TW201818162A - 液浸構件、曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式、及記錄媒體 - Google Patents

Abstract

本發明之液浸構件，係用於液浸曝光裝置，能於與射出曝光用光之光學構件之射出面對向之物體之表面上形成液浸空間。液浸構件具備：第1構件，包含配置在曝光用光之光路周圍之第1部分，曝光用光能通過之第1開口部及配置於第1開口部周圍之至少一部分且能與物體之表面對向之第1液體供應部設於第1部分；以及第2構件，具有能與物體之表面對向之第1液體回收部，能在相對光路之第1部分外側相對第1構件移動。

Description

液浸構件、曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式、及記錄媒體

本發明係關於液浸構件、曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式、及記錄媒體。

本申請案主張2012年12月27日申請之美國專利暫時申請61/746,497之優先權，並將其內容援用於此。

微影製程所使用之曝光裝置中，例如有下述專利文獻1所揭示之透過光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置。

先行技術文獻

[專利文獻1]美國專利第7864292號

液浸曝光裝置中，例如當液體從既定空間流出或殘留於基板等物體上時，即有可能產生曝光不良。其結果，有可能產生不良元件。

本發明態樣之目的，在於提供一種能抑制曝光不良之發生之液浸構件、曝光裝置、及曝光方法。又，本發明態樣之另一目的，在於提供一種能抑制不良元件之產生之元件製造方法、程式、及記錄媒體。

本發明第1態樣提供一種液浸構件，係用於液浸曝光裝置，能於與射出曝光用光之光學構件之射出面對向之物體之表面上形成液浸空間，其具備：第1構件，包含配置在曝光用光之光路周圍之第1部分，曝光用光能通過之第1開口部及配置於第1開口部周圍之至少一部分且能與物體之表面對向之第1液體供應部設於第1部分；以及第2構件，具有能與物體之表面對向之第1液體回收部，能在相對光路之第1部分外側相對第1構件移動。

本發明第2態樣提供一種液浸構件，係用於液浸曝光裝置，能於與射出曝光用光之光學構件之射出面對向之物體之表面上形成液浸空間，其具備：第1構件，包含配置在曝光用光之光路周圍之第1部分，曝光用光能通過之第1開口部設於第1部分；以及第2構件，具有能與物體之表面對向之第1液體回收部、以及在相對光學構件之光軸之放射方向配置於第1液體回收部之外側且能與物體之表面對向之第1氣體供應部，能在相對光路之第1部分外側相對第1構件移動。

本發明第3態樣提供一種液浸構件，係用於液浸曝光裝置，能於與射出曝光用光之光學構件之射出面對向之物體之表面上形成液浸空間，其具備：第1構件，包含配置在曝光用光之光路周圍之第1部分，曝光用光能通過之第1開口部設於第1部分；以及第2構件，具有能與物體 之表面對向之第1液體回收部、以及在相對光學構件之光軸之放射方向配置於光路與第1液體回收部之間且能與物體之表面對向之第2液體供應部，能在相對光路之第1部分外側相對第1構件移動。

本發明第4態樣提供一種液浸構件，係用於液浸曝光裝置，能於與射出曝光用光之光學構件之射出面對向之物體之表面上形成液浸空間，其具備：第1構件，包含配置在曝光用光之光路周圍之第1部分，曝光用光能通過之第1開口部設於第1部分；第2構件，具有能與物體之表面對向之第1液體回收部，能在相對光路之第1部分外側相對第1構件移動；以及第2液體回收部，配置於第1構件，能回收從物體上流入第1構件與第2構件間之間隙之液體之至少一部分。

本發明第5態樣提供一種液浸構件，係用於液浸曝光裝置，能於與射出曝光用光之光學構件之射出面對向之物體之表面上形成液浸空間，其具備：第1構件，包含配置在曝光用光之光路周圍之第1部分，曝光用光能通過之第1開口部設於第1部分；第2構件，具有能與物體之表面對向之第1液體回收部，能在相對光路之第1部分外側相對第1構件移動；以及第2液體回收部，能回收從物體上流入第1構件與第2構件間之間隙之液體之至少一部分；第1構件與第2構件間之間隙包含第1尺寸之第1間隙部分、以及配置於相對光學構件之光軸在第1間隙部分之外側且較第1尺寸小之第2尺寸之第2間隙部分；第2液體回收部能從第1間隙部分回收液體。

本發明第6態樣提供一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光，其具備第1至第5之任一個態樣之液浸構件。

本發明第7態樣提供一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光，其具備：光學構件，具有射出曝光用光之射出面；液浸構件，能於能在光學構件下方移動之物體上形成液體之液浸空間，具有：第1構件，配置於曝光用光之光路周圍之至少一部分；以及第2構件，其至少一部分在第1構件下方配置成能與物體對向，能相對第1構件移動；以及氣體供應部，係對液浸空間周圍之至少一部分供應氣體。

本發明第8態樣提供一種元件製造方法，包含：使用第6或第7態樣之曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光後之基板顯影的動作。

本發明第9態樣提供一種曝光方法，係透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使基板曝光，包含：使用液浸構件在基板之表面上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備：第1構件，包含配置在曝光用光之光路周圍之第1部分，曝光用光能通過之第1開口部及配置於第1開口部周圍之至少一部分且能與基板之表面對向之第1液體供應部設於第1部分；以及第2構件，具有能與基板之表面對向之第1液體回收部，能在相對光路之第1部分外側相對第1構件移動；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。

本發明第10態樣提供一種曝光方法，係透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使基板曝光，包含：使用液浸構件在基板之表面上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備：第1構件，包含配置在曝光用光之光路周圍之第1部分，曝光用光能通過之第1 開口部設於第1部分；以及第2構件，具有能與物體之表面對向之第1液體回收部、以及在相對光學構件之光軸之放射方向配置於第1液體回收部之外側且能與物體之表面對向之第1氣體供應部，能在相對光路之第1部分外側相對第1構件移動；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。

本發明第11態樣提供一種曝光方法，係透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使基板曝光，包含：使用液浸構件在基板之表面上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備：第1構件，包含配置在曝光用光之光路周圍之第1部分，曝光用光能通過之第1開口部設於第1部分；以及第2構件，具有能與物體之表面對向之第1液體回收部、以及在相對光學構件之光軸之放射方向配置於光路與第1液體回收部之間且能與物體之表面對向之第2液體供應部，能在相對光路之第1部分外側相對第1構件移動；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。

本發明第12態樣提供一種曝光方法，係透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使基板曝光，包含：使用液浸構件在基板之表面上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備：第1構件，包含配置在曝光用光之光路周圍之第1部分，曝光用光能通過之第1開口部設於第1部分；第2構件，具有能與物體之表面對向之第1液體回收部，能在相對光路之第1部分外側相對第1構件移動；以及第2液體回 收部，配置於第1構件，能回收從物體上流入第1構件與第2構件間之間隙之液體之至少一部分；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。

本發明第13態樣提供一種曝光方法，係透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使基板曝光，包含：使用液浸構件在基板之表面上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備：第1構件，包含配置在曝光用光之光路周圍之第1部分，曝光用光能通過之第1開口部設於第1部分；第2構件，具有能與物體之表面對向之第1液體回收部，能在相對光路之第1部分外側相對第1構件移動；以及第2液體回收部，能回收從物體上流入第1構件與第2構件間之間隙之液體之至少一部分；第1構件與第2構件間之間隙包含第1尺寸之第1間隙部分、以及配置於相對光學構件之光軸在第1間隙部分之外側且較第1尺寸小之第2尺寸之第2間隙部分；第2液體回收部能從第1間隙部分回收液體；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。

本發明第14態樣提供一種曝光方法，係透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使基板曝光，包含：使用第1液浸構件在能在光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作；第1液浸構件具有：第1構件，配置於曝光用光之光路周圍之至少一部分；以及第2構件，其至少一部分在第1構件下方配置成能與物體對向，能相對第1構件移動；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使 基板曝光的動作；於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作；以及從氣體供應部對液浸空間周圍之至少一部分供應氣體的動作。

本發明第15態樣提供一種元件製造方法，包含：使用第9至第14中任一個態樣之曝光方法使基板曝光的動作；以及使曝光後之基板顯影的動作。

本發明第16態樣提供一種程式，係使電腦實施透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在基板之表面上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備：第1構件，包含配置在曝光用光之光路周圍之第1部分，曝光用光能通過之第1開口部及配置於第1開口部周圍之至少一部分且能與基板之表面對向之第1液體供應部設於第1部分；以及第2構件，具有能與基板之表面對向之第1液體回收部，能在相對光路之第1部分外側相對第1構件移動；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。

本發明第17態樣提供一種程式，係使電腦實施透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在基板之表面上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備：第1構件，包含配置在曝光用光之光路周圍之第1部分，曝光用光能通過之第1開口部設於第1部分；以及第2構件，具有能與物體之表面對向之第1液體回收部、以及在相對光學構件 之光軸之放射方向配置於第1液體回收部之外側且能與物體之表面對向之第1氣體供應部，能在相對光路之第1部分外側相對第1構件移動；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。

本發明第18態樣提供一種程式，係使電腦實施透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在基板之表面上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備：第1構件，包含配置在曝光用光之光路周圍之第1部分，曝光用光能通過之第1開口部設於第1部分；以及第2構件，具有能與物體之表面對向之第1液體回收部、以及在相對光學構件之光軸之放射方向配置於光路與第1液體回收部之間且能與物體之表面對向之第2液體供應部，能在相對光路之第1部分外側相對第1構件移動；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。

本發明第19態樣提供一種程式，係使電腦實施透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在基板之表面上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備：第1構件，包含配置在曝光用光之光路周圍之第1部分，曝光用光能通過之第1開口部設於第1部分；第2構件，具有能與物體之表面對向之第1液體回收部，能在相對光路之第1部分外側相對第1構件移動；以及第2液體回收部，配置於第1構件，能回收從物體上流入第1構件與第2構件間之間隙之液體之至少一部分；透過液浸 空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。

本發明第20態樣提供一種程式，係使電腦實施透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在基板之表面上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備：第1構件，包含配置在曝光用光之光路周圍之第1部分，曝光用光能通過之第1開口部設於第1部分；第2構件，具有能與物體之表面對向之第1液體回收部，能在相對光路之第1部分外側相對第1構件移動；以及第2液體回收部，能回收從物體上流入第1構件與第2構件間之間隙之液體之至少一部分；第1構件與第2構件間之間隙包含第1尺寸之第1間隙部分、以及配置於相對光學構件之光軸在第1間隙部分之外側且較第1尺寸小之第2尺寸之第2間隙部分；第2液體回收部能從第1間隙部分回收液體；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。

本發明第21態樣提供一種程式，係使電腦實施透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用第1液浸構件在能在光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作；第1液浸構件具有：第1構件，配置於曝光用光之光路周圍之至少一部分；以及第2構件，其至少一部分在第1構件下方配置成能與物體對向，能相對第1構件移動；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；於基板之曝光之 至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作；以及從氣體供應部對前述液浸空間周圍之至少一部分供應氣體的動作。

本發明第22態樣提供一種電腦可讀取之記錄媒體，其記錄有第16至第21中任一個態樣之程式。

根據本發明之態樣，可抑制曝光不良之發生。又，根據本發明之態樣，可抑制不良元件之產生。

2‧‧‧基板載台

3‧‧‧測量載台

5‧‧‧液浸構件

6‧‧‧控制裝置

7‧‧‧記憶裝置

12‧‧‧射出面

13‧‧‧終端光學元件

21‧‧‧第1構件

22‧‧‧第2構件

41‧‧‧第1液體供應部

42‧‧‧第2液體供應部

43‧‧‧第3液體供應部

51‧‧‧第1液體回收部

52‧‧‧第2液體回收部

53‧‧‧第3液體回收部

61‧‧‧第1氣體回收部

62‧‧‧第2氣體回收部

211‧‧‧第1部分

212‧‧‧第2部分

AX‧‧‧光軸

EL‧‧‧曝光用光

EX‧‧‧曝光裝置

G‧‧‧氣體

IL‧‧‧照明系

K‧‧‧光路

LQ‧‧‧液體

LS‧‧‧液浸空間

P‧‧‧基板

圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置之一例的圖。

圖2係顯示第1實施形態之液浸構件之一例的側視剖面圖。

圖3係顯示第1實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。

圖4係從下方觀察第1實施形態之液浸構件的圖。

圖5係從下方觀察第1實施形態之液浸構件的圖。

圖6係用以說明第1實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。

圖7係用以說明第1實施形態之第2構件之一動作例的圖。

圖8係用以說明第1實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。

圖9係用以說明第1實施形態之液浸構件之一動作例的圖。

圖10係用以說明第1實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。

圖11係顯示第2實施形態之第2構件之一例的圖。

圖12係顯示第2實施形態之第2構件之一例的圖。

圖13係顯示第2實施形態之第2構件之一例的圖。

圖14係顯示第2實施形態之第2構件之一例的圖。

圖15係顯示第2實施形態之第2構件之一例的圖。

圖16係顯示第2實施形態之第2構件之一例的圖。

圖17係顯示第3實施形態之液浸構件之一例的圖。

圖18係顯示第4實施形態之液浸構件之一例的圖。

圖19係顯示第5實施形態之液浸構件之一例的圖。

圖20係顯示第6實施形態之液浸構件之一例的圖。

圖21係用以說明第7實施形態之液浸構件之一例的圖。

圖22係顯示第8實施形態之液浸構件之一例的圖。

圖23係顯示第9實施形態之液浸構件之一例的圖。

圖24係用以說明第10實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。

圖25係顯示第11實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。

圖26係從下方觀察第11實施形態之液浸構件的圖。

圖27係用以說明第11實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。

圖28係顯示第11實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。

圖29係顯示第11實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。

圖30係顯示第11實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。

圖31係顯示基板載台之一例的圖。

圖32係用以說明元件之製造方法之一例的流程圖。

以下，一邊參照圖式一邊說明本發明之實施形態，但本發明並不限定於此。以下之說明中，係設定一XYZ正交座標系，一邊參照此 XYZ正交座標系一邊說明各部之位置關係。並設水平面內之既定方向為X軸方向、於水平面內與X軸方向正交之方向為Y軸方向、分別與X軸方向及Y軸方向正交之方向(亦即鉛直方向)為Z軸方向。此外，設繞X軸、Y軸及Z軸旋轉(傾斜)方向分別為θX、θY及θZ方向。

<第1實施形態>

說明第1實施形態。圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置EX之一例的概略構成圖。本實施形態之曝光裝置EX係透過液體LQ以曝光用光EL使基板P曝光之液浸曝光裝置。於本實施形態，形成有將照射於基板P之曝光用光EL之光路以液體LQ加以充滿之液浸空間LS。液浸空間LS係被液體充滿之部分(空間、區域)。基板P係透過液浸空間LS之液體LQ以曝光用光EL加以曝光。本實施形態中，液體LQ係使用水(純水)。

本實施形態之曝光裝置EX，係例如美國專利第6897963號說明書、歐洲專利申請公開第1713113號說明書等所揭示之具備基板載台與測量載台的曝光裝置。

圖1中，曝光裝置EX，具備：可保持光罩M移動的光罩載台1、可保持基板P移動的基板載台2、不保持基板P而可搭載測量曝光用光EL之測量構件(測量器)C移動的測量載台3、測量基板載台2及測量載台3之位置的測量系統4、以曝光用光EL照明光罩M的照明系IL、將經曝光用光EL照明之光罩M之圖案之像投影至基板P的投影光學系PL、形成液體LQ之液浸空間LS的液浸構件5、控制曝光裝置EX全體之動作的控制裝置6、以及連接於控制裝置6用以儲存與曝光相關之各種資訊的記憶裝置7。

又，曝光裝置EX，亦具備支承投影光學系PL及包含測量系統4之各種測量系統的基準框架8A、支承基準框架8A的裝置框架8B、配置在基準框架8A與裝置框架8B之間用以抑制振動從裝置框架8B傳遞至基準框架8A的防振裝置10。防振裝置10包含彈簧裝置等。本實施形態中，防振裝置10包含氣體彈簧(例如air mount)。此外，亦可將檢測基板P上之對準標記的檢測系統及檢測基板P等物體之表面位置的檢測系統之一方或兩方支承於基準框架8A。

又，曝光裝置EX，具備調整曝光用光EL行進之空間CS之環境(温度、濕度、壓力及潔淨度中之至少一種)的腔室裝置9。腔室裝置9具有對空間CS供應氣體Gs之空調裝置9S。空調裝置9S係將溫度、濕度、以及潔淨度經調整之氣體Gs供應至空間CS。

於空間CS至少配置有投影光學系PL、液浸構件5、基板載台2及測量載台3。本實施形態中，光罩載台1及照明系IL之至少一部分亦配置於空間CS。

光罩M包含形成有待投影至基板P之元件圖案之標線片(reticle)。光罩M包含透射型光罩，此種透射型光罩具有例如玻璃板等之透明板、與在該透明板上使用鉻等遮光材料形成之圖案。又，光罩M亦可使用反射型光罩。

基板P係用以製造元件之基板。基板P包含例如半導體晶圓等基材與該基材上形成之感光膜。感光膜係感光材(photoresist光阻劑)之膜。又，基板P除感光膜外亦可再包含其他膜。例如，基板P可包含反射防止膜、或包含保護感光膜之保護膜(topcoat膜)。

照明系IL對照明區域IR照射曝光用光EL。照明區域IR包含從照明系IL射出之曝光用光EL可照射之位置。照明系IL以均勻照度分布之曝光用光EL照明配置在照明區域IR之光罩M之至少一部分。從照明系IL射出之曝光用光EL，係使用例如從水銀燈射出之輝線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)、ArF準分子雷射光(波長193nm)及F₂雷射光(波長157nm)等之真空紫外光(VUV光)等。本實施形態中，曝光用光EL係使用紫外光(真空紫外光)之ArF準分子雷射光。

光罩載台1能在保持光罩M之狀態下移動。光罩載台1係藉由例如美國專利第6452292號所揭示之包含平面馬達之驅動系統11之作動而移動。本實施形態中，光罩載台1可藉由驅動系統11之作動，移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ方向之6個方向。又，驅動系統11可不包含平面馬達。例如，驅動系統11可包含線性馬達。

投影光學系PL將曝光用光EL照射於投影區域PR。投影區域PR包含從投影光學系PL射出之曝光用光EL可照射到之位置。投影光學系PL將光罩M之圖案像以既定投影倍率投影至配置在投影區域PR之基板P之至少一部分。本實施形態中，投影光學系PL為縮小系。投影光學系PL之投影倍率為1/4。又，投影光學系PL之投影倍率亦可以是1/5、或1/8等。當然，投影光學系PL亦可以是等倍系及放大系之任一者。本實施形態中，投影光學系PL之光軸與Z軸平行。又，投影光學系PL可以是不包含反射光學元件之折射系、不包含折射光學元件之反射系、或包含反射光學元件與折射光學元件之反射折射系中之任一種。又，投影光學系PL可形成倒立像與正立像之任一種。

投影光學系PL，包含具有曝光用光EL射出之射出面12的終端光學元件13。射出面12朝向投影光學系PL之像面射出曝光用光EL。終端光學元件13係投影光學系PL之複數個光學元件中、最接近投影光學系PL之像面的光學元件。投影區域PR包含從射出面12射出之曝光用光EL可照射到之位置。本實施形態中，射出面12朝向-Z軸方向。從射出面12射出之曝光用光EL，行進於-Z軸方向。射出面12與XY平面平行。又，朝向-Z軸方向之射出面12可以是凸面、亦可以是凹面。此外，射出面12可相對XY平面傾斜、亦可包含曲面。本實施形態中，終端光學元件13之光軸AX與Z軸平行。

在與終端光學元件13之光軸AX平行之方向，射出面12側為-Z軸側、入射面側為+Z軸側。在與投影光學系PL之光軸平行之方向，投影光學系PL之像面側為-Z軸側、投影光學系PL之物體面側為+Z軸側。本實施形態中，射出面12側(像面側)在下側(下方)，入射面側(物體面側)在上側(上方)。

基板載台2，能在保持有基板P之狀態下，在包含來自射出面12之曝光用光EL可照射到之位置(投影區域PR)的XY平面內移動。測量載台3，能在搭載有測量構件(測量器)C之狀態下，在包含來自射出面12之曝光用光EL可照射到之位置(投影區域PR)的XY平面內移動。基板載台2及測量載台3之各個，能在基座構件14之導引面14G上移動。導引面14G與XY平面實質平行。

又，基板載台2具有例如美國專利申請公開第2007/0177125號說明書、及美國專利申請公開第2008/0049209號說明書等所揭 示之將基板P保持成可釋放之第1保持部與配置在第1保持部周圍、將覆蓋構件T保持成可釋放之第2保持部。第1保持部將基板P保持成基板P之表面(上面)與XY平面實質平行。被保持於第1保持部之基板P之上面與被保持於第2保持部之覆蓋構件T之上面，實質上配置在相同平面內。在Z軸方向，射出面12與被保持於第1保持部之基板P上面之距離，係與射出面12與被保持於第2保持部之覆蓋構件T上面之距離實質上相等。

此外，所謂射出面12與基板P上面之距離係與射出面12與覆蓋構件T上面之距離實質上相等，包含射出面12與基板P上面之距離與射出面12與覆蓋構件T上面之距離之差，在基板P曝光時之射出面12與基板P之上面之距離(所謂工作距離)之例如10%以內。此外，被保持於第1保持部之基板P之上面與被保持於第2保持部之覆蓋構件T之上面可以不是配置在相同平面內。例如，在Z軸方向，基板P上面之位置與覆蓋構件T上面之位置亦可相異。例如，基板P上面與覆蓋構件T上面之間亦可具有段差。此外，亦可覆蓋構件T之上面相對基板P之上面傾斜。覆蓋構件T之上面亦可包含曲面。

基板載台2及測量載台3，係藉由例如美國專利第6452292號所揭示之包含平面馬達之驅動系統15之作動而移動。驅動系統15具有配置在基板載台2之可動子2C、配置在測量載台3之可動子3C、與配置在基座構件14之固定子14M。基板載台2及測量載台3可分別藉由驅動系統15之作動，在導引面14G上移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ方向之6個方向。又，驅動系統15可不包含平面馬達。例如，驅動系統15可包含線性馬達。

測量系統4包含干涉儀系統。干涉儀系統包含對基板載台2之測量鏡(mirror)及測量載台3之測量鏡照射測量光，以測量該基板載台2及測量載台3之位置的單元。此外，測量系統可包含例如美國專利申請公開第2007/0288121號說明書所揭示之編碼器系統。此外，測量系統4亦可僅包含干涉儀系統及編碼器系統中之任一方。

實施基板P之曝光處理時、或實施既定測量處理時，控制裝置6根據測量系統4之測量結果，實施基板載台2(基板P)及測量載台3(測量構件C)之位置控制。

其次，說明本實施形態之液浸構件5。又，亦可將液浸構件稱為嘴(nozzle)構件。圖2係終端光學元件13及液浸構件5之與XZ平面平行的剖面圖。圖3係將圖2之一部分予以放大的圖。圖4從下側(-Z軸側)觀察液浸構件5的圖。圖5從下側(-Z軸側)觀察液浸構件5之第1構件21的圖。

終端光學元件13具有朝向-Z軸方向之射出面12與配置於射出面12周圍之外面131。曝光用光EL從射出面12射出。曝光用光EL不從外面131射出。曝光用光EL係通過射出面12而不通過外面131。外面131係不射出曝光用光EL之非射出面。本實施形態中，外面131係在相對終端光學元件13之光軸AX之放射方向朝外側向上方傾斜。

液浸構件5在能於終端光學元件13之下方移動之物體之表面(上面)上形成液體LQ之液浸空間LS。

能在終端光學元件13之下方移動之物體，可在包含與射出面12對向之位置的XY平面內移動。該物體之表面(上面)能與射出面12對 向、能配置於投影區域PR。該物體能在液浸構件5之下方移動、能與液浸構件5對向。

本實施形態中，該物體包含基板載台2之至少一部分(例如基板載台2之覆蓋構件T)、被保持於基板載台2(第1保持部)之基板P、及測量載台3中之至少一者。

於基板P之曝光中，形成一將終端光學元件13之射出面12與基板P間之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿之液浸空間LS。形成一在基板P被曝光用光EL照射時，僅包含投影區域PR之基板P之表面部分區域被液體LQ覆蓋之液浸空間LS。

以下之說明中，係設物體為基板P。又，如上所述，物體可以是基板載台2及測量載台3中之至少一方，亦可以是與基板P、基板載台2及測量載台3不同之其他物體。

有液浸空間LS形成為跨於兩個物體之情形。例如，有液浸空間LS形成為跨於基板載台2之覆蓋構件T與基板P之情形。亦有液浸空間LS形成為跨於基板載台2與測量載台3之情形。

液浸空間LS係以從終端光學元件13之射出面12射出之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿之方式形成。液浸空間LS之至少一部分形成在終端光學元件13與基板P(物體)間之空間。又，液浸空間LS之至少一部分形成在液浸構件5與基板P(物體)之間之空間。

液浸構件5，具備配置在曝光用光EL之光路周圍之至少一部分之包含第1部分211之第1構件21、與至少一部分相對光路K配置於第1部分211外側之第2構件22。第2構件22能相對曝光用光EL在第1 部分211外側相對第1構件21移動。

本實施形態中，第1部分211配置於從射出面12射出之曝光用光EL之光路K周圍之至少一部分。此外，第1部分211亦可配置於從射出面12射出之曝光用光EL之光路K周圍之至少一部分、以及在終端光學元件13之曝光用光EL之光路KL(在終端光學元件13行進之曝光用光EL之光路KL)周圍之至少一部分。換言之，本實施形態中，曝光用光EL之光路可係包含在射出面12與基板P(物體)間之曝光用光EL之光路K的概念，亦可係包含在終端光學元件13之曝光用光EL之光路KL的概念。第1部分211亦可係配置於光路K之周圍之至少一部分的部分，亦可係配置於光路K及光路KL(光路K及終端光學元件13)周圍之至少一部分的部分。

第1構件21之第1部分211包含第1構件21之最下部。第1構件21之第1部分211包含第1構件21之最接近基板P(物體)之表面(上面)之部位。本實施形態中，第1構件21之第1部分211配置在較終端光學元件13之射出面12下方處。此外，亦可係第1部分211之至少一部分配置於較射出面12上方處的概念。

第2構件22係可移動之可動構件。終端光學元件13實質上不移動。第1構件21亦實質上不移動。第1構件21相對終端光學元件13實質上不移動。

第1構件21配置成不與終端光學元件13接觸。於終端光學元件13與第1構件21之間形成間隙。第2構件22配置成不與終端光學元件13及第1構件21接觸。於第1構件21與第2構件22之間形成間隙。 第2構件22以不與終端光學元件13及第1構件21接觸之方式移動。

基板P(物體)能隔著間隙與終端光學元件13之至少一部分對向。基板P(物體)能隔著間隙與第1構件21之至少一部分對向。基板P(物體)能隔著間隙與第2構件22之至少一部分對向。基板P(物體)能在終端光學元件13、第1構件21、以及第2構件22之下方移動。

第1構件21之至少一部分係隔著間隙與終端光學元件13對向。本實施形態中，第1構件21與外面131對向，不與射出面12對向。

第2構件22之至少一部分隔著間隙與第1構件21對向。第2構件22不與終端光學元件13對向。於第2構件22與終端光學元件13之間配置第1構件21。

第1構件21包含配置於光路K周圍之至少一部分之第1部分211與配置於終端光學元件13周圍之至少一部分之第2部分212。第2部分212配置於第1部分211上方。本實施形態中，第1構件21係環狀之構件。第1部分211配置於光路K周圍。第2構件212配置於終端光學元件13周圍。

第1構件21，具有從射出面12射出之曝光用光EL能通過之第1開口部23、配置於第1開口部23周圍且朝向-Z軸方向之下面24、至少一部分與終端光學元件13之外面131對向之內面25、朝向內面25之相反方向之外面26、朝向+Z軸方向之上面27、朝向上面27之相反方向之下面28、以及在相對光軸AX之放射方向朝向外側之外面29。

下面24配置於第1開口部23之下端周圍。基板P(物體)之表面(上面)能與下面24對向。下面24不與第2構件22對向。第1開口部 23及下面24設於第1部分211。

內面25之至少一部分隔著間隙與外面131對向。內面25之一部分(下部)配置於光路K之周圍。內面25之一部分(上部)配置於終端光學元件13周圍。第1部分211包含內面25之一部分(下部)，第2部分212包含內面25之一部分(上部)。

外面26之至少一部分隔著間隙與第2構件22對向。第1部分211包含外面26之一部分(下部)，第2部分212包含外面26之一部分(上部)。

下面24配置成連結內面25之下端與外面26之下端。下面24內緣與內面25下端被連結。下面24外緣與外面26下端被連結。

上面27面對空間CS。上面27不與第2構件22對向。上面27與內面25之上端連結。上面27配置於內面25之上端周圍。第2部分212包含上面27。

下面28之至少一部分隔著間隙與第2構件22對向。下面28與外面26之上端連結。下面28配置於上面26之上端周圍。第2部分212包含下面28。

外面29面對空間CS。外面29不與第2構件22對向。外面29配置成連結上面27之外緣與下面28之外緣。第2部分212包含外面29。

下面24、內面25、外面26、上面27、下面28、以及外面29之各個為不能回收液體LQ之非回收部。下面24能在與基板P(物體)之間保持液體LQ。內面25能在與終端光學元件13之間保持液體LQ。外面26及下面28能在與第2構件22之間保持液體LQ。

以下說明中，將具有下面24、內面25、以及外面26之第1構件21之一部分適當稱為包圍部213，將具有上面27、下面28、以及外面29之第1構件21之一部分適當稱為上板部214。

包圍部213之至少一部分與終端光學元件13之外面131對向。包圍部213配置於光路K及終端光學元件13(光路KL)周圍。上板部214配置於包圍部213上方。上板部214與包圍部213之上端連結。包圍部213包含第1部分211。包圍部213包含第2部分212之一部分。上板部214包含第2部分212之一部分。於上板部214(第2部分212)下方配置第2構件22。此外，包圍部213亦可不包含第2部分212。此外，上板部214亦可包含第1部分211。

下面24配置於較射出面12下方處。下面24和與終端光學元件13之光軸AX(Z軸)垂直之平面(XY平面)實質平行。

內面25配置於較下面24上方處。內面25之至少一部分在相對光軸AX之放射方向朝向外側往上方傾斜。本實施形態中，內面25包含與下面24之內緣連結且與光軸AX(Z軸)實質平行之區域251、以及配置於較區域251上方且在相對光軸AX之放射方向朝向外側往上方傾斜之區域252。在Z軸方向，區域252之尺寸較區域251之尺寸大。

外面26配置於較下面24上方處。外面26之至少一部分在相對光軸AX之放射方向朝向外側往上方傾斜。外面26在相對光軸AX之放射方向配置於較下面24外側。

上面27配置於較下面24、內面25、外面26以及下面28上方處。上面27與XY平面實質平行。

下面28配置於較下面24及外面26上方處。下面28在相對光軸AX之放射方向配置於較下面24及外面26外側。於外面26與下面28之間形成段差。下面28與XY平面實質平行。

第2構件22配置成包圍第1部分211及第2部分212之至少一部分。此外，第2構件22亦可配置成包圍第1部分211之至少一部分而不包圍第2部分212。本實施形態中，第2構件22為環狀之構件。

本實施形態中，第2構件22配置於包圍部213之外側。第2構件22之至少一部分配置於上板部214下方。換言之，第2構件22之至少一部分配置於上板部214與基板P(物體)之間。本實施形態中，第2構件22配置於上板部214下方且為包圍部213外側之空間。第2構件22在上板部214下方且包圍部213外側之空間移動。

第2構件22，具有從射出面12射出之曝光用光EL能通過之第2開口部30、配置於第2開口部30周圍且朝向-Z軸方向之下面31、至少一部分與第1構件21之外面26對向之內面32、至少一部分朝向+Z軸方向之上面33、以及在相對光軸AX之放射方向朝向外側之外面34。

在XY平面內，第2開口部30較第1開口部23大。於第2開口部30之內側配置光路K及第1構件21之至少一部分。本實施形態中，於第2開口部30之內側配置第1構件21之第1部分211。

以下說明中，將第1構件21與第2構件22之間隙之一端(下端)之開口部適當稱為開口部301。開口部301配置於第1部分211與第2構件22之間。開口部301配置於下面24外緣與下面31內緣之間。第1構件21與第2構件22之間隙之一端(開口部)配置成與基板P(物體)之表面(上 面)對向。基板P(物體)上之液體LQ能從開口部301流入第1構件21與第2構件22之間隙。

下面31配置於第2開口部30(開口部301)之下端周圍。本實施形態中，下面31配置於下面24周圍。基板P(物體)之表面(上面)能與下面31對向。開口部301配置於下面24與下面31之間。

內面32之至少一部分隔著間隙與第1構件21對向。本實施形態中，內面32之至少一部分隔著間隙與外面26對向。內面32之至少一部分配置於包圍部213之周圍。下面31內緣與內面32下端連結。

上面33之至少一部分隔著間隙與第1構件21對向。上面33與內面32之上端連結。上面33配置於內面32之上端周圍。

外面34面對空間CS。外面34不與第1構件21對向。外面34配置成連結上面33之外緣與下面31之外緣。

下面31、內面32、上面33、以及外面34之各個係不能回收液體LQ之非回收部。下面31能在與基板P(物體)之間保持液體LQ。內面32及上面33能在與第1構件21之間保持液體LQ。

下面31配置於較射出面12下方處。下面31和與終端光學元件13之光軸AX(Z軸)垂直之平面(XY平面)實質平行。本實施形態中，下面24與下面31配置於相同平面內(同一面高)。

內面32配置於較下面31上方處。內面32之至少一部分於相對光軸AX之放射方向朝外側向上方傾斜。本實施形態中，內面32包含與下面31內緣連結且與光軸AX(Z軸)實質平行之區域321、以及配置於較區域321上方處且於相對光軸AX之放射方向朝外側向上方傾斜之區域 322。於Z軸方向，區域322之尺寸較區域321之尺寸大。

上面33配置於較下面31及內面32上方處。上面33於相對光軸AX之放射方向配置於較內面32外側處。本實施形態中，上面33包含與內面32上端連結之區域331、以及於相對光軸AX之放射方向配置於區域331外側且配置於較區域331上方之區域332。本實施形態中，於相對光軸AX之放射方向，區域332之尺寸較區域331小。區域331與XY平面實質平行。區域332與XY平面實質平行。於區域331與區域332之間形成段差。

本實施形態中，第2構件22於區域331周圍具有凸部(壁部)333。區域332包含凸部333之上面。

如圖4所示，在XY平面內，第1開口部23為實質圓形。第2開口部30亦為實質圓形。開口部301係環狀(圓環狀)。

如圖4所示，在XY平面內，第1構件21之外形為實質圓形。第2構件22之外形為四角形。區域332係環狀(圓環狀)。

以下說明中，將射出面12所面對之空間適當稱為光路空間SPK。光路空間SPK係射出面12側之空間。光路空間SPK係終端光學元件13與基板P(物體)間之空間。光路空間SPK係包含射出面12與基板P(物體)上面間之光路K之空間。

又，將下面24所面對之空間適當稱為第1空間SP1。第1空間SP1係下面24側之空間。第1空間SP1係第1構件21與基板P(物體)間之空間。第1空間SP1係下面24與基板P(物體)上面間之空間。

又，將下面31所面對之空間適當稱為第2空間SP2。第2 空間SP2係下面31側之空間。第2空間SP2係第1構件21與基板P(物體)間之空間。第2空間SP2係下面31與基板P(物體)上面間之空間。

此外，本實施形態中，第2空間SP2在Z軸方向之尺寸、亦即在Z軸方向之下面31與基板P(物體)之上面之距離係0.1mm~0.2mm。

又，將內面25所面對之空間適當稱為第3空間SP3。第3空間SP3係內面25側之空間。第3空間SP3係第1構件21與終端光學元件13之空間。第3空間SP3係內面25與外面131間之空間。

又，將內面32及上面33所面對之空間適當稱為第4空間SP4。第4空間SP4係內面32及上面33所面對之空間。第4空間SP4係第1構件21與第2構件22間之間隙(空間)。第4空間SP4係內面32及上面33與外面26及下面28間之空間。

又，將第4空間SP4中包圍部213(第1部分211)與第2構件22間之空間適當稱為空間SP4a，將上板部214(第2部分212)與第2構件22間之空間SP4適當稱為空間SP4b。

本實施形態中，第1構件21與第2構件22之間隙(第4空間SP4)包含尺寸Ha之第1間隙部分、以及相對終端光學元件13之光軸AX配置於第1間隙部分外側且為較尺寸Ha小之尺寸Hb之第2間隙部分。

本實施形態中，第1間隙部分包含區域331與下面28間之間隙(空間)。第2間隙部分包含區域332與下面28間之間隙(空間)。規定第2間隙部分之第1構件21之下面28與對向於該下面28之第2構件22之區域332係與XY平面實質平行。

本實施形態中，面對第1構件21與第2構件22之間隙(第 4空間SP4)之第1構件21之表面及第2構件22之表面一方或兩方之至少一部分對液體LQ亦可為撥液性。例如，第2構件22之上面33對液體LQ亦可為撥液性。第1構件21之下面28對液體LQ亦可為撥液性。對液體LQ為撥液性之表面，包含例如相對液體LQ之接觸角為90度以上之表面。此外，對液體LQ為撥液性之表面，例如亦可係相對液體LQ之接觸角為100度以上之表面，亦可係110度以上之表面，亦可係120度以上之表面。對液體LQ為撥液性之表面，包含對液體LQ為撥液性之膜之表面。該膜例如可係包含氟之樹脂膜之表面。例如上面33亦可係包含氟之樹脂膜之表面。下面28亦可係包含氟之樹脂膜之表面。對液體LQ為撥液性之膜可係包含PFA(Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)的膜。對液體LQ為撥液性之膜可係包含PTFE(Poly tetra fluoroethylene)的膜。

本實施形態中，液浸空間LS之液體LQ之界面LG之一部分形成於第2構件22與基板P(物體)之間。液浸空間LS之液體LQ之界面LG之一部分形成於第1構件21與第2構件22之間。液浸空間LS之液體LQ之界面LG之一部分形成於終端光學元件13第1構件21之間。

以下說明中，將形成於第2構件22與基板P(物體)間之界面LG適當稱為第1界面LG1。將形成於第1構件21與第2構件22間之液體LQ之界面LG適當稱為第2界面LG2。將形成於終端光學元件13與第1構件21間之界面LG適當稱為第3界面LG3。

液浸構件5，具備能供應液體LQ之第1液體供應部41、第2液體供應部42、以及第3液體供應部43、能回收液體LQ之第1液體回收部51、第2液體回收部52、以及第3液體回收部53、能供應氣體之第1 氣體供應部61。

第1液體供應部41配置於第1構件21之第1部分211。第1液體供應部41配置於第1開口部23周圍之至少一部分。第1液體供應部41配置成基板P(物體)上面能對向。第1液體供應部41配置成面對第1空間SP1。第1液體供應部41配置於下面24。

本實施形態中，第1液體供應部41包含配置於下面24且能供應液體LQ之開口(第1液體供應口)41M。如圖4所示，第1液體供應口41M以包圍光路K之方式配置複數個。第1液體供應口41M在光路K之周圍隔開間隔配置複數個。本實施形態中，複數個第1液體供應口41M配置成在XY平面內沿著圓形之假想線。

第1液體供應部41(第1液體供應口41M)透過形成於第1構件21內部之供應流路41R與液體供應裝置(未圖示)連接。液體供應裝置包含能使所供應之液體LQ潔淨之過濾器裝置及能調整所供應之液體LQ溫度之溫度調整裝置等，能供應潔淨且經溫度調整之液體LQ。從液體供應裝置送出之液體LQ經由供應流路41R送至第1液體供應部41。第1液體供應部41將經由供應流路41R而從液體供應裝置供應之液體LQ供應至第1空間SP1。

第2液體供應部42配置於第2構件22。第2液體供應部42配置於第2開口部30周圍之至少一部分。第2液體供應部42配置成基板P(物體)之上面能對向。第2液體供應部42配置成面對第2空間SP2。第2液體供應部42配置於下面31。

本實施形態中，第2液體供應部42包含配置於下面31且能 供應液體LQ之開口(第2液體供應口)42M。如圖4所示，第2液體供應口42M於下面31配置有複數個。第2液體供應口42M以包圍光路K之方式配置有複數個。第2液體供應口42M在光路K周圍隔著間隔配置有複數個。本實施形態中，複數個第2液體供應口42M配置成在XY平面內沿著四角形之假想線。

第2液體供應部42(第2液體供應口42M)透過形成於第2構件22內部之供應流路42R與液體供應裝置(未圖示)連接。從液體供應裝置送出之液體LQ經由供應流路42R送至第2液體供應部42。第2液體供應部42將經由供應流路42R而從液體供應裝置供應之液體LQ供應至第2空間SP2。

第3液體供應部43配置於第1構件21。本實施形態中，第3液體供應部43配置於第1構件21之第1部分211。第3液體供應部43配置於光路K周圍之至少一部分。第3液體供應部43配置成面對光路K。第3液體供應部43配置成面對光路空間SPK。第3液體供應部43配置於內面25。

本實施形態中，第3液體供應部43包含配置於內面25且能供應液體LQ之開口(第3液體供應口)43M。第3液體供應口43M於內面25配置有複數個。第3液體供應口43M亦可相對光路K分別配置於+X側及-X側。第3液體供應口43M亦可相對光路K分別配置於+Y側及-Y側。第3液體供應口43M亦可相對光路K分別配置於+X側、-X側、+Y側、以及-Y側。第3液體供應口43M亦可以包圍光路K之方式配置有複數個。

第3液體供應部43(第3液體供應口43M)透過形成於第1構件21內部之供應流路43R與液體供應裝置(未圖示)連接。從液體供應裝置送出之液體LQ經由供應流路43R送至第3液體供應部43。第3液體供應部43將經由供應流路43R而從液體供應裝置供應之液體LQ供應至光路空間SPK。

此外，第3液體供應部43(第3液體供應口43M)亦可於第1構件21配置成面對第3空間SP3。亦即，第3液體供應口43M亦可於第1構件21之內面25配置成與外面131對向。第3液體供應部43亦可對第1構件21與終端光學元件13間之間隙(第3空間SP3)供應液體LQ。在第1部分211為光路K及光路KL(終端光學元件13)周圍所配置之第1構件21之一部分時，第3液體供應部43亦可於第1部分211配置成與終端光學元件13之外面131對向。

第1液體回收部51配置於第2構件22。第1液體回收部51配置於第2開口部30周圍之至少一部分。第1液體回收部51配置成能與基板P(物體)之上面對向。第1液體回收部51配置成面對第2空間SP2。第1液體回收部51配置於下面31。

本實施形態中，第1液體回收部51包含配置於下面31且能回收液體LQ之開口(第1液體供應口)51M。如圖4所示，第1液體回收口51M於下面31配置有複數個。第1液體回收口51M以包圍光路K之方式配置有複數個。第1液體回收口51M在光路K周圍隔著間隔配置有複數個。本實施形態中，複數個第1液體回收口51M配置成在XY平面內沿著四角形之假想線。

第1液體回收部51(第1液體回收口51M)透過形成於第2構件22內部之回收流路51R與液體回收裝置(未圖示)連接。液體回收裝置能連接第1液體回收部51與真空系統(吸引裝置)。液體回收裝置亦可具備收容被回收之液體LQ之槽。第1液體回收部51能回收第2空間SP2之液體LQ之至少一部分。從第1液體回收部51回收之液體LQ透過回收流路51R被回收至液體回收裝置。

本實施形態中，第1液體回收部51(第1液體回收口51M)係吸引(回收)第2空間SP2之液體LQ與氣體G之兩方。第1液體回收部51能將液體LQ與氣體G一起回收。換言之，第1液體回收部51係氣液混合回收。又，在第1液體回收部51(第1液體回收口51M)下不存在液體LQ時，亦可從第1液體回收部51(第1液體回收口51M)僅回收氣體。

第2液體回收部52配置於第1構件21。第2液體回收部52能回收從基板P(物體)上流入第1構件21與第2構件22之間隙(第4空間SP4)之液體LQ之至少一部分。第2液體回收部52能回收透過開口部301流入第1構件21與第2構件22之間之第4空間SP4之液體LQ之至少一部分。第2液體回收部52配置成面對第4空間SP4。第2液體回收部52係在第4空間SP4內側配置在較開口部301上方處。本實施形態中，第2液體回收部52配置於第1構件21之第2部分212。本實施形態中，第2液體回收部52於上板部214(第2部分212)配置成面對上板部214(第2部分212)與第2構件22間之空間SP4b。本實施形態中，第2液體回收部52配置於下面28。第2液體回收部52從空間SP4b中之尺寸Ha之第1間隙部分回收液體LQ。

第2液體回收部52(第2液體回收口52M)透過形成於第1構件21內部之回收流路52R與液體回收裝置(未圖示)連接。第2液體回收部52能回收第4空間SP4之液體LQ之至少一部分。從第2液體回收部52回收之液體LQ透過回收流路52R被回收至液體回收裝置。

本實施形態中，第2液體回收部52包含多孔構件57。多孔構件57包含網孔板(mesh plate)。多孔構件57，具有上面33可對向之下面、面向回收流路52R之上面、以及將下面與上面加以連結之複數個孔。下面28配置於多孔構件57下面周圍。第2液體回收部52透過多孔構件57之孔回收液體LQ。本實施形態中，多孔構件57之孔發揮能回收液體LQ之開口(第2液體回收口)52M的功能。從第2液體回收部52(第2液體回收口52M)回收之第4空間SP4之液體LQ流入回收流路52R，並流經該回收流路52R而被液體回收裝置回收。

本實施形態中，係透過第2液體回收部52實質地僅回收液體LQ，氣體G之回收則被限制。控制裝置6係將多孔構件57下面側之壓力(第4空間SP4之壓力)與上面側之壓力(回收流路52R之壓力)之差調整成第4空間SP4之液體LQ通過多孔構件57之孔流入回收流路52R且氣體G不通過。此外，透過多孔構件僅回收液體之技術之一例，已揭示於例如美國專利第7292313號等中。

此外，第2液體回收部52亦可透過多孔構件57回收(吸引)液體LQ及氣體之兩方。亦即，第2液體回收部52可將液體LQ與氣體一起回收。又，第2液體回收部52之下無液體LQ存在時，可從第2液體回收部52僅回收氣體。此外，第2液體回收部52亦可不具有多孔構件。亦 即，亦可不透過多孔構件而回收第4空間SP4之流體(液體LQ及氣體G之一方或兩方)。

第3液體回收部53配置於第1構件21。第3液體回收部53係從終端光學元件13與第1構件21之間隙(第3空間SP3)回收液體LQ。第3液體回收部53能回收流入終端光學元件13與第1構件21間之第3空間SP3之液體LQ之至少一部分。第3液體回收部52配置成面對第3空間SP3。第3液體回收部53係側配置在較第1開口部23上方處。第3液體回收部53配置於較第3液體供應部43上方處。第3液體回收部53配置於較射出面12上方處。第3液體回收部53配置成與終端光學元件13之外面131對向。第3液體回收部53配置於第1部分211。第1部分211亦可係配置於光路K之周圍之第1構件21之一部分，亦可係包含配置於光路KL(終端光學元件13)周圍之第1構件21之一部分的概念。本實施形態中，第3液體回收部53配置於內面25。

第3液體回收部53(第3液體回收口53M)透過形成於第1構件21內部之回收流路53R與液體回收裝置(未圖示)連接。第3液體回收部53能回收第3空間SP3之液體LQ之至少一部分。從第3液體回收部53回收之液體LQ透過回收流路53R被回收至液體回收裝置。

本實施形態中，第3液體回收部53包含多孔構件58。多孔構件58包含網孔板。多孔構件58，具有能與外面131對向之一面、面對回收流路53R之另一面、以及將一面與另一面加以連結之複數個孔。本實施形態中，內面25配置於多孔構件58之一面周圍。第3液體回收部53透過多孔構件58之孔回收液體LQ。本實施形態中，多孔構件58之孔發揮能回 收液體LQ之開口(第3液體回收口)53M的功能。從第3液體回收部53(第3液體回收口53M)回收之第3空間SP3之液體LQ流入回收流路53R，並流經該回收流路53R而被液體回收裝置回收。

本實施形態中，係透過第3液體回收部53實質地僅回收液體LQ，氣體G之回收則被限制。控制裝置6係將多孔構件58之一面側之壓力(第3空間SP3之壓力)與另一面側之壓力(回收流路53R之壓力)之差調整成第3空間SP3之液體LQ通過多孔構件58之孔流入回收流路53R且氣體G不通過。此外，透過多孔構件僅回收液體之技術之一例，已揭示於例如美國專利第7292313號等中。

此外，第3液體回收部52亦可透過多孔構件58回收(吸引)液體LQ及氣體之兩方。亦即，第3液體回收部53可將液體LQ與氣體一起回收。又，第3液體回收部53之下無液體LQ存在時，可從第3液體回收部53僅回收氣體。此外，第3液體回收部53亦可不具有多孔構件58。亦即，亦可不透過多孔構件而回收第3空間SP3之流體(液體LQ及氣體G之一方或兩方)。

第1氣體供應部61配置於第2構件22。第1氣體供應部61配置於第2開口部30周圍之至少一部分。第1氣體供應部61配置成基板P(物體)之上面能對向。第1氣體供應部61配置成面對第2空間SP2。第1氣體供應部61配置於下面31。

本實施形態中，第1氣體供應部61包含配置於下面31且能供應氣體G之開口(第1氣體供應口)61M。如圖4所示，第1氣體供應口41M於下面31配置有複數個。第1氣體供應口61M以包圍光路K之方式 配置有複數個。第1氣體供應口61M在光路K周圍隔著間隔配置有複數個。本實施形態中，複數個第1氣體供應口61M配置成在XY平面內沿著四角形之假想線。

第1氣體供應部61(第1氣體供應口61M)透過形成於第2構件22內部之供應流路61R與氣體供應裝置(未圖示)連接。氣體供應裝置包含能使所供應之氣體G潔淨之過濾器裝置及能調整所供應之氣體G溫度之溫度調整裝置等，能供應潔淨且經溫度調整之氣體G。又，本實施形態中，氣體供應裝置包含能調整所供應之氣體G之濕度之濕度調整裝置，能供應例如加濕後之氣體G。濕度調整裝置能以形成液浸空間LS之液體LQ(曝光用之液體LQ)提高氣體G之濕度。從氣體供應裝置送出之氣體G經由供應流路61R送至第1氣體供應部61。第1氣體供應部61將經由供應流路61R而從氣體供應裝置供應之氣體G供應至第2空間SP2。

本實施形態中，第1氣體供應部61於相對光軸AX之放射方向配置於第1液體回收部51外側。

第2液體供應部42於相對光路K(光軸AX)之放射方向配置於光路K與第1液體回收部51之間。第2液體供應部42於相對第2開口部30中心之放射方向配置於第2開口部30中心與第1液體回收部51之間。

第1液體供應部41於相對光路K(光軸AX)之放射方向配置於光路K與第2液體供應部42之間。第1液體供應部41於相對第1開口部23中心之放射方向配置於第1開口部23中心與開口部301之間。

第3液體供應部43配置於較第2液體供應部42更靠光路K側。第3液體供應部43配置於較第1、第2液體供應部41、42上方處。第 3液體供應部43配置於較第3液體回收部53下方處。第3液體供應部43配置於較第3液體回收部53更靠光路K側。

第2液體回收部52配置於較第1、第2液體供應部41、42上方處。第2液體回收部52配置於較開口部301上方處。第2液體回收部52於相對光路K(光軸AX)之放射方向配置於較開口部301外側。

第3空間SP3透過與第1開口部23不同之開口部35連通於液浸構件5外部之空間CS。開口部35配置於終端光學元件13與第1構件21之間隙上端。第3空間SP3透過開口部35開放至空間CS(液浸構件5周圍之環境氣體)。在空間CS為大氣壓時，第3空間SP3係透過開口部35往大氣開放。此外，空間CS之壓力亦可較大氣壓高，亦可較低。

開口部35配置於較第1開口部23高之位置。開口部35配置於外面131與上面27(上面27內緣)之間。開口部35不與基板P(物體)上之液體LQ接觸。

第4空間SP4透過與開口部301不同之開口部302連通於液浸構件5外部之空間CS。開口302配置於第1構件21與第2構件22之間隙(第4空間SP4)另一端。第4空間SP4透過開口302開放至空間CS(液浸構件5周圍之環境氣體)。在空間CS為大氣壓時，第4空間SP4係透過開口302往大氣開放。此外，空間CS之壓力亦可較大氣壓高，亦可較低。

第1構件21與第2構件22之間隙另一端(開口部302)配置於較第1構件21與第2構件22之間隙一端(開口部301)高之位置。開口部302配置於下面28(下面28外緣)與上面33(上面33外緣)之間。換言之，開口部302配置於外面29與外面34之間。開口部301配置成不與基板P(物 體)表面對向。開口部302不與基板P(物體)上之液體LQ接觸。

第2空間SP2透過開口部36連通於液浸構件5外部之空間CS。開口36配置於第2構件22與基板P(物體)之間隙另一端。開口部36配置於下面31(下面31外緣)與基板P(物體)之上面之間。第2空間SP2透過開口36開放至空間CS(液浸構件5周圍之環境氣體)。在空間CS為大氣壓時，第2空間SP2係透過開口36往大氣開放。此外，空間CS之壓力亦可較大氣壓高，亦可較低。

第2空間SP2與第4空間SP4係透過開口部301而連結。第1空間SP1與第4空間SP4係透過開口部301而連結。第1空間SP1與光路空間SPK係透過第1開口部23而連結。光路空間SPK與第3空間SP3係透過射出面12與內面25間之開口部37而連結。

亦即，流體(液體LQ及氣體G之一方或兩方)能在光路空間SPK與第3空間SP3之間流通(移動)，能在光路空間SPK與第1空間SP1之間流通(移動)，能在第1空間SP1與第3空間SP3之間流通(移動)，能在第2空間SP2與第3空間SP3之間流通(移動)，能在第1空間SP1與第2空間SP2之間流通(移動)。

又，第2液體回收部52(多孔構件57)所面對之第4空間SP4之壓力可藉由腔室裝置9來調整。回收流路57R之壓力可藉由連接於該回收流路57R之液體回收裝置來調整。

又，第3液體回收部53(多孔構件58)所面對之第3空間SP3之壓力可藉由腔室裝置9來調整。回收流路58R之壓力可藉由連接於該回收流路58R之液體回收裝置來調整。

本實施形態中，係藉由與從第1液體供應部41、第2液體供應部42、以及第3液體供應部43之至少一個之液體LQ供應動作並行地，實施液體LQ從第1液體回收部51之回收動作，據以在一側之終端光學元件13及液浸構件5與另一側之基板P(物體)之間以液體LQ形成液浸空間LS。

在進行第1液體供應部41之液體LQ之供應動作時，第1液體回收部51能回收來自第1液體供應部41之液體LQ之至少一部分。在進行第2液體供應部42之液體LQ之供應動作時，第1液體回收部51能回收來自第2液體供應部42之液體LQ之至少一部分。在進行第3液體供應部43之液體LQ之供應動作時，第1液體回收部51能回收來自第3液體供應部43之液體LQ之至少一部分。

藉由進行從第1液體回收部51之液體LQ之回收動作，液浸空間LS之液體LQ之界面LG(第1界面LG1)係於相對光軸AX(光路K)之放射方向維持於較第1液體回收部51內側。第1界面LG1至少維持於較第1液體回收部51(第1液體回收口51M)外側端部更內側。

例如，藉由與從第2液體供應部42之液體LQ之供應動作並行地執行從第1液體回收部51之液體LQ回收動作，液浸空間LS之液體LQ之界面LG(第1界面LG1)係於相對光軸AX(光路K)之放射方向維持於第2液體供應部42與第1液體回收部51之間。第1界面LG1至少維持於第2液體供應部42與第1液體回收部51(第1液體回收口51M)外側端部之間。藉由與從第2液體供應部42之液體LQ之供應動作並行地執行從第1液體回收部51之液體LQ回收動作，即使在形成有液浸空間LS之狀態下 第2構件22在XY平面內移動，第1界面LG1亦維持於第2液體供應部42與第1液體回收部51之間。

又，本實施形態中，係藉由與從第1液體供應部41、第2液體供應部42、以及第3液體供應部43之至少一個之液體LQ供應動作、以及從第1液體回收部51之液體LQ回收動作並行地，實施液體LQ從第2液體回收部52之回收動作。藉此，抑制經由開口部301流入第4空間SP4之液體LQ從第4空間SP4流出。

又，本實施形態中，係藉由與從第1液體供應部41、第2液體供應部42、以及第3液體供應部43之至少一個之液體LQ供應動作、以及從第1液體回收部51之液體LQ回收動作並行地，實施液體LQ從第3液體回收部53之回收動作。藉此，抑制流入第3空間SP3之液體LQ從第3空間SP3流出。

又，本實施形態中，係藉由與從第1液體供應部41、第2液體供應部42、以及第3液體供應部43之至少一個之液體LQ供應動作、以及從第1液體回收部51之液體LQ回收動作並行地，實施氣體G從第1氣體供應部61之供應動作。第1氣體供應部61能在液浸空間LS外側供應氣體G。藉由從第1氣體供應部61供應之氣體G，於液浸空間LS外側形成氣封。藉此，抑制第2空間SP2之液體LQ從第2空間SP2流出。

本實施形態中，亦可從第1氣體供應部61供應加濕後之氣體G。從第1氣體供應部61供應之氣體G之濕度，較從腔室裝置9之空調裝置9S供應之氣體Gs之濕度高。藉由供應加濕後之氣體G，來抑制氣化熱之產生。藉此，抑制伴隨氣化熱之產生之基板P(物體)之溫度變化、液浸 構件5之溫度變化、液浸空間LS之液體LQ之溫度變化、以及配置有液浸構件5之空間(環境)之溫度變化等之產生。

其次，說明第2構件22之一動作例。

第2構件22可相對第1構件21移動。第2構件22可相對終端光學元件13移動。第2構件22與第1構件21之相對位置會變化。第2構件22與終端光學元件13之相對位置會變化。

第2構件22能在與終端光學元件13之光軸AX垂直之XY平面內移動。第2構件22能與XY平面實質平行地移動。本實施形態中，第2構件22至少能移動於X軸方向。

此外，第2構件22亦可移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ之六個方向，亦可移動於該等六個方向之至少一個方向。此外，第2構件22除了X軸方向以外，亦可移動於Y軸、Z軸、θX、θY及θZ之至少一個方向。

藉由第2構件22在XY平面內移動，例如第1構件21之外面26與第2構件22之內面32之間隙尺寸係變化。換言之，藉由第2構件22在XY平面內移動，外面26與內面32間之空間大小係變化。例如，藉由第2構件22往-X軸方向移動，相對終端光學元件13在+X側之外面26與內面32之間隙尺寸係變小(外面26與內面32間之空間係變小)。藉由第2構件22往+X軸方向移動，相對終端光學元件13在+X側之外面26與內面32之間隙尺寸係變大(外面26與內面32間之空間係變大)。

本實施形態中，係以第1構件21(外面26)與第2構件22(內面32)不接觸之方式決定第2構件22之移動可能範圍(可動範圍)。

第2構件22能與基板P(物體)之移動協力移動。第2構件22亦可與基板P(物體)分開獨立移動。第2構件22能與基板P(物體)之移動之至少一部分並行移動。

第2構件22亦可與基板P(物體)移動之期間之至少一部分並行移動。第2構件22能移動於基板P(物體)之移動方向。例如，亦可在基板P移動之期間之至少一部分中，第2構件22移動於基板P之移動方向。例如，亦可在基板P移動於在XY平面內之一方向(例如+X軸方向)時，第2構件22與該基板P之移動同步地移動於在XY平面內之一方向(+X軸方向)。

第2構件22亦可在形成有液浸空間LS之狀態下移動。第2構件22亦可在與液浸空間LS之液體LQ接觸之狀態下移動。第2構件22亦可在第2空間SP2及第4空間SP4存在有液體LQ之狀態下移動。

第2構件22亦可與從第1液體供應部41、第2液體供應部42、以及第3液體供應部43之至少一個之液體LQ供應動作並行地移動。

第2構件22亦可與從第1液體回收部51、第2液體回收部52、第3液體回收部53之至少一個之液體LQ回收動作並行地移動。

第2構件22亦可與從第1氣體供應部61之氣體G之供應動作並行地移動。

第2構件22亦可在從射出面12射出曝光用光EL之期間之至少一部分移動。

第2構件22亦可在形成有液浸空間LS之狀態下與基板P(物體)移動之期間之至少一部分並行地移動。

第2構件22亦可在形成有液浸空間LS之狀態下在從射出面12射出曝光用光EL之期間之至少一部分移動。

第2構件22，亦可在第2構件22與基板P(物體)不對向時之狀態下移動。第2構件22亦可在該第2構件22之下方不存在物體時移動。

第2構件22，亦可在第2構件22與基板P(物體)間之空間不存在液體LQ時移動。第2構件22亦可在沒有形成液浸空間LS時移動。

本實施形態中，第2構件22，例如係根據基板P(物體)之移動條件移動。控制裝置6，例如根據基板P(物體)之移動條件，與基板P(物體)之移動之至少一部分並行，使第2構件22移動。控制裝置6，一邊進行液體LQ從第1、第2、第3液體供應部41、42、43之至少一個之供應與液體LQ從第1液體回收部51之回收以持續形成液浸空間LS、一邊移動第2構件22。

本實施形態中，第2構件22能以和基板P(物體)之相對移動小之方式移動。第2構件22能以第2構件22與基板P(物體)之相對移動較終端光學元件13與基板P(物體)之相對移動小之方式移動。第2構件22能以第2構件22與基板P(物體)之相對移動較第1構件21與基板P(物體)之相對移動小之方式移動。第2構件22亦可與基板P(物體)同步移動。例如，第2構件22亦可以追隨基板P(物體)之方式移動。

相對移動包含相對速度及相對加速度之至少一方。例如，第2構件22，亦可在形成有液浸空間LS之狀態、亦即第2空間SP2中存在液體LQ之狀態下，以和基板P(物體)之相對速度變小之方式移動。

又，第2構件22，可在形成有液浸空間LS之狀態、亦即第2空間SP2中存在液體LQ之狀態下，以和基板P(物體)之相對加速度變小之方式移動。

又，第2構件22，亦可在形成有液浸空間LS之狀態、亦即第2空間SP2中存在液體LQ之狀態下，以和基板P(物體)之相對速度較第1構件21與基板P(物體)之相對速度小之方式移動。

又，第2構件22，亦可在形成有液浸空間LS之狀態、亦即第2空間SP2中存在液體LQ之狀態下，以和基板P(物體)之相對加速度較第1構件21與基板P(物體)之相對加速度小之方式移動。

第2構件22，例如可於基板P(物體)之移動方向移動。例如，在基板P(物體)往+X軸方向(或-X軸方向)移動時，第2構件22可往+X軸方向(或-X軸方向)移動。又，在基板P(物體)一邊往+X軸方向移動、一邊往+Y軸方向(或-Y軸方向)移動時，第2構件22可往+X軸方向移動。此外，在基板P(物體)一邊往-X軸方向移動、一邊往+Y軸方向(或-Y軸方向)移動時，第2構件22可往-X軸方向移動。

亦即，本實施形態中，基板P(物體)往包含X軸方向成分之方向移動時，第2構件22可往X軸方向移動。例如，亦可與基板P(物體)往包含X軸方向成分之方向移動之至少一部分並行地，第2構件22往X軸方向移動。

此外，第2構件22亦可往Y軸方向移動。在基板P(物體)往包含Y軸方向成分之方向移動時，第2構件22亦可往Y軸方向移動。例如，亦可與基板P(物體)往包含Y軸方向成分之方向移動之至少一部分並 行地，以與基板P(物體)之相對速度差變小之方式，第2構件22往Y軸方向移動。

其次，針對使用上述之曝光裝置EX使基板P曝光之方法加以說明。

以下說明中，係從第1液體供應部41、第2液體供應部42、以及第3液體供應部43之各個供應液體LQ且從第1液體回收部51、第2液體回收部52、以及第3液體回收部53之各個回收液體LQ，以形成液浸空間LS。

又，以下說明中，將第1、第2、第3液體供應部41、42、43合稱為液體供應部40。將第1、第2、第3液體回收部51、52、53合稱為液體回收部50。

此外，亦可從第3液體供應部43供應液體LQ，而不從第1、第2液體供應部41、42供應液體LQ。亦可從第2、第3液體供應部42、43供應液體LQ，而不從第1液體供應部41供應液體LQ。亦可從第2液體供應部42供應液體LQ，而不從第1、第3液體供應部41、43供應液體LQ。亦可從第1、第2液體供應部41、42供應液體LQ，而不從第3液體供應部43供應液體LQ。亦可從第1液體供應部41供應液體LQ，而不從第2、第3液體供應部42、43供應液體LQ。

又，例如亦可從第1液體回收部51回收液體LQ，而不從第2、第3液體回收部52、53回收液體LQ。亦可從第1、第2液體回收部51、52回收液體LQ，而不從第3液體回收部53回收液體LQ。亦可從第1、第3液體回收部51、53回收液體LQ，而不從第2液體回收部52回收液體 LQ。

在離開液浸構件5之基板更換位置，進行將曝光前之基板P搬入(裝載於)基板載台2(第1保持部)之處理。在基板載台2離開液浸構件5之期間之至少一部分中，將測量載台3配置成與終端光學元件13及液浸構件5對向。控制裝置6，進行液體LQ從液體供應部40之供應與液體LQ從液體回收部50之回收，於測量載台3上形成液浸空間LS。

在將曝光前之基板P裝載於基板載台2、使用測量載台3之測量處理結束後，控制裝置6移動基板載台2，以使終端光學元件13及液浸構件5與基板載台2(基板P)對向。在終端光學元件13及液浸構件5與基板載台2(基板P)對向之狀態下，與液體LQ從液體供應部40之供應並行實施液體LQ從液體回收部50之回收，據以在終端光學元件13及液浸構件5與基板載台2(基板P)之間，形成光路K被液體LQ充滿之液浸空間LS。

控制裝置6，開始基板P之曝光處理。控制裝置6，在基板P上形成有液浸空間LS之狀態下，從照明系IL射出曝光用光EL。照明系IL以曝光用光EL照明光罩M。來自光罩M之曝光用光EL，透過投影光學系PL及射出面12與基板P間之液浸空間LS之液體LQ，照射於基板P。據此，基板P即被透過終端光學元件13之射出面12與基板P間之液浸空間LS之液體LQ而從射出面12射出之曝光用光EL曝光，將光罩M之圖案之像投影於基板P。

本實施形態之曝光裝置EX，係一邊使光罩M與基板P同步移動於既定掃描方向、一邊將光罩M之圖案之像投影至基板P之掃描型曝光裝置(所謂掃描步進機)。本實施形態中，以基板P之掃描方向(同步移動 方向)為Y軸方向、光罩M之掃描方向(同步移動方向)亦為Y軸方向。控制裝置6使基板P相對投影光學系PL之投影區域PR移動於Y軸方向，並與該基板P往Y軸方向之移動同步，一邊相對照明系IL之照明區域IR使光罩M移於Y軸方向、一邊透過投影光學系PL與基板P上之液浸空間LS之液體LQ對基板P照射曝光用光EL。

圖6係顯示被保持於基板載台2之基板P之一例的圖。本實施形態中，為曝光對象區域之照射(shot)區域S於基板P上配置有複數個成矩陣狀。控制裝置6，一邊相對從終端光學元件13之射出面12射出曝光用光EL使保持於第1保持部之基板P移動於Y軸方向(掃描方向)，一邊透過射出面12與基板P之間之液浸空間LS之液體LQ以從射出面12射出之曝光用光EL使基板P之複數個照射區域S依序曝光。

例如為使基板P之第1照射區域S曝光，控制裝置6在形成有液浸空間LS之狀態下，使基板P相對從射出面12射出之曝光用光EL(投影光學系PL之投影區域PR)移動於Y軸方向，並與該基板P往Y軸方向之移動同步，一邊相對照明系IL之照明區域IR使光罩M移動於Y軸方向、一邊透過投影光學系PL與基板P上之液浸空間LS之液體LQ對該照射區域S照射曝光用光EL。據此，光罩M之圖案之像即被投影於基板P之照射區域S，該照射區域S即因從射出面12射出之曝光用光EL而曝光。

在該照射區域S之曝光結束後，控制裝置6為開始其次之照射區域S之曝光，在形成有液浸空間LS之狀態下，使基板P於XY平面內與X軸交叉之方向(例如X軸方向、或XY平面內相對X軸及Y軸方向傾斜之方向等)移動，使次一照射區域S移動至曝光開始位置。之後，控制 裝置6即開始該照射區域S之曝光。

控制裝置6，在基板P(基板載台2)上形成有液浸空間LS之狀態下，反覆進行一邊相對來自射出面12之曝光用光EL照射之位置(投影區域PR)使照射區域移動於Y軸方向一邊使該照射區域曝光的動作，與在該照射區域之曝光後在基板P(基板載台2)上形成有液浸空間LS之狀態下，將基板P移動於XY平面內與Y軸方向交叉之方向(例如X軸方向、或XY平面內相對X軸及Y軸方向傾斜之方向等)以將次一照射區域配置於曝光開始位置的動作，一邊使基板P之複數個照射區域依序曝光。

以下說明中，將為使照射區域曝光而在基板P(基板載台2)上形成有液浸空間LS的狀態下，相對來自射出面12之曝光用光EL照射之位置(投影區域PR)使基板P(照射區域)移動於Y軸方向的動作，適當的稱為掃描移動動作。並將某一照射區域之曝光完成後，在基板P(基板載台2)上形成有液浸空間LS的狀態下，在開始次一照射區域之曝光為止之期間，於XY平面內移動基板P之動作，適當的稱為步進移動動作。

本實施形態中，掃描移動動作，包含基板P往Y軸方向從某照射區域S配置於曝光開始位置之狀態移動成配置於曝光結束位置之狀態的動作。步進移動動作，包含基板P在XY平面內往與Y軸方向交叉之方向從某照射區域S配置於曝光開始位置之狀態移動成次一照射區域S配置於曝光結束位置之狀態的動作。

曝光開始位置，包含為了使某照射區域S曝光而該照射區域S在Y軸方向之一端部通過投影區域PR之時點之基板P之位置。曝光結束位置，包含被照射曝光用光EL之該照射區域S在Y軸方向之另一端 部通過投影區域PR之時點之基板P之位置。

照射區域S之曝光開始位置包含用以曝光該照射區域S之掃描移動動作開始位置。照射區域S之曝光開始位置包含用以將該照射區域S配置於曝光開始位置之步進移動動作結束位置。

照射區域S之曝光結束位置包含用以曝光該照射區域S之掃描移動動作結束位置。照射區域S之曝光結束位置包含用以將次一照射區域S配置於曝光開始位置之步進移動動作開始位置。

以下說明中，將為了某照射區域S之曝光而進行掃描移動動作之期間適當稱為掃描移動期間。以下說明中，將為了某照射區域S之曝光結束至次一照射區域S之曝光開始而進行步進移動動作之期間適當稱為步進移動期間。

掃描移動期間，包含某照射區域S之曝光開始至曝光結束為止之曝光期間。步進移動期間，包含某照射區域S之曝光結束至次一照射區域S之曝光開始為止之基板P之移動期間。

於掃描移動動作中，會從射出面12射出曝光用光EL。於掃描移動動作中，對基板P(物體)照射曝光用光EL。於步進移動動作中，不會從射出面12射出曝光用光EL。於步進移動動作中，對基板P(物體)不照射曝光用光EL。

控制裝置6一邊反覆掃描移動動作與步進移動動作、一邊使基板P之複數個照射區域S依序曝光。又，掃描移動動作主要係在Y軸方向之等速移動。步進移動動作包含加減速度移動。例如，某照射區域S之曝光結束至次一照射區域S之曝光開始為止之基板P之期間之步進移動動 作，包含於Y軸方向之加減速移動、及於X軸方向之加減速移動之一方或兩方。

又，於掃描移動動作及步進移動動作之至少一部分中，亦有液浸空間LS之至少一部分形成在基板載台2(覆蓋構件T)上之情形。於掃描移動動作及步進移動動作之至少一部分中，有液浸空間LS形成為跨基板P與基板載台2(覆蓋構件T)之情形。在基板載台2與測量載台3接近或接觸之狀態下進行基板P之曝光的情形，有在掃描移動動作及步進移動動作之至少一部分中液浸空間LS形成為跨基板載台2(覆蓋構件T)與測量載台3之情形。

控制裝置6根據基板P上之複數個照射區域S之曝光條件，控制驅動系統15移動基板P(基板載台2)。複數個照射區域S之曝光條件，例如係以稱為曝光配方(recipe)之曝光控制資訊加以規定。曝光控制資訊儲存於記憶裝置7。

曝光條件(曝光控制資訊)包含複數個照射區域S之排列資訊(在基板P之複數個照射區域S各自之位置)。又，曝光條件(曝光控制資訊)包含複數個照射區域S各自之尺寸資訊(在Y軸方向之尺寸資訊)。

控制裝置6根據該記憶裝置7儲存之曝光條件(曝光控制資訊)，一邊以既定移動條件移動基板P、一邊使複數個照射區域S之各個依序曝光。基板P(物體)之移動條件，包含移動速度、加速度、移動距離、移動方向及在XY平面內之移動軌跡中之至少一種。

舉一例而言，在使複數個照射區域S之各個依序曝光時，控制裝置6，一邊移動基板載台2使投影光學系PL之投影區域PR與基板 P，沿圖9中，例如箭頭Sr所示之移動軌跡相對移動，一邊對投影區域PR照射曝光用光EL，透過液體LQ以曝光用光EL使基板P之複數個照射區域S依序曝光。控制裝置6係一邊反覆掃描移動動作與步進移動動作，一邊使複數個照射區域S之各個依序曝光。

本實施形態中，第2構件22係在基板P之曝光處理之至少一部分中移動。第2構件22，與例如在液浸空間LS形成之狀態下基板P(基板載台2)之步進移動動作之至少一部分並行移動。第2構件22，與例如在液浸空間LS形成之狀態下基板P(基板載台2)之掃描移動動作之至少一部分並行移動。亦即，與第2構件22之移動並行，從射出面12射出曝光用光EL。

第2構件22，例如可在基板P(基板載台2)進行步進移動動作時，以和基板P(基板載台2)之相對移動(相對速度、相對加速度)較第1構件21與基板P(基板載台2)之相對移動(相對速度、相對加速度)小之方式移動。

又，第2構件22，可在基板P(基板載台2)進行掃描移動動作時，以和基板P(基板載台2)之相對移動(相對速度、相對加速度)較第1構件21與基板P(基板載台2)之相對移動(相對速度、相對加速度)小之方式移動。

此外，在掃描移動動作中第2構件22亦可不移動。亦即，第2構件22亦可不與來自射出面12之曝光用光EL之射出並行地移動。

圖7係顯示第2構件22之一動作例之示意圖。圖7係從上方觀看第2構件22之圖。

以下說明中，第2構件22係往X軸方向移動。此外，如上所述，第2構件22亦可往Y軸方向移動，亦可在包含X軸方向(或Y軸方向)之成分之XY平面內之任意方向移動。

第2構件22係移動於在X軸方向規定之移動可能範圍(可動範圍)。來自射出面12之曝光用光EL通過第1開口部23及第2開口部30，且第2構件22之移動可能範圍被決定成第2構件22不接觸於第1構件21。

在基板P(物體)移動之期間之至少一部分，第2構件22係如圖7(A)~圖7(E)所示往X軸方向移動。圖7(A)係顯示於移動可能範圍之最靠+X側端之位置Jr配置有第2構件22的狀態。圖7(C)係顯示於移動可能範圍之中央之位置Jm配置有第2構件22的狀態。圖7(E)係顯示於移動可能範圍之最靠-X側端之位置Js配置有第2構件22的狀態。

以下說明中，將圖7(A)所示之第2構件22之位置Jr適當稱為第1端部位置Jr。將圖7(C)所示之第2構件22之位置Jm適當稱為中央位置Jm。將圖7(E)所示之第2構件22之位置Js適當稱為第2端部位置Js。

又，圖7(B)係顯示第2構件22配置於第1端部位置Jr與中央位置Jm間之位置Jrm之狀態。圖7(D)係顯示第2構件22配置於第2端部位置Js與中央位置Jm間之位置Jsm之狀態。

此外，本實施形態中，第2構件22配置於中央位置Jm之狀態，包含第2構件22之第2開口部30中心與終端光學元件13之光軸AX實質上一致之狀態。亦可將第2開口部30中心與光軸AX一致之第2構件22之位置稱為原點。

第2構件22之移動可能範圍之尺寸包含在X軸方向之第1端部位置Jr與第2端部位置Js之距離。

控制裝置6能使第2構件22相對終端光學元件13(投影區域PR)之位置相異。控制裝置6能在從位置Jr、位置Jrm、位置Jm、位置Jsm、位置Js中選擇之兩個位置間使第2構件22移動。控制裝置6能使第2構件22在位置Jr、位置Jrm、位置Jm、位置Jsm、位置Js之至少一個位置停止。控制裝置6，不限於位置Jr、位置Jrm、位置Jm、位置Jsm、位置Js，亦可在其以外之任意位置使第2構件22停止。

在位置Jr與位置Jm間之第2構件22之移動距離，較位置Jrm與位置Jm間之第2構件22之移動距離長。在位置Js與位置Jm間之第2構件22之移動距離，較位置Jsm與位置Jm間之第2構件22之移動距離長。

控制裝置6能以規定之移動條件使第2構件22移動。第2構件22之移動條件包含移動方向、移動速度、加速度、以及移動距離之至少一個。控制裝置6能控制第2構件22之移動方向、移動速度、加速度、以及移動距離之至少一個。

圖8係以示意方式顯示一邊進行基板P之包含+X軸方向成分之步進移動、一邊使照射區域Sa、照射區域Sb及照射區域Sc依序曝光時之基板P之移動軌跡之一例的圖。照射區域Sa、Sb、Sc配置於X軸方向。

如圖8所示，照射區域Sa、Sb、Sc被曝光時，基板P係在終端光學元件13之下，依序移動於從投影區域PR配置於基板P之位置d1之狀態至配置於相對該位置d1於+Y軸側相鄰之位置d2之狀態為止之路 徑Tp1、從配置於位置d2之狀態至配置於相對該位置d2於+X軸側相鄰之位置d3之狀態為止之路徑Tp2、從配置於位置d3之狀態至配置於相對該位置d3於-Y軸側相鄰之位置d4之狀態為止之路徑Tp3、從配置於位置d4之狀態至配置於相對該位置d4於+X軸側相鄰之位置d5之狀態為止之路徑Tp4、以及從配置於位置d5之狀態至配置於相對該位置d5於+Y軸側之相鄰之位置d6之狀態為止之路徑Tp5。位置d1、d2、d3、d4、d5、d6係於XY平面內之位置。

路徑Tp1之至少一部分係與Y軸平行之直線。路徑Tp3之至少一部分係與Y軸平行之直線。路徑Tp5之至少一部分包含與Y軸平行之直線。路徑Tp2包含經由位置d2.5之曲線。路徑Tp4包含經由位置d4.5之曲線。位置d1包含路徑Tp1之始點、位置d2包含路徑Tp1之終點。位置d2包含路徑Tp2之始點、位置d3包含路徑Tp2之終點。位置d3包含路徑Tp3之始點、位置d4包含路徑Tp3之終點。位置d4包含路徑Tp4之始點、位置d5包含路徑Tp4之終點。位置d5包含路徑Tp5之始點、位置d6包含路徑Tp5之終點。路徑Tp1係基板P移動於-Y軸方向之路徑。路徑Tp3係基板P移動於+Y軸方向之路徑。路徑Tp5係基板P移動於-Y軸方向之路徑。路徑Tp2及路徑Tp4係基板P移動於以-X軸方向為主成分之方向之路徑。

在液浸空間LS形成之狀態下基板P移動於路徑Tp1時，透過液體LQ於照射區域Sa照射曝光用光EL。在液浸空間LS形成之狀態下基板P移動於路徑Tp3時，透過液體LQ於照射區域Sb照射曝光用光EL。。在液浸空間LS形成之狀態下基板P移動於路徑Tp5時，透過液體LQ於照 射區域Sc照射曝光用光EL。基板P移動於路徑Tp2及路徑Tp4時，不照射曝光用光EL。

基板P移動於路徑Tp1之動作、移動於路徑Tp3之動作、以及移動於路徑Tp5之動作均包含掃描移動動作。又，基板P移動於路徑Tp2之動作、及移動於路徑Tp4之動作，包含步進移動動作。

亦即，基板P移動於路徑Tp1之期間、移動於路徑Tp3之期間、以及移動於路徑Tp5之期間係掃描移動期間(曝光期間)。基板P移動於路徑Tp2之期間、以及移動於路徑Tp4之期間係步進移動期間。

圖9及圖10係顯示在曝光照射區域Sa、Sb、Sc時之第2構件22之一動作例的示意圖。圖9及圖10係從上方觀察第2構件22的圖。

基板P位於位置d1時，如圖9(A)所示，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於位置Js。

基板P位於位置d2時，如圖9(B)所示，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於位置Jr。亦即，在基板P從位置d1往位置d2之掃描移動動作中，第2構件22係往與基板P之步進移動方向(-X軸方向)相反之+X軸方向移動。在基板P之從位置d1往位置d2之掃描移動動作中，第2構件22係從位置Js經過位置Jsm、位置Jm、以及位置Jrm而移動至位置Jr。換言之，在基板P移動於路徑Tp1時，第2構件22係往+X軸方向移動而從圖9(A)所示之狀態變化至圖9(B)所示之狀態。

基板P位於位置d2.5時，如圖9(C)所示，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於位置Jm。

基板P位於位置d3時，如圖9(D)所示，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於位置Js。亦即，在基板P從位置d2往位置d3之步進移動動作中，第2構件22係往與基板P之步進移動方向(-X軸方向)相同之-X軸方向移動。在基板P之從位置d2往位置d3之步進移動動作中，第2構件22係從位置Jr經過位置Jrm、位置Jm、以及位置Jsm而移動至位置Jm。換言之，在基板P移動於路徑Tp2時，第2構件22係往-X軸方向移動而從圖9(B)所示之狀態經由圖9(C)之狀態而變化至圖9(D)所示之狀態。

基板P位於位置d4時，如圖10(A)所示，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於位置Jr。亦即，在基板P從位置d3往位置d4之掃描移動動作中，第2構件22係往與基板P之步進移動方向(-X軸方向)相反之+X軸方向移動。在基板P之從位置d3往位置d4之掃描移動動作中，第2構件22係從位置Js經過位置Jsm、位置Jm、以及位置Jrm而移動至位置Jr。換言之，在基板P移動於路徑Tp3時，第2構件22係往+X軸方向移動而從圖9(D)所示之狀態變化至圖10(A)所示之狀態。

基板P位於位置d4.5時，如圖10(B)所示，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於位置Jm。

基板P位於位置d5時，如圖10(C)所示，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於位置Js。亦即，在基板P從位置d4往位置d5之步進移動動作中，第2構件22係往與基板P之步進移動方向(-X軸方向)相同之-X軸方向移動。在基板P之從位置d4往位置 d5之步進移動動作中，第2構件22係從位置Jr經過位置Jrm、位置Jm、以及位置Jsm而移動至位置Jm。換言之，在基板P移動於路徑Tp4時，第2構件22係往-X軸方向移動而從圖10(A)所示之狀態經由圖10(B)之狀態而變化至圖10(C)所示之狀態。

基板P位於位置d6時，如圖10(D)所示，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於位置Jr。亦即，在基板P從位置d5往位置d6之掃描移動動作中，第2構件22係往與基板P之步進移動方向(-X軸方向)相反之+X軸方向移動。在基板P之從位置d5往位置d6之掃描移動動作中，第2構件22係從位置Js經過位置Jsm、位置Jm、以及位置Jrm而移動至位置Jr。換言之，在基板P移動於路徑Tp5時，第2構件22係往+X軸方向移動而從圖10(C)所示之狀態變化至圖10(D)所示之狀態。

亦即，本實施形態中，第2構件22在基板P沿路徑Tp2移動之期間之至少一部分中，以和基板P之相對移動變小之方式，往-X軸方向移動。換言之，第2構件22在基板P進行包含-X軸方向成分之步進移動動作之期間之至少一部分中，以和基板P在X軸方向之相對速度變小之方式，往-X軸方向移動。同樣的，第2構件22在基板P沿路徑Tp4移動之期間之至少一部分中，以和基板P於X軸方向之相對速度變小之方式，往-X軸方向移動。

又，本實施形態中，第2構件22在基板P沿路徑Tp3移動之期間之至少一部分中，往+X軸方向移動。據此，在基板P之路徑Tp3之移動後、於路徑Tp4之移動中，即使第2構件22往-X軸方向移動，曝 光用光EL亦能通過第1開口部23、30，而抑制第1構件21與第2構件22之接觸。基板P移動於路徑Tp1、Tp5時亦相同。

亦即，在基板P重複掃描移動動作與包含-X軸方向成分之步進移動動作之情形時，於步進移動動作中，第2構件22係以和基板P之相對速度變小之方式從位置Jr往位置Js移動於-X軸方向，於掃描移動動作中，為了在次一步進移動動作中第2構件22能再度移動於-X軸方向，第2構件22從位置Js回到位置Jr。亦即，在基板P於掃描移動動作之期間之至少一部分中，由於第2構件22移動於+X軸方向，因此能將第2開口部30之尺寸抑制於所需最小限，而抑制第1構件21與第2構件22之接觸。

又，本實施形態中，即使第2構件22配置在第1端部位置Jr(第2端部位置Js)，第1液體回收部51之至少一部分亦與基板P(物體)持續對向。據此，例如於步進移動動作中，第1液體回收部51可回收基板P(物體)上之液體LQ。

又，本實施形態中，即使第2構件22配置在第1端部位置Jr(第2端部位置Js)，第1氣體供應部61之至少一部分亦與基板P(物體)持續對向。據此，可於第2構件22與基板P(物體)之間持續形成氣封。因此，可抑制液體LQ之流出。

此外，在使用圖9及圖10所說明之例中，在基板P位於位置d1、d3、d5時，第2構件22係配置於第2端部位置Js。在基板P位於位置d1、d3、d5時，第2構件22亦可配置於中央位置Jm，亦可配置於中央位置Jm與第2端部位置Js間之位置Jsm。

此外，在使用圖9及圖10所說明之例中，在基板P位於位 置d2、d4、d6時，第2構件22係配置於第1端部位置Jr。在基板P位於位置d2、d4、d6時，第2構件22亦可配置於中央位置Jm，亦可配置於中央位置Jm與第1端部位置Jr間之位置Jrm。

又，在基板P位於位置d2.5、d5、d4.5時，第2構件22亦可配置於與中央位置Jm不同之位置。亦即，在基板P位於位置d2.5、d5、d4.5時，第2構件22亦可配置於例如中央位置Jm與第2端部位置Js間之位置Jsm，亦可配置於中央位置Jm與第1端部位置Jr間之位置Jrm。

此外，在基板P之掃描移動期間之至少一部分中，第2構件22亦可停止，亦可移動於與基板P之步進移動方向(-X軸方向)相同之-X軸方向。

此外，在基板P之步進移動期間之至少一部分中，第2構件22亦可停止，亦可移動於與基板P之步進移動方向(-X軸方向)相反之+X軸方向。

亦即，在基板P之移動期間(掃描移動期間及步進移動期間)之一部分中，第2構件22亦可以和基板P(物體)之相對速度較第1構件21與基板P(物體)之相對速度小之方式移動，在基板P之移動期間之一部分中則停止或以相對速度較大之方式移動。

如以上之說明，根據本實施形態，由於設置了能相對第1構件21移動之第2構件22，因此即使在液浸空間LS形成之狀態下基板P等物體於XY平面內移動，亦能抑制例如液體LQ從液浸構件5與物體間之空間流出、或於物體上殘留液體LQ之情形。

亦即，在液浸空間LS形成之狀態下基板P等物體於XY平 面內高速移動時，若與該物體對向之構件(液浸構件等)靜止，則有可能會使液體LQ流出、或於基板P(物體)上殘留液體LQ、或於液體LQ中產生氣泡。

本實施形態中，第2構件22能以和例如物體之相對移動(相對速度、相對加速度)變小之方式移動。因此，即使在液浸空間LS形成之狀態下物體高速度移動，亦能抑制液體LQ流出、基板P(物體)上殘留液體LQ、或液體LQ中產生氣泡等之情形。

又，本實施形態中，於光路K(光路KL)周圍配置有第1構件21之第1部分211，第2構件22在該第1部分211外側移動。因此，可抑制於光路空間SPK產生氣體部分或於光路K之液體LQ產生氣泡。亦即，本實施形態中，由於第1構件21之第1部分211配置於光路K(光路KL)周圍之至少一部分，因此即使第2構件22在該第1部分211外側移動，亦可抑制在第1部分211內側壓力變動、光路空間SPK之液體LQ之壓力變動、或液體LQ之第3界面LG3之形狀大幅變動。因此，可抑制例如於液體LQ產生氣泡。又，可抑制過度之力作用於終端光學元件13。又，本實施形態中，由於第1構件21實質上不移動，因此可抑制壓力在終端光學元件13與第1構件21之間大幅變動，或抑制液體LQ之第2、第3界面LG2、LG3之形狀大幅變動。

因此，能抑制曝光不良之產生及不良元件之產生。

又，本實施形態中，第2構件22具有第1液體回收部51。因此，可抑制於第1液體回收部51與基板P(物體)之間所形成之第1界面LG1之形狀變化。藉此，可抑制液浸空間LS之液體LQ從液浸構件5(第2構件22)與基板P(物體)間之空間流出，或抑制液體LQ殘留於基板P(物體) 上。

又，本實施形態中，於第1部分211之下面24設有第1液體供應部41。藉此，即使例如因物體之移動等而使第1界面LG1欲接近第1開口部23，亦可藉由從第1液體供應部41供應之液體LQ，抑制第1界面LG1移動至第1開口部23內側或氣體侵入第1開口部23內側之液體LQ。

又，本實施形態中，於第2構件22之下面31設有第2液體供應部42。藉此，即使例如因物體之移動等而使第1界面LG1欲接近第1開口部23(開口部301)，亦可藉由從第2液體供應部42供應之液體LQ，抑制第1界面LG1移動至第1開口部23(開口部301)內側或氣體侵入第1開口部23(開口部301)內側之液體LQ。

又，本實施形態中，於第2構件22之下面31設有第1氣體供應部61。藉此，於第2構件22與物體之間形成氣封。因此，可抑制液體LQ從第2空間SP2流出。又，可藉由與從第1液體回收部51之回收動作並行地從第1氣體供應部61供應氣體G，來抑制因第1液體回收部51之回收動作所導致之第2空間SP2之壓力降低。

又，本實施形態中，第1構件21與第2構件22之間隙(第4空間SP4)係開放至環境氣體。因此，物體上之液體LQ能透過開口部301順暢地流入第4空間SP4。因此，可抑制例如光路空間SPK之壓力變動、第3空間SP3之壓力變動、或第2空間SP2之壓力變動。

又，本實施形態中，設有第2液體回收部52。因此，可抑制流入第1構件21與第2構件22之間隙(第4空間SP4)之液體LQ從間隙(第4空間SP4)流出。

又，本實施形態中，第2液體回收部52配置於第2部分212。藉此，從開口部301流入第4空間SP4之液體LQ係在接觸於外面26、內面32、下面28之至少一部分、以及上面33之至少一部分後，從第2液體回收部52被回收。亦即，藉由將第2液體回收部52配置於第2部分212，而能增大(增長)液體LQ與第1構件21之接觸面積(接觸時間)、以及液體LQ與第2構件22之接觸面積(接觸時間)。藉此，第1構件21及第2構件22之溫度被從液體供應部40(第1、第2、第3液體供應部41、42、43之至少一個)供應之液體LQ調整。

又，本實施形態中，係於第4空間SP4中，設有尺寸Ha之第1間隙部分與尺寸Hb之第2間隙部分。由於第2液體回收部52從第1間隙部分回收液體LQ，因此第2間隙部分成為氣體空間。充滿了氣體之第2間隙部分能發揮抑制第2構件22之振動之減衰部之功能。充滿了氣體之第2間隙部分發揮所謂擠壓膜阻尼器(squeeze film damper)的功能。例如，即使在第2構件22在XY平面內移動的情形，亦可藉由第2間隙部分(減衰部)抑制在Z軸方向之第2構件22之振動(非期望之振動)。

此外，尺寸Hb為0.2mm以下，亦可係0.01mm~0.1mm。

又，本實施形態中，設有形成第2間隙部分之壁部333。藉此，可抑制第4空間SP4之液體LQ從第4空間SP4流出。

又，本實施形態中，面對第1構件21與第2構件22之間隙(第4空間SP4)之第1構件21表面(外面26、下面28)、以及第2構件22表面(內面32、上面33)之至少一部分係對液體LQ為撥液性。藉此，即使第2構件22移動，亦可抑制例如液浸空間LS之液體LQ壓力變動或產生非期 望之液體LQ之流動。

又，根據本實施形態，設有第3液體供應部43。藉此，能將光路K順暢地以液體LQ充滿。

又，本實施形態中，終端光學元件13與第1構件21之間隙(第3空間SP3)係開放至環境氣體。因此，物體上之液體LQ能透過開口部37順暢地流入第3空間SP3。因此，可抑制例如光路空間SPK之壓力變動、第3空間SP3之壓力變動、或第2空間SP2之壓力變動。

又，本實施形態中，設有第3液體回收部53。因此，可抑制流入終端光學元件13與第1構件21之間隙(第3空間SP3)之液體LQ從間隙(第3空間SP3)流出。

此外，本實施形態中，第1構件21亦可係可移動。第1構件21亦可相對終端光學元件13移動。第1構件21亦可移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ之六個方向中之至少一個方向。例如，亦可為了調整終端光學元件13與第1構件21之位置關係或第1構件21與第2構件22之位置關係而移動第1構件21。

此外，第1構件21亦可在第2構件22移動之期間係實質上不移動，而在第2構件22不移動之期間之至少一部分移動。

此外，第1構件21亦可在形成有液浸空間LS之狀態下實質上不移動，而在未形成有液浸空間LS之狀態下移動。

此外，第1構件21亦可在從射出面12射出曝光用光EL之期間不移動，而在不從射出面12射出曝光用光EL之期間移動。

此外，第1構件21亦可在第2構件22移動之期間之至少一 部分移動。此外，第1構件21亦可在形成有液浸空間LS之狀態下移動。此外，第1構件21亦可在從射出面12射出曝光用光EL之期間之至少一部分中移動。此外，第1構件21亦可在基板P(物體)移動之期間之至少一部分移動。

第1構件21亦可以較第2構件22低之速度移動。第1構件21亦可以較第2構件22低之加速度移動。第1構件21亦可以較基板P低之速度移動。第1構件21亦可以較基板P低之加速度移動。

<第2實施形態>

說明第2實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖11~圖16係顯示第1液體回收部51M之配置一例。

如圖11所示，第1液體回收部51M亦可沿四角形之假想線配置複數個。圖11中，描繪假想線之四角形為實質正方形。四角形之頂點(角)係相對光路K(光軸AX)配置於+X側及-X側，且配置於+Y側及-Y側。在第2構件22與基板P(物體)間之液體LQ之第1界面LG1之外形係以沿著複數個第1液體回收部51M之方式界定成實質四角形。

如圖12所示，四角形之假想線之邊亦可彎曲。第1液體回收部51M亦可沿包含該曲線之假想線配置複數個。

如圖13所示，第1液體回收部51M亦可沿於Y軸方向較長之菱形假想線配置複數個。此外，第1液體回收部51M亦可沿於X軸方向較長之菱形假想線配置複數個。

如圖14所示，第1液體回收部51M亦可沿圓形假想線配置 複數個。

如圖15所示，第1液體回收部51M亦可沿於Y軸方向較長之橢圓形假想線配置複數個。此外，第1液體回收部51M亦可沿於X軸方向較長之橢圓形假想線配置複數個。

如圖16所示，四角形之假想線之角亦可帶有圓弧。第1液體回收部51M亦可沿包含該曲線之假想線配置複數個。

<第3實施形態>

說明第3實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖17係顯示本實施形態之第2液體回收部52C之一例的圖。第2液體回收部52C係回收從基板P(物體)上流入第1構件21C與第2構件22C之間隙(第4空間SP4)之液體LQ之至少一部分。本實施形態中，第2液體回收部52C配置於第2構件22C。在圖17所示之例，第2液體回收部52C配置於第2構件22C之上面33。

此外，回收流入第1構件21與第2構件22之間隙之液體LQ之至少一部分的第2液體回收部亦可配置於第1構件21及第2構件22之兩者。

<第4實施形態>

說明第4實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖18係顯示本實施形態之第2間隙部分一例的圖。如圖18所示，凸部(壁部)333D亦可設於第1構件21D。凸部333D設於第1構件 21D之下面28。凸部333D往下方(朝向第2構件22D側)突出。藉由凸部333D之下面與第2構件22D之下面28界定尺寸Hb之第2間隙部分。

此外，亦可於第1構件21及第2構件22兩方設有用以界定第2間隙部分之凸部。亦即，亦可於以往下方突出之方式設於第1構件21之凸部之下面與以往上方突出之方式設於第2構件22之凸部之上面之間界定第2間隙部分。

<第5實施形態>

說明第5實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖19係顯示本實施形態之第2構件22E一例的圖。如圖19(A)所示，亦可於相對終端光學元件13之光軸AX之放射方向在第1氣體供應部61外側配置第2氣體供應部62。第2氣體供應部62配置於第2構件22之下面31。藉由從第2氣體供應部62供應之氣體G抑制液體LQ從第2空間SP2之流出。

<第6實施形態>

說明第6實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖20係顯示本實施形態之曝光裝置EX一例的圖。如圖20(A)所示，亦可於相對曝光用光EL之光路K(光軸AX)之第2構件22外側配置具有基板P(物體)表面能對向之第2氣體供應部62F之第3構件230。第3構件230，亦可以不與第2構件22接觸之方式，在第2構件22移動之期間之至少一部分中，根據第2構件22之移動條件(移動方向、移動速度、加速 度等)來移動。第3構件230亦可一邊移動、一邊進行從第2氣體供應部62F之氣體G之供應動作。

此外，亦可在圖19(A)及圖20(A)所示之例中，取代第2氣體供應部62(62F)而配置液體回收部。藉由於相對曝光用光EL之光路K(光軸AX)之第1液體回收部51及第1氣體供應部61外側設置液體回收部，即使液體LQ流出至第1氣體供應部61外側，亦能從液體回收部回收該液體LQ。

此外，亦可如圖19(B)所示，取代第2氣體供應部62而配置氣體回收部63。藉由於相對曝光用光EL之光路K(光軸AX)之第1液體回收部51及第1氣體供應部61外側設置氣體回收部63，而能從該氣體回收部回收與液體LQ接觸後之溼潤氣體或從第1氣體供應部61供應之氣體G之一部分。

此外，亦可如圖20(B)所示，取代第2氣體供應部62F而配置氣體回收部63F。藉由於相對曝光用光EL之光路K(光軸AX)之第1液體回收部51及第1氣體供應部61外側設置氣體回收部63F，而能從該氣體回收部回收與液體LQ接觸後之溼潤氣體或從第1氣體供應部61供應之氣體G之一部分。

此外，亦可除了配置第2氣體供應部62(62F)以外再進一步配置液體回收部。

<第7實施形態>

說明第7實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖21係顯示終端光學元件13之射出面12與第1構件21(第 1部分211)之下面24與第2構件22之下面31之關係的示意圖。

如圖21所示，第1構件21(第1部分211)之下面24亦可配置於較射出面12下方處，亦可配置成與射出面12實質上同高，亦可配置於較射出面12上方處。下面24亦可配置於與射出面12相同平面內。下面24亦可與XY平面實質平行，亦可相對射出面12傾斜，亦可相對XY平面傾斜，亦可為平坦面，亦可包含曲面。

如圖21所示，第2構件22之下面31亦可配置於較射出面12下方處，亦可配置成與射出面12實質上同高，亦可配置於較射出面12上方處。下面31亦可配置於與射出面12相同平面內。下面31亦可與XY平面實質平行，亦可相對射出面12傾斜，亦可相對XY平面傾斜，亦可為平坦面，亦可包含曲面。

如圖21所示，第2構件22之下面31亦可配置於較第1構件21(第1部分211)之下面24下方處，亦可配置成與下面24實質上同高，亦可配置於較下面24上方處。下面31亦可配置於與下面24相同平面內。下面31亦可相對下面24傾斜。該下面24亦可配置於較射出面12下方處，亦可配置成與射出面12實質上同高，亦可配置於較射出面12上方處。

<第8實施形態>

說明第8實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖22係顯示本實施形態之液浸構件5H一例的圖。如圖22所示，第2構件22H之至少一部分亦可配置於第1部分211H之下面24下方。換言之，第2構件22H之至少一部分亦可配置於第1部分211H與基 板P(物體)之間。又，如圖22所示，第2構件22H之至少一部分亦可配置於終端光學元件13之射出面12下方。換言之，第2構件22H之至少一部分亦可配置於終端光學元件13與基板P(物體)之間。

又，如圖22所示，第2構件22H之第2開口部30H亦可較第1構件21H之第1開口部23H小。

<第9實施形態>

說明第9實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖23係顯示本實施形態之液浸構件5I(第1構件21I)一例的圖。如圖23所示，與終端光學元件13之外面131對向之第3液體供應部43I亦可相對終端光學元件13之光軸AX配置於一側(例如+X側)，與終端光學元件13之外面131對向之第3液體回收部53I亦可相對終端光學元件13之光軸AX配置於另一側(例如-X側)。藉此，於光路空間SPK中，液體LQ係相對光軸AX從一側往另一側流動。

此外，第3液體供應部43I亦可配置成面對射出面12與基板P(物體)間之光路K(光路空間SPK)。第3液體回收部53I亦可配置成面對光路K(光路空間SPK)。換言之，第3液體供應部43I及第3液體回收部53I之一方或兩方亦可配置於較射出面12下方處。

<第10實施形態>

說明第10實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

本實施形態中，係說明第2構件22之一動作例。圖24(A) 係以示意方式顯示使照射區域Sa及照射區域Sb依序曝光時之基板P之移動軌跡之一例的圖。圖24(B)以示意方式顯示使照射區域Sa及照射區域Sb依序曝光時之本實施形態之第2構件22之移動軌跡之一例的圖。

本實施形態中亦同樣地，在形成有液浸空間LS之狀態下基板P(基板載台2)進行掃描移動動作及步進移動動作時，第2構件22以與基板P(基板載台2)之相對移動(相對速度、相對加速度)較第1構件21與基板P(基板載台2)之相對移動(相對速度、相對加速度)小之方式移動。

如圖24(A)所示，照射區域Sa被曝光時，基板P係在終端光學元件13之下，依序移動於從投影區域PR配置於基板P之位置d1之狀態至配置於相對該位置d1於+Y軸側相鄰之位置d2之狀態為止之路徑Tp1、從配置於位置d2之狀態至配置於相對該位置d2於+X軸側相鄰之位置d3之狀態為止之路徑Tp2、從配置於位置d3之狀態至配置於相對該位置d3於-Y軸側相鄰之位置d4之狀態為止之路徑Tp3、從配置於位置d4之狀態至配置於相對該位置d4於+X軸側相鄰之位置d5之狀態為止之路徑Tp4。位置d1、d2、d3、d4係於XY平面內之位置。

路徑Tp1之至少一部分係與Y軸平行之直線。路徑Tp3之至少一部分係與Y軸平行之直線。路徑Tp2包含曲線。路徑Tp4包含曲線。位置d1包含路徑Tp1之始點、位置d2包含路徑Tp1之終點。位置d2包含路徑Tp2之始點、位置d3包含路徑Tp2之終點。位置d3包含路徑Tp3之始點、位置d4包含路徑Tp3之終點。位置d4包含路徑Tp4之始點、位置d5包含路徑Tp4之終點。路徑Tp1係基板P移動於-Y軸方向之路徑。路徑Tp3係基板P移動於+Y軸方向之路徑。路徑Tp2及路徑Tp4係基板P 實質移動於-X軸方向之路徑。

在液浸空間LS形成之狀態下基板P移動於路徑Tp1時，透過液體LQ於照射區域Sa照射曝光用光EL。基板P移動於路徑Tp1之動作包含掃描移動動作。又，在液浸空間LS形成之狀態下基板P移動於路徑Tp3時，透過液體LQ於照射區域Sb照射曝光用光EL。基板P移動於路徑Tp3之動作包含掃描移動動作。又，基板P移動於路徑Tp2之動作、以及移動於路徑Tp4之動作包含步進移動動作。

基板P依序移動於路徑Tp1、Tp2、Tp3、Tp4時，如圖24(B)所示，第2構件22依序移動於路徑Tn1、Tn2、Tn3、Tn4。路徑Tn1，係從位置e1至位置e2之路徑。路徑Tn2，係從位置e2至位置e3之路徑。路徑Tn3，係從位置e3至位置e4之路徑。路徑Tn4，係從位置e4至位置e1之路徑。路徑Tn1包含直線。路徑Tn2包含曲線。路徑Tn3包含直線。路徑Tn4包含曲線。路徑Tn1與路徑Tn3交叉。路徑Tn1及路徑Tn3係與X軸及Y軸之兩者傾斜。

亦即，本實施形態中，第2構件22係以描繪阿拉伯數字「8」之方式移動於XY平面內。

於路徑Tn1中，第2構件22係一邊往+X軸方向移動、一邊往+Y軸方向移動。亦即，於基板P之掃描移動期間中，第2構件22，係於X軸方向往與基板P之步進移動期間中之基板P之移動方向相反之方向移動。

於路徑Tn2中，第2構件22係實質地往-X軸方向移動。亦即，於基板P之步進移動期間中，第2構件22，係往與基板P之步進移 動期間中之基板P之移動方向實質相同之方向移動。第2構件22係以與基板P之相對速度(相對加速度)變小之方式移動。

於路徑Tn3中，第2構件22係一邊往+X軸方向移動、一邊往-Y軸方向移動。亦即，於基板P之掃描移動期間中，第2構件22，係於X軸方向往與基板P之步進移動期間中之基板P之移動方向相反之方向移動。

於路徑Tn4中，第2構件22係實質地往-X軸方向移動。亦即，於基板P之步進移動期間中，第2構件22，係往與基板P之步進移動期間中之基板P之移動方向實質相同之方向移動。第2構件22係以與基板P之相對速度(相對加速度)變小之方式移動。

本實施形態中亦同樣地，可抑制液體LQ流出、於液體LQ產生氣泡等。因此，能抑制曝光不良之產生、不良元件之產生。

此外，上述第1~第10實施形態中，亦可從第1液體回收部51實質地回收氣體G，而抑制液體LQ之回收。例如，藉由將第1液體回收部51之第1液體回收口51M之內面以對液體LQ為撥液性之膜形成，來抑制液體LQ從第1液體回收口51M之回收。

此外，上述各實施形態中，亦可不從第1氣體供應部61主動地供應氣體G。換言之，第1氣體供應部61亦可不連接於氣體供應裝置。例如，第1氣體供應部61亦可開放至環境氣體(例如向大氣開放)。藉由在第1氣體供應部61開放至環境氣體(向大氣開放)之狀態下，進行從第1液體回收部51之回收動作(吸引動作)，而使氣體G從第1氣體供應部61被動地流入第2空間SP2。藉此，抑制伴隨第1液體回收部51之回收動作所導 致之第2空間SP2之壓力降低。

此外，上述各實施形態中，例如從第1液體供應部41供應之液體LQ與從第2液體供應部42供應之液體LQ亦可不同。從第1液體供應部41供應之液體LQ與從第3液體供應部43供應之液體LQ亦可不同。從第2液體供應部42供應之液體LQ與從第3液體供應部43供應之液體LQ亦可不同。所謂液體LQ不同，包含液體LQ之種類(物性)不同的情形、液體LQ之種類相同且溫度及潔淨度之至少一方不同的情形。

此外，上述各實施形態中，亦可於液浸構件5設置第1液體回收部51及第1液體供應部41，而省略第2、第3液體回收部52、53、第2、第3液體供應部42、43、以及第1、第2氣體供應部61、62之至少一部分。

此外，上述各實施形態中，亦可於液浸構件5設置第1液體回收部51及第2液體供應部42，而省略第2、第3液體回收部52、53、第1、第3液體供應部41、43、以及第1、第2氣體供應部61、62之至少一部分。

此外，上述各實施形態中，亦可於液浸構件5設置第1液體回收部51及第3液體供應部43，而省略第2、第3液體回收部52、53、第1、第2液體供應部41、42、以及第1、第2氣體供應部61、62之至少一部分。

此外，上述各實施形態中，亦可於液浸構件5設置第1液體回收部51及第1氣體供應部61，而省略第2、第3液體回收部52、53、第1、第2、第3液體供應部41、42、43、以及第2氣體供應部62之至少一 部分。

此外，上述各實施形態中，亦可於液浸構件5設置第1液體回收部51及第2液體回收部52，而省略第3液體回收部53、第1、第2、第3液體供應部41、42、43、以及第1、第2氣體供應部61、62之至少一部分。

此外，上述各實施形態中，亦可無尺寸Hb之第2間隙部分。

此外，上述各實施形態中，第1構件21亦可不具有第2部分212。第1構件21亦可不具有上板部214。

此外，上述各實施形態中，亦可以面對第4空間SP4之方式於第1構件21與第2構件22之至少一方設置對第4空間SP4供應液體之液體供應部。

此外，上述各實施形態中，亦可不藉由來自第2構件(22等)之氣體供應部(61等)之氣體G形成氣封。亦即，從氣體供應部(61等)之氣體供應亦可不具有防止液體LQ流出之功能。

此外，上述各實施形態中，從第2構件(22等)之氣體供應部(61等)供應之氣體亦可與液浸構件(5等)周圍之氣體相同，亦可不同。例如，亦可從氣體供應部(61等)供應包含二氧化碳之氣體(碳酸氣體)。

<第11實施形態>

說明第11實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖25係顯示本實施形態之液浸構件5K一例的圖。圖26，係從下方觀看本實施形態之液浸構件5K(第2構件22K)的圖。液浸構件5K 能於能在終端光學元件13下方移動之基板P(物體)上形成液體LQ之液浸空間LS。液浸構件5K，具有配置於曝光用光EL之光路K(KL)周圍之至少一部分之第1構件21K、以及至少一部分在第1構件21K下方配置成能與基板P(物體)對向之第2構件22K。第2構件22K配置於光路K之周圍之至少一部分。第2構件22K能相對第1構件21K移動。

第1構件21K配置於較第2構件22K離開基板P(物體)之位置。第2構件22K之至少一部分配置於第1構件21K與基板P(物體)之間。第2構件22K之至少一部分配置於終端光學元件13與基板P(物體)之間。此外，第2構件22K亦可不配置於終端光學元件13與基板P(物體)之間。

第1構件21K具有朝向-Z軸方向之下面23K與配置於下面23K周圍之至少一部分之流體回收部24K。第2構件22K具有朝向+Z軸方向之上面25K、朝向-Z軸方向之下面26K、以及配置於下面26K周圍之至少一部分之流體回收部27K。流體回收部24K回收液浸空間LS之液體LQ之至少一部分。流體回收部27K回收液浸空間LS之液體LQ之至少一部分。

第1構件21K具有與終端光學元件13之側面131對向之內側面28K與相對曝光用光EL之光路K(KL)朝向外側之外側面29K。第2構件22K具有與外側面29K隔著間隙對向之內側面30K。

第1構件21K之內側面28K與終端光學元件13之側面131隔著間隙對向。

第2構件22K能對向於下面23K。第2構件22K能對向於流體回收部24K。第2構件22K之上面25K之至少一部分隔著間隙與下面 23K對向。上面25K之至少一部分隔著間隙與射出面12對向。此外，上面25K亦可不與射出面12對向。

基板P(物體)能對向於下面26K。基板P(物體)能對向於流體回收部27K之至少一部分。基板P之上面之至少一部分隔著間隙與下面26K對向。基板P之上面之至少一部分隔著間隙與射出面12對向。

在Z軸方向，基板P(物體)之上面與射出面12之間隙之尺寸，較基板P之上面與下面26K之間隙之尺寸大。此外，基板P(物體)之上面與射出面12之間隙之尺寸，亦可與基板P之上面與下面26K之間隙之尺寸實質上相等。此外，基板P(物體)之上面與射出面12之間隙之尺寸，亦可較基板P之上面與下面26K之間隙之尺寸小。

於下面23K與上面25K之間形成空間SP5。於下面26K與基板P(物體)之上面之間形成空間SP6。於側面131與內側面28K之間形成空間SP7。

終端光學元件13之側面131配置於射出面12周圍。側面131為不射出曝光用光EL之非射出面。曝光用光EL通過射出面12而不通過側面131。

第1構件21K之下面23K不回收液體LQ。下面23K為非回收部，不能回收液體LQ。第1構件21K之下面23K，能在與第2構件22K之間保持液體LQ。

第2構件22K之上面25K不回收液體LQ。上面25K為非回收部，不能回收液體LQ。第2構件22K之上面25K，能在與第1構件21K之間保持液體LQ。

第2構件22K之下面26K不回收液體LQ。下面26K為非回收部，不能回收液體LQ。第2構件22K之下面26K，能在與基板P(物體)之間保持液體LQ。

內側面28K、外側面29K、以及內側面30K不回收液體LQ。內側面28K、外側面29K、以及內側面30K為非回收部，不能回收液體LQ。

本實施形態中，下面23K與XY平面實質平行。上面25K亦與XY平面實質平行。下面26K亦與XY平面實質平行。亦即，下面23K與上面25K為實質平行。上面25K與下面26K為實質平行。

此外，下面23K亦可相對XY平面為非平行。下面23K亦可相對XY平面傾斜，亦可包含曲面。

此外，上面25K亦可相對XY平面為非平行。上面25K亦可相對XY平面傾斜，亦可包含曲面。

此外，下面26K亦可相對XY平面為非平行。下面26K亦可相對XY平面傾斜，亦可包含曲面。

此外，下面23K與上面25K亦可為平行，亦可為非平行。上面25K與下面26K亦可為平行，亦可為非平行。下面23K與下面26K亦可為平行，亦可為非平行。

第1構件21K具有從射出面12射出之曝光用光EL能通過之開口34K。第2構件22K具有從射出面12射出之曝光用光EL能通過之開口35K。於開口34K內側配置終端光學元件13之至少一部分。於開口34K之下端周圍配置下面23K。於開口35K之上端周圍配置上面25K。於開口35K之下端周圍配置下面26。

在XY平面內之開口34K之尺寸較開口35K之尺寸大。於X軸方向，開口34K之尺寸較開口35K之尺寸大。於Y軸方向，開口34K之尺寸較開口35K之尺寸大。本實施形態中，不於射出面12之下方緊貼處配置第1構件21K。第1構件21K之開口34K配置於射出面12周圍。開口34K較射出面12大。形成於終端光學元件13之側面131與第1構件21K之間之間隙下端面對第2構件22K之上面25K。第2構件22K之開口35K配置成與射出面12對向。本實施形態中，於XY平面內之開口35K之形狀為長方形。開口35K於X軸方向較長。此外，開口35K之形狀亦可係於X軸方向較長之橢圓形，亦可係於X軸方向較長之多角形。

此外，開口34K之尺寸亦可較開口35K之尺寸小。此外，開口34K之尺寸亦可與開口35K之尺寸實質相等。

第1構件21K配置於終端光學元件13周圍。第1構件21K係環狀構件。第1構件21K配置成不接觸於終端光學元件13。於第1構件21K與終端光學元件13之間形成間隙。第1構件21K不與射出面12對向。此外，第1構件21K之一部分亦可與射出面12對向。亦即，第1構件21K之一部分亦可配置於射出面12與基板P(物體)之上面之間。此外，第1構件21K亦可非為環狀。例如，第1構件21K亦可配置於終端光學元件13(光路K)周圍之一部分。例如，第1構件21K亦可在終端光學元件13(光路K)周圍配置複數個。

第2構件22K配置於光路K周圍。第2構件22K係環狀構件。第2構件22K配置成不接觸於第1構件21K。於第2構件21K與第1構件21K之間形成間隙。

第2構件22K可相對第1構件21K移動。第2構件22K可相對終端光學元件13移動。第2構件22K與第1構件21K之相對位置會變化。第2構件22K與終端光學元件13之相對位置會變化。

第2構件22K能在與終端光學元件13之光軸AX垂直之XY平面內移動。第2構件22K能與XY平面實質平行地移動。本實施形態中，第2構件22K至少能移動於X軸方向。此外，第2構件22K亦可移動於除了X軸方向以外，移動於Y軸、Z軸、θX、θY及θz之至少一個方向。

本實施形態中，終端光學元件13實質上不移動。第1構件21K亦實質上不移動。

第2構件22K能在第1構件21K之至少一部分下方移動。第2構件22K能在第1構件21K與基板P(物體)之間移動。

藉由第2構件22K在XY平面內移動，第1構件21K之外側面29K與第2構件22K之內側面30K之間隙尺寸係變化。換言之，藉由第2構件22K在XY平面內移動，外側面29K與內側面30K間之空間大小係變化。例如，藉由第2構件22K往-X軸方向移動，相對終端光學元件13在+X側之外側面29K與內側面30K之間隙尺寸係變小(外側面29K與內側面30K間之空間係變小)。藉由第2構件22K往+X軸方向移動，相對終端光學元件13在+X側之外側面29K與內側面30K之間隙尺寸係變大(外側面29K與內側面30K間之空間係變大)。

本實施形態中，係以第1構件21K(外側面29K)與第2構件22K(內側面30K)不接觸之方式決定第2構件22K之移動可能範圍(可動範圍)。

液浸構件5K具有供應用以形成液浸空間LS之液體LQ之液體供應部31K。液體供應部31K配置於第1構件21K。

此外，液體供應部31K亦可配置於第1構件21K及第2構件22K之兩方。此外，液體供應部31K亦可配置於第1構件21K，而不配置於第2構件22K。此外，液體供應部31K亦可配置於第2構件22K，而不配置於第1構件21K。此外，液體供應部31K亦可配置於與第1構件21K及第2構件22K不同之構件。

液體供應部31K，係在相對光路K(終端光學元件13之光軸)之放射方向配置於流體回收部24K及流體回收部27K之內側。本實施形態中，液體供應部31K包含配置於第1構件21K之內側面28K之開口(液體供應口)。液體供應部31K配置成對向於側面131。液體供應部31K係對側面131與內側面28K間之空間SP7供應液體LQ。本實施形態中，液體供應部31K相對光路K(終端光學元件13)分別配置於+X側及-X側。

此外，液體供應部31K亦可相對光路K(終端光學元件13)配置於Y軸方向，亦可於包含X軸方向及Y軸方向之光路K(終端光學元件13)周圍配置複數個。液體供應部31K亦可係一個。此外，亦可取代液體供應部31K或除了液體供應部31K以外進一步地於下面23K設置能供應液體LQ之液體供應部。

本實施形態中，液體供應部(液體供應口)31K係透過形成於第1構件21K內部之供應流路31RK與液體供應裝置31SK連接。液體供應裝置31SK能將潔淨且經溫度調整後之液體LQ供應至液體供應部31K。液體供應部31K係為了形成液浸空間LS而供應來自液體供應裝置31SK之液 體LQ。

於下面23K內側邊緣與上面25K之間形成開口40K。包含射出面12與基板P(物體)間之光路K之光路空間SPK與下面23K與上面25K間之空間SP5係透過開口40K而連結。本實施形態中，光路空間SPK包含射出面12與基板P(物體)間之空間、以及射出面12與內面25間之空間。開口40K配置成面對光路K。側面131與內側面28K間之空間SP7與空間SP5係透過開口40K而連結。

來自液體供應部31K之液體LQ之至少一部分係透過開口40K供應至下面23K與上面25K間之空間SP5。為了形成液浸空間LS而從液體供應部31K供應之液體LQ之至少一部分透過開口34K及開口35K供應至與射出面12對向之基板P(物體)上。藉此，光路K被以液體LQ充滿。來自液體供應部31K之液體LQ之至少一部分，供應至下面26K與基板P(物體)之上面間之空間SP6。

流體回收部24K相對光路K(終端光學元件13之光軸)配置於下面23K外側。流體回收部24K配置於下面23K周圍。流體回收部24K配置於曝光用光EL之光路K之周圍。此外，流體回收部24K亦可配置於下面23K周圍之一部分。例如，流體回收部24K亦可在下面23K周圍配置複數個。流體回收部24K配置成面對空間SP5。流體回收部24K從空間SP5回收液體LQ。

流體回收部27K相對光路K(終端光學元件13之光軸)配置於下面26K外側。流體回收部27K配置於下面26K周圍。流體回收部27K配置於曝光用光EL之光路K之周圍。此外，流體回收部27K亦可配置於 下面26K周圍之一部分。例如，流體回收部27K亦可在下面26K周圍配置複數個。流體回收部27K配置成面對空間SP6。流體回收部27K從空間SP6回收液體LQ。

流體回收部27K相對光路K(終端光學元件13之光軸)配置於第1構件21K外側。流體回收部27K相對光路K(終端光學元件13之光軸)配置於空間SP5外側。

本實施形態中，液體LQ從上面25K側之空間SP5及下面26K側之空間SP6之一方往另一方之移動受到抑制。空間SP5與空間SP6係被第2構件22K分隔。空間SP5之液體LQ能透過開口35K移動至空間SP6。空間SP5之液體LQ不透過開口35K則無法移動至空間SP6。相對光路K存在於較開口35K外側之空間SP5之液體LQ無法移動至空間SP6。空間SP6之液體LQ能透過開口35K移動至空間SP5。空間SP6之液體LQ不透過開口35K則無法移動至空間SP5。相對光路K存在於較開口35K外側之空間SP6之液體LQ無法移動至空間SP5。亦即，本實施形態中，液浸構件5K除了開口35K以外並不具有將空間SP5與空間SP6流體地連接之流路。

本實施形態中，流體回收部27K從空間SP6回收液體LQ，不回收空間SP5之液體LQ。流體回收部24K從空間SP5回收液體LQ，不回收空間SP6之液體LQ。

又，移動至相對光路K之空間SP5外側(外側面29K之外側)之液體LQ，係藉由內側面30K，移動至基板P上(空間SP5)之情形受到抑制。

流體回收部24K包含配置於第1構件21K之下面23K周圍之至少一部分之開口(流體回收口)。流體回收部24K配置成對向於上面25K。流體回收部24K透過形成於第1構件21K內部之回收流路(空間)24RK而與液體回收裝置24CK連接。液體回收裝置24CK能連接流體回收部24K與真空系統(未圖示)。流體回收部24K能從空間SP5回收液體LQ。空間SP5之液體LQ之至少一部分能透過流體回收部24K流入回收流路24RK。

本實施形態中，流體回收部24K包含多孔構件，流體回收口包含多孔構件之孔。本實施形態中，多孔構件包含網孔板(mesh plate)。流體回收部24K透過多孔構件之孔回收液體LQ。從流體回收部24K(多孔構件之孔)回收之空間SP5之液體LQ係流入回收流路24RK，流經該回收流路24RK後被回收至液體回收裝置24CK。

流體回收部27K包含配置於第2構件22K之下面26K周圍之至少一部分之開口(流體回收口)。流體回收部27K配置成對向於基板P(物體)之上面。流體回收部27K透過形成於第2構件22K內部之回收流路(空間)27RK而與液體回收裝置27CK連接。液體回收裝置27CK能連接流體回收部27K與真空系統(未圖示)。流體回收部27K能回收空間SP6之液體LQ之至少一部分。空間SP6之液體LQ之至少一部分能透過流體回收部27K流入回收流路27RK。因此，亦可將流體回收部27K稱為液體回收部27K。

本實施形態中，流體回收部27K包含多孔構件，流體回收口包含多孔構件之孔。本實施形態中，多孔構件包含網孔板(mesh plate)。流體回收部27K透過多孔構件之孔回收流體(液體LQ及氣體之一方或兩方)。從流體回收部27K(多孔構件之孔)回收之空間SP6之液體LQ係流入 回收流路27RK，流經該回收流路27RK後被回收至液體回收裝置27CK。

回收流路27RK相對光路K(終端光學元件13之光軸)配置於內側面30K外側。回收流路27RK配置於流體回收部27K上方。藉由第2構件22K移動，第2構件22K之流體回收部27K及回收流路27RK在第1構件21K之外側面29K外側移動。

透過流體回收部27K將液體LQ連同氣體回收。此外，亦可不於第2構件22K設置多孔構件。亦即，亦可不透過多孔構件而回收空間SP6之流體(液體LQ及氣體之一方或兩方)。

本實施形態中，藉由與液體LQ從液體供應部31K之供應動作並行地執行液體LQ從流體回收部27K之回收動作，於一方側之終端光學元件13及液浸構件5K與另一方側之基板P(物體)之間以液體LQ形成液浸空間LS。

又，本實施形態中，藉由與液體LQ從液體供應部31K之供應動作、及流體從流體回收部27K之回收動作並行地，執行流體從流體回收部24K之回收動作。

本實施形態中，液浸空間LS之液體LQ之界面LG5形成於第1構件21K與第2構件22K之間。液浸空間LS之液體LQ界面LG6形成於第2構件22K與基板P(物體)之間。液浸空間LS之液體LQ之界面LG7形成於終端光學元件13與第1構件21K之間。

本實施形態中，第2構件22K具有對液浸空間LS周圍之至少一部分供應氣體G之氣體供應部61K。基板P(物體)能與氣體供應部61K對向。氣體供應部61K配置成基板P(物體)能對向。氣體供應部61K相對 光路K(開口35中心)配置於流體回收部27K外側。氣體供應部61K配置於流體回收部27K周圍之至少一部分。流體回收部27K包含於第2構件22K設有複數個且能供應氣體G之開口(氣體供應口)。如圖26所示，本實施形態中，氣體供應部61K係在相對光路K(開口35K中心)之流體回收部27K外側以包圍光路K(開口35K中心)之方式配置有複數個。

氣體供應部61K係透過形成於第2構件22K內部之供應流路(空間)61RK與氣體供應裝置61SK連接。氣體供應裝置61SK能送出潔淨且經溫度調整之氣體G。又，氣體供應裝置61SK包含能調整所供應之氣體G之濕度之濕度調整裝置，能供應加濕後之氣體G。從氣體供應裝置61SK送出之氣體G透過供應流路61RK供應至氣體供應部61K。氣體供應部61K將來自氣體供應裝置61SK之氣體G供應至液浸空間LS周圍之至少一部分。本實施形態中，氣體供應部61K對液體LQ之界面LG6周圍之至少一部分供應氣體G。

其次，說明本實施形態之液浸構件5K之一動作例。與上述實施形態同樣地，在形成有液浸空間LS之狀態下第2構件22K及基板P(物體)之一方或兩方係移動。在第2構件22及基板P(物體)之一方或兩方移動之期間之至少一部分中，從氣體供應部61K供應氣體G。

氣體供應部61K，以在形成有液浸空間LS之狀態下抑制液體LQ從液浸構件5K與基板P(物體)之間之空間SP6之流出之方式供應氣體G。

圖27係顯示氣體供應部61K之氣體供應動作一例的示意圖。圖27係從下面側觀看第2構件22K之圖。本實施形態中，根據第2構 件22K之移動條件及基板P(物體)之移動條件之一方或兩方決定從氣體供應部61K之氣體供應條件。

例如在基板P靜止之狀態下，第2構件22K往-X軸方向移動同時往+Y軸方向移動的情形，如圖27(A)所示，於XY平面內，液浸空間LS係相對第2構件22K中心往+X側及-Y側移動。亦即，第2構件22K與液浸空間LS以液體LQ之界面LG6接近第2構件22K之+X側及-Y側邊緣之方式相對移動。換言之，第2構件22K與液浸空間LS以液體LQ從第2構件22K之+X側及-Y側邊緣流出之方式相對移動。又，例如在第2構件22K靜止之狀態下，基板P(物體)往+X軸方向移動同時往-Y軸方向移動的情形，亦同樣如圖27(A)所示，第2構件22K與液浸空間LS之相對位置係變化。

又，例如在基板P靜止之狀態下，第2構件22K往+X軸方向移動同時往-Y軸方向移動的情形，如圖27(B)所示，液浸空間LS係相對第2構件22K中心往-X側及+Y側移動。亦即，第2構件22K與液浸空間LS以液體LQ之界面LG6接近第2構件22K之-X側及+Y側邊緣之方式相對移動。換言之，第2構件22K與液浸空間LS以液體LQ從第2構件22K之-X側及+Y側邊緣流出之方式相對移動。又，例如在第2構件22K靜止之狀態下，基板P(物體)往-X軸方向移動同時往+Y軸方向移動的情形，亦同樣如圖27(B)所示，第2構件22K與液浸空間LS之相對位置係變化。

亦即，根據於XY平面內之第2構件22K之移動方向，液體LQ從液浸構件5K與基板P(物體)間之空間SP6之流出位置及流出方向 之至少一方係變化。又，根據於XY平面內之基板P(物體)之移動方向，液體LQ從液浸構件5K與基板P(物體)間之空間SP6之流出位置及流出方向之至少一方係變化。

又，根據於XY平面內之第2構件22K之移動軌跡，液體LQ從液浸構件5K與基板P(物體)間之空間SP6之流出位置及流出方向之至少一方係變化。又，根據於XY平面內之基板P(物體)之移動軌跡，液體LQ從液浸構件5K與基板P(物體)間之空間SP6之流出位置及流出方向之至少一方係變化。

又，根據於XY平面內之第2構件22K之移動速度或加速度，液體LQ從液浸構件5K與基板P(物體)間之空間SP6之流出位置、流出方向、以及流出量之至少一方係變化。又，根據於XY平面內之基板P(物體)之移動速度或加速度，液體LQ從液浸構件5K與基板P(物體)間之空間SP6之流出位置、流出方向、以及流出量之至少一方係變化。

亦即，根據第2構件22K之移動條件及基板P(物體)之移動條件之一方或兩方，決定液體LQ從液浸構件5K與基板P(物體)間之空間SP6之流出位置、流出方向、以及流出量之至少一個。第2構件22K之移動條件包含第2構件22K之移動速度、加速度、移動方向、以及移動軌跡之至少一個。基板P(物體)之移動條件包含基板P(物體)之移動速度、加速度、移動方向、以及移動軌跡之至少一個。

因此，控制裝置6能根據第2構件22K之移動條件及基板P(物體)之移動條件之一方或兩方，推測(推定)液體LQ從液浸構件5K與基板P(物體)間之空間SP6之流出位置、流出方向、以及流出量之至少一個。

第2構件22K之移動條件及基板P(物體)之移動條件係根據曝光配方(曝光控制資訊)所規定。亦即，第2構件22K之移動條件及基板P(物體)之移動條件係已知資訊。因此，控制裝置6係根據已知資訊即第2構件22K之移動條件及基板P(物體)之移動條件之一方或兩方，推測(推定)液體LQ從液浸構件5K與基板P(物體)間之空間SP6之流出位置、流出方向、以及流出量之至少一個。

基於第2構件22K之移動條件及基板P(物體)之移動條件之一方或兩方之液體LQ之流出位置、流出方向、以及流出量之至少一個例如能使用模擬來求出，亦能藉由實驗來求出。亦即，第2構件22K之移動條件及基板P(物體)之移動條件之一方或兩方與液體LQ之流出位置、流出方向、以及流出量之至少一個的關係能藉由模擬或實驗來事前求出。該資訊儲存於記憶裝置7。控制裝置6，能根據記憶裝置7之資訊與以曝光配方規定之第2構件22K之移動條件及基板P(物體)之移動條件之一方或兩方，求出(推測)液體LQ從空間SP6之流出位置、流出方向、以及流出量之至少一個。

控制裝置6根據從第2構件22K之移動條件及基板P(物體)之移動條件之一方或兩方推測之液體LQ從液浸構件5K與基板P(物體)間之空間SP6之流出位置、流出方向、以及流出量之至少一個相關之資訊，決定氣體供應部61K之氣體供應條件。

例如，如圖27(A)所示，在以液體LQ從第2構件22K之+X側及-Y側邊緣流出之方式第2構件22K及基板P(物體)之一方或兩方移動的情形，控制裝置6係將複數個氣體供應部61K各自之氣體供應條件決 定成可抑制該液體LQ之流出。圖27(A)所示之例中，係從複數個氣體供應部61K中配置於第2構件22K之+X側及-Y側邊緣之氣體供應部61K供應氣體G。又，如圖27(B)所示，在以液體LQ從第2構件22K之-X側及+Y側邊緣流出之方式第2構件22K及基板P(物體)之一方或兩方移動的情形，控制裝置6係以抑制該液體LQ之流出之方式，從複數個氣體供應部61K中配置於第2構件22K之-X側及+Y側邊緣之氣體供應部61K供應氣體G。

此外，控制裝置6亦可以抑制液體LQ之流出之方式，決定從氣體供應部61K之供應方向、供應範圍、所供應之氣體G之流速、以及氣體供應之有無之至少一個來作為氣體供應部61K之氣體供應條件。

此外，亦可於與液浸構件5K(第2構件22K)不同之構件配置設有氣體供應部61K之氣體供應構件。該氣體供應構件亦可以不與第2構件22K接觸之方式根據第2構件22K之移動條件來移動。控制裝置6亦可根據第2構件22K之移動條件及基板P(物體)之移動條件之一方或兩方以抑制液體LQ流出之方式決定氣體供應部61K(氣體供應構件)之位置。

如以上所說明，本實施形態亦能抑制液體LQ之流出。因此，可抑制曝光不良之產生及不良元件之產生。

此外，本實施形態中，如圖28所示，下面26K與流體回收部27K亦可配置於相同平面內。

此外，上述第11實施形態中，如圖29所示，第1構件21K之至少一部分亦可與終端光學元件13之射出面12對向。亦即，第1構件21K之一部分亦可配置於射出面12與基板P(物體)上面之間。

在圖29所示之例中，第1構件21K具有配置於開口34K周圍之上面44K。於開口34K之上端周圍配置上面44K。又，在圖29所示之例中，第2構件22K之上面25K之一部分亦與射出面12對向。

此外，上述各實施形態中，如圖29所示，亦可將液體供應部(液體供應口)3100設成面對空間SP5。在圖29所示之例中，液體供應部3100於第1構件21K之下面23K配置成面對空間SP5。此外，液體供應部3100亦可於第2構件22K之上面25K配置成面對空間SP5。

藉由從液體供應部3100供應液體LQ，即使例如從面對空間SP7之液體供應部31K供應之液體LQ不流入空間SP5，亦可以液體LQ充滿空間SP5。

此外，上述第11實施形態中，第2構件22K亦可不與射出面12對向。亦即，第2構件22K亦可不配置於射出面12與基板P(物體)之上面之間。例如，亦可如圖30所示，第1構件21K之下面23K配置於較射出面12靠+Z側處。此外，在Z軸方向之第1構件21K之下面23K之位置(高度)與射出面12之位置(高度)亦可實質相等。第1構件21K之下面23K亦可配置於較射出面12靠-Z側處。

此外，上述各實施形態中，基板P(物體)之上面與射出面12之間隙之尺寸與基板P之上面與第2構件(22等)下面之間隙之尺寸亦可實質相等。

此外，上述各實施形態中，基板P(物體)之上面與射出面12之間隙之尺寸亦可較基板P之上面與第2構件(22等)下面之間隙之尺寸小。

此外，上述各實施形態中，亦可將從第1構件(21等)與終端 光學元件13間之空間吸引液體LQ及氣體之至少一方之吸引口設於第1構件21。

此外，上述各實施形態中，第1構件(21等)亦可非為環狀。例如，第1構件21亦可配置於終端光學元件13(光路K)周圍之一部分。例如，第1構件21亦可在終端光學元件13(光路K)周圍配置複數個。

此外，上述各實施形態中，控制裝置6包含含CPU等之電腦系統。又，控制裝置6包含可實施電腦系統與外部裝置間之通訊的介面。記憶裝置7，例如包含RAM等之記憶體、硬碟、CD-ROM等之記錄媒體。於記憶裝置7安裝有用以控制電腦系統之作業系統(OS)，內儲存有用以控制曝光裝置EX之程式。

又，亦可於控制裝置6連接可輸入輸入信號之輸入裝置。輸入裝置包含鍵盤、滑鼠等之輸入機器、或可輸入來自外部裝置之資料的通訊裝置等。此外，亦可裝設液晶顯示器等之顯示裝置。

包含記錄在記憶裝置7中之程式的各種資訊，可由控制裝置(電腦系統)6加以讀取。於記憶裝置7中，儲存有使控制裝置6實施透過充滿在射出曝光用光之光學構件之射出面與基板之間之曝光用光之光路的液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制的程式。

又，儲存在記憶裝置7中之程式，可依上述實施形態使控制裝置6實施：使用液浸構件在基板之表面上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備：第1構件，包含配置在曝光用光之光路周圍之第1部分，曝光用光能通過之第1開口部及配置於第1開口部周圍之至少一部分且能與基板之表面對向之第1液體供應部設於第1部分；以及第2構件，具有 能與基板之表面對向之第1液體回收部，能在相對光路之第1部分外側相對第1構件移動；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。

又，儲存在記憶裝置7中之程式，可依上述實施形態使控制裝置6實施：使用液浸構件在基板之表面上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備：第1構件，包含配置在曝光用光之光路周圍之第1部分，曝光用光能通過之第1開口部設於第1部分；以及第2構件，具有能與物體之表面對向之第1液體回收部、以及在相對光學構件之光軸之放射方向配置於第1液體回收部之外側且能與物體之表面對向之第1氣體供應部，能在相對光路之第1部分外側相對第1構件移動；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。

又，儲存在記憶裝置7中之程式，可依上述實施形態使控制裝置6實施：使用液浸構件在基板之表面上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備：第1構件，包含配置在曝光用光之光路周圍之第1部分，曝光用光能通過之第1開口部設於第1部分；以及第2構件，具有能與物體之表面對向之第1液體回收部、以及在相對光學構件之光軸之放射方向配置於光路與第1液體回收部之間且能與物體之表面對向之第2液體供應部，能在相對光路之第1部分外側相對第1構件移動；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。

又，儲存在記憶裝置7中之程式，可依上述實施形態使控制裝置6實施：使用液浸構件在基板之表面上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備：第1構件，包含配置在曝光用光之光路周圍之第1部分，曝光用光能通過之第1開口部設於第1部分；第2構件，具有能與物體之表面對向之第1液體回收部，能在相對光路之第1部分外側相對第1構件移動；以及第2液體回收部，配置於第1構件，能回收從物體上流入第1構件與第2構件之間隙之液體之至少一部分；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。

又，儲存在記憶裝置7中之程式，可依上述實施形態使控制裝置6實施：使用液浸構件在基板之表面上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件具備：第1構件，包含配置在曝光用光之光路周圍之第1部分，曝光用光能通過之第1開口部設於第1部分；第2構件，具有能與物體之表面對向之第1液體回收部，能在相對光路之第1部分外側相對第1構件移動；以及第2液體回收部，能回收從物體上流入第1構件與第2構件之間隙之液體之至少一部分；第1構件與第2構件之間隙包含第1尺寸之第1間隙部分、以及配置於相對光學構件之光軸在第1間隙部分之外側且較第1尺寸小之第2尺寸之第2間隙部分；第2液體回收部能從第1間隙部分回收液體；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；以及於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。

又，儲存在記憶裝置7中之程式，可依上述實施形態使控制 裝置6實施：使用第1液浸構件在能在光學構件下方移動之基板上形成液體之液浸空間的動作；第1液浸構件具有：第1構件，配置於曝光用光之光路周圍之至少一部分；以及第2構件，其至少一部分在第1構件下方配置成能與物體對向，能相對第1構件移動；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作；以及從氣體供應部對液浸空間周圍之至少一部分供應氣體的動作。

藉由將記憶裝置7中儲存之程式讀取至控制裝置6，基板載台2、測量載台3及液浸構件5等曝光裝置EX之各種裝置即協同働作，在形成有液浸空間LS之狀態下，實施基板P之液浸曝光等的各種處理。

又，上述各實施形態中，投影光學系PL之終端光學元件13之射出面12側(像面側)之光路ATL係被液體LQ充滿。但投影光學系PL亦可以是例如國際公開第2004/019128號說明書所揭示之終端光學元件13之入射側(物體面側)光路亦被液體LQ充滿之投影光學系。

又，上述各實施形態中，曝光用之液體LQ雖係使用水，但亦可以是水以外之液體。液體LQ，以對曝光用光EL具有穿透性、對曝光用光EL具有高折射率、對形成投影光學系PL或基板P之表面之感光材(光阻劑)等膜安定者較佳。例如，液體LQ可以是氫氟醚(HFE)、全氟化聚醚(PFPE)、氟素潤滑油(fomblin(登錄商標)oil)等。此外，液體LQ亦可是各種流體、例如超臨界流體。

又，上述各實施形態中，基板P包含半導體元件製造用之半導體晶圓。但基板P亦可包含顯示器用之玻璃基板、薄膜磁頭用之陶瓷 晶圓、或曝光裝置所使用之光罩或標線片之原版(合成石英、矽晶圓)等。

又，上述各實施形態中，雖然曝光裝置EX係使光罩M基板P同步移動以對光罩M之圖案進行掃描曝光之步進掃描(step & scan)方式之掃描型曝光裝置(掃描步進機)，但亦可以是例如使光罩M與基板P在靜止之狀態下，使光罩M之圖案一次曝光，並使基板P依序步進移動之步進重複(step & repeat)方式的投影曝光裝置(步進機)。

又，於曝光裝置EX係步進重複方式之曝光中，亦可在使第1圖案與基板P大致静止之狀態，使用投影光學系PL將第1圖案之縮小像轉印至基板P上後，在第2圖案與基板P大致静止之狀態，使用投影光學系PL將第2圖案之縮小像與第1圖案局部重疊而一次曝光至基板P上(接合方式之一次曝光裝置)。又，接合方式之曝光裝置，亦可以是於基板P上至少將二個圖案局部的重疊轉印，並使基板P依序移動之步進接合(step & stitch)方式之曝光裝置。

又，曝光裝置EX亦可以是例如美國專利第6611316號所揭示之將二個光罩之圖案透過投影光學系在基板P上加以合成，以一次掃描曝光使基板P上之一個照射區域大致同時雙重曝光之曝光裝置。此外，本發明亦能適用於近接方式之曝光裝置、反射鏡投影對準器(mirror projection aligner)等。

又，上述各實施形態中，曝光裝置EX亦可以是例如美國專利第6341007號說明書、美國專利第6208407號說明書及美國專利第6262796號說明書等所揭示之具備複數個基板載台之雙載台型之曝光裝置。例如圖31所示，在曝光裝置EX具備二個基板載台2001、2002之場合， 可配置成與射出面12對向之物體，包含一方之基板載台、該一方之基板載台之第1保持部所保持之基板、另一方之基板載台、以及該另一方之基板載台之第1保持部所保持之基板中的至少一者。

又，曝光裝置EX亦可以是具備複數個基板載台與測量載台之曝光裝置。

曝光裝置EX可以是將半導體元件圖案曝光至基板P之半導體元件製造用之曝光裝置，亦可以是液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置，或用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、微機器、MEMS、DN晶片、標線片或光罩等之曝光裝置。

又，上述實施形態中，雖係使用在光透射性基板上形成有既定遮光圖案(或相位圖案、減光圖案)之光透射型光罩，但亦可取代此光罩，使用例如美國專利第6778257號公報所揭示，根據待曝光圖案之電子資料來形成透射圖案或反射圖案、或形成發光圖案之可變成形光罩(電子光罩、主動光罩或影像產生器)。又，亦可取代具有非發光型影像顯示元件之可變成形光罩，而裝備包含自發光型影像顯示元件之圖案形成裝置。

上述各實施形態中，曝光裝置EX雖具備投影光學系PL，但亦可將上述各實施形態所說明之構成要件適用於不使用投影光學系PL之曝光裝置及曝光方法。例如，可將上述各實施形態所說明之構成要件適用於在透鏡等光學構件與基板之間形成液浸空間，透過該光學構件對基板照射曝光用光之曝光裝置及曝光方法。

又，曝光裝置EX亦可以是例如國際公開第2001/035168號說明書所揭示之藉由在基板P上形成干涉條紋，據以在基板上曝光線與 空間圖案(line & space pattern)的曝光裝置(微影系統)。

上述實施形態之曝光裝置EX，係藉由組裝各種次系統(含各構成要素)，以能保持既定之機械精度、電氣精度、光學精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後，係進行對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系統至曝光裝置EX之組裝製程，係包含機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置EX之組裝步驟前，有各次系統個別之組裝步驟。在各種次系統組裝至曝光裝置EX之步驟結束後，即進行綜合調整，以確保曝光裝置EX整體之各種精度。此外，曝光裝置EX之製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理之無塵室進行。

半導體元件等之微元件，如圖32所示，係經進行微元件之功能、性能設計之步驟201，根據此設計步驟製作光罩M(標線片)之步驟202，製造元件基材之基板之步驟203，包含依據上述實施形態進行基板處理(曝光處理，包含使用光罩M之圖案以曝光用光EL使基板曝光之動作、以及使曝光後基板顯影之動作)的基板処理步驟204，元件組裝步驟(包含切割步驟、接合步驟、封裝步驟等之加工製程)205，以及檢查步驟206等而製造。

又，上述各實施形態之要件可適當加以組合。又，亦有不使用部分構成要素之情形。此外，在法令許可範圍內，援用上述各實施形態及變形例所引用之關於曝光裝置等之所有公開公報及美國專利之揭示作為本文記載之一部分。

Claims (81)

1. 一種液浸構件，係用於液浸曝光裝置，能於與射出曝光用光之光學構件之射出面對向之物體之表面上形成液浸空間，其具備：第1構件，包含配置在前述曝光用光之光路周圍之第1部分，前述曝光用光能通過之第1開口部及配置於前述第1開口部周圍之至少一部分且能與前述物體之表面對向之第1液體供應部設於前述第1部分；以及第2構件，具有能與前述物體之表面對向之第1液體回收部，能在相對前述光路之前述第1部分外側相對前述第1構件移動。
2. 如申請專利範圍第1項之液浸構件，其中，前述第2構件進一步具有在相對前述光學構件之光軸之放射方向配置於前述第1液體回收部之外側且能與前述物體之表面對向的第1氣體供應部。
3. 一種液浸構件，係用於液浸曝光裝置，能於與射出曝光用光之光學構件之射出面對向之物體之表面上形成液浸空間，其具備：第1構件，包含配置在前述曝光用光之光路周圍之第1部分，前述曝光用光能通過之第1開口部設於前述第1部分；以及第2構件，具有能與前述物體之表面對向之第1液體回收部、以及在相對前述光學構件之光軸之放射方向配置於前述第1液體回收部之外側且能與前述物體之表面對向之第1氣體供應部，能在相對前述光路之前述第1部分外側相對前述第1構件移動。
4. 如申請專利範圍第2或3項之液浸構件，其中，前述第1氣體供應部係在前述液浸空間外側供應前述氣體。
5. 如申請專利範圍第2至4項中任一項之液浸構件，其中，前述第1 氣體供應部係供應加濕後之氣體。
6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之液浸構件，其中，前述第2構件進一步具有在相對前述光學構件之光軸之放射方向配置於前述光路與前述第1液體回收部之間且能與前述物體之表面對向之第2液體供應部。
7. 一種液浸構件，係用於液浸曝光裝置，能於與射出曝光用光之光學構件之射出面對向之物體之表面上形成液浸空間，其具備：第1構件，包含配置在前述曝光用光之光路周圍之第1部分，前述曝光用光能通過之第1開口部設於前述第1部分；以及第2構件，具有能與前述物體之表面對向之第1液體回收部、以及在相對前述光學構件之光軸之放射方向配置於前述光路與前述第1液體回收部之間且能與前述物體之表面對向之第2液體供應部，能在相對前述光路之前述第1部分外側相對前述第1構件移動。
8. 如申請專利範圍第6或7項之液浸構件，其中，前述第1液體回收部能回收來自前述第2液體供應部之前述液體之至少一部分。
9. 如申請專利範圍第6至8項中任一項之液浸構件，其中，前述液浸空間之液體之界面在相對前述光學構件之光軸之放射方向被維持於前述第2液體供應部與前述第1液體回收部之間。
10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之液浸構件，其進一步具有能回收從前述物體上流入前述第1構件與前述第2構件間之間隙之液體之至少一部分的第2液體回收部。
11. 如申請專利範圍第10項之液浸構件，其中，前述第2液體回收部配置於前述第1構件。
12. 一種液浸構件，係用於液浸曝光裝置，能於與射出曝光用光之光學構件之射出面對向之物體之表面上形成液浸空間，其具備：第1構件，包含配置在前述曝光用光之光路周圍之第1部分，前述曝光用光能通過之第1開口部設於前述第1部分；第2構件，具有能與前述物體之表面對向之第1液體回收部，能在相對前述光路之前述第1部分外側相對前述第1構件移動；以及第2液體回收部，配置於前述第1構件，能回收從前述物體上流入前述第1構件與前述第2構件間之間隙之液體之至少一部分。
13. 如申請專利範圍第11或12項之液浸構件，其中，前述第1構件進一步包含配置於前述第1部分上方之第2部分；前述第2液體回收部配置於前述第2部分。
14. 如申請專利範圍第10至13項中任一項之液浸構件，其中，前述第1構件與前述第2構件間之間隙包含第1尺寸之第1間隙部分、以及形成於相對前述光學構件之光軸在前述第1間隙部分之外側且較前述第1尺寸小之第2尺寸之第2間隙部分；前述第2液體回收部能從前述第1間隙部分回收液體。
15. 一種液浸構件，係用於液浸曝光裝置，能於與射出曝光用光之光學構件之射出面對向之物體之表面上形成液浸空間，其具備：第1構件，包含配置在前述曝光用光之光路周圍之第1部分，前述曝光用光能通過之第1開口部設於前述第1部分；第2構件，具有能與前述物體之表面對向之第1液體回收部，能在相對前述光路之前述第1部分外側相對前述第1構件移動；以及 第2液體回收部，能回收從前述物體上流入前述第1構件與前述第2構件間之間隙之液體之至少一部分；前述第1構件與前述第2構件間之間隙包含第1尺寸之第1間隙部分、以及配置於相對前述光學構件之光軸在前述第1間隙部分之外側且較前述第1尺寸小之第2尺寸之第2間隙部分；前述第2液體回收部能從前述第1間隙部分回收液體。
16. 如申請專利範圍第14或15項之液浸構件，其中，前述第2構件能在既定面內移動；規定前述第2間隙部分之前述第1構件之第1對向面與前述第2構件之第2對向面，係與前述既定面實質平行。
17. 如申請專利範圍第10至16項中任一項之液浸構件，其中，前述第2液體回收部配置於前述第1構件。
18. 如申請專利範圍第10至17項中任一項之液浸構件，其中，前述第1構件與前述第2構件間之間隙之一端配置成與前述物體之表面對向；前述物體上之液體能從前述第1構件與前述第2構件間之間隙之前述一端流入前述間隙。
19. 如申請專利範圍第18項之液浸構件，其中，前述第1構件與前述第2構件間之間隙係透過前述間隙之另一端通至外部空間。
20. 如申請專利範圍第18或19項之液浸構件，其中，前述第1構件與前述第2構件間之間隙之另一端配置成不與前述物體之表面對向。
21. 如申請專利範圍第18至20項中任一項之液浸構件，其中，前述第1構件與前述第2構件間之間隙之另一端配置於較前述間隙之前述一 端高之位置。
22. 如申請專利範圍第18至21項中任一項之液浸構件，其中，前述第1構件與前述第2構件間之間隙之另一端不與前述物體上之液體接觸。
23. 如申請專利範圍第1至22項中任一項之液浸構件，其中，面對前述第1構件與前述第2構件間之間隙之前述第1構件之表面及前述第2構件之表面之一方或兩方之至少一部分對液體為撥液性。
24. 如申請專利範圍第1至23項中任一項之液浸構件，其中，能與前述物體之表面對向之前述第1部分之第1下面及前述第2構件之第2下面，和與前述光學構件之光軸垂直之平面大致平行。
25. 如申請專利範圍第1至24項中任一項之液浸構件，其中，能與前述物體之表面對向之前述第1部分之第1下面與前述第2構件之第2下面，係配置於相同平面內。
26. 如申請專利範圍第1至25項中任一項之液浸構件，其中，能與前述物體之表面對向之前述第1部分之第1下面及前述第2構件之第2下面，係配置於較前述射出面下方。
27. 如申請專利範圍第1至26項中任一項之液浸構件，其中，前述第1構件進一步具有將液體供應至前述第1構件與前述光學構件間之間隙之第3液體供應部。
28. 如申請專利範圍第27項之液浸構件，其中，前述第3液體供應部配置於前述第1部分。
29. 如申請專利範圍第27或28項之液浸構件，其中，前述第3液體供應部，係於前述第1構件配置成與前述光學構件之外面對向。
30. 如申請專利範圍第29項之液浸構件，其中，前述第1構件進一步具有配置成與前述光學構件之外面對向、能從前述光學構件與前述第1構件間之間隙回收液體的第3液體回收部；前述第3液體供應部相對前述光學構件之光軸配置於一側；前述第3液體回收部相對前述光學構件之光軸配置於另一側。
31. 如申請專利範圍第1至29項中任一項之液浸構件，其中，前述第1構件進一步具有能從前述第1構件與前述光學構件間之間隙回收液體之第3液體回收部。
32. 如申請專利範圍第31項之液浸構件，其中，前述第3液體回收部配置於前述第1部分。
33. 如申請專利範圍第31或32項之液浸構件，其中，前述第3液體回收部配置成與前述光學構件之外面對向，能從前述光學構件與前述第1構件間之間隙回收液體。
34. 如申請專利範圍第1至33項中任一項之液浸構件，其中，前述第2構件能在與前述光學構件之光軸垂直之面內移動。
35. 如申請專利範圍第1至34項中任一項之液浸構件，其中，前述第2構件係根據前述物體之移動條件而移動。
36. 如申請專利範圍第1至35項中任一項之液浸構件，其中，在形成有前述液浸空間之狀態下，前述第2構件移動。
37. 如申請專利範圍第1至36項中任一項之液浸構件，其中，在從前述射出面射出前述曝光用光之期間之至少一部分中，前述第2構件移動。
38. 如申請專利範圍第1至37項中任一項之液浸構件，其中，前述第 1構件之前述第1部分包含前述第1構件之最下部。
39. 如申請專利範圍第1至38項中任一項之液浸構件，其中，前述第1構件之前述第1部分包含前述第1構件之與前述物體之表面最接近之部位。
40. 如申請專利範圍第1至39項中任一項之液浸構件，其中，前述第1構件之前述第1部分配置於較前述光學構件之射出面下方。
41. 一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光，其具備申請專利範圍第1至40項中任一項之液浸構件。
42. 如申請專利範圍第41項之曝光裝置，其進一步具備配置於相對前述光路之前述第2構件外側且具有能與前述物體之表面對向之第2氣體供應部的第3構件。
43. 一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光，其具備：光學構件，具有射出前述曝光用光之射出面；液浸構件，能於能在前述光學構件下方移動之物體上形成前述液體之液浸空間，具有配置於前述曝光用光之光路周圍之至少一部分的第1構件與至少一部分在前述第1構件下方配置成能與前述物體對向、能相對前述第1構件移動的第2構件；以及氣體供應部，係對前述液浸空間周圍之至少一部分供應氣體。
44. 如申請專利範圍第43項之曝光裝置，其中，在形成有前述液浸空間之狀態下，前述第2構件及前述物體之一方或兩方移動；在前述第2構件及前述物體之一方或兩方移動之期間之至少一部分中，從前述氣體供應部供應前述氣體。
45. 如申請專利範圍第43或44項之曝光裝置，其中，根據前述第2構件之移動條件及前述物體之移動條件之一方或兩方，決定從前述氣體供應部之氣體供應條件。
46. 如申請專利範圍第43至45項中任一項之曝光裝置，其中，根據從前述第2構件之移動條件及前述物體之移動條件之一方或兩方推測之從前述液浸構件與前述物體間之空間之前述液體之流出位置、流出方向、以及流出量中之至少一個相關之資訊，決定前述氣體供應部之氣體供應條件。
47. 如申請專利範圍第45或46項之曝光裝置，其中，前述氣體供應部之氣體供應條件包含從前述氣體供應部之供應方向、供應範圍、供應之氣體之流速、以及有無氣體供應中之至少一個。
48. 如申請專利範圍第43至47項中任一項之曝光裝置，其中，根據前述第2構件之移動條件及前述物體之移動條件之一方或兩方，決定前述氣體供應部之位置。
49. 如申請專利範圍第43至48項中任一項之曝光裝置，其中，前述第2構件之移動條件包含前述第2構件之移動速度、加速度、移動方向、以及移動軌跡中之至少一個。
50. 如申請專利範圍第43至49項中任一項之曝光裝置，其中，前述物體之移動條件包含前述物體之移動速度、加速度、移動方向、以及移動軌跡中之至少一個。
51. 如申請專利範圍第43至50項中任一項之曝光裝置，其中，前述氣體供應部以從前述液浸構件與前述物體間之空間之前述液體之流出受到抑制之方式供應前述氣體。
52. 如申請專利範圍第43至51項中任一項之曝光裝置，其進一步具有配置於前述液浸構件且能與前述物體對向之液體回收部；前述氣體供應部配置於相對前述光路之前述液體回收部之外側。
53. 如申請專利範圍第52項之曝光裝置，其中，前述液體回收部配置於前述第2構件。
54. 如申請專利範圍第43至53項中任一項之曝光裝置，其中，前述氣體供應部配置成能與前述物體對向。
55. 如申請專利範圍第43至54項中任一項之曝光裝置，其中，前述氣體供應部配置於前述液浸構件。
56. 如申請專利範圍第55項之曝光裝置，其中，前述氣體供應部配置於前述第2構件。
57. 如申請專利範圍第41至56項中任一項之曝光裝置，其中，前述第2構件以和前述物體之相對速度變小之方式移動。
58. 如申請專利範圍第41至57項中任一項之曝光裝置，其中，前述第2構件以前述第2構件與前述物體之相對速度較前述第1構件與前述物體之相對速度小之方式移動。
59. 如申請專利範圍第41至58項中任一項之曝光裝置，其中，前述第2構件，以和前述物體之相對加速度變小之方式移動。
60. 如申請專利範圍第41至59項中任一項之曝光裝置，其中，前述第2構件，以前述第2構件與前述物體之相對加速度較前述第1構件與前述物體之相對加速度小之方式移動。
61. 如申請專利範圍第41至60項中任一項之曝光裝置，其中，前述 物體包含前述基板；在形成有前述液浸空間之狀態下，前述基板能在與前述光學構件之光軸實質垂直之面內，移動於第1路徑後、移動於第2路徑；於前述第1路徑，前述基板之移動包含往在前述面內與第1軸實質平行之第1方向的移動；於前述第2路徑，前述基板之移動包含往在前述面內和與前述第1軸正交之第2軸實質平行之第2方向的移動；前述第2構件係在前述基板移動於前述第2路徑之期間之至少一部分中，於前述第2方向移動。
62. 如申請專利範圍第61項之曝光裝置，其中，在前述基板移動於前述第1路徑時透過前述液浸空間之液體對前述基板之照射區域照射前述曝光用光，而在前述基板移動於前述第2路徑時則不照射前述曝光用光。
63. 如申請專利範圍第61或62項之曝光裝置，其中，前述基板在移動於前述第2路徑後，移動於第3路徑；於前述第3路徑，前述基板之移動包含往與前述第1方向相反之第3方向的移動；前述可動構件在前述基板移動於前述第3路徑之期間之至少一部分中，往與前述第2方向相反之第4方向移動。
64. 如申請專利範圍第41至60項中任一項之曝光裝置，其中，前述物體包含前述基板；在形成有前述液浸空間之狀態下，以一邊使前述基板於掃描方向掃描移動一邊曝光前述基板之第1照射區域後第2照射區域配置於曝光開始位 置之方式，使前述基板往步進方向步進移動；在前述基板之步進移動之至少一部分中，前述第2構件移動於與前述步進方向實質相同之方向。
65. 如申請專利範圍第64項之曝光裝置，其中，在前述基板之掃描移動之至少一部分中，前述第2構件移動於與前述步進方向實質相反之方向。
66. 如申請專利範圍第41至65項中任一項之曝光裝置，其中，前述物體包含能保持前述基板移動之基板載台。
67. 一種元件製造方法，包含：使用申請專利範圍第41至66項中任一項之曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光後之前述基板顯影的動作。
68. 一種曝光方法，係透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以前述曝光用光使前述基板曝光，包含：使用液浸構件在前述基板之表面上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備：第1構件，包含配置在前述曝光用光之光路周圍之第1部分，前述曝光用光能通過之第1開口部及配置於前述第1開口部周圍之至少一部分且能與前述基板之表面對向之第1液體供應部設於前述第1部分；以及第2構件，具有能與前述基板之表面對向之第1液體回收部，能在相對前述光路之前述第1部分外側相對前述第1構件移動；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；以及於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2 構件的動作。
69. 一種曝光方法，係透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以前述曝光用光使前述基板曝光，包含：使用液浸構件在前述基板之表面上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備：第1構件，包含配置在前述曝光用光之光路周圍之第1部分，前述曝光用光能通過之第1開口部設於前述第1部分；以及第2構件，具有能與前述物體之表面對向之第1液體回收部、以及在相對前述光學構件之光軸之放射方向配置於前述第1液體回收部之外側且能與前述物體之表面對向之第1氣體供應部，能在相對前述光路之前述第1部分外側相對前述第1構件移動；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；以及於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作。
70. 一種曝光方法，係透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以前述曝光用光使前述基板曝光，包含：使用液浸構件在前述基板之表面上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備：第1構件，包含配置在前述曝光用光之光路周圍之第1部分，前述曝光用光能通過之第1開口部設於前述第1部分；以及第2構件，具有能與前述物體之表面對向之第1液體回收部、以及在相對前述光學構件之光軸之放射方向配置於前述光路與前述第1液體回收部之間且能與前述物體之表面對向之第2液體供應部，能在相對前述光路之前述第1 部分外側相對前述第1構件移動；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；以及於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作。
71. 一種曝光方法，係透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以前述曝光用光使前述基板曝光，包含：使用液浸構件在前述基板之表面上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備：第1構件，包含配置在前述曝光用光之光路周圍之第1部分，前述曝光用光能通過之第1開口部設於前述第1部分；第2構件，具有能與前述物體之表面對向之第1液體回收部，能在相對前述光路之前述第1部分外側相對前述第1構件移動；以及第2液體回收部，配置於前述第1構件，能回收從前述物體上流入前述第1構件與前述第2構件間之間隙之液體之至少一部分；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；以及於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作。
72. 一種曝光方法，係透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以前述曝光用光使前述基板曝光，包含：使用液浸構件在前述基板之表面上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備：第1構件，包含配置在前述曝光用光之光路周圍之第1 部分，前述曝光用光能通過之第1開口部設於前述第1部分；第2構件，具有能與前述物體之表面對向之第1液體回收部，能在相對前述光路之前述第1部分外側相對前述第1構件移動；以及第2液體回收部，能回收從前述物體上流入前述第1構件與前述第2構件間之間隙之液體之至少一部分；前述第1構件與前述第2構件間之間隙包含第1尺寸之第1間隙部分、以及配置於相對前述光學構件之光軸在前述第1間隙部分之外側且較前述第1尺寸小之第2尺寸之第2間隙部分；前述第2液體回收部能從前述第1間隙部分回收液體；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；以及於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作。
73. 一種曝光方法，係透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以前述曝光用光使前述基板曝光，包含：使用第1液浸構件在能在前述光學構件下方移動之前述基板上形成前述液體之液浸空間的動作；前述第1液浸構件具有：第1構件，配置於前述曝光用光之光路周圍之至少一部分；以及第2構件，其至少一部分在前述第1構件下方配置成能與前述物體對向，能相對前述第1構件移動；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2 構件的動作；以及從氣體供應部對前述液浸空間周圍之至少一部分供應氣體的動作。
74. 一種元件製造方法，包含：使用申請專利範圍第68至73項中任一項之曝光方法使基板曝光的動作；以及使曝光後之前述基板顯影的動作。
75. 一種程式，係使電腦實施透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使前述基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在前述基板之表面上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備：第1構件，包含配置在前述曝光用光之光路周圍之第1部分，前述曝光用光能通過之第1開口部及配置於前述第1開口部周圍之至少一部分且能與前述基板之表面對向之第1液體供應部設於前述第1部分；以及第2構件，具有能與前述基板之表面對向之第1液體回收部，能在相對前述光路之前述第1部分外側相對前述第1構件移動；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；以及於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作。
76. 一種程式，係使電腦實施透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使前述基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施： 使用液浸構件在前述基板之表面上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備：第1構件，包含配置在前述曝光用光之光路周圍之第1部分，前述曝光用光能通過之第1開口部設於前述第1部分；以及第2構件，具有能與前述物體之表面對向之第1液體回收部、以及在相對前述光學構件之光軸之放射方向配置於前述第1液體回收部之外側且能與前述物體之表面對向之第1氣體供應部，能在相對前述光路之前述第1部分外側相對前述第1構件移動；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；以及於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作。
77. 一種程式，係使電腦實施透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使前述基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在前述基板之表面上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備：第1構件，包含配置在前述曝光用光之光路周圍之第1部分，前述曝光用光能通過之第1開口部設於前述第1部分；以及第2構件，具有能與前述物體之表面對向之第1液體回收部、以及在相對前述光學構件之光軸之放射方向配置於前述光路與前述第1液體回收部之間且能與前述物體之表面對向之第2液體供應部，能在相對前述光路之前述第1部分外側相對前述第1構件移動；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使 前述基板曝光的動作；以及於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作。
78. 一種程式，係使電腦實施透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使前述基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在前述基板之表面上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備：第1構件，包含配置在前述曝光用光之光路周圍之第1部分，前述曝光用光能通過之第1開口部設於前述第1部分；第2構件，具有能與前述物體之表面對向之第1液體回收部，能在相對前述光路之前述第1部分外側相對前述第1構件移動；以及第2液體回收部，配置於前述第1構件，能回收從前述物體上流入前述第1構件與前述第2構件間之間隙之液體之至少一部分；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；以及於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作。
79. 一種程式，係使電腦實施透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使前述基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件在前述基板之表面上形成前述液體之液浸空間的動作，前述液浸構件具備：第1構件，包含配置在前述曝光用光之光路周圍之第1 部分，前述曝光用光能通過之第1開口部設於前述第1部分；第2構件，具有能與前述物體之表面對向之第1液體回收部，能在相對前述光路之前述第1部分外側相對前述第1構件移動；以及第2液體回收部，能回收從前述物體上流入前述第1構件與前述第2構件間之間隙之液體之至少一部分；前述第1構件與前述第2構件間之間隙包含第1尺寸之第1間隙部分、以及配置於相對前述光學構件之光軸在前述第1間隙部分之外側且較前述第1尺寸小之第2尺寸之第2間隙部分；前述第2液體回收部能從前述第1間隙部分回收液體；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作；以及於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作。
80. 一種程式，係使電腦實施透過射出曝光用光之光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使前述基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其使之實施：使用第1液浸構件在能在前述光學構件下方移動之前述基板上形成前述液體之液浸空間的動作；前述第1液浸構件具有：第1構件，配置於前述曝光用光之光路周圍之至少一部分；以及第2構件，其至少一部分在前述第1構件下方配置成能與前述物體對向，能相對前述第1構件移動；透過前述液浸空間之前述液體以從前述射出面射出之前述曝光用光使前述基板曝光的動作； 於前述基板之曝光之至少一部分中，相對前述第1構件移動前述第2構件的動作；以及從氣體供應部對前述液浸空間周圍之至少一部分供應氣體的動作。
81. 一種電腦可讀取之記錄媒體，其記錄有申請專利範圍第75至80項中任一項之程式。