TW201818544A - 具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件 - Google Patents

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Abstract

根據本發明的一個實施例，提供具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件，其包括：兩個以上被疊層的層，且所述被疊層的層的各層包括SiC，與相鄰的其他層具有不同的透射率值。

Description

具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件
本發明涉及在乾式蝕刻工程中，為了利用晶片等基板製造半導體元件的SiC半導體製造用部件及其製造方法，更詳細地，涉及具有透射率不同的多個層的SiC半導體層的SiC半導體製造用部件及其製造方法。
通常，使用在半導體製造工程的電漿處理技術作為乾式蝕刻工程中的一個，是使用氣體蝕刻物件的方法。這將蝕刻氣體注入到反應容器內並電離之後，加速至晶片表面，隨著以物理性、化學性去除晶片表面的工程。此方法便於蝕刻的調整，且生產性高，並且可進行數十nm水平的微細圖案形成，而被廣泛使用。
為了在電漿蝕刻的均勻地蝕刻，可要被考慮的參數（parameter）是要蝕刻層的厚度和密度、蝕刻氣體的能量及溫度、光刻膠的粘合性和晶片表面的狀態及蝕刻氣體的均勻性等。特別地，電離蝕刻氣體，將電離的蝕刻氣體加速至晶片表面，成為執行蝕刻原動力的無線電頻率（RF；Radio frequency）調整，可成為重要的參數，且在實際蝕刻程序中，被考慮為可直接並便於調整的參數。
但是，實際以在乾式蝕刻裝置內形成蝕刻的晶片為基準時，使晶片表面整體具有均勻的能量分佈，而挑選的無線電頻率的適用是必須的，且適用這些無線電頻率時，適用均勻的能量分佈不能只由無線電頻率的輸出調整來達到，並且，為了解決此，其被用於將無線電頻率施加在晶片的無線電頻率電極的階段和陽極形態及實質上做固定晶片功能的聚焦環在內的半導體製造用部件，大大地左右。
包括乾式蝕刻裝置內的聚焦環在內的多種半導體製造用部件，在存在電漿的惡劣條件反應容器內，執行在形成蝕刻處理的晶片周圍，集中電漿的作用，且部件自身也暴露在電漿受到損傷。因此，持續地執行用於增加半導體製造用部件的抗電漿特性的研究。作為其中之一，具有更換Si材質，製造SiC材質的聚焦環或電極等部件方法的研究。
現有技術為了工程效率及均勻地沉積，使用了將多個噴射導入口構成在室，且同時使用所述導入口製造Sic半導體製造用部件的方式。
圖1是同時使用多個原料氣體噴射導入口，製造的Sic半導體製造用部件中一個的斷面圖。在室內原料氣體沉積在母材上，最終形成如圖 1的SiC半導體製造用部件200。
圖2是對現有方式製造的SiC半導體製造用部件的掃瞄式電子顯微鏡SEM分析照片。由明亮色顯示的屬於SiC異常組織的結晶結構。可確認異常組織在SiC沉積程序成長為圓錐形。由現有方式製造的SiC半導體製造用部件，可由這些組織的成長降低產品的品質。
此外，即使將Si更換為SiC材質，經過一定時間被暴露在電漿並被磨損，具有仍需要週期性更換的問題。此外，被更換的部件被更換後，全部被廢棄處理。這成為增加半導體產品生產費用的主要原因中的一個。
技術課題
本發明作為解決如上述的所有問題，本發明抑制SiC半導體製造用部件的非正常結晶的成長，誘導從原料氣體噴射導入口的均勻地沉積，可提供品質優秀的SiC半導體製造用部件。此外，本發明作為一個示例，減少如被更換的聚焦環，以消耗性SiC半導體製造用部件的廢棄發生的產業廢棄物，貢獻於環境衛生，且可減少最終半導體部件的生產費用。
但是，本發明所要解決的課題不限定於以上提及的課題，且未提及的其他課題，從以下記載可明確地被所屬領域技藝人士理解。
技術方案
根據本發明的一個實施例，提供具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件，其包括：兩個以上被疊層的層，且所述被疊層的層的各層包括SiC，與相鄰的其他層具有不同的透射率值。
根據本發明的一個實施例，在所述被疊層的層的各層邊界，色可逐漸變化。
根據本發明的一個實施例，所述被疊層的層的各層組成可相同。
根據本發明的一個實施例，所述被疊層的層，可被疊層在石墨母材上。
根據本發明的一個實施例，在所述被疊層的層的各層邊界，可包括一個以上的非正常結晶的成長斷絕。
根據本發明的一個實施例，所述半導體製造用部件作為電漿處理裝置部件，可包括由環、電極單元及連接器形成的群中被選擇的至少任何一個。
根據本發明的一個實施例，還可包括：再生單元，包括形成在所述被疊層的層的至少一部分上的SiC。
根據本發明的一個實施例，包括所述SiC的再生單元及與所述再生單元相鄰的被疊層的層間色可不同。
根據本發明的其他一個實施例，提供在具備多個原料氣體噴射導入口的化學氣相沉積室內，具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件的製造方法，其步驟包括：使用包括在所述多個原料氣體噴射導入口中一部分的第一導入口群，疊層包括SiC的第一層；及使用包括所述多個原料氣體噴射導入口中其他一部分的第二導入口群，疊層包括SiC的第二層。
根據本發明的一個實施例，其步驟還可包括：疊層所述第二層的步驟之後，使用第三導入口群，疊層包括SiC的第三層。
根據本發明的一個實施例，在疊層各層的步驟之間，維持在化學氣相沉積室內的所述SiC半導體製造用部件。
根據本發明的一個實施例，在所述化學氣相沉積室內，各個導入口群的位置可不同。
根據本發明的一個實施例，執行疊層各層的步驟時間可不同。
根據本發明的一個實施例，其步驟還可包括：在乾式蝕刻裝置，由電漿處理所述SiC半導體製造用部件；及在所述SiC半導體製造用部件的被疊層的層的至少一部分上，形成包括SiC的再生單元。
根據本發明的一個實施例，所述再生單元平均厚度可以是0.1mm至3mm。
根據本發明的一個實施例，所述由電漿處理的步驟及形成再生單元的步驟之間，還可包括：加工所述SiC半導體製造用部件的步驟、事先清洗的步驟或者這兩個。
根據本發明的一個實施例，形成所述再生單元的步驟之後，還可包括：事後加工所述形成的再生單元的步驟、事後清洗的步驟或者這兩個。
技術效果
根據本發明的一個實施例，具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件，抑制非正常結晶的過度成長，具有防止降低包括抗電漿特性在內的材料固有物性的現象。此外，在製造SiC半導體製造用部件的程序中，在導入口內側沉積原料氣體，具有防止降低產品品質現象的效果。此外，根據本發明的一個實施例，具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件，只由在被電漿蝕刻的半導體製造用部件的表面，形成新再生單元，可具有更換新產品的效果，可減少現有消耗性部件更換的費用。
以下，參照附圖詳細地說明本發明的SiC半導體製造用部件及製造方法的實施例。在以下說明的實施例及附圖，可進行多種變更。此外，與圖符號無關，相同的構成要素賦予相同的參照符號，對此的重複說明給予省略。以下說明的實施例不是對實施形態的限定，被理解為包括對此的所有變更、均等物至更換物。在說明本說明中，對有關公知功能或構成的具體說明被判斷為不必要地模糊本發明的要點時，其詳細地說明給予省略。
此外，在本說明書使用的用語，作為適當地表現本發明的優選實施例被使用的用語，可根據使用者、運營者的意圖或者本發明所屬領域的慣例等不同。因此，對本用語的定義基於本說明書整個內容為基礎決定。在各圖提示的相同的參照符號，顯示相同的部件。
在整個說明書，說明某些部件位於其他部件「上」時，這不僅是某些部件相接於其他部件的情況，也包括在兩個部件之間還存在其他部件的情況。
在整個說明書，說明某些部分「包括」某些構成要素時，在沒有特別反對說明之外，不排除其他構成要素，而是，意味著還可包括其他構成要素。
根據本發明的一個實施例，提供具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件，且包括兩個以上被疊層的層，且所述被疊層的層的各層包括SiC，與相鄰的其他層具有不同的透射率值。
根據本發明的SiC半導體製造用部件，可包括兩個以上包含SiC的層，且所述兩個以上的層，可具有不同的透射率。
SiC成分作為強共有結合物質，比起其他陶瓷材料，在熱傳導率、硬度、抗氧化性、抗磨損性、抗腐蝕性，保有優秀的抗電漿性的材料，作為在惡劣條件需要精密工程的半導體製造用材料，保有優秀特性的材料。
在本發明的透射率是指光通過物質層的程度，屬於通過物質層的光的強度，除以對物質層入射光強度的值。透射率可由多種方法進行測量，但以3mm厚度製造取樣，利用光度150Lux以上的光源，可在取樣和光源間的距離在7cm以內進行測量。根據厚度或光源、取樣和光源間的距離，透射率不同，因此，可由相同厚度情況的相對值進行考慮。
透射率屬於物質固有的特徵，即使具有相同成分及組合的材料，也根據其結晶結構或相，可具有不同的透射率。根據本發明的具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件，可包括具有透射率不同的多個層。
根據本發明的一個實施例，在所述被疊層的層的各層邊界，色可逐漸變化。被疊層的各層除透射率外，色可不同。在這種情況下，在被疊層的各層邊界中，使不同的色以間斷性、區分性明顯地區分邊界不變化色，而可逐漸地變化。根據後述的本發明的其他一個實施例，根據製造方法製造SiC半導體製造用部件時，在所述被疊層的層的各層邊界，色可逐漸地變化。
根據本發明的一個示例，所述被疊層的層的各層組合可相同。在本發明透射率不同時，不特別地進行限定，且包括SiC疊層的各層，可以是相同成分及組合，也可以是不同的成分及組合。在本發明的一個側面，即使由相同成分及組合疊層各層，也可提供具有透射率不同的具有多個層的SiC半導體製造用部件。透射率可由多種方法進行測量，但以3mm厚度製造取樣，利用光度150Lux以上的光源，可在取樣和光源間的距離在7cm以內進行測量。根據厚度或光源、取樣和光源間的距離，透射率不同，因此，可由相同厚度情況的相對值進行考慮。
根據本發明的一個示例，所述被疊層的層，可疊層在石墨母材上。在本發明的一個側面，作為經化學氣相沉積法，沉積包括SiC成分的方法，可提供SiC半導體製造用部件，因此，作為這時可沉積的物件，可使用母材。在這種情況下，如果所述母材可形成沉積面，在本發明不特別地限定，但可以是石墨材料。
圖3是根據本發明的一個實施例，具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件300的斷面圖。根據圖3，示出包括疊層的SiC的層320、330及340，疊層在石墨母材310上。其中包括各SiC的層320、330及340，可都具有不同的透射率。此外，石墨母材310及包括與其相鄰SiC的層320之間，可明顯地形成色邊界。相反地，在包括疊層的各SiC的層邊界320和330、330和340及340和320，色可逐漸地重疊變化。
圖4是根據本發明的一個實施例，具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件的斷面照片。在石墨母材上，疊層包括明顯區分邊界SiC的第一層。在此上可顯示具有色逐漸變化邊界的包括另一個SiC的多個層被疊層。
根據本發明的一個示例，在所述被疊層的層的各層，可包括一個以上的非正常結晶的成長間斷。在被疊層的各層內部，經通過不純物或者同種反應形成的核，可發生非正常結晶結構。此結晶結構根據包括SiC的成分繼續沉積，逐漸成長。這樣成長的非正常結晶結構，會成為降低包括SiC材料固有物性的主要原因。因此，在以化學氣相沉積方式，製造包括SiC產品程序中，控制此非正常結晶結構的成長會成為重要的問題。
在本發明的一個側面，間斷現有的連續性的沉積程序，階段性的形成各層，可控制非正常結晶結構的繼續成長。在這種情況下，非正常結晶結構的連續性的沉積程序被間斷，不能繼續成長，且在各層的邊界可形成非正常結晶的成長被間斷的結構。
根據本發明的一個示例，所述半導體製造用部件為電漿處理裝置部件，可包括由環、電極單元及連接器形成的群中被選擇的至少任何一個。作為一個示例，具體地，可以是聚焦環、上部電極單元、接地電極單元、噴頭、外環等。在所述電漿處理裝置內，暴露在電漿的任何多種部件，也可包括在本發明的SiC半導體製造用部件。其中在所述電漿處理裝置內，所述聚焦環、上部電極單元、接地電極單元及外環等，特別作為被電漿損傷的概率高的部件，可屬於在本發明意圖的SiC半導體製造用部件。
根據本發明的一個示例，還可包括再生單元，包括在所述被疊層的層至少一部分形成的SiC。根據本發明的一個側面，SiC半導體製造用部件，可用於暴露在電漿被蝕刻的環境。在這種情況下，比起立刻廢棄處理及更換，在損傷的部分形成新的包括SiC的再生單元，可再生為新的產品。如此，根據本發明的一個側面，包括再生單元的SiC半導體製造用部件，與只被視為消耗性部件的現有半導體製造用部件不同，可再利用，對降低產品生產成本做很大的作用。
根據本發明的一個示例，在所述包括SiC的再生單元及與所述再生單元相鄰的被疊層的層邊界，色可不同。此外，在再生單元及與再生單元相鄰的被疊層的邊界，色不會逐漸變化，且可間斷性、區分性的變化。因此，可比較明確地確認再生單元及與再生單元相鄰的被疊層的邊界線。根據後述的本發明的一個側面時，在形成包括SiC的各層的製造工程中，在層變化的程序，化學氣相沉積室內的溫度不降低，可維持高溫。相反地，在形成包括SiC的再生單元的程序中，將各層被疊層完成的產品，拿到化學氣相沉積室外部進行冷卻之後，在電漿暴露環境使用，且之後再次經過形成包括SiC再生單元的步驟。在此程序中，在包括SiC的再生單元和與所述再生單元相鄰的被疊層的層邊界，色可間斷性、區分性的變化。
圖5a是根據本發明的一個實施例，具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件，在電漿暴露環境被使用蝕刻狀態的斷面圖。包括SiC的層中，顯示最上層320經電漿被蝕刻損傷的結構。
圖5b是根據本發明的一個實施例，具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件，在電漿暴露環境被蝕刻後，形成再生單元350狀態的斷面圖。在損傷的最上層320上形成再生單元350，可與生產新產品具有相同的效果。在這種情況下，比起其他被疊層的層間邊界320和330、330和340及340和320，在所述再生單元350和損傷的最上層320之間，可發生明顯的色邊界。這可以是在層與層被疊層程序中，在室內維持高溫的狀態疊層下一層和拿到室外後冷卻，並再次在下一層被疊層差異發生的現象。根據本發明的一個側面，事先平坦地加工所述損傷的最上層320後，在其上也可形成再生單元350。此外，根據本發明的其他一個側面，形成再生單元之前，可使去除在所述事先加工前、後或者其兩個表面發生的不純物，也可包括事先清洗。
一方面，根據本發明的一個側面，具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件，除SiC外可附加地包括抗電漿性材料。SiC半導體製造用部件，可用於暴露在電漿被蝕刻並被損傷的環境。因此，受到損傷時，必須伴隨更換，但為了減少因頻繁更換的半導體產品生產費用，所述非再生單元、所述再生單元或者這兩個，還可包括附加的抗電漿性材料。
圖6是根據本發明的一個實施例，具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件被製造程序的工程圖。以下，利用圖6的工程圖說明根據本發明的一個實施例，具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件的製造方法。
根據本發明的其他一個實施例，提供具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件的製造方法，在具備多個原料氣體噴射導入口的化學氣相沉積室內，其包括步驟S100：使用包括在所述多個原料氣體噴射導入口中一部分的第一導入口群，疊層包括SiC的第一層；及步驟S200：使用包括所述多個原料氣體噴射導入口中其他一部分的第二導入口群，疊層包括SiC的第二層。
根據本發明的SiC半導體製造用部件，可在化學氣相沉積室內，由化學氣相沉積方式被製造。在這種情況下，形成各層的原料氣體，可通過多個原料氣體噴射導入口被提供。多個原料氣體噴射導入口，只要能均勻地疊層各層，在本發明不特別地限定化學氣相沉積室內的位置或個數。只是，在本發明的一個側面，在多個導入口中，可將一部分由第一導入口群、其他一部分由第二導入口群構成。此外，根據本發明的其他一個實施例，將第一導入口群及第二導入口群外的另外導入口的一部分，可由第三導入口群或者第四導入口群等構成。此外，每個導入口群，其構成也可重複地包括包含導入口中一部分。
由此形成的不同導入口群，可分別使用在疊層各層。根據本發明的一個側面，可包括使用第一道入口群，疊層包括SiC的第一層的步驟；及使用第二導入口群，疊層包括SiC的第二層的步驟。由此，可形成利用在不同位置噴射的導入口群產生的第一層和第二層，具有不同的透射率。
根據本發明的一個示例，疊層所述第二層步驟之後，還可包括步驟S300：使用第三導入口群，疊層包括SiC的第三層。在這種情況下，第三導入口群可包括與第一導入口群及第二導入口群完全不同的導入口。此外，第三導入口群的構成，也可重複地包括與第一導入口群及第二導入口群一部分的導入口。在這種情況下，相同地可形成第三層與相鄰的層第二層具有不同的透射率。
一方面，根據本發明的一個側面，疊層所述第二層步驟之後，還可包括再次使用第一導入口群，疊層包括SiC的第三層的步驟。在這種情況，第一層、第二層及第三層，也可形成夾層結構。此外，根據本發明的一個側面，疊層所述第三層的步驟之後，還可包括疊層第四層、第五層及第六層的步驟。
在上述說明的圖5，示出使用第四層320時，再次使用疊層第一層320時使用的第一導入口群，製造的結構。由此形成的第一層及第四層的透射率、色或者兩個都可相同。
根據本發明的一個示例，在疊層各層的步驟之間，可維持在化學氣相沉積室內的所述SiC半導體製造用部件。疊層相鄰各層的步驟，由使用其他導入口群被形成，在更換使用的導入口群的程序中，所述SiC半導體製造用部件，在化學氣相沉積室內被維持。由此，在更換使用的導入口群的程序中，SiC半導體製造用附件的表面溫度，可不降低。由此，即使更換導入口包括疊層各層的程序，也不需要再次提高溫度，維持SiC半導體製造用部件生產工程的效率。此外，由此程序被疊層的各層，在沒有完全冷卻的狀態下，沉積相鄰的包括其他層的SiC成分，可在與相鄰層的邊界，色逐漸地變化。
根據本發明的一個示例，在所述化學氣相沉積室內，每個導入口群的位置可不同。只要多個原料氣體噴射導入口，可均勻地疊層各層，在本發明不特別地限定化學氣相沉積室內的位置或個數。只是，如上述，因不完全相同地構成第一導入口群及第二導入口群，或者包括其以上的各導入口群的導入口構成，每個導入口群的位置可不同。由此，利用在不同位置噴射的導入口群產生的各層，可與每個相鄰層形成具有不同的透射率。
根據本發明的一個示例，執行疊層各層的步驟的時間可不同。疊層本發明的各層的步驟，根據需要可通過噴射導入口的執行時間進行控制。在這種情況下，由控制噴射導入口的執行時間，可設置更換個導入口，且疊層其他層的時間。此外，根據本發明的一個側面，疊層各層的步驟也可通過噴射導入口的流量進行控制。將各導入口群噴射的時間及流量，變化為相同時，可相同地形成各層的厚度。一方面，在本發明的一個側面，根據需要也可將執行疊層各層的步驟時間，不同的構成。在這種情況，各層的厚度可不同。
圖7是根據本發明的其他實施例，具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件被製造程序的工程圖。
根據本發明的一個示例，還可包括步驟S400：在乾式蝕刻裝置由電漿處理所述SiC半導體製造用部件；及步驟S500：在所述SiC半導體製造用部件的被疊層的層的至少一部分上，形成包括SiC的再生單元。經在乾式蝕刻裝置由電漿處理的步驟，SiC半導體製造用部件中，被暴露在電漿的部分可被蝕刻。這些蝕刻成為降低要製造半導體產品品質的主要原因，所以，在適當的時期進行更換。在本發明的一個側面，還包括所述由電漿處理的步驟之後，包括暴露在電漿被蝕刻的部分、在被疊層的層的至少一部分，形成包括SiC再生單元的步驟。由此，可製造更換根據適當的更換週期更換新產品的再生的SiC半導體製造用產品。
根據本發明的一個示例，所述再生單元平均厚度可以是0.1mm至3mm。暴露在電漿的反應容器內使用的半導體製造用部件的更換週期，可經確認被蝕刻的程度來決定。在這種情況下，考慮要製造的半導體產品的品質時，蝕刻程度屬於平均1mm程度時，可考慮更換。在這種情況下，為了形成要更換由新產品更換用途的再生單元，有必要形成被蝕刻厚度以上的再生單元。因此，在本發明的一個側面，再生單元平均厚度可以是0.1mm至3mm。
根據本發明的一個示例，所述由電漿處理的步驟及形成再生單元的步驟之間，還可包括事先加工所述SiC半導體製造用部件的步驟、事先清洗的步驟或者這兩個。
根據本發明的一個側面，通過將不均勻蝕刻被損傷的部分，事先加工成平平的步驟，可在之後形成再生單元的步驟中，誘導平整的沉積。在本發明中不特別地限定事先加工步驟的工程，但可平整地加工再生單元被沉積形成的部分的工程時，可都包括。根據本發明的其他一個側面，可在事先清洗步驟，去除表面不純物。在本發明中，不特別地限定事先清洗步驟的工程，但可使用酸、鹼溶液或者超聲波，去除表面不純物。
根據本發明的一個示例，形成所述再生單元的步驟之後，還可包括事後加工所述形成再生單元的步驟、事後清洗的步驟或者這兩個。
根據本發明的一個側面，在事後加工的步驟，可標準化沉積再生單元，厚度變厚的SiC半導體製造用部件。在這種情況下，所述再生單元可沉積如加工困難的SiC物質，所以，在通過事後加工的步驟的標準化程序中，最小化直接性加工面積，可對確保產品的生產性非常重要。在本發明的其他一個側面，為了在事後加工步驟的方便性，在形成再生單元的步驟損傷的半導體製造用部件的一部分，可包括遮掩的構成。在本發明不特別地限定事後加工步驟的工程，但可標準化再生單元沉積部分的工程時，可都包括。
根據本發明的其他一個側面，可在事後清洗的步驟去除表面不純物。在本發明不特別地限定事後清洗步驟的工程，但可使用酸、鹼溶液或者超聲波，去除表面不純物。
綜上所述，雖然由限定的實施例和圖說明瞭實施例，但所屬領域的技藝人士，可從所述的記載進行多種修改及變更。例如，所說明的技術與所說明的方法以不同的順序被執行，及/或所說明的構成要素與所說明的方法以不同的形態結合或者組合，或者由不同的構成要素或均等物更換或者置換，也可達到適當的結果。
所以，不同體現、不同實施例及與請求項範圍均等的，也屬於後述的請求項範圍。
200‧‧‧SiC半導體製造用部件
300‧‧‧SiC半導體製造用部件
310‧‧‧石墨母材
320‧‧‧層
330‧‧‧層
340‧‧‧層
350‧‧‧再生單元
S100‧‧‧步驟
S200‧‧‧步驟
S300‧‧‧步驟
S400‧‧‧步驟
S500‧‧‧步驟
圖1是同時使用多個原料氣體噴射導入口，製造的SiC半導體製造用部件中一個的斷面圖。
圖2是對現有方式製造的SiC半導體製造用部件的掃瞄式電子顯微鏡SEM分析照片。
圖3是根據本發明的一個實施例，具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件的斷面圖。
圖4是根據本發明的一個實施例，具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件的斷面照片。
圖5a是根據本發明的一個實施例，具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件，在電漿暴露環境被使用蝕刻的狀態斷面圖。
圖5b是根據本發明的一個實施例，具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件，在電漿暴露環境被蝕刻後，形成再生單元狀態的斷面圖。
圖6是根據本發明的一個實施例，具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件被製造程序的工程圖。
圖7是根據本發明的其他實施例，具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件被製造程序的工程圖。
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Claims (17)

  1. 一種具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件，其包括： 兩個以上被疊層的層，且 所述被疊層的層的各層包括SiC，與相鄰的其他層具有不同的透射率值。
  2. 根據請求項1之具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件，其中在所述被疊層的層的各層邊界，色逐漸變化。
  3. 根據請求項1之具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件，其中所述被疊層的層的各層組成相同。
  4. 根據請求項1之具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件，其中所述被疊層的層，被疊層在石墨母材上。
  5. 根據請求項1之具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件，其中在所述被疊層的層的各層邊界，包括一個以上的非正常結晶的成長斷絕。
  6. 根據請求項1之具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件，其中所述半導體製造用部件作為電漿處理裝置部件，包括由環、電極單元及連接器形成的群中被選擇的至少任何一個。
  7. 根據請求項1至6的任何一個所述的具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件，還包括： 再生單元，包括形成在所述被疊層的層的至少一部分上的SiC。
  8. 根據請求項7之具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件，其中包括所述SiC的再生單元及與所述再生單元相鄰的被疊層的層間色不同。
  9. 一種在具備多個原料氣體噴射導入口的化學氣相沉積室內，具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件的製造方法，其步驟包括： 使用包括在所述多個原料氣體噴射導入口中一部分的第一導入口群，疊層包括SiC的第一層；及 使用包括所述多個原料氣體噴射導入口中其他一部分的第二導入口群，疊層包括SiC的第二層。
  10. 根據請求項9之具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件的製造方法，其步驟還包括： 疊層所述第二層的步驟之後，使用第三導入口群，疊層包括SiC的第三層。
  11. 根據請求項9之具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件的製造方法，其中在疊層各層的步驟之間，維持在化學氣相沉積室內的所述SiC半導體製造用部件。
  12. 根據請求項9之具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件的製造方法，其中在所述化學氣相沉積室內，各個導入口群的位置不同。
  13. 根據請求項9之具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件的製造方法，其中執行疊層各層步驟的時間不同。
  14. 根據請求項9之具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件的製造方法，其步驟還包括： 在乾式蝕刻裝置，由電漿處理所述SiC半導體製造用部件；及 在所述SiC半導體製造用部件的被疊層的層至少一部分上，形成包括SiC的再生單元。
  15. 根據請求項14之具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件的製造方法，其中所述再生單元平均厚度是0.1mm至3mm。
  16. 根據請求項14之具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件的製造方法，其中所述由電漿處理的步驟及形成再生單元的步驟之間，還包括： 加工所述SiC半導體製造用部件的步驟、事先清洗的步驟或者這兩個。
  17. 根據請求項14之具有透射率不同的多個層的SiC半導體製造用部件的製造方法，其中形成所述再生單元的步驟之後，還包括： 事後加工所述形成的再生單元的步驟、事後清洗的步驟或者這兩個。
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