JP2004291393A - 絶縁層、樹脂付き金属、樹脂付きキャリアフィルムおよび多層プリント回路板 - Google Patents
絶縁層、樹脂付き金属、樹脂付きキャリアフィルムおよび多層プリント回路板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004291393A JP2004291393A JP2003086904A JP2003086904A JP2004291393A JP 2004291393 A JP2004291393 A JP 2004291393A JP 2003086904 A JP2003086904 A JP 2003086904A JP 2003086904 A JP2003086904 A JP 2003086904A JP 2004291393 A JP2004291393 A JP 2004291393A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- insulating layer
- bisphenol
- compound
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
【課題】本発明の目的は、誘電特性、耐クラック性および高温処理後の特性に優れた絶縁層、樹脂付き金属箔、樹脂付きキャリアフィルムおよび多層プリント回路板を提供することである。
【解決手段】本発明の絶縁層は、積層板の絶縁層であって、ベンゾシクロブテン樹脂およびビスフェノールＦ型構造を有する化合物を含む樹脂組成物で構成されることを特徴とするものである。また、本発明の樹脂付き金属箔は、上述の絶縁層と、金属箔とを有することを特徴とするものである。また、本発明の樹脂付きキャリアフィルムは、上述の絶縁層と、キャリアフィルムとを有することを特徴とするものである。また、本発明の多層プリント回路板は、上述の樹脂付き金属箔等を内層回路板の片面または両面に重ね合わせて加熱、加圧してなることを特徴とするものである。
【解決手段】本発明の絶縁層は、積層板の絶縁層であって、ベンゾシクロブテン樹脂およびビスフェノールＦ型構造を有する化合物を含む樹脂組成物で構成されることを特徴とするものである。また、本発明の樹脂付き金属箔は、上述の絶縁層と、金属箔とを有することを特徴とするものである。また、本発明の樹脂付きキャリアフィルムは、上述の絶縁層と、キャリアフィルムとを有することを特徴とするものである。また、本発明の多層プリント回路板は、上述の樹脂付き金属箔等を内層回路板の片面または両面に重ね合わせて加熱、加圧してなることを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁層、樹脂付き金属箔、樹脂付きキャリアフィルムおよび多層プリント回路板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ノート型パーソナルコンピューターや携帯電話等の携帯型電子機器は、より軽量かつ小型化が求められている。そのため電子機器内部のＣＰＵやＬＳＩ等を実装するプリント回路板についても、小型軽量化が自ずと求められる。小型軽量化を実現するためには、絶縁樹脂層の厚さを薄くすること、プリント配線幅および配線間距離を小さくすること、スルーホール径を小さくしスルーホールのメッキ厚さを薄くすること等が必要である。ここで、メッキ厚さを薄くすると熱衝撃時にメッキ金属にクラックが発生するおそれがあり、絶縁樹脂層に耐熱性や耐クラック性が要求される。
【０００３】
また、同時にこれらの情報処理用機器の高速化も要求されており、ＣＰＵの高クロック周波数化が進んでいる。このため信号伝搬速度の高速化が要求されており、これを実現するために低誘電率、低誘電正接のプリント回路板が必要とされる。
【０００４】
耐熱性に優れ、誘電特性に優れた樹脂として、ベンゾシクロブテン樹脂が用いられる。ベンゾシクロブテン樹脂は硬化反応により水酸基等の分極率の大きな官能基が生じないため、誘電特性が非常に優れている（特許文献１、参照）。
【０００５】
しかし、ベンゾシクロブテン樹脂はその骨格構造に起因して機械的特性において脆く、ベンゾシクロブテン樹脂を樹脂付き金属箔等に用いた場合には、冷熱衝撃における耐クラック性に問題が生じる。
【０００６】
【特許文献１】
特開２０００−２１８７２号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、誘電特性、耐クラック性および高温処理後の特性に優れた絶縁層、樹脂付き金属箔、樹脂付きキャリアフィルムおよび多層プリント回路板を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（１１）に記載の本発明により達成される。
（１）積層板の絶縁層であって、ベンゾシクロブテン樹脂およびビスフェノールＦ型構造を有する化合物を含む樹脂組成物で構成されていることを特徴とする絶縁層。
（２）前記絶縁層がベンゾシクロブテン樹脂を含む第１層と、ベンゾシクロブテン樹脂を含む第２層とで構成されるものであって、前記ビスフェノールＦ型構造を有する化合物は、前記第１層または第２層の少なくとも一層に含まれるものである第（１）に記載の絶縁層。
（３）前記ベンゾシクロブテン樹脂は、式（Ｉ）で表されるものである第（１）または（２）に記載の絶縁層。
【化３】
（４）前記ビスフェノールＦ型構造を有する化合物は、式（ＩＩ）で表されるものである第（１）ないし（３）に記載の絶縁層。
【化４】
（５）前記ビスフェノールＦ型構造を有する化合物の数平均分子量は、３００〜１００，０００である第（１）ないし（４）のいずれかに記載の絶縁層。
（６）前記ビスフェノールＦ型構造を有する化合物の含有量は、前記ベンゾシクロブテン樹脂１００重量部に対して、１０〜８０重量部である第（１）ないし（５）のいずれかに記載の絶縁層。
（７）前記ビスフェノールＦ型構造を有する化合物は、常温で液状である第（１）ないし（６）のいずれかに記載の絶縁層。
（８）第（１）ないし（７）のいずれかに記載の絶縁層と、金属箔とを有することを特徴とする樹脂付き金属箔。
（９）第（１）ないし（７）のいずれかに記載の絶縁層と、キャリアフィルムとを有することを特徴とする樹脂付きキャリアフィルム。
（１０）第（８）に記載の樹脂付き金属箔を内層回路板の片面または両面に重ね合わせて加熱、加圧してなることを特徴とする多層プリント回路板。
（１１）第（９）に記載の樹脂付きキャリアフィルムを内層回路板の片面または両面に重ね合わせて、加熱、加圧してなることを特徴とする多層プリント回路板。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の絶縁層、樹脂付き金属箔、樹脂付きキャリアフィルムおよび多層プリント回路板について詳細に説明する。
本発明の絶縁層は、積層板の絶縁層であって、ベンゾシクロブテン樹脂およびビスフェノールＦ型構造を有する化合物を含む樹脂組成物で構成されることを特徴とするものである。
また、本発明の樹脂付き金属箔は、上述の絶縁層と、金属箔とを有することを特徴とするものである。
また、本発明の樹脂付きキャリアフィルムは、上述の絶縁層と、キャリアフィルムとを有することを特徴とするものである。
また、本発明の多層プリント回路板は、上述の樹脂付き金属箔等を内層回路板の片面または両面に重ね合わせて加熱、加圧してなることを特徴とするものである。
【００１０】
まず、本発明の絶縁層について説明する。
本発明の絶縁層は、積層板の絶縁層に用いるものである。積層板としては、例えば多層プリント配線板、半導体搭載基板等の回路基板用材料等が挙げられる。
本発明の絶縁層は、ベンゾシクロブテン樹脂およびビスフェノールＦ型構造を有する化合物で構成される。これにより、絶縁層の誘電特性、耐クラック性を向上することができる。さらに、高温処理後の誘電特性の低下や吸水率の低下を防止することもできる。
【００１１】
前記ベンゾシクロブテン樹脂は、特に限定されるものではなく、シクロブテン骨格を含む樹脂であればよい。これらの中でも式（Ｉ）で表されるベンゾシクロブテン樹脂を含むこと好ましい。これにより、ガラス転移温度が高くでき、硬化後の樹脂特性（具体的には、誘電特性、耐熱性等）を向上することができる。
【化５】
ベンゾシクロブテン樹脂は硬化反応によって水酸基などの分極率の大きな官能基が生じないため、誘電特性が非常に優れており、かつ低吸水率である。また、剛直な化学構造を有するため耐熱性に優れている。
【００１２】
前記ベンゾシクロブテン樹脂をＢステージ化したものも成形性を調整するために好ましく使用され、本発明のベンゾシクロブテン樹脂に含まれるものである。Ｂステージ化は加熱溶融して行われる。Ｂステージ化したベンゾシクロブテン樹脂とは、数平均分子量が５００以上のものをいう。
【００１３】
また、前記式（Ｉ）を有するベンゾシクロブテン樹脂をＢステージ化したものも成形性、流動性を調整するために好ましく使用され、本発明に含まれるものである。前記式（Ｉ）を有するベンゾシクロブテン樹脂をＢステージ化した数平均分子量は、通常３，０００〜１，０００，０００である。
数平均分子量は、例えばゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて測定することができる。
【００１４】
前記ビスフェノールＦ型構造を有する化合物としては、例えばビスフェノールＦ、ビスフェノールＦジメチルエーテル、ビスフェノールＦジエチルエーテル、ビスフェノールＦグリセロラート（１グリセロール／フェノール）ジメチル、ビスフェノールＦグリセロラート（１グリセロール／フェノール）ジエチル、ビスフェノールＦジエトキシラート（１ＥＯ／フェノール）ジメチルのような誘導体および末端に水酸基、シアネート基、イソシアネート基、エポキシ基、アミノ基や、アクリル基、メタクリル基等の官能基を有し、かつビスフェノールＦ型骨格を持つ化合物（例えばビスフェノールＦジエトキシラート（１ＥＯ／フェノール）ジアクリラート等）、等が挙げられる。
これらの中でも末端にアクリル基またはメタクリル基を有し、かつビスフェノールＦ型構造を有する化合物が好ましい。これにより、樹脂付き金属箔および樹脂付きキャリアフィルムの樹脂表面のタックを防ぐことができる。更にベンゾシクロブテン樹脂との相溶性を向上し誘電特性や吸水率の低下を防止することができる。
【００１５】
また、前記ビスフェノールＦ型構造を有する化合物としては、式（ＩＩ）で表されるものが好ましい。これにより、高温処理後の誘電特性が低下する場合がある。
【化６】
ビスフェノールＦ型構造を有する化合物がビスフェノールＡ型構造を有する化合物と比較して優れる理由は、ビスフェノールＡ型が主にパラ配向のみの構造をとるため剛直な化合物になるのに対し、ビスフェノールＦ型はオルト、パラ配向を混合するため柔軟な化合物になるためと考えられる。
【００１６】
さらにビスフェノールＦ型構造を有する化合物は、ベンゾシクロブテン樹脂との相溶性に優れる。ベンゾシクロブテン樹脂と構造を有する化合物との相溶性に優れると、耐クラック性を向上する効果に加え、金属との密着性を向上することができる。ビスフェノールＦ型構造を有する化合物は、硬化後ソフトセグメントを含むためゴム弾性に優れ、また高温条件下にさらしても酸化されにくい。さらに骨格中に極性基が少ない化学構造を有しているため、双極子モーメントが小さく誘電特性を低下させない。
したがって、ビスフェノールＦ型構造を有する化合物をベンゾシクロブテン樹脂と併用することで優れた誘電特性を維持した状態で、耐クラック性、金属との密着性の向上を向上することができる。さらに、高温処理後の誘電特性や吸水率の低下を防止することもできる。
【００１７】
前記ビスフェノールＦ型構造を有する化合物の数平均分子量は、特に限定されないが、３００〜１００，０００が好ましく、特に３５０〜１０，０００が好ましい。数平均分子量が前記下限値未満であると誘電特性や吸水率が悪化する場合が有り、前記上限値を超えるとベンゾシクロブテン樹脂との相溶性が低下する場合が有る。
なお、前記数平均分子量は、例えばＧＰＣを用いて測定することができる。
【００１８】
前記ビスフェノールＦ型構造を有する化合物の含有量は、特に限定されないが、ベンゾシクロブテン樹脂１００重量部に対して１０〜８０重量部が好ましく、特に１５〜５０重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐クラック性を向上する効果が低下する場合が有り、前記上限値を超えると樹脂層にタックが生じ、加工性が低下する場合が有る。
【００１９】
前記ビスフェノールＦ型構造を有する化合物は、特に限定されないが、常温で液状であることが好ましい。これにより、ベンゾシクロブテン樹脂との相溶性を特に向上することができる。
液状のビスフェノールＦ型構造を有する化合物が固形の樹脂と比較してベンゾシクロブテン樹脂との相溶性に優れる理由は、液状のビスフェノールＦ型構造を有する化合物が溶剤に対して容易に溶解するため、ベンゾシクロブテン樹脂とビスフェノールＦ型構造を有する化合物とを均一に混合することが容易となるからである。
【００２０】
また、本発明の絶縁層には、樹脂成分として前記ベンゾシクロブテン樹脂、ビスフェノールＦ型構造を有する化合物以外に他の樹脂を添加しても良い。
他の樹脂としては、例えばポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリエステル系エラストマー等が挙げられる。
【００２１】
本発明の絶縁層は、特に限定されないが、ベンゾシクロブテン樹脂を含む第１層と、ベンゾシクロブテン樹脂を含む第２層とを有する樹脂層であって、前記第１層または第２層の少なくとも一層にビスフェノールＦ型構造を有する化合物を含む樹脂層を有することが好ましい。これにより、上述の優れた誘電特性、耐クラック性に加え、成形性（特に、樹脂層の厚さをより均一にすることができる）を向上することができる。樹脂層の厚さをより均一にできると、誘電特性をより向上することができるからである。
【００２２】
なお、ビスフェノールＦ型構造を有する化合物は、前記第１層および第２層の少なくとも一方に含まれればよいが、両方の層に含まれることが好ましい。これにより、耐クラック性をより向上することができる。
【００２３】
前記第１層は、金属箔またはキャリアフィルム面に形成されるのが好ましく、前記第２層は、前記第１層の上に形成されるのが好ましい。
第１層と第２層の樹脂成分として異なるものを使用することもできるが、同じものを使用することが好ましい。これにより、製品の特性をより均一にすることができる。
【００２４】
前記第１層を構成する樹脂の反応率は、特に限定されないが、前記第２層を構成する樹脂の反応率よりも高いことが好ましい。これにより、樹脂付き金属箔等の成形性を特に向上することができる。前記反応率は、例えば、示差走査熱量計（ＤＳＣ）によって求めることができる。
【００２５】
前記第１層の厚さは、特に限定されないが、１０〜１００μｍが好ましく、特に２０〜８０μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に絶縁層を金属箔またはキャリアフィルムに塗工乾燥後ロールに巻いた際、絶縁層のヒビ割れを防ぐことができる。
【００２６】
また、前記第２層の厚さは、特に限定されないが、１０〜１００μｍが好ましく、特に２０〜８０μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に絶縁層を金属箔またキャリアフィルムに塗工乾燥後ロールに巻いた際、絶縁層のヒビ割れを防ぐことができる。
【００２７】
本発明の絶縁層は、本発明の目的に反しない範囲において、硬化促進剤、カップリング剤、難燃剤、フィラー、その他の成分を添加しても良い。
【００２８】
次に、本発明の樹脂付き金属箔および樹脂付きキャリアフィルムについて説明する。
本発明の樹脂付き金属箔および樹脂付きキャリアフィルムは、少なくともその片面に前記絶縁層を有する。図を用いて本発明の樹脂付き金属箔の構成を具体的に説明する。
本発明の樹脂付き金属箔１は、図１に示すように金属箔１１の上面（図１上側）に、ベンゾシクロブテン樹脂等を含む樹脂組成物で構成される樹脂層１２が２層形成される。すなわち、前記樹脂組成物で構成される第１の層１２１と、前記樹脂組成物で構成される第２の層１２２とが形成される。これにより、誘電特性と、成形性との両立を図ることができる。
なお、樹脂付きキャリアフィルムの場合も同様である。
【００２９】
前記絶縁層は、金属箔およびキャリアフィルムに種々の方法で形成することができるが、通常絶縁層を形成する樹脂等を溶剤に溶解したワニスの形で使用することが製膜性の点で好ましい。用いられる溶媒は組成に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響をおよばさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良溶媒としては、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキサノン等が挙げられる。また、ワニスを調製する場合、樹脂組成物の固形分は、特に限定されないが２０〜９０重量％が好ましく、特に３０〜７０重量％が好ましい。
【００３０】
前記金属箔を構成する金属は、例えば銅または銅系合金、アルミまたはアルミ系合金等が挙げられ、また、前記キャリアフィルムを構成する樹脂としてはフッ素系樹脂、ポリイミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂等が挙げられる。
【００３１】
本発明では、上述の絶縁層を構成する樹脂等を溶剤に溶解して得られる樹脂ワニスを、金属箔またはキャリアフィルムに塗工し、例えば８０〜２００℃で乾燥させることにより樹脂付き金属箔または樹脂付きキャリアフィルムを得ることが出来る。また、上記作業を複数繰り返すことにより、前記第１層および第２層を形成することができる。
塗工、乾燥後の絶縁層の厚さは１０〜１００μｍが好ましく、特に２０〜８０μｍが好ましい。これにより、絶縁層の割れ発生が無く裁断時の粉落ちも少なくすることができる。
【００３２】
次に、多層プリント回路板について説明する。
本発明の多層プリント回路板は、上述の樹脂付き金属箔等を内層回路板の片面又は両面に重ね合わせて加熱、加圧してなる多層プリント回路板である。
樹脂付き金属箔を用いる場合は、上述の樹脂付き金属箔を内層回路の片面又は両面に重ね合わせて加熱、加圧して積層板を得る。樹脂付きキャリアフィルムの場合は、樹脂付きキャリアフィルムを積層後に剥離または加熱、加圧前に剥離し、
重ね合わせて加熱、加圧して多層プリント配線板を得る。
前記加熱する温度は、特に限定されないが、１４０〜２４０℃が好ましい。前記加圧圧力は、特に限定されないが、１０〜４０ｋｇ／ｃｍ２が好ましい。
また、内層回路板は、例えば銅張積層版の両面に回路を形成し、黒化処理したものを挙げることができる。
【００３３】
【実施例】
以下、本発明を実施例及び比較例により詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
▲１▼樹脂ワニスの調製 ベストのもの
ベンゾシクロブテン樹脂として、ジビニルシロキサン−ビスベンゾシクロブテン（プレポリマー化したもの。数平均分子量１４０，０００、ダウケミカル社製サイクロテンＸＵＲ）１００重量部と、ビスフェノールＦ型構造を有する化合物としてビスフェノールＦジエトキシラート（１ＥＯ／フェノール）ジアクリラート）２０重量部とをメシチレンに溶解して不揮発分濃度５０重量％となるように樹脂ワニスを調製した。
【００３４】
▲２▼樹脂付き金属箔の製造
上述の樹脂ワニス１００重量部に部分架橋剤として１，２−ビス（アジドベンジル）エチレンを３重量部溶解させ調製したワニスを用いて、銅箔（厚さ０．０１８ｍｍ、古河サーキットフォイル（株）製）に樹脂ワニスを厚さ０．０７ｍｍで塗工し、１５０℃の乾燥機炉で１０分、１７０℃の乾燥機炉で１０分乾燥させ第１層目の樹脂層を形成した。引き続き、上述の樹脂ワニス１００重量部に１，２−ビス（アジドベンジル）エチレンを０．５重量部溶解させ調製したワニスを前記第１層目の樹脂層に重ねて、厚さ０．０７ｍｍで塗工し、１５０℃の乾燥機炉で１０分、１７０℃の乾燥機炉で１０分乾燥させることで第２層目の樹脂層を形成し、全樹脂厚さ（第１層と第２層との合計厚さ）０．０７ｍｍの樹脂付き金属箔を作成した。
【００３５】
▲３▼多層プリント回路板の製造
銅箔を両面に張った両面銅張積層板の銅箔表面を黒化処理（酸化銅形成）した後還元したものをコアとして、その両面に上述の樹脂付き金属箔を１７０℃、１時間、２００℃、２時間加熱加圧接着し、熱硬化後表面銅箔をエッチングすることにより多層プリント回路板を製造した。
【００３６】
（実施例２）
ビスフェノールＦ型構造を有する化合物（ビスフェノールＦジエトキシラート（１ＥＯ／フェノール）ジアクリラート）の添加量を６０重量部にした以外は、実施例１と同様にした。
【００３７】
（実施例３）
ビスフェノールＦ型構造を有する化合物（ビスフェノールＦジエトキシラート（１ＥＯ／フェノール）ジアクリラート）の添加量を１２重量部にした以外は、実施例１と同様にした。
【００３８】
（実施例４）
樹脂付き金属箔を製造するかわりに、以下のように樹脂付きキャリアフィルムを製造した以外は、実施例１と同様にした。
金属箔の変わりにキャリアフィルムとして、ポリイミドフィルム（東レデュポン（株）社製 カプトンＥＮ、厚さ２５μｍ）を用いた。
【００３９】
（実施例５）
樹脂付き金属箔の製造において、樹脂層を以下のように１層塗りとした以外は、実施例１と同様にした。
前述の樹脂ワニスに部分架橋剤として１，２−ビス（アジドベンジル）エチレンを３重量部溶解させ調整したものを用いて、銅箔（厚さ０．０１８ｍｍ、古河サーキットフォイル（株）製）に樹脂ワニスを厚さ０．１４ｍｍで塗工し、１５０℃の乾燥機炉で１０分、１７０℃の乾燥機炉で１０分乾燥させ、樹脂厚さ０．０７ｍｍの樹脂付き金属箔を作成した。
【００４０】
（比較例１）
ビスフェノールＦ型構造を有する化合物を添加しなかった以外は、実施例１と同様にした。
【００４１】
各実施例および比較例で得られた多層プリント回路板について、以下の評価を行った。なお、各評価の方法を併せて示す。得られた結果を表１に示す。
▲１▼誘電特性
誘電率および誘電正接は、空隙測定法によってＡ状態で測定した。
【００４２】
▲２▼耐クラック性
耐クラック性は、液相冷熱試験（−６５℃と１２５℃で３０分間処理／３００サイクル）で評価した。測定は、タバイエスペック製液槽冷熱衝撃装置ＴＳＢ−２型、フロリナート液を用いた。なお、クラックの有無は目視で判断した。各記号は以下の事項を示す。
◎：クラック全く発生せず。
○：クラック一部発生するが実用上問題なし。
△：クラックが一部発生し、実用不可。
×：クラック発生する。
【００４３】
▲３▼高温処理後の特性
各実施例および比較例で得られた多層プリント配線板を乾燥機中で１２５℃、１０００時間処理した。その後、誘電特性を上述と同様に測定した。また、水中に２４ｈ、２４時間浸漬後の吸水率を測定した。
【００４４】
▲４▼成形性
成形性は、多層プリント回路板を作成後におけるボイドの発生の有無で評価した。なお、ボイドの有無は目視で判断した。各記号は以下の事項を表す。
◎：ボイド発生なし。
○：ボイド一部発生するが実用上問題なし。
△：ボイド一部発生し、実用上使用不可。
×；ボイドが発生。
【００４５】
▲５▼厚さ精度
厚さ精度は、多層プリント回路板の断面を光学顕微鏡で観察した。各記号は以下の事項を示す。
◎：厚さのバラツキが１５μｍ未満である。
○：厚さのバラツキが１５〜２０μｍで一部有るが、実用上問題なし。
△：厚さのバラツキが２０〜２５μｍ一部有り、実用上使用不可。
×：厚さのバラツキ２５μｍを超える。
【００４６】
▲６▼密着性
密着性は、銅箔ピール強度により評価した。銅箔ピール強度の測定は、ＪＩＳＣ ６４８１に準じて行った。
【００４７】
▲７▼機械的物性
機械的物性は、多層プリント回路板の銅箔をエッチングにて除去したものの弾性率、引っ張り強度、伸び率を測定した。弾性率、引っ張り強度、伸び率は、引っ張りモードで荷重フルスケール２０ｋｇｆ、速度５ｍｍ／ｍｉｎで測定した。
【００４８】
▲８▼タック性
樹脂付き金属箔及び樹脂付きキャリアフィルムの樹脂表面のタック性（ベタツキ性）を触感により評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：ベタツキ無し
○：ベタツキ多少有るが、実用可能レベル
△：ベタツキ多少有り、実用不可
×：ベタツキ有り
【００４９】
【表１】
【００５０】
表から明らかなように実施例１〜５は、誘電特性、耐クラック性および高温処理後の誘電特性に優れていた。
また、実施例１ないし４は、特に成形性にも優れていた。
また、実施例１ないし４は、特に厚さ精度にも優れていた。
また、実施例１および３ないし５は、タックも無く作業性にも優れていた。
【００５１】
【発明の効果】
本発明によれば、誘電特性、耐クラック性および高温処理後の特性に優れる絶縁層、樹脂付き金属箔、樹脂付きキャリアフィルムおよび多層プリント回路板を提供することができる。
また、絶縁層を特定の層構造とする場合、特に成形性および厚さ精度にも優れることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における樹脂付き金属箔の一例を示す側面図である。
【符号の説明】
１ 樹脂付き金属箔
１１ 金属箔
１２ 樹脂層
１２１ 第１の樹脂層
１２２ 第２の樹脂層
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁層、樹脂付き金属箔、樹脂付きキャリアフィルムおよび多層プリント回路板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ノート型パーソナルコンピューターや携帯電話等の携帯型電子機器は、より軽量かつ小型化が求められている。そのため電子機器内部のＣＰＵやＬＳＩ等を実装するプリント回路板についても、小型軽量化が自ずと求められる。小型軽量化を実現するためには、絶縁樹脂層の厚さを薄くすること、プリント配線幅および配線間距離を小さくすること、スルーホール径を小さくしスルーホールのメッキ厚さを薄くすること等が必要である。ここで、メッキ厚さを薄くすると熱衝撃時にメッキ金属にクラックが発生するおそれがあり、絶縁樹脂層に耐熱性や耐クラック性が要求される。
【０００３】
また、同時にこれらの情報処理用機器の高速化も要求されており、ＣＰＵの高クロック周波数化が進んでいる。このため信号伝搬速度の高速化が要求されており、これを実現するために低誘電率、低誘電正接のプリント回路板が必要とされる。
【０００４】
耐熱性に優れ、誘電特性に優れた樹脂として、ベンゾシクロブテン樹脂が用いられる。ベンゾシクロブテン樹脂は硬化反応により水酸基等の分極率の大きな官能基が生じないため、誘電特性が非常に優れている（特許文献１、参照）。
【０００５】
しかし、ベンゾシクロブテン樹脂はその骨格構造に起因して機械的特性において脆く、ベンゾシクロブテン樹脂を樹脂付き金属箔等に用いた場合には、冷熱衝撃における耐クラック性に問題が生じる。
【０００６】
【特許文献１】
特開２０００−２１８７２号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、誘電特性、耐クラック性および高温処理後の特性に優れた絶縁層、樹脂付き金属箔、樹脂付きキャリアフィルムおよび多層プリント回路板を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（１１）に記載の本発明により達成される。
（１）積層板の絶縁層であって、ベンゾシクロブテン樹脂およびビスフェノールＦ型構造を有する化合物を含む樹脂組成物で構成されていることを特徴とする絶縁層。
（２）前記絶縁層がベンゾシクロブテン樹脂を含む第１層と、ベンゾシクロブテン樹脂を含む第２層とで構成されるものであって、前記ビスフェノールＦ型構造を有する化合物は、前記第１層または第２層の少なくとも一層に含まれるものである第（１）に記載の絶縁層。
（３）前記ベンゾシクロブテン樹脂は、式（Ｉ）で表されるものである第（１）または（２）に記載の絶縁層。
【化３】
【化４】
（６）前記ビスフェノールＦ型構造を有する化合物の含有量は、前記ベンゾシクロブテン樹脂１００重量部に対して、１０〜８０重量部である第（１）ないし（５）のいずれかに記載の絶縁層。
（７）前記ビスフェノールＦ型構造を有する化合物は、常温で液状である第（１）ないし（６）のいずれかに記載の絶縁層。
（８）第（１）ないし（７）のいずれかに記載の絶縁層と、金属箔とを有することを特徴とする樹脂付き金属箔。
（９）第（１）ないし（７）のいずれかに記載の絶縁層と、キャリアフィルムとを有することを特徴とする樹脂付きキャリアフィルム。
（１０）第（８）に記載の樹脂付き金属箔を内層回路板の片面または両面に重ね合わせて加熱、加圧してなることを特徴とする多層プリント回路板。
（１１）第（９）に記載の樹脂付きキャリアフィルムを内層回路板の片面または両面に重ね合わせて、加熱、加圧してなることを特徴とする多層プリント回路板。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の絶縁層、樹脂付き金属箔、樹脂付きキャリアフィルムおよび多層プリント回路板について詳細に説明する。
本発明の絶縁層は、積層板の絶縁層であって、ベンゾシクロブテン樹脂およびビスフェノールＦ型構造を有する化合物を含む樹脂組成物で構成されることを特徴とするものである。
また、本発明の樹脂付き金属箔は、上述の絶縁層と、金属箔とを有することを特徴とするものである。
また、本発明の樹脂付きキャリアフィルムは、上述の絶縁層と、キャリアフィルムとを有することを特徴とするものである。
また、本発明の多層プリント回路板は、上述の樹脂付き金属箔等を内層回路板の片面または両面に重ね合わせて加熱、加圧してなることを特徴とするものである。
【００１０】
まず、本発明の絶縁層について説明する。
本発明の絶縁層は、積層板の絶縁層に用いるものである。積層板としては、例えば多層プリント配線板、半導体搭載基板等の回路基板用材料等が挙げられる。
本発明の絶縁層は、ベンゾシクロブテン樹脂およびビスフェノールＦ型構造を有する化合物で構成される。これにより、絶縁層の誘電特性、耐クラック性を向上することができる。さらに、高温処理後の誘電特性の低下や吸水率の低下を防止することもできる。
【００１１】
前記ベンゾシクロブテン樹脂は、特に限定されるものではなく、シクロブテン骨格を含む樹脂であればよい。これらの中でも式（Ｉ）で表されるベンゾシクロブテン樹脂を含むこと好ましい。これにより、ガラス転移温度が高くでき、硬化後の樹脂特性（具体的には、誘電特性、耐熱性等）を向上することができる。
【化５】
【００１２】
前記ベンゾシクロブテン樹脂をＢステージ化したものも成形性を調整するために好ましく使用され、本発明のベンゾシクロブテン樹脂に含まれるものである。Ｂステージ化は加熱溶融して行われる。Ｂステージ化したベンゾシクロブテン樹脂とは、数平均分子量が５００以上のものをいう。
【００１３】
また、前記式（Ｉ）を有するベンゾシクロブテン樹脂をＢステージ化したものも成形性、流動性を調整するために好ましく使用され、本発明に含まれるものである。前記式（Ｉ）を有するベンゾシクロブテン樹脂をＢステージ化した数平均分子量は、通常３，０００〜１，０００，０００である。
数平均分子量は、例えばゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて測定することができる。
【００１４】
前記ビスフェノールＦ型構造を有する化合物としては、例えばビスフェノールＦ、ビスフェノールＦジメチルエーテル、ビスフェノールＦジエチルエーテル、ビスフェノールＦグリセロラート（１グリセロール／フェノール）ジメチル、ビスフェノールＦグリセロラート（１グリセロール／フェノール）ジエチル、ビスフェノールＦジエトキシラート（１ＥＯ／フェノール）ジメチルのような誘導体および末端に水酸基、シアネート基、イソシアネート基、エポキシ基、アミノ基や、アクリル基、メタクリル基等の官能基を有し、かつビスフェノールＦ型骨格を持つ化合物（例えばビスフェノールＦジエトキシラート（１ＥＯ／フェノール）ジアクリラート等）、等が挙げられる。
これらの中でも末端にアクリル基またはメタクリル基を有し、かつビスフェノールＦ型構造を有する化合物が好ましい。これにより、樹脂付き金属箔および樹脂付きキャリアフィルムの樹脂表面のタックを防ぐことができる。更にベンゾシクロブテン樹脂との相溶性を向上し誘電特性や吸水率の低下を防止することができる。
【００１５】
また、前記ビスフェノールＦ型構造を有する化合物としては、式（ＩＩ）で表されるものが好ましい。これにより、高温処理後の誘電特性が低下する場合がある。
【化６】
【００１６】
さらにビスフェノールＦ型構造を有する化合物は、ベンゾシクロブテン樹脂との相溶性に優れる。ベンゾシクロブテン樹脂と構造を有する化合物との相溶性に優れると、耐クラック性を向上する効果に加え、金属との密着性を向上することができる。ビスフェノールＦ型構造を有する化合物は、硬化後ソフトセグメントを含むためゴム弾性に優れ、また高温条件下にさらしても酸化されにくい。さらに骨格中に極性基が少ない化学構造を有しているため、双極子モーメントが小さく誘電特性を低下させない。
したがって、ビスフェノールＦ型構造を有する化合物をベンゾシクロブテン樹脂と併用することで優れた誘電特性を維持した状態で、耐クラック性、金属との密着性の向上を向上することができる。さらに、高温処理後の誘電特性や吸水率の低下を防止することもできる。
【００１７】
前記ビスフェノールＦ型構造を有する化合物の数平均分子量は、特に限定されないが、３００〜１００，０００が好ましく、特に３５０〜１０，０００が好ましい。数平均分子量が前記下限値未満であると誘電特性や吸水率が悪化する場合が有り、前記上限値を超えるとベンゾシクロブテン樹脂との相溶性が低下する場合が有る。
なお、前記数平均分子量は、例えばＧＰＣを用いて測定することができる。
【００１８】
前記ビスフェノールＦ型構造を有する化合物の含有量は、特に限定されないが、ベンゾシクロブテン樹脂１００重量部に対して１０〜８０重量部が好ましく、特に１５〜５０重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐クラック性を向上する効果が低下する場合が有り、前記上限値を超えると樹脂層にタックが生じ、加工性が低下する場合が有る。
【００１９】
前記ビスフェノールＦ型構造を有する化合物は、特に限定されないが、常温で液状であることが好ましい。これにより、ベンゾシクロブテン樹脂との相溶性を特に向上することができる。
液状のビスフェノールＦ型構造を有する化合物が固形の樹脂と比較してベンゾシクロブテン樹脂との相溶性に優れる理由は、液状のビスフェノールＦ型構造を有する化合物が溶剤に対して容易に溶解するため、ベンゾシクロブテン樹脂とビスフェノールＦ型構造を有する化合物とを均一に混合することが容易となるからである。
【００２０】
また、本発明の絶縁層には、樹脂成分として前記ベンゾシクロブテン樹脂、ビスフェノールＦ型構造を有する化合物以外に他の樹脂を添加しても良い。
他の樹脂としては、例えばポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリエステル系エラストマー等が挙げられる。
【００２１】
本発明の絶縁層は、特に限定されないが、ベンゾシクロブテン樹脂を含む第１層と、ベンゾシクロブテン樹脂を含む第２層とを有する樹脂層であって、前記第１層または第２層の少なくとも一層にビスフェノールＦ型構造を有する化合物を含む樹脂層を有することが好ましい。これにより、上述の優れた誘電特性、耐クラック性に加え、成形性（特に、樹脂層の厚さをより均一にすることができる）を向上することができる。樹脂層の厚さをより均一にできると、誘電特性をより向上することができるからである。
【００２２】
なお、ビスフェノールＦ型構造を有する化合物は、前記第１層および第２層の少なくとも一方に含まれればよいが、両方の層に含まれることが好ましい。これにより、耐クラック性をより向上することができる。
【００２３】
前記第１層は、金属箔またはキャリアフィルム面に形成されるのが好ましく、前記第２層は、前記第１層の上に形成されるのが好ましい。
第１層と第２層の樹脂成分として異なるものを使用することもできるが、同じものを使用することが好ましい。これにより、製品の特性をより均一にすることができる。
【００２４】
前記第１層を構成する樹脂の反応率は、特に限定されないが、前記第２層を構成する樹脂の反応率よりも高いことが好ましい。これにより、樹脂付き金属箔等の成形性を特に向上することができる。前記反応率は、例えば、示差走査熱量計（ＤＳＣ）によって求めることができる。
【００２５】
前記第１層の厚さは、特に限定されないが、１０〜１００μｍが好ましく、特に２０〜８０μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に絶縁層を金属箔またはキャリアフィルムに塗工乾燥後ロールに巻いた際、絶縁層のヒビ割れを防ぐことができる。
【００２６】
また、前記第２層の厚さは、特に限定されないが、１０〜１００μｍが好ましく、特に２０〜８０μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に絶縁層を金属箔またキャリアフィルムに塗工乾燥後ロールに巻いた際、絶縁層のヒビ割れを防ぐことができる。
【００２７】
本発明の絶縁層は、本発明の目的に反しない範囲において、硬化促進剤、カップリング剤、難燃剤、フィラー、その他の成分を添加しても良い。
【００２８】
次に、本発明の樹脂付き金属箔および樹脂付きキャリアフィルムについて説明する。
本発明の樹脂付き金属箔および樹脂付きキャリアフィルムは、少なくともその片面に前記絶縁層を有する。図を用いて本発明の樹脂付き金属箔の構成を具体的に説明する。
本発明の樹脂付き金属箔１は、図１に示すように金属箔１１の上面（図１上側）に、ベンゾシクロブテン樹脂等を含む樹脂組成物で構成される樹脂層１２が２層形成される。すなわち、前記樹脂組成物で構成される第１の層１２１と、前記樹脂組成物で構成される第２の層１２２とが形成される。これにより、誘電特性と、成形性との両立を図ることができる。
なお、樹脂付きキャリアフィルムの場合も同様である。
【００２９】
前記絶縁層は、金属箔およびキャリアフィルムに種々の方法で形成することができるが、通常絶縁層を形成する樹脂等を溶剤に溶解したワニスの形で使用することが製膜性の点で好ましい。用いられる溶媒は組成に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響をおよばさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良溶媒としては、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキサノン等が挙げられる。また、ワニスを調製する場合、樹脂組成物の固形分は、特に限定されないが２０〜９０重量％が好ましく、特に３０〜７０重量％が好ましい。
【００３０】
前記金属箔を構成する金属は、例えば銅または銅系合金、アルミまたはアルミ系合金等が挙げられ、また、前記キャリアフィルムを構成する樹脂としてはフッ素系樹脂、ポリイミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂等が挙げられる。
【００３１】
本発明では、上述の絶縁層を構成する樹脂等を溶剤に溶解して得られる樹脂ワニスを、金属箔またはキャリアフィルムに塗工し、例えば８０〜２００℃で乾燥させることにより樹脂付き金属箔または樹脂付きキャリアフィルムを得ることが出来る。また、上記作業を複数繰り返すことにより、前記第１層および第２層を形成することができる。
塗工、乾燥後の絶縁層の厚さは１０〜１００μｍが好ましく、特に２０〜８０μｍが好ましい。これにより、絶縁層の割れ発生が無く裁断時の粉落ちも少なくすることができる。
【００３２】
次に、多層プリント回路板について説明する。
本発明の多層プリント回路板は、上述の樹脂付き金属箔等を内層回路板の片面又は両面に重ね合わせて加熱、加圧してなる多層プリント回路板である。
樹脂付き金属箔を用いる場合は、上述の樹脂付き金属箔を内層回路の片面又は両面に重ね合わせて加熱、加圧して積層板を得る。樹脂付きキャリアフィルムの場合は、樹脂付きキャリアフィルムを積層後に剥離または加熱、加圧前に剥離し、
重ね合わせて加熱、加圧して多層プリント配線板を得る。
前記加熱する温度は、特に限定されないが、１４０〜２４０℃が好ましい。前記加圧圧力は、特に限定されないが、１０〜４０ｋｇ／ｃｍ２が好ましい。
また、内層回路板は、例えば銅張積層版の両面に回路を形成し、黒化処理したものを挙げることができる。
【００３３】
【実施例】
以下、本発明を実施例及び比較例により詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
▲１▼樹脂ワニスの調製 ベストのもの
ベンゾシクロブテン樹脂として、ジビニルシロキサン−ビスベンゾシクロブテン（プレポリマー化したもの。数平均分子量１４０，０００、ダウケミカル社製サイクロテンＸＵＲ）１００重量部と、ビスフェノールＦ型構造を有する化合物としてビスフェノールＦジエトキシラート（１ＥＯ／フェノール）ジアクリラート）２０重量部とをメシチレンに溶解して不揮発分濃度５０重量％となるように樹脂ワニスを調製した。
【００３４】
▲２▼樹脂付き金属箔の製造
上述の樹脂ワニス１００重量部に部分架橋剤として１，２−ビス（アジドベンジル）エチレンを３重量部溶解させ調製したワニスを用いて、銅箔（厚さ０．０１８ｍｍ、古河サーキットフォイル（株）製）に樹脂ワニスを厚さ０．０７ｍｍで塗工し、１５０℃の乾燥機炉で１０分、１７０℃の乾燥機炉で１０分乾燥させ第１層目の樹脂層を形成した。引き続き、上述の樹脂ワニス１００重量部に１，２−ビス（アジドベンジル）エチレンを０．５重量部溶解させ調製したワニスを前記第１層目の樹脂層に重ねて、厚さ０．０７ｍｍで塗工し、１５０℃の乾燥機炉で１０分、１７０℃の乾燥機炉で１０分乾燥させることで第２層目の樹脂層を形成し、全樹脂厚さ（第１層と第２層との合計厚さ）０．０７ｍｍの樹脂付き金属箔を作成した。
【００３５】
▲３▼多層プリント回路板の製造
銅箔を両面に張った両面銅張積層板の銅箔表面を黒化処理（酸化銅形成）した後還元したものをコアとして、その両面に上述の樹脂付き金属箔を１７０℃、１時間、２００℃、２時間加熱加圧接着し、熱硬化後表面銅箔をエッチングすることにより多層プリント回路板を製造した。
【００３６】
（実施例２）
ビスフェノールＦ型構造を有する化合物（ビスフェノールＦジエトキシラート（１ＥＯ／フェノール）ジアクリラート）の添加量を６０重量部にした以外は、実施例１と同様にした。
【００３７】
（実施例３）
ビスフェノールＦ型構造を有する化合物（ビスフェノールＦジエトキシラート（１ＥＯ／フェノール）ジアクリラート）の添加量を１２重量部にした以外は、実施例１と同様にした。
【００３８】
（実施例４）
樹脂付き金属箔を製造するかわりに、以下のように樹脂付きキャリアフィルムを製造した以外は、実施例１と同様にした。
金属箔の変わりにキャリアフィルムとして、ポリイミドフィルム（東レデュポン（株）社製 カプトンＥＮ、厚さ２５μｍ）を用いた。
【００３９】
（実施例５）
樹脂付き金属箔の製造において、樹脂層を以下のように１層塗りとした以外は、実施例１と同様にした。
前述の樹脂ワニスに部分架橋剤として１，２−ビス（アジドベンジル）エチレンを３重量部溶解させ調整したものを用いて、銅箔（厚さ０．０１８ｍｍ、古河サーキットフォイル（株）製）に樹脂ワニスを厚さ０．１４ｍｍで塗工し、１５０℃の乾燥機炉で１０分、１７０℃の乾燥機炉で１０分乾燥させ、樹脂厚さ０．０７ｍｍの樹脂付き金属箔を作成した。
【００４０】
（比較例１）
ビスフェノールＦ型構造を有する化合物を添加しなかった以外は、実施例１と同様にした。
【００４１】
各実施例および比較例で得られた多層プリント回路板について、以下の評価を行った。なお、各評価の方法を併せて示す。得られた結果を表１に示す。
▲１▼誘電特性
誘電率および誘電正接は、空隙測定法によってＡ状態で測定した。
【００４２】
▲２▼耐クラック性
耐クラック性は、液相冷熱試験（−６５℃と１２５℃で３０分間処理／３００サイクル）で評価した。測定は、タバイエスペック製液槽冷熱衝撃装置ＴＳＢ−２型、フロリナート液を用いた。なお、クラックの有無は目視で判断した。各記号は以下の事項を示す。
◎：クラック全く発生せず。
○：クラック一部発生するが実用上問題なし。
△：クラックが一部発生し、実用不可。
×：クラック発生する。
【００４３】
▲３▼高温処理後の特性
各実施例および比較例で得られた多層プリント配線板を乾燥機中で１２５℃、１０００時間処理した。その後、誘電特性を上述と同様に測定した。また、水中に２４ｈ、２４時間浸漬後の吸水率を測定した。
【００４４】
▲４▼成形性
成形性は、多層プリント回路板を作成後におけるボイドの発生の有無で評価した。なお、ボイドの有無は目視で判断した。各記号は以下の事項を表す。
◎：ボイド発生なし。
○：ボイド一部発生するが実用上問題なし。
△：ボイド一部発生し、実用上使用不可。
×；ボイドが発生。
【００４５】
▲５▼厚さ精度
厚さ精度は、多層プリント回路板の断面を光学顕微鏡で観察した。各記号は以下の事項を示す。
◎：厚さのバラツキが１５μｍ未満である。
○：厚さのバラツキが１５〜２０μｍで一部有るが、実用上問題なし。
△：厚さのバラツキが２０〜２５μｍ一部有り、実用上使用不可。
×：厚さのバラツキ２５μｍを超える。
【００４６】
▲６▼密着性
密着性は、銅箔ピール強度により評価した。銅箔ピール強度の測定は、ＪＩＳＣ ６４８１に準じて行った。
【００４７】
▲７▼機械的物性
機械的物性は、多層プリント回路板の銅箔をエッチングにて除去したものの弾性率、引っ張り強度、伸び率を測定した。弾性率、引っ張り強度、伸び率は、引っ張りモードで荷重フルスケール２０ｋｇｆ、速度５ｍｍ／ｍｉｎで測定した。
【００４８】
▲８▼タック性
樹脂付き金属箔及び樹脂付きキャリアフィルムの樹脂表面のタック性（ベタツキ性）を触感により評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：ベタツキ無し
○：ベタツキ多少有るが、実用可能レベル
△：ベタツキ多少有り、実用不可
×：ベタツキ有り
【００４９】
【表１】
表から明らかなように実施例１〜５は、誘電特性、耐クラック性および高温処理後の誘電特性に優れていた。
また、実施例１ないし４は、特に成形性にも優れていた。
また、実施例１ないし４は、特に厚さ精度にも優れていた。
また、実施例１および３ないし５は、タックも無く作業性にも優れていた。
【００５１】
【発明の効果】
本発明によれば、誘電特性、耐クラック性および高温処理後の特性に優れる絶縁層、樹脂付き金属箔、樹脂付きキャリアフィルムおよび多層プリント回路板を提供することができる。
また、絶縁層を特定の層構造とする場合、特に成形性および厚さ精度にも優れることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における樹脂付き金属箔の一例を示す側面図である。
【符号の説明】
１ 樹脂付き金属箔
１１ 金属箔
１２ 樹脂層
１２１ 第１の樹脂層
１２２ 第２の樹脂層
Claims (11)
- 積層板の絶縁層であって、
ベンゾシクロブテン樹脂およびビスフェノールＦ型構造を有する化合物を含む樹脂組成物で構成されていることを特徴とする絶縁層。 - 前記絶縁層がベンゾシクロブテン樹脂を含む第１層と、ベンゾシクロブテン樹脂を含む第２層とで構成されるものであって、
前記ビスフェノールＦ型構造を有する化合物は、前記第１層または第２層の少なくとも一層に含まれるものである請求項１に記載の絶縁層。 - 前記ベンゾシクロブテン樹脂は、式（Ｉ）で表されるものである請求項１または２に記載の絶縁層。
- 前記ビスフェノールＦ型構造を有する化合物は、式（ＩＩ）で表されるものである請求項１ないし３に記載の絶縁層。
- 前記ビスフェノールＦ型構造を有する化合物の数平均分子量は、３００〜１００，０００である請求項１ないし４のいずれかに記載の絶縁層。
- 前記ビスフェノールＦ型構造を有する化合物の含有量は、前記ベンゾシクロブテン樹脂１００重量部に対して、１０〜８０重量部である請求項１ないし５のいずれかに記載の絶縁層。
- 前記ビスフェノールＦ型構造を有する化合物は、常温で液状である請求項１ないし６のいずれかに記載の絶縁層。
- 請求項１ないし７のいずれかに記載の絶縁層と、金属箔とを有することを特徴とする樹脂付き金属箔。
- 請求項１ないし７のいずれかに記載の絶縁層と、キャリアフィルムとを有することを特徴とする樹脂付きキャリアフィルム。
- 請求項８に記載の樹脂付き金属箔を内層回路板の片面または両面に重ね合わせて加熱、加圧してなることを特徴とする多層プリント回路板。
- 請求項９に記載の樹脂付きキャリアフィルムを内層回路板の片面または両面に重ね合わせて、加熱、加圧してなることを特徴とする多層プリント回路板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003086904A JP4218389B2 (ja) | 2003-03-27 | 2003-03-27 | 絶縁層、樹脂付き金属、樹脂付きキャリアフィルムおよび多層プリント回路板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003086904A JP4218389B2 (ja) | 2003-03-27 | 2003-03-27 | 絶縁層、樹脂付き金属、樹脂付きキャリアフィルムおよび多層プリント回路板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004291393A true JP2004291393A (ja) | 2004-10-21 |
| JP4218389B2 JP4218389B2 (ja) | 2009-02-04 |
Family
ID=33401403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003086904A Expired - Fee Related JP4218389B2 (ja) | 2003-03-27 | 2003-03-27 | 絶縁層、樹脂付き金属、樹脂付きキャリアフィルムおよび多層プリント回路板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4218389B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007126605A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物、積層体、配線板および配線板の製造方法 |
| JP2008170236A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | High Energy Accelerator Research Organization | Ｘ線及び中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 |
-
2003
- 2003-03-27 JP JP2003086904A patent/JP4218389B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007126605A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物、積層体、配線板および配線板の製造方法 |
| JP2008170236A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | High Energy Accelerator Research Organization | Ｘ線及び中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 |
| JP4521573B2 (ja) * | 2007-01-10 | 2010-08-11 | 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 | 中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4218389B2 (ja) | 2009-02-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4929623B2 (ja) | 変性ポリイミド樹脂を含有する熱硬化性樹脂組成物 | |
| US20040176526A1 (en) | Resin composition | |
| TWI724026B (zh) | 配線板的製造方法、配線板、及半導體裝置 | |
| KR102526799B1 (ko) | 수지 조성물 | |
| JP6156020B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
| JP6651760B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JP2001234020A (ja) | 樹脂組成物、該樹脂組成物を用いた接着フィルム、金属箔付き接着フィルム、配線基板及び実装構造体 | |
| TW201921505A (zh) | 電路基板 | |
| CN108727942A (zh) | 树脂组合物 | |
| JP6176294B2 (ja) | 支持体付き樹脂シート | |
| JP6398283B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
| JP6276499B2 (ja) | 接着フィルム、硬化体の製造方法、硬化体、配線板、及び半導体装置 | |
| JP2016141015A (ja) | 両面金属張積層板及びその製造方法 | |
| JP4157321B2 (ja) | 樹脂付きキャリアフィルム及び多層プリント回路板 | |
| JP4218389B2 (ja) | 絶縁層、樹脂付き金属、樹脂付きキャリアフィルムおよび多層プリント回路板 | |
| JP2004031712A (ja) | 絶縁層、樹脂付き金属、キャリアフィルムおよび多層プリント回路板 | |
| JP2008265343A (ja) | 樹脂付きキャリアフィルムおよび多層プリント回路板 | |
| JP2004192847A (ja) | 絶縁層、樹脂付き金属、樹脂付きキャリアフィルムおよび多層プリント回路板 | |
| JP7331812B2 (ja) | 配線板及び半導体装置 | |
| JP6617811B2 (ja) | 接着フィルム、硬化体の製造方法、硬化体、配線板、及び半導体装置 | |
| JP2018044133A (ja) | 樹脂組成物 | |
| JP2002050850A (ja) | 絶縁被覆電線及びこれを用いたマルチワイヤ配線板 | |
| TW201741132A (zh) | 附有樹脂之金屬箔、撓性印刷電路板 | |
| JP6610612B2 (ja) | 支持体付き樹脂シート | |
| JP6414195B2 (ja) | 接着フィルム、硬化体の製造方法、硬化体、配線板、及び半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060310 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080701 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080808 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080924 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080930 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081021 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081103 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111121 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4218389 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111121 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121121 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131121 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |