CN110073484B - 升降销及真空处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的升降销为与具有处理面及非处理面的基板接触的升降销，具备：中央部件，具备具有第一表面粗糙度及电绝缘部的第一面和作为导电性部件的主体，所述中央部件与所述基板的所述非处理面相对；和周围部件，具备具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度及电绝缘部的第二面，所述周围部件包围所述中央部件的周围且与所述基板的所述非处理面相对。

Description

升降销及真空处理装置
技术领域
本发明涉及一种升降销及真空处理装置。
本申请基于2017年11月21日在日本申请的专利申请2017-223792号要求优先权，并且在此援用其内容。
背景技术
以往，已知有如下的升降销：即，该升降销在真空处理装置中搬送处理对象的基板时，在搬送臂与基板保持体之间转交基板。升降销设置在载置基板的基板保持体的内部，通过使该升降销从基板保持体的表面突出，从而转交基板。
作为防止发生因升降销与基板的背面接触引起的基板伤痕的结构，提出了对升降销的角部实施倒圆加工而成的升降销(参照专利文献1)。另外，作为构造升降销的材料，从强度和耐蚀性这点来看，一般使用陶瓷(参照专利文献2)。
专利文献1：日本专利公开2014-11166号公报
专利文献2：日本专利公开平11-340309号公报
基板保持体具备载置基板的基板载置面和在基板载置面上开口的多个开口孔。多个开口孔的数量及位置与升降销的数量及位置对应。
升降销通过在开口孔的内部以贯穿基板保持体的方式相对上下移动，从而抬起基板，或者将基板载置在基板保持体的上表面上。
但是，对于基板保持体的基板载置面来说，形成有开口孔的区域的电场线或温度与未形成开口孔的区域的电场线或温度相比有所不同。由此，具有在载置于基板载置面的基板的表面上发生的等离子体不均匀的问题。由于等离子体不均匀，因此实施成膜或蚀刻等处理后的基板的膜厚分布不均匀，或者蚀刻均匀性较差。其结果，导致具备形成在基板上的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)等的设备的不良。
虽然在专利文献1中公开了防止发生因升降销的接触引起的基板伤痕的结构，但该升降销结构并不有助于解决等离子体不均匀的问题。
发明内容
本发明是鉴于这种情况而提出的，其目的是提供一种升降销及具备该升降销的真空处理装置，该升降销及该真空处理装置能抑制对基板的背面发生的伤痕，并且实现在基板的表面上发生的等离子体的均匀性。
本发明人为了解决上述问题而进行了深入研究，其结果发现在专利文献1所公开的升降销的情况下，虽然通过倒圆加工来抑制对基板的背面发生的伤痕，但升降销与基板之间的间隙在经倒圆加工的部分较大，等离子体不均匀。此外，本发明人想到因等离子体不均匀而难以进行具有均匀的膜厚分布的成膜或者难以均匀地进行蚀刻。
另外，在专利文献2所公开的升降销的情况下，虽然尝试通过陶瓷材料的金属化来获得导电性，但导致在高温使用条件下强度降低，无法达到实用化。
本发明人基于上述见解，为了解决上述问题，完成了本发明。
本发明的第一方式所涉及的升降销具备：中央部件，具备具有第一表面粗糙度及电绝缘部的第一面和作为导电性部件的主体，所述中央部件与基板相对；和周围部件，具备具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度及电绝缘部的第二面，所述周围部件包围所述中央部件的周围且与所述基板相对。
在本发明的第一方式所涉及的升降销中，所述周围部件可以是电绝缘部件。
在本发明的第一方式所涉及的升降销中，所述周围部件可以是导电性部件。
在本发明的第一方式所涉及的升降销中，所述中央部件及所述周围部件可以是由导电性部件形成的一体物。
在本发明的第一方式所涉及的升降销中，所述第一面及所述第二面可具有曲面，从而在所述升降销所延伸的方向上所述中央部件在所述第一面上的中心位置位于比所述周围部件在所述第二面上的端部位置更靠外侧。
在本发明的第一方式所涉及的升降销中，位于所述周围部件的外侧面与所述周围部件的所述第二面之间的角部可具有曲面。
在本发明的第一方式所涉及的升降销中，所述第一面及所述第二面能够与所述基板接触。
本发明的第二方式所涉及的真空处理装置具备：真空腔室；基板保持体，具有载置基板的基板载置面和在所述基板载置面上开口的开口孔，所述基板保持体配置在所述真空腔室内；上述第一方式所涉及的升降销，设置在与所述开口孔对应的位置上且在所述开口孔的内部能够上下升降；高频电源，用于在所述真空腔室内发生等离子体；和升降机构，用于使所述升降销相对于所述基板保持体上下移动。
根据本发明的上述方式，能抑制对基板的背面发生的伤痕，并且实现在基板的表面上发生的等离子体的均匀性。
附图说明
图1是部分表示本发明的实施方式所涉及的真空处理装置的剖视图。
图2是表示在本发明的实施方式所涉及的真空处理装置中载置在加热器上的基板的俯视图，是表示用于升降基板的升降销的位置的图。
图3A是表示本发明的实施方式所涉及的升降销的图，是表示升降销的俯视图。
图3B是表示本发明的实施方式所涉及的升降销的图，是表示升降销的纵剖视图。
图4是放大表示本发明的实施方式所涉及的升降销与基板的背面接触的状态的剖视图。
图5是放大表示本发明的实施方式所涉及的升降销收纳到加热器中的状态的剖视图。
图6是表示本发明的实施方式所涉及的升降销的变形例1的主要部分的剖视图。
图7是表示本发明的实施方式所涉及的升降销的变形例2的主要部分的剖视图。
图8是表示本发明的实施方式所涉及的升降销的变形例3的主要部分的剖视图。
图9是表示本发明的实施方式所涉及的升降销的变形例4的主要部分的剖视图。
图10是表示本发明的实施方式所涉及的升降销的变形例5的主要部分的剖视图。
图11A是说明本发明的实施例的图。
图11B是说明本发明的实施例的图。
具体实施方式
参照图1～图5对本发明的实施方式所涉及的升降销及真空处理装置进行说明。在本实施方式的说明所使用的各附图中，为了将各部件设为可识别的大小，适当变更各部件的比例尺。
(真空处理装置)
在以下所述的实施方式中，作为一例，对真空处理装置应用到等离子体CVD装置(成膜装置)的情况进行说明。
如图1所示，本实施方式所涉及的真空处理装置100具备：真空腔室10、加热器20(基板保持体)、高频电源30、升降机构40、升降销50、真空泵60、气体供给部70和门阀80。
(真空腔室)
真空腔室10具备：下部腔室11、上部腔室12及夹持在下部腔室11与上部腔室12之间的电极凸缘13。
(加热器)
加热器20配置在真空腔室10内，由作为导电性部件的铝形成。加热器20具有载置基板S的基板载置面21和多个开口孔22，该开口孔22贯穿加热器20且在基板载置面21上开口。在位于基板载置面21的相反侧的加热器20的背面上设置有加热器底座23。
在开口孔22的内部配置(收纳)有后述的升降销50，升降销50能够在开口孔22的内部上下升降。另外，在开口孔22的内部设置有促进升降销50的顺畅上下移动的衬套(未图示)和用于将衬套固定在开口孔22中的衬套螺栓。
如图5所示，开口孔22具有在基板载置面21上开口的上部开口22U和位于上部开口22U的下方的下部开口22L。上部开口22U的直径比升降销50的周围部件52的直径稍大，例如为10.5mm。
下部开口22L的直径比升降销50的筒状部件54的直径稍大，例如为7.5mm。
上部开口22U的深度22D比升降销50的周围部件52及环状部件53的长度稍大，例如为6.5mm。
图2表示载置在加热器20的基板载置面21上的基板S和用于升降基板S的多个升降销50的位置P。此外，由于在开口孔22中配置有升降销50，因此开口孔22的位置(中心位置)与位置P对应。
能够通过位于基板S的长边SL附近的十根升降销50(位置PL)、位于基板S的短边SS附近的六根升降销50(位置PS)和位于基板S的大致中央的两根升降销50(位置PC)即总计18根升降销50来升降基板S。
离基板S的长边SL最近的升降销50的位置PL与基板S的长边SL的端部相隔距离D1。离基板S的短边SS最近的升降销50的位置PS与基板S的短边SS的端部相隔距离D2。距离D1、D2例如为10mm～14mm左右。
此外，虽然本实施方式中的升降销50的根数为18，但升降销50的根数不受限定，考虑基板S的弯曲等，该升降销50的个数可以是19以上，也可以是17以下。
(高频电源)
高频电源30设置在真空腔室10的外部，通过未图示的匹配箱及布线与设置在真空腔室10内的阴极电极电连接。通过启动高频电源30并将经匹配整合的高频功率(RF)供应到阴极，从而在真空腔室10内发生等离子体。
(升降机构)
升降机构40用于使升降销50相对于加热器20上下移动。具体而言，升降机构40能变更加热器20的上下方向(重力方向)的位置，通过使加热器20向下方移动，从而升降销50与升降销底座45接触，升降销50从基板载置面21突出。此时，在基板载置面21上载置有基板S的情况下，升降销50抬起基板S。
(真空泵)
真空泵60经由未图示的压力调整阀及管道与形成于真空腔室10的排气口连接。通过驱动真空泵60，能够使真空腔室10内维持真空状态，并且能够在工艺结束之后去除真空腔室10内残留的气体。另外，通过在工艺气体被供给到真空腔室10内的状态下驱动真空泵60及压力调整阀，从而能够根据工艺条件调整真空腔室10内的压力。
(气体供给部)
气体供给部70经由未图示的质量流量控制器及管道与形成于真空腔室10的气体供给口连接。可根据真空腔室10内的工艺种类例如成膜处理、蚀刻处理或灰化处理等来适当选择由气体供给部70供给的气体的种类。由气体供给部70供给的气体被供给到真空腔室10之后，经过簇射极板75向基板S供给。
(门阀)
门阀80具备未图示的开闭驱动机构。通过打开门阀80，未图示的搬送臂能够向真空处理装置100内搬入基板S，或者能够从真空处理装置100搬出基板S。通过关闭门阀80，真空腔室10成为密闭状态，能够在真空腔室10内处理基板S。
真空处理装置100还可以具备清洁装置，该清洁装置通过将NF3等气体供给到真空腔室10内的放电空间而对真空腔室10内的部件的表面进行清洁。作为这种清洁装置，可列举使用远程等离子体的装置。
(升降销)
升降销50具有与基板S接触的结构，该基板S具有通过真空处理装置实施处理的被处理面和与被处理面相反的非处理面。基板S的非处理面相当于后述的背面SB。
如图3A及图3B所示，多个升降销50中的每一个具有中央部件51、周围部件52、环状部件53和筒状部件54。
(中央部件)
中央部件51具有作为导电性部件的主体51M和作为主体51M的上表面的第一面51T。主体51M在剖视观察中具有T型形状，主体51M具有头部51H和杆部51R。
作为主体51M的材料，例如采用铝。在第一面51T上形成有经铝的阳极氧化处理而成的氧化铝皮膜(电绝缘部)。
可根据阳极氧化处理的条件来适当变更形成于第一面51T的氧化铝皮膜的表面粗糙度(第一表面粗糙度)，例如可列举Ra1～2μm的表面粗糙度。
另外，由于杆部51R与加热器20电连接，因此杆部51R及加热器20维持相同的电位。
中央部件51的头部51H的直径例如为6.4mm。
在本实施方式中，第一面51T为平坦面(平面)，但本发明并不限定于该结构。第一面51T及第二面52T可具有曲面，从而在升降销50所延伸的方向(Z方向)上中央部件51在第一面51T上的中心位置51C位于比周围部件52在第二面52T上的端部位置52E更靠外侧。曲面的形状例如可以是球面，也可以是平缓的抛物面或半椭圆等的非球面。从容易加工且容易确定最佳值的观点来看，曲面优选为球面。在如此构造升降销50的中央部件51的第一面51T为曲面的情况下，基板S的背面SB与第一面51T光滑地接触，能抑制在基板S的背面SB上发生伤痕。
(周围部件)
周围部件52包围中央部件51的周围，特别是包围头部51H的侧面以及头部51H与杆部51R的连接部分。
在本实施方式中，周围部件52具有作为电绝缘部件的主体52M和作为主体52M的上表面的第二面52T。第二面52T为曲面，构造电绝缘部。
作为主体52M的材料，例如可采用氧化铝、氧化锆、氮化铝、氮化硅或碳化硅等的绝缘性陶瓷。第二面52T的表面粗糙度(第二表面粗糙度)小于第一面51T的表面粗糙度，例如可列举Ra0.2μm的表面粗糙度。
周围部件52的直径例如为9.5mm。
位于周围部件52的外侧面52S与周围部件52的第二面52T之间的角部具有曲面CV2。换言之，对位于外侧面52S与第二面52T之间的角部实施倒角加工。
环状部件53位于周围部件52的下方并且包围中央部件51的杆部51R的周围。作为环状部件53的材料，例如可采用铝。
筒状部件54位于环状部件53的下方并且包围中央部件51的杆部51R的周围。作为筒状部件54的材料，例如可采用绝缘性陶瓷。
接着，对具备以上述方式构造的升降销50的真空处理装置100的作用进行说明。
对于真空处理装置100来说，通过驱动升降机构40并使升降销50朝向基板载置面21的上方上升，从而升降销50成为可接收基板S的状态。之后，搬送臂向基板载置面21上方的空间搬送基板S，从搬送臂对升降销50传递基板S。此时，如图4所示，升降销50的第一面51T与基板S的背面SB接触，升降销50从搬送臂接收基板S。当进行这种搬送时，基板S有时会振动，因该振动而基板S还会与第二面52T接触。然而，由于第二面52T的表面粗糙度小于第一面51T的表面粗糙度，因此能抑制因第二面52T与基板S的接触而在基板S的背面SB上发生伤痕。此外，由于曲面CV2形成于升降销50的角部即第二面52T，因此基板S的背面SB与第二面52T光滑地接触，能抑制在基板S的背面SB上发生伤痕。换言之，由于曲面CV2形成于升降销50的角部，因此不会有尖锐的角部与基板S的背面SB接触的情况。
接着，通过驱动升降机构40，从而保持基板S的升降销50下降，在基板载置面21上载置基板S，如图5所示，升降销50收纳在加热器20的开口孔22中。在该状态下，中央部件51及周围部件52在图2所示的位置P处与基板S的背面SB相对。
接着，在关闭门阀80的状态下，通过真空泵60、压力调整阀、高频电源30及气体供给部70的工作，在基板S上生成工艺气体的等离子体，从而在基板S上形成膜。在此，升降销50的中央部件51由与加热器20相同的导电性部件形成，并且与加热器20电连接，中央部件51及加热器20的电位相同。因此，在与升降销50的位置P对应的基板S上发生的等离子体的状态与在位于未形成升降销50的基板载置面21上的基板S上发生的等离子体的状态相同，并且均匀地发生等离子体，从而在基板S上形成具有均匀的膜厚分布的膜。
在成膜结束之后，通过驱动升降机构40而使升降销50朝向基板载置面21的上方上升，如图4所示，升降销50抬起基板S，并且搬送臂接收基板S。当进行这种搬送时，与上述的搬送同样，基板S有时会振动。在该情况下，也由于第二面52T的表面粗糙度小于第一面51T的表面粗糙度，因此能抑制因基板S的振动导致第二面52T与基板S的接触而在基板S的背面SB上发生伤痕。此外，由于曲面CV2形成于升降销50的角部即第二面52T，因此基板S的背面SB与第二面52T光滑地接触，能抑制在基板S的背面SB上发生伤痕。换言之，由于曲面CV2形成于升降销50的角部，因此不会有尖锐的角部与基板S的背面SB接触的情况。接收基板S的搬送臂从真空腔室10取出基板S。
如以上所说明的那样，根据本实施方式所涉及的真空处理装置100，由于第二面52T的表面粗糙度小于第一面51T的表面粗糙度，因此能抑制因第二面52T与基板S的接触而在基板S的背面SB上发生伤痕。
此外，中央部件51由导电性部件形成，并且与加热器20电连接，中央部件51及加热器20的电位相同。因此，即使在多个开口孔22中收纳有升降销50的情况下，基板S上发生的等离子体也不会变得不均匀，能够通过均匀的等离子体而在基板S上形成具有均匀的膜厚分布的膜。
特别是，虽然最靠近基板S的长边SL的位置PL或者最靠近基板S的短边SS的位置PS为等离子体容易变得不均匀的部分，但通过采用上述结构，能够在位置PL、PS处均匀地发生等离子体，形成具有均匀的膜厚分布的膜。
(升降销的变形例1)
图6是表示本发明的实施方式的变形例1所涉及的升降销结构的主要部分的剖视图。在图6中，对与上述实施方式相同的部件标注相同的附图标记，并省略或简化其说明。
本变形例1与上述实施方式的不同点在于，中央部件及周围部件为由导电性部件形成的一体物。
具体而言，升降销150具有中央区域151(中央部件)和周围区域152(周围部件)，并且为由铝(导电性部件)形成的一体物。即，在中央区域151与周围区域152之间未形成边界。虽然在中央区域151的第一面151T及周围区域152的第二面152T上形成有经铝的阳极氧化处理而成的氧化铝皮膜(电绝缘部)，但第一面151T的表面粗糙度与第二面152T的表面粗糙度不同，第二面152T的表面粗糙度(第二表面粗糙度)小于第一面151T的表面粗糙度。
具体而言，第一面151T的表面粗糙度例如可列举Ra1～2μm的表面粗糙度。另外，第二面152T的表面粗糙度例如可列举Ra0.2μm的表面粗糙度。
在本变形例1中，第一面151T为平坦面(平面)，但本发明并不限定于该结构。第一面151T及第二面152T可具有曲面，从而在升降销150所延伸的方向(Z方向)上中央区域151在第一面151T上的中心位置151C位于比周围区域152在第二面152T上的端部位置152E更靠外侧。形成曲面的第一面151T及第二面152T可以是球面，也可以是平缓的抛物面或半椭圆等的非球面。在该情况下，基板S的背面SB与第一面151T光滑地接触，能抑制在基板S的背面SB上发生伤痕。
位于升降销150的外侧面152S与周围区域152的第二面152T之间的角部具有曲面CV2。换言之，对位于外侧面152S与第二面152T之间的角部实施倒角加工。
根据本变形例1，在升降销150由具有导电性的一体部件构成的情况下，也通过使第二面152T的表面粗糙度小于第一面151T的表面粗糙度，从而能抑制因第二面152T与基板S的接触而在基板S的背面SB上发生伤痕。此外，通过形成曲面CV2且根据上述作用，能抑制在基板S的背面SB上发生伤痕。
此外，升降销150与加热器20电连接，升降销150及加热器20的电位相同。因此，即使在多个开口孔22中收纳有升降销150的情况下，基板S上发生的等离子体也不会变得不均匀，能够通过均匀的等离子体而在基板S上形成具有均匀的膜厚分布的膜。
(升降销的变形例2)
图7是表示本发明的实施方式的变形例2所涉及的升降销结构的主要部分的剖视图。在图7中，对与上述实施方式及变形例1相同的部件标注相同的附图标记，并省略或简化其说明。
本变形例2与上述实施方式的不同点在于，周围部件为导电性部件。
具体而言，升降销250具备上述的中央部件51和由铝(导电性部件)形成的周围部件252。即，在本变形例2中，采用铝制的周围部件252，来代替由绝缘性陶瓷形成的周围部件52。
虽然在周围部件252的第二面252T上形成有经铝的阳极氧化处理而成的氧化铝皮膜(电绝缘部)，但第一面51T的表面粗糙度与第二面252T的表面粗糙度不同，第二面252T的表面粗糙度(第二表面粗糙度)小于第一面51T的表面粗糙度。
具体而言，第一面51T的表面粗糙度例如可列举Ra1～2μm的表面粗糙度。另外，第二面252T的表面粗糙度例如可列举Ra0.2μm的表面粗糙度。
在本变形例2中，中央部件51的上表面为平坦面(平面)，但本发明并不限定于该结构。第一面51T及第二面252T可具有曲面，从而在升降销250所延伸的方向(Z方向)上中心位置51C位于比周围部件252在第二面252T上的端部位置252E更靠外侧。形成曲面的第一面51T及第二面252T可以是球面，也可以是平缓的抛物面或半椭圆等的非球面。在该情况下，基板S的背面SB与第一面51T光滑地接触，能抑制在基板S的背面SB上发生伤痕。
位于周围部件252的外侧面252S与周围部件252的第二面252T之间的角部具有曲面CV2。换言之，对位于外侧面252S与第二面252T之间的角部实施倒角加工。
根据本变形例2，在周围部件252和中央部件51由相同的导电性部件形成的情况下，也通过使第二面252T的表面粗糙度小于第一面51T的表面粗糙度，从而能抑制因第二面252T与基板S的接触而在基板S的背面SB上发生伤痕。此外，通过形成曲面CV2且根据上述作用，能抑制在基板S的背面SB上发生伤痕。
此外，中央部件51与加热器20电连接，中央部件51及加热器20的电位相同。因此，即使在多个开口孔22中收纳有升降销250的情况下，基板S上发生的等离子体也不会变得不均匀，能够通过均匀的等离子体而在基板S上形成具有均匀的膜厚分布的膜。
(升降销的变形例3)
图8是表示本发明的实施方式的变形例3所涉及的升降销结构的主要部分的剖视图。在图8中，对与上述实施方式及变形例1、2相同的部件标注相同的附图标记，并省略或简化其说明。
在上述实施方式中，如图3A、图3B、图6及图7所示，中央部件51及周围部件52相邻，从而第一面51T的端部与第二面52T的端部接触。本发明并不限定于图3A、图3B、图6及图7所示的结构。例如，如图8所示，也可以经由台阶ST连接第二面52T和第一面51T。在该情况下，在周围部件52的上端52U与第一面51T(平坦面)之间形成有凹部55。
如图8所示，由Δt规定凹部55的深度即上端52U与第一面51T之间的Z方向上的距离。
换言之，在升降销350延伸的方向(Z方向)上，中央部件51在第一面51T上的中心位置51C比周围部件52的上端52U的位置更低。
通过使用具有该结构的升降销350来如图4所示那样抬起基板S，从而在中央部件51的第一面51T与基板S的背面SB之间形成间隙。
因此，降低因第一面51T的端部(边缘)与基板S的背面SB接触而在基板S的背面SB上发生伤痕的可能性。
(升降销的变形例4)
图9是表示本发明的实施方式的变形例4所涉及的升降销结构的主要部分的剖视图。在图9中，对与上述实施方式及变形例1～3相同的部件标注相同的附图标记，并省略或简化其说明。
在上述变形例3中，对第一面51T为平坦面时在周围部件52的上端52U与第一面51T之间形成凹部55的例进行了说明。本变形例4与变形例3的不同点在于，在第一面51T上形成有具有朝向Z方向膨出的凸形状的曲面。
如图9所示，由Δt规定凹部455在第一面51T的端部51E(从Z方向观察时与上端52U相同的位置)处的深度即上端52U与端部51E之间的Z方向上的距离。
换言之，在升降销450所延伸的方向(Z方向)上，中央部件51在第一面51T上的端部51E的位置比周围部件52的上端52U的位置更低。
另外，中心位置51C的位置比周围部件52的上端52U的位置更低。
与上述变形例3同样，当使用具有上述结构的升降销450来抬起基板S时，在中央部件51的第一面51T与基板S的背面SB之间形成间隙。因此，降低因第一面51T的端部51E(边缘)与基板S的背面SB接触而在基板S的背面SB上发生伤痕的可能性。
此外，在本变形例4中，形成于第一面51T的凸曲面的形状例如可以是球面，也可以是平缓的抛物面或半椭圆等的非球面。
(升降销的变形例5)
图10是表示本发明的实施方式的变形例5所涉及的升降销结构的主要部分的剖视图。在图10中，对与上述实施方式及变形例1～4相同的部件标注相同的附图标记，并省略或简化其说明。
在上述变形例4中，对具有朝向Z方向膨出的凸形状的曲面形成于第一面51T时，在周围部件52的上端52U与第一面51T之间形成凹部455的例进行了说明。本变形例5与变形例4的不同点在于，具有凹形状的曲面形成于第一面51T。
如图10所示，由Δt规定凹部555在第一面51T的中心位置51C处的深度即上端52U与中心位置51C之间的Z方向上的距离。
换言之，在升降销550所延伸的方向(Z方向)上，中央部件51在第一面51T上的中心位置51C的位置比周围部件52的上端52U的位置更低。另外，端部51E的位置比周围部件52的上端52U的位置更低。
与上述变形例3、4同样，当使用具有上述结构的升降销550抬起基板S时，在中央部件51的第一面51T与基板S的背面SB之间形成间隙。因此，降低因第一面51T的端部51E(边缘)与基板S的背面SB接触而在基板S的背面SB上发生伤痕的可能性。
此外，在本变形例5中，形成于第一面51T的凹曲面的形状例如可以是球面，也可以是平缓的抛物面或半椭圆等的非球面。
实施例
接着，参照图11A及图11B对本发明的实施例进行说明。
图11A及图11B表示通过变更上述实施方式所涉及的中央部件51、周围部件52、环状部件53及筒状部件54的材料种类而在基板上形成两种膜并进行成膜分布的评价和发生在基板的背面上的伤痕的评价的结果。
作为成膜的膜种类，采用图11A所示的TEOS膜(正硅酸四乙酯膜，Tetraethylorthosilicate)和图11B所示的SiNX膜(氮化硅膜)。
(评价项目：伤痕评价)
在“伤痕评价”中，评价升降销对玻璃基板的背面带来伤痕的难易度。
具体而言，符号“◎”表示“基板未发生伤痕(最佳)”，符号“○”表示“基板只发生少许伤痕(优良)”，符号“△”表示“基板所发生的伤痕在允许范围内(可)”，符号“×”表示“基板所发生的伤痕不在允许范围内(不可)”。
(评价项目：成膜分布评价)
在“成膜分布评价”中，评价成膜在玻璃基板的表面上的膜厚分布的均匀性的优劣。
具体而言，符号“◎”表示膜厚分布最佳(均匀)，符号“○”表示膜厚分布优良，符号“△”表示膜厚分布为可，符号“×”表示膜厚分布为不可(不均匀)。
(材料种类)
关于中央部件51、周围部件52、环状部件53及筒状部件54的材料，“陶瓷”表示选择陶瓷作为形成部件的材料，“铝”表示选择铝作为形成部件的材料。
另外，“铝SR”表示选择铝作为形成部件的材料，并且在中央部件51及周围部件52的表面(第一面51T及第二面52T)上形成有曲面。
此外，“铝Flat”表示选择铝作为形成部件的材料，并且中央部件51及周围部件52的表面(第一面51T及第二面52T)为平坦面。
此外，“铝SRorFlat”表示在选择铝作为形成部件的材料的情况下，中央部件51的表面(第一面51T)为曲面或平坦面。即，以下说明的各个实施例A1、B1包括中央部件51的表面为曲面时的结果和中央部件51的表面为平坦面时的结果。
另外，“铝”、“铝SR”及“铝Flat”中的任一个均在其表面通过阳极氧化而形成有氧化铝皮膜。
另外，“陶瓷SR”表示选择陶瓷作为形成部件的材料，并且在中央部件51及周围部件52的表面(第一面51T及第二面52T)上形成有曲面。
此外，“陶瓷Flat”表示选择陶瓷作为形成部件的材料，并且中央部件51及周围部件52的表面(第一面51T及第二面52T)为平坦面。
(TEOS膜)
关于TEOS膜确认到以下几点。
(比较例A1、A2、A3)
伤痕评价及成膜分布评价中的至少一个评价结果为“×(不可)”。特别是，确认到在使用陶瓷(陶瓷SR、陶瓷Flat)作为中央部件51的材料时，成膜分布评价结果为不良。
认为其理由如下：由于采用陶瓷作为中央部件51的材料，因此与升降销对应的位置上的等离子体不均匀，对成膜分布带来不良影响。
确认到在使用陶瓷SR作为周围部件52的材料时伤痕评价结果为最佳，但使用陶瓷Flat或铝Flat时伤痕评价结果为不良。
认为其理由如下：由于周围部件52的表面平坦，因此易于发生伤痕。
(实施例A1、A2)
在实施例A1的情况下，伤痕评价及成膜分布评价这两个评价结果为“○(优良)”。另外，在实施例A2的情况下，伤痕评价结果为“△(可)”，成膜分布评价结果为“○(优良)”。
由此，确认到通过作为中央部件51及周围部件52的组合，采用铝SRorFlat作为中央部件51的材料，并且采用陶瓷SR作为周围部件52的材料，从而得到伤痕评价及成膜分布评价这两个评价优良的结果。
另外，确认到在采用铝作为周围部件52的材料而不使用陶瓷的情况下，也通过采用铝SR作为中央部件51及周围部件52的材料，从而使发生在基板的背面上的伤痕在允许范围内。
(SiNX膜)
关于SiNX膜确认到以下几点。
(比较例B1、B2、B3)
伤痕评价及成膜分布评价中的至少一个评价结果为“×(不可)”。特别是，确认到在使用陶瓷(陶瓷SR、陶瓷Flat)作为中央部件51的材料时，成膜分布评价结果为不良。
认为其理由如下：由于采用陶瓷作为中央部件51的材料，因此与升降销对应的位置上的等离子体不均匀，对成膜分布带来不良影响。
确认到在使用陶瓷SR作为周围部件52的材料时伤痕评价结果为最佳，但使用陶瓷Flat或铝Flat时伤痕评价结果为不良。
认为其理由如下：由于周围部件52的表面平坦，因此易于发生伤痕。
(实施例B1、B2)
在实施例B1的情况下，伤痕评价结果为“◎(最佳)”，成膜分布评价结果为“○(优良)”。另外，在实施例B2的情况下，伤痕评价结果为“△(可)”，成膜分布评价结果为“○(优良)”。
由此，确认到通过作为中央部件51及周围部件52的组合，采用铝作为中央部件51的材料，并且采用陶瓷作为周围部件52的材料，从而得到伤痕评价及成膜分布评价这两个评价优良的结果。
另外，确认到在采用铝作为周围部件52的材料而不使用陶瓷的情况下，也通过采用铝SR作为中央部件51和周围部件52的材料，从而发生在基板的背面上的伤痕在允许范围内。
以上，在上述说明中对本发明的优选实施方式进行了说明，但应理解这些实施方式是本发明的示例，而不能认为限定本发明。在不脱离本发明的范围内可进行增加、省略、置换及其他变更。因此，本发明由权利要求书的范围来限定，而不能认为由前述的说明来限定。
在上述实施方式及变形例中，对在已知为成膜装置的等离子体CVD装置中应用真空处理装置100的情况进行了说明，但本发明并不限定于等离子体CVD装置。本发明的实施方式所涉及的真空处理装置也可以应用到蚀刻装置或灰化装置等中。
本发明可广泛地应用到能抑制对基板的背面发生的伤痕并且实现在基板的表面上发生的等离子体的均匀性的升降销及具备该升降销的真空处理装置中。
附图标记说明
10 真空腔室
11 下部腔室
12 上部腔室
13 电极凸缘
20 加热器(基板保持体)
21 基板载置面
22 开口孔
22L 下部开口
22U 上部开口
23 加热器底座
30 高频电源
40 升降机构
45 升降销底座
50、150、250、350、450、550 升降销
51 中央部件
51C、151C 中心位置
51H 头部
51M、52M 主体
51R 杆部
51T、151T 第一面
52、252 周围部件
52E、152E、252E 端部位置
52S、152S、252S 外侧面
52T、152T、252T 第二面
52U 上端
53 环状部件
54 筒状部件
55、455、555 凹部
60 真空泵
70 气体供给部
75 簇射极板
80 门阀
100 真空处理装置
151 中央区域
152 周围区域(周围部件)
CV2 曲面
S 基板
SB 背面
SL 长边
SS 短边
ST 台阶

Claims (7)

1.一种升降销，与具有处理面及非处理面的基板接触，所述升降销具备：
中央部件，具备具有第一表面粗糙度及电绝缘部的第一面和作为导电性部件的主体，所述中央部件与所述基板的所述非处理面相对；和
周围部件，具备具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度及电绝缘部的第二面，所述周围部件包围所述中央部件的周围且与所述基板的所述非处理面相对，
所述第一面及所述第二面能够与所述基板的所述非处理面接触。
2.根据权利要求1所述的升降销，其中，
所述周围部件为电绝缘部件。
3.根据权利要求1所述的升降销，其中，
所述周围部件为导电性部件。
4.根据权利要求3所述的升降销，其中，
所述中央部件及所述周围部件为由导电性部件形成的一体物。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的升降销，其中，
所述第一面及所述第二面具有曲面，从而在所述升降销所延伸的方向上所述中央部件在所述第一面上的中心位置位于比所述周围部件在所述第二面上的端部位置更靠外侧。
6.根据权利要求1至4中的任一项所述的升降销，其中，
位于所述周围部件的外侧面与所述周围部件的所述第二面之间的角部具有曲面。
7.一种真空处理装置，具备：
真空腔室；
基板保持体，具有载置基板的基板载置面和在所述基板载置面上开口的开口孔，所述基板保持体配置在所述真空腔室内；
权利要求1至6中的任一项所述的升降销，设置在与所述开口孔对应的位置上且在所述开口孔的内部能够上下升降；
高频电源，用于在所述真空腔室内发生等离子体；和
升降机构，用于使所述升降销相对于所述基板保持体上下移动。
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