TW202021102A - 元件基板 - Google Patents

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Abstract

一種元件基板包括第一基板、主動元件陣列、資料線接墊、閘極驅動電路測試線以及第一阻檔結構。主動元件陣列位於第一基板上。資料線接墊電性連接主動元件陣列。閘極驅動電路測試線位於第一基板上。第一阻檔結構位於第一基板上。第一阻檔結構位於閘極驅動電路測試線與資料線接墊之間。阻檔結構包括第一擋牆。

Description

元件基板
本發明是有關於一種元件基板，且特別是有關於一種閘極驅動電路測試線與資料線接墊之間有阻檔結構的元件基板。
在製造顯示面板的過程中，蝕刻、曝光、顯影、切割等製程可能會產生大小為數微米或數奈米的微小粒子，這些微小粒子可能附著在顯示面板的表面而造成污染。因此，往往會使用清洗劑(detergent)來清洗顯示面板，藉此避免這些微小粒子影響顯示面板的顯示品質。
然而，在使用清潔劑來清洗顯示面板時，清潔劑容易滲入顯示面板周邊區中晶片接合的部位，這容易導致清潔劑腐蝕晶片接合處的電路，使顯示裝置損壞。
本發明提供一種元件基板，能改善接合區中電路被清潔劑腐蝕的問題。
本發明的一實施例提供一種元件基板。元件基板包括第一基板、主動元件陣列、資料線接墊、閘極驅動電路測試線以及第一阻檔結構。主動元件陣列位於第一基板上。資料線接墊電性連接主動元件陣列。閘極驅動電路測試線位於第一基板上。第一阻檔結構位於第一基板上。第一阻檔結構位於閘極驅動電路測試線與資料線接墊之間。阻檔結構包括第一擋牆。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A是依照本發明的一實施例的一種元件基板的上視示意圖。圖1B是圖1A剖線zz’的剖面示意圖。為了方便說明，圖1A與圖1B省略繪示了元件基板的部分構件。
請參考圖1A與圖1B，元件基板10a包括第一基板SB1、主動元件陣列AR、資料線接墊110、閘極驅動電路測試線120以及第一阻檔結構130。在本實施例中，元件基板10a還包括第二基板SB2、閘極驅動電路接墊122、測試接墊124、訊號線126、短路桿140、測試接墊142、訊號線144、軟性電路板FC、保護層TF、驅動電路DR、第二阻檔結構150（圖1A省略繪示）、外殼BZ（圖1A省略繪示）、第三阻檔結構160（圖1A省略繪示）以及晶片IC。第二基板SB2位於第一基板SB1上。在一些實施例中，第二基板SB2上設置有彩色濾光元件（Color filter），且第二基板SB2與第一基板SB1之間還具有框膠（Sealant），但本發明不以此為限。第二基板SB2與第一基板SB1設置於外殼BZ中。
主動元件陣列AR位於第一基板SB1上，且主動元件陣列AR位於主動區AA上。主動元件陣列AR包括多個畫素單元PX、多條掃描線SL以及多條資料線DL。各畫素單元PX電性連接於至少一掃描線SL與至少一資料線DL。在本實施例中，畫素單元PX包含有至少一主動元件T以及至少一電極PE，主動元件T的閘極與源極分別電性連接至掃描線SL與資料線DL，主動元件T的汲極電性連接至電極PE。在一些實施例中，電極PE上可以有液晶、有機發光二極體、無機發光二極體或其他構件。
第一基板SB1之材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料（例如：導電材料（例如:金屬、合金或其它合適材料）、晶圓、陶瓷、或其他可適用的材料）、或是其他可適用的材料。若使用導電材料時，則在第一基板SB1上覆蓋一層絕緣層（未繪示），以避免短路問題。
資料線接墊110與閘極驅動電路接墊122位於第一基板上。資料線接墊110電性連接主動元件陣列AR的資料線DL。閘極驅動電路接墊122透過訊號線126而電性連接驅動電路DR。驅動電路DR例如是陣列上閘極驅動電路（Gate Driver on Array，GOA）。驅動電路DR電性連接主動元件陣列AR的掃描線SL。
閘極驅動電路測試線120與測試接墊124位於第一基板SB1上，且閘極驅動電路測試線120與測試接墊124位於周邊區BA上。測試接墊124與對應的閘極驅動電路測試線120電性連接。
短路桿140、測試接墊142、訊號線144位於第一基板SB1上，且短路桿140、測試接墊142、訊號線144位於周邊區BA上。短路桿140電性連接至對應的測試接墊142以及訊號線144。短路桿140、測試接墊142以及訊號線144位於資料線接墊110的外側。短路桿140除了能用於檢測主動元件陣列AR的功能以外，還可以用來阻擋清洗劑，避免清洗劑腐蝕資料線接墊110。
在以測試接墊124以及測試接墊142檢測主動元件陣列AR的功能之前，測試接墊124透過閘極驅動電路測試線120而電性連接至閘極驅動電路接墊122，且測試接墊142透過短路桿140以及訊號線144而電性連接至資料線接墊110。
第一基板SB1的周邊區BA上具有切割路徑CR，切割路徑CR位於資料線接墊110與短路桿140之間。在以測試接墊124以及測試接墊142測試主動元件陣列AR的功能之後，以雷射沿著切割路徑CR切斷閘極驅動電路測試線120以及訊號線144。
在一些實施例中，沿著切割路徑CR進行雷射切割製程之後，會以軟性電路板FC覆蓋資料線接墊110。軟性電路板FC與資料線接墊110電性連接。在本實施例中，部分軟性電路板FC（例如較靠近閘極驅動電路測試線120的軟性電路板FC）還覆蓋閘極驅動電路接墊122，且部分軟性電路板FC與閘極驅動電路接墊122電性連接。在本實施例中，晶片IC設置於軟性電路板FC上。
保護層TF位於軟性電路板FC上。保護層TF與資料線接墊110重疊。在一些實施例中，保護層TF例如為塔菲膠（Tuffy）或其他可用於保護軟性電路板FC的材料。保護層TF可以防止清洗劑從軟性電路板FC與第二基板SB2之間的間隙滲入資料線接墊110以及第一基板SB1與第二基板SB2之間。
第一阻檔結構130位於第一基板SB1上。第一阻檔結構130位於閘極驅動電路測試線120與資料線接墊110之間。
在本實施例中，閘極驅動電路測試線120與短路桿140之間的垂直距離為A，第一基板SB1的第一邊緣SW1與第二基板SB2的第二邊緣SW2之間的垂直距離為L。在本實施例中，A/L大於或等於0.25%。第一阻擋結構130位於閘極驅動電路測試線120與短路桿140之間，且第一阻擋結構130位於第一基板SB1的第一邊緣SW1與第二基板SB2的第二邊緣SW2之間。因此，在清洗顯示面板10a時，清洗劑比較不容易從閘極驅動電路測試線120與短路桿140之間的間隙滲入顯示面板10a的切割路徑CR，甚至是滲入軟性電路板FC下方。因此，能避免軟性電路板FC下方之資料線接墊110以及閘極驅動電路接墊122被清洗劑腐蝕。
在本實施例中，阻檔結構130包括第一擋牆132。在本實施例中，第一擋牆132與資料線接墊110分別屬於不同金屬層。舉例來說，第一擋牆132屬於第一金屬層，第一金屬層的厚度例如約為0.3~2微米。資料線接墊110屬於第二金屬層，第二金屬層的厚度例如約為0.3~2微米。第一金屬層與第二金屬層之間隔有第一絕緣層I1，第一絕緣層I1的厚度例如約為0.1~1微米。舉例來說，第一金屬層形成於第一基板SB1上，第一絕緣層I1形成於第一金屬層以及第一基板SB1上，第二金屬層形成於第一絕緣層I1以及第一金屬層上。第二絕緣層I2形成於第二金屬層以及第一絕緣層I1上，第二絕緣層I2的厚度例如約為0.1~3微米。在本實施例中，資料線接墊110位於第一絕緣層I1上，且第二絕緣層I2具有暴露出資料線接墊110的開口O。
在本實施例中，第一擋牆132與閘極驅動電路測試線120屬於同一金屬層（第一金屬層）。
在本實施例中，第一擋牆132的延伸方向平行第一基板SB1的第一邊緣SW1，但不以此為限。
第二阻檔結構150位於軟性電路板FC與第一基板SB1之間。第二阻檔結構150可以與軟性電路板FC一體成形，也可以是兩個不同的構件。在本實施例中，第二阻檔結構150形成於軟性電路板FC上，第二阻檔結構150的寬度小於或等於軟性電路板FC的寬度。在使軟性電路板FC連接資料線接墊110時，軟性電路板FC上的第二阻檔結構150會對應切割路徑CR的位置。換句話說，第二阻檔結構150設置於切割路徑CR中。在一些實施例中，第二阻檔結構150的中線會對應切割路徑CR的中線設置。第二阻檔結構150包括具有壓縮率的材料，例如壓縮率例如像膠、泡棉或其他類似的材料。第二阻檔結構150的壓縮率例如小於80%，較佳小於60%。在本實施例中，第二阻檔結構150可以阻絕清洗劑與資料線接墊110（及資料線DL）接觸，並能防止資料線DL穿刺軟性電路板FC。
外殼BZ位於軟性電路板FC上。第三阻檔結構160位於軟性電路板FC與外殼BZ之間。第三阻檔結構160可以與外殼BZ一體成形，也可以是兩個不同的構件。第三阻檔結構160可以形成於外殼BZ上或軟性電路板CF上。第三阻檔結構160重疊於第二阻檔結構150。第三阻檔結構160包括具有壓縮率的材料，例如壓縮率例如像膠、泡棉或其他類似的材料。第三阻檔結構160的壓縮率例如小於80%，較佳小於60%。在本實施例中，第三阻檔結構160有助於使第二阻檔結構150與切割路徑CR更貼合。在一些實施例中，第三阻檔結構160包括散熱材料。在第三阻檔結構160包括散熱材料的實施例中，第三阻檔結構160可以幫助軟性電路板FC將熱能傳遞給外殼BZ。
基於上述，元件基板10a的第一阻擋結構130、第二阻檔結構150、第三阻檔結構160可以改善軟性電路板FC接合區中的電路被清潔劑腐蝕的問題。
圖2A是依照本發明的一實施例的一種元件基板的上視示意圖。圖2B是圖2A剖線aa’的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖2A和圖2B的實施例沿用圖1A和圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。為了方便說明，圖2A與圖2B省略繪示了元件基板的部分構件。
圖2A的元件基板10b與圖1A的元件基板10a的主要差異在於：元件基板10b的第一阻檔結構130更包括第二擋牆134、第三擋牆136以及第四擋牆138。第一擋牆132、第二擋牆134、第三擋牆136以及第四擋牆138中相鄰兩者之間的間距約為2~20微米。
請參考圖2A與圖2B，第一擋牆132、第二擋牆134、第三擋牆136以及第四擋牆138位於第一基板SB1上，且位於閘極驅動電路測試線120與資料線接墊110之間。在本實施例中，第一擋牆132、第二擋牆134、第三擋牆136以及第四擋牆138位於閘極驅動電路測試線120與短路桿140之間。在本實施例中，第一擋牆132、第二擋牆134、第三擋牆136以及第四擋牆138的延伸方向平行第一基板SB1的第一邊緣，但不以此為限。第一擋牆132、第二擋牆134、第三擋牆136以及第四擋牆138的長度分別是長度B1、長度B2、長度B3以及長度B4。
在本實施例中，閘極驅動電路測試線120與短路桿140之間的垂直距離為A，第一基板SB1的第一邊緣與第二基板SB2的第二邊緣之間的垂直距離為L。
第一阻擋結構130的總長度B為各擋牆長度的總和。舉例來說，第一阻擋結構130的總長度B為長度B1、長度B2、長度B3以及長度B4的合，即B=B1+B2+B3+B4，2A＜B＜10A。
在本實施例中，第二擋牆134、第三擋牆136、連接結構135A以及連接結構135B共同組成封閉結構。在本實施例中，第二擋牆134、第三擋牆136、連接結構135A以及連接結構135B一體成形，但本發明不以此為限。
在本實施例中，第一擋牆132、第二擋牆134、第三擋牆136、第四擋牆138、閘極驅動電路測試線120以及短路桿140皆屬於第一金屬層。第一擋牆132連接閘極驅動電路測試線120，於連接處第一擋牆132和閘極驅動電路測試線120形成一L型結構，可使阻擋效果更佳。第四擋牆138連接短路桿140，於連接處第四擋牆138和短路桿140形成一L型結構，可使阻擋效果更佳，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一阻檔結構130也可以與短路桿140及閘極驅動電路測試線120分離。
雖然在本實施例中，第一擋牆132、第二擋牆134、第三擋牆136以及第四擋牆138包括單層結構，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一擋牆132、第二擋牆134、第三擋牆136以及第四擋牆138中的至少一者也可以是多層結構，且由第一金屬層之一部份、第二金屬層之一部分、濾光材料及間隙物材料中的至少兩者互相堆疊而成。
在本實施例中，切割路徑CR的周圍選擇性的包括開口標記CRh以及金屬標記CRm。開口標記CRh以及金屬標記CRm可以用來協助確認雷射製程是否有順利沿著切割路徑CR執行。
基於上述，元件基板10b的第一阻擋結構130可以改善軟性電路板FC接合區中的電路被清潔劑腐蝕的問題。
圖3A是依照本發明的一實施例的一種元件基板的上視示意圖。圖3B是圖3A剖線bb’的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖3A和圖3B的實施例沿用圖2A和圖2B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。為了方便說明，圖3A與圖3B省略繪示了元件基板的部分構件。
圖3A的元件基板10c與圖2A的元件基板10b的主要差異在於：元件基板10c的第一阻檔結構130的第一擋牆132與第三擋牆136為多層結構。
在本實施例中，第一擋牆132包括互相堆疊的第一層132A與第二層132B，第三擋牆136包括互相堆疊的第一層136A與第二層136B。第一層132A以及第一層136A位於第一絕緣層I1與第一基板SB1之間。第一絕緣層I1位於第一層132A與第二層132B之間以及第一層136A與第二層136B之間。
在本實施例中，第一層132A、第一層136A、閘極驅動電路測試線120以及短路桿140屬於第一金屬層，且第二擋牆134、第四擋牆138、第二層132B、第二層136B與資料線接墊110屬於第二金屬層。
基於上述，元件基板10c的第一阻擋結構130可以改善軟性電路板FC接合區中的電路被清潔劑腐蝕的問題。
圖4A是依照本發明的一實施例的一種元件基板的上視示意圖。圖4B是圖4A剖線cc’的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖4A和圖4B的實施例沿用圖2A和圖2B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。為了方便說明，圖4A與圖4B省略繪示了元件基板的部分構件。
圖4A的元件基板10d與圖2A的元件基板10b的主要差異在於：元件基板10b的第一阻檔結構130包括第一擋牆132、第二擋牆134、第三擋牆136以及開口H，其中第一擋牆132、第二擋牆134以及第三擋牆136為多層結構。
在本實施例中，第一擋牆132包括互相堆疊的第一層132A、第二層132B與第三層132C，第二擋牆134包括互相堆疊的第一層134A、第二層134B與第三層134C，第三擋牆136包括互相堆疊的第一層136A、第二層136B與第三層136C。
在本實施例中，第一層132A、第一層134A以及第一層132A位於第一絕緣層I1與第一基板SB1之間。第二絕緣層I2位於第一絕緣層I1與第二層132B之間、第一絕緣層I1與第二層134B之間以及第一層136A與第二層136B之間。第三絕緣層I3位於第二層132B與第三層132C之間、第二層134B與第三層134C之間以及第二層136B與第三層136C之間，第三絕緣層I3的厚度例如約為0.1~3微米。
在本實施例中，第一層132A、第一層134A、閘極驅動電路測試線120與短路桿140屬於第一金屬層。第一層136A與資料線接墊110屬於第二金屬層。第二層132B、第二層134B以及第二層134B的材料包括濾光材料。在一些實施例中，第二層132B、第二層134B以及第二層134B的厚度例如為1~5微米。第三層132C、第三層134C以及第三層134C的材料例如包括高分子材料。在一些實施例中，第三層132C、第三層134C以及第三層134C例如與第一基板和第二基板之間用來維持液晶層間隙的間隙物一起製作。
第一阻檔結構130包括貫穿第一絕緣層I1、第二絕緣層I2以及第三絕緣層I3的開口H。開口H位於閘極驅動電路測試線120與資料線接墊110之間。在本實施例中，開口H位於閘極驅動電路測試線120與短路桿140之間。
在本實施例中，第一阻擋結構130的總長度B為第一擋牆132的長度B1、第二擋牆134的長度B2、第三擋牆136的長度B3以及開口H的長度B5的合，即B=B1+B2+B3+B5，2A＜B＜10A。
基於上述，元件基板10d的第一阻擋結構130可以改善軟性電路板FC接合區中的電路被清潔劑腐蝕的問題。
圖5是依照本發明的一實施例的一種元件基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。為了方便說明，圖5省略繪示了元件基板的部分構件。
圖5的元件基板10e與圖1B的元件基板10a的主要差異在於：元件基板10e的第二阻檔結構150朝向切割路徑CR的表面具有突起結構150A、150B。
由於元件基板10e的第二阻檔結構150是藉由面積較小的突起結構150A、150B接觸切割路徑CR。施加於第二阻檔結構150上的壓力可以集中於第二阻檔結構150的突起結構150A、150B，使第二阻檔結構150更緊密的貼合於切割路徑CR。
圖6是依照本發明的一實施例的一種元件基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖6的實施例沿用圖5的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。為了方便說明，圖6省略繪示了元件基板的部分構件。
圖6的元件基板10f與圖5的元件基板10e的主要差異在於：元件基板10f的第二阻檔結構150朝向切割路徑CR的表面具有寬度不一致的突起結構150A、150B。舉例來說，突起結構150A的寬度小於突起結構150B的寬度。
由於元件基板10f的第二阻檔結構150是藉由面積較小的突起結構150A、150B接觸切割路徑CR。施加於第二阻檔結構150上的壓力可以集中於第二阻檔結構150的突起結構150A、150B，使第二阻檔結構150更緊密的貼合於切割路徑CR。
圖7是依照本發明的一實施例的一種元件基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖7的實施例沿用圖6的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。為了方便說明，圖7省略繪示了元件基板的部分構件。
圖7的元件基板10g與圖6的元件基板10f的主要差異在於：元件基板10g的第二阻檔結構150朝向切割路徑CR的表面具有寬度不一致的突起結構150A、150B，其中突起結構150A的表面為階梯狀。
由於元件基板10g的第二阻檔結構150是藉由面積較小的突起結構150A、150B接觸切割路徑CR。施加於第二阻檔結構150上的壓力可以集中於第二阻檔結構150的突起結構150A、150B，使第二阻檔結構150更緊密的貼合於切割路徑CR。
圖8是依照本發明的一實施例的一種元件基板的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖8的實施例沿用圖1B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。為了方便說明，圖8省略繪示了元件基板的部分構件。
圖8的元件基板10h與圖7的元件基板10g的主要差異在於：元件基板10h的外殼BZ具有朝向軟性電路板CF的凸起結構BP。
凸起結構BP重疊於第二阻檔結構150。在本實施例中，凸起結構BP有助於使第二阻檔結構150與切割路徑CR更貼合。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10a、10b、10c、10d、10e、10f、10g、10h:元件基板110:資料線接墊120:閘極驅動電路測試線122:閘極驅動電路接墊124:測試接墊126:訊號線130:第一阻檔結構132:第一擋牆132A、134A、136A:第一層132B:134B、136B:第二層132C、136C、138C:第三層134:第二擋牆135A、135B:連接結構136:第三擋牆138:第四擋牆140:短路桿142:測試接墊144:訊號線150:第二阻檔結構150A、150B:突起結構160:第三阻檔結構A、L:垂直距離AA:主動區AR:主動元件陣列B1、B2、B3、B4、B5:長度BA:周邊區BP:凸起結構BZ:外殼CF:軟性電路板CR:切割路徑CRh:開口標記CRm:金屬標記DL:資料線DR:驅動電路FC:軟性電路板H、O:開口I1:第一絕緣層I2:第二絕緣層I3:第三絕緣層IC:晶片PE:電極PX:畫素單元SB1:第一基板SB2:第二基板SL:掃描線SW1:第一邊緣SW2:第二邊緣T:主動元件TF:保護層
圖1A是依照本發明的一實施例的一種元件基板的上視示意圖。 圖1B是圖1A剖線zz’的剖面示意圖。 圖2A是依照本發明的一實施例的一種元件基板的上視示意圖。 圖2B是圖2A剖線aa’的剖面示意圖。 圖3A是依照本發明的一實施例的一種元件基板的上視示意圖。 圖3B是圖3A剖線bb’的剖面示意圖。 圖4A是依照本發明的一實施例的一種元件基板的上視示意圖。 圖4B是圖4A剖線cc’的剖面示意圖。 圖5是依照本發明的一實施例的一種元件基板的剖面示意圖。 圖6是依照本發明的一實施例的一種元件基板的剖面示意圖。 圖7是依照本發明的一實施例的一種元件基板的剖面示意圖。 圖8是依照本發明的一實施例的一種元件基板的剖面示意圖。
10b:元件基板
110:資料線接墊
120:閘極驅動電路測試線
122:閘極驅動電路接墊
130:第一阻檔結構
132:第一擋牆
134:第二擋牆
135A、135B:連接結構
136:第三擋牆
138:第四擋牆
140:短路桿
144:訊號線
A:垂直距離
B1、B2、B3、B4:長度
CR:切割路徑
CRh:開口標記
CRm:金屬標記
SB1:第一基板

Claims (19)

  1. 一種元件基板，包括： 一第一基板； 一主動元件陣列，位於該第一基板上； 一資料線接墊，電性連接該主動元件陣列； 一閘極驅動電路測試線，位於該第一基板上；以及 一第一阻檔結構，位於該第一基板上，且位於該閘極驅動電路測試線與該資料線接墊之間，其中該阻檔結構包括一第一擋牆。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的元件基板，其中該第一擋牆與該閘極驅動電路測試線屬於同一金屬層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的元件基板，其中該第一擋牆與該閘極驅動電路測試線相連。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的元件基板，更包括： 一第一絕緣層，位於該第一基板上； 一第二絕緣層，位於該第一絕緣層上； 一第三絕緣層，位於該第二絕緣層上，其中該第一阻檔結構更包括貫穿該第一絕緣層、該第二絕緣層以及該第三絕緣層的一開口，且該開口位於該閘極驅動電路測試線與該資料線接墊之間。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的元件基板，其中該資料線接墊位於該第一絕緣層上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的元件基板，其中該第一擋牆為多層結構，且包括一第一層與一第二層，該元件基板更包括一第一絕緣層，該元件基板更包括一第一絕緣層，該第一絕緣層位於該第一層與該第二層之間。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的元件基板，其中該第一層與該閘極驅動電路測試線屬於一第一金屬層，且該第二層與該資料線接墊屬於一第二金屬層。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的元件基板，其中該第一擋牆包括堆疊在一起的一第一層、一第二層與一第三層，該元件基板更包括一第一絕緣層、一第二絕緣層以及一第三絕緣層，其中該第一層位於該第一絕緣層與該第一基板之間，該第二絕緣層位於該第一絕緣層與該第二層之間，且該第三絕緣層位於該第二層與該第三層之間。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的元件基板，其中該第二層包括濾光材料。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的元件基板，其中該第一阻檔結構更包括一第二擋牆，位於該第一基板上，且該第二擋牆位於該閘極驅動電路測試線與該資料線接墊之間，其中該第二擋牆屬於該第二金屬層。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的元件基板，更包括： 一軟性電路板，位於該資料線接墊上，且與該資料線接墊電性連接；以及 一第二阻檔結構，位於該軟性電路板與該第一基板之間。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的元件基板，更包括： 一外殼，位於該軟性電路板上；以及 一第三阻檔結構，位於該軟性電路板與該外殼之間，其中該第三阻檔結構重疊於該第二阻檔結構。
  13. 如申請專利範圍第11項所述的元件基板，更包括： 一外殼，位於該軟性電路板上，其中該外殼具有朝向該軟性電路板的一凸起結構，該凸起結構重疊於該第二阻檔結構。
  14. 如申請專利範圍第11項所述的元件基板，更包括： 一短路桿，位於該第一基板上，且位於該資料線接墊的外側，其中一切割路徑位於該資料線接墊與該短路桿之間，且該第二阻檔結構位於該切割路徑上。
  15. 如申請專利範圍第1項所述的元件基板，更包括： 一軟性電路板，位於該資料線接墊上，且與該資料線接墊電性連接；以及 一保護層，位於該軟性電路板上，且與該資料線接墊重疊。
  16. 如申請專利範圍第1項所述的元件基板，更包括： 一短路桿，位於該第一基板上，且位於該資料線接墊的外側，其中該第一阻擋結構位於該閘極驅動電路測試線與該短路桿之間。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的元件基板，其中該閘極驅動電路測試線與該短路桿之間的垂直距離為A，該第一阻擋結構的總長度為B，2A＜B＜10A。
  18. 如申請專利範圍第16項所述的元件基板，更包括一第二基板，位於該第一基板上，其中該第一阻擋結構位於該第一基板的一第一邊緣與該第二基板的一第二邊緣之間，其中該第一邊緣與該第二邊緣之間的垂直距離為L，該閘極驅動電路測試線與該短路桿之間的垂直距離為A，且A/L大於或等於0.25%。
  19. 如申請專利範圍第16項所述的元件基板，其中該第一擋牆與該短路桿相連。
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