TW201926520A - 升降銷及真空處理裝置 - Google Patents

升降銷及真空處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201926520A
TW201926520A TW107127647A TW107127647A TW201926520A TW 201926520 A TW201926520 A TW 201926520A TW 107127647 A TW107127647 A TW 107127647A TW 107127647 A TW107127647 A TW 107127647A TW 201926520 A TW201926520 A TW 201926520A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
lifting pin
lifting
lift pin
peripheral member
Prior art date
Application number
TW107127647A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI682485B (zh
Inventor
山本良明
神保洋介
宮谷武尚
江藤謙次
阿部洋一
Original Assignee
日商愛發科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商愛發科股份有限公司 filed Critical 日商愛發科股份有限公司
Publication of TW201926520A publication Critical patent/TW201926520A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI682485B publication Critical patent/TWI682485B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202—Movement
    • H01J2237/20221—Translation
    • H01J2237/20235—Z movement or adjustment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本發明之升降銷係一種與具有處理面及非處理面之基板接觸之升降銷，且具備：中央構件，其與上述基板之上述非處理面對向，且具有第1面、及導電性構件即本體，該第1面具有第1表面粗糙度及電性絕緣部；周圍構件，其包圍上述中央構件之周圍，與上述基板之上述非處理面對向，且具有第2面，該第2面具有小於上述第1表面粗糙度之第2表面粗糙度及電性絕緣部。

Description

升降銷及真空處理裝置
本發明係關於升降銷及真空處理裝置。
先前，已知一種於在真空處理裝置中搬送處理對象之基板時，在搬送臂與基板保持體之間交接基板之升降銷。升降銷設置於載置基板之基板保持體之內部，藉由自基板保持體之表面突出而交接基板。
作為防止因升降銷接觸於基板之背面而對基板造成損傷之構造，提案一種對升降銷之角部進行R加工之升降銷(例如，參照日本專利特開2014-11166號公報，以下，稱為專利文獻1)。又，作為構成升降銷之材料，基於強度或耐蝕性這一點，一般使用陶瓷(例如，參照日本專利特開平11-340309號公報，以下，稱為專利文獻2)。
基板保持體具備供載置基板之基板載置面、及於基板載置面開口之複數個開口孔。複數個開口孔之個數及位置對應於升降銷之個數及位置。
升降銷於開口孔之內部，以貫通基板保持體之方式相對地上下移動，舉起基板或者將基板載置於基板保持體之上表面。
然而，於基板保持體之基板載置面上，形成有開口孔之區域中之電力線或溫度與未形成開口孔之區域相比局部不同。因此，有於載置於基板載置面之基板之表面產生之電漿不均勻之問題。由於電漿不均勻，故實施了成膜或蝕刻等處理之基板之膜厚分佈不均勻，或者，蝕刻均勻性惡化。其結果，導致具備形成於基板上之TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶體管)等之器件之不良。
防止因升降銷之接觸而產生基板損傷之構造已藉由專利文獻1揭示，但該升降銷構造並未有助於解決電漿不均勻之問題。
本發明係考慮到此種情形而完成者，目的在於提供一種可抑制對基板之背面造成損傷，謀求於基板之表面產生之電漿之均勻性之升降銷與具備該升降銷之真空處理裝置。
本發明者等為解決上述問題而積極探討，結果發現於專利文獻1中揭示之升降銷之情形時，雖藉由R加工抑制了對基板之背面造成損傷，但於經R加工之部分處升降銷與基板之間之間隙變大，電漿變得不均勻。進而，本發明者等想到因電漿不均勻而難以進行具有均勻之膜厚分佈之成膜，或均勻地進行蝕刻。
又，於專利文獻2揭示之升降銷之情形時，嘗試藉由將陶瓷材料金屬化而獲得導電性，但於高溫使用條件下強度下降，達不到實用。
本發明者等基於上述見解，為解決上述問題，完成本發明。
本發明之第1態樣之升降銷具備：中央構件，其具有第1面及導電性構件即本體，該第1面具有第1表面粗糙度及電性絕緣部；周圍構件，其包圍上述中央構件之周圍，與上述之基板對向，且具有第2面，該第2面具有小於上述第1表面粗糙度之第2表面粗糙度及電性絕緣部。
於本發明之第1態樣之升降銷中，上述周圍構件亦可為電性絕緣構件。
於本發明之第1態樣之升降銷中，上述周圍構件亦可為導電性構件。
於本發明之第1態樣之升降銷中，上述中央構件及上述周圍構件亦可為由導電性構件構成之一體品。
於本發明之第1態樣之升降銷中，亦可以於上述升降銷延伸之方向上，上述第1面上之上述中央構件之中心位置位於較上述第2面之上述周圍構件之端部位置更外側之方式，上述第1面及上述第2面具有曲面。
於本發明之第1態樣之升降銷中，位於上述周圍構件之外側面與上述周圍構件之上述第2面之間之角部亦可具有曲面。
於本發明之第1態樣之升降銷中，上述第1面及上述第2面亦可與上述基板接觸。
本發明之第2態樣之真空處理裝置具備：真空腔室；基板保持體，其具有供載置基板之基板載置面與於上述基板載置面開口之開口孔，且配置於上述真空腔室內；上述第1態樣之升降銷，其設置於與上述開口孔對應之位置，可於上述開口孔之內部上下升降；高頻電源，其使於上述真空腔室內產生電漿；及升降機構，其使上述升降銷相對於上述基板保持體上下移動。 [發明之效果]
根據本發明之上述態樣，可抑制對基板之背面造成損傷，謀求於基板之表面產生之電漿之均勻性。
關於本發明之實施形態之升降銷及真空處理裝置，一面參照圖1～圖5一面進行說明。於本實施形態之說明中使用之各圖式中，為使各構件為可辨識之大小，而適當變更了各構件之縮尺。
(真空處理裝置) 於以下敍述之實施形態中，作為一例，說明真空處理裝置應用於電漿CVD裝置(成膜裝置)之情形。
如圖1所示，本實施形態之真空處理裝置100具備真空腔室10、加熱器20(基板保持體)、高頻電源30、升降機構40、升降銷50、真空泵60、氣體供給部70及門閥80。
(真空腔室) 真空腔室10具備下部腔室11、上部腔室12及隔於下部腔室11與上部腔室12之間之電極凸緣13。
(加熱器) 加熱器20配置於真空腔室10內，藉由作為導電性構件之鋁形成。加熱器20具有供載置基板S之基板載置面21、及貫通加熱器20且於基板載置面21開口之複數個開口孔22。於位於與基板載置面21為相反側之加熱器20之底面，設置有加熱器底座23。
於開口孔22之內部，配置(收納)有下述之升降銷50，升降銷50可於開口孔22之內部上下升降。又，於開口孔22之內部，設置有促進升降銷50之順暢之上下移動之套管(未圖示)及將套管固定於開口孔22之套管螺栓。
如圖5所示，開口孔22具有於基板載置面21開口之上部開口22U、及位於上部開口22U之下方之下部開口22L。上部開口22U之直徑略微大於升降銷50之周圍構件52之直徑，例如為10.5 mm。
下部開口22L之直徑略微大於升降銷50之筒狀構件54之直徑，例如為7.5 mm。
上部開口22U之深度22D略微大於升降銷50之周圍構件52及環構件53之長度，例如為6.5 mm。
圖2表示載置於加熱器20之基板載置面21上之基板S及使基板S升降之複數個升降銷50之位置P。再者，為了於開口孔22配置升降銷50，開口孔22之位置(中心位置)對應於位置P。
基板S可藉由位於基板S之長邊SL附近之10根升降銷50(位置PL)、位於基板S之短邊SS附近之6根升降銷50(位置PS)、位於基板S之大致中央之2根升降銷50(位置PC)，即總計18根升降銷50升降。
最靠近基板S之長邊SL之升降銷50之位置PL自基板S之長邊SL之端部僅離開距離D1。最靠近基板S之短邊SS之升降銷50之位置PS自基板S之短邊SS之端部僅離開距離D2。距離D1、D2例如為10 mm～14 mm左右。
再者，本實施形態之升降銷50之根數為18，但升降銷50之根數並未限定，考慮到基板S之彎曲等，其根數可為19以上，亦可為17以下。
(高頻電源) 高頻電源30設置於真空腔室10之外部，通過未圖示之匹配箱及配線與設置於真空腔室10內之陰極電極電性連接。藉由啟動高頻電源30，將匹配整合後之高頻電力(RF)供給至陰極電極，於真空腔室10內產生電漿。
(升降機構) 升降機構40使升降銷50相對於加熱器20相對地上下移動。具體而言，升降機構40可變更加熱器20之上下方向(重力方向)之位置，藉由使加熱器20向下方移動，升降銷50與升降銷底座45接觸，升降銷50自基板載置面21突出。此時，於基板載置面21上載置有基板S之情形時，升降銷50舉起基板S。
(真空泵) 真空泵60經由未圖示之壓力調整閥及配管，連接於形成於真空腔室10之排氣口。藉由驅動真空泵60，可將真空腔室10內維持為真空狀態，可於製程結束後去除殘存於真空腔室10內之氣體。又，藉由於製程氣體供給至真空腔室10內之狀態下驅動真空泵60及壓力調整閥，可根據製程條件調整真空腔室10內之壓力。
(氣體供給部) 氣體供給部70經由未圖示之質量流量控制器及配管，連接於形成於真空腔室10之氣體供給口。自氣體供給部70供給之氣體之種類可根據真空腔室10內製程之種類例如成膜處理、蝕刻處理、灰化處理等適當選擇。自氣體供給部70供給之氣體於供給至真空腔室10後，通過簇射板75向基板S供給。
(門閥) 門閥80具備未圖示之開關驅動機構。藉由打開門閥80，未圖示之搬送臂可將基板S搬入真空處理裝置100內，或可將基板S自真空處理裝置100搬出。藉由關閉門閥80，真空腔室10成為密封狀態，可於真空腔室10內處理基板S。
真空處理裝置100亦可具備藉由將NF3 等氣體供給至真空腔室10內之放電空間來清潔真空腔室10內之構件之表面之清潔裝置。作為此種清潔裝置，可列舉使用遠程電漿之裝置。
(升降銷) 升降銷50具有與具有藉由真空處理裝置施加處理之被處理面及與被處理面相反之非處理面之基板S接觸之構成。基板S之非處理面相當於下述之背面SB。
如圖3A及圖3B所示，複數個升降銷50之各者具有中央構件51、周圍構件52、環構件53及筒狀構件54。
(中央構件) 中央構件51具有導電性構件即本體51M、及本體51M之上表面即第1面51T。本體51M於剖面觀察下具有T型之形狀，且具有頭部51H及桿部51R。
作為本體51M之材料，例如採用鋁。於第1面51T，形成鋁經陽極氧化處理之耐酸鋁被膜(電性絕緣部)。
形成於第1面51T之耐酸鋁被膜之表面粗糙度(第1表面粗糙度)可藉由陽極氧化處理之條件適當變更，但例如，可列舉Ra1～2 μm之表面粗糙度。
又，由於桿部51R與加熱器20電性連接，因此桿部51R及加熱器20維持相同電位。
中央構件51之頭部51H之直徑例如為6.4 mm。
於本實施形態中，第1面51T為平坦面(平板)，但本發明並未限定於該構造。亦能以於升降銷50延伸之方向(Z方向)上，第1面51T上之中央構件51之中心位置51C位於較第2面52T之周圍構件52之端部位置52E更外側之方式，第1面51T及第2面52T具有曲面。曲面之形狀例如亦可為球面，亦可為半橢圓等非球面。從容易加工且容易決定最佳值之觀點來看，曲面較佳為球面。如此，於構成升降銷50之中央構件51之第1面51T為曲面之情形時，基板S之背面SB與第1面51T平滑地接觸，抑制於基板S之背面SB產生損傷。
(周圍構件) 周圍構件52包圍中央構件51之周圍，尤其是包圍頭部51H之側面、頭部51H及桿部51R之連接部分。
於本實施形態中，周圍構件52具有電性絕緣構件即本體52M、及本體52M之上表面即第2面52T。第2面52T為曲面，構成電性絕緣部。
作為本體52M之材料，例如，採用氧化鋁、氧化鋯、氮化鋁、氮化珪素、碳化矽等絕緣性陶瓷。第2面52T之表面粗糙度(第2表面粗糙度)小於第1面51T之表面粗糙度，例如，可列舉Ra0.2 μm之表面粗糙度。
周圍構件52之直徑為例如9.5 mm。
位於周圍構件52之外側面52S與周圍構件52之第2面52T之間之角部，具有曲面CV2。換言之，對位於外側面52S與第2面52T之間之角部，施加倒角加工。
環構件53位於周圍構件52之下方，並且包圍中央構件51之桿部51R之周圍。作為環構件53之材料，例如採用鋁。
筒狀構件54位於環構件53之下方，並且包圍中央構件51之桿部51R之周圍。作為筒狀構件54之材料，例如，採用絕緣性陶瓷。
接下來，就具備如以上般構成之昇降銷50之真空處理裝置100之作用進行說明。
於真空處理裝置100中，藉由昇降機構40驅動，升降銷50向基板載置面21之上方上昇，使升降銷50成為可接收基板S之狀態。其後，搬送臂將基板S搬送至基板載置面21之上方之空間，自搬送臂向升降銷50交接基板S。此時，如圖4所示，升降銷50之第1面51T與基板S之背面SB接觸，升降銷50自搬送臂接收基板S。於進行此種搬送時，有時基板S會振動，由於該振動，基板S有時亦會與第2面52T接觸。然而，由於第2面52T之表面粗糙度小於第1面51T，故會抑制因第2面52T與基板S之接觸引起之基板S之背面SB之損傷之產生。進而，藉由曲面CV2形成升降銷50之角度即第2面52T，基板S之背面SB與第2面52T平滑地接觸，抑制於基板S之背面SB之損傷之產生。換言之，藉由曲面CV2形成於升降銷50之角部，尖銳之角部不會接觸於基板S之背面SB。
其次，藉由升降機構40驅動而保持基板S之升降銷50下降，於基板載置面21上載置基板S，如圖5所示，升降銷50收納於加熱器20之開口孔22。於該狀態下，中央構件51及周圍構件52於圖2所示之位置P中與基板S之背面SB對向。
其次，於門閥80關閉之狀態下，藉由真空泵60、壓力調整閥、高頻電源30、氣體供給部70之動作，於基板S上產生製程氣體之電漿，於基板S上形成膜。此處，升降銷50之中央構件51係與加熱器20相同皆由導電性構件形成，且電性連接於加熱器20，中央構件51及加熱器20之電位相同。因此，於與升降銷50之位置P對應之基板S上產生之電漿之狀態與位於未形成升降銷50之基板載置面21上之基板S上產生之電漿之狀態相同，電漿均勻地產生，於基板S上形成具有均勻之膜厚分佈之膜。
成膜完成後，藉由昇降機構40驅動而升降銷50向基板載置面21之上方上昇，如圖4所示般升降銷50舉起基板S，搬送臂接收基板S。於進行此種搬送時，有與上述之搬送同樣地基板S振動之情形。於此種情形時，由於第2面52T之表面粗糙度小於第1面51T，故會抑制因基板S之振動引起之第2面52T與基板S之接觸導致之基板S之背面SB之損傷的產生。進而，藉由曲面CV2形成升降銷50之角度即第2面52T，基板S之背面SB與第2面52T平滑地接觸，抑制於基板S之背面SB之損傷之產生。換言之，藉由曲面CV2形成於升降銷50之角部，尖銳之角部不會接觸於基板S之背面SB。接收到基板S之搬送臂自真空腔室10取出基板S。
如以上所說明般，根據本實施形態之真空處理裝置100，由於第2面52T之表面粗糙度小於第1面51T，故可抑制因第2面52T與基板S之接觸導致之基板S之背面SB產生受損。
進而，中央構件51係由導電性構件形成，電性連接於加熱器20，中央構件51及加熱器20之電位相同。因此，即使於在複數個開口孔22收納有升降銷50之情形時，於基板S上產生之電漿亦不會不均勻，可藉由均勻之電漿於基板S上形成具有均勻之膜厚分佈之膜。
尤其，於最靠近基板S之長邊SL之位置PL或最靠近基板S之短邊SS之位置PS為電漿容易變得不均勻之部分，但藉由採用上述之構成，於位置PL、PS中可均勻地產生電漿，可形成具有均勻之膜厚分佈之膜。
(升降銷之變化例1) 圖6係表示本發明之實施形態之變化例1之升降銷之構造之主要部分之剖視圖。於圖6中，於與上述實施形態相同之構件附註相同之符號，並省略或簡略化其說明。
本變化例1於中央構件及周圍構件為由導電性構件構成之一體品之點上，與上述之實施形態不同。
具體而言，升降銷150具有中央區域151(中央構件)、周圍區域152(周圍構件)，係以鋁(導電性構件)形成之一體品。即，於中央區域151與周圍區域152之間未形成邊界。於中央區域151之第1面151T及周圍區域152之第2面152T，形成鋁經陽極氧化處理之耐酸鋁被膜(電性絕緣部)，但第1面151T之表面粗糙度與第2面152T不同，第2面152T之表面粗糙度(第2表面粗糙度)小於第1面151T之表面粗糙度。
具體而言，第1面151T之表面粗糙度例如列舉Ra1～2 μm之表面粗糙度。又，第2面152T之表面粗糙度例如列舉Ra0.2 μm之表面粗糙度。
於本變化例1中，第1面151T為平坦面，但本發明並未限定於該構造。亦能以於升降銷150延伸之方向(Z方向)上，第1面151T上之中央區域151之中心位置151C位於較第2面152T之周圍區域152之端部位置152E更外側之位置之方式，第1面151T及第2面152T具有曲面。形成曲面之第1面151T及第2面152T可為球面，亦可為平緩之拋物面、半橢圓等之非球面。於該情形時，基板S之背面SB與第1面151T平滑地接觸，抑制基板S之背面SB受損。
位於升降銷150之外側面152S與周圍區域152之第2面152T之間之角部具有曲面CV2。換言之，對位於外側面152S與第2面152T之間之角部實施倒角加工。
根據本變化例1，即使於升降銷150由具有導電性之一體零件構成之情形時，藉由使第2面152T之表面粗糙度小於第1面151T之表面粗糙度，可抑制因第2面152T與基板S之接觸引起之基板S之背面SB之損傷之產生。進而，藉由形成曲面CV2而利用上述作用抑制基板S之背面SB之損傷產生。
進而，升降銷150電性連接於加熱器20，升降銷150及加熱器20之電位相同。因此，即使於在複數個開口孔22收納有升降銷150之情形時，於基板S上產生之電漿亦不會不均勻，且可藉由均勻之電漿於基板S上形成具有均勻之膜厚分佈之膜。
(升降銷之變化例2) 圖7係表示本發明之實施形態之變化例2之升降銷之構造之主要部分之剖視圖。在圖7中，對與上述實施形態及變化例1相同之構件附註相同之符號，並省略或簡略化其說明。
本變化例2於周圍構件為導電性構件這一點上與上述之實施形態不同。
具體而言，升降銷250具備由上述之中央構件51及鋁(導電性構件)形成之周圍構件252。即，於本變化例2中，取代由絕緣性陶瓷構成之周圍構件52而採用鋁製之周圍構件252。
於周圍構件252之第2面252T，形成鋁經陽極氧化處理之耐酸鋁被膜(電性絕緣部)，但第1面51T之表面粗糙度與第2面252T不同，第2面252T之表面粗糙度(第2表面粗糙度)小於第1面51T之表面粗糙度。
具體而言，第1面51T之表面粗糙度例如列舉Ra1～2 μm之表面粗糙度。又，第2面252T之表面粗糙度例如列舉Ra0.2 μm之表面粗糙度。
於本變化例2中，中央構件51之上表面為平坦面(平板)，但本發明並未限定於該構造。亦能以於升降銷250延伸之方向(Z方向)上，中心位置51C位於較第2面252T之周圍構件252之端部位置252E更外側之方式，第1面51T及第2面252T具有曲面。形成曲面之第1面51T及第2面252T可為球面，亦可為平緩之拋物面、半橢圓等之非球面。於該情形時，基板S之背面SB與第1面51T平滑地接觸，抑制基板S之背面SB產生損傷。
位於周圍構件252之外側面252S與周圍構件252之第2面252T之間之角部具有曲面CV2。換言之，對位於外側面252S與第2面252T之間之角部實施倒角加工。
根據本變化例2，即使於周圍構件252與中央構件51由相同之導電性構件構成之情形時，藉由使第2面252T之表面粗糙度小於第1面51T之表面粗糙度，可抑制因第2面252T與基板S之接觸引起之基板S之背面SB之損傷之產生。進而，藉由形成曲面CV2而利用上述作用抑制基板S之背面SB產生損傷。
進而，中央構件51電性連接於加熱器20，中央構件51及加熱器20之電位相同。因此，即使於在複數個開口孔22收納有升降銷250之情形時，於基板S上產生之電漿亦不會不均勻，且可藉由均勻之電漿於基板S上形成具有均勻之膜厚分佈之膜。
(升降銷之變化例3) 圖8係表示本發明之實施形態之變化例3之升降銷之構造之主要部分之剖視圖。在圖8中，對與上述實施形態及變化例1、2相同之構件附註相同之符號，並省略或簡略化其說明。
於上述之實施形態中，如圖3A、圖3B、圖6、圖7所示，以第1面51T之端部與第2面52T之端部接觸之方式中央構件51及周圍構件52鄰接。本發明並未限定於圖3A、圖3B、圖6、圖7所示之構造。例如，如圖8所示般，第2面52T與第1面51T亦可經由階差ST連接。於該情形時，於周圍構件52之上端52U與第1面51T(平坦面)之間形成有凹部55。凹部55之深度即於Z方向上，上端52U與第1面51T之間之距離係如圖8所示般由Δt規定。
換言之，於升降銷350延伸之方向(Z方向)上，第1面51T上之中央構件51之中心位置51C低於周圍構件52之上端52U之位置。
藉由使用具有該構成之升降銷350如圖4所示般舉起基板S，於中央構件51之第1面51T與基板S之背面SB之間形成間隙。
因此，因第1面51T之端部(邊緣)接觸於基板S之背面SB而對基板S之背面SB造成損傷之可能性變低。
(升降銷之變化例4) 圖9係表示本發明之實施形態之變化例4之升降銷之構造之主要部分之剖視圖。在圖9中，對與上述實施形態及變化例1～3相同之構件附註相同之符號，並省略或簡略化其說明。
於上述之變化例3中，於第1面51T為平坦面之情形時，說明於周圍構件52之上端52U與第1面51T之間形成凹部55。本變化例4於具有向Z方向膨出之凸形狀之曲面形成於第1面51T之點上，與變化例3不同。
第1面51T之端部51E(自Z方向觀察與上端52U相同之位置)之凹部455之深度，即Z方向之上端52U與端部51E之間之距離係如圖9所示由Δt規定。
換言之，於升降銷450延伸之方向(Z方向)上，第1面51T之中央構件51之端部51E之位置低於周圍構件52之上端52U之位置。
又，中心位置51C之位置低於周圍構件52之上端52U之位置。
與上述之變化例3同樣，於使用具有上述構成之升降銷450舉起基板S之情形時，於中央構件51之第1面51T與基板S之背面SB之間形成間隙。因此，因第1面51T之端部51E(邊緣)接觸於基板S之背面SB導致對基板S之背面SB造成損傷之可能性降低。
再者，於本變化例4中，形成於第1面51T之凸曲面之形狀例如為球面，亦可為平緩之拋物面，半橢圓等非球面。
(升降銷之變化例5) 圖10係表示本發明之實施形態之變化例5之升降銷之構造之主要部分之剖視圖。在圖10中，對與上述實施形態及變化例1～4相同之構件附註相同之符號，並省略或簡略化其說明。
於上述之實施例4中，說明了於具有向Z方向膨出之凸形狀之曲面形成於第1面51T之情形時，於周圍構件52之上端52U與第1面51T之間形成凹部455之例。本變化例5於具有凹形狀之曲面形成於第1面51T這一點上與變化例4不同。
第1面51T之中心位置51C之凹部555之深度、即Z方向之上端52U與中心位置51C之間之距離係如圖10所示由Δt規定。
換言之，於升降銷550延伸之方向(Z方向)上，第1面51T上之中央構件51之中心位置51C之位置低於周圍構件52之上端52U之位置。又，端部51E之位置低於周圍構件52之上端52U之位置。
與上述之變化例3、4同樣，於使用具有上述構成之升降銷550舉起基板S之情形時，於中央構件51之第1面51T與基板S之背面SB之間形成間隙。因此，因第1面51T之端部51E(邊緣)接觸於基板S之背面SB導致對基板S之背面SB造成損傷之可能性降低。
再者，於本變化例5中，形成於第1面51T之凹曲面之形狀例如可為球面，亦可為平緩之拋物面、半橢圓等非球面。
實施例 接下來，參照圖11A及圖11B，對本發明之實施例進行說明。
圖11A及圖11B係表示改變上述實施形態之中央構件51、周圍構件52、環構件53及筒狀構件54之材料種類而於基板上形成2種膜，進行成膜分佈之評價與於基板之背面產生之損傷之評價之結果。
作為成膜之膜之種類，採用圖11A所示之TEOS膜(原矽酸四乙酯膜、原矽酸四乙酯)與圖11B所示之SiNx膜(氮化矽膜)。
(評價項目：損傷評價) 於「損傷評價」中，評價升降銷對玻璃基板之背面造成損傷之難易度。
具體而言，符號「◎」表示「未於基板產生損傷(最佳)」，符號「○」表示「於基板輕微產生損傷(良好)」，符號「△」表示「於基板產生之損傷在容許範圍內(可)」，符號「X」表示「於基板產生之損傷在容許範圍外(不可)」。
(評價項目：成膜分佈評價) 於「成膜分佈評價」中，評價成膜於玻璃基板之表面之膜厚分佈之均勻性。
具體而言，符號「◎」表示膜厚分佈最佳(均勻)之情形，符號「○」表示膜厚分佈良好，符號「△」表示膜厚分佈尚可，符號「×」表示膜厚分佈不可(不均勻)。
(材料種類) 關於中央構件51、周圍構件52、環構件53及筒狀構件54之材料，「陶瓷」表示選擇陶瓷作為構成構件之材料，「鋁」表示選擇鋁作為構成構件之材料。
又，「鋁SR」表示選擇鋁作為構成構件之材料，且於中央構件51及周圍構件52之表面(第1面51T及第2面52T)形成曲面。
進而，「鋁Flat」表示選擇鋁作為構成構件之材料，且中央構件51及周圍構件52之表面(第1面51T及第2面52T)為平坦面。
進而，「鋁SRorFlat」表示於選擇鋁作為構成構件之材料之情形時，中央構件51之表面(第1面51T)為曲面，或為平坦面。即，以下說明之實施例A1、B1之各者，包含中央構件51之表面為曲面之情形之結果、與中央構件51之表面為平坦面之情形之結果。
又，於「鋁」、「鋁SR」、及「鋁Flat」之任一者，均於其表面藉由陽極氧化形成鋁陽極化被膜。
又，「陶瓷SR」表示選擇陶瓷作為構成構件之材料，且於中央構件51及周圍構件52之表面(第1面51T及第2面52T)形成曲面。
進而，「陶瓷Flat」表示選擇陶瓷作為構成構件之材料，且中央構件51及周圍構件52之表面(第1面51T及第2面52T)為平坦面。
(TEOS膜) 可明確以下之點。
(比較例A1、A2、A3) 損傷評價及成膜分佈評價中之至少一者之結果為「×(不可)」。尤其，若使用陶瓷(陶瓷SR、陶瓷Flat)作為中央構件51之材料，則可明確成膜分佈評價之結果不良。
認為其原因在於，因採用陶瓷作為中央構件51之材料而導致與升降銷對應之位置之電漿不均勻，對成膜分佈造成不良影響。
雖然藉由使用陶瓷SR作為周圍構件52之材料而損傷評價之結果最佳，但若使用陶瓷Flat或鋁Flat，明確可知損傷評價之結果為不良。
認為其理由在於，由於使周圍構件52之表面平坦，故不容易產生損傷。
(實施例A1、A2) 於實施例A1之情形，損傷評價及成膜分佈評價之雙方之結果為「○良好」。又，於實施例A2之情形時，損傷評價之結果為「△尚可」，成膜分佈評價之結果為「○良好」。
據此，作為中央構件51及周圍構件52之組合，明確可知藉由採用鋁SRorFlat作為中央構件51之材料，且採用陶瓷SR作為周圍構件52之材料，於損傷評價及成膜分佈評價之兩評價中獲得良好之結果。
又，即使於不使用陶瓷而採用鋁作為周圍構件52之材料之情形時，亦明確可知藉由採用鋁SR作為中央構件51及周圍構件52之材料，於基板之背面產生之損傷在容許範圍內。
(SiNx膜) 可明確以下之點。
(比較例B1、B2、B3) 損傷評價及成膜分佈評價中之至少一者之結果為「×(不可)」。尤其，若使用陶瓷(陶瓷SR、陶瓷Flat)作為中央構件51之材料，則可明確成膜分佈評價之結果不良。
認為其原因在於，由於採用陶瓷作為中央構件51之材料而導致與升降銷對應之位置之電漿不均勻，對成膜分佈造成不良影響。
雖然藉由使用陶瓷SR作為周圍構件52之材料而損傷評價之結果最佳，但若使用陶瓷Flat或鋁Flat，明確可知損傷評價之結果為不良。
認為其原因在於，由於使周圍構件52之表面平坦，故不容易產生損傷。
(實施例B1、B2) 於實施例B1之情形，損傷評價之結果為「◎最好」，成膜分佈評價之結果為「○良好」。又，於實施例B2之情形時，損傷評價之結果為「△尚可」，成膜分佈評價之結果為「○良好」。
據此，作為中央構件51及周圍構件52之組合，明確可知藉由採用鋁作為中央構件51之材料，且採用陶瓷SR作為周圍構件52之材料，於損傷評價及成膜分佈評價之兩評價中獲得良好之結果。
又，即使於不使用陶瓷而採用鋁作為周圍構件52之材料之情形時，亦明確可知藉由採用鋁SR作為中央構件51及周圍構件52之材料，於基板之背面產生之損傷在容許範圍內。
以上，說明了本發明之較佳之實施形態，於上述中雖加以說明，但應理解該等為本發明之例示者，不應認為限定者。可於不脫離本發明之範圍之情況下進行追加、省略、置換及其他變更。因此，本發明不應看作由上述說明限定，而是由申請專利範圍限制。
於上述之實施形態及變化例中，說明了對作為成膜裝置而周知之電漿CVD裝置應用真空處理裝置100之情形，但本發明並未限定於電漿CVD裝置。本發明之實施形態之真空處理裝置亦可應用於蝕刻裝置、灰化裝置等。
[產業上之可利用性] 本發明可廣泛應用於抑制對基板之背面造成損傷，可謀求於基板之表面產生之電漿之均勻性之升降銷與具備該升降銷之真空處理裝置。
10‧‧‧真空腔室
11‧‧‧下部腔室
12‧‧‧上部腔室
13‧‧‧電極凸緣
20‧‧‧加熱器(基板保持體)
21‧‧‧基板載置面
22‧‧‧開口孔
22D‧‧‧深度
22L‧‧‧下部開口
22U‧‧‧上部開口
23‧‧‧加熱器底座
30‧‧‧高頻電源
40‧‧‧升降機構
45‧‧‧升降銷底座
50‧‧‧升降銷
51‧‧‧中央構件
51C‧‧‧中心位置
51E‧‧‧端部
51H‧‧‧頭部
51M‧‧‧本體
51R‧‧‧桿部
51T‧‧‧第1面
52‧‧‧周圍構件
52E‧‧‧端部位置
52M‧‧‧本體
52S‧‧‧外側面
52T‧‧‧第2面
52U‧‧‧上端
53‧‧‧環構件
54‧‧‧筒狀構件
55‧‧‧凹部
60‧‧‧真空泵
70‧‧‧氣體供給部
75‧‧‧簇射板
80‧‧‧門閥
100‧‧‧真空處理裝置
150‧‧‧升降銷
151‧‧‧中央區域
151C‧‧‧中心位置
151T‧‧‧第1面
152‧‧‧周圍區域(周圍構件)
152E‧‧‧端部位置
152S‧‧‧外側面
152T‧‧‧第2面
250‧‧‧升降銷
252‧‧‧周圍構件
252E‧‧‧端部位置
252S‧‧‧外側面
252T‧‧‧第2面
350‧‧‧升降銷
450‧‧‧升降銷
455‧‧‧凹部
550‧‧‧升降銷
555‧‧‧凹部
CV2‧‧‧曲面
D1‧‧‧距離
D2‧‧‧距離
P‧‧‧位置
PC‧‧‧位置
PL‧‧‧位置
PS‧‧‧位置
S‧‧‧基板
SB‧‧‧背面
SL‧‧‧長邊
SS‧‧‧短邊
ST‧‧‧階差
Z‧‧‧方向
Δt‧‧‧距離
圖1係部分地表示本發明之實施形態之真空處理裝置之剖視圖。 圖2係表示於本發明之實施形態之真空處理裝置中載置於加熱器之基板之俯視圖，且係表示使基板升降之升降銷之位置之圖。 圖3A係表示本發明之實施形態之升降銷之圖，且係表示升降銷之俯視圖。 圖3B係表示本發明之實施形態之升降銷之圖，且係表示升降銷之縱剖視圖。 圖4係放大表示本發明之實施形態之升降銷與基板之背面接觸之狀態之剖視圖。 圖5係放大表示本發明之實施形態之升降銷收納於加熱器之狀態之剖視圖。 圖6係表示本發明之實施形態之升降銷之變化例1之主要部分之剖視圖。 圖7係表示本發明之實施形態之升降銷之變化例2之主要部分之剖視圖。 圖8係表示本發明之實施形態之升降銷之變化例3之主要部分之剖視圖。 圖9係表示本發明之實施形態之升降銷之變化例4之主要部分之剖視圖。 圖10係表示本發明之實施形態之升降銷之變化例5之主要部分之剖視圖。 圖11A係說明本發明之實施例之圖。 圖11B係說明本發明之實施例之圖。

Claims (8)

  1. 一種升降銷，其係與具有處理面及非處理面之基板接觸者，且包含： 中央構件，其與上述基板之上述非處理面對向，且具有第1面、及導電性構件即本體，該第1面具有第1表面粗糙度及電性絕緣部； 周圍構件，其包圍上述中央構件之周圍，與上述基板之上述非處理面對向，且具有第2面，該第2面具有小於上述第1表面粗糙度之第2表面粗糙度及電性絕緣部。
  2. 如請求項1之升降銷，其中上述周圍構件係電性絕緣構件。
  3. 如請求項1之升降銷，其中上述周圍構件係導電性構件。
  4. 如請求項3之升降銷，其中上述中央構件及上述周圍構件係由導電性構件構成之一體品。
  5. 如請求項1至4中任一項之升降銷，其中以於上述升降銷延伸之方向上，上述第1面上之上述中央構件之中心位置，位於較上述第2面之上述周圍構件之端部位置外側之方式，上述第1面及上述第2面具有曲面。
  6. 如請求項1至4中任一項之升降銷，其中位於上述周圍構件之外側面與上述周圍構件之上述第2面之間之角部，具有曲面。
  7. 如請求項1至4中任一項之升降銷，其中上述第1面及上述第2面可與上述基板之上述非處理面接觸。
  8. 一種真空處理裝置，其包含： 真空腔室； 基板保持體，其具有載置基板之基板載置面與於上述基板載置面開口之開口孔，且配置於上述真空腔室內； 如請求項1至7中任一項之升降銷，其設置於與上述開口孔對應之位置，可於上述開口孔之內部上下升降； 高頻電源，其使上述真空腔室內產生電漿；及 升降機構，其使上述升降銷相對於上述基板保持體相對地上下移動。
TW107127647A 2017-11-21 2018-08-08 升降銷及真空處理裝置 TWI682485B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017223792 2017-11-21
JP2017-223792 2017-11-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201926520A true TW201926520A (zh) 2019-07-01
TWI682485B TWI682485B (zh) 2020-01-11

Family

ID=66630915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107127647A TWI682485B (zh) 2017-11-21 2018-08-08 升降銷及真空處理裝置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20210343577A1 (zh)
JP (1) JP6652665B2 (zh)
KR (1) KR102180158B1 (zh)
CN (1) CN110073484B (zh)
TW (1) TWI682485B (zh)
WO (1) WO2019102657A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD1031676S1 (en) * 2020-12-04 2024-06-18 Asm Ip Holding B.V. Combined susceptor, support, and lift system

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4624728A (en) * 1985-06-11 1986-11-25 Tegal Corporation Pin lift plasma processing
JPH11340309A (ja) 1998-05-29 1999-12-10 Kyocera Corp 導電体内蔵型セラミック製リフトピンとそれを用いた静電チャック
KR100765539B1 (ko) * 2001-05-18 2007-10-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 화학기상 증착장비
JP3672300B2 (ja) * 2001-10-30 2005-07-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 薄膜成長装置用のリフトピン、その形成方法およびリフトピン頭部
JP2003197721A (ja) * 2001-12-26 2003-07-11 Ulvac Japan Ltd 基板支持用昇降ピン及びこれを用いた多室型成膜装置
JP4139868B2 (ja) * 2005-03-31 2008-08-27 福井県 高融点金属の高圧鋳造方法およびダイカスト装置
JP4331169B2 (ja) * 2006-02-02 2009-09-16 株式会社アルバック 静電気除去装置
KR20100100269A (ko) * 2009-03-06 2010-09-15 주식회사 코미코 리프트 핀 및 이를 포함하는 웨이퍼 처리 장치
US20110164955A1 (en) * 2009-07-15 2011-07-07 Applied Materials,Inc. Processing chamber with translating wear plate for lift pin
JP2014011166A (ja) * 2012-06-27 2014-01-20 Sharp Corp 基板処理装置
KR102215641B1 (ko) * 2013-12-18 2021-02-16 주성엔지니어링(주) 리프트 핀 어셈블리 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
US10192770B2 (en) * 2014-10-03 2019-01-29 Applied Materials, Inc. Spring-loaded pins for susceptor assembly and processing methods using same
JP6435992B2 (ja) * 2015-05-29 2018-12-12 株式会社Sumco エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン
US10490436B2 (en) * 2015-11-04 2019-11-26 Applied Materials, Inc. Enhanced lift pin design to eliminate local thickness non-uniformity in teos oxide films

Also Published As

Publication number Publication date
US20210343577A1 (en) 2021-11-04
TWI682485B (zh) 2020-01-11
WO2019102657A1 (ja) 2019-05-31
JPWO2019102657A1 (ja) 2019-11-21
KR20190069390A (ko) 2019-06-19
JP6652665B2 (ja) 2020-02-26
KR102180158B1 (ko) 2020-11-18
CN110073484A (zh) 2019-07-30
CN110073484B (zh) 2023-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9978632B2 (en) Direct lift process apparatus
JP4597894B2 (ja) 基板載置台および基板処理装置
JP7134319B2 (ja) プラズマ処理装置
KR102434559B1 (ko) 탑재대 및 플라즈마 처리 장치
TWI748009B (zh) 電漿處理裝置
KR101261706B1 (ko) 기판 탑재대, 그 제조 방법 및 기판 처리 장치
TWI445119B (zh) A substrate stage and a substrate processing device
US20190304824A1 (en) Plasma processing apparatus and method of transferring workpiece
JP6010296B2 (ja) 静電チャック
TWI682485B (zh) 升降銷及真空處理裝置
JP2003224077A (ja) プラズマ処理装置、電極部材、バッフル板の製造方法、処理装置、および、表面処理方法
KR102363241B1 (ko) 플라즈마 강화 화학기상 증착 장비 및 그 동작 방법
JP3113796B2 (ja) プラズマ処理装置
KR101798733B1 (ko) 실드 링 및 기판 탑재대
JP7241519B2 (ja) 基板載置台、基板処理装置及び基板載置台の製造方法
US20210005493A1 (en) Processing apparatus
KR101353157B1 (ko) 정전 척
JP3880896B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
TW202006819A (zh) 噴氣頭及電漿處理裝置
JP2016148062A (ja) 成膜装置
JP2006339678A (ja) プラズマ処理装置及び電極部材
US20140251216A1 (en) Flip edge shadow frame
CN110610892A (zh) 基片处理装置和基片处理方法