TW201940900A - 放射線檢測器以及放射線圖像拍攝裝置 - Google Patents

放射線檢測器以及放射線圖像拍攝裝置 Download PDF

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Abstract

提供一種放射線檢測器以及放射線圖像拍攝裝置。放射線檢測器具備：感測器基板，其包含撓性的基材、以及設置於所述基材的第1面且形成有蓄積對應於從放射線變換的光而產生的電荷的多個像素的層；變換層，其設置於所述感測器基板的所述第1面側，且將放射線變換成所述光；和彈力層，其設置於所述變換層中的設置所述感測器基板的一側的相反側，且具有比所述感測器基板高的針對撓曲的復原力。

Description

放射線檢測器以及放射線圖像拍攝裝置
本發明是有關於放射線檢測器以及放射線圖像拍攝裝置。
過去，已知進行以醫療診斷為目的的放射線拍攝的放射線圖像拍攝裝置。在這樣的放射線圖像拍攝裝置中使用用於檢測透過被攝體的放射線並生成放射線圖像的放射線檢測器。
作為放射線檢測器，有具備如下要素的放射線檢測器：將放射線變換成光的閃爍體等變換層；和設置有蓄積對應於由變換層變換的光而產生的電荷的多個像素的感測器基板。作為這樣的放射線檢測器，已知在感測器基板中使用撓性的基材的放射線檢測器（例如參考國際公開編號WO2010/070735號）。藉由使用撓性的基材，例如能使放射線圖像拍攝裝置（放射線檢測器）輕量化，而且有時會使被攝體的拍攝變得容易。
發明要解決的課題
另外，作為在感測器基板中使用撓性的基材的放射線檢測器的製造方法的示例，已知被稱作塗布法的方法以及被稱作層壓法的方法。在塗布法中，在玻璃基板等支承體上，藉由塗布來形成撓性的基材，並進一步形成感測器基板以及變換層。之後，藉由雷射剝離將形成有變換層的感測器基板從支承體剝離。另一方面，在層壓法中，將成為撓性的基材的薄片貼合於玻璃基板等支承體，並進一步形成感測器基板以及變換層。之後，藉由機械剝離或雷射剝離，將形成有變換層的感測器基板從支承體剝離。
如此，不管在塗布法以及層壓法的哪一者中，在其製造工程中，都包含將感測器基板從支承體剝離的工程，但在從支承體將感測器基板剝離的情況下，有時感測器基板中所用的撓性的基材會撓曲。由於撓性的基材所產生的撓曲的影響，例如有時會出現感測器基板的像素的損傷或變換層的損傷等情況。
本公開提供放射線檢測器以及放射線圖像拍攝裝置，相比在變換層中的設置感測器基板的一側的相反側設置並不具有比感測器基板高的針對撓曲的復原力的層的結構，在具備具有使用支承體製造的撓性的基材的感測器基板的放射線檢測器的製造工程中，能抑制將感測器基板從支承體剝離時產生的撓曲的影響。
解決課題的手段
本公開的第1方案是放射線檢測器，該放射線檢測器具備：感測器基板，其包含撓性的基材、以及設置於基材的第1面且形成有多個像素的層，多個像素蓄積對應於從放射線變換的光而產生的電荷；變換層，設置於感測器基板的第1面側，且將放射線變換成光；和彈力層，設置於變換層中的設置感測器基板的一側的相反側，且具有比感測器基板高的針對撓曲的復原力。
另外，本公開的第2方案的放射線檢測器在第1方案的放射線檢測器的基礎上，彈力層的彎曲彈性模量是150MPa以上且2500MPa以下。
另外，本公開的第3方案的放射線檢測器在第1方案或第2方案的放射線檢測器的基礎上，彈力層的材料包含聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯以及低密度聚乙烯中的至少一種。
另外，本公開的第4方案的放射線檢測器在第1方案至第3方案中的任意一個方案的放射線檢測器的基礎上，彈力層的熱膨脹係數相對於變換層的熱膨脹係數之比是0.5以上且4以下。
另外，本公開的第5方案的放射線檢測器在第1方案至第4方案中的任意一個方案的放射線檢測器的基礎上，彈力層的熱膨脹係數是30ppm/K以上且200ppm/K以下。
另外，本公開的第6方案的放射線檢測器在第1方案至第5方案中的任意一個方案的放射線檢測器的基礎上，感測器基板還包含：端子部，其設置於基材的第1面的外周部，且連接用於從像素讀出電荷的線纜，彈力層的端部位於比設置端子部的區域更靠內側的位置。
另外，本公開的第7方案的放射線檢測器在第6方案的放射線檢測器的基礎上，變換層具有：周緣部，具有越往外側厚度越薄的傾斜；和被周緣部包圍的中央部，彈力層至少覆蓋中央部。
另外，本公開的第8方案的放射線檢測器在第6方案的放射線檢測器的基礎上，變換層具有：周緣部，具有越往外側厚度越薄的傾斜；和被周緣部包圍的中央部，彈力層覆蓋周緣部的至少一部分以及中央部。
另外，本公開的第9方案的放射線檢測器在第6方案的放射線檢測器的基礎上，變換層具有：周緣部，具有越往外側厚度越薄的傾斜；和被周緣部包圍的中央部，彈力層的端部至少從覆蓋中央部的區域一直設置到與周緣部的外周對應的區域為止。
另外，本公開的第10方案的放射線檢測器在第1方案至第5方案中的任意一個方案的放射線檢測器的基礎上，感測器基板還包含：端子部，其設置於基材的第1面的外周部，且連接用於從像素讀出電荷的線纜，彈力層一直設置到與設置端子部的區域的一部分或全部對向的區域為止。
另外，本公開的第11方案的放射線檢測器在第1方案至第5方案中的任意一個方案的放射線檢測器的基礎上，彈力層設置於比設置變換層的感測器基板的區域更大的區域。
另外，本公開的第12方案的放射線檢測器在第1方案至第5方案中的任意一個方案的放射線檢測器的基礎上，彈力層的端部比感測器基板的端部更向外側突出。
另外，本公開的第13方案的放射線檢測器在第1方案至第5方案中的任意一個方案的放射線檢測器的基礎上，彈力層還具備：支承部，其一直設置到變換層外的區域為止，對彈力層的端部與感測器基板之間進行支承。
另外，本公開的第14方案的放射線檢測器在第1方案至第5方案中的任意一個方案的放射線檢測器的基礎上，還具備：填充件，其填充感測器基板與彈力層之間的不包含變換層的空間。
另外，本公開的第15方案的放射線檢測器在第14方案的放射線檢測器的基礎上，填充件與感測器基板以及彈力層相接。
另外，本公開的第16方案的放射線檢測器在第1方案至第15方案中的任意一個方案的放射線檢測器的基礎上，還具備：緊貼層，其設置於感測器基板與變換層之間。
另外，本公開的第17方案的放射線檢測器在第1方案至第15方案中的任意一個方案的放射線檢測器的基礎上，還具備：緩衝層，其設置於感測器基板與變換層之間，對變換層的熱膨脹係數與感測器基板的熱膨脹係數之差進行緩衝。
另外，本公開的第18方案的放射線檢測器在第1方案至第17方案中的任意一個方案的放射線檢測器的基礎上，還具備：彈力構件，其設置於基材的第1面的相反側的第2面側，且具有比感測器基板高的針對撓曲的復原力。
另外，本公開的第19方案的放射線檢測器在第18方案的放射線檢測器的基礎上，彈力層的至少一部分和彈力構件的至少一部分夾著感測器基板以及變換層而對向。
另外，本公開的第20方案的放射線檢測器在第18方案或第19方案的放射線檢測器的基礎上，彈力構件的材料包含聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯以及低密度聚乙烯中的至少一種。
另外，本公開的第21方案的放射線檢測器在第18方案至第20方案中的任意一個方案的放射線檢測器的基礎上，彈力構件的熱膨脹係數相對於變換層的熱膨脹係數之比是0.5以上且4以下。
另外，本公開的第22方案的放射線檢測器在第18方案至第21方案中的任意一個方案的放射線檢測器的基礎上，彈力構件的熱膨脹係數是30ppm/K以上且200ppm/K以下。
另外，本公開的第23方案的放射線檢測器在第1方案至第22方案中的任意一個方案的放射線檢測器的基礎上，基材是樹脂製，且具有微粒子層，微粒子層包含平均粒子徑為0.05μm以上且2.5μm以下的無機的微粒子。
另外，本公開的第24方案的放射線檢測器在第23方案的放射線檢測器的基礎上，基材在第2面側具有微粒子層。
另外，本公開的第25方案的放射線檢測器在第23方案或第24方案的放射線檢測器的基礎上，微粒子包含原子序號比構成基材的元素大且原子序號為30以下的元素。
另外，本公開的第26方案的放射線檢測器在第1方案至第25方案中的任意一個方案的放射線檢測器的基礎上，基材在300℃～400℃下的熱膨脹係數是20ppm/K以下。
另外，本公開的第27方案的放射線檢測器在第1方案至第26方案中的任意一個方案的放射線檢測器的基礎上，基材在厚度為25μm的狀態下滿足400℃下的MD方向（Machine Direction，機械方向）的熱收縮率為0.5%以下、以及500℃下的彈性模量為1GPa以上這兩者中的至少一者。
另外，本公開的第28方案的放射線檢測器在第1方案至第27方案中的任意一個方案的放射線檢測器的基礎上，彈力層的剛性比基材高。
另外，本公開的第29方案的放射線檢測器在第1方案至第28方案中的任意一個方案的放射線檢測器的基礎上，變換層包含CsI。
另外，本公開的第30方案的放射線圖像拍攝裝置具備：第1方案至第29方案中的任意一個方案記載的放射線檢測器；控制部，輸出用於讀出蓄積於多個像素的電荷的控制信號；驅動部，對應於控制信號來輸出用於從多個像素讀出電荷的驅動信號；和信號處理部，輸入與從多個像素讀出的電荷相應的電信號，生成並輸出與所輸入的電信號相應的圖像數據。
另外，本公開的第31方案的放射線圖像拍攝裝置在第30方案的放射線圖像拍攝裝置的基礎上，在與放射線檢測器中的基材、形成有多個像素的層、以及變換層所排列的層疊方向交叉的方向上，排列設置有控制部和放射線檢測器。
另外，本公開的第32方案的放射線圖像拍攝裝置在第30方案的放射線圖像拍攝裝置的基礎上，還具備：電源部，對控制部、驅動部以及信號處理部中的至少一者提供電力，在與放射線檢測器中的感測器基板、變換層、以及彈力層所排列的層疊方向交叉的方向上，排列設置有電源部、控制部、和放射線檢測器。
另外，本公開的第33方案的放射線圖像拍攝裝置在第30方案的放射線圖像拍攝裝置的基礎上，還具備：殼體，其具有被照射放射線的照射面，在放射線檢測器中的感測器基板以及變換層當中的感測器基板與照射面對向的狀態下收納放射線檢測器。
發明效果
根據本公開的第1方案，相比在變換層中的設置感測器基板的一側的相反側設置並不具有比感測器基板高的針對撓曲的復原力的層的結構，在具備具有使用支承體製造的撓性的基材的感測器基板的放射線檢測器的製造工程中，能抑制將感測器基板從支承體剝離時產生的撓曲的影響。
根據第2方案，相比彎曲彈性模量不足150MPa的情況或超過2500MPa的情況，能抑制用於得到所期望的剛性的彈力層的厚度。
根據第3方案，相比不包含聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、以及低密度聚乙烯中的至少一種的情況，能抑制感測器基板與變換層的剝離。
根據第4方案，相比熱膨脹係數之比不足0.5的情況或超過4的情況，能抑制感測器基板與變換層的剝離。
根據第5方案，相比熱膨脹係數不足30ppm/K的情況或超過200ppm/K的情況，能抑制感測器基板與變換層的剝離。
根據本公開的第6方案，相比彈力層的端部位於比設置端子部的區域更靠外側的位置的情況，能易於在端子部設置端子。
根據本公開的第7方案，相比彈力層不覆蓋變換層的中央部的情況，能更加抑制將感測器基板從支承體剝離時產生的撓曲的影響。
根據本公開的第8方案，相比彈力層不覆蓋變換層的周緣部的至少一部分以及中央部的情況，能更加抑制將感測器基板從支承體剝離時產生的撓曲的影響。
根據本公開的第9方案，相比彈力層的端部並非至少從覆蓋變換層的中央部的區域一直設置到與周緣部的外周對應的區域為止的情況，能更加抑制將感測器基板從支承體剝離時產生的撓曲的影響。
根據本公開的第10方案，相比未在設置端子部的區域設置彈力層的情況，直至感測器基板的更端部為止，都能賦予針對撓曲的高的復原力。
根據本公開的第11方案，相比將彈力層設置於比設置變換層的感測器基板的區域狹小的區域的情況，能抑制變換層的端部從感測器基板剝離。
根據本公開的第12方案，相比彈力層的端部比感測器基板的端部更靠內側的情況，直至感測器基板的更端部為止，都能賦予針對撓曲的高的復原力。
根據本公開的第13方案，相比彈力層的端部與感測器基板之間未被支承部支承的情況，直至感測器基板的更端部為止，都能賦予針對撓曲的高的復原力。
根據本公開的第14方案，相比在感測器基板與彈力層之間的不包含變換層的空間不填充填充件的情況，直至感測器基板的更端部為止，都能賦予針對撓曲的高的復原力。
根據本公開的第15方案，相比填充件不與感測器基板以及彈力層相接的情況，能更穩定地設置彈力層。
根據本公開的第16方案，相比不設置緊貼層的情況，能使變換層難以從感測器基板剝離。
根據本公開的第17方案，相比不設置緩衝層的情況，能抑制感測器基板與變換層的剝離。
根據本公開的第18方案，相比在基材的第2面側不設置具有比感測器基板高的針對撓曲的復原力的彈力構件的情況，能抑制感測器基板所產生的撓曲的影響。
根據本公開的第19方案，與彈力層的至少一部分和彈力構件的至少一部分未夾著感測器基板以及變換層而對向的情況相比，由於彈力層和彈力構件相互補足，因此更能抑制感測器基板所產生的撓曲的影響。
根據本公開的第20方案，相比不包含聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、以及低密度聚乙烯中的至少一種的情況，能抑制感測器基板與變換層的剝離。
根據本公開的第21方案，相比熱膨脹係數之比不足0.5的情況或超過4的情況，能抑制感測器基板與變換層的剝離。
根據本公開的第22方案，相比熱膨脹係數不足30ppm/K的情況或超過200ppm/K的情況，能抑制感測器基板與變換層的剝離。
根據本公開的第23方案，相比基材不具有包含平均粒子徑為0.05μm以上且2.5μm以下的無機的微粒子的微粒子層的情況，能抑制在基材內產生的後向散射射線。
根據本公開的第24方案，相比基材在第1面側具有微粒子層的情況，能精度良好地形成像素。
根據本公開的第25方案，相比微粒子不包含原子序號比構成基材的元素大且原子序號為30以下的元素的情況，能有效地進行後向散射射線的抑制，且能抑制微粒子層中的放射線的吸收。
根據本公開的第26方案，相比基材在300℃～400℃下的熱膨脹係數超過20ppm/K的情況，能成為適於像素的製造的基材。
根據本公開的第27方案，相比基材在厚度為25μm的狀態下400℃下的機械方向(MD方向)的熱收縮率超過0.5%且500℃下的彈性模量不足1GPa的情況，能成為適於像素的製造的基材。
根據本公開的第28方案，相比彈力層的剛性為基材的剛性以下的情況，能抑制基材的撓曲。
根據本公開的第29方案，相比變換層不包含CsI的情況，能提高從放射線向可見光的變換效率。
根據本公開的第30方案，相比具備與第1方案至第29方案中的任意一個方案記載的放射線檢測器不同的放射線檢測器的情況，能抑制感測器基板與變換層的剝離。
根據本公開的第31方案，相比具備與第1方案至第29方案中的任意一個方案記載的放射線檢測器不同的放射線檢測器的情況，即使是控制部和放射線檢測器在與放射線檢測器中的基材、形成有多個像素的層、以及變換層所排列的層疊方向交叉的方向上排列設置的情況，也能抑制感測器基板與變換層的剝離。
根據本公開的第32方案，相比具備與第1方案至第29方案中的任意一個方案記載的放射線檢測器不同的放射線檢測器的情況，即使是電源部、控制部、和放射線檢測器在與放射線檢測器中的感測器基板、變換層、以及彈力層所排列的層疊方向交叉的方向上排列設置的情況，也能抑制感測器基板與變換層的剝離。
根據本公開的第33方案，相比殼體在照射面和變換層對向的狀態下收納放射線檢測器的情況，能提升放射線圖像的畫質。
以下，參考附圖來詳細說明本發明的例示的實施方式。另外，本例示的實施方式並不對本發明進行限定。
[第1例示的實施方式]
本例示的實施方式的放射線圖像拍攝裝置具有以下功能：藉由檢測透過拍攝對象即被攝體的放射線並輸出表徵被攝體的放射線圖像的圖像資訊，從而對拍攝對象的放射線圖像進行拍攝。
首先，參考圖1來說明本例示的實施方式的放射線圖像拍攝裝置中的電氣系統的結構的一例的概況。圖1是表示本例示的實施方式的放射線圖像拍攝裝置中的電氣系統的主要部分結構的一例的方塊圖。
如圖1所示那樣，本例示的實施方式的放射線圖像拍攝裝置1具備：放射線檢測器10、控制部100、驅動部102、信號處理部104、圖像記憶體106、以及電源部108。
放射線檢測器10具備感測器基板12（參考圖3）和將放射線變換成光的變換層30（參考圖3）。感測器基板12具備撓性的基材14和設置於基材14的第1面14A的多個像素16。另外，以下有時將多個像素16僅稱作“像素16”。
如圖1所示那樣，本例示的實施方式的各像素16具備：對應於變換層所變換的光而產生電荷並對該電荷進行蓄積的感測器部22；以及讀出在感測器部22中蓄積的電荷的開關元件20。在本例示的實施方式中，作為一例，使用薄膜晶體管（TFT：Thin Film Transistor）作為開關元件20。因此，以下將開關元件20稱作“TFT20”。在本例示的實施方式中，作為形成有感測器部22以及TFT20、進而被平坦化的層，設置有在基材14的第1面14A形成有像素16的層。以下，為了說明方便，有時將形成有像素16的層稱作“像素16”。
像素16在感測器基板12的像素區域15沿著一方向（與圖1的橫向對應的掃描佈線方向，以下也稱作“行方向”）以及相對於行方向的交叉方向（與圖1的縱向對應的信號佈線方向，以下也稱作“列方向”）以二維狀進行配置。在圖1中簡化示出了像素16的排列，但例如像素16在行方向以及列方向上配置1024個×1024個。
另外，在放射線檢測器10，將像素16的每行所具備的用於控制TFT20的開關狀態（接通以及斷開）的多個掃描佈線26、和像素16的每列所具備的讀出蓄積於感測器部22的電荷的多個信號佈線24相互交叉設置。多個掃描佈線26各自分別經由焊盤（參考圖6A等，焊盤130）與驅動部102連接。在驅動部102連接後述的控制部100，對應於從控制部100輸出的控制信號而輸出驅動信號。多個掃描佈線26各自使從驅動部102輸出的、驅動TFT20來控制開關狀態的驅動信號流過多個掃描佈線中的每個掃描佈線。另外，多個信號佈線24各自分別經由焊盤（參考圖6A等，焊盤130）與信號處理部104連接，由此將從各像素16讀出的電荷作為電信號輸出到信號處理部104。信號處理部104生成並輸出與所輸入的電信號相應的圖像數據。
在信號處理部104連接後述的控制部100，將從信號處理部104輸出的圖像數據依次輸出到控制部100。在控制部100連接圖像記憶體106，從信號處理部104依次輸出的圖像數據藉由控制部100的控制而依次記憶到圖像記憶體106。圖像記憶體106具有能記憶給定的張數的量的圖像數據的記憶容量，每當進行放射線圖像的拍攝時，將藉由拍攝而得到的圖像數據依次記憶到圖像記憶體106。
控制部100具備：CPU（Central Processing Unit，中央處理器）100A、包含ROM（Read Only Memory，唯讀記憶體）和RAM（Random Access Memory，隨機存取記憶體）等的記憶體100B、以及快閃記憶體等非易失性的記憶部100C。作為控制部100的一例，能舉出微電腦等。控制部100控制放射線圖像拍攝裝置1的整體的動作。
另外，在各像素16的感測器部22，為了對各像素16施加偏置電壓而在信號佈線24的佈線方向上設置公共佈線28。公共佈線28經由焊盤（參考圖6A等，焊盤130）與感測器基板12的外部的偏置電源（圖示省略）連接，從而從偏置電源對各像素16施加偏置電壓。
電源部108對控制部100、驅動部102、信號處理部104以及圖像記憶體106等各種元件或各種電路提供電力。另外，在圖3中，為了避免複雜而省略連接電源部108和各種元件或各種電路的佈線的圖示。
進一步地，詳細說明本例示的實施方式的放射線檢測器10。圖2A是從第1面14A側來觀察本例示的實施方式的放射線檢測器10的俯視圖。另外，圖3是圖2A中的放射線檢測器10的A-A線截面圖。
本例示的實施方式的放射線檢測器10如圖2A以及圖3所示那樣具備：包含基材14以及像素16的感測器基板12、變換層30、黏著層32、反射層34、接著層36、保護層38、接著層40、和彈力層42，按照基材14、像素16、以及變換層30的順序設置它們。另外，以下將基材14、像素16、以及變換層30所排列的方向（圖3中的上下方向）稱作層疊方向（參考圖3，層疊方向P）。另外，為了說明的方便，有時將放射線檢測器10中的層疊方向P的變換層30側稱作“上”，將感測器基板12側稱作“下”。
基材14具有撓性，例如是包含PI（PolyImide：聚醯亞胺）等塑料的樹脂片。基材14的厚度是能對應於材質的硬度以及感測器基板12的大小（第1面14A或第2面14B的面積）等而得到所期望的撓性的厚度即可。作為具有撓性的示例，在矩形的基材14單體的情況下，指的是：在將基材14的1邊固定的狀態下，在從固定的邊離開10cm的位置，因基材14的自重所導致的重力，基材14下垂2mm以上（比固定的邊的高度低）。作為基材14為樹脂片的情況的具體例，只要厚度為5μm～125μm即可，更佳的是厚度為20μm～50μm。
另外，基材14具有能耐受詳細情況後述的像素16的製造的特性，在本例示的實施方式中，具有能耐受非晶矽TFT（a-Si TFT）的製造的特性。作為這樣的基材14所具有的特性，較佳的是300℃～400℃下的熱膨脹係數（CTE：Coefficient of Thermal Expansion）與非晶矽（Si）晶圓(wafer)是相同程度（例如±5ppm/K），具體較佳的是是20ppm/K以下。另外，作為基材14的熱收縮率，較佳的是在厚度為25μm的狀態下，400℃下的MD方向（Machine Direction，機械方向）的熱收縮率為0.5%以下。另外，基材14的彈性模量較佳的是在300℃～400℃間的溫度區域不具有一般的PI所具有的轉變點，且500℃下的彈性模量為1GPa以上。
另外，本例示的實施方式的基材14較佳的是如圖2B以及圖2C所示那樣具有包含平均粒子徑為0.05μm以上且2.5μm以下的無機的微粒子14P的微粒子層14L。另外，圖2C是將本例示的實施方式的放射線檢測器10運用在從感測器基板12側照射放射線R的ISS（Irradiation Side Sampling，照射側採樣）方式的放射線檢測器中的情況下的示例。
如圖2C以及圖2D所示那樣，在基材14中，藉由透過被攝體S的放射線R而產生後向散射射線Rb。在基材14為PI等樹脂制的情況下，由於是有機物，因此對於構成有機物的原子序號比較小的C、H、O、以及N等原子來說，由於康普頓效應，因而後向散射射線Rb變多。
如圖2C所示那樣，在基材14具有包含吸收在基材14內產生的後向散射射線Rb的微粒子14P的微粒子層14L的情況下，如圖2D所示那樣，與基材14不具有微粒子層14L的情況相比，由於可抑制透過基材14向後方散射的後向散射射線Rb，因而較佳。
作為這樣的微粒子14P，較佳的是包含以下原子的無機物，即，自身所引起的後向散射射線Rb的產生量少，而且吸收後向散射射線Rb，另一方面，透過被攝體S的放射線R的吸收少的原子。另外，從後向散射射線Rb的抑制與放射線R的透過性處於折衷的關係的後向散射射線Rb的抑制的觀點出發，微粒子14P較佳的是包含原子序號比構成基材14的樹脂的C、H、O、以及N等大的元素。另一方面，雖然原子序號越大則吸收後向散射射線Rb的能力越高，但若原子序號超過30，則放射線R的吸收量就會增加，到達變換層30的放射線R的劑量的減少就會變得顯著，因而較不佳。因此，在樹脂性的基材14的情況下，微粒子14P較佳的是使用原子序號大於構成基材14即有機物的原子且為30以下的無機物。作為這樣的微粒子14P的具體例，能舉出原子序號為14的Si的氧化物即SiO2、原子序號為12的Mg的氧化物即MgO、原子序號為13的Al的氧化物即Al2 O3 、以及原子序號為22的Ti的氧化物即TiO2 等。
作為具有這樣的特性的樹脂片的具體例，能舉出XENOMAX（註冊商標）。
另外，對於本例示的實施方式中的上述的厚度，使用測微計進行測定。對於熱膨脹係數，遵循JIS K 7197：1991來進行測定。另外，測定以如下方式進行：從基材14的主面起15度15度地改變角度來裁出試驗片，對裁出的各試驗片測定熱膨脹係數，將最高的值作為基材14的熱膨脹係數。熱膨脹係數的測定分別針對MD方向（Machine Direction，機械方向）以及TD方向（Transverse Direction，橫向）在-50℃～450℃下以10℃間隔進行，並將（ppm/℃）換算成（ppm/K）。在熱膨脹係數的測定中，使用MAC Science公司制TMA4000S裝置，將樣本長度設為10mm，將樣本寬度設為2mm，將初始負荷設為34.5g/mm2 ，將升溫速度設為5℃/min，並將氣氛設為氬。對於彈性模量，遵循JIS K 7171：2016來進行測定。另外，測定以如下方式進行：從基材14的主面起15度15度地改變角度來裁出試驗片，對裁出的各試驗片進行拉伸試驗，將最高的值作為基材14的彈性模量。
另外，有時會由於微粒子層14L中包含的微粒子14P而在基材14的表面出現凹凸。在如此在基材14的表面出現凹凸的狀態的基礎上，有時會難以形成像素16。因此，如圖2C所示那樣，基材14較佳的是在形成像素16的第1面的相反側的第2面14B，換言之在設置變換層30的第1面的相反側的第2面14具有微粒子層14L。
另外，為了充分吸收在基材14內產生的後向散射射線Rb，較佳的是在基材14，在靠近被攝體S的一側的面具有微粒子層14L，如圖2C所示那樣，在ISS方式的放射線檢測器10中，較佳的是在第2面14B具有微粒子層14L。
如此，在ISS方式的放射線檢測器10中，藉由基材14在第2面14B具有微粒子層14L，從而能精度良好地形成像素16，並且能有效地抑制後向散射射線Rb。
另外，作為具有所期望的撓性的基材14，並不限定於樹脂片等樹脂制的基材。例如，基材14也可以是厚度比較薄的玻璃基板等。作為基材14是玻璃基板的情況的具體例，一般，在一邊為43cm左右的尺寸下，若厚度為0.3mm以下則具有撓性，因此只要是厚度為0.3mm以下的基材，就可以是所期望的玻璃基板。
如圖2A以及圖3所示那樣，多個像素16設置於基材14的第1面14A中的內側的一部分區域。換言之，在本例示的實施方式的感測器基板12中，在基材14的第1面14A的外周部不設置像素16。在本例示的實施方式中，將基材14的第1面14A中的設置像素16的區域作為像素區域15。另外，在本例示的實施方式中，關於感測器基板12，所謂“外周部”是指，在感測器基板12的第1面14A（或第2面14B）中從外緣（感測器基板12的緣）往中心去的給定的範圍的區域，在本例示的實施方式中，至少是指設置變換層30的區域外。另外，在感測器基板12中的被外周部包圍的內周部，至少包含像素區域15整體。
另外，在本例示的實施方式的感測器基板12中，將從外緣部往中心去的給定的範圍的區域作為焊盤部17。所謂焊盤部17，是設置焊盤（參考圖6A等，焊盤130）的區域，其中，該焊盤連接上述的多個掃描佈線26、多個信號佈線24、公共佈線28、以及後述的控制基板110（參考圖6A等）等各種柔性的線纜（參考圖6A等，線纜112）。本例示的實施方式的焊盤部17是本公開的端子部的一例。另外，在對連接掃描佈線26的驅動部102、連接信號佈線24的信號處理部等電路基板、控制基板110進行總稱的情況下，稱作“PCB（Printed Circuit Board：印刷佈線基板）”。
如圖2以及圖3所示那樣，本例示的實施方式的變換層30設置於包含感測器基板12的像素區域15的一部分區域上。如此，本例示的實施方式的變換層30並未設置於感測器基板12的外周部的區域上。
在本例示的實施方式中，作為變換層30的一例，使用包含CsI（碘化銫）的閃爍體。作為這樣的閃爍體，例如較佳的是包含X射線照射時的發光譜為400nm～700nm的CsI：Tl（添加鉈的碘化銫）、CsI：Na（添加鈉的碘化銫）。另外，CsI：Tl的可見光域中的發光峰值波長是565nm。
在本例示的實施方式的放射線檢測器10中，作為一例，變換層30在感測器基板12上直接藉由真空蒸鍍法、濺射法以及CVD（Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積）法等氣相沉積法而形成為長條狀的柱狀結晶。作為變換層30的形成方法，例如能舉出如下真空蒸鍍法：在使用CsI：Tl作為變換層30的情況下，在真空度0.01Pa～10Pa的環境下，將CsI：Tl藉由電阻加熱式的坩堝等加熱手段加熱而使其汽化，將感測器基板12的溫度設為室溫（20℃）～300℃來使CsI：Tl沉積在感測器基板12上。作為變換層30的厚度，較佳的是100μm～800μm。
另外，在本例示的實施方式中，將變換層30的柱狀結晶的生長方向的基點側（在本例示的實施方式中是感測器基板12側）的端部稱作“根部”，將生長方向上的根部的相反側的尖的端部稱作“前端”。
另外，本例示的實施方式的變換層30由於如上述那樣藉由氣相沉積法形成，因此如圖3所示那樣，變換層30的外周的區域在整體上看具有越往外側去厚度越薄的傾向，因此具有越往外側去厚度越薄的傾斜。在本例示的實施方式中，將在忽視製造誤差以及測定誤差的情況下將厚度視作大致恒定的、從變換層30的中央起給定的範圍內的變換層30的厚度的平均值作為基準，作為一例，如圖4所示那樣，將相對於基準的厚度的相對的膜厚（以下稱作“相對膜厚”）為90%以下的外周的區域稱作“周緣部（周緣部30C）”。另外，如圖4所示那樣，將被周緣部30C包圍的變換層30的區域稱作“中央部（中央部30B）”。換言之，所謂“中央部”，是指至少包含變換層30的厚度大致恒定的部分且還包含相對膜厚超過90%的部分的區域。在本例示的實施方式中，作為具體例，將從變換層30的外周起5mm以內的區域內且相對膜厚為90%以下的外周的區域稱作“周緣部（周緣部30C）”。因此，如圖3以及圖4等所示那樣，在周緣部30C中，變換層30的厚度處於向外周（緣）逐漸變薄的傾向。
另外，在本例示的實施方式中，作為變換層30的厚度向外周變薄的示例，例示了具有一定的傾斜地厚度逐漸變薄的形態，但並不限定於該形態，例如也可以是厚度以階梯狀變化的形態。
作為一例，黏著層32如圖2以及圖3所示那樣，在本例示的實施方式的放射線檢測器10中，黏著層32以及反射層34設置於包含中央部（30B）以及周緣部（30C）的變換層30上的區域整體。換言之，本例示的實施方式的黏著層32以及反射層34覆蓋變換層30的上表面整體。另一方面，本例示的實施方式的黏著層32以及反射層34並未直接設置於感測器基板12之上。
本例示的實施方式的黏著層32是光透過性的層，作為黏著層32的材料，能舉出丙烯酸系黏著劑、熱熔系黏著劑、以及矽酮系接著劑等。作為丙烯酸系黏著劑，例如能舉出氨基甲酸酯丙烯酸酯、丙烯酸樹脂丙烯酸酯以及環氧丙烯酸酯等。作為熱熔系黏著劑，例如能舉出EVA（乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂）、EAA（乙烯和丙烯酸的共聚樹脂）、EEA（乙烯-丙烯酸乙酯共聚樹脂）以及EMMA（乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物）等熱可塑性塑料。
由於黏著層32的厚度越厚，即變換層30與反射層34的間隔越大，由變換層30所變換的光在黏著層32內就越模糊，因此，作為結果，由放射線檢測器10所得到的放射線圖像成為模糊的圖像。因此，黏著層32的厚度越厚，則MTF（Modulation Transfer Function，調製傳遞函數）以及DQE（Detective Quantum Efficiency，探測量子效率）越降低，且其降低程度也越大。
另一方面，也包括不設置黏著層32的情況在內，在使黏著層32的厚度過薄的情況下，有時會在變換層30與反射層34之間形成微小的空氣層（圖示省略）。在該情況下，從變換層30往反射層34去的光在空氣層與變換層30之間以及空氣層與反射層34之間發生多重反射。若光因多重反射而衰減，則放射線檢測器10的靈敏度就會降低。若黏著層32的厚度超過7μm，則DQE的降低程度就變得更大，比不設置黏著層32的情況（厚度0μm的情況）還要降低。另外，在黏著層32的厚度不足2μm的情況下，放射線檢測器10的靈敏度降低。因此，在本例示的實施方式中，將黏著層32的厚度設為2μm以上且7μm以下。另外，雖然根據材料的不同而不同，但黏著層32的折射率大致為1.5左右。
另外，黏著層32具有將反射層34固定在變換層30的功能，但若黏著層32的厚度為2μm以上，就能得到充分抑制反射層34相對於變換層30在面內方向（與厚度方向交叉的方向）上發生偏離這樣的效果。
另一方面，作為一例，反射層34如圖2以及圖3所示那樣，設置於黏著層32上，覆蓋黏著層32其本身的上表面整體。反射層34具有反射由變換層30變換的光的功能。
作為反射層34的材料，較佳的是使用有機系的材料，例如較佳的是使用白PET（Polyethylene Terephthalate，聚對苯二甲酸乙二醇酯）、TiO2 、Al2 O3 、發泡白PET、聚酯系高反射片、以及鏡面反射鋁等中的至少1種作為材料。特別，根據反射率的觀點，較佳的是使用白PET作為材料。
另外，所謂白PET，是在PET中添加TiO2 或硫酸鋇等白色顏料後得到的材料。另外，所謂聚酯系高反射片，是具有將薄的聚酯片重疊多片的多層結構的薄片（薄膜）。另外，所謂發泡白PET，是表面成為多孔質的白PET。
在本例示的實施方式中，反射層34的厚度設為10μm以上且40μm以下。若反射層34的厚度變厚，則反射層34的外周部的上表面與變換層30的上表面之間的級差變大。在本例示的實施方式中，藉由將接著層36以及保護層38的薄片（薄膜）貼合於形成至反射層34為止的狀態的感測器基板12，來製造放射線檢測器10。若上述級差大，則在反射層34之上貼合接著層36以及保護層38的情況下，在該級差部分，有時接著層36以及保護層38中的至少一方會浮起。
另外，由於若反射層34的厚度變厚，就會成為可以說是有韌性的狀態，因此有時難以沿著變換層30的周緣部30C的傾斜而彎曲，變得很難加工。
因此，從這些觀點出發，在本例示的實施方式的放射線檢測器10中，在使用白PET作為反射層34的材料的情況下，如上述那樣，將反射層34的厚度設為40μm以下。
另一方面，反射層34的厚度越薄，則反射率越降低。若反射率降低，則由放射線檢測器10所得到的放射線圖像的畫質也有降低的傾向。因此，從由放射線檢測器10所得到的放射線圖像的畫質的觀點出發，較佳的是考慮所期望的反射率（例如80%）來確定反射層34的厚度的下限。在本例示的實施方式的放射線檢測器10中，在使用白PET作為反射層34的材料的情況下，如上述那樣，將反射層34的厚度設為10μm以上。
另一方面，作為一例，接著層36如圖2以及圖3所示那樣，從感測器基板12中的變換層30的外周部附近的區域上設置到覆蓋反射層34端部的區域為止。換言之，在本例示的實施方式的放射線檢測器10中，將覆蓋設置了黏著層32以及反射層34的變換層30整體的接著層36直接固定（接著）在感測器基板12的表面的焊盤部17以外的區域。接著層36具有將反射層34相對於感測器基板12以及變換層30固定的功能。另外，接著層36具有將保護層38固定的功能。作為接著層36的材料，例如能舉出與黏著層32同樣的材料。另外，在本例示的實施方式中，接著層36所具有的接著力比黏著層32所具有的接著力更強。
進而，作為一例，保護層38如圖2以及圖3所示那樣，設置於接著層36上，本例示的實施方式的保護層38覆蓋接著層36的上表面整體，接著層36覆蓋上表面被黏著層32以及反射層34覆蓋的狀態的變換層30。本例示的實施方式的保護層38具有保護變換層30不受濕氣等水分影響的功能。另外，本例示的實施方式的保護層38具有同接著層36一起將反射層34相對於感測器基板12以及變換層30進行固定的功能。作為保護層38的材料，例如能舉出有機膜，例如能舉出PET、PPS（PolyPhenylene Sulfide：聚苯硫醚）、OPP（Oriented PolyPropylene：雙軸延伸聚丙烯薄膜）、PEN（PolyEthylene Naphthalate：聚萘二甲酸乙二醇酯）、PI等。另外，作為保護層38，可以使用通過將鋁箔接著在聚對苯二甲酸乙二醇酯等絕緣性的薄片（薄膜）等來層疊鋁而成的ALPET（註冊商標）的薄片。
另外，以下，將層疊了變換層30、黏著層32、反射層34、接著層36、以及保護層38的狀態的結構稱作層疊體19。
另一方面，作為一例，彈力層42如圖2以及圖3所示那樣，設置於變換層30中的設置感測器基板12的一側的相反側（圖3的上側）。具體地，本例示的實施方式的彈力層42如圖2以及圖3所示那樣，與變換層30的中央部30B隔著接著層40層疊，並夾著變換層30與感測器基板12大致並行地突出。如圖3所示那樣，彈力層42僅在與變換層30的中央部30B對應的區域與層疊體19隔著接著層40層疊。
另外，如圖2以及圖3所示那樣，將彈力層42的端部的位置和接著層36以及保護層38的端部的位置設為相同。彈力層42不向與焊盤部17對應的區域突出，不與感測器基板12直接相接。在本例示的實施方式的放射線檢測器10中，如此不在與焊盤部17對應的區域設置彈力層42，藉此在進行在焊盤部17連接線纜112（參考圖6A等）等所謂的再加工等的情況下，可抑制彈力層42成為阻礙。
另外，作為一例，接著層40如圖2以及圖3所示那樣，設置於與變換層30的中央部30B對應的區域。接著層40具有將彈力層42相對於層疊體19進行固定的功能。作為接著層40的材料，例如能舉出與黏著層32以及接著層36同樣的材料。
彈力層42如詳細情況後述的那樣，具有在感測器基板12（基材14）出現撓曲的情況下使感測器基板12恢復成撓曲前的狀態的復原力。具體地，本例示的實施方式的彈力層42具有比感測器基板12高的針對撓曲的復原力。另外，本例示的實施方式的彈力層42為了使感測器基板12（基材14）難以撓曲而具有比感測器基板12高的剛性。
作為具有這樣的特性的彈力層42，較佳的是使用有機系的材料，例如較佳的是是使用PET、白PET、以及發泡白PET等中的至少1種作為材料的薄片等。另外，作為彈力層42的其他示例，能舉出PC（Polycarbonate：聚碳酸酯）、LDPE（Low Density Polyethylene：低密度聚乙烯）、PPS、OPP、PEN、以及PI等有機膜等。
另外，在本例示的實施方式中，作為一例，彈力層42的厚度對應於彈力層42的材質、所期望的復原力等預先確定。另外，所期望的復原力對應於基材14的厚度、所設想的感測器基板12（基材14）的撓曲量等來確定，作為厚度，例如能舉出1mm。另外，彈力層42的厚度越薄則復原力越小。另外，厚度越厚則復原力越大，進而越難撓曲，在後述的感測器基板12的製造工程等中，在希望使感測器基板12撓曲的情況下會難以撓曲，而且放射線檢測器10的層疊方向P的尺寸會變大。因此，彈力層42的厚度較佳的是設為能得到所期望的復原力的最低限的厚度。
具體地，本例示的實施方式的彈力層42較佳的是使用彎曲彈性模量為150MPa以上且2500MPa以下的素材。彎曲彈性模量的測定方法例如基於JIS K 7171：2016標準。從抑制基材14的撓曲的觀點出發，彈力層42較佳的是彎曲剛性比基材14高。另外，若彎曲彈性模量變低則彎曲剛性也變低，為了得到所期望的彎曲剛性，必須增大彈力層42的厚度，放射線檢測器10整體的厚度就會增大。若考慮上述的彈力層42的材料，則在想要得到超過140000Pacm4 的彎曲剛性的情況下，彈力層42的厚度有變得比較厚的傾向。因此，若要得到合適的剛性且考慮放射線檢測器10整體的厚度，則彈力層42中所用的素材更佳的是彎曲彈性模量為150MPa以上且2500MPa以下。另外，彈力層42的彎曲剛性較佳的是540Pacm4 以上且140000Pacm4 以下。
另外，本例示的實施方式的彈力層42的熱膨脹係數較佳的是接近變換層30的材料的熱膨脹係數，更佳的是彈力層42的熱膨脹係數相對於變換層30的熱膨脹係數之比（彈力層42的熱膨脹係數/變換層30的熱膨脹係數）為0.5以上且4以下。作為這樣的彈力層42的熱膨脹係數，較佳的是30ppm/K以上且200ppm/K以下。例如，在變換層30以CsI：Tl作為材料的情況下，熱膨脹係數是50ppm/K。在該情況下，能舉出熱膨脹係數為100ppm/K～200ppm/K的LDPE、熱膨脹係數為60ppm/K～80ppm/K的聚氯乙烯（PVC：Polyvinyl Chloride）、熱膨脹係數為70ppm/K～80ppm/K的丙烯酸、熱膨脹係數為65ppm/K～70ppm/K的PET、熱膨脹係數為65ppm/K的PC、以及熱膨脹係數為45ppm/K～70ppm/K的特氟隆（註冊商標）等，來作為彈力層42的材料。
進而，若考慮上述的彎曲彈性模量，則作為彈力層42的材料，較佳的是包含PET、PC、以及LDPE中的至少一種的材料。
另外，彈力層42從彈力性的觀點出發，較佳的是包含具有屈服點的材料。另外，在本例示的實施方式中，所謂“屈服點”，是指在拉伸材料的情況下應力暫時急劇下降的現象，在表徵應力與應變的關係的曲線上，是指應力不增加而應變增加的點，是指對材料進行拉伸強度試驗時的應力-應變曲線中的頂部。作為具有屈服點的樹脂，一般能舉出硬而黏度強的樹脂、以及柔軟而黏度強且中等程度的強度的樹脂。作為硬而黏度強的樹脂，例如能舉出PC等。另外，作為柔軟而黏度強且中等程度的強度的樹脂，例如能舉出聚丙烯等。
另外，本例示的實施方式的放射線檢測器10如圖5所示的一例那樣，在與基材14相比厚度較厚的玻璃基板等支承體50，隔著剝離層51利用例如層壓法等形成感測器基板12。另外，在利用層壓法形成感測器基板12的情況下，在剝離層51上貼合成為基材14的薄片。
進而，如上述那樣，在基材14之上依次設置變換層30、黏著層32、反射層34、接著層36、以及保護層38，形成層疊體19。進而，在層疊體19上依次形成接著層40以及彈力層42。之後，藉由剝離層51將感測器基板12從支承體50剝離。剝離方法並沒有特別限定，例如在機械剝離中，將感測器基板12（基材14）的四邊中的任一邊作為剝離的起點，從成為起點的邊起往對向的邊逐漸將感測器基板12從支承體50揭下來，由此進行感測器基板12的剝離即可。另外，例如在雷射剝離（laser Lift Off）中，從支承體50的背面（設置感測器基板12的面的相反側的面）照射雷射，透過支承體50後藉由雷射使剝離層51分解，由此從支承體50將感測器基板12剝離即可。
在此，在從支承體50將感測器基板12剝離的情況下，感測器基板12會撓曲。特別在機械剝離中，大多情況下是一邊使感測器基板12撓曲一邊從支承體50進行剝離。感測器基板12中所用的撓性的基材14由於與玻璃制的基材相比剛性較低，因此易於撓曲。另外，在感測器基板12撓曲的情況下，不是基材14整體一體地撓曲，而是部分或局部地撓曲或形變，有時在基材14的面內（第1面14A以及第2面14B）的每個位置撓曲方式會不同。對於在這樣的情況下產生的撓曲或形變，相對於整體一體地撓曲，在本例示的實施方式中，將其稱作“不連續的撓曲”。另外，該不連續的撓曲特別在變換層30的外周部附近有比較易於引發的傾向。
如此在感測器基板12（基材14）撓曲的情況下，在本例示的實施方式的放射線檢測器10中，由於彈力層42具有比基材14高的復原力，因此產生的撓曲部分易於恢復成原始的狀態（撓曲前的狀態），而且，能抑制基材14過於撓曲。
另一方面，在保持感測器基板12（基材14）產生撓曲的情況下，特別在保持產生不連續的撓曲的情況下，變換層30變得易於從感測器基板12剝離，或者變換層30和像素16變得易於損傷。
在本例示的實施方式的放射線檢測器10中，如上述那樣，由於彈力層42具有比基材14高的復原力，因此產生的撓曲部分易於恢復成原始的狀態（撓曲前的狀態），而且可抑制基材14過於撓曲。
因此，根據本例示的實施方式的放射線檢測器10，在具備具有使用支承體50製造的撓性的基材14的感測器基板12的放射線檢測器10的製造工程中，能抑制將感測器基板12從支承體50剝離時產生的撓曲的影響。
另外，本例示的實施方式的放射線檢測器10如圖2以及圖3所示那樣，在從支承體50將感測器基板12剝離後，彈力層42也設置於層疊體19上。因此，在放射線檢測器10的製造後，特別在不是作為放射線圖像拍攝裝置1，而是以單體來對待感測器基板12的情況下，即使是感測器基板12（基材14）發生了撓曲的情況，彈力層42也具有針對撓曲的高的復原力，因此能抑制上述那樣的撓曲的影響所引起的問題。
接下來，說明運用本例示的實施方式的放射線檢測器10的放射線圖像拍攝裝置1。在放射線圖像拍攝裝置1中，在透過放射線且具有防水性、抗菌性、以及密閉性的殼體內設置放射線檢測器10。
在圖6A中示出在PSS方式（Penetration Side Sampling，穿透側採樣）中運用本例示的實施方式的放射線圖像拍攝裝置1的情況下的、將放射線檢測器10設置於殼體120內的狀態的一例。
如圖6A所示那樣，在殼體120內，在與層疊方向P交叉的方向上排列設置放射線檢測器10、電源部108、以及控制基板110。放射線檢測器10以基材14的第2面14B與被照射透過了被攝體的放射線的殼體120的拍攝面120A側的相反側、即出射放射線的殼體120的一側對向的狀態設置。
另外，在圖6B示出在ISS方式中運用本例示的實施方式的放射線圖像拍攝裝置1的情況下的、將放射線檢測器10設置於殼體120內的狀態的一例。
如圖6B所示那樣，在殼體120內，放射線檢測器10、電源部108、以及控制基板110在與層疊方向P交叉的方向上排列設置。放射線檢測器10被設置成使得基材14的第2面14B與被照射透過了被攝體的放射線的殼體120的被照射放射線的照射面即拍攝面120A側對向。
控制基板110是形成有圖像記憶體106以及控制部100等的基板，線纜112包含多個信號佈線，多個信號佈線連接到設於放射線檢測器10的焊盤部17的焊盤130，控制基板110藉由線纜112與感測器基板12的像素16電連接。另外，在本例示的實施方式中，設為在線纜112上設置驅動部102以及信號處理部104的所謂的COF（Chip On Film），但也可以是驅動部102以及信號處理部104中的至少一方形成在控制基板110。另外，控制基板110和電源部108藉由電源線114連接。
殼體120較佳的是輕量且放射線R特別是X射線的吸收率低且高剛性，且較佳的是由彈性模量充分高的材料構成。作為殼體120的材料，較佳的是使用彎曲彈性模量為10000MPa以上的材料。作為殼體120的材料，能適於使用具有20000～60000MPa程度的彎曲彈性模量的碳或CFRP（Carbon Fiber Reinforced Plastics，碳纖維增強塑料）。
在放射線圖像拍攝裝置1的放射線圖像的拍攝中，對殼體120的拍攝面120A施加來自被攝體的負荷。在殼體120的剛性不足的情況下，會因來自被攝體的負荷而在感測器基板12產生撓曲，有可能發生像素16損傷等不良狀況。藉由在由具有10000MPa以上的彎曲彈性模量的材料構成的殼體120內部收容放射線檢測器10，能抑制來自被攝體的負荷所引起的感測器基板12的撓曲。
圖6A以及圖6B所示的放射線圖像拍攝裝置1能在使放射線檢測器10向基材14的第2面14B的面外方向撓曲的狀態下進行放射線圖像的拍攝。例如，能對應於被攝體的拍攝部位等使放射線檢測器10撓曲，並維持在該狀態來進行放射線圖像的拍攝。
在圖6A以及圖6B所示的放射線圖像拍攝裝置1中，由於在剛性相對高的殼體120的周邊部設置電源部108以及控制基板110，因此能抑制外力給電源部108以及控制基板110帶來的影響。
另外，在圖6A以及圖6B中，示出將電源部108以及控制基板110雙方設置於放射線檢測器10的一側、具體來說設置於矩形的放射線檢測器10的一個邊的一側的形態，但設置電源部108以及控制基板110的位置並不限定於圖6A以及圖6B所示的形態。例如，可以將電源部108以及控制基板110分散設置於放射線檢測器10的對向的2邊的各個邊，也可以分散設置於相鄰的2邊的各個邊。另外，在圖6A以及圖6B中示出將電源部108以及控制基板110設為1個結構部（基板）的形態，但並不限定於圖6A以及圖6B所示的形態，也可以是將電源部108以及控制基板110中的至少一方設為多個結構部（基板）的形態。例如，將電源部108設為包含第1電源部以及第2電源部（均圖示省略）的形態，將第1電源部以及第2電源部各自分散設置於放射線檢測器10的對向的2邊的各個邊。
另外，在使放射線圖像拍攝裝置1（放射線檢測器10）整體撓曲來進行放射線圖像的拍攝的情況下，撓曲對圖像造成的影響能藉由進行圖像補正來抑制。
另外，如圖6A以及圖6B所示的示例那樣，大多情況下電源部108以及控制基板110各自具有比放射線檢測器10厚的厚度。在這樣的情況下，可以如圖6C所示的示例那樣，與設置有電源部108以及控制基板110各自的殼體120的部分的厚度相比，使設置有放射線檢測器10的殼體120的部分的厚度較薄。另外，如此地，在使設置有電源部108以及控制基板110各自的殼體120的部分和設置有放射線檢測器10的殼體120的部分的厚度不同的情況下，若兩部分的邊界部出現級差，就有可能給與邊界部120B接觸的被檢者帶來不協調感等，因此較佳的是邊界部120B的形態設為有傾斜的狀態。
由此，能構成與放射線檢測器10的厚度相應的極薄型的可移動型電子暗盒。
另外，例如在該情況下，也可以在設置有電源部108以及控制基板110各自的殼體120的部分和設置有放射線檢測器10的殼體120的部分，使殼體120的材質不同。進而，例如，也可以將設置有電源部108以及控制基板110各自的殼體120的部分和設置有放射線檢測器10的殼體120的部分構成為分體。
另外，如上述那樣，殼體120較佳的是放射線R特別是X射線的吸收率低且高剛性，且較佳的是由彈性模量充分高的材料構成，但也可以如圖6D所示的示例那樣，對於與殼體120的拍攝面120A對應的部分120C，由放射線R的吸收率低且高剛性而且彈性模量充分高的材料構成，對於其他部分，由與部分120C不同的材料、例如由彈性模量比部分120C低的材料構成。
另外，可以如圖6E所示的示例那樣，放射線檢測器10和殼體120的內壁面相接。在該情況下，放射線檢測器10和殼體120的內壁面可以經由接著層接著，也可以不經由接著層而只是接觸。如此，藉由放射線檢測器10和殼體120的內壁面相接，可更加確保放射線檢測器10的剛性。
另外，在圖7A示出在PSS方式中運用本例示的實施方式的放射線圖像拍攝裝置1的情況下的、將放射線檢測器10設置於殼體120內的狀態的其他示例。
如圖7A所示那樣，在殼體120內，在與層疊方向P交叉的方向上排列設置電源部108以及控制基板110，放射線檢測器10和電源部108以及控制基板110在層疊方向P上排列設置。
另外，在圖7B示出在ISS方式中運用本例示的實施方式的放射線圖像拍攝裝置1的情況下的、將放射線檢測器10設置於殼體120內的狀態的其他示例。
如圖7B所示那樣，在殼體120內，在與層疊方向P交叉的方向上排列設置電源部108以及控制基板110，放射線檢測器10和電源部108以及控制基板110在層疊方向P上排列設置。
另外，在圖7A以及圖7B所示的放射線圖像拍攝裝置1中，在控制基板110以及電源部108與基材14之間設置對放射線檢測器10以及控制基板110進行支承的基台118。對基台118例如使用碳等。
圖7A以及圖7B所示的放射線圖像拍攝裝置1能在使放射線檢測器10向基材14的第2面14B的面外方向稍微撓曲的狀態下、例如在使中央部撓曲1mm～5mm左右的狀態下進行放射線圖像的拍攝，但由於控制基板110以及電源部108和放射線檢測器10設置於層疊方向P上，且設置有基台118，因此不會撓曲到圖7A以及圖7B所示的放射線圖像拍攝裝置1的情況的程度。
[第2例示的實施方式]
接下來，說明第2例示的實施方式。另外，本例示的實施方式的放射線檢測器10由於包含與第1例示的實施方式的放射線檢測器10（參考圖1～3）同樣的結構，因此對同樣的結構省略詳細的說明。
在圖8示出本例示的實施方式的放射線檢測器10的一例的截面圖。如圖8所示那樣，在本例示的實施方式的放射線檢測器10中，在層疊體19與彈力層42之間填充填充件70。即，如圖8所示那樣，本例示的實施方式的放射線檢測器10在開在層疊體19與彈力層42之間的空間中填充填充件70，這一點與第1例示的實施方式的放射線檢測器10不同。
填充件70的材料並沒有特別限定，能使用一般的半導體材料的密封件等。另外，填充件70也可以與彈力層42同樣地具有彈力性和復原力。另外，在本例示的實施方式中，接著層40為了將彈力層42相對於填充件70進行固定，而設置於彈力層42與填充件70之間的整體，在圖8所示的示例中，設置於彈力層42的與感測器基板12對向的面整體。
設置填充件70的方法並沒有特別限定，例如可以在層疊體19上依次形成接著層40以及彈力層42後，對接著層40與層疊體19之間（間隙）注入具有流動性的填充件70，並使填充件70固化，由此設置填充件70。另外，例如可以在將層疊體19形成於感測器基板12的狀態下，將具有流動性的填充件70放在要填充填充件70的部位，在層疊體19以及填充件70之上依次形成接著層40以及彈力層42，由此設置填充件70。
如此，本例示的實施方式的放射線檢測器10在層疊體19與彈力層42之間填充填充件70，由填充件70支撐從中央部30B向前（向感測器基板12的端部側）突出的彈力層42。因此，根據本例示的實施方式的放射線檢測器10，可穩定地設置彈力層42，難以從層疊體19剝離。另外，根據本例示的實施方式的放射線檢測器10，由於藉由彈力層42和填充件70將層疊體19固定在感測器基板12，因此變換層30難以從感測器基板12剝離。
另外，在圖8所示的示例中示出在層疊體19與彈力層42之間無間隙地填充填充件70的形態，但並不限定於圖8所示的形態，例如層疊體19與彈力層42之間的一部分可以存在間隙（未填充填充件70的區域）。
[第3例示的實施方式]
接下來，說明第3例示的實施方式。另外，本例示的實施方式的放射線檢測器10由於包含與第1例示的實施方式的放射線檢測器10（參考圖1～3）同樣的結構，因此對於同樣的結構省略詳細的說明。
在圖9中示出本例示的實施方式的放射線檢測器10的一例的截面圖。在圖9中示出在焊盤部17設置上述的焊盤130並在焊盤130電連接線纜112的狀態。如圖9所示那樣，本例示的實施方式的放射線檢測器10將彈力層42一直設置到與焊盤部17對向的區域為止這一點上與第1例示的實施方式的放射線檢測器10不同。
在圖9所示的示例中，彈力層42設置於與焊盤部17對向的區域整體，彈力層42的端部和感測器基板12（基材14）的端部是相同的位置。換言之，彈力層42的端部的側面和感測器基板12的端部的側面是所謂的齊平。另外，並不限於圖9所示的示例，彈力層42可以一直設置到與焊盤部17對向的區域的一部分為止。換言之，彈力層42的端部可以位於與焊盤部17內的區域對向的位置。
如此，本例示的實施方式的放射線檢測器10由於將彈力層42一直設置到與焊盤部17對向的區域為止，因此直至感測器基板12的更端部為止，都能賦予針對撓曲的高的復原力（彈力性）。
另外，在如此地將彈力層42一直設置到與焊盤部17對向的區域為止的情況下，較佳的是如圖10所示的放射線檢測器10的一例那樣，與上述第2例示的實施方式同樣地，在彈力層42與層疊體19之間填充填充件70。特別，更較佳的是如圖10所示的示例那樣，在焊盤部17中的彈力層42與感測器基板12之間也填充填充件70。另外，在該情況下，較佳的是在焊盤部17設置焊盤130以及線纜112後填充填充件70。
如圖10所示的放射線檢測器10那樣，藉由填充填充件70來穩定地設置彈力層42，因此彈力層42難以從層疊體19剝離，而且，變換層30難以從感測器基板12剝離。另外，在第2例示的實施方式中，可以如上述那樣，在一部分區域中不填充填充件70。
另外，如圖11所示的放射線檢測器10的一例那樣，可以設為在焊盤部17設置作為對彈力層42的端部與感測器基板12之間進行支撐的支承部起作用的隔離件72的形態。
設置隔離件72的方法並沒有特別限定，例如可以在彈力層42的端部藉由接著劑（圖示省略）等貼附隔離件72，將設置了隔離件72的狀態的彈力層42貼附於設置了層疊體19、接著層40、焊盤130以及線纜112的狀態的感測器基板12，由此將隔離件72設置於焊盤部17的端部與感測器基板12之間。
在如圖11所示的放射線檢測器10那樣設置了隔離件72的情況下，設置比在層疊體19以及感測器基板12與彈力層42之間填充填充件70的情況更大的空間，但由於彈力層42的端部被支承，因此彈力層42難以從層疊體19剝落，而且，直到感測器基板12的更端部為止，都能賦予針對撓曲的高的復原力（彈力性）。
另外，隔離件72的寬度（與層疊方向P交叉的方向）並不限定於圖11所示的示例。例如，隔離件72的寬度可以擴展到比線纜112的前端更靠近變換層30的位置。另外，例如，隔離件72可以具有遍及焊盤部17整體的寬度。
[第4例示的實施方式]
接下來，說明第4例示的實施方式。另外，本例示的實施方式的放射線檢測器10由於包含與第1例示的實施方式的放射線檢測器10（參考圖1～3）同樣的結構，因此對於同樣的結構省略詳細的說明。
在圖12示出本例示的實施方式的放射線檢測器10的一例的截面圖。如圖12所示那樣，本例示的實施方式的放射線檢測器10在感測器基板12的基材14的第2面14B設置彈力構件41，在這一點上與第1例示的實施方式的放射線檢測器10不同。
如圖12所示那樣，彈力構件41在基材14的第2面14B從基材14的外緣一直設置到設置變換層30的區域的一部分為止，且彈力構件41的前端位於變換層30的中央部30B的內側。另外，彈力構件41與彈力層42同樣地，經由接著層（圖示省略）貼合於第2面14B等藉此來形成。
彈力構件41與彈力層42同樣地具有在感測器基板12撓曲的情況下恢復成撓曲前的狀態的復原力。具體地，本例示的實施方式的彈力構件41具有比感測器基板12高的針對撓曲的復原力。另外，本例示的實施方式的彈力構件41為了使感測器基板12（基材14）難以撓曲而具有比感測器基板12高的剛性。
另外，本例示的實施方式的彈力構件41的熱膨脹係數與上述的彈力層42同樣，較佳的是接近於變換層30的材料的熱膨脹係數，更佳的是彈力構件41的熱膨脹係數相對於變換層30的熱膨脹係數之比（彈力構件41的熱膨脹係數/變換層30的熱膨脹係數）為0.5以上且4以下。作為這樣的彈力構件41的熱膨脹係數，較佳的是30ppm/K以上且200ppm/K以下。例如在變換層30以CsI：Tl作為材料的情況下，熱膨脹係數是50ppm/K。在該情況下，能舉出熱膨脹係數為100ppm/K～200ppm/K的LDPE、熱膨脹係數為60ppm/K～80ppm/K的聚氯乙烯（PVC：Polyvinyl Chloride）、熱膨脹係數為70ppm/K～80ppm/K的丙烯酸、熱膨脹係數為65ppm/K～70ppm/K的PET、熱膨脹係數為65ppm/K的PC、以及熱膨脹係數為45ppm/K～70ppm/K的特氟隆（註冊商標）等，來作為彈力構件41的材料。
作為具有這樣的特性的彈力構件41，與彈力層42同樣地較佳的是使用有機系的材料，例如較佳的是使用PET、白PET、發泡白PET、以及PC、LDPE、PPS、OPP、PEN、以及PI等中的至少一種作為材料的薄片等。
如此地，在本例示的實施方式的放射線檢測器10中，由於將彈力構件41從基材14的外緣一直設置到設置變換層30的區域的一部分為止，因此能對感測器基板12的外緣部賦予復原力以及剛性。
另外，在本例示的實施方式的放射線檢測器10中，由於彈力層42的一部分和彈力構件41夾著感測器基板12以及層疊體19（變換層30）對向設置，因此能補足相互的復原力以及剛性，能進一步抑制基材14的撓曲所帶來的影響。
另外，彈力構件41和彈力層42對向設置的區域較佳的是包含從與變換層30的周緣部30C的邊界相接的中央部30B起預先確定的交疊區域43。
變換層30在周緣部30C具有越往外側去厚度越薄的傾斜。因此，在變換層30的厚度發生變化的中央部30B與周緣部30C的邊界附近，易於在感測器基板12出現不連續的撓曲。因此，較佳的是包含從與易於出現不連續的撓曲的變換層30的周緣部30C的邊界相接的中央部30B起預先確定的區域來作為交疊區域43。
另外，設為交疊區域43的區域並不限定於圖12所示的示例。例如在圖12中僅將與中央部30B對應的區域設為交疊區域43，但也可以將包含中央部30B與周緣部30C的邊界且從中央部30B延續到周緣部30C的預先確定的範圍的區域設為交疊區域43。
另外，設置彈力構件41的區域也設置於上述交疊區域43即可，並不限定於圖12所示的示例。例如可以將彈力構件41遍及基材14的第2面14B整體來設置。
若如此地滿足上述條件，則設為具體的交疊區域43的區域以及設置彈力構件41的區域並沒有特別限定，根據彈力層42的材質、像素區域15的位置、以及讀取方式等確定即可。
如以上說明的那樣，上述各例示的實施方式的放射線檢測器10具備：感測器基板12，其包含撓性的基材14、以及設置於基材14的第1面14A且形成有蓄積對應於從放射線變換的光而產生的電荷的多個像素16的層；變換層30，其設置於感測器基板12的第1面14A側，且將放射線變換成光；和彈力層42，其設置於變換層30中的設置感測器基板12的一側的相反側，且具有比感測器基板12高的針對撓曲的復原力。
如此，在上述各例示的實施方式的放射線檢測器10中，由於具備設置於變換層30中的設置感測器基板12的一側的相反側且具有比感測器基板12高的針對撓曲的復原力的彈力層42，因此與設置不具有比感測器基板12高的針對撓曲的復原力的層的結構相比，在具備具有使用支承體50製造的撓性的基材14的感測器基板12的放射線檢測器10的製造工程中，能抑制將感測器基板12從支承體50剝離時產生的撓曲的影響。另外，在上述各例示的實施方式的放射線檢測器10中，由於能抑制撓曲的影響，因此能抑制變換層30從感測器基板12剝離、像素16或變換層30的損傷等。
另外，設置彈力層42的區域並不限定於上述各例示的實施方式，至少是覆蓋變換層30的中央部30B的區域即可。例如，彈力層42的端部可以從覆蓋中央部30B的區域一直設置到與周緣部30C的外周（變換層30的與第1面14A相接的一側的緣）對應的區域為止。作為設置彈力層42的區域的一例，可以如圖13所示的放射線檢測器10的一例那樣，覆蓋層疊體19的表面（上表面）地，換言之，在與層疊體19之間不設置空間地經由接著層40來形成彈力層42。在圖13所示的示例中，彈力層42覆蓋層疊體19中包含的變換層30中的中央部30B整體以及周緣部30C的一部分，彈力層42的端部位於與周緣部30C對應的區域內。另外，例如可以如圖14所示的放射線檢測器10的一例那樣，彈力層42的端部比感測器基板12的端部更向外側突出。
另外，在上述各例示的實施方式中，說明了彈力層42是單一的層（單層）的形態，但也可以是將彈力層42設為多層的形態。例如，如圖15所示的放射線檢測器10的一例那樣，示出將彈力層42設為從靠近層疊體19那方起依次層疊第1彈力層42A、第2彈力層42B、以及第3彈力層42C的3層的多層膜的形態。另外，圖15所示的放射線檢測器10是在上述的圖8所示的放射線檢測器10中將彈力層42設為多層的形態的放射線檢測器10的一例。在如此將彈力層42設為多層的情況下，在彈力層42整體中具有比感測器基板12高的針對撓曲的復原力即可。
在將彈力層42設為多層的情況下，較佳的是彈力層42中包含的各層具有不同的功能。例如，在圖15所示的一例中，可以將第1彈力層42A以及第3彈力層42C設為非導電性的具有帶電防止功能的層，將第2彈力層42B設為導電性的層，由此使彈力層42帶有電磁屏蔽功能。作為該情況下的第1彈力層42A以及第3彈力層42C，例如能舉出使用帶電防止塗料“COLCOAT”（商品名：COLCOAT公司製）的膜等帶電防止膜。另外，作為第2彈力層42B，例如能舉出導電性片、Cu等導電性的網眼片等。
例如，在射線檢測器10的讀取方式是ISS方式的情況下，有時在感測器基板12（層疊體19）的上側設置控制基板110、電源部108等，但在如此彈力層42具有帶電防止功能的情況下，能遮蔽來自控制基板110、電源部108的電磁噪聲。
另外，在上述各例示的實施方式中，說明了在感測器基板12之上直接設置變換層30的形態，但並不限定於該形態，也可以在感測器基板12與變換層30之間設置其他層（膜）。例如，可以如圖16所示的一例那樣，放射線檢測器10在感測器基板12與變換層30之間具有緊貼層49。換言之，感測器基板12可以隔著緊貼層49層疊於變換層30。藉由具有緊貼層49而使感測器基板12與變換層30的緊貼度提升，因此與不設置緊貼層49的情況相比，變換層30更難從感測器基板12剝離。因此，在設置緊貼層49的情況下，與不設置緊貼層49的情況相比，能減小彈力層42的剛性。作為這樣的緊貼層49，例如能舉出派瑞林膜等。
另外，例如可以如圖17所示的示例那樣，放射線檢測器10在感測器基板12與變換層30之間具有緩衝層47。緩衝層47具有對變換層30的熱膨脹係數與基材14的熱膨脹係數之差進行緩衝的功能。緩衝層47的熱膨脹係數是感測器基板12的熱膨脹係數與變換層30的熱膨脹係數之間的熱膨脹係數。變換層30的熱膨脹係數與基材14的熱膨脹係數之差越大，則放射線檢測器10越佳的是具有緩衝層47。例如，在基材14中使用上述XENOMAX（註冊商標）的情況下，與其他材質相比，由於與變換層30的熱膨脹係數之差變大，因此較佳的是如圖17所示的放射線檢測器10那樣設置緩衝層47。作為緩衝層47，使用PI膜、派瑞林膜。
另外，在上述各例示的實施方式中，說明了用層壓法製造放射線檢測器10的形態，但並不限定於該形態，也可以是用塗布法製造放射線檢測器10的形態。另外，說明了藉由機械剝離從支承體50剝離感測器基板12的形態，但也可以是藉由雷射剝離從支承體50剝離感測器基板12的形態。
另外，在使用CsI的閃爍體作為變換層30的情況下，還能用不同於本例示的實施方式的方法在感測器基板12形成變換層30。例如，可以準備藉由氣相沉積法使CsI蒸鍍在鋁的板等而成的構件，將CsI的不與鋁的板相接的一側和感測器基板12的像素16藉由黏著性的薄片等貼合，由此在感測器基板12形成變換層30。在該情況下，較佳的是將用保護層38覆蓋還包含鋁的板在內的狀態的變換層30整體的狀態下的構件與感測器基板12的像素16貼合。另外，在該情況下，變換層30中的與像素16相接的一側成為柱狀結晶的生長方向前端側。
另外，也可以與本例示的實施方式的放射線檢測器10不同，作為變換層30，代替CsI而使用GOS（Gd2 O2 S：Tb）等。在該情況下，例如使GOS分散在樹脂等黏合劑中，將這樣分散後形成的薄片藉由黏接層等貼合於由白PET等形成的支承體，如此進行準備，並將GOS的未貼合支承體的一側和感測器基板12的像素16藉由黏著性的薄片等貼合，由此能夠在感測器基板12形成變換層30。另外，在變換層30中使用CsI的情況與使用GOS的情況相比，從放射線向可見光的變換效率變高。
另外，在上述各例示的實施方式中，說明了如圖1所示那樣像素16以矩陣狀二維排列的形態，但並不限於此，例如也可以是一維排列，也可以是蜂窩排列。另外，像素的形狀並沒有限定，可以是矩形，也可以是六邊形等多邊形。進而，像素區域15的形狀也沒有限定，這點不言自明。
除此以外，上述各例示的實施方式中說明的放射線圖像拍攝裝置1以及放射線檢測器10等的結構、製造方法等是一例，能在不脫離本發明的主旨的範圍內根據狀況來變更，這一點不言自明。
[其他例示的實施方式]
首先，參考圖18～圖30來說明彈力層42的其他例示的實施方式。
如圖18所示那樣，在彈力層42在與變換層30的中央部30B以及周緣部30C對應的區域延伸的情況下，彈力層42可以不具有沿著變換層30的外周部的傾斜的折彎部。在該情況下，彈力層42在與變換層30的中央部30B對應的區域經由接著層40接著在保護層38。在與變換層30的周緣部30C對應的區域，在變換層30（保護層38）與彈力層42之間形成與變換層30的周緣部30C中的傾斜相應的空間。
如上述那樣，將線纜112與設置於感測器基板12的外周部的連接區域的端子130連接。感測器基板12經由線纜112與控制基板（參考控制基板110、圖6A等）連接。在感測器基板12出現撓曲的情況下，線纜112有可能從感測器基板12剝離或出現位置偏離。在該情況下，需要重新進行線纜112與感測器基板12的連接的作業。將該重新進行線纜112與感測器基板12的連接的作業稱作再加工。如圖18以及上述圖13所示那樣，藉由將彈力層42的端部配置得比變換層30的端部更靠內側，與彈力層42延伸到連接區域的附近為止的情況相比，能容易地進行再加工。
如圖19、圖20以及上述圖3、圖8所示那樣，彈力層42可以設置成：其端部配置得比變換層30的端部更靠外側，且與延伸到感測器基板12上為止的接著層36以及保護層38的端部對齊。另外，彈力層42的端部的位置和接著層36以及保護層38的端部的位置不需要完全一致。
在圖19所示的示例中，彈力層42的外周部沿著變換層30的周緣部30C中的傾斜而折彎，且還覆蓋接著層36以及保護層38在感測器基板12上覆蓋的部分。另外，彈力層42的端部與接著層36以及保護層38的端部對齊。另外，彈力層42的端部的位置和接著層36以及保護層38的端部的位置不需要完全一致。
彈力層42、接著層40、保護層38、以及接著層36的端部由密封構件71密封。密封構件71較佳的是設置於從感測器基板12的表面延續到彈力層42的表面且不覆蓋像素區域15的區域。作為密封構件71的材料，能使用樹脂，特別較佳的是熱可塑性樹脂。具體地，能將丙烯酸糊以及聚氨酯系的糊等用作密封構件71。彈力層42與保護層38相比，剛性較高，且在彈力層42的折彎部作用想要消除折彎的復原力，由此保護層38有可能會剝離。藉由將彈力層42、接著層40、保護層38、以及接著層36的端部用密封構件71進行密封，能抑制保護層38的剝離。
在圖20所示的示例中，與上述圖8所示的形態同樣，在與變換層30的周緣部30C對應的區域以及其進一步外側的區域，在形成於變換層30（保護層38）與彈力層42之間的空間設置填充件70。另外，在與變換層30的端部對應的區域，在彈力層42的表面進一步隔著接著層40A層疊其他彈力層42A。更具體地，將彈力層42D設置於跨過變換層30的端部（外緣、邊緣）的區域。彈力層42D可以由與彈力層42相同的材料構成。在放射線檢測器10中，在變換層30的端部，感測器基板12的撓曲量比較大。藉由在與變換層30的端部對應的區域形成彈力層42以及42D的層疊結構，能促進抑制變換層30的端部處的感測器基板12的撓曲的效果。
即使在如圖19、圖20以及上述圖3、圖8所示那樣，將彈力層42的端部配置得比變換層30的端部更靠外側且設置成與接著層36以及保護層38的端部對齊的狀態的情況下，與彈力層42延伸到連接區域的附近的情況相比，也能容易地進行再加工。
另外，也可以如圖21～圖24所示那樣，將彈力層42設置成如下狀態：其端部的位置比延伸到感測器基板12上為止的接著層36以及保護層38的端部更靠外側，且比感測器基板12的端部更靠內側。
在圖20所示的示例中，彈力層42在與變換層30的中央部30B對應的區域中經由接著層40接著在保護層38，且在與變換層30的周緣部30C對應的區域以及其進一步外側的區域中，在變換層30（保護層38）與彈力層42之間以及感測器基板12與彈力層42之間形成與變換層30的周緣部30C中的傾斜相應的空間。
在圖22所示的示例中，彈力層42的端部由隔離件72支承。即，隔離件72的一端與感測器基板12的基材14的第1面14A連接，隔離件72的另一端與彈力層42的端部連接。藉由用隔離件72對在與感測器基板12之間形成空間的同時進行延伸的彈力層42的端部進行支承，能抑制彈力層42的剝離。另外，能使彈力層42所帶來的撓曲抑制效果作用到感測器基板12的端部附近為止。另外，也可以取代設置隔離件72，或在設置隔離件72的基礎上，仿照圖20所示的示例，在形成於變換層30（保護層38）與彈力層42之間以及感測器基板12與彈力層42之間的空間填充填充件。
在圖23所示的示例中，彈力層42的外周部沿著變換層30的周緣部30C中的傾斜而折彎，且還覆蓋接著層36以及保護層38在感測器基板12上覆蓋的部分以及其外側的感測器基板12上。即，接著層36以及保護層38的端部由彈力層42密封。彈力層42的在感測器基板12上延伸的部分經由接著層40接著在感測器基板12。如此，藉由將接著層36以及保護層38的端部用彈力層42覆蓋，能抑制保護層38的剝離。另外，也可以仿照圖18記載的示例，使用密封構件71來將彈力層42的端部密封。
在圖24所示的示例中，在彈力層42的端部由隔離件72支承的形態下，在彈力層42的表面的與變換層30的端部對應的區域進一步隔著接著層40A層疊其他的彈力層42D。更具體地，將彈力層42D設置於跨過變換層30的端部（外緣、邊緣）的區域。彈力層42D可以由與彈力層42相同的材料構成。在放射線檢測器10中，變換層30的端部處的感測器基板12的撓曲量比較大。藉由在與變換層30的端部對應的區域形成彈力層42以及42D的層疊結構，能促進抑制變換層30的端部處的感測器基板12的撓曲的效果。另外，也可以取代設置隔離件72，仿照圖20所示的示例，在形成於變換層30（保護層38）與彈力層42之間以及感測器基板12與彈力層42之間的空間填充填充件70。
也可以如圖25、圖26、以及上述圖9～圖11所示那樣，將彈力層42設置成其端部與感測器基板12的端部對齊。另外，彈力層42的端部的位置和感測器基板12的端部的位置不需要完全一致。
在圖25所示的示例中，彈力層42的外周部沿著變換層30的周緣部30C中的傾斜而折彎，且還覆蓋接著層36以及保護層38在感測器基板12上覆蓋的部分、其外側的基板上、以及端子130與線纜112的連接部。彈力層42的在感測器基板12上以及線纜112上延伸的部分別經由接著層40接著在感測器基板12以及線纜112。藉由線纜112與端子130的連接部被撓曲彈力層42覆蓋，能抑制線纜112的剝離。另外，由於設想在線纜112的另一端連接搭載電子部件的控制基板，因此在線纜112與端子130的連接部，有可能在感測器基板12出現比較大的撓曲。藉由線纜112與端子130的連接部被彈力層42覆蓋，能抑制該部分處的感測器基板12的撓曲。
在圖26所示的示例中，在形成於變換層30（保護層38）與彈力層42之間以及感測器基板12與彈力層42之間的空間填充填充件70。另外，在與變換層30的端部對應的區域，在彈力層42的表面隔著接著層40A進一步層疊其他的撓曲彈力層42A。更具體地，將彈力層42D設置於跨過變換層30的端部（外緣、邊緣）的區域。彈力層42D可以由與彈力層42相同的材料構成。在放射線檢測器10中，在變換層30的端部，感測器基板12的撓曲量比較大。藉由在與變換層30的端部對應的區域形成彈力層42以及42D的層疊結構，能促進抑制變換層30的端部處的感測器基板12的撓曲的效果。
另外，也可以如圖27～圖30以及上述圖14所示那樣，將彈力層42設置成其端部位於比感測器基板12的端部更靠外側的位置。
在圖27所示的示例中，彈力層42的端部由隔離件72支承。即，隔離件72的一端與設置於感測器基板12的端部的線纜112連接，隔離件72的另一端與彈力層42的端部連接。藉由用隔離件72對在與感測器基板12之間形成空間的同時進行延伸的彈力層42的端部進行支承，能抑制彈力層42的剝離。另外，能使彈力層42所帶來的撓曲抑制效果作用到感測器基板12的端部附近為止。
在圖28所示的示例中，在形成於變換層30（保護層38）與彈力層42之間以及感測器基板12與彈力層42之間的空間填充填充件70。在本例示的實施方式中，線纜112與端子130的連接部被填充件70覆蓋。如此，藉由在形成於變換層30（保護層38）與彈力層42之間以及感測器基板12與彈力層42之間的空間填充填充件70，與圖29所示的形態相比，能抑制彈力層42從變換層30（保護層38）剝離。進而，由於變換層30成為藉由彈力層42以及填充件70雙方固定在感測器基板12的結構，因此能抑制變換層30從感測器基板12剝離。另外，藉由線纜112與端子130的連接部被填充件70覆蓋，能抑制線纜112的剝離。
在圖29所示的示例中，彈力層42的外周部沿著變換層30的周緣部30C中的傾斜而折彎，且還覆蓋接著層36以及保護層38在感測器基板12上覆蓋的部分、其外側的基板上、以及端子130與線纜112的連接部。彈力層42的在感測器基板12上以及線纜112上延伸的部分分別經由接著層40接著在感測器基板12以及線纜112。藉由線纜112與端子130的連接部被彈力層42覆蓋，能抑制線纜112的剝離。另外，由於設想在線纜112的另一端連接搭載電子部件的控制基板，因此在線纜112與端子130的連接部，有可能在感測器基板12出現比較大的撓曲。藉由線纜112與端子130的連接部被彈力層42覆蓋，能抑制該部分處的感測器基板12的撓曲。
在圖30所示的示例中，在形成於變換層30（保護層38）與彈力層42之間以及感測器基板12與彈力層42之間的空間填充填充件70。另外，在與變換層30的端部對應的區域，在彈力層42的表面隔著接著層40A進一步層疊其他的彈力層42D。更具體地，將彈力層42D設置於跨過變換層30的端部（外緣、邊緣）的區域。彈力層42D可以由與彈力層42相同的材料構成。在放射線檢測器10中，在變換層30的端部，感測器基板12的撓曲量比較大。藉由在與變換層30的端部對應的區域形成彈力層42以及42D的層疊結構，能促進抑制變換層30的端部處的感測器基板12的撓曲的效果。
如上述那樣，在放射線檢測器10的製造工程中，在玻璃基板等支承體50貼附具有撓性的感測器基板12，在感測器基板12上層疊變換層30後，將支承體50從感測器基板12剝離。這時，在具有撓性的感測器基板12出現撓曲，由此形成於感測器基板12上的像素16有可能會損傷。在將支承體50從感測器基板12剝離前，藉由在圖18～圖30所例示那樣的形態下在變換層30上層疊彈力層42，能抑制將支承體50從感測器基板12剝離時產生的感測器基板12的撓曲，能減低像素16的損傷的風險。
另外，圖31是表示彈力層42的結構的一例的俯視圖。彈力層42可以在其主面具有多個貫通孔42H。確定貫通孔42H的大小以及間距，以便在彈力層42得到所期望的剛性。
彈力層42具有多個貫通孔42H，藉此，能使導入到彈力層42與變換層30的接合面的空氣從貫通孔42H排出。由此，能抑制彈力層42與變換層30的接合面中的氣泡的產生。
在不存在使導入到彈力層42與變換層30的接合面的空氣排出的手段的情況下，有可能會在上述接合面產生氣泡。例如，若藉由放射線圖像拍攝裝置1工作時的熱而使在上述接合面產生的氣泡膨脹，則彈力層42與變換層30的緊貼性就會降低。由此，有可能無法充分發揮彈力層42所帶來的撓曲抑制效果。藉由如圖31那樣使用具有多個貫通孔42H的彈力層42，能如上述那樣抑制彈力層42與變換層30的接合面的氣泡的產生，因此能維持彈力層42與變換層30的緊貼性，能維持彈力層42所帶來的撓曲抑制效果。
圖32是表示彈力層42的結構的其他示例的立體圖。在圖32所示的示例中，彈力層42在與變換層30的接合面具有凹凸結構。該凹凸結構可以如圖32所示那樣包含相互平行配置的多個槽63而構成。彈力層42例如如圖33所示那樣，將具有由多個槽63形成的凹凸結構的面接合到被反射層34覆蓋的變換層30。如此，由於彈力層42在與變換層30的接合面具有凹凸結構，因而能使導入到彈力層42與變換層30的接合部的空氣從槽63排出。由此，與圖35所示的形態同樣，能抑制彈力層42與變換層30的接合面的氣泡的產生。由此，能維持彈力層42與變換層30的緊貼性，能維持彈力層42所帶來的撓曲抑制效果。
圖34以及圖35分別是表示彈力層42的結構的其他示例的俯視圖。如圖34以及圖35所示那樣，彈力層42可以被分斷成多個斷片54。彈力層42可以如圖34所示那樣，被分斷成使得多個斷片54（545 ～5411 ）在一個方向上排列。另外，彈力層42可以如圖35所示那樣，被分斷成使得多個斷片54（541 ～494 ）在縱向以及橫向上排列。
彈力層42的面積越大，則越易於在彈力層42與變換層30的接合面產生氣泡。如圖38以及圖39所示那樣，藉由將彈力層42分斷成多個斷片54，能抑制彈力層42與變換層30的接合面的氣泡的產生。由此，能維持彈力層42與變換層30的緊貼性，能維持彈力層42d所帶來的撓曲抑制效果。
另外，可以在彈力構件41的與感測器基板12（第2面14B）相接的一側的相反側設置加強構件55。圖36～圖40分別是表示加強構件55的設置形態的示例的截面圖。
在圖36～圖40所示的示例中，在彈力構件41的感測器基板12側的面的相反側的面隔著接著層56層疊加強構件55。加強構件55可以由與彈力層42相同的材料構成。在將放射線檢測器10設為ISS方式來使用的情況下，為了極力減小加強構件55與像素區域15重疊的部分的面積，較佳的是加強構件55僅設置於感測器基板12的外周部。即，加強構件55可以如圖36～圖40所示那樣是在與像素區域15對應的部分具有開口61的環狀。如此在感測器基板12的外周部形成彈力構件41以及加強構件55的層疊結構，藉此，能加強比較易於產生撓曲的感測器基板12的外周部的剛性。
在圖36～圖40所示的示例中，加強構件55設置於跨過變換層30的端部（外緣、邊緣）的區域。在放射線檢測器10中，在變換層30的端部，感測器基板12的撓曲量比較大。藉由在與變換層30的端部對應的區域形成彈力構件41以及加強構件55的層疊結構，能促進抑制變換層30的端部處的感測器基板12的撓曲的效果。
在將放射線檢測器10設為ISS方式來使用的情況下，在如圖36所示那樣加強構件55的一部分與像素區域15重疊的情況下，根據加強構件55的材質的不同，有可能給圖像帶來影響。因此，在加強構件55的一部分與像素區域15重疊的情況下，較佳的是使用塑料來作為加強構件55的材料。
如圖37以及圖38所示那樣，最佳的是加強構件55跨過變換層30的端部（外緣、邊緣）且不與像素區域15重疊的形態（即，加強構件55的開口61的端部配置於像素區域15的外側的形態）。在圖41所示的示例中，加強構件55的開口61的端部的位置和像素區域15的端部的位置大致一致。在圖42所示的示例中，加強構件55的開口61的端部配置於像素區域15的端部與變換層30的端部之間。
另外，加強構件55的開口61的端部的位置可以如圖39所示那樣與變換層30的端部的位置大致一致，另外，也可以如圖44所示那樣配置得比變換層30的端部更靠外側。在該情況下，由於成為加強構件55跨過變換層30的端部（外緣、邊緣）的結構，因此抑制變換層30的端部處的感測器基板12的撓曲的效果有可能會降低。但是，藉由在線纜112與端子130的連接部所存在的感測器基板12的外周部形成彈力構件41以及加強構件55的層疊結構，可維持抑制線纜112與端子130的連接部處的感測器基板12的撓曲的效果。
另外，在上述各例示的實施方式的放射線檢測器10中，說明了感測器基板12（基材14）和彈力構件41的大小相同的形態，但感測器基板12和彈力構件41也可以大小不同。
例如在將放射線檢測器10運用到放射線圖像拍攝裝置1的情況下，有時在收納放射線檢測器10的殼體120（參考圖11等）等中將放射線檢測器10固定來使用。在這樣的情況下，例如可以如圖41A所示的一例那樣，使彈力構件41比感測器基板12大，並設置擋板等，使用擋板等的部分進行放射線檢測器10的固定。例如可以設為在彈力構件41的擋板部分設置孔並使用將孔貫通的螺絲與殼體120（參考圖6A等）進行固定的形態。
另外，使彈力構件41比感測器基板12大的形態並不限定於圖41A所示的形態。也可以由層疊的多個層構成彈力構件41，對於一部分層，設為比感測器基板12大的形態。例如可以如圖41B所示那樣，將彈力構件41設為具有與感測器基板12（基材14）相同程度的大小的第1層41A以及比感測器基板12大的第2層41B的2層結構。第1層41A和第2層41B藉由雙面膠帶或黏著層等（圖示省略）貼合。作為第1層41A，例如較佳的是由與上述的彈力構件41同樣的材質形成，且具有與彈力構件41同樣的性質。另外，將第2層41B藉由雙面膠帶或黏著層等（圖示省略）貼合於基材14的第2面14B。作為第2層41B，例如能運用ALPET（註冊商標）。另外，在由多個層構成彈力構件41的情況下，可以與圖41B所示的形態相反，如圖41C所示那樣，設為將第1層41A貼合於基材14的第2面14B的形態。
如上述那樣，在使用設置於彈力構件41的擋板等將放射線檢測器10固定在殼體120（參考圖6A等）等的情況下，有時會在將擋板部分彎曲的狀態下進行固定。厚度越薄則彈力構件41的擋板部分就越易於彎曲，能不給放射線檢測器10主體帶來影響地僅將擋板部分彎曲。因此，在使擋板部分等彎折的情況下，較佳的是如圖41B以及圖41C所示的一例那樣，由層疊的多個層構成彈力構件41，僅對於一部分層，設為比感測器基板12大的形態。
另外，可以如圖42所示的示例那樣，與上述圖41A～圖41C的放射線檢測器10相反，使彈力構件41比感測器基板12小。藉由使感測器基板12的端部位於比彈力構件41的端部更靠外部的位置，例如在將放射線檢測器10收納於殼體120（參考圖7等）等進行組裝的情況下，能易於確認感測器基板12的端部的位置，因此能提升定位的精度。另外，並不限定於圖42所示的形態，只要感測器基板12（基材14）的端部的至少一部分位於比彈力構件41更靠外部的位置，就能得到同樣的效果，因而較佳。
日本申請2018-051690、2018-219696、2019-022148的公開通過參考將其整體援引到本說明書中。
本說明書記載的全部文獻、專利申請、以及技術標準通過參考而援引到本說明書中，與具體且單獨地記為將各個文獻、專利申請、以及技術標準通過參考引入的情況是相同的程度。
1‧‧‧放射線圖像拍攝裝置
10‧‧‧放射線檢測器
12‧‧‧感測器基板
14‧‧‧基材
14A‧‧‧第1面
14B‧‧‧第2面
14L‧‧‧微粒子層
14P‧‧‧微粒子
15‧‧‧像素區域
16‧‧‧像素
17‧‧‧焊盤部
19‧‧‧層疊體
20‧‧‧TFT（開關元件）
22‧‧‧感測器部
24‧‧‧信號佈線
26‧‧‧掃描佈線
28‧‧‧公共佈線
30‧‧‧變換層
30B‧‧‧中央部
30C‧‧‧周緣部
32‧‧‧黏著層
34‧‧‧反射層
36‧‧‧接著層
38‧‧‧保護層
40‧‧‧接著層
40A‧‧‧接著層
41‧‧‧彈力構件
42‧‧‧彈力層
42A‧‧‧第1彈力層
42B‧‧‧第2彈力層
42C‧‧‧第3彈力層
42D‧‧‧彈力層
42H‧‧‧貫通孔
43‧‧‧交疊區域
47‧‧‧緩衝層
49‧‧‧緊貼層
50‧‧‧支承體
51‧‧‧剝離層
541～5411‧‧‧斷片
55‧‧‧加強構件
56‧‧‧接著層
61‧‧‧開口
63‧‧‧槽
70‧‧‧填充件
71‧‧‧密封構件
72‧‧‧隔離件
100‧‧‧控制部
100A‧‧‧CPU
100B‧‧‧記憶體
100C‧‧‧記憶部
102‧‧‧驅動部
104‧‧‧信號處理部
106‧‧‧圖像記憶體
108‧‧‧電源部
110‧‧‧控制基板
112‧‧‧線纜
114‧‧‧電源線
118‧‧‧基台
120‧‧‧殼體
120A‧‧‧拍攝面
120B‧‧‧邊界部
120C‧‧‧與殼體的拍攝面對應的部分
130‧‧‧焊盤
P‧‧‧層疊方向
R‧‧‧放射線
Rb‧‧‧後向散射射線
S‧‧‧被攝體
圖1是表示第1例示的實施方式的放射線圖像拍攝裝置中的電氣系統的主要部分結構的一例的方塊圖。圖2A是從第1面側來觀察第1例示的實施方式的放射線檢測器的一例的俯視圖。圖2B是用於說明基材的一例的截面圖。圖2C是用於說明藉由透過被攝體的放射線而在具有微粒子層的基材內產生的後向散射射線的說明圖。圖2D是用於說明藉由透過被攝體的放射線而在不具有微粒子層的基材內產生的後向散射射線的說明圖。圖3是圖2A所示的放射線檢測器的A-A線截面圖。圖4是用於說明第1例示的實施方式的變換層中的周緣部和中央部的截面圖。圖5是說明第1例示的實施方式的放射線檢測器的製造方法的一例的圖。圖6A是表示在PSS（Penetration Side Sampling，穿透側採樣）方式中運用本例示的實施方式的放射線圖像拍攝裝置的情況下的、將放射線檢測器設置於殼體內的狀態的一例的截面圖。圖6B是表示在ISS（Irradiation Side Sampling，照射側採樣）方式中運用本例示的實施方式的放射線圖像拍攝裝置的情況下的、將放射線檢測器設置於殼體內的狀態的一例的截面圖。圖6C是表示在PSS方式中運用本例示的實施方式的放射線圖像拍攝裝置的情況下的、將放射線檢測器設置於殼體內的狀態的其他示例的截面圖。圖6D是表示在PSS方式中運用本例示的實施方式的放射線圖像拍攝裝置的情況下的、將放射線檢測器設置於殼體內的狀態的其他示例的截面圖。圖6E是表示在PSS方式中運用本例示的實施方式的放射線圖像拍攝裝置的情況下的、將放射線檢測器設置於殼體內的狀態的其他示例的截面圖。圖7A是表示在PSS方式中運用本例示的實施方式的放射線圖像拍攝裝置的情況下的、將放射線檢測器設置於殼體內的狀態的其他示例的截面圖。圖7B是表示在ISS方式中運用本例示的實施方式的放射線圖像拍攝裝置的情況下的、將放射線檢測器設置於殼體內的狀態的其他示例的截面圖。圖8是第2例示的實施方式的放射線檢測器的一例的截面圖。圖9是第3例示的實施方式的放射線檢測器的一例的截面圖。圖10是第3例示的實施方式的放射線檢測器的其他示例的截面圖。圖11是第3例示的實施方式的放射線檢測器的其他示例的截面圖。圖12是第4例示的實施方式的放射線檢測器的一例的截面圖。圖13是例示的實施方式的放射線檢測器的其他示例的截面圖。圖14是例示的實施方式的放射線檢測器的其他示例的截面圖。圖15是例示的實施方式的放射線檢測器的其他示例的截面圖。圖16是例示的實施方式的放射線檢測器的其他示例的截面圖。圖17是例示的實施方式的放射線檢測器的其他示例的截面圖。圖18是表示本公開的技術的例示的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的截面圖。圖19是表示本公開的技術的例示的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的截面圖。圖20是表示本公開的技術的例示的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的截面圖。圖21是表示本公開的技術的例示的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的截面圖。圖22是表示本公開的技術的例示的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的截面圖。圖23是表示本公開的技術的例示的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的截面圖。圖24是表示本公開的技術的例示的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的截面圖。圖25是表示本公開的技術的例示的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的截面圖。圖26是表示本公開的技術的例示的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的截面圖。圖27是表示本公開的技術的例示的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的截面圖。圖28是表示本公開的技術的例示的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的截面圖。圖29是表示本公開的技術的例示的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的截面圖。圖30是表示本公開的技術的例示的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的截面圖。圖31是表示本公開的技術的例示的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的截面圖。圖32是表示本公開的技術的例示的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的截面圖。圖33是表示本公開的技術的例示的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的截面圖。圖34是表示本公開的技術的例示的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的截面圖。圖35是表示本公開的技術的例示的實施方式的撓曲抑制構件的結構的一例的俯視圖。圖36是表示本公開的技術的例示的實施方式的撓曲抑制構件的結構的一例的立體圖。圖37是表示本公開的技術的例示的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的截面圖。圖38是表示本公開的技術的例示的實施方式的撓曲抑制構件的結構的一例的俯視圖。圖39是表示本公開的技術的例示的實施方式的撓曲抑制構件的結構的一例的俯視圖。圖40是表示本公開的技術的例示的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的截面圖。圖41A是表示本公開的技術的例示的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的截面圖。圖41B是表示本公開的技術的例示的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的截面圖。圖41C是表示本公開的技術的例示的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的截面圖。圖42是表示本公開的技術的例示的實施方式的放射線檢測器的結構的一例的截面圖。

Claims (33)

  1. 一種放射線檢測器，其特徵在於，具備： 感測器基板，包含撓性的基材、以及設置於所述基材的第1面且形成有多個像素的層，所述多個像素蓄積對應於從放射線變換的光而產生的電荷；變換層，設置於所述感測器基板的所述第1面側，且將放射線變換成所述光；和彈力層，設置於所述變換層中的設置所述感測器基板的一側的相反側，且具有比所述感測器基板高的針對撓曲的復原力。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中所述彈力層的彎曲彈性模量是150MPa以上且2500MPa以下。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的放射線檢測器，其中所述彈力層的材料包含聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、以及低密度聚乙烯中的至少一種。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中所述彈力層的熱膨脹係數相對於所述變換層的熱膨脹係數之比是0.5以上且4以下。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中所述彈力層的熱膨脹係數是30ppm/K以上且200ppm/K以下。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中所述感測器基板還包含： 端子部，設置於所述基材的所述第1面的外周部，且連接用於從所述像素讀出電荷的線纜，所述彈力層的端部位於比設置所述端子部的區域更靠內側的位置。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的放射線檢測器，其中所述變換層具有： 周緣部，具有越往外側厚度越薄的傾斜；和被所述周緣部包圍的中央部，所述彈力層至少覆蓋所述中央部。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的放射線檢測器，其中所述變換層具有： 周緣部，具有越往外側厚度越薄的傾斜；和被所述周緣部包圍的中央部，所述彈力層覆蓋所述周緣部的至少一部分以及所述中央部。
  9. 如申請專利範圍第6項所述的放射線檢測器，其中所述變換層具有： 周緣部，具有越往外側厚度越薄的傾斜；和被所述周緣部包圍的中央部，所述彈力層的端部至少從覆蓋所述中央部的區域一直設置到與所述周緣部的外周對應的區域為止。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中所述感測器基板還包含： 端子部，其設置於所述基材的所述第1面的外周部，且連接用於從所述像素讀出電荷的線纜，所述彈力層一直設置到與設置所述端子部的區域的一部分或全部對向的區域為止。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中所述彈力層設置於比設置所述變換層的所述感測器基板的區域大的區域。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中所述彈力層的端部比所述感測器基板的端部更向外側突出。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中所述彈力層還具備： 支承部，一直設置到所述變換層外的區域為止，對所述彈力層的端部與所述感測器基板之間進行支承。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中所述放射線檢測器還具備： 填充件，其填充所述感測器基板與所述彈力層之間的不包含所述變換層的空間。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的放射線檢測器，其中所述填充件與所述感測器基板以及所述彈力層相接。
  16. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，還具備： 緊貼層，其設置於所述感測器基板與所述變換層之間。
  17. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，還具備： 緩衝層，設置於所述感測器基板與所述變換層之間，對所述變換層的熱膨脹係數與所述感測器基板的熱膨脹係數之差進行緩衝。
  18. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中所述放射線檢測器還具備： 彈力構件，設置於所述基材的所述第1面的相反側的第2面側，且具有比所述感測器基板高的針對撓曲的復原力。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的放射線檢測器，其中所述彈力層的至少一部分和所述彈力構件的至少一部分夾著所述感測器基板以及所述變換層而對向。
  20. 如申請專利範圍第18項或第19項所述的放射線檢測器，其中所述彈力構件的材料包含聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯以及低密度聚乙烯中的至少一種。
  21. 如申請專利範圍第18項所述的放射線檢測器，其中所述彈力構件的熱膨脹係數相對於所述變換層的熱膨脹係數之比是0.5以上且4以下。
  22. 如申請專利範圍第18項所述的放射線檢測器，其中所述彈力構件的熱膨脹係數是30ppm/K以上且200ppm/K以下。
  23. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中所述基材是樹脂製，且具有微粒子層，所述微粒子層包含平均粒子徑為0.05μm以上且2.5μm以下的無機的微粒子。
  24. 如申請專利範圍第23項所述的放射線檢測器，其中所述基材在所述第2面側具有所述微粒子層。
  25. 如申請專利範圍第23項或第24項所述的放射線檢測器，其中所述微粒子包含原子序號比構成所述基材的元素大且原子序號為30以下的元素。
  26. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中所述基材在300℃～400℃下的熱膨脹係數是20ppm/K以下。
  27. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中所述基材在厚度為25μm的狀態下滿足400℃下的機械方向的熱收縮率為0.5%以下、以及500℃下的彈性模量為1GPa以上這兩者中的至少一者。
  28. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中所述彈力層的剛性比所述基材高。
  29. 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器，其中所述變換層包含CsI。
  30. 一種放射線圖像拍攝裝置，其特徵在於，具備： 如申請專利範圍第1項所述的放射線檢測器；控制部，輸出用於讀出蓄積於所述多個像素的電荷的控制信號；驅動部，對應於所述控制信號來輸出用於從所述多個像素讀出電荷的驅動信號；和信號處理部，輸入與從所述多個像素讀出的電荷相應的電信號，生成並輸出與所輸入的所述電信號相應的圖像數據。
  31. 如申請專利範圍第30項所述的放射線圖像拍攝裝置，其中在與所述放射線檢測器中的基材、形成有多個像素的層、以及變換層所排列的層疊方向交叉的方向上，排列設置有所述控制部和所述放射線檢測器。
  32. 如申請專利範圍第30項所述的放射線圖像拍攝裝置，還具備： 電源部，對所述控制部、所述驅動部、以及所述信號處理部中的至少一者提供電力，在與所述放射線檢測器中的感測器基板、變換層、以及彈力層所排列的層疊方向交叉的方向上，排列設置有所述電源部、所述控制部、和所述放射線檢測器。
  33. 如申請專利範圍第30項所述的放射線圖像拍攝裝置，還具備： 殼體，具有被照射放射線的照射面，在所述放射線檢測器中的感測器基板以及變換層當中的所述感測器基板與所述照射面對向的狀態下收納所述放射線檢測器。
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