD方向（transverse direction）係平行於薄膜面的方向且垂直於前述MD方向的方向，通常與長條狀之薄膜的幅寬方向平行。
在以下說明中，所謂構件的方向為「平行」、「垂直」及「正交」，除非另有註記，否則在不損及本發明之效果的範圍內，亦可包含例如±5°之範圍內的誤差。
［本發明之相位差薄膜的製造方法之概要］
本發明之相位差薄膜的製造方法包含使樹脂薄膜接觸溶劑並延伸之工序。
在本發明之相位差薄膜的製造方法中，包含使成為相位差薄膜之材料的樹脂薄膜接觸溶劑並延伸之工序，藉由包含該工序，即使不加熱樹脂薄膜，亦可使延遲顯現。其結果，根據本發明，由於不需要將樹脂薄膜加熱的裝置，故可提供能夠簡化製造設備之相位差薄膜的製造方法。
［實施型態1］
以下參照圖1，同時具體說明本發明之實施型態1相關之相位差薄膜的製造方法。圖1係繪示得在實施型態1之相位差薄膜的製造方法中使用之裝置的側視示意圖。
［本實施型態之相位差薄膜的製造方法之概要］
在本實施型態中，準備長條狀之樹脂薄膜，一邊於該樹脂薄膜貼合保護薄膜一邊收捲成卷，藉此獲得樹脂薄膜的卷111。其次，如圖1所示，將保護薄膜12從自樹脂薄膜的卷111順出之薄膜11剝離，將長條狀之樹脂薄膜15沿由A1所示之方向運送。保護薄膜12係一邊以配置於自厚度方向包夾薄膜11之位置的軋輥101A、101B推壓一邊收捲成卷112。
其次，一邊使樹脂薄膜15通過已填滿溶劑的浴槽102來接觸，一邊將樹脂薄膜15延伸。在本實施型態中，藉由配置於在薄膜運送方向上之上游側的軋輥101A、101B與配置於在薄膜運送方向上之下游側的軋輥104A、104B的圓周速率差，將樹脂薄膜15沿薄膜運送方向延伸。藉由一邊使樹脂薄膜15與溶劑接觸一邊延伸，即使不加熱樹脂薄膜，亦可使薄膜之面內方向及厚度方向之至少一者顯現延遲。據此，如此操作而獲得之延伸薄膜10得就此使用作為相位差薄膜。
如此操作而獲得之延伸薄膜10係一邊貼合自卷113順出之保護薄膜13一邊收捲。藉此，獲得延伸薄膜的卷110。延伸薄膜10與保護薄膜13的貼合，係一邊以配置於自厚度方向包夾薄膜之位置的軋輥104A、104B推壓一邊進行。
本實施型態之相位差薄膜的製造方法包含使樹脂薄膜接觸溶劑並延伸之工序。在以下說明中，有時將該工序稱為「工序1」。
［工序1］
工序1係使樹脂薄膜接觸溶劑並延伸之工序。藉由使樹脂薄膜接觸溶劑並延伸，得在樹脂薄膜中顯現延遲。可獲得此種效果的機制推測如下。惟本發明之技術範圍並非因下述機制而受限者。
若使樹脂薄膜與溶劑接觸，則此溶劑會滲入樹脂薄膜中。藉由滲入的溶劑之作用，於薄膜中之聚合物的分子會發生微布朗運動，薄膜中之聚合物的分子會定向。於此，樹脂薄膜的表面積以係為主表面的正面及背面為大。據此，溶劑的滲入速度以朝向通過前述正面或背面之厚度方向的滲入速度為大。如此一來，前述聚合物之分子的定向得以該聚合物之分子沿厚度方向定向的方式進行。
而且，若將分子已沿厚度方向定向之狀態的樹脂薄膜延伸，則該薄膜中之分子的沿延伸方向之定向會進行，定向的程度會變大。若分子之定向的程度如此變大，則薄膜的雙折射會變化，甚至延遲會變大。
工序1得藉由圖1所示之裝置100來進行。裝置100具備：配置於在薄膜運送方向上之上游側的上游側軋輥101A及101B、配置於在薄膜運送方向上之下游側的下游側軋輥104A及104B，以及使樹脂薄膜15與溶劑接觸的浴槽102。
工序1包含使樹脂薄膜接觸溶劑之工序1A與將樹脂薄膜延伸之工序1B。本實施型態係在進行工序1B之期間進行工序1A之態樣。亦即，在樹脂薄膜之路徑中之因延伸而於樹脂薄膜上負載張力的區域內，使樹脂薄膜接觸溶劑。然而，本發明之相位差薄膜的製造方法並不受限於此。本發明之製造方法包含工序1B之一部分與工序1A重疊的態樣，例如自使樹脂薄膜接觸溶劑之工序1A的中途開始將樹脂薄膜延伸之工序1B的態樣。並且，本發明之製造方法亦包含在進行過使樹脂薄膜與溶劑接觸之工序1A之後，在溶劑附著及／或浸潤於樹脂薄膜的狀態下，進行將樹脂薄膜延伸之工序1B的態樣。
［工序1A］
工序1A係使樹脂薄膜接觸溶劑之工序。
作為樹脂薄膜與溶劑的接觸方法，可列舉例如：對樹脂薄膜噴灑溶劑的噴灑法；於樹脂薄膜塗布溶劑的塗布法；將樹脂薄膜浸漬於溶劑的浸漬法；等。此等方法中，就即使在樹脂薄膜之厚度大的情況下亦容易使厚度方向之延遲顯現的觀點及可輕易進行連續之接觸的觀點而言，以浸漬法為佳。在圖1中，揭示了浸漬法。
［樹脂薄膜］
樹脂薄膜係成為製造相位差薄膜之材料的薄膜，得利用樹脂來構成。構成樹脂薄膜的樹脂包含聚合物。
構成樹脂薄膜的樹脂以固有雙折射值為正的樹脂為佳。所謂固有雙折射值為正的樹脂，除非另有註記，否則意謂延伸方向之折射率變得較與之垂直之方向之折射率還大的樹脂。固有雙折射之值可由介電常數分布計算。
並且，作為構成樹脂薄膜的樹脂，以包含具有結晶性之聚合物的樹脂為佳。所謂「具有結晶性之聚合物」，表示具有熔點Tm（亦即，可以微差掃描熱量計（DSC）觀測到熔點）之聚合物。在以下說明中，有時將具有結晶性之聚合物稱作「結晶性聚合物」。並且，有時將包含結晶性聚合物的樹脂稱作「結晶性樹脂」。此結晶性樹脂以熱塑性樹脂為佳。
在本發明中，以樹脂薄膜係由固有雙折射值為正的樹脂而成之薄膜為佳，以該樹脂係包含結晶性聚合物的樹脂為較佳。
［結晶性聚合物］
結晶性聚合物以含有脂環結構為佳。藉由使用含有脂環結構之結晶性聚合物，可優化所獲得之相位差薄膜的機械特性、耐熱性、透明性、低吸濕性、尺寸穩定性及輕量性。所謂含有脂環結構的聚合物，表示於分子內含有脂環結構的聚合物。此種含有脂環結構的聚合物，得為例如：得藉由使用環烯烴作為單體之聚合反應來獲得之聚合物或其氫化物。
作為脂環結構，可列舉例如環烷結構及環烯結構。此等之中，就可輕易獲得熱穩定性等特性優異的相位差薄膜而言，以環烷結構為佳。1個脂環結構所包含之碳原子的數量，以4個以上為佳，以5個以上為較佳，且以30個以下為佳，以20個以下為較佳，以15個以下為尤佳。藉由1個脂環結構所包含之碳原子的數量位於上述範圍內，可使機械性強度、耐熱性及成形性取得高度平衡。
在含有脂環結構之結晶性聚合物中，含有脂環結構之結構單元相對於所有結構單元的比例，以30重量%以上為佳，以50重量%以上為較佳，以70重量%以上為尤佳。藉由使含有脂環結構之結構單元的比例如前所述之多，可提高耐熱性。含有脂環結構之結構單元相對於所有結構單元的比例得做成100重量%以下。並且，在含有脂環結構之結晶性聚合物中，含有脂環結構之結構單元以外的剩餘部分並無格外之限定，得因應使用目的適當選擇。
作為含有脂環結構之結晶性聚合物，可列舉例如下述聚合物（α）～聚合物（δ）。此等之中，就可輕易獲得耐熱性優異之相位差薄膜而言，以聚合物（β）為佳。 聚合物（α）：環烯烴單體的開環聚合物且具有結晶性者。 聚合物（β）：聚合物（α）之氫化物且具有結晶性者。 聚合物（γ）：環烯烴單體的加成聚合物且具有結晶性者。 聚合物（δ）：聚合物（γ）之氫化物且具有結晶性者。
具體而言，作為含有脂環結構之結晶性聚合物，以雙環戊二烯的開環聚合物且具有結晶性者及雙環戊二烯的開環聚合物之氫化物且具有結晶性者為較佳。其中，以雙環戊二烯的開環聚合物之氫化物且具有結晶性者為尤佳。於此，所謂雙環戊二烯的開環聚合物，係謂源自雙環戊二烯之結構單元相對於所有結構單元的比例通常為50重量%以上――以70重量%以上為佳，以90重量%以上為較佳，以100重量%為更佳――的聚合物。
雙環戊二烯的開環聚合物之氫化物以外消旋二單元組的比例高為佳。具體而言，在雙環戊二烯的開環聚合物之氫化物中之重複單元之外消旋二單元組的比例，以51%以上為佳，以70%以上為較佳，以85%以上為尤佳。外消旋二單元組的比例高，表示對排立體規則性高。據此，外消旋二單元組的比例愈高，雙環戊二烯的開環聚合物之氫化物的熔點有愈高的傾向。
外消旋二單元組的比例可依據於後所述之實施例所記載的13 C-NMR光譜分析來決定。
作為上述聚合物（α）～聚合物（δ），得使用藉由國際專利公開第2018/062067號所揭露之製造方法獲得的聚合物。
結晶性聚合物的熔點Tm以200℃以上為佳，以230℃以上為較佳，且以290℃以下為佳。藉由使用具有此種熔點Tm的結晶性聚合物，可獲得成形性與耐熱性之平衡更優異的相位差薄膜。
通常，結晶性聚合物具有玻璃轉移溫度Tg。結晶性聚合物之具體的玻璃轉移溫度Tg並不特別受限，但通常為80℃以上，且通常為170℃以下。結晶性聚合物的玻璃轉移溫度以85℃以上為佳，以90℃以上為較佳，且以150℃以下為佳，以130℃以下為較佳。
聚合物的玻璃轉移溫度Tg及熔點Tm可藉由以下方法量測。首先，藉由加熱使聚合物熔解，將已熔解之聚合物以乾冰急速冷卻。隨後，使用此聚合物作為試樣，使用微差掃描熱量計（DSC），以10℃／分鐘的升溫速度（升溫模式）為之，得量測聚合物的玻璃轉移溫度Tg及熔點Tm。
結晶性聚合物的重量平均分子量（Mw）以1,000以上為佳，以2,000以上為較佳，且以1,000,000以下為佳，以500,000以下為較佳。具有此種重量平均分子量的結晶性聚合物，成形加工性與耐熱性的平衡優異。
結晶性聚合物的分子量分布（Mw／Mn）以1.0以上為佳，以1.5以上為較佳，且以4.0以下為佳，以3.5以下為較佳。於此，Mn表示數量平均分子量。具有此種分子量分布的結晶性聚合物，成形加工性優異。
聚合物的重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn）得藉由以四氫呋喃為溶析液的凝膠滲透層析法（GPC），以聚苯乙烯換算值的形式量測。
結晶性聚合物可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。
在結晶性樹脂中之結晶性聚合物的比例，以50重量%以上為佳，以70重量%以上為較佳，以90重量%以上為尤佳。在結晶性聚合物的比例為前述範圍之下限值以上的情況下，可提高相位差薄膜之雙折射的顯現性及耐熱性。結晶性聚合物的比例之上限得為100重量%以下。
結晶性樹脂除了結晶性聚合物之外，還得包含任意成分。作為任意成分，可列舉例如：酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑、硫系抗氧化劑等抗氧化劑；受阻胺系光穩定劑等光穩定劑；石油系蠟、費托蠟、聚伸烷蠟等蠟；山梨醇系化合物、有機磷酸之金屬鹽、有機羧酸之金屬鹽、高嶺土及滑石等成核劑；二胺基二苯乙烯衍生物、香豆素衍生物、唑系衍生物（例如苯并㗁唑衍生物、苯并三唑衍生物、苯并咪唑衍生物及苯并噻唑衍生物）、咔唑衍生物、吡啶衍生物、萘二甲酸衍生物及咪唑酮衍生物等螢光增白劑；二苯基酮系紫外線吸收劑、水楊酸系紫外線吸收劑、苯并三唑系紫外線吸收劑等紫外線吸收劑；滑石、矽石、碳酸鈣、玻璃纖維等無機填充材；著色劑；阻燃劑；阻燃助劑；抗靜電劑；塑化劑；近紅外線吸收劑；滑劑；填料；及軟質聚合物等結晶性聚合物以外的任意聚合物；等。任意成分可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。
在樹脂薄膜所包含之樹脂係結晶性樹脂的情形中，進行工序1前之樹脂薄膜所包含之結晶性聚合物的結晶化度以小為佳。具體的結晶化度以未達10%為佳，以未達5%為較佳，以未達3%為尤佳。若與溶劑接觸前之樹脂薄膜所包含之結晶性聚合物的結晶化度低，則可藉由與溶劑的接觸來使多數的結晶性聚合物之分子沿厚度方向定向，故變得能夠在寬廣之範圍調整延遲。
進行工序1前之樹脂薄膜之面內方向的延遲Re，以20 nm以下為佳，以10 nm以下為較佳，以0 nm為尤佳。樹脂薄膜之厚度方向的延遲Rth，以20 nm以下為佳，以10 nm以下為較佳，以0 nm為尤佳。藉由進行工序1前之樹脂薄膜的Re及Rth分別為上述範圍，變得容易在進行過工序1後之樹脂薄膜中調整延遲。
與溶劑接觸前之樹脂薄膜以溶劑之含量小為佳，以不含溶劑為較佳。樹脂薄膜所包含之溶劑相對於該樹脂薄膜之重量100%的比率（溶劑含率），以1%以下為佳，以0.5%以下為較佳，以0.1%以下為尤佳，理想上為0.0%。透過與溶劑接觸前之樹脂薄膜所包含之溶劑的量少，可藉由與溶劑的接觸來使多數的聚合物之分子沿厚度方向定向，故變得能夠在寬廣之範圍調整延遲。樹脂薄膜的溶劑含率得透過密度來量測。
樹脂薄膜的厚度以因應所欲製造之相位差薄膜的厚度來設定為佳。通常，藉由使之與溶劑接觸，薄膜的厚度會變大。另一方面，藉由進行延伸，薄膜的厚度會變小。因此，亦可考量在進行與溶劑之接觸及延伸之工序1中的厚度之變化來設定樹脂薄膜的厚度。
作為樹脂薄膜，以使用長條狀之樹脂薄膜為佳。藉此，由於變得能夠利用輥對輥法連續製造相位差薄膜，故可有效提高相位差薄膜的生產性。
製造樹脂薄膜的方法並無限制。就獲得不含溶劑之樹脂薄膜而言，以射出成形法、擠製成形法、加壓成形法、吹脹成形法、吹塑成形法、砑光成形法、壓鑄成形法、壓縮成形法等樹脂成形法為佳。此等之中，就輕易控制厚度而言，以擠製成形法為佳。
舉例而言，在藉由擠製成形法製造由包含結晶性聚合物的樹脂而成之樹脂薄膜的情形中，其製造條件以如同下述為佳。料管溫度（熔融樹脂溫度）以Tm以上為佳，以「Tm＋20℃」以上為較佳，且以「Tm＋100℃」以下為佳，以「Tm＋50℃」以下為較佳。並且，擠製成薄膜狀的熔融樹脂最初接觸的冷卻件並不特別受限，但通常使用鑄造輥。此鑄造輥溫度以「Tg－50℃」以上為佳，且以「Tg＋70℃」以下為佳，以「Tg＋40℃」以下為較佳。再者，冷卻輥溫度以「Tg－70℃」以上為佳，以「Tg－50℃」以上為較佳，且以「Tg＋60℃」以下為佳，以「Tg＋30℃」以下為較佳。在以此種條件製造樹脂薄膜的情況下，可輕易製造厚度1 μm～1 mm的原料薄膜。於此，「Tm」表示結晶性聚合物的熔點，「Tg」表示結晶性聚合物的玻璃轉移溫度。
在本實施型態中，將藉由一邊於長條狀之樹脂薄膜貼合保護薄膜一邊收捲成卷而做成薄膜卷者供於工序1。作為保護薄膜，得使用已知者（例如：Tredegar公司製之「FF1025」、「FF1035」；山櫻化研公司製之「SAT116T」、「SAT2038T-JSL」及「SAT4538T-JSL」；藤森工業公司製之「NBO-0424」、「TFB-K001」、「TFB-K0421」及「TFB-K202」；日立化成公司製之「DT-2200-25」及「K-6040」；寺岡製作所公司製之「6010#75」、「6010#100」、「6011#75」及「6093#75」）。
［溶劑］
在工序1A中，作為接觸樹脂薄膜的溶劑，得使用可滲入樹脂薄膜中而不會溶解該樹脂薄膜所包含之聚合物的溶劑。作為此種溶劑，可列舉例如：甲苯、薴、十氫萘等烴溶劑以及二硫化碳。在樹脂薄膜係由包含結晶性聚合物的樹脂而成之情況下，就可滲入樹脂薄膜中而不會溶解結晶性聚合物的觀點而言，作為溶劑，以烴系的溶劑為佳。溶劑可為1種，亦可為2種以上。
接觸樹脂薄膜的溶劑之溫度，在溶劑可維持液體狀態的範圍係為任意，據此，得設定在溶劑之熔點以上且沸點以下的範圍。於本申請案中，即使特別在使溶劑之溫度為室溫（例如以15℃以上且未達40℃為佳，以18℃以上且未達35℃為較佳，以23℃以上且未達30℃為更佳）的情形或在調節成近乎室溫之溫度範圍的情形中，亦可進行良好的延伸。在將溶劑加溫的情形中，得視需求調溫至高於室溫的溫度。惟即使在此情形中，若與在一般的延伸裝置中將延伸時所運送之薄膜周圍的溫度以烘箱加溫之情形相比，亦可以更為簡單的設備進行良好的延伸。
使樹脂薄膜與溶劑接觸的時間並無特別指定，但以1秒以上為佳，以3秒以上為較佳，以5秒以上為尤佳，且以180秒以下為佳，以120秒以下為較佳，以60秒以下為尤佳。藉由接觸時間為前述範圍之下限值以上，得使樹脂薄膜所包含之分子有效定向。另一方面，即使加長接觸時間，分子之定向的程度亦有不會大幅改變的傾向。據此，藉由接觸時間為前述範圍之上限值以下，可提高生產性而不會損及相位差薄膜的品質。
［工序1B］
工序1B係將樹脂薄膜延伸之工序。
在本實施型態之製造方法中，樹脂薄膜的延伸使用藉由多組輥的圓周速率差來進行縱向延伸之延伸機來進行。上游側的軋輥101A、101B及下游側的軋輥104A、104B利用未圖示之驅動手段來旋轉驅動，變得能夠沿運送方向A1運送樹脂薄膜15。在本實施型態中，設定為相較於上游側的軋輥101A、101B的圓周速率，下游側的軋輥104A、104B的圓周速率更為快速。因此，上游側軋輥101A、101B與下游側軋輥104A、104B之間有圓周速率差，透過此圓周速率差，樹脂薄膜15變得能夠沿運送方向（行進方向）連續性延伸。並且，藉由調整前述圓周速率差，變得能夠調整樹脂薄膜15的延伸倍率。
在本實施型態之製造方法中，由於使樹脂薄膜與溶劑接觸並延伸，故即使以低延伸倍率進行延伸，亦能夠輕易使延遲顯現。在工序1中之樹脂薄膜的延伸倍率，以1.05以上為佳，以1.1以上為較佳，且以5.00以下為佳，以3.00以下為較佳。藉由延伸倍率為前述範圍之下限值以上，得在樹脂薄膜中有效使延遲顯現。藉由延伸倍率為前述範圍之上限值以下，可提高生產性而不會損及透過本發明獲得之相位差薄膜的品質。
根據本實施型態之製造方法，由於即使在延伸時不加熱樹脂薄膜亦可使延遲顯現，故延伸時之樹脂薄膜的加熱並非必要，但亦可在延伸時進行樹脂薄膜的加熱。在此情況下，亦可對延伸前之樹脂薄膜進行預熱處理。在延伸時加熱樹脂薄膜的情況下，延伸溫度以Tg℃以上為佳，以Tg＋2℃以上為較佳，以Tg＋5℃以上為尤佳，且以Tg＋40℃以下為佳，以Tg＋35℃以下為較佳，以Tg＋30℃以下為尤佳。於此，所謂Tg，係謂樹脂薄膜15所包含之聚合物的玻璃轉移溫度。
進行過工序1後獲得之延伸薄膜10得就此使用作為相位差薄膜，亦可以進行進一步之工序（例如進一步之延伸工序等）而獲得之薄膜作為相位差薄膜。
［本實施型態的效果］
在本實施型態之相位差薄膜的製造方法中，藉由使樹脂薄膜接觸溶劑並延伸，即使不加熱樹脂薄膜，亦可使面內方向及厚度方向之至少一者顯現延遲。其結果，根據本實施型態，由於無需用以將樹脂薄膜加熱的烘箱等加熱裝置，故可將相位差薄膜的製造設備簡化。並且，根據本實施型態，由於同時進行樹脂薄膜與溶劑的接觸及樹脂薄膜的延伸，故可提高相位差薄膜的生產效率。
［任意工序］
本發明之相位差薄膜的製造方法亦可包含以下所說明之任意工序。
本發明之相位差薄膜的製造方法得包含自使樹脂薄膜與溶劑接觸後之樹脂薄膜去除溶劑之工序。作為自樹脂薄膜去除溶劑的方法，可列舉例如：乾燥、擦拭等。
在自與溶劑接觸後之樹脂薄膜透過乾燥去除溶劑的情況下，對於其方法並無限制，舉例而言，得使用烘箱等加熱裝置來進行。具體而言，得藉由將與溶劑接觸後之樹脂薄膜於加熱裝置內運送指定時間來去除溶劑。用以去除溶劑的加熱異於在一般的延伸裝置中於延伸時進行加熱之情形中的加熱，可在較低的溫度下進行，可不伴隨嚴密之溫度控制進行，且可以較短的時間完成。並且，藉由適當選擇溶劑的種類，亦能夠透過不特別進行加熱之操作而單純在室溫下運送來達成乾燥。
在透過乾燥進行溶劑的去除時，亦可在對薄膜賦予張力的狀態下進行。藉由在此種狀態下進行乾燥，可有效提高與溶劑接觸後之薄膜之光學特性的均勻性故為佳。對樹脂薄膜賦予之張力的大小、張力的方向得考量樹脂薄膜的材質等來設定。並且，在對樹脂薄膜賦予張力的情況下，舉例而言，亦可藉由適切之支承具來支承樹脂薄膜，並藉由此支承具來拉伸樹脂薄膜以賦予張力。支承具可為得連續支承樹脂薄膜之邊的全長者，亦可為得空出間隔而間斷支承者。舉例而言，亦可藉由以指定之間隔排列的支承具來間斷支承樹脂薄膜之邊。
本發明之相位差薄膜的製造方法得包含將進行過工序1後獲得之薄膜進一步延伸之工序。在該工序中的延伸方向、延伸裝置及延伸倍率等延伸條件並不特別受限，得考量係為目標物之相位差薄膜的用途等來設定。
並且，在製造長條狀之相位差薄膜的情況下，本發明之相位差薄膜的製造方法得包含將長條狀之相位差薄膜裁切成期望之形狀之工序。
［相位差薄膜］
其次，說明透過本發明之相位差薄膜的製造方法來獲得之相位差薄膜。
［相位差薄膜的延遲］
相位差薄膜的面內延遲Re之值得因應其用途來設定。相位差薄膜的面內延遲Re之值以10 nm以上為佳，以30 nm以上為較佳，且以1000 nm以下為佳，以800 nm以下為較佳。
相位差薄之具體的面內延遲Re之值，舉例而言，得以100 nm以上為佳，以110 nm以上為較佳，以120 nm以上為尤佳，並且，得以180 nm以下為佳，以170 nm以下為較佳，以160 nm以下為尤佳。在此情況下，相位差薄膜可發揮作為1／4波長板的功能。
再者，相位差薄膜之具體的面內延遲Re之值，舉例而言，得以230 nm以上為佳，以250 nm以上為較佳，以255 nm以上為尤佳，並且，得以320 nm以下為佳，以300 nm以下為較佳，以295 nm以下為尤佳。在此情況下，相位差薄膜可發揮作為1／2波長板的功能。
相位差薄膜之厚度方向的延遲Rth之值得因應相位差薄膜的用途來設定。相位差薄膜之具體之厚度方向的延遲Rth以－500 nm以上為佳，以－400 nm以上為較佳，且以300 nm以下為佳，以150 nm以下為較佳。
［相位差薄膜的NZ係數］
相位差薄膜的NZ係數以－10以上為佳，以－8以上為較佳，且以10以下為佳，以8以下為較佳。NZ係數之範圍為上述範圍內的相位差薄膜在設置於顯示裝置的情況下，能夠改善此顯示裝置的視角、對比、畫質等顯示品質。相位差薄膜的NZ係數得因應相位差薄膜的用途任意設定。
相位差薄膜的NZ係數得由此薄膜的面內延遲Re及厚度方向的延遲Rth透過計算求得。薄膜的面內延遲Re及厚度方向的延遲Rth得使用相位差計（例如AXOMETRICS公司製「AxoScan OPMF-1」）來量測。
［相位差薄膜的雙折射］
相位差薄膜通常在面內方向及厚度方向中之至少一者的方向上具有大的雙折射。具體而言，相位差薄膜通常具有1.0×10− 3 以上之面內方向的雙折射Re／d及1.0×10− 3 以上之厚度方向之雙折射的絕對值｜Rth／d｜之至少一者。
詳細而言，相位差薄膜之面內方向的雙折射Re／d通常為1.0×10− 3 以上，以3.0×10− 3 以上為佳，以5.0×10− 3 以上為尤佳。上限並無限制，得為例如2.0×10− 2 以下、1.5×10− 2 以下或1.0×10− 2 以下。惟在相位差薄膜之厚度方向之雙折射的絕對值｜Rth／d｜為1.0×10− 3 以上的情況下，相位差薄膜之面內方向的雙折射Re／d亦可位於前述範圍之外。
並且，相位差薄膜之厚度方向之雙折射的絕對值｜Rth／d｜通常為1.0×10− 3 以上，以3.0×10− 3 以上為佳，以5.0×10− 3 以上為尤佳。上限並無限制，得為例如2.0×10− 2 以下、1.5×10− 2 以下或1.0×10− 2 以下。惟在相位差薄膜之面內方向的雙折射Re／d為1.0×10− 3 以上的情況下，相位差薄膜之厚度方向之雙折射的絕對值｜Rth／d｜亦可位於前述範圍之外。
［相位差薄膜的其他特性］
相位差薄膜的霧度通常未達1.0%，以未達0.8%為佳，以未達0.5%為較佳，理想上為0.0%。此種霧度小的相位差薄膜在設置於顯示裝置的情況下，可提高此顯示裝置所顯示之影像的清晰度。薄膜的霧度得使用霧度計（例如日本電色工業公司製「NDH5000」）量測。
相位差薄膜係光學薄膜，故以具有高透明性為佳。相位差薄膜之具體的全光線穿透率以80%以上為佳，以85%以上為較佳，以88%以上為尤佳。相位差薄膜的全光線穿透率得使用紫外線―可見光分光計，在波長400 nm～700 nm之範圍量測。
相位差薄膜的厚度d可因應相位差薄膜的用途適度設定。相位差薄膜之具體的厚度d以5 μm以上為佳，以10 μm以上為較佳，以15 μm以上為尤佳，且以200 μm以下為佳，以100 μm以下為較佳，以50 μm以下為尤佳。在相位差薄膜的厚度d為前述範圍之下限值以上的情況下，可優化處理性或提高強度。並且，在相位差薄膜的厚度d為上限值以下的情況下，長條狀之相位差薄膜的收捲實屬容易。
在使用包含結晶性聚合物之樹脂薄膜製造相位差薄膜中，結晶性聚合物的結晶化度並無特別的限制，但通常為某程度以上之高。具體的結晶化度之範圍以10%以上為佳，以15%以上為較佳，以30%以上為尤佳。
結晶性聚合物的結晶化度得藉由X射線繞射法量測。
［相位差薄膜所包含之溶劑］
本發明之相位差薄膜的製造方法由於包含使樹脂薄膜接觸溶劑並延伸之工序，故透過該製造方法製造的相位差薄膜可能包含溶劑。
與溶劑接觸時，引入樹脂薄膜中的溶劑之全部或一部分，可能進入構成薄膜的樹脂所包含之聚合物的內部。因此，即使在溶劑之沸點以上進行乾燥，要輕易將溶劑完全去除仍屬困難。據此，以包含與溶劑接觸之工序的製造方法製造的相位差薄膜可能包含溶劑。
相位差薄膜所包含之溶劑相對於該相位差薄膜之重量100%的比率（溶劑含率），以10重量%以下為佳，以5重量%以下為較佳，以0.1重量%以下為尤佳，得超過0重量%。
［相位差薄膜的用途］
以本發明之製造方法製造的相位差薄膜，藉由使樹脂薄膜接觸溶劑並延伸，在面內方向及厚度方向中之至少一者上有延遲顯現。因此，透過本發明之製造方法獲得之相位差薄膜得依其延遲值而使用作為1／2波長板或1／4波長板等。將透過本發明之製造方法製造的相位差薄膜使用作為1／2波長板及1／4波長板中之任一者或兩者的圓偏光板得使用於顯示裝置。
『實施例』
以下揭示實施例以具體說明本發明。惟本發明並非受限於以下所揭示之實施例者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍的範圍中，得任意變更而實施。
在以下說明中，表示量的「%」及「份」，除非另有註記，否則係重量基準。並且，以下所說明之操作，除非另有註記，否則在常溫及常壓之條件下進行。再者，在以下說明中，延遲及雙折射的量測波長，除非另有註記，否則為590 nm。
［評價方法］
（聚合物之重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn的量測方法）
聚合物的重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn，使用凝膠滲透層析（GPC）系統（東曹公司製「HLC-8320」），以聚苯乙烯換算值之形式量測。量測時，使用H型管柱（東曹公司製）作為管柱，使用四氫呋喃作為溶劑。並且，量測時的溫度為40℃。
（聚合物之氫化率的量測方法）
聚合物的氫化率，以鄰二氯苯-d4 為溶劑，在145℃下藉由1 H-NMR量測來量測。
（玻璃轉移溫度Tg及熔點Tm的量測方法）
聚合物之玻璃轉移溫度Tg及熔點Tm的量測如下進行。首先，藉由加熱使聚合物熔解，將已熔解之聚合物以乾冰急速冷卻。接下來，使用此聚合物作為試樣，使用微差掃描熱量計（DSC），以10℃／分鐘的升溫速度（升溫模式）量測聚合物之玻璃轉移溫度Tg及熔點Tm。
（聚合物之外消旋二單元組之比例的量測方法）
聚合物之外消旋二單元組之比例的量測如下進行。以鄰二氯苯-d4 為溶劑，在200℃下應用反閘控去耦（inverse-gated decoupling）法，進行聚合物的13 C-NMR量測。在此13 C-NMR量測的結果中，以鄰二氯苯-d4 之127.5 ppm的尖峰為基準位移，鑑定源自內消旋二單元組之43.35 ppm的訊號與源自外消旋二單元組之43.43 ppm的訊號。依據此等訊號的強度比，求出聚合物之外消旋二單元組的比例。
（薄膜之厚度的量測方法）
薄膜的厚度，使用接觸式厚度計（MITUTOYO公司製Code No. 543-390）來量測。
（延遲及NZ係數的量測方法）
薄膜的面內延遲Re、厚度方向的延遲Rth及NZ係數，藉由AXOMETRICS公司製之AxoScan OPMF-1量測。此時，量測係在波長590 nm進行。並且，自所獲得之面內延遲Re及厚度方向的延遲Rth算出NZ係數。
［製造例1.包含雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物之結晶性樹脂的製造］
將金屬製之耐壓反應器充分乾燥之後，進行氮氣置換。於此金屬製耐壓反應器加入環己烷154.5份、雙環戊二烯（內型異構物含率99%以上）之濃度70%環己烷溶液42.8份（以雙環戊二烯的量而言為30份）及1-己烯1.9份，加溫至53℃。
將四氯化苯基醯亞胺(四氫呋喃)鎢錯合物0.014份溶解於0.70份之甲苯，製備溶液。於此溶液加入濃度19%之乙氧化二乙基鋁／正己烷溶液0.061份並攪拌10分鐘，製備觸媒溶液。將此觸媒溶液加入耐壓反應器，起始開環聚合反應。之後，保持53℃使之反應4小時，獲得雙環戊二烯之開環聚合物的溶液。所獲得之雙環戊二烯之開環聚合物的數量平均分子量（Mn）及重量平均分子量（Mw）分別為8,750及28,100，自此等求出之分子量分布（Mw／Mn）為3.21。
於所獲得之雙環戊二烯之開環聚合物的溶液200份加入1,2-乙二醇0.037份作為終止劑，加溫至60℃並攪拌1小時，使聚合反應終止。於此，加入類水滑石化合物（協和化學工業公司製「KYOWAAD（註冊商標）2000」）1份，加溫至60℃並攪拌1小時。之後，加入助濾劑（昭和化學工業公司製「RADIOLITE（註冊商標）#1500」）0.4份，使用PP摺筒式濾器（ADVANTEC東洋公司製「TCP-HX」）過濾分開吸附劑與溶液。
於過濾後之雙環戊二烯之開環聚合物的溶液200份（聚合物量30份）加入環己烷100份，添加氯氫化羰基參(三苯基膦)釕0.0043份，並在氫壓6 MPa、180℃下進行氫化反應4小時。藉此，獲得包含雙環戊二烯之開環聚合物之氫化物的反應液。此反應液析出氫化物而成為漿料溶液。
使用離心分離器分離前述反應液所包含之氫化物與溶液，在60℃下減壓乾燥24小時，獲得具有結晶性之雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物28.5份。此氫化物的氫化率為99%以上，玻璃轉移溫度Tg為93℃，熔點（Tm）為262℃，外消旋二單元組的比例為89%。
於所獲得之雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物100份混合抗氧化劑（肆{3-[3′,5′-二(三級丁基)-4′-羥基苯基]丙酸亞甲基}甲烷；BASF Japan公司製「IRGANOX（註冊商標）1010」）1.1份後，將之放入具備4個內徑3 mmØ之模孔的雙軸擠製機（產品名「TEM-37B」，東芝機械公司製）。將雙環戊二烯之開環聚合物之氫化物及抗氧化劑的混合物藉由熱熔融擠製成形來成形為股狀後，以股線切割機細切之，獲得顆粒形狀的結晶性樹脂。此結晶性樹脂係固有雙折射值為正的樹脂。
以下記載雙軸擠製機的運轉條件。 ・料桶設定溫度＝270～280℃ ・模具設定溫度＝250℃ ・螺桿轉數＝145 rpm
［實施例1］
（1-1）樹脂薄膜的製造
使用具備T字模的熱熔融擠製薄膜成形機，將在製造例1中製造的顆粒形狀之結晶性樹脂成形，藉由將約600 mm幅寬之樹脂薄膜以指定之速度收捲成卷的方法，獲得樹脂薄膜的卷。在本例中，以調整生產線速度使樹脂薄膜之厚度呈50 μm的方式進行成形。並且，在收捲成卷時，一邊以保護薄膜（Tredegar公司製「FF1025」）保護一邊收捲。針對樹脂薄膜量測Re、Rth及NZ係數，結果Re為1.7 nm，Rth為1.9 nm，NZ係數為1.6。
以下記載薄膜成形機的運轉條件。 ・料桶溫度設定＝280℃～300℃ ・模具溫度＝270℃ ・鑄造輥溫度＝80℃
（1-2）工序1
使用圖1所示之裝置，藉由以下方法，進行工序1。自在（1-1）中獲得之樹脂薄膜的卷111拉出薄膜11，連續剝離保護薄膜12並運送樹脂薄膜15。使此樹脂薄膜15與溶劑接觸並進行延伸（工序1）。具體而言，藉由使樹脂薄膜15通過已填滿作為溶劑之甲苯的浴槽102，將樹脂薄膜15浸漬於甲苯。樹脂薄膜在溶劑中運送的時間（溶劑接觸時間）為5秒。此時室溫為25℃，因此浴槽102中之甲苯的溫度亦為25℃。樹脂薄膜15的延伸係藉由設置上游側之軋輥101A、101B的圓周速率Ps1與下游側之軋輥104A、104B的圓周速率Ps2之差來進行。具體而言，藉由將2組軋輥的圓周速率比（Ps2／Ps1）設為1.1，將薄膜沿運送方向以延伸倍率1.1倍延伸。將進行過工序1後獲得之延伸薄膜10一邊以新的保護薄膜（Tredegar Corporation製「FF1025」）保護一邊收捲，獲得延伸薄膜的卷110。針對延伸薄膜量測Re、Rth、NZ係數及厚度，結果Re為56 nm，Rth為－324 nm，NZ係數為－5.29，厚度為57 μm。
［實施例2］
除了在實施例1之（1-2）中，藉由將2組軋輥的圓周速率比（Ps2／Ps1）設為1.2來將薄膜沿運送方向以延伸倍率1.2倍延伸以外，進行與實施例1之（1-2）相同的操作，獲得延伸薄膜的卷。針對延伸薄膜量測Re、Rth、NZ係數及厚度，結果Re為265 nm，Rth為－295 nm，NZ係數為－0.61，厚度為56 μm。
［實施例3］
除了在實施例1之（1-2）中，藉由將2組軋輥的圓周速率比（Ps2／Ps1）設為1.5來將薄膜沿運送方向以延伸倍率1.5倍延伸以外，進行與實施例1之（1-2）相同的操作，獲得延伸薄膜的卷。針對延伸薄膜量測Re、Rth、NZ係數及厚度，結果Re為650 nm，Rth為65 nm，NZ係數為0.6，厚度為47 μm。
［實施例4］
（4-1）樹脂薄膜的製造
除了在實施例1之（1-1）中，以調整生產線速度使樹脂薄膜的厚度呈21 μm的方式進行成形以外，進行於實施例1之（1-1）相同的操作，獲得樹脂薄膜的卷。
（4-2）工序1
除了在實施例1之（1-2）中，使用在（4-1）中獲得之樹脂薄膜的卷代替在（1-1）中獲得之樹脂薄膜的卷，以及藉由將2組軋輥的圓周速率比（Ps2／Ps1）設為1.5來將薄膜沿運送方向以延伸倍率1.5倍延伸以外，進行與實施例1之（1-2）相同的操作，獲得延伸薄膜的卷。針對延伸薄膜量測Re、Rth、NZ係數及厚度，結果Re為275 nm，Rth為30 nm，NZ係數為0.61，厚度為20 μm。
［實施例5］
除了在實施例1之（1-2）中，以下述塗布法代替使樹脂薄膜通過填滿溶劑之浴槽的方法來進行樹脂薄膜與溶劑的接觸以外，進行與實施例1相同的操作，獲得延伸薄膜的卷。針對延伸薄膜量測Re、Rth、NZ係數及厚度，結果Re為62 nm，Rth為－62 nm，NZ係數為－0.5，厚度為51 μm。
（塗布法）
使用塗布裝置（反向凹版式）代替浴槽102，利用該塗布裝置，於樹脂薄膜之一面塗布甲苯。溶劑的塗布量定為30 g／m2 （剛塗布完的塗布量）。
［比較例1］
自在實施例1之（1-1）中獲得之薄膜的卷拉出薄膜，自該薄膜剝離保護薄膜並運送樹脂薄膜。藉由使該樹脂薄膜以在已加溫至110℃之烘箱內部加溫約1分鐘之方式通過該烘箱內部，在延伸溫度110℃下施加自由縱向單軸延伸。此自由縱向單軸延伸使用圖2所示之輥延伸機藉由下述方法進行。
茲說明圖2所示之輥延伸機1。輥延伸機1，如圖2所示，係用以將自薄膜卷2順出之薄膜3沿其長邊方向延伸的裝置。輥延伸機1自運送方向之上游依序具備上游側輥6A及下游側輥6B作為得將薄膜3沿長邊方向運送的軋輥。於此，下游側輥6B的圓周速率PsB設定為較上游側輥6A的圓周速率PsA還快。
使用前述輥延伸機1之樹脂薄膜（對應在圖2中的薄膜3）的延伸如下進行。
自薄膜卷2將薄膜3順出，將此薄膜3連續供應至輥延伸機1。輥延伸機1將薄膜3依上游側輥6A及下游側輥6B之順序運送。此時，藉由將下游側輥6B的圓周速率PsB相對於上游側輥6A的圓周速率PsA之比（PsB／PsA）設為1.5來將薄膜3以延伸倍率1.5倍沿薄膜運送方向（即縱向）延伸。將延伸後之薄膜之幅寬方向的兩端藉由未圖示之修齊裝置來修齊，獲得長條狀之延伸薄膜4。將此延伸薄膜一邊以新的保護薄膜（Tredegar Corporation製「FF1025」）保護一邊收捲，獲得延伸薄膜的卷5。針對所獲得之延伸薄膜量測Re、Rth、NZ係數及厚度，結果Re為75 nm，Rth為38 nm，NZ係數為1.01，厚度為40 μm。
構成在實施例及比較例中使用之樹脂薄膜的樹脂及樹脂薄膜的厚度、與溶劑之接觸的條件（溶劑的種類、接觸方法、接觸時間）、延伸倍率及延伸薄膜的物性值（Re、Rth、NZ係數、厚度）揭示於表1。針對比較例，樹脂薄膜之延伸時的加熱條件（烘箱溫度）揭示於表1。在表1中，所謂「結晶性COP」，意謂結晶性之含脂環結構聚合物。在表1中，所謂「浸漬」，意謂藉由將樹脂薄膜浸漬於溶劑的方法進行樹脂薄膜與溶劑的接觸，所謂「塗布」，意謂藉由於樹脂薄膜塗布溶劑的方法進行樹脂薄膜與溶劑的接觸。在表1中，所謂「延伸薄膜」，意謂延伸後之樹脂薄膜。
『表1』 表1
實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 比較例1  
樹脂薄膜
樹脂 結晶性 COP 結晶性 COP 結晶性 COP 結晶性 COP 結晶性 COP 結晶性 COP  
厚度(μm) 50 50 50 21 50 50  
與溶劑的接觸
溶劑 甲苯 甲苯 甲苯 甲苯 甲苯 −  
接觸方法 浸漬 浸漬 浸漬 浸漬 塗布 −  
接觸時間 (秒) 5 5 5 5 − −  
延伸條件
延伸倍率 1.1 1.2 1.5 1.5 1.1 1.5  
烘箱溫度 (℃) − − − − − 110  
延伸薄膜
厚度(μm) 57 56 47 20 51 40  
Re(nm) 56 265 650 275 62 75  
Rth(nm) −324 −295 65 30 −62 38  
NZ係數 −5.29 −0.61 0.6 0.61 −0.5 1.01  
由表1所示之結果明顯可知，根據實施例之方法，儘管在延伸時未進行樹脂薄膜的加熱，仍可獲得具有延遲的薄膜。簡言之，根據本發明之製造方法，即使不進行樹脂薄膜的加熱亦可顯現延遲，故無需樹脂薄膜的加熱裝置，可將製造設備簡化。
［其他實施型態］
（1）在上述實施型態及實施例中，揭示了將樹脂薄膜藉由運送方向之上游側與下游側之軋輥的圓周速率差來沿薄膜運送方向自由縱向單軸延伸之例，但樹脂薄膜的延伸方法（裝置、延伸方向等）並不受限於此。樹脂薄膜的延伸方向亦可為斜向，亦可為薄膜幅寬方向。並且，延伸方向亦可為二個方向以上，在此情形中，二個方向以上之延伸可同時進行，亦可逐次進行。
1:輥延伸機 2:樹脂薄膜的卷 3:樹脂薄膜 4:延伸薄膜 5:延伸薄膜的卷 6A:上游側輥 6B:下游側輥 10:延伸薄膜 11:薄膜（於樹脂薄膜貼合有保護薄膜的薄膜） 12、13:保護薄膜 15:樹脂薄膜 100:裝置 101A、101B:上游側的軋輥 102:浴槽 104A、104B:下游側的軋輥 110:延伸薄膜的卷 111:樹脂薄膜的卷 112、113:保護薄膜的卷
〈圖1〉圖1係繪示得在實施型態1之相位差薄膜的製造方法之工序1中使用之裝置的側視示意圖。
〈圖2〉圖2係繪示得在比較例1之相位差薄膜的製造方法中使用之輥延伸機的平面示意圖。
10:延伸薄膜
11:薄膜(於樹脂薄膜貼合有保護薄膜的薄膜)
12、13:保護薄膜
15:樹脂薄膜
100:裝置
101A、101B:上游側的軋輥
102:浴槽
104A、104B:下游側的軋輥
110:延伸薄膜的卷
111:樹脂薄膜的卷
112、113:保護薄膜的卷

Claims (7)

  1. 一種相位差薄膜的製造方法，其係製造相位差薄膜的方法，包含使樹脂薄膜接觸溶劑並延伸之工序。
  2. 如請求項1所述之相位差薄膜的製造方法，其中藉由將前述樹脂薄膜浸漬於前述溶劑來進行前述樹脂薄膜與前述溶劑的接觸。
  3. 如請求項1或2所述之相位差薄膜的製造方法，其中前述樹脂薄膜係由固有雙折射值為正的樹脂而成。
  4. 如請求項1或2所述之相位差薄膜的製造方法，其中前述樹脂薄膜係由包含具有結晶性之聚合物的樹脂而成。
  5. 如請求項4所述之相位差薄膜的製造方法，其中前述具有結晶性之聚合物係雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物。
  6. 如請求項1或2所述之相位差薄膜的製造方法，其中前述溶劑係烴系的溶劑。
  7. 如請求項1或2所述之相位差薄膜的製造方法，其中不加熱前述樹脂薄膜即進行前述工序。
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