TW201930641A - 基板處理裝置、反應管、半導體裝置之製造方法及記錄媒體 - Google Patents

基板處理裝置、反應管、半導體裝置之製造方法及記錄媒體 Download PDF

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Abstract

本發明係提供一種抑制在構成反應管的外管與內管的間隙所可能生成的副生成物之發生的技術。基板處理裝置係具備有：反應管，其具有筒狀之內管及以包圍內管的方式所設置的筒狀之外管；基板保持器，其被收納於內管，於上下保持複數個基板；氣體噴嘴，其沿上下方向設置於外管及內管之間的間隙，從在上下所形成之複數個供給孔向開設於內管的流入口供給氣體而在基板形成膜；流出口，其形成於內管，流出所被供給至內管的氣體；排出口，其形成於外管，向反應管的外側排出從流出口所流出的氣體；排出手段，其使滯留於間隙的氣體從排出口排出；以及控制部，其進行以下之控制：從氣體噴嘴供給原料氣體及惰性氣體而在基板形成膜，一方面從排出口將反應管內的環境空氣排氣，一方面從氣體噴嘴供給惰性氣體，並將滯留於間隙的氣體排出。

Description

基板處理裝置、反應管、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
本發明關於基板處理裝置、反應管、半導體裝置之製造方法及記錄媒體。
作為基板處理裝置的一例，為半導體製造裝置，作為半導體製造裝置的一例，為習知之立式裝置。
這種基板處理裝置係構成為具有在多層地保持晶圓的狀態而收納於反應管內之作為基板保持構件的舟皿，且將保持於舟皿的晶圓在反應管內的處理室進行處理。
在專利文獻1係示出將分批處理的複數個晶圓利用舟皿保持的構成，藉由向插入有晶圓的反應管同時供給兩種以上的原料氣體，從而在晶圓上形成膜。
另外，在專利文獻2中，將蓋加熱器設置於石英筒中，從晶圓下方補充熱能，從而縮短升溫時間，並且吹掃氣體不會對晶圓區域產生影響。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2015/041376號
[專利文獻2]美國專利申請公開第2017/0037512號
在將反應管做成雙重構造的基板處理裝置中，氣體容易滯留於構成反應管的外管與內管的間隙。若氣體滯留於該間隙，則副生成物產生堆積，成為微粒的原因。
本發明的目的在於提供抑制在構成反應管的外管與內管的間隙所可能生成的副生成物之發生的技術。
根據本發明第一態樣的基板處理裝置，其具備有：反應管，其具有筒狀之內管、及以包圍該內管的方式所設置的筒狀之外管；基板保持器，其被收納於上述內管，且於上下保持複數個基板；氣體噴嘴，其沿上下方向設置於上述外管及上述內管之間的間隙，且從在上下所形成之複數個供給孔向開設於上述內管的流入口供給氣體，而在上述基板形成膜；流出口，其形成於上述內管，且流出所被供給至該內管的氣體；排出口，其形成於上述外管，且向上述反應管的外側排出從上述流出口所流出的氣體；排出手段，其使滯留於上述間隙的氣體從上述排出口排出；以及控制部，其進行以下之控制：從上述氣體噴嘴供給原料氣體及惰性氣體而在上述基板形成膜，一方面從上述排出口將上述反應管內的環境空氣排氣，一方面從上述氣體噴嘴供給惰性氣體，並將滯留於上述間隙的氣體排出。
根據本發明，能夠提供抑制在構成反應管的外管與內管的間隙所可能生成的副生成物之發生的技術。
10‧‧‧基板處理裝置
12‧‧‧內管
12a‧‧‧內周面
12b‧‧‧後退部
12c‧‧‧外周面
14‧‧‧外管
14a‧‧‧內周面
18a‧‧‧第一隔壁
18a1‧‧‧開口部
18b‧‧‧第二隔壁
18c‧‧‧第三隔壁
18d‧‧‧第四隔壁
18d1‧‧‧開口部
18e‧‧‧連續設置壁
20‧‧‧主排氣路徑
22‧‧‧副排氣路徑
115‧‧‧舟皿升降機
121a‧‧‧CPU
121b‧‧‧RAM
121c‧‧‧記憶裝置
121d‧‧‧I/O埠
121e‧‧‧內部匯流排
122‧‧‧輸入輸出裝置
123‧‧‧外部記憶裝置
200‧‧‧晶圓
201‧‧‧處理室
202‧‧‧處理爐
203‧‧‧反應管
207‧‧‧加熱器
217‧‧‧舟皿
217a‧‧‧支柱
218‧‧‧舟皿支撐台
219‧‧‧密封帽
220‧‧‧氣密構件
222‧‧‧噴嘴配置室
222a‧‧‧第一室
222b‧‧‧第二室
222c‧‧‧第三室
222d‧‧‧第一開口部
222e‧‧‧連通路
222f‧‧‧第二開口部
226‧‧‧歧管
230‧‧‧排氣口
231‧‧‧排氣管
234‧‧‧氣體供給孔
234a‧‧‧氣體供給孔
234b‧‧‧氣體供給孔
234c‧‧‧氣體供給孔
234d‧‧‧氣體供給孔
234e‧‧‧氣體供給孔
234f‧‧‧氣體供給孔
234g‧‧‧氣體供給孔
235‧‧‧氣體供給狹縫
235a‧‧‧氣體供給狹縫
235b‧‧‧氣體供給狹縫
235c‧‧‧氣體供給狹縫
235d‧‧‧流入口
236‧‧‧第一氣體排氣口
237‧‧‧第二氣體排氣口
244‧‧‧APC閥
245‧‧‧壓力感測器
246‧‧‧真空泵
256‧‧‧開口部
267‧‧‧舟皿旋轉機構
280‧‧‧控制器
310a‧‧‧氣體供給管
310b‧‧‧氣體供給管
310c‧‧‧氣體供給管
310d‧‧‧氣體供給管
310e‧‧‧氣體供給管
310f‧‧‧氣體供給管
320a‧‧‧MFC
320b‧‧‧MFC
320c‧‧‧MFC
320d‧‧‧MFC
320e‧‧‧MFC
320f‧‧‧MFC
330a‧‧‧閥
330b‧‧‧閥
330c‧‧‧閥
330d‧‧‧閥
330e‧‧‧閥
330f‧‧‧閥
340a‧‧‧氣體噴嘴
340b‧‧‧氣體噴嘴
340c‧‧‧氣體噴嘴
340d‧‧‧氣體噴嘴
340e‧‧‧氣體噴嘴
340f‧‧‧氣體噴嘴
340g‧‧‧氣體噴嘴
350a‧‧‧噴嘴支撐部
350b‧‧‧噴嘴支撐部
350c‧‧‧噴嘴支撐部
360a‧‧‧原料氣體供給源
360b‧‧‧原料氣體供給源
360c‧‧‧惰性氣體供給源
360d‧‧‧惰性氣體供給源
360e‧‧‧惰性氣體供給源
360f‧‧‧惰性氣體供給源
G‧‧‧原料氣體
R‧‧‧分離距離
S‧‧‧間隙
圖1係第一實施形態的基板處理裝置的概略構成圖。
圖2係表示第一實施形態的基板處理裝置的立式處理爐的橫剖視圖。
圖3係第一實施形態的基板處理裝置的立式處理爐的立體剖視圖。
圖4係第一實施形態的基板處理裝置的立式處理爐的縱剖視圖。
圖5係將第一實施形態的基板處理裝置的立式處理爐的上部進行放大的剖視圖。
圖6係表示第一實施形態的基板處理裝置的方塊圖。
圖7係比較例的立式處理爐的縱剖視圖。
圖8係表示在第一實施形態的基板處理裝置的反應管內的矽來源氣體的濃度分佈的解析結果。
圖9係第二實施形態的基板處理裝置的立式處理爐的立體剖視圖。
圖10係表示圖9的主要部分的放大圖。
圖11係表示第三實施形態的基板處理裝置的立式處理爐的橫剖視圖。
圖12係表示第四實施形態的基板處理裝置的立式處理爐的橫剖視圖。
圖13係表示第五實施形態的基板處理裝置的立式處理爐的橫剖視圖。
圖14係第六實施形態的基板處理裝置的立式處理爐的立體剖視圖。
圖15係第七實施形態的基板處理裝置的立式處理爐的主要部分的立體剖視圖。
(第一實施形態)
以下，根據圖式，對本發明的第一實施形態進行說明。
圖1係表示本實施形態的基板處理裝置10的圖，基板處理裝置10係用於半導體裝置的製造。
該基板處理裝置10係具備有處理爐202，處理爐202係具有作為加熱手段的加熱器207。加熱器207為圓筒形狀，藉由被未圖示的加熱器底座所支撐而垂直地被安裝。加熱器207亦作為利用熱使處理氣體活性化的活性化機構而發揮功能。
在加熱器207的內側，與加熱器207呈同心圓狀地配設有構成反應容器的反應管203。反應管203係藉由例如石英(SiO2)或碳化矽(SiC)等之耐熱性材料所構成。
如圖2所示，反應管203係具有圓筒狀的內管12、及以包圍內管12的方式所設置的圓筒狀的外管14。內管12係與外管14配設成同心圓狀，在內管12與外管14之間形成有間隙S。
如圖1所示，內管12係形成為下端開放且上端被平坦狀的壁體所堵塞的有頂棚形狀。另外，外管14也形成為下端開 放且上端被平坦狀的壁體所堵塞的有頂棚形狀。
如圖2所示，在形成於內管12與外管14之間的間隙S設置有噴嘴配置室222，在內管12的周壁開設有作為流入口的一例的氣體供給狹縫235a、235b、235c。
如圖3所示，在與該等之供氣體供給狹縫235a、235b、235c所對向的內管12之周壁的部位，開設有作為流出口之一例的第一氣體排氣口236。另外，在第一氣體排氣口236的下部，開設有開口面積比第一氣體排氣口236小的作為流出口之一例的第二氣體排氣口237。
如圖1所示，該內管12的內部係構成處理室201。處理室201係對作為基板的晶圓200進行處理。
該處理室201係可收納作為基板保持器之一例的舟皿217，該舟皿217係能夠保持晶圓200在水平姿勢且以沿垂直方向多層地排列之狀態，內管12係包圍所被收納的晶圓200。
反應管203的下端係藉由圓筒體狀的歧管226而被支撐。歧管226係例如以鎳合金、不鏽鋼等之金屬所構成，或者以石英或SiC等之耐熱性材料所構成。在歧管226的上端部形成有凸緣，在該凸緣上設置並支撐外管14的下端部。
在該凸緣與外管14的下端部之間具有O形環等之氣密構件220，將反應管203內設成氣密狀態。
在歧管226的下端的開口部，經由O形環等之氣密構件220氣密地安裝有密封帽219，氣密地堵塞反應管203的下端的開口部側、即歧管226的開口部。密封帽219係例如以鎳合金、不鏽鋼等之金屬所構成，形成為圓盤狀。密封帽219亦可構成為利 用石英(SiO2)或碳化矽(SiC)等之耐熱性材料而覆蓋其之外側。
在密封帽219上設有支撐舟皿217的舟皿支撐台218。舟皿支撐台218係例如以石英、SiC等之耐熱性材料所構成，作為隔熱部而發揮功能。
舟皿217係豎立設置於舟皿支撐台218上。舟皿217係例如以石英、SiC等之耐熱性材料所構成。舟皿217係具有固定於舟皿支撐台218的未圖示之底板、及在其之上方所配置的頂板，在底板和頂板之間架設有複數根支柱217a(參照圖9及圖10)。
在舟皿217保持有在內管12內的處理室201所被處理的複數個晶圓200。複數個晶圓200係以相互隔開固定之間隔並且保持水平姿勢且相互對齊中心的狀態而被支撐於舟皿217的支柱217a(參照圖9及圖10)，裝載方向為反應管203的管軸方向。
在密封帽219的下側設有使舟皿旋轉的舟皿旋轉機構267。舟皿旋轉機構267的旋轉軸265係貫通密封帽而連接於舟皿支撐台218，利用舟皿旋轉機構267，經由舟皿支撐台218而使舟皿217旋轉，藉此使晶圓200旋轉。
密封帽219係藉由設於反應管203的外部的作為升降機構的舟皿升降機115而沿垂直方向升降，能夠將舟皿217相對於處理室201而進行搬入及搬出。
在歧管226以貫通歧管226的方式設置有支撐向處理室201內供給氣體的氣體噴嘴340a~340e的噴嘴支撐部350a~350c(圖4參照)(僅圖示氣體噴嘴340a、噴嘴支撐部350a)。
在此，在本實施形態中，設有5根之噴嘴支撐部350a~350c(參照圖4)。噴嘴支撐部350a~350c係例如藉由鎳合金、不 鏽鋼等之材料所構成。
在噴嘴支撐部350a~350c(參照圖4)的一端分別連接有向處理室201內供給氣體的氣體供給管310a~310c。另外，連接氣體噴嘴340d、340e的噴嘴支撐部係藉由未圖示的分叉管而被統一，並連接於氣體供給管310d。
在噴嘴支撐部350a~350c(參照圖4)的另一端分別連接有氣體噴嘴340a~340d(僅圖示噴嘴支撐部350a、氣體噴嘴340a)。氣體噴嘴340a~340e係藉由例如石英或SiC等之耐熱性材料所構成。
在氣體供給管310a，從上游方向起，依次分別設有供給原料氣體的原料氣體供給源360a、作為流量控制器的質量流量控制器(MFC)320a以及作為開閉閥的閥330a。在氣體供給管310b，從上游方向起，依次分別設有供給原料氣體的原料氣體供給源360b、MFC320b以及閥330b。
在氣體供給管310c，從上游方向起，依次分別設有供給惰性氣體的惰性氣體供給源360c、MFC320c以及閥330c。另外，在氣體供給管310d，從上游方向起，依次分別設有供給惰性氣體的惰性氣體供給源360d、MFC320d以及閥330d。
在比氣體供給管310a的閥330a靠下游側連接有供給惰性氣體的氣體供給管310e。在氣體供給管310e，從上游方向起，依次分別設有惰性氣體供給源360e、MFC320e以及閥330e。在比氣體供給管310b的閥330b靠下游側，連接有供給惰性氣體的氣體供給管310f。在氣體供給管310f，從上游方向起，依次分別設有惰性氣體供給源360f、MFC320f以及閥330f。此外，供給惰性氣體 的惰性氣體供給源360c~360e係連接於共通的供給源。
作為從氣體供給管310a所供給的原料氣體，列舉有氨(NH3)氣。另外，作為從氣體供給管310b所供給的原料氣體，列舉有矽(Si)來源氣體。而且，作為從各氣體供給管310c~310f所供給的惰性氣體，列舉有氮(N2)氣。
在反應管203的外管14開設有排氣口230。排氣口230係形成於比第二氣體排氣口237靠下方，且連接於排氣管231。
在排氣管231，經由檢測處理室201內之壓力的作為壓力檢測器的壓力感測器245及作為壓力調整器的APC(Auto Pressure Controller)閥244，而連接有作為真空排氣裝置的真空泵246。真空泵246之下游側的排氣管231係連接於未圖示的廢氣處理裝置等。由此，構成為，藉由控制真空泵246的輸出及閥244的開度，能夠以處理室201內的壓力成為既定的壓力(真空度)的方式進行真空排氣。
此外，APC閥244係能夠針對閥進行開閉而進行處理室201內的真空排氣、真空排氣停止，並且調節閥開度，調整氣導(conductance)，進行處理室201內的壓力調整的開閉閥。
在反應管203內設置有作為溫度檢測器的未圖示的溫度感測器，且構成為，基於藉由溫度感測器所檢測出的溫度資訊，調整向加熱器207的供給電力，從而處理室201內的溫度成為期望的溫度分佈。
在以上的處理爐202中，多層地裝載有被分批處理的複數片之晶圓200的舟皿217係藉由舟皿支撐台218被插入至處理室201。然後，藉由加熱器207將被插入至處理室201的晶圓200 加熱至既定的溫度。
接下來，參照圖2~圖5，對反應管203的構成進行說明。此外，圖3中，省略了氣體噴嘴340a~340e、舟皿217等的記載。
如圖2及圖3所示，在內管12形成有複數個用於向處理室201內供給氣體的氣體供給狹縫235a~235c。氣體供給狹縫235a~235c係連通噴嘴配置室222和處理室201。
噴嘴配置室222係形成於在內管12的外周面12c與外管14的內周面14a之間形成為環狀的間隙S。噴嘴配置室222係具備有第一室222a、第二室222b、以及第三室222c，各室222a~222c係沿形成為環狀的間隙S的圓周方向並列設置。
第一室222a係形成於從內管12的外周面12c向外管14延伸出的第一隔壁18a及第二隔壁18b間。第一室222a係反應管203中心側的前壁為利用內管12的周壁所構成，並且圓周方向的側壁為利用第一隔壁18a及第二隔壁18b所構成，且外管14側為被開放。
第一隔壁18a及第二隔壁18b係外管14側的緣為不到達至外管14的周壁，各隔壁18a、18b係在外管14側開口。由此，在第一隔壁18a形成有第一開口部222d，經由該第一開口部222d，第一室222a係連通於排氣口230側的間隙S。
第二室222b係形成於從內管12的外周面12c向外管14延伸出的前述的第二隔壁18b及第三隔壁18c間。第二室222b係反應管203中心側的前壁為利用內管12的周壁所構成，且圓周方向的側壁為利用第二隔壁18b及第三隔壁18c所構成。
另外，第二室222b係外管14側的後壁為藉由對第二隔壁18b的緣和第三隔壁18c的緣進行連續設置的連續設置壁18e所形成，而第二室222b係被連續設置壁18e、內管12的周壁、第二隔壁18b、以及第三隔壁18c所包圍。
第三隔壁18c係外管14側的緣為不到達至外管14的周壁，在對各隔壁18b、18c進行連續設置的連續設置壁18e與外管14的周壁之間，形成有連通第一室222a和第三室222c的連通路222e。
第三室222c係形成於從內管12的外周面12c向外管14延伸出的上述的第三隔壁18c及第四隔壁18d間。第三室222c係反應管203中心側的前壁為利用內管12的周壁所構成，並且圓周方向的側壁為利用第三隔壁18c及第四隔壁18d所構成，外管14側為被開放。
第四隔壁18d係外管14側的緣為不到達至外管14的周壁，各隔壁18c、18d係在外管14側開口。由此，在第一隔壁18d形成有第二開口部222f，經由第二開口部222f，第三室222c係連通於排氣口230側的間隙S。
在此，若增大第一開口部222d及第二開口部222f的開口面積，則從氣體噴嘴340a、340c向內管12內的晶圓200所供給的氣體減少。因此，從第一隔壁18a的緣到外管14的周壁為止的分離距離R、及從第二隔壁18b的緣到外管14的周壁為止的分離距離係較佳設為1mm~5mm的範圍內，更佳設為2mm~5mm。
各隔壁18a~18d及連續設置壁18e係形成於從內管12的上端到下端。由此，各室222a~222c係形成為下端部為開放 並且上端為被構成內管12的頂面的壁體所堵塞的有頂棚的形狀。
如圖2所示，在該噴嘴配置室222的各室222a~222c分別設置有沿上下方向延伸的氣體噴嘴340a~340c。
相鄰的氣體噴嘴340a~340c彼此係被各隔壁18b、18c所劃分開，能夠抑制從各氣體噴嘴340a~340c所供給的氣體在噴嘴配置室222內混合。
另外，氣體噴嘴340b係配置於利用內管12的周壁、第二隔壁18b、第三隔壁18c、以及連續設置壁18e所包圍的第二室222b。由此，能夠提高流出至晶圓200表面的氣體的比例。
在內管12的周壁，在第一氣體排氣口236的兩側的各自的兩個部位沿上下方向延伸設置有內周面12a為向外側呈圓弧狀後退的後退部12b，在噴嘴配置室222側的後退部12b配置有氣體噴嘴340d、340e。
各氣體噴嘴340a~340c係設置為從噴嘴配置室222內的下部至上部，氣體噴嘴340d、340e係設置為從後退部12b內的下部至上部。
氣體噴嘴340a~340e係分別構成為I字型的長噴嘴。在氣體噴嘴340a~340e的側面分別設有供給氣體的氣體供給孔234a~234e。氣體供給孔234a~234e係分別以朝向反應管203的中心的方式開口，將來自各氣體供給孔234a~234e的氣體向反應管203的中心部供給。
作為第一氣體噴嘴之一例的氣體噴嘴340a、340c係從朝向所對應的作為流入口之一例的氣體供給狹縫235a、235c開口的作為第一供給孔之一例的氣體供給孔234a、234c噴射惰性氣 體。與上述的第一氣體噴嘴不同的作為第二氣體噴嘴之一例的氣體噴嘴340b係在與該氣體噴嘴340b對應的各隔壁18b、18c間的空間即第二室222b內放出原料氣體。在該氣體噴嘴340b的作為第二供給孔之一例的氣體供給孔234b的壓力損失係比在氣體噴嘴340a、340c的作為第一供給孔之一例的氣體供給孔234a、234c的壓力損失小。
作為其之具體的結構的一例，使作為第二供給孔之一例的氣體噴嘴340b的氣體供給孔234b的開口面積比氣體供給孔234a、234c的開口面積大。由此，能夠使在氣體噴嘴340b的氣體供給孔234b的壓力損失比在氣體供給孔234a、234c的壓力損失小。
另外，與各氣體噴嘴340a~340c對應的各隔壁18a~18d中的配置於第一氣體排氣口236側的第一隔壁18a及第四隔壁18d係構成第一室222a及第三室222c的側壁。
在第一隔壁18a開口有用於流出從所對應之作為第一氣體噴嘴之一例的氣體噴嘴340a所供給之惰性氣體的第一開口部222d。另外，在第四隔壁18d開口有用於流出從所對應之作為第一氣體噴嘴之一例的氣體噴嘴340c所供給之惰性氣體的第二開口部222f。
因此，將來自氣體噴嘴340a的惰性氣體，經由第一開口部222d，作為吹掃氣體而供給至排氣口230側的間隙S，並將在間隙S中的氣體噴嘴340a側相對於排氣口230側而設為正壓。由此，構成使滯留於間隙S的氣體從排出口230排出的排出手段。另外，將來自氣體噴嘴340c的惰性氣體，經由第二開口部222f，作為吹掃氣體而供給至排氣口230側的間隙S，並將在間隙S中的 氣體噴嘴340c側相對於排氣口230側而設為正壓。由此，構成使滯留於間隙S的氣體從排出口230排出的排出手段。
根據這樣的結構，能夠有效地吹掃內管12與外管14的間隙S，能夠抑制在間隙S的氣體的滯留，能夠縮短吹掃時間。而且，藉由抑制在間隙S的氣體的滯留，能夠降低微粒的產生。另外，藉由從內管12的外側供給吹掃氣體，能夠輔助高壓製程時的處理室201內的升壓。
在內管12的與形成有噴嘴配置室222的部位對向的周壁的部位上開設有第一氣體排氣口236。第一氣體排氣口236係以在與噴嘴配置室222之間夾著處理室201之收納有晶圓200的區域的方式配置。第一氣體排氣口236係形成為從處理室201之收納有晶圓200的下端側至上端側為止的區域(晶圓區域)。
在內管12的第一氣體排氣口236的下方的周壁的部位上形成有第二氣體排氣口237。第一氣體排氣口236係以連通處理室201和間隙S的方式所形成，第二氣體排氣口237係以針對處理室201下方的環境空氣進行排氣的方式所形成。
即，第一氣體排氣口236係將處理室201內的環境空氣排氣至間隙S的氣體排出口，從第一氣體排氣口236所被排氣的氣體係經由內管12的外側的間隙S及排氣口230，從排氣管231排氣至反應管203外。另外，從第二氣體排氣口237所被排氣的氣體係經由間隙S的下側及排氣口230，從排氣管231排氣至反應管203外。
根據這樣的構成，通過晶圓後的氣體為經由筒部外側而進行排氣，從而縮小真空泵246等的排氣部的壓力與晶圓區域的 壓力的差，能夠將壓力損失設為最小限度。而且，藉由將壓力損失設為最小限度，能夠降低晶圓區域的壓力，能夠提高晶圓區域的流速，緩解負載效應。
由此，如圖1所示，形成有主排氣路徑20，該主排氣路徑20係將內管12內的環境空氣經由開設於與氣體供給狹縫235a~235c對向的壁面的作為流出口之一例的第一氣體排氣口236、間隙S、開設於外管14的排氣口230而進行排氣。
另外，形成有副排氣路徑22，該副排氣路徑22係將內管12內的環境空氣經由開設於內管12的與氣體供給狹縫235a~235c對向的壁面的作為另一流出口的第二氣體排氣口237、間隙S、以及開設於外管14的排氣口230而排氣至外部。
圖4係表示氣體供給狹縫235a~235c之構成的圖，省略了舟皿217等的記載。
在內管12的周壁，沿上下方向形成有複數個與噴嘴配置室222的第一室222a連通的橫長的狹縫狀的氣體供給狹縫235a。在氣體供給狹縫235a的側部，沿上下方向形成有複數個與第二室222b連通的橫長的狹縫狀的氣體供給狹縫235b。在氣體供給狹縫235b的側部，沿上下方向形成有複數個與第三室222c連通的橫長的狹縫狀的氣體供給狹縫235c。
由此，氣體供給狹縫235a~235c係在上下左右方向形成為多層、多列的矩陣狀。
氣體供給狹縫235a~235c的內管12圓周方向的長度係若設為與噴嘴配置室222內的各室222a~222c的圓周方向的長度相同，則可以提高氣體供給效率。另外，氣體供給狹縫235a~235c 係若除了各隔壁18a~18d與內管12的周壁的連結部分外，形成為橫長且縱向多層，則能夠提高氣體供給效率。
氣體供給狹縫235a~235c係作為四個角落的端緣部為以描繪曲面的方式平滑地形成。對端緣部進行R倒角等，形成曲面狀，從而能夠抑制端緣部周緣的氣體的停滯，能夠抑制端緣部的膜的形成，而且，能夠抑制形成於端緣部的膜之膜剝落。
另外，在內管12的噴嘴配置室222側的內周面12a的下端，形成有用於將氣體噴嘴340a~340c配置於噴嘴配置室222之所對應的各室222a~222c內的開口部256。
設置氣體噴嘴340a~340c時，從開口部256於所對應的各室222a~222c插入氣體噴嘴340a~340c，將氣體噴嘴340a~340c的下端暫時提升得比噴嘴支撐部350a~350c的上端高。然後，使氣體噴嘴340a~340c的下端比噴嘴支撐部350a~350c的上端低，從而將氣體噴嘴340a~340c的下端插入至噴嘴支撐部350a~350c。
由此，如圖2所示，各氣體噴嘴340a~340c係收納於噴嘴配置室222之所對應的各室222a~222c。另外，從各氣體噴嘴340a~340c的氣體係經由開設於構成各室222a~222c之前壁的內管12的作為流入口之一例的氣體供給狹縫235a~350c而被供給至內管12內。此時，從氣體噴嘴340a~340c的氣體係藉由各隔壁18a~18d抑制沿內管12的外周面12c的流動。
噴嘴配置室222的各隔壁18a~18d係形成為從噴嘴配置室222的頂棚部至反應管203的下端部上部為止。具體而言，如圖4所示，各隔壁18b、18c的下端係形成至比開口部256的上 緣靠下側為止。各隔壁18b、18c的下端係形成至比反應管203的下端部靠上側且比噴嘴支撐部350a~350c的上端部靠下側為止。
如圖5所示，氣體供給狹縫235a~350c係形成為分別配置於相鄰的晶圓200與晶圓200之間，該等相鄰的晶圓200係複數層被載置在收納於處理室201之狀態的舟皿217(僅圖示氣體供給狹縫235a)。圖5中，省略舟皿217而進行說明。
氣體供給狹縫235a~350c係較佳以如下之方式所形成：從可載置於舟皿217的最下層的晶圓200與舟皿217的底板之間至最上層的晶圓200與舟皿217的頂板之間為止，位於各晶圓200、底板、以及天板之間。
氣體噴嘴340a~340c的氣體供給孔234a~234c係較佳為以相對於各氣體供給狹縫235一個一個對應的方式形成於各氣體供給狹縫235a~235c的垂直寬度的中央部分。
例如，在形成有25個氣體供給狹縫235a~235c的情況下，較佳為分別形成25個氣體供給孔234a~234c。即，氣體供給狹縫235a~235c和氣體供給孔234a~234c係較佳為形成為所被載置的晶圓200的片數+1個。藉由形成這樣的狹縫構成，能夠在晶圓200上形成與晶圓200平行的處理氣體之流動(參照圖5箭頭)。
如圖1所示，第一氣體排氣口236係形成於內管12的晶圓區域，處理室201和間隙S連通。第二氣體排氣口237係形成於從比排氣口230的上端高的位置至比排氣口230的下端高的位置為止。
圖6係表示基板處理裝置10的方塊圖，基板處理裝置10的作為控制部(控制手段)的控制器280係作為電腦而構成。該 電腦係具備有CPU(Central Processing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、記憶裝置121c、I/O埠121d。
RAM121b、記憶裝置121c、I/O埠121d係構成為經由內部匯流排121e可與CPU121a進行資料交換。在控制器280連接有例如作為觸控面板而所構成的輸入輸出裝置122。
記憶裝置121c係利用例如快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive)等所構成。記憶裝置121c內可讀取地被存儲放有控制基板處理裝置的動作的控制程式、記載有後述的基板處理的過程或條件等的製程配方等。
製程配方係使控制器280執行後述的基板處理步驟中的各過程以能夠得到既定的結果的方式所組合而成者，作為程式而發揮功能。以下，將製程配方、控制程式等進行總稱而簡單地稱為程式。
本說明書中使用稱為程式之術語的情況係具有僅含製程配方單體的情況、僅含控制程式單體的情況、以及含有這雙方的情況。RAM121b係構成暫時地保持藉由CPU121a所被讀出的程式、資料等的記憶體區域(工作區)。
I/O埠121d係連接於上述的MFC320a~320f、閥330a~330f、壓力感測器245、APC閥244、真空泵246、加熱器207、溫度感測器、舟皿旋轉機構267、舟皿升降機115等。
CPU121a係構成為從記憶裝置121c讀出控制程式，並執行，並且配合來自輸入輸出裝置122之操作指令的輸入等而從記憶裝置121c讀出製程配方。
CPU121a係構成為以按照所讀出的製程配方的內容 的方式，控制根據MFC320a~320f所進行之各種氣體的流量調整動作、閥330a~330f的開閉動作、APC閥244的開閉動作。另外，CPU121a係構成為控制基於壓力感測器245的根據APC閥244所進行的壓力調整動作、真空泵246的啟動及停止、基於溫度感測器的加熱器207的溫度調整動作。而且，CPU121a係構成為控制根據舟皿旋轉機構267所進行之舟皿217的旋轉及旋轉速度調整動作、根據舟皿升降機115所進行之舟皿217的升降動作等。
控制器280不限於作為專用的電腦而所構成的情況，也可以作為通用的電腦而所構成。例如，準備存放有上述的程式的外部記憶裝置123，使用該外部記憶裝置123，向通用的電腦安裝程式等，從而能夠構成本實施形態的控制器280。作為外部記憶裝置，例如，可以列舉硬碟等之磁碟、CD等之光碟、MO等之磁光碟、USB記憶體等之半導體記憶體等。
但係，用於向電腦供給程式的手段並不限於經由外部記憶裝置123而進行供給的情況。例如，也可以使用網路、專用線路等之通信手段，而不經由外部記憶裝置123供給程式。記憶裝置121c、外部記憶裝置123係構成為電腦可讀取的記錄媒體。以下，將該等進行總稱而簡單地稱為記錄媒體。本說明書中使用稱為記錄媒體的術語的情況下，具有僅含記憶裝置121c單體的情況、僅含外部記憶裝置123單體的情況，以及含有它們雙方的情況。
接下來，按照控制器280所進行的控制過程，對本發明相關的基板處理裝置的動作概要進行說明。此外，向反應管203插入預先載置有既定片數之晶圓200的舟皿217，藉由密封帽219將反應管203氣密地堵塞。
當開始藉由控制器280所進行的控制時，控制器280係使真空泵246及APC閥244作動，從排氣口230將反應管203內的環境空氣排氣(排氣過程)。
例如，在經過既定時間等的排氣處理完成後，控制器280係使閥330b、330f進行開作動，從作為第二氣體噴嘴之一例的氣體噴嘴340b，將矽(Si)來源氣體作為原料氣體而與作為載體的氮氣一同供給。與此同時，控制器280係使閥330a閉合，並且使閥330c~330f進行開作動，從氣體噴嘴340a、340c~340f作為惰性氣體而供給氮(N2)氣，並對晶圓200實施處理，形成層(第一處理過程)。
此時，控制器280係以從壓力感測器245所得到的壓力為固定的方式使真空泵246及APC閥244作動，將反應管203內的環境空氣從排氣口230排出，對反應管203內供給負壓。
由此，原料氣體係在晶圓200上平行地流動之後，通過第一氣體排氣口236及第二氣體排氣口237而從間隙S的上部向下部流動，經由排氣口230從排氣管231排氣。
在該處理過程中，從氣體噴嘴340a、340c~340e向晶圓200中心供給惰性氣體。此時，利用控制器280控制來自各氣體噴嘴340a、340c~340e的惰性氣體的供給量，從而調整為晶圓200中心部的惰性氣體濃度比外周部的惰性氣體濃度低。由此，能夠控制原料氣體向晶圓200中心部的供給量，因此，能夠使利用原料氣體所形成於晶圓200的層的面內厚度分佈，能夠從中央凹分佈而有時接近於平坦分佈，而有時接近中央凸分佈。
此時，在配置於排氣口230側之一方的隔壁18a，開口有用於流出從對應之氣體噴嘴340a所供給之惰性氣體的第一開 口部222d。因此，能夠使來自氣體噴嘴340a的惰性氣體的一部分而向以噴嘴配置室222為界的一方側(圖2中的俯視下繞逆時針CCW側)流出，將在間隙S中的噴嘴配置室222側相對於排氣口230側而設為正壓。由此，能夠從排氣口230吹出滯留於內管12與外管14之間的間隙S的氣體。
另外，在配置於排氣口230側的另一方的第四隔壁18d，開口有用於流出從對應的氣體噴嘴340c所供給之惰性氣體的第二開口部222f。因此，能夠使來自氣體噴嘴340c的惰性氣體的一部而向以噴嘴配置室222為界的另一方側(圖2中的俯視下繞順時針CW側)流出，將在間隙S中的噴嘴配置室222側相對於排氣口230側而設為正壓。由此，能夠從排氣口230吹出滯留於內管12與外管14之間的間隙S的氣體。
然後，在經過既定時間等，處理完成時，控制器280係使閥330b進行閉作動，停止來自氣體噴嘴340b的原料氣體的供給，並且使閥330f進行開作動，供給來自氣體噴嘴340b的惰性氣體。另外，控制真空泵246及APC閥244，增大向反應管203內所供給的負壓等，將反應管203內的環境空氣從排氣口230排氣。與此同時，使閥330a、330c進行開作動，從作為第一氣體噴嘴之一例的氣體噴嘴340a、340c供給惰性氣體，將滯留於內管12與外管14之間的間隙S的氣體從排氣口230吹出(排出過程)。
然後，經過既定時間等的吹出結束後，控制器280係使閥330a、330e進行開作動，從氣體噴嘴340a將氨(NH3)氣作為原料氣體而與作為載體的氮(N2)氣一同供給。與此同時，控制器280係使閥330b閉合，並且使閥330c、330d、330f進行開作動，從而 從氣體噴嘴340a、340c、340d、340f作為惰性氣體而供給氮(N2)氣，對晶圓200實施處理(第二處理過程)。
此時，控制器280係以從壓力感測器245所得到的壓力為固定的方式使真空泵246及APC閥244作動，將反應管203內的環境空氣從排氣口230排出，對向反應管203內供給負壓。
由此，原料氣體係在晶圓200上平行地流動之後，通過第一氣體排氣口236及第二氣體排氣口237從間隙S的上部向下部流動，經由排氣口230從排氣管231排氣。
然後，在經過既定時間等，處理結束時，控制器280係使閥330a進行閉作動，停止來自氣體噴嘴340a的原料氣體的供給。另外，控制真空泵246及APC閥244，增大向反應管203內所供給的負壓等，將反應管203內的環境空氣從排氣口230排氣。與此同時，使閥330a、330c進行開作動，從氣體噴嘴340a、340c供給惰性氣體，將滯留於內管12與外管14之間的間隙S的氣體從排氣口230吹出(排出過程)。此時，使閥330b進行開作動，從氣體噴嘴340b也供給惰性氣體。
當反覆進行既定次數第一處理過程、排出過程、第二處理過程、排出過程的循環而晶圓200的處理完成時，根據與上述的動作相反的過程，從反應管203內搬出舟皿217。晶圓200係藉由未圖示的晶圓移載機而從舟皿217移載至移載架的容器(pod)，容器係藉由容器搬送機從移載架被移載至容器台，並藉由外部搬送裝置而被搬出至箱體的外部。
根據本實施形態，可得到以下所示的一個或複數個效果。
(a)在內管12與外管14之間的間隙S，能夠將噴嘴配置室222側相對於排氣口230側而設為正壓。由此，能夠將滯留於內管12與外管14之間的間隙S的氣體從排氣口230吹出。另外，能夠抑制在間隙S內的氣體滯留，因此，能夠抑制在反應管203內側的副生成物的附著及產生，減少微粒的產生。
(b)對於雙重管構造的內管12與外管14之間的間隙S，能夠提高吹掃氣體的循環效率。
(c)藉由在排氣口230側的第一隔壁18a及第四隔壁18d設置使來自氣體噴嘴340a、340c的惰性氣體流出的第一開口部222d及第二開口部222f，能夠將間隙S的噴嘴配置室222側相對於排氣口230側而設為正壓。因此，與額外設置賦予正壓用的配管的情況比較，能夠簡化結構。
(d)在放出原料氣體的氣體噴嘴340b的氣體供給孔234b的壓力損失比在噴射惰性氣體的氣體噴嘴340a、340c的氣體供給孔234a、234e的壓力損失小。因此，能夠順暢地進行來自氣體噴嘴340b之氣體供給孔234b的原料氣體之放出，能夠提高向晶圓200的原料氣體的供給量。另外，能夠抑制惰性氣體向放出原料氣體的氣體噴嘴340b所設置有的第二室222b之侵入。
<比較例>
圖7係表示比較例的圖，與本實施形態比較，取消各隔壁18a、18d中的各開口部222d、222f，各室222a~222c設置成閉合截面形狀。
在該比較例的反應管203中，在間隙S不產生壓力 差，在間隙S內可能產生原料氣體G的滯留。該情況下，在間隙S內容易產生副生成物，可能成為微粒產生的原因。
與之相對，在本實施形態中，將在間隙S中的噴嘴配置室222側相對於排氣口230側而設為正壓，從而能夠將滯留於間隙S的氣體從排氣口230吹出。由此，能夠抑制間隙S內的氣體滯留，抑制副生成物的產生，減少微粒的產生。
<解析結果>
圖8係表示在反應管203內的矽來源氣體的濃度分佈的解析結果。
根據該解析結果，能夠確認來自氣體噴嘴340a、340c的惰性氣體流入至間隙S，將滯留於間隙S的氣體從排氣口230吹出。
(第二實施形態)
圖9及圖10係表示第二實施形態的圖，對與第一實施形態相同或同等的部分標注相同的符號，並省略說明，並且僅對不同的部分進行說明。此外，在圖9及圖10中，省略在第一實施形態中的氣體噴嘴340e、340e等的記載。
即，本實施形態的基板處理裝置10中，供給原料氣體的氣體噴嘴340b、及供給惰性氣體的氣體噴嘴340a、340c係形成為在上端側折回的U字狀。
供給原料氣體的氣體噴嘴340b的氣體供給孔234b係構成為在氣體噴嘴340b的長度方向上延伸的長孔，與第一實施形 態的氣體供給孔234b比較，開口面積較大。由此，構成為，在供給原料氣體的氣體噴嘴340b的氣體供給孔234b的壓力損失係比在供給惰性氣體的氣體噴嘴340a、340c的氣體供給孔234a、234c的壓力損失小。
另外，將來自氣體噴嘴340b的原料氣體供給至內管12內的流入口235d係利用形成於內管12的切口所構成，流入口235d係例如形成於與設於氣體噴嘴340b的氣體供給孔234b對向的範圍。由此，收納有氣體噴嘴340b的噴嘴配置室222的第二室222b係內管12側為開口。
在以上的構成的本實施形態中，也能夠達到與第一實施形態相同的作用效果。
(第三實施形態)
圖11係表示第三實施形態的圖，對與第一實施形態相同或同等的部分標注相同的符號，並省略說明，並且僅對不同的部分進行說明。
即，在本實施形態的基板處理裝置10的反應管203中，與第一實施形態比較，取消對噴嘴配置室222的第二隔壁18b的緣與第三隔壁18c的緣進行連續設置的連續設置壁18e。由此，收納有供給原料氣體的氣體噴嘴340b的噴嘴配置室222之第二室222b的後部係呈開放。
這樣的結構，也能夠得到與第一實施形態相同的作用效果。
(第四實施形態)
圖12係表示第四實施形態的圖，對與第一實施形態相同或同等的部分標注相同的符號，並省略說明，並且僅對不同的部分進行說明。
即，在本實施形態的基板處理裝置10的反應管203中，與第一實施形態比較，對噴嘴配置室222的第二隔壁18b和第三隔壁18c進行連續設置的連續設置壁18e係延伸至第一隔壁18a及第四隔壁18d為止。由此，在噴嘴配置室222中，供給惰性氣體的氣體噴嘴340a、340c的各室222a、222c係外管14側為被連續設置壁18e堵塞，在連續設置壁18e與外管14之間，形成有連通路222e。
在以該噴嘴配置室222為界的一方側(圖12中的俯視下繞逆時針CCW側)設有供給惰性氣體的氣體噴嘴340f，在氣體噴嘴340f，沿長度方向隔開間隔而開設有複數個在氣體噴嘴340f的長度方向上較長的氣體供給孔234f。
氣體噴嘴340f的氣體供給孔234f係向在反應管203的圓周方向中的排氣口230側開口。構成為藉由從該氣體噴嘴340f的氣體供給孔234f供給惰性氣體，將在間隙S中的氣體噴嘴340a~340c側相對於排氣口230側而設為正壓。
由此，構成為，能夠將滯留於以噴嘴配置室222為界的一方側(圖12中的俯視下繞逆時針CCW側)的氣體從排氣口230吹出。
另外，在以噴嘴配置室222為界的另一方側(圖12中的俯視下繞順時針CW側)設有供給惰性氣體的氣體噴嘴340g，在 氣體噴嘴340g沿長度方向隔開間隔而開設有複數個在氣體噴嘴340g的長度方向上較長的氣體供給孔234g。
氣體噴嘴340g的氣體供給孔234g係向在反應管203的圓周方向中的排氣口230側開口。構成為藉由從該氣體噴嘴340g的氣體供給孔234g供給惰性氣體，將在間隙S中的氣體噴嘴340a~340c側相對於排氣口230側而設為正壓。
由此，構成為，能夠將滯留於以噴嘴配置室222為界的另一方側(圖12中的俯視下繞順時針CW側)的氣體從排氣口230吹出。
這樣的結構也能夠得到與第一實施形態相同的作用效果。
另外，即使在難以在隔壁18a、18d形成第一開口部222d及第二開口部222f的情況下，也能夠將間隙S內的滯留氣體從排氣口230吹出。
(第五實施形態)
圖13係表示第五實施形態的圖。第五實施形態係第四實施形態的變形例，對與第四實施形態相同或同等的部分標注相同的符號，並省略說明，並且僅對不同的部分進行說明。
即，本實施形態的基板處理裝置10係與第四實施形態比較，取消配置於噴嘴配置室222之一方側及另一方側的氣體噴嘴340f、340g。
另一方面，在噴嘴配置室222的一方側(圖13中的俯視下繞逆時針CCW側)的第一隔壁18a設有開口部18a1，將來自氣 體噴嘴340a的惰性氣體經由開口部18a1供給至一方側的間隙S。由此，將在間隙S中的氣體噴嘴340a~340c側相對於排氣口230側而設為正壓，利用來自氣體噴嘴340a的惰性氣體，將以噴嘴配置室222為界的一方側(圖13中的俯視下繞逆時針CCW側)的滯留氣體吹出。
另外，在噴嘴配置室222的另一方側(圖13中的俯視下繞順時針CW側)的第四隔壁18d設有開口部18d1，將來自氣體噴嘴340c的惰性氣體經由開口部18d1供給至另一方側的間隙S。 由此，將在間隙S中的氣體噴嘴340a~340c側相對於排氣口230側而設為正壓，利用來自氣體噴嘴340c的惰性氣體，將以噴嘴配置室222為界的一方側(圖13中的俯視下繞順時針CW側)的滯留氣體吹出。
本實施形態也能夠達到與第四實施形態相同的作用效果。
另外，藉由取消氣體噴嘴340f、340g，能夠實現低成本化。
(第六實施形態)
圖14係表示第六實施形態的圖。第六實施形態係第四實施形態的變形例，對與第四實施形態相同或同等的部分標注相同的符號，並省略說明，並且僅對不同的部分進行說明。
即，本實施形態的基板處理裝置10中，供給原料氣體的氣體噴嘴340b、及供給惰性氣體的氣體噴嘴340a、340c係形成為在上端部折回的U字狀。另外，在形成於內管12的各後退部 12b設有氣體噴嘴340d、340e。
即使這樣的結構，也能夠得到與第四實施形態相同的作用效果。
(第七實施形態)
圖15係表示第七實施形態的圖。第七實施形態係第六實施形態的變形例，對與第六實施形態相同或同等的部分標注相同的符號，並省略說明，並且僅對不同的部分進行說明。
即，本實施形態的基板處理裝置10係與第六實施形態比較，取消設於以噴嘴配置室222為界的另一方側(圖15中的俯視下繞順時針CW側)的氣體噴嘴340g。
另一方面，設於以噴嘴配置室222為界的一方側(圖15中的俯視下繞逆時針CCW側)的氣體噴嘴340f係氣體供給孔234f為在反應管203的圓周方向上向噴嘴配置室222側及排氣口230側開口。
另外，對噴嘴配置室222的第二隔壁18b和第三隔壁18c進行連續設置的連續設置壁18e係延伸至第一隔壁18a及第四隔壁18d為止。由此，在噴嘴配置室222中，供給惰性氣體的氣體噴嘴340a、340c的各室222a、222c係外管14側為利用連續設置壁18e被堵塞，在連續設置壁18e與外管14之間形成有連通路222e。
即使這樣的構成，也能夠得到與第六實施形態相同的作用效果。
而且，藉由來自氣體噴嘴340f的惰性氣體，在相較於在間隙S中的排氣口230側而設為正壓的氣體噴嘴340a~340c 側，形成有連通噴嘴配置室222的一方側和另一方側的連通路222e。
因此，能夠利用來自氣體噴嘴340f的惰性氣體將滯留於以噴嘴配置室222為界的一方側(圖15中的俯視下繞逆時針CCW側)及另一方側(圖15中的俯視下繞順時針CW側)的氣體從排氣口230吹出。
因而，相比在以噴嘴配置室222為界的一方側及另一方側設置氣體噴嘴340f、340g的情況，能夠實現低成本化。

Claims (6)

  1. 一種基板處理裝置，其具備有：反應管，其具有筒狀之內管、及以包圍該內管的方式所設置的筒狀之外管；基板保持器，其被收納於上述內管，且於上下保持複數個基板；氣體噴嘴，其沿上下方向設置於上述外管及上述內管之間的間隙，且從在上下所形成之複數個的供給孔向開設於上述內管的流入口供給氣體，而在上述基板形成膜；流出口，其形成於上述內管，且流出所被供給至該內管的氣體；排出口，其形成於上述外管，且向上述反應管的外側排出從上述流出口所流出的氣體；排出手段，其使滯留於上述間隙的氣體從上述排出口排出；以及控制部，其進行以下之控制：從上述氣體噴嘴供給原料氣體及惰性氣體而在上述基板形成膜，一方面從上述排出口將上述反應管內的環境空氣排氣，一方面從上述氣體噴嘴供給惰性氣體，並將滯留於上述間隙的氣體排出。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述氣體噴嘴係具備有向上述內管內供給惰性氣體的第一氣體噴嘴、及向上述內管內供給原料氣體的第二氣體噴嘴，上述第一氣體噴嘴和上述第二氣體噴嘴係分別利用隔壁被包圍，在包圍上述第一氣體噴嘴的隔壁，形成有與上述間隙連通的開口。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中，在形成於上述第二氣體噴嘴的第二供給孔的壓力損失係比在形 成於上述第一氣體噴嘴的第一供給孔的壓力損失小。
  4. 一種反應管，其被使用在基板處理裝置，具備有一端為堵塞的筒狀之內管及外管，上述外管係具有與上述內管及上述外管間的間隙連通且將內部的環境空氣排氣至外部的排氣口，上述內管係具有將來自於上述間隙所並列設置的複數個氣體噴嘴的氣體分別引導至內部的複數個流入口、將各氣體噴嘴之各者包圍或相互分隔的圍牆、以及在與上述流入口對向的位置開口且將內部的環境空氣引導至上述間隙的流出口，與上述複數個氣體噴嘴中的一部分之氣體噴嘴對應的上述圍牆係具有使從上述一部分之氣體噴嘴所供給的惰性氣體流入至上述間隙的開口。
  5. 一種半導體裝置之製造方法，其具有以下之步驟，在反應管收納基板保持器的步驟，該反應管係具有筒狀之內管及以包圍該內管的方式所設置的筒狀之外管，該基板保持器係於上下保持複數個基板；從氣體噴嘴供給原料氣體及惰性氣體而在上述基板形成膜的步驟，該氣體噴嘴係沿上下方向而被設置於上述外管及上述內管之間的間隙且具有朝向開設於上述內管的流入口而於上下所形成之複數個供給孔；以及一方面從形成於上述外管的排出口將上述反應管內的環境空氣排氣，一方面從上述氣體噴嘴供給惰性氣體，並將滯留於上述間隙的氣體排出的步驟。
  6. 一種記錄媒體，其藉由電腦使請求項2或3之基板處理裝置執 行如下的過程：從上述排出口將上述反應管內的環境空氣排氣的過程；從上述第二氣體噴嘴供給原料氣體，並且從上述第一氣體噴嘴供給惰性氣體而在上述基板形成膜的過程；以及一方面從上述排出口將上述反應管內的環境空氣排氣，一方面從上述第一氣體噴嘴供給惰性氣體，並將滯留於上述間隙的氣體排出的過程。
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