KR20190069390A - 리프트 핀 및 진공 처리 장치 - Google Patents

리프트 핀 및 진공 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20190069390A
KR20190069390A KR1020197007051A KR20197007051A KR20190069390A KR 20190069390 A KR20190069390 A KR 20190069390A KR 1020197007051 A KR1020197007051 A KR 1020197007051A KR 20197007051 A KR20197007051 A KR 20197007051A KR 20190069390 A KR20190069390 A KR 20190069390A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
lift pin
lift
peripheral member
peripheral
Prior art date
Application number
KR1020197007051A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102180158B1 (ko
Inventor
요시아키 야마모토
요스케 짐보
다케히사 미야야
켄지 에토
요이치 아베
Original Assignee
가부시키가이샤 아루박
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 아루박 filed Critical 가부시키가이샤 아루박
Publication of KR20190069390A publication Critical patent/KR20190069390A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102180158B1 publication Critical patent/KR102180158B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202—Movement
    • H01J2237/20221—Translation
    • H01J2237/20235—Z movement or adjustment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명의 리프트 핀은, 처리면 및 비처리면을 갖는 기판에 접촉하는 리프트 핀이며, 제1 표면 조도 및 전기 절연부를 갖는 제1 면과, 도전성 부재인 본체를 갖고, 상기 기판의 상기 비처리면에 대향하는 중앙 부재와, 상기 제1 표면 조도보다 작은 제2 표면 조도 및 전기 절연부를 갖는 제2 면을 갖고, 상기 중앙 부재의 주위를 둘러싸서, 상기 기판의 상기 비처리면에 대향하는 주위 부재를 구비한다.

Description

리프트 핀 및 진공 처리 장치
본 발명은, 리프트 핀 및 진공 처리 장치에 관한 것이다.
본원은, 2017년 11월 21일에 일본에 출원된 특원2017-223792호에 근거하여 우선권을 주장하며, 그 내용을 여기에 원용한다.
종래, 진공 처리 장치에서 처리 대상의 기판을 반송할 때에, 반송 암과 기판 유지체의 사이에 기판을 주고 받는 리프트 핀이 알려져 있다. 리프트 핀은, 기판이 재치(載置)되는 기판 유지체의 내부에 설치되고 있고, 기판 유지체의 표면으로부터 돌출함으로써, 기판을 주고 받는다.
기판의 이면에 리프트 핀이 접촉하는 것에 기인하는 기판의 상처의 발생을 방지하는 구조로서, 리프트 핀의 각부(角部)에 R 가공이 처리된 리프트 핀이 제안되고 있다(특허문헌 1 참조). 또, 리프트 핀을 구성하는 재료로서, 강도나 내식성의 점에서, 세라믹이 일반적으로 이용되고 있다(특허문헌 2 참조).
일본 특허 특개2014-11166호 공보 일본 특허 특개평11-340309호 공보
기판 유지체는, 기판이 재치되는 기판 재치면과, 기판 재치면으로 개구되는 복수의 개구혈을 구비한다. 복수의 개구혈의 개수 및 위치는, 리프트 핀의 개수 및 위치에 대응하고 있다.
리프트 핀은, 개구혈의 내부에서, 기판 유지체를 관통하도록 상대적으로 상하로 이동하고, 기판을 들어 올리거나, 기판을 기판 유지체의 상면에 재치하거나 한다.
그런데, 기판 유지체의 기판 재치면에서, 개구혈이 형성되고 있는 영역에서의 전기력선이나 온도는, 개구혈이 형성되어 있지 않은 영역과 비교해서 국소적으로 다르다. 이에 기인하여, 기판 재치면에 재치된 기판의 표면에 발생하는 플라즈마가 불균일하게 된다는 문제가 있다. 플라즈마가 불균일하게 됨으로써, 성막이나 에칭 등의 처리가 수행된 기판에서의 막 두께 분포가 불균일하게 되거나, 혹은, 에칭 균일성이 악화된다. 결과적으로, 기판 상에 형성되는 TFT(Thin Film Transistor) 등을 구비하는 디바이스의 불량을 부른다.
리프트 핀의 접촉에 기인하는 기판의 상처의 발생을 방지하는 구조가 특허문헌 1에 의해서 개시되고 있지만, 이 리프트 핀 구조는, 플라즈마가 불균일하게 된다고 하는 문제의 해결에는 기여하고 있지 않다.
본 발명은 이러한 사정을 고려해서 된 것으로, 기판의 이면에 대한 상처의 발생을 억제하고, 기판의 표면에 발생하는 플라즈마의 균일성을 도모할 수 있는 리프트 핀과, 이 리프트 핀을 구비하는 진공 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자 등은, 상기의 과제를 해결하기 위해 열심히 검토(銳意檢討)한 결과, 특허문헌 1에 개시된 리프트 핀의 경우, R 가공에 의해서 기판의 이면에 대한 상처의 발생이 억제되지만, R 가공된 부분에서 리프트 핀과 기판 사이의 틈새가 커져서, 플라즈마가 불균일이 되는 것을 찾아내었다. 또한, 본 발명자 등은, 플라즈마가 불균일이 되는 것에 기인하여, 균일한 막 두께 분포를 갖는 성막을 실시하는 것, 혹은, 균일하게 에칭을 실시하는 것이 어려운 것에 생각이 미쳤다(想到).
또, 특허문헌 2에 개시된 리프트 핀의 경우, 세라믹 재료를 메탈라이즈 함으로써 도전성을 얻으려고 시도되고 있지만, 고온의 사용 조건에서는 강도가 저하되어 버려서, 실용에는 이르지 않았다.
본 발명자 등은, 상기 지견에 근거하여, 상기의 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 이르렀다.
본 발명의 제1 모양에 따른 리프트 핀은, 제1 표면 조도 및 전기 절연부를 갖는 제1 면과, 도전성 부재인 본체를 갖고, 기판에 대향하는 중앙 부재와, 상기 제1 표면 조도보다 작은 제2 표면 조도 및 전기 절연부를 갖는 제2 면을 갖고, 상기 중앙 부재의 주위를 둘러싸고, 상기 기판에 대향하는 주위 부재를 구비한다.
본 발명의 제1 모양에 따른 리프트 핀에서는, 상기 주위 부재는, 전기 절연부재여도 좋다.
본 발명의 제1 모양에 따른 리프트 핀에서는, 상기 주위 부재는, 도전성 부재여도 좋다.
본 발명의 제1 모양에 따른 리프트 핀에서는, 상기 중앙 부재 및 상기 주위 부재는, 도전성 부재로 구성된 일체의 물품(一體品)이어도 좋다.
본 발명의 제1 모양에 따른 리프트 핀에서는, 상기 리프트 핀이 연재하는 방향에서 상기 제1 면 상에서의 상기 중앙 부재의 중심 위치가 상기 제2 면에서의 상기 주위 부재의 단부 위치보다 외측에 위치하도록, 상기 제1 면 및 상기 제2 면은 곡면을 가져도 좋다.
본 발명의 제1 모양에 따른 리프트 핀에서는, 상기 주위 부재의 외측면과 상기 주위 부재의 상기 제2 면 사이에 위치하는 각부(角部)는, 곡면을 가져도 좋다.
본 발명의 제1 모양에 따른 리프트 핀에서는, 상기 제1 면 및 상기 제2 면은, 상기 기판에 접촉 가능해도 좋다.
본 발명의 제2 모양에 따른 진공 처리 장치는, 진공 챔버와, 기판이 재치되는 기판 재치면과, 상기 기판 재치면으로 개구되는 개구혈을 갖고, 상기 진공 챔버 내에 배치된 기판 유지체와, 상기 개구혈에 대응하는 위치에 설치되어, 상기 개구혈의 내부에서 상하에 승강 가능한, 상술한 제1 모양에 따른 리프트 핀과, 상기 진공 챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 고주파 전원과, 상기 기판 유지체에 대해서 상기 리프트 핀을 상대적으로 상하로 이동시키는 승강 기구를 구비한다.
본 발명의 상기 모양에 의하면, 기판의 이면에 대한 상처의 발생을 억제하고, 기판의 표면에 발생하는 플라즈마의 균일성을 도모할 수 있다.
[도 1] 본 발명의 실시 형태에 따른 진공 처리 장치를 부분적으로 나타내는 단면도이다.
[도 2] 본 발명의 실시 형태에 따른 진공 처리 장치에서 히터에 재치되는 기판을 나타내는 평면도이며, 기판을 승강시키는 리프트 핀의 위치를 나타내는 도이다.
[도 3a] 본 발명의 실시 형태에 따른 리프트 핀을 나타내는 도이며, 리프트 핀을 나타내는 상면도이다.
[도 3b] 본 발명의 실시 형태에 따른 리프트 핀을 나타내는 도이며, 리프트 핀을 나타내는 종단면도이다.
[도 4] 본 발명의 실시 형태에 따른 리프트 핀이 기판의 이면과 접촉하는 상태를 확대하여 나타낸 단면도이다.
[도 5] 본 발명의 실시 형태에 따른 리프트 핀이 히터에 수납된 상태를 확대하여 나타낸 단면도이다.
[도 6] 본 발명의 실시 형태에 따른 리프트 핀의 변형예 1의 주요부를 나타내는 단면도이다.
[도 7] 본 발명의 실시 형태에 따른 리프트 핀의 변형예 2의 주요부를 나타내는 단면도이다.
[도 8] 본 발명의 실시 형태에 따른 리프트 핀의 변형예 3의 주요부를 나타내는 단면도이다.
[도 9] 본 발명의 실시 형태에 따른 리프트 핀의 변형예 4의 주요부를 나타내는 단면도이다.
[도 10] 본 발명의 실시 형태에 따른 리프트 핀의 변형예 5의 주요부를 나타내는 단면도이다.
[도 11a] 본 발명의 실시예를 설명하는 도이다.
[도 11b] 본 발명의 실시예를 설명하는 도이다.
본 발명의 실시 형태에 따른 리프트 핀 및 진공 처리 장치에 대해서, 도 1~도 5를 참조하면서 설명한다. 본 실시 형태의 설명에 이용하는 각 도면에서는, 각 부재를 인식 가능성을 크게 하기 위해, 각 부재의 축척을 적당 변경하고 있다.
(진공 처리 장치)
이하에 말하는 실시 형태에서는, 일례로서, 진공 처리 장치가 플라즈마 CVD 장치(성막 장치)에 적용되는 경우를 설명한다.
도 1에 나타내듯이, 본 실시 형태에 따른 진공 처리 장치(100)는, 진공 챔버(10)와, 히터(20)(기판 유지체)와, 고주파 전원(30)과, 승강 기구(40)와, 리프트 핀(50)과, 진공 펌프(60)와, 가스 공급부(70)와, 도어 밸브(80)를 구비한다.
(진공 챔버)
진공 챔버(10)는, 하부 챔버(11), 상부 챔버(12), 및 하부 챔버(11)와 상부 챔버(12) 사이에 끼워진 전극 플랜지(13)를 구비한다.
(히터)
히터(20)는, 진공 챔버(10) 내에 배치되어 있고, 도전성 부재인 알루미늄에 의해서 형성되고 있다. 히터(20)는, 기판(S)이 재치되는 기판 재치면(21)과, 히터(20)를 관통하여 기판 재치면(21)에 개구되는 복수의 개구혈(22)을 갖는다. 기판 재치면(21)과는 반대 측에 위치하는 히터(20)의 이면에는, 히터 베이스(23)가 설치되고 있다.
개구혈(22)의 내부에는, 후술하는 리프트 핀(50)이 배치(수납)되고 있고, 리프트 핀(50)은, 개구혈(22)의 내부에서 상하로 승강 가능하다. 또, 개구혈(22)의 내부에는, 리프트 핀(50)의 매끄러운 상하 이동을 촉진하는 부싱(미도시)과, 부싱을 개구혈(22)에 고정하는 부싱 볼트가 설치되고 있다.
도 5에 나타내듯이, 개구혈(22)은, 기판 재치면(21)에 개구되는 상부 개구(22U)와, 상부 개구(22U)의 하부에 위치하는 하부 개구(22L)를 갖는다. 상부 개구(22U)의 직경은, 리프트 핀(50)의 주위 부재(52)의 직경보다 약간 크고, 예를 들면, 10.5 mm이다.
하부 개구(22L)의 직경은, 리프트 핀(50)의 통상 부재(54)의 직경보다 약간 크고, 예를 들면, 7.5 mm이다.
상부 개구(22U)의 깊이(22D)는, 리프트 핀(50)의 주위 부재(52) 및 링 부재(53)의 길이보다 약간 크고, 예를 들면, 6.5 mm이다.
도 2는, 히터(20)의 기판 재치면(21) 상에 재치되는 기판(S)과, 기판(S)을 승강시키는 복수의 리프트 핀(50)의 위치(P)를 나타내고 있다. 또, 개구혈(22)에 리프트 핀(50)이 배치되어 있기 때문에, 개구혈(22)의 위치(중심 위치)는 위치(P)에 대응하고 있다.
기판(S)은, 기판(S)의 장변(SL)의 근처에 있는 10개의 리프트 핀(50)(위치(PL)), 기판(S)의 단변(SS)의 근처에 있는 6개의 리프트 핀(50)(위치(PS)), 기판(S)의 대략 중앙에 위치하는 2개의 리프트 핀(50)(위치(PC)), 즉, 합계 18개의 리프트 핀(50)에 의해서 승강 가능하다.
기판(S)의 장변(SL)에 가장 근처에 있는 리프트 핀(50)의 위치(PL)는, 기판(S)의 장변(SL)의 단부로부터 거리 D1만큼 떨어져 있다. 기판(S)의 단변(SS)에 가장 근처에 있는 리프트 핀(50)의 위치(PS)는, 기판(S)의 단변(SS)의 단부로부터 거리 D2만큼 떨어져 있다. 거리 D1, D2는, 예를 들면, 10 mm~14 mm 정도이다.
또한, 본 실시 형태에서의 리프트 핀(50)의 갯수는 18이지만, 리프트 핀(50)의 갯수는 한정되지 않고, 기판(S)의 휨 등을 고려하여, 그 갯수는 19 이상이어도 좋고, 17 이하여도 좋다.
(고주파 전원)
고주파 전원(30)은, 진공 챔버(10)의 외부에 설치되고 있고, 미도시의 매칭 박스 및 배선을 통해서 진공 챔버(10) 내에 설치된 음극 전극에 전기적으로 접속되고 있다. 고주파 전원(30)이 기동하여, 매칭 정합된 고주파 전력(RF)이 음극 전극에 공급됨으로써, 진공 챔버(10) 내에 플라즈마가 발생한다.
(승강 기구)
승강 기구(40)는, 히터(20)에 대해서 리프트 핀(50)을 상대적으로 상하로 이동시킨다. 구체적으로, 승강 기구(40)는, 히터(20)의 상하 방향(중력 방향)의 위치를 변경하는 것이 가능하고, 히터(20)를 하부로 이동시킴으로써, 리프트 핀(50)이 리프트 핀 베이스(45)에 접촉하여, 리프트 핀(50)이 기판 재치면(21)으로부터 돌출한다. 이 때, 기판 재치면(21) 상에 기판(S)이 재치되고 있는 경우에는, 리프트 핀(50)은 기판(S)을 들어 올린다.
(진공 펌프)
진공 펌프(60)는, 미도시의 압력 조정 밸브 및 배관을 통해, 진공 챔버(10)에 형성된 배기구에 접속되고 있다. 진공 펌프(60)를 구동함으로써, 진공 챔버(10) 내를 진공 상태로 유지하는 것이 가능하고, 프로세스 종료 후에 진공 챔버(10) 내에 잔존하는 가스를 제거하는 것이 가능하다. 또, 프로세스 가스가 진공 챔버(10) 내에 공급되고 있는 상태로 진공 펌프(60) 및 압력 조정 밸브가 구동함으로써, 프로세스 조건에 따라 진공 챔버(10) 내의 압력을 조정하는 것이 가능하다.
(가스 공급부)
가스 공급부(70)는, 미도시의 매스 플로우 콘트롤러 및 배관을 통해, 진공 챔버(10)에 형성된 가스 공급구에 접속되고 있다. 가스 공급부(70)로부터 공급되는 가스의 종류는, 진공 챔버(10) 내의 프로세스의 종류, 예를 들면, 성막 처리, 에칭 처리, 애싱 처리 등에 따라, 적당 선택 가능하다. 가스 공급부(70)로부터 공급된 가스는, 진공 챔버(10)에 공급된 후, 샤워 플레이트(75)를 통해서, 기판(S)을 향해서 공급된다.
(도어 밸브)
도어 밸브(80)는, 미도시의 개폐 구동 기구를 구비하고 있다. 도어 밸브(80)가 열림으로써, 미도시의 반송 암이 진공 처리 장치(100) 내로 기판(S)을 반입하거나, 진공 처리 장치(100)로부터 기판(S)을 반출하거나 하는 것이 가능해진다. 도어 밸브(80)가 닫힘으로써, 진공 챔버(10)가 밀폐 상태가 되고, 진공 챔버(10) 내에서 기판(S)을 처리하는 것이 가능해진다.
진공 처리 장치(100)는, NF3 등의 가스를 진공 챔버(10) 내의 방전 공간으로 공급하는 것에 의해서 진공 챔버(10) 내의 부재의 표면을 클리닝하는 클리닝 장치를 구비하여도 좋다. 이러한 클리닝 장치로서는, 리모트 플라즈마를 이용하는 장치를 들 수 있다.
(리프트 핀)
리프트 핀(50)은, 진공 처리 장치에 의해서 처리가 실시되는 피처리면과 피처리면과는 반대의 비처리면을 갖는 기판(S)에 접촉하는 구성을 갖는다. 기판(S)의 비처리면은, 후술하는 이면(SB)에 상당한다.
도 3a 및 도 3b에 나타내듯이, 복수의 리프트 핀(50)의 각각은, 중앙 부재(51)와, 주위 부재(52)와, 링 부재(53)와, 통상 부재(54)를 가진다.
(중앙 부재)
중앙 부재(51)는, 도전성 부재인 본체(51M)와, 본체(51M)의 상면인 제1 면(51T)을 갖는다. 본체(51M)는, 단면에서 보았을 때 T형의 형상을 가지고 있고, 헤드부(51H)와, 로드부(51R)를 가진다.
본체(51M)의 재료로서는, 예를 들면, 알루미늄이 채용된다. 제1 면(51T)에는, 알루미늄이 양극 산화 처리된 알루마이트(Alumite) 피막(전기 절연부)이 형성되고 있다.
제1 면(51T)에 형성되고 있는 알루마이트 피막의 표면 조도(제1 표면 조도)는, 양극 산화 처리의 조건에 의해서 적당 변경 가능하지만, 예를 들면, Ra 1~2μm의 표면 조도를 들 수 있다.
또, 로드부(51R)는, 히터(20)와 전기적으로 접속되고 있기 때문에, 로드부(51R) 및 히터(20)는, 같은 전위가 유지되고 있다.
중앙 부재(51)의 헤드부(51H)의 직경은, 예를 들면, 6.4 mm이다.
본 실시 형태에서, 제1 면(51T)은, 평탄면(플랫)이지만, 본 발명은, 이 구조로 한정되지 않는다. 리프트 핀(50)이 연재하는 방향(Z 방향)에서, 제1 면(51T) 상에서의 중앙 부재(51)의 중심 위치(51C)가 제2 면(52T)에서의 주위 부재(52)의 단부 위치(52E)보다 외측에 위치하도록, 제1 면(51T) 및 제2 면(52T)은 곡면을 가져도 좋다. 곡면의 형상은, 예를 들면, 구면(球面)이어도 좋고, 완만한 포물면(放物面), 반타원 등의 비구면이어도 좋다. 가공이 용이하고 최적치가 결정하기 쉽다고 하는 관점으로부터, 곡면은, 구면인 것이 바람직하다. 이와 같이 리프트 핀(50)을 구성하는 중앙 부재(51)의 제1 면(51T)이 곡면인 경우, 기판(S)의 이면(SB)과 제1 면(51T)이 매끄럽게 접촉하고, 기판(S)의 이면(SB)에서의 상처의 발생이 억제된다.
(주위 부재)
주위 부재(52)는, 중앙 부재(51)의 주위를 둘러싸고 있고, 특히, 헤드부(51H)의 측면과, 헤드부(51H) 및 로드부(51R)의 접속 부분을 둘러싸고 있다.
본 실시 형태에서, 주위 부재(52)는, 전기 절연부재인 본체(52M)와, 본체(52M)의 상면인 제2 면(52T)을 갖는다. 제2 면(52T)은, 곡면이며, 전기 절연부를 구성한다.
본체(52M)의 재료로서는, 예를 들면, 알루미나, 산화 지르코늄, 질화 알루미늄, 질화 규소, 탄화규소 등의 절연성 세라믹이 채용된다. 제2 면(52T)의 표면 조도(제2 표면 조도)는, 제1 면(51T)의 표면 조도보다 작고, 예를 들면, Ra 0.2μm의 표면 조도를 들 수 있다.
주위 부재(52)의 직경은, 예를 들면, 9.5 mm이다.
주위 부재(52)의 외측면(52S)과 주위 부재(52)의 제2 면(52T) 사이에 위치하는 각부는, 곡면(CV2)을 갖는다. 환언하면, 외측면(52S)과 제2 면(52T) 사이에 위치하는 각부에는 면취 가공(面取加工, chamfering processing)이 실시되고 있다.
링 부재(53)는, 주위 부재(52)의 하부에 위치함과 동시에 중앙 부재(51)의 로드부(51R)의 주위를 둘러싼다. 링 부재(53)의 재료로서는, 예를 들면, 알루미늄이 채용된다.
통상 부재(54)는, 링 부재(53)의 하부에 위치함과 동시에 중앙 부재(51)의 로드부(51R)의 주위를 둘러싼다. 통상 부재(54)의 재료로서는, 예를 들면, 절연성 세라믹이 채용된다.
다음으로, 이상과 같이 구성된 리프트 핀(50)을 구비하는 진공 처리 장치(100)의 작용에 대해 설명한다.
진공 처리 장치(100)에서, 승강 기구(40)가 구동하여, 리프트 핀(50)이 기판 재치면(21)의 상방을 향해서 상승함으로써, 리프트 핀(50)은 기판(S)의 수취가 가능한 상태가 된다. 그 후, 반송 암이 기판 재치면(21)의 상방의 공간으로 기판(S)을 반송하고, 반송 암으로부터 리프트 핀(50)에 대해서 기판(S)을 건네받는다. 이 때, 도 4에 나타내듯이 리프트 핀(50)의 제1 면(51T)이 기판(S)의 이면(SB)과 접촉하고, 리프트 핀(50)이 반송 암으로부터 기판(S)을 받는다. 이러한 반송을 하고 있을 때, 기판(S)이 진동하는 경우가 있고, 이 진동에 의해, 기판(S)은, 제2 면(52T)에도 접촉하는 일이 있다. 그렇지만, 제2 면(52T)의 표면 조도는, 제1 면(51T)보다 작기 때문에, 제2 면(52T)과 기판(S)의 접촉에 기인하는 기판(S)의 이면(SB)에서의 상처의 발생이 억제된다. 또한, 곡면(CV2)이 리프트 핀(50)의 각부, 즉, 제2 면(52T)에 형성되고 있으므로, 기판(S)의 이면(SB)과 제2 면(52T)이 매끄럽게 접촉하고, 기판(S)의 이면(SB)에서의 상처의 발생이 억제된다. 환언하면, 곡면(CV2)이 리프트 핀(50)의 각부에 형성되고 있으므로, 날카로워진 각부가 기판(S)의 이면(SB)에 접촉하지 않는다.
다음으로, 승강 기구(40)가 구동함으로써, 기판(S)을 유지하고 있는 리프트 핀(50)이 하강하고, 기판 재치면(21) 상에 기판(S)이 재치되고, 도 5에 나타내듯이 리프트 핀(50)이 히터(20)의 개구혈(22)에 수납된다. 이 상태에서는, 중앙 부재(51) 및 주위 부재(52)는, 도 2에 나타내는 위치(P)에서, 기판(S)의 이면(SB)과 대향하고 있다.
다음으로, 도어 밸브(80)가 닫힌 상태로, 진공 펌프(60), 압력 조정 밸브, 고주파 전원(30), 가스 공급부(70)의 동작에 의해, 기판(S) 상에 프로세스 가스의 플라즈마가 생기고, 기판(S) 상에 막이 형성된다. 여기서, 리프트 핀(50)의 중앙 부재(51)는, 히터(20)와 동일하게 도전성 부재로 형성되고, 히터(20)에 전기적으로 접속되고 있고, 중앙 부재(51) 및 히터(20)의 전위는 동일하게 되고 있다. 이 때문에, 리프트 핀(50)의 위치(P)에 대응하는 기판(S) 상에 발생하는 플라즈마 상태와, 리프트 핀(50)이 형성되어 있지 않은 기판 재치면(21) 상에 위치하는 기판(S) 상에 발생하는 플라즈마 상태가 동일하게 되고, 플라즈마가 균일하게 발생하여, 기판(S) 상에 균일한 막 두께 분포를 갖는 막이 형성된다.
성막이 종료한 후, 승강 기구(40)가 구동함으로써 리프트 핀(50)이 기판 재치면(21)의 상방을 향해서 상승하고, 도 4에 나타내듯이 리프트 핀(50)이 기판(S)을 들어 올려, 반송 암이 기판(S)을 받는다. 이러한 반송을 하고 있을 때, 상술한 반송과 동일하게 기판(S)이 진동하는 경우가 있다. 이 경우에서도, 제2 면(52T)의 표면 조도는, 제1 면(51T)보다 작기 때문에, 기판(S)의 진동에 기인하는 제2 면(52T)과 기판(S)의 접촉에 기인하는 기판(S)의 이면(SB)에서의 상처의 발생이 억제된다. 또한, 곡면(CV2)이 리프트 핀(50)의 각부, 즉, 제2 면(52T)에 형성되고 있으므로, 기판(S)의 이면(SB)과 제2 면(52T)이 매끄럽게 접촉하고, 기판(S)의 이면(SB)에서의 상처의 발생이 억제된다. 환언하면, 곡면(CV2)이 리프트 핀(50)의 각부에 형성되고 있으므로, 날카로워진 각부가 기판(S)의 이면(SB)에 접촉하지 않는다. 기판(S)을 받은 반송 암은, 진공 챔버(10)로부터 기판(S)을 꺼낸다.
이상 설명한 것처럼, 본 실시 형태에 따른 진공 처리 장치(100)에 의하면, 제2 면(52T)의 표면 조도가 제1 면(51T)보다 작기 때문에, 제2 면(52T)과 기판(S)의 접촉에 기인하는 기판(S)의 이면(SB)에서의 상처의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 중앙 부재(51)는, 도전성 부재로 형성되고, 히터(20)에 전기적으로 접속되고 있고, 중앙 부재(51) 및 히터(20)의 전위는 동일하게 되고 있다. 이 때문에, 복수의 개구혈(22)에 리프트 핀(50)이 수납되고 있는 경우에도, 기판(S) 상에 발생하는 플라즈마가 불균일이 되지 않고, 균일한 플라즈마에 의해서 기판(S) 상에 균일한 막 두께 분포를 갖는 막을 형성할 수 있다.
특히, 기판(S)의 장변(SL)에 가장 근처에 있는 위치(PL), 혹은, 기판(S)의 단변(SS)에 가장 근처에 있는 위치(PS)에서는, 플라즈마가 불균일이 되기 쉬운 부분이지만, 상술한 구성을 채용함으로써, 위치(PL, PS)에서 플라즈마를 균일하게 발생하는 것이 가능하고, 균일한 막 두께 분포를 갖는 막을 형성할 수 있다.
(리프트 핀의 변형예 1)
도 6은, 본 발명의 실시 형태의 변형예 1에 따른 리프트 핀의 구조의 주요부를 나타내는 단면도이다. 도 6에서, 상술한 실시 형태와 동일 부재에는 동일 부호를 교부하고, 그 설명은 생략 또는 간략화한다.
본 변형예 1은, 중앙 부재 및 주위 부재가 도전성 부재로 구성된 일체의 물건인 점에서, 상술한 실시 형태와는 다르다.
구체적으로, 리프트 핀(150)은, 중앙 영역(151)(중앙 부재)과, 주위 영역(152)(주위 부재)을 가지고 있고, 알루미늄(도전성 부재)으로 형성된 일체의 물품이다. 즉, 중앙 영역(151)과 주위 영역(152) 사이에는 경계가 형성되어 있지 않다. 중앙 영역(151)의 제1 면(151T) 및 주위 영역(152)의 제2 면(152T)에는, 알루미늄이 양극 산화 처리된 알루마이트 피막(전기 절연부)이 형성되고 있지만, 제1 면(151T)의 표면 조도는 제2 면(152T)과는 달리, 제2 면(152T)의 표면 조도(제2 표면 조도)는, 제1 면(151T)의 표면 조도보다 작다.
구체적으로, 제1 면(151T)의 표면 조도는, 예를 들면, Ra 1~2μm의 표면 조도를 들 수 있다. 또, 제2 면(152T)의 표면 조도는, 예를 들면, Ra 0.2μm의 표면 조도를 들 수 있다.
본 변형예 1에서, 제1 면(151T)은, 평탄면(플랫)이지만, 본 발명은, 이 구조로 한정되지 않는다. 리프트 핀(150)이 연재하는 방향(Z 방향)에서, 제1 면(151T) 상에서의 중앙 영역(151)의 중심 위치(151C)가 제2 면(152T)에서의 주위 영역(152)의 단부 위치(152E)보다 외측에 위치하도록, 제1 면(151T) 및 제2 면(152T)은 곡면을 가져도 좋다. 곡면을 형성하는 제1 면(151T) 및 제2 면(152T)은, 구면이어도 좋고, 완만한 포물면, 반타원 등의 비구면이어도 좋다. 이 경우, 기판(S)의 이면(SB)과 제1 면(151T)이 매끄럽게 접촉하여, 기판(S)의 이면(SB)에서의 상처의 발생이 억제된다.
리프트 핀(150)의 외측면(152S)과 주위 영역(152)의 제2 면(152T) 사이에 위치하는 각부는, 곡면(CV2)을 갖는다. 환언하면, 외측면(152S)과 제2 면(152T) 사이에 위치하는 각부에는 면취가공이 실시되고 있다.
본 변형예 1에 의하면, 리프트 핀(150)이 도전성을 갖는 일체의 물품으로 구성되어 있는 경우에도, 제1 면(151T)의 표면 조도보다 제2 면(152T)의 표면 조도를 작게 함으로써, 제2 면(152T)과 기판(S)의 접촉에 기인하는 기판(S)의 이면(SB)에서의 상처의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 곡면(CV2)의 형성에 의해서, 상술한 작용에 의해, 기판(S)의 이면(SB)에서의 상처의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 리프트 핀(150)은, 히터(20)에 전기적으로 접속되고 있고, 리프트 핀(150) 및 히터(20)의 전위는 동일하게 되고 있다. 이 때문에, 복수의 개구혈(22)에 리프트 핀(150)이 수납되고 있는 경우에도, 기판(S) 상에 발생하는 플라즈마가 불균일이 되지 않고, 균일한 플라즈마에 의해서 기판(S) 상에 균일한 막 두께 분포를 갖는 막을 형성할 수 있다.
(리프트 핀의 변형예 2)
도 7은, 본 발명의 실시 형태의 변형예 2에 따른 리프트 핀의 구조의 주요부를 나타내는 단면도이다. 도 7에서, 상술한 실시 형태 및 변형예 1과 동일 부재에는 동일 부호를 교부하고, 그 설명은 생략 또는 간략화한다.
본 변형예 2는, 주위 부재가 도전성 부재인 점에서, 상술한 실시 형태와는 다르다.
구체적으로, 리프트 핀(250)은, 상술한 중앙 부재(51)와, 알루미늄(도전성 부재)으로 형성된 주위 부재(252)를 구비한다. 즉, 본 변형예 2에서는, 절연성 세라믹으로 구성되어 있는 주위 부재(52)를 대신하여, 알루미늄제의 주위 부재(252)가 채용되고 있다.
주위 부재(252)의 제2 면(252T)에는, 알루미늄이 양극 산화 처리된 알루마이트 피막(전기 절연부)이 형성되고 있지만, 제1 면(51T)의 표면 조도는 제2 면(252T)과는 달리, 제2 면(252T)의 표면 조도(제2 표면 조도)는, 제1 면(51T)의 표면 조도보다 작다.
구체적으로, 제1 면(51T)의 표면 조도는, 예를 들면, Ra 1~2μm의 표면 조도를 들 수 있다. 또, 제2 면(252T)의 표면 조도는, 예를 들면, Ra 0.2μm의 표면 조도를 들 수 있다.
본 변형예 2에서, 중앙 부재(51)의 상면은, 평탄면(플랫)이지만, 본 발명은, 이 구조로 한정되지 않는다. 리프트 핀(250)이 연재하는 방향(Z 방향)에서, 중심 위치(51C)가 제2 면(252T)에서의 주위 부재(252)의 단부 위치(252E)보다 외측에 위치하도록, 제1 면(51T) 및 제2 면(252T)은 곡면을 가져도 좋다. 곡면을 형성하는 제1 면(51T) 및 제2 면(252T)은, 구면이어도 좋고, 완만한 포물면, 반타원 등의 비구면이어도 좋다. 이 경우, 기판(S)의 이면(SB)과 제1 면(51T)이 매끄럽게 접촉하여, 기판(S)의 이면(SB)에서의 상처의 발생이 억제된다.
주위 부재(252)의 외측면(252S)과 주위 부재(252)의 제2 면(252T) 사이에 위치하는 각부는, 곡면(CV2)을 갖는다. 환언하면, 외측면(252S)와 제2 면(252T) 사이에 위치하는 각부에는 면취가공이 실시되고 있다.
본 변형예 2에 의하면, 주위 부재(252)와 중앙 부재(51)가 동일한 도전성 부재로 구성되어 있는 경우에도, 제1 면(51T)의 표면 조도보다 제2 면(252T)의 표면 조도를 작게 함으로서, 제2 면(252T)과 기판(S)의 접촉에 기인하는 기판(S)의 이면(SB)에서의 상처의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 곡면(CV2)의 형성에 의해서, 상술한 작용에 의해, 기판(S)의 이면(SB)에서의 상처의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 중앙 부재(51)는, 히터(20)에 전기적으로 접속되고 있고, 중앙 부재(51) 및 히터(20)의 전위는 동일하게 되고 있다. 이 때문에, 복수의 개구혈(22)에 리프트 핀(250)이 수납되고 있는 경우에도, 기판(S) 상에 발생하는 플라즈마가 불균일이 되지 않고, 균일한 플라즈마에 의해서 기판(S) 상에 균일한 막 두께 분포를 갖는 막을 형성할 수 있다.
(리프트 핀의 변형예 3)
도 8은, 본 발명의 실시 형태의 변형예 3에 따른 리프트 핀의 구조의 주요부를 나타내는 단면도이다. 도 8에서, 상술한 실시 형태 및 변형예 1, 2와 동일 부재에는 동일 부호를 교부하고, 그 설명은 생략 또는 간략화한다.
상술한 실시 형태에서는, 도 3a, 도 3b, 도 6, 도 7에 나타내듯이, 제1 면(51T)의 단부와 제2 면(52T)의 단부가 접촉하도록, 중앙 부재(51) 및 주위 부재(52)는 인접하고 있다. 본 발명은, 도 3a, 도 3b, 도 6, 도 7에 나타내는 구조로 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 8에 나타내듯이, 단차(ST)를 통해 제2 면(52T)과 제1 면(51T)이 접속되어도 좋다. 이 경우, 주위 부재(52)의 상단(52U)과 제1 면(51T)(평탄면)의 사이에는, 요부(55)가 형성되고 있다.
요부(55)의 깊이, 즉, Z 방향에서, 상단(52U)과 제1 면(51T) 사이의 거리는, 도 8에 나타내듯이 Δt로 규정되고 있다.
환언하면, 리프트 핀(350)이 연재하는 방향(Z 방향)에서, 제1 면(51T) 상에서의 중앙 부재(51)의 중심 위치(51C)가 주위 부재(52)의 상단(52U)의 위치보다 낮다.
이 구성을 갖는 리프트 핀(350)을 이용하여 도 4에 나타내듯이 기판(S)을 들어 올림으로써, 중앙 부재(51)의 제1 면(51T)과, 기판(S)의 이면(SB) 사이에 틈새가 형성된다.
이 때문에, 제1 면(51T)의 단부(엣지)가 기판(S)의 이면(SB)에 접촉하는 것에 기인하여 기판(S)의 이면(SB)에 상처가 발생할 가능성이 낮아진다.
(리프트 핀의 변형예 4)
도 9는, 본 발명의 실시 형태의 변형예 4에 따른 리프트 핀의 구조의 주요부를 나타내는 단면도이다. 도 9에서, 상술한 실시 형태 및 변형예 1~3과 동일 부재에는 동일 부호를 교부하고, 그 설명은 생략 또는 간략화한다.
상술한 변형예 3에서는, 제1 면(51T)이 평탄면인 경우에, 주위 부재(52)의 상단(52U)과 제1 면(51T) 사이에 요부(55)가 형성되고 있는 예를 설명한다. 본 변형예 4는, Z 방향을 향해서 팽출하는 볼록한 형상(凸形狀)을 갖는 곡면이 제1 면(51T)에 형성되고 있는 점에서, 변형예 3과 상위하다.
제1 면(51T)의 단부(51E)(Z 방향에서 보았을 때 상단(52U)과 동일 위치)에서의 요부(455)의 깊이, 즉, Z 방향에서의 상단(52U)과 단부(51E) 사이의 거리는, 도 9에 나타내듯이 Δt로 규정되고 있다.
환언하면, 리프트 핀(450)이 연재하는 방향(Z 방향)에서, 제1 면(51T) 상에서의 중앙 부재(51)의 단부(51E)의 위치가 주위 부재(52)의 상단(52U)의 위치보다 낮다.
또, 중심 위치(51C)의 위치가 주위 부재(52)의 상단(52U)의 위치보다 낮다.
상술한 변형예 3과 동일하게, 상기 구성을 갖는 리프트 핀(450)을 이용하여 기판(S)을 들어 올렸을 경우, 중앙 부재(51)의 제1 면(51T)과, 기판(S)의 이면(SB) 사이에 틈새가 형성된다. 이 때문에, 제1 면(51T)의 단부(51E)(엣지)가 기판(S)의 이면(SB)에 접촉하는 것에 기인하여 기판(S)의 이면(SB)에 상처가 발생할 가능성이 낮아진다.
또한, 본 변형예 4에서, 제1 면(51T)에 형성되고 있는 볼록한 곡면(凸曲面)의 형상은, 예를 들면, 구면이어도 좋고, 완만한 포물면, 반타원 등의 비구면이어도 좋다.
(리프트 핀의 변형예 5)
도 10은, 본 발명의 실시 형태의 변형예 5에 따른 리프트 핀의 구조의 주요부를 나타내는 단면도이다. 도 10에서, 상술한 실시 형태 및 변형예 1~4와 동일 부재에는 동일 부호를 교부하고, 그 설명은 생략 또는 간략화한다.
상술한 변형예 4에서는, Z 방향을 향해서 팽출하는 볼록한 형상을 갖는 곡면이 제1 면(51T)에 형성되고 있는 경우에, 주위 부재(52)의 상단(52U)과 제1 면(51T) 사이에 요부(455)가 형성되고 있는 예를 설명한다. 본 변형예 5는, 오목한 형상(凹形狀)을 갖는 곡면이 제1 면(51T)에 형성되고 있는 점에서, 변형예 4와 상위하다.
제1 면(51T)의 중심 위치(51C)에서의 요부(555)의 깊이, 즉, Z 방향에서의 상단(52U)과 중심 위치(51C) 사이의 거리는, 도 10에 나타내듯이 Δt로 규정되고 있다.
환언하면, 리프트 핀(550)이 연재하는 방향(Z 방향)에서, 제1 면(51T) 상에서의 중앙 부재(51)의 중심 위치(51C)의 위치가 주위 부재(52)의 상단(52U)의 위치보다 낮다. 또, 단부(51E)의 위치가 주위 부재(52)의 상단(52U)의 위치보다 낮다.
상술한 변형예 3, 4와 동일하게, 상기 구성을 갖는 리프트 핀(550)을 이용하여 기판(S)을 들어 올렸을 경우, 중앙 부재(51)의 제1 면(51T)과, 기판(S)의 이면(SB) 사이에 틈새가 형성된다. 이 때문에, 제1 면(51T)의 단부(51E)(엣지)가 기판(S)의 이면(SB)에 접촉하는 것에 기인하여 기판(S)의 이면(SB)에 상처가 발생할 가능성이 낮아진다.
또한, 본 변형예 5에서, 제1 면(51T)에 형성되고 있는 오목한 곡면(凹曲面)의 형상은, 예를 들면, 구면이어도 좋고, 완만한 포물면, 반타원 등의 비구면이어도 좋다.
[실시예]
다음으로, 도 11a 및 도 11b를 참조하여, 본 발명의 실시예에 대해 설명한다.
도 11a 및 도 11b는, 상술한 실시 형태에 따른 중앙 부재(51), 주위 부재(52), 링 부재(53), 및 통상 부재(54)의 재료 종류를 바꾸어 2 종류의 막을 기판 상에 형성하고, 성막 분포의 평가와, 기판의 이면에 발생하는 상처의 평가를 실시한 결과를 나타내고 있다.
성막 되는 막의 종류로서는, 도 11a에 나타내는 TEOS막(오르토 규산 테트라 에틸막, Tetra ethyl ortho silicate)과, 도 11b에 나타내는 SiNx막(질화 실리콘막)을 채용했다.
(평가 항목: 상처 평가)
「상처 평가」에서는, 유리 기판의 이면에 대한 리프트 핀의 상처 주기 어려움을 평가하고 있다.
구체적으로, 부호 「◎」는 「기판에 상처가 발생하지 않음(최선)」의 것을 나타내고 있고, 부호 「○」는 「기판에 상처가 약간 발생함(양호)」의 것을 나타내고 있고, 부호 「△」는 「기판에 발생한 상처가 허용 범위 내임(가능)」의 것을 나타내고 있고, 부호 「×」는 「기판에 발생한 상처가 허용 범위 외임(불가)」의 것을 나타내고 있다.
(평가 항목: 성막 분포 평가)
「성막 분포 평가」에서는, 유리 기판의 표면에 성막된 막 두께 분포의 균일성의 우열을 평가하고 있다.
구체적으로, 부호 「◎」는 막 두께 분포가 최선(균일)인 것을 나타내고 있고, 부호 「○」는 막 두께 분포가 양호했다는 것을 나타내고 있고, 부호 「△」는 막 두께 분포가 가능인 것을 나타내고 있고, 부호 「×」는 막 두께 분포가 불가(불균일)인 것을 나타내고 있다.
(재료 종류)
중앙 부재(51), 주위 부재(52), 링 부재(53), 및 통상 부재(54)의 재료에 관해, 「세라믹」은, 부재를 구성하는 재료로서 세라믹을 선택한 것을 나타내고 있고, 「알루미늄」은, 부재를 구성하는 재료로서 알루미늄을 선택한 것을 나타내고 있다.
또, 「알루미늄 SR」은, 부재를 구성하는 재료로서 알루미늄을 선택하고, 또한, 중앙 부재(51) 및 주위 부재(52)의 표면(제1 면(51T) 및 제2 면(52T))에 곡면이 형성되고 있는 것을 나타내고 있다.
또한, 「알루미늄 Flat」은, 부재를 구성하는 재료로서 알루미늄을 선택하고, 또한, 중앙 부재(51) 및 주위 부재(52)의 표면(제1 면(51T) 및 제2 면(52T))이 평탄면인 것을 나타내고 있다.
또한, 「알루미늄 SR 또는 Flat」은, 부재를 구성하는 재료로서 알루미늄을 선택했을 경우에서, 중앙 부재(51)의 표면(제1 면 51T)이 곡면인 것, 또는, 평탄면인 것을 나타내고 있다. 즉, 이하에 설명하는 실시예 A1, B1의 각각은, 중앙 부재(51)의 표면이 곡면인 경우의 결과와, 중앙 부재(51)의 표면이 평탄면인 경우의 결과를 포함하고 있다.
또, 「알루미늄」, 「알루미늄 SR」, 및 「알루미늄 Flat」의 어느 쪽에서도, 그 표면에는 양극 산화에 의해서 알루마이트 피막이 형성되고 있다.
또, 「세라믹 SR」은, 부재를 구성하는 재료로서 세라믹을 선택하고, 또한, 중앙 부재(51) 및 주위 부재(52)의 표면(제1 면(51T) 및 제2 면(52T))에 곡면이 형성되고 있는 것을 나타내고 있다.
또한, 「세라믹 Flat」은, 부재를 구성하는 재료로서 세라믹을 선택하고, 또한, 중앙 부재(51) 및 주위 부재(52)의 표면(제1 면(51T) 및 제2 면(52T))이 평탄면인 것을 나타내고 있다.
(TEOS막)
이하의 점이 분명해졌다.
(비교예A1, A2, A3)
상처 평가 및 성막 분포 평가 중 적어도 일방의 결과가 「×(불가)」가 된다. 특히, 중앙 부재(51)의 재료로서 세라믹(세라믹 SR, 세라믹 Flat)을 이용하면, 성막 분포 평가의 결과가 불량인 것이 분명해졌다.
이 이유는, 중앙 부재(51)의 재료로서 세라믹을 채용함으로써, 리프트 핀에 대응하는 위치에서의 플라즈마가 불균일이 되고, 성막 분포에 악영향을 주었다고 생각할 수 있다.
주위 부재(52)의 재료로서 세라믹 SR을 이용하는 것으로 상처 평가의 결과가 최선이 되었지만, 세라믹 Flat이나 알루미늄 Flat을 이용하면, 상처 평가의 결과가 불량인 것이 분명해졌다.
이 이유는, 주위 부재(52)의 표면을 평탄하게 함으로써, 상처가 발생하기 쉬워졌다고 생각할 수 있다.
(실시예 A1, A2)
실시예 A1의 경우, 상처 평가 및 성막 분포 평가의 양쪽 모두의 결과가 「○(양호)」가 된다. 또, 실시예 A2의 경우, 상처 평가의 결과가 「△(가능)」이 되고, 성막 분포 평가의 결과가 「○(양호)」가 되었다.
이것으로부터, 중앙 부재(51) 및 주위 부재(52)의 조합으로서는, 중앙 부재(51)의 재료로서 알루미늄 SR 또는 Flat을 채용하고, 주위 부재(52)의 재료로서 세라믹 SR을 채용함으로써, 상처 평가 및 성막 분포 평가의 양 평가에서 양호한 결과를 얻을 수 있는 것이 분명해졌다.
또, 주위 부재(52)의 재료로서 세라믹을 이용하지 않고 알루미늄을 채용하는 경우에도, 중앙 부재(51) 및 주위 부재(52)의 재료로서 알루미늄 SR을 채용함으로써, 기판의 이면에 발생한 상처가 허용 범위 내인 것이 분명해졌다.
(SiNx막)
이하의 점이 분명해졌다.
(비교예B1, B2, B3)
상처 평가 및 성막 분포 평가 중 적어도 일방의 결과가 「×(불가)」가 된다. 특히, 중앙 부재(51)의 재료로서 세라믹(세라믹 SR, 세라믹 Flat)을 이용하면, 성막 분포 평가의 결과가 불량인 것이 분명해졌다.
이 이유는, 중앙 부재(51)의 재료로서 세라믹을 채용함으로써, 리프트 핀에 대응하는 위치에서의 플라즈마가 불균일이 되고, 성막 분포에 악영향을 주었다고 생각할 수 있다.
주위 부재(52)의 재료로서 세라믹 SR을 이용하는 것으로 상처 평가의 결과가 최선이 되었지만, 세라믹 Flat이나 알루미늄 Flat을 이용하면, 상처 평가의 결과가 불량인 것이 분명해졌다.
이 이유는, 주위 부재(52)의 표면을 평탄하게 함으로써, 상처가 발생하기 쉬워졌다고 생각할 수 있다.
(실시예 B1, B2)
실시예 B1의 경우, 상처 평가의 결과가 「◎(최선)」이 되고, 성막 분포 평가의 결과가 「○(양호)」가 된다. 또, 실시예 B2의 경우, 상처 평가의 결과가 「△(가능)」이 되고, 성막 분포 평가의 결과가 「○(양호)」가 되었다.
이것으로부터, 중앙 부재(51) 및 주위 부재(52)의 조합으로서는, 중앙 부재(51)의 재료로서 알루미늄을 채용하고, 주위 부재(52)의 재료로서 세라믹을 채용함으로써, 상처 평가 및 성막 분포 평가의 양 평가에서 양호한 결과를 얻을 수 있는 것이 분명해졌다.
또, 주위 부재(52)의 재료로서 세라믹을 이용하지 않고 알루미늄을 채용하는 경우에도, 중앙 부재(51) 및 주위 부재(52)의 재료로서 알루미늄 SR을 채용함으로써, 기판의 이면에 발생한 상처가 허용 범위 내인 것이 분명해졌다.
이상, 본 발명이 바람직한 실시 형태를 설명하고, 상기로 설명해 왔지만, 이것들은 본 발명의 예시적인 것이며, 한정하는 것으로서 고려되어서는 안된다는 것을 이해해야 한다. 추가, 생략, 치환, 및 그 외의 변경은, 본 발명의 범위로부터 일탈하지 않고 실시할 수 있다. 따라서, 본 발명은, 전술의 설명에 의해서 한정되고 있다고 보여져야 하는 것이 아니고, 청구범위에 의해서 제한되고 있다.
상술한 실시 형태 및 변형예에서는, 성막 장치로서 알려져 있는 플라즈마 CVD 장치에 진공 처리 장치(100)가 적용되는 경우를 설명했지만, 본 발명은, 플라즈마 CVD 장치로 한정되지 않는다. 본 발명의 실시 형태에 따른 진공 처리 장치는, 에칭 장치, 애싱 장치 등에도, 적용 가능하다.
[산업상의 이용 가능성]
본 발명은, 기판의 이면에 대한 상처의 발생을 억제하고, 기판의 표면에 발생하는 플라즈마의 균일성을 도모할 수 있는 리프트 핀과, 이 리프트 핀을 구비하는 진공 처리 장치에 널리 적용 가능하다.
10 진공 챔버, 11 하부 챔버, 12 상부 챔버, 13 전극 플랜지, 20 히터(기판 유지체), 21 기판 재치면, 22 개구혈(開口穴), 22L 하부 개구, 22U 상부 개구, 23 히터 베이스, 30 고주파 전원, 40 승강 기구, 45 리프트 핀 베이스, 50, 150, 250, 350, 450, 550 리프트 핀, 51 중앙 부재, 51C, 151C 중심 위치, 51H 헤드부, 51M, 52M 본체, 51R 로드부, 51T, 151T 제1 면, 52, 252 주위 부재, 52E, 152E, 252E 단부 위치, 52S, 152S, 252S 외측면, 52T, 152T, 252T 제2 면, 52U 상단, 53 링 부재, 54 통상 부재, 55, 455, 555 요부(凹部), 60 진공 펌프, 70 가스 공급부, 75 샤워 플레이트, 80 도어 밸브, 100 진공 처리 장치, 151 중앙 영역, 152 주위 영역(주위 부재), CV2 곡면, S 기판, SB 이면, SL 장변(長邊), SS 단변(短邊), ST 단차(段差).

Claims (8)

  1. 처리면 및 비처리면을 갖는 기판에 접촉하는 리프트 핀이며,
    제1 표면 조도 및 전기 절연부를 갖는 제1 면과, 도전성 부재인 본체를 갖고, 상기 기판의 상기 비처리면에 대향하는 중앙 부재와,
    상기 제1 표면 조도보다 작은 제2 표면 조도 및 전기 절연부를 갖는 제2 면을 갖고, 상기 중앙 부재의 주위를 둘러싸서, 상기 기판의 상기 비처리면에 대향하는 주위 부재
    를 구비하는 리프트 핀.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 주위 부재는, 전기 절연 부재인
    리프트 핀.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 주위 부재는, 도전성 부재인
    리프트 핀.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 중앙 부재 및 상기 주위 부재는, 도전성 부재로 구성된 일체의 물품인
    리프트 핀.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 리프트 핀이 연재하는 방향에서 상기 제1 면 상에서의 상기 중앙 부재의 중심 위치가 상기 제2 면에서의 상기 주위 부재의 단부 위치보다 외측에 위치하도록, 상기 제1 면 및 상기 제2 면은 곡면을 갖는
    리프트 핀.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주위 부재의 외측면과 상기 주위 부재의 상기 제2 면 사이에 위치하는 각부는, 곡면을 갖는
    리프트 핀.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 면 및 상기 제2 면은, 상기 기판의 상기 비처리면에 접촉 가능한
    리프트 핀.
  8. 진공 처리 장치이며,
    진공 챔버와,
    기판이 재치되는 기판 재치면과, 상기 기판 재치면으로 개구되는 개구혈을 갖고, 상기 진공 챔버 내에 배치된 기판 유지체와,
    상기 개구혈에 대응하는 위치에 설치되어, 상기 개구혈의 내부에서 상하로 승강 가능한, 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항 기재의 리프트 핀과,
    상기 진공 챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 고주파 전원과,
    상기 기판 유지체에 대해서 상기 리프트 핀을 상대적으로 상하로 이동시키는 승강 기구,
    를 구비하는 진공 처리 장치.
KR1020197007051A 2017-11-21 2018-08-06 리프트 핀 및 진공 처리 장치 KR102180158B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017223792 2017-11-21
JPJP-P-2017-223792 2017-11-21
PCT/JP2018/029408 WO2019102657A1 (ja) 2017-11-21 2018-08-06 リフトピン及び真空処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190069390A true KR20190069390A (ko) 2019-06-19
KR102180158B1 KR102180158B1 (ko) 2020-11-18

Family

ID=66630915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197007051A KR102180158B1 (ko) 2017-11-21 2018-08-06 리프트 핀 및 진공 처리 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20210343577A1 (ko)
JP (1) JP6652665B2 (ko)
KR (1) KR102180158B1 (ko)
CN (1) CN110073484B (ko)
TW (1) TWI682485B (ko)
WO (1) WO2019102657A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD1031676S1 (en) * 2020-12-04 2024-06-18 Asm Ip Holding B.V. Combined susceptor, support, and lift system

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11340309A (ja) 1998-05-29 1999-12-10 Kyocera Corp 導電体内蔵型セラミック製リフトピンとそれを用いた静電チャック
JP2003197721A (ja) * 2001-12-26 2003-07-11 Ulvac Japan Ltd 基板支持用昇降ピン及びこれを用いた多室型成膜装置
JP2007208054A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Ulvac Japan Ltd 静電気除去装置及び静電気除去方法
JP2014011166A (ja) 2012-06-27 2014-01-20 Sharp Corp 基板処理装置
JP2016225444A (ja) * 2015-05-29 2016-12-28 株式会社Sumco エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4624728A (en) * 1985-06-11 1986-11-25 Tegal Corporation Pin lift plasma processing
KR100765539B1 (ko) * 2001-05-18 2007-10-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 화학기상 증착장비
JP3672300B2 (ja) * 2001-10-30 2005-07-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 薄膜成長装置用のリフトピン、その形成方法およびリフトピン頭部
JP4139868B2 (ja) * 2005-03-31 2008-08-27 福井県 高融点金属の高圧鋳造方法およびダイカスト装置
KR20100100269A (ko) * 2009-03-06 2010-09-15 주식회사 코미코 리프트 핀 및 이를 포함하는 웨이퍼 처리 장치
US20110164955A1 (en) * 2009-07-15 2011-07-07 Applied Materials,Inc. Processing chamber with translating wear plate for lift pin
KR102215641B1 (ko) * 2013-12-18 2021-02-16 주성엔지니어링(주) 리프트 핀 어셈블리 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
US10192770B2 (en) * 2014-10-03 2019-01-29 Applied Materials, Inc. Spring-loaded pins for susceptor assembly and processing methods using same
US10490436B2 (en) * 2015-11-04 2019-11-26 Applied Materials, Inc. Enhanced lift pin design to eliminate local thickness non-uniformity in teos oxide films

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11340309A (ja) 1998-05-29 1999-12-10 Kyocera Corp 導電体内蔵型セラミック製リフトピンとそれを用いた静電チャック
JP2003197721A (ja) * 2001-12-26 2003-07-11 Ulvac Japan Ltd 基板支持用昇降ピン及びこれを用いた多室型成膜装置
JP2007208054A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Ulvac Japan Ltd 静電気除去装置及び静電気除去方法
JP2014011166A (ja) 2012-06-27 2014-01-20 Sharp Corp 基板処理装置
JP2016225444A (ja) * 2015-05-29 2016-12-28 株式会社Sumco エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン

Also Published As

Publication number Publication date
TWI682485B (zh) 2020-01-11
TW201926520A (zh) 2019-07-01
CN110073484A (zh) 2019-07-30
KR102180158B1 (ko) 2020-11-18
JP6652665B2 (ja) 2020-02-26
US20210343577A1 (en) 2021-11-04
CN110073484B (zh) 2023-10-17
WO2019102657A1 (ja) 2019-05-31
JPWO2019102657A1 (ja) 2019-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111430232B (zh) 等离子体处理装置和等离子体处理装置的载置台
TWI795495B (zh) 可移動並且可移除的處理配件
US10699935B2 (en) Semiconductor manufacturing device and processing method
US20230326725A1 (en) Plasma processing apparatus
CN108369922B (zh) 晶片边缘环升降解决方案
KR102002216B1 (ko) 기판 승강 기구, 기판 탑재대 및 기판 처리 장치
US20060219178A1 (en) Device for applying semiconductor treatment to treatment subject substrate
KR20070037363A (ko) 기판의 탑재 기구 및 기판 처리 장치
CN112563186A (zh) 基片支承器和等离子体处理装置
CN113990732A (zh) 等离子体处理装置
KR20190069390A (ko) 리프트 핀 및 진공 처리 장치
US11978654B2 (en) Substrate processing apparatus
TW201937589A (zh) 基板載置台
JP2016151042A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに記憶媒体
KR20200121737A (ko) 기판 처리 장치
JP2009010144A (ja) 基板処理装置
US20220351951A1 (en) Substrate support apparatus, methods, and systems having elevated surfaces for heat transfer
US20230128473A1 (en) Method of transporting workpiece and processing apparatus
CN205710904U (zh) 框架、组合式基板下罩框和处理腔室
JP2006093585A (ja) 基板処理装置
JP2010226148A (ja) 半導体製造装置および半導体製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant