TW201935146A - 液浸構件、曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式、及記錄媒體 - Google Patents

液浸構件、曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式、及記錄媒體 Download PDF

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Abstract

本發明之液浸構件，係以從光學構件之射出面射出之曝光用光之光路被液體充滿之方式，在能於光學構件下方移動之物體上形成液浸空間。液浸構件，具備：具有第1下面的第1構件，具有透過間隙與第1下面對向之第2上面與物體可對向之第2下面、相對第1構件為可動的第2構件，以及相對光路在第2下面之外側回收來自第2下面與物體之間之第2空間之液體之至少一部分的回收部。

Description

液浸構件、曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式、及記錄媒體
本發明係關於液浸構件、曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式、及記錄媒體。
本申請案主張2012年4月10日申請之美國專利暫時申請61／622,182及2013年3月13日申請之美國專利申請第13／800,448號之優先權，並將其内容援用於此。
微影製程所使用之曝光裝置中，有一種例如下述專利文獻所揭示之透過液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置。
先行技術文獻
[專利文獻1] 美國專利第7864292號
發明欲解決之課題
液浸曝光裝置中，例如當液體從既定空間流出、或殘留在基板等物體上時，即有可能發生曝光不良之情形。其結果，有可能產生不良元件。
本發明之態樣，其目的在提供一種能抑制曝光不良之發生之液浸構件、曝光裝置及曝光方法。此外，本發明之態樣，其目的在提供一種能抑制不良元件之產生之元件製造方法、程式及記錄媒體。
用以解決課題之手段
本發明第1態樣提供一種液浸構件，係以從光學構件之射出面射出之曝光用光之光路被液體充滿之方式，在能於光學構件下方移動之物體上形成液浸空間，具備：配置在光學構件周圍之至少一部分，具有第1下面與相對光路配置在第1下面之外側之第1回收部的第1構件；以及在第1構件之下方配置在光路周圍之至少一部分，具有與第1下面隔著間隙對向之第2上面與物體可對向之第2下面，相對第1構件可動的第2構件；該物體可對向於第1回收部之至少一部分，可將來自第2上面面向之第1空間、及該第2下面面向之第2空間之至少一方之該液體之至少一部分，從第1回收部加以回收。
本發明第2態樣提供一種液浸構件，係以從光學構件之射出面射出之曝光用光之光路被液體充滿之方式，在能於光學構件下方移動之物體上形成液浸空間，具備：配置在光學構件周圍之至少一部分，具有第1下面的第1構件；在第1構件下方配置在光路周圍之至少一部分，具有物體可對向之第2下面，可相對第1構件移動的第2構件；以及相對該光路配置在該第1下面之外側的回收部；以該回收部進行來自第1構件與第2構件之間之空間之液體的回收。
本發明第3態樣提供一種液浸構件，係以從光學構件之射出面射出之曝光用光之光路被液體充滿之方式，在能於光學構件下方移動之物體上形成液浸空間，具備：配置在光學構件周圍之至少一部分，具有第1下面的第1構件；在第1構件下方配置在光路周圍之至少一部分，具有物體可對向之第2下面，可相對第1構件移動的第2構件；以及至少一部分係相對光路在第2下面之外側，回收來自第2構件與物體之間之空間之液體的回收部。
本發明第4態樣提供一種液浸構件，係以從光學構件之射出面射出之曝光用光之光路被液體充滿之方式，在能於光學構件下方移動之物體上形成液浸空間，具備：配置在光學構件周圍之至少一部分，具有第1下面的第1構件；在該第1構件下方配置在光路周圍之至少一部分，具有能與第1下面對向之第2上面及物體可對向之第2下面，可相對第1構件移動的第2構件；配置在較第2上面上方處，可供應液體的供應部；以及配置在較第2上面上方處，能回收液體的回收部；來自供應部之液體之至少一部分係被供應至第1下面與第2上面之間之空間，從回收部回收第1下面與第2上面之間之空間之液體之至少一部分。
本發明第5態樣提供一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光，其具備第1～第4態樣中任一態樣之液浸構件。
本發明第6態樣提供一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光：具備以從光學構件之射出面射出之曝光用光之光路被液體充滿之方式，在能於光學構件下方移動之物體上形成液浸空間的液浸構件；液浸構件，具備：配置在光學構件周圍之至少一部分，具有第1下面、與相對光路配置在第1下面外側之第1回收部的第1構件；以及於該第1構件之下方配置在光路周圍之至少一部分，具有透過間隙與第1下面對向之第2上面、物體可對向之第2下面、與配置在第2下面能回收液體之第2回收部的第2構件；物體可對向於第1回收部之至少一部分；將來自第2上面面向之第1空間及該第2下面面向之第2空間中至少一方之該液體之至少一部分，從該第1回收部加以回收。
本發明第7態樣提供一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光：具備以從光學構件之射出面射出之曝光用光之光路被液體充滿之方式，在能於光學構件下方移動之物體上形成液浸空間的液浸構件；液浸構件，具備：配置在光學構件周圍之至少一部分，具有第1下面、與相對光路配置在第1下面外側之第1回收部的第1構件；以及於第1構件之下方配置在光路周圍之至少一部分，具有透過間隙與第1下面對向之第2上面、物體可對向之第2下面的第2構件；基板可對向於第1回收部之至少一部分；將來自第2上面面向之第1空間及第2下面面向之第2空間中至少一方之液體之至少一部分，從第1回收部加以回收；在形成有液浸空間之狀態下，基板在與光學構件之光軸實質垂直之面内移動於第1路徑後，移動於第2路徑；於第1路徑中，基板之移動包含往與第1軸平行之第1方向的移動；於第2路徑中，基板之移動包含往與第1軸正交之第2軸平行之第2方向的移動；第2構件可分割為第1部分、以及在與第2軸平行之方向與第1部分相鄰之第2部分；在形成有液浸空間之狀態下基板移動於第1路徑之期間之至少一部分中，第1部分與第2部分係分離配置；在基板移動於第2路徑之期間之至少一部分中，第1部分與第2部分係接近或接觸。
本發明第8態樣提供一種元件製造方法，包含：使用第5～第7態樣中任一態樣之曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光後之基板顯影的動作。
本發明第9態樣提供一種曝光方法，係透過液體以曝光用光使基板曝光，包含：以從光學構件之射出面射出之曝光用光之光路被液體充滿之方式，形成液浸空間的動作；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；相對配置在光學構件周圍之至少一部分、具有第1下面與相對光路配置在第1下面外側之第1回收部的第1構件，移動在第1構件之下方配置在光路周圍之至少一部分、具有與第1下面透過間隙對向之第2上面與物體可對向之第2下面的第2構件的動作；以及將來自第2上面面向之第1空間及第2下面面向之第2空間中至少一方之液體之至少一部分，從第1回收部加以回收的動作。
本發明第10態樣提供一種元件製造方法，包含：使用第9態樣之曝光方法使基板曝光的動作；以及使曝光後之基板顯影的動作。
本發明第11態樣提供一種程式，係使電腦實施透過液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置之控制，包含：以從光學構件之射出面射出之曝光用光之光路被液體充滿之方式，形成液浸空間的動作；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；相對配置在光學構件周圍之至少一部分、具有第1下面與相對光路配置在第1下面外側之第1回收部的第1構件，移動在第1構件之下方配置在光路周圍之至少一部分、具有與第1下面透過間隙對向之第2上面與物體可對向之第2下面的第2構件的動作；以及將來自第2上面面向之第1空間及第2下面面向之第2空間中至少一方之該液體之至少一部分，從第1回收部加以回收的動作。
本發明第12態樣提供一種電腦可讀取之記錄媒體，其記錄有第11態樣之程式。
發明效果
根據本發明之態樣，能抑制曝光不良之發生。此外，根據本發明之態樣，能抑制不良元件之產生。
以下，一邊參照圖式一邊說明本發明之實施形態，但本發明並不限定於此。以下之説明中，係設定一XYZ正交座標系，一邊參照此XYZ正交座標系一邊說明各部之位置關係。並設水平面内之既定方向為X軸方向、於水平面内與X軸方向正交之方向為Y軸方向、分別與X軸方向及Y軸方向正交之方向(亦即鉛直方向)為Z軸方向。此外，設繞X軸、Y軸及Z軸旋轉(傾斜)方向分別為θX、θY及θZ方向。
＜第1實施形態＞
首先，說明第1實施形態。圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置EX之一例的概略構成圖。本實施形態之曝光裝置EX係透過液體LQ以曝光用光EL使基板P曝光之液浸曝光裝置。於本實施形態，形成有將曝光用光EL之光路以液體LQ加以充滿之液浸空間LS。液浸空間係被液體充滿之部分(空間、區域)。基板P係透過液浸空間LS之液體LQ以曝光用光EL加以曝光。本實施形態中，液體LQ係使用水(純水)。
又，本實施形態之曝光裝置EX，係例如美國專利第6897963號說明書、歐洲專利公開第1713113號說明書等所揭示之具備基板載台與測量載台的曝光裝置。
圖1中，曝光裝置EX，具備：可保持光罩M移動的光罩載台1、可保持基板P移動的基板載台2、不保持基板P而可搭載測量曝光用光EL之測量構件(測量器)C移動的測量載台3、測量基板載台2及測量載台3之位置的測量系統4、以曝光用光EL照明光罩M的照明系IL、將經曝光用光EL照明之光罩M之圖案之像投影至基板P的投影光學系PL、形成液浸空間LS的液浸構件5、控制曝光裝置EX全體之動作的控制裝置6、以及連接於控制裝置6用以儲存與曝光相關之各種資訊的記憶裝置7。
又，曝光裝置EX，亦具備支承投影光學系PL及包含測量系統4之各種測量系統的基準框架8A、支承基準框架8A的裝置框架8B、配置在基準框架8A與裝置框架8B之間用以抑制振動從裝置框架8B傳遞至基準框架8A的防振裝置10。防振裝置10包含彈簧裝置等。本實施形態中，防振裝置10包含氣體彈簧(例如air mount)。此外，亦可將檢測基板P上之對準標記的檢測系統、或檢測基板P等物體之表面位置的檢測系統支承於基準框架8A。
又，曝光裝置EX，具備調整曝光用光EL行進之空間CS之環境(温度、濕度、壓力及潔淨度中之至少一種)的腔室裝置9。於空間CS，至少配置有投影光學系PL、液浸構件5、基板載台2及測量載台3。本實施形態中，光罩載台1及照明系IL之至少一部分亦配置於空間CS。
光罩M包含形成有待投影至基板P之元件圖案之標線片(reticle)。光罩M包含透射型光罩，此種透射型光罩具有例如玻璃板等之透明板、與在該透明板上使用鉻等遮光材料形成之圖案。又，光罩M亦可使用反射型光罩。
基板P係用以製造元件之基板。基板P包含例如半導體晶圓等之基材與該基材上形成之感光膜。感光膜係感光材(photoresist 光阻劑)之膜。又，基板P除感光膜外亦可包含其他膜。例如，基板P可包含反射防止膜、或包含保護感光膜之保護膜(topcoat膜)。
照明系IL對既定照明區域IR照射曝光用光EL。照明區域IR包含從照明系IL射出之曝光用光EL可照射之位置。照明系IL以均勻照度分布之曝光用光EL照明配置在照明區域IR之光罩M之至少一部分。從照明系IL射出之曝光用光EL，係使用例如從水銀燈射出之輝線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)、ArF準分子雷射光(波長193nm)及F2 雷射光(波長157nm)等之真空紫外光(VUV光)等。本實施形態中，曝光用光EL係使用紫外光(真空紫外光)之ArF準分子雷射光。
光罩載台1能在保持光罩M之狀態下移動。光罩載台1係藉由例如美國專利第6452292號說明書所揭示之包含平面馬達之驅動系統之作動而移動。本實施形態中，光罩載台1可藉由驅動系統之作動，移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ方向之6個方向。又，驅動系統11可不包含平面馬達。例如，驅動系統11可包含線性馬達。
投影光學系PL將曝光用光EL照射於既定投影區域PR。投影區域PR包含從投影光學系PL射出之曝光用光EL可照射到之位置。投影光學系PL將光罩M之圖案像以既定投影倍率投影至配置在投影區域PR之基板P之至少一部分。本實施形態之投影光學系PL係投影倍率例如為1／4、1／5或1／8等之縮小系。當然，投影光學系PL亦可以是等倍系及放大系之任一者。本實施形態中，投影光學系PL之光軸與Z軸平行。又，投影光學系PL可以是不包含反射光學元件之折射系、不包含折射光學元件之反射系、或包含反射光學元件與折射光學元件之反射折射系中之任一種。又，投影光學系PL可形成倒立像與正立像之任一種。
投影光學系PL，包含具有曝光用光EL射出之射出面12的終端光學元件13。射出面12朝向投影光學系PL之像面射出曝光用光EL。終端光學元件13係投影光學系PL之複數個光學元件中、最接近投影光學系PL之像面的光學元件。投影區域PR包含從射出面12射出之曝光用光EL可照射到之位置。本實施形態中，射出面12朝向－Z軸方向，與XY平面平行。又，朝向－Z軸方向之射出面12，可以是凸面、亦可以是凹面。此外，射出面12可相對XY平面傾斜、亦可包含曲面。本實施形態中，終端光學元件13之光軸與Z軸平行。本實施形態中，從射出面12射出之曝光用光EL往－Z軸方向行進。
基板載台2，能在保持有基板P之狀態下，在包含來自射出面12之曝光用光EL可照射到之位置(投影區域PR)的XY平面内移動。測量載台3，能在搭載有測量構件(測量器)C之狀態下，在包含來自射出面12之曝光用光EL可照射到之位置(投影區域PR)的XY平面内移動。基板載台2及測量載台3之各個，能在基座構件14之導引面14G上移動。本實施形態中，導引面14G與XY平面實質平行。
又，本實施形態中，基板載台2具有例如美國專利申請公開第2007／0177125號說明書、及美國專利申請公開第2008／0049209號說明書等所揭示之將基板P保持成可釋放之第1保持部與配置在第1保持部周圍、將覆蓋構件T保持成可釋放之第2保持部。第1保持部將基板P保持成基板P之表面(上面)與XY平面實質平行。本實施形態中，被保持於第1保持部之基板P之上面與被保持於第2保持部之覆蓋構件T之上面，實質上配置在同一平面内。當然，被保持於第1保持部之基板P之上面與被保持於第2保持部之覆蓋構件T之上面可以不是配置在同一平面内，或覆蓋構件T之上面相對基板P之上面傾斜，或覆蓋構件T之上面包含曲面。
基板載台2及測量載台3，係藉由例如美國專利第6452292號所揭示之包含平面馬達之驅動系統15之作動而移動。驅動系統15具有配置在基板載台2之可動子2C、配置在測量載台3之可動子3C、與配置在基座構件14之固定子14M。基板載台2及測量載台3可分別藉由驅動系統15之作動，在導引面14G上移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ方向之6個方向。又，驅動系統15可不包含平面馬達。例如，驅動系統15可包含線性馬達。
測量系統4包含干涉儀系統。干涉儀系統包含對基板載台2之測量鏡(mirror)及測量載台3之測量鏡照射測量光，以測量該基板載台2及測量載台3之位置的單元。又，測量系統可包含例如美國專利申請公開第2007／0288121號說明書所揭示之編碼器系統。此外，測量系統4亦可僅包含干涉儀系統及編碼器系統中之任一方。
實施基板P之曝光處理時、或實施既定測量處理時，控制裝置6根據測量系統4之測量結果，實施基板載台2(基板P)及測量載台3(測量構件C)之位置控制。
其次，說明本實施形態之液浸構件5。圖2係液浸構件5之與YZ平面平行的剖面圖。圖3係液浸構件5之與XZ平面平行的剖面圖。圖4係將圖2之一部分予以放大的圖。圖5係從下側(－Z軸側)觀察液浸構件5的圖。圖6係液浸構件5的立體圖。
液浸構件5，形成將從終端光學元件13之射出面12射出之曝光用光EL之光路K以液體LQ加以充滿之液浸空間LS。液浸空間LS，包含能在包含與射出面12對向位置之XY平面内移動之物體與液浸構件5之間之空間之至少一部分。
能在包含與射出面12對向位置之XY平面内移動之物體，包含可能與射出面12對向之物體，包含能配置在投影區域PR之物體。又，該物體包含能在終端光學元件13之下方移動之物體。本實施形態中，該物體包含基板載台2之至少一部分(例如基板載台2之覆蓋構件T)、被保持於基板載台2(第1保持部)之基板P、及測量載台3中之至少一者。於基板P之曝光中，以照射於基板P之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿之方式形成液浸空間LS。形成一在基板P被曝光用光EL照射時，僅包含投影區域PR之基板P之表面部分區域被液體LQ覆蓋之液浸空間LS。
以下之説明中，與射出面12對向之物體係設為基板P。又，如前所述，能與射出面12對向之物體，亦可以是基板載台2及測量載台3之至少一方、亦可以是與基板P、基板載台2及測量載台3不同之其他物體。又，有形成跨在基板載台2之覆蓋構件T與基板P之液浸空間LS之情形，亦有形成跨在基板載台2與測量載台3之液浸空間LS之情形。
本實施形態中，液浸構件5具備配置在終端光學元件13(曝光用光EL之光路)周圍之至少一部分之第1構件21、與在第1構件21之下方配置在光路K周圍之至少一部分且相對第1構件21可動之第2構件22、與能回收液體LQ之回收部23。此外，可從回收部23將氣體與液體LQ一起回收，亦可在抑制氣體回收之同時、回收液體LQ。
本實施形態中，曝光用光EL之光路包含曝光用光EL在終端光學元件13之光路(行進於終端光學元件13之曝光用光EL之光路)。又，曝光用光EL之光路，包含從射出面12射出之曝光用光EL之光路K。本實施形態中，第1構件21配置在終端光學元件13(在終端光學元件13之曝光用光EL之光路)周圍之至少一部分。此外，第1構件21亦可不是配置在終端光學元件13之周圍，而配置在從射出面12射出之曝光用光EL之光路K周圍之至少一部分。第1構件21亦可以是配置在終端光學元件13周圍之至少一部分及從射出面12射出之曝光用光EL之光路K周圍之至少一部分。
本實施形態中，第1構件21係透過支承構件(未圖示)被支承於裝置框架8B。當然，亦可以是第1構件21透過支承構件(未圖示)被支承於基準框架8A。
第1構件21係配置在較第2構件22離開基板P(物體)之位置。第2構件22之至少一部分配置在第1構件21與基板P(物體)之間。
本實施形態中，第1構件21係配置在終端光學元件13之周圍。第1構件21為環狀構件。第1構件21係被配置成不接觸終端光學元件13。第1構件21與終端光學元件13之間形成間隙。本實施形態中，第1構件21不與射出面12對向。又，第1構件21之一部分可與射出面12對向。亦即，第1構件21之一部分可配置在射出面12與基板P(物體)之上面之間。此外，第1構件21可不是環狀。例如，第1構件21可配置在終端光學元件13(光路K)周圍之一部分。例如，第1構件21可於終端光學元件13(光路K)之周圍配置複數個。
本實施形態中，第2構件22係配置在光路K之周圍。第2構件22為環狀構件。
第1構件21具有朝向－Z軸方向之下面24。第2構件22具有朝向＋Z軸方向之上面25與朝向－Z軸方向之下面26。基板P(物體)可對向於下面26。上面25透過間隙與下面24對向。又，本實施形態中，上面25透過間隙與射出面12對向。當然，上面25可不與射出面12對向。
本實施形態中，第1構件21之下面24不回收液體LQ。下面24為非回收部，無法回收液體LQ。第1構件21之下面24，能在與第2構件22之間保持液體LQ。又，第1構件21之下面24之一部分可不與第2構件22之上面25對向。或者，亦可因第2構件22之移動，而發生第1構件21之下面24之一部分不與第2構件22之上面25對向的狀態。此場合，能在下面24與基板P(物體)之間保持液體LQ，可在下面24與基板P(物體)之間形成液體LQ(液浸空間LS)之界面。本實施形態中，下面24與XY平面實質平行。上面25亦與XY平面實質平行。下面26亦與XY平面實質平行。亦即，下面24與上面25實質平行。上面25與下面26實質平行。
又，下面24可相對XY平面為非平行、亦可包含曲面。此外，上面25可相對XY平面為非平行、亦可包含曲面。又，下面26可相對XY平面為非平行、亦可包含曲面。再者，下面24與上面25與下面26中之一者，可與另一者非平行。
回收部23相對光路K(相對終端光學元件13之光軸AX)配置在下面24之外側。本實施形態中，基板P(物體)可對向於回收部23之至少一部分。亦即，回收部23之至少一部分係相對光路K(終端光學元件13之光軸AX)配置在第2構件22(下面26)之外側。回收部23可回收來自上面25面向之第1空間SP1及下面26面向之第2空間SP2之液體LQ之至少一部分。第1空間SP1包含下面24與上面25之間之空間。亦即，回收部23可回收從第1空間SP1流至回收部23之下面與上面25之間之空間的液體LQ。第2空間SP2包含下面26與基板P(物體)之上面之間之空間。回收部23配置在較第2構件22(上面25)上方處。回收部23配置在較第1空間SP1上方處。回收部23，可在第2構件22(第1空間SP1)之上方回收液體LQ。又，回收部23可將從第1空間SP1流至回收部23與基板P(物體)之上面之間之空間的液體LQ，與來自第2空間SP2之液體LQ一起加以回收。又，本實施形態中，於終端光學元件13之光軸AX之方向(Z軸方向)，第1空間SP1之大小與第2空間SP2之大小相同，但其中一方之大小可較另一方之大小小。
本實施形態中，第2構件22之至少一部分與回收部23對向。本實施形態中，當第2構件22位於原點時，第2構件22之一部分與下面24對向，第2構件22之其他一部分(周緣部)與回收部23對向。本實施形態中，當第2構件22位於原點時，回收部23之一部分(回收部23之外緣部)係相對光路K(光軸AX)配置在第2構件22(下面26)之外側。此外，第2構件22可不對向於回收部23。亦即，不僅是第2構件22位於原點之情形，在第2構件22從原點移動時，第2構件22之上面25亦可不對向於回收部23。又，亦可以是在第2構件22位於原點時第2構件22與回收部23不對向，而在第2構件22從原點移動時第2構件22與回收部23對向。又，亦可於第2構件22之移動期間之至少一部分中，回收部23之至少一部分面向第2構件22之上面25，或在第2構件22之移動期間之至少一部分中，回收部23不面向第2構件22之上面24。亦即，於第2構件22之移動期間之至少一部分中，回收部23之一部分可相對光路K(光軸AX)配置在第2構件22(下面26)之外側，或回收部23之全部相對光路K(光軸AX)配置在第2構件22(下面26)之外側。再者，於第2構件22之移動期間之至少一部分中，亦可相對光路K(光軸AX)第2構件22之一部分配置在回收部23之外側。又，本實施形態中，第2構件22位於原點之狀態，係指後述第2構件22之開口35(例如，開口35之中心)與終端光學元件13之光軸AX一致之狀態。
本實施形態中，回收部23係配置在第1構件21。又，回收部23亦可以是配置在與第1構件21及第2構件22不同之其他構件。
第2構件22可藉由驅動裝置27移動。驅動裝置27，例如包含馬達，使用羅倫茲力移動第2構件22。本實施形態中，係於第2構件22之上面25之至少一部分連接支承構件28。本實施形態中，支承構件28係相對光路K(終端光學元件13)配置在＋Y軸側及－Y軸側之各側。驅動裝置27藉移動支承構件28據以移動第2構件22。
又，複數個支承構件28之配置不限於＋Y軸側及－Y軸側。例如，亦可配置於＋X軸側及－X軸側之各側、或配置在＋Y軸側、－Y軸側、＋X軸側、－X軸側之各側。此外，亦可以1個支承構件支承第2構件22。
又，驅動裝置27係支承於裝置框架8B。因此，即使在移動第2構件22時產生振動，亦可藉由防振裝置10避免該振動傳遞至基準框架8A。
本實施形態中，第1構件21具有與終端光學元件13之側面29對向之内側面30、與配置在内側面30上端之周圍之上面31。終端光學元件13之側面29不會令曝光用光EL射出，為非射出面。曝光用光EL不通過側面29、而通過射出面12。
本實施形態中，複數個支承構件28係配置在設於第1構件21之複數個孔32之各個中而能移動。本實施形態中，相對光路K，於＋Y軸側及－Y軸側之各側設有孔32。孔32之各個，於Z軸方向，係貫通第1構件21而將第1構件21之上側空間(包含第3空間SP3)與下側空間(包含第2空間SP2)連結。本實施形態中，孔32之各個，係形成為將第1構件21之内側面30與下面24加以連結。此外，如圖6所示，孔32之各個係延伸於X軸方向，配置在孔32之支承構件28能於X軸方向移動。驅動裝置27在内側面30側連接於支承構件28。亦即，本實施形態中，驅動裝置27係在第1構件21之上側空間，直接的、或透過其他構件間接的連接於支承構件28。藉由驅動裝置27使支承構件28沿X軸方向移動，據以使第2構件22移動於X軸方向。
又，配置支承構件28之孔32中之至少一個可以連結第1構件21之上面31與下面24之方式形成。此外，亦可具備複數個驅動裝置27以一個驅動裝置移動一個支承構件28，或將複數個支承構件28以未圖示之連結構件加以連接，將該連結構件以一個驅動裝置加以移動。
又，驅動裝置27可在内側面30(上面31)與下面24之間，連接於支承構件28，亦可在下面24側連接於支承構件28。
又，為配置支承構件28，亦可不在第1構件21設置孔32。例如，可在構成第1構件21之複數個構件之間隙配置支承構件28。
本實施形態中，第2構件22及支承構件28不與第1構件21接觸。在第1構件21與第2構件22之間形成有間隙、在第1構件21與支承構件28之間形成有間隙。驅動裝置27可以第2構件22及支承構件28與第1構件21不會接觸之方式，移動第2構件22及支承構件28。當然，第2構件22及支承構件28中之至少一方與第1構件21接觸亦是可以的。
液浸構件5具備供應用以形成液浸空間LS之液體LQ的複數個供應口33。供應口33於相對終端光學元件13之光軸AX(光路K)之放射方向配置在回收口23之内側。本實施形態中，供應口33係配置在第1構件21。供應口33配置在較第2構件22(上面25)上方處。供應口33配置在較第1空間SP1上方處。供應口33能在第2構件22(第1空間SP1)之上方，供應液體LQ。又，供應口33亦可配置於第2構件22、一可配置於第1構件21及第2構件22之雙方。
内側面30與側面29透過間隙對向。供應口33配置成對向於側面29。供應口33被配置成面向終端光學元件13與第1構件21之間之第3空間SP3。供應口33將液體LQ供應至側面29與内側面30之間之第3空間SP3。本實施形態中，供應口33係相對光路K(終端光學元件13)配置在＋X軸側及－X軸側之各側。當然，供應口33可相對光路K(終端光學元件13)配置於Y軸方向、亦可在包含X軸方向及Y軸方向之光路K(終端光學元件13)周圍配置複數個。又，供應口33可以是一個。此外，亦可取代供應口33、或在供應口33之外，另於下面24設置可供應液體LQ之供應口。設於下面24之供應口係配置成面向下面24與上面25之間之第1空間SP1。設於下面24之供應口可將液體LQ供應至第1空間SP1。來自設於下面24之供應口之液體LQ之至少一部分，被供應至上面25。設於下面24之供應口可在較第2構件22上方處供應液體LQ。回收部23可回收來自第1空間SP1之液體LQ。因此，從設於下面24之供應口供應之液體LQ之至少一部分，可從回收部23加以回收。可與從設於下面24之供應口之液體LQ之供應之至少一部分並行，進行液體LQ從回收部23之回收。
第1構件21具有從射出面12射出之曝光用光EL可通過之開口34。第2構件22具有從射出面12射出之曝光用光EL可通過之開口35。本實施形態中，在XY平面内之開口34之尺寸大於開口35之尺寸。本實施形態中，於X軸方向，開口34之尺寸大於開口35之尺寸。本實施形態中，於Y軸方向，開口34之尺寸大於開口35之尺寸。本實施形態中，緊靠著射出面12之下方未配置第1構件21，開口34配置在射出面12之周圍。本實施形態中，開口34較射出面12大。本實施形態中，在終端光學元件13之側面29與第1構件21之間形成之間隙之下端，面向第2構件22之上面25。又，第2構件22之開口35被配置成與射出面12對向。本實施形態中，在XY平面内之開口35之形狀係於X軸方向長的長方形。不過，開口35之形狀不限於長方形，可以是於X軸方向長的橢圓形、亦可以是於X軸方向長的多角形。
第1構件21具有連接於内側面30之下端、朝向下面24之相反方向(＋Z軸方向)的上面36。上面36配置在開口34之上端周圍。下面24配置在開口34之下端周圍。上面25配置在開口35之上端周圍。下面26配置在開口35之下端周圍。
從供應口33供應之液體LQ在流過上面36後，被供應至上面25。該被供應至上面25之液體LQ之至少一部分，透過設於第2構件22之開口35被供應至基板P(物體)上。據此，光路K被液體LQ充滿。又，來自開口35之液體LQ之至少一部分被供應至第2空間SP2。
又，從供應口33供應至上面25之液體LQ之至少一部分，透過開口40被供應至第1空間SP1。又，在配置有面向第1空間SP1之供應口之情形時，來自面向第3空間SP3之供應口33之液體LQ，可不流入第1空間SP1。
供應口33透過形成在第1構件21内部之供應流路33R與、液體供應裝置連接。供應口33，為形成液浸空間LS，供應來自液體供應裝置之液體LQ。
回收部23之至少一部分係配置成基板P(物體)與之對向。又，回收部23之至少一部分係配置成第2構件22與之對向。回收部23具有用以回收液體LQ之回收口37。回收口37透過形成在第1構件21内部之回收流路(空間)37R與液體回收裝置(未圖示)連接。液體回收裝置能與回收口37與真空系統(未圖示)連接。回收口37能回收液浸空間LS之液體LQ之至少一部分。基板P(物體)上之液體LQ之至少一部分可透過回收口37流入回收流路37R。第1空間SP1之液體LQ之至少一部分可透過回收口37流入回收流路37R。又，第2空間SP2之液體LQ之至少一部分可透過回收口37流入回收流路37R。
本實施形態中，回收部23包含多孔構件38。本實施形態中，回收口37包含多孔構件38之孔。本實施形態中，多孔構件38包含網眼板(mesh plate)。多孔構件38，具有基板P(物體)可對向之下面39、面向回收流路37R之上面、與連結下面39與上面之複數個孔。從回收口37(多孔構件38之孔)回收之基板P(物體)上之液體LQ流入回收流路37R。
本實施形態中，回收部23之下面包含多孔構件38之下面39。下面39配置在下面24之周圍。本實施形態中，回收部23之下面39與XY平面實質平行。
本實施形態中，第2構件22可與下面24之全部對向。如圖2及圖3所示，當第2構件22位於終端光學元件13之光軸AX與開口35之中心實質一致之原點時，下面24之全部與第2構件22之上面25對向，回收部23(下面39)之一部分與第2構件22之上面25對向。又，本實施形態中，當第2構件22位於原點時，開口34之中心與開口35之中心亦實質一致。此外，本實施形態中，當第2構件22位於原點時，接近光路K之回收部23(下面39)之第1部分391與第2構件22(上面25)對向，相對光路K位於第1部分391外側之回收部23(下面39)之第2部分392不與第2構件22(上面25)對向。亦即，本實施形態中，當第2構件22位於原點時，下面39之内緣部(第1部分391)能與第2構件22之上面25對向，下面39之第1部分391周圍之第2部分392能與基板P(物體)對向。
又，第2構件22(上面25)之至少一部分與射出面12對向。
又，本實施形態中，下面24内側之邊緣與上面25之間形成有開口40。包含射出面12與基板P(物體)之間之光路K的第4空間SP4、與下面24與上面25之間之第1空間SP1，係透過開口40連結。本實施形態中，第4空間SP4包含射出面12與基板P(物體)之間之空間及射出面12與上面25之間之空間。開口40係以面向光路K之方式配置。
本實施形態中，藉由與來自供應口33之液體LQ之供應動作並行實施從回收部23(回收口37)之液體LQ之回收動作，據以在一側之終端光學元件13及液浸構件5與另一側之基板P(物體)之間以液體LQ形成液浸空間LS。
液浸空間LS之液體LQ之界面LG之一部分係形成在液浸構件5與基板P(物體)之間。本實施形態中，例如圖2、圖3及圖4中，界面LG係形成在第1構件21與基板P(物體)之間。
又，本實施形態中，第3空間SP3之至少一部分被液浸空間LS之液體LQ充滿。液體LQ之界面LG之一部分形成在終端光學元件13與第1構件21之間。
以下之説明中，將形成在第1構件21與基板P(物體)之間之液體LQ之界面LG適當的稱為第1界面LG1、將形成在第1構件21與終端光學元件13之間之液體LQ之界面LG適當的稱為第2界面LG2。又，如後述般，在形成有液浸空間LS之狀態下，既有在第1構件21與第2構件22之上面25之間形成液體LQ之界面之情形、亦有在第2構件22之下面26與基板P(物體)之間形成液體LQ之界面之情形。
第2構件22可相對第1構件21移動。又，第2構件22可相對終端光學元件13移動。亦即，本實施形態中，第2構件22與第1構件21之相對位置會變化。第2構件22與終端光學元件13之相對位置亦會變化。
第2構件22能於X軸方向移動。第2構件22能與XY平面實質平行的移動。又，第2構件22除X軸方向外，亦可使其能於Y軸、Z軸、θX、θY及Θz中之至少一方向移動。
本實施形態中，終端光學元件13實質上不移動。第1構件21亦實質上不移動。
第2構件22能在第1構件21之至少一部分之下方移動。第2構件22能在第1構件21與基板P(物體)之間移動。
本實施形態中，第2構件22能與基板P(物體)之移動之至少一部分並行移動。此外，本實施形態中，第2構件22能在液浸空間LS形成的狀態下移動。又，第2構件22能在第1空間SP1及第2空間SP2存在液體LQ之狀態下移動。再者，第2構件22能與基板P(物體)之移動協調移動，亦能與基板P(物體)分開獨立的移動。
又，第2構件22可在第2構件22與基板P(物體)不對向時移動。例如，第2構件22可在該第2構件22之下方不存在物體時移動。此外，第2構件22可在第2構件22與基板P(物體)之間之空間不存在液體LQ時移動。例如，第2構件22可在未形成液浸空間LS時移動。
第2構件22，係例如根據基板P(物體)之移動條件移動。控制裝置6，例如根據基板P(物體)之移動條件，與基板P(物體)之移動之至少一部分並行移動第2構件22。控制裝置6，一邊進行從供應口33之液體LQ之供應與從回收口37之液體LQ之回收、一邊移動第2構件22，以持續形成液浸空間LS。
本實施形態中，第2構件22可以和基板P(物體)之相對移動變小之方式移動。又，第2構件22可以和基板P(物體)之相對移動，較第1構件21與基板P(物體)之相對移動變小之方式移動。例如，第2構件22可與基板P(物體)同步移動。
相對移動，包含相對速度及相對加速度中之至少一方。例如，第2構件22可在形成有液浸空間LS之狀態下，亦即，在第2空間SP2存在液體LQ之狀態下，以和基板P(物體)之相對速度變小之方式移動。又，第2構件22亦可在形成有液浸空間LS之狀態下，亦即，在第2空間SP2存在液體LQ之狀態下，以和基板P(物體)之相對加速度變小之方式移動。此外，第2構件22可在形成有液浸空間LS之狀態下，亦即，在第2空間SP2存在液體LQ之狀態下，以和基板P(物體)之相對速度，較第1構件21與基板P(物體)之相對速度變小之方式移動。又，第2構件22可在形成有液浸空間LS之狀態下，亦即，在第2空間SP2存在液體LQ之狀態下，以和基板P(物體)之相對加速度，較第1構件21與基板P(物體)之相對加速度變小之方式移動。
第2構件22，例如能移動於基板P(物體)之移動方向。例如，在基板P(物體)移動於＋X軸方向(或－X軸方向)時，第2構件22能移動於＋X軸方向(或－X軸方向)。又，在基板P(物體)一邊移動於＋X軸方向、一邊移動於＋Y軸方向(或－Y軸方向)時，第2構件22能移動於＋X軸方向。此外，在基板P(物體)一邊移動於－X軸方向、一邊移動於＋Y軸方向(或－Y軸方向)時，第2構件22能移動於－X軸方向。亦即，本實施形態中，在基板P(物體)移動於包含X軸方向成分之方向時，第2構件22能往X軸方向移動。又，在第2構件22能往Y軸方向移動之情形時，可與基板P(物體)往包含Y軸方向成分之移動之至少一部分並行，使第2構件22往Y軸方向移動。
圖7係顯示第2構件22移動狀態之一例的圖。圖7係從下側(－Z軸側)觀察液浸構件5的圖。
以下之説明中，假設第2構件22係移動於X軸方向。又，如上所述，第2構件22可移動於Y軸方向、亦可移動於包含X軸方向(或Y軸方向)成分之在XY平面内的任意方向。
基板P(物體)移動於X軸方向(或包含X軸方向成分之在XY平面内的既定方向)之情形時，第2構件22，如圖7(A)～圖7(C)所示，移動於X軸方向。
本實施形態中，第2構件22能在於X軸方向規定之可移動範圍內移動。圖7(A)係顯示第2構件22配置在可移動範圍之最－X軸側端部的狀態。圖7(B)係顯示第2構件22配置在可移動範圍之中央的狀態。圖7(C)則係顯示第2構件22配置在可移動範圍之最＋X軸側端部的狀態。
以下之説明中，將圖7(A)所示之第2構件22之位置適當的稱為第1端部位置，將圖7(B)所示之第2構件22之位置適當的稱為中央位置，並將圖7(C)所示之第2構件22之位置適當的稱為第2端部位置。又，圖7(B)之中央位置係第2構件22位於原點之位置。
本實施形態，係根據第2構件22之可移動範圍尺寸決定開口35之尺寸，以使來自射出面12之曝光用光EL可通過開口35。本實施形態中，第2構件22之可移動範圍尺寸，包含於X軸方向之第1端部位置與第2端部位置之距離。開口35之X軸方向尺寸係被定為即使第2構件22移動於X軸方向，來自射出面12之曝光用光EL亦不會照射於第2構件22。圖7中，開口35於X軸方向之尺寸W35，大於曝光用光EL(投影區域PR)之尺寸Wpr與第2構件22之可移動範圍尺寸(Wa＋Wb)之和。尺寸W35，係被定為在第2構件22於第1端部位置與第2端部位置之間移動之情形時、亦不會遮蔽來自射出面12之曝光用光EL的大小。據此，即使構件22移動，來自射出面12之曝光用光EL亦不會被第2構件22遮蔽而能照射到基板P(物體)。
又，如圖8所示，本實施形態中，於X軸方向，開口35之＋X軸側端部與第2構件22之－X軸側端部間之距離La，較曝光用光EL之光路K之＋X軸側端部與相對曝光用光EL之光路K配置在－X軸側之回收部23(下面39)之－X軸側端部間之距離Lb小。據此，即使第2構件22被配置在第1端部位置，來自射出面12之曝光用光EL亦不會被第2構件22遮蔽而能照射到基板P(物體)。此外，即使第2構件22被配置在第1端部位置，下面39之一部分會與第2構件22對向，下面39之一部分則不會與第2構件22對向。
又，如圖8所示，本實施形態中，於X軸方向，開口35之－X軸側端部與第2構件22之＋X軸側端部間之距離Lc，較曝光用光EL之光路K之－X軸側端部與相對曝光用光EL之光路K配置於＋X軸側之回收部23(下面39)之＋X軸側端部間之距離Ld小。據此，即使第2構件22被配置在第2端部位置，來自射出面12之曝光用光EL亦不會被第2構件22遮蔽而能照射到基板P(物體)。此外，即使第2構件22被配置在第2端部位置，下面39之一部分會與第2構件22對向，下面39之一部分則不會與第2構件22對向。
又，尺寸W35，於X軸方向，較曝光用光EL之光路K之＋X軸側端部與相對曝光用光EL之光路K配置在－X軸側之回收部23(下面39)之＋X軸側端部間之距離Le小。據此，即使第2構件22被配置在第1端部位置，來自射出面12之曝光用光EL亦不會被第2構件22遮蔽而能照射於基板P(物體)，且相對光路K配置於－X軸側之回收部23(下面39)之＋X軸側端部會與第2構件22持續對向。
又，尺寸W35，於X軸方向，較曝光用光EL之光路K之－X軸側端部與相對曝光用光EL之光路K配置在＋X軸側之回收部23(下面39)之－X軸側端部間之距離Lf小。據此，即使第2構件22被配置在第2端部位置，來自射出面12之曝光用光EL亦不會被第2構件22遮蔽而能照射於基板P(物體)，且相對光路K配置於＋X軸側之回收部23(下面39)之－X軸側端部會與第2構件22持續對向。
又，在終端光學元件13之光軸AX與開口35之中心一致的狀態下，亦即，在第2構件22位於原點(中央位置)的狀態下，於X軸方向，將開口35之中心與第2構件22之外側端部間之距離設為Xp、將終端光學元件13之光軸AX與回收部23(下面39)之内側端部間之距離設為Xin、將終端光學元件13之光軸AX與回收部23(下面39)之外側端部間之距離設為Xout時，滿足下述式(1)之關係。
Xin＜Xp＜Xout　　…式(1)
又，在終端光學元件13之光軸AX與開口35之中心一致的狀態下，亦即，在第2構件22位於原點(中央位置)的狀態下，於Y軸方向，將開口35之中心與第2構件22之外側端部間之距離設為Yp、將終端光學元件13之光軸AX與回收部23(下面39)之内側端部間之距離設為Yin、將終端光學元件13之光軸AX與回收部23(下面39)之外側端部間之距離設為Yout時，滿足下述式(2)之關係。
Yin≦Yp＜Yout　　…式(2)
又，回收部23可包含多孔構件38、亦可無多孔構件38。又，在回收部23不包含多孔構件38，而係包含以圍繞光路K之方式配置複數個回收口之情形時，該回收部23之内側端部包含將該等複數個回收口之内側邊緣加以連結之假想線，該回收部23之外側端部包含將該等複數個回收口之外側邊緣加以連結之假想線。回收口之内側邊緣，係相對光路K於放射方向最接近光路K之邊緣。回收口之外側邊緣，係相對光路K於放射方向離光路K最遠之邊緣。
又，本實施形態中，在第2構件22配至於原點之場合，第1構件21之下面24與回收部23(下面39)之全部可與第2構件22之上面25對向。例如，於XY平面内，第2構件22之外形可較回收部23之外形大。在第2構件22配置於原點時之第1構件21與第2構件22之相對位置關係中，從＋Z軸方向觀察，第2構件22之至少一部分可備配置於回收部23之外側、或第2構件22之外形與回收部23之外緣形狀可大致一致。此外，在第2構件22被配置於原點的狀態下，從＋Z軸方向觀察，第2構件22可不配置在回收部23之外側，而係在第2構件22於可移動範圍之移動期間之至少一部分中，第2構件22之至少一部分被配置在回收部23之外側。例如，在第2構件22被配置於原點的狀態下，從＋Z軸方向觀察，第2構件22可不配置在回收部23之外側，而係在第2構件22被配置在第1端部位置及第2端部位置中之一方或雙方的狀態下，第2構件22之至少一部分被配置在第1構件21之外側。
其次，說明使用具有上述構成之曝光裝置EX使基板P曝光之方法。
在與液浸構件5分離之基板更換位置，進行將曝光前之基板P搬入(裝載於)基板載台2(第1保持部)之處理。又，在基板載台2離開液浸構件5之期間之至少一部分中，將測量載台3配置成與終端光學元件13及液浸構件5對向。控制裝置6，進行從供應口33之液體LQ之供應與從回收口23(回收口37)之液體LQ之回收，在測量載台3上形成液浸空間LS。
在將曝光前之基板P裝載於基板載台2、並結束使用測量載台3之測量處理後，控制裝置6移動基板載台2，以使終端光學元件13及液浸構件5與基板載台2(基板P)對向。在終端光學元件13及液浸構件5與基板載台2(基板P)對向之狀態下，與從供應口33之液體LQ之供應並行實施從回收口27之液體LQ之回收，以在終端光學元件13及液浸構件5與基板載台2(基板P)之間形成光路K被液體LQ充滿之液浸空間LS。
控制裝置6開始基板P之曝光處理。控制裝置6，在基板P上形成有液浸空間LS之狀態下，從照明系IL射出曝光用光EL。照明系IL以曝光用光EL照明光罩M。來自光罩M之曝光用光EL，透過投影光學系PL及射出面12與基板P之間之液浸空間LS之液體LQ照射於基板P。據此，基板P即被透過液浸空間LS之液體LQ從射出面12射出之曝光用光EL曝光，光罩M之圖案之像被投影至基板P。
本實施形態之曝光裝置EX，係一邊使光罩M與基板P同步移動於既定掃描方向、一邊將光罩M之圖案之像投影至基板P之掃描型曝光裝置(所謂掃描步進機)。本實施形態中，以基板P之掃描方向(同步移動方向)為Y軸方向、光罩M之掃描方向(同步移動方向)亦為Y軸方向。控制裝置6使基板P相對投影光學系PL之投影區域PR移動於Y軸方向，並與該基板P往Y軸方向之移動同步，一邊相對照明系IL之照明區域IR使光罩M移於Y軸方向、一邊透過投影光學系PL與基板P上之液浸空間LS之液體LQ對基板P照射曝光用光EL。
圖9係顯示被保持於基板載台2之基板P之一例的圖。本實施形態中，曝光對象區域之照射區域於基板P上配置有複數個成矩陣狀。控制裝置6，透過液浸空間LS之液體LQ以曝光用光EL使被保持於第1保持部之基板P之複數個照射區域依序曝光。
例如為使基板P之第1照射區域S曝光，控制裝置6在形成有液浸空間LS之狀態下，使基板P(第1照射區域S)相對投影光學系PL之投影區域PR移動於Y軸方向，並與該基板P往Y軸方向之移動同步，一邊相對照明系IL之照明區域IR使光罩M移動於Y軸方向、一邊透過投影光學系PL與基板P上之液浸空間LS之液體LQ對第1照射區域S照射曝光用光EL。據此，光罩M之圖案之像即被投影於基板P之第1照射區域S，該第1照射區域S即因從射出面12出之曝光用光EL而曝光。第1照射區域S之曝光結束後，控制裝置6為開始其次之第2照射區域S之曝光，在形成有液浸空間LS之狀態下，使基板P於XY平面内與X軸交叉之方向(例如X軸方向、或XY平面内相對X軸及Y軸方向傾斜之方向等)移動，使第2照射區域S移動至曝光開始位置。之後，控制裝置6即開始第2照射區域S之曝光。
控制裝置6，在基板P(基板載台2)上形成有液浸空間LS之狀態下，反覆進行一邊相對來自射出面12之曝光用光EL照射之位置(投影區域PR)使照射區域移動於Y軸方向一邊使該照射區域曝光的動作，與在該照射區域之曝光後在基板P(基板載台2)上形成有液浸空間LS之狀態下，將基板P移動於XY平面内與Y軸方向交叉之方向(例如X軸方向、或XY平面内相對X軸及Y軸方向傾斜之方向等)以將次一照射區域配置於曝光開始位置的動作，一邊使基板P之複數個照射區域依序曝光。
以下之説明中，將為使照射區域曝光而在基板P(基板載台2)上形成有液浸空間LS的狀態下，相對來自射出面12之曝光用光EL照射之位置(投影區域PR)使基板P(照射區域)移動於Y軸方向的動作，適當的稱為掃描移動動作。並將某一照射區域之曝光完成後，在基板P(基板載台2)上形成有液浸空間LS的狀態下，在開始次一照射區域之曝光為止之期間，於XY平面内移動基板P之動作，適當的稱為步進移動動作。
掃描移動動作中，從射出面12射出曝光用光EL。基板P(物體)被照射曝光用光EL。步進移動動作中，從射出面12不射出曝光用光EL。基板P(物體)不被照射曝光用光EL。
控制裝置6，一邊反覆掃描移動動作與步進移動動作、一邊使基板P之複數個照射區域S依序曝光。又，掃描移動動作係專於Y軸方向之等速移動。步進移動動作包含加減速度移動。例如，於X軸方向相鄰之二個照射區域間之步進移動動作，包含於Y軸方向之加減速移動、及於X軸方向之加減速移動。
又，於掃描移動動作及步進移動動作之至少一部分中，亦有液浸空間LS之至少一部分形成在基板載台2(覆蓋構件T)上之情形。
控制裝置6根據基板P上之複數個照射區域S之曝光條件，控制驅動系統15移動基板P(基板載台2)。複數個照射區域S之曝光條件，例如係以稱為曝光配方(recipe)之曝光控制資訊加以規定。曝光控制資訊儲存於記憶裝置7。控制裝置6根據該記憶裝置7儲存之曝光條件，一邊以既定移動條件移動基板P、一邊使複數個照射區域S依序曝光。基板P(物體)之移動條件，包含移動速度、加速度、移動距離、移動方向及在XY平面内之移動軌跡中之至少一種。
舉一例而言，控制裝置6，一邊移動基板載台2使投影光學系PL之投影區域PR與基板P，沿圖9中，例如箭頭Sr所示之移動軌跡相對移動，一邊對投影區域PR照射曝光用光EL，透過液體LQ以曝光用光EL使基板P之複數個照射區域S依序曝光。
之後，反覆上述處理，使複數個基板P依序曝光。
本實施形態中，第2構件22係在基板P之曝光處理之至少一部分中移動。第2構件22，例如係在形成有液浸空間LS之狀態下與基板P(基板載台2)之步進移動動作之至少一部分並行移動。又，本實施形態中，第2構件22，例如係在形成有液浸空間LS之狀態下與基板P(基板載台2)之掃描移動動作之至少一部分並行移動。亦即，與第2構件22之移動並行，從射出面12射出曝光用光EL。當然，在掃描移動動作中亦可不移動第2構件22。亦即，可不與曝光用光EL從射出面12之射出並行移動第2構件22。第2構件22，例如可在基板P(基板載台2)進行步進移動動作時，以和基板P(基板載台2)之相對移動(相對速度、相對加速度)變小之方式移動。此外，第2構件22，可在基板P(基板載台2)進行掃描移動動作時，以和基板P(基板載台2)之相對移動(相對速度、相對加速度)變小之方式移動。
圖10係以示意方式顯示使基板P一邊進行包含＋X軸方向成分之步進移動、一邊使照射區域Sa、照射區域Sb及照射區域Sc依序曝光時之基板P之移動軌跡之一例的圖。
如圖10所示，照射區域Sa、Sb、Sc曝光時，基板P係在終端光學元件13之下，依序移動於從位置d1至相對該位置d1於＋Y軸側相鄰位置d2之路徑Tp1、從位置d2至相對該位置d2於＋X軸側相鄰位置d3之路徑Tp2、從位置d3至相對該位置d3於－Y軸側相鄰位置d4之路徑Tp3、從位置d4至相對該位置d4於＋X軸側相鄰位置d5之路徑Tp4、及從位置d5至相對該位置d5於＋Y軸側相鄰位置d6之路徑Tp5。位置d1、d2、d3、d4、d5、d6係在XY平面内之位置。
路徑Tp1之至少一部分係與Y軸平行之直線。路徑Tp3之至少一部分係與Y軸平行之直線。路徑Tp5之至少一部分包含與Y軸平行之直線。路徑Tp2包含經由位置d2.5之曲線。路徑Tp4包含經由位置d4.5之曲線。位置d1包含路徑Tp1之始點、位置d2包含路徑Tp1之終點。位置d2包含路徑Tp2之始點、位置d3包含路徑Tp2之終點。位置d3包含路徑Tp3之始點、位置d4包含路徑Tp3之終點。位置d4包含路徑Tp4之始點、位置d5包含路徑Tp4之終點。位置d5包含路徑Tp5之始點、位置d6包含路徑Tp5之終點。路徑Tp1係基板P移動於＋Y軸方向之路徑。路徑Tp3係基板P移動於－Y軸方向之路徑。路徑Tp5係基板P移動於＋Y軸方向之路徑。路徑Tp2及路徑Tp4係基板P移動於以＋X軸方向為主成分之方向之路徑。
在形成有液浸空間LS之狀態下基板P移動於路徑Tp1時，係透過液體LQ被曝光用光EL照射於照射區域Sa。基板P移動於路徑Tp1之動作，包含掃描移動動作。又，在形成有液浸空間LS之狀態下基板P移動於路徑Tp3時，係透過液體LQ被曝光用光EL照射於照射區域Sb。基板P移動於路徑Tp3之動作，包含掃描移動動作。又，在形成有液浸空間LS之狀態下基板P移動於路徑Tp5時，係透過液體LQ被曝光用光EL照射於照射區域Sc。基板P移動於路徑Tp5之動作，包含掃描移動動作。再者，基板P移動於路徑Tp2之動作及移動於路徑Tp4之動作包含步進移動動作。基板P移動於路徑Tp2及移動於路徑Tp4時，曝光用光EL不照射。
圖11係顯示第2構件22之一動作例的示意圖。圖11係從上面25側觀察第2構件22的圖。基板P位於圖10中之位置d1時，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置在圖11(A)所示位置。基板P位於位置d2時，第2構件22則相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置在圖11(B)所示位置。亦即，在基板P從位置d1往位置d2之掃描動作移動中，第2構件22係往與基板P之步進移動方向(＋X軸方向)相反之－X軸方向移動。基板P位於位置d2.5時，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置在圖11(C)所示位置。基板P位於位置d3時，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置在圖11(D)所示位置。亦即，在基板P從位置d2往位置d3之步進動作移動中，第2構件22往與基板P之步進移動方向(＋X軸方向)相同之＋X軸方向移動。基板P位於位置d4時，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置在圖11(E)所示位置。亦即，在基板P從位置d3往位置d4之掃描動作移動中，第2構件22往與基板P之步進移動方向(＋X軸方向)相反之－X軸方向移動。基板P位於位置d4.5時，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置在圖11(F)所示位置。基板P位於位置d5時，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置在圖11(G)所示位置。亦即，在基板P從位置d4往位置d5之步進動作移動中，第2構件22往與基板P之步進移動方向(＋X軸方向)相同之＋X軸方向移動。基板P位於位置d6時，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置在圖11(H)所示位置。亦即，在基板P從位置d5往位置d6之掃描動作移動中，第2構件22往與基板P之步進移動方向(＋X軸方向)相反之－X軸方向移動。
本實施形態中，圖11(A)、圖11(D)、圖11(G)所示之第2構件22之位置包含第2端部位置。圖11(B)、圖11(E)、圖11(H)所示之第2構件22之位置包含第1端部位置。圖11(C)、圖11(F)所示之第2構件22之位置包含中央位置。
以下之說明中，將圖11(A)、圖11(D)、圖11(G)所示之第2構件22之位置設為第2端部位置，將圖11(B)、圖11(E)、圖11(H)所示之第2構件22之位置設為第1端部位置，將圖11(C)、圖11(F)所示之第2構件22之位置設為中央位置。
又，基板P位於圖10之位置d1、d3、d5時，第2構件22可配置在中央位置、亦可配置在第2端部位置與中央位置之間。又，基板P位於位置d2、d4、d6時，第2構件22可配置在中央位置、亦可配置在第1端部位置與中央位置之間。此外，基板P位於位置d2.5、d4.5時，第2構件22可配置在與中央位置不同之位置。亦即，基板P位於位置d2.5、d4.5時，第2構件22可配置在第1端部位置與中央位置之間、或配置在第2端部位置與中央位置之間。
基板P移動於路徑Tp1時，第2構件22往－X軸方向移動而從圖11(A)所示之狀態變化至圖11(B)所示之狀態。亦即，第2構件22從第2端部位置經中央位置往第1端部位置移動。基板P移動於路徑Tp2時，第2構件22往＋X軸方向移動，而從圖11(B)所示之狀態經由圖11(C)所示之狀態變化至圖11(D)所示之狀態。亦即，第2構件22]從第1端部位置經中央位置往第2端部位置移動。基板P移動於路徑Tp3時，第2構件22往－X軸方向移動，而從圖11(D)所示之狀態變化至圖11(E)所示之狀態。亦即，第2構件22從第2端部位置經中央位置往第1端部位置移動。基板P移動於路徑Tp4時，第2構件22往＋X軸方向移動，而從圖11(E)所示之狀態經由圖11(F)所示之狀態變化至圖11(G)所示之狀態。亦即，第2構件22從第1端部位置經中央位置往第2端部位置移動。基板P移動於路徑Tp5時，第2構件22往－X軸方向移動，而從圖11(G)所示之狀態變化至圖11(H)所示之狀態。亦即，第2構件22從第2端部位置經中央位置往第1端部位置移動。
亦即，本實施形態中，第2構件22在基板P沿路徑Tp2移動之期間之至少一部分中，以和基板P之相對移動變小之方式，往＋X軸方向移動。換言之，第2構件22在基板P之包含＋X軸方向成分之步進移動動作期間之至少一部分中，以在X軸方向之與基板P之相對速度變想之方式，往＋X軸方向移動。同樣的，第2構件22在基板P沿路徑Tp4移動之期間之至少一部分中，以在X軸方向與基板P之相對速度變小之方式，往X軸方向移動。
又，本實施形態中，第2構件22在基板P沿路徑Tp3移動之期間之至少一部分中，往－X軸方向移動。據此，在基板P之路徑Tp3之移動後、於路徑Tp4之移動中，即使第2構件22往＋X軸方向移動，曝光用光EL亦能通過開口35。基板P移動於路徑Tp1、Tp5之情形時亦同。
亦即，在基板P重複進行掃描移動動作與包含＋X軸方向成分之步進移動動作之場合，於步進移動動作中，係以和基板P之相對速度變小之方式，第2構件22從第1端部位置往第2端部位置移動於＋X軸方向，而於掃描移動動作中，為能在下一步進移動動作中第2構件22再度能往＋X軸方向移動，第2構件22從第2端部位置回到第1端部位置。亦即，在基板P進行掃描移動動作之期間之至少一部分中，第2構件22移動於－X軸方向，因此能將開口35之尺寸抑制在所需之最小限度。
又，本實施形態中，即使第2構件22配置在第1端部位置(第2端部位置)，回收部23(下面39)之至少一部分亦能與基板P(物體)持續對向。換言之，在第2構件22配置於第1端部位置(第2端部位置)之狀態，回收部23(下面39)之一部分與第2構件22對向，回收部23(下面39)之一部分則不與第2構件22對向。據此，例如於步進移動動作中，回收部23能回收基板P(物體)上之液體LQ。
又，本實施形態中，在基板P開始包含＋X軸方向成分之步進移動動作之前，第2構件22開始從第1端部位置往第2端部位置之移動。亦即，在基板P開始路徑Tp2(Tp4)之移動之前，開始第2構件22往＋X軸方向之移動。又，亦可與基板P開始包含＋X軸方向成分之步進移動動作之開始，開始第2構件22從第1端部位置往第2端部位置之移動。換言之，第2構件22可在基板P開始路徑Tp2(Tp4)之移動之同時，開始往＋X軸方向之移動。或者，第2構件22亦可在基板P開始路徑Tp2(Tp4)之移動後，開始往＋X軸方向之移動。
又，本實施形態中，係在與基板P開始掃描移動動作之同時，開始第2構件22從第2端部位置往第1端部位置之移動。換言之，第2構件22與基板P開始路徑Tp1(Tp3、Tp5)之移動同時，開始往與基板P之步進移動方向(＋X軸方向)相反之－X軸方向之移動。又，第2構件22亦可在基板P開始路徑Tp1(Tp3、Tp5)之移動後，開始往－X軸方向之移動。或者，第2構件22亦可在基板P開始Tp1(Tp3、Tp5)之移動前，開始往－X軸方向之移動。
圖12係顯示本實施形態中，於X軸方向之基板P(基板載台2)之速度及第2構件22之速度、與時間之關係之一例的圖。圖12所示之圖表中，横軸為時間、縱軸為速度。圖12中，線LP係表示基板P(基板載台2)之速度、線L22則表示第2構件22之速度。
圖12中，期間T1、T3、T5係進行掃描移動動作之期間。亦即，期間T1，係對應圖10中基板P從位置d1往位置d2之移動期間。期間T3，係對應圖10中基板P從位置d3往位置d4之移動期間。期間T5，則係對應圖10中基板P從位置d5往位置d6之移動期間。又，期間T2、T4係進行步進移動動作之期間。亦即，期間T2係對應圖10中基板P從位置d2往位置d3之移動期間。期間T4則係對應圖10中基板P從位置d4往位置d5之移動期間。圖12中，如部分B2、B4所示，本實施形態中，係在基板P開始路徑Tp2、Tp4之移動之前(在基板P開始包含＋X軸方向成分之步進移動動作之前)，第2構件22開始往＋X軸方向之移動。
圖13顯示了在基板P開始路徑Tp2(Tp4)之移動之前，第2構件22開始往＋X軸方向之移動之狀態的一例。圖13(A)顯示第2構件22開始移動之前之狀態的一例、圖13(B)顯示第2構件22剛開始移動後之狀態的一例。亦即，圖13(A)係顯示在掃描移動動作中之狀態的一例。
圖13(A)中，液體LQ之第1界面LG1形成在第1構件21(多孔構件38)與基板P(物體)之間。回收部23可回收來自第1空間SP1之液體LQ及來自第2空間SP2之液體LQ。亦即，本實施形態中，於掃描移動動作之至少一部分中，回收部23可回收來自第1空間SP1之液體LQ及來自第2空間SP2之液體LQ。又，圖13(A)中，雖然回收部23之一部分與第2構件22對向、回收部23之一部分相對光路K(光軸AX)配置在第2構件22(下面26)之外側，但亦可將回收部23之全部相對光路K(光軸AX)配置在第2構件22(下面26)之外側。亦即，於掃描移動動作之至少一部分中，回收部23可配置成不面向第2構件22之上面23。
又，於掃描移動動作之至少一部分中，回收部23有可能不與來自第1空間SP1之液體LQ接觸。例如，圖13(A)中，在第2構件22移動於－X軸方向時，液體LQ之界面有可能形成在第1構件21之下面24與第2構件22之上面25之間。此場合，從回收部23不回收來自第1空間SP1之液體LQ，而專回收來自第2空間PS2之液體LQ。
如圖13(B)所示，在基板P開始於路徑Tp2(Tp4)之移動前，藉由第2構件22開始往＋X軸方向之移動，在第1構件21與第2構件22之間形成液體LQ之界面LG1a，在第2構件22與基板P(物體)之間形成液體LQ之界面LG1b。據此，即使基板P往＋X軸方向移動，亦能抑制液體LQ之流出。圖13(B)所示之狀態下，專從回收部23回收來自第1空間SP1之液體LQ，而從回收部23回收來自第2空間SP2之液體LQ之情形則受到抑制。又，圖13(B)中，回收部23之一部分與第2構件22對向、回收部23之一部分相對光路K(光軸AX)配置在第2構件22(下面26)之外側。亦即，圖13(B)之狀態下，回收部23之一部分面向第2構件22之上面25。又，基板P於路徑Tp2(Tp4)之移動開始前，回收部23之全部面向第2構件22之上面25亦可。
又，如圖12所示，本實施形態中，在步進移動動作中第2構件22於X軸方向之速度，較基板P(基板載台2)之速度低。當然，第2構件22之速度可與基板P(基板載台2)之速度相等、亦可較基板P(基板載台2)之速度高。亦即，基板P(基板載台2)可較第2構件22高速移動、低速移動、或相同速度移動。
又，如圖12所示，本實施形態中，在步進移動動作中於X軸方向之第2構件22之加速度，較基板P(基板載台2)之加速度低。當然，第2構件22之加速度亦可與基板P(基板載台2)之加速度相等、或較基板P(基板載台2)之加速度高。
又，本實施形態中，在步進移動動作期間中於X軸方向之第2構件22之移動距離，較基板P(基板載台2)之移動距離短。例如，在步進移動動作中之第2構件22之移動距離，可以是基板P(基板載台2)之移動距離之45～65％。例如，第2構件22之移動距離可以是基板P(基板載台2)之移動距離之45％、50％、55％、60％、65％之任一者。本實施形態中，在步進移動動作中之第2構件22之移動距離係第1端部位置與第2端部位置間之距離。又，本實施形態中，在步進移動動作期間中於X軸方向之第2構件22之移動距離，較某一照射區域S之中心與相對該照射區域S於X軸方向相鄰之照射區域S之中心間之距離(距離A)短。例如，在步進移動動作中之第2構件22之移動距離，可以是距離A之45～65％。例如，在步進移動動作中之第2構件22之移動距離可以是距離A之45％、50％、55％、60％、65％之任一者。此外，在步進移動動作期間中於X軸方向之第2構件22之移動距離，較於X軸方向之一個照射區域S之尺寸(尺寸B)短。例如，可將步進移動動作中之第2構件22之移動距離，設為尺寸B之45～65％。例如，可將在步進移動動作中之第2構件22之移動距離，設為尺寸B之45％、50％、55％、60％、65％之任一者。例如，X軸方向之照射區域S之尺寸(尺寸B)為26mm時，第2構件22之移動距離可以是約14mm。
第2構件22之移動距離，例如可根據基板P之表面條件決定。基板P之表面條件，包含液體LQ在用以形成基板P表面之感光膜之表面的接觸角(後退接觸角等)。又，基板P之表面條件，包含液體LQ在形成基板P表面之保護膜(topcoat膜)表面的接觸角(後退接觸角等)。此外，基板P之表面，例如可以反射防止膜形成。又，第2構件22之移動距離，可先以預備實驗或模擬家以求出，以抑制步進移動動作中液體LQ之流出(殘留)。
又，第2構件22之移動距離可與基板P(基板載台2)之移動距離相等、亦可較基板P(基板載台2)之移動距離長。
又，本實施形態中，開口35之－X軸側端部與第2構件22之－X軸側端部間之距離Wfx(參照圖7)，係步進移動動作中於X軸方向之第2構件22之移動距離以上。此外，本實施形態中，開口35之－X軸側端部與第2構件22之－X軸側端部間之距離Wfx，與開口35之＋X軸側端部與第2構件22之＋X軸側端部間之距離相等。當然，距離Wfx可較步進移動動作中於X軸方向之第2構件22之移動距離小。此外，本實施形態中，係以滿足上述式(1)條件之方式，設定距離Wfx。
又，本實施形態中，開口35之－Y軸側端部與第2構件22之－Y軸側端部間之距離Wfy(參照圖7)，係於Y軸方向之一個照射區域S之尺寸以上。例如，於Y軸方向之照射區域S之尺寸為33mm時，距離Wfy為33mm以上。又，本實施形態中，開口35之－Y軸側端部與第2構件22之－Y軸側端部間之距離Wfy，與開口35之＋Y軸側端部與第2構件22之＋Y軸側端部間之距離相等。又，本實施形態中，係以滿足上述式(2)條件之方式，設定距離Wfy。
又，於Y軸方向，開口35之中心與第2構件22之外側端部間之距離Yp，可以是於Y軸方向之一個照射區域S之尺寸以上。
如以上之説明，根據本實施形態，由於設置了能在第1構件21下方移動之第2構件22，因此在形成有液浸空間LS之狀態下基板P等物體於XY平面内移動，例如液體LQ從液浸構件5與物體之間之空間流出、或液體LQ殘留在物體上之情形亦會受到抑制。此外，於液浸空間LS之液體LQ產生氣泡(氣體部分)之情形亦會受到抑制。
又，藉由以和基板P(物體)之相對移動(相對速度、相對加速度)便想之方式移動第2構件22，即使在形成有液浸空間LS之狀態下物體高速度移動，液體LQ流出、或基板P(物體)上殘留液體LQ、或於液體LQ中產生氣泡之情形等亦會受到抑制。
因此，能抑制曝光不良之發生及產生不良元件。
又，本實施形態中，第1構件21係配置在終端光學元件13周圍之至少一部分，因此在形成有液浸空間LS之狀態下物體移動、或第2構件22移動之情形時，終端光學元件13與第1構件21之間壓力產生變動、或液體LQ之第1界面LG1之形狀產生大變動之情形會受到抑制。因此，例如液體LQ中產生氣泡、對終端光學元件13作用過多之力的情形皆會受到抑制。此外，本實施形態中，由於第1構件21實質上不移動，因此終端光學元件13與第1構件21間之壓力產生大變動、或液體LQ之第2界面LG2之形狀產生大變動之情形會受到抑制。
又，第1構件21可以是能移動的。此外，第1構件21可以是能相對終端光學元件13移動。第1構件21，亦可以是能移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及びθZ之6個方向中之至少一方向。例如，為調整終端光學元件13與第1構件21之位置關係、或調整第1構件21與第2構件22之位置關係，可移動第1構件21。此外，可與基板P(物體)之移動之至少一部分並行，移動第1構件21。例如，可於XY平面内移動較第2構件22短之距離。又，第1構件21可以較第2構件22低之速度移動。或者，第1構件21可以較第2構件22低之加速度移動。
又，本實施形態中，亦可根據第2構件22之移動條件調整來自供應口33之液體供應量。此外，亦可根據第2構件22之位置調整來自供應口33之液體供應量。例如，可調整成第2構件22被配置於第1端部位置及第2端部位置中之至少一方時來自供應口33之液體供應量，較第2構件22被配置於中央位置時來自供應口33之液體供應量多。又，亦可在第2構件22從第2端部位置往第1端部位置移動時，使來自相對光路K配置在＋X軸側之供應口33之液體供應量，較來自配置在－X軸側之供應口33之液體供應量多。再者，亦可在第2構件22從第1端部位置往第2端部位置移動時，使來自相對光路K配置在－X軸側之供應口33之液體供應量，較來自配置在＋X軸側之供應口33之液體供應量多。如此，可抑制於液體LQ產生氣泡。
又，本實施形態中，第1構件21具有將第1構件21之内側面30與下面24加以連結之方式形成的孔32。因此，如圖14所示，可使終端光學元件13之側面29與第1構件21之内側面30之間之液體LQ之至少一部分，透過孔32流至第2構件22之上面25。亦即，可作成第3空間SP3之液體LQ透過孔32流至第2空間SP2。據此，能抑制側面29與内側面30之間之第3空間SP3之液體LQ流出(溢出)至上面31等。當然，亦可藉由改變内側面30之形狀等，以避免第3空間SP2之液體LQ流至第2空間SP3。
又，亦可於第1構件21設置與孔32不同之流路，透過該流路使第3空間SP3之液體LQ流至第2構件22之上面25。
又，本實施形態中，為抑制因基板P之步進移動動作造成液體LQ之殘留，於基板P之步進移動動作，係使第2構件22移動於步進方向(X軸方向)。然而，為抑制因基板P之掃描移動動作造成液體LQ之殘留，於基板P之掃描移動動作，使第2構件22移動於掃描方向(Y軸方向)。
＜第2實施形態＞
接著，說明第2實施形態。以下之説明中，對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其説明。
圖15顯示本實施形態之液浸構件5B之一例的圖。第1實施形態中，下面24與回收部23(多孔構件38)之下面39雖係設在同一面内，但下面24與下面39可具有角度。例如，如圖15所示，回收部23(多孔構件38)之下面39之至少一部分，可在相對光路K之放射方向朝外側向上方傾斜。如圖15所示，藉由使下面39傾斜，例如即使基板P(物體)在XY平面内移動，亦能抑制液體LQ從第1構件21與基板P(物體)之間流出。
此外，在下面24與下面39係設置成與XY平面大致平行之情形時，下面24與下面39之高度(Z軸方向之位置)可不同。
＜第3實施形態＞
接著，說明第3實施形態。以下之説明中，對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其説明。
本實施形態之曝光裝置EX，如圖16所示，具被配置在第1構件21周圍之至少一部分、用以回收從下面24(下面39)側流出之液體LQ之至少一個回收構件41。回收構件41，具備基板P(物體)可對向之多孔構件42、以及在與多孔構件42之間形成空間(回收流路)43之支承構件44。支承構件44用以支承多孔構件42。回收流路43連接於包含真空系統之液體回收裝置(未圖示)。藉由液體回收裝置之作動，與多孔構件42之下面接觸之基板P(物體)上之液體LQ，透過多孔構件42之孔流入回收流路43，被回收至液體回收裝置。多孔構件42之孔，其功能在作為回收構件41之回收口。
回收構件41可以是圍繞第1構件21之環狀構件。圖16顯示了相對第1構件21配置在－Y軸側之回收構件41。
本實施形態中，回收構件41係藉由驅動系統45移動。回收構件41配置在基板P(物體)之上方。驅動系統45在基板P(物體)之上方移動回收構件41。驅動系統45係以避免回收構件41與基板P(物體)接觸之方式，移動回收構件41。又，驅動系統45係以避免回收構件41與第1構件21及第2構件22接觸之方式，移動回收構件41。
驅動系統45可使回收構件41於上下方向(Z軸方向)移動。亦即，驅動系統45可移動回收構件41，使回收構件41與基板P(物體)接近。又，驅動系統45可移動回收構件41，使回收構件41與基板P(物體)分離。此外，驅動系統45亦可使回收構件41移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ中之至少一個方向。
驅動系統45根據基板P(物體)之移動條件，使回收構件41移動於上下方向。
如圖16(A)所示，在形成有液浸空間LS之狀態下，基板P(物體)往例如－Y軸方向移動時，驅動系統45使回收構件41移動於－Z軸方向，以使回收構件41(多孔構件42)與基板P(物體)接近。當在形成有液浸空間LS之狀態下基板P(物體)往－Y軸方向移動時，液浸空間LS之液體LQ有可能流出至第1構件21之－Y軸側。藉由在第1構件21之－Y軸側以接近基板P(物體)之方式移動回收構件41，該流出之た液體LQ即能以回收構件41加以回收。
此外，如圖16(B)所示，不使用回收構件41時，驅動系統45可移動回收構件41使其離開基板P(物體)。又，不使用回收構件41時，包含例如以液體LQ不會流出(液體LQ之流出受到抑制)之移動條件移動基板P(物體)之情形。
又，回收構件41亦可不連接於液體回收裝置。
又，第3實施形態亦可適用於具備第2實施形態之液浸構件5B之曝光裝置EX。此外，上述各實施形態中，亦可在回收部23之外，在較回收部23内側(光路K)之側，設置可回收第1空間SP1之液體LQ之至少一部分的液體回收部。
＜第4實施形態＞
接著，說明第4實施形態。以下之説明中，對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其説明。
圖17係顯示本實施形態之液浸構件5D之一例的圖。本實施形態中，液浸構件5D具有第2構件122。第2構件122具有曝光用光EL通過之開口135、以及基板P(物體)對向之下面126。此外，第2構件122具有配置在下面126、可回收液體LQ之回收部46。回收部46，包含配置在下面126、可連接於真空系統之回收口47。
本實施形態中，第2構件122之回收部46之液體回收力，較第1構件21之回收部23之液體回收力小。回收部46，為避免在光路K產生氣體部分，而以較回收部23之液體回收力小之液體回收力回收液體LQ。又，所謂液體回收力，包含每單位時間之液體回收量。
本實施形態中，回收部46係於X軸方向配置在曝光用光EL之光路K之兩側。回收部46，包含相對光路K配置在＋X軸側之回收部46A、與配置在－X軸側之回收部46B。本實施形態中，回收部46A包含相對光路K在＋X軸側、配置於Y軸方向之7個回收口47。回收部46B包含相對光路K在－X軸側、配置於Y軸方向之7個回收口47。當然，回收口47之數量不限於7個，可以是任意複數個。此外，亦可沿回收部(46A、46B)設置狹縫狀之回收口。
本實施形態中，控制裝置6係根據基板P(基板載台2)之移動條件，控制回收部46之回收動作。控制裝置6，與基板P(基板載台2)之掃描移動動作及步進移動動作中之至少一方同步，實施回收部46之回收動作。
本實施形態中，回收部46在曝光用光EL照射於照射區域S之掃描移動動作期間之至少一部分中，回收第2構件122與基板P之間之液體LQ。回收部46在基板P從該照射區域S之曝光結束位置移動至次一照射區域S之曝光開始位置的步進移動動作進行時，不回收液體LQ。
本實施形態中，可於複數個回收口47之各個配置開閉機構。控制裝置6在以回收部46回收液體LQ時，打開回收口47。控制裝置6在不以回收部46回收液體LQ時，則關閉回收口47。此外，亦可藉由回收口47與真空系統間之流路之開閉，來控制回收口47之吸引動作。
於掃描移動動作中，藉由從回收部46回收第2構件122與基板P之間之液體LQ，使第2構件122與基板P之間之液浸空間LS擴大之情形受到抑制。亦即，於掃描移動動作中藉由從回收部46回收液體LQ，可於X軸方向，在使第2構件122與基板P之間之液體LQ之界面，接近最終光學構件13之光軸的狀態下，開始掃描移動動作後往X軸方向之步進移動動作。因此，可藉由基板P之步進移動動作中基板P往X軸方向之移動，使液體LQ被帶出至第1構件21與基板P間之空間之外側的情形受到抑制。
又，於步進移動動作中不從回收部46回收液體LQ，如此，於步進移動動作中，第2構件122之下面126與基板P(物體)上面之間之液體LQ從第2構件122之下面126脫離而在基板P上成為薄膜的情形受到抑制。因此，可抑制液體LQ殘留在基板P上。
又，亦可於步進移動動作中，不停止從回收部46A之回收口47之液體回收、及從回收部46B之回收口47之液體回收的雙方。例如，在基板P往＋X軸方向移動之步進移動動作中，可不停止從回收部46B之回收口47吸引液體、而停止從回收部46A之回收口47吸引液體。此外，在基板P往－X軸方向移動之步進移動動作中，可不停止從回收部46A之回收口47吸引液體、而停止從回收部46B之回收口47吸引液體。
又，亦可於步進移動動作中，不停止從回收部46(46A、46B)之回收口47回收液體。例如，可將步進移動動作中之回收部46(46A、46B)之回收口47之吸引力，調整成較掃描移動動作中之回收部46(46A、46B)之回收口47之吸引力弱。此外，亦可於步進動作移動中，調弱回收部46A與回收部46B中任一方之回收口47之吸引力。例如，可在基板P往＋X軸方向移動之步進移動動作中，調弱回收部46A之回收口47之吸引力，而在基板P往－X軸方向移動之步進移動動作中，調弱回收部46B之回收口47之吸引力。
又，圖17所示之例中，連結回收部46A(46B)之複數個回收口47之線為曲線。但如圖18所示，連結回收部46A(46B)之複數個回收口47之線，亦可以是與Y軸平行之直線。
又，本實施形態中，第2構件122可與上述各實施形態同樣的，與基板P之移動之至少一部分並行移動，但亦可不移動。此場合，可省略驅動機構27等。
＜第5實施形態＞
接著，說明第5實施形態。以下之説明中，對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其説明。
圖19係顯示本實施形態之液浸構件5E之一例的圖。本實施形態中，液浸構件5E具有具回收部23之第1構件21、與至少一部分可相對第1構件21移動之第2構件220。
本實施形態中，第2構件220，具有：具有來自射出面12之曝光用光EL可通過之開口235的第1部分221、配置在第1部分221之＋X軸側可相對第1部分221移動的第2部分222、以及配置在第1部分221之－X軸側可相對第1部分221移動的第3部分223。
本實施形態中，第1部分221實質上不移動。第2部分222可於第1部分221之＋X軸側之空間中，移動於X軸方向。第3部分223可於第1部分221之－X軸側之空間中，移動於X軸方向。
第2部分222之上面能與第1構件21之回收部23對向。第2部分222能在回收部23對向之狀態下移動於X軸方向。第3部分223能與回收部23對向。第3部分223能在與回收部23對向之狀態下移動於X軸方向。
例如圖19(B)所示，第1部分221之＋X軸側之邊緣，可與該第1部分221之＋X軸側之邊緣對向之第2部分222之－X軸側之邊緣接近或接觸。又，如圖19(B)所示，第1部分221之－X軸側之邊緣，可與該第1部分221之－X軸側之邊緣對向之第3部分223之＋X軸側之邊緣接近或接觸。
又，如圖19(A)所示，第2部分222可往＋X軸方向從第1部分221分離。在第1部分221與第2部分222分離的狀態下，於第1部分221與第2部分222間之間隙Ga之上方，配置有第1構件21之回收部23。間隙Ga上方之回收部23，能與基板P(物體)對向。又，在第1部分221與第2部分222分離的狀態下，第1構件21之回收部23，可透過第1部分221與第2部分222間之間隙Ga，回收基板P(物體)上之液體LQ。
此外，如圖19(C)所示，第3部分223可往－X軸方向從第1部分221分離。在第1部分221與第3部分223分離的狀態下，第1部分221與第3部分223間之間隙Gb之上方，配置有回收部23。間隙Gb上方之回收部23，能與基板P(物體)對向。又，在第1部分221與第3部分223分離的狀態下，第1構件21之回收部23能透過第1部分221與第3部分223間之間隙Gb，回收基板P(物體)上之液體LQ。
以下，參照圖10説明本實施形態之第2構件220之動作。本實施形態中，在基板P移動於路徑Tp1之期間之至少一部分中，第2構件220成為如圖19(A)所示之狀態。當基板P開始路徑Tp2之移動時，第2構件220從圖19(A)所示之狀態變化至圖19(B)所示之狀態。基板P移動於路徑Tp2時，第2構件220成為圖19(B)所示之狀態。在基板P移動於路徑Tp3之期間之至少一部分中，第2構件220成為如圖19(A)所示之狀態。當基板P開始路徑Tp4之移動時，第2構件220從圖19(A)所示之狀態變化至圖19(B)所示之狀態。基板P移動於路徑Tp4時，第2構件220成為圖19(B)所示之狀態。在基板P移動於路徑Tp5之期間之至少一部分中，第2構件220成為圖19(A)所示之狀態。
亦即，於掃描移動動作之期間中，第2構件220成為圖19(A)之狀態，在基板P往＋X軸方向移動之步進移動動作期間中，則成為圖19(B)之狀態。
如以上所述，例如圖19(A)所示之狀態中，第1構件21之回收部23與基板P對向，透過間隙Ga回收基板P上之液體LQ。因此，液體LQ實質上不存在於第2部分222之下面側，第2構件220與基板P間之液體LQ之界面LG1b，係位於第1部分221之＋X軸側之邊緣221Ea近旁。又，緊接著在從圖19(A)所示之狀態變化成圖19(B)所示之狀態後，第2構件220與基板P間之液體LQ之界面LG1b，亦位於第1部分221之＋X軸側之邊緣221Ea近旁。
因此，例如圖20所示，在第1部分221與第2部分222接近或接觸、基板P往＋X軸方向之步進移動動作開始時，於第1部分221之邊緣221Ea近旁形成液體LQ之界面LG1b，而於第2部分222之下面側液體LQ實質不存在。亦即，於X軸方向，在使液體LQ之界面LG1b接近終端光學元件13之光軸AX的狀態下，開始基板P往＋X軸方向之步進動作。因此，即使基板P(物體)進行往＋X軸方向之步進移動動作，液體LQ從第2構件220與基板P(物體)之間流出的情形亦會受到抑制，液體LQ被帶出至第1構件21與基板P間之空間之外側的情形受到抑制。
又，於步進移動動作中，第1部分221與第2部分222接近或接觸，不透過間隙Ga從回收部23回收液體LQ，因此，第2構件220之下面與基板P間之液體LQ離開第2構件220之下面、在基板P上成為薄膜的情形受到抑制。因此，液體LQ殘留在基板P上的情形受到抑制。
又，於步進移動動作中，第2構件220與基板P間之液體LQ之界面LG1b即使形成在第2部分222與基板P之間，於之後之掃描移動動作期間之至少一部分中，第1部分221與第2部分222如圖19(A)所示的分離，第2部分222下側之空間及第1部分221與第2部分222間之間隙Ga下側之空間之液體LQ，從第1構件21之回收部23透過間隙Ga被回收。因此，可使基板P上之液體LQ之界面LG1b回到第1部分221之邊緣221Ea之近旁。
以上，係以基板P(物體)移動於圖10所示路徑(基板P往＋X軸方向進行步進移動動作之路徑)時，相對第1部分221配置在＋X軸側之第2部分222移動時之情形為例作了説明。而在基板P(物體)在與圖10所示路徑相反之方向進行步進移動動作時，亦即，基板P(物體)移動於基板P往－X軸方向移動之步進移動動作之路徑的情形時，如圖19(C)所示，相對第1部分221配置在－X軸側之第3部分223往－X軸方向移動。亦即，於基板P之掃描移動期間中之至少一部分，第2構件220成為圖19(C)所示之狀態。基板P開始往－X軸方向之步進移動時，第2構件220從圖19(C)所示之狀態變化至圖19(B)所示之狀態。於基板P往－X軸方向之步進移動期間之至少一部分中，第2構件220成為圖19(B)所示之狀態。與圖19(A)之情形同樣的，圖19(C)所示之狀態下，第3部分223之下面側實質上不存在液體LQ，而係於第1部分221之－X軸側之邊緣221Eb近旁形成液體LQ之界面LG1b。
又，圖19所示之例中，第1部分221之＋X軸側之邊緣及－X軸側之邊緣、第2部分222之－X軸側之邊緣及第3部分223之＋X軸側之邊緣為直線狀。如圖21所示，該等邊緣亦可以是曲線狀。
又，第1部分221可以是能移動的。例如，在基板P往＋X軸方向移動之步進移動動作期間之至少一部分中，如圖19(B)所示，可在第1部分221與第2部分222與第3部分223維持實質不分離的狀態下，使第2構件220(221、222、223)移動於＋X軸方向。同樣的，在基板P往－X軸方向移動之步進移動動作期間之至少一部分中，如圖19(B)所示，可在第1部分221與第2部分222與第3部分223維持實質不分離的狀態下，使第2構件220(221、222、223)移動於－X軸方向。
又，圖19～圖21所示之實施形態中，第2構件220之一部分(222、223)從具有開口235之部分(221)脫離之方向，不限於X軸方向。例如，在步進移動動作期間之至少一部分中，第2構件220之一部分可往Y軸方向脫離具有開口235之部分(221)。此場合，具有開口235之部分(221)可以是能移動、亦可以是不能移動。
＜第6實施形態＞
接著，說明第6實施形態。以下之説明中，對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其説明。
圖22係從下方觀察本實施形態之液浸構件5F之一例的圖。上述第1～第5實施形態中，XY平面内之第2構件(22等)之外形，係於X軸方向之尺寸較於Y軸方向之尺寸大的橢圓形狀。但如圖22所示，XY平面内之第2構件322之外形亦可以是圓形。此外，第2構件322之外形亦可以是三角形、四角形、五角形、六角形、七角形及八角形等之多角形。
＜第7實施形態＞
接著，說明第7實施形態。以下之説明中，對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其説明。
圖23係顯示本實施形態之液浸構件5G之一例的圖。如圖23所示，液浸構件5G之第1構件210具有與終端光學元件13之射出面12對向之對向部211。對向部211具有來自射出面12之曝光用光EL可通過之開口34G。開口34G之尺寸可以較第2構件22之開口35之尺寸大、或小、或相等。
又，上述第1～第7實施形態中，第2構件22雖係環繞光路K之環狀構件，但亦可是配置在光路K周圍之一部分。又，亦可以是在光路K周圍配置複數個第2構件22。又，可將該等複數個第2構件22做成可獨立移動。此外，亦可是複數個第2構件22中、一部分第2構件22移動、一部分第2構件22不移動。
又，上述第1～第7實施形態中，第1構件21可具有除去第1構件21上側之空間(例如，第3空間SP3)之液體LQ的回收口。
又，上述實施形態中，控制裝置6包含含CPU等之電腦系統。又，控制裝置6包含可實施電腦系統與外部裝置間之通訊的介面。記憶裝置7，例如包含RAM等之記憶體、硬碟、CD－ROM等之記錄媒體。於記憶裝置7安裝有用以控制電腦系統之作業系統(OS)，內儲存有用以控制曝光裝置EX之程式。
又，亦可於控制裝置6連接可輸入輸入信號之輸入裝置。輸入裝置包含鍵盤、滑鼠等之輸入機器、或可輸入來自外部裝置之資料的通訊裝置等。此外，亦可裝設液晶顯示器等之顯示裝置。
包含記錄在記憶裝置7中之程式的各種資訊，可由控制裝置(電腦系統)6加以讀取。於記憶裝置7中，儲存有使控制裝置6實施透過充滿在射出曝光用光之光學構件之射出面與基板之間之曝光用光之光路的液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制的程式。
又，儲存在記憶裝置7中之程式，可依上述實施形態使控制裝置6實施：以從光學構件之射出面射出之曝光用光之光路被液體充滿之方式，形成液浸空間的動作；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；相對配置在光學構件周圍之至少一部分、具有第1下面與相對光路配置在第1下面外側之第1回收部的第1構件，移動在第1構件之下方配置在光路周圍之至少一部分、具有與第1下面透過間隙對向之第2上面與物體可對向之第2下面的第2構件的動作；以及將來自第2上面面向之第1空間及第2下面面向之第2空間中至少一方之該液體之至少一部分，從第1回收部加以回收的動作。
藉由將記憶裝置7中儲存之程式讀取至控制裝置6，基板載台2、測量載台3及液浸構件5等曝光裝置EX之各種裝置即協同働作，在形成有液浸空間LS之狀態下，實施基板P之液浸曝光等的各種處理。
又，上述各實施形態中，投影光學系PL之終端光學元件13之射出面12側(像面側)之光路K係被液體LQ充滿。但投影光學系PL亦可以是例如國際公開第2004／019128號小冊子所揭示之終端光學元件13之入射側(物體面側)光路亦被液體LQ充滿之投影光學系。
又，上述各實施形態中，曝光用之液體LQ雖係使用水，但亦可以是水以外之液體。液體LQ，以對曝光用光EL具有穿透性、對曝光用光EL具有高折射率、對形成投影光學系PL或基板P之表面之感光材(光阻劑)等膜安定者較佳。例如，液體LQ可以是氫氟醚(HFE)、全氟化聚醚(PFPE)、氟素潤滑油(fomblin(登錄商標) oil)等。此外，液體LQ亦可是各種流體、例如超臨界流體。
又，上述各實施形態之基板P，雖包含半導體元件製造用之半導體晶圓，亦可包含顯示元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、或曝光裝置所使用之光罩或標線片之原版(合成石英、矽晶圓)等。
又，上述各實施形態中，雖然曝光裝置EX係使光罩M基板P同步移動以對光罩M之圖案進行掃描曝光之步進掃描(step & scan)方式之掃描型曝光裝置(掃描步進機)，但亦可以是例如使光罩M與基板P在靜止之狀態下，使光罩M之圖案一次曝光，並使基板P依序步進移動的之步進重複(step & repeat)方式的投影曝光裝置(步進機)。
再者，於曝光裝置EX係步進重複方式之曝光中，亦可在使第1圖案與基板P大致静止之狀態，使用投影光學系PL將第1圖案之縮小像轉印至基板P上後，在第2圖案與基板P大致静止之狀態，使用投影光學系PL將第2圖案之縮小像與第1圖案局部重疊而一次曝光至基板P上(接合方式之一次曝光裝置)。又，接合方式之曝光裝置，亦可以是於基板P上至少將二個圖案局部的重疊轉印，並使基板P依序移動之步進接合(step & stitch)方式之曝光裝置。
又，曝光裝置EX亦可以是例如美國專利第6611316號所揭示之將二個光罩之圖案透過投影光學系在基板P上加以合成，以一次掃描曝光使基板P上之一個照射區域大致同時雙重曝光之曝光裝置。此外，本發明亦能適用於近接方式之曝光裝置、反射鏡投影對準器(mirror projection aligner)等。
又，上述各實施形態中，曝光裝置EX亦可以是例如美國專利第6341007號說明書、美國專利第6208407號說明書及美國專利第6262796號說明書等所揭示之具備複數個基板載台之雙載台型之曝光裝置。例如圖24所示，在曝光裝置EX具備二個基板載台2001、2002之場合，可配置成與射出面12對向之物體，包含一方之基板載台、該一方之基板載台之第1保持部所保持之基板、另一方之基板載台、以及該另一方之基板載台之第1保持部所保持之基板中的至少一者。
此外，曝光裝置EX亦可以是具備複數個基板載台與測量載台之曝光裝置。
曝光裝置EX可以是將半導體元件圖案曝光至基板P之半導體元件製造用之曝光裝置，亦可以是液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置，或用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、微機器、MEMS、DN晶片、標線片或光罩等之曝光裝置。
又，上述實施形態中，雖係使用在光透射性基板上形成有既定遮光圖案(或相位圖案、減光圖案)之光透射型光罩，但亦可取代此光罩，使用例如美國專利第6778257號公報所揭示，根據待曝光圖案之電子資料來形成透射圖案或反射圖案、或形成發光圖案之可變成形光罩(電子光罩、主動光罩或影像產生器)。又，亦可取代具有非發光型影像顯示元件之可變成形光罩，而裝備包含自發光型影像顯示元件之圖案形成裝置。
上述各實施形態中，曝光裝置EX雖具備投影光學系PL，但亦可將上述各實施形態所説明之構成要件適用於不使用投影光學系PL之曝光裝置及曝光方法。例如，可將上述各實施形態所説明之構成要件適用於在透鏡等光學構件與基板之間形成液浸空間，透過該光學構件對基板照射曝光用光之曝光裝置及曝光方法。
又，曝光裝置EX亦可以是例如國際公開第2001／035168號小冊子所揭示之藉由在基板P上形成干涉條紋，據以在基板上曝光線與空間圖案(line & space pattern)的曝光裝置(微影系統)。
上述實施形態之曝光裝置EX，係藉由組裝各種次系統(含各構成要素)，以能保持既定之機械精度、電氣精度、光學精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後，係進行對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系統至曝光裝置EX之組裝製程，係包含機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置EX之組裝步驟前，有各次系統個別之組裝步驟。在各種次系統組裝至曝光裝置EX之步驟結束後，即進行綜合調整，以確保曝光裝置EX整體之各種精度。此外，曝光裝置EX之製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理之無塵室進行。
半導體元件等之微元件，如圖25所示，係經進行微元件之功能、性能設計之步驟201，根據此設計步驟製作光罩M(標線片)之步驟202，製造元件基材之基板之步驟203，包含依據上述實施形態進行基板處理(曝光處理，包含使用光罩M之圖案以曝光用光EL使基板曝光之動作、以及使曝光後基板顯影之動作)的基板処理步驟204，元件組裝步驟(包含切割步驟、結合步驟、封裝步驟等之加工製程)205，以及檢査步驟206等而製造。
又，上述各實施形態之要件可適當加以組合。又，亦有不使用部分構成要素之情形。此外，在法令許可範圍內，援用上述各實施形態及變形例所引用之關於曝光裝置等之所有公開公報及美國專利之揭示作為本文記載之一部分。
1‧‧‧光罩載台
2、2001、2002‧‧‧基板載台
2C‧‧‧驅動系統15之可動子
3‧‧‧測量載台
3C‧‧‧驅動系統15之可動子
4‧‧‧測量系統
5、5B、5D、5E、5F‧‧‧液浸構件
6‧‧‧控制裝置
7‧‧‧記憶裝置
8A‧‧‧基準框架
8B‧‧‧裝置框架
9‧‧‧腔室裝置
10‧‧‧防振裝置
11‧‧‧驅動系統
12‧‧‧射出面
122‧‧‧第2構件
126‧‧‧第2構件之下面
13‧‧‧終端光學元件
135‧‧‧第2構件122之開口
14‧‧‧基座構件
14G‧‧‧基座構件之導引面
14M‧‧‧驅動系統15之固定子
15‧‧‧驅動系統
21‧‧‧第1構件
22、220‧‧‧第2構件
221‧‧‧第1部分
221Ea‧‧‧第1部分221之＋軸側之邊緣
222‧‧‧第2部分
223‧‧‧第3部分
23‧‧‧回收部
235‧‧‧開口
24‧‧‧第1購艦21之下面
25‧‧‧第2構件22之上面
26‧‧‧第2構件22之下面
27‧‧‧驅動裝置
28‧‧‧支承構件
29‧‧‧終端光學元件13之側面
30‧‧‧第1構件21之內側面
31‧‧‧第1構件21之上面
32‧‧‧孔
33‧‧‧供應口
33R‧‧‧供應流路
34‧‧‧第1構件21之開口
35‧‧‧第2構件22之開口
36‧‧‧第1構件21之上面
37‧‧‧回收口
37R‧‧‧回收流路
38‧‧‧多孔構件
39‧‧‧多孔構件38之下面
391‧‧‧回收部23之第1部分
392‧‧‧回收部23之第2部分
40‧‧‧開口
41‧‧‧回收構件
42‧‧‧多孔構件
43‧‧‧回收流路
45‧‧‧驅動系統
46(46A、46B)‧‧‧回收部
47‧‧‧回收口
CS‧‧‧空間
AX‧‧‧光軸
d1～d6‧‧‧位置
EL‧‧‧曝光用光
EX‧‧‧曝光裝置
Ga、Gb‧‧‧間隙
IL‧‧‧照明系
IR‧‧‧照明區域
K‧‧‧光路
LG、LG1b‧‧‧界面
LG1、LG2‧‧‧第1、第2界面
LQ‧‧‧液體
LS‧‧‧液浸空間
M‧‧‧光罩
P‧‧‧基板
PL‧‧‧投影光學系
PR‧‧‧投影區域
S、Sa、Sb、Sc‧‧‧照射區域
SP1、SP2、SP3‧‧‧第1、第2、第3空間
T‧‧‧覆蓋構件
T1、T3、T5‧‧‧進行掃描移動動作之期間
T2、T4‧‧‧進行步進移動動作之期間
Tp1～Tp5‧‧‧路徑
W35‧‧‧開口35之尺寸
圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置之一例的圖。
圖2係顯示第1實施形態之液浸構件之一例的側視剖面圖。
圖3係顯示第1實施形態之液浸構件之一例的側視剖面圖。
圖4係顯示第1實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖5係從下方觀察第1實施形態之液浸構件的圖。
圖6係顯示第1實施形態之液浸構件之一例的立體圖。
圖7係顯示第1實施形態之液浸構件之一動作例的圖。
圖8係顯示第1實施形態之液浸構件之一例的圖。
圖9係用以說明第1實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖10係用以說明第1實施形態之曝光裝置之一動作例的示意圖。
圖11係用以說明第1實施形態之液浸構件之一動作例的示意圖。
圖12係用以說明第1實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖13係用以說明第1實施形態之液浸構件之一動作例的示意圖。
圖14係顯示第1實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖15係顯示第2實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖16係顯示第3實施形態之液浸構件之一例的圖。
圖17係從下方觀察第4實施形態之液浸構件的圖。
圖18係從下方觀察第4實施形態之液浸構件的圖。
圖19係從下方觀察第5實施形態之液浸構件的圖。
圖20係用以說明第5實施形態之液浸構件之一動作例的示意圖。
圖21係從下方觀察第5實施形態之液浸構件的圖。
圖22係從下方觀察第6實施形態之液浸構件的圖。
圖23係顯示第7實施形態之液浸構件之一例的圖。
圖24係顯示基板載台之一例的圖。
圖25係用以說明元件製造方法之一例的流程圖。

Claims (70)

  1. 一種液浸構件，係以從光學構件之射出面射出之曝光用光之光路被液體充滿之方式，在能於該光學構件下方移動之物體上形成液浸空間，具備： 第1構件，配置在該光學構件周圍之至少一部分，具有第1下面與相對該光路配置在該第1下面之外側之第1回收部；以及 第2構件，在該第1構件之下方配置在該光路周圍之至少一部分，具有與該第1下面隔著間隙對向之第2上面與該物體可對向之第2下面，相對該第1構件可動； 該物體可對向於該第1回收部之至少一部分，可將來自該第2上面面向之第1空間、及該第2下面面向之第2空間之至少一方之該液體之至少一部分，從該第1回收部加以回收。
  2. 如申請專利範圍第1項之液浸構件，其中，該第2構件之至少一部分與該第1回收部對向。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之液浸構件，其中，該第1回收部係配置於該第1構件。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之液浸構件，其進一步具備連接於該第2構件之支承構件； 該第2構件係藉由該支承構件被驅動裝置移動而移動。
  5. 如申請專利範圍第4項之液浸構件，其中，該第1構件進一步具有連結該第1構件之上側空間與下側空間之孔； 該支承構件配置於該第1構件之該孔； 於該第1構件之孔内，該支承構件藉由該驅動裝置移動。
  6. 如申請專利範圍第5項之液浸構件，其中，該驅動裝置於該上側空間連接於該支承構件。
  7. 如申請專利範圍第5或6項之液浸構件，其中，該第1構件之該孔係延伸於該第2構件之移動方向。
  8. 如申請專利範圍第5至7項中任一項之液浸構件，其中，該孔可供液體流通。
  9. 如申請專利範圍第8項之液浸構件，其中，該液體從該第1構件之該上側空間流向該下側空間。
  10. 如申請專利範圍第5至9項中任一項之液浸構件，其中，該第1構件之該下側空間包含該第1構件與該第2構件間之空間。
  11. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之液浸構件，其中，該第1構件具有與該光學構件側面對向之對向面、與設置成該側面與該對向面之間之液體流於該第2上面之流路。
  12. 如申請專利範圍第1至11項中任一項之液浸構件，其中，該第1構件實質上不移動。
  13. 如申請專利範圍第1至12項中任一項之液浸構件，其中，該第2構件能在與該光學構件之光軸實質上垂直之方向移動。
  14. 如申請專利範圍第1至13項中任一項之液浸構件，其中，該第2構件能與從該射出面射出該曝光用光之期間中之至少一部分並行移動。
  15. 如申請專利範圍第1至14項中任一項之液浸構件，其中，該第2構件能與該物體移動之期間中之至少一部分並行移動。
  16. 如申請專利範圍第1至15項中任一項之液浸構件，其中，該第2構件能於該物體之移動方向移動。
  17. 如申請專利範圍第1至16項中任一項之液浸構件，其中，該第1回收部包含多孔構件。
  18. 如申請專利範圍第1至17項中任一項之液浸構件，其中，該第1回收部下面之至少一部分，係於相對該光路之放射方向朝外側向上方傾斜。
  19. 如申請專利範圍第1至18項中任一項之液浸構件，其進一步具備供應該液體之供應口。
  20. 如申請專利範圍第19項之液浸構件，其中，該供應口係配置於該第1構件。
  21. 如申請專利範圍第19或20項之液浸構件，其中，該第1構件進一步具有該曝光用光可通過之第1開口； 該第2構件具有該曝光用光可通過之第2開口。
  22. 如申請專利範圍第21項之液浸構件，其中，該第1開口較該第2開口大。
  23. 如申請專利範圍第21或22項之液浸構件，其中，該第2構件之該第2上面之一部分與該射出面對向。
  24. 如申請專利範圍第21至23項中任一項之液浸構件，其中，該第1構件進一步具有形成在該第1開口周圍之第1上面； 該第1上面之一部分與該射出面對向。
  25. 如申請專利範圍第21至24項中任一項之液浸構件，其中，於該第2構件移動方向之該第2開口之尺寸，大於該曝光用光之尺寸與該第2構件可移動範圍之尺寸之和。
  26. 如申請專利範圍第21至25項中任一項之液浸構件，其中，於該第2構件之移動方向，從該第2開口之中心至該第2構件端部之尺寸，大於從該第1開口之中心至該第1回收部之内側端部之尺寸、而小於從該第1開口之中心至該第1回收部之外側端部之尺寸。
  27. 如申請專利範圍第21至26項中任一項之液浸構件，其中，可透過該第1開口與該第2開口將從該供應口供應之該液體，供應至與該射出面對向之物體上。
  28. 如申請專利範圍第21至27項中任一項之液浸構件，其中，來自該供應口之該液體係透過該第1開口被供應至該第2上面後，經由該第2開口被供應至與該射出面對向之物體上。
  29. 如申請專利範圍第19至28項中任一項之液浸構件，其中，係根據該第2構件之移動條件調整來自該供應口之液體供應量。
  30. 如申請專利範圍第1至29項中任一項之液浸構件，其進一步具備配置在該第1構件周圍之至少一部分、用以回收從該第1下面側之空間流出之該液體的回收構件。
  31. 如申請專利範圍第30項之液浸構件，其進一步具備根據該物體之移動條件使該回收構件移動於上下方向的驅動系統。
  32. 一種液浸構件，係以從光學構件之射出面射出之曝光用光之光路被液體充滿之方式，在能於該光學構件下方移動之物體上形成液浸空間，具備： 第1構件，配置在該光學構件周圍之至少一部分，具有第1下面； 第2構件，在該第1構件下方配置在該光路周圍之至少一部分，具有該物體可對向之第2下面，可相對該第1構件移動；以及 回收部，相對該光路配置在該第1下面之外側； 以該回收部進行來自該第1構件與該第2構件之間之空間之液體的回收。
  33. 一種液浸構件，係以從光學構件之射出面射出之曝光用光之光路被液體充滿之方式，在能於該光學構件下方移動之物體上形成液浸空間，具備： 第1構件，配置在該光學構件周圍之至少一部分，具有第1下面； 第2構件，在該第1構件下方配置在該光路周圍之至少一部分，具有該物體可對向之第2下面，可相對該第1構件移動；以及 回收部，至少一部分係相對該光路在該第2下面之外側，回收來自該第2構件與該物體之間之空間的液體。
  34. 如申請專利範圍第32或33項之液浸構件，其中，該回收部係配置成不面對該第1構件與該第2構件之間之空間。
  35. 如申請專利範圍第32至34項中任一項之液浸構件，其中，該第2下面不能回收液體。
  36. 一種液浸構件，係以從光學構件之射出面射出之曝光用光之光路被液體充滿之方式，在能於該光學構件下方移動之物體上形成液浸空間，具備： 第1構件，配置在該光學構件周圍之至少一部分，具有第1下面； 第2構件，在該第1構件下方配置在該光路周圍之至少一部分，具有能與該第1下面對向之第2上面及該物體可對向之第2下面，可相對該第1構件移動； 供應部，配置在較該第2上面上方處，可供應液體；以及 回收部，配置在較該第2上面上方處，能回收液體； 來自該供應部之液體之至少一部分係被供應至該第1下面與該第2上面之間之空間，從該回收部回收該第1下面與該第2上面之間之空間之液體之至少一部分。
  37. 如申請專利範圍第36項之液浸構件，其中，來自該供應部之液體之至少一部分被供應至該第2下面與該物體之間之空間。
  38. 如申請專利範圍第37項之液浸構件，其中： 該第1構件進一步具有該曝光用光可通過之第1開口； 該第2構件進一步具有該曝光用光可通過之第2開口； 來自該供應部之液體之至少一部分透過該第2開口被供應至該第2下面與該物體之間之空間。
  39. 如申請專利範圍第36至38項中任一項之液浸構件，其中，該供應部具有配置成面向該第1下面與該第2上面之間之空間的第1供應口。
  40. 如申請專利範圍第36至39項中任一項之液浸構件，其中，該供應部具有配置成面向該光學構件與該第1構件之間之空間的第2供應口。
  41. 如申請專利範圍第36至40項中任一項之液浸構件，其中，該第1構件具有該供應部。
  42. 如申請專利範圍第36至41項中任一項之液浸構件，其中，該回收部之至少一部分係配置成面向該第1下面與該第2上面之間之空間。
  43. 如申請專利範圍第36至42項中任一項之液浸構件，其中，該第1構件具有該回收部。
  44. 一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光： 其具備申請專利範圍第1至43項中任一項之液浸構件。
  45. 如申請專利範圍第44項之曝光裝置，其中，該第2構件係以和該物體之相對速度變小之方式移動。
  46. 如申請專利範圍第44或45項之曝光裝置，其中，該第2構件係以和該物體之相對速度，變得較該第1構件與該物體之相對速度小之方式移動。
  47. 如申請專利範圍第44至46項中任一項之曝光裝置，其中，該物體包含該基板： 在形成有該液浸空間之狀態下，該基板係在與該光學構件之光軸實質垂直之面内，移動於第1路徑後移動於第2路徑； 於該第1路徑中，該基板之移動包含往與第1軸平行之第1方向的移動； 於該第2路徑中，該基板之移動包含往與該第1軸正交之第2軸平行之第2方向的移動； 該第2構件，在該基板移動於該第2路徑之期間中之至少一部分，移動於該第2方向。
  48. 如申請專利範圍第47項之曝光裝置，其中，在該基板移動於該第2路徑之期間中之至少一部分中該第2構件移動於該第2方向之距離，係該基板在該第2路徑之移動距離之45～65％。
  49. 如申請專利範圍第47項之曝光裝置，其中，在該基板移動於該第2路徑之期間中之至少一部分中該第2構件移動於該第2方向之距離，係該基板在該第2路徑之移動距離之50～60％。
  50. 如申請專利範圍第49項之曝光裝置，其中，在該基板移動於該第1路徑時透過該液浸空間之液體對該基板之照射區域照射該曝光用光，移動於該第2路徑時則不照射該曝光用光。
  51. 如申請專利範圍第49或50項之曝光裝置，其中，該基板在移動於該第2路徑後，移動於第3路徑； 於該第3路徑中，該基板之移動包含往與該第1方向相反之第3方向之移動； 該第2構件在該基板移動於該第3路徑之期間中之至少一部分，移動於與該第2方向相反之第4方向。
  52. 如申請專利範圍第49至51項中任一項之曝光裝置，其中，該第2構件係在該基板之該第2路徑之移動開始前，開始往該第2方向之移動。
  53. 如申請專利範圍第44至46項之曝光裝置，其中，該物體包含該基板； 在形成有該液浸空間之狀態下，該基板在一邊於掃描方向掃描移動一邊使該基板之第1照射區域曝光後，於步進方向步進移動以將第2照射區域配置於曝光開始位置； 於該基板之步進移動中之至少一部分，該第2構件在與該步進方向實質的同方向移動。
  54. 如申請專利範圍第53項之曝光裝置，其中，於該基板之掃描移動之至少一部分中，該第2構件移動於與該步進方向實質相反方向。
  55. 如申請專利範圍第47至52項中任一項之曝光裝置，其進一步具備配置在該第2下面、可回收該液體之第2回收部。
  56. 如申請專利範圍第55項之曝光裝置，其中，該第2回收部之回收力較該第1回收部之回收力小。
  57. 如申請專利範圍第44至46項中任一項之曝光裝置，其進一步具備配置在該第2下面、可回收該液體之第2回收部。
  58. 一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光： 具備以從光學構件之射出面射出之曝光用光之光路被液體充滿之方式，在能於該光學構件下方移動之物體上形成液浸空間的液浸構件； 該液浸構件，具備： 第1構件，係配置在該光學構件周圍之至少一部分，具有第1下面、與相對該光路配置在第1下面外側之第1回收部；以及 第2構件，係於該第1構件之下方配置在該光路周圍之至少一部分，具有透過間隙與該第1下面對向之第2上面、該物體可對向之第2下面、與配置在該第2下面能回收該液體之第2回收部； 該物體可對向於該第1回收部之至少一部分； 將來自該第2上面面向之第1空間及該第2下面面向之第2空間中至少一方之該液體之至少一部分，從該第1回收部加以回收。
  59. 如申請專利範圍第57或58項之曝光裝置，其中，該第2回收部之回收力較該第1回收部之回收力小。
  60. 如申請專利範圍第57至59項中任一項之曝光裝置，其中，該物體包含該基板； 在形成有該液浸空間之狀態下，該基板在與該光學構件之光軸實質垂直之面内移動於第1路徑後，移動於第2路徑； 於該第1路徑中，該基板之移動包含往與第1軸平行之第1方向的移動； 於該第2路徑中，該基板之移動包含往與該第1軸正交之第2軸平行之第2方向的移動； 該第2回收部，係在與該第2軸平行之方向，配置在該曝光用光之光路兩側。
  61. 如申請專利範圍第60項之曝光裝置，其中，該第2回收部在該基板移動於該第2路徑之期間，不回收該液體。
  62. 如申請專利範圍第47至56項中任一項之曝光裝置，其中，該第2構件可分割為第1部分、與在與該第2軸平行之方向與該第1部分相鄰之第2部分； 在形成有該液浸空間之狀態下該基板移動於該第1路徑之期間之至少一部分中，該第1部分與該第2部分係分離配置； 在該基板移動於該第2路徑之期間之至少一部分中，該第1部分與該第2部分係近接或接觸。
  63. 一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光： 具備以從光學構件之射出面射出之曝光用光之光路被液體充滿之方式，在能於該光學構件下方移動之物體上形成液浸空間的液浸構件； 該液浸構件，具備： 第1構件，係配置在該光學構件周圍之至少一部分，具有第1下面、與相對該光路配置在第1下面外側之第1回收部；以及 第2構件，係於該第1構件之下方配置在該光路周圍之至少一部分，具有透過間隙與該第1下面對向之第2上面、該物體可對向之第2下面； 該基板可對向於該第1回收部之至少一部分； 將來自該第2上面面向之第1空間及該第2下面面向之第2空間中至少一方之該液體之至少一部分，從該第1回收部加以回收； 在形成有該液浸空間之狀態下，該基板在與該光學構件之光軸實質垂直之面内移動於第1路徑後，移動於第2路徑； 於該第1路徑中，該基板之移動包含往與第1軸平行之第1方向的移動； 於該第2路徑中，該基板之移動包含往與該第1軸正交之第2軸平行之第2方向的移動； 該第2構件可分割為第1部分、以及在與該第2軸平行之方向與該第1部分相鄰之第2部分； 在形成有該液浸空間之狀態下該基板移動於該第1路徑之期間之至少一部分中，該第1部分與該第2部分係分離配置； 在該基板移動於該第2路徑之期間之至少一部分中，該第1部分與該第2部分係接近或接觸。
  64. 如申請專利範圍第62或63項之曝光裝置，其中，係在該第1部分與該第2部分分離時，該第1回收部透過該第1部分與該第2部分之間之間隙回收該基板上之液體。
  65. 如申請專利範圍第44至64項中任一項之曝光裝置，其中，該物體包含保持該基板移動之基板載台。
  66. 一種元件製造方法，包含： 使用申請專利範圍第44至65項中任一項之曝光裝置使基板曝光的動作；以及 使曝光後之該基板顯影的動作。
  67. 一種曝光方法，係透過液體以曝光用光使基板曝光，包含： 以從光學構件之射出面射出之該曝光用光之光路被該液體充滿之方式，形成液浸空間的動作； 透過該液浸空間之液體以從該射出面射出之該曝光用光使該基板曝光的動作； 相對配置在該光學構件周圍之至少一部分、具有第1下面與相對該光路配置在該第1下面外側之第1回收部的第1構件，移動在該第1構件之下方配置在該光路周圍之至少一部分、具有與該第1下面透過間隙對向之第2上面與該物體可對向之第2下面的第2構件的動作；以及 將來自該第2上面面向之第1空間及該第2下面面向之第2空間中至少一方之該液體之至少一部分，從該第1回收部加以回收的動作。
  68. 一種元件製造方法，包含： 使用申請專利範圍第67項之曝光方法使基板曝光的動作；以及 使曝光後之該基板顯影的動作。
  69. 一種程式，係使電腦實施透過液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置之控制，包含： 以從光學構件之射出面射出之該曝光用光之光路被該液體充滿之方式，形成液浸空間的動作； 透過該液浸空間之液體以從該射出面射出之該曝光用光使該基板曝光的動作； 相對配置在該光學構件周圍之至少一部分、具有第1下面與相對該光路配置在該第1下面外側之第1回收部的第1構件，移動在該第1構件之下方配置在該光路周圍之至少一部分、具有與該第1下面透過間隙對向之第2上面與該物體可對向之第2下面的第2構件的動作；以及 將來自該第2上面面向之第1空間及該第2下面面向之第2空間中至少一方之該液體之至少一部分，從該第1回收部加以回收的動作。
  70. 一種電腦可讀取之記錄媒體，其記錄有申請專利範圍第69項之程式。
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