TW202013453A - 於低溫選擇性矽鍺磊晶之方法 - Google Patents

於低溫選擇性矽鍺磊晶之方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202013453A
TW202013453A TW108126935A TW108126935A TW202013453A TW 202013453 A TW202013453 A TW 202013453A TW 108126935 A TW108126935 A TW 108126935A TW 108126935 A TW108126935 A TW 108126935A TW 202013453 A TW202013453 A TW 202013453A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
source gas
silicon
gas
sccm
Prior art date
Application number
TW108126935A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI828731B (zh
Inventor
黃奕樵
華 仲
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW202013453A publication Critical patent/TW202013453A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI828731B publication Critical patent/TWI828731B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/42—Silicides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/08—Germanium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/52—Alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02293—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process formation of epitaxial layers by a deposition process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02576—N-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02579—P-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66787—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a gate at the side of the channel
    • H01L29/66795—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a gate at the side of the channel with a horizontal current flow in a vertical sidewall of a semiconductor body, e.g. FinFET, MuGFET
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1027—IV
    • H01L2924/10271—Silicon-germanium [SiGe]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

在一個實施方式中，提供了一種在基板上選擇性地沉積矽鍺材料的方法。該方法包括：將該基板定位在基板處理腔室內，該基板上具有介電材料和含矽單晶；將該基板維持在約450℃或更低的溫度處；將該基板暴露於製程氣體，該製程氣體包括：矽源氣體、鍺源氣體、蝕刻劑氣體、載氣和至少一種摻雜劑源氣體；和在該基板上磊晶地和選擇性地沉積第一矽鍺材料。

Description

於低溫選擇性矽鍺磊晶之方法
本公開內容的實施方式一般地涉及一種半導體製造製程和半導體元件，並且尤其是，涉及沉積用於形成半導體元件的含矽鍺薄膜或沉積含矽鍺薄膜以形成半導體元件的方法。
選擇性SiGe磊晶沉積允許磊晶層沉積在基板的暴露的矽(Si)或其它半導體區域上，這也稱為層的生長，其中在基板的暴露的介電區域上沒有淨SiGe生長。選擇性磊晶可以用於製造半導體元件結構，諸如用於在雙極元件的升高的源極/汲極、源極/汲極擴展部、接觸插塞和基極層中形成期望的層。一般地，選擇性磊晶製程涉及如下兩種操作：沉積操作和蝕刻操作。沉積操作和蝕刻操作在半導體上和介電表面上同時地發生，具有相對不同的反應速率以及因此相對不同的沉積速率。用於選擇性SiGe生長的沉積蝕刻方案的選擇性製程窗口導致僅在半導體表面上的累積沉積，這可以透過改變用於從基板的暴露表面去除沉積材料的蝕刻劑氣體的濃度來調諧。
透過化學氣相沉積的選擇性矽鍺磊晶典型地採用含有一個Si或Ge原子的前驅物，諸如矽烷、二氯矽烷或鍺烷。透過將諸如氯化氫的蝕刻劑與用於在基板上的暴露的半導體上沉積或生長SiGe的沉積前驅物一起共流動來實現SiGe在介電質上方的Si或其它半導體區域上累積或淨沉積，這被稱為對Si的選擇性。在此類製程中，基板的溫度增加到和/或保持在高於500℃的溫度。然而，在低於500℃的基板溫度處，矽鍺的磊晶生長減少，並且Si在介電材料上方的沉積或生長選擇性急劇地降低。
因此，需要在低溫(>約500℃)下保持對Si的良好的選擇性和生長或沉積速率兩者的對Si選擇性的矽鍺磊晶製程。
在一個實施方式中，提供了一種在基板上沉積矽鍺材料的方法，所述方法包括：將基板定位在基板處理腔室內，所述基板上具有介電材料和含矽單晶；將所述基板維持在約450℃或更低的溫度處；將所述基板暴露於製程氣體，所述製程氣體包括：矽源氣體；鍺源氣體；蝕刻劑氣體；載氣；和至少一種摻雜劑源氣體；和在所述基板上磊晶地和選擇性地沉積第一矽鍺材料。
在另一個實施方式中，提供了一種在基板上沉積矽鍺材料的方法，所述方法包括：將基板定位在基板處理腔室內，所述基板上具有介電材料和矽鍺單晶；將所述基板維持在約450℃或更低的溫度處；將所述基板暴露於製程氣體，所述製程氣體包括：矽源氣體；鍺源氣體；蝕刻劑氣體；載氣；和至少一種摻雜劑源氣體，所述至少一種摻雜劑源氣體包括含硼摻雜劑源氣體或含磷摻雜劑源氣體；和在所述基板上磊晶地和選擇性地沉積矽鍺材料，所述矽鍺材料具有0.3mΩ·cm的電阻率。
在另一個實施方式中，提供了一種在基板上沉積矽鍺材料的方法，所述方法包括：將基板定位在基板處理腔室內，所述基板上具有介電材料和含矽單晶；將所述基板維持在400℃或更低的溫度處；將所述基板暴露於製程氣體，所述製程氣體包括：矽源氣體；鍺源氣體，所述鍺源氣體包括鍺烷或二鍺烷；蝕刻劑氣體，所述蝕刻劑氣體包括HCl、HF、Cl2 、HBr、Br2 、SiCl4 、SiHCl3 、SiH2 Cl2 、GeCl4 和GeHCl3 中的一種或多種；載氣；和摻雜劑源氣體，所述摻雜劑源氣體包括乙硼烷；和在所述基板上磊晶地和選擇性地沉積第一矽鍺材料。
在另一個實施方式中，提供了一種非暫時性電腦可讀媒體，所述非暫時性電腦可讀媒體包括致使電腦系統控制基板處理設備執行製程的指令，所述製程包括：將基板定位在基板處理腔室內，所述基板上具有介電材料和含矽單晶；將所述基板維持在約450℃或更低的溫度處；將所述基板暴露於製程氣體，所述製程氣體包括：矽源氣體；鍺源氣體；蝕刻劑氣體；載氣；和至少一種摻雜劑源氣體；和在所述基板上磊晶地和選擇性地沉積第一矽鍺材料。
本文所述的實施方式圖示在各種元件結構的製造過程中磊晶地沉積含矽化合物的製程。本文所述的製程允許在低基板溫度(例如，約450℃或更低)下、在基板的暴露的含晶體矽區域上而不是在基板的暴露的介電區域上選擇性地和磊晶地生長或沉積矽鍺薄膜層，當在約400℃的溫度下、諸如在約350℃或更低的溫度下執行時，對在基板的暴露的介電質上方的暴露的晶體矽有幾乎完全的選擇性。本文的製程有利地在生長或沉積的含矽化合物中提供約1×1015 或更高、諸如約1×1021 或更高、諸如約5×1021 的硼濃度。此外，諸如硼的摻雜劑有利地允許在低溫下生長或沉積磊晶矽鍺材料。較低溫度的製程有利地使得該製程能夠降低熱預算，從而減少對所形成的元件的不利的熱效應。
本公開內容的實施方式包括選擇性地生長或沉積磊晶含矽化合物的薄膜的方法。例如，含矽化合物在基板的含晶體矽區域的暴露的區域上生長，而不是在基板上的介電材料的暴露的區域上生長。當基板表面在其上暴露了多於一種材料(諸如暴露的單晶矽表面區域)且具有用介電材料(諸如SiO和SiN層)覆蓋的特徵時，可以執行選擇性含矽薄膜生長或沉積。在沉積期間使用蝕刻劑(例如，HCl)實現對晶體矽表面選擇性的磊晶生長或沉積，同時保留未被磊晶沉積的材料塗覆的介電特徵或結構。在沉積期間，沉積材料在暴露的單晶矽上形成結晶層，並且在暴露的介電表面上形成多晶或非晶層。蝕刻劑除去生長或沉積在非晶或多晶特徵上的非晶或多晶薄膜，其速度快於其可移除生長或沉積在基板的暴露的晶體材料(或從未生長在基板的表面上的矽鍺材料)上的磊晶晶體薄膜的情況。並且因此，實現在基板的暴露的晶體材料上選擇性地磊晶地淨生長或沉積含矽化合物。
本文公開內容的製程可以在具有各種幾何形狀(例如，圓形、方形和矩形)和尺寸(例如，200mm OD、300mm OD、400mm OD)的各種基板上進行，諸如在半導體晶圓上，諸如在晶體和單晶矽(例如，Si >100>和Si >111>)、矽鍺、摻雜或未摻雜矽或鍺基板、絕緣體上矽(SOI)基板、III-V族材料和圖案化或非圖案化基板上。表面和/或基板包括這些材料，以及具有介電、導電和阻擋效能的薄膜、層和材料，並且包括多晶矽。
如本文所用，矽化合物和含矽化合物是指材料、層和/或薄膜，並且包括在本文所述的製程中選擇性地和磊晶地生長的Si、SiGe、其摻雜的變體和以上項的組合。矽化合物和含矽化合物包括在薄膜內的應變層、非應變層或應變和非應變層。
圖1A是示出根據一個實施方式的在基板的選定表面上形成選擇性磊晶層的方法100的流程圖。磊晶層例如是矽鍺薄膜。方法100包括在操作105處將基板定位在基板處理腔室內。方法100還包括在操作110處將基板加熱到、將基板維持在、或將基板加熱到並維持在450℃或更低的溫度，諸如400℃或更低，諸如350℃或更低，或諸如300℃或更低。例如，在沉積或生長含Si化合物期間，基板可以維持在約250℃至約450℃之間的溫度，或諸如約270℃至約450℃之間的溫度。方法100進一步包括在操作115處將加熱的基板暴露於包括矽源氣體、鍺源氣體、蝕刻劑、載氣和至少一種摻雜劑源氣體的製程氣體。方法100進一步包括在晶體矽表面上磊晶地和選擇性地生長或沉積矽鍺材料，同時在操作120結束時使介電特徵或結構保持未被矽鍺材料塗覆。
載氣用於在本文所述的製程中輸送矽源氣體、鍺源氣體、摻雜劑源氣體和蝕刻劑源氣體。載氣包括H2 、Ar、N2 、He和以上項的組合。在一些實施方式中，H2 用作載氣。在其它實施方式中，N2 用作載氣。在該方法的一些實施方式中，載氣可以各種比例組合。
採用呈氣體形式的蝕刻劑去除在暴露的介電材料上生長的、可以非晶或多晶形式形成在基板的暴露的介電材料上的含Si材料薄膜，其速度要快於可採用該蝕刻劑去除以結晶形式在基板的暴露的晶體矽上(例如，在單晶矽材料上)生長或沉積的含Si材料的情況。在本文所述的製程期間用於此目的的蝕刻劑包括HCl、HF、HBr、Br2 、Si2 Cl6 、SiCl4 、SiHCl3 、SiH2 Cl2 、CCl4 、Cl2 、GeCl4 、GeHCl3 及上述蝕刻劑的組合。
可用於本文所述的選擇性磊晶製程的矽源氣體或前驅物包括矽烷(SiH4 )、更高級矽烷、鹵化矽烷和有機矽烷。高級矽烷包括具有經驗式Six H(2x + 2) 的化合物，例如乙矽烷(Si2 H6 )、丙矽烷(Si3 H8 )和四矽烷(Si4 H10 )。鹵化矽烷包括具有經驗式X'y Six H(2x + 2-y) 的化合物，其中X'= F、Cl、Br或I，諸如二氯矽烷(SiH2 Cl2 )、四氯矽烷(SiCl4 )和六氯乙矽烷(Si2 Cl6 )和三氯矽烷(SiHCl3 )。有機矽烷包括具有經驗式Ry Six H(2x + 2-y) 的化合物，其中R =甲基、乙基、丙基或丁基，諸如甲基矽烷((CH3 )SiH3 )、二甲基矽烷((CH3 )2 SiH2 )、乙基矽烷((CH3 CH2 )) SiH3 )、甲基二矽烷((CH3 )Si2 H5 )、二甲基二矽烷((CH3 )2 Si2 H4 )和六甲基二矽烷((CH3 )6 Si2 )。
可用於本文所述的選擇性磊晶製程的鍺源氣體或前驅物包括鍺烷(例如GeH4 )、更高級鍺烷、鹵化鍺烷和有機鍺烷。高級鍺烷包括具有經驗式Gex H(2x + 2) 的化合物，諸如二鍺烷(Ge2 H6 )、三鍺烷(Ge3 H8 )和四鍺(Ge4 H10 )。鹵化鍺烷包括GeCl4 (四氯化鍺)和GeHCl3 (三氯鍺烷)。有機鍺烷包括具有經驗式Ry Gex H(2x + 2-y) 的化合物，其中R =甲基、乙基、丙基或丁基，諸如甲基鍺烷((CH3 )GeH3 )、二甲基鍺烷((CH3 )2 GeH2 )、乙基鍺烷((CH3 CH2 ) GeH3 )、甲基二鍺烷((CH3 )Ge2 H5 )、二甲基二鍺((CH3 )2 Ge2 H4 )和六甲基二鍺((CH3 )6 Ge2 )。
含矽化合物的沉積薄膜層摻雜有特定的摻雜劑，以實現其期望的導電特性。在一些實施方式中，含矽化合物是p型摻雜的，諸如透過使乙硼烷以與沉積前驅物氣體的必要比例流入沉積腔室中以添加濃度為約1×1015 原子/cm3 或更高的硼，諸如約1×1019 原子/cm3 或更多，諸如以約5×1021 原子/cm3 進入沉積薄膜層。例如，含矽化合物是p型摻雜的，諸如透過在含矽化合物的沉積期間中使乙硼烷流動以在其中添加濃度範圍為約1×1015 原子/cm3 至約5×1021 的原子/cm3 (例如約5×1019 原子/cm3 至約5×1021 原子/cm3 ，或約1×1018 原子/cm3 至約5×1021 原子/cm3 ，或約1×1020 原子/cm3 至約2.5×1021 原子/cm3 )的硼。在另一個實施方式中，含矽化合物是以如下方式n型摻雜的：使磷源氣體流入沉積腔室中以使沉積的薄膜層中的P濃度為1×1015 原子/cm3 至約5×1021 原子/cm3 (諸如約5×1019 原子/cm3 至約5×1021 原子/cm3 ，或約1×1018 原子/cm3 至約5×1021 原子/cm3 ，或約1×1020 原子/cm3 至約2.5×1021 原子/cm3 )。
本文使用的摻雜劑包括含硼摻雜劑和含磷摻雜劑。含硼摻雜劑源氣體包括硼烷、有機硼烷(例如烷基硼烷)和鹵化硼。硼烷包括硼烷(BH3 )、乙硼烷(B2 H6 )、三硼烷(B3 H5 )、四硼烷(B4 H10 )、五硼烷(9)(B5 H9 )、五硼烷(11)、六硼烷(10)(B6 H10 )、六硼烷(12)(B6 H12 )和癸硼烷(14)((B10 H14 )，而烷基硼烷包括具有經驗式Rx BH(3-x) 的化合物，其中R =甲基、乙基、丙基或丁基，並且x = 0、1、2或3。烷基硼烷包括三甲基硼烷((CH3 )3 B)、二甲基硼烷((CH3 )2 BH)、三乙基硼烷((CH3 CH2 )3 B)和二乙基硼烷((CH3 CH2 )2 BH)。鹵化硼包括缺電子鹵化硼，諸如三氟化硼(BF3 )、三氯化硼(BCl3 )和三溴化硼(BBr3 )。摻雜源氣體還包括含磷摻雜劑，諸如磷化氫(PH3 )和烷基膦，諸如經驗式為Rx PH(3-x) 的化合物，其中R =甲基、乙基、丙基或丁基，並且x = 0、1、2或3。烷基膦包括三甲基膦((CH3 )3 P)、二甲基膦((CH3 )2 PH)，三乙基膦((CH3 CH2 )3 P)和二乙基膦((CH3 CH2 )2 PH)。可用作摻雜劑源氣體的其它含磷化合物包括三氯化磷(PCl3 )、三溴化磷(PBr3 )、烷基膦(諸如磷酸三丁酯(TBP))和甲矽烷基膦[(H3 Si)3-x PRx ]，其中x = 0、1、2，並且Rx 是氫或氘。摻雜劑源氣體還包括含砷摻雜劑，包括鹵化砷化合物砷化三氫(AsH3 )、三甲基胂和甲矽烷基胂[(H3 Si)3-x AsRx ]，其中x = 0、1、2，並且Rx 是氫或氘。
作為方法100的示例，磊晶地和選擇性地生長含矽材料以在基板的暴露的單晶矽表面上而不是在基板的暴露的介電材料上形成摻雜的SiGe材料。例如，摻雜的SiGe材料選擇性地形成在包括單晶矽的雙極型元件的升高的源極/汲極、源極/汲極擴展部、接觸插塞和基極層上。單晶表面可以是例如含矽單晶或矽鍺單晶。將含有半導體特徵的基板(例如，300mm OD)放入基板處理腔室中。在處理期間，矽源氣體(例如，矽烷)與載氣(例如，H2 和/或N2 )、鍺源氣體(例如，GeH4 )、摻雜劑源氣體(例如，B2 H6 )同時)和蝕刻劑(例如HCl)同時地流入基板處理腔室中。這些氣體可以在相同或不同的導管中流入基板處理腔室。氣體可以在噴頭、腔室的引入通道、在腔室中或在離開分區噴頭之後混合。矽源氣體的流率的範圍為約5sccm至約500sccm，諸如約10sccm至約100sccm，諸如約20sccm至約50sccm。載氣的流率為約1,000sccm至約60,000sccm，諸如約10,000sccm至約20,000sccm，諸如約12,000sccm至約15,000sccm。鍺源氣體的流率的範圍為約0.1sccm至約100sccm，諸如約0.1sccm至約10sccm或約0.5sccm至約20sccm，諸如約0.5sccm至約2sccm，例如約1sccm。摻雜劑源氣體的流率為約0.01sccm至約3sccm，諸如約0.1sccm至約2sccm，例如約0.5sccm至約1sccm。蝕刻劑氣體的流率的範圍為約5sccm至約1,000sccm，諸如約10sccm至約50sccm，例如約20sccm至約40sccm。基板處理腔室的壓力維持在約0.1托至約200托，諸如約5托至約20托，例如約10托至約15托。將基板維持在約450℃或更低的溫度處，諸如約400℃或更低，諸如約350℃或更低，諸如約300℃或更低。例如，可以將基板維持在(或加熱到並維持在)約250℃至約450℃之間的溫度處，諸如約270℃至約450℃之間。源氣體混合物的反應是熱驅動的，並且它在加熱的基板表面處反應以在基板的晶體矽表面上並據信是在基板的非晶或多晶矽基介電特徵上磊晶地沉積矽材料，即矽鍺材料。蝕刻劑(例如，HCl)蝕刻掉也在基板表面上的非晶或多晶矽基或其它介電特徵上形成的SiGe化合物，但是不會顯著地蝕刻在單晶矽上形成的磊晶層。
因此，執行沉積或生長製程而以沉積速率為約5Å/分鐘至約600Å/分鐘(諸如約5Å/分鐘至約50Å/分鐘，例如約10Å/分鐘至約30Å/分鐘)在暴露的晶體矽表面上選擇性地形成摻雜的SiGe材料，而具有下述範圍的厚度：約20Å至3,000Å(諸如從約50Å至約1000Å，例如從約50Å至約100Å)。沉積的SiGe材料的鍺濃度的範圍為約1原子%材料至約100原子%材料(諸如約10原子%至約100原子%，諸如約10原子%至約90原子%，諸如約40原子%至約70原子%，例如約60原子%)。沉積的SiGe材料的硼濃度的範圍為在約1×1015 原子/cm3 至約5×1021 原子/cm3 (諸如約5×1019 原子/cm3 至約5×1021 原子/cm3 ，或約1×1018 原子/cm3 至約5×1021 原子/cm3 ，或約1×1020 原子/cm3 至約2.5×1021 原子/cm3 )。
磊晶生長的B摻雜的SiGe層的電阻率為約0.3mΩ·cm或更小(諸如約0.2mΩ·cm與約0.3mΩ·cm之間，例如約0.25mΩ·cm或更小)。
圖1B是圖解了根據一個實施方式的在基板的部分上選擇性地形成磊晶層的方法150的流程圖。磊晶層例如是矽鍺薄膜。方法150包括在操作155處將基板定位在基板處理腔室內。方法150進一步包括在操作160處將基板維持(和/或加熱)在450℃或更低的溫度處，諸如400℃或更低，諸如350℃或更低，諸如300℃或更低。例如，可以將基板維持(或加熱)在約250℃至約450℃之間的溫度處，諸如約270℃至約450℃之間的溫度。方法150進一步包括在操作165處將基板暴露於第一製程氣體，第一製程氣體包括：第一矽源氣體；第一鍺源氣體；第一蝕刻劑氣體；第一載氣；和至少一種第一摻雜劑源氣體。方法150進一步包括在操作170處在基板的部分上磊晶地和選擇性地沉積第一矽鍺材料。操作155、160、165和170與方法100的操作105、110、115和120相同。方法150進一步包括在操作175處將基板暴露於第二製程氣體，第二製程氣體包括：第二矽源氣體；第二鍺源氣體；第二蝕刻劑氣體；和第二載氣；以及任選地第二摻雜劑源氣體。方法150進一步包括在操作180處在基板的部分上磊晶地和選擇性地沉積第二矽鍺材料。
作為方法150的示例，在操作175和180，在沉積如上所述的任何矽化合物之後，使用第二矽源氣體(例如，二氯矽烷、Cl2 SiH2 )將第二矽化合物磊晶地生長為SiGe材料。透過例如上述方法100的示例沉積或生長第一矽鍺材料。第二矽源氣體(例如，二氯矽烷)與第二載氣(例如，H2 和/或N2 )、第二鍺源氣體(例如，GeH4 )、第二摻雜劑源氣體(例如，B2 H6 )和第二蝕刻劑氣體(例如，HCl)同時地流入基板處理腔室。二氯矽烷的流率的範圍為約5sccm至約500sccm，諸如約10sccm至約100sccm，諸如約20sccm至約50sccm。第二載氣的流率為約1,000sccm至約60,000sccm，諸如約10,000sccm至約20,000sccm，諸如約12,000sccm至約15,000sccm。第二鍺源氣體的流率的範圍為約0.1sccm至約100sccm，諸如約0.1sccm至約10sccm或約0.5sccm至約20sccm，諸如約0.5sccm至約2sccm，例如約1sccm。第二摻雜劑源氣體的流率為約0.01sccm至約3sccm，諸如約0.1sccm至約2sccm，例如約0.5sccm至約1sccm。第二蝕刻劑氣體的流率的範圍為約5sccm至約1,000sccm，諸如約10sccm至約50sccm，例如約20sccm至約40sccm。基板處理腔室的壓力維持在約0.1托至約200托，諸如約5托至約20托，例如約10托至約15托。將基板維持在約450℃或更低的溫度處，諸如約400℃或更低，諸如約350℃或更低，諸如約300℃或更低。例如，可以將基板維持在(或加熱到並維持在)約250℃至約450℃之間的溫度處，諸如約270℃至約450℃之間。第二源氣體混合物的反應是熱驅動的，並且它在加熱的基板表面處反應，以在基板的第一SiGe材料和基板的介電特徵上磊晶地沉積第二矽材料，即第二矽鍺材料。第二蝕刻劑從基板表面上的非晶或多晶介電特徵蝕刻SiGe化合物，但是不顯著地蝕刻在第一SiGe材料的表面上形成的磊晶層。
執行該製程而以沉積速率為約5Å/分鐘至約600Å/分鐘(諸如約5Å/分鐘至約50Å/分鐘，例如約10Å/分鐘至約30Å/分)在第一SiGe材料的表面上選擇性地形成第二SiGe材料，而具有下述範圍的厚度：約20Å至3,000Å(例如約50Å至約1000Å，例如約50Å至約100Å)。沉積的SiGe材料的鍺濃度在約1原子%至約100原子%材料的範圍內(諸如約10原子%至約100原子%，諸如約10原子%至約90原子%，諸如約40原子%至約70原子%，例如約60原子%)。在另一個實施方式中，使用上面討論的任何製程沉積第三含矽層。
在一些實施方式中，在處理操作之間，將基板表面暴露於環境條件，諸如其中包括氧和/或水蒸氣的空氣。環境暴露一般在元件製造期間在多個處理腔室之間移動基板時發生。將第一含矽層沉積到基板表面上，將基板暴露於環境條件，並且隨後將第二含矽層沉積到基板表面上。在一個態樣，在將層暴露於環境條件之前，在第一含矽層上沉積蓋層。蓋層可以是半導體材料，諸如矽。例如，在基板表面上沉積矽-鍺層，在剛生長或沉積的矽-鍺層上沉積矽蓋層，將基板暴露於環境條件，並且隨後在矽蓋層上沉積第二含矽層。Si蓋層可以放置在B摻雜的SiGe層的頂部上，以保護B摻雜的SiGe層免於氧化。如果需要在選擇性地形成下一個磊晶層之前去除Si蓋表面，那麼可以透過使Si蓋表面氧化來將其去除以形成氧化矽，然後選擇性地蝕刻氧化矽。
在一些實施方式中，含矽材料包括約0原子%至約95原子%的鍺濃度。在其它實施方式中，鍺濃度在約1原子%至約30原子%的範圍內，諸如約10原子%至約25原子%，諸如約20原子%。
在一些實施方式中，可以改變矽源氣體和鍺源氣體的比率，以便在生長分級薄膜時控制矽、鍺和摻雜劑的元素濃度。
本文所述的製程在將含矽化合物層沉積在例如FinFET、傳統平面MOSFET和雙極型電晶體中時是有用的。
圖2示出FinFET半導體結構250的透視圖，其特徵可以根據本文所述的實施方式中的一個用含矽化合物磊晶地生長。半導體結構250可以包括基板251、多個鰭片252(僅示出了兩個鰭片，但是該結構可以具有多於兩個鰭片)、設置在基板251上的相鄰鰭片252之間的介電材料254，以及設置在介電材料254上並在每個鰭片252的一部分上方的閘極電極260。基板251可以是塊體矽基板，並且可以摻雜有p型或n型雜質。多個鰭片252可以由與基板251相同的材料製成。介電材料254可以形成隔離區域，諸如淺溝槽隔離(STI)區域，並且可以由氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳氮化矽或任何其它合適的介電材料製成。如圖2所示，多個鰭片252中的每個在介電材料254的上表面上方延伸一段距離。閘極介電質258形成在閘極電極260與多個鰭片252之間。閘極介電質258促成閘極電極260與多個鰭片252之間的電隔離。閘極介電質258可以由氮化矽、氧化矽、氧化鉿、氮氧化鉿矽、矽酸鉿、氧化鉿矽或任何其它合適的閘極介電材料製成。閘極電極260可以由多晶矽、非晶矽、鍺、矽鍺、金屬或金屬合金製成。
圖3A描繪了根據一些實施方式的傳統平面MOSFET的橫截面。在虛設閘極336的兩側上形成間隔件334之後，蝕刻掉基板或鰭片的一部分，然後濕法清潔基板，以產生凹部332，含矽化合物根據本文所述的製程磊晶地沉積在凹部332內並用作源極/汲極。含矽化合物磊晶地生長以模仿暴露的基板或鰭片表面的晶格，並且在含矽化合物隨厚度而生長時維持這種佈置。在該源極汲極形成之後，並且在幾個中間步驟之後，虛設閘極336最終地被實際金屬閘極電極替代。
根據本文所述的實施方式，磊晶矽化合物層332選擇性地沉積在源極/汲極區域內。當基板表面330在其上暴露了多於一種材料(諸如暴露的單晶矽表面區域)且具有用介電材料（諸如SiO和SiN層）覆蓋的特徵時，可以執行選擇性含矽薄膜生長。矽化合物層332由例如摻雜的SiGe層組成，摻雜的SiGe層位於圖3所示的元件中的閘極的任一側並具有例如約1原子%至約30原子%、諸如約20原子%的鍺濃度、以及例如1×1015 原子/cm3 至約5×1021 原子/cm3 (諸如約5×1019 原子/cm3 至約5×1021 原子/cm3 ，或約1×1018 原子/cm3 至約5×1021 原子/cm3 ，或約1×1020 原子/cm3 至約2.5×1021 原子/cm3 )的摻雜劑(例如，B或P)濃度。
在一些實施方式中，使用本文所述的製程，可以在低於約450℃的低溫下在現有的B摻雜的SiGe源極/汲極332的頂部上形成B摻雜的SiGe層340，以形成接觸層。該接觸層減小B摻雜的SiGe源極/汲極與金屬電極之間的肖特基勢壘並提供了較低的接觸電阻率。在該實施方式中，現有的B摻雜SiGe源極/汲極可以透過本文所述的相同製程製造，或透過其它方法製造，諸如高溫磊晶(例如，高於約500℃、諸如在約600℃至約700℃之間的溫度)。
圖3B描繪了根據一些實施方式的FinFET 350的橫截面。磊晶矽化合物層366沉積在每個鰭片354的表面352上並在介電材料254的上表面351上方擴展(介電材料254也在圖2中示出)。矽化合物層366也可以沉積在介電材料358的表面362上，並且可以執行回蝕製程以去除沉積在介電材料358的表面362上的矽化合物層366。矽化合物層366可以是FinFET元件的源極或汲極，並且可以是矽基和/或鍺基材料。矽化合物層366可以透過本文所述的磊晶沉積製程在可購自應用材料公司的磊晶沉積腔室中形成。在一個實施方式中，矽化合物層366是摻雜有磷的矽，並且FinFET元件是n型FET。在另一個實施方式中，矽化合物層366是摻雜有硼或鎵的矽鍺，並且FinFET元件是p型FET。每個矽化合物層366具有從介電材料358的表面362凹陷的表面363。
根據本文所述的實施方式，磊晶矽化合物層366選擇性地沉積在源極/汲極區域內。當基板表面在其上暴露了多於一種材料(諸如暴露的單晶矽表面區域)且具有用介電材料（諸如SiO和SiN層）覆蓋的特徵時，可以執行選擇性含矽薄膜生長。矽化合物層366例如由摻雜的SiGe層組成，摻雜的SiGe層位於圖3B所示的元件中的閘極的任一側並具有例如約1原子%至約30原子%(諸如約20原子%)的鍺濃度、以及例如1×1015 原子/cm3 至約5×1021 原子/cm3 (諸如約5×1019 原子/cm3 至約5×1021 原子/cm3 ，或約1×1018 原子/cm3 至約5×1021 原子/cm3 ，或約1×1020 原子/cm3 至約2.5×1021 原子/cm3 的)的摻雜劑(例如，B或P)濃度。
儘管未示出，但是可以在基板上執行進一步操作。例如，可以在基板的特徵上方沉積金屬層(例如，含矽單晶表面，諸如基板的源極區域和汲極區域)，並且然後對基板和形成在其上的層進行退火。金屬層包括鈷、鎳或鈦，以及其它金屬。在退火製程期間，矽化合物層被轉換為金屬矽化物層。例如，當將金屬(例如，鈷)沉積為金屬層時，所得的金屬矽化物層是矽化鈷。
本文所述的製程可以用於沉積用於雙極型(例如，基極、發射極、集電極、發射極接觸件)、BiCMOS(例如，基極、發射極、集電極、發射極接觸件)和傳統平面或FinFET CMOS的矽化合物薄膜(例如，溝道、源極/汲極、源極/汲極擴展、升高的源極/汲極、基板、應變矽、絕緣體上矽和接觸插塞)。製程的其它實施方式教導可用作閘極、基極接觸件、集電極接觸、發射極接觸件、升高的源極/汲極和其它用途的矽薄膜的生長。其它元件包括場效應電晶體(FET)。
在本公開內容的製程中，透過化學氣相沉積(CVD)製程生長或沉積含矽化合物(例如，薄膜、層和材料)，其中CVD製程包括原子層沉積(ALD)製程和/或原子層磊晶(ALE)製程。化學氣相沉積包括使用許多技術，諸如電漿輔助CVD(PA-CVD)、原子層CVD(ALCVD)、有機金屬或金屬有機CVD(OMCVD或MOCVD)、鐳射輔助CVD(LA-CVD)、紫外CVD(UV-CVD)、熱線CVD(HWCVD)、減壓CVD(RP-CVD)和超高真空CVD(UHV-CVD)。本公開內容的製程可以在ALE、CVD和ALD處理的領域中已知的設備中進行。該設備使源氣體與在其上生長含矽化合物的基板接觸。可用於生長本文所述的含矽化合物的示例性磊晶腔室是可購自加利福尼亞州聖克拉拉市應用材料公司(Applied Materials, Inc., Santa Clara, California)獲得的Centura® RP EPI腔室。一個示例性磊晶腔室在圖4中示出並在下面進行描述。
圖4是可用於執行本文所述的磊晶製程的熱處理腔室400的截面圖。處理腔室400包括腔室主體402、支撐系統404和控制器406。腔室主體402包括上部部分412和下部部分414。上部部分412包括在腔室主體402內在上部圓頂416與基板410之間的區域。下部部分414包括在腔室主體402內的在下部圓頂430與基板410的底部之間的區域。沉積製程一般發生在基板410的暴露於上部部分412並在該上部部分412內的上表面上。
支撐系統404包括用於執行和監測預定製程(諸如如本文所述的處理腔室400中的薄膜的生長或沉積)的部件。控制器406耦接到支撐系統404並被調適成控制處理腔室400和支撐系統404。控制器406包括中央處理器(CPU)、記憶體和支援電路。
處理腔室400包括多個熱源，諸如燈435，多個熱源被調適成向定位在基板處理腔室400內的部件提供熱能。例如，燈435可以被調適成向基板410、用於支撐處理腔室400中的基板的基座426、和/或預熱環423提供熱能。下部圓頂430可以由光學透明材料(諸如石英)形成，以便於使熱輻射從中穿過。設想的是，燈435可以被定位成提供熱能通過上部圓頂416以及通過下部圓頂430。
腔室主體402包括形成在其中的多個氣室。氣室與一個或多個氣源476(諸如載氣)和一個或多個前驅物源478(諸如製程氣體(例如，沉積氣體和摻雜劑源氣體))流體連通。例如，第一氣室420可以被調適成提供沉積氣體450從中通過到達腔室主體402的上部部分412中，而第二氣室421可以被調適成從上部部分412排出沉積氣體450。以此方式，沉積氣體450可以平行於基板410的上表面流動。
在使用液體前驅物(例如，四矽烷)的情況下，熱處理腔室400可以包括與液體前驅物源480流體連通的液體蒸發器482。液體蒸發器482用於蒸發待輸送到熱處理腔室400的液體前驅物。儘管未示出，但是設想的是，液體前驅物源480可以包括例如一個或多個前驅物液體和溶劑液體安瓿、截止閥和液體流量計(LFM)。作為對液體蒸發器的替代，可以使用起泡器將液體前驅物輸送到腔室。在這種情況下，液體前驅物安瓿透過起泡器耦接到腔室的製程容積。
基板支撐組件432定位在腔室主體402的下部部分414中。基板支撐組件432被示出為在處理位置支撐基板410。基板支撐組件432包括由光學透明材料形成的基座支撐件427和由基座支撐件427支撐的基座426。支撐桿437將基座支撐件427耦接到基座426。基座支撐件427的軸460定位在升降桿接觸件442耦接到的護罩431內。基座支撐件427是可旋轉的，以便便於基板410在處理期間圍繞其中心旋轉。藉由馬達或皮帶和馬達(未示出)促成基座支撐件427的旋轉。致動器429耦接到基座支撐件427，並且用於提升和縮回軸，以使支撐件升高和降低。護罩431一般固定在適當的位置，並且因此在處理期間不旋轉。
升降桿433穿過形成在基座支撐件427中的開口(未標記)設置。升降桿433可透過與可移動升降桿接觸件442接觸來豎直地致動，並且被調適成接觸基板410的下側以將基板410從處理位置(如圖所示)提升到基板移除位置，以及將新裝載的基板從裝載位置支撐到在基座426上的處理位置。使升降桿接觸件442上下移動、或當支撐件上下移動時靜止地定位，致使升降桿433的底部與升降桿接觸件442接觸，使得它們在支撐件繼續向下移動時停止向下移動。預熱環423可移除地設置在下部襯裡440上，下部襯裡440耦接到腔室主體402。預熱環423圍繞腔室主體402的內部容積設置並在基板410在處理位置時環繞基板410。預熱環423便於在製程氣體通過鄰近預熱環423的氣室420進入腔室主體402時預熱製程氣體，並且減小腔室的上部容積和下部容積之間的開口的大小。
上部圓頂416的中心訊窗部分415和下部圓頂430的底部部分417由諸如石英的光學透明材料形成。
本文所述的製程允許矽鍺化合物在低溫(例如，約450℃或更低)下在基板表面或先前形成在基板表面上的層的表面(例如，材料、薄膜和/或層)上選擇性地生長，其中在約400℃或更低的溫度下、諸如在約350℃或更低的溫度下，在晶體矽表面上沉積具有幾乎完全的選擇性。該製程有利地提供在沉積的Si:Ge層中的1×1015 原子/cm3 至約5×1021 原子/cm3 的硼濃度(諸如約5×1019 原子/cm3 至約5×1021 原子/cm3 ，或約1×1018 原子/cm3 至約5×1021 原子/cm3 ，或在約1×1020 原子/cm3 至約2.5×1021 原子/cm3 的範圍內)。此外，使用諸如硼的摻雜劑有利地允許在低溫下生長磊晶矽鍺薄膜。
已經發現，為了在較低溫度下在矽鍺磊晶生長或沉積製程中實現對晶體層比對多晶矽或非晶層更大的沉積或生長選擇性，應當使用高級鍺烷或鹵化鍺(諸如如二鍺烷)作為鍺源。例如，含鍺層可以在低至約300℃的溫度下使用二鍺烷而形成。諸如矽烷或低級矽烷(諸如矽烷和二氯矽烷)的矽源也可以與更高級的鍺烷前驅物結合地使用，沉積SiGe材料層。如果單獨地使用，那麼這些低級矽烷在低於400℃的溫度下不會生長或沉積含矽層，但是當與高級鍺烷(諸如二鍺烷)結合時，可以用於與鍺沉積或生長結合地生長或沉積含矽層。由於以高級鍺烷方式進行的鍺生長一旦經過調諧就可能會相對於其在介電質(諸如矽基介電質)上的生長或沉積是選擇性的，而低階矽烷在低溫下不會在這些矽基介電質上生長矽，矽和鍺沉積(諸如二鍺烷和乙矽烷)製程在低溫下成為選擇性矽鍺製程。來自矽烷的矽在低於約400℃的溫度下不會在矽材料、介電材料或兩者上引發，但是可以在存在Ge的情況下在低於約400℃的溫度下在矽、介電質或兩者上引發，不過蝕刻劑可以與沉積源氣體結合地用來去除可在基板的非晶表面上引發的Si:Ge沉積。鍺烷前驅物中的鍺可以活化矽基板，使得矽烷反應在低於400℃的溫度下成為可能。
蝕刻劑可以與矽和鍺源共流動以進一步改善沉積或生長選擇性。蝕刻劑不限於氯化氫，並且可以在分子中含有鹵素、鍺和/或矽。透過使含摻雜劑的物質、諸如乙硼烷(對於p型)和磷化氫(對於n型)與矽源和鍺源共流動，沉積材料的原位摻雜可以同時實現。
電腦系統可以執行在非暫時性電腦可讀媒體中提供的指令。非暫時性電腦可讀媒體可以包括用於執行本文所述的方法的指令。或者，可以將用於執行本文所述的方法的指令添加到非暫時性電腦可讀媒體。非暫時性電腦可讀媒體可以包括致使電腦系統控制基板處理設備執行本文所述的製程的指令。基板處理腔室可以是基板處理設備的一部分。電腦系統可以連接到基板處理腔室中的一個或多個、調節源氣體、摻雜劑氣體、蝕刻劑氣體的閥、以及調節基板處理設備的各種部件的溫度和壓力的開關。
本公開內容尤其提供以下實施方式，其中每個可以被視為任選地包括任何替代實施方式：
條款1.一種在基板上沉積矽鍺材料的方法，包括：將基板定位在基板處理腔室內，所述基板上具有介電材料和含矽單晶；將所述基板維持在約450℃或更低的溫度處；將所述基板暴露於製程氣體，所述製程氣體包括：矽源氣體；鍺源氣體；蝕刻劑氣體；載氣；以及至少一種摻雜劑源氣體；以及在所述基板上磊晶地和選擇性地沉積第一矽鍺材料。
條款2.如條款1的方法，其中所述摻雜劑源氣體是含硼摻雜劑源氣體、含磷摻雜劑源氣體或含砷摻雜劑源氣體。
條款3.如條款2的方法，其中所述含硼摻雜劑源氣體是乙硼烷。
條款4.如條款1至3中任一項的方法，其中所述蝕刻劑氣體是HCl、HF、Cl2 、HBr、Br2 、SiCl4 、SiHCl3 、SiH2 Cl2 、GeCl4 和GeHCl3 中的一種或多種。
條款5.如條款1至4中任一項的方法，其中所述矽鍺材料在所述摻雜的SiGe材料中具有約1×1015 原子/cm3 至約5×1021 原子/cm3 的硼濃度。
條款6. 如條款1至5中任一項的方法，其中將所述基板加熱至約400℃或更低的溫度。
條款7.如條款1至6中任一項的方法，其中所述製程氣體包括：流率為約5sccm至約500sccm的所述矽源氣體；流率為約0.1sccm至約100sccm的所述鍺源氣體；流率為約1000sccm至約60,000sccm的所述載氣；以及流率為約0.01sccm至約3sccm的所述摻雜劑源氣體。
條款8.如條款1至7中任一項的方法，進一步包括：將所述基板暴露於包括第二矽源氣體和第二鍺源氣體的第二製程氣體；以及在所述基板上磊晶地和選擇性地沉積第二矽鍺材料。
條款9.如條款1至8中任一項的方法，其中將所述基板處理腔室加壓至約0.1托至約200托的壓力。
條款10.一種在基板上沉積矽鍺材料的方法，包括：將基板定位在基板處理腔室內，所述基板上具有介電材料和矽鍺單晶；將所述基板維持在約450℃或更低的溫度處；將所述基板暴露於製程氣體，所述製程氣體包括：矽源氣體；鍺源氣體；蝕刻劑氣體；載氣；以及至少一種摻雜劑源氣體，所述至少一種摻雜劑源氣體包括含硼摻雜劑源氣體或含磷摻雜劑源氣體；以及在所述基板上磊晶地和選擇性地沉積矽鍺材料，所述矽鍺材料具有0.3mΩ·cm的電阻率。
條款11.如條款10的方法，其中所述含硼摻雜劑源氣體是乙硼烷。
條款12.如條款10或11的方法，其中將所述基板加熱至約400℃或更低的溫度。
條款13.如條款10至12中任一項的方法，其中所述矽源氣體是矽烷、二氯矽烷或乙矽烷。
條款14.如條款10至13中任一項的方法，其中所述鍺源氣體是二鍺烷、三鍺烷、四鍺烷、GeCl4 或GeHCl3 。
條款15.如條款10至14中任一項的方法，其中所述製程氣體包括：流率為約5sccm至約500sccm的所述矽源氣體；流率為約0.1sccm至約100sccm的所述鍺源氣體；流率為約1000sccm至約60,000sccm的所述載氣；流率為約0.01sccm至約3sccm的所述摻雜劑源氣體。
條款16.如條款10至15中任一項的方法，其中將所述基板處理腔室加壓至約0.1托至約200托的壓力。
條款17.一種在基板上沉積矽鍺材料的方法，包括：將基板定位在基板處理腔室內，所述基板上具有介電材料和含矽單晶；將所述基板維持在400℃或更低的溫度處；將所述基板暴露於製程氣體，所述製程氣體包括：矽源氣體；鍺源氣體，所述鍺源氣體包括鍺烷或二鍺烷；蝕刻劑氣體，所述蝕刻劑氣體包括HCl、HF、Cl2 、HBr、Br2 、SiCl4 、SiHCl3 、SiH2 Cl2 、GeCl4 和GeHCl3 中的一種或多種；載氣；以及摻雜劑源氣體，所述摻雜劑源氣體包括乙硼烷；以及在所述基板上磊晶地和選擇性地沉積第一矽鍺材料。
條款18.如條款17的方法，其中所述矽源氣體是矽烷、二氯矽烷或乙矽烷。
條款19.如條款17或條款18的方法，其中所述製程氣體包括：流率為約5sccm至約500sccm的所述矽源氣體；流率為約0.1sccm至約100sccm的所述鍺源氣體；流率為約1000sccm至約60,000sccm的所述載氣；以及流率為約0.01sccm至約3sccm的所述摻雜劑源氣體。
條款20.如條款17至19中任一項的方法，其中將所述基板處理腔室加壓至約0.1托至約200托的壓力。
條款21.一種非暫時性電腦可讀媒體，所述非暫時性電腦可讀媒體包括致使電腦系統控制基板處理設備執行製程的指令，包括：將基板定位在基板處理腔室內，所述基板上具有介電材料和含矽單晶；將所述基板維持在約450℃或更低的溫度處；將所述基板暴露於製程氣體，所述製程氣體包括：矽源氣體；鍺源氣體；蝕刻劑氣體；載氣；以及至少一種摻雜劑源氣體；和在所述基板上磊晶地和選擇性地沉積第一矽鍺材料。
條款22.如條款21的非暫時性電腦可讀媒體，其中所述摻雜劑源氣體是含硼摻雜劑源氣體、含磷摻雜劑源氣體或含砷摻雜劑源氣體。
條款23.如條款22的非暫時性電腦可讀媒體，其中所述含硼摻雜劑源氣體是乙硼烷。
條款24.如條款21至23中任一項的非暫時性電腦可讀媒體，其中所述蝕刻劑氣體是HCl、HF、Cl2 、HBr、Br2 、SiCl4 、SiHCl3 、SiH2 Cl2 、GeCl4 和GeHCl3 中的一種或多種。
條款25.如條款21至24中任一項的非暫時性電腦可讀媒體，其中所述矽鍺材料在所述摻雜的SiGe材料中具有約1×1015 原子/cm3 至約5×1021 原子/cm3 的硼濃度。
條款26.如條款21至25中任一項的非暫時性電腦可讀媒體，其中將所述基板加熱至約400℃或更低的溫度。
條款27.如條款21至26中任一項的非暫時性電腦可讀媒體，其中所述製程氣體包括：流率為約5sccm至約500sccm的所述矽源氣體；流率為約0.1sccm至約100sccm的所述鍺源氣體；流率為約1000sccm至約60,000sccm的所述載氣；流率為約0.01sccm至約3sccm的所述摻雜劑源氣體。
條款28.如條款21至27中任一項的非暫時性電腦可讀媒體，進一步包括：將所述基板暴露於包括第二矽源氣體和第二鍺源氣體的第二製程氣體；以及在所述基板上磊晶地和選擇性地沉積第二矽鍺材料。
條款29.如條款21至28中任一項的非暫時性電腦可讀媒體，其中將所述基板處理腔室加壓至約0.1托至約200托的壓力。
條款30.一種非暫時性電腦可讀媒體，所述非暫時性電腦可讀媒體包括致使電腦系統控制基板處理設備執行製程的指令，所述製程包括：將基板定位在基板處理腔室內，所述基板上具有介電材料和矽鍺單晶；將所述基板維持在約450℃或更低的溫度處；將所述基板暴露於製程氣體，所述製程氣體包括：矽源氣體；鍺源氣體；蝕刻劑氣體；載氣；和至少一種摻雜劑源氣體，所述至少一種摻雜劑源氣體包括含硼摻雜劑源氣體或含磷摻雜劑源氣體；和在所述基板上磊晶地和選擇性地沉積矽鍺材料，所述矽鍺材料具有0.3mΩ·cm的電阻率。
條款31.如條款30的非暫時性電腦可讀媒體，其中所述含硼摻雜劑源氣體是乙硼烷。
條款32.如條款30或條款31的非暫時性電腦可讀媒體，其中將所述基板加熱至約400℃或更低的溫度。
條款33.如條款30至32中任一項的非暫時性電腦可讀媒體，其中所述矽源氣體是矽烷、二氯矽烷或乙矽烷。
條款34.如條款30至33中任一項的非暫時性電腦可讀媒體，其中所述鍺源氣體是二鍺烷、三鍺烷、四鍺烷、GeCl4 或GeHCl3 。
條款35.如條款30至34中任一項的非暫時性電腦可讀媒體，其中所述製程氣體包括：流率為約5sccm至約500sccm的所述矽源氣體；流率為約0.1sccm至約100sccm的所述鍺源氣體；流率為約1000sccm至約60,000sccm的所述載氣；流率為約0.01sccm至約3sccm的所述摻雜劑源氣體。
條款36.如條款30至35中任一項的非暫時性電腦可讀媒體，其中將所述基板處理腔室加壓至約0.1托至約200托的壓力。
條款37.一種非暫時性電腦可讀媒體，所述非暫時性電腦可讀媒體包括致使電腦系統控制基板處理設備執行製程的指令，包括：將基板定位在基板處理腔室內，所述基板上具有介電材料和含矽單晶；將所述基板維持在400℃或更低的溫度處；將所述基板暴露於製程氣體，所述製程氣體包括：矽源氣體；鍺源氣體，所述鍺源氣體包括鍺烷或二鍺烷；蝕刻劑氣體，所述蝕刻劑氣體包括HCl、HF、Cl2 、HBr、Br2 、SiCl4 、SiHCl3 、SiH2 Cl2 、GeCl4 和GeHCl3 中的一種或多種；載氣；以及摻雜劑源氣體，所述摻雜劑源氣體包括乙硼烷；和在所述基板上磊晶地和選擇性地沉積第一矽鍺材料。
條款38.如條款37的非暫時性電腦可讀媒體，其中矽源氣體是矽烷、二氯矽烷或乙矽烷。
條款39.如條款37或條款38的非暫時性電腦可讀媒體，其中所述製程氣體包括：流率為約5sccm至約500sccm的所述矽源氣體；流率為約0.1sccm至約100sccm的所述鍺源氣體；流率為約1000sccm至約60,000sccm的所述載氣；流率為約0.01sccm至約3sccm的摻雜劑源氣體。
條款40.如條款37至39中任一項的非暫時性電腦可讀媒體，其中將所述基板處理腔室加壓至約0.1托至約200托的壓力。
雖然前述內容針對本公開內容的實施方式，但在不脫離本公開內容的基本範圍的情況下可設計本公開內容的其它和進一步實施方式，並且本公開內容的範圍由隨附申請專利範圍來決定。
100:方法 105:操作 110:操作 115:操作 120:操作 150:方法 155:操作 160:操作 165:操作 170:操作 175:操作 180:操作 250:FinFET半導體結構 251:基板 252:鰭片 254:介電材料 258:閘極介電質 260:閘極電極 330:基板表面 332:凹部 334:間隔件 336:虛設閘極 340:SiGe層 350:FinFET 351:上表面 352:表面 354:鰭片 358:介電材料 362:表面 363:表面 366:磊晶矽化合物層 400:處理腔室 402:腔室主體 404:支撐系統 406:控制器 410:基板 412:上部部分 414:下部部分 415:中心訊窗部分 416:上部圓頂 417:底部部分 420:第一氣室 421:第二氣室 423:預熱環 426:基座 427:基座支撐件 429:致動器 430:下部圓頂 431:護罩 432:基板支撐組件 433:升降桿 435:燈 437:支撐桿 440:下部襯裡 442:升降桿接觸件 450:沉積氣體 460:軸 476:氣源 478:前驅物源 480:液體前驅物源 482:液體蒸發器
以上簡要概述本公開內容的詳述特徵可以被詳細理解的方式、以及本公開內容的更特定描述，可透過參照實施方式來理解，其中一些實施方式繪示於附圖中。然而，應當注意，附圖僅繪示了示例性實施方式，因此不應視為範圍，並且可以允許其它等同有效的實施方式。
圖1A是圖解了根據一些實施方式的形成磊晶層的方法的流程圖。
圖1B是圖解了根據一些實施方式的形成磊晶層的方法的流程圖。
圖2示出根據一些實施方式的具有磊晶沉積的含矽層的鰭式場效應電晶體(FinFET)元件。
圖3A示出傳統金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)內的源極/汲極擴展元件的圖示。
圖3B示出FinFET內的源極/汲極擴展元件的圖示。
圖4是可用於執行磊晶製程的熱處理腔室的截面圖。
為了便於理解，儘可能地，使用了相同的元件符號來標示各圖中共通的相同元件。考慮到，在沒有進一步的描述下一個實施方式的元件和特徵可以有利地併入其它實施方式中。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:方法
105-120:操作

Claims (20)

  1. 一種在一基板上沉積一矽鍺材料的方法，包括以下步驟： 將該基板定位在一基板處理腔室內，該基板上具有一介電材料和一含矽單晶；將該基板維持在約450℃或更低的一溫度處；將該基板暴露於一製程氣體，該製程氣體包括：一矽源氣體，一鍺源氣體，一蝕刻劑氣體，一載氣，和至少一種摻雜劑源氣體；和在該基板上磊晶地和選擇性地沉積一第一矽鍺材料。
  2. 如請求項1所述的方法，其中該摻雜劑源氣體是一含硼摻雜劑源氣體、一含磷摻雜劑源氣體或一含砷摻雜劑源氣體。
  3. 如請求項2所述的方法，其中該含硼摻雜劑源氣體是乙硼烷。
  4. 如請求項1所述的方法，其中該蝕刻劑氣體是HCl、HF、Cl2 、HBr、Br2 、SiCl4 、SiHCl3 、SiH2 Cl2 、GeCl4 和GeHCl3 中的一種或多種。
  5. 如請求項1所述的方法，其中該矽鍺材料在摻雜的SiGe材料中具有約1×1015 原子/cm3 至約5×1021 原子/cm3 的一硼濃度。
  6. 如請求項1所述的方法，其中將該基板加熱至約400℃或更低的一溫度。
  7. 如請求項1所述的方法，其中該製程氣體包括： 一流率為約5sccm至約500sccm的該矽源氣體； 一流率為約0.1sccm至約100sccm的該鍺源氣體； 一流率為約1000sccm至約60,000sccm的該載氣；和 一流率為約0.01sccm至約3sccm的該摻雜劑源氣體。
  8. 如請求項1所述的方法，進一步包括以下步驟： 將該基板暴露於包括一第二矽源氣體和一第二鍺源氣體的一第二製程氣體； 和 在該基板上磊晶地和選擇性地沉積一第二矽鍺材料。
  9. 如請求項1所述的方法，其中將該基板處理腔室加壓至約0.1托至約200托的一壓力。
  10. 一種在一基板上沉積一矽鍺材料的方法，包括以下步驟： 將該基板定位在一基板處理腔室內，該基板上具有一介電材料和一矽鍺單晶； 將該基板維持在約450℃或更低的一溫度處； 將該基板暴露於一製程氣體，該製程氣體包括： 一矽源氣體， 一鍺源氣體， 一蝕刻劑氣體， 一載氣，和 至少一種摻雜劑源氣體，該至少一種摻雜劑源氣體包括一含硼摻雜劑源氣體或一含磷摻雜劑源氣體；和 在該基板上磊晶地和選擇性地沉積一矽鍺材料，該矽鍺材料具有0.3mΩ·cm的一電阻率。
  11. 如請求項10所述的方法，其中該含硼摻雜劑源氣體是乙硼烷。
  12. 如請求項10所述的方法，其中將該基板加熱至約400℃或更低的一溫度。
  13. 如請求項10所述的方法，其中該矽源氣體是矽烷、二氯矽烷或乙矽烷。
  14. 如請求項10所述的方法，其中該鍺源氣體是二鍺烷、三鍺烷、四鍺烷、GeCl4 或GeHCl3 。
  15. 如請求項10所述的方法，其中該製程氣體包括： 一流率為約5sccm至約500sccm的該矽源氣體； 一流率為約0.1sccm至約100sccm的該鍺源氣體； 一流率為約1000sccm至約60,000sccm的該載氣；和 一流率為約0.01sccm至約3sccm的該摻雜劑源氣體。
  16. 如請求項10所述的方法，其中將該基板處理腔室加壓至約0.1托至約200托的一壓力。
  17. 一種非暫時性電腦可讀媒體，該非暫時性電腦可讀媒體包括致使一電腦系統控制一基板處理設備執行一製程的指令，包括： 將基板定位在一基板處理腔室內，該基板上具有一介電材料和一含矽單晶； 將該基板維持在約450℃或更低的一溫度處； 將該基板暴露於一製程氣體，該製程氣體包括： 一矽源氣體， 一鍺源氣體， 一蝕刻劑氣體， 一載氣，和 至少一種摻雜劑源氣體；和 在該基板上磊晶地和選擇性地沉積一第一矽鍺材料。
  18. 如請求項17所述的非暫時性電腦可讀媒體，其中該摻雜劑源氣體是一含硼摻雜劑源氣體、一含磷摻雜劑源氣體或一含砷摻雜劑源氣體。
  19. 如請求項18所述的非暫時性電腦可讀媒體，其中該含硼摻雜劑源氣體是乙硼烷。
  20. 如請求項17所述的非暫時性電腦可讀媒體，其中該蝕刻劑氣體是HCl、HF、Cl2 、HBr、Br2 、SiCl4 、SiHCl3 、SiH2 Cl2 、GeCl4 和GeHCl3 中的一種或多種。
TW108126935A 2018-07-30 2019-07-30 於低溫選擇性矽鍺磊晶之方法 TWI828731B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862711876P 2018-07-30 2018-07-30
US62/711,876 2018-07-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202013453A true TW202013453A (zh) 2020-04-01
TWI828731B TWI828731B (zh) 2024-01-11

Family

ID=69177479

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108126935A TWI828731B (zh) 2018-07-30 2019-07-30 於低溫選擇性矽鍺磊晶之方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11018003B2 (zh)
EP (1) EP3830860A4 (zh)
KR (1) KR102501287B1 (zh)
CN (1) CN110783171A (zh)
TW (1) TWI828731B (zh)
WO (1) WO2020028028A1 (zh)

Families Citing this family (192)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
TW202405221A (zh) 2018-06-27 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210089077A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
CN111525002B (zh) * 2020-06-15 2022-05-03 中国科学院微电子研究所 硅漂移探测器的制备方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
TW202248476A (zh) * 2021-05-17 2022-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積含硼之矽鍺層的方法和系統以及包含含硼之矽鍺層的場效電晶體
EP4374417A1 (en) * 2021-07-23 2024-05-29 Applied Materials, Inc. Methods of formation of a sige/si superlattice
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7176111B2 (en) * 1997-03-28 2007-02-13 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method for depositing polycrystalline SiGe suitable for micromachining and devices obtained thereof
WO2002080244A2 (en) 2001-02-12 2002-10-10 Asm America, Inc. Improved process for deposition of semiconductor films
US20040175893A1 (en) 2003-03-07 2004-09-09 Applied Materials, Inc. Apparatuses and methods for forming a substantially facet-free epitaxial film
US7682947B2 (en) 2003-03-13 2010-03-23 Asm America, Inc. Epitaxial semiconductor deposition methods and structures
US7166528B2 (en) 2003-10-10 2007-01-23 Applied Materials, Inc. Methods of selective deposition of heavily doped epitaxial SiGe
US7132338B2 (en) 2003-10-10 2006-11-07 Applied Materials, Inc. Methods to fabricate MOSFET devices using selective deposition process
JP2008513979A (ja) 2004-09-14 2008-05-01 アリゾナ ボード オブ リージェンツ ア ボディー コーポレート アクティング オン ビハーフ オブ アリゾナ ステイト ユニバーシティ 基板上でのＳｉ−Ｇｅ半導体材料およびデバイスの成長方法
US7977154B2 (en) * 2006-04-14 2011-07-12 Mississippi State University Self-aligned methods based on low-temperature selective epitaxial growth for fabricating silicon carbide devices
US8207023B2 (en) * 2009-08-06 2012-06-26 Applied Materials, Inc. Methods of selectively depositing an epitaxial layer
JP5696530B2 (ja) * 2010-05-01 2015-04-08 東京エレクトロン株式会社 薄膜の形成方法及び成膜装置
US10011920B2 (en) * 2011-02-23 2018-07-03 International Business Machines Corporation Low-temperature selective epitaxial growth of silicon for device integration
US20120295417A1 (en) * 2011-05-17 2012-11-22 International Business Machines Corporation Selective epitaxial growth by incubation time engineering
US9218962B2 (en) * 2011-05-19 2015-12-22 Globalfoundries Inc. Low temperature epitaxy of a semiconductor alloy including silicon and germanium employing a high order silane precursor
US8642454B2 (en) * 2011-05-19 2014-02-04 International Business Machines Corporation Low temperature selective epitaxy of silicon germanium alloys employing cyclic deposit and etch
EP2688089A1 (en) * 2012-07-17 2014-01-22 Imec Method for selective growth of highly doped group IV-Sn semiconductor materials
KR20170070281A (ko) 2014-10-30 2017-06-21 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 저온에서 얇은 에피택셜 필름들을 성장시키는 방법
JP6624998B2 (ja) * 2016-03-30 2019-12-25 東京エレクトロン株式会社 ボロンドープシリコンゲルマニウム膜の形成方法および形成装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN110783171A (zh) 2020-02-11
US20200035489A1 (en) 2020-01-30
EP3830860A4 (en) 2022-04-20
KR102501287B1 (ko) 2023-02-21
WO2020028028A1 (en) 2020-02-06
US11018003B2 (en) 2021-05-25
KR20210027511A (ko) 2021-03-10
TWI828731B (zh) 2024-01-11
EP3830860A1 (en) 2021-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI828731B (zh) 於低溫選擇性矽鍺磊晶之方法
JP4969244B2 (ja) 大量にドープされたエピタキシャルＳｉＧｅを選択的に堆積させる方法
US7439142B2 (en) Methods to fabricate MOSFET devices using a selective deposition process
KR100941545B1 (ko) 선택적 에피택시 공정의 제어
US8207023B2 (en) Methods of selectively depositing an epitaxial layer
JP2009535859A (ja) 炭素を混合したｓｉ膜を使用した極浅接合形成の方法
US20230223257A1 (en) Methods of epitaxially growing boron-containing structures
TW201946124A (zh) 用於n型金氧半導體源極汲極應用的共摻雜處理
US20220319844A1 (en) Anisotropic epitaxial growth
KR20070022046A (ko) 선택적인 증착 프로세스들을 이용하여 ｍｏｓｆｅｔ 소자를제조하는 방법