TW202110934A - 相位差薄膜及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種相位差薄膜，其係由包含具有結晶性之聚合物的樹脂所形成，其NZ係數未達1.0，且霧度未達1.0%。

Description

相位差薄膜及其製造方法
本發明係關於相位差薄膜及其製造方法。
從以前就提案有使用樹脂的薄膜之製造技術（專利文獻1～3）。
『專利文獻』 《專利文獻1》：日本專利公開第H02-64141號公報 《專利文獻2》：日本專利公開第2016-26909號公報 《專利文獻3》：國際專利公開第2017/065222號
使用樹脂製造之薄膜之一，有相位差薄膜。相位差薄膜由於在面內方向及厚度方向之中至少一者具有延遲，故一般要求在面內方向及厚度方向之中至少一方向具有大的雙折射。
面內方向之雙折射與厚度方向之雙折射的平衡，可透過NZ係數來表示。舉例而言，若可獲得NZ係數未達1.0的相位差薄膜，則變得能透過此相位差薄膜來改善顯示裝置之視角、對比、畫質等顯示品質。
NZ係數未達1.0的相位差薄膜之製造方法，以往已為人所知。然而，在以往的製造方法中，無法輕易製造NZ係數未達1.0的相位差薄膜。舉例而言，在以往的製造方法中，需要組合薄膜的延伸及收縮來實施，或者需要使用具備已精密調整厚度之多個層體的薄膜。是故，控制項目變多、工序數量多，故製造方法有變複雜的傾向。
並且，相位差薄膜由於係光學薄膜的一種，故通常要求霧度要小。然而，在NZ係數未達1.0的相位差薄膜之中，尤其係霧度小者，透過以往的技術來製造一事本身實屬困難。是故，不論製造方法簡單與否，皆要求實現NZ係數未達1.0且霧度小的相位差薄膜之技術。
本發明係鑑於前述問題而首創者，其目的在於提供NZ係數未達1.0且霧度小的相位差薄膜，以及可輕易製造NZ係數未達1.0的相位差薄膜之製造方法。
本發明人為能解決前述問題而潛心研究。其結果，本發明人發現根據包含「準備由包含具有結晶性之聚合物的樹脂所形成之光學各向同性之樹脂薄膜的第一工序」與「使此樹脂薄膜接觸有機溶媒以使厚度方向之雙折射變化的第二工序」的方法，可輕易製造NZ係數未達1.0的相位差薄膜。再者，本發明人發現根據此製造方法，可實現NZ係數未達1.0且霧度小的相位差薄膜。依據此等見解，本發明人進而完成本發明。
亦即，本發明包含下述內容。
［1］一種相位差薄膜，其係由包含具有結晶性之聚合物的樹脂所形成，其 NZ係數未達1.0且 霧度未達1.0%。
［2］如［1］所記載之相位差薄膜，其中前述相位差薄膜的NZ係數大於0.0且未達1.0。
［3］如［1］或［2］所記載之相位差薄膜，其中前述相位差薄膜包含有機溶媒。
［4］如［3］所述之相位差薄膜，其中前述有機溶媒係烴溶媒。
［5］如［1］～［4］之任一項所記載之相位差薄膜，其中前述具有結晶性之聚合物含有脂環結構。
［6］如［1］～［5］之任一項所記載之相位差薄膜，其中前述具有結晶性之聚合物係雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物。
［7］一種相位差薄膜的製造方法，其包含： 準備由包含具有結晶性之聚合物的樹脂所形成之光學各向同性之樹脂薄膜的第一工序，以及 使前述樹脂薄膜接觸有機溶媒以使厚度方向之雙折射變化的第二工序。
［8］如［7］所記載之相位差薄膜的製造方法，其包含：於前述第二工序之後將前述樹脂薄膜延伸之第三工序。
［9］如［7］或［8］所記載之相位差薄膜的製造方法，其中前述有機溶媒係烴溶媒。
［10］如［7］～［9］之任一項所記載之相位差薄膜的製造方法，其中前述具有結晶性之聚合物含有脂環結構。
［11］如［7］～［10］之任一項所記載之相位差薄膜的製造方法，其中前述具有結晶性之聚合物係雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物。
根據本發明，可提供NZ係數未達1.0且霧度小的相位差薄膜，以及可輕易製造NZ係數未達1.0的相位差薄膜之製造方法。
以下揭示實施型態及示例物以詳細說明本發明。惟本發明並非受限於以下所揭示之實施型態及示例物者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等之範圍的範圍中，得任意變更而實施。
在以下說明中，薄膜的面內延遲Re，除非另有註記，否則係由Re＝（nx－ny）×d所示之值。並且，薄膜之面內方向的雙折射，除非另有註記，否則係由（nx－ny）所示之值，據此由Re／d表示。再者，薄膜之厚度方向的延遲Rth，除非另有註記，否則係由Rth＝｛［（nx＋ny）／2］－nz｝×d所示之值。並且，薄膜之厚度方向的雙折射，除非另有註記，否則係由｛［（nx＋ny）／2］－nz｝所示之值，據此由Rth／d表示。再者，薄膜的NZ係數，除非另有註記，否則係由（nx－nz）／（nx－ny）所示之值。於此，nx表示係為與薄膜之厚度方向垂直之方向（面內方向）且賦予最大折射率之方向的折射率。ny表示係為薄膜之前述面內方向且與nx之方向正交之方向的折射率。nz表示薄膜之厚度方向的折射率。d表示薄膜的厚度。量測波長，除非另有註記，否則為590 nm。
在以下說明中，所謂固有雙折射為正的材料，除非另有註記，否則意謂延伸方向的折射率變得較與其垂直之方向的折射率還大的材料。並且，所謂固有雙折射為負的材料，除非另有註記，否則意謂延伸方向的折射率變得較與其垂直之方向的折射率還小的材料。固有雙折射之值可由介電常數分布計算。
在以下說明中，所謂「長條狀」之薄膜，係謂具有相對於幅寬為5倍以上之長度的薄膜，以具有10倍或其以上之長度為佳，具體上係謂具有可收捲成卷狀儲存或搬運之程度之長度的薄膜。長度的上限並無特別之限制，但通常相對於幅寬為10萬倍以下。
在以下說明中，所謂構件的方向為「平行」、「垂直」及「正交」，除非另有註記，否則在不損及本發明之效果的範圍內，亦可包含例如±5°之範圍內的誤差。
在以下說明中，長條狀之薄膜的長邊方向通常與製造生產線中之薄膜運送方向平行。並且，MD方向（machine direction）係製造生產線中之薄膜的運送方向，通常與長條狀之薄膜的長邊方向平行。再者，TD方向（transverse direction）係平行於薄膜面的方向且垂直於前述MD方向的方向，通常與長條狀之薄膜的幅寬方向平行。
［1.第一實施型態相關之相位差薄膜的概要］
本發明之第一實施型態相關之相位差薄膜係由包含具有結晶性之聚合物的樹脂所形成，其NZ係數未達1.0且霧度小。此種相位差薄膜在以往之技術中無法實現，係藉由本發明始可實現者。此相位差薄膜藉由設置於例如顯示裝置，可提高此顯示裝置所顯示之影像的清晰度，同時改善視角、對比、畫質等顯示品質。
以往雖要求用以解決「提高顯示裝置所顯示之影像的清晰度，同時改善顯示品質」這樣的問題之技術手段，但要將此技術手段具體化實屬困難。在某方面上，第一實施型態相關之相位差薄膜可謂首次達成前述技術手段之具體化者。
［2.相位差薄膜所包含之結晶性樹脂］
第一實施型態相關之相位差薄膜係由包含具有結晶性之聚合物的樹脂所形成。所謂「具有結晶性之聚合物」，表示具有熔點Tm之聚合物。亦即，所謂「具有結晶性之聚合物」，表示可以微差掃描熱量計（DSC）觀測到熔點之聚合物。在以下說明中，有時將具有結晶性之聚合物稱作「結晶性聚合物」。並且，有時將包含結晶性聚合物的樹脂稱作「結晶性樹脂」。此結晶性樹脂以熱塑性樹脂為佳。
結晶性聚合物以具有正的固有雙折射為佳。藉由使用具有正的固有雙折射的結晶性聚合物，可輕易製造NZ係數未達1.0的相位差薄膜。
結晶性聚合物以含有脂環結構為佳。藉由使用含有脂環結構的結晶性聚合物，可優化相位差薄膜的機械特性、耐熱性、透明性、低吸濕性、尺寸穩定性及輕量性。所謂含有脂環結構之聚合物，表示於分子內具有脂環結構的聚合物。此種含有脂環結構的聚合物得為例如：得藉由使用環烯烴作為單體之聚合反應來獲得之聚合物或其氫化物。
作為脂環結構，可列舉例如環烷結構及環烯結構。此等之中，就可輕易獲得熱穩定性等特性優異的相位差薄膜而言，以環烷結構為佳。1個脂環結構所包含之碳原子的數量以4個以上為佳，以5個以上為較佳，且以30個以下為佳，以20個以下為較佳，以15個以下為尤佳。藉由1個脂環結構所包含之碳原子的數量位於上述範圍內，可使機械性強度、耐熱性及成形性取得高度平衡。
在含有脂環結構的結晶性聚合物中，具有脂環結構之結構單元相對於全部結構單元的比例，以30重量%以上為佳，以50重量%以上為較佳，以70重量%以上為尤佳。透過使具有脂環結構之結構單元的比例如前所述之多，可提高耐熱性。具有脂環結構之結構單元相對於全部結構單元的比例得定為100重量%以下。並且，在含有脂環結構的結晶性聚合物中，具有脂環結構之結構單元以外的剩餘部分並無格外之限定，得因應使用目的適當選擇。
作為含有脂環結構的結晶性聚合物，可列舉例如下述聚合物（α）～聚合物（δ）。此等之中，就可輕易獲得耐熱性優異的相位差薄膜而言，以聚合物（β）為佳。 聚合物（α）：環烯烴單體的開環聚合物且具有結晶性者。聚合物（β）：聚合物（α）的氫化物且具有結晶性者。聚合物（γ）：環烯烴單體的加成聚合物且具有結晶性者。聚合物（δ）：聚合物（γ）的氫化物且具有結晶性者。
具體而言，作為含有脂環結構的結晶性聚合物，以雙環戊二烯的開環聚合物且具有結晶性者及雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物且具有結晶性者為較佳。其中，以雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物且具有結晶性者為尤佳。於此，所謂雙環戊二烯的開環聚合物，係謂源自雙環戊二烯之結構單元相對於全部結構單元的比例通常為50重量%以上――以70重量%以上為佳，以90重量%以上為較佳，以100重量%為更佳――的聚合物。
雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物以外消旋二單元組的比例高為佳。具體而言，在雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物中之重複單元之外消旋二單元組的比例，以51%以上為佳，以70%以上為較佳，以85%以上為尤佳。外消旋二單元組的比例高，表示對排立體規則性高。據此，外消旋二單元組的比例愈高，雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物之熔點有愈高的傾向。
外消旋二單元組的比例可依據於後所述之實施例所記載的13 C-NMR光譜分析來決定。
作為上述聚合物（α）～聚合物（δ），得使用藉由國際專利公開第2018/062067號所揭露之製造方法獲得的聚合物。
結晶性聚合物的熔點Tm以200℃以上為佳，以230℃以上為較佳，且以290℃以下為佳。藉由使用具有此種熔點Tm之結晶性聚合物，可獲得成形性與耐熱性之平衡更優異的相位差薄膜。
通常，結晶性聚合物具有玻璃轉移溫度Tg。結晶性聚合物的具體之玻璃轉移溫度Tg並不特別受限，但通常為85℃以上，且通常為170℃以下。
聚合物的玻璃轉移溫度Tg及熔點Tm可藉由以下方法來量測。首先，藉由加熱使聚合物熔解，將已熔解的聚合物以乾冰急速冷卻。接下來，使用此聚合物作為試樣，使用微差掃描熱量計（DSC），以10℃／分鐘的升溫溫度（升溫模式）得量測聚合物的玻璃轉移溫度Tg及熔點Tm。
結晶性聚合物的重量平均分子量（Mw）以1,000以上為佳，以2,000以上為較佳，且以1,000,000以下為佳，以500,000以下為較佳。具有此種重量平均分子量的結晶性聚合物，成形加工性與耐熱性的平衡優異。
結晶性聚合物的分子量分布（Mw／Mn）以1.0以上為佳，以1.5以上為較佳，且以4.0以下為佳，以3.5以下為較佳。於此，Mn表示數量平均分子量。具有此種分子量分布的結晶性聚合物，成形加工性優異。
聚合物的重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn）得藉由以四氫呋喃為溶析液的凝膠滲透層析法（GPC）以聚苯乙烯換算值之形式量測。
相位差薄膜所包含之結晶性聚合物的結晶化度並無特別之限制，但通常為某種程度以上之高。具體之結晶化度的範圍以10%以上為佳，以15%以上為較佳，以30%以上為尤佳。
結晶性聚合物的結晶化度得藉由X射線繞射法來量測。
結晶性聚合物可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。
在結晶性樹脂中之結晶性聚合物的比例，以50重量%以上為佳，以70重量%以上為較佳，以90重量%以上為尤佳。在結晶性聚合物的比例為前述範圍之下限值以上的情況下，可提高相位差薄膜之雙折射的顯現性及耐熱性。結晶性聚合物的比例之上限得為100重量%以下。
結晶性樹脂除了結晶性聚合物以外，還得包含任意成分。作為任意成分，可列舉例如：酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑、硫系抗氧化劑等抗氧化劑；受阻胺系光穩定劑等光穩定劑；石油系蠟、費托蠟、聚伸烷蠟等蠟；山梨醇系化合物、有機磷酸之金屬鹽、有機羧酸之金屬鹽、高嶺土及滑石等成核劑；二胺基二苯乙烯衍生物、香豆素衍生物、唑系衍生物（例如苯并㗁唑衍生物、苯并三唑衍生物、苯并咪唑衍生物及苯并噻唑衍生物）、咔唑衍生物、吡啶衍生物、萘二甲酸衍生物及咪唑酮衍生物等螢光增白劑；二苯基酮系紫外線吸收劑、水楊酸系紫外線吸收劑、苯并三唑系紫外線吸收劑等紫外線吸收劑；滑石、矽石、碳酸鈣、玻璃纖維等無機填充材；著色劑；阻燃劑；阻燃助劑；抗靜電劑；塑化劑；近紅外線吸收劑；滑劑；填料；及軟質聚合物等結晶性聚合物以外的任意聚合物；等。任意成分可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。
［3.相位差薄膜的NZ係數］
本發明之第一實施型態相關之相位差薄膜的NZ係數通常未達1.0。如此具有未達1.0之NZ係數的相位差薄膜在設置於顯示裝置的情形中，能夠改善此顯示裝置的視角、對比、畫質等顯示品質。
相位差薄膜的NZ係數之具體之值，得因應相位差薄膜的用途而為任意，得為例如未達0.8、未達0.6、未達0.4等。相位差薄膜的NZ係數之下限為任意，得為例如大於－1000、大於－500、大於－100、大於－40、大於－20等。其中，由於透過以往之技術的製造尤為困難，故相位差薄膜的NZ係數以大於0.0為佳。
薄膜的NZ係數得由此薄膜之面內延遲Re及厚度方向的延遲Rth透過計算來求出。
［4.相位差薄膜的霧度］
本發明之第一實施型態相關之相位差薄膜的霧度通常未達1.0%，以未達0.8%為佳，以未達0.5%為較佳，理想上為0.0%。霧度如此小的相位差薄膜在設置於顯示裝置的情形中，可提高此顯示裝置所顯示之影像的清晰度。
薄膜的霧度得使用霧度計（例如日本電色工業公司製「NDH5000」）來量測。
［5.相位差薄膜所包含之有機溶媒］
本發明之第一實施型態相關之相位差薄膜得包含有機溶媒。此有機溶媒通常係在第二實施型態中說明之製造方法的第二工序中引入薄膜中者。
在第二工序中引入薄膜中的有機溶媒之全部或一部分得放入聚合物之內部。因此，即使在有機溶媒的沸點以上進行乾燥，要輕易完全去除溶媒仍屬困難。據此，相位差薄膜通常包含有機溶媒。
作為前述有機溶媒，得使用不會溶解結晶性聚合物者。作為良佳之有機溶媒，可列舉例如：甲苯、薴、十氫萘等烴溶媒及二硫化碳。有機溶媒的種類可為1種，亦可為2種以上。
相位差薄膜所包含之有機溶媒相對於該相位差薄膜之重量100%的比率（溶媒含率），以10重量%以下為佳，以5重量%以下為較佳，以0.1重量%以下為尤佳。
相位差薄膜的溶媒含率可藉由在實施例中說明的量測方法量測。
［6.相位差薄膜的其他特性］
相位差薄膜通常在面內方向及厚度方向之中至少一方向上具有大的雙折射。具體而言，相位差薄膜通常具有1.0×10− 3 以上之面內方向的雙折射Re／d及1.0×10− 3 以上之厚度方向之雙折射的絕對值｜Rth／d｜之至少一者。
詳細而言，相位差薄膜之面內方向的雙折射Re／d通常為1.0×10− 3 以上，以3.0×10− 3 以上為佳，以5.0×10− 3 以上為尤佳。對於上限並無限制，得為例如2.0×10− 2 以下、1.5×10− 2 以下或1.0×10− 2 以下。惟在相位差薄膜之厚度方向之雙折射的絕對值｜Rth／d｜為1.0×10− 3 以上的情況下，相位差薄膜之面內方向的雙折射Re／d可在前述範圍之外。
並且，相位差薄膜之厚度方向之雙折射的絕對值｜Rth／d｜通常為1.0×10− 3 以上，以3.0×10− 3 以上為佳，以5.0×10− 3 以上為尤佳。對於上限並無限制，得為例如2.0×10− 2 以下、1.5×10− 2 以下或1.0×10− 2 以下。惟在相位差薄膜之面內方向的雙折射Re／d為1.0×10− 3 以上的情況下，相位差薄膜之厚度方向之雙折射的絕對值｜Rth／d｜可在前述範圍之外。
相位差薄膜的面內延遲Re之值得因應相位差薄膜的用途設定。
相位差薄膜之具體的面內延遲Re，舉例而言，得以10 nm以下為佳，以5 nm以下為較佳，以3 nm以下為尤佳。在此情況下，相位差薄膜可作為正型C板或負型C板發揮功能。
並且，相位差薄膜之具體的面內延遲Re，舉例而言，得以100 nm以上為佳，以110 nm以上為較佳，以120 nm以上尤佳，並且得以180 nm以下為佳，以170 nm以下為較佳，以160 nm以下為尤佳。在此情況下，相位差薄膜可作為1／4波長板發揮功能。
再者，相位差薄膜之具體的面內延遲Re，舉例而言，得以245 nm以上為佳，以265 nm以上為較佳，以270 nm以上為尤佳，並且得以320 nm以下為佳，以300 nm以下為較佳，以295 nm以下為尤佳。在此情況下，相位差薄膜可作為1／2波長板發揮功能。
相位差薄膜之厚度方向的延遲Rth之值，得因應相位差薄膜的用途設定。相位差薄膜之具體的厚度方向的延遲Rth，得以200 nm以上為佳，以250 nm以上為較佳，以300 nm以上為尤佳。並且，上限得為10000 nm以下。
薄膜的延遲得使用相位差計（例如AXOMETRICS公司製「AxoScan OPMF-1」）來量測。
相位差薄膜由於係光學薄膜，故以具有高的透明性為佳。相位差薄膜之具體的全光線穿透率以80%以上為佳，以85%以上為較佳，以88%以上為尤佳。相位差薄膜的全光線穿透率得使用紫外線―可見光分光計在波長400 nm～700 nm之範圍量測。
相位差薄膜的厚度d可因應相位差薄膜的用途適度設定。相位差薄膜之具體的厚度d以5 μm以上為佳，以10 μm以上為較佳，以20 μm以上為尤佳，且以200 μm以下為佳，以100 μm以下為較佳，以50 μm以下為尤佳。在相位差薄膜的厚度d為前述範圍之下限值以上的情況下，可優化處理性，提高強度。並且，在相位差薄膜的厚度d為上限值以下的情況下，長條狀之相位差薄膜的收捲實屬容易。
相位差薄膜可為裁斷成張之薄膜，亦可為長條狀之薄膜。
於上已述之第一實施型態相關之相位差薄膜，可藉由於後所述之第二實施型態中說明的製造方法來製造。
［7.第二實施型態相關之相位差薄膜的製造方法之概要］
本發明之第二實施型態相關之相位差薄膜的製造方法包含：準備由包含結晶性聚合物的結晶性樹脂所形成之光學各向同性之樹脂薄膜的第一工序，以及使此樹脂薄膜接觸有機溶媒以使厚度方向之雙折射的第二工序。在此製造方法中，由於可在第二工序中調整樹脂薄膜的NZ係數，故可輕易製造具有未達1.0之NZ係數的相位差薄膜。
藉由此製造方法獲得具有未達1.0之NZ係數的相位差薄膜之機制，本發明人推測如同下述。惟本發明之技術範圍並非因下述機制而受限者。
若使由結晶性樹脂所形成之光學各向同性的樹脂薄膜在第二工序中與有機溶媒接觸，則此有機溶媒會滲入樹脂薄膜中。藉由滲入之有機溶媒的作用，在薄膜中之結晶性聚合物之分子發生微布朗運動，薄膜的分子鏈定向。根據本發明人的研究，可想見在此分子鏈定向時，可能會進行結晶性聚合物的溶媒誘導結晶化現象。
順帶一提，樹脂薄膜的表面積，在係為主表面的正面及背面為大。據此，有機溶媒的滲入速度以沿穿過前述正面或背面之厚度方向的滲入速度為大。如此一來，前述結晶性聚合物之分子的定向得以該聚合物之分子沿厚度方向定向的方式進行。
藉由結晶性聚合物之分子如此沿厚度方向定向，可調整該樹脂薄膜的NZ係數。據此，可以具有未達1.0之NZ係數之相位差薄膜的形式獲得與有機溶媒接觸後的樹脂薄膜。如此僅透過單純使光學各向同性的樹脂薄膜與有機溶媒接觸即可調整NZ係數一事，在使相位差薄膜易於製造上實為有用。
本發明之第二實施型態相關之相位差薄膜的製造方法，亦可更包含任意工序組合至於上已述之第一工序及第二工序。舉例而言，相位差薄膜的製造方法亦可包含在第二工序之後將樹脂薄膜延伸之第三工序，亦可包含在第二工序之後對樹脂薄膜施以熱處理之第四工序。在進行此等任意工序的情況下，可以經此等任意工序調整過特性的樹脂薄膜之形式，獲得相位差薄膜。
［8.第一工序：樹脂薄膜的準備］
在第一工序中，準備由包含結晶性聚合物的結晶性樹脂所形成之光學各向同性的樹脂薄膜。在以下說明中，適時將在第二工序中之與有機溶媒接觸前之樹脂薄膜稱作「原料薄膜」。
作為在第一工序中準備之光學各向同性的原料薄膜之材料的結晶性樹脂，得與已在第一實施型態中說明之結晶性樹脂相同。惟原料薄膜所包含之結晶性聚合物的結晶化度以小為佳。具體的結晶化度以未達10%為佳，以未達5%為較佳，以未達3%為尤佳。若與有機溶媒接觸前之原料薄膜所包含之結晶性聚合物的結晶化度低，則會因與有機溶媒之接觸使大部分之結晶性聚合物之分子沿厚度方向定向，而變得能夠在寬廣之範圍調整NZ係數。
原料薄膜係光學各向同性的樹脂薄膜。亦即，原料薄膜係面內方向之雙折射Re／d小且厚度方向之雙折射之絕對值｜Rth／d｜小的薄膜。具體而言，原料薄膜之面內方向的雙折射Re／d通常未達1.0×10− 3 ，以未達0.5×10− 3 為佳，以未達0.3×10− 3 為較佳。並且，原料薄膜之厚度方向之雙折射的絕對值｜Rth／d｜通常未達1.0×10− 3 ，以未達0.5×10− 3 為佳，以未達0.3×10− 3 為較佳。如此具有光學各向同性，表示原料薄膜所包含之結晶性聚合物之分子的定向性低，實質上呈無定向狀態。在使用此種光學各向同性的樹脂薄膜作為原料薄膜的情況下，由於無須精密控制該原料薄膜的光學特性，因而無須精密控制結晶性聚合物之分子的定向性，故可簡化相位差薄膜的製造方法。再者，在使用光學各向同性的樹脂薄膜作為原料薄膜的情況下，通常可獲得霧度小的相位差薄膜。
原料薄膜以有機溶媒的含量少為佳，以不含有機溶媒為較佳。原料薄膜所包含之有機溶媒相對於該原料薄膜之重量100%的比率（溶媒含率），以1%以下為佳，以0.5%以下為較佳，以0.1%以下為尤佳，理想上為0.0%。藉由與有機溶媒接觸前之原料薄膜所包含之有機溶媒的量少，由於因與有機溶媒之接觸而使大部分之結晶性聚合物之分子沿厚度方向定向，故變得能夠在寬廣之範圍調整NZ係數。
原料薄膜的溶媒含率得藉由密度來量測。
原料薄膜的霧度以未達1.0%為佳，以未達0.8%為較佳，以未達0.5%為尤佳，理想上為0.0%。原料薄膜的霧度愈小，愈容易小化所獲得之相位差薄膜的霧度。
原料薄膜的厚度以因應欲製造之相位差薄膜的厚度來設定為佳。通常厚度會因在第二工序中使之與有機溶媒接觸而變大。另一方面，於在第三工序中進行延伸的情況下，厚度會因此延伸而變小。因此，亦可考慮如同前述之在第二工序之後的工序中之厚度的變化來設定原料薄膜的厚度。
原料薄膜亦可為裁斷成張之薄膜，但以長條狀之薄膜為佳。藉由使用長條狀之原料薄膜，能夠利用輥對輥法連續製造相位差薄膜，故可有效提高相位差薄膜的生產性。
作為原料薄膜的製造方法，就可獲得不含有機溶媒的原料薄膜而言，以射出成形法、擠製成形法、加壓成形法、吹脹成形法、吹塑成形法、砑光成形法、壓鑄成形法、壓縮成形法等樹脂成形法為佳。此等之中，就輕易控制厚度而言，以擠製成形法為佳。
在擠製成形法中的製造條件，以下述內容為佳。圓筒溫度（熔融樹脂溫度），以Tm以上為佳，以「Tm＋20℃」以上為較佳，且以「Tm＋100℃」以下為佳，以「Tm＋50℃」以下為較佳。並且，擠製成薄膜狀之熔融樹脂最先接觸的冷卻件並不特別受限，但通常使用鑄造輥。此鑄造輥溫度，以「Tg－50℃」以上為佳，且以「Tg＋70℃」以下為佳，以「Tg＋40℃」以下為較佳。再者，冷卻輥溫度，以「Tg－70℃」以上為佳，以「Tg－50℃」以上為較佳，且以「Tg＋60℃」以下為佳，以「Tg＋30℃」以下為較佳。在以此種條件製造原料薄膜的情況下，可輕易製造厚度1 μm～1 mm的原料薄膜。於此，「Tm」表示結晶性聚合物的熔點，「Tg」表示結晶性聚合物的玻璃轉移溫度。
［9.第二工序：樹脂薄膜與有機溶媒的接觸］
在第二工序中，使在第一工序中準備之作為原料薄膜的樹脂薄膜接觸有機溶媒。作為有機溶媒，可使用可滲入樹脂薄膜中而不會溶解該樹脂薄膜所包含之結晶性聚合物的溶媒，可列舉例如：甲苯、薴、十氫萘等烴溶媒及二硫化碳。有機溶媒的種類可為1種，亦可為2種以上。
樹脂薄膜與有機溶媒的接觸方法係為任意。作為接觸方法，可列舉例如：對樹脂薄膜噴灑有機溶媒的噴灑法；於樹脂薄膜塗布有機溶媒的塗布法；於有機溶媒中浸漬樹脂薄膜的浸漬法；等。其中，就可輕易進行連續之接觸而言，以浸漬法為佳。
接觸樹脂薄膜之有機溶媒的溫度，在有機溶媒可維持液體狀態的範圍為任意，據此，得設定於有機溶媒之熔點以上且沸點以下的範圍。
使樹脂薄膜與有機溶媒接觸的時間並無特別指定，但以0.5秒以上為佳，以1.0秒以上為較佳，以5.0秒以上為尤佳，且以120秒以下為佳，以80秒以下為較佳，以60秒以下為尤佳。在接觸時間為前述範圍之下限值以上的情況下，可有效進行利用有機溶媒之接觸之NZ係數的調整。另一方面，即使加長浸漬時間，NZ係數的調整量亦有不會大幅改變的傾向。據此，在接觸時間為前述範圍之上限值以下的情況下，可提高生產性而不會損及相位差薄膜的品質。
藉由在第二工序中與有機溶媒接觸，樹脂薄膜之厚度方向的雙折射Rth／d會變化。藉此，可進行NZ係數的調整，可獲得未達1.0的NZ係數。因與有機溶媒之接觸而發生的樹脂薄膜之厚度方向的雙折射Rth／d之變化量，以1.0×10− 3 以上為佳，以2.0×10− 3 以上為較佳，以5.0×10− 3 以上為尤佳，且以50.0×10− 3 以下為佳，以30.0×10− 3 以下為較佳，以20.0×10− 3 以下為尤佳。前述所謂厚度方向的雙折射Rth／d之變化量，表示厚度方向的雙折射Rth／d之變化的絕對值。
樹脂薄膜之面內方向的雙折射Re／d可藉由與有機溶媒之接觸來變化，亦可不變化。在簡化相位差薄膜之面內延遲Re之控制的觀點上，以因與有機溶媒之接觸而於樹脂薄膜發生之面內方向的雙折射Re／d之變化小為佳，以不發生變化為較佳。因與有機溶媒之接觸而發生的樹脂薄膜之面內方向的雙折射Re／d之變化量，以0.0×10− 3 ～2.0×10− 3 為佳，以0.0×10− 3 ～1.0×10− 3 為較佳，以0.0×10− 3 ～0.5×10− 3 為尤佳。前述所謂面內方向的雙折射Re／d之變化量，表示面內方向的雙折射Re／d之變化的絕對值。
藉由接觸樹脂薄膜的有機溶媒滲入樹脂薄膜中，在第二工序中，通常樹脂薄膜的厚度會變大。此時之樹脂薄膜的厚度之變化率的下限得為例如10%以上、20%以上或30%以上。並且，厚度之變化率的上限得為例如80%以下、50%以下或40%以下。前述所謂樹脂薄膜的厚度之變化率，係將樹脂薄膜的厚度之變化量除以原料薄膜（亦即與有機溶媒接觸前之樹脂薄膜）的厚度而獲得的比率。
如前所述，藉由第二工序，樹脂薄膜之厚度方向的雙折射Rth／d會變化。據此，透過由第二工序所致之厚度方向的雙折射Rth／d之變化，可在獲得具有期望之光學特性的樹脂薄膜之情況下，獲得此樹脂薄膜作為相位差薄膜。
並且，在第二實施型態相關之製造方法中，亦可對施以第二工序之後的樹脂薄膜進一步施以任意工序。
［10.第三工序：樹脂薄膜的延伸］
在本發明之第二實施型態相關之相位差薄膜的製造方法中，亦可包含在第二工序之後將樹脂薄膜延伸之第三工序。藉由延伸，可使樹脂薄膜所包含之結晶性聚合物之分子沿對應延伸方向之方向定向。據此，根據第三工序，可調整樹脂薄膜之面內方向的雙折射Re／d、面內延遲Re、厚度方向的雙折射Rth／d、厚度方向的延遲Rth、NZ係數等光學特性，以及厚度d。
對於延伸方向並無限制，可列舉例如：長邊方向、幅寬方向、斜向方向等。於此，所謂斜向方向，表示係為相對於厚度方向為垂直之方向且既不平行亦不垂直於幅寬方向的方向。並且，延伸方向可為一方向，亦可為兩個以上的方向。據此，作為延伸方法，可列舉例如：將樹脂薄膜沿長邊方向單軸延伸的方法（縱向單軸延伸法）、將樹脂薄膜沿幅寬方向單軸延伸的方法（橫向單軸延伸法）等單軸延伸法；將樹脂薄膜沿長邊方向延伸同時沿幅寬方向延伸的同時雙軸延伸法、將樹脂薄膜沿長邊方向及幅寬方向之一者延伸之後沿另一者延伸的逐次雙軸延伸法等雙軸延伸法；將樹脂薄膜沿斜向方向延伸的方法（斜向延伸法）；等。
延伸倍率以1.1倍以上為佳，以1.2倍以上為較佳，且以20.0倍以下為佳，以10.0倍以下為較佳，以5.0倍以下為更佳，以2.0倍以下為尤佳。具體之延伸倍率以因應欲製造之相位差薄膜的光學特性、厚度、強度等要素適度設定為符合期望。在延伸倍率為前述範圍之下限值以上的情況下，可透過延伸使雙折射大幅變化。並且，在延伸倍率為前述範圍之上限值以下的情況下，可輕易控制慢軸的方向，有效抑制樹脂薄膜的斷裂。
延伸溫度以「Tg＋5℃」以上為佳，以「Tg＋10℃」以上為較佳，且以「Tg＋100℃」以下為佳，以「Tg＋90℃」以下為較佳。於此，「Tg」表示結晶性聚合物的玻璃轉移溫度。在延伸溫度為前述範圍之下限值以上的情況下，可使樹脂薄膜充分軟化以均勻進行延伸。並且，在延伸溫度為前述範圍之上限值以下的情況下，由於可抑制由結晶性聚合物之結晶化的進行所致之樹脂薄膜的固化，故可順利進行延伸，並且可透過延伸使之顯現大的雙折射。再者，通常可減小所獲得之樹脂薄膜的霧度，提高透明性。
藉由施以前述延伸處理，可獲得作為經延伸之樹脂薄膜的延伸薄膜。如前所述，由於雙折射得透過在第三工序中之延伸來變化，故可進行NZ係數的調整。據此，在透過由第三工序所致之延伸獲得具有期望之光學特性之作為延伸薄膜的樹脂薄膜之情況下，可獲得此樹脂薄膜作為相位差薄膜。
［11.第四工序：樹脂薄膜的熱處理］
在本發明之第二實施型態相關之相位差薄膜的製造方法中，亦可包含在第二工序之後對樹脂薄膜施以熱處理之第四工序。在相位差薄膜的製造方法包含第三工序的情況下，第四工序通常在第三工序之後進行。藉由熱處理，可使樹脂薄膜所包含之結晶性聚合物的結晶化進行，提高結晶性聚合物之定向性。並且，藉由熱處理，可減少樹脂薄膜所包含之有機溶媒的量。據此，根據第四工序，可調整樹脂薄膜的光學特性。
熱處理溫度通常為結晶性聚合物的玻璃轉移溫度Tg以上，且為結晶性聚合物的熔點Tm以下。更詳細而言，熱處理溫度以Tg℃以上為佳，以Tg＋10℃以上為較佳，且以Tm－20℃以下為佳，以Tm－40℃以下較佳。在前述溫度範圍中，可抑制由結晶化之進行所致之白濁，同時快速進行結晶性聚合物的結晶化。
熱處理的處理時間以1秒以上為佳，以5秒以上較佳，且以30分鐘以下為佳，以15分鐘以下為較佳。
如前所述，由於雙折射得藉由在第四工序中之熱處理來變化，故可進行NZ係數的調整。據此，在透過由第四工序所致之熱處理獲得具有期望之光學特性的樹脂薄膜之情況下，可獲得此樹脂薄膜作為相位差薄膜。
［12.其他工序］
相位差薄膜的製造方法亦可進一步包含任意工序組合至於上已述之工序。
相位差薄膜的製造方法亦可包含例如在第二工序之後將附著於樹脂薄膜之有機溶媒去除的工序。作為有機溶媒的去除方法，可列舉例如：乾燥、擦拭等。
相位差薄膜的製造方法亦可包含例如在第三工序之前進行用以將樹脂薄膜加熱至延伸溫度之預熱處理的工序。通常預熱溫度與延伸溫度相同，但亦可相異。預熱溫度相對於延伸溫度T1，以T1－10℃以上為佳，以T1－5℃以上為較佳，且以T1＋5℃以下為佳，以T1＋2℃以下為較佳。預熱時間係為任意，得以1秒以上為佳，以5秒以上為較佳，並且得以60秒以下為佳，以30秒以下為較佳。
在相位差薄膜的製造方法包含第三工序或第四工序的情況下，於此等工序後之樹脂薄膜可能包含殘留應力。於是，相位差薄膜的製造方法亦可包含例如使樹脂薄膜熱收縮以去除殘留應力之鬆弛處理的工序。在鬆弛處理中，通常透過將樹脂薄膜維持平坦，同時在適切之溫度範圍使樹脂薄膜發生熱收縮，可去除殘留應力。
根據於上已述之製造方法，可使用長條狀之原料薄膜來製造長條狀之相位差薄膜。相位差薄膜的製造方法亦可包含將如此製造出之長條狀之相位差薄膜收捲成卷狀的工序。再者，相位差薄膜的製造方法亦可包含將長條狀之相位差薄膜切成期望之形狀的工序。
［13.所製造之相位差薄膜］
根據於上已述之本發明之第二實施型態的製造方法，由於能夠透過使原料薄膜接觸有機溶媒這樣簡單的工序來調整雙折射，故可輕易製造具有期望之NZ係數的相位差薄膜。據此，根據此製造方法，可輕易獲得NZ係數未達1.0的相位差薄膜。
在第二實施型態相關之製造方法中製造之相位差薄膜的NZ係數，詳細而言，得與第一實施型態相關之相位差薄膜的NZ係數相同。再者，在第二實施型態相關之製造方法中製造之相位差薄膜，關於NZ係數以外的特性，亦得與第一實施型態相關之相位差薄膜相同。據此，在第二實施型態相關之製造方法中製造之相位差薄膜，該相位差薄膜所包含之結晶性樹脂、該相位差薄膜的霧度、該相位差薄膜所包含之有機溶媒的量、該相位差薄膜的延遲Re及Rth、該相位差薄膜的雙折射Re／d及Rth／d、該相位差薄膜的全光線穿透率、該相位差薄膜的厚度等特性得與第一實施型態相關之相位差薄膜相同。
［14.用途］
於上已述之第一實施型態相關之相位差薄膜及在第二實施型態相關之製造方法中製造之相位差薄膜得設置於例如顯示裝置。在此情形中，相位差薄膜可改善顯示裝置所顯示之影像的視角、對比、畫質等顯示品質。
『實施例』
以下揭示實施例以具體說明本發明。惟本發明並非受限於以下所示之實施例者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等之範圍的範圍中，得任意變更而實施。
在以下說明中，表示量的「%」及「份」，除非另有註記，否則係重量基準。並且，以下所說明之操作，除非另有註記，否則在常溫及常壓之條件下進行。
［評價方法］
（聚合物之重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn的量測方法）
聚合物的重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn，使用凝膠滲透層析（GPC）系統（東曹公司製「HLC-8320」），以聚苯乙烯換算值之形式量測。量測時，使用H型管柱（東曹公司製）作為管柱，使用四氫呋喃作為溶媒。並且，量測時的溫度為40℃。
（聚合物之氫化率的量測方法）
聚合物之氫化率，以鄰二氯苯-d4 作為溶媒，在145℃下藉由1 H-NMR量測來量測。
（玻璃轉移溫度Tg及熔點Tm的量測方法）
聚合物之玻璃轉移溫度Tg及熔點Tm的量測如下方式進行。首先，藉由加熱使聚合物熔解，將已熔解的聚合物以乾冰急速冷卻。接下來，使用此聚合物作為試樣，使用微差掃描熱量計（DSC），以10℃／分鐘的升溫速度（升溫模式）量測聚合物的玻璃轉移溫度Tg及熔點Tm。
（聚合物之外消旋二單元組之比例的量測方法）
聚合物之外消旋二單元組之比例的量測如下進行。以鄰二氯苯-d4 作為溶媒，在200℃下，應用反閘控去耦（inverse-gated decoupling）法，進行聚合物的13 C-NMR量測。在此13 C-NMR量測的結果中，以鄰二氯苯-d4 之127.5 ppm的尖峰作為基準位移，鑑定源自內消旋二單元組的43.35 ppm之訊號與源自外消旋二單元組的43.43 ppm之訊號。依據此等訊號之強度比，求出聚合物的外消旋二單元組之比例。
（薄膜之延遲Re及Rth以及NZ係數的量測方法）
薄膜的面內延遲Re、厚度方向的延遲Rth及NZ係數係藉由相位差計（AXOMETRICS公司製「AxoScan OPMF-1」）來量測。量測波長為590 nm。
（薄膜之厚度的量測方法）
薄膜的厚度，使用接觸式厚度計（MITUTOYO公司製 Code No. 543-390）來量測。
（薄膜之霧度的量測方法）
薄膜的霧度，使用霧度計（日本電色工業公司製「NDH5000」）來量測。
（相位差薄膜之溶媒含率的量測方法）
針對用以製造作為樣本之相位差薄膜的原料薄膜（溶媒浸漬前之樹脂薄膜），藉由熱重分析（TGA：氮氣環境下，升溫溫度10℃／分鐘，30℃～300℃），量測其重量。自在30℃下之原料薄膜的重量WO （30℃）減去在300℃下之原料薄膜的重量WO （300℃），求出在300℃下之原料薄膜的重量減少量ΔWO 。在於後所述之實施例及比較例中使用之原料薄膜，由於係透過熔融擠製法製造者，故不含溶媒。據此，此原料薄膜的重量減少量ΔWO ，在於後所述之式（X）中採用作為參考值。
並且，針對作為樣本之相位差薄膜，與前述相同，藉由熱重分析（TGA：氮氣環境下，升溫溫度10℃／分鐘，30℃～300℃），量測其重量。自在30℃下之相位差薄膜的重量WR （30℃）減去在300℃下之相位差薄膜的重量WR （300℃），求出在300℃下之相位差薄膜的重量減少量ΔWR 。
自前述在300℃下之原料薄膜的重量減少量ΔWO 及在300℃下之相位差薄膜的重量減少量ΔWR ，藉由下式（X），算出相位差薄膜的溶媒含率。 溶媒含率（%）＝［（ΔWR －ΔWO ）／WR （30℃）］×100　　　（X）
〔製造例1.包含雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物之結晶性樹脂的製造〕
將金屬製之耐壓反應器充分乾燥之後氮氣置換。於此金屬製耐壓反應器加入環己烷154.5份、雙環戊二烯（內型異構物含率99%以上）的濃度70%環己烷溶液42.8份（以雙環戊二烯之量計為30份）及1-己烯1.9份，並加溫至53℃。
將四氯化苯基醯亞胺(四氫呋喃)鎢錯合物0.014份溶解於0.70份之甲苯，製備溶液。於此溶液加入濃度19%之乙氧化二乙基鋁／正己烷溶液0.061份並攪拌10分鐘，製備觸媒溶液。將此觸媒溶液加入耐壓反應器，起始開環聚合反應。之後，保持53℃同時使之反應4小時，獲得雙環戊二烯之開環聚合物的溶液。所獲得之雙環戊二烯之開環聚合物的數量平均分子量（Mn）及重量平均分子量（Mw）分別為8,750及28,100，自此等求出之分子量分布（Mw／Mn）為3.21。
於所獲得之雙環戊二烯之開環聚合物的溶液200份，加入作為終止劑之1,2-乙二醇0.037份，加溫至60℃，攪拌1小時，使聚合反應終止。於此，加入類水滑石化合物（協和化學工業公司製「KYOWAAD（註冊商標）2000」）1份，加溫至60℃，攪拌1小時。之後，加入助濾劑（昭和化學工業公司製「RADIOLITE（註冊商標）#1500」）0.4份，使用PP折筒式濾器（ADVANTEC東洋公司製「TCP-HX」）過濾分開吸附劑與溶液。
於過濾後之雙環戊二烯之開環聚合物的溶液200份（聚合物量30份）加入環己烷100份，添加氯氫化羰基參(三苯基膦)釕0.0043份，並在氫壓6 MPa、180℃下進行氫化反應4小時。藉此，獲得包含雙環戊二烯之開環聚合物之氫化物的反應液。此反應液會析出氫化物而成為漿料溶液。
使用離心分離器分離前述反應液所包含之氫化物與溶液，在60℃下減壓乾燥24小時，獲得具有結晶性之雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物28.5份。此氫化物的氫化率為99%以上，玻璃轉移溫度Tg為93℃，熔點（Tm）為262℃，外消旋二單元組的比例為89%。
於所獲得之雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物100份，混合抗氧化劑（肆{3-[3’,5’-二(三級丁基)-4’-羥基苯基]丙酸亞甲基}甲烷；BASF Japan公司製「IRGANOX（註冊商標）1010」）1.1份後，放入具備4個內徑3 mm⌀模孔的雙軸擠製機（產品名「TEM-37B」，東芝機械公司製）將雙環戊二烯之開環聚合物之氫化物及抗氧化劑的混合物藉由熱熔融擠製成形來進行股狀之成形後，以股線切割機細切之，獲得顆粒形狀之結晶性樹脂。前述雙軸擠製機的運轉條件如下。 ・料桶設定溫度＝270～280℃ ・模具設定溫度＝250℃ ・螺桿轉數＝145 rpm
［實施例1］
（1-1.第一工序：原料薄膜的製造）
使用具備T字模的熱熔融擠製薄膜成形機（Optical Control Systems公司製「Measuring Extruder Type Me-20/2800V3」）將在製造例1中製造之結晶性樹脂成形，以1.5 m／分鐘之速度收捲成卷，獲得幅寬約120 mm之長條狀之作為原料薄膜的樹脂薄膜（厚度50 μm）。前述薄膜成形機的運轉條件如下。 ・料桶設定溫度＝280～300℃ ・模具溫度＝270℃ ・螺桿轉數＝30 rpm ・鑄造輥溫度＝80℃
（1-2.第二工序：原料薄膜與處理溶媒的接觸）
將樹脂薄膜切割成100 mm×100 mm。使用相位差計量測延遲，結果面內延遲Re＝5 nm，厚度方向的延遲Rth＝6 nm。此樹脂薄膜由於係如前所述藉由在高溫（280℃～300℃）下之熱熔融擠製來製造，故可想見樹脂薄膜不含溶媒，就此而言其溶媒含量視為0.0%。
以作為處理溶媒之甲苯填滿槽，使樹脂薄膜浸漬於此甲苯5秒鐘。之後，自甲苯取出樹脂薄膜，以紗布擦拭表面。將所獲得之樹脂薄膜作為相位差薄膜以於上已述之方法予以評價。其結果，面內延遲Re＝9 nm，厚度方向的延遲Rth＝－575 nm，厚度為64 μm，霧度Hz為0.4%。
［實施例2］
在前述工序（1-1）中，藉由調整將薄膜收捲成卷的速度（生產線速度），將作為原料薄膜之樹脂薄膜的厚度變更為20 μm。
並且，在前述工序（1-2）中，將樹脂薄膜浸漬於處理溶媒（於此為甲苯）的時間變更為1秒。
除了以上事項以外，藉由與實施例1相同的操作，進行相位差薄膜的製造及評價。
［實施例3］
在前述工序（1-1）中，藉由調整將薄膜收捲成卷的速度（生產線速度），將作為原料薄膜之樹脂薄膜的厚度變更為100 μm。
並且，在前述工序（1-2）中，將樹脂薄膜浸漬於處理溶媒（於此為甲苯）的時間變更為60秒。
除了以上事項以外，藉由與實施例1相同的操作，進行相位差薄膜的製造及評價。
［實施例4］
準備延伸裝置（ETO Co., Ltd.製「SDR-562Z」）。此延伸裝置具備能夠握持矩形之樹脂薄膜之邊緣部的夾具與烘箱。夾具於樹脂薄膜之每1邊設置5個及於樹脂薄膜之各頂點設置1個，合計24個，透過使此等夾具移動而能夠延伸樹脂薄膜。並且，烘箱設置有2個，能夠分別設定成延伸溫度及熱處理溫度。再者，在前述延伸裝置中，自一烘箱朝另一烘箱之樹脂薄膜的移轉可在以夾具握持的狀態下就此進行。
藉由與實施例1相同的方法，進行作為原料薄膜之樹脂薄膜的製造及此樹脂薄膜對甲苯的接觸。
將對甲苯接觸後之樹脂薄膜裝配於前述延伸裝置，將樹脂薄膜在預熱溫度110℃下處理10秒鐘。之後，將樹脂薄膜在延伸溫度110℃下，以縱向延伸倍率1倍、橫向延伸倍率1.5倍、延伸速度1.5倍／10秒之條件延伸。前述「縱向延伸倍率」表示朝與長條狀之原料薄膜之長邊方向一致之方向的延伸倍率，「橫向延伸倍率」表示朝與長條狀之原料薄膜之幅寬方向一致之方向的延伸倍率。藉此，獲得作為經施以延伸處理之樹脂薄膜的延伸薄膜。將此延伸薄膜作為相位差薄膜以於上已述之方法予以評價。其結果，面內延遲Re＝347 nm，厚度方向的延遲Rth＝－12 nm，厚度為47 μm，霧度Hz為0.4%。
［實施例5］
藉由調整將薄膜收捲成卷的速度（生產線速度），將作為原料薄膜之樹脂薄膜的厚度變更為35 μm。除了以上事項以外，藉由與實施例4相同的方法，進行相位差薄膜的製造及評價。
在此實施例5中，對甲苯接觸後獲得之樹脂薄膜（延伸前之樹脂薄膜）的厚度為47 μm，厚度方向的延遲Rth為－420 nm。
［實施例6］
使用延伸裝置延伸樹脂薄膜時，將橫向延伸倍率變更為1.3倍。除了以上事項以外，藉由與實施例4相同的方法，進行相位差薄膜的製造及評價。
［實施例7］
藉由與實施例4相同的方法，進行作為原料薄膜之樹脂薄膜的製造、此樹脂薄膜對甲苯的接觸及此樹脂薄膜的延伸。
使作為經施以延伸處理之樹脂薄膜的延伸薄膜在以夾具握持的狀態下就此移動至熱處理用的烘箱，在處理溫度170℃下熱處理20秒。將此熱處理後之延伸薄膜作為相位差薄膜以於上已述之方法予以評價。其結果，面內延遲Re＝378 nm，厚度方向的延遲Rth＝－10 nm，厚度為44 μm，霧度Hz為0.4%。
［實施例8］
將在熱處理中的處理時間變更為10分鐘。除了以上事項以外，藉由與實施例7相同的方法，進行相位差薄膜的製造及評價。
［實施例9］
藉由調整將薄膜收捲成卷的速度（生產線速度），將作為原料薄膜之樹脂薄膜的厚度變更為30 μm。並且，使用延伸裝置延伸樹脂薄膜時，將橫向延伸倍率變更為1.7倍。除了以上事項以外，藉由與實施例4相同的方法，進行相位差薄膜的製造及評價。
在此實施例9中，對甲苯接觸後獲得之樹脂薄膜（延伸前之樹脂薄膜）的厚度為41 μm，厚度方向的延遲Rth為－370 nm。
［實施例10］
藉由調整將薄膜收捲成卷的速度（生產線速度），將作為原料薄膜之樹脂薄膜的厚度變更為33 μm。並且，使用延伸裝置延伸樹脂薄膜時，將橫向延伸倍率變更為1.4倍。除了以上事項以外，藉由與實施例4相同的方法，進行相位差薄膜的製造及評價。
在此實施例10中，對甲苯接觸後獲得之樹脂薄膜（延伸前之樹脂薄膜）的厚度為44 μm，厚度方向的延遲Rth為－390 nm。
［實施例11］
將處理溶媒的種類自甲苯變更為薴。除了以上事項以外，藉由與實施例1相同的方法，進行相位差薄膜的製造及評價。
［實施例12］
將處理溶媒的種類自甲苯變更為十氫萘。並且，將樹脂薄膜浸漬於處理溶媒（於此為十氫萘）的時間變更為60秒。除了以上事項以外，藉由與實施例1相同的方法，進行相位差薄膜的製造及評價。
［比較例1］
藉由與實施例1之工序（1-1）相同的方法，製造長條狀之樹脂薄膜。將所獲得之樹脂薄膜切割成100 mm×100 mm。將切割好的樹脂薄膜裝設於前述延伸裝置，在預熱溫度110℃下處理10秒鐘。之後，將樹脂薄膜在延伸溫度110℃下，以縱向延伸倍率1倍、橫向延伸倍率1.5倍、延伸速度1.5倍／10秒之條件延伸。延伸後之樹脂薄膜的面內延遲Re＝62 nm，厚度方向的延遲Rth＝77 nm，厚度為33 μm，霧度Hz為0.1%。
將延伸後之樹脂薄膜作為原料薄膜，使之接觸作為處理溶媒之甲苯。亦即，以甲苯填滿槽，使前述經延伸之樹脂薄膜浸漬於此甲苯5秒鐘。之後，自甲苯取出樹脂薄膜，以紗布擦拭表面。將所獲得之樹脂薄膜作為相位差薄膜以於上已述之方法予以評價。
［比較例2］
藉由與實施例1之工序（1-1）相同的方法，製造長條狀之樹脂薄膜。將所獲得之樹脂薄膜切割成100 mm×100 mm。將切割好的樹脂薄膜裝設於前述延伸裝置，在預熱溫度110℃下處理10秒鐘。之後，將樹脂薄膜在延伸溫度110℃，以縱向延伸倍率1倍、橫向延伸倍率2倍、延伸速度1.5倍／10秒之條件延伸。延伸後之樹脂薄膜的面內延遲Re＝91 nm，厚度方向的延遲Rth＝85 nm，厚度為25 μm，霧度Hz為0.1%。
將延伸後之樹脂薄膜作為原料薄膜，使之接觸作為處理溶媒之甲苯。亦即，以甲苯填滿槽，使前述經延伸之樹脂薄膜浸漬於此甲苯5秒鐘。之後，自甲苯取出樹脂薄膜，以紗布擦拭表面。將所獲得之樹脂薄膜作為相位差薄膜以於上已述之方法予以評價。
［比較例3］
藉由與實施例1之工序（1-1）相同的方法，製造長條狀之樹脂薄膜。將所獲得之樹脂薄膜切割成100 mm×100 mm。於切割好的樹脂薄膜之兩面貼合收縮薄膜，獲得多層薄膜。前述收縮薄膜係在145℃下具有沿縱向收縮20%、沿橫向收縮25%之性質的薄膜。
將多層薄膜裝設於前述延伸裝置，在預熱溫度145℃下處理5秒。之後，將多層薄膜在延伸溫度145℃下，以縱向延伸倍率0.8倍、橫向延伸倍率1.2倍之條件延伸。自延伸後之多層薄膜去除收縮薄膜，獲得作為相位差薄膜的樹脂薄膜。以於上已述之方法評價此樹脂薄膜。
［結果］
於上已述之實施例及比較例之結果揭示於下表。在下表中，簡稱的意義如下。 COP：雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物。 d：厚度。 Re：面內延遲。 Rth：厚度方向的延遲。 Hz：霧度。
『表1』 ［表1.實施例1～8的結果］
實施 例1 實施 例2 實施 例3 實施 例4 實施 例5 實施 例6 實施 例7 實施 例8
原料薄膜
樹脂 COP COP COP COP COP COP COP COP
厚度d(μm) 50 20 100 50 35 50 50 50
Re(nm) 5 5 5 5 4 5 5 5
Re/d(×10−3 ) 0.10 0.25 0.05 0.10 0.11 0.10 0.10 0.10
Rth(nm) 6 6 6 6 5 6 6 6
Rth/d(×10−3 ) 0.12 0.30 0.06 0.12 0.14 0.12 0.12 0.12
溶媒含率(%) 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0
溶媒接觸
溶媒 甲苯 甲苯 甲苯 甲苯 甲苯 甲苯 甲苯 甲苯
接觸時間(s) 5 1 60 5 5 5 5 5
延伸
延伸溫度(℃) - - - 110 110 110 110 110
延伸倍率 縱向 - - - 1 1 1 1 1
延伸倍率 橫向 - - - 1.5 1.5 1.3 1.5 1.5
熱處理
溫度(℃) - - - - - - 170 170
時間(秒) - - - - - - 20 600
相位差薄膜
厚度d(μm) 64 27 124 47 34 50 44 44
Hz(%) 0.4 0.3 0.5 0.4 0.3 0.4 0.4 0.4
Re(nm) 9 5 32 347 250 255 378 378
Re/d(×10−3 ) 0.14 0.19 0.26 7.38 7.35 5.10 8.59 8.59
Rth(nm) −575 −294 −944 −12 −9 −217 −10 −10
Rth/d(×10−3 ) −8.98 −10.89 −7.61 −0.26 −0.26 −4.34 −0.23 −0.23
NZ係數 −63.39 −58.30 −29.00 0.47 0.46 −0.35 0.47 0.47
溶媒含率(%) 6.2 6.2 6.2 3.4 3.3 3.6 0.1 以下 0.1 以下
『表2』 ［表2.實施例9～13及比較例1～3的結果］
實施 例9 實施 例10 實施 例11 實施 例12 比較 例1 比較 例2 比較 例3
原料薄膜
樹脂 COP COP COP COP COP COP COP
厚度d(μm) 30 33 50 50 33 25 50
Re(nm) 3 3 5 5 62 91 5
Re/d(×10−3 ) 0.10 0.09 0.10 0.10 1.88 3.64 0.10
Rth(nm) 4 4 6 6 77 85 6
Rth/d(×10−3 ) 0.13 0.12 0.12 0.12 2.33 3.40 0.12
溶媒含率(%) 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0
溶媒接觸
溶媒 甲苯 甲苯 薴 十氫萘 甲苯 甲苯 -
接觸時間(s) 5 5 5 60 5 5 -
延伸
延伸溫度(℃) 110 110 - - - - 145℃
延伸倍率 縱向 1 1 - - - - 0.8
延伸倍率 橫向 1.7 1.4 - - - - 1.2
熱處理
溫度(℃) - - - - - - -
時間(秒) - - - - - - -
相位差薄膜
厚度d(μm) 23 30 69 53 40 28 54
Hz(%) 0.3 0.3 0.3 0.3 6.6 4.6 0.4
Re(nm) 245 248 10 5 381 456 10
Re/d(×10−3 ) 10.65 8.27 0.14 0.09 9.53 16.29 0.19
Rth(nm) 62 −64 −599 −99 135 229 3
Rth/d(×10−3 ) 2.67 −2.13 −8.68 −1.87 3.38 8.18 0.06
NZ係數 0.75 0.24 −59.40 −19.30 0.85 1.00 0.80
溶媒含率(%) 3.3 3.2 9.1 3.9 3.3 3.1 0.1 以下
［討論］
如比較例3所示，根據將薄膜之延伸及收縮組合的製造方法，能夠製造NZ係數未達1.0的薄膜。然而，如此延伸及收縮的組合，其控制複雜。再者，在比較例3中獲得之薄膜的雙折射小，無法作為相位差薄膜使用。據此，無法輕易製造具有未達1.0之NZ係數的相位差薄膜。
並且，如比較例2所示，在使光學各項異性之原料薄膜接觸有機溶媒的情況下，亦無法輕易製造具有未達1.0之NZ係數的相位差薄膜。再者，在比較例2中獲得之相位差薄膜的霧度大，可想見在設置於顯示裝置之情形中影像的清晰度低劣。
如比較例1所示，在使用藉由適度調整光學特性來適度控制結晶性聚合物之分子之定向性的原料薄膜之情形中，有時即使該原料薄膜具有光學各向異性，亦可製造NZ係數未達1.0的相位差薄膜。然而，在與比較例1同樣使用光學各向異性之原料薄膜的比較例2中，並未獲得未達1.0之NZ係數，由此可知在使用光學各向異性之原料薄膜的情況下，為了達成未達1.0之NZ係數，要求精密控制此原料薄膜的光學特性，據此要求精密控制原料薄膜所包含之結晶性聚合物之分子的定向性。因此，在使用光學各向異性之原料薄膜的情況下，控制會複雜化而無法實現相位差薄膜之簡單製造。並且，比較例1之相位差薄膜與比較例2之相位差薄膜同樣霧度大。
相對於此，在實施例中，藉由使光學各向同性之原料薄膜接觸有機溶媒這樣簡易的方法，獲得具有未達1.0之NZ係數的相位差薄膜。並且，所獲得之相位差薄膜的霧度皆充分小。據此，自此等實施例之結果可確認到藉由本發明之製造方法，可輕易製造NZ係數未達1.0的相位差薄膜及可小化所製造之相位差薄膜的霧度。
無。
無。
無。

Claims (11)

  1. 一種相位差薄膜，其係由包含具有結晶性之聚合物的樹脂所形成，其NZ係數未達1.0且霧度未達1.0%。
  2. 如請求項1所述之相位差薄膜，其中前述相位差薄膜的NZ係數大於0.0且未達1.0。
  3. 如請求項1所述之相位差薄膜，其中前述相位差薄膜包含有機溶媒。
  4. 如請求項3所述之相位差薄膜，其中前述有機溶媒係烴溶媒。
  5. 如請求項1所述之相位差薄膜，其中前述具有結晶性之聚合物含有脂環結構。
  6. 如請求項1所述之相位差薄膜，其中前述具有結晶性之聚合物係雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物。
  7. 一種相位差薄膜的製造方法，其包含：準備由包含具有結晶性之聚合物的樹脂所形成之光學各向同性之樹脂薄膜的第一工序，以及使前述樹脂薄膜接觸有機溶媒以使厚度方向之雙折射變化的第二工序。
  8. 如請求項7所述之相位差薄膜的製造方法，其包含：於前述第二工序之後將前述樹脂薄膜延伸的第三工序。
  9. 如請求項7所述之相位差薄膜的製造方法，其中前述有機溶媒係烴溶媒。
  10. 如請求項7所述之相位差薄膜的製造方法，其中前述具有結晶性之聚合物含有脂環結構。
  11. 如請求項7所述之相位差薄膜的製造方法，其中前述具有結晶性之聚合物係雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物。
TW109124269A 2019-07-31 2020-07-17 相位差薄膜及其製造方法 TW202110934A (zh)

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