TW202248016A - 堆疊體及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種具備基材及設置於前述基材之其中之一表面的保護薄膜且具有長條狀之形狀的堆疊體，其中前述基材係包含具有結晶性之含脂環結構聚合物的樹脂之層體，前述基材及前述保護薄膜滿足式E′s／E′p＜1及−0.4≦Fs−Fp≦0.4。其中E′s係前述基材在180℃下的儲存彈性係數，E′p係前述保護薄膜在180℃下的儲存彈性係數，Fs係前述基材在180℃、2分鐘下之堆疊體長邊方向的熱收縮率（%），Fp係前述保護薄膜在180℃、2分鐘下之堆疊體長邊方向的熱收縮率（%）。一種堆疊體的製造方法，其包含退火前堆疊體的退火處理。

Description

堆疊體及其製造方法

本發明係關於具備得使用於作為光學薄膜等之用途的基材與保護該基材之保護薄膜的堆疊體及其製造方法。

光學薄膜作為液晶顯示裝置、有機電致發光顯示裝置等光學裝置的構成要件而廣泛為人所用。作為其例，可舉出在裝置中使用作為基材的薄膜。具體而言，普遍進行有於此種基材之上形成其他層體以獲得構成裝置之具備多個層體的構成要件。

光學薄膜要求良好的光學特性，且要求對於在使用環境中之熱的耐久性高。舉例而言，期望即使在承受200℃、10分鐘的加熱或145℃、60分鐘的加熱等熱負荷的情況下，亦不會發生收縮等形狀變化。

就此種觀點而言，有時候會使用包含具有結晶性的樹脂──尤其係具有結晶性之含脂環結構聚合物的樹脂──作為此種光學薄膜的材料。在使用此種具有結晶性的樹脂的情況下，為了調整光學各向異性、耐熱性及其他各式各樣特性，有時候會實施延伸、熱固定等各式各樣的處理（舉例而言，專利文獻1～2）。

『專利文獻』 《專利文獻1》：國際專利公開第2016/067893號（對應公報：美國專利申請公開第2017/306113號說明書） 《專利文獻2》：日本專利公開第2021-24086號公報

當處理具有結晶性的樹脂之薄膜時，有時候會發生於其表面發生皺褶使薄膜的平面性受到損毀等非所願的現象，產品的品質會降低。並且，光學薄膜有時候因其處理的方法而無法獲得充分的耐熱性。舉例而言，有時候無法達成抑制在承受200℃、10分鐘的加熱或145℃、60分鐘的加熱等熱負荷的情況下之形狀變化。

因此，本發明之目的在於提供可抑制皺褶的發生而可維持作為基材使用時的平面性且耐熱性高的基材及其製造方法。

作為用以抑制皺褶的發生而維持作為基材使用時的平面性之方策，可考量將基材做成與保護薄膜的堆疊體。經本發明人針對此點進行研究，發現藉由採用具有特定物性的關係者作為基材與保護薄膜來構成堆疊體，得製造可獲得高皺褶抑制及耐熱性者，且發現此種堆疊體可藉由貼合特定退火前基材及退火前保護薄膜做成退火前堆疊體，將其在堆疊體的狀態就此進行退火處理來獲得，進而完成本發明。

亦即，本發明提供以下內容。

〔1〕一種堆疊體，其係具備基材及設置於前述基材之其中之一表面的保護薄膜且具有長條狀之形狀的堆疊體，其中 前述基材係包含具有結晶性之含脂環結構聚合物的樹脂之層體，前述基材及前述保護薄膜滿足下述式（1）～（2）：E′s／E′p＜1　　　（1）−0.4≦Fs−Fp≦0.4　　　（2）；其中E′s係前述基材在180℃下的儲存彈性係數，E′p係前述保護薄膜在180℃下的儲存彈性係數，Fs係前述基材在180℃、2分鐘下之堆疊體長邊方向的熱收縮率（%），Fp係前述保護薄膜在180℃、2分鐘下之堆疊體長邊方向的熱收縮率（%）。

〔2〕如〔1〕所記載之堆疊體，其中前述保護薄膜係包含具有結晶性之聚合物的樹脂之層體。

〔3〕如〔1〕或〔2〕所記載之堆疊體，其中構成前述基材之前述包含具有結晶性之含脂環結構聚合物的樹脂係雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物。

〔4〕一種製造方法，其係如〔1〕～〔3〕之任一項所記載之堆疊體的製造方法，其包含： 係為貼合退火前基材及退火前保護薄膜以獲得具備前述退火前基材及前述退火前保護薄膜之退火前堆疊體的工序，且前述退火前基材係包含具有結晶性之含脂環結構聚合物的樹脂之層體的工序，以及將前述退火前堆疊體進行退火處理的工序。

〔5〕如〔4〕所記載之製造方法，其中前述退火前保護薄膜係包含具有結晶性之聚合物的樹脂之層體。

〔6〕如〔4〕或〔5〕所記載之製造方法，其中構成前述退火前基材的前述包含具有結晶性之含脂環結構聚合物的樹脂係雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物。

〔7〕如〔4〕～〔6〕之任一項所記載之製造方法，其中前述退火處理包含將前述退火前堆疊體在拘束於其面內方向之中至少1個方向上的狀態下加熱。

根據本發明，可提供於使用時得輕易供應可抑制皺褶的發生而可維持作為基材使用時的平面性且耐熱性高之基材的堆疊體及其製造方法。

以下揭示實施型態及示例物以詳細說明本發明。惟本發明並非受限於以下所揭示之實施型態及示例物者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍的範圍中得任意變更而實施。

在以下說明中，所謂「長條狀」的薄膜，係謂具有相對於幅寬為5倍以上之長度的薄膜，以具有10倍或其以上之長度為佳，具體上係謂具有可收捲成卷狀來儲存或搬運之程度之長度的薄膜。薄膜之長度的上限並無特別限制，得做成例如相對於幅寬為10萬倍以下。

所謂接合劑，除非另有註記，否則不僅狹義的接合劑（能量線照射後或者加熱處理後，在23℃下之剪切儲存彈性係數為1 MPa～500 MPa的接合劑），亦包含在23℃下之剪切儲存彈性係數未達1 MPa的黏合劑。

在以下說明中，所謂元件的方向為「平行」、「垂直」及「正交」，除非另有註記，否則在不損及本發明之效果的範圍內，亦可包含例如在±3°、±2°或±1°之範圍內的誤差。

〔堆疊體的概要〕

本發明之堆疊體具備基材及設置於前述基材之其中之一表面的保護薄膜。亦即，堆疊體具備基材及保護薄膜作為構成其之層體。

基材係用以使用作為顯示裝置等光學裝置的構成要件之薄膜。另一方面，保護薄膜係以保護基材為目的而與基材貼合的薄膜，係在將基材使用於裝置的製造時或在之後的任意工序中得剝離者。

保護薄膜亦可直接接觸於基材而設置，但通常中介接合層以設置於基材。亦即，基材與保護薄膜中介接合層而接合，藉此，得構成基材、接合層及保護薄膜層以此順序設置的堆疊體。

圖1係概略繪示本發明之堆疊體的剖面圖。在圖1中，堆疊體10具備基材110與設置於其中之一表面的複合薄膜120，複合薄膜具備保護薄膜121及接合層122。在此例中，保護薄膜雖僅設置於基材的正面及反面之中的其中之一表面，但本發明並不受限於此，舉例而言，亦可於基材的兩面各設置1層保護薄膜。

在圖1中，保護薄膜121係用以顯現作為保護薄膜之機械強度及其他期望的物性的層體，另一方面，接合層122係顯現基材110與保護薄膜121的接合之功能的層體。接合層122通常相比於保護薄膜121較薄且柔軟，因此係實質上不影響關於複合薄膜120整體之面內方向的伸縮相關之機械強度的層體。

基材係包含具有結晶性之含脂環結構聚合物的樹脂之層體。在以下說明中，為了與一般的樹脂區別以說明，有時候會將該樹脂特別稱為樹脂（a1）。另一方面，有時候會將構成保護薄膜的樹脂特別稱為樹脂（b1）。

在堆疊體中，基材可為單層結構的層體，亦可為由多個層體而成之多層結構的層體，但通常為單層結構的層體。保護薄膜亦然，可為單層結構的層體，亦可為由多個層體而成之多層結構的層體，但通常為單層結構的層體。

〔堆疊體的物性〕

構成堆疊體的基材及保護薄膜滿足下述式（1）～（2）。 E′s／E′p＜1　　　（1）−0.4≦Fs−Fp≦0.4　　　（2）

式中，E′s係前述基材在180℃下的儲存彈性係數，E′p係前述保護薄膜在180℃下的儲存彈性係數。在以下說明中，除非另有註記，否則所謂彈性係數意謂儲存彈性係數。E′s／E′p之值未達1，以0.95以下為佳，以0.90以下為較佳。E′s／E′p之下限並不特別受限，但得定為0.1以上。E′s及E′p各自之值，並不特別受限，但得定為例如1.0×10 ⁷Pa以上且1.0×10 ⁹Pa以下。彈性係數的量測得藉由將堆疊體的基材與保護薄膜剝離分別做成試樣薄膜，使用動態黏彈性量測裝置（例如Hitachi High-Tech Science Corporation製，產品名：DMA7100）在180℃下進行伸縮黏彈性量測來量測。

式中，Fs係前述基材在180℃、2分鐘下之堆疊體長邊方向的熱收縮率（%），Fp係前述保護薄膜在180℃、2分鐘下之堆疊體長邊方向的熱收縮率（%）。Fs及Fp之堆疊體的熱收縮率係藉由下述而求出的百分率之值：將堆疊體的基材與保護薄膜剝離，分別在23℃（室溫）的環境下裁切，做成具有平行於堆疊體之長邊方向或幅寬方向的方向之邊的正方形之試樣薄膜，量測由該試樣薄膜的加熱所致之邊的長度之變化。更具體而言，熱收縮率得依照下述式（I）求出。 熱收縮率（%）＝［（L _B−L _A）／L _B］×100　（I）

式中，L _B表示加熱前之試樣薄膜之邊的長度，L _A表示加熱後之試樣薄膜之邊的長度。在熱收縮率為正值的情況下，表示薄膜會因加熱而收縮，在為負值的情況下，表示薄膜會因加熱而伸長。在求出堆疊體長邊方向的熱收縮率的情況下，自試樣薄膜之在平行於堆疊體長邊方向的邊中之長度求出熱收縮率。

Fs−Fp之值係彼此百分率之差的值。Fs−Fp之值為−0.4%以上，以−0.3%以上為佳，且另一方面為0.4%以下，以0.3%以下為佳。Fs及Fp各自之值，並不特別受限，但得定為例如−0.3%以上且0.5%以下。

根據本發明人發現的結果，長條狀的堆疊體具備係為樹脂（a1）之層體的基材與保護薄膜，且在基材及保護薄膜滿足前述式（1）～（2）的情況下，可抑制堆疊體中之皺褶的發生，將堆疊體在維持其平面性的狀態下進行處理，且可將基材做成作為耐熱性高的基材而得輕易製造者。具體而言，可抑制堆疊體的捲曲，藉此可在堆疊體不捲曲的狀態下進行搬運，且對於所獲得之基材在200℃、10分鐘基材熱收縮率及在145℃、60分鐘基材熱收縮率等就產品而言要求低值之物性，亦可做成良好的低值。

本發明之堆疊體以其捲曲量小為佳。捲曲量藉由在23℃（室溫）的環境下，將堆疊體裁切做成50 mm×50 mm之正方形的試樣薄膜並水平載置於平坦的面上，量測試樣薄膜的四角自水平面浮起的量（捲曲量）求出四角的平均值來求出。捲曲量得做成以8.5 mm以下為佳，以7.5 mm以下為較佳。捲曲量的下限並不特別受限，但理想上為0.0 mm。

〔基材〕

基材係樹脂（a1）──即包含具有結晶性之含脂環結構聚合物的樹脂──之層體。基材得做成僅由樹脂（a1）而成之層體。藉由基材為樹脂（a1），基材可顯現良好的機械強度、耐熱性及成形性。

所謂「具有結晶性的」聚合物，係謂具有熔點Tm的聚合物。所謂「具有熔點Tm」，係謂可以微差掃描熱量計（DSC）觀測到熔點。在以下說明中，有時候會將具有結晶性的聚合物僅稱為「結晶性聚合物」。並且，有時候會將包含具有結晶性之聚合物的樹脂僅稱為「結晶性樹脂」。含脂環結構聚合物係於分子內包含脂環結構的聚合物，尤其具有結晶性的含脂環結構聚合物係結晶性聚合物之中於分子內包含脂環結構的聚合物。

含脂環結構聚合物得為藉由使用環烯烴作為單體之聚合反應而得獲得的聚合物或其氫化物。含脂環結構聚合物可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。

作為具有含脂環結構聚合物的脂環結構之例，可列舉：環烷結構及環烯結構。此等之中，就輕易獲得熱穩定性等特性優異的光學薄膜而言，以環烷結構為佳。1個脂環結構所包含之碳原子的數量，以4個以上為佳，以5個以上為較佳，且以30個以下為佳，以20個以下為較佳，以15個以下為尤佳。藉由1個脂環結構所包含之碳原子的數量位於上述範圍內，可使機械強度、耐熱性及成形性取得高度平衡。

在含脂環結構聚合物中，具有脂環結構之結構單元相對於所有結構單元的比例，以30重量%以上為佳，以50重量%以上為較佳，以70重量%以上為尤佳。藉由使含脂環結構聚合物中之具有脂環結構之結構單元的比例如前述之多，可提高耐熱性。

並且，在含脂環結構聚合物中，具有脂環結構之結構單元以外的殘基並無特別的限定，得因應使用目的而適當選擇。

作為具有結晶性的含脂環結構聚合物之例，可列舉：下述聚合物（α）～聚合物（δ）。此等之中，就易於獲得耐熱性優異的基材而言，作為具有結晶性的含脂環結構聚合物，以聚合物（β）為佳。 聚合物（α）：環烯烴單體的開環聚合物且具有結晶性者。 聚合物（β）：聚合物（α）的氫化物且具有結晶性者。 聚合物（γ）：環烯烴單體的加成聚合物且具有結晶性者。 聚合物（δ）：聚合物（γ）的氫化物等且具有結晶性者。

具體而言，作為具有結晶性的含脂環結構聚合物，以雙環戊二烯的開環聚合物且具有結晶性者及雙環戊二烯的開環聚合物之氫化物且具有結晶性者為較佳，以雙環戊二烯的開環聚合物之氫化物且具有結晶性者為尤佳。於此，所謂雙環戊二烯的開環聚合物係謂源自雙環戊二烯之結構單元相對於全部結構單元的比例通常為50重量%以上――以70重量%以上為佳，以90重量%以上為較佳，以100重量%為更佳――的聚合物。

雙環戊二烯的開環聚合物的氫化物以外消旋二單元組的比例高為佳。具體而言，在雙環戊二烯的開環聚合物的氫化物中之重複單元之外消旋二單元組的比例，以51%以上為佳，以70%以上為較佳，以85%以上為尤佳。外消旋二單元組的比例高，表示對排立體異構性高。據此，會有外消旋二單元組的比例愈高，則雙環戊二烯的開環聚合物的氫化物之熔點愈高的傾向。外消旋二單元組的比例可依據如後所述之實施例所記載的 ¹³C-NMR光譜分析來決定。

作為具有結晶性的含脂環結構聚合物，得使用透過國際專利公開第2018/062067號所揭示之製造方法而獲得的聚合物。

具有結晶性的含脂環結構聚合物之熔點Tm，以200℃以上為佳，以230℃以上為較佳，且以290℃以下為佳。藉由使用具有此種熔點Tm之結晶性聚合物，可獲得成形性與耐熱性的平衡更加優異的基材。

通常具有結晶性的含脂環結構聚合物等結晶性聚合物具有玻璃轉移溫度Tg。結晶性聚合物之具體的玻璃轉移溫度Tg，並不特別受限，但通常為85℃以上，且通常為170℃以下。

聚合物的玻璃轉移溫度Tg及熔點Tm可透過以下方法來量測。首先，藉由加熱使聚合物熔解，利用乾冰將熔解之聚合物急速冷卻。接下來，使用此聚合物作為試驗體，使用微差掃描熱量計（DSC），在10℃／分鐘的升溫速度（升溫模式）下，得量測聚合物的玻璃轉移溫度Tg及熔點Tm。

具有結晶性的含脂環結構聚合物等結晶性聚合物的重量平均分子量（Mw），以1,000以上為佳，以2,000以上為較佳，且以1,000,000以下為佳，以500,000以下為較佳。具有此種重量平均分子量的結晶性聚合物之成形加工性與耐熱性的平衡優異。

具有結晶性的含脂環結構聚合物等結晶性聚合物的分子量分布（Mw／Mn），以1.0以上為佳，以1.5以上為較佳，且以4.0以下為佳，以3.5以下為較佳。於此，Mn表示數量平均分子量。具有此種分子量分布之結晶性聚合物的成形加工性優異。結晶性聚合物的重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn），得透過以四氫呋喃作為溶析液的凝膠滲透層析法（GPC）以聚苯乙烯換算值之形式來量測。

在樹脂（a1）中之具有結晶性的含脂環結構聚合物的比例，以50重量%以上為佳，以70重量%以上為較佳，以90重量%以上為尤佳。藉由將具有結晶性的含脂環結構聚合物的比例做成前述範圍的下限值以上，可有效提高基材的耐熱性。結晶性聚合物之比例的上限得為100重量%以下。

樹脂（a1）所包含之具有結晶性的含脂環結構聚合物在製造基材之前，亦可不結晶化。然而，在本發明之堆疊體中構成基材的狀態下，該基材所包含之結晶性聚合物，以結晶化為佳，以具有高結晶度為佳。藉由具有高結晶度，得更良好顯現耐熱性等本發明之功效。具體的結晶度之範圍，以20%以上為佳，以25%以上為較佳，以30%以上為尤佳。結晶度的上限並不特別受限，但得做成95%以下。結晶性聚合物的結晶度得透過密度法、X射線繞射法或利用微差掃描熱量計的量測法來量測。

樹脂（a1）除了具有結晶性的含脂環結構聚合物之外，還得包含任意成分。作為任意成分之例，可列舉：抗氧化劑、光穩定劑、蠟、成核劑、螢光增白劑、紫外線吸收劑、無機填充材、著色劑、阻燃劑、阻燃助劑、抗靜電劑、塑化劑、近紅外線吸收劑、滑劑、填料，以及結晶性聚合物以外之任意聚合物等。並且，任意成分可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。

基材的厚度以5 μm以上為佳，以10 μm以上為較佳，且以160 μm以下為佳，以150 μm以下為較佳。

〔保護薄膜〕

樹脂（b1）――即保護薄膜中之構成保護薄膜的樹脂――就輕易獲得具備於上已述之特定物性的保護薄膜之觀點而言，以具備包含具有結晶性的聚合物之樹脂的層體為佳。惟尤其就滿足式（1）之條件的觀點而言，保護薄膜中之構成保護薄膜的材料通常得定為與構成基材的樹脂（a1）相異的材料。作為此種材料之例，可列舉：得顯現儲存彈性係數低於於上已述之樹脂（a1）的示例之中作為基材的構成要件而採用者的樹脂、包含具有結晶性的含脂環結構聚合物以外之結晶性聚合物的樹脂及其他材料。

作為構成樹脂（b1）的結晶性聚合物之例，可舉出與於上已述之構成樹脂（a1）的聚合物之示例之中作為基材的構成要件而採用者不同種類的聚合物。

作為構成樹脂（b1）的結晶性聚合物之另一例，可列舉：苯乙烯系聚合物（例如苯乙烯或苯乙烯衍生物的均聚物或得與其聚合之其他單體的共聚物）；三醯基纖維素等纖維素系聚合物；聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴；聚對酞酸乙二酯、聚對酞酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯；聚苯硫醚等聚芳硫醚；聚乙烯醇；聚碳酸酯；聚芳酯；聚醚碸；聚碸；聚芳碸；聚氯乙烯；聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈等丙烯醯系聚合物；聚醯亞胺；聚醯胺。此等聚合物可為均聚物，亦可為共聚物。

尤其，作為具有結晶性的聚苯乙烯系聚合物之例，可舉出日本專利公開第2011-118137號公報所記載者。

樹脂（b1）除了聚合物之外還得包含任意成分。作為樹脂（b1）所得包含之任意成分之例，可舉出與樹脂（a1）所得包含之任意成分之例相同的成分。樹脂（b1）可單獨包含1種聚合物，亦可以2種以上之任意比率的組合而包含。在樹脂（b1）100重量%中之聚合物的比例，以70重量%以上為佳，以80重量%以上為較佳，以85重量%以上為更佳，且通常為100重量%以下，亦可為100重量%。

樹脂（b1）的玻璃轉移溫度以60℃以上為佳，以70℃以上為較佳，且以180℃以下為佳，以170℃以下為較佳。藉由樹脂（b1）的玻璃轉移溫度為前述下限值以上，得有效提升堆疊體的耐熱性。並且，藉由玻璃轉移溫度為前述上限值以下，得提升成形性。

在保護薄膜與接合層組合構成複合薄膜的情況下，保護薄膜之接觸於接合層之側的表面得做成經實施電暈處理、電漿處理等表面處理之面。亦即，於保護薄膜的其中之一表面實施表面處理，得於該表面之上形成接合層。藉由進行此種表面處理，可提高保護薄膜與接合層的接合性，其結果，在使用時自保護薄膜剝離基材時，可輕易達成無殘膠的良好剝離。

在堆疊體中之保護薄膜的厚度，以5 μm以上為佳，以10 μm以上為較佳，且以150 μm以下為佳，以140 μm以下為較佳。

在本發明之堆疊體中之保護薄膜係包含具有結晶性之聚合物的樹脂之層體的情況下，構成保護薄膜的聚合物得做成以某程度以上之結晶度結晶化者。具體之結晶度的範圍以20%以上為佳，以25%以上為較佳，以30%以上為尤佳。結晶度的上限並不特別受限，但得做成95%以下。

〔接合層〕

在本發明之堆疊體具備接合層的情況下，作為構成接合層的接合劑，可舉出將各種聚合物做成基底聚合物者。作為此種基底聚合物之例，可列舉：丙烯醯系聚合物、胺甲酸酯系聚合物、聚酯系聚合物、橡膠系聚合物、環氧系聚合物、聚矽氧系聚合物。並且，接合劑得包含聚合起始劑、固化劑、紫外線吸收劑、著色劑、抗靜電劑等任意成分組合於前述基底聚合物。

接合劑包含黏合劑（壓敏型接合劑）。

作為接合劑，得利用市售品。並且，由於市售有各種接合層作為具有接合性的薄膜，得利用其構成接合層。接合層可具有單層結構，亦可具有多層結構。

接合層的厚度並不特別受限，例如得做成3 μm～30 μm的範圍，例如得做成5 μm～20 μm的範圍。

〔堆疊體的製造方法〕

本發明之堆疊體得利用任意方法來製造。就輕易製造滿足式（1）～（2）所規定之要件的堆疊體之觀點而言，本發明之堆疊體以透過包含下述工序（1）～（2）的製造方法來製造為佳。以下說明該製造方法作為本發明之堆疊體的製造方法。

工序（1）：貼合退火前基材及退火前保護薄膜，獲得具備退火前基材及退火前保護薄膜的退火前堆疊體的工序。

工序（2）：將退火前堆疊體進行退火處理的工序。

〔退火前基材〕

作為在工序（1）中使用的退火前基材之材料之例，可舉出與作為係為構成本發明之堆疊體的基材之材料的樹脂（a1）之例於上已列舉者相同者。惟退火前基材及退火前保護薄膜由於得具有與在堆疊體中之基材及保護薄膜相異的儲存彈性係數及熱收縮率，此等在此時點亦可不滿足前述式（1）～（2）。

退火前基材的製備方法並不特別受限，得透過任意的薄膜製造方法來製備。具體而言，藉由採用熔融擠製法等已知的成形方法，將樹脂（a1）成形為長條狀之薄膜的形狀，得製備退火前基材。或者，作為退火前基材，亦可利用能夠取得的市售品。

將樹脂（a1）透過熔融擠製法等成形方法而成形的薄膜或係為市售之樹脂（a1）的薄膜得就此使用作為退火前基材。或者，亦可將此等薄膜作為原料薄膜，視需求對其施以任意處理後作為退火前基材使用。舉例而言，亦可將原料薄膜供於延伸的工序，做成具有期望的相位差、尺寸及其他性質的薄膜，將其作為退火前基材使用。再者，為了獲得期望的性質，得於延伸之後進行樹脂（a1）之結晶化促進的工序。

延伸方向並無限制，可列舉例如：長邊方向、幅寬方向、斜向等。於此，所謂斜向，表示相對於厚度方向為垂直的方向且既不平行亦不垂直於幅寬方向的方向。並且，延伸方向可為單一方向，亦可為兩個以上的方向。據此，作為延伸方法，可列舉例如：將原料薄膜沿長邊方向進行單軸延伸的方法（縱向單軸延伸法）、將原料薄膜沿幅寬方向進行單軸延伸的方法（橫向單軸延伸法）等單軸延伸法；將原料薄膜沿長邊方向延伸同時沿幅寬方向延伸的同時雙軸延伸法、將原料薄膜沿長邊方向及幅寬方向之一者延伸後再沿另一者延伸的逐次雙軸延伸法等雙軸延伸法；將原料薄膜沿斜向延伸的方法（斜向延伸法）；及此等的組合。

作為單軸延伸法的態樣之例，可列舉：固定端單軸延伸法及自由端單軸延伸法。固定端單軸延伸法係固定與原料薄膜延伸方向正交之方向的邊緣部來進行的延伸方法，自由端單軸延伸法係不固定與原料薄膜延伸方向正交之方向的邊緣部來進行的延伸方法。縱向單軸延伸法在大多的情況下係自由端單軸延伸，橫向單軸延伸法在大多的情況下係固定端單軸延伸。

延伸倍率得以在堆疊體中基材具有期望的相位差、尺寸及其他性質的方式適當調整。具體而言，以1倍以上為佳，以1.01倍以上為較佳，且以15倍以下為佳，以11倍以下為較佳。在延伸為雙軸延伸的情況下，以面倍率――即兩方向的延伸倍率之積――在此種範圍內為佳。

延伸溫度以「Tg＋5℃」以上為佳，以「Tg＋10℃」以上為較佳，且以「Tg＋100℃」以下為佳，以「Tg＋90℃」以下為較佳。於此，「Tg」表示經延伸之聚合物的玻璃轉移溫度。在延伸溫度為前述範圍之下限值以上的情況下，可使原料薄膜充分軟化以均勻進行延伸。並且，在延伸溫度為前述範圍之上限值以下的情況下，由於可抑制由聚合物之結晶化的進行所致之原料薄膜的固化，故可順利進行延伸，並且可藉由延伸而使大的雙折射顯現。再者，通常可使所獲得之基材的霧度減小而提高透明性。

結晶化促進工序得在延伸的工序之後藉由加熱薄膜來進行。此種加熱得在控制薄膜的尺寸維持延伸後的尺寸之狀態下，或自延伸後之尺寸縮小受控制的少許倍率來進行。在使薄膜縮小之情況下的尺寸變化之比例，以0.90倍以上為佳，得做成未達1倍。在使薄膜沿二方向縮小的情況下，以面倍率――即二方向的尺寸變化之倍率之積――為此種範圍內為佳。縮小的倍率係在將縮小前之尺寸定為1的情況下之縮小後之尺寸的比例。

在結晶化促進工序中之加熱溫度通常為結晶性聚合物的玻璃轉移溫度Tg以上且結晶性聚合物的熔點Tm以下。更詳細而言，加熱溫度以Tg℃以上為佳，以Tg＋10℃以上為較佳，且以Tm−10℃以下為佳，以Tm−20℃以下為較佳。藉由將加熱溫度定為此種範圍內，可抑制由結晶化的進行所致之白色混濁，同時使結晶性聚合物的結晶化迅速進行。

加熱處理時間以1秒以上為佳，以5秒以上為較佳，且以30分鐘以下為佳，以15分鐘以下為較佳。

〔退火前保護薄膜及接合層〕

作為在工序（1）中使用之退火前保護薄膜的材料之例，可舉出與作為係為構成本發明之堆疊體的保護薄膜之材料的樹脂（b1）之例於上已列舉者相同者。

退火前保護薄膜的製備方法並不特別受限，得透過任意的薄膜製造方法來製備。具體而言，藉由採用熔融擠製法等已知的成形方法，將樹脂（b1）成形為長條狀之薄膜的形狀，得製備退火前保護薄膜。或者，作為退火前保護薄膜，亦可利用能夠取得的市售品。退火前保護薄膜雖可為經延伸的薄膜，但尤其亦可為未施以延伸之處理的薄膜。

在工序（1）之前，得先於退火前保護薄膜的表面設置接合層，構成複合薄膜。作為接合層的形成方法，得藉由將接合劑塗布於退火前保護薄膜的表面來進行。塗布之接合劑的層體得視需求進一步供於固化處理，做成具有期望之物性的接合層。或者，亦得藉由於退火前保護薄膜的表面轉印具有接合性的薄膜之層體來設置接合層。

作為在塗布接合劑之情況下的塗布方法之例，可列舉：線棒塗法、噴灑法、輥塗法、輪轉凹版塗法、模塗法、簾塗法、斜板式塗法及擠壓塗法。作為接合劑的固化處理之例，可舉出乾燥處理，作為此例，可列舉：減壓乾燥、加熱乾燥及此等的組合。

〔退火前基材及退火前保護薄膜的物性〕

由於退火前基材係包含具有結晶性之含脂環結構聚合物的樹脂之層體，構成退火前基材的聚合物得做成以某程度以上之結晶度結晶化者。具體之結晶度的範圍，以20%以上為佳，以25%以上為較佳，以30%以上為尤佳。結晶度的上限並不特別受限，但得做成95%以下。

在退火前保護薄膜係包含具有結晶性之聚合物的樹脂之層體的情況下，構成退火前保護薄膜的聚合物得做成以某程度以上之結晶度結晶化者。具體之結晶度的範圍，以20%以上為佳，以25%以上為較佳，以30%以上為尤佳。結晶度的上限並不特別受限，但得做成95%以下。

退火前基材及退火前保護薄膜的儲存彈性係數及熱收縮率以係為產品之堆疊體中之基材及保護薄膜的儲存彈性係數及熱收縮率呈於上已述之期望之值的方式適當調整材料及製備條件。退火前基材及退火前保護薄膜的儲存彈性係數及熱收縮率以及此等的比率本身並不特別受限，但以以下範圍之值為佳。

退火前基材在180℃下之儲存彈性係數pE′s與退火前保護薄膜在180℃下之儲存彈性係數pE′p，以此等之比pE′s／pE′p為特定範圍之值為佳。pE′s／pE′p之值以未達1為佳，以0.95以下為較佳，以0.90以下更為較佳。pE′s／pE′p之下限並不特別受限，但得定為0.1以上。pE′s及pE′p各自之值並不特別受限，但得定為例如1.0×10 ⁷Pa以上且1.0×10 ⁹Pa以下。

並且，退火前基材在180℃、2分鐘下之堆疊體長邊方向的熱收縮率pFs（%）及退火前保護薄膜在180℃、2分鐘下之堆疊體長邊方向的熱收縮率pFp（%），以此等之差pFs−pFp為特定範圍之值為佳。pFs−pFp之值，以−1.0%以上為佳，以−0.8%以上為較佳，且另一方面以1.0%以下為佳，以0.8%以下為較佳。pFs及pFp各自之值並不特別受限，但得定為例如−0.3%以上且1.0%以下。

藉由pE′s／pE′p之值及pFs−pFp之值為上述良佳範圍內，可輕易製造具備滿足前述式（1）及（2）之基材及保護薄膜的本發明之堆疊體。

〔工序（1）〕

工序（1）得藉由將長條狀之退火前基材與退火前保護薄膜對齊長邊方向並疊合，將此等加壓來進行。加壓得以軋輥等加壓長條狀之薄膜的裝置連續進行。在退火前保護薄膜伴隨接合層構成複合薄膜的情況下，將複合薄膜之接合層側的表面與退火前基材的表面貼合，藉此，得獲得退火前基材與退火前保護薄膜中介接合層而貼合的退火前堆疊體。

〔工序（2）〕

在工序（2）中之退火處理得藉由將退火前堆疊體在拘束於其面內方向之中至少1個方向上的狀態下加熱來進行。退火前堆疊體的拘束，舉例而言，得藉由將退火前堆疊體拘束在其長邊方向、幅寬方向或此等兩方向上來進行。

伴隨退火前堆疊體的長邊方向之拘束的退火處理，舉例而言，得使用輥輔助方式的薄膜乾燥機。輥輔助方式的乾燥機具備上游側的軋輥與下游側的軋輥，以及設置於其之間的烘箱，且係得藉由調整上游側軋輥與下游側軋輥的圓周速率比，在對軋輥間之薄膜賦予張力的狀態下搬運長條狀的薄膜，在其之間使之通過烘箱內，藉由在烘箱內僅以自下側支撐薄膜的非拘束之輥引導薄膜，在烘箱內進行在沒有薄膜幅寬方向之拘束的狀態下之薄膜加熱的裝置。將退火前堆疊體沿著沿其長邊方向的方向搬運，連續導入至乾燥機並加熱，藉此得進行退火處理。此情況下對薄膜賦予的張力以3 N／m以上為佳，得定為25 N／m以下。

伴隨退火前堆疊體的長邊方向之拘束的退火處理，舉例而言，得使用具有與於延伸之處理所使用之裝置相同之結構的裝置來進行。更具體而言，得使用拉幅方式的延伸機等得控制長條狀之薄膜的長邊方向及幅寬方向之兩者的尺寸而連續加熱薄膜的裝置，在此種延伸機內握持薄膜，在維持薄膜的長邊方向及幅寬方向之尺寸而不使之變化的狀態下搬運薄膜並加熱，藉此進行退火處理。

在退火處理中之加熱溫度通常為結晶性聚合物的玻璃轉移溫度Tg以上且結晶性聚合物的熔點Tm以下。更詳細而言，加熱溫度以Tg＋20℃以上為佳，以Tg＋40℃以上為較佳，且以Tm−20℃以下為佳，以Tm−40℃以下為較佳。加熱時間以5秒以上為佳，以10秒以上為較佳，且另一方面以30分鐘以下為佳，以15分鐘以下為較佳。藉由將加熱溫度及時間定為此種範圍內，可達成良好的退火處理，可獲得具備退火後之基材及保護薄膜的本發明之堆疊體。

在將係為包含具有結晶性之含脂環結構聚合物的樹脂之薄膜的退火前基材在沒有保護薄膜之單獨的狀態下進行退火處理的情況下，平面性容易損毀，此種現象在退火前基材於退火處理之前先以高的面倍率延伸的情況下尤為顯著。作為用以減低此種平面性的損毀的方策，可想見將基材在退火處理之前先做成與保護薄膜的堆疊體。然而，單單設置保護薄膜，並不易減低平面性的損毀，並且在所獲得之基材中，會有由退火處理所致之耐熱性顯現不充分的情形。

於此，根據本發明人發現的結果，將退火前基材及退火前保護薄膜的材料以及退火處理前之處理條件以退火後之基材及保護薄膜成為滿足前述式（1）及（2）者的方式適當調整的狀態下做成退火前堆疊體，將其進行退火處理，藉此可輕易製造具有良好的平面性及耐熱性的堆疊體。

〔任意工序〕

本發明之堆疊體的製造方法除了前述工序（1）～（2）之外，得更包含任意工序。作為此種任意工序之例，可列舉：於堆疊體所包含之基材的表面形成導電層等追加層體的工序及收捲堆疊體以獲得捲繞體的工序。

〔堆疊體的用途〕

本發明之堆疊體得就此使用作為光學裝置的構成要件或不受限於光學裝置之其他電子零件及電性零件的構成要件。或者，得自本發明之堆疊體剝離保護薄膜，將剩餘的基材使用作為光學裝置的構成要件或其他電子零件及電性零件的構成要件。

作為光學裝置的構成要件之例，可列舉：液晶顯示裝置、有機電致發光顯示裝置等顯示裝置及其他裝置中之基板薄膜、相位差薄膜、偏光薄膜及光擴散片。基板薄膜得活用其可撓性，尤其有利於作為觸控面板基板薄膜及可撓性顯示基板薄膜使用。並且，亦可良佳列舉作為聚光片及光學記憶卡等構成要件的用途。

作為其他電子零件及電性零件的構成要件之例，可列舉：可撓性印刷基板用薄膜、薄膜電容器、高頻電路基板薄膜、天線基板薄膜、電池分離器用薄膜及離型薄膜。

堆疊體可良好維持平面性，對於熱負荷之形狀變化少，且在高溫環境下之捲曲量少。因此，得尤其有利於使用作為用以製造在高溫下進行形成工序之光學元件（舉例而言，觸控面板所包含之導電層）的基材。並且，本發明之堆疊體中之基材得藉由具有期望的相位差，於自堆疊體剝離後尤其有利於使用作為相位差層。再者，本發明之堆疊體中之基材得活用其高的平面性及耐熱性，使用作為保護偏光件的保護薄膜。

『實施例』

以下揭示實施例以具體說明本發明。惟本發明並非受限於以下所揭示之實施例者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍的範圍中得任意變更而實施。

在以下說明中，表示量的「%」及「份」，除非另有註記，否則係重量基準。並且，以下所說明之操作，除非另有註記，否則在常溫及常壓條件的條件下進行。

〔評價方法〕

（聚合物的重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn）

聚合物的重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn係使用凝膠滲透層析法（GPC）系統（東曹公司製「HLC-8320」）以聚苯乙烯換算值之形式來量測。量測時，作為管柱，使用H型管柱（東曹公司製），作為溶媒，使用四氫呋喃。量測時的管柱溫度定為40℃。

（聚合物之氫化率的量測方法）

聚合物的氫化率係以鄰二氯苯-d ₄作為溶媒在145℃下透過 ¹H-NMR量測。

（玻璃轉移溫度Tg及熔點Tm）

藉由加熱使聚合物熔解，利用乾冰將熔解之聚合物急速冷卻。接下來，使用此聚合物作為試驗體，使用微差掃描熱量計（DSC），在10℃／分鐘的升溫速度（升溫模式）下，量測聚合物的玻璃轉移溫度Tg及熔點Tm。

（開環聚合物氫化物中之外消旋二單元組的比例）

以鄰二氯苯-d ₄／1,2,4-三氯苯（TCB）-d ₃（混合比（質量基準）1／2）作為溶媒，在200℃下應用反閘控去耦法（inverse-gated decoupling）進行 ¹³C-NMR量測，求出外消旋二單元組的比例。具體而言，將鄰二氯苯-d ₄之127.5 ppm的尖峰定為基準偏移，鑑定源自內消旋二單元組之43.35 ppm的訊號與源自外消旋二單元組之43.43 ppm的訊號。依據此等訊號的強度比，求出外消旋二單元組的比例。

（膜厚）

薄膜的厚度係使用接觸式厚度計（MITUTOYO公司製，Code No.543-390）來量測。

（熱收縮率）

在退火前基材及退火前保護薄膜的熱收縮率（pFs及pFp）之量測中，在23℃（室溫）的環境下，裁切各薄膜，做成120 mm×120 mm的大小之正方形的試樣薄膜。另一方面，在係為退火處理後之堆疊體的各層體之基材及保護薄膜的熱收縮率（Fs及Fp）之量測中，在23℃（室溫）的環境下，裁切堆疊體，做成120 mm×120 mm的大小之正方形的切片，將基材與複合薄膜剝離，分別做成試樣薄膜。由於接合層對熱收縮率賦予的影響小至可無視的程度，對於保護薄膜，在伴隨接合層之複合薄膜的狀態就此進行熱收縮率的量測。試樣薄膜之正方形的各邊定為平行於薄膜的長邊方向或幅寬方向的方向。

將此試樣薄膜在指定加熱條件下加熱，之後冷卻至23℃（室溫），然後量測試樣薄膜之四邊的長度。加熱條件在退火前基材及退火前保護薄膜的量測中定為145℃、60分鐘及200℃、10分鐘之2種。在退火處理後之基材及保護薄膜的量測中，加熱條件定為180℃、2分鐘。再來，在退火處理後之基材的量測中，亦進行145℃、60分鐘及200℃、10分鐘的量測。

以所量測之四邊各自的長度為基礎，依據下述式（I）算出試樣薄膜的熱收縮率。在式（I）中，L _B表示加熱前之試樣薄膜的邊長，在本量測中L _B為120 mm，L _A表示加熱後之試樣薄膜的邊長。 熱收縮率（%）＝［（L _B−L _A）／L _B］×100　（I）

在熱收縮率為正值的情況下，表示薄膜會因加熱而收縮，在為負值的情況下，表示薄膜會因加熱而伸長。

採用沿著薄膜的搬運方向（亦即，長條狀的薄膜之長邊方向）之2邊的收縮率之平均值作為薄膜之搬運方向的熱收縮率，亦即長條狀的薄膜在長邊方向上的熱收縮率。並且，採用沿著薄膜的幅寬方向之2邊的熱收縮率之平均值作為長條狀的薄膜在幅寬方向上的熱收縮率。再者，對於退火處理後之基材及保護薄膜，由基材在長邊方向上的熱收縮率Fs（%）及保護薄膜在長邊方向上的熱收縮率Fp（%）求出Fs−Fp之值。

（彈性係數）

在23℃（室溫）的環境下，裁切退火處理後之堆疊體，做成長度20 mm×幅寬5 mm的大小之長方形的切片，將基材與複合薄膜剝離，分別做成試樣薄膜。由於接合層對彈性係數賦予的影響小至可無視的程度，對於保護薄膜，在伴隨接合層之複合薄膜的狀態就此進行彈性係數的量測。試樣薄膜之長方形的長度方向之邊定為與長條狀之堆疊體的長邊方向平行的方向。

使用動態黏彈性量測裝置（Hitachi High-Tech Science Corporation製，產品名：DMA7100）在頻率1 Hz、升溫速度每分鐘5℃、溫度範圍25～220℃下進行伸縮黏彈性量測，採用180℃的儲存彈性係數E′s及E′p。

（平面的平滑性）

裁切退火處理後之堆疊體，做成300 mm×300 mm之正方形的切片，將基材與保護薄膜剝離。將基材於水平且平坦之平臺的上面展開，透過目視依據以下基準評價基材之表面的平滑性。 良：無具有沿著搬運方向之條痕的浪板狀之皺褶，實用上沒有問題。 可：有少許具有沿著搬運方向之條痕的浪板狀之皺褶，實用上沒有問題。 不可：有具有沿著搬運方向之條痕的浪板狀之皺褶，實用上會成為問題。

（退火處理後之堆疊體的捲曲量）

在23℃（室溫）的環境下，裁切退火處理後之堆疊體，做成50 mm×50 mm之正方形的試樣薄膜。將試樣薄膜載置於水平且平坦之平臺的上面。載置時，觀察試樣薄膜，將被認為收縮而變成凹型的形狀之側的面定為上側。以規尺量測試樣薄膜的四角自平臺的上面浮起的量（捲曲量），將四角的平均值定為試樣薄膜的捲曲量。

（結晶度）

退火前基材及退火前保護薄膜的結晶度係將此等裁切成適當的大小做成試樣薄膜，透過以下手法來量測。

係為退火處理後之堆疊體的各層體之基材及保護薄膜的結晶度係將堆疊體裁切成適當的大小，將基材與保護薄膜剝離，使用甲基乙基酮等有機溶媒擦拭附著於保護薄膜的接合層，將充分乾燥者做成試樣薄膜，透過以下手法來量測。

（基材薄膜／PET薄膜的結晶度）

使用氦氣置換型之乾式自動密度計「AccuPyc 1340」（Micromeritics公司製）來量測試樣薄膜的密度。將約3 g之試樣薄膜裁切成幅寬30 mm以下的條片狀，捲起並放入10 cm ³的容器，維持25℃並量測。由10次的重複量測來決定密度。

依據下式計算結晶度x（%）。 x＝（1／Da−1／D）／（1／Da−1／Dc）×100

在前述式中，x表示結晶度。D（g／cm ³）表示所決定之試樣薄膜的密度。Da表示形成試樣薄膜之聚合物的完全非晶密度（g／cm ³）。Dc表示形成試樣薄膜之聚合物的完全結晶密度（g／cm ³）。

使用下述值作為完全非晶密度Da。 ．在製造例1所製造之雙環戊二烯開環聚合物氫化物的完全非晶密度Da＝1.0157 g／cm ³．聚對酞酸乙二酯（PET）的完全非晶密度Da＝1.335 g／cm ³

使用下述值作為完全結晶密度Dc。 ．在製造例1所製造之雙環戊二烯開環聚合物氫化物的完全結晶密度Dc＝1.0857 g／cm ³．PET的完全結晶密度Dc＝1.455 g／cm ³

（SPS薄膜的結晶度）

使用微差掃描熱量計（DSC），量測將試樣薄膜自50℃以20℃／分鐘的升溫速度升溫至300℃時之結晶化焓與熔解焓並透過下式算出。 結晶度（%）＝｛〔熔解焓（J／g）−結晶化焓（J／g）〕／結晶度100%時之熔解焓（J／g）｝×100

於此，使用53 J／g作為結晶度100%時之熔解焓（J／g）。

（聚醯胺薄膜的結晶度）

係為聚醯胺薄膜之試樣薄膜的結晶度係透過X射線繞射法來量測。

〔製造例1：結晶性樹脂〕

將金屬製的耐壓反應器充分乾燥後進行氮氣置換。於此金屬製耐壓反應器加入環己烷154.5份、雙環戊二烯（內型異構物含有率99%以上）之濃度70%環己烷溶液42.8份（作為雙環戊二烯的量為30份）以及1-己烯1.9份，加溫至53℃。

將四氯化苯基醯亞胺(四氫呋喃)鎢錯合物0.014份溶解於0.70份的甲苯，製備溶液。於此溶液加入濃度19%的二乙基乙氧基鋁／正己烷溶液0.061份，攪拌10分鐘，製備觸媒溶液。將此觸媒溶液加入耐壓反應器，起始開環聚合反應。之後，保持53℃同時使其反應4小時，獲得雙環戊二烯之開環聚合物的溶液。所獲得之雙環戊二烯之開環聚合物的數量平均分子量（Mn）及重量平均分子量（Mw）分別為8,750及28,100，由此等求出的分子量分布（Mw／Mn）為3.21。

於所獲得之雙環戊二烯的開環聚合物之溶液200份加入1,2-乙二醇0.037份作為終止劑，加溫至60℃，攪拌1小時，使聚合反應終止。於其加入類水滑石化合物（協和化學工業公司製「KYOWAAD（註冊商標）2000」）1份，加溫至60℃，攪拌1小時。之後，加入助濾劑（昭和化學工業公司製「RADIOLITE（註冊商標）#1500」）0.4份，使用PP褶筒式濾器（ADVANTEC東洋公司製「TCP-HX」）過濾分離吸附劑與溶液。

於過濾後之雙環戊二烯之開環聚合物的溶液200份（聚合物量30份）加入環己烷100份，添加氯氫化羰基參(三苯基膦)釕0.0043份，在氫壓6 MPa、180℃下進行4小時氫化反應。藉此，可獲得包含雙環戊二烯之開環聚合物之氫化物的反應液。此反應液之氫化物析出成為漿料溶液。

使用離心分離器將於前述反應液所包含之氫化物與溶液分離，在60℃下減壓乾燥24小時，獲得具有結晶性之雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物28.5份。此氫化物的氫化率為99%以上，玻璃轉移溫度Tg為93℃，熔點（Tm）為267℃，外消旋二單元組的比例為89%。

於所獲得之雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物100份混合抗氧化劑（肆{3-[3′,5′-二(三級丁基)-4′-羥基苯基]丙酸亞甲基}甲烷，BASF Japan公司製「Irganox（註冊商標）1010」）1.1份後，放入具備4個內徑3 mm⌀之模孔的雙軸擠製機（產品名「TEM-37B」，東芝機械公司製）。藉由熱熔融擠製成形將雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物及抗氧化劑之混合物成形為股狀後，利用股料切粒機細切，獲得顆粒形狀的結晶性樹脂（樹脂A）。前述雙軸擠製機的運轉條件如以下所示。 ．料桶設定溫度＝270～280℃ ．模具設定溫度＝250℃ ．螺桿轉數＝145 rpm

〔實施例1〕

（1-1.退火前基材）

於在製造例1所製造之樹脂A 100份，混合抗結塊劑（矽石粒子，Admatechs公司製，產品名：「ADMAFINE SILICA SC4053-SQ」）0.05份後，使用具備T字模具之熱熔融擠製薄膜成形機來成形，獲得幅寬約1200 mm之長條狀的擠製薄膜（厚度500 μm）。前述薄膜成形機的運轉條件係如以下所示。 ．料桶設定溫度＝280℃～300℃ ．模具溫度＝270℃ ．鑄造輥溫度＝80℃

將擠製薄膜供應至同時雙軸延伸機，供於同時雙軸延伸工序。延伸倍率定為長邊方向3.5倍、幅寬方向2.9倍，延伸溫度定為115℃。於延伸工序之後，將薄膜供於結晶化促進工序。結晶化促進係藉由下述來進行，在延伸機中維持握持薄膜的狀態，將薄膜於溫度240℃加熱15秒，將薄膜尺寸縮小成長邊方向0.94倍、幅寬方向0.96倍。結晶化促進工序結束後，將薄膜冷卻至溫度100℃以下，透過狹縫加工切除薄膜幅寬方向兩邊緣部，將退火前基材做成幅寬1100 mm之長條狀的薄膜而獲得。量測所獲得之退火前基材的熱收縮率、膜厚及結晶度。

（1-2.包含退火前保護薄膜的複合薄膜）

將市售之厚度35 μm的SPS（對排聚苯乙烯）薄膜（倉敷紡績公司製，產品名「Oidys（註冊商標）HNL」）自薄膜卷抽出，對單面施以放電處理（電暈處理）。放電處理係使用電暈處理裝置（春日電機公司製），放電條件定為輸出500 W、電極長1.35 m、搬運速度10 m／min。

於薄膜之經施以放電處理之側的表面以乾燥膜厚會成為10 μm的方式使用模具塗布機塗布作為接合劑之丙烯醯系黏合劑（藤森工業公司製「MASTACK系列」），使其通過100℃的乾燥烘箱中以使接合劑乾燥。藉此，將具備係為SPS薄膜之保護薄膜與形成於其中之一表面之接合層的複合薄膜做成幅寬1100 mm之長條狀的薄膜而獲得。量測退火前保護薄膜的熱收縮率及結晶度。

（1-3.退火前堆疊體）

將在（1-1）獲得之退火前基材之其中之一表面與在（1-2）獲得之複合薄膜的接合層側之表面對齊長邊方向並以軋輥貼合，製作具備退火前基材及退火前保護薄膜之長條狀的退火前堆疊體。

（1-4.堆疊體）

藉由將在（1-3）獲得之退火前堆疊體沿著沿其長邊方向的方向搬運，連續導入至乾燥機並加熱來進行退火處理。作為乾燥機，使用輥輔助方式的乾燥機。此乾燥機具備上游側的軋輥與下游側的軋輥，以及設置於其之間的烘箱，且係藉由調整上游側軋輥與下游側軋輥的圓周速率比，在對軋輥間之薄膜賦予張力的狀態下搬運長條狀的薄膜，在其之間使之通過烘箱內，藉由在烘箱內僅以自下側支撐薄膜的非拘束之輥引導薄膜，在烘箱內進行在沒有薄膜幅寬方向之拘束的狀態下之薄膜加熱的裝置。退火處理中之加熱溫度定為200℃、加熱時間定為2分鐘、搬運張力定為13 N。此種退火處理的結果，獲得具備基材及保護薄膜的堆疊體。

（1-5.評價）

對於在（1-4）獲得之堆疊體，評價各層體之彈性係數、各層體之熱收縮率、各層體之結晶度、表面的平滑性及捲曲量。

〔實施例2〕

除了下述變更點以外，藉由比照實施例1之操作獲得堆疊體並予以評價。 ．在（1-2）之包含退火前保護薄膜的複合薄膜之製備中，使用厚度75 μm的SPS薄膜（倉敷紡績公司製，產品名「Oidys（註冊商標）CN」）代替厚度35 μm的SPS薄膜。

〔實施例3〕

除了下述變更點以外，藉由比照實施例1之操作獲得堆疊體並予以評價。 ．在（1-1）之退火前基材的製備中，變更T字模具之開口的尺寸及成形機的操作條件，將擠製薄膜的厚度變更為430 μm。進一步變更延伸倍率，長邊方向由3.5倍變更為2.6倍、幅寬方向由2.9倍變更為3.3倍。惟結晶化促進工序中之縮小率，由實施例1並無變更。所獲得之退火前基材的幅寬方向尺寸亦為1100 mm，由實施例1並無變更。

〔實施例4〕

除了下述變更點以外，藉由比照實施例1之操作獲得堆疊體並予以評價。 ．在（1-1）之退火前基材的製備中，變更T字模具之開口的尺寸及成形機的操作條件，將擠製薄膜的厚度變更為1000 μm。

〔實施例5〕

（5-1.退火前基材）

將在製造例1製造之樹脂A使用具備T字模具之熱熔融擠製薄膜成形機來成形，獲得幅寬約1350 mm之長條狀的擠製薄膜（厚度48 μm）。前述薄膜成形機的運轉條件係如以下所示。 ．料桶設定溫度＝280℃～300℃ ．模具溫度＝270℃ ．鑄造輥溫度＝80℃

將擠製薄膜供應至使用拉幅法的橫向延伸機，供於固定端單軸延伸。延伸倍率定為長邊方向1.0倍、幅寬方向1.35倍。在延伸之前先將擠製薄膜在溫度120℃下預熱，之後在延伸溫度140℃下進行延伸。延伸工序之後，將薄膜供於結晶化促進工序。結晶化促進係藉由下述來進行，在延伸機內握持薄膜，在維持薄膜尺寸而不使之變化的狀態下搬運薄膜，將薄膜於溫度160℃加熱30秒。結晶化促進工序結束後，將薄膜冷卻至溫度100℃以下，透過狹縫加工切除薄膜幅寬方向兩邊緣部，將退火前基材做成幅寬1100 mm之長條狀的薄膜而獲得。量測所獲得之退火前基材的熱收縮率、膜厚及結晶度。

（5-2.包含退火前保護薄膜的複合薄膜）

將市售之PET薄膜（東麗公司製，產品名「Lumirror S10」，厚度125 μm）自薄膜卷抽出，對單面施以放電處理（電暈處理）。放電處理係使用電暈處理裝置（春日電機公司製），放電條件定為輸出500 W、電極長1.35 m、搬運速度10 m／min。

於薄膜之經施以放電處理之側的表面以乾燥膜厚會成為10 μm的方式使用模具塗布機塗布作為接合劑之丙烯醯系黏合劑（藤森工業公司製「MASTACK系列」），使其通過100℃的乾燥烘箱中以使接合劑乾燥。藉此，將具備係為PET薄膜之保護薄膜與形成於其中之一表面之接合層的複合薄膜做成幅寬1100 mm之長條狀的薄膜而獲得。量測所獲得之退火前保護薄膜的熱收縮率及結晶度。

（5-3.退火前堆疊體）

將在（5-1）獲得之退火前基材之其中之一表面與在（5-2）獲得之複合薄膜的接合層側之表面對齊長邊方向並以軋輥貼合，製作具備退火前基材及退火前保護薄膜之長條狀的退火前堆疊體。

（5-4.堆疊體）

藉由將在（5-3）獲得之退火前堆疊體沿著沿其長邊方向的方向搬運，連續導入至乾燥機並加熱來進行退火處理。作為乾燥機，使用橫向延伸機，藉由在延伸機內握持薄膜，在維持薄膜的長邊方向及幅寬方向之尺寸而不使之變化的狀態下搬運薄膜並加熱來進行。退火處理中之加熱溫度定為170℃、加熱時間定為5分鐘。此種退火處理的結果，獲得具備基材及保護薄膜的堆疊體。

（5-5.評價）

對於在（5-4）獲得之堆疊體，評價各層體之彈性係數、各層體之熱收縮率、各層體之結晶度、表面的平滑性及捲曲量。

〔實施例6〕

除了下述變更點以外，藉由比照實施例5之操作獲得堆疊體並予以評價。 ．在（5-1）之退火前基材的製備中，變更T字模具之開口的尺寸及成形機的操作條件，將擠製薄膜的厚度變更為42 μm。進一步變更延伸倍率，幅寬方向由1.35倍變更為1.2倍（長邊方向為1.0倍並無變更）。惟結晶化促進工序中之縮小率，由實施例5並無變更。所獲得之退火前基材的幅寬方向尺寸亦為1100 mm，由實施例1並無變更。

〔比較例1〕

除了下述變更點以外，藉由比照實施例1之（1-1）及（1-3）～（1-5）之操作獲得堆疊體並予以評價。 ．在（1-3）中，使用在實施例5之（5-2）獲得者代替在（1-2）獲得者作為包含退火前保護薄膜的複合薄膜。

〔比較例2〕

除了下述變更點以外，藉由比照實施例1之操作獲得堆疊體。 ．在（1-2）之包含退火前保護薄膜的複合薄膜之製備中，使用市售之含脂環結構聚合物的薄膜（日本瑞翁股份有限公司製，商品名「ZeonorFilm（商標）ZF16」，厚度146 μm）代替厚度35 μm的SPS薄膜。

雖嘗試對於所獲得之堆疊體的評價，但基材與保護薄膜無法剝離，無法進行評價。

〔比較例3〕

（C3-1.包含退火前保護薄膜的複合薄膜）

將聚醯胺（Daicel Evonik公司製，產品名「TROGAMID CX7323」）的顆粒使用具備T字模具的熱熔融擠製薄膜成形機來成形，獲得幅寬約1100 mm之長條狀的擠製薄膜（厚度118 μm）。前述薄膜成形機的運轉條件係如以下所示。 ．料桶設定溫度＝260℃～280℃ ．模具溫度＝250℃ ．鑄造輥溫度＝110℃

對擠製薄膜使用輥輔助方式的乾燥機進行加熱處理。加熱溫度定為180℃，加熱時間定為5分鐘。對加熱處理後之薄膜的單面施以放電處理（電暈處理）。放電處理係使用電暈處理裝置（春日電機公司製），放電條件定為輸出500 W、電極長1.35 m、搬運速度10 m／min。

於薄膜之經施以放電處理之側的表面以乾燥膜厚會成為10 μm的方式使用模具塗布機塗布作為接合劑之丙烯醯系黏合劑（藤森工業公司製「MASTACK系列」），使其通過100℃的乾燥烘箱中以使接合劑乾燥。藉此，將具備係為聚醯胺薄膜之保護薄膜與形成於其中之一表面上之接合層的複合薄膜做成幅寬1100 mm之長條狀的薄膜而獲得。量測所獲得之退火前保護薄膜的熱收縮率及結晶度。

（C3-2.堆疊體）

除了下述變更點以外，藉由比照實施例1之（1-1）及（1-3）～（1-5）之操作獲得堆疊體並予以評價。 ．在（1-3）中，使用在（C3-1）獲得者代替在（1-2）獲得者作為包含退火前保護薄膜的複合薄膜。

〔比較例4〕

除了下述變更點以外，藉由比照實施例1之操作獲得堆疊體並予以評價。 ．在（1-2）之包含退火前保護薄膜的複合薄膜之製備中，使用與在（1-1）獲得之退火前基材相同者代替厚度35 μm的SPS薄膜。亦即，在（1-2）中，製備具備在（1-1）獲得之退火前基材與形成於其中一表面上之接合層的長條狀之複合薄膜，使用其來進行（1-3）以後的工序。

〔比較例5〕

未使用包含退火前保護薄膜的複合薄膜，將在實施例1之（1-1）獲得之退火前基材就此供於實施例（1-4）以後的工序並予以評價。

實施例及比較例的結果揭示於表1～表4。

［表1］ 表1

	實施例1	實施例2	實施例3	實施例4	實施例5	實施例6
退火前基材
膜厚(μm)	50	50	50	100	35	15
延伸倍率(MD方向)	3.5	3.5	2.6	3.5	1	1
延伸倍率(TD方向)	2.9	2.9	3.3	2.9	1.35	1.2
面倍率(MD×TD)	10.2	10.2	8.6	10.2	1.4	1.2
延伸溫度(℃)	115	115	115	115	140	140
結晶化促進溫度(℃)	240	240	240	240	160	160
200℃、10分鐘 熱收縮率(%)	2.8	2.8	2.1	2.7	0.7	0.6
145℃、60分鐘 熱收縮率(%)	0.8	0.8	0.5	0.7	0.6	0.5
結晶度(%)	42	42	39	42	38	37
退火前保護薄膜
材質	SPS	SPS	SPS	SPS	PET	PET
膜厚(μm)	35	75	35	35	125	125
結晶度(%)	51	48	51	51	56	56
退火條件
溫度(℃)	200	200	200	200	170	170
時間(分鐘)	2	2	2	2	5	5
搬運張力(N/m)	12	12	12	12	12	12

［表2］ 表2

	比較例1	比較例2	比較例3	比較例4	比較例5
退火前基材
膜厚(μm)	50	50	50	50	50
延伸倍率(MD方向)	3.5	3.5	3.5	3.5	3.5
延伸倍率(TD方向)	2.9	2.9	2.9	2.9	2.9
面倍率(MD×TD)	10.2	10.2	10.2	10.2	10.2
延伸溫度(℃)	115	115	115	115	115
結晶化促進溫度(℃)	240	240	240	240	240
200℃、10分鐘 熱收縮率(%)	2.8	2.8	2.8	2.8	2.8
145℃、60分鐘 熱收縮率(%)	0.8	0.8	0.8	0.8	0.8
結晶度(%)	42	42	42	42	42
退火前保護薄膜
材質	PET	ZF16	PA	樹脂A	無
膜厚(μm)	125	146	146	50	—
結晶度(%)	56	—	28	42	—
退火條件
溫度(℃)	200	200	200	200	200
時間(分鐘)	2	2	2	2	2
搬運張力(N/m)	12	12	12	12	12

［表3］ 表3

	實施例1	實施例2	實施例3	實施例4	實施例5	實施例6
基材
180℃彈性係數E′s (Pa)	9.9×10 7	9.7×10 7	9.8×10 7	9.7×10 7	1.1×10 8	1.0×10 8
180℃、2分鐘 熱收縮率Fs(%)	0	−0.2	0.1	0	0.3	0.2
200℃、10分鐘 基材熱收縮率(%)	0.3	−0.1	0.2	0.2	0.3	0.2
145℃、60分鐘 基材熱收縮率(%)	0.1	−0.1	0.1	0	0.2	0.2
結晶度(%)	41	42	43	41	37	37
保護薄膜
180℃彈性係數E′p (Pa)	1.5×10 8	1.1×10 8	1.5×10 8	1.5×10 8	4.1×10 8	4.0×10 8
180℃、2分鐘 熱收縮率Fp(%)	0.2	0.1	0.1	0.1	0	0
結晶度(%)	49	49	50	50	55	58
堆疊體
彈性係數比E′s/E′p	0.7	0.9	0.6	0.6	0.3	0.3
180℃、2分鐘 熱收縮率差Fs−Fp	−0.2	−0.3	0	−0.1	0.3	0.2
平面性	良	良	良	良	良	良
捲曲量(mm)	2.6	7.1	1.9	2.5	8.1	7.5

［表4］ 表4

	比較例1	比較例2	比較例3	比較例4	比較例5
基材
180℃彈性係數E′s(Pa)	9.8×10 7	無法量測	9.9×10 7	9.7×10 7	9.9×10 7
180℃、2分鐘 熱收縮率Fs(%)	0.8	無法量測	0.5	0.4	—
200℃、10分鐘 基材熱收縮率(%)	1.8	貼附而 無法評價	1.5	0.7	0.8
145℃、60分鐘 基材熱收縮率(%)	1.0	貼附而 無法評價	0.8	0.3	0.4
結晶度(%)	40	—	39	40	42
保護薄膜
180℃彈性係數E′p(Pa)	4.1×10 8	無法量測	8.4×10 7	9.7×10 7	—
180℃、2分鐘 熱收縮率Fp(%)	−0.1	無法量測	0.4	0.4	—
結晶度(%)	53	—	31	44	—
堆疊體
彈性係數比E′s/E′p	0.2	無法量測	1.2	1.0	—
180℃、2分鐘 熱收縮率差Fs−Fp	0.9	無法量測	0.1	0	—
平面性	良		可	可	不可
捲曲量(mm)	10.3		2.9	1.5	0.3

由以上結果可知，在本案實施例中，可抑制堆疊體之皺褶的發生，可維持自堆疊體剝離之基材的平面性，且基材在200℃、10分鐘的熱收縮率及145℃、60分鐘的熱收縮率等耐熱性相關之指標相比於比較例皆為良好。由此可知，根據本發明之堆疊體，得於使用時輕易供應平面性高且耐熱性高的基材。

10:堆疊體 110:基材 120:複合薄膜 121:保護薄膜 122:接合層

〈圖1〉圖1係概略繪示本發明之堆疊體的剖面圖。

無。

Claims (7)

1. 一種堆疊體，其係具備基材及設置於前述基材之其中之一表面的保護薄膜且具有長條狀之形狀的堆疊體，其中前述基材係包含具有結晶性之含脂環結構聚合物的樹脂之層體，前述基材及前述保護薄膜滿足下述式（1）～（2）：E′s／E′p＜1　　　（1）−0.4≦Fs−Fp≦0.4　　　（2）；其中E′s係前述基材在180℃下的儲存彈性係數，E′p係前述保護薄膜在180℃下的儲存彈性係數，Fs係前述基材在180℃、2分鐘下之堆疊體長邊方向的熱收縮率（%），Fp係前述保護薄膜在180℃、2分鐘下之堆疊體長邊方向的熱收縮率（%）。
2. 如請求項1所述之堆疊體，其中前述保護薄膜係包含具有結晶性之聚合物的樹脂之層體。
3. 如請求項1或2所述之堆疊體，其中構成前述基材之前述包含具有結晶性之含脂環結構聚合物的樹脂係雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物。
4. 一種堆疊體的製造方法，其係如請求項1至3之任一項所述之堆疊體的製造方法，其包含：係為貼合退火前基材及退火前保護薄膜以獲得具備前述退火前基材及前述退火前保護薄膜之退火前堆疊體的工序，且前述退火前基材係包含具有結晶性之含脂環結構聚合物的樹脂之層體的工序，以及將前述退火前堆疊體進行退火處理的工序。
5. 如請求項4所述之堆疊體的製造方法，其中前述退火前保護薄膜係包含具有結晶性之聚合物的樹脂之層體。
6. 如請求項4或5所述之堆疊體的製造方法，其中構成前述退火前基材的前述包含具有結晶性之含脂環結構聚合物的樹脂係雙環戊二烯之開環聚合物的氫化物。
7. 如請求項4或5所述之堆疊體的製造方法，其中前述退火處理包含將前述退火前堆疊體在拘束於其面內方向之中至少1個方向上的狀態下加熱。

Images