TWI478262B - 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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TWI478262B
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Description

基板處理裝置及半導體裝置之製造方法
本發明係有關於一種基板處理裝置及半導體裝置之製造方法，該裝置對矽晶圓等之基板進行薄膜的產生、氧化處理、雜質的擴散、退火處理、CVD處理以及蝕刻等的處理，以製造半導體裝置。
基板處理裝置有將既定片數的基板同時進行處理之成批式基板處理裝置。在該成批式基板處理裝置中，由基板保持具保持既定片數的基板，並將該基板保持具搬入處理爐內，再於基板已加熱狀態下，將處理氣體引入處理爐內，進行所要之處理。
進行成批式處理的處理爐有專利文獻1所示者。
基板保持具(晶舟)被載置於氣密地封閉爐口部的爐口蓋(密封蓋)上。利用昇降手段(晶舟昇降器)使該密封蓋上昇，藉此，將該晶舟裝入該處理爐內。又，成為利用晶舟旋轉機構使晶舟旋轉之構造，以在處理中使處理品質變成均勻。
在上述處理爐中，晶舟只是被載置於該密封蓋上。因而，在因地震等而橫向負荷作用於該晶舟的情況下，有可能該晶舟翻倒。尤其，在晶舟拆裝時或已從處理爐拉出晶舟之狀態下，翻倒成為大的事故，並成為使基板處理裝置長時間停止之狀態等，對運轉時間影響大。
因而，有一種基板處理裝置，其將晶舟機械式地限制於密封蓋上，以防止晶舟翻倒。在該基板處理裝置的處理爐中，作為構成晶舟之固定部分、固定手段的材料，由於機械強度的關係，而使用金屬材料。而且，由金屬材料所構成之固定部分、固定手段和晶舟一起被裝入處理爐內。
在進行基板處理，例如在成膜處理使用腐蝕性氣體(例如含有Cl的氣體)，或使用腐蝕性氣體進行蝕刻處理等情況下，固定部分、固定手段被腐蝕性氣體腐蝕，而可能成為基板的污染原因。
以往，以石英製的構件覆蓋金屬部分，以使金屬部分不會在爐內直接露出。可是，腐蝕性氣體侵入狹窄的間隙，還是產生金屬腐蝕。
[專利文獻]
[專利文獻1]特開平6-168904號公報
本發明係鑑於上述之實情，而在基板處理裝置中，抑制基板保持具載置部周邊之金屬部分的腐蝕，並抑制基板的污染，以使處理品質提高或使良率提高。
本發明之一形態係一種基板處理裝置，其具有：處理基板的處理室；保持該基板的基板保持具；蓋體，係一面使該基板保持具出入該處理室一面開閉該處理室；基板保持具載置部，係載置該基板保持具之至少一部分由金屬所形成；旋轉機構，係設置於該蓋體之該處理室側的相反側，並使該基板保持具載置部旋轉；轉軸，係貫穿該蓋體，在和該蓋體之間構成第一氣體噴出口，並和該基板保持具載置部及該旋轉機構連接；第一氣體滯留部，係由該旋轉機構、該蓋體以及該轉軸所包圍而構成，並經由該第一氣體噴出口而和該處理室連通；設置於該基板保持具載置部的第二氣體噴出口；第二氣體滯留部，係設置於該轉軸，並經由該第二氣體噴出口而和該處理室連通；以及流通口，係設置於該轉軸，並使該第一氣體滯留部和該第二氣體滯留部連通；該第二氣體滯留部及該第二氣體噴出口以該第二氣體噴出口的容積對該第二氣體滯留部之容積的比例成為和該第一氣體噴出口及該流通口的容積對該第一氣體滯留部之容積的比例同等以上的大小構成。
又，本發明之其他的形態是一種基板處理裝置，其具有：處理基板的處理室；保持該基板的基板保持具；蓋體，係一面使該基板保持具出入該處理室一面開閉該處理室；基板保持具載置部，係載置該基板保持具之至少一部分由金屬所形成；旋轉機構，係設置於該蓋體之該處理室側的相反側，並使該基板保持具載置部旋轉；轉軸，係貫穿該蓋體，在和該蓋體之間構成第一氣體噴出口，並和該基板保持具載置部及該旋轉機構連接；第一氣體滯留部，係至少由該旋轉機構及該轉軸所包圍而構成，並經由該第一氣體噴出口而和該處理室連通；設置於該基板保持具載置部的第二氣體噴出口；第二氣體滯留部，係至少設置於該轉軸，並經由該第二氣體噴出口而和該處理室連通；以及流通口，係設置於該轉軸，並使該第一氣體滯留部和該第二氣體滯留部連通；該第二氣體滯留部及該第二氣體噴出口以該第二氣體噴出口的容積對該第二氣體滯留部之容積的比例成為和該第一氣體噴出口及該流通口的容積對該第一氣體滯留部之容積的比例同等以上的大小構成。
又，本發明之另外的形態是一種基板處理裝置，其具有：處理基板的處理室；保持該基板的基板保持具；蓋體，係一面使該基板保持具出入該處理室一面開閉該處理室；基板保持具載置部，係載置該基板保持具之至少一部分由金屬所形成；旋轉機構，係設置於該蓋體之該處理室側的相反側，並使該基板保持具載置部旋轉；對該旋轉機構供給氣體的氣體供給部；轉軸，係貫穿該蓋體，並和該基板保持具載置部及該旋轉機構連接；第一氣體噴出口，係設置於該蓋體和該轉軸之間，並對該處理室內供給由該氣體供給部所供給的氣體；第二氣體噴出口，係在載置有該基板保持部之狀態設置於該基板保持具載置部和該基板保持具之間，並對該處理室內供給由該氣體供給部所供給的氣體；以及氣體調整部，係調整成使由該氣體供給部所供給的氣體在固定期間以第一量從該第一氣體噴出口噴出，同時在固定期間以和第一量同等以上的第二量使從該第二氣體噴出口噴出。
又，本發明之另外的形態是一種半導體裝置之製造方法，其具有：關閉步驟，係將保持有基板之基板保持具載置於至少一部分由金屬所形成並設置第二氣體噴出口的基板保持具載置部上，將該基板保持具搬入處理室內，並以蓋體關閉該處理室；及處理步驟，係貫穿該蓋體，在和該蓋體之間構成第一氣體噴出口，並設置經由該第二氣體噴出口而和該處理室連通的第二氣體滯留部及流通口，利用設置於該蓋體之該處理室側的相反側之旋轉機構使和該基板保持具載置部連接的轉軸旋轉，藉此，使該基板保持具旋轉，將氣體供給該第一氣體滯留部內，其至少由該旋轉機構及該轉軸所包圍而構成，並經由該第一氣體噴出口而和該處理室連通，同時經由該流通口和該第二氣體滯留部連通的第一氣體滯留部，並構成為該第二氣體噴出口的容積對該第二氣體滯留部之容積的比例成為和該第一氣體噴出口及該流通口的容積對該第一氣體滯留部之容積的比例同等以上，使供入該第一氣體滯留部內的氣體中之一部分的氣體從該第一氣體滯留部內，經由該第一氣體噴出口，向該處理室內噴出，並使供入該第一氣體滯留部內的氣體中之至少其他的部分的氣體從該第一氣體滯留部內，經由該流通口、該第二氣體滯留部內以及該第二氣體噴出口，向該處理室內噴出，並在該處理室處理基板。
又，本發明之另外的形態是一種半導體裝置之製造方法，其具有：關閉步驟，係將保持有基板之基板保持具載置於至少一部分由金屬所形成的基板保持具載置部上，將該基板保持具搬入處理室內，並以蓋體關閉該處理室；及處理步驟，係貫穿該蓋體，使在和該蓋體之間構成第一氣體噴出口，利用設置於該蓋體之該處理室側的相反側之旋轉機構使和該基板保持具載置部連接的轉軸旋轉，藉此，使該基板保持具旋轉，使供給該旋轉機構的氣體中之一部分的氣體在固定期間以第一量經由該第一氣體噴出口而對該處理室噴出，並使供給該旋轉機構的氣體中之至少其他的部分的氣體在固定期間以和第一量同等以上的第二量從設置於該基板保持具載置部的第二氣體噴出口噴出，並在該處理室內處理基板。
依據本發明之一形態，因為具有：處理基板的處理室；保持該基板的基板保持具；蓋體，係一面使該基板保持具出入該處理室一面開閉該處理室；基板保持具載置部，係載置該基板保持具之至少一部分由金屬所形成；旋轉機構，係設置於該蓋體之該處理室側的相反側，並使該基板保持具載置部旋轉；轉軸，係貫穿該蓋體，在和該蓋體之間構成第一氣體噴出口，並和該基板保持具載置部及該旋轉機構連接；第一氣體滯留部，係由該旋轉機構、該蓋體以及該轉軸所包圍而構成，並經由該第一氣體噴出口而和該處理室連通；設置於該基板保持具載置部的第二氣體噴出口；第二氣體滯留部，係設置於該轉軸，並經由該第二氣體噴出口而和該處理室連通；以及流通口，係設置於該轉軸，並使該第一氣體滯留部和該第二氣體滯留部連通；該第二氣體滯留部及該第二氣體噴出口以該第二氣體噴出口的容積對該第二氣體滯留部之容積的比例成為和該第一氣體噴出口及該流通口的容積對該第一氣體滯留部之容積的比例同等以上的大小構成，所以抑制金屬之表面的腐蝕，同時抑制基板的污染，而處理品質、良率提高。
依據本發明之其他的形態，因為具有：處理基板的處理室；保持該基板的基板保持具；蓋體，係一面使該基板保持具出入該處理室一面開閉該處理室；基板保持具載置部，係載置該基板保持具之至少一部分由金屬所形成；旋轉機構，係設置於該蓋體之該處理室側的相反側，並使該基板保持具載置部旋轉；轉軸，係貫穿該蓋體，在和該蓋體之間構成第一氣體噴出口，並和該基板保持具載置部及該旋轉機構連接；第一氣體滯留部，係至少由該旋轉機構及該轉軸所包圍而構成，並經由該第一氣體噴出口而和該處理室連通；設置於該基板保持具載置部的第二氣體噴出口；第二氣體滯留部，係至少設置於該轉軸，並經由該第二氣體噴出口而和該處理室連通；以及流通口，係設置於該轉軸，並使該第一氣體滯留部和該第二氣體滯留部連通；該第二氣體滯留部及該第二氣體噴出口以該第二氣體噴出口的容積對該第二氣體滯留部之容積的比例成為和該第一氣體噴出口及該流通口的容積對該第一氣體滯留部之容積的比例同等以上的大小構成，所以抑制金屬之表面的腐蝕，同時抑制基板的污染，而處理品質、良率提高。
又，依據本發明之另外的形態，因為具有：處理基板的處理室；保持該基板的基板保持具；蓋體，係一面使該基板保持具出入該處理室一面開閉該處理室；基板保持具載置部，係載置該基板保持具之至少一部分由金屬所形成；旋轉機構，係設置於該蓋體之該處理室側的相反側，並使該基板保持具載置部旋轉；對該旋轉機構供給氣體的氣體供給部；轉軸，係貫穿該蓋體，並和該基板保持具載置部及該旋轉機構連接；第一氣體噴出口，係設置於該蓋體和該轉軸之間，並對該處理室內供給由該氣體供給部所供給的氣體；第二氣體噴出口，係在載置有該基板保持部之狀態設置於該基板保持具載置部和該基板保持具之間，並對該處理室內供給由該氣體供給部所供給的氣體；以及氣體調整部，係調整成使由該氣體供給部所供給的氣體在固定期間以第一量從該第一氣體噴出口噴出，同時在固定期間以和第一量同等以上的第二量使從該第二氣體噴出口噴出，所以抑制金屬之表面的腐蝕，同時抑制基板的污染，而處理品質、良率提高。
又，依據本發明之另外的形態，因為具有：關閉步驟，係將保持有基板之基板保持具載置於至少一部分由金屬所形成並設置第二氣體噴出口的基板保持具載置部上，將該基板保持具搬入處理室內，並以蓋體關閉該處理室；及處理步驟，係貫穿該蓋體，在和該蓋體之間構成第一氣體噴出口，並設置經由該第二氣體噴出口而和該處理室連通的第二氣體滯留部及流通口，利用設置於該蓋體之該處理室側的相反側之旋轉機構使和該基板保持具載置部連接的轉軸旋轉，藉此，使該基板保持具旋轉，將氣體供給該第一氣體滯留部內，其至少由該旋轉機構及該轉軸所包圍而構成，並經由該第一氣體噴出口而和該處理室連通，同時經由該流通口和該第二氣體滯留部連通的第一氣體滯留部，並構成為該第二氣體噴出口的容積對該第二氣體滯留部之容積的比例成為和該第一氣體噴出口及該流通口的容積對該第一氣體滯留部之容積的比例同等以上，使供入該第一氣體滯留部內的氣體中之一部分的氣體從該第一氣體滯留部內，經由該第一氣體噴出口，向該處理室內噴出，並使供入該第一氣體滯留部內的氣體中之至少其他的部分的氣體從該第一氣體滯留部內，經由該流通口、該第二氣體滯留部內以及該第二氣體噴出口，向該處理室內噴出，並在該處理室處理基板，所以發揮抑制金屬之表面的腐蝕同時抑制基板的污染、處理品質、良率提高等之優異的效果。又，依據本發明之另外的形態，因為具有：關閉步驟，係將保持有基板之基板保持具載置於至少一部分由金屬所形成的基板保持具載置部上，將該基板保持具搬入處理室內，並以蓋體關閉該處理室；及處理步驟，係貫穿該蓋體，使在和該蓋體之間構成第一氣體噴出口，利用設置於該蓋體之該處理室側的相反側之旋轉機構使和該基板保持具載置部連接的轉軸旋轉，藉此，旋轉該基板保持具，使供給該旋轉機構的氣體中之一部分的氣體在固定期間以第一量經由該第一氣體噴出口而對該處理室噴出，並使供給該旋轉機構的氣體中之至少其他的部分的氣體在固定期間以和第一量同等以上的第二量從設置於該基板保持具載置部的第二氣體噴出口噴出，並在該處理室內處理基板，所以發揮抑制金屬之表面的腐蝕同時抑制基板的污染、處理品質、良率提高等之優異的效果。
以下，一面參照圖面一面說明本發明之實施形態。
<第1實施形態>
(1)基板處理裝置之構成
首先，在第1圖中，說明適合在本發明之第1實施形態使用之處理爐的一例。
第1圖係適合在第1實施形態使用之基板處理裝置之處理爐202的示意構成圖，並以縱剖面圖表示。
如第1圖所示，處理爐202具有作為加熱機構的加熱器206。加熱器206是圓筒形，藉由被作為保持板的加熱器底座251支持，而垂直地安裝。
在加熱器206的內側，和加熱器206成同心圓地配設作為反應管的處理管203。處理管203由作為內部反應管的內管204和設置於其外側之作為外部反應管的外管205所構成。內管204例如由石英(SiO2)或碳化矽(SiC)等的耐熱性材料所構成，並形成為上端及下端開口的圓筒形。在內管204的筒中空部，形成處理室201。處理室201構成為可利用後述之晶舟217以水平姿勢，在垂直方向，成多段地整列之狀態，將作為基板的晶圓200收容。外管205例如由石英或碳化矽等的耐熱性材料所構成，形成為內徑比內管204的外徑更大，上端封閉而下端開口的圓筒形。外管205設置成和內管204成同心圓形。
在外管205的下方，和外管205成同心圓形地配設歧管209。歧管209例如由不銹鋼等所構成，並形成為上端及下端開口的圓筒形。歧管209分別和內管204及外管205卡合，並設置成支持這些管。此外，在歧管209和外管205之間設置作為密封構件的O環220a。藉由歧管209由加熱器底座251支持，處理管203成為被垂直地安裝之狀態。由處理管203和歧管209形成反應容器。
在後述的密封蓋219中，將作為氣體引入部的噴嘴230連接成和處理室201內連通。將氣體供給管232和噴嘴230連接。在氣體供給管232之和噴嘴230的連接側之相反側的上游側，經由作為氣體流量控制器的MFC(質量流量控制器)241而連接未圖示的處理氣體供給源或惰性氣體供給源。在MFC241中，以電氣連接作為氣體調整部的氣體流量控制部235。氣體流量控制部235構成為在所要之時序控制，以使供給處理室201內之氣體的流量成為所要的量。
在歧管209中設置用以排出處理室201內之空氣的排氣管231。排氣管231配置於由內管204和外管205的間隙所形成之筒狀空間250的下端部，並和筒狀空間250連通。在排氣管231之和歧管209的連接側之相反側的下游側，經由作為壓力檢測器的壓力感測器245及壓力調整裝置242而連接真空泵等的真空排氣裝置246。真空排氣裝置246構成為進行真空排氣，以使處理室201內的壓力變成既定之壓力(真空度)。在壓力調整裝置242及壓力感測器245，以電氣連接壓力控制部236。壓力控制部236構成為根據壓力感測器245所檢測之壓力而利用壓力調整裝置242在所要之時序控制，以使處理室201內的壓力成為所要之壓力。
在歧管209的下方設置可氣密地封閉歧管209之下端開口之作為蓋體的密封蓋219。密封蓋219可從垂直方向下側和歧管209的下端抵接。密封蓋219例如由不銹鋼等金屬所構成，並形成圓盤形。在密封蓋219的上面設置作為和歧管209之下端抵接之密封構件的O環220b。在密封蓋219之和處理室201相反側設置使晶舟旋轉的旋轉機構254。旋轉機構254的轉軸255貫穿密封蓋219，並和後述的晶舟217連接。旋轉機構254構成為藉由使晶舟217轉動而使晶圓200轉動。密封蓋219構成為利用作為垂直地設置於處理管203外部的昇降機構的晶舟昇降器115在垂直方向進行昇降。因而，可將晶舟217搬入、搬出處理室201。在旋轉機構254及晶舟昇降器115，以電氣連接驅動控制部237。驅動控制部237構成為在所要之時序控制，以使旋轉機構254及晶舟昇降器115進行所要的動作。
作為基板保持具的晶舟217例如由石英或碳化矽等耐熱性材料所構成，並構成為使複數片晶圓200在以水平姿勢且彼此中心對齊之狀態下進行整列並多段地保持。此外，在晶舟217的下部，將複數片例如由石英或碳化矽等耐熱性材料所構成之作成圓板形之作為隔熱構件的隔熱板216以水平姿勢配置成多段，並構成為將來自加熱器206的熱難傳至歧管209側。
在處理管203內，設置作為溫度檢測器的溫度感測器263。在加熱器206和溫度感測器263，以電氣連接溫度控制部238。溫度控制部238構成為藉由根據由溫度感測器263所檢測之溫度資訊來調整對加熱器206的通電程度，而在所要之時序將處理室201內的溫度控制成所要之溫度分布。
氣體流量控制部235、壓力控制部236、驅動控制部237以及溫度控制部238和控制基板處理裝置整體之主控制部239以電氣連接。主控制部239亦構成操作部、輸出入部。這些氣體流量控制部235、壓力控制部236、驅動控制部237、溫度控制部238以及主控制部239以控制器單元240構成。
(2)基板處理步驟
其次，說明使用上述之構成的處理爐202，作為半導體組件之製程中的一步驟，利用CVD法將薄膜形成於晶圓200上的方法。此外，在以下的說明中，由控制器單元240控制構成基板處理裝置之各部的動作。
複數片晶圓200被裝填(wafer charge)於晶舟217時，如第1圖所示，保持複數片晶圓200的晶舟217由晶舟昇降器115抬起並搬入(boat loading)處理室201內。在此狀態下，密封蓋219成為經由O環220b而將歧管209的下端密封之狀態。
利用真空排氣裝置246進行真空排氣，以使處理室201內變成所要之壓力(真空度)。此時，以壓力感測器245測量處理室201內的壓力，並根據所測量的壓力而對壓力調整裝置242進行回授控制。又，利用加熱器206加熱，以使處理室201內變成所要之溫度。此時，根據溫度感測器263所檢測的溫度資訊，對加熱器206的通電程度進行回授控制，以使處理室201內變成所要之溫度分布。接著，藉由利用旋轉機構254轉動晶舟217，而晶圓200進行轉動。
接著，從處理氣體供給源所供給並以MFC241控制成所要之流量的氣體在氣體供給管232流通，並從噴嘴230被引入處理室201內。所引入的氣體在處理室201內上昇，並從內管204的上端開口流至筒狀空間250，再從排氣管231排出。氣體在處理室201內通過時，和晶圓200的表面接觸。此時，利用熱CVD反應，將薄膜堆積(deposition)於晶圓200的表面上。
經過所預設之處理時間時，從惰性氣體供給源供給惰性氣體。然後，將處理室201內置換成惰性氣體，同時處理室201內的壓力回到常壓。
然後，利用晶舟昇降器115使密封蓋219下降，而打開歧管209的下端。接著，已處理晶圓200在由晶舟217保持之狀態下，從歧管209的下端被搬出(boat unloading)至外管203的外部。然後，自晶舟217取出(wafer discharge)已處理晶圓200。
此外，舉例說明在本實施形態的處理爐202處理晶圓200時的處理條件。例如，在Si3N4膜的成膜，舉例表示將處理溫度設為750~800℃、將處理壓力設為10~200Pa，使用二氯甲矽烷(DCS)氣體和氨(NH3)氣體作為供給處理室201內的氣體。藉由以個別範圍內的某值將各個處理條件保持於定值，對晶圓進行處理。
此外，作為處理晶圓200之前階段之處理室201內的洗淨步驟，亦可設置作為供給處理室201內的氣體，使用HCl氣體或二氯乙烯氣體的步驟。
(3)晶舟載置部周邊之構造
其次，根據第2圖進一步說明晶舟載置部12周邊之構造。
在密封蓋219的下側設置具備有晶舟鎖住機構並主要由金屬所構成之旋轉機構254。
旋轉機構254具備有設置於密封蓋219下面之金屬製馬達座34。主要由金屬製成的減速器35安裝於馬達座34的下面。貫穿減速器35、馬達座34之金屬製之中空的外轉軸36經由軸承37構成為自由轉動。
貫穿密封蓋219的轉軸255設置於外轉軸36的上端。作為至少一部分由金屬所形成之基板保持具載置部之金屬製晶舟載置台39設置於轉軸255的上端。於晶舟載置台39的上面，在放射狀3方向設置槽41，同時配置定位銷42。構成為藉由將定位銷42各自配置於設置於晶舟底板24的下面之圓周三等分位置的孔，而將晶舟217對晶舟載置台39進行定位。又，如後述所示將鎖孔40設置於晶舟底板24的底面。
蝸輪43設置於外轉軸36的軸承37、37之間。蝸桿(蝸齒桿)44和蝸輪43嚙合。蝸桿44設置於未圖示之晶舟旋轉馬達(未圖示)的輸出軸45。檢測外轉軸36之旋轉位置的旋轉檢測器(未圖示)設置於蝸桿44。利用此旋轉檢測器，檢外轉軸36對密封蓋219的旋轉位置。又，此旋轉檢測器構成為可檢測外轉軸36，即晶舟載置台39的基準位置。
金屬製的轉軸255形成為中空。和外轉軸36及轉軸255各自形成為同軸形之金屬製晶舟鎖軸46設置於外轉軸36、轉軸255的中空處。此晶舟鎖軸46構成為經由軸承47對外轉軸36自由轉動。晶舟鎖軸46自晶舟載置台39突出。在晶舟鎖軸46的突出端，作為鎖構件，固接矩形之金屬製的鎖板50。晶舟鎖軸46的下端部的一部分被切除，而成半圓柱形，在晶舟鎖軸46的下端部形成平坦面48。平坦面48自減速器35的下面向下方突出。
屬於扭轉線圈彈簧的鎖彈簧49外嵌於晶舟鎖軸46的下端部。將鎖彈簧49的一端向中心側彎曲，並和平坦面48卡合，另一端在切線方向延伸，並和外轉軸36卡合。雖未特別圖示，將止動器機械式地設置於晶舟鎖軸46和外轉軸36之間。賦與鎖彈簧49起始彎曲，以使晶舟鎖軸46和外轉軸36確實地抵接。
在減速器35的下面，經由滑動軸承51，將鎖桿52設置成在和晶舟鎖軸46的軸心垂直的方向自由滑動。鎖桿52的前端可和平坦面48抵接。鎖桿52的基端和缸、電磁閥等屬於線性驅動器的鎖致動器53連結。
而，利用鎖致動器53使鎖桿52進退時，鎖桿52的前端和平坦面48抵接或離開。在鎖桿52和平坦面48抵接之狀態下，限制晶舟鎖軸46的旋轉。
主要由鎖板50、晶舟鎖軸46、鎖彈簧49、鎖桿52以及鎖致動器53等構成晶舟鎖機構。
此外，作為限制晶舟鎖軸46之旋轉的方法，未限定為上述的形態，例如，亦可作成將在水平方向延伸的銷設置於晶舟鎖軸46的下端，並使卡合構件對該銷的旋轉面出入。
可和鎖板50卡合、脫離的鎖孔40形成於晶舟底板24。
鎖孔40具備有成圓板形地形成於晶舟底板24之內部的袋孔54。袋孔54利用鍵孔55而形成開口。鍵孔55為由和半徑與袋孔54相同的2個圓弧相對向之平行直線所形成之大致矩形。鍵孔55成為和鎖板50相似的形狀。
而，鎖板50通過鍵孔55並插入袋孔54，藉由晶舟鎖軸46對晶舟底板24相對旋轉，而鎖板50和鍵孔55卡合。而且鎖住，以免晶舟載置台39和晶舟底板24分開，即217不會翻倒。
如上述所示，藉由孔和定位銷42的嵌合，而決定晶舟217對晶舟載置台39之旋轉方向的位置。又，在鎖桿52和平坦面48未抵接之狀態下，晶舟鎖軸46利用鎖彈簧49的起始彈力及晶舟鎖軸46和外轉軸36間的止動器來決定晶舟鎖軸46和晶舟載置台39之旋轉方向的位置。
而，於鎖桿52和晶舟鎖軸46未卡合狀態下，在載置於晶舟載置台39之晶舟217的晶舟底板24所形成之鍵孔55的方向和鎖板50的方向成為相差90°的方向。
對第一氣體滯留部72供給氣體的氣體供給部70設置於馬達座34。在氣體供給部70之和第一氣體滯留部72連通側的相反側之上游側的氣體供給管線，經由作為氣體流量控制器的MFC(物質流量控制器)71，和氣體流量控制部235電氣連接。氣體流量控制部235構成為在所要之時序將由該氣體供給部70所供給之氣體的流量控制成所要的量。
作為第一氣體噴出口的第一間隙75設置於密封蓋219和轉軸255之間。即，轉軸255貫穿孔密封蓋219，以在和密封蓋219之間構成第一間隙75，並和晶舟載置台39及旋轉機構254連接(外轉軸36)。此第一間隙75的外徑，即形成於密封蓋219之貫穿孔的直徑構成為比馬達座34的內徑更小。
第一氣體滯留部72至少由旋轉機構254及密封蓋219、轉軸255所包圍而構成。即，第一氣體滯留部72作為至少由馬達座34、外轉軸36以及密封蓋219、轉軸255所包圍的空間來構成。第一氣體滯留部72作為將氣體供給部70、第一間隙75以及後述之流通口73以及之位置密閉的空間來構成。又，第一氣體滯留部72利用第一間隙75一面縮小氣體流路，一面和處理室201連通。
作為第二氣體噴出口的第二間隙76設置於晶舟載置台39。第二間隙76作為至少由晶舟載置台39和晶舟鎖軸46所包圍的空間來構成。第二間隙76的外徑，即形成於晶舟載置台39之貫穿孔的直徑構成為比轉軸255的內徑更小。
第二氣體滯留部74設置於轉軸255。第二氣體滯留部74作為至少由外轉軸36、轉軸255、晶舟載置台39以及晶舟鎖軸46所包圍的空間來構成。第二氣體滯留部74作為將流通口73及第二間隙76以外之位置密閉的空間來構成。又，第二氣體滯留部74利用第二間隙76一面縮小氣體流路，一面和處理室201連通。
流通口73設置於轉軸255的側壁。流通口73構成為將第一氣體滯留部72和第二氣體滯留部74連通。流通口73各自設置於對轉軸255之側部在圓周方向均勻地三等分的位置。因而，構成為即使在轉軸255旋轉之狀態下，氣體亦易從第一氣體滯留部72內經由流通口73而向第二氣體滯留部74內流通。
構成為第一氣體滯留部72的容積比第二氣體滯留部74的容積更大。又，第一間隙75的容積和第二間隙76的容積以相同的大小構成。
(4)本實施形態之效果
在此，基板處理所使用之處理氣體或為了將處理室201內洗淨而使用之例如蝕刻氣體或清潔氣體之腐蝕性高的處理氣體，經由第一間隙75而繞入旋轉機構254，或經由第二間隙76而繞入轉軸255內時，會使旋轉機構254或轉軸255內腐蝕，或因處理氣體的反應所產生之反應副產生物附著於旋轉機構254或轉軸255內，而妨礙旋轉功能。
因此，在本實施形態中，第一氣體滯留部72形成於可噴出沖洗氣體之第一間隙75的上游側，同時第二氣體滯留部74形成於可噴出沖洗氣體之第二間隙76的上游側。
供給第一氣體滯留部72內之沖洗氣體一度滯留於第一氣體滯留部72內，而使第一氣體滯留部72內的壓力上昇。因而，在作為第一氣體噴出口的第一間隙75全周可消除壓力差，而可在第一間隙75全周確保均勻的流速，而且可使從第一間隙75所噴出之沖洗氣體的流速變大。
另一方面，供給第二氣體滯留部74內之沖洗氣體一度滯留於第二氣體滯留部74內，而使第二氣體滯留部74內的壓力上昇。因而，在作為第二氣體噴出口的第二間隙76全周可消除壓力差，而可在第二間隙76全周確保均勻的流速，而且可使從第二間隙76所噴出之沖洗氣體的流速變大。
因而，可抑制腐蝕性高的處理氣體經由第一間隙75而繞入旋轉機構254，或經由第二間隙76而繞入轉軸255。而且，抑制旋轉機構254或轉軸255內、晶舟鎖軸46的腐蝕，並抑制因處理氣體的反應等所產生之反應副產生物對旋轉機構254或轉軸255內、晶舟鎖軸46的附著，而可確保旋轉功能。即，金屬的表面由沖洗氣體覆蓋，而抑制金屬的腐蝕，同時抑制金屬成分的飛散。此外，抑制附著於旋轉機構254或轉軸255內、晶舟鎖軸46的反應副產生物隨著旋轉機構254或轉軸255內、晶舟鎖軸46的動作而飛散並成為微粒。而且，抑制基板的污染，而處理品質、良率提高。
又，在本實施形態中，構成為第一氣體滯留部72的容積比第二氣體滯留部74的容積更大。因而，可使沖洗氣體易從第一氣體滯留部72向流通口73流通。
此外，最好第一間隙75及第二間隙76以無礙於轉軸255或晶舟鎖軸46之旋轉動作的位準使流路截面積儘量小。因而，可使從第一間隙75及第二間隙76向處理室201內噴出之沖洗氣體的流速變成更大。
在本實施形態中，作成至少在晶舟217被裝入處理室201內並處理基板之狀態下，自氣體供給管70供給沖洗氣體。此外，本發明未限定為這種形態，亦可自氣體供給管70一直供給沖洗氣體。但是，只在構成晶舟載置台39、轉軸255等之金屬的一部分在處理室201內露出，並對這種處理室201內供給腐蝕性氣體的情況，或腐蝕性氣體殘留於這種處理室201內的情況，自氣體供給管70供給沖洗氣體時，可避免浪費沖洗氣體。
沖洗氣體經由氣體供給管70而流入第一氣體滯留部72內。然後，一部分的沖洗氣體從第一間隙75流入處理室201內。其他沖洗氣體從流通口73流入第二氣體滯留部74內。流入第二氣體滯留部74內的沖洗氣體經由第二間隙76而到達鎖孔40的周邊，再經由槽41而向處理室201內流出。
即，沖洗氣體流入第一氣體滯留部72內，第一氣體滯留部72內所流入之沖洗氣體中之一部分的沖洗氣體從第一間隙75流入處理室201內，而第一氣體滯留部72內所流入之沖洗氣體中之其他部分的沖洗氣體從流通口73流入第二氣體滯留部74內，經由第二間隙76而到達鎖孔40的周邊，再經由槽41而向處理室201內流出。因而，屬於金屬材料之轉軸255的表面、晶舟鎖軸46的表面、晶舟載置台39等的表面被沖洗氣體覆蓋。因此，可抑制這些表面和處理氣體接觸，即使處理氣體使用腐蝕性氣體，亦可抑制轉軸255內的表面、晶舟鎖軸46的表面、晶舟載置台39等之表面的腐蝕。又，可抑制反應副產生物對轉軸255內的表面、晶舟鎖軸46的表面、旋轉機構254內的附著，而可確保旋轉功能。
又，將沖洗氣體從氣體滯留部74內經由第二間隙76而引入鎖孔40周邊，然後，通過氣體流路遠小於鎖孔40周邊的槽41，並向處理室201內流出。因而，即使在鎖孔40周邊，沖洗氣體亦滯留、充滿。因此，可抑制鎖孔40周邊及鎖板50的表面和處理氣體接觸，即使處理氣體使用腐蝕性的氣體，亦可抑制鎖孔40周邊及鎖板50之表面的腐蝕。又，可抑制反應副產生物附著於鎖孔40周邊及鎖板50的表面。
<第1實施形態的變形例>
以下記述第1變形例。
為了抑制轉軸255、旋轉機構254的腐蝕，並確保旋轉功能，需要分別確保從第一間隙75所噴出之沖洗氣體的流速和從第二間隙76所噴出之沖洗氣體的流速，這如上述所示。但是，在從第二間隙76所噴出之沖洗氣體的流速微小情況下，即，在從第二間隙76所噴出之沖洗氣體的流速遠小於從第一間隙75所噴出之沖洗氣體的流速的情況下，微量的處理氣體可能從第二間隙76繞入轉軸255內。
在此情況下，若使從氣體供給部70所供給之沖洗氣體的流量變大，可使從第二間隙76所噴出之沖洗氣體的流速變大。可是，使從第二間隙76所噴出之沖洗氣體的流速變大時，有過度消耗沖洗氣體的情況。此外，由於供給處理室201內之沖洗氣體的量增加，所以處理室201內之氣體分布，即處理氣體的密度變小，尤其有被載置於晶舟217的下方之晶圓200的處理狀態變化的情況。
因而，在本變形例中，最好使從第一間隙75所噴出之沖洗氣體的流速和從第二間隙76所噴出之沖洗氣體的流速相等。具體而言，如以下的第(1)式所示，構成為使第二氣體滯留部74的容積對第二間隙76的容積之比例和第一氣體滯留部72的容積對第一間隙75之容積及流通口73之容積的和之比例相等。
(第1式)
(第二氣體滯留部74的容積)/(第二間隙76的容積)=(第一氣體滯留部72的容積)/(第一間隙75的容積+流通口73的容積)
此外，如第3圖所示，第一間隙75的容積是由第一間隙75的流路截面積(B)和第一間隙75之流路長(A)的積所算出之容積。又，如第3圖所示，第二間隙76的容積是由第二間隙76的流路截面積(D)和第二間隙76之流路長(C)的積所算出之容積。關於流通口73亦一樣。藉由如此地構成，可使從第一間隙75所噴出之氣體的流速和從第二間隙76所噴出之氣體的流速相等。因而，不依存於處理室201內的壓力，即使是處理室201內的壓力為約20~30Pa之真空度高的狀態，或者即使是處理室201內的壓力接近大氣壓之微降壓狀態，亦可抑制處理氣體繞入旋轉機構254或轉軸255內。而且，可抑制旋轉機構254或轉軸255的腐蝕，而可確保旋轉機構254、轉軸255的旋轉功能。此外，最好使第一間隙75的容積比流通口73的容積更小。因而，可對第二氣體滯留部74供給適當量的沖洗氣體。
以下記述第2變形例。
尤其，第二間隙76的周邊配置於比第一間隙75、密封蓋219更接近加熱器206。因而，由於為了處理晶圓200而將處理室201內進行加熱時的熱影響，而第二間隙76的周邊密封蓋219或第一間隙75周邊或轉軸255的溫度更易變高，更易腐蝕。
另一方面，第二氣體滯留部74之流路比第一氣體滯留部72的窄而且長。因而，第二氣體滯留部74的排氣阻力易變大，從第二間隙76所噴出之沖洗氣體的流速易變小。尤其，第二氣體滯留部74易受到晶舟鎖軸46或轉軸255之表面粗糙程度的影響，而排氣阻力易變大。又，第二氣體滯留部74位於第一氣體滯留部72的下游側，並經由流通口73而對第二氣體滯留部74內供給沖洗氣體。因而，因流通口73之導率(conductance)降低而難供給沖洗氣體。由於這些原因，從第二間隙76所噴出之沖洗氣體的流速易變小。
因此，使從第二間隙76所噴出之沖洗氣體的流速比從第一間隙75所噴出的流速更大較佳。具體而言，如以下的第2式所示，可構成為第二氣體滯留部74的容積和第二間隙76之容積的比例比第一氣體滯留部72的容積和第一間隙75的容積及流通口73的容積之和的比例大。
(第2式)
(第二氣體滯留部74的容積)/(第二間隙76之容積)>(第一氣體滯留部72的容積)/(第一間隙75的容積+流通口73的容積)
因而，即使從第二間隙76所噴出之沖洗氣體承受比從第一間隙75所噴出之沖洗氣體更大的排氣阻力，或流通口73的導率降低，亦可使從第二間隙76所噴出之沖洗氣體的流速變成和從第一間隙75所噴出之沖洗氣體的流速同等以上。而且，可對易腐蝕之第二間隙76周邊供給很多沖洗氣體。而，可更加抑制第二間隙76的周邊或晶舟載置台39的腐蝕。
此外，若構成為使第二氣體滯留部74的容積和第二間隙76之容積的比例變成第一氣體滯留部72的容積和第一間隙75的容積及流通口73的容積之和的比例之2倍以下，則可使從第一間隙75和第二間隙76所噴出之風速的平衡變成更佳。
在此，換言之，亦可由第一氣體滯留部72和第一間隙75構成第一氣體流路，並由流通口73、第二氣體滯留部74以及第二間隙76構成第二氣體流路。在第二氣體流路比第一氣體流路長的情況下，本變形例的形態特別有效。
以下，記述模擬結果。
作為第1實施形態之構成，設定第一氣體滯留部72的容積為25100mm2、第一間隙75的容積為17mm2、流通口73的容積為340mm2、第二氣體滯留部74的容積為1910mm2、第二間隙76的容積為17mm2。即，第二氣體滯留部74的容積對第二間隙76的容積之比例為112，第一氣體滯留部72的容積對第一間隙75的容積及流通口73的容積之和的比例為70，而構成為第二氣體滯留部74的容積對第二間隙76的容積之比例成為第一氣體滯留部72的容積對第一間隙75的容積及流通口73的容積之和的比例的1.6倍。然後，根據從氣體供給部70供給氨(NH3)氣的設定而進行模擬。
結果，從第二間隙76所噴出之氨氣的流速變成從第一間隙75所噴出之氨氣的流速之1.6倍的值。即，可使從第二間隙76所噴出之氨氣的流速比從第一間隙75所噴出之氨氣的流速更大。
<第2實施形態>
第4圖表示第2實施形態。本實施形態和第1實施形態的相異點是以晶舟載置台39和轉軸2552的上端部構成第二間隙762。
在本實施形態，將從轉軸2552之內壁的中途至上端的內徑設為和晶舟載置台39的內徑一樣的大小。即，構成為從轉軸2552之內壁的中途至晶舟載置台39之內壁的上端之內壁的內徑成為相同的大小。換言之，以晶舟載置台39和轉軸2552的上端部構成元件支持部762。
如此地構成時，有第二氣體滯留部742的容積變成比第1實施形態稍窄的情況。可是，即使在本實施形態中，亦可具有和第1實施形態一樣之效果。此外，亦可將第1實施形態的第1、第2變形例應用於本實施形態。
<第3實施形態>
第5圖表示第3實施形態。本實施形態和第1實施形態的相異點是使第二氣體滯留部743的外徑逐漸變小。
在本實施形態，構成為從轉軸2553之內壁的中途位置至上端的內徑逐漸(連續或分段地)變小。在轉軸2553之上端的內徑以和晶舟載置台39之在下端的內徑一樣的大小構成。即，構成為從轉軸2553之內壁的中途位置至轉軸2553之內壁的上端之內壁的內徑逐漸變小。換言之，構成為從第二氣體滯留部743之中途位置至上端之第二氣體滯留部743的外徑逐漸變小。
如此地構成時，有第二氣體滯留部743的容積比第1實施形態稍窄的情況。可是，在本實施形態，亦可具有和第1實施形態一樣之效果。而且，藉由構成為從轉軸2553之內壁的中途位置至上端的內徑逐漸變小，而可使轉軸2553之晶舟鎖軸46或轉軸2553的排氣阻力變小，並可使從第二間隙763所噴出之氣體的流速變大。亦可將第1實施形態的第1、第2變形例應用於本實施形態。
<第4實施形態>
第6圖表示第4實施形態。本實施形態和第1實施形態的相異點是未具備有晶舟鎖機構。
作為第二氣體噴出口的第二間隙764以設置於晶舟載置台394的貫穿孔構成。構成為第二間隙764的外徑，即形成於晶舟載置台394之貫穿孔的直徑比轉軸2554的內徑更小。
又，第二氣體滯留部744以由外轉軸36、轉軸2554以及晶舟載置台394所包圍的空間構成。
構成為第一氣體滯留部72的容積比第二氣體滯留部744的容積更大。又，第一間隙75的容積和第二間隙764的容積以相同的大小構成。
藉由如此地構成，而可抑制轉軸2554或晶舟載置台394的腐蝕，並可確保旋轉機構254的旋轉功能。此外，因為未設置晶舟鎖住機構，所以晶舟鎖住功能不會腐蝕。
此外，亦可將第1實施形態的第1、第2變形例應用於本實施形態，亦可應用於第2、第3實施形態。。
<第1~第4實施形態的變形例>
在上述之第1~第4實施形態，雖然說明和轉軸255、2552、2553、2554個別地設置外轉軸36，但是本實施形態未限定為這種形態。即，亦可不個別地設置外轉軸36，而和轉軸255、2552、2553、2554一體地形成，任一種形態都在廣義上包含於轉軸。
又，在第1~第4實施形態中，作為晶舟底板24的位置，亦可不是晶舟217本身的底面。例如，在將隔熱筒設置於晶舟217和晶舟載置台39之間的情況下，該隔熱筒的底面亦在廣義上包含於晶舟底面。
亦可使用例如氮(N2)氣、氬(Ar)氣等惰性氣體作為從氣體供給部70供給的沖洗氣體。又，只要是在轉軸等之壁面等不會單獨固化或液化的氣體，亦可為了處理晶圓200而使用供給處理室201內的氣體中之一種氣體。例如，在為了將SiN膜成膜於晶圓200上而將氨氣供給處理室201內的情況下，亦可將氨氣用作沖洗氣體。
<第5實施形態>
第7圖表示第5實施形態。本實施形態和第1實施形態的相異點是第一氣體滯留部72以至少由轉軸2554和旋轉機構254所包圍的形態構成。
在第1實施形態，第一氣體滯留部72以至少由馬達座34、外轉軸36以及密封蓋219、轉軸255所包圍的空間構成。而，在本實施形態的第一氣體滯留部72中，以至少由馬達座34、外轉軸36以及轉軸2554所包圍的空間構成。即，和馬達座34內一體地設置第一氣體滯留部72的側壁及頂壁。
在本實施形態中，亦可具有和第1實施形態一樣之效果。此外，亦可將第1實施形態的第1、第2變形例應用於本實施形態。此外，依據本實施形態，藉由和馬達座34內一體地設置第一氣體滯留部72的側壁及頂壁，可抑制從氣體供給部70供給第一氣體滯留部72內的氣體侵入馬達座34和密封蓋219之間。而且，可抑制從第一間隙75及第二間隙76向處理室201內噴出之沖洗氣體的流速降低。
<第6實施形態>
第8圖表示第6實施形態。在本實施形態中，將在晶舟載置台39的上面於放射狀3方向所設置之槽41作為第二噴出口。而且，將由圓板形地形成於晶舟底板24之內部的袋孔54、使袋孔54開口之鍵孔55、由晶舟載置台39和晶舟鎖軸46所包圍的空間(在第1實施形態的第二間隙76)、以及由外轉軸36、轉軸255、晶舟載置台39及晶舟鎖軸46所包圍的空間(在第1實施形態的第二氣體滯留部74)的合計區域作為第二氣體滯留部。槽41在晶舟載置台39的上面圓周方向按照均勻角間距設置，並使各自之噴出口的開口面積相等較佳。因而，可從各個槽41以均勻的量、流速向處理室201內供給氣體。
在本實施形態中，亦可具有和第1實施形態一樣之效果。此外，亦可將第1實施形態的第1、第2變形例應用於本實施形態。此外，依據本實施形態，藉由調整作為第二噴出口之槽41的大小(內徑及長度)或支數，而可充分地沖洗袋孔54或鍵孔55內的空間。而且，可更確實地防止係屬金屬元件之鎖板50的腐蝕。此外，槽41亦可設置於晶舟載置台39或晶舟底板24的任一方。又，在本實施形態中，第二噴出口未限定為槽，亦可以設置於晶舟載置台39或晶舟底板24的孔形成。
<第7實施形態>
本實施形態是第6實施形態的變形例。第9圖表示第7實施形態。本實施形態和第8圖所示之第6實施形態的相異點是未設置槽41。其他和第6實施形態一樣，藉由使晶舟底板24直接接觸晶舟載置台39上，而設置晶舟217。在這種構成中，藉由晶舟載置台39上面的面精度(平坦度、表面粗糙度)和晶舟底板24之面精度(平坦度、表面粗糙度)的差異，而將間隙形成於晶舟載置台39和晶舟底板24之間。於本實施形態中，在未設置槽41，而將形成於晶舟載置台39和晶舟底板24之間的間隙作為第二噴出口上和第6實施形態相異。
在本實施形態中，亦可具有和第1實施形態一樣之效果。此外，亦可將第1實施形態的第1、第2變形例應用於本實施形態。此外，依據本實施形態，藉由調整晶舟載置台39上面或晶舟底板24的面精度，可充分地沖洗袋孔54或鍵孔55內的空間。又，依據本實施形態，不必將槽41形成於晶舟載置台39或晶舟底板24，因為不必對晶舟載置台39或晶舟底板24實施複雜的加工，所以可降低基板處理裝置的製造費用。
<第8實施形態>
在本實施形態中，將第二噴出口76的截面積構成為比第1實施形態之第二噴出口76的截面積更大，以使來自第二噴出口76之沖洗氣體的噴出量變成比來自第一噴出口75之沖洗氣體的噴出量更多。又，亦可將第二噴出口76之截面積設為和處理爐202內之溫度或壓力無關，而一定噴出來自第二噴出口76之沖洗氣體的大小。
在本實施形態中，亦可具有和第1實施形態一樣之效果。此外，亦可將第1實施形態的第1、第2變形例應用於本實施形態。此外，來自第二噴出口76之沖洗氣體的噴出量比來自第一噴出口75之沖洗氣體的噴出量更多，或者和處理爐202內之溫度或壓力無關，而一定噴出來自第二噴出口76之沖洗氣體的大小，藉此，可更確實地抑制鎖板50的污染。結果，可將鎖板50的材質變更為耐蝕性比現況差之便宜的材料，而可降低基板處理裝置的製造費用。
<第9實施形態>
在第1實施形態的變形例中，藉由在構造上調整第二氣體滯留部74、第二間隙76、第一氣體滯留部72、第一間隙75以及流通口73的容積，而調整從第一間隙75所噴出之沖洗氣體及從第二間隙76所噴出之沖洗氣體的流速。
而，在本實施形態中，不是在構造上調整第二氣體滯留部74、第二間隙76、第一氣體滯留部72、第一間隙75以及流通口73的容積，而是利用作為氣體調整部的氣體流量控制部235來調整從第一間隙75所噴出之沖洗氣體及從第二間隙76所噴出之沖洗氣體的流速。
具體而言，如第10圖所示，除了對第一氣體滯留部72供給氣體的氣體供給部70a以外，還將供給氣體的氣體供給部70b設置於比該氣體供給部70a更靠近流通口73的附近。即，設置複數個氣體供給部，其配置於對流通口73之距離相異的位置。此外，在氣體供給部70b之上游側的氣體供給管線，經由作為氣體流量控制器的MFC711，連接未圖示的惰性氣體供給系統。藉由使MFC711的開口大小比MFC71的開口大小更大，而可使從氣體供給部70b所供給之氣體的流量比從氣體供給部70a所供給之氣體的流量更增大。又，藉由使MFC711的開口大小比MFC71的開口大小更小，而可使從氣體供給部70b所供給之氣體的流量比從氣體供給部70a所供給之氣體的流量更減少。而且，藉由作為氣體調整部的氣體流量控制部235調整MFC711的開口大小和MFC71的開口大小，而可在固定期間以第一量從第一間隙75噴出由氣體供給部70所供給的氣體，同時在固定期間以和第一量同等以上的第二量從第二間隙76噴出。
此外，亦可構成為和氣體供給部70b連接的氣體供給管線，在MFC711的上游側和與氣體供給部70a連接之氣體供給管線的上游側連結，並和一個惰性氣體供給源連接。又，亦可構成為不設置MFC711，而使氣體供給部70b的開口面積比氣體供給部70a的開口面積更大，以氣體流量控制部235控制，以利用MFC71的開口大小而使從氣體供給部70b所供給之氣體的流量比從氣體供給部70a所供給之氣體的流量大。
在本實施形態中，亦可具有和第1實施形態一樣之效果。此外，亦可將第2~第8實施形態應用於本實施形態。
(附錄)
又，本發明包含有以下的實施形態。
(附錄1)
一種基板處理裝置，其具有：處理基板的處理室；保持該基板的基板保持具；蓋體，係一面使該基板保持具出入該處理室一面開閉該處理室；基板保持具載置部，係載置該基板保持具之至少一部分由金屬所形成；旋轉機構，係設置於該蓋體之該處理室側的相反側，並使該基板保持具載置部旋轉；轉軸，係貫穿該蓋體，使在和該蓋體之間構成第一氣體噴出口，並和該基板保持具載置部及該旋轉機構連接；第一氣體滯留部，係由該旋轉機構、該蓋體以及該轉軸所包圍而構成，並經由該第一氣體噴出口而和該處理室連通；設置於該基板保持具載置部的第二氣體噴出口；第二氣體滯留部，係設置於該轉軸，並經由該第二氣體噴出口而和該處理室連通；以及流通口，係設置於該轉軸，並使該第一氣體滯留部和該第二氣體滯留部連通；該第二氣體滯留部及該第二氣體噴出口以該第二氣體噴出口的容積對該第二氣體滯留部之容積的比例成為和該第一氣體噴出口及該流通口的容積對該第一氣體滯留部之容積的比例同等以上的大小構成。
(附錄2)
一種基板處理裝置，其具有：處理基板的處理室；保持該基板的基板保持具；蓋體，係一面使該基板保持具出入該處理室一面開閉該處理室；基板保持具載置部，係載置該基板保持具之至少一部分由金屬所形成；旋轉機構，係設置於該蓋體之該處理室側的相反側，並使該基板保持具載置部旋轉；轉軸，係貫穿該蓋體，在和該蓋體之間構成第一氣體噴出口，並和該基板保持具載置部及該旋轉機構連接；第一氣體滯留部，係至少由該旋轉機構及該轉軸所包圍而構成，並經由該第一氣體噴出口而和該處理室連通；設置於該基板保持具載置部的第二氣體噴出口；第二氣體滯留部，係至少設置於該轉軸，並經由該第二氣體噴出口而和該處理室連通；以及流通口，係設置於該轉軸，並使該第一氣體滯留部和該第二氣體滯留部連通；該第二氣體滯留部及該第二氣體噴出口以該第二氣體噴出口的容積對該第二氣體滯留部之容積的比例成為和該第一氣體噴出口及該流通口的容積對該第一氣體滯留部之容積的比例同等以上的大小構成。
(附錄3)
一種基板處理裝置，其具有：處理基板的處理室；保持該基板的基板保持具；蓋體，係一面使該基板保持具出入該處理室一面開閉該處理室；基板保持具載置部，係載置該基板保持具之至少一部分由金屬所形成；旋轉機構，係設置於該蓋體之該處理室側的相反側，並使該基板保持具載置部旋轉；對該旋轉機構供給氣體的氣體供給部；轉軸，係貫穿該蓋體，並和該基板保持具載置部及該旋轉機構連接；第一氣體噴出口，係設置於該蓋體和該轉軸之間，並對該處理室內供給由該氣體供給部所供給的氣體；第二氣體噴出口，係在載置有該基板保持部之狀態下設置於該基板保持具載置部和該基板保持具之間，並對該處理室內供給由該氣體供給部所供給的氣體；以及氣體調整部，係調整成使由該氣體供給部所供給的氣體在固定期間以第一量從該第一氣體噴出口噴出，同時在固定期間以和第一量同等以上的第二量使從該第二氣體噴出口噴出。
(附錄4)
一種半導體裝置之製造方法，其具有：關閉步驟，係將保持有基板之基板保持具載置於至少一部分由金屬所形成並設置第二氣體噴出口的基板保持具載置部上，將該基板保持具搬入處理室內，並以蓋體關閉該處理室；及處理步驟，係貫穿該蓋體，使在和該蓋體之間構成第一氣體噴出口，並設置經由該第二氣體噴出口而和該處理室連通的第二氣體滯留部及流通口，利用設置於該蓋體之該處理室側的相反側之旋轉機構使和該基板保持具載置部連接的轉軸旋轉，藉此，使該基板保持具旋轉，將氣體供給該第一氣體滯留部內，其至少由該旋轉機構及該轉軸所包圍而構成，並經由該第一氣體噴出口而和該處理室連通，同時經由該流通口和該第二氣體滯留部連通的第一氣體滯留部，並構成為該第二氣體噴出口的容積對該第二氣體滯留部之容積的比例成為和該第一氣體噴出口及該流通口的容積對該第一氣體滯留部之容積的比例同等以上，使供入該第一氣體滯留部內的氣體中之一部分的氣體從該第一氣體滯留部內，經由該第一氣體噴出口，向該處理室內噴出，使供入該第一氣體滯留部內的氣體中之至少其他的部分的氣體從該第一氣體滯留部內，經由該流通口、該第二氣體滯留部內以及該第二氣體噴出口，向該處理室內噴出，並在該處理室處理基板。
(附錄5)
一種半導體裝置之製造方法，其具有：關閉步驟，係將保持有基板之基板保持具載置於至少一部分由金屬所形成的基板保持具載置部上，將該基板保持具搬入處理室內，並以蓋體關閉該處理室；及處理步驟，係貫穿該蓋體，使在和該蓋體之間構成第一氣體噴出口，利用設置於該蓋體之該處理室側的相反側之旋轉機構使和該基板保持具載置部連接的轉軸旋轉，藉此，使該基板保持具旋轉，使供給該旋轉機構的氣體中之一部分的氣體在固定期間以第一量經由該第一氣體噴出口而對該處理室噴出，使供給該旋轉機構的氣體中之至少其他的部分的氣體在固定期間以和第一量同等以上的第二量從設置於該基板保持具載置部的第二氣體噴出口噴出，並在該處理室內處理基板。
(附錄6)
一種半導體裝置之製造方法，其具有：關閉步驟，係在將保持有基板之基板保持具載置於至少一部分由金屬所形成之基板保持具載置部的狀態下被搬入處理室內，並以蓋體關閉處理室；及處理步驟，係設置於該蓋體之該處理室側之相反側的旋轉機構使在和該蓋體之間經由第一氣體噴出口貫穿並和該基板保持具載置部連接的轉軸旋轉，藉此，該基板保持具旋轉，對至少由該旋轉機構及該轉軸所包圍而構成的第一氣體滯留部供給氣體，供給該第一氣體滯留部的氣體中之一部分的氣體從該第一氣體滯留部經由該第一氣體噴出口而向該處理室內噴出，供給該第一氣體滯留部的氣體中之至少其他的部分的氣體從該第一氣體滯留部經由該轉軸的該流通口而供給該第二氣體滯留部，再一面從該第二氣體滯留部經由該第二氣體噴出口而向該處理室內噴出，並在該處理室內處理基板，而該轉軸具有設置於該轉軸的流通口、第二氣體滯留部以及設置於該基板載置部的第二氣體噴出口，並以該第二氣體噴出口的容積對該第二氣體滯留部之容積的比例成為和該第一氣體噴出口及該流通口的容積對該第一氣體滯留部之容積的比例同等以上的大小所構成。
(附錄7)
一種半導體裝置之製造方法，其具有：關閉步驟，係在將保持有基板之基板保持具載置於至少一部分由金屬所形成之基板保持具載置部的狀態下被搬入處理室內，並以蓋體關閉處理室；及處理步驟，係設置於該蓋體之該處理室側之相反側的旋轉機構使在和該蓋體之間經由第一氣體噴出口貫穿並和該基板保持具載置部連接的轉軸旋轉，藉此，該基板保持具旋轉，供給該旋轉機構的氣體中之一部分的氣體經由該第一氣體噴出口而對該處理室在固定期間以第一量噴出，供給該旋轉機構的氣體中之至少其他的部分的氣體從設置於該基板保持具載置部的第二氣體噴出口在固定期間的噴出量以和第一量同等以上的第二量噴出，並在該處理室內處理基板。
(附錄8)
一種半導體裝置之製造方法，其具有：關閉步驟，係在將保持有基板之基板保持具載置於至少一部分由金屬所形成之基板保持具載置部的狀態下被搬入處理室內，並以蓋體關閉處理室；及處理步驟，係設置於該蓋體之該處理室側之相反側的旋轉機構使在和該蓋體之間經由第一氣體噴出口貫穿並和該基板保持具載置部連接的轉軸旋轉，藉此，該基板保持具旋轉，對至少由該旋轉機構及該轉軸所包圍而構成的第一氣體滯留部供給氣體，將供給該第一氣體滯留部的氣體中之一部分的氣體從該第一氣體滯留部經由該第一氣體噴出口而向該處理室噴出，將供給該第一氣體滯留部的氣體中之至少其他的部分的氣體從該第一氣體滯留部經由該轉軸的流通口而供給該第二氣體滯留部，再一面從該第二氣體滯留部經由第二氣體噴出口而向該處理室噴出，並在該處理室內處理基板，而該轉軸具有設置於該轉軸的流通口、第二氣體滯留部以及設置於該基板載置部的第二氣體噴出口，並以該第二氣體噴出口的容積對該第二氣體滯留部之容積的比例成為和該第一氣體噴出口及該流通口的容積對該第一氣體滯留部之容積的比例同等以上的大小所構成。
(附錄9)
一種半導體裝置之製造方法，其具有：關閉步驟，係在將保持有基板之基板保持具載置於至少一部分由金屬所形成之基板保持具載置部的狀態被搬入處理室內，並以蓋體關閉處理室；及處理步驟，係設置於該蓋體之該處理室側之相反側的旋轉機構使在和該蓋體之間經由第一氣體噴出口貫穿並和該基板保持具載置部連接的轉軸旋轉，藉此，該基板保持具旋轉，對至少由該旋轉機構及該轉軸所包圍而構成的第一氣體滯留部供給氣體，供給該第一氣體滯留部的氣體中之一部分的氣體從該第一氣體滯留部經由該第一氣體噴出口而向該處理室以第一流速噴出，供給該第一氣體滯留部的氣體中之至少其他的部分的氣體從該第一氣體滯留部經由設置於該轉軸的流通口而供給該第二氣體滯留部，再一面從該第二氣體滯留部經由第二氣體噴出口而以該第一流速以上的流速向該處理室噴出，並在該處理室內處理基板。
(附錄10)
一種基板處理裝置，其具有：處理基板的處理室；保持該基板的基板保持具；蓋體，係一面使該基板保持具出入該處理室一面開閉該處理室；基板保持具載置部，係至少一部分由金屬所形成並載置該基板保持具；旋轉機構，係設置於該蓋體之該處理室側的相反側，並使該基板保持具載置部旋轉；轉軸，係貫穿該蓋體，在和該蓋體之間構成第一氣體噴出口，並和該基板保持具載置部及該旋轉機構連接；第一氣體滯留部，係至少由該旋轉機構及該轉軸所包圍而構成，並經由該第一氣體噴出口而和該處理室連通；設置於該基板保持具載置部的第二氣體噴出口；第二氣體滯留部，係至少設置於該轉軸，並經由該第二氣體噴出口而和該處理室連通；以及流通口，係設置於該轉軸，並使該第一氣體滯留部和該第二氣體滯留部連通；並構成為以第一流速將供給該第一氣體滯留部內的氣體中之一部分的氣體從該第一氣體滯留部經由該第一氣體噴出口而向該處理室噴出；將供給該第一氣體滯留部內的氣體中之至少其他的部分的氣體從該第一氣體滯留部經由該流通口而供給該第二氣體滯留部，再以該第一流速以上的流速從該第二氣體滯留部經由該第二氣體噴出口而向該處理室噴出。
(附錄11)
如附錄1所記載之基板處理裝置，其中具有鎖軸，其將和該轉軸相對轉動的該基板保持具鎖住；該第一氣體滯留部由該轉軸及該鎖軸所包圍而構成；該第二氣體噴出口至少形成於該基板保持具和該鎖軸之間。
(附錄12)
一種半導體裝置之製造方法，其具有：關閉步驟，係在將保持有基板之基板保持具載置於至少一部分由金屬所形成之基板保持具載置部，並藉由該鎖軸和該轉軸相對轉動而抑制該基板保持具之翻倒的狀態被搬入處理室內，並以蓋體關閉處理室；及處理步驟，係設置於該蓋體之該處理室側之相反側的旋轉機構使在和該蓋體之間經由第一氣體噴出口貫穿並和該基板保持具載置部連接的轉軸旋轉，藉此，該基板保持具旋轉，對至少由該旋轉機構及該轉軸所包圍而構成的第一氣體滯留部供給氣體，將供給該第一氣體滯留部的氣體中之一部分的氣體從該第一氣體滯留部經由該第一氣體噴出口而向該處理室噴出，將供給該第一氣體滯留部的氣體中之至少其他的部分的氣體從該第一氣體滯留部經由該轉軸的流通口而供給該第二氣體滯留部，再一面從該第二氣體滯留部經由第二氣體噴出口而向該處理室噴出，並在該處理室內處理基板，而該轉軸具有設置於該轉軸和該鎖軸之間的流通口、第二氣體滯留部以及至少設置於該基板載置部和該鎖軸之間的第二氣體噴出口，並以該第二氣體噴出口的容積對該第二氣體滯留部之容積的比例成為和該第一氣體噴出口及該流通口的容積對該第一氣體滯留部之容積的比例同等以上的大小所構成。
(附錄13)
一種基板處理裝置，其具有：處理基板的處理室；保持該基板的基板保持具；蓋體，係一面使該基板保持具出入該處理室一面開閉該處理室；基板保持具載置部，係載置該基板保持具之至少一部分由金屬所形成；旋轉機構，係設置於該蓋體之該處理室側的相反側，並使該基板保持具載置部旋轉；轉軸，係貫穿該蓋體，在和該蓋體之間構成第一氣體噴出口，並和該基板保持具載置部及該旋轉機構連接；第一氣體滯留部，係由該旋轉機構、該蓋體以及該轉軸所包圍而構成，並經由該第一氣體噴出口而和該處理室連通；設置於該基板保持具載置部的第二氣體噴出口；第二氣體滯留部，係設置於該轉軸，並經由該第二氣體噴出口而和該處理室連通；以及流通口，係設置於該轉軸，並使該第一氣體滯留部和該第二氣體滯留部連通；該第二氣體滯留部及該第二氣體噴出口以該第二氣體噴出口的容積對該第二氣體滯留部之容積的比例成為和該第一氣體噴出口及該流通口的容積對該第一氣體滯留部之容積的比例同等以上的大小構成。
(附錄14)
如附錄1所記載之基板處理裝置，其中具有鎖軸，其將和該轉軸相對轉動的該基板保持具鎖住；該第一氣體滯留部由該轉軸及該鎖軸所包圍而構成；該第二氣體噴出口至少形成於該基板保持具和該鎖軸之間。
(附錄15)
一種半導體裝置之製造方法，其具有：關閉步驟，係在將保持有基板之基板保持具載置於至少一部分由金屬所形成之基板保持具載置部的狀態被搬入處理室內，並以蓋體關閉處理室；及處理步驟，係設置於該蓋體之該處理室側之相反側的旋轉機構使在和該蓋體之間經由第一氣體噴出口貫穿並和該基板保持具載置部連接的轉軸旋轉，藉此，該基板保持具旋轉，對由該旋轉機構、該蓋體以及該轉軸所包圍而構成的第一氣體滯留部供給氣體，將供給該第一氣體滯留部的氣體中之一部分的氣體從該第一氣體滯留部經由該第一氣體噴出口而向該處理室噴出，將供給該第一氣體滯留部的氣體中之其他部分的氣體從該第一氣體滯留部經由該轉軸的流通口而供給該第二氣體滯留部，再一面從該第二氣體滯留部經由第二氣體噴出口而向該處理室噴出，並在該處理室內處理基板，而該轉軸具有設置於該轉軸的流通口、第二氣體滯留部以及設置於該基板載置部的第二氣體噴出口，並以該第二氣體噴出口的容積對該第二氣體滯留部之容積的比例成為和該第一氣體噴出口及該流通口的容積對該第一氣體滯留部之容積的比例同等以上的大小所構成。
(附錄16)
一種半導體裝置之製造方法，其具有：關閉步驟，係在將保持有基板之基板保持具載置於至少一部分由金屬所形成之基板保持具載置部，並藉由該鎖軸和該轉軸相對轉動而抑制該基板保持具之翻倒的狀態下被搬入處理室內，並以蓋體關閉處理室；及處理步驟，係設置於該蓋體之該處理室側之相反側的旋轉機構使在和該蓋體之間經由第一氣體噴出口貫穿並和該基板保持具載置部連接的轉軸旋轉，藉此，該基板保持具旋轉，對由該旋轉機構、該蓋體以及該轉軸所包圍而構成的第一氣體滯留部供給氣體，將供給該第一氣體滯留部的氣體中之一部分的氣體從該第一氣體滯留部經由該第一氣體噴出口而向該處理室噴出，將供給該第一氣體滯留部的氣體中之其他的部分的氣體從該第一氣體滯留部經由該轉軸的流通口而供給該第二氣體滯留部，再一面從該第二氣體滯留部經由第二氣體噴出口而向該處理室噴出，並在該處理室內處理基板，而該轉軸具有設置於該轉軸和該鎖軸之間的流通口、第二氣體滯留部以及至少設置於該基板載置部和該鎖軸之間的第二氣體噴出口，並以該第二氣體噴出口的容積對該第二氣體滯留部之容積的比例成為和該第一氣體噴出口及該流通口的容積對該第一氣體滯留部之容積的比例同等以上的大小所構成。
(附錄17)
一種半導體裝置之製造方法，其具有：關閉步驟，係在將保持有基板之基板保持具載置於至少一部分由金屬所形成之基板保持具載置部的狀態被搬入處理室內，並以蓋體關閉處理室；及處理步驟，係設置於該蓋體之該處理室側之相反側的旋轉機構使在和該蓋體之間經由第一氣體噴出口貫穿並和該基板保持具載置部連接的轉軸旋轉，藉此，該基板保持具旋轉，對由該旋轉機構、該蓋體以及該轉軸所包圍而構成的第一氣體滯留部供給氣體，以第一流速將供給該第一氣體滯留部的氣體中之一部分的氣體從該第一氣體滯留部經由該第一氣體噴出口而向該處理室噴出，將供給該第一氣體滯留部的氣體中之其他的部分的氣體從該第一氣體滯留部經由設置於該轉軸的流通口而供給該第二氣體滯留部，再一面以該第一流速以上的流速從該第二氣體滯留部經由設置於該基板保持具載置部的第二氣體噴出口而向該處理室噴出，並在該處理室內處理基板。
39．．．晶舟載置台(基板保持具載置部)
70．．．氣體供給部
72．．．第一氣體滯留部
73．．．流通口
74．．．第二氣體滯留部
75．．．第一間隙(第一氣體噴出口)
76．．．第二間隙(第二氣體噴出口)
200．．．晶圓(基板)
201．．．處理室
202．．．處理爐
203．．．外管
206．．．加熱器
217．．．晶舟(基板保持具)
219．．．密封蓋(蓋體)
235．．．氣體流量控制部
254．．．旋轉機構
255．．．轉軸
第1圖係表示本發明第1實施形態的基板處理裝置所使用之一處理爐例的剖面圖。
第2圖係表示本發明第1實施形態的基板處理裝置所使用之處理爐之旋轉機構周邊的剖面放大圖。
第3圖係表示本發明第1實施形態的基板處理裝置所使用之處理爐之第一間隙及第二間隙周邊的剖面放大圖。
第4圖係表示本發明第2實施形態的基板處理裝置所使用之處理爐之旋轉機構周邊的剖面放大圖。
第5圖係表示本發明第3實施形態的基板處理裝置所使用之處理爐之旋轉機構周邊的剖面放大圖。
第6圖係表示本發明第4實施形態的基板處理裝置所使用之處理爐之旋轉機構周邊的剖面放大圖。
第7圖係表示本發明第5實施形態的基板處理裝置所使用之處理爐之旋轉機構周邊的剖面放大圖。
第8(a)圖係表示本發明第6實施形態的基板處理裝置所使用之處理爐之旋轉機構周邊的剖面放大圖，第8(b)圖係第8(a)圖的AA剖面圖。
第9(a)圖係表示本發明之第7實施形態的基板處理裝置所使用之處理爐之旋轉機構周邊的剖面放大圖，第9(b)圖係第9(a)圖的AA剖面圖。
第10圖係表示本發明之第9實施形態的基板處理裝置所使用之處理爐之旋轉機構周邊的剖面放大圖。
12．．．晶舟載置部
24．．．晶舟底板
35．．．減速器
36．．．外轉軸
37．．．軸承
39．．．晶舟載置台
40．．．鎖孔
41．．．槽
42．．．定位銷
43．．．蝸輪
44．．．蝸桿
45．．．輸出軸
46．．．晶舟鎖軸
47．．．軸承、
48．．．平坦面
49．．．鎖彈簧
50．．．鎖板
51．．．滑動軸承
52．．．鎖桿
53．．．鎖致動器
54．．．袋孔
55．．．鍵孔
70．．．氣體供給部
71．．．質量流量控制器(MFC)
72．．．第一氣體滯留部
73．．．流通口
74．．．第二氣體滯留部
75．．．第一間隙
76．．．第二間隙
217．．．晶舟
219．．．密封蓋
254．．．旋轉機構
255．．．轉軸
C．．．流路長

Claims (8)

  1. 一種基板處理裝置，其具有：處理基板的處理室；保持該基板的基板保持具；蓋體，係一面使該基板保持具出入該處理室一面開閉該處理室，且具有貫穿該處理室的內外之第一貫穿孔；基板保持具載置部，其載置該基板保持具的至少一部分是由金屬所形成；旋轉機構，係設置於該蓋體之該處理室側的相反側，並使該基板保持具載置部旋轉；轉軸，係貫穿該蓋體的該第一貫穿孔，並和該基板保持具載置部及該旋轉機構連接；第一氣體噴出口，係由構成該第一貫穿孔之該蓋體的內周面和該轉軸所構成；第一氣體滯留部，係由該旋轉機構、該蓋體以及該轉軸所包圍而構成，並經由該第一氣體噴出口而和該處理室連通；第二氣體噴出口，係至少由第二貫穿孔所構成，該第二貫穿孔係貫穿該基板保持具載置部的該轉軸側和該基板保持具載置側而設置；第二氣體滯留部，係設置於該轉軸，並經由該第二氣體噴出口而和該處理室連通；以及流通口，係設置於該轉軸，並使該第一氣體滯留部和 該第二氣體滯留部連通；該第二氣體滯留部及該第二氣體噴出口係構成為：該第二氣體噴出口的容積相對於該第二氣體滯留部的容積的比例係與該第一氣體噴出口及該流通口的容積相對於該第一氣體滯留部的容積的比例為同等以上的大小。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該第一氣體滯留部係由該旋轉機構及該轉軸、和該蓋體所包圍。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中具有鎖軸，其係貫穿該轉軸內而設置，將和該轉軸相對轉動的該基板保持具鎖住；該第二氣體滯留部由該轉軸及該鎖軸所包圍而構成；該第二氣體噴出口至少形成於構成該第二貫穿孔的該基板保持具載置部的內周面和該鎖軸之間。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中構成為供給至該第一氣體滯留部的氣體中的一部分氣體，係從該第一氣體滯留部經由該第一氣體噴出口朝該處理室以第一流速噴出；供給至該第一氣體滯留部的氣體中的至少其他部分的氣體，係從該第一氣體滯留部經由該流通口以該第一流速以上的流速朝該處理室噴出。
  5. 一種基板處理裝置，其具有：處理基板的處理室；保持該基板的基板保持具；蓋體，係一面使該基板保持具出入該處理室一面開閉 該處理室，且具有貫穿該處理室的內外之第一貫穿孔；基板保持具載置部，其載置該基板保持具的至少一部分是由金屬所形成；旋轉機構，係設置於該蓋體之該處理室側的相反側，並使該基板保持具載置部旋轉；轉軸，係貫穿該蓋體的該第一貫穿孔，並和該基板保持具載置部及該旋轉機構連接；第一氣體噴出口，係由構成該第一貫穿孔之該蓋體的內周面和該轉軸所構成；第一氣體滯留部，係由該旋轉機構、該蓋體以及該轉軸所包圍而構成，並經由該第一氣體噴出口而和該處理室連通；第二氣體噴出口，係至少由第二貫穿孔所構成，該第二貫穿孔係貫穿該基板保持具載置部的該轉軸側和該基板保持具載置側而設置；第二氣體滯留部，係設置於該轉軸，並經由該第二氣體噴出口而和該處理室連通；以及流通口，係設置於該轉軸，並使該第一氣體滯留部和該第二氣體滯留部連通。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中具有鎖軸，其係貫穿該轉軸內而設置，將和該轉軸相對轉動的該基板保持具鎖住；該第二氣體滯留部由該轉軸及該鎖軸所包圍而構成；該第二氣體噴出口至少形成於構成該第二貫穿孔的該 基板保持具載置部的內周面和該鎖軸之間。
  7. 一種基板處理裝置，其具有：處理基板的處理室；保持該基板的基板保持具；蓋體，係一面使該基板保持具出入該處理室一面開閉該處理室，且具有貫穿該處理室的內外之第一貫穿孔；基板保持具載置部，其載置該基板保持具的至少一部分是由金屬所形成；旋轉機構，係設置於該蓋體之該處理室側的相反側，並使該基板保持具載置部旋轉；轉軸，係貫穿該蓋體的該第一貫穿孔，並和該基板保持具載置部及該旋轉機構連接；第一氣體噴出口，係由構成該第一貫穿孔之該蓋體的內周面和該轉軸所構成；第一氣體滯留部，係由該旋轉機構、該蓋體以及該轉軸所包圍而構成，並經由該第一氣體噴出口而和該處理室連通；第二貫穿孔，係貫穿該基板保持具載置部的該轉軸側和該基板保持具載置側而設置；第二氣體噴出口，係以與該第二貫穿孔連通的方式設置於該轉軸的上端部；第二氣體滯留部，係設置於該轉軸，並經由該第二氣體噴出口而和該處理室連通；以及 流通口，係設置於該轉軸，並使該第一氣體滯留部和該第二氣體滯留部連通。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中具有鎖軸，其係貫穿該轉軸內而設置，將和該轉軸相對轉動的該基板保持具鎖住；該第二氣體滯留部由該轉軸及該鎖軸所包圍而構成；該第二氣體噴出口至少形成於該轉軸的上端部的內周面該鎖軸之間。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5462364B2 (ja) * 2010-07-21 2014-04-02 キヤノンアネルバ株式会社 電力導入装置及び電力導入装置を用いた真空処理装置
JP6307318B2 (ja) * 2014-03-24 2018-04-04 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP6462161B2 (ja) * 2016-02-09 2019-01-30 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP6820816B2 (ja) * 2017-09-26 2021-01-27 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、反応管、半導体装置の製造方法、及びプログラム
CN110767567B (zh) * 2018-07-25 2022-03-22 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室和半导体热处理设备
KR102378581B1 (ko) * 2020-06-19 2022-03-24 씰링크 주식회사 회전축 밀폐장치 및 이를 이용하는 반도체 기판처리장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI263281B (en) * 2002-04-09 2006-10-01 Tokyo Electron Ltd Vertical heat-processing apparatus

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US175952A (en) * 1876-04-11 Improvement in caps for aerated-liquid bottles
JP3253384B2 (ja) 1992-11-27 2002-02-04 株式会社日立国際電気 縦型反応炉
JP3934439B2 (ja) 2002-03-06 2007-06-20 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び基板の処理方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI263281B (en) * 2002-04-09 2006-10-01 Tokyo Electron Ltd Vertical heat-processing apparatus

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