JP4394843B2 - 薄膜形成方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜形成方法およびそのための装置に関し、さらに詳しくは成膜工程において形成薄膜表面に異常成長または突起物が生成することを防止できる薄膜形成方法およびそのための装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体デバイスの素子微細化および高集積化が進み、シリコンウェハ表面に成膜する薄膜について、薄く高品質な膜が要求されるようになってきている。
【0003】
シリコンウェハ表面に薄膜を形成するには、シリコンウェハを支持するためのボートと呼ばれる部材を使用し複数枚のシリコンウェハを載置して加熱炉中に配置し成膜処理を行っている。
すなわち、例えば、図4に見られるような縦型の熱処理炉を用いて成膜処理が行われている。図4において、41が処理容器であり、その中にシリコンウェハ42を載置した被処理体ボート43が配置されている。そして、外部から抵抗加熱ヒータなどの加熱手段44により加熱しながら、処理容器中に薄膜形成用の処理ガスをガス供給口45から導入して、シリコンウェハ表面に薄膜を形成する。薄膜が所要の膜厚になったところで反応を終了させ、シリコンウェハを取り出すことによって薄膜形成が行われる。
【0004】
そしてこのような装置を用いて、熱酸化、拡散、あるいはCVD法などの方法により成膜するにあたり、より良質な薄膜を形成するために、従来処理ガスの純度を向上させたり、処理ガスの流れを均一化させたり、処理温度分布の均一性を向上させるなど、さまざまな改善が行われている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記工程において、通常大気雰囲気である処理容器41外でシリコンウェハを載置した被処理体ボート43を、処理容器41にロードするが、その際に被処理体ボート43を取り巻く大気雰囲気を巻き込んで処理容器41にロードされることになる。
被処理体であるシリコンウェハ42には、この成膜処理の前段階である各種処理工程で、その表面に有機シリコン化合物などの有機化合物が吸着されていることがあり、被処理体ボート43のロード時に巻き込む雰囲気中に酸素が存在した場合、シリコンウェハ表面に吸着されている有機化合物が酸化され、生成した酸化物が核となりその後の成膜工程において薄膜材料が異常成長して突起物を形成してしまい、その後のデバイス製造工程において歩留まりを低下させてしまうことが明らかとなった。
【0006】
従来半導体ウェハのロード時に巻き込む雰囲気によって生じる膜の欠陥については、縦型拡散炉による酸化膜の形成の場合において窒素ガスによって酸化膜が不均一になるという問題が発生することが知られている(特開平5−102132号公報参照)。
すなわち、縦型処理炉を拡散炉として用いて酸化膜を形成する際に、望ましくないシリコンウェハ表面の酸化を防止するために、シリコンウェハのロード時、アンロード時に窒素ガスN2を供給することが行われていた。
しかしながら、この方法によれば、シリコンウェハ表面において局部的に生じる窒化膜によって酸化膜の膜厚が極めて不均一になるという問題があった。そこで、これを解決するために、シリコンウェハの縦型拡散炉へのロード時およびロード時の温度から熱処理温度への昇温時に縦型拡散炉内を窒素ガスに微量酸素ガスを加えることにより自然酸化膜を形成して窒化膜の生成を抑制することが知られている。
しかしながら、この方法は拡散炉を用いてシリコンウェハ表面に酸化膜を形成する際には有効であっても、CVD法によるシリコンナイトライドなどの非酸化物薄膜を形成する方法には採用できなかった。また、薄膜形成時の異常粒成長による突起部発生の欠陥を防止する方法について全くその解決手段を示すものではなかった。
【0007】
上述の通り、本発明は、CVD法によりシリコンウェハ表面にシリコンナイトライド膜を形成するに当たって、従来技術の以上の問題点を解決するためになされたもので、シリコンウェハ表面にシリコンナイトライドなどの非酸化物薄膜を形成する際に生じる薄膜材料の異常粒成長により発生する表面突起部の形成を防止し、均一で平滑な表面を有する薄膜を形成することを目的としている。
【0008】
第一番目の本発明は、上端が封止され下端が開放されている外筒と、外筒内に収容され両端が開放された内筒との二重筒からなる縦型の処理容器と、この処理容器の周囲に設けられた加熱手段と、上記内筒内に配置され、複数の被処理体を多段に支持する被処理体ボートと、この被処理体ボートを昇降させて前記処理容器内へその下方よりロードおよびアンロードさせる昇降機構と、前記処理容器を支持するマニホールドと、前記マニホールド側部に設けられた前記処理容器内の内筒内部へ薄膜形成用処理ガスを供給する処理ガスノズルと、前記処理容器の内筒と外筒とで形成される間隙に非酸化性ガスを供給する非酸化性ガス供給ノズルと、 前記処理容器の内筒と外筒とで形成される間隙から前記処理容器内の雰囲気を排気するための排気ポートを少なくとも有する薄膜形成装置を用い、シリコンウェハ表面に薄膜を形成する方法において、 外筒と内筒とで形成される間隙から内筒内へ窒素ガスを主成分とする非酸化性ガスを20slm以上の流速で吹き込みながら、内筒内にシリコンウェハを載置した被処理体ボートを装入し、被処理体ボートを所定位置に固定し、処理容器内を気密に封止した後、シリコンウェハ表面に薄膜を形成することを特徴とするシリコンウェハ表面の薄膜形成方法である。
【0009】
第1の本発明において、窒素ガスを主成分とする非酸化性ガスの流量が、50slm以上であることが望ましい。
また、第1の本発明において、窒素ガスを主成分とする非酸化性ガスが、窒素ガスであることが望ましい。
さらに、第1の本発明において、薄膜を形成する工程がシリコンナイトライドを形成するCVD工程であることが特に望ましい。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて、本発明のシリコンウェハ表面の薄膜形成装置を詳述する。
図1が本発明において用いられるバッチ式の熱処理装置である薄膜形成装置を示す概略断面図である。図示するようにこの熱処理装置1は、有天井の石英製の外筒2と、その内側に同心円状に配置した筒状体の石英などで製造される内筒3とよりなる二重構造の処理容器4を有しており、その外側には、所定の間隔を隔てて加熱ヒータなどの加熱手段5が配置されており、この外周を断熱材6により覆われている。上記加熱手段5は断熱材6の内面に全面に亘って設けられている。
【0013】
処理容器4の下端は、例えばステンレススチール製の筒状体のマニホールド部7によって支持されており、このマニホールド部7の下方より多数枚の被処理体としてのシリコンウェハを載置した石英などで製造されている被処理体ボート8が昇降し、脱着自在に配置されている。具体的には、このマニホールド部7の内側には、上記処理容器4の内筒3の下端を支持するリング状の支持突起7aが設けられている。また、マニホールド部7の上端のフランジ部7bにより、上記筒体状の外筒2の下端を支持しており、これらの接合部にはシール部材21が介在されている。この被処理体ボート8は、石英製またはシリコンカーバイド製の保温筒16を介して回転テーブル17上に載置されており、この回転テーブル17は、マニホールド部7の下端開口部を開閉する蓋部20を貫通する回転軸18上に支持される。そして、この回転軸18の貫通部には、例えば磁性流体シール19が介設され、この回転軸18を気密にシールしつつ回転可能に支持している。また、蓋部20の周辺部とマニホールド部7の下端部には、例えばOリングなどよりなるシール部材22が介設されており、容器内のシール性を保持している。
【0014】
上記した回転軸18は、例えば被処理体ボートエレベータなどの昇降機構の一部を構成するアーム15の先端に取り付けられており、この昇降機構を駆動することにより、被処理体ボート8および蓋部20などを一体的に昇降できるようになされている。このアーム15の基端部は回転する事によってこれらを上下動させるボールネジ14に支持されている。
そして、このマニホールド部7の側部には、内筒3内に薄膜形成用処理ガスなどの必要なガスを導入する処理ガスノズル10が設けられている。また、このマニホールド部7には外筒2と内筒3との間の間隙から容器内に窒素ガスを主成分とする非酸化性ガスを供給するための非酸化性ガス供給ノズル11、およびこの容器内の雰囲気を排出する比較的大口径の排気ポート12が形成されており、この排気ポート12は図示しない真空ポンプなどを介設して排気系を構成している。
これらのノズルおよびポートには、いずれも図示しないバルブが取り付けられており、ガス供給および排気のタイミングに応じて適宜作動するようになっている。
【0015】
次に、以上のように構成された装置を用いて行なわれる薄膜形成処理方法について、この薄膜形成処理のシーケンス図である図3を用いて説明する。
【0016】
(準備工程)
まず、図1に見られるように、処理容器4外で被処理体ボート8に所要枚数のシリコンウェハ9を載置する。この際の環境雰囲気としては、窒素雰囲気であることが望ましいが、乾燥した大気中であれば差し支えない。
次いで、この被処理体ボート8を蓋体20上に配置されている保温筒16上に固定する。窒素ガスを主成分とする非酸化性ガスを非酸化性ガス供給ノズル11から供給し、処理容器外筒2と内筒3で形成される間隙から内筒内を通過するように流す。この際の非酸化性ガスの流量は1slm程度で十分である。この非酸化性ガスは、外筒2と内筒3の間隙を通って内筒3内を通過し、マニホールド部7の下端開口部から排出される。この際、排気ポート12は閉塞しておいても良い。
【0017】
(ロード工程)
次に、窒素ガスを主成分とする非酸化性ガスを流量を20slm以上に増加させ、昇降機構を駆動して、シリコンウェハ9が保持された被処理体ボート8を徐々に上昇させて、処理容器4内に、その下方より挿入乃至ロードする。この際、炉の温度は成膜温度かまたはそれ以上とする。詳しくは300〜800℃とする。
この際、被処理体ボート8に載置されている複数のシリコンウェハ9によって挟まれている空間に、雰囲気ガスが巻き込まれ薄膜形成時まで残留しないようにゆっくりした速度で上昇させ、雰囲気ガスを効果的に非酸化性ガスによって置換させることが望ましい。
図2に示すように、昇降機構が十分に上昇すると、マニホールド部7の下端開口部に蓋体20が接触し、蓋体20表面に配置されているシール22によって処理容器内部と外部が遮断され、処理容器4が密封される。このとき、処理容器4内部の内圧が高まるので、窒素ガスを主成分とする非酸化性ガスの供給を停止する。
【0018】
(減圧昇温工程)
このように処理容器4内を密閉状態にした後、加熱手段5によりシリコンウェハ9を所定のプロセス温度に昇温維持しつつ、排気ポート12に接続されている真空ポンプを駆動して処理容器4内を真空引きする。
【0019】
(成膜工程)
処理容器4内の温度、および圧力が成膜条件に達した段階で、処理ガス等を処理ガスノズル10から供給し成膜を開始する。
この成膜工程は、通常知られている熱CVD法による成膜工程を採用することができる。また、薄膜材料としては、炭化物、窒化物、ほう化物、ケイ化物、酸化物など各種材料の成膜において採用することができるが、シリコンナイトライドの成膜において特に好ましい結果が得られる。
シリコンナイトライド膜を成膜する場合、この処理ガスとしては、ジクロルシラン(SiH2Cl2)やNH3ガスの処理ガスを用いて成膜するが、この時のプロセス条件としては、シリコンウェハのサイズが例えば20.32cm(8インチ)の時に、温度は650〜800℃の範囲で、好ましくは700℃程度、プロセス圧力は13.33〜133.3Pa(0.1〜1.0Torr)の範囲内であって、好ましくは26.66Pa(0.2Torr)程度、SiH2Cl2ガスの流量は10〜100sccmの範囲内であって、好ましくは20sccm程度、NH3ガスは100〜1000sccmの範囲内であって、好ましくは200sccm程度であり、これにより熱CVDによりシリコンナイトライド膜を成膜することができる。
【0020】
(アンロード工程)
上記成膜工程を継続し、必要な膜厚が得られたら処理ガスの供給を停止し、炉内を非酸化性ガスで置換し、炉温をアンロード温度に設定した後、被処理体ボートをアンロードする。
この際、窒素ガスを非酸化性ガス供給ノズルから供給しながらアンロードすることもできる。
【0021】
本発明において、窒素ガスを主成分とする非酸化性ガスとしては、窒素ガスを主成分とするが、シリコンウェハ表面に吸着している有機シリコン化合物を酸化させないように酸素以外のガスが含まれていてもよい。中でも純粋な窒素ガスが最も望ましい。
処理容器全体を取り囲む雰囲気ガスとしては、水分を含まず乾燥していれば大気であっても差し支えないが、窒素ガスがより望ましい。
【0022】
【実施例】
図1の装置を用いて、シリコンウェハ表面にシリコンナイトライド薄膜を形成した。
すなわち、熱処理装置1の外部に取り出した被処理体ボート8に、所要枚数のシリコンウェハ9を載置した。環境雰囲気としては、大気雰囲気を用いた。
この被処理体ボート8を、図1に示すように昇降装置のアーム15上に蓋体20、回転軸18、および回転テーブル17を介して保温筒16に固定した。この間、非酸化性ガス供給ノズル11から1slmの流速で乾燥窒素ガスを供給し続けた。
次いで、非酸化性ガスである窒素ガスの流速を20slm(実施例1)および50slm(実施例2)に増加し、昇降装置を駆動して被処理体ボート8を処理容器4中にロードした。この被処理体ボート8が完全に処理容器4内にセットされるまで、この窒素ガスの供給を継続した。
また、比較のため、窒素ガスの供給を行わず大気中で被処理体ボートを同様にしてロードした(比較例)。
その後、非酸化性ガス供給ノズル11を閉塞し、排気ポート12に接続されている真空ポンプを用いて処理容器4内の圧力を1Paとし、また、加熱手段5を用いて処理容器4内の温度を750℃に維持した。
次いで、SiH4およびNH3の薄膜形成用反応ガスを処理ガス供給ノズル10から供給して、シリコンウェハ表面にシリコンナイトライド薄膜を70nm成膜した。この間、圧力および温度については上記成膜条件を維持した。
次いで、系内の温度および圧力をそれぞれ室温および大気圧に復帰させた後、昇降装置を駆動させて被処理体ボートをアンロードし、こうして成膜したシリコンウェハについて、被処理体ボートの上部から3枚、中央部から3枚、および下部から3枚を取り出し、その表面をウェハ検査装置で検査して、0.17μm以上および0.105μm以上の径の異物粒子の突起部を計数した。
その結果を表1に示す。
【0023】
【表1】
【0024】
表中、0.17μm以上の径を有する異物粒子の突起部を計測するウェハ検査装置の方法においては、30,000が計数の上限であり、比較例においては上限値を超え、極めて多数の異物突起部が生成していることが判明した。
さらに、0.105μm以上の径を有する異物粒子の突起部を計測するウェハ検査装置の方法においては、70,000が計測の上限であり、従って、0.105μmの径以上の突起部の計測において比較例は計測の上限値を超え、同じく極めて多数の異物粒子の突起部が生成していることが判明した。
【0025】
以上の結果から明らかなように、被処理体ボートのロード時に、加熱筒状体中に窒素ガスを流通させることにより、表面異物粒子突起部の形成を効果的に抑止できることが明らかとなった。また、その流量としては、20slm以上であれば改善効果が見られるが、これを50slm以上とすれば、その効果は極めて顕著に表れることが判明した。
【0026】
【発明の効果】
本発明によれば、シリコンウェハ表面に残存している有機シリコン化合物が酸化されて酸化ケイ素の結晶核を生じ、この結晶核を中心に生じるシリコンウェハ表面薄膜材料の生成物の発生を防止し、その結果シリコンウェハ表面に生成しやすい突起物の発生を防止することができ、生産歩留まりのよい薄膜形成が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の薄膜形成装置であって被処理体ボートをロードする以前の状態を示す断面図である。
【図2】 本発明の薄膜形成装置であって被処理体ボートをロードした状態を示す断面図である。
【図3】 本発明の成膜処理工程のシーケンス図である。
【図4】 従来の薄膜形成装置を示す断面図である。
【符号の説明】
1・・・熱処理装置
2・・・外筒
3・・・内筒
4・・・処理容器
5・・・加熱手段
6・・・断熱材
7・・・マニホールド部
8・・・被処理体ボート
9・・・シリコンウェハ
10・・・処理ガスノズル
11・・・非酸化性ガス供給ノズル
12・・・排気ポート
14・・・ボールネジ
15・・・アーム
20・・・蓋体
22・・・シール部材
41・・・処理容器
42・・・シリコンウェハ
43・・・被処理体ボート
45・・・処理ガスノズル
Claims (5)
- 上端が封止され下端が開放されている外筒と、
外筒内に収容され両端が開放された内筒との二重筒からなる縦型の処理容器と、
この処理容器の周囲に設けられた加熱手段と、
上記内筒内に配置され、複数の被処理体を多段に支持する被処理体ボートと、
この被処理体ボートを昇降させて前記処理容器内へその下方よりロードおよびアンロードさせる昇降機構と、
前記処理容器を支持するマニホールドと、前記マニホールド側部に設けられた前記処理容器内の内筒内部へ薄膜形成用処理ガスを供給する処理ガスノズルと、
前記処理容器の内筒と外筒とで形成される間隙に非酸化性ガスを供給する非酸化性ガス供給ノズルと、
前記処理容器の内筒と外筒とで形成される間隙から前記処理容器内の雰囲気を排気するための排気ポートを少なくとも有する薄膜形成装置を用い、シリコンウェハ表面に薄膜を形成する方法において、
外筒と内筒とで形成される間隙から内筒内へ窒素ガスを主成分とする非酸化性ガスを20slm以上の流速で吹き込みながら、内筒内にシリコンウェハを載置した被処理体ボートを装入し、被処理体ボートを所定位置に固定し、処理容器内を気密に封止した後、シリコンウェハ表面に薄膜を形成することを特徴とするシリコンウェハ表面の薄膜形成方法。 - 窒素ガスを主成分とする非酸化性ガスの流速が50slm以上であることを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェハ表面の薄膜形成方法。
- 窒素ガスを主成分とする非酸化性ガスが窒素ガスであることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のシリコンウェハ表面の薄膜形成方法。
- 薄膜を形成する工程がCVD工程であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のシリコンウェハ表面の薄膜形成方法。
- CVD工程が、シリコンナイトライド薄膜形成工程であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のシリコンウェハ表面の薄膜形成方法。
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