TW201921505A

TW201921505A - 電路基板

Info

Publication number: TW201921505A
Application number: TW107132490A
Authority: TW
Inventors: 西村功; 宮木伸行; 門田敏明; 藤冨晋太郎; 篠田智隆
Original assignee: 日商Ｊｓｒ股份有限公司
Priority date: 2017-09-15
Filing date: 2018-09-14
Publication date: 2019-06-01
Also published as: JP2019054242A; TWI784050B; WO2019054335A1; US11582860B2; EP3684146A4; KR20200054194A; CN111108816A; US20200344870A1; EP3684146A1

Abstract

本發明提供一種平滑性優異、且可減少高頻的電訊號的傳輸損失的電路基板。本發明的電路基板的特徵在於：包括配線部與非配線部，所述配線部具有金屬層及樹脂層，所述非配線部具有樹脂層，於23℃下所述樹脂層的頻率10 GHz下的相對介電常數為2～3，於將所述配線部中的厚度的最大值設為A（μm）、所述非配線部中的厚度的最小值設為B（μm）時，滿足（A-B）/B≦0.1的關係。

Description

電路基板

本發明是有關於一種包括具有樹脂層與金屬層的配線部的電路基板。

隨著近年來的資訊終端機機器的高性能化或網路技術的飛躍性進步，資訊通訊領域中處理的電訊號的面向高速·大容量傳輸的高頻化不斷發展。為了應對於此，於所使用的印刷配線板亦傳輸高頻訊號或高速數位訊號並進行處理，而且提高對可減少成為課題的傳輸損失的低介電常數（低ε_r ）·低介電損耗正切（低tanδ）材料的要求（例如，參照專利文獻1～專利文獻4）。

作為印刷配線板，於電子·電氣機器中使用柔性印刷基板（以下，亦稱為「FPC（flexible printed circuit）」）或柔性扁平線纜（以下，亦稱為「FFC（flexible flat cable）」）。FPC是經過如下步驟來製造：對包含絕緣體層與銅箔層的覆銅積層體（copper-clad laminate，CCL）進行加工並形成電氣電路後，為了保護該電路部，將包含絕緣層與接著劑層的蓋層（coverlay，CL）的接著劑部安裝於電路部。另外，FFC是使用包含絕緣體層與接著劑層的基材與以配線狀形成的銅箔等導體，於基材的接著劑部彼此之間並排多根導體並進行接著而獲得的電氣電路。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2014-197611號公報 [專利文獻2]日本專利特開2015-176921號公報 [專利文獻3]日本專利特開2016-087799號公報 [專利文獻4]日本專利特開2016-032098號公報

[發明所欲解決之課題] 然而，電訊號越為高頻越容易衰減，而存在傳輸損失變大的傾向。因此，於下一代高頻（10 GHz以上）應對安裝基板中，用以減少配線間串擾的低介電或用以抑制電訊號的傳輸損失的低介電損失特性對絕緣體材料而言成為必要不可或缺的特性。另外，為了抑制電訊號的傳輸損失，亦重要的是安裝基板的平滑性優異。認為特別是於FPC或FFC中，為了使樹脂層與金屬層積層而使用接著劑，但由接著劑形成的接著層為損及安裝基板的低介電損失特性或平滑性的一因素。

本發明是鑒於所述實際情況而成者，其課題在於提供一種平滑性優異、且可減少高頻訊號的傳輸損失的電路基板。 [解決課題之手段]

本發明是為了解決所述課題的至少一部分而成者，可以以下實施方式或應用例的形式實現。

[應用例1] 本發明的電路基板的一實施方式的特徵在於：包括配線部與非配線部，所述配線部具有金屬層及樹脂層，所述非配線部具有樹脂層，於23℃下所述樹脂層的頻率10 GHz下的相對介電常數為2～3，於將所述配線部中的厚度的最大值設為A（μm）、所述非配線部中的厚度的最小值設為B（μm）時，滿足（A-B）/B≦0.1的關係。

[應用例2] 如應用例1的電路基板，其中所述配線部中的所述金屬層與所述樹脂層可相接而積層。

[應用例3] 如應用例1或應用例2的電路基板，其中於23℃下所述樹脂層的頻率10 GHz下的介電損耗正切可為0.001～0.01。

[應用例4] 如應用例1至應用例3中任一例的電路基板，其中所述樹脂層的彈性係數可為0.1 GPa～3 GPa。

[應用例5] 如應用例1至應用例4中任一例的電路基板，其中所述樹脂層與所述金屬層的剝離強度可為5 N/cm以上。

[應用例6] 如應用例1至應用例5中任一例的電路基板，其中所述樹脂層的厚度可為10 μm～100 μm，且所述金屬層的厚度可為10 μm～50 μm。 [發明的效果]

根據本發明的電路基板，平滑性非常優異，並且可減少高頻訊號的傳輸損失。

以下，對本發明的較佳實施形態進行詳細說明。再者，本發明並不僅限定於以下所記載的實施形態，應理解為亦包含於不變更本發明的主旨的範圍內所實施的各種變形例者。

本說明書中，使用「～」所記載的數值範圍是包含「～」的前後所記載的數值作為下限值及上限值的含義。

1.電路基板如以下般定義本說明書中所使用的用語。 ·所謂「高頻訊號」，是指10 GHz以上的頻率的電訊號或電波。 ·所謂「高頻電路用積層體」，是指用以於製造以10 GHz以上的頻率進行驅動的高頻電路時使用的積層體。 ·所謂「B階樹脂層」，是指樹脂半硬化的狀態的層。 ·所謂「C階樹脂層」，是指樹脂完全硬化的狀態的層。再者，本申請案發明中，亦有時將「C階樹脂層」簡稱為「樹脂層」。

另外，本說明書中，如以下般定義方向。即，將相互正交的三個空間軸設為X軸、Y軸、Z軸。垂直方向設為沿Z軸方向的方向（Z方向），將垂直朝下的方向設為-Z方向，將垂直朝上的方向設為+Z方向。將垂直於Z軸的面設為XY平面。

本實施形態的電路基板的特徵在於：包括配線部與非配線部，所述配線部具有金屬層及樹脂層，所述非配線部具有樹脂層，於23℃下所述樹脂層的頻率10 GHz下的相對介電常數為2～3，於將所述配線部中的厚度的最大值設為A（μm）、所述非配線部中的厚度的最小值設為B（μm）時，滿足（A-B）/B≦0.1的關係。以下，參照圖式對本實施形態的電路基板進行詳細說明。

圖1是示意性地表示本實施形態的電路基板的剖面圖。圖2是沿圖1的C-C'線而切斷的平面圖。如圖1所示，電路基板100於基板10上（+Z方向）包括樹脂層12及金屬層14。於圖1的例子中，於金屬層14上（+Z方向）積層有樹脂層12，因此存在於金屬層14的上方的樹脂層14成為較除其以外的樹脂層14更朝+Z方向凸起的狀態。

基板10並無特別限定，除玻璃環氧基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚苯醚基板、氟樹脂基板等以外，於製作多層電路基板的情況下，亦可將後述的高頻電路用積層體作為基板。

本實施形態的電路基板中，將圖1所示的金屬層14及積層於金屬層14的上方（+Z方向）的樹脂層12（即區域16）的部分定義為「配線部」，將配線部以外的樹脂層12的部分定義為「非配線部」。

本實施形態的電路基板於將配線部中的厚度的最大值設為A（μm）、非配線部中的厚度的最小值設為B（μm）時，滿足（A-B）/B≦0.1的關係。（A-B）為圖1中的DH。（A-B）/B較佳為0.09以下，更佳為0.08以下，進而更佳為0.07以下，進一步更佳為0.06以下，特佳為0.05以下。此種電路基板中作為配線部的凸部的積層於金屬層14之上（+Z方向）的樹脂層12不會成為大的階差，樹脂層14整體的表面成為平滑的狀態。因此，即便積層電路基板，亦可滿足高的定位精度，可積聚更多層的電路。

再者，本申請案發明中，於積層此種電路基板來製作多層電路基板的情況下，配線部中的厚度的最大值A（μm）及非配線部中的厚度的最小值B（μm）亦針對各樹脂層而加以規定。

本實施形態的電路基板較佳為使金屬層14與樹脂層12相接並積層。即，較佳為於金屬層與樹脂層之間並不介隔存在底塗樹脂層之類的接著層。一般的電路基板中，為了提高擔負導電功能的金屬層與擔負絕緣功能的樹脂層的密接性而使接著層介隔存在於樹脂層與金屬層之間。接著層主要使用含有具有極性官能基的聚合體的接著劑，並利用塗佈等方法來形成。然而，此種接著層的電特性差，因此擔負絕緣功能的樹脂層的有效介電常數或有效介電損失變大，不適於高頻電路。相對於此，本實施形態的電路基板中即便不使用接著劑，金屬層與樹脂層的密接性亦良好，藉由金屬層與樹脂層相接並積層，成功獲得不使樹脂層的有效電特性劣化並適於高頻電路的電路基板。

本實施形態的電路基板的樹脂層與金屬層的剝離強度較佳為5 N/cm以上，更佳為5.3 N/cm以上，特佳為6 N/cm以上。本實施形態的電路基板具有所述範圍的剝離強度，因此即便不使用接著劑，金屬層與樹脂層的密接性亦良好。再者，剝離強度可依照「IPC-TM-650 2.4.9」中所記載的方法來測定。

以下，對構成本實施形態的電路基板的各層的構成、製造方法進行詳細說明。

1.1.樹脂層本實施形態的電路基板包括樹脂層。樹脂層的彈性係數較佳為0.1 GPa～3 GPa，更佳為0.2 GPa～2.5 GPa。若樹脂層的彈性係數為所述範圍，則成為柔軟性優異的電路基板，因此可以更自由的條件製造電路基板。此處，所謂樹脂層的彈性係數，為拉伸彈性係數，可依照JIS K 7161來測定。

樹脂層於23℃下頻率10 GHz下的相對介電常數為2～3，較佳為2.1～2.8。若10 GHz下的相對介電常數為所述範圍，則可製造高頻特性優異的電路基板。另外，樹脂層於23℃下頻率10 GHz下的介電損耗正切較佳為0.001～0.01，更佳為0.002～0.009。若10 GHz下的介電損耗正切為所述範圍，則可製造高頻特性更優異的電路基板。10 GHz下的相對介電常數及介電損耗正切可使用空腔諧振器攝動法介電常數測定裝置來測定。

另外，樹脂層的厚度較佳為10 μm～100 μm，更佳為20 μm～90 μm，特佳為25 μm～80 μm。

另外，於本申請案發明中，樹脂層亦包括包含不同的多個樹脂層的實施方式。於樹脂層包含多個樹脂層的情況下，各樹脂單層的彈性係數、相對介電常數、介電損耗正切未必需要限定於所述中記載的較佳的範圍，只要整體成為較佳的範圍即可。

此種樹脂層的製造方法並無特別限定，但可藉由將樹脂層用組成物塗佈於剝離層或金屬箔等基材，進行擠出成形而製作自支撐膜等方法來製作。

樹脂層用組成物的組成只要為所獲得的樹脂層滿足所述相對介電常數的組成，則並無特別限定，但較佳為含有聚合體、硬化性化合物、視需要的硬化助劑、溶媒。

1.1.1.樹脂層用組成物＜聚合體＞作為樹脂層用組成物中可包含的聚合體，例如可適時使用環氧樹脂、聚醯亞胺、聚伸芳基等具有低介電常數且低介電損耗正切的特性的公知的材料，但特別是可較佳地使用具有下述式（1-1）、式（1-2）及式（1-3）中的至少一種所表示的重複單元的聚合體等。

[化1]〔式（1-1）～式（1-3）中，R¹ 分別獨立地為鹵素原子、碳數1～20的一價烴基、碳數1～20的一價鹵化烴基、硝基、氰基、一級～三級胺基、或一級～三級胺基的鹽。n分別獨立地為0～2的整數。於n為2的情況下，多個R¹ 可相同亦可不同，亦可以任意的組合鍵結而形成環結構的一部分〕

R¹ 較佳為鹵素原子、碳數1～6的一價烴基、碳數1～6的一價鹵化烴基、硝基、氰基、一級～三級胺基、或一級～三級胺基的鹽，更佳為氟原子、氯原子、甲基、硝基、氰基、第三丁基、苯基、胺基。n較佳為0或1，更佳為0。

相對於重複單元的其中一結合鍵而言的另一結合鍵的位置並無特別限定，就提昇提供重複單元的單量體的聚合反應性的觀點而言，較佳為間位。另外，重複單元較佳為具有嘧啶骨架的所述式（1-2）所表示的結構單元。

聚合體視需要可具有所述式（1-1）、式（1-2）及式（1-3）中的至少一種所表示的重複單元以外的重複單元，但於將聚合體中的所有結構單元的合計設為100莫耳%的情況下，聚合體中的所述式（1-1）、式（1-2）及式（1-3）中的至少一種所表示的重複單元的含有比例較佳為5莫耳%～95莫耳%，更佳為10莫耳%～60莫耳%。

具有所述式（1-1）、式（1-2）及式（1-3）中的至少一種所表示的重複單元的聚合體的合成方法並無特別限定，可使用公知的方法。例如可藉由將提供所述式（1-1）、式（1-2）及式（1-3）中的至少一種所表示的重複單元的單量體與視需要的其他單量體於有機溶媒中，與鹼金屬等一起進行加熱來合成。

具有所述式（1-1）、式（1-2）及式（1-3）中的至少一種所表示的重複單元的聚合體的重量平均分子量（Mw）的下限較佳為500，更佳為1,000，進而更佳為10,000，特佳為30,000。重量平均分子量（Mw）的上限較佳為600,000，更佳為400,000，進而更佳為300,000，特佳為200,000。

具有所述式（1-1）、式（1-2）及式（1-3）中的至少一種所表示的重複單元的聚合體的玻璃轉移溫度（Tg）的下限較佳為150℃，更佳為180℃。玻璃轉移溫度（Tg）的上限較佳為320℃，更佳為300℃。

聚合體較佳為進而具有下述通式（2）所表示的重複單元。

[化2]（式（2）中，R³ 及R⁴ 分別獨立地為鹵素原子、硝基、氰基或碳數1～20的一價有機基，c及d分別獨立地為0～8的整數，e、f、y分別獨立地為0～2的整數，L為單鍵、-O-、-S-、-CO-、-SO-、-SO₂ -或碳數1～20的二價有機基）

作為R³ 及R⁴ 所表示的鹵素原子，例如可列舉：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。

作為R³ 及R⁴ 所表示的碳數1～20的一價烴基，例如可列舉：一價鏈狀烴基、一價脂環式烴基、一價芳香族烴基等。

作為所述一價鏈狀烴基，例如可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基等烷基；乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基等烯基；乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基等炔基等。

作為所述一價脂環式烴基，例如可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基等單環的環烷基；降冰片基、金剛烷基等多環的環烷基；環丙烯基、環丁烯基、環戊烯基、環己烯基等單環的環烯基；降冰片烯基等多環的環烯基等。

作為所述一價芳香族烴基，例如可列舉：苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、蒽基等芳基；苄基、苯乙基、苯基丙基、萘基甲基等芳烷基等。

作為R³ 及R⁴ 所表示的碳數1～20的一價鹵化烴基，例如可列舉藉由氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等鹵素原子將所述作為R³ 及R⁴ 所表示的基而例示的碳數1～20的一價烴基的氫原子的一部分或全部取代的基等。

作為L所表示的碳數1～20的二價有機基，例如可列舉：碳數1～20的二價鏈狀烴基、碳數1～20的二價氟化鏈狀烴基、碳數6～20的二價芳香族烴基或碳數6～20的二價氟化芳香族烴基等。

作為所述二價鏈狀烴基，例如可列舉：亞甲基、伸乙基、伸正丙基、伸異丙基、伸正丁基、伸第二丁基、伸第三丁基、伸新戊基、4-甲基-戊烷-2,2-二基、壬烷-1,9-二基等。

作為所述二價脂環式烴基，例如可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基等單環的環烷基；降冰片基、金剛烷基等多環的環烷基；環丙烯基、環丁烯基、環戊烯基、環己烯基等單環的環烯基；降冰片烯基等多環的環烯基等。

作為所述二價芳香族烴基，例如可列舉：苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、蒽基等芳基；苄基、苯乙基、苯基丙基、萘基甲基等芳烷基等。

作為該些聚合體，例如可例示日本專利特開2015-209511號公報、國際公開第2016/143447號、日本專利特開2017-197725號公報、日本專利特開2018-024827號公報等中記載的聚合體。

相對於後述的硬化性化合物及聚合體的合計100質量份，樹脂層用組成物中的聚合體的含有比例較佳為10質量份以上且90質量份以下。

＜硬化性化合物＞硬化性化合物為藉由照射熱或光（例如，可見光、紫外線、近紅外線、遠紅外線、電子束等）而硬化的化合物，亦可為必需後述硬化助劑者。作為此種硬化性化合物，例如可列舉：環氧化合物、氰酸酯化合物、乙烯基化合物、矽酮化合物、噁嗪化合物、馬來醯亞胺化合物、烯丙基化合物、丙烯酸化合物、甲基丙烯酸化合物、胺基甲酸酯化合物。該些可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。該些中，就與所述聚合體的相容性、耐熱性等特性方面的觀點而言，較佳為環氧化合物、氰酸酯化合物、乙烯基化合物、矽酮化合物、噁嗪化合物、馬來醯亞胺化合物、及烯丙基化合物中的至少一種，更佳為環氧化合物、氰酸酯化合物、乙烯基化合物、烯丙基化合物、及矽酮化合物中的至少一種。

相對於樹脂層用組成物100質量份，樹脂層用組成物中的硬化性化合物的含有比例較佳為10質量份以上且90質量份以下，更佳為20質量份以上且80質量份以下。

＜硬化助劑＞作為硬化助劑，例如可列舉光反應起始劑（光自由基產生劑、光酸產生劑、光鹼產生劑）等聚合起始劑。作為硬化助劑的具體例，可列舉：鎓鹽化合物、碸化合物、磺酸酯化合物、磺醯亞胺化合物、二磺醯基重氮甲烷化合物、二磺醯基甲烷化合物、肟磺酸酯化合物、肼磺酸酯化合物、三嗪化合物、硝基苄基化合物、苄基咪唑化合物、有機鹵化物類、辛酸金屬鹽、二碸等。該些硬化助劑不論種類如何，可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

相對於樹脂層用組成物100質量份，樹脂層用組成物中的硬化助劑的含有比例較佳為5質量份以上且20質量份以下，更佳為5質量份以上且10質量份以下。

＜溶媒＞樹脂層用組成物視需要可含有溶媒。作為溶媒，例如除N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮等醯胺系溶媒；γ-丁內酯、乙酸丁酯等酯系溶媒；環戊酮、環己酮、甲基乙基酮、二苯甲酮等酮系溶媒；1,2-甲氧基乙烷、二苯基醚等醚系溶媒；1-甲氧基-2-丙醇、丙二醇甲醚乙酸酯等多官能性溶媒；環丁碸、二甲基亞碸、二乙基亞碸、二甲基碸、二乙基碸、二異丙基碸、二苯基碸等碸系溶媒以外，可列舉二氯甲烷、苯、甲苯、二甲苯、二烷氧基苯（烷氧基的碳數：1～4）、三烷氧基苯（烷氧基的碳數：1～4）等。該些溶媒可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

於樹脂層用組成物含有溶媒的情況下，相對於除溶媒以外的樹脂層用組成物100質量份，較佳為2000質量份以下，更佳為200質量份以下。

＜其他成分＞樹脂層用組成物視需要可含有其他成分。作為其他成分，例如可列舉：抗氧化劑、強化劑、潤滑劑、阻燃劑、抗菌劑、著色劑、脫模劑、發泡劑、所述聚合體以外的其他聚合體等。

＜樹脂層用組成物的製備方法＞樹脂層用組成物的製備方法並無特別限定，例如可藉由將聚合體、硬化性化合物、及視需要的其他添加劑（例如，硬化助劑、溶媒、抗氧化劑等其他成分）均勻地混合而製備。另外，組成物的形態可設為液狀、膏狀等。

1.2.金屬層本實施形態的電路基板包括金屬層。金屬層較佳為使用金屬箔或濺鍍膜。金屬箔較佳為銅箔。銅箔的種類中存在電解箔與壓延箔，可使用任一種。

金屬層的表面粗糙度Ra較佳為10 nm～300 nm，更佳為30 nm～200 nm，特佳為30 nm～100 nm。若金屬層的表面粗糙度Ra為所述範圍，則於製成本實施形態的電路基板時可進一步提高所述樹脂層與金屬層的密接性。進而，可使電路基板的面內的厚度更均勻，可於使電路基板捲繞而為卷狀時抑制樹脂層與金屬層的剝離。再者，金屬層的表面粗糙度Ra是指依據JIS B0601-2001而測定的「算術平均粗糙度」。

金屬層的厚度較佳為3 μm～50 μm，更佳為5 μm～40 μm，特佳為7 μm～35 μm。

於使用金屬箔作為金屬層的情況下，若金屬箔的表面粗糙度Ra為所述範圍，則可直接使用經減薄化而成者，但亦可使用對其表面進行物理性或化學性處理而將表面粗糙度Ra控制為所述範圍者。作為控制金屬箔的表面粗糙度的方法，存在對金屬箔進行的蝕刻處理（酸處理等）、雷射處理、電解鍍敷、無電解鍍敷、濺鍍處理、噴砂等方法，但並不限定於該些。

1.3.電路基板的製造方法可使用由金屬層與樹脂層積層而成的高頻電路用積層體來製造FPC等電路基板。高頻電路用積層體的製造方法只要可使樹脂層與金屬層相接並積層，則其方法並無特別限定。所謂「樹脂層與金屬層相接」並不限於樹脂層的其中一面以整個面與金屬層相接的情況，包含樹脂層的其中一面的至少一部分與金屬層相接的情況。

本實施形態中所使用的高頻電路用積層體的厚度較佳為50 μm～200 μm，更佳為60 μm～180 μm，特佳為70 μm～150 μm。若高頻電路用積層體的厚度處於所述範圍，則不僅可製作進行減薄化的高頻電路基板，而且於捲繞於卷芯的情況下難以產生捲曲皺痕。

以下，對高頻電路用積層體的較佳製造例進行說明。

＜製造例A＞圖3A～圖3D是示意性地表示製造例A的各步驟中的剖面的圖。參照圖3A～圖3D來對製造例A進行說明。

（步驟A1）如圖3A所示，於剝離層20上塗敷樹脂層用組成物並形成B階樹脂層22，從而製作「B階樹脂層/剝離層積層體」（亦稱為「B階片」）。作為剝離層20，可使用聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET）膜等公知的膜。PET膜並無特別限定，例如可使用凡納克（Panac）股份有限公司製造的凡納普龍泰庫特（Panaprotect）MK38S等。樹脂層用組成物的塗敷方法可使用公知的塗敷方法，較佳為例如使用棒塗機並調整膜厚而進行塗敷。

較佳為於如此般對剝離層20塗敷樹脂層用組成物後，使用烘箱等公知的加熱機構來形成半硬化狀態的B階樹脂層22。加熱溫度較佳為50℃～150℃，更佳為70℃～130℃。亦可於加熱時以例如50℃～100℃與100℃～150℃等二階段進行加熱。另外，加熱時間的合計較佳為未滿30分鐘，更佳為未滿20分鐘。藉由以所述範圍的溫度與時間的條件進行加熱，可製作膜厚均勻性高的B階樹脂層22，且藉由抑制剝離層20的變質，可於製造步驟中良好地對剝離層20進行剝離。

於表面露出的B階樹脂層22的表面粗糙度Ra較佳為1 nm～100 nm，更佳為10 nm～50 nm。若B階樹脂層22的表面粗糙度Ra為所述範圍，則於製造高頻電路用積層體的情況下，可進一步提高樹脂層與金屬層或樹脂層彼此的密接性。再者，本申請案發明中的B階樹脂層的表面粗糙度Ra是指依據JIS B0601-2001而測定的「算術平均粗糙度」。

關於B階樹脂層22的彈性係數，於1 Hz的測定條件下50℃以上且未滿80℃的彈性係數（MPa）的最大值較佳為1 MPa以上，更佳為3 MPa以上。另外，80℃以上且200℃以下的溫度範圍內的彈性係數（MPa）的最小值較佳為20 MPa以下，更佳為15 MPa以下。若B階樹脂層的彈性係數為各溫度範圍，則於對高頻電路用積層體進行熱壓製來製造的情況下，可抑制配線部與非配線部的凹凸，並可抑制傳輸損失。

（步驟A2）如圖3B所示，將步驟A1中製作的「B階樹脂層/剝離層積層體」的露出的樹脂層面23與金屬層24貼合來製作「金屬層/B階樹脂層/剝離層積層體」。與樹脂層面23貼合的金屬層24的表面粗糙度Ra較佳為10 nm～300 nm，更佳為30 nm～200 nm，特佳為30 nm～100 nm。

較佳為於貼合時將「B階樹脂層/剝離層積層體」的樹脂層面23與金屬層24重合後，進而使用經加熱的輥（本說明書中亦稱為「熱輥」）等進行加熱壓接。加熱壓接時的線負荷較佳為1 kN/m～19 kN/m，更佳為5 kN/m～18 kN/m。加熱壓接的溫度較佳為50℃～200℃，更佳為50℃～150℃，特佳為70℃～130℃。

另外，於步驟A2中，亦可藉由使貼合後不久的「金屬層/B階樹脂層/剝離層積層體」繼續與經加熱的輥接觸或者通過加熱爐來進行退火處理。此種退火處理只要為樹脂的熔點以上的溫度即可，例如較佳為100℃～250℃，更佳為110℃～230℃。加熱的時間並無特別限定，較佳為5秒鐘～600秒鐘，更佳為10秒鐘～300秒鐘。使用熱輥並以例如5秒～600秒左右的短時間進行退火處理，藉此可製作膜厚均勻性高的B階樹脂層，且藉由抑制剝離層的變質，可於製造步驟中良好地對剝離層進行剝離。再者，所謂所述『使貼合後不久的「金屬層/B階樹脂層/剝離層積層體」繼續』進行處理，是於進行積層體的貼合的生產線中，不將進行了貼合的積層體自生產線取出而於貼合處理後繼續在線進行處理的步驟。

（步驟A3）如圖3C所示，自步驟A2中製作的「金屬層/B階樹脂層/剝離層積層體」將剝離層20剝離，視需要將露出的樹脂層面21與金屬箔26貼合。於自「金屬層/B階樹脂層/剝離層積層體」將剝離層20剝離，並將露出的B階樹脂層面21與金屬層26貼合的情況下，較佳為將露出的樹脂層面21與金屬層26重合，進而使用熱輥等進行加熱壓接。加熱壓接較佳為與步驟A2相同的條件。

自「金屬層/B階樹脂層/剝離層積層體」將剝離層20剝離而露出的樹脂層面21的表面粗糙度Ra較佳為1 nm～100 nm，更佳為10 nm～50 nm。若B階樹脂層的表面粗糙度Ra為所述範圍，則於製造高頻電路用積層體的情況下，可進一步提高樹脂層與金屬層或樹脂層彼此的密接性。

（步驟A4）如圖3D所示，藉由使B階樹脂層22進行硬化而製成C階樹脂層28，可獲得高頻電路用積層體200。為了使B階樹脂層12進行硬化，較佳為對於步驟A3中所獲得的積層體，使用烘箱等公知的加熱機構並於50℃～200℃下進行加熱，更佳為於100℃～200℃下進行加熱。亦可於加熱時以例如50℃～100℃與100℃～200℃等二階段進行加熱。另外，加熱時間較佳為未滿5小時，更佳為未滿3小時。藉由以所述範圍的溫度與時間的條件進行加熱，可製作使B階樹脂層硬化而成的、膜厚均勻性高的C階樹脂層。

＜製造例B＞圖4A～圖4C是示意性地表示製造例B的各步驟中的剖面的圖。參照圖4A～圖4C來對製造例B進行說明。

（步驟B1）如圖4A所示，對金屬層30塗敷樹脂層用組成物並形成B階樹脂層32，從而製作「金屬層/B階樹脂層積層體」。樹脂層用組成物的塗敷方法可使用公知的塗敷方法，較佳為例如使用棒塗機並調整膜厚而進行塗敷。

較佳為於如此般對金屬層30塗敷樹脂層用組成物後，使用烘箱等公知的加熱機構來形成半硬化狀態的B階樹脂層32。加熱溫度較佳為50℃～150℃，更佳為70℃～130℃。亦可於加熱時以例如50℃～100℃與100℃～150℃等二階段進行加熱。另外，加熱時間的合計較佳為未滿30分鐘，更佳為未滿20分鐘。藉由以所述範圍的溫度與時間的條件進行加熱，可製作膜厚均勻性高的B階樹脂層32。

（步驟B2）如圖4B所示，將金屬層34貼合於步驟B1中製作的「金屬層/B階樹脂層積層體」的露出的樹脂層面33來製作「金屬層/B階樹脂層/金屬層積層體」。於將金屬層34貼合於露出的樹脂層面33的情況下，較佳為將露出的樹脂層面33與金屬層34重合後，進而使用熱輥等進行加熱壓接。另外，加熱壓接較佳為與所述步驟A2相同的條件。

另外，於步驟B2中，亦可藉由使貼合後不久的「金屬層/B階樹脂層/金屬層」繼續與經加熱的輥接觸或者通過加熱爐來進行退火處理。退火處理較佳為與所述步驟A2相同的條件。

露出的樹脂層面33的表面粗糙度Ra較佳為1 nm～100 nm，更佳為10 nm～50 nm。若B階樹脂層的表面粗糙度Ra為所述範圍，則於製造高頻電路用積層體的情況下，可進一步提高樹脂層與金屬層的密接性。另外，與樹脂層面33貼合的金屬層34的表面粗糙度Ra較佳為10 nm～300 nm，更佳為30 nm～200 nm，特佳為30 nm～100 nm。

（步驟B3）如圖4C所示，藉由使B階樹脂層32進行硬化而製成C階樹脂層36，可獲得高頻電路用積層體300。步驟B3中較佳為對於步驟B2中製作的「金屬層/B階樹脂層/金屬層積層體」，使用烘箱等公知的加熱機構並於50℃～200℃下進行加熱，更佳為於100℃～200℃下進行加熱。亦可於加熱時以例如50℃～100℃與100℃～200℃等二階段進行加熱。另外，加熱時間較佳為未滿5小時，更佳為未滿3小時。藉由以所述範圍的溫度與時間的條件進行加熱，可製作使B階樹脂層32硬化而成的、膜厚均勻性高的C階樹脂層36。

可使用以所述方式獲得的高頻電路用積層體來製造FPC等電路基板。此種電路基板將所述高頻電路用積層體設為積層結構的至少一部分，即便以高頻進行驅動，亦可減少傳輸損失。此種電路基板只要包括所述高頻電路用積層體作為積層結構的一部分即可，可藉由公知的方法來製造，例如可應用國際公開第2012/014339號、日本專利特開2009-231770號公報等中所記載的製造製程來製造。

具體而言，將所述高頻電路用積層體進行積層、或藉由蝕刻對所述高頻電路用積層體的金屬層進行圖案化、或穿設孔、或切斷為所需的大小等，藉此可製造電路基板。

此種電路基板中不介隔存在有接著層，因此作為凸部的被覆金屬配線層的樹脂層不會成為大的階差，樹脂層表面變得平滑。因此，即便積層電路，亦可滿足高的定位精度，可積聚更多層的電路。

此種電路基板例如可經過以下步驟等來製造： ·步驟（a）：將樹脂膜積層於電路用基板並形成樹脂層的步驟、 ·步驟（b）：將樹脂層加熱·加壓而進行平坦化的步驟、 ·步驟（c）：於樹脂層上進而形成電路層的步驟。

步驟（a）中將樹脂膜積層於電路用基板的方法並無特別限定，例如可列舉使用多段壓製機、真空壓製機、常壓層壓機、於真空下進行加熱加壓的層壓機來進行積層的方法等，較佳為使用於真空下進行加熱加壓的層壓機的方法。藉此，即便電路用基板於表面具有微細配線電路，亦可無空隙地利用樹脂埋入電路間。層壓條件並無特別限定，較佳為於壓接溫度為70℃～130℃、壓接壓力為1 kgf/cm² ～11 kgf/cm² 、減壓或真空下進行積層。層壓可為批次式，且亦可為利用輥的連續式。

電路用基板並無特別限定，可使用玻璃環氧基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚苯醚基板、氟樹脂基板等。電路用基板的積層有樹脂膜的面的電路表面亦可預先進行粗化處理。另外，電路用基板的電路層數並無限定。例如於製作毫米波雷達用印刷配線板的情況下，可根據其設計而自由地選擇2層～20層等。

於步驟（b）中，將步驟（a）中積層的樹脂膜與電路用基板加熱加壓而進行平坦化。條件並無特別限定，較佳為溫度100℃～250℃、壓力0.2 MPa～10 MPa、時間30分鐘～120分鐘的範圍，更佳為150℃～220℃。

於步驟（c）中，於將樹脂膜與電路用基板加熱加壓而製作的樹脂層上進而形成電路層。以所述方式於樹脂層上所製作的電路層的形成方法並無特別限定，例如可藉由減成法等蝕刻法、半加成法等來形成。

減成法為如下方法：於金屬層上形成與所期望的圖案形狀對應的形狀的蝕刻抗蝕劑層，藉由之後的顯影處理，利用藥液將抗蝕劑經去除的部分的金屬層溶解並去除，藉此形成所期望的電路。

半加成法為如下方法：利用無電解鍍敷法於樹脂層的表面形成金屬被膜，於金屬被膜上形成與所期望的圖案對應的形狀的鍍敷抗蝕劑層，繼而利用電解鍍敷法形成金屬層後，利用藥液等去除不需要的無電解鍍敷層，從而形成所期望的電路層。

另外，於樹脂層中視需要亦可形成通孔等孔。孔的形成方法並無限定，可應用NC鑽孔、二氧化碳雷射、UV雷射、YAG雷射、電漿等。

2.實施例以下，基於實施例對本發明進行具體說明，但本發明並不限定於該些實施例。實施例、比較例中的「份」及「%」只要無特別說明，則為質量基準。

2.1.聚合體的合成＜合成例1＞於具備攪拌裝置的四口可分離式燒瓶中量入1,1-雙(4-羥基苯基)-3,3,5-三甲基環己烷（BisTMC）（18.6 g、60.0 mmol）、4,6-二氯嘧啶（Pym）（8.9 g、60.0 mmol）、及碳酸鉀（11.1 g、81.0 mmol），加入N-甲基-2-吡咯啶酮（64 g），於氮氣環境下以130℃反應6小時。反應結束後，加入N-甲基-2-吡咯啶酮（368 g），藉由過濾而去除鹽後，將該溶液投入至甲醇（9.1 kg）中。將析出的固體過濾分離，利用少量的甲醇進行清洗，再次進行過濾分離並回收，然後使用真空乾燥機，於減壓下以120℃乾燥12小時，從而獲得具有下述式（P-1）所表示的結構單元的聚合體P-1（產量：20.5 g、產率：90%、重量平均分子量（Mw）：32,000、玻璃轉移溫度（Tg）：206℃）。

[化3]

再者，玻璃轉移溫度（Tg）設為使用動態黏彈性測定裝置（精工儀器（Seiko Instruments）公司製造、「DMS7100」），以頻率1 Hz、昇溫速度10℃/min進行測定而損耗正切變得極大的溫度。損耗正切設為儲存彈性係數除以損失彈性係數而得的值。

另外，重量平均分子量（Mw）是使用凝膠滲透層析儀（gel permeation chromatograph，GPC）裝置（東曹公司的「HLC-8320型」），以下述條件進行測定。管柱：連結東曹公司的「TSK凝膠（TSKgel）α-M」與東曹公司的「TSK凝膠保護柱（TSKgel guardcolumn）α」而成的管柱展開溶媒：N-甲基-2-吡咯啶酮管柱溫度：40℃ 流速：1.0 mL/min 試樣濃度：0.75質量% 試樣注入量：50 μL 檢測器：示差折射計標準物質：單分散聚苯乙烯

＜合成例2＞於具備攪拌裝置的四口可分離式燒瓶中量入1,1-雙(4-羥基苯基)-3,3,5-三甲基環己烷（BisTMC）（10.7 g、34.5 mmol）、3,6-二氯噠嗪（Pyd）（5.1 g、34.2 mmol）、及碳酸鉀（6.5 g、47.0 mmol），加入N-甲基-2-吡咯啶酮（36 g），於氮氣環境下以145℃反應9小時。反應結束後，加入N-甲基-2-吡咯啶酮（150 g）進行稀釋，藉由過濾而去除鹽後，將該溶液投入至甲醇（3 kg）中。將析出的固體過濾分離，利用少量的甲醇進行清洗，再次進行過濾分離並回收，然後以與合成例1相同的條件進行乾燥，從而獲得具有下述式（P-2）所表示的結構單元的聚合體P-2（產量7.6 g、產率48%、重量平均分子量（Mw）：30,000、玻璃轉移溫度（Tg）：232℃）。再者，重量平均分子量及玻璃轉移溫度是與合成例1同樣地進行測定。

[化4]

＜合成例3＞於具備攪拌裝置的四口可分離式燒瓶中量入1,1-雙(4-羥基苯基)-3,3,5-三甲基環己烷（BisTMC）（18.6 g、60.0 mmol）、4,6-二氯-2-苯基嘧啶（PhPym）（13.7 g、61.1 mmol）、及碳酸鉀（11.4 g、82.5 mmol），加入N-甲基-2-吡咯啶酮（75 g），於氮氣環境下以130℃反應6小時。反應結束後，加入N-甲基-2-吡咯啶酮（368 g）進行稀釋，藉由過濾而去除鹽後，將該溶液投入至甲醇（9.1 kg）中。將析出的固體過濾分離，利用少量的甲醇進行清洗，再次進行過濾分離並回收，然後以與合成例1相同的條件進行乾燥，從而獲得具有下述式（P-3）所表示的結構單元的聚合體P-3（產量20.5 g、產率90%、重量平均分子量（Mw）：187,000、玻璃轉移溫度（Tg）：223℃）。再者，重量平均分子量及玻璃轉移溫度是與合成例1同樣地進行測定。

[化5]

＜合成例4＞於具備攪拌裝置的四口可分離式燒瓶中量入1,1-雙(4-羥基苯基)-3,3,5-三甲基環己烷（BisTMC）（12.4 g、40.0 mmol）、2,2-雙(4-羥基苯基)-丙烷（BisA）（2.3 g、10.0 mmol）、1,1-雙(4-羥基苯基)-壬烷（BisP-DED）（3.3 g、10.0 mmol）、4,6-二氯-2-苯基嘧啶（PhPym）（13.7 g、61.1 mmol）、及碳酸鉀（11.4 g、82.5 mmol），加入N-甲基-2-吡咯啶酮（75 g），於氮氣環境下以130℃反應6小時。反應結束後，加入N-甲基-2-吡咯啶酮（368 g）進行稀釋，藉由過濾而去除鹽後，將該溶液投入至甲醇（9.1 kg）中。將析出的固體過濾分離，利用少量的甲醇進行清洗，再次進行過濾分離並回收，然後以與合成例1相同的條件進行乾燥，從而獲得具有下述式（P-4）所表示的結構單元的聚合體P-4（產量23.5 g、產率87%、重量平均分子量（Mw）：165,000、玻璃轉移溫度（Tg）：196℃）。再者，重量平均分子量及玻璃轉移溫度是與合成例1同樣地進行測定。

[化6]

＜合成例5＞於具備攪拌裝置的四口可分離式燒瓶中量入1,1-雙(4-羥基苯基)-3,3,5-三甲基環己烷（BisTMC）（12.4 g、40.0 mmol）、4,4'-(1,3-二甲基亞丁基)雙酚（BisP-MIBK）（2.7 g、10.0 mmol）、1,1-雙(4-羥基苯基)-壬烷（BisP-DED）（3.3 g、10.0 mmol）、4,6-二氯-2-苯基嘧啶（PhPym）（13.7 g、61.1 mmol）、及碳酸鉀（11.4 g、82.5 mmol），加入N-甲基-2-吡咯啶酮（75 g），於氮氣環境下以130℃反應6小時。反應結束後，加入N-甲基-2-吡咯啶酮（368 g）進行稀釋，藉由過濾而去除鹽後，將該溶液投入至甲醇（9.1 kg）中。將析出的固體過濾分離，利用少量的甲醇進行清洗，再次進行過濾分離並回收，然後以與合成例1相同的條件進行乾燥，從而獲得具有下述式（P-5）所表示的結構單元的聚合體P-5（產量23.8 g、產率88%、重量平均分子量（Mw）：157,000、玻璃轉移溫度（Tg）：190℃）。再者，重量平均分子量及玻璃轉移溫度是與合成例1同樣地進行測定。

[化7]

2.2.實施例1 2.2.1.B階樹脂層/剝離層積層體的製作將50份的聚合體P-1、50份的作為硬化性化合物的2,2'-雙(4-氰氧苯基)丙烷（東京化成工業公司製造）、5份的作為硬化助劑的1-苄基-2-甲基咪唑（三菱化學公司製造、製品名「BMI 12」）、及160份的環戊酮混合來製備樹脂層用組成物。

以硬化後的膜厚成為25 μm的方式，使用棒塗機將所述製備的樹脂層用組成物塗敷於作為剝離層的厚度100 μm的PET膜（帝人膜溶液公司製造、帝人特多龍膜（Teijin Tetoron Film）G2）上，使用烘箱於70℃下加熱10分鐘後，進而於130℃下加熱10分鐘，從而獲得於PET膜上積層有B階樹脂層的「B階樹脂層/剝離層積層體」。

＜表面粗糙度Ra＞使用白色干涉顯微裝置（翟柯（ZYGO）公司製造的新視野（New View）5032）測定所述獲得的「B階樹脂層/剝離層積層體」的樹脂層的表面，將依據JIS B0601-2001對10 μm×10 μm的範圍算出的「算術平均粗糙度」設為表面粗糙度Ra。將其結果示於表1中。

＜樹脂層的50℃～200℃的彈性係數測定＞自所述獲得的「B階樹脂層/剝離層積層體」將剝離層（PET膜）剝離，切出試驗片（寬3 mm×長2 cm），利用DMS試驗器（精工儀器（Seiko Instruments）公司製造），以1 Hz、10℃/min的測定條件測定50℃以上且未滿80℃的溫度範圍下的彈性係數（MPa）的最大值及80℃以上且200℃以下的溫度範圍下的彈性係數（MPa）的最小值。將其結果示於表1中。

2.2.2.金屬層/B階樹脂層/剝離層積層體的製作將厚度18 μm的銅箔（三井金屬公司製造、型號「TQ-M4-VSP」、表面粗糙度110 nm）重合於所述獲得的「B階樹脂層/剝離層積層體」的露出的樹脂層上，進而利用150℃的熱輥以線負荷10 kN/m的條件進行壓製，從而製作具有銅箔/B階樹脂層/PET膜的積層結構的「金屬層/B階樹脂層/剝離層積層體」。再者，銅箔的表面粗糙度Ra是使用白色干涉顯微裝置（翟柯（ZYGO）公司製造的新視野（New View）5032）進行測定，將依據JIS B0601-2001對10 μm×10 μm的範圍算出的「算術平均粗糙度」設為表面粗糙度Ra。將其結果示於表1中。

＜剝離層剝離後的表面粗糙度Ra＞自所述獲得的「金屬層/B階樹脂層/剝離層積層體」將剝離層（PET膜）剝離，使用白色干涉顯微裝置（翟柯（ZYGO）公司製造的新視野（New View）5032）測定露出的樹脂層的表面，將依據JIS B0601-2001對10 μm×10 μm的範圍算出的「算術平均粗糙度」設為表面粗糙度Ra。將其結果示於表1中。

2.2.3.高頻電路用積層體的製作及評價自所述獲得的「金屬層/B階樹脂層/剝離層積層體」將剝離層（PET膜）剝離，將露出的樹脂層面與厚度18 μm的銅箔（三井金屬公司製造、型號「TQ-M4-VSP」、表面粗糙度110 nm）重合並載置，利用150℃的熱輥以線負荷10 kN/m的條件進行壓製，之後使用烘箱於250℃下加熱3小時，從而製作具有於C階樹脂層的兩面積層有銅箔的「銅箔（膜厚18 μm）/C階樹脂層（膜厚25 μm）/銅箔（膜厚18 μm）」的積層結構的高頻電路用積層體。再者，銅箔（金屬層）的表面粗糙度Ra是使用白色干涉顯微裝置（翟柯（ZYGO）公司製造的新視野（New View）5032）進行測定，將依據JIS B0601-2001對10 μm×10 μm的範圍算出的「算術平均粗糙度」設為表面粗糙度Ra。將其結果示於表1中。

＜拉伸強度及拉伸伸長率＞對所製作的高頻電路用積層體進行蝕刻處理並去除銅箔，製成評價用樹脂膜。自所製成的樹脂膜切出JIS K 7161 7號啞鈴形試驗片，使用島津製作所公司製造的「Ez-LX」，以5 mm/min進行拉伸，測定斷裂時的應力作為拉伸強度，並測定伸長率作為拉伸伸長率。將結果示於表1中。

＜玻璃轉移溫度（Tg）＞對所製作的高頻電路用積層體進行蝕刻處理並去除銅箔，製成評價用樹脂膜。自所製成的樹脂膜切出試驗片（寬3 mm×長1 cm），利用DMS試驗器（精工儀器（Seiko Instruments）公司製造、型號「EXSTAR4000」）來測定玻璃轉移溫度（Tg）。將結果示於表1中。

＜彈性係數＞對所製作的高頻電路用積層體進行蝕刻處理並去除銅箔，製成評價用樹脂膜。自所製成的樹脂膜切出JIS K 7161 7號啞鈴，使用島津製作所公司製造的「Ez-LX」，依照JIS K 7161以5 mm/min進行拉伸試驗，測定拉伸彈性係數。將結果示於表1中。

＜電特性（相對介電常數、介電損耗正切）＞對所製作的高頻電路用積層體進行蝕刻處理並去除銅箔，製成評價用樹脂膜。自所製成的樹脂膜切出試驗片（寬2.6 mm×長80 mm），使用空腔諧振器攝動法介電常數測定裝置（安捷倫科技（Agilent Technologies）公司製造、型號「PNA-L網路分析儀N5230A」、關東電子應用開發公司製造、型號「空腔諧振器10 GHz用CP531」）進行10 GHz下的相對介電常數及介電損耗正切的測定。將結果示於表1中。

＜剝離強度＞自所製作的高頻電路用積層體切出試驗片（寬1 cm×長10 cm），使用英斯特朗（Instron）公司製造的「英斯特朗（Instron）5567」，以500 mm/min的條件朝90度方向拉伸，依據「IPC-TM-650 2.4.9」來測定剝離強度。將結果示於表1中。

2.2.4.電路基板的製作及評價對於所述製作的高頻電路用積層體的單面，使用感光性乾膜對銅箔進行圖案化，製作間距為150 μm且線寬分別為40 μm、45 μm、50 μm、55 μm、60 μm以及間距為750 μm且線寬分別為200 μm、220 μm、240 μm、260 μm、280 μm的銅配線圖案。繼而，將所述製作的「B階樹脂層/剝離層積層體」以B階樹脂層側與經圖案化的高頻電路用積層體的銅配線相接的方式載置於所製作的銅配線圖案的表面，於其上放置鏡板，以120℃/3.0 MPa/5分鐘的壓製條件進行加熱加壓成形後，將剝離層（PET膜）剝離並於250℃下加熱3小時，從而製作電路基板。

＜階差評價＞使用掃描式電子顯微鏡觀察所述製作的電路基板的剖面形狀，並測定配線部的樹脂層的厚度A（μm）及非配線部的樹脂層的厚度B（μm）。將結果示於表1中。於（A-B）/B為0.1以下的情況下，可判斷為平坦性良好，於超過0.1的情況下，判斷為平坦性不良。

＜傳輸損失評價＞關於所述製作的電路基板，使用測定探針（康思德精密科技（Cascade Microtech）公司製造，single（ACP40GSG250））、向量型網路分析儀（是德科技（Keysight technology）E8363B）而測定25℃下的頻率20 GHz的傳輸損失。於傳輸損失為-5 dB/100 mm以上的情況下，判斷為良好。

＜基板階差評價＞對於所述製作的高頻電路用積層體的兩面，以銅箔的厚度為9 μm的方式進行兩面蝕刻，進而使用感光性乾膜對銅箔進行圖案化，製作間距為100 μm且線寬為50 μm的銅配線圖案。其次，自所述製作的「金屬層/B階樹脂層/剝離層積層體」將剝離層（PET膜）剝離，以剝離而露出的樹脂層與所製作的銅配線圖案相接的方式配置於兩面，進而利用鏡板夾入，以120℃/1.1 MPa/2分鐘的壓製條件進行加熱加壓，進而於250℃下加熱3小時。之後，使用感光性乾膜對銅箔進行圖案化，於兩面製作間距為100 μm且線寬為50 μm的銅配線圖案。最後，自所述製作的「B階樹脂層/剝離層積層體」將剝離層（PET膜）剝離，以剝離面的樹脂層與所製作的銅配線圖案相接的方式配置於兩面，進而利用鏡板夾入，以120℃/1.1 MPa/2分鐘的壓製條件進行加熱加壓成形後，進而於250℃下加熱3小時，從而製作具有四層銅配線的評價用基板。

使用掃描式電子顯微鏡觀察所製作的評價用基板的剖面形狀，於凹部與凸部的差為5%以下的情況下，判斷為可實用而良好，於超過5%的情況下，判斷為無法實用而不良。將結果示於表1中。

2.3.實施例2～實施例6、比較例1～比較例3 將樹脂層用組成物變更為表1的組成，且如表1般變更金屬膜的種類或各種膜厚、積層條件，除此以外利用與實施例1相同的方法來製作電路基板並進行評價。將結果示於表1中。

2.4.實施例7 以硬化後的膜厚成為25 μm的方式，使用棒塗機將實施例1中製作的樹脂層用組成物塗敷於厚度18 μm的銅箔（三井金屬公司製造、型號「TQ-M4-VSP」、表面粗糙度110 nm）上，使用烘箱於70℃下加熱10分鐘後，進而於130℃下加熱10分鐘，從而製作具有銅箔/B階樹脂層的積層結構的「金屬層/B階樹脂層積層體」。

將厚度18 μm的銅箔（三井金屬公司製造、型號「TQ-M4-VSP」、表面粗糙度110 nm）重合於所製作的「金屬層/B階樹脂層積層體」的露出的樹脂層面，使用150℃的熱輥以線負荷10 kN/m的條件進行壓製，之後使用烘箱於250℃下加熱3小時，從而製作具有於C階樹脂層的兩面積層有銅箔的銅箔（膜厚18 μm）/C階樹脂層（膜厚25 μm）/銅箔（膜厚18 μm）的積層結構的高頻電路用積層體。使用以所述方式製作的高頻電路用積層體，利用與實施例1相同的方法來製作電路基板並進行評價。將結果示於表1中。

2.5.比較例4 以成為表1的組成的方式與實施例1同樣地製作樹脂層用組成物，以硬化後的膜厚成為25 μm的方式，使用棒塗機將樹脂層用組成物塗敷於厚度18 μm的銅箔（三井金屬公司製造、型號「TQ-M4-VSP」、表面粗糙度110 nm）上，使用烘箱於70℃下加熱10分鐘後，於130℃下加熱10分鐘，進而於250℃下加熱3小時。

之後，於露出的樹脂層表面進行鍍銅，製作具有於樹脂層的兩面積層有銅層的銅箔（膜厚18 μm）/樹脂層（25 μm）/銅層（1 μm）的積層結構的高頻電路用積層體。使用以所述方式製作的高頻電路用積層體，利用與實施例1相同的方法來製作電路基板並進行評價。將結果示於表1中。

2.6.評價結果表1中示出各實施例及各比較例中使用的樹脂層用組成物的組成、高頻電路用積層體及電路基板的評價結果。

[表1]

上表1中，對下述的簡稱等進行補充。＜聚合體＞ ·P-6：沙特基礎工業（Sabic）公司製造、型號「PPO樹脂粉末」、玻璃轉移溫度（Tg）：215℃ ＜硬化性化合物＞ ·化合物A：2,2'-雙(4-氰氧苯基)丙烷（東京化成工業公司製造） ·化合物B：SR-16H（坂本藥品工業公司製造、環氧當量：160 g/eq） ·化合物C：HP-4032D（迪愛生（DIC）公司製造、環氧當量：141 meq/g）＜硬化助劑＞ ·硬化助劑A：1-苄基-2-甲基咪唑（三菱化學公司製造、製品名「BMI 12」） ·硬化助劑B：2-乙基辛酸鋅（和光純藥工業公司製造）＜溶媒＞ ·溶媒A：環戊酮（東京化成工業公司製造） ·溶媒B：二氯甲烷（東京化成工業公司製造）＜金屬層種類＞ ·電解銅箔A：三井金屬股份有限公司製造、商品編號「TQ-M4-VSP」 ·電解銅箔B：三井金屬股份有限公司製造、商品編號「3EC-M3S-HTE」 ·壓延銅箔A：JX金屬股份有限公司製造、商品編號「GHY5-HA」

根據表1的結果，可知實施例1～實施例7中獲得的電路基板中可減少高頻電路中的電訊號的傳輸損失，且平滑性優異。

10‧‧‧基板

12‧‧‧樹脂層

14‧‧‧金屬層

16‧‧‧配線部（區域）

20‧‧‧剝離層

21‧‧‧樹脂層面（露出面）

22‧‧‧B階樹脂層

23‧‧‧樹脂層面（露出面）

24‧‧‧金屬層

26‧‧‧金屬層

28‧‧‧C階樹脂層

30‧‧‧金屬層

32‧‧‧B階樹脂層

33‧‧‧樹脂層面（露出面）

34‧‧‧金屬層

36‧‧‧C階樹脂層

100‧‧‧電路基板

200‧‧‧高頻電路用積層體

300‧‧‧高頻電路用積層體

A‧‧‧配線部中的厚度的最大值

B‧‧‧非配線部中的厚度的最小值

C-C'‧‧‧剖面線

DH‧‧‧配線部中的厚度的最大值-非配線部中的厚度的最小值

X、Y、Z‧‧‧座標方向

圖1是示意性地表示本實施形態的電路基板的剖面圖。圖2是沿圖1的C-C'線而切斷的平面圖。圖3A是示意性地表示高頻電路用積層體的製造例A中的步驟A1的剖面圖。圖3B是示意性地表示高頻電路用積層體的製造例A中的步驟A2的剖面圖。圖3C是示意性地表示高頻電路用積層體的製造例A中的步驟A3的剖面圖。圖3D是示意性地表示高頻電路用積層體的製造例A中的步驟A4的剖面圖。圖4A是示意性地表示高頻電路用積層體的製造例B中的步驟B1的剖面圖。圖4B是示意性地表示高頻電路用積層體的製造例B中的步驟B2的剖面圖。圖4C是示意性地表示高頻電路用積層體的製造例B中的步驟B3的剖面圖。

Claims

一種電路基板，其包括配線部與非配線部，所述配線部具有金屬層及樹脂層，所述非配線部具有樹脂層，於23℃下所述樹脂層的頻率10 GHz下的相對介電常數為2～3，於將所述配線部中的厚度的最大值設為A μm、所述非配線部中的厚度的最小值設為B μm時，滿足（A-B）/B≦0.1的關係。
如申請專利範圍第1項所述的電路基板，其中所述配線部中的所述金屬層與所述樹脂層相接而積層。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的電路基板，其中於23℃下所述樹脂層的頻率10 GHz下的介電損耗正切為0.001～0.01。
如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的電路基板，其中所述樹脂層的彈性係數為0.1 GPa～3 GPa。
如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的電路基板，其中所述樹脂層與所述金屬層的剝離強度為5 N/cm以上。
如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的電路基板，其中所述樹脂層的厚度為10 μm～100 μm，且所述金屬層的厚度為10 μm～50 μm。