JP2010080922A - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

基板処理装置及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 金属部分の腐食を抑制して、基板の汚染を抑制し、処理品質を向上させ、或は歩留りを向上させる。
【解決手段】 処理室と、基板保持具と、処理室を開閉する蓋体と、基板保持具載置部と、基板保持具載置部を回転させる回転機構と、蓋体との間に第一のガス噴出口を構成するように蓋体を貫通し基板保持具載置部及び回転機構に接続される回転軸と、回転機構および蓋体、回転軸とで囲われ構成され第一のガス噴出口を介して処理室と連通する第一ガス溜り部と、基板保持具載置部に設けられる第二のガス噴出口と、回転軸に設けられ第二のガス噴出口を介して処理室と連通する第一ガス溜り部と、回転軸に設けられ第一ガス溜り部と第一ガス溜り部とを連通させる流通口と、を有する。
【選択図】図２

Description

本発明は、シリコンウエハ等の基板に薄膜の生成、酸化処理、不純物の拡散、アニール処理、ＣＶＤ処理、エッチング等の処理を行い、半導体装置を製造する基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関するものである。
基板処理装置として、所定枚数の基板を一度に処理するバッチ式の基板処理装置がある。該バッチ式の基板処理装置では、所定枚数の基板を基板保持具に保持し、該基板保持具を処理炉内に装入し、基板を加熱した状態で処理炉内に処理ガスを導入して所要の処理が行われる。
バッチ式の処理を行う処理炉としては、特許文献１に示されるものがある。
基板保持具（ボート）は、炉口部を気密に閉塞する炉口蓋（シールキャップ）上に載置される。該シールキャップが昇降手段（ボートエレベータ）によって上昇されることで、前記ボートが前記処理炉内に装入される。又、処理中、処理品質が均一となる様に、ボート回転機構によってボートが回転される構造となっている。
上記した処理炉では、ボートは単に前記シールキャップ上に載置されているだけである。そのため、地震等で前記ボートに横荷重が作用した場合、前記ボートが転倒する虞れがある。特に、ボートの装脱時、或はボートを処理炉から引出した状態では、転倒は大きな事故となり、基板処理装置を長時間停止する状態となる等、稼働時間に大きく影響する。
この為、ボートをシールキャップ上に機械的に拘束し、ボートの転倒を防止した基板処理装置がある。係る基板処理装置の処理炉では、ボートの固定部分、固定手段を構成する材料としては、機械的強度の関係から金属材料が用いられる。そして、金属材料からなる固定部分、固定手段は、ボートと共に処理炉内に装入されることとなる。
基板処理を行う場合、例えば成膜処理で腐食性ガス（例えばＣｌ含有ガス）を使用する場合、或は腐食性ガスを用いてエッチング処理を行う場合等では、固定部分、固定手段が腐食性ガスにより腐食し、基板の汚染原因となる虞れがあった。
従来、金属部分を石英製の部材で覆い、金属部分が直接炉内に露出しない様にしていた。しかし、腐食性ガスは狭小な隙間に浸入して、やはり金属腐食を生じさせていた。
特開平６−１６８９０４号公報
本発明は係る実情に鑑み、基板処理装置に於いて、基板保持具載置部周辺の金属部分の腐食を抑制して、基板の汚染を抑制し、処理品質を向上させ、或は歩留りを向上させるものである。
本発明の一形態は、基板を処理する処理室と、前記基板を保持する基板保持具と、前記
処理室に前記基板保持具を出し入れしつつ前記処理室を開閉する蓋体と、前記基板保持具を載置する少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部と、前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられ前記基板保持具載置部を回転させる回転機構と、前記蓋体との間に第一のガス噴出口を構成するように前記蓋体を貫通し前記基板保持具載置部及び前記回転機構に接続される回転軸と、前記回転機構および前記蓋体、前記回転軸とで囲われ構成され前記第一のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第一ガス溜り部と、前記基板保持具載置部に設けられる第二のガス噴出口と、前記回転軸に設けられ前記第二のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第二ガス溜り部と、前記回転軸に設けられ前記第一ガス溜り部と前記第二ガス溜り部とを連通させる流通口と、を有し、前記第二ガス溜り部及び前記第二のガス噴出口は、前記第二ガス溜り部の容積に対する前記第二のガス噴出口の容積の割合が前記第一ガス溜り部の容積に対する前記第一のガス噴出口および前記流通口の容積の割合と同等以上となる大きさで構成されている基板処理装置に係るものである。
又、本発明の他の形態は、基板を処理する処理室と、前記基板を保持する基板保持具と、前記処理室に前記基板保持具を出し入れしつつ前記処理室を開閉する蓋体と、前記基板保持具を載置する少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部と、前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられ前記基板保持具載置部を回転させる回転機構と、前記蓋体との間に第一のガス噴出口を構成するように前記蓋体を貫通し前記基板保持具載置部及び前記回転機構に接続される回転軸と、少なくとも前記回転機構及び前記回転軸とで囲われ構成され前記第一のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第一ガス溜り部と、前記基板保持具載置部に設けられる第二のガス噴出口と、少なくとも前記回転軸に設けられ前記第二のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第二ガス溜り部と、前記回転軸に設けられ前記第一ガス溜り部と前記第二ガス溜り部とを連通させる流通口と、を有し、前記第二ガス溜り部及び前記第二のガス噴出口は、前記第二ガス溜り部の容積に対する前記第二のガス噴出口の容積の割合が前記第一ガス溜り部の容積に対する前記第一のガス噴出口および前記流通口の容積の割合と同等以上となる大きさで構成されている基板処理装置に係るものである。
又、本発明の更に他の形態は、基板を処理する処理室と、前記基板を保持する基板保持具と、前記処理室に前記基板保持具を出し入れしつつ前記処理室を開閉する蓋体と、前記基板保持具を載置する少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部と、前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられ前記基板保持具載置部を回転させる回転機構と、前記回転機構にガスを供給するガス供給部と、前記蓋体を貫通し前記基板保持具載置部及び前記回転機構に接続される回転軸と、前記蓋体と前記回転軸との間に設けられ、前記ガス供給部から供給されたガスを前記処理室内に供給する第一のガス噴出口と、前記基板保持部が載置された状態で前記基板保持具載置部と前記基板保持具との間に設けられ、前記ガス供給部から供給されたガスを前記処理室内に供給する第二のガス噴出口と、前記ガス供給部から供給されたガスを前記第一のガス噴出口から一定期間当り第一量で噴出させるとともに、前記第二のガス噴出口から一定期間当り第一量と同等以上の第二量で噴出させるよう調整するガス調整部と、を有する基板処理装置に係るものである。
又、本発明の更に他の形態は、少なくとも一部が金属で形成され第二のガス噴出口が設けられる基板保持具載置部上に基板を保持した基板保持具を載置し、前記基板保持具を処理室内に搬入し、前記処理室を蓋体で閉じる工程と、前記蓋体との間で第一のガス噴出口を構成するように前記蓋体を貫通し、前記第二のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第二ガス溜り部、及び流通口が設けられ、前記基板保持具載置部に接続される回転軸を、前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられる回転機構により回転させることで、前記基板保持具を回転させ、少なくとも前記回転機構及び前記回転軸とで囲われ構成され、前記第一のガス噴出口を介して前記処理室と連通すると共に、前記流通口を介して前記第二ガス溜り部に連通する第一ガス溜り部であって、前記第二ガス溜り部の容積に対する前記
第二のガス噴出口の容積の割合が、前記第一ガス溜り部の容積に対する前記第一のガス噴出口および前記流通口の容積の割合と同等以上となるように構成された前記第一ガス溜り部内にガスを供給し、前記第一ガス溜り部内に供給したガスのうちの一部のガスを、前記第一ガス溜り部内から前記第一のガス噴出口を介して前記処理室内へ噴出させ、前記第一ガス溜り部内に供給したガスのうちの少なくとも他部のガスを、前記第一ガス溜り部内から、前記流通口、前記第二ガス溜り部内、及び前記第一のガス噴出口を介して前記処理室内へ噴出させ、前記処理室内で基板を処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法に係るものである。
又、本発明の更に他の形態は、少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部上に基板を保持した基板保持具を載置し、前記基板保持具を処理室内に搬入し、前記処理室を蓋体で閉じる工程と、前記蓋体との間で第一のガス噴出口を構成するように前記蓋体を貫通し前記基板保持具載置部に接続される回転軸を、前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられる回転機構により回転させることで、前記基板保持具を回転させ、前記回転機構に供給したガスのうちの一部のガスを、前記第一のガス噴出口を介して前記処理室内へ一定期間当り第一量で噴出させ、前記回転機構に供給されたガスのうちの少なくとも他部のガスを、前記基板保持具載置部に設けられる第二のガス噴出口から、前記一定期間当り前記第一量と同等以上の第二量で前記処理室内へ噴出させ、前記処理室内で基板が処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法に係るものである。
本発明の一形態によれば、基板を処理する処理室と、前記基板を保持する基板保持具と、前記処理室に前記基板保持具を出し入れしつつ前記処理室を開閉する蓋体と、前記基板保持具を載置する少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部と、前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられ前記基板保持具載置部を回転させる回転機構と、前記蓋体との間に第一のガス噴出口を構成するように前記蓋体を貫通し前記基板保持具載置部及び前記回転機構に接続される回転軸と、前記回転機構および前記蓋体、前記回転軸とで囲われ構成され前記第一のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第一ガス溜り部と、前記基板保持具載置部に設けられる第二のガス噴出口と、前記回転軸に設けられ前記第二のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第二ガス溜り部と、前記回転軸に設けられ前記第一ガス溜り部と前記第二ガス溜り部とを連通させる流通口と、を有し、前記第二ガス溜り部及び前記第二のガス噴出口は、前記第二ガス溜り部の容積に対する前記第二のガス噴出口の容積の割合が前記第一ガス溜り部の容積に対する前記第一のガス噴出口および前記流通口の容積の割合と同等以上となる大きさで構成されているので、金属の表面の腐食が抑制されると共に基板の汚染が抑制され、処理品質、歩留りが向上する。
又、本発明の他の形態によれば、基板を処理する処理室と、前記基板を保持する基板保持具と、前記処理室に前記基板保持具を出し入れしつつ前記処理室を開閉する蓋体と、前記基板保持具を載置する少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部と、前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられ前記基板保持具載置部を回転させる回転機構と、前記蓋体との間に第一のガス噴出口を構成するように前記蓋体を貫通し前記基板保持具載置部及び前記回転機構に接続される回転軸と、少なくとも前記回転機構及び前記回転軸とで囲われ構成され前記第一のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第一ガス溜り部と、前記基板保持具載置部に設けられる第二のガス噴出口と、少なくとも前記回転軸に設けられ前記第二のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第二ガス溜り部と、前記回転軸に設けられ前記第一ガス溜り部と前記第二ガス溜り部とを連通させる流通口と、を有し、前記第二ガス溜り部及び前記第二のガス噴出口は、前記第二ガス溜り部の容積に対する前記第二のガス噴出口の容積の割合が前記第一ガス溜り部の容積に対する前記第一のガス噴出口および前記流通口の容積の割合と同等以上となる大きさで構成されているので、金属の表面の腐食が抑制されると共に基板の汚染が抑制され、処理品質、歩留りが向上する。
又、本発明の更に他の形態によれば、基板を処理する処理室と、前記基板を保持する基板保持具と、前記処理室に前記基板保持具を出し入れしつつ前記処理室を開閉する蓋体と、前記基板保持具を載置する少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部と、前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられ前記基板保持具載置部を回転させる回転機構と、前記回転機構にガスを供給するガス供給部と、前記蓋体を貫通し前記基板保持具載置部及び前記回転機構に接続される回転軸と、前記蓋体と前記回転軸との間に設けられ、前記ガス供給部から供給されたガスを前記処理室内に供給する第一のガス噴出口と、前記基板保持部が載置された状態で前記基板保持具載置部と前記基板保持具との間に設けられ、前記ガス供給部から供給されたガスを前記処理室内に供給する第二のガス噴出口と、前記ガス供給部から供給されたガスを前記第一のガス噴出口から一定期間当り第一量で噴出させるとともに、前記第二のガス噴出口から一定期間当り第一量と同等以上の第二量で噴出させるよう調整するガス調整部と、を有するので、金属の表面の腐食が抑制されると共に基板の汚染が抑制され、処理品質、歩留りが向上する。
又、本発明の更に他の形態によれば、少なくとも一部が金属で形成され第二のガス噴出口が設けられる基板保持具載置部上に基板を保持した基板保持具を載置し、前記基板保持具を処理室内に搬入し、前記処理室を蓋体で閉じる工程と、前記蓋体との間で第一のガス噴出口を構成するように前記蓋体を貫通し、前記第二のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第二ガス溜り部、及び流通口が設けられ、前記基板保持具載置部に接続される回転軸を、前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられる回転機構により回転させることで、前記基板保持具を回転させ、少なくとも前記回転機構及び前記回転軸とで囲われ構成され、前記第一のガス噴出口を介して前記処理室と連通すると共に、前記流通口を介して前記第二ガス溜り部に連通する第一ガス溜り部であって、前記第二ガス溜り部の容積に対する前記第二のガス噴出口の容積の割合が、前記第一ガス溜り部の容積に対する前記第一のガス噴出口および前記流通口の容積の割合と同等以上となるように構成された前記第一ガス溜り部内にガスを供給し、前記第一ガス溜り部内に供給したガスのうちの一部のガスを、前記第一ガス溜り部内から前記第一のガス噴出口を介して前記処理室内へ噴出させ、前記第一ガス溜り部内に供給したガスのうちの少なくとも他部のガスを、前記第一ガス溜り部内から、前記流通口、前記第二ガス溜り部内、及び前記第一のガス噴出口を介して前記処理室内へ噴出させ、前記処理室内で基板を処理する工程と、を有するので、金属の表面の腐食が抑制されると共に基板の汚染が抑制され、処理品質、歩留りが向上する等の優れた効果を発揮する。
又、本発明の更に他の形態によれば、少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部上に基板を保持した基板保持具を載置し、前記基板保持具を処理室内に搬入し、前記処理室を蓋体で閉じる工程と、前記蓋体との間で第一のガス噴出口を構成するように前記蓋体を貫通し前記基板保持具載置部に接続される回転軸を、前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられる回転機構により回転させることで、前記基板保持具を回転させ、前記回転機構に供給したガスのうちの一部のガスを、前記第一のガス噴出口を介して前記処理室内へ一定期間当り第一量で噴出させ、前記回転機構に供給されたガスのうちの少なくとも他部のガスを、前記基板保持具載置部に設けられる第二のガス噴出口から、前記一定期間当り前記第一量と同等以上の第二量で前記処理室内へ噴出させ、前記処理室内で基板が処理する工程と、を有するので、金属の表面の腐食が抑制されると共に基板の汚染が抑制され、処理品質、歩留りが向上する等の優れた効果を発揮する。
本発明の第１の形態の基板処理装置に用いられる処理炉の一例を示す断面図である。 本発明の第１の形態の基板処理装置に用いられる処理炉の回転機構周辺の断面拡大図である。 本発明の第１の形態の基板処理装置に用いられる処理炉の第一の間隙及び第二の間隙周辺の断面拡大図である。 本発明の第２の形態の基板処理装置に用いられる処理炉の回転機構周辺の断面拡大図である。 本発明の第３の形態の基板処理装置に用いられる処理炉の回転機構周辺の断面拡大図である。 本発明の第４の形態の基板処理装置に用いられる処理炉の回転機構周辺の断面拡大図である。 本発明の第５の形態の基板処理装置に用いられる処理炉の回転機構周辺の断面拡大図である。 （ａ）は本発明の第６の形態の基板処理装置に用いられる処理炉の回転機構周辺の断面拡大図であり、（ｂ）は図８（ａ）のＡＡ断面図である。 （ａ）は本発明の第７の形態の基板処理装置に用いられる処理炉の回転機構周辺の断面拡大図であり、（ｂ）は図９（ａ）のＡＡ断面図である。 本発明の第９の形態の基板処理装置に用いられる処理炉の回転機構周辺の断面拡大図である。
以下、図面を参照しつつ本発明を実施するための形態を説明する。
＜第１の実施形態＞
（１）基板処理装置の構成
先ず、図１に於いて、本発明の第１の実施の形態で好適に用いられる処理炉の一例を説明する。
図１は第１の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置の処理炉２０２の概略構成図であり、縦断面図として示されている。
図１に示されているように、処理炉２０２は加熱機構としてのヒータ２０６を有する。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。
ヒータ２０６の内側には、ヒータ２０６と同心円状に、反応管としてのプロセスチューブ２０３が配設されている。プロセスチューブ２０３は、内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５と、から構成されている。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４の筒中空部には処理室２０１が形成されている。処理室２０１は、基板としてのウエハ２００を、後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。アウターチューブ２０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ２０５は、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。
アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状にマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５とにそれぞれ係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間には、シ
ール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベース２５１に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９とにより反応容器が形成される。
後述するシールキャップ２１９には、ガス導入部としてのノズル２３０が処理室２０１内に連通するように接続されている。ノズル２３０にはガス供給管２３２が接続されている。ガス供給管２３２のノズル２３０との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１を介して、図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。ＭＦＣ２４１には、ガス調整部としてのガス流量制御部２３５が電気的に接続されている。ガス流量制御部２３５は、処理室２０１内に供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１のマニホールド２０９との接続側と反対側である下流側には、圧力検出器としての圧力センサ２４５および圧力調整装置２４２を介して、真空ポンプ等の真空排気装置２４６が接続されている。真空排気装置２４６は、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。圧力調整装置２４２および圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続されている。圧力制御部２３６は、圧力センサ２４５により検出された圧力に基づいて、圧力調整装置２４２により処理室２０１内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な、蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、ボートを回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通して後述するボート２１７に接続されている。回転機構２５４は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９は、プロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって、垂直方向に昇降されるように構成されている。これによりボート２１７を処理室２０１に対し搬入搬出することが可能となっている。回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、駆動制御部２３７が電気的に接続されている。駆動制御部２３７は、回転機構２５４及びボートエレベータ１１５が所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
基板保持具としてのボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。なおボート２１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が、水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるよう構成されている。
プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されてい
る。ヒータ２０６と温度センサ２６３には、電気的に温度制御部２３８が接続されている。温度制御部２３８は、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合を調整することにより、処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８は、基板処理装置全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。主制御部２３９は、操作部、入出力部をも構成する。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、主制御部２３９はコントローラ２４０として構成されている。
（２）基板処理工程
次に、上記構成に係る処理炉２０２を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ＣＶＤ法によりウエハ２００上に薄膜を形成する方法について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作は、コントローラ２４０により制御される。
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、図１に示されているように、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて、処理室２０１内に搬入（ボートローディング）される。この状態で、シールキャップ２１９は、Ｏリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。
処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように真空排気装置２４６によって真空排気される。この際、処理室２０１内の圧力は、圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力に基づき、圧力調節器２４２がフィードバック制御される。また、処理室２０１内が所望の温度となるようにヒータ２０６によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように、温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構２５４により、ボート２１７が回転されることで、ウエハ２００が回転される。
次いで、処理ガス供給源から供給され、ＭＦＣ２４１にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管２３２を流通してノズル２３０から処理室２０１内に導入される。導入されたガスは処理室２０１内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０に流出して排気管２３１から排気される。ガスは、処理室２０１内を通過する際にウエハ２００の表面と接触する。この際に、熱ＣＶＤ反応によってウエハ２００の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給される。そして、処理室２０１内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されて、マニホールド２０９の下端が開口される。そして、処理済ウエハ２００が、ボート２１７に保持された状態でマニホールド２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部に搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済ウエハ２００はボート２１７より取出される（ウエハディスチャージ）。
なお、一例まで、本実施の形態の処理炉２０２にてウエハ２００を処理する際の処理条件を述べる。例えば、Ｓｉ３Ｎ４膜の成膜においては、処理温度を７５０〜８００℃、処
理圧力を１０〜２００Ｐａとし、処理室２０１内に供給するガスとしてジクロロシラン（ＤＣＳ）ガスとアンモニア（ＮＨ３）ガスを用いることが例示される。それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウエハに処理がなされる。
尚、ウエハ２００を処理する前段階の処理室２０１内の洗浄工程として、処理室２０１内に供給するガスとしてＨＣｌガス若しくは、ジクロロエチレンガスを用いる工程を設けてもよい。
（３）ボート載置部周辺の構造
次にボート載置部１２周辺の構造について、図２により、更に説明する。
シールキャップ２１９の下側には、ボートロック機構を具備し、主に金属で構成された回転機構２５４が設けられている。
回転機構２５４は、シールキャップ２１９に下面に設けられた金属製のモータホルダ３４を備えている。モータホルダ３４の下面には、主に金属製で構成された減速器３５が取付けられている。減速器３５、モータホルダ３４を貫通する金属製の中空の外回転軸３６が、軸受３７を介して回転自在に構成されている。
外回転軸３６の上端には、シールキャップ２１９を貫通する回転軸２５５が設けられている。回転軸２５５の上端には、少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部としての金属製のボート載置台３９が設置されている。ボート載置台３９の上面には、放射状３方向に溝４１が設けられると共に、位置決めピン４２が配置されている。ボート底板２４の下面の円周三等分した位置に設けられる孔に、位置決めピン４２がそれぞれ配置されることで、ボート載置台３９に対するボート２１７の位置決めがなされる様に構成されている。又、ボート底板２４の底面には後述する様にロック孔４０が設けられている。
外回転軸３６の軸受３７，３７間にはウォームホイール４３が設置されている。ウォームホイール４３にはウォーム（ウォームギア）４４が噛合されている。ウォーム４４は、図示しないボート回転モータ（図示せず）の出力軸４５に設置されている。ウォーム４４には、外回転軸３６の回転位置を検出する回転検出器（図示せず）が設けられている。この回転検出器により、外回転軸３６のシールキャップ２１９に対する回転位置が検出される様になっている。又、この回転検出器は、外回転軸３６、即ちボート載置台３９の基準位置を検出可能に構成されている。
金属製の回転軸２５５は中空に形成されている。外回転軸３６及び回転軸２５５とそれぞれ同軸状に形成された金属製のボートロック軸４６が、外回転軸３６、回転軸２５５の中空箇所に設けられている。このボートロック軸４６は、外回転軸３６に対して軸受４７を介して回転自在に構成されている。ボートロック軸４６は、ボート載置台３９より突出している。ボートロック軸４６の突出端には、ロック部材として矩形状の金属製のロックプレート５０が固着されている。ボートロック軸４６の下端部は半円柱状に一部が切除されており、ボートロック軸４６の下端部には平坦面４８が形成されている。平坦面４８は減速器３５の下面より下方に突出している。
ボートロック軸４６の下端部には、捩りコイルバネであるロックバネ４９が外嵌されている。ロックバネ４９の一端は中心側に折曲げられて平坦面４８に係合されており、他端は接線方向に延出して外回転軸３６に係合されている。特に図示していないが、ボートロック軸４６と外回転軸３６との間には機械的にストッパが設けられている。ロックバネ４９には、ボートロック軸４６と外回転軸３６とが確実に当接する様に、初期撓みが与えられている。
減速器３５の下面には、スライド軸受５１を介して、ロックロッド５２がボートロック軸４６の軸心に直交する方向に摺動自在に設けられている。ロックロッド５２の先端は、平坦面４８に当接可能となっている。ロックロッド５２の基端は、シリンダ、ソレノイド等、リニア駆動器であるロックアクチュエータ５３に連結されている。
而して、ロックアクチュエータ５３によりロックロッド５２が進退されると、ロックロッド５２の先端が平坦面４８に当接離反する様になっている。ロックロッド５２が平坦面４８に当接した状態では、ボートロック軸４６の回転が拘束される様になっている。
主に、ロックプレート５０、ボートロック軸４６、ロックバネ４９、ロックロッド５２、ロックアクチュエータ５３等により、ボートロック機構が構成されている。
尚、ボートロック軸４６の回転を拘束する方法としては、上述の形態に限らず、例えば、ボートロック軸４６の下端に水平方向に延びるピンを設け、該ピンの回転面に対して係合部材を出入りさせる様にしてもよい。
ボート底板２４には、ロックプレート５０と係合離脱可能なロック孔４０が形成されている。
ロック孔４０は、ボート底板２４の内部に円板状に形成された袋孔５４を備えている。袋孔５４は、鍵孔５５によって開口されている。鍵孔５５は、袋孔５４と同半径の２つの円弧と対向する平行な直線で形成された略矩形形状となっている。鍵孔５５は、ロックプレート５０とは相似形状となっている。
而して、ロックプレート５０が鍵孔５５を通して袋孔５４に挿入され、ボート底板２４に対してボートロック軸４６が相対回転されることで、ロックプレート５０が鍵孔５５と係合する。そして、ボート載置台３９とボート底板２４とが離反しない様に、即ちボート１３が転倒しない様にロックされる。
上記した様に、孔と位置決めピン４２との嵌合により、ボート載置台３９に対するボート１３の回転方向の位置は決定される。又、ロックロッド５２が平坦面４８に当接していない状態では、ボートロック軸４６はロックバネ４９の初期バネ力と、ボートロック軸４６と外回転軸３６間のストッパによりボートロック軸４６とボート載置台３９との回転方向の位置は決定される。
而して、ボート載置台３９に載置されたボート１３のボート底板２４に形成された鍵孔５５の方向と、ロックプレート５０の方向とは、ボートロック軸４６にロックロッド５２が係合していない状態では、９０°方向が異なる様になっている。
モータホルダ３４には、第一ガス溜り部７２にガスを供給するガス供給部７０が設けられている。ガス供給部７０のガス溜り部７２と連通する側と反対側である上流側のガス供給ラインには、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）７１を介して、図示しない不活性ガス供給源が接続されている。ＭＦＣ７１には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されている。ガス流量制御部２３５は、ガス供給部７０から供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
シールキャップ２１９と回転軸２５５との間には、第一のガス噴出口としての第一の間隙７５が設けられている。すなわち、回転軸２５５は、シールキャップ２１９との間に第一の間隙７５を構成するようにシールキャップ２１９を貫通し、ボート載置台３９及び回
転機構２５４（外回転軸３６）に接続されている。第一の間隙７５の外径、すなわちシールキャップ２１９に形成された貫通孔の径は、モータホルダ３４の内径よりも小さくなるように構成されている。
第一ガス溜り部７２は、少なくとも回転機構２５４およびシールキャップ２１９、回転軸２５５とで囲われ構成されている。すなわち、第一ガス溜り部７２は、少なくともモータホルダ３４、外回転軸３６およびシールキャップ２１９、回転軸２５５とで囲われる空間として構成されている。第一ガス溜り部７２は、ガス供給部７０、第一の間隙７５、及び後述する流通口７３以外の箇所が密閉された空間として構成されている。また、第一ガス溜り部７２は、第一の間隙７５によりガス流路が絞られつつ、処理室２０１と連通されている。
ボート載置部３９には、第二のガス噴出口としての第二の間隙７６が設けられている。第二の間隙７６は、少なくともボート載置部３９とボートロック軸４６とで囲われる空間として構成されている。第二の間隙７６の外径、すなわちボート載置部３９に形成された貫通孔の径は、回転軸２５５の内径よりも小さくなるように構成されている。
回転軸２５５には第二ガス溜り部７４が設けられている。第二ガス溜り部７４は、少なくとも外回転軸３６と回転軸２５５とボート載置台３９とボートロック軸４６とで囲われる空間として構成されている。第二ガス溜り部７４は、流通口７３及び第二の間隙７６以外の箇所が密閉された空間として構成されている。また、第二ガス溜り部７４は、第二の間隙７６によりガス流路が絞られつつ、処理室２０１と連通されている。
回転軸２５５の側壁には、流通口７３が設けられている。流通口７３は第一ガス溜り部７２と第二ガス溜り部７４とを連通するように構成されている。流通口７３は回転軸２５５の側部に円周方向を均等３分割する箇所にそれぞれ設けられている。これにより、回転軸２５５が回転している状態でも、第一ガス溜り部７４内から第二ガス溜り部７４内へ流通口７３を経てガスが流通しやすく構成されている。
第一ガス溜り部７２の容積は、第二ガス溜り部７４の容積より大きくなるように構成されている。また、第一の間隙７５の容積と第二の間隙７６の容積とは、同等の大きさで構成されている。
（４）本実施形態に係る効果
ここで、基板の処理に用いられる処理ガスや処理室２０１内を洗浄するために用いられる腐食性の高い処理ガス、例えばエッチングガスやクリーニングガスが、第一の間隙７５を経由して回転機構２５４に回り込んだり、第二の間隙７５を経由して回転軸２５５内に回り込んだりすると、回転機構２５４や回転軸２５５内を腐食させてしまったり、処理ガスの反応等により発生する反応副生成物が回転機構２５４や回転軸２５５内に付着し、回転機能を妨げてしまったりすることになる。
そこで、本実施の形態では、パージガスを噴出すべき第一の間隙７５の上流側に第一ガス溜り部７２を形成すると共に、パージガスを噴出すべき第二の間隙７６の上流側に第二ガス溜り部７４を形成している。
第一ガス溜り部７２内に供給されたパージガスは、第一ガス溜り部７２内にて一旦滞留し、第一ガス溜り部７２内の圧力を上昇させる。そのため、第一のガス噴出口としての第一の間隙７５全周において圧力差を無くすことができ、第一の間隙７５全周において均一な流速を確保でき、かつ、第一の間隙７５から噴出されるパージガスの流速を大きくすることができる。
一方、第二ガス溜り部７４内に供給されたパージガスは、第二ガス溜り部７４内にて一旦滞留し、第二ガス溜り部７４内の圧力を上昇させる。そのため、第二のガス噴出口としての第二の間隙７６全周において圧力差を無くすことができ、第二の間隙７６全周において均一な流速を確保でき、かつ、第二の間隙７６から噴出されるパージガスの流速を大きくすることができる。
これにより、腐食性の高い処理ガスが、第一の間隙７５を経由して回転機構２５４に回り込んだり、第二の間隙７５を経由して回転軸２５５内に回り込んだりすることを抑制することができる。而して、回転機構２５４や回転軸２５５内、ボートロック軸４６の腐食を抑制し、処理ガスの反応等により発生する反応副生成物が回転機構２５４や回転軸２５５内、ボートロック軸４６への付着するのを抑制し、回転機能を確保することができる。すなわち、金属の表面がパージガスで覆われ、金属の腐食が抑制されると共に、金属成分の飛散が抑制される。さらに、回転機構２５４や回転軸２５５内、ボートロック軸４６に付着した反応副生成物が、回転機構２５４や回転軸２５５内、ボートロック軸４６の動作に伴い飛散し、パーティクルとなることが抑制される。そして、基板の汚染が抑制され、処理品質、歩留りが向上する。
また、本実施の形態では、第一ガス溜り部７２の容積が第二ガス溜り部７４の容積より大きくなるように構成されている。そのため、第一ガス溜り部７２から流通口７３にパージガスを流通させやすくすることができる。
尚、好ましくは、第一の間隙７５及び第二の間隙７６は、回転軸２５５やボートロック軸４６の回転動作に支障をきたさないレベルで流路断面積を極力小さくすると良い。これにより、第一の間隙７５及び第二の間隙７６から処理室２０１内へ噴出されるパージガスの流速をさらに大きくすることができる。
本実施形態では、少なくとも、ボート２１７が処理室２０１内に装入され、基板が処理されている状態で、ガス供給管７０よりパージガスを供給するようにする。尚、本発明は係る形態に限定されず、ガス供給管７０よりパージガスを常時供給してもよい。但し、ボート載置台３９、回転軸２５５等を構成する金属の一部が処理室２０１内において露出しており、このような処理室２０１内に腐食性ガスを供給する場合や、このような処理室２０１内に腐食性ガスが残留している場合にのみ、ガス供給管７０よりパージガスを供給するようにすると、パージガスの無駄な消費をなくすことができる。
パージガスは、ガス供給管７０を経て第一ガス溜り部７２内に流入する。その後、一部のパージガスは第一の間隙７５から処理室２０１内へ流入する。その他のパージガスは流通口７３から第二ガス溜り部７４内に流入する。第二ガス溜り部７４内へ流入したパージガスは、第二の間隙７６を経てロック孔４０周辺を至り、溝４１を経て処理室２０１内に流出する。
すなわち、パージガスが第一ガス溜り部７２内に流入し、第一ガス溜り部７２内に流入されたパージガスのうちの一部のパージガスが第一の間隙７５から処理室２０１内へ流入し、第一ガス溜り部７２内に流入されたパージガスのうちの他部のパージガスが流通口７３から第二ガス溜り部７４内に流入し、第二の間隙７６を経てロック孔４０周辺を至り、溝４１を経て処理室２０１内に流出する。このため、金属材料である回転軸２５５の表面、ボートロック軸４６の表面、ボート載置台３９等の表面は、パージガスに覆われる。従って、これらの表面が処理ガスと接触することを抑制することができ、処理ガスに腐食性のガスが使用されたとしても、回転軸２５５内の表面、ボートロック軸４６の表面、ボート載置台３９の表面の腐食を抑制することができる。また、回転軸２５５内の表面、ボー
トロック軸４６の表面、回転機構２５５内への反応副生成物の付着を抑制でき、回転機能を確保することができる。
又、パージガスは、ガス溜り部７４内から第２の間隙７６を経てロック孔４０周辺に導かれ、その後、ロック孔４０周辺よりはるかにガス流路の小さい溝４１を通って処理室２０１内に流出する。このため、ロック孔４０周辺でもパージガスが溜り、充満する。従って、ロック孔４０周辺及びロックロックプレート５０の表面が処理ガスと接触することを抑制することができ、処理ガスに腐食性のガスが使用されたとしても、ロック孔４０周辺及びロックプレート５０の表面の腐食を抑制することができる。また、ロック孔４０周辺及びロックロックプレート５０の表面への反応副生成物の付着を抑制することができる。
＜第１の実施形態の変形例＞
第１の変形例を以下に記す。
回転軸２５５、回転機構２５４の腐食抑制、回転機能の確保するためには、第一の間隙７５から噴出されるパージガスの流速と、第二の間隙７６から噴出されるパージガスの流速と、をそれぞれ確保することが必要であることは上述の通りである。但し、第二の間隙７６から噴出されるパージガスの流速が僅かであった場合、すなわち、第二の間隙７６から噴出されるパージガスの流速が、第一の間隙７５から噴出されるパージガスの流速に比べて小さすぎる場合、処理室２０１内の圧力状態によっては、第二の間隙７６から回転軸２５５内に処理ガスが僅かに回り込む恐れがある。
この場合、ガス供給部７０から供給するパージガスの流量を大きくすれば、第二の間隙７６から噴出されるパージガスの流速を大きくすることができる。しかし、第二の間隙７６から噴出されるパージガスの流速を大きくすると、必要以上にパージガスが消費されてしまう場合がある。さらには、パージガスが処理室２０１内に供給される量が増えることにより、処理室２０１内のガス分布、すなわち処理ガスの密度が小さくなってしまい、特にボート２１７の下方に載置されたウエハ２００の処理状態が変化してしまう場合がある。
そのため、本変形例では、好ましくは、第一の間隙７５から噴出されるパージガスの流速と、第二の間隙７６から噴出されるパージガスの流速と、を同等とする。具体的には、下式１に示すように、第二ガス溜り部７４の容積に対する第二の間隙７６の容積の割合を、第一ガス溜り部７２の容積に対する第一の間隙７５の容積及び流通口７３の容積との和の割合と同等となるように構成する。
（式１）
（第二ガス溜り部７４の容積）／（第二の間隙７６の容積）＝（第一ガス溜り部７２の容積）／（第一の間隙７５の容積＋流通口７３の容積）
尚、第一の間隙７５の容積とは、図３に示すように、第一の間隙７５の流路断面積（Ｂ）と第一の間隙７５の流路長（Ａ）との積で算出される容積である。また、第二の間隙７６の容積とは、図３に示すように第二の間隙７６の流路断面積（Ｄ）と第二の間隙７６の流路長（Ｃ）との積で算出される容積である。流通口７３についても同様である。このように構成することで、第一の間隙７５から噴出されるガスの流速と、第二の間隙７６から噴出されるガスの流速とを同等とすることができる。これにより、処理室２０１内の圧力に依存されることなく、処理室２０１内の圧力が２０〜３０Ｐａ程度の真空度の高い状態であっても、或いは処理室２０１内の圧力が大気圧に近い微減圧状態であっても、回転機構２５４や回転軸２５５内に処理ガスが回り込むことを抑制することができる。そして、回転機構２５４や回転軸２５５の腐食を抑制することができ、回転機構２５４、回転軸２
５５の回転機能を確保することができる。尚、好ましくは、第一の間隙７２の容積を、流通口７３の容積より小さくすると良い。これにより、第二ガス溜り部７４へ適正な量のパージガスを供給することができる。
第２の変形例を以下に記す。
特に第二の間隙７６周辺は、第一の間隙７５、シールキャップ２１９よりもヒータ２０６の近くに配置されている。そのため、ウエハ２００を処理するために処理室２０１内を加熱する際の熱影響により、シールキャップ２１９や第一の間隙７５周辺や回転機構２５５よりも、第二の間隙７６周辺の方が、温度が高くなりがちであり、腐食しがちである。
一方、第二ガス溜り部７４は、第一ガス溜り部７２よりも流路が狭く、かつ長い。そのため、第二ガス溜り部７４は排気抵抗が大きくなりやすく、第二の間隙７６から噴出されるパージガスの流速が小さくなりがちである。特に、第二ガス溜り部７４は、ボートロック軸４６や回転軸２５５の表面粗さ具合により影響を受けやすく、排気抵抗が大きくなりがちである。また、第二ガス溜り部７４は、第一ガス溜り部７２の下流側に位置しており、第二ガス溜り部７４内へは流通口７３を介してパージガスが供給される。そのため、流通口７３のコンダクタンスの低下により、パージガスが供給されにくくなってしまう。これらに起因し、第二の間隙７６から噴出されるパージガスの流速が小さくなる恐れがある。
そこで、好ましくは、第二の間隙７６から噴出されるパージガスの流速を、第一の間隙７５から噴出される流速よりも大きくすると良い。具体的には、下式２に示すように、第二ガス溜り部７４の容積と第二の間隙７６の容積との割合を、第一ガス溜り部７２の容積と、第一の間隙７５の容積及び流通口７３の容積との和との割合より大きくなるように構成すると良い。
（式２）
（第二ガス溜り部７４の容積）／（第二の間隙７６の容積）＞（第一ガス溜り部７２の容積）／（第一の間隙７５の容積＋流通口７３の容積）
これにより、第二の間隙７６から噴出されるパージガスが、第一の間隙７５から噴出されるパージガスよりも排気抵抗を大きく受けたり、流通口７３のコンダクタンスが低下したりしても、第二の間隙７６から噴出されるパージガスの流速を、第一の間隙７５から噴出されるガスの流速と同等以上とすることができる。そして、腐食しがちな第二の間隙７６周辺へパージガスを多く供給することができる。而して、第二の間隙７５周辺やボート載置台３９の腐食をよりいっそう抑制することができる。
尚、好ましくは第二ガス溜り部７４の容積と第二の間隙７６の容積との割合を、第一ガス溜り部７２の容積と、第一の間隙７５の容積及び流通口７３の容積との和との割合の２倍以下となるように構成すると、第一の間隙７５と第二の間隙７６から噴出される風速のバランスをよりいっそう良好とすることができる。
尚、換言すると、第一ガス溜り部７２と第一の間隙７５とで第一のガス流路が構成されており、流通口７３と第二ガス溜り部７４と第二の間隙７６とで第二のガス流路が構成されているということもできる。第一のガス流路より第二のガス流路長い場合には、本変形例の形態は特に有効である。
以下にシミュレーション結果を記す。
第１の実施の形態の構成として、第一ガス溜り部７２の容積を２５１００ｍｍ２、第一の間隙７５の容積を１７ｍｍ２、流通口７３の容積を３４０ｍｍ２とし、第二ガス溜り部７４の容積１９１０ｍｍ２、第二の間隙７６の容積を１７ｍｍ２とする設定とした。すなわち、第二ガス溜り部７４の容積に対する第二の間隙７６の容積の割合を１１２、第一ガス溜り部７２の容積に対する第一の間隙７５の容積および流通口７３の容積の和の割合を７０とし、第二ガス溜り部７４の容積に対する第二の間隙７６の容積の割合が、第一ガス溜り部７２の容積と第一の間隙７５の容積および流通口７３の容積の和の割合より１．６倍大きくなるように構成した。そして、ガス供給部７０からアンモニア（ＮＨ３）ガスを供給する設定でシミュレーションを行った。
その結果、第二の間隙７６から噴出されるアンモニアガスの流速が、第一の間隙７５から噴出されるアンモニアガスの流速より１．６倍大きい値となった。すなわち、第二の間隙７６から噴出されるアンモニアガスの流速を、第一の間隙７５から噴出されるアンモニアガスの流速よりも大きくすることができた。
＜第２の実施形態＞
図４に第２の実施の形態を示す。本実施形態が第１の実施の形態と異なる点は、第二の間隙７６２が、ボート載置台３９と回転軸２５５２の上端部とで構成される点である。
本実施形態では、回転軸２５５２の内壁の途中から上端に至るまでの内径を、ボート載置台３９の内径と同等の大きさとする。すなわち、回転軸２５５２の内壁の途中からボート載置部３９の内壁の上端に至るまでの内壁の内径が、同等の大きさとなるように構成されている。換言すると、ボート載置台３９と回転軸２５５２の上端部とで第二の間隙７６２が構成されている。
このように構成すると、第二ガス溜り部７４２の容積が、第１の実施形態と比較して若干狭くなってしまう場合がある。しかしながら、本実施形態においても、第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。尚、本実施形態に第１の実施形態の変形例１、２を適用することも可能である。
＜第３の実施形態＞
図５に第３の実施の形態を示す。本実施形態が第１の実施の形態と異なる点は、第二ガス溜り部７４３の外径を次第に小さくしている点である。
本実施形態では、回転軸２５５３の内壁の途中位置から上端に至るまでの内径が次第に（連続的に、あるいは段階的に）小さくなるように構成されている。回転軸２５５３の上端における内径は、ボート載置台３９の下端における内径と同等の大きさとして構成されている。すなわち、回転軸２５５３の内壁の途中位置から回転軸２５５３の内壁の上端に至るまでの内壁の内径が、次第に小さくなるように構成されている。換言すると、第二ガス溜り部７４３の途中位置から上端に至るまで、第二ガス溜り部７４３の外径が次第に小さくなるように構成されている。
このように構成すると、第二ガス溜り部７４３の容積が、第１の実施形態と比較して若干狭くなってしまう場合がある。しかしながら、本実施形態においても、第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。そして、回転軸２５５３の内壁の途中位置から上端に至るまでの内径が次第に小さくなるように構成することで、回転軸２５５３のボートロック軸４６や回転軸２５５３による排気抵抗を小さくすることができ、第二の間隙７６３から噴出されるガスの流速を大きくすることができる。本実施形態に第１の実施形態の変形例１、２を適用することも可能である。
＜第４の実施形態＞
図６に第４の実施の形態を示す。本実施形態が第１の実施の形態と異なる点は、ボートロック機構を備えない点である。
第二のガス噴出口としての第二の間隙７６４は、ボート載置部３９４に設けられる貫通孔として構成されている。第二の間隙７６４の外径、すなわちボート載置部３９４に形成された貫通孔の径は、回転軸２５５４の内径よりも小さくなるように構成されている。
また、第二ガス溜り部７４４は、外回転軸３６と回転軸２５５４とボート載置台３９４とで囲われる空間として構成されている。
第一ガス溜り部７２の容積は、第二ガス溜り部７４４の容積よりも大きくなるように構成されている。また、第一の間隙７５の容積と第二の間隙７６４の容積とは、同等の大きさで構成されている。
このように構成することで、回転機構２５４４やボート載置部３９４の腐食を抑制することができ、回転機構２５４４の回転機能を確保することができる。なお、ボートロック機構が設けられていないため、ボートロック機能は腐食し得ない。
尚、本実施形態に第１の実施形態の変形例１、２を適用することも可能であり、第２、第３の実施形態に適用することも可能である。
＜第１〜第４の実施形態の変形例＞
上述の第１〜第４の実施の形態では、外回転軸３６を回転軸２５５、２５５２、２２５３、２２５４と個別に設けるように説明したが、本実施形態は係る形態に限定されない。すなわち、外回転軸３６は個別に設けず、回転軸２５５、２５５２、２２５３、２２５４と一体と形成しても良く、いずれの形態でも広義として回転軸に含まれるものとする。
また、第１〜第４の実施の形態にてボート２４の底面とした箇所は、ボート２４自身の底面でなくとも良い。例えば、ボート２４とボート載置台３９との間に断熱筒を設ける場合には、該断熱筒の底面も広義としてボート底面に含まれるものとする。
ガス供給部７０から流すパージガスとしては、例えば窒素（Ｎ２）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガスを用いても良い。また、回転軸等の壁面等にて単独で固化、或いは液化しないガスであれば、ウエハ２００を処理するために処理室２０１内に供給するガスのうちの一つのガスを用いても良い。例えば、ＳｉＮ膜をウエハ２００上に成膜するために処理室２０１内にアンモニアガスを供給する場合には、アンモニアガスをパージガスとして用いても良い。
＜第５の実施形態＞
図７に第５の実施形態を示す。本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、第一ガス溜り部７２が、少なくとも回転軸２５５４と回転機構２５４とで囲まれた形態で構成される点である。
第１の実施形態では、第一ガス溜り部７２は、少なくともモータホルダ３４、外回転軸３６およびシールキャップ２１９、回転軸２５５とで囲われる空間として構成されていた。これに対し、本実施形態に係る第一ガス溜り部７２は、少なくともモータホルダ３４、外回転軸３６、及び回転軸２５５４で囲われる空間として構成されている。すなわち、第一ガス溜り部７２の側壁及び天井壁を、モータホルダ３４内に一体的に設けている。
本実施形態においても、第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。尚、本実施形態に第１の実施形態の変形例１、２を適用することも可能である。なお、本実施形態によれば、第一ガス溜り部７２の側壁及び天井壁をモータホルダ３４内に一体的に設けることにより、ガス供給部７０から第一ガス溜り部７２内に供給したガスが、モータホルダ３４とシールキャップ２１９との間に侵入してしまうことを抑制できる。そして、第一の間隙７５および第二の間隙７６から処理室２０１内に噴出するパージガスの流速が低下してしまうことを抑制できる。
＜第６の実施形態＞
図８に第６の実施形態を示す。本実施形態では、ボート載置台３９の上面に放射状３方向に設けられた溝４１を第二の噴出口とする。そして、ボート底板２４の内部に円板状に形成された袋孔５４と、袋孔５４を開口させる鍵孔５５と、ボート載置部３９とボートロック軸４６とで囲われる空間（第１実施形態における第二の間隙７６）と、外回転軸３６と回転軸２５５とボート載置台３９とボートロック軸４６とで囲われる空間（第１実施形態における第二ガス溜り部７４）と、の合計領域を、第二ガス溜り部とする。好ましくは、溝４１は、ボート載置台３９の上面周方向において、均等角ピッチで設け、それぞれの噴出口の開口面積を同じにする。これにより、それぞれの溝４１から均等な量、流速にて処理室２０１内へガスを供給することができる。
本実施形態においても、第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。尚、本実施形態に第１の実施形態の変形例１、２を適用することも可能である。なお、本実施形態によれば、第二の噴出口としての溝４１の大きさ（内径及び長さ）や本数を調整することにより、袋孔５４や鍵孔５５内の空間を十分にパージすることが可能となる。そして、金属部品であるロックプレート５０の腐食をより確実に防止することが可能となる。なお、溝４１は、ボート載置台３９又はボート底面２４のどちらに設けてもよい。また、本実施形態においては、第二の噴出口は溝に限らず、ボート載置台３９又はボート底面２４に設けられた孔として形成されていてもよい。
＜第７の実施形態＞
本実施形態は第６の実施形態の変形例である。図９に第７の実施形態を示す。本実施形態が図８に示す第６の実施形態と異なる点は、溝４１を設けていない点である。その他は、第６の実施形態と同様に、ボート載置台３９上にボート底面２４を直接に接触させることで、ボート２１７を設置している。このような構成では、ボート載置台３９上面の面精度（平坦度、表面粗さ）とボート底面２４の面精度（平坦度、表面粗さ）との違いにより、ボート載置台３９とボート底面２４との間に隙間が形成されることとなる。本実施形態では、溝４１を設けずに、ボート載置台３９とボート底面２４との間に形成された隙間を第二の噴出口とする点が、第６の実施形態と異なる。
本実施形態においても、第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。尚、本実施形態に第１の実施形態の変形例１、２を適用することも可能である。なお、本実施形態によれば、ボート載置台３９上面やボート底面２４の面精度を調整することにより、袋孔５４や鍵孔５５内の空間を十分にパージすることが可能となる。また、本実施形態によれば、ボート載置台３９又はボート底面２４に溝４１を形成する必要がなく、ボート載置台３９又はボート底面２４に複雑な加工を施す必要がないため、基板処理装置の製造コストを低減させることが出来る。
＜第８の実施形態＞
本実施形態では、第二の噴出口７６からのパージガスの噴出量が、第一の噴出口７５からのパージガスの噴出量よりも多くなるように、第二の噴出口７６の断面積を、第１の実施形態に係る第二の噴出口７６の断面積よりも大きく構成する。また、第二の噴出口７６
の断面積を、処理炉２０２内の温度や圧力によらず、第二の噴出口７６からのパージガスの噴出が必ず行われるような大きさとしてもよい。
本実施形態においても、第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。尚、本実施形態に、第１の実施形態の変形例１、２を適用することも可能である。なお、第二の噴出口７６からのパージガスの噴出量が、第一の噴出口７５からのパージガスの噴出量よりも多くなり、或いは処理炉２０２内の温度や圧力によらず第二の噴出口７６からのパージガスの噴出が必ず行われることで、ロックプレート５０の汚染を更に確実に抑制できるようになる。その結果、ロックプレート５０の材質を現状より耐食性の低い安価な材料に変更することが可能となり、基板処理装置の製造コストを低減させることが可能となる。
＜第９の実施形態＞
第１の実施形態に係る変形例では、第二ガス溜り部７４、第二の間隙７６、第一ガス溜り部７２、第一の間隙７５、流通口７３の容積を構造的に調整することで、第一の間隙７５から噴出されるパージガス及び第二の間隙７６から噴出されるパージガスの流速を調整していた。
これに対して本実施形態では、第二ガス溜り部７４、第二の間隙７６、第一ガス溜り部７２、第一の間隙７５、流通口７３の容積を構造的に調整するのではなく、ガス調整部としてのガス流量制御部２３５により、第一の間隙７５から噴出されるパージガス及び第二の間隙７６から噴出されるパージガスの流速を調整する。
具体的には、図１０に示すように、第一ガス溜り部７２にガスを供給するガス供給部７０ａの他に、該ガス供給部７０ａよりも流通口７３の近傍にガスを供給するガス供給部７０ｂを設ける。すなわち、流通口７３に対して距離が異なる位置に配置されるガス供給部を複数設ける。尚、ガス供給部７０ｂの上流側のガス供給ラインには、ガス流量制御器としてのＭＦＣ７１１を介して、図示しない不活性ガス供給系が接続する。ＭＦＣ７１１の開度をＭＦＣ７１の開度よりも大きくすることにより、ガス供給部７０ａから供給されるガスの流量よりも、ガス供給部７０ｂから供給されるガスの流量を増大させることができる。また、ＭＦＣ７１１の開度をＭＦＣ７１の開度よりも小さくすることにより、ガス供給部７０ａから供給されるガスの流量よりも、ガス供給部７０ｂから供給されるガスの流量を減少させ、第二の間隙７６から噴出されるガスの流量を減少させることができる。そして、ＭＦＣ７１１の開度とＭＦＣ７１の開度とをガス調整部としてのガス流量制御部２３５が調整することにより、ガス供給部７０から供給されたガスを、第一の間隙７５から一定期間当り第一量で噴出させるとともに、第二の間隙７６から一定期間当り第一量と同等以上の第二量で噴出させることができる。
なお、ガス供給部７０ｂに接続されるガス供給ラインは、ＭＦＣ７１１の上流側で、ガス供給部７０ａに接続されるガス供給ラインのＭＦＣ７１の上流側に連結し、１つの不活性ガス供給源に接続されるように構成してもよい。また、ＭＦＣ７１１を設けずに、ガス供給部７０ｂの開口面積をガス供給部７０ａの開口面積よりも大きくして、ＭＦＣ７１の開度によりガス供給部７０ｂから供給されるガスの流量を、ガス供給部７０ａから供給されるガスの流量より大きくさせるように、ガス流量制御部２３５にて制御するように構成してもよい。
本実施形態においても、第１の実施形態に係る変形例と同様の効果を奏することができる。尚、本実施形態に第２〜第８の実施形態を適用することも可能である。
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
（付記１）
基板を処理する処理室と、
前記基板を保持する基板保持具と、
前記処理室に前記基板保持具を出し入れしつつ前記処理室を開閉する蓋体と、
前記基板保持具を載置する少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部と、
前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられ前記基板保持具載置部を回転させる回転機構と、
前記蓋体との間に第一のガス噴出口を構成するように前記蓋体を貫通し前記基板保持具載置部及び前記回転機構に接続される回転軸と、
前記回転機構、前記蓋体、及び前記回転軸とで囲われ構成され前記第一のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第一ガス溜り部と、
前記基板保持具載置部に設けられる第二のガス噴出口と、
前記回転軸に設けられ前記第二のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第二ガス溜り部と、
前記回転軸に設けられ前記第一ガス溜り部と前記第二ガス溜り部とを連通させる流通口と、を有し、
前記第二ガス溜り部及び前記第二のガス噴出口は、前記第二ガス溜り部の容積に対する前記第二のガス噴出口の容積の割合が前記第一ガス溜り部の容積に対する前記第一のガス噴出口および前記流通口の容積の割合と同等以上となる大きさで構成されている
基板処理装置。
（付記２）
基板を処理する処理室と、
前記基板を保持する基板保持具と、
前記処理室に前記基板保持具を出し入れしつつ前記処理室を開閉する蓋体と、
前記基板保持具を載置する少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部と、
前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられ前記基板保持具載置部を回転させる回転機構と、
前記蓋体との間に第一のガス噴出口を構成するように前記蓋体を貫通し前記基板保持具載置部及び前記回転機構に接続される回転軸と、
少なくとも前記回転機構及び前記回転軸とで囲われ構成され前記第一のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第一ガス溜り部と、
前記基板保持具載置部に設けられる第二のガス噴出口と、
少なくとも前記回転軸に設けられ前記第二のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第二ガス溜り部と、
前記回転軸に設けられ前記第一ガス溜り部と前記第二ガス溜り部とを連通させる流通口と、を有し、
前記第二ガス溜り部及び前記第二のガス噴出口は、前記第二ガス溜り部の容積に対する前記第二のガス噴出口の容積の割合が前記第一ガス溜り部の容積に対する前記第一のガス噴出口および前記流通口の容積の割合と同等以上となる大きさで構成されている
基板処理装置。
（付記３）
基板を処理する処理室と、
前記基板を保持する基板保持具と、
前記処理室に前記基板保持具を出し入れしつつ前記処理室を開閉する蓋体と、
前記基板保持具を載置する少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部と、
前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられ前記基板保持具載置部を回転させる回転機構と、
前記回転機構にガスを供給するガス供給部と、
前記蓋体を貫通し前記基板保持具載置部及び前記回転機構に接続される回転軸と、
前記蓋体と前記回転軸との間に設けられ、前記ガス供給部から供給されたガスを前記処理室内に供給する第一のガス噴出口と、
前記基板保持部が載置された状態で前記基板保持具載置部と前記基板保持具との間に設けられ、前記ガス供給部から供給されたガスを前記処理室内に供給する第二のガス噴出口と、
前記ガス供給部から供給されたガスを前記第一のガス噴出口から一定期間当り第一量で噴出させるとともに、前記第二のガス噴出口から一定期間当り第一量と同等以上の第二量で噴出させるよう調整するガス調整部と、を有する
基板処理装置。
（付記４）
少なくとも一部が金属で形成され第二のガス噴出口が設けられる基板保持具載置部上に基板を保持した基板保持具を載置し、前記基板保持具を処理室内に搬入し、前記処理室を蓋体で閉じる工程と、
前記蓋体との間で第一のガス噴出口を構成するように前記蓋体を貫通し、前記第二のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第二ガス溜り部、及び流通口が設けられ、前記基板保持具載置部に接続される回転軸を、前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられる回転機構により回転させることで、前記基板保持具を回転させ、
少なくとも前記回転機構及び前記回転軸とで囲われ構成され、前記第一のガス噴出口を介して前記処理室と連通すると共に、前記流通口を介して前記第二ガス溜り部に連通する第一ガス溜り部であって、前記第二ガス溜り部の容積に対する前記第二のガス噴出口の容積の割合が、前記第一ガス溜り部の容積に対する前記第一のガス噴出口および前記流通口の容積の割合と同等以上となるように構成された前記第一ガス溜り部内にガスを供給し、
前記第一ガス溜り部内に供給したガスのうちの一部のガスを、前記第一ガス溜り部内から前記第一のガス噴出口を介して前記処理室内へ噴出させ、
前記第一ガス溜り部内に供給したガスのうちの少なくとも他部のガスを、前記第一ガス溜り部内から、前記流通口、前記第二ガス溜り部内、及び前記第一のガス噴出口を介して前記処理室内へ噴出させ、前記処理室内で基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
（付記５）
少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部上に基板を保持した基板保持具を載置し、前記基板保持具を処理室内に搬入し、前記処理室を蓋体で閉じる工程と、
前記蓋体との間で第一のガス噴出口を構成するように前記蓋体を貫通し前記基板保持具載置部に接続される回転軸を、前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられる回転機構により回転させることで、前記基板保持具を回転させ、
前記回転機構に供給したガスのうちの一部のガスを、前記第一のガス噴出口を介して前記処理室内へ一定期間当り第一量で噴出させ、
前記回転機構に供給されたガスのうちの少なくとも他部のガスを、前記基板保持具載置部に設けられる第二のガス噴出口から、前記一定期間当り前記第一量と同等以上の第二量で前記処理室内へ噴出させ、前記処理室内で基板が処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
（付記６）
少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部に基板を保持した基板保持具を載置した状態で処理室に搬入され、蓋体で処理室が閉じられる工程と、
前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられる回転機構が前記蓋体との間で第一のガス噴出口を介して貫通して前記基板保持具載置部に接続される回転軸を回転させることで前
記基板保持具が回転し、
少なくとも前記回転機構及び前記回転軸とで囲われ構成された第一ガス溜り部にガスが供給されて、
前記第一ガス溜り部に供給されたガスのうちの一部のガスが前記第一ガス溜り部から前記第一のガス噴出口を介して前記処理室へ噴出され、
前記第一ガス溜り部に供給されたガスのうちの他部のガスが前記第一ガス溜り部から、少なくとも前記回転軸に設けられた流通口と第二ガス溜り部および前記基板載置部に設けられた第二のガス噴出口とを有し、前記第二ガス溜り部の容積に対する前記第二のガス噴出口の容積の割合が前記第一ガス溜り部の容積に対する前記第一のガス噴出口および前記流通口の容積の割合と同等以上となる大きさで構成された前記回転軸の前記流通口を介して前記第二ガス溜り部に供給されて、該第二ガス溜り部から前記第二のガス噴出口を介して前記処理室へ噴出されつつ、前記処理室内で基板が処理される工程と
を有する半導体装置の製造方法。
（付記７）
少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部に基板を保持した基板保持具を載置した状態で処理室に搬入され、蓋体で処理室が閉じられる工程と、
前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられる回転機構が前記蓋体との間で第一のガス噴出口を介して貫通して前記基板保持具載置部に接続される回転軸を回転させることで前記基板保持具が回転し、
前記回転機構に供給されたガスのうちの一部のガスが前記第一のガス噴出口を介して前記処理室へ一定期間当り第一量で噴出され、
前記回転機構に供給されたガスのうちの少なくとも他部のガスが前記基板保持具載置部に設けられた第二のガス噴出口から前記第一量と前記一定期間当りの噴出量が同等以上の第二量で前記処理室へ噴出されつつ、前記処理室内で基板が処理される工程と
を有する半導体装置の製造方法。
（付記８）
少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部に基板を保持した基板保持具を載置した状態で処理室に搬入され、蓋体で処理室が閉じられる工程と、
前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられる回転機構が前記蓋体との間で第一のガス噴出口を介して貫通して前記基板保持具載置部に接続される回転軸を回転させることで前記基板保持具が回転し、
少なくとも前記回転機構および前記回転軸とで囲われ構成された第一ガス溜り部にガスが供給されて、前記第一ガス溜り部に供給されたガスのうちの一部のガスが前記第一ガス溜り部から前記第一のガス噴出口を介して前記処理室へ噴出され、
前記第一ガス溜り部に供給されたガスのうちの少なくとも他部のガスが前記第一ガス溜り部から前記回転軸に設けられた流通口と第二ガス溜り部および前記基板載置部に設けられた第二のガス噴出口とを有し、前記第二ガス溜り部の容積に対する前記第二のガス噴出口の容積の割合が前記第一ガス溜り部の容積に対する前記第一のガス噴出口および前記流通口の容積の割合と同等以上となる大きさで構成された前記回転軸の前記流通口を介して前記第二ガス溜り部に供給されて、該第二ガス溜り部から前記第二のガス噴出口を介して前記処理室へ噴出されつつ、前記処理室内で基板が処理される工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
（付記９）
少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部に基板を保持した基板保持具を載置した状態で処理室に搬入され、蓋体で処理室が閉じられる工程と、
前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられる回転機構が前記蓋体との間で第一のガス噴出口を介して貫通して前記基板保持具載置部に接続される回転軸を回転させることで前
記基板保持具が回転し、
少なくとも前記回転機構および前記回転軸とで囲われ構成された第一ガス溜り部にガスが供給されて、
前記第一ガス溜り部に供給されたガスのうちの一部のガスが前記第一ガス溜り部から前記第一のガス噴出口を介して前記処理室へ第一の流速で噴出され、
前記第一ガス溜り部に供給されたガスのうちの少なくとも他部のガスが前記第一ガス溜り部から前記回転軸に設けられた流通口を介して前記第二ガス溜り部に供給されて、該第二ガス溜り部から前記基板保持具載置部に設けられた第二のガス噴出口を介して前記第一の流速以上の流速で前記処理室へ噴出されつつ、前記処理室内で基板が処理される工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
（付記１０）
基板を処理する処理室と、
前記基板を保持する基板保持具と、
前記処理室に前記基板保持具を出し入れしつつ前記処理室を開閉する蓋体と、
少なくとも一部が金属で形成され前記基板保持具を載置する基板保持具載置部と、
前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられ前記基板保持具載置部を回転させる回転機構と、
前記蓋体との間に第一のガス噴出口を構成するように前記蓋体を貫通し前記基板保持具載置部及び前記回転機構に接続される回転軸と、
少なくとも前記回転機構及び前記回転軸とで囲われ構成され前記第一のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第一ガス溜り部と、
前記基板保持具載置部に設けられる第二のガス噴出口と、
少なくとも前記回転軸に設けられ前記第二のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第二ガス溜り部と、
前記回転軸に設けられ前記第一ガス溜り部と前記第二ガス溜り部とを連通させる流通口と、を有し、
前記第一ガス溜り部に供給されたガスのうちの一部のガスが、前記第一ガス溜り部から前記第一のガス噴出口を介して前記処理室へ第一の流速で噴出され、
前記第一ガス溜り部に供給されたガスのうちの少なくとも他部のガスが、前記第一ガス溜り部から前記流通口を介して前記第二ガス溜り部に供給され、該第二ガス溜り部から前記第二のガス噴出口を介して前記第一の流速以上の流速で前記処理室へ噴出されるように構成されている基板処理装置。
（付記１１）
前記回転軸と相対回転する前記基板保持具をロックするロック軸を有し、
前記第一ガス溜り部は前記回転軸及び前記ロック軸とで囲われ構成されており、
前記第二のガス噴出口は少なくとも前記基板保持具と前記ロック軸との間に形成されている付記１に記載の基板処理装置。
（付記１２）
少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部に基板を保持した基板保持具を載置し前記ロック軸が前記回転軸と相対回転することで前記基板保持具の転倒を抑制された状態で処理室に搬入され、蓋体で処理室が閉じられる工程と、
前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられる回転機構が前記蓋体との間で第一のガス噴出口を介して貫通して前記基板保持具載置部に接続される回転軸を回転させることで前記基板保持具が回転し、
少なくとも前記回転機構および前記回転軸とで囲われ構成された第一ガス溜り部にガスが供給されて、
前記第一ガス溜り部に供給されたガスのうちの一部のガスが前記第一ガス溜り部から前記第一のガス噴出口を介して前記処理室へ噴出され、
前記第一ガス溜り部に供給されたガスのうちの少なくとも他部のガスが前記第一ガス溜り部から前記回転軸と前記ロック軸との間に設けられた流通口および第二ガス溜り部と、少なくとも前記基板載置部と前記ロック軸との間に設けられる第二のガス噴出口とを有し、前記第二ガス溜り部の容積に対する前記第二のガス噴出口の容積の割合が前記第一ガス溜り部の容積に対する前記第一のガス噴出口および前記流通口の容積の割合と同等以上となる大きさで構成された前記回転軸の前記流通口を介して前記第二ガス溜り部に供給されて、該第二ガス溜り部から前記第二のガス噴出口を介して前記処理室へ噴出されつつ、前記処理室で基板が処理される工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
（付記１３）
基板を処理する処理室と、前記基板を保持する基板保持具と、前記処理室に前記基板保持具を出し入れしつつ前記処理室を開閉する蓋体と、前記基板保持具を載置する少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部と、前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられ前記基板保持具載置部を回転させる回転機構と、前記蓋体との間に第一のガス噴出口を構成するように前記蓋体を貫通し前記基板保持具載置部及び前記回転機構に接続される回転軸と、前記回転機構および前記蓋体、前記回転軸とで囲われ構成され前記第一のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第一ガス溜り部と、前記基板保持具載置部に設けられ第二のガス噴出口と、前記回転軸に設けられ前記第二のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第二ガス溜り部と、前記回転軸に設けられ前記第一ガス溜り部と前記第二のガス溜り部とを連通させる流通口とを有し、前記第二ガス溜り部及び前記第二のガス噴出口は、前記第二ガス溜り部の容積に対する前記第二のガス噴出口の容積の割合が前記第一ガス溜り部の容積に対する前記第一のガス噴出口および前記流通口の容積の割合と同等以上となる大きさで構成されている基板処理装置。
（付記１４）
前記回転軸と相対回転する前記基板保持具をロックするロック軸を有し、前記第一のガス溜り部は前記回転軸と前記ロック軸とで囲われ構成されており、前記第二のガス噴出口は少なくとも前記基板保持具と前記ロック軸との間で形成されている付記１の基板処理装置。
（付記１５）
少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部に基板を保持した基板保持具を載置した状態で処理室に搬入され、蓋体で処理室が閉じられる工程と、
前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられる回転機構が前記蓋体との間で第一のガス噴出口を介して貫通して前記基板保持具載置部に接続される回転軸を回転させることで前記基板保持具が回転し、前記回転機構および前記蓋体、前記回転軸とで囲われ構成された第一ガス溜り部にガスが供給されて、前記第一ガス溜り部に供給されたガスのうちの一部のガスが前記第一ガス溜り部から前記第一のガス噴出口を介して前記処理室へ噴出され、前記第一ガス溜り部に供給されたガスのうちの他部のガスが前記第一ガス溜り部から前記回転軸に設けられた流通口と第二ガス溜り部および前記基板載置部に設けられた第二のガス噴出口とを有し、前記第二のガス溜り部の容積に対する前記第二のガス噴出口の容積の割合が前記第一ガス溜り部の容積に対する前記第一のガス噴出口および前記流通口の容積の割合と同等以上となる大きさで構成された前記回転軸の前記流通口を介して前記第二ガス溜り部に供給されて、該第二ガス溜り部から前記第二のガス噴出口を介して前記処理室へ噴出されつつ、前記処理室内で基板が処理される工程と、を有する半導体装置の製造方法。
（付記１６）
少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部に基板を保持した基板保持具を載置し前記ロック軸が前記回転軸と相対回転することで前記基板保持具の転倒を抑制された状態で処理室に搬入され、蓋体で処理室が閉じられる工程と、
前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられる回転機構が前記蓋体との間で第一のガス噴出口を介して貫通して前記基板保持具載置部に接続される回転軸を回転させることで前記基板保持具が回転し、前記回転機構および前記蓋体、前記回転軸とで囲われ構成された第一ガス溜り部にガスが供給されて、
前記第一ガス溜り部に供給されたガスのうちの一部のガスが前記第一ガス溜り部から前記第一のガス噴出口を介して前記処理室へ噴出され、前記第一ガス溜り部に供給されたガスのうちの他部のガスが前記第一ガス溜り部から前記回転軸と前記ロック軸との間に設けられた流通口および第二ガス溜り部と、少なくとも前記基板載置部と前記ロック軸との間に設けられる第二のガス噴出口とを有し、前記第二ガス溜り部の容積に対する前記第二のガス噴出口の容積の割合が前記第一ガス溜り部の容積に対する前記第一のガス噴出口および前記流通口の容積の割合と同等以上となる大きさで構成された前記回転軸の前記流通口を介して前記第二ガス溜り部に供給されて、該第二ガス溜り部から前記第二のガス噴出口を介して前記処理室へ噴出されつつ、前記処理室で基板が処理される工程と、を有する半導体装置の製造方法。
（付記１７）
少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部に基板を保持した基板保持具を載置した状態で処理室に搬入され、蓋体で処理室が閉じられる工程と、
前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられる回転機構が前記蓋体との間で第一のガス噴出口を介して貫通して前記基板保持具載置部に接続される回転軸を回転させることで前記基板保持具が回転し、前記回転機構および前記蓋体、前記回転軸とで囲われ構成された第一ガス溜り部にガスが供給されて、前記第一ガス溜り部に供給されたガスのうちの一部のガスが前記第一ガス溜り部から前記第一のガス噴出口を介して前記処理室へ第一の流速で噴出され、前記第一ガス溜り部に供給されたガスのうちの他部のガスが前記第一ガス溜り部から前記回転軸に設けられた流通口を介して前記第二ガス溜り部に供給されて、該第二ガス溜り部から前記基板保持具載置部に設けられた第二のガス噴出口を介して前記第一の流速以上の流速で前記処理室へ噴出されつつ、前記処理室内で基板が処理される工程と、を有する半導体装置の製造方法。
３９ ボート載置台（基板保持具載置部）
７０ ガス供給部
７２ 第一ガス溜り部
７３ 流通口
７４ 第二ガス溜り部
７５ 第一の間隙（第一のガス噴出口）
７６ 第二の間隙（第二のガス噴出口）
２００ ウエハ（基板）
２０１ 処理室
２０２ 処理炉
２０３ アウターチューブ
２０６ ヒータ
２１７ ボート（基板保持具）
２１９ シールキャップ（蓋体）
２３５ ガス流量制御部
２５４ 回転機構
２５５ 回転軸

Claims (5)

  1. 基板を処理する処理室と、
    前記基板を保持する基板保持具と、
    前記処理室に前記基板保持具を出し入れしつつ前記処理室を開閉する蓋体と、
    前記基板保持具を載置する少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部と、
    前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられ前記基板保持具載置部を回転させる回転機構と、
    前記蓋体との間に第一のガス噴出口を構成するように前記蓋体を貫通し前記基板保持具載置部及び前記回転機構に接続される回転軸と、
    前記回転機構および前記蓋体、前記回転軸とで囲われ構成され前記第一のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第一ガス溜り部と、
    前記基板保持具載置部に設けられる第二のガス噴出口と、
    前記回転軸に設けられ前記第二のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第二ガス溜り部と、
    前記回転軸に設けられ前記第一ガス溜り部と前記第二ガス溜り部とを連通させる流通口と、を有し、
    前記第二ガス溜り部及び前記第二のガス噴出口は、前記第二ガス溜り部の容積に対する前記第二のガス噴出口の容積の割合が前記第一ガス溜り部の容積に対する前記第一のガス噴出口および前記流通口の容積の割合と同等以上となる大きさで構成されている
    基板処理装置。
  2. 基板を処理する処理室と、
    前記基板を保持する基板保持具と、
    前記処理室に前記基板保持具を出し入れしつつ前記処理室を開閉する蓋体と、
    前記基板保持具を載置する少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部と、
    前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられ前記基板保持具載置部を回転させる回転機構と、
    前記蓋体との間に第一のガス噴出口を構成するように前記蓋体を貫通し前記基板保持具載置部及び前記回転機構に接続される回転軸と、
    少なくとも前記回転機構及び前記回転軸とで囲われ構成され前記第一のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第一ガス溜り部と、
    前記基板保持具載置部に設けられる第二のガス噴出口と、
    少なくとも前記回転軸に設けられ前記第二のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第二ガス溜り部と、
    前記回転軸に設けられ前記第一ガス溜り部と前記第二ガス溜り部とを連通させる流通口と、を有し、
    前記第二ガス溜り部及び前記第二のガス噴出口は、前記第二ガス溜り部の容積に対する前記第二のガス噴出口の容積の割合が前記第一ガス溜り部の容積に対する前記第一のガス噴出口および前記流通口の容積の割合と同等以上となる大きさで構成されている
    基板処理装置。
  3. 基板を処理する処理室と、
    前記基板を保持する基板保持具と、
    前記処理室に前記基板保持具を出し入れしつつ前記処理室を開閉する蓋体と、
    前記基板保持具を載置する少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部と、
    前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられ前記基板保持具載置部を回転させる回転機構と、
    前記回転機構にガスを供給するガス供給部と、
    前記蓋体を貫通し前記基板保持具載置部及び前記回転機構に接続される回転軸と、
    前記蓋体と前記回転軸との間に設けられ、前記ガス供給部から供給されたガスを前記処理室内に供給する第一のガス噴出口と、
    前記基板保持部が載置された状態で前記基板保持具載置部と前記基板保持具との間に設けられ、前記ガス供給部から供給されたガスを前記処理室内に供給する第二のガス噴出口と、
    前記ガス供給部から供給されたガスを前記第一のガス噴出口から一定期間当り第一量で噴出させるとともに、前記第二のガス噴出口から一定期間当り第一量と同等以上の第二量で噴出させるよう調整するガス調整部と、を有する
    基板処理装置。
  4. 少なくとも一部が金属で形成され第二のガス噴出口が設けられる基板保持具載置部上に基板を保持した基板保持具を載置し、前記基板保持具を処理室内に搬入し、前記処理室を蓋体で閉じる工程と、
    前記蓋体との間で第一のガス噴出口を構成するように前記蓋体を貫通し、前記第二のガス噴出口を介して前記処理室と連通する第二ガス溜り部、及び流通口が設けられ、前記基板保持具載置部に接続される回転軸を、前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられる回転機構により回転させることで、前記基板保持具を回転させ、
    少なくとも前記回転機構及び前記回転軸とで囲われ構成され、前記第一のガス噴出口を介して前記処理室と連通すると共に、前記流通口を介して前記第二ガス溜り部に連通する第一ガス溜り部であって、前記第二ガス溜り部の容積に対する前記第二のガス噴出口の容積の割合が、前記第一ガス溜り部の容積に対する前記第一のガス噴出口および前記流通口の容積の割合と同等以上となるように構成された前記第一ガス溜り部内にガスを供給し、
    前記第一ガス溜り部内に供給したガスのうちの一部のガスを、前記第一ガス溜り部内から前記第一のガス噴出口を介して前記処理室内へ噴出させ、
    前記第一ガス溜り部内に供給したガスのうちの少なくとも他部のガスを、前記第一ガス溜り部内から、前記流通口、前記第二ガス溜り部内、及び前記第一のガス噴出口を介して前記処理室内へ噴出させ、前記処理室内で基板を処理する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
  5. 少なくとも一部が金属で形成される基板保持具載置部上に基板を保持した基板保持具を載置し、前記基板保持具を処理室内に搬入し、前記処理室を蓋体で閉じる工程と、
    前記蓋体との間で第一のガス噴出口を構成するように前記蓋体を貫通し前記基板保持具載置部に接続される回転軸を、前記蓋体の前記処理室側と反対側に設けられる回転機構により回転させることで、前記基板保持具を回転させ、
    前記回転機構に供給したガスのうちの一部のガスを、前記第一のガス噴出口を介して前記処理室内へ一定期間当り第一量で噴出させ、
    前記回転機構に供給されたガスのうちの少なくとも他部のガスを、前記基板保持具載置部に設けられる第二のガス噴出口から、前記一定期間当り前記第一量と同等以上の第二量で前記処理室内へ噴出させ、前記処理室内で基板が処理する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
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