TWI620030B - 曝光裝置、及元件製造方法 - Google Patents

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TWI620030B
TWI620030B TW102136306A TW102136306A TWI620030B TW I620030 B TWI620030 B TW I620030B TW 102136306 A TW102136306 A TW 102136306A TW 102136306 A TW102136306 A TW 102136306A TW I620030 B TWI620030 B TW I620030B
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Abstract

本發明提供一種曝光裝置，係透過光學構件與基板間之液體以曝光用光使基板曝光，其包含裝置機架、含光學構件之光學系、配置在光學構件周圍至少一部分之第1構件、以及配置在光學構件周圍至少一部分之第2構件，並具備可形成液浸空間之液浸構件、可相對第1構件移動第2構件之驅動裝置、以及透過此將第1構件支承於裝置機架之防振裝置。

Description

曝光裝置、及元件製造方法
本發明係關於曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式、及記錄媒體。
本申請案主張2012年10月12日申請之日本國專利申請2012-227214號之優先權，並將其內容援用於此。
於微影製程使用之曝光裝置中，有一種例如下述專利文獻1所揭露之透過液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置。
先行技術文獻
[專利文獻1] 美國專利第7864292號
曝光裝置中，當發生不期望之振動、或構件移動置不期望之位置時，即有可能發生曝光不良之情形。其結果，有可能產生不良元件。
本發明態樣之目的，在提供一種能抑制發生曝光不良之曝光裝置及曝光方法。此外，本發明態樣之另一目的，在提供一種能抑制產生不良元件之元件製造方法、程式、及記錄媒體。
本發明第1態樣，提供一種曝光裝置，係透過光學構件與基板間之液體以曝光用光使基板曝光，其具備：裝置機架；光學系，包含光學構件；液浸構件，包含配置在光學構件周圍至少一部分之第1構件、與配置在光學構件周圍至少一部分之第2構件，可形成液浸空間；驅動裝置，可相對第1構件移動第2構件；以及防振裝置，透過此裝置將第1構件支承於裝置機架
本發明第2態樣，提供一種曝光裝置，係透過光學構件與基板間之液體以曝光用光使基板曝光，其具備：裝置機架；光學系，包含光學構件之；液浸構件，包含配置在光學構件周圍至少一部分之第1構件、與配置在光學構件周圍至少一部分之第2構件，可形成液浸空間；以及驅動裝置，可相對第1構件移動第2構件；驅動裝置之至少一部分係被支承於裝置機架。
本發明第3態樣，提供一種曝光裝置，係透過光學構件與基板間之液體以曝光用光使基板曝光，其具備：裝置機架；光學系，包含光學構件；液浸構件，包含配置在光學構件周圍至少一部分之第1構件、與配置在光學構件周圍至少一部分之第2構件，可形成液浸空間；驅動裝置，可相對第1構件移動第2構件；以及支承裝置，透過此裝置將第1構件以可動之方式支承於裝置機架；支承裝置具有致動器。
本發明第4態樣，提供一種曝光裝置，係透過光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使基板曝光，其具備：液浸構件，包含配置在光學構件周圍至少一部分之第1構件、與在第1構件之下方配置在曝 光用光之光路周圍至少一部分並具有透過間隙與第1構件之第1下面對向之第2上面與能在光學構件之下方移動之物體可對向之第2下面並相對第1構件可動之第2構件，能在物體上形成液浸空間；以及防振裝置，用以抑制第1構件之振動。
本發明第5態樣，提供一種曝光裝置，係透過光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使基板曝光，其具備：液浸構件，包含配置在光學構件周圍至少一部分之第1構件、與在第1構件之下方配置在曝光用光之光路周圍至少一部分並具有透過間隙與第1構件之第1下面對向之第2上面與能在光學構件之下方移動之物體可對向之第2下面並相對第1構件可動之第2構件，能在物體上形成液浸空間；以及第1驅動裝置，係以可抑制第1構件相對基準構件之變位之方式移動第1構件。
本發明第6態樣，提供一種元件製造方法，包含：使用第1~第5態樣中任一態樣之曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光後之基板顯影的動作。
本發明第7態樣，提供一種曝光方法，係透過光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使基板曝光，包含：使用包含配置在光學構件周圍至少一部分之第1構件、與配置在光學構件周圍至少一部分之第2構件的液浸構件，於基板上形成液體之液浸空間的動作；於基板之曝光之至少一部分中，使用驅動裝置相對第1構件移動第2構件的動作；以及透過防振裝置以裝置機架支承第1構件的動作
本發明第8態樣，提供一種曝光方法，係透過光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使基板曝光，包含：使用包含配置在光學 構件周圍至少一部分之第1構件、與配置在光學構件周圍至少一部分之第2構件的液浸構件，於基板上形成液體之液浸空間的動作；於基板之曝光之至少一部分中，使用驅動裝置相對第1構件移動第2構件的動作；以及以裝置機架支承驅動裝置之至少一部分的動作。
本發明第9態樣，提供一種曝光方法，係透過光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使基板曝光，包含：使用包含配置在光學構件周圍至少一部分之第1構件、與配置在光學構件周圍至少一部分之第2構件的液浸構件，於基板上形成液體之液浸空間的動作；於基板之曝光之至少一部分中，使用驅動裝置相對第1構件移動第2構件的動作；以及透過具有致動器之支承裝置以裝置機架將第1構件支承為可動的動作。
本發明第10態樣，提供一種曝光方法，係透過光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使基板曝光，包含：使用液浸構件於基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件包含配置在光學構件周圍至少一部分之第1構件、及在該第1構件下方配置在曝光用光之光路周圍至少一部分並具有與第1構件之第1下面透過間隙對向之第2上面與能在光學構件下方移動之基板可對向之第2下面之第2構件；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作；以及以防振裝置抑制第1構件之振動的動作。
本發明第11態樣，提供一種曝光方法，係透過光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使基板曝光，包含：使用液浸構件於基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件包含配置在光學構件周圍至少 一部分之第1構件、及在第1構件下方配置在曝光用光之光路周圍至少一部分並具有與第1構件之第1下面透過間隙對向之第2上面與能在光學構件下方移動之基板可對向之第2下面之第2構件；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作；以及以第1構件相對基準構件之變位受到抑制之方式，藉由第1驅動裝置移動第1構件的動作。
本發明第12態樣，提供一種元件製造方法，包含：使用第7~第11態樣中任一態樣之曝光方法使基板曝光的動作；以及使曝光後之基板顯影的動作。
本發明第13態樣，提供一種程式，係使電腦實施透過光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件於基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件包含配置在光學構件周圍至少一部分之第1構件、及在第1構件下方配置在曝光用光之光路周圍至少一部分並具有與第1構件之第1下面透過間隙對向之第2上面與能在光學構件下方移動之基板可對向之第2下面之第2構件；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作；以及以防振裝置抑制第1構件之振動的動作。
本發明第14態樣，提供一種程式，係使電腦實施透過光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置之控制，其使之實施：使用液浸構件於基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件包含配置在光學構件周圍至少一部分之第1構件、及在第1構件下方配 置在曝光用光之光路周圍至少一部分並具有與第1構件之第1下面透過間隙對向之第2上面與能在光學構件下方移動之基板可對向之第2下面之第2構件；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作；以及以第1構件相對基準構件之變位受到抑制之方式，藉由第1驅動裝置移動第1構件的動作。
本發明第15態樣，提供一種電腦可讀取之記錄媒體，其記錄有第13及第14態樣中任一態樣之程式。
根據本發明之上述各態樣，可抑制曝光不良之發生。此外，根據本發明之各態樣，可抑制不良元件之產生。
1‧‧‧光罩載台
2‧‧‧基板載台
2C‧‧‧可動子
3‧‧‧測量載台
3C‧‧‧可動子
4‧‧‧測量系統
5、5S、500‧‧‧液浸構件
6‧‧‧控制裝置
7‧‧‧記憶裝置
8A‧‧‧基準機架
8B‧‧‧裝置機架
8Ba‧‧‧上面
9‧‧‧腔室裝置
10‧‧‧防振裝置
11‧‧‧驅動系統
12‧‧‧射出面
13‧‧‧終端光學元件
13F‧‧‧終端光學元件之側面
14‧‧‧基座構件
14G‧‧‧導引面
14M‧‧‧固定子
15‧‧‧驅動系統
21、21S、210‧‧‧第1構件
22、22S、220‧‧‧第2構件
23、23S、240‧‧‧下面
24‧‧‧液體回收部
24C、27C‧‧‧液體回收裝置
24R、27R‧‧‧回收流路
25、250‧‧‧上面
26、260‧‧‧下面
27‧‧‧流體回收部
28‧‧‧內側面
29‧‧‧外側面
30、300‧‧‧內側面
31‧‧‧液體供應部
31R‧‧‧供應流路
31S‧‧‧液體供應裝置
32‧‧‧驅動裝置
34、34S、340‧‧‧開口
35、350‧‧‧開口
35U‧‧‧內面
36、37、380‧‧‧多孔構件
38‧‧‧誘導部
38K‧‧‧狹縫
38R‧‧‧壁部
40‧‧‧開口
44‧‧‧上面
50‧‧‧支承裝置
51‧‧‧第1支承構件
51A‧‧‧上面
51B‧‧‧下面
52‧‧‧第2支承構件
52A‧‧‧上面
53‧‧‧支承機架
53B‧‧‧下面
54‧‧‧移動機架
55‧‧‧防振裝置
56‧‧‧驅動裝置
57‧‧‧固定子
57G‧‧‧氣體軸承
58、59‧‧‧可動子
60‧‧‧位置調整裝置
61‧‧‧位置感測器
61A‧‧‧第1感測器
61Aa‧‧‧標尺構件
61Ab‧‧‧編碼器讀頭
61B‧‧‧第2感測器
61Ba‧‧‧標尺構件
61Bb‧‧‧編碼器讀頭
62、620‧‧‧檢測裝置
63‧‧‧檢測裝置
270‧‧‧驅動裝置
280‧‧‧第2支承構件
2801‧‧‧第1部分
2802‧‧‧第2部分
2803‧‧‧第3部分
300‧‧‧第1構件210之內側面
310‧‧‧第1構件210之上面
320‧‧‧孔
330‧‧‧供應部
400‧‧‧第1支承構件
410‧‧‧温度調整裝置
420‧‧‧支承部
420C‧‧‧氣體排出口
420G‧‧‧氣體軸承
420S‧‧‧氣體供應口
450‧‧‧防振裝置
5000‧‧‧支承裝置
6200‧‧‧基準構件
CS‧‧‧空間
d1~d6‧‧‧位置
EL‧‧‧曝光用光
EX‧‧‧曝光裝置
IL‧‧‧照明系
IR‧‧‧照明區域
K‧‧‧光路
LG1‧‧‧第1界面
LQ‧‧‧液體
LS‧‧‧液浸空間
M‧‧‧光罩
P‧‧‧基板
PL‧‧‧投影光學系
PR‧‧‧投影區域
S、Sa~Sc‧‧‧照射區域
SP1~SP3‧‧‧第1~第3空間
T‧‧‧覆蓋構件
Tp1~Tp5‧‧‧路徑
圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置之一例的圖。
圖2係顯示第1實施形態之液浸構件之一例的側視剖面圖。
圖3係顯示第1實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖4係顯示第1實施形態之液浸構件之一動作例的圖。
圖5係顯示從下方觀察第1實施形態之液浸構件的圖。
圖6係顯示第1實施形態之液浸構件之一例的分解立體圖。
圖7係顯示第1實施形態之液浸構件之一例的分解立體圖。
圖8係顯示第1實施形態之第1構件之一例的圖。
圖9係用以說明第1實施形態之液浸構件之一動作例的圖。
圖10係顯示第1實施形態之支承裝置之一例的圖。
圖11係顯示第1實施形態之支承裝置之一例的圖。
圖12係顯示第1實施形態之支承裝置之一例的圖。
圖13係顯示第1實施形態之支承裝置之一例的圖。
圖14係顯示第1實施形態之驅動裝置之一例的圖。
圖15係顯示第1實施形態之驅動裝置之一例的圖。
圖16係用以說明第1實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖17係用以說明第1實施形態之曝光裝置之一動作例的示意圖。
圖18係用以說明第1實施形態之液浸構件之一動作例的示意圖。
圖19係顯示第1實施形態之支承裝置之一例的圖。
圖20係顯示第2實施形態之液浸構件之一例的側視剖面圖。
圖21係顯示第2實施形態之液浸構件之一例的側視剖面圖。
圖22係顯示第2實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖23係顯示從下方觀察第2實施形態之液浸構件的圖。
圖24係顯示第2實施形態之液浸構件之一例的立體圖。
圖25係顯示第2實施形態之支承裝置之一例的立體圖。
圖26係顯示第2實施形態之支承部之一例的圖。
圖27係顯示第2實施形態之檢測裝置之一例的圖。
圖28係液浸構件之一例的圖。
圖29係液浸構件之一例的圖。
圖30係液浸構件之一例的圖。
圖31係基板載台之一例的圖。
圖32係用以說明元件之製造方法之一例的流程圖。
以下，一邊參照圖式一邊說明本發明之實施形態，但本發明並不限定於此。以下之說明中，係設定一XYZ正交座標系，一邊參照此XYZ正交座標系一邊說明各部之位置關係。並設水平面內之既定方向為X軸方向、於水平面內與X軸方向正交之方向為Y軸方向、分別與X軸方向及Y軸方向正交之方向(亦即鉛直方向)為Z軸方向。此外，設繞X軸、Y軸及Z軸旋轉(傾斜)方向分別為θX、θY及θZ方向。
<第1實施形態>
首先，說明第1實施形態。圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置EX之一例的概略構成圖。本實施形態之曝光裝置EX係透過液體LQ以曝光用光EL使基板P曝光之液浸曝光裝置。於本實施形態，形成有將曝光用光EL之光路以液體LQ加以充滿之液浸空間LS。液浸空間LS係被液體充滿之部分(空間、區域)。基板P係透過液浸空間LS之液體LQ以曝光用光EL加以曝光。本實施形態中，液體LQ係使用水(純水)。
本實施形態之曝光裝置EX，係例如美國專利第6897963號說明書、歐洲專利公開第1713113號說明書等所揭示之具備基板載台與測量載台的曝光裝置。
圖1中，曝光裝置EX，具備：可保持光罩M移動的光罩載台1、可保持基板P移動的基板載台2、不保持基板P而可搭載測量曝光用光EL之測量構件(測量器)C移動的測量載台3、測量基板載台2及測量載台3之位置的測量系統4、以曝光用光EL照明光罩M的照明系IL、將經 曝光用光EL照明之光罩M之圖案之像投影至基板P的投影光學系PL、形成液浸空間LS的液浸構件5、控制曝光裝置EX全體之動作的控制裝置6、以及連接於控制裝置6用以儲存與曝光相關之各種資訊的記憶裝置7。
又，曝光裝置EX，亦具備支承投影光學系PL及包含測量系統4之各種測量系統的基準機架8A、支承基準機架8A的裝置機架8B、配置在基準機架8A與裝置機架8B之間用以抑制振動從裝置機架8B傳遞至基準機架8A的防振裝置10。防振裝置10包含彈簧裝置等。本實施形態中，防振裝置10包含氣體彈簧(例如air mount)。此外，亦可將檢測基板P上之對準標記的檢測系統、或檢測基板P等物體之表面位置的檢測系統支承於基準機架8A。
又，曝光裝置EX，具備調整曝光用光EL行進之空間CS之環境(温度、濕度、壓力及潔淨度中之至少一種)的腔室裝置9。於空間CS，至少配置有投影光學系PL、液浸構件5、基板載台2及測量載台3。本實施形態中，光罩載台1及照明系IL之至少一部分亦配置於空間CS。
光罩M包含形成有待投影至基板P之元件圖案之標線片(reticle)。光罩M包含透射型光罩，此種透射型光罩具有例如玻璃板等之透明板、與在該透明板上使用鉻等遮光材料形成之圖案。又，光罩M亦可使用反射型光罩。
基板P係用以製造元件之基板。基板P包含例如半導體晶圓等之基材與該基材上形成之感光膜。感光膜係感光材(photoresist光阻劑)之膜。又，基板P除感光膜外亦可再包含其他膜。例如，基板P可包含反射防止膜、或包含保護感光膜之保護膜(topcoat膜)。
照明系IL對照明區域IR照射曝光用光EL。照明區域IR包含從照明系IL射出之曝光用光EL可照射之位置。照明系IL以均勻照度分布之曝光用光EL照明配置在照明區域IR之光罩M之至少一部分。從照明系IL射出之曝光用光EL，係使用例如從水銀燈射出之輝線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)、ArF準分子雷射光(波長193nm)及F2雷射光(波長157nm)等之真空紫外光(VUV光)等。本實施形態中，曝光用光EL係使用紫外光(真空紫外光)之ArF準分子雷射光。
光罩載台1能在保持光罩M之狀態下移動。光罩載台1係藉由例如美國專利第6452292號所揭示之包含平面馬達之驅動系統11之作動而移動。本實施形態中，光罩載台1可藉由驅動系統11之作動，移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ方向之6個方向。又，驅動系統11可不包含平面馬達。例如，驅動系統11可包含線性馬達。
投影光學系PL將曝光用光EL照射於既定投影區域PR。投影區域PR包含從投影光學系PL射出之曝光用光EL可照射到之位置。投影光學系PL將光罩M之圖案像以既定投影倍率投影至配置在投影區域PR之基板P之至少一部分。本實施形態中，投影光學系PL為縮小系。投影光學系PL之投影倍率為1/4。又，投影光學系PL之投影倍率亦可以是1/5、或1/8等。當然，投影光學系PL亦可以是等倍系及放大系之任一者。本實施形態中，投影光學系PL之光軸與Z軸平行。又，投影光學系PL可以是不包含反射光學元件之折射系、不包含折射光學元件之反射系、或包含反射光學元件與折射光學元件之反射折射系中之任一種。又，投影光學系PL可形成倒立像與正立像之任一種。
投影光學系PL，包含具有曝光用光EL射出之射出面12的終端光學元件13。終端光學元件13係構成投影光學系PL之一部分之光學構件。射出面12朝向投影光學系PL之像面射出曝光用光EL。終端光學元件13係投影光學系PL之複數個光學元件中、最接近投影光學系PL之像面的光學元件。投影區域PR包含從射出面12射出之曝光用光EL可照射到之位置。本實施形態中，射出面12朝向-Z軸方向。從射出面12射出之曝光用光EL，行進於-Z軸方向。射出面12與XY平面平行。又，朝向-Z軸方向之射出面12可以是凸面、亦可以是凹面。此外，射出面12可相對XY平面傾斜、亦可包含曲面。本實施形態中，終端光學元件13之光軸與Z軸平行。
本實施形態中，在與終端光學元件13之光軸平行之方向，射出面12側為-Z軸側、入射面側為+Z軸側。在與投影光學系PL之光軸平行之方向，投影光學系PL之像面側為-Z軸側、投影光學系PL之物體面側為+Z軸側。
基板載台2，能在保持有基板P之狀態下，在包含來自射出面12之曝光用光EL可照射到之位置(投影區域PR)的XY平面內移動。測量載台3，能在搭載有測量構件(測量器)C之狀態下，在包含來自射出面12之曝光用光EL可照射到之位置(投影區域PR)的XY平面內移動。基板載台2及測量載台3之各個，能在基座構件14之導引面14G上移動。導引面14G與XY平面實質平行。
基板載台2具有例如美國專利申請公開第2007/0177125號說明書、及美國專利申請公開第2008/0049209號說明書等所揭示之將基板 P保持成可釋放之第1保持部與配置在第1保持部周圍、將覆蓋構件T保持成可釋放之第2保持部。第1保持部將基板P保持成基板P之表面(上面)與XY平面實質平行。被保持於第1保持部之基板P之上面與被保持於第2保持部之覆蓋構件T之上面，實質上配置在同一平面內。於Z軸方向，射出面12與被保持於第1保持部之基板P之上面間之距離，和射出面12與被保持於第2保持部之覆蓋構件T之上面間之距離實質相等。又，於Z軸方向，射出面12與基板P上面間之距離和射出面12與覆蓋構件T上面間之距離實質相等，包含射出面12與基板P上面間之距離和射出面12與覆蓋構件T上面間之距離之差，在基板P之曝光時射出面12與基板P上面間之距離(所謂，工作距離)之例如10%以內的情形。當然，被保持於第1保持部之基板P之上面與被保持於第2保持部之覆蓋構件T之上面可以不是配置在同一平面內。例如，於Z軸方向，基板P上面之位置與覆蓋構件T上面之位置可以不同。例如，基板P之上面與覆蓋構件T之上面之間可以有段差。此外，覆蓋構件T之上面可相對基板P之上面傾斜、或覆蓋構件T之上面可包含曲面。
基板載台2及測量載台3，係藉由例如美國專利第6452292號所揭示之包含平面馬達之驅動系統15之作動而移動。驅動系統15具有配置在基板載台2之可動子2C、配置在測量載台3之可動子3C、與配置在基座構件14之固定子14M。基板載台2及測量載台3可分別藉由驅動系統15之作動，在導引面14G上移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ方向之6個方向。又，驅動系統15可不包含平面馬達。例如，驅動系統15可包含線性馬達。
測量系統4包含干涉儀系統。干涉儀系統包含對基板載台2之測量鏡(mirror)及測量載台3之測量鏡照射測量光，以測量該基板載台2及測量載台3之位置的單元。又，測量系統可包含例如美國專利申請公開第2007/0288121號說明書所揭示之編碼器系統。此外，測量系統4亦可僅包含干涉儀系統及編碼器系統中之任一方。
實施基板P之曝光處理時、或實施既定測量處理時，控制裝置6根據測量系統4之測量結果，實施基板載台2(基板P)及測量載台3(測量構件C)之位置控制。
其次，說明本實施形態之液浸構件5。又，亦可將液浸構件稱為嘴(nozzle)構件。圖2係與XZ平面平行之液浸構件5的剖面圖。圖3係將圖2之一部分予以放大的圖。圖4係顯示液浸構件5之一動作例的圖，圖5係從下側(-Z側)觀察液浸構件5的圖。圖6及圖7係液浸構件5的分解立體圖。
液浸構件5在能於終端光學元件13之下方移動之物體上形成液體LQ之液浸空間LS。
能在終端光學元件13之下方移動之物體，可在包含與射出面12對向之位置的XY平面內移動。該物體能與射出面12對向、能配置於投影區域PR。該物體能在液浸構件5之下方移動、能與液浸構件5對向。本實施形態中，該物體包含基板載台2之至少一部分(例如基板載台2之覆蓋構件T)、被保持於基板載台2(第1保持部)之基板P、及測量載台3中之至少一者。於基板P之曝光中，形成一將終端光學元件13之射出面12與基板P間之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿之液浸空間LS。形成 一在基板P被曝光用光EL照射時，僅包含投影區域PR之基板P之表面部分區域被液體LQ覆蓋之液浸空間LS。
以下之說明中，係設物體為基板P。又，如前所述，物體可以是基板載台2及測量載台3中之至少一方，亦可以是與基板P、基板載台2及測量載台3不同之其他物體。
液浸空間LS有跨於2個物體形成之情形。例如，液浸空間LS有跨於基板載台2之覆蓋構件T與基板P而形成之情形。液浸空間LS亦有跨於基板載台2與測量載台3而形成之情形。
液浸空間LS係以從終端光學元件13之射出面12射出之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿之方式形成。液浸空間LS之至少一部分形成在終端光學元件13與基板P(物體)間之空間。又，液浸空間LS之至少一部分形成在液浸構件5與基板P(物體)之間之空間。
液浸構件5，具備配置在終端光學元件13周圍至少一部分之第1構件21、與在第1構件21之下方配置在光路K周圍之至少一部分可相對第1構件21移動之第2構件22。第2構件22相對第1構件21是可動的。
第1構件21係配置在較第2構件22離開基板P(物體)之位置。第2構件22之至少一部分配置在第1構件21與基板P(物體)之間。第2構件22之至少一部分係配置在終端光學元件13與基板P(物體)之間。又，第2構件22亦可以不是配置在終端光學元件13與基板P(物體)之間。
第1構件21，具有朝向-Z軸方向之下面23與配置在下面23周圍之至少一部分、可回收液體LQ之液體回收部24。又，亦可將液體 回收部24稱為可回收流體(液體LQ及氣體之一方或兩方)之流體回收部。第2構件22，具有朝向+Z軸方向之上面25、朝向-Z軸方向之下面26、以及配置在下面26周圍之至少一部分之流體回收部27。液體回收部24回收液浸空間LS之液體LQ之至少一部分。流體回收部27回收液浸空間LS之液體LQ之至少一部分。又，可將下面23稱為第1下面。此外，亦可將上面25稱為第2上面、將下面26稱為第2下面。
第1構件21，具有與終端光學元件13之側面13F對向之內側面28、與相對光路K(終端光學元件13之光軸)朝向外側之外側面29。第2構件22，具有透過間隙與外側面29對向之內側面30。又，可將第1構件21之內側面28稱為對向面。
第1構件21之內側面28，透過間隙與終端光學元件13之側面13F對向。
第2構件22可對向於下面23。第2構件22可對向於液體回收部24。第2構件22之上面25之至少一部分，透過間隙與下面23對向。上面25之至少一部分透過間隙與射出面12對向。當然，上面25亦可不與射出面12對向。
基板P(物體)可對向於下面26。基板P(物體)可對向於流體回收部27之至少一部分。基板P之上面之至少一部分透過間隙與下面26對向。基板P之上面之至少一部分透過間隙與射出面12對向。
於Z軸方向，基板P(物體)之上面與射出面12間之間隙之尺寸，較基板P之上面與下面26間之間隙之尺寸大。又，基板P(物體)之上面與射出面12間之間隙之尺寸，可與基板P之上面與下面26間之間 隙之尺寸實質不相等。此外，基板P(物體)之上面與射出面12間之間隙之尺寸，可較基板P之上面與下面26間之間隙之尺寸小。
下面23與上面25之間形成第1空間SP1。下面26與基板P(物體)之上面之間形成第2空間SP2。側面13F與內側面28之間形成第3空間SP3。
上面25相對液體LQ為撥液性。本實施形態中，上面25包含含氟之樹脂之膜之表面。上面25包含PFA(Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)之膜之表面。又，上面25亦可包含PTFE(Poly tetra fluoro ethylene)之膜之表面。上面25對液體LQ之上面25之接觸角大於90度。又，上面25對液體LQ之接觸角，例如可大於100度、亦可大於110度、或大於120度。
由於上面25對液體LQ為撥液性，因此於第1空間SP1之液體LQ產生氣體部分、或氣泡混入液體LQ之情形受到抑制。
又，上面25對液體LQ之接觸角可大於基板P之上面對液體LQ之接觸角。又，上面25對液體LQ之接觸角可小於基板P之上面對液體LQ之接觸角。又，上面25對液體LQ之接觸角亦可與基板P之上面對液體LQ之接觸角實質相等。
又，上面25對液體LQ可以是親液性。上面25對液體LQ之接觸角可小於90度、可小於80度、亦可小於70度。據此，於第1空間SP1中液體LQ可順暢的流動。
又，下面23對液體LQ可以是撥液性。例如，下面23及上面25之兩方可對液體LQ為撥液性。下面23對液體LQ之接觸角，可以是 大於90度、大於100度、大於110度、亦可大於120度。
此外，亦可以是下面23對液體LQ為撥液性、而上面25對液體LQ為親液性。下面23對液體LQ之接觸角，可較上面25對液體LQ之接觸角大。
又，下面23對液體LQ亦可以是親液性。例如，下面23及上面25之兩方對液體LQ可以是親液性。下面23對液體LQ之接觸角，可以是小於90度、小於80度、或小於70度。
此外，亦可以是下面23對液體LQ為親液性、而上面25對液體LQ為撥液性。下面23對液體LQ之接觸角，可較上面25對液體LQ之接觸角小。
本實施形態中，下面26對液體LQ為親液性。下面26對液體LQ之接觸角可小於90度、小於80度、亦可小於70度。本實施形態中，下面26對液體LQ之接觸角較基板P之上面對液體LQ之接觸角小。又，下面26對液體LQ之接觸角可大於、或實質等於基板P之上面對液體LQ之接觸角。
終端光學元件13之側面13F配置在射出面12之周圍。側面13F係不射出曝光用光EL之非射出面。曝光用光EL通過射出面12、但不通過側面13F。
第1構件21之下面23不回收液體LQ。下面23為非回收部，無法回收液體LQ。第1構件21之下面23，能在與第2構件22之間保持液體LQ。
第2構件22之上面25不回收液體LQ。上面25為非回收部， 無法回收液體LQ。第2構件22之上面25，能在與第1構件21之間保持液體LQ。
第2構件22之下面26不回收液體LQ。下面26為非回收部，無法回收液體LQ。第2構件22之下面26，能在與基板P(物體)之間保持液體LQ。
內側面28、外側面29及內側面30不回收液體LQ。內側面28、外側面29及內側面30為非回收部，無法回收液體LQ。
本實施形態中，下面23與XY平面實質平行。上面25亦與XY平面實質平行。下面26亦與XY平面實質平行。亦即，下面23與上面25實質平行。上面25與下面26實質平行。
又，下面23相對XY平面可以是非平行，亦可包含曲面。下面23可相對XY平面傾斜、亦可包含曲面。
又，上面25相對XY平面可以是非平行。上面25可相對XY平面傾斜、亦可包含曲面。
又，下面26相對XY平面可以是非平行。下面26可相對XY平面傾斜、亦可包含曲面。
又，下面23與上面25可以是平行的、亦可以是非平行。上面25與下面26可以是平行的、亦可以是非平行。下面23與下面26可以是平行的、亦可以是非平行。
第1構件21具有從射出面12射出之曝光用光EL可通過之開口34。第2構件22具有從射出面12射出之曝光用光EL可通過之開口35。又，可將開口34稱為第1開口、將開口35稱為第2開口。於開口34 之內側配置終端光學元件13之至少一部分。於開口34之下端周圍配置下面23。於開口35之上端周圍配置上面25。於開口35之下端周圍配置下面26。
本實施形態中，第2構件22之內面35U之至少一部分，係於相對光路K之放射方向朝外側向上方傾斜。第2構件22之內面35U之至少一部分，規定面向光路K之開口35。據此，在第2構件22之內面35U配置於液浸空間LS之狀態下，第2構件22能順暢的移動。此外，即使在第2構件22之內面35U配置於液浸空間LS之狀態下第2構件22移動，液浸空間LS之液體LQ之壓力變動的情形亦會受到抑制。
開口34於XY平面內之尺寸，較開口35之尺寸大。於X軸方向，開口34之尺寸較開口35之尺寸大。於Y軸方向，開口34之尺寸較開口35之尺寸大。本實施形態中，緊接著射出面12之下方，不配置第1構件21。第1構件21之開口34配置在射出面12之周圍。開口34較射出面12大。在終端光學元件13之側面13F與第1構件21之間所形成之間隙之下端，係面向第2構件22之上面25。第2構件22之開口35配置成與射出面12對向。開口35於XY平面內之形狀係於X軸方向長之長方形狀。又，開口35之形狀亦可以是於X軸方向長之橢圓形、或於X軸方向長之多角形。
又，開口34之尺寸可較開口35之尺寸小。當然，開口34之尺寸亦可與開口35之尺寸實質相等。
第1構件21配置在終端光學元件13之周圍。第1構件21為環狀構件。第1構件21被配置成不接觸終端光學元件13。第1構件21與終端光學元件13之間形成有間隙。第1構件21不與射出面12對向。又， 第1構件21之一部分可與射出面12對向。亦即，第1構件21之一部分，可以是配置在射出面12與基板P(物體)之上面之間。又，第1構件21亦可以不是環狀。例如，第1構件21可配置在終端光學元件13(光路K)周圍之一部分。例如，第1構件21可在終端光學元件13(光路K)之周圍配置複數個。
第2構件22配置在光路K之周圍。第2構件22為環狀構件。第2構件22被配置成不接觸第1構件21。第2構件22與第1構件21之間形成有間隙。
第2構件22可相對第1構件21移動。第2構件22可相對終端光學元件13移動。第2構件22與第1構件21之相對位置可變化。第2構件22與終端光學元件13之相對位置可變化。
第2構件22可在與終端光學元件13之光軸垂直之XY平面內移動。第2構件22可與XY平面實質平行的移動。如圖4所示，本實施形態中，第2構件22至少能於X軸方向移動。又，第2構件22亦可在X軸方向之外，另於Y軸、Z軸、θX、θY及θZ中至少一方向移動。
本實施形態中，終端光學元件13實質不移動。第1構件21亦實質不移動。
第2構件22能在第1構件21之至少一部分之下方移動。第2構件22能在第1構件21與基板P(物體)之間移動。
本實施形態中，因第2構件22在XY平面內移動，使得第1構件21之外側面29與第2構件22之內側面30間之間隙尺寸變化。換言之，因第2構件22在XY平面內移動，使得外側面29與內側面30間之空間大 小變化。例如，圖4所示例中，因第2構件22往-X軸方向移動，使得外側面29與內側面30間之間隙尺寸變小(外側面29與內側面30間之空間變小)。因第2構件22往+X軸方向移動，使得相對終端光學元件13之+X側之外側面29與內側面30間之間隙之尺寸變大(外側面29與內側面30間之空間變大)。本實施形態中，第2構件22之可移動範圍，係被定為第1構件21(外側面29)與第2構件22(內側面30)不致接觸。
第2構件22，可與曝光用光EL從射出面12射出之期間之至少一部分中移動。第2構件22，亦可與在液浸空間LS形成之狀態下曝光用光EL從射出面12射出之期間之至少一部分中移動。
第2構件22，可與基板P(物體)移動之期間之至少一部分並行，進行移動。第2構件22，亦可與在液浸空間LS形成之狀態下基板P(物體)移動之期間之至少一部分並行，進行移動。
第2構件22可於基板P(物體)之移動方向移動。例如，在基板P移動之期間之至少一部分中，第2構件22可於基板P之移動方向移動。例如，基板P往XY平面內之一方向(例如+X軸方向)移動時，第2構件22可與該基板P之移動同步，往XY平面內之一方向(+X軸方向)移動。
液浸構件5具有供應用以形成液浸空間LS之液體LQ的液體供應部31。液體供應部31係配置於第1構件21。
又，液體供應部31亦可配置在第1構件21及第2構件22之兩方。此外，液體供應部31可以是配置在第1構件21、而不配置在第2構件22。或者，液體供應部31可以是配置在第2構件22、而不配置在第1 構件21。又，液體供應部31亦可配置在與第1構件21及第2構件22不同之其他構件。
液體供應部31，係在相對光路K(終端光學元件13之光軸)之放射方向配置在液體回收部24及流體回收部27之內側。本實施形態中，液體供應部31包含配置在第1構件21之內側面28的開口(液體供應口)。液體供應部31被配置成對向於側面13F。液體供應部31將液體LQ供應至側面13F與內側面28間之第3空間SP3。本實施形態中，液體供應部31係相對光路K(終端光學元件13)配置在+X軸側及-X軸側之各側。又，液體供應部31可相對光路K(終端光學元件13)配置於Y軸方向、亦可在包含X軸方向及Y軸方向之光路K(終端光學元件13)之周圍配置複數個。此外，液體供應部31可以是一個。再者，亦可取代液體供應部31、或在液體供應部31之外，於下面23設置可供應液體LQ之液體供應部。
本實施形態中，液體供應部(液體供應口)31係透過形成在第1構件21內部之供應流路31R，與液體供應裝置31S連接。液體供應裝置31S可將潔淨且温度經調整之液體LQ供應至液體供應部31。液體供應部31，為形成液浸空間LS而供應來自液體供應裝置31S之液體LQ。
下面23之內側邊緣與上面25之間形成有開口40。包含射出面12與基板P(物體)間之光路K的光路空間SPK、和下面23與上面25間之第1空間SP1係透過開口40連結。光路空間SPK，包含射出面12與基板P(物體)間之空間、及射出面12與上面25間之空間。開口40係配置成面向光路K。側面13F與內側面28間之第3空間SP3與第1空間SP1係透過開口40連結。
來自液體供應部31之液體LQ之至少一部分，透過開口40被供應至下面23與上面25間之第1空間SP1。為形成液浸空間LS而從液體供應部31供應之液體LQ之至少一部分，透過開口34及開口35被供應至與射出面12對向之基板P(物體)上。據此，光路K即被液體LQ充滿。來自液體供應部31之液體LQ之至少一部分，被供應至下面26與基板P(物體)之上面間之第2空間SP2。
於Z軸方向，第1空間SP1之尺寸較第2空間SP2之尺寸小。當然，於Z軸方向，第1空間SP1之尺寸可與第2空間SP2之尺寸實質相等、亦可較第2空間SP2之尺寸大。
液體回收部24，係相對光路K(終端光學元件13之光軸)配置在下面23之外側。液體回收部24配置在下面23之周圍。液體回收部24配置在曝光用光EL之光路K之周圍。又，液體回收部24亦可配置在下面23之周圍之一部分。例如，液體回收部24可於下面23之周圍配置複數個。液體回收部24被配置成面向第1空間SP1。液體回收部24係回收第1空間SP1之液體LQ之至少一部分。
流體回收部27，係相對光路K(終端光學元件13之光軸)配置在下面26之外側。流體回收部27配置在下面26之周圍。流體回收部27配置在曝光用光EL之光路K之周圍。又，流體回收部27亦可配置在下面26之周圍之一部分。例如，流體回收部27可在下面26之周圍配置複數個。流體回收部27被配置成面向第2空間SP2。流體回收部27係回收第2空間SP2之液體LQ之至少一部分。
流體回收部27係相對光路K(終端光學元件13之光軸)配 置在第1構件21之外側。又，流體回收部27係相對光路K(終端光學元件13之光軸)配置在第1空間SP1之外側。
本實施形態中，液體LQ從上面25側之第1空間SP1及下面26側之第2空間SP2中之一方往另一方之移動受到抑制。第1空間SP1與第2空間SP2係被第2構件22區隔。第1空間SP1之液體LQ可透過開口35移動至第2空間SP2。第1空間SP1之液體LQ不透過開口35即無法移動至第2空間SP2。相對光路K存在於較開口35外側之第1空間SP1中之液體LQ無法移動至第2空間SP2。第2空間SP2之液體LQ可透過開口35移動至第1空間SP1。第2空間SP2之液體LQ不透過開口35即無法移動至第1空間SP1。相對光路K存在於較開口35外側之第2空間SP2中之液體LQ無法移動至第1空間SP1。亦即，本實施形態中，液浸構件5除了開口35以外，不具有將第1空間SP1與第2空間SP2連接成流體可流動之流路。
本實施形態中，流體回收部27回收第2空間SP2之液體LQ之至少一部分，而不回收第1空間SP1之液體LQ。液體回收部24則回收第1空間SP1之液體LQ之至少一部分，而不回收第2空間SP2之液體LQ。又，若在液體回收部24之下沒有第2構件22之上面25之情形時，可將物體(基板P)上之液體LQ以液體回收部24加以回收。
又，相對光路K移動至第1空間SP1之外側(外側面29之外側)之液體LQ，係藉由內側面30抑制移動至基板P上(第2空間SP2)。
液體回收部24，包含配置在第1構件21之下面23周圍之至少一部分的開口(液體回收口)。液體回收部24配置成對向於上面25。 液體回收部24，透過形成在第1構件21內部之回收流路(空間)24R與液體回收裝置24C連接。液體回收裝置24C可將液體回收部24與真空系統(未圖示)加以連接。液體回收部24可回收第1空間SP1之液體LQ之至少一部分。第1空間SP1之液體LQ之至少一部分可透過液體回收部24流入回收流路24R。又，亦可將從終端光學元件13之側面13F與第1構件21之內側面間之第3空間SP3，經由第1構件21之上面，透過第1構件21之外側面29與第2構件22之內側面30間之空間，流至第2構件22之上面25上之液體LQ，以液體回收部24加以回收。亦即，亦可將液體回收部24用作為回收不透過開口40從空間SP3流至第2構件22之上面25上之液體LQ的回收部。當然，可將回收來自空間SP3之液體LQ之回收部設在第1構件21之上面，亦可設在第2構件22之上面25與內側面30中之至少一方。
本實施形態中，液體回收部24包含多孔構件36，液體回收口包含多孔構件36之孔。本實施形態中，多孔構件36包含網孔板(mesh plate)。多孔構件36，具有上面25可對向之下面、面向回收流路24R之上面、以及將下面與上面加以連結之複數個孔。液體回收部24透過多孔構件36之孔回收液體LQ。從液體回收部24(多孔構件36之孔)回收之第1空間SP1之液體LQ，流入回收流路24R並流過該回收流路24R後，被回收至液體回收裝置24C回收。
本實施形態中，透過液體回收部24實質上僅回收液體LQ，而透過液體回收部24之氣體回收則受到限制。控制裝置6調整多孔構件36之下面側之壓力(第1空間SP1之壓力)與上面側之壓力(回收流路24R之壓力)的差，以使第1空間SP1之液體LQ通過多孔構件36之孔流入回 收流路24R，氣體則不通過多孔構件36之孔。又，透過多孔構件僅回收液體之技術之一例，已揭露於例如美國專利第7292313號等中。
此外，液可透過多孔構件36回收(吸引)液體LQ及氣體之兩方。亦即，液體回收部24可將液體LQ與氣體一起回收。又，液體回收部24之下無液體LQ存在時，可從液體回收部24僅回收氣體。又，亦可不設置多孔構件36。亦即，可不透過多孔構件回收第1空間SP1之流體(液體LQ及氣體中之一方或兩方)。
本實施形態中，液體回收部24之下面包含多孔構件36之下面。液體回收部24之下面配置在下面23之周圍。本實施形態中，液體回收部24之下面與XY平面實質平行。本實施形態中，液體回收部24之下面與下面23配置在同一平面內(同面高)。
又，液體回收部24之下面可較下面23配置在+Z軸側、亦可配置在-Z軸側。此外，液體回收部24之下面可相對下面23傾斜、亦可包含曲面。
又，用以回收第1空間SP1之流體(液體LQ及氣體中之一方或兩方)之液體回收部24，可以面向第1空間SP1之方式配置於第2構件22。液體回收部24亦可配置在第1構件21及第2構件22之兩方。液體回收部24亦可配置在第1構件21、而不配置在第2構件22。液體回收部24當然亦可配置在第2構件22、而不配置在第1構件21。
流體回收部27，包含配置在第2構件22之下面26周圍至少一部分之開口(流體回收口)。流體回收部27被配置成對向於基板P(物體)之上面。流體回收部27透過形成在第2構件22內部之回收流路(空間) 27R與流體回收裝置27C連接。流體回收裝置27C可將流體回收部27與真空系統(未圖示)加以連接。流體回收部27能回收第2空間SP2之液體LQ之至少一部分。第2空間SP2之液體LQ之至少一部分可透過流體回收部27流入回收流路27R。
本實施形態中，流體回收部27包含多孔構件37，流體回收口包含多孔構件37之孔。本實施形態中，多孔構件37包含網孔板。多孔構件37，具有基板P(物體)之上面可對向之下面、面向回收流路27R之上面、以及將下面與上面加以連結之複數個孔。流體回收部27能透過多孔構件37之孔回收流體(液體LQ及氣體之一方或兩方)。從流體回收部27(多孔構件37之孔)回收之第2空間SP2之液體LQ，流入回收流路27R、在流過該回收流路27R後被回收至流體回收裝置27C。
回收流路27R係相對光路K(終端光學元件13之光軸)配置在內側面30之外側。回收流路27R配置在流體回收部27之上方。藉由第2構件22之移動，第2構件22之流體回收部27及回收流路27R即在第1構件21之外側面29之外側移動。
透過流體回收部27將液體LQ與氣體一起回收。當然，亦可透過多孔構件37僅回收液體LQ而限制透過多孔構件37之氣體回收。又，亦可不於第2構件22設置多孔構件37。亦即，可不透過多孔構件回收第2空間SP2之流體(液體LQ及氣體中之一方或兩方)。
本實施形態中，流體回收部27之下面包含多孔構件37之下面。流體回收部27之下面配置在下面26之周圍。本實施形態中，流體回收部27之下面與XY平面實質平行。本實施形態中，流體回收部27之下面較 下面26配置在+Z軸側。
又，流體回收部27之下面與下面26可以是配置在同一平面內(可以是同面高)。流體回收部27之下面可較下面26配置在-Z軸側。此外，流體回收部27之下面可相對下面26傾斜、亦可包含曲面。例如，流體回收部27(多孔構件37)之下面可於相對光路K之放射方向朝外側向上方傾斜。又，亦可以是流體回收部27(多孔構件37)之下面於開口35之周圍全周其高度(Z軸方向之位置)不同。例如，位於開口35之Y軸方向兩側之流體回收部27(多孔構件37)下面之一部分，可較位於開口35之X軸方向兩側之流體回收部27(多孔構件37)下面之一部分低。例如，亦可將流體回收部27(多孔構件37)下面之形狀設定成在第2構件22之流體回收部27(多孔構件37)之下面與基板P之表面對向時，相對曝光用光之光路K形成在Y軸方向一側之流體回收部27(多孔構件37)之下面與基板P之表面間之間隙尺寸(Z軸方向之距離)，較相對曝光用光之光路K形成在X軸方向一側之流體回收部27(多孔構件37)之下面與基板P之表面間之間隙尺寸(Z軸方向之距離)小。
本實施形態中，係藉由與液體LQ從液體供應部31之供應動作並行，實施液體LQ從流體回收部27之回收動作，據以在一側之終端光學元件13及液浸構件5與另一側之基板P(物體)之間以液體LQ形成液浸空間LS。
又，本實施形態中，係與液體LQ從液體供應部31之供應動作、及流體從流體回收部27之回收動作並行，實施流體從液體回收部24之回收動作。
第2構件22可與液體LQ從液體供應部31之供應並行，進行移動。第2構件22可與液體LQ從液體回收部24之回收並行，進行移動。第2構件22可與液體LQ從流體回收部27之回收並行，進行移動。第2構件22可與液體LQ從液體供應部31之供應及液體LQ從液體回收部24(流體回收部27)之回收並行，進行移動。
本實施形態中，液浸空間LS之液體LQ之界面LG之一部分，形成在第2構件22與基板P(物體)之間。
本實施形態中，液浸空間LS之液體LQ之界面LG之一部分，形成在第1構件21與第2構件22之間。
本實施形態中，液浸空間LS之液體LQ之界面LG之一部分，形成在終端光學元件13與第1構件21之間。
以下之說明中，將形成在第1構件21與第2構件22之間之液體LQ之界面LG，適當的稱為第1界面LG1。將形成在第2構件22與基板P(物體)之間之界面LG，適當的稱為第2界面LG2。並將形成在終端光學元件13與第1構件21之間之界面LG，適當的稱為第3界面LG3。
本實施形態中，第1界面LG1形成在液體回收部24之下面與上面25之間。第2界面LG2形成在液體回收部27之下面與基板P(物體)之上面之間。
本實施形態中，第1界面LG1形成在液體回收部24之下面與上面25之間，第1空間SP1之液體LQ移動至液體回收部24外側之空間(例如外側面29與內側面30間之空間)的情形受到抑制。外側面29與內側面30間之空間不存在液體LQ，外側面29與內側面30間之空間為氣體空 間。
外側面29與內側面30間之空間與空間CS連接。換言之，外側面29與內側面30間之空間係開放於環境氣氛。當空間CS之壓力為大氣壓時，外側面29與內側面30間之空間即開放於大氣。因此，第2構件22可順暢的移動。又，空間CS之壓力可較大氣壓高、亦可較大氣壓低。
圖8係從下面23側觀察第1構件21的圖。本實施形態中，於第1構件21之下面23配置有誘導來自液體供應部31之液體LQ之至少一部分的誘導部38。誘導部38係設在下面23之凸部。誘導部38將來自液體供應部31之液體LQ之至少一部分誘導至液體回收部24。
誘導部38之形狀係根據第2構件22之移動方向來決定。本實施形態中，誘導部38係設置成可促進液體LQ往與第2構件22之移動方向平行之方向的流動。
例如，在第2構件22往X軸方向移動之情形時，誘導部38之形狀係設定為於第1空間SP1中，液體LQ往與X軸方向平行之方向流動而到達液體回收部24。例如，在第2構件22往+X軸方向移動之情形時，第1空間SP1之液體LQ之至少一部分，即因誘導部38而往+X軸方向流動。在第2構件22往-X軸方向移動之情形時，第1空間SP1之液體LQ之至少一部分，即因誘導部38而往-X軸方向流動。
本實施形態中，誘導部38具有圍繞開口34配置之周壁部38R、與形成在該周壁部38R之一部分之狹縫(開口)38K。壁部38配置成圍繞開口34。狹縫38K，係以能促進液體LQ在與X軸方向平行之方向之流動的方式，相對光路K形成在+X軸側及-X軸側之各側。
藉由誘導部38，在與第2構件22之移動方向平行之方向，可提高液體LQ在第1空間SP1之流速。本實施形態中，係藉由誘導部38提高液體LQ在第1空間SP1中於X軸方向之流速。亦即，朝向液體回收部24之下面與上面25間之空間流動之液體LQ之速度獲得提高。據此，相對第1構件21之第1界面LG1之位置產生變動、或第1界面LG1之形狀產生變化的情形即受到抑制。因此，第1空間SP1之液體LQ流出至第1空間SP1外側的情形受到抑制。
又，狹縫38K之形成位置，並不限定於相對光路K之+X軸側及-X軸側。例如，在第2構件22亦與Y軸平行的移動之場合，亦可相對光路K於+Y軸側及-Y軸側追加狹縫38K。即使在第2構件22不與Y軸平行的移動之場合，亦可相對光路K於+Y軸側及-Y軸側追加狹縫38K。
又，亦可不根據第2構件22之移動方向，決定誘導部38之形狀(狹縫38K之位置等)。例如，可將誘導部38之形狀設定為於光路K之全周圍，液體LQ相對光路K呈放射狀流動。
本實施形態中，第2構件22可與下面23之全部對向。例如圖2所示，在第2構件22係配置於終端光學元件13之光軸與開口35之中心實質一致之原點時，下面23之全部與第2構件22之上面25對向。又，當第2構件22被配置於原點時，射出面12之一部分與第2構件22之上面25對向。此外，當第2構件22被配置於原點時，液體回收部24之下面與第2構件22之上面25對向。
又，本實施形態中，當第2構件22被配置於原點時，開口 34之中心與開口35之中心實質一致。
其次，說明第2構件22之一動作例。第2構件22可與基板P(物體)之移動協力移動。第2構件22亦可與基板P(物體)分開獨立移動。第2構件22能與基板P(物體)之移動之至少一部分並行移動。第2構件22能在形成有液浸空間LS之狀態下移動。第2構件22能在第1空間SP1及第2空間SP2存在有液體LQ之狀態下移動。
第2構件22，亦可在第2構件22與基板P(物體)不對向時移動。例如，第2構件22可在該第2構件22之下方無物體時移動。又，第2構件22，亦可在第2構件22與基板P(物體)間之空間不存在液體LQ時移動。例如，第2構件22可在沒有形成液浸空間LS時移動。
第2構件22，例如係根據基板P(物體)之移動條件移動。控制裝置6，例如根據基板P(物體)之移動條件，與基板P(物體)之移動之至少一部分並行，使第2構件22移動。控制裝置6，一邊進行液體LQ從液體供應部31之供應與液體LQ從流體回收部27及液體回收部24之回收以持續形成液浸空間LS、一邊移動第2構件22。
本實施形態中，第2構件22能以和基板P(物體)之相對移動變小之方式移動。又，第2構件22能以和基板P(物體)之相對移動較第1構件21與基板P(物體)之相對移動小之方式移動。例如，第2構件22能與基板P(物體)同步移動。
相對移動，包含相對速度及相對加速度中之至少一方。例如，第2構件22，可在形成有液浸空間LS之狀態、亦即、第2空間SP2中存在液體LQ之狀態下，以和基板P(物體)之相對速度變小之方式移動。 又，第2構件22，可在形成有液浸空間LS之狀態、亦即、第2空間SP2中存在液體LQ之狀態下，以和基板P(物體)之相對加速度變小之方式移動。此外，第2構件22，可在形成有液浸空間LS之狀態、亦即、第2空間SP2中存在液體LQ之狀態下，以和基板P(物體)之相對速度較第1構件21與基板P(物體)之相對速度小之方式移動。再者，第2構件22，可在形成有液浸空間LS之狀態、亦即、第2空間SP2中存在液體LQ之狀態下，以和基板P(物體)之相對加速度較第1構件21與基板P(物體)之相對加速度小之方式移動。
第2構件22，例如可於基板P(物體)之移動方向移動。例如，在基板P(物體)往+X軸方向(或-X軸方向)移動時，第2構件22可往+X軸方向(或-X軸方向)移動。又，在基板P(物體)一邊往+X軸方向移動、一邊往+Y軸方向(或-Y軸方向)移動時，第2構件22可往+X軸方向移動。此外，在基板P(物體)一邊往-X軸方向移動、一邊往+Y軸方向(或-Y軸方向)移動時，第2構件22可往-X軸方向移動。亦即，本實施形態中，基板P(物體)往包含X軸方向成分之方向移動時，第2構件22可往X軸方向移動。例如，可與基板P(物體)往包含X軸方向成分之方向移動之至少一部分並行，第2構件22往X軸方向移動。
又，第2構件22亦可移動於Y軸方向。在基板P(物體)移動於包含Y軸方向成分之方向之場合，第2構件22可移動於Y軸方向。例如，可與基板P(物體)往包含Y軸方向成分之方向移動之至少一部分並行，以和基板P(物體)之相對速度差變小之方式，第2構件22移動於Y軸方向。
圖9係顯示第2構件22移動之狀態之一例的圖。圖9係從下側(-Z軸側)觀察液浸構件5的圖。
以下之說明中，係假設第2構件22移動於X軸方向。此外，如上所述，第2構件22可移動於Y軸方向，亦可移動於包含X軸方向(或Y軸方向)成分之在XY平面內的任意方向。
在基板P(物體)移動於X軸方向(或包含X軸方向成分之在XY平面內之既定方向)之場合，第2構件22，如圖9(A)~圖9(C)所示，移動於X軸方向。
本實施形態中，第2構件22可在於X軸方向被規定之可移動範圍移動。圖9(A)中顯示了第2構件22配置在可移動範圍之最-X軸側之端部的狀態。圖9(B)顯示了第2構件22配置在可移動範圍中央的狀態。圖9(C)顯示了第2構件22配置在可移動範圍之最+X軸側端部的狀態。
以下之說明中，將圖9(A)所示之第2構件22之位置適當的稱為第1端部位置、將圖9(B)所示之第2構件22之位置適當的稱為中央位置、將圖9(C)所示之第2構件22之位置適當的稱為第2端部位置。又，如圖9(B)所示，第2構件22配置於中央位置之狀態，包含第2構件22配置於原點之狀態。
本實施形態中，係以來自射出面12之曝光用光EL可通過開口35之方式，根據第2構件22之可移動範圍之尺寸決定開口35之尺寸。第2構件22之可移動範圍之尺寸，包含於X軸方向之第1端部位置與第2端部位置間之距離。以第2構件22即使移動於X軸方向，來自射出面12 之曝光用光EL亦不會照射到第2構件22之方式，決定開口35之X軸方向尺寸。
圖9中，於X軸方向之開口35之尺寸W35，較曝光用光EL(投影區域PR)之尺寸Wpr與第2構件22之可移動範圍之尺寸(Wa+Wb)之和大。尺寸W35，被設定為在第2構件22於第1端部位置與第2端部位置之間移動之情形時，亦不會遮蔽來自射出面12之曝光用光EL的大小。據此，即使第2構件22移動，來自射出面12之曝光用光EL亦不會被第2構件22遮蔽而能照射於基板P(物體)。
其次，說明支承液浸構件5之支承裝置50之一例。圖10及圖11係顯示本實施形態之液浸構件5及支承裝置50之一例的側視圖。圖12及圖13係顯示本實施形態之液浸構件5及支承裝置50之一例的俯視圖。圖10係從-Y側所視之圖。圖11係從+X側所視之圖。圖12係從+Z側所視之圖。圖13係從-Z側所視之圖。
本實施形態中，支承裝置50具有支承第1構件21之第1支承構件51、與支承第2構件22之第2支承構件52。又，支承裝置50具有支承第1支承構件51之支承機架53、與支承第2支承構件52之移動機架54。
第1支承構件51連接於第1構件21。第1構件21固定於第1支承構件51。第1支承構件51配置成圍繞第1構件21。第1支承構件51具有朝向+Z軸方向之上面51A、與朝向-Z軸方向之下面51B。
支承機架53連接於第1支承構件51。第1支承構件51固定於支承機架53。支承機架53透過第1支承構件51支承第1構件21。
第2支承構件52連接於第2構件22。第2構件22固定於第2支承構件52。本實施形態中，第2支承構件52係相對開口35之中心連接於+Y側之第2構件22之一部分。第2支承構件52係相對光路K在第1構件21之外側連接於第2構件22。第2支承構件52具有朝向+Z軸方向之上面52A、與朝向-Z軸方向之下面52B。
移動機架54連接於第2支承構件52。第2支承構件52固定於移動機架54。移動機架54透過第2支承構件52支承第2構件22。
本實施形態中，第1構件21與第2構件22不接觸。第1支承構件51與第2支承構件52不接觸。第1支承構件51之下面51B與第2支承構件52之上面52A透過間隙對向。
支承裝置50，具有抑制第1構件21之振動的防振裝置55。防振裝置55，例如係抑制隨著第2構件22之移動所產生之第1構件21之振動。防振裝置55受控制裝置6控制。
防振裝置55之至少一部分被支承於裝置機架8B。防振裝置55之至少一部分配置在支承機架53與裝置機架8B之間。防振裝置55抑制振動從裝置機架8B與支承機架53中之一方傳遞至另一方。防振裝置55之至少一部分係配置在支承機架53之下。朝向-Z軸方向之支承機架53之下面53B與防振裝置55對向。防振裝置55之至少一部分與朝向+Z軸方向之裝置機架8B之上面8Ba對向。當然，防振裝置55之至少一部分亦可不配置在支承機架53之下。
防振裝置55相對終端光學元件13之光軸分別配置在+X側及-X側之各側。支承機架53於X軸方向長。防振裝置55連接於支承機 架53之+X側端部及-X側端部之各端部。
又，防振裝置55可配置於1處、亦可分別配置於3處以上之複數個位置。
本實施形態中，防振裝置55抑制支承機架53之振動，並抑制被支承於該支承機架53之第1構件21之振動。例如，防振裝置55係構成為至少控制與光學構件之光軸實質平行或實質垂直之第1構件21之動作。
防振裝置55包含例如複數個致動器。防振裝置55藉由致動器之作動抑制第1構件21之振動。亦即，防振裝置55係所謂的主動型防振裝置。又，防振裝置55亦可在致動器之外，再具有阻尼裝置(damper)。防振裝置55可包含例如6個壓電致動器。防振裝置55，可作成使用6個致動器來使第1構件21(支承機架53)移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ之6個方向。亦即，防振裝置55可以是6自由度之主動型防振裝置。
又，防振裝置55係使致動器作動而能移動第1構件21。亦即，防振裝置55具有作為可移動第1構件21之驅動裝置的功能。防振裝置55，藉由使支承機架53、及連接於支承機架53之第1支承構件51移動，而能移動連接於第1支承構件51之第1構件21。防振裝置55可相對基準構件移動第1構件21。防振裝置55，可以是能於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ之6個方向移動第1構件21。
防振裝置55，可以第1構件21相對基準構件之變位受到抑制之方式，移動第1構件21。防振裝置55，例如，係以隨著第2構件22之移動產生之第1構件21之變位受到抑制之方式，移動第1構件21。
防振裝置55，可以第1構件21相對終端光學元件13之變位受到抑制之方式，移動第1構件21。防振裝置55，可以終端光學元件13與第1構件21之相對位置不變化之方式，移動第1構件21。
又，基準構件並不限於終端光學元件13。基準構件可以是曝光裝置EX中其位置實質不變化之構件。防振裝置55，例如亦可以是以第1構件21相對基準機架8A之變位受到抑制之方式，移動第1構件21。或者，防振裝置55亦可以是以第1構件21相對保持投影光學系PL之光學元件的保持構件(鏡筒等)之變位受到抑制之方式，移動第1構件21。
本實施形態中，設有可檢測第1構件21之位置的檢測裝置62。檢測裝置62可檢測第1構件21相對基準構件之位置。本實施形態中，檢測裝置62可檢測第1構件21相對終端光學元件13之位置。本實施形態中，檢測裝置62可檢測第1構件21分別於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ之6個方向之位置(相對終端光學元件13之位置)。檢測裝置62之至少一部分可配置於第1構件21。又，檢測裝置62之至少一部分可以是配置在第1支承構件51、亦可以是配置在支承機架53。此外，檢測裝置62之至少一部分可以是配置在終端光學元件13。又，檢測裝置62之至少一部分可以是配置在保持終端光學元件13之保持構件。本實施形態中，檢測裝置62包含干涉儀系統。檢測裝置62，具有配置在第1構件21、具有雷射光之射出部及受光部的雷射干涉儀與配置在終端光學元件13(基準構件)的反射構件。雷射干涉儀可配置在第1支承構件51、亦可配置在支承機架53。反射構件可配置在基準機架8A及保持投影光學系PL之光學元件之保持構件中之至少一方。從雷射干涉儀之射出部射出之雷射光，照射於反射構 件。雷射干涉儀之受光部，檢測被反射構件反射之雷射光之至少一部分。又，檢測裝置62，可以是檢測例如第1構件21相對基準機架8A之位置。檢測裝置62之檢測結果被輸出至控制裝置6。又，可將檢測裝置62稱為第1檢測裝置。
控制裝置6，可根據檢測裝置62之檢測結果求出第1構件21相對終端光學元件13之位置。又，控制裝置6，可根據檢測裝置62之檢測結果求出第1構件21相對終端光學元件13之變位量。此外，控制裝置6，可根據檢測裝置62之檢測結果求出終端光學元件13與第1構件21之相對位置。
又，控制裝置6，可根據檢測裝置62之檢測結果求出終端光學元件13與第1構件21間之間隙之尺寸(第3空間SP3之尺寸)。
又，控制裝置6，可根據檢測裝置62之檢測結果求出第1構件21與物體(基板P、基板載台2、及測量載台3等)間之間隙之尺寸(第2空間SP2之尺寸)。此外，控制裝置6，亦可根據能檢測物體之上面之位置的檢測系統(所謂的焦點/調平檢測系統)之檢測結果、與檢測裝置62之檢測結果，求出第1構件21與物體間之間隙之尺寸。
控制裝置6，可以第1構件21相對終端光學元件13(基準構件)之變位受到抑制之方式，例如根據檢測裝置62之檢測結果控制防振裝置55。控制裝置6，亦可以第1構件21相對終端光學元件13(基準構件)之變位量在目標範圍(容許範圍)內之方式，根據檢測裝置62之檢測結果控制防振裝置55。控制裝置6，亦可例如以檢測裝置62之檢測值低於目標值之方式，控制防振裝置55。
本實施形態中，檢測裝置62可檢測第1構件21分別於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ之6個方向之位置(相對基準構件之位置)。防振裝置55，可將第1構件21分別移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ之6個方向。本實施形態中，設有用以調整第1構件21於6個方向之位置之6輸入6輸出的位置調整系統。控制裝置6可控制防振裝置55，以使第1構件21於6個方向中至少一方向之變位量在目標範圍內。
又，控制裝置6可使用防振裝置55調整第1構件21之位置，以使終端光學元件13與第1構件21之相對位置之變化量低於目標值。此外，控制裝置6可使用防振裝置55抑制第1構件21相對終端光學元件13之變位，以使終端光學元件13與第1構件21間之間隙之尺寸(第3空間PS3之尺寸)在目標範圍內。控制裝置6亦可控制防振裝置55調整第1構件21之位置，以縮小使用檢測裝置62檢測之終端光學元件13與第1構件21間之間隙尺寸(第3空間SP3之尺寸)之檢測值與目標值之差。控制裝置6亦可使用防振裝置55控制第1構件21之動作(動作方式)，以使第1構件21相對終端光學元件13之變位速度(移動速度)小於目標速度。例如，控制裝置6可控制第1構件21之動作，以使在Z軸方向之終端光學元件13與第1構件21之相對速度小於目標速度。控制裝置6亦可控制第1構件21之動作，以使每單位時間之第3空間SP3之大小(尺寸、體積)之變化量小於目標值。
又，控制裝置6亦可使用防振裝置55調整第1構件21之位置，以使物體(基板P、基板載台2及測量載台3中之至少一個)與第1構件21之相對位置之變化量低於目標值。，此外，控制裝置6亦可使用防振 裝置55抑制第1構件21之變位，以使第1構件21與物體間之間隙尺寸(第2空間PS2之尺寸)在目標範圍內。控制裝置6可控制防振裝置55調整第1構件21之位置，以縮小使用檢測裝置62檢測之第1構件21與物體間之間隙尺寸(第2空間SP2之尺寸)之檢測值與目標值之差。控制裝置6亦可使用防振裝置55控制第1構件21之動作(動作方式)，以使第1構件21相對物體之變位速度(移動速度)小於目標速度。例如，控制裝置6可控制第1構件21之動作，以使在Z軸方向之物體與第1構件21之相對速度小於目標速度。控制裝置6可控制第1構件21之動作，以使每單位時間之第2空間SP2之大小(尺寸、體積)之變化量小於目標值。
本實施形態中，設有可檢測第1構件21之加速度的檢測裝置63。本實施形態中，檢測裝置63可檢測第1構件21分別於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ之6個方向的加速度。本實施形態中，檢測裝置63之至少一部分係配置於第1構件21。又，亦可以是檢測裝置63之至少一部分配置於第1支承構件51、或配置於支承機架53。檢測裝置63之檢測結果輸出至控制裝置6。此外，可將檢測裝置63稱為第2檢測裝置。
控制裝置6，可例如根據檢測裝置63之檢測結果控制防振裝置55，以抑制第1構件21之振動。本實施形態中，控制裝置6可控制防振裝置55，以使檢測裝置63之檢測值小於目標值。
本實施形態中，檢測裝置63可檢測第1構件21分別於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ之6個方向之加速度。防振裝置55可使第1構件21分別移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ之6個方向。本實施形態中，為抑制第1構件21於6個方向之振動，設有6輸入6輸出 之防振系統。控制裝置6，可控制防振裝置55以使第1構件21在6個方向中之至少一方向之振動(加速度)在目標範圍內。
又，控制裝置6可控制第1構件21之動作，以使在Z軸方向之終端光學元件13與第1構件21之相對加速度小於目標加速度。
又，本實施形態中，控制裝置6可使用防振裝置55調整第1構件21之位置、或抑制第1構件21相對終端光學元件13之變位、或抑制第1構件21之振動，以抑制第3空間SP3之壓力變化。例如，設有可檢測第3空間SP3之壓力之壓力感測器時，控制裝置6可根據該壓力感測器之檢測結果控制防振裝置55，以抑制第3空間SP3之壓力變化。
又，本實施形態中，控制裝置6可使用防振裝置55調整第1構件21之位置、或抑制第1構件21相對物體(基板P等)之變位、或抑制第1構件21之振動，以抑制第2空間SP2之壓力變化。例如，設有可檢測第2空間SP2之壓力之壓力感測器時，控制裝置6可根據該壓力感測器之檢測結果控制防振裝置55，以抑制第2空間SP2之壓力變化。
本實施形態中，支承裝置50具有移動第2構件22之驅動裝置56。第2構件22係藉由驅動裝置56移動。驅動裝置56，例如包含馬達，可使用羅倫茲力移動第2構件22。驅動裝置56可相對第1構件21移動第2構件22。驅動裝置56受控制裝置6控制。
本實施形態中，驅動裝置56之至少一部分係被支承於裝置機架8B。驅動裝置56之至少一部分配置在裝置機架8B之上。朝向+Z軸方向之裝置機架8B之上面8Ba與驅動裝置56對向。又，驅動裝置56之至少一部分亦可以不是配置在裝置機架8B之上。
移動機架54透過第2支承構件52支承第2構件22。本實施形態中，驅動裝置56使移動機架54移動。藉由以驅動裝置56移動移動機架54，第2支承構件52即移動。藉由以驅動裝置56移動第2支承構件52，第2構件22即移動。
本實施形態中，支承機架53被支承於裝置機架8B。支承機架53透過防振裝置55被支承於裝置機架8B。防振裝置55透過支承機架53及第1支承構件51支承第1構件21。第1構件21透過第1支承構件51及支承機架53被支承於防振裝置55。裝置機架8B透過防振裝置55、支承機架53及第1支承構件51支承第1構件21。
本實施形態中，移動機架54被支承於裝置機架8B。移動機架54透過驅動裝置56被支承於裝置機架8B。驅動裝置56透過移動機架54及第2支承構件52支承第2構件22。第2構件22透過第2支承構件52及移動機架54被支承於驅動裝置56。裝置機架8B透過驅動裝置56、移動機架54及第2支承構件52支承第2構件22。
本實施形態中，裝置機架8B，係支承：支承投影光學系PL(終端光學元件13)之基準機架8A、支承第1構件21之支承機架53(防振裝置55)、及支承第2構件22之移動機架54(驅動裝置56)。
又，本實施形態中，可將第1支承構件51視為第1構件21之一部分。此外，本實施形態中，可將第2支承構件52視為第2構件22之一部分。
本實施形態中，驅動裝置56相對終端光學元件13之光軸配置在-X側。本實施形態中，移動機架54係於X軸方向長的棒狀構件。本 實施形態中，於移動機架54之-X側端部連接驅動裝置56。於移動機架54之+X側端部連接第2支承構件52。
又，本實施形態中，移動機架54可包含複數個構件。例如，移動機架54可包含連接於驅動裝置56之第1棒狀構件、連接於第2支承構件52之第2棒狀構件、以及配置在第1棒狀構件與第2棒狀構件之間之連桿機構(鉸鏈機構)。又，移動機架54亦可包含棒狀構件、及連接該棒狀構件之一端部與驅動裝置56之連桿機構(鉸鏈機構)。此外，移動機架54亦可包含棒狀構件、及連接該棒狀構件之另一端部與第2支承構件52之連桿機構(鉸鏈機構)。移動機架54之至少一部分可以是可彎曲的。
又，亦可對第2支承構件52連接複數個移動機架54。亦可於該等複數個移動機架54之各個連接驅動裝置56。亦可設置複數個驅動裝置56。
支承裝置50具有引導第2構件22之導引裝置57。本實施形態中，導引裝置57將第2構件22引導向X軸方向。本實施形態中，導引裝置57之至少一部分係配置在第1支承構件51(第1構件21)與第2支承構件52(第2構件22)之間。
藉由導引裝置57，第2構件22被引導向X軸方向。本實施形態中，於Y軸、Z軸、θX、θY及θZ方向之第2構件22之移動受到限制。
導引裝置57，在第1支承構件51之下面51B與第2支承構件52之上面52A之間具有氣體軸承57G。本實施形態中，導引裝置57包含所謂的導流(air guide)機構。氣體軸承57G，包含例如配置在下面51B之 氣體供應口(未圖示)、與配置在下面51B之氣體排出口(未圖示)。又，氣體供應口可以是配置在上面52A。氣體排出口可以是配置在上面52A。藉由氣體軸承57G，第2支承構件52(第2構件22)以非接觸方式被支承於第1支承構件51(第1構件21)。此場合，第2支承構件52(第2構件22)，可以說是被支承第1支承構件51之支承機架53所支承。又，亦可將第2構件22及第2支承構件52之重量之至少一部分，透過第1支承構件51以支承機架53加以支承。藉由氣體軸承57G，第2支承構件52(第2構件22)相對第1支承構件51(第1構件21)以非接觸狀態被引導於X軸方向。此外，如上所述，第1支承構件51可藉由防振裝置55移動。因次，當第1支承構件51(第1構件21)移動時，被第1支承構件引導之第2支承構件52(第2構件22)可移動。
又，本實施形態中，第2支承構件52之至少一部分可與支承機架53對向。導引裝置57可配置在第2支承構件52與支承機架53之間。
圖14係以示意方式顯示本實施形態之驅動裝置56之一例的圖。圖15係圖14之A-A線剖面圖。
實施形態中，驅動裝置56包含例如線性馬達、或音圈馬達等以羅倫茲力作動之致動器。本實施形態中，驅動裝置56可使第2構件22至少移動於X軸方向。
圖14及圖15中，驅動裝置56具有固定子57與可動子58。固定子57係配置在裝置機架8B上。可動子58則係配置在移動機架54。可動子58透過移動機架54連接於第2支承構件52(第2構件22)。
可動子58可相對固定子57移動於X軸方向。藉由可動子 58往X軸方向之移動，透過移動機架54連接於可動子58之第2支承構件52(第2構件22)即移動於X軸方向。第2支承構件52(第2構件22)係以第2支承構件52(第2構件22)與第1支承構件51(第1構件21)之至少一部分透過間隙對向之狀態移動。
本實施形態中，固定子57係以非接觸方式灀被支承於裝置機架8B。本實施形態中，固定子57與裝置機架8B之間設有氣體軸承59。藉由氣體軸承59，固定子57以非接觸方式被支承於裝置機架8B。
本實施形態中，藉由可動子58往+X軸方向之移動，固定子57往-X軸方向移動。又，藉由可動子58往-X軸方向之移動，固定子57往+X軸方向移動。亦即，在可動子58移動於+X軸方向(-X軸方向)之期間之至少一部分中，固定子57移動於-X軸方向(+X軸方向)。
藉由固定子57之移動，隨著可動子58(移動機架54、第2支承構件52、第2構件22)之移動產生之反作用力被抵消，重心位置之變化受到抑制。本實施形態中，固定子57係發揮作為所謂配衡質量的功能。亦即，驅動裝置56抵消隨著可動子58(移動機架54、第2支承構件52、第2構件22)之移動產生之反作用力之至少一部分的機構。亦即，驅動裝置56可抑制隨著可動子58(移動機架54、第2支承構件52、第2構件22)之移動產生之反作用力往裝置機架8B之傳遞。因此，能抑制隨著可動子58之移動產生之反作用力所引起之裝置機架8B之振動。
本實施形態中，由於固定子57可發揮作為配衡質量之功能，因此即使可動子58移動於X軸方向，亦能抑制振動之發生。
本實施形態中，驅動裝置56具有調整移動後之固定子57之 位置的位置調整裝置60。本實施形態中，位置調整裝置60包含利用電磁力之阻尼器(所謂的電磁阻尼器)。電磁阻尼器可調整衰減力(衰減力特性)。又，位置調整裝置60亦可包含彈簧。藉由位置調整裝置60，使移動了的固定子57回到例如初期位置(原點)。
本實施形態中，驅動裝置56具有可檢測固定子57及可動子58之位置的位置感測器61。位置感測器61具有檢測固定子57之位置的第1感測器61A、與檢測可動子58之位置的第2感測器61B。本實施形態中，第1感測器61A及第2感測器61B之各個，包含編碼器。第1感測器61A具有配置於固定子57的標尺構件61Aa、與檢測該標尺構件61Aa之標尺的編碼器讀頭61Ab。第2感測器61B具有配置於可動子58的標尺構件61Ba、與檢測該標尺構件61Ba之標尺的編碼器讀頭61Bb。第1感測器61A之編碼器讀頭61Ab及第2感測器61B之編碼器讀頭61Bb之位置是固定的。
位置感測器61(第1、第2感測器61A、61B)之檢測結果被輸出至控制裝置6。控制裝置6可根據位置感測器61之檢測結果，求出固定子57之位置(第1感測器61A相對編碼器讀頭61Ab之位置)、可動子58之位置(第2感測器61B相對編碼器讀頭61Bb之位置)、及固定子57與可動子58之相對位置中之至少一者。控制裝置6可根據位置感測器61之檢測結果控制驅動裝置56，以將第2構件22配置於期望之位置(於X軸方向之位置)。此外，控制裝置6可根據位置感測器61之檢測結果控制驅動裝置56，以使第2構件22在期望之移動範圍內移動。
又，控制裝置6可根據位置感測器61之檢測結果控制驅動裝置56，以使第2構件22以期望之速度移動。此外，控制裝置6可根據位 置感測器61之檢測結果控制驅動裝置56，以使第2構件22以期望之加速度移動。
又，在控制第2構件22之速度之情形時，控制裝置6可針對位置感測器61之檢測值進行運算處理以取得速度資訊，並根據該速度資訊控制第2構件22之速度。此外，亦可設置與位置感測器61不同之、另一可檢測第2構件22之速度的速度感測器，根據該速度感測器之檢測結果控制第2構件22之速度。
又，在控制第2構件22之加速度之情形時，控制裝置6可針對位置感測器61之檢測值進行運算處理以取得加速度資訊，並根據該加速度資訊控制第2構件22之加速度。此外，亦可設置與位置感測器61不同之、另一可檢測第2構件22之加速度的加速度感測器，根據該加速度感測器之檢測結果控制第2構件22之加速度。
其次，說明使用具有上述構成之曝光裝置EX使基板P曝光之方法。
在離開液浸構件5之基板更換位置，進行將曝光前之基板P搬入(裝載)基板載台2(第1保持部)之處理。在基板載台2離開液浸構件5之期間之至少一部分中，將測量載台3配置成與終端光學元件13及液浸構件5對向。控制裝置6，進行液體LQ從液體供應部31之供應、與液體LQ從流體回收部27之回收，於測量載台3上形成液浸空間LS。
在將曝光前之基板P裝載於基板載台2、使用測量載台3之測量處理結束後，控制裝置6移動基板載台2，以使終端光學元件13及液浸構件5與基板載台2(基板P)對向。在終端光學元件13及液浸構件5 與基板載台2(基板P)對向之狀態下，與液體LQ從液體供應部31之供應並行實施液體LQ從流體回收部27之回收，據以在終端光學元件13及液浸構件5與基板載台2(基板P)之間，形成光路K被液體LQ充滿之液浸空間LS。
本實施形態中，係與液體LQ從液體供應部31之供應及液體LQ從流體回收部27之回收並行，進行液體LQ從液體回收部24之回收。
控制裝置6，開始基板P之曝光處理。控制裝置6，在基板P上形成有液浸空間LS之狀態下，從照明系IL射出曝光用光EL。照明系IL以曝光用光EL照明光罩M。來自光罩M之曝光用光EL，透過投影光學系PL及射出面12與基板P間之液浸空間LS之液體LQ，照射於基板P。據此，基板P即被透過終端光學元件13之射出面12與基板P間之液浸空間LS之液體LQ、從射出面12射出之曝光用光EL曝光，將光罩M之圖案之像投影於基板P。
本實施形態之曝光裝置EX，係一邊使光罩M與基板P同步移動於既定掃描方向、一邊將光罩M之圖案之像投影至基板P之掃描型曝光裝置(所謂掃描步進機)。本實施形態中，以基板P之掃描方向(同步移動方向)為Y軸方向、光罩M之掃描方向(同步移動方向)亦為Y軸方向。控制裝置6使基板P相對投影光學系PL之投影區域PR移動於Y軸方向，並與該基板P往Y軸方向之移動同步，一邊相對照明系IL之照明區域IR使光罩M移於Y軸方向、一邊透過投影光學系PL與基板P上之液浸空間LS之液體LQ對基板P照射曝光用光EL。
圖16係顯示被保持於基板載台2之基板P之一例的圖。本 實施形態中，作為曝光對象區域之照射(shot)區域於基板P上配置有複數個成矩陣狀。控制裝置6，相對從終端光學元件13之射出面12射出之曝光用光EL，一邊使被保持於第1保持部之基板P移動於Y軸方向(掃描方向)、一邊透過射出面12與基板P間之液浸空間LS之液體LQ，以從射出面12射出之曝光用光EL使基板P之複數個照射區域S之各個依序曝光。
例如為使基板P之1個照射區域S曝光，控制裝置6在形成有液浸空間LS之狀態下，相對從射出面12射出之曝光用光EL(投影光學系PL之投影區域PR)使基板P移動於Y軸方向，並與該基板P往Y軸方向之移動同步，一邊相對照明系IL之照明區域IR使光罩M移動於Y軸方向、一邊透過投影光學系PL與基板P上之液浸空間LS之液體LQ對第1照射區域S照射曝光用光EL。據此，光罩M之圖案之像即被投影於該照射區域S，該照射區域S即因從射出面12出之曝光用光EL而曝光。
該照射區域S之曝光結束後，控制裝置6為開始次一照射區域S之曝光，在形成有液浸空間LS之狀態下，使基板P於XY平面內與X軸交叉之方向(例如X軸方向、或XY平面內相對X軸及Y軸方向傾斜之方向等)移動，使次一照射區域S移動至曝光開始位置。之後，控制裝置6即開始該照射區域S之曝光。
控制裝置6，在基板P(基板載台2)上形成有液浸空間LS之狀態下，反覆進行一邊相對來自射出面12之曝光用光EL照射之位置(投影區域PR)使照射區域移動於Y軸方向一邊使該照射區域曝光的動作，與在該照射區域之曝光後在基板P(基板載台2)上形成有液浸空間LS之狀態下，將基板P移動於XY平面內與Y軸方向交叉之方向(例如X軸方向、 或XY平面內相對X軸及Y軸方向傾斜之方向等)以將次一照射區域配置於曝光開始位置的動作，一邊使基板P之複數個照射區域依序曝光。
以下之說明中，將為使照射區域曝光而在基板P(基板載台2)上形成有液浸空間LS的狀態下，相對來自射出面12之曝光用光EL照射之位置(投影區域PR)使基板P(照射區域)移動於Y軸方向的動作，適當的稱為掃描移動動作。並將某一照射區域之曝光完成後，在基板P(基板載台2)上形成有液浸空間LS的狀態下，在開始次一照射區域之曝光為止之期間，於XY平面內移動基板P之動作，適當的稱為步進移動動作。
本實施形態中，掃描移動動作，包含從某一照射區域S被配置於曝光開始位置之狀態至被配置於曝光結束位置之狀態為止，基板P移動於Y軸方向的動作。步進移動動作，包含從某一照射區域S被配置於曝光結束位置之狀態至次一照射區域S被配置於曝光開始位置之狀態為止，基板P於XY平面內在與Y軸方向交叉之方向移動的動作。
曝光開始位置，包含為使某一照射區域S曝光而使該照射區域S於Y軸方向之一端部通過投影區域PR之時間點之基板P的位置。曝光結束位置，包含經曝光用光EL照射後之該照射區域S於Y軸方向之另一端部通過投影區域PR之時間點之基板P的位置。
照射區域S之曝光開始位置，包含為使該照射區域S曝光之掃描移動動作開始位置。照射區域S之曝光開始位置，包含為將該照射區域S配置於曝光開始位置之步進移動動作結束位置。
照射區域S之曝光結束位置，包含為使該照射區域S曝光之掃描移動動作結束位置。照射區域S之曝光結束位置，包含該照射區域S 之曝光結束後，為將次一照射區域S配置於曝光開始位置之步進移動動作開始位置。
以下之說明中，將為使某一照射區域S曝光而進行掃描移動動作之期間，適當的稱為掃描移動期間。以下之說明中，將從一照射區域S之曝光結束至為使次一照射區域S之曝光開始而進行之步進移動動作之期間，適當的稱為步進移動期間。
掃描移動期間，包含從一照射區域S之曝光開始至曝光結束為止之曝光期間。步進移動期間，包含從一照射區域S之曝光結束至次一照射區域S之曝光開始為止之基板P之移動期間。
於掃描移動動作中，會從射出面12射出曝光用光EL。於掃描移動動作中，會於基板P(物體)照射曝光用光EL。於步進移動動作中，不會從射出面12射出曝光用光EL。於步進移動動作中，不會於基板P(物體)照射曝光用光EL。
控制裝置6一邊反覆掃描移動動作與步進移動動作、一邊使基板P之複數個照射區域S之各個依序曝光。又，掃描移動動作主要係於Y軸方向之等速移動。步進移動動作包含加減速度移動。例如，從一照射區域S之曝光結束至次一照射區域S之曝光開始為止之期間之步進移動動作，包含於Y軸方向之加減速移動及於X軸方向之加減速移動中之一方或兩方。
又，於掃描移動動作及步進移動動作之至少一部分中，有液浸空間LS之至少一部分形成在基板載台2(覆蓋構件T)上之情形。又，於掃描移動動作及步進移動動作之至少一部分中，有液浸空間LS跨於基板 P與基板載台2(覆蓋構件T)形成之情形。此外，在基板載台2與測量載台3近接或接觸之狀態下進行基板P之曝光之情形時，於掃描移動動作及步進移動動作之至少一部分中，有液浸空間LS跨於基板載台2(覆蓋構件T)與測量載台3形成之情形。
控制裝置6根據基板P上之複數個照射區域S之曝光條件，控制驅動系統15移動基板P(基板載台2)。複數個照射區域S之曝光條件，例如係以稱為曝光配方(recipe)之曝光控制資訊加以規定。
曝光條件(曝光控制資訊)包含複數個照射區域S之排列資訊(複數個照射區域S之各個在基板P之位置)。此外，曝光條件(曝光控制資訊)亦包含複數個照射區域S各個之尺寸資訊(於Y軸方向之尺寸資訊)。
控制裝置6根據該記憶裝置7儲存之曝光條件(曝光控制資訊)，一邊以既定移動條件移動基板P、一邊使複數個照射區域S依序曝光。基板P(物體)之移動條件，包含移動速度、加速度、移動距離、移動方向及在XY平面內之移動軌跡中之至少一種。
舉一例而言，使複數個照射區域S之各個依序曝光時，控制裝置6，一邊移動基板載台2使投影光學系PL之投影區域PR與基板P，沿圖16中，例如箭頭Sr所示之移動軌跡相對移動，一邊對投影區域PR照射曝光用光EL，透過液體LQ以曝光用光EL使複數個照射區域S之各個依序曝光。控制裝置6，一邊反覆掃描移動動作與步進移動動作、一邊使複數個照射區域S之各個依序曝光。
本實施形態中，第2構件22係在基板P之曝光處理之至少 一部分中移動。第2構件22，與例如在液浸空間LS形成之狀態下基板P(基板載台2)之步進移動動作之至少一部分並行移動。第2構件22，與例如在液浸空間LS形成之狀態下基板P(基板載台2)之掃描移動動作之至少一部分並行移動。與第2構件22之移動並行，從射出面12射出曝光用光EL。此外，亦可於掃描移動動作中不移動第2構件22。亦即，可不與曝光用光EL從射出面12之射出並行移動第2構件22。第2構件22，例如可在基板P(基板載台2)進行步進移動動作時，以和基板P(基板載台2)之相對移動(相對速度、相對加速度)變小之方式移動。此外，第2構件22，可在基板P(基板載台2)進行掃描移動動作時，以和基板P(基板載台2)之相對移動(相對速度、相對加速度)變小之方式移動。
圖17係以示意方式顯示一邊進行基板P之包含+X軸方向成分之步進移動、一邊使照射區域Sa、照射區域Sb及照射區域Sc之各個依序曝光時之基板P之移動軌跡之一例的圖。
如圖17所示，照射區域Sa、Sb、Sc曝光時，基板P係在終端光學元件13之下，依序移動於從位置d1至相對該位置d1於+Y軸側相鄰位置d2為止之路徑Tp1、從位置d2至相對該位置d2於+X軸側相鄰位置d3為止之路徑Tp2、從位置d3至相對該位置d3於-Y軸側相鄰位置d4為止之路徑Tp3、從位置d4至相對該位置d4於+X軸側相鄰位置d5為止之路徑Tp4、以及從位置d5至相對該位置d5於+Y軸側相鄰位置d6為止之路徑Tp5。位置d1、d2、d3、d4、d5、d6係於XY平面內之位置。
路徑Tp1之至少一部分係與Y軸平行之直線。路徑Tp3之至少一部分係與Y軸平行之直線。路徑Tp5之至少一部分包含與Y軸平行 之直線。路徑Tp2包含經由位置d2.5之曲線。路徑Tp4包含經由位置d4.5之曲線。位置d1包含路徑Tp1之始點、位置d2包含路徑Tp1之終點。位置d2包含路徑Tp2之始點、位置d3包含路徑Tp2之終點。位置d3包含路徑Tp3之始點、位置d4包含路徑Tp3之終點。位置d4包含路徑Tp4之始點、位置d5包含路徑Tp4之終點。位置d5包含路徑Tp5之始點、位置d6包含路徑Tp5之終點。路徑Tp1係基板P移動於+Y軸方向之路徑。路徑Tp3係基板P移動於-Y軸方向之路徑。路徑Tp5係基板P移動於+Y軸方向之路徑。路徑Tp2及路徑Tp4係基板P移動於以+X軸方向為主成分之方向之路徑。
在液浸空間LS形成之狀態下基板P移動於路徑Tp1時，透過液體LQ於照射區域Sa照射曝光用光EL。在液浸空間LS形成之狀態下基板P移動於路徑Tp3時，透過液體LQ於照射區域Sb照射曝光用光EL。在液浸空間LS形成之狀態下基板P移動於路徑Tp5時，透過液體LQ於照射區域Sc照射曝光用光EL。基板P移動於路徑Tp2及路徑Tp4時，不照射曝光用光EL。
基板P移動於路徑Tp1之動作、移動於路徑Tp3之動作、以及移動於路徑Tp5之動作之各個，包含掃描移動動作。又，基板P移動於路徑Tp2之動作、及移動於路徑Tp4之動作之各個，包含步進移動動作。
亦即，基板P移動於路徑Tp1之期間、移動於路徑Tp3之期間、及移動於路徑Tp5之期間之各個，係掃描移動期間(曝光期間)。基板P移動於路徑Tp2之期間、及移動於路徑Tp4之期間之各個，係步進移動期間。
圖18係顯示第2構件22之一動作例的示意圖。圖18係從上面25側觀察第2構件22的圖。基板P位於圖17中之位置d1時，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於圖18(A)所示位置。基板P位於位置d2時，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於圖18(B)所示位置。亦即，在基板P從位置d1往位置d2之掃描動作移動中，第2構件22係往與基板P之步進移動方向(+X軸方向)相反之-X軸方向移動。基板P位於位置d2.5時，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於圖18(C)所示位置。基板P位於位置d3時，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於圖18(D)所示位置。亦即，在基板P從位置d2往位置d3之步進動作移動中，第2構件22係往與基板P之步進移動方向(+X軸方向)相同之+X軸方向移動。基板P位於位置d4時，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於圖18(E)所示位置。亦即，在基板P從位置d3往位置d4之掃描動作移動中，第2構件22係往與基板P之步進移動方向(+X軸方向)相反之-X軸方向移動。基板P位於位置d4.5時，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於圖18(F)所示位置。基板P位於位置d5時，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於圖18(G)所示位置。亦即，在基板P從位置d4往位置d5之步進動作移動中，第2構件22係往與基板P之步進移動方向(+X軸方向)相同之+X軸方向移動。基板P位於位置d6時，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於圖18(H)所示位置。亦即，在基板P從位置d5往位置d6之掃描動作移動中，第2 構件22係往與基板P之步進移動方向(+X軸方向)相反之-X軸方向移動。
本實施形態中，圖18(A)、圖18(D)、圖18(G)所示之第2構件22之位置，包含第2端部位置。圖18(B)、圖18(E)、圖18(H)所示之第2構件22之位置，包含第1端部位置。圖18(C)、圖18(F)所示之第2構件22之位置，包含中央位置。
以下之說明中，將圖18(A)、圖18(D)、圖18(G)所示之第2構件22之位置設為第2端部位置、將圖12(B)、圖18(E)、圖18(H)所示之第2構件22之位置設為第1端部位置、將圖18(C)、圖18(F)所示之第2構件22之位置設為中央位置。
基板P移動於路徑Tp1時，第2構件22往-X軸方向移動，而從圖18(A)所示狀態變化至圖18(B)所示狀態。亦即，第2構件22從第2端部位置經中央位置往第1端部位置移動。基板P移動於路徑Tp2時，第2構件22往+X軸方向移動，而從圖18(B)所示狀態經由圖18(C)所示狀態變化至圖18(D)所示狀態。亦即，第2構件22從第1端部位置經中央位置往第2端部位置移動。基板P移動於路徑Tp3時，第2構件22往-X軸方向移動，而從圖18(D)所示狀態變化至圖18(E)所示狀態。亦即，第2構件22從第2端部位置經中央位置往第1端部位置移動。基板P移動於路徑Tp4時，第2構件22往+X軸方向移動，而從圖18(E)所示狀態經由圖18(F)所示狀態變化至圖18(G)所示狀態。亦即，第2構件22從第1端部位置經由中央位置往第2端部位置移動。基板P移動於路徑Tp5時，第2構件22往-X軸方向移動，而從圖18(G)所示狀態變化至 圖18(H)所示狀態。亦即，第2構件22從第2端部位置經中央位置往第1端部位置移動。
亦即，本實施形態中，第2構件22在基板P沿路徑Tp2移動之期間之至少一部分中，以和基板P之相對移動變小之方式，往+X軸方向移動。換言之，第2構件22在基板P進行包含+X軸方向成分之步進移動動作之期間之至少一部分中，以和基板P在X軸方向之相對速度變小之方式，往+X軸方向移動。同樣的，第2構件22在基板P沿路徑Tp4移動之期間之至少一部分中，以和基板P於X軸方向之相對速度變小之方式，往+X軸方向移動。
又，本實施形態中，第2構件22在基板P沿路徑Tp3移動之期間之至少一部分中，往-X軸方向移動。據此，在基板P之路徑Tp3之移動後、於路徑Tp4之移動中，即使第2構件22往+X軸方向移動，曝光用光EL亦能通過開口35。基板P移動於路徑Tp1、Tp5時亦相同。
亦即，在基板P重複掃描移動動作與包含+X軸方向成分之步進移動動作之情形時，於步進移動動作中，第2構件22係以和基板P之相對速度變小之方式從第1端部位置往第2端部位置移動於+X軸方向，於掃描移動動作中，為了在次一步進移動動作中第2構件22能再度移動於+X軸方向，第2構件22從第2端部位置回到第1端部位置。亦即，在基板P於掃描移動動作之期間之至少一部分中，由於第2構件22移動於-X軸方向，因此能將開口35之尺寸抑制於所需最小限。
又，本實施形態中，即使第2構件22配置在第1端部位置(第2端部位置)，流體回收部27之至少一部分亦與基板P(物體)持續對 向。據此，例如於步進移動動作中，流體回收部27可回收基板P(物體)上之液體LQ。
又，在使用圖17及圖18說明之例中，係設在基板P位於位置d1、d3、d5時，第2構件22係配置於第2端部位置。不過，在基板P位於位置d1、d3、d5時，第2構件22可以是配置在中央位置、亦可以是配置在中央位置與第2端部位置之間。
又，在使用圖17及圖18說明之例中，係設在基板P位於置d2、d4、d6時，第2構件22係配置在第1端部位置。不過，在基板P位於位置d2、d4、d6時，第2構件22可以是配置在中央位置、亦可以是配置在中央位置與第1端部位置之間。
又，在基板P位於位置d2.5、d4.5時，第2構件22亦可以是配置在與中央位置不同之位置。亦即，在基板P位於位置d2.5、d4.5時，第2構件22可以是配置在例如中央位置與第2端部位置之間、亦可以是配置在中央位置與第1端部位置之間。
有可能因第2構件22之移動而產生振動。此外，亦有可能因驅動裝置56之作動而產生振動。本實施形態中，第2構件22係透過第2支承構件52及移動機架54等被支承於裝置機架8B。又，驅動裝置56之至少一部分亦係被支承於裝置機架8B。本實施形態中，裝置機架8B與基準機架8A之間配置有防振裝置10。因此，即使因第2構件22之移動、或驅動裝置56之作動等而產生振動，亦可藉由防振裝置10抑制該振動傳遞至基準機架8A。亦即，即使因第2構件22之移動、或驅動裝置56之作動等而於裝置機架8B產生振動，亦可藉由防振裝置10抑制該振動傳遞至基準機 架8A。因此，終端光學元件13(投影光學系PL)之振動、或終端光學元件13(投影光學系PL)之位置變化等情形即受到抑制。
又，本實施形態中，設有用以抑制第1構件21之振動的防振裝置55。本實施形態中，於裝置機架8B與支承機架53之間配置有防振裝置55。因此，即使因第2構件22之移動、或驅動裝置56之作動等而產生振動，亦可藉由防振裝置55抑制該振動傳遞至支承機架53。亦即，即使因第2構件22之移動、或驅動裝置56之作動等而於裝置機架8B產生振動，亦可藉由防振裝置55抑制該振動傳遞至基準機架8A。因此，第1構件21(第1支承構件51)之振動、或第1構件21(第1支承構件51)之位置變化等情形即受到抑制。此外，被第1支承構件51引導之第2支承構件52(第2構件22)之振動、變位等情形亦受到抑制。因此，在裝置機架8B之振動是可容許之情形下，支承裝置50之驅動裝置56可以不具有用以抵消隨著可動子58之移動所產生之反作用力之至少一部分的機構。
本實施形態中，第2構件22係在與終端光學元件13之光軸實質垂直之面內移動。於此場合，第1構件21不僅僅是於X軸方向及Y軸方向，亦有可能在與終端光學元件13之光軸實質平行之Z軸方向產生振動。又，第1構件21於Z軸方向之位置亦有可能產生變化。此時，即有可能發生例如第1構件21與終端光學元件13間之間隙尺寸(第3空間SP3之尺寸)產生變化、或第3空間SP3之壓力產生變化、或因該第3空間SP3之壓力變化使終端光學元件13產生變位(或變形)、或液體LQ從第3空間SP3流出之情形。此外，當第1構件21於Z軸方向產生振動、或第1構件21於Z軸方向之位置產生變化時，即有可能發生第1構件21與物體(基板 P、基板載台2及測量載台3中之至少一種)間之間隙尺寸(第2空間SP2之尺寸)產生變化、或第2空間SP2之壓力產生變化、或因該第2空間SP2之壓力變化使物體產生變位(或變形)、或液體LQ從第2空間SP2流出之情形。其結果，即有可能發生曝光不良、或產生不良元件。
本實施形態中，防振裝置55至少能抑制第1構件21於Z軸方向之振動。又，本實施形態中，防振裝置55能以至少抑制第1構件21於Z軸方向之變位之方式，移動第1構件21。因此，能抑制曝光不良之發生及不良元件之產生。
又，本實施形態中，防振裝置55，不僅僅是Z軸方向，亦能抑制第1構件21於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ之6個方向之振動，能以抑制第1構件21於6個方向之變位之方式，移動第1構件21。因第2構件22之移動，而使第1構件21有可能於6個方向中之至少一方向產生振動、或變位之場合，能良好的抑制該等振動、變位。因此，能有效的抑制曝光不良之發生及不良元件之產生。
又，本實施形態中，防振裝置55可以是僅抑制第1構件21於Z軸方向之振動。此外，防振裝置55，亦可僅以抑制第1構件21於Z軸方向之變位之方式，移動第1構件21。
又，本實施形態中，防振裝置55，亦可以是抑制第1構件21於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ之6個方向中任意2~5個方向之振動。此外，防振裝置55，可以是能以抑制第1構件21於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ之6個方向中任意2~5個方向之變位之方式，移動第1構件21。例如，可根據第1構件21產生振動之可能性較高之方向(或 振動位準較高之方向)、或第1構件21產生變位之可能性較高之方向(或變位位準較高之方向)，來使防振裝置55作動。
本實施形態中，係根據檢測裝置62之檢測結果，藉由防振裝置55移動第1構件21。如此，第1構件21相對終端光學元件13(基準構件)之變位即能被良好的抑制。
又，本實施形態中，係根據檢測裝置63之檢測結果使防振裝置55作動，以抑制第1構件21之振動。如此，第1構件21之振動即能被良好的抑制。
又，亦可根據檢測裝置63之檢測結果控制防振裝置55，以抑制第1構件21之變位。此外，亦可根據檢測裝置62之檢測結果控制防振裝置55，以抑制第1構件21之振動。
又，本實施形態中，控制裝置6可不使用檢測裝置62、63之兩方、或其中一方之檢測結果控制防振裝置55。此場合，可不設置檢測裝置62與檢測裝置63中之至少一方。
例如，在第1構件21會依據第2構件22之移動條件變化振動條件(振動數、振幅、振動方向、及振動模式中之至少一種)之情形時，可根據該第2構件22之移動條件控制防振裝置55，以抑制第1構件21之振動。
例如，在第2構件22之移動條件與第1構件21之振動條件間之關係有儲存在記憶裝置7中之情形時，控制裝置6可根據該記憶裝置7之資訊控制防振裝置55，以抑制第1構件21之振動。
例如，參照圖16~圖18所說明般，根據曝光配方(曝光控 制資訊)決定物體(基板P等)之移動條件，並根據該物體之移動條件決定第2構件22之移動條件之情形時，可在物體上形成液浸空間LS之前(或基板P之曝光前)，取得與依據該第2構件22之移動條件之第1構件21之振動條件相關之資訊。又，該與第1構件21之振動條件相關之資訊，可藉由例如預備實驗(關於第1構件21之等同實驗等)或模擬等事前取得。
因此，藉由將以等同實驗或模擬等事前取得之第2構件22之移動條件與第1構件21之振動條件間之關係，在物體上形成液浸空間LS之前、或基板P之曝光前儲存於記憶裝置7，控制裝置6，即能根據該記憶裝置7之資訊控制防振裝置5，以抑制第1構件21之振動。
又，在第1構件21會依據第2構件22之移動條件變化變位條件(變位量、及變位方向中之至少一種)之情形時，可根據該第2構件22之移動條件控制防振裝置55，以抑制第1構件21之變位。
例如，在第2構件22之移動條件與第1構件21相對基準構件(終端光學元件13等)之位置間之關係有儲存在記憶裝置7中之情形時，控制裝置6可根據該記憶裝置7之資訊控制防振裝置55，以抑制第1構件21之變位。
例如，參照圖16~圖18所說明般，再根據曝光配方(曝光控制資訊)決定物體(基板P等)之移動條件、並根據該物體之移動條件決定第2構件22之移動條件之情形時，可在物體上形成液浸空間LS之前(或基板P之曝光前)，取得與依據該第2構件22之移動條件之第1構件21相對基準構件之位置相關之資訊。又，該與第1構件21之位置之資訊，可藉由例如預備實驗或模擬等事前取得。
因此，藉由將以預備實驗或模擬等事前取得之第2構件22之移動條件與第1構件21相對基準構件之位置間之關係，在物體上形成液浸空間LS之前、或基板P之曝光前儲存於記憶裝置7，控制裝置6即可根據該記憶裝置7之資訊控制防振裝置5，以抑制第1構件21之變位。
亦即，本實施形態中，控制裝置6可依據檢測裝置62、63之檢測結果，進行控制防振裝置55之反饋控制。又，控制裝置6可根據記憶裝置7之資訊，進行控制防振裝置55之前饋控制。
如以上之說明，根據本實施形態，由於設置了防振裝置55，因此能抑制曝光不良之發生及不良元件之產生。
又，本實施形態中，第1構件21有可能不受第2構件22之移動影響而產生振動。防振裝置55亦能抑制第1構件21不受第2構件22之移動影響所產生之振動。
又，本實施形態中，第1構件21有可能不受第2構件22之移動影響而產生變位。防振裝置55亦能抑制第1構件21不受第2構件22之移動影響所產生之變位。
又，本實施形態中，防振裝置55可以是不包含致動器、而具有衰減裝置(阻尼器)之所謂的被動型防振裝置。此場合，於支承裝置50搭載不包含於防振裝置55之至少一個致動器，使其與上述防振裝置55之致動器同樣的動作。此外，亦可不設置防振裝置55，而由支承裝置50將第1構件21與第2構件22以可動之方式支承於裝置機架8B。此場合，亦可於支承裝置50搭載不包含於防振裝置55之至少一個致動器，使其與上述防振裝置55之致動器同樣的動作。
又，本實施形態中，第1構件21可以是被支承於基準機架8A。
又，本實施形態中，基準機架8A與支承機架53之至少一部分可以是同一構件。
又，如圖19所示，防振裝置55可以是被配置成與朝向+Z軸方向之支承機架53之上面53A對向。例如，可將裝置機架8B之至少一部分配置在支承機架53之上方，於該裝置機架8B以懸吊之方式配置防振裝置55。懸吊於裝置機架8B之防振裝置55，可以懸吊之方式保持支承機架53。亦即，可於防振裝置55以懸吊之方式配置支承機架53。
又，如圖19所示，可將驅動裝置56配置在裝置機架8B之下方。亦即，可將驅動裝置56以懸吊之方式配置於裝置機架8B。
又，本實施形態中，雖係將液浸構件5作成除了開口35以外，沒有將第1空間SP1與第2空間SP2流體連接(以流體可流動之方式連接)之流路。但，例如，可相對光路K在較開口35外側處，形成將第1空間SP1與第2空間SP2流體連接之開口(孔)。
又，本實施形態中，可將對第1空間SP1供應液體LQ之供應口設置在第1構件21及第2構件22中之至少一方。例如，可在開口34與液體回收部24間之第1構件21之下面23，設置供應液體LQ之供應口。
<第2實施形態>
接著，說明第2實施形態。以下之說明聰，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。
圖20係本實施形態之液浸構件500之與YZ平面平行的剖 面圖。圖21係液浸構件500之與XZ平面平行的剖面圖。圖22係圖20之部分放大的圖。圖23係從下側(-Z側)觀察液浸構件500的圖。圖24係液浸構件500之立體圖。圖25則係顯示支承液浸構件500之支承裝置5000之一例的立體圖。
液浸構件500，具備配置在終端光學元件13之周圍至少一部分的第1構件210、於第1構件210之下方配置在光路K之周圍至少一部分且可相對第1構件210移動的第2構件220、可供應用以形成液浸空間LS之液體LQ的供應部330、以及可回收液體LQ的回收部230。第1構件210係配置在終端光學元件13周圍之環狀構件。第2構件220係配置在光路K周圍之環狀構件。第1構件210具有來自射出面12之曝光用光EL可通過之開口340。第2構件220具有來自射出面12之曝光用光EL可通過之開口350。
第1構件210具有朝向-Z軸方向之下面240。第2構件220具有朝向+Z軸方向之上面250與朝向-Z軸方向之下面260。基板P(物體)可對向於下面260。上面250係與下面240透過間隙對向。此外，本實施形態中，上面250之至少一部分與射出面12透過間隙對向。又，上面250亦可不與射出面12對向。
供應口330係於相對終端光學元件13之光軸(光路K)之放射方向配置在回收部230之內側。供應部330配置於第1構件210。本實施形態中，供應口330係配置成對向於側面13F。供應口330對第3空間SP3供應液體LQ。又，供應口330可配置於第2構件220、亦可配置於第1構件210及第2構件220之兩方。
回收部230係相對光路K(終端光學元件13之光軸)配置在第1構件210之下面240之外側。下面240不回收液體LQ。基板P(物體)可與回收部230之至少一部分對向。回收部230可回收來自上面250所面對之第1空間SP1及下面260所面對之第2空間SP2之液體LQ之至少一部分。第1空間SP1包含下面240與上面250間之空間。第2空間SP2包含下面260與基板P(物體)之上面間之空間。本實施形態中，回收部230係配置於第1構件210。第2構件220之至少一部分與回收部230對向。當然，第2構件220可不對向於回收部230。此外，亦可將回收部230配置在與第1構件210及第2構件220不同之構件。
本實施形態中，回收部230包含多孔構件380。基板P(物體)上之液體LQ可透過多孔構件380之孔被回收。多孔構件380之孔(開口)具有作為回收液體LQ之回收口的功能。本實施形態中，多孔構件380包含網板(mesh plate)。當然，回收部230亦可不包含多孔構件。
與液體LQ從供應口330之供應動作並行，實施液體LQ從回收部230(回收口)之回收動作，據以在一側之終端光學元件13及液浸構件500、與另一側之基板P(物體)之間，以液體LQ形成液浸空間LS。
支承裝置5000，具有支承第1構件210之第1支承構件400、支承第2構件220之第2支承構件280、與可移動第2構件220之驅動裝置270。第1支承構件400被支承於支承機架53。驅動裝置270被支承於支承機架53。第2支承構件280連接於驅動裝置270。第2支承構件280透過驅動裝置270被支承於支承機架53。
支承機架53透過第1支承構件400支承第1構件210。支承 機架53透過驅動裝置270及第2支承構件280支承第2構件220。
與上述實施形態同樣的，支承機架53可透過防振裝置55被支承於裝置機架8B。裝置機架8B可透過防振裝置55及支承機架53支承第1構件210及第2構件220。
第2構件220係藉由驅動裝置270移動。驅動裝置270，例如包含馬達，使用羅倫茲力移動第2構件220。驅動裝置270將第2構件220至少移動於X軸方向。又，驅動裝置270可將第2構件220移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ之6個方向。
支承構件280連接於第2構件220之至少一部分。藉由支承構件280被驅動裝置270移動，而使第2構件220移動。本實施形態中，支承構件280，具有具上端部及下端部之第1部分2801、與第1部分2801之上端部連結之第2部分2802、以及與第2部分2802連結之第3部分2803。第1部分2801之下端部與第2構件220之上面250之至少一部分連接。
本實施形態中，支承構件280之第1部分2801係相對光路K(終端光學元件13之光軸)配置在+Y側及-Y側之各側。
又，複數個第1部分2801之配置，不限於+Y側及-Y側。例如，可配置於+X側及-X側之各側、亦可配置於+Y側、-Y側、+X側、-X側之各側。
本實施形態中，第2部分2802與複數個第1部分2801連接。第3部分2803配置在第2部分2802與驅動裝置270之間。驅動裝置270與第3部分2803連接。又，第2部分2802與第3部分2803可視為是一個部分。本實施形態中，驅動裝置270係相對終端光學元件13之光軸配置在- Y側。
本實施形態中，第1構件210具有與終端光學元件13之側面13F對向之內側面300、與配置在內側面300之上端周圍之上面310。終端光學元件13之側面13F不射出曝光用光EL、為非射出面。曝光用光EL不通過側面13F、而通過射出面12。
本實施形態中，複數個第1部分2801係以可移動之方式配置在設於第1構件210之複數個孔320之各個中。本實施形態中，相對光路K，於+Y側及-Y側之各側設有孔320。孔320之各個，係於Z軸方向以連結第1構件210之上側空間與下側空間之方式貫通第1構件210。第1構件210之上側空間包含終端光學元件13與第1構件210間之第3空間SP3。第1構件210之下側空間包含第1構件210與第2構件220間之第1空間SP1。又，第1構件210之下側空間亦可包含第2構件220與物體(基板P等)間之第2空間SP2。
本實施形態中，孔320之各個係形成為將第1構件210之內側面300與下面240加以連結。又，如圖24所示，孔320之各個係延伸於X軸方向，配置於孔320之第1部分2801可於X軸方向移動。藉由以驅動裝置270使支承構件280移動於X軸方向，據以使第2構件220移動於X軸方向。
又，配置第1部分2801之孔320之至少一個，可形成為連結第1構件210之上面310與下面240。
設有抑制第1構件210之振動的防振裝置450。本實施形態中，防振裝置450之至少一部分連接於第1支承構件400。防振裝置450之 至少一部分亦可連接於第1構件210。防振裝置450可連接於第1構件210及第1支承構件400之兩方。防振裝置450包含所謂的質量阻尼器。防振裝置450係抑制隨著第2構件220之移動所產生之第1構件210之振動。防振裝置450亦能抑制第1構件210不受第2構件22之移動影響而產生之振動。防振裝置450，抑制例如第1構件210於Z軸方向之振動。此外，防振裝置450亦可以是抑制第1構件210於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ之6個方向之振動。
又，防振裝置450可於第1構件210(第1支承構件400)配置於1處，亦可配置於複數處。
本實施形態中，設有調整驅動裝置270之温度的温度調整裝置410。温度調整裝置410，可包含例如以接觸驅動裝置270之至少一部分之方式配置的管(tube)構件、與將經温度調整之流體(液體及氣體中之一方或兩方)供應至該管構件所具有之流路的流體供應裝置。又，温度調整裝置410，可包含將經温度調整之流體供應至形成在驅動裝置270之至少一部分之內部流路的流體供應裝置。可藉由該供應之流體，調整驅動裝置270之温度。又，温度調整裝置410可具有配置於驅動裝置270之帕耳帖元件。
又，上述第1實施形態中，可設置調整驅動裝置56之温度的温度調整裝置。此外，亦可設置調整防振裝置55之温度的温度調整裝置。
本實施形態中，第2構件220及支承構件280不與第1構件210接觸。第1構件210與第2構件220之間形成有間隙、第1構件210與支承構件280之間亦形成有間隙。驅動裝置270，可以第2構件220及支承構件280與第1構件210不接觸之方式，移動第2構件220及支承構件280。
本實施形態中，支承裝置5000具有以非接觸方式支承第2構件220之至少一部分的支承部420。本實施形態中，支承部420以非接觸方式支承第3部分2803。又，第2部分2802與第3部分2803可視為是一個部分。此時，支承部420係以非接觸方式支承第2部分。
圖26係支承部420之一例的圖。本實施形態中，支承部420之至少一部分係配置於第1構件210。本實施形態中，支承部420之至少一部分係配置在第1構件210之上面310。
支承裝置5000，在第3部分2803之下面與第1構件210之上面310(支承部420)之間具有氣體軸承420G。支承部420包含氣體軸承420G。氣體軸承420G，具有對第3部分2803與第1構件210之間供應氣體的氣體供應口420S、以及排出第3構件2803與第1構件210之間之氣體的氣體排出口420C。藉由氣體軸承420G，第3部分2803(第2支承構件280)相對支承部420(第1構件210)被以非接觸方式支承。又，支承部420G將第2支承構件280(第3部分2803)引導於X軸方向。
又，第2構件220及支承構件280之至少一方可與第1構件210接觸。
如以上之說明，根據本實施形態，支承第1構件210及第2構件220之支承機架53係被支承於防振裝置55。因此，例如因第2構件220之移動而產生振動，亦能抑制該振動傳遞至裝置機架8B、或傳遞至基準機架8A之情形。因此，例如終端光學元件13(投影光學系PL)之振動即受到抑制。從而能抑制曝光不良之生、及產生不良元件。
又，本實施形態中，用以抑制第1構件210之振動之防振裝 置450係連接於第1構件210。因此，即使例如因第2構件220之移動而產生振動，亦能抑制第1構件210之振動。又，由於第1構件210之振動受到抑制，因此第3空間SP3之尺寸產生變化、或第3空間SP3之壓力產生變化之情形即受到抑制。是以，終端光學元件13產生變位(或變形)、或液體LQ從第3空間SP3流出之情形即會受到抑制。此外，由於第1構件210之振動受到抑制，因此第2空間SP2之尺寸產生變化、或第2空間SP2之壓力產生變化之情形受到抑制。，從而，物體(基板P等)產生變位(或變形)、或液體LQ從第2空間SP2流出之情形即會受到抑制。
如圖27所示，可設置檢測第1構件210相對基準構件6200之位置的檢測裝置620。基準構件6200之位置係實質固定。基準構件6200，例如可以是投影光學系PL之至少一部分。基準構件6200，可以是例如保持投影光學系PL之光學元件的保持構件(鏡筒等)。基準構件6200，亦可以是支承投影光學系PL之基準機架8A。基準構件6200，可以是固定在投影光學系PL之構件、亦可以是固定在基準機架8A之構件。
檢測裝置620，包含可檢測第1構件210相對基準構件6200之位置的位置感測器(變位感測器)。檢測裝置620可檢測第1構件210至少於Z軸方向之位置。本實施形態中，檢測裝置620之至少一部分係與基準構件6200透過間隙對向。又，檢測裝置620，亦可以檢測第1構件210於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ之6個方向之位置。
檢測裝置620之檢測結果係輸出至控制裝置6。控制裝置6可根據檢測裝置620之檢測結果以第1構件210相對基準構件6200之變位受到抑制之方式移動第1構件210。控制裝置6亦可根據檢測裝置620之檢 測結果以第1構件210相對基準構件6200之變位受到抑制之方式，使用防振裝置55移動支承機架53。
又，控制裝置6可使用檢測裝置620檢測第1構件210之振動。控制裝置6可針對檢測裝置620之檢測值進行運算處理，以檢測第1構件210之振動(加速度)。控制裝置6可根據檢測裝置620之檢測結果控制防振裝置450，以抑制第1構件210之振動。防振裝置450包含致動器之情形時，控制裝置6可根據檢測裝置620之檢測結果使用防振裝置450進行主動除振(防振)，以抑制第1構件210之振動。又，在可檢測第1構件210之振動的振動感測器(加速度感測器等)配置於第1構件210之情形時，控制裝置6可根據該振動感測器之檢測結果控制防振裝置450，以抑制第1構件210之振動。
又，上述第1、第2實施形態中，如圖28所示，第1構件21(210)之至少一部分可與終端光學元件13之射出面12對向。圖28所示例中，第1構件21(210)具有配置在開口34(340)周圍之上面44。於開口34(340)之上端周圍配置上面44。又，圖28所示例中，第2構件22(220)上面之一部分亦與射出面12對向。
又，上述第1、第2實施形態中，如圖29所示，第1構件21(210)之下面可較射出面12配置在+Z側。此外，於Z軸方向之第1構件21(210)下面之位置(高度)與射出面12之位置(高度)可實質相等。第1構件21(210)之下面可較射出面12配置在-Z側。
又，上述各實施形態中，可將從第1構件21(210)與終端光學元件13間之空間吸引液體LQ及氣體中之至少一方之吸引口設於第1 構件21(210)。
又，上述各實施形態中，液浸構件(5、500)具有第2構件(22、220)之朝向+Z軸方向之上面(25、250)與第1構件21之在開口(34、340)周圍擴展之朝向-Z軸方向之下面(23、230)透過間隙對向之構成。變形例中，液浸構件5S可具有上述以外之構成。例如，液浸構件5S可包含配置在光學構件(終端光學元件13)周圍之至少一部分的第1構件21S與配置在光學構件(終端光學元件13)周圍之少一部分、具有流體回收部27S之可動的第2構件22S，並如圖30所示，將第1構件21S與第2構件22S配置成在第1構件21S之曝光用光EL可通過之第1構件21S之開口34S周圍、即在開口34S附近展開之下面23S與第2構件22S不對向。另一例中，液浸構件(5、500)之下面(23、230)及/或上面(25、250)之至少一部分包含相對Z軸傾斜之面。
又，上述各實施形態中，控制裝置6包含含CPU等之電腦系統。又，控制裝置6包含可實施電腦系統與外部裝置間之通訊的介面。記憶裝置7，例如包含RAM等之記憶體、硬碟、CD-ROM等之記錄媒體。於記憶裝置7安裝有用以控制電腦系統之作業系統(OS)，內儲存有用以控制曝光裝置EX之程式。
又，亦可於控制裝置6連接可輸入輸入信號之輸入裝置。輸入裝置包含鍵盤、滑鼠等之輸入機器、或可輸入來自外部裝置之資料的通訊裝置等。此外，亦可裝設液晶顯示器等之顯示裝置。
包含記錄在記憶裝置7中之程式的各種資訊，可由控制裝置(電腦系統)6加以讀取。於記憶裝置7中，儲存有使控制裝置6實施透過 充滿在射出曝光用光之光學構件之射出面與基板之間之曝光用光之光路的液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制的程式。
又，儲存在記憶裝置7中之程式，可依上述實施形態使控制裝置6實施：使用液浸構件於基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件包含配置在光學構件周圍至少一部分之第1構件、及在第1構件下方配置在曝光用光之光路周圍至少一部分並具有與第1構件之第1下面透過間隙對向之第2上面與能在光學構件下方移動之基板可對向之第2下面之第2構件；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作；以及以防振裝置抑制第1構件之振動的動作。
又，儲存在記憶裝置7中之程式，可依上述實施形態使控制裝置6實施：使用液浸構件於基板上形成液體之液浸空間的動作，液浸構件包含配置在光學構件周圍至少一部分之第1構件、及在第1構件下方配置在曝光用光之光路周圍至少一部分並具有與第1構件之第1下面透過間隙對向之第2上面與能在光學構件下方移動之基板可對向之第2下面之第2構件；透過液浸空間之液體以從射出面射出之曝光用光使基板曝光的動作；於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作；以及以第1構件相對基準構件之變位受到抑制之方式，藉由第1驅動裝置移動第1構件的動作。
藉由將記憶裝置7中儲存之程式讀取至控制裝置6，基板載台2、測量載台3及液浸構件5等曝光裝置EX之各種裝置即協同働作，在形成有液浸空間LS之狀態下，實施基板P之液浸曝光等的各種處理。
又，上述各實施形態中，投影光學系PL之終端光學元件13之射出面12側(像面側)之光路K係被液體LQ充滿。但投影光學系PL亦可以是例如國際公開第2004/019128號小冊子所揭示之終端光學元件13之入射側(物體面側)光路亦被液體LQ充滿之投影光學系。
又，上述各實施形態中，曝光用之液體LQ雖係使用水，但亦可以是水以外之液體。液體LQ，以對曝光用光EL具有穿透性、對曝光用光EL具有高折射率、對形成投影光學系PL或基板P之表面之感光材(光阻劑)等膜安定者較佳。例如，液體LQ可以是氫氟醚(HFE)、全氟化聚醚(PFPE)、氟素潤滑油(fomblin oil)等之氟素系液體。此外，液體LQ亦可是各種流體、例如超臨界流體。
又，上述各實施形態中，基板P係包含半導體元件製造用之半導體晶圓。但基板P亦可包含顯示元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、或曝光裝置所使用之光罩或標線片之原版(合成石英、矽晶圓)等。
又，上述各實施形態中，雖然曝光裝置EX係使光罩M基板P同步移動以對光罩M之圖案進行掃描曝光之步進掃描(step & scan)方式之掃描型曝光裝置(掃描步進機)，但亦可以是例如使光罩M與基板P在靜止之狀態下，使光罩M之圖案一次曝光，並使基板P依序步進移動的之步進重複(step & repeat)方式的投影曝光裝置(步進機)。
再者，於曝光裝置EX係步進重複方式之曝光中，亦可在使第1圖案與基板P大致静止之狀態，使用投影光學系PL將第1圖案之縮小像轉印至基板P上後，在第2圖案與基板P大致静止之狀態，使用投影光 學系PL將第2圖案之縮小像與第1圖案局部重疊而一次曝光至基板P上(接合方式之一次曝光裝置)。又，接合方式之曝光裝置，亦可以是於基板P上至少將二個圖案局部的重疊轉印，並使基板P依序移動之步進接合(step & stitch)方式之曝光裝置。
又，曝光裝置EX亦可以是例如美國專利第6611316號所揭示之將二個光罩之圖案透過投影光學系在基板P上加以合成，以一次掃描曝光使基板P上之一個照射區域大致同時雙重曝光之曝光裝置。此外，曝光裝置EX亦可以是近接方式之曝光裝置、反射鏡投影對準器(mirror projection aligner)等。
又，上述各實施形態中，曝光裝置EX亦可以是例如美國專利第6341007號說明書、美國專利第6208407號說明書及美國專利第6262796號說明書等所揭示之具備複數個基板載台之雙載台型之曝光裝置。例如圖24所示，在曝光裝置EX具備二個基板載台2001、2002之場合，可配置成與射出面12對向之物體，包含一方之基板載台、該一方之基板載台之第1保持部所保持之基板、另一方之基板載台、以及該另一方之基板載台之第1保持部所保持之基板中的至少一者。
又，曝光裝置EX亦可以是具備複數個基板載台與測量載台之曝光裝置。
曝光裝置EX可以是將半導體元件圖案曝光至基板P之半導體元件製造用之曝光裝置，亦可以是液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置，或用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、微機器、MEMS、DN晶片、標線片或光罩等之曝光裝置。
又，上述實施形態中，雖係使用在光透射性基板上形成有既定遮光圖案(或相位圖案、減光圖案)之光透射型光罩，但亦可取代此光罩，使用例如美國專利第6778257號公報所揭示，根據待曝光圖案之電子資料來形成透射圖案或反射圖案、或形成發光圖案之可變成形光罩(電子光罩、主動光罩或影像產生器)。又，亦可取代具有非發光型影像顯示元件之可變成形光罩，而裝備包含自發光型影像顯示元件之圖案形成裝置。
上述各實施形態中，曝光裝置EX雖具備投影光學系PL，但亦可將上述各實施形態所說明之構成要件適用於不使用投影光學系PL之曝光裝置及曝光方法。例如，可將上述各實施形態所說明之構成要件適用於在透鏡等光學構件與基板之間形成液浸空間，透過該光學構件對基板照射曝光用光之曝光裝置及曝光方法。
又，曝光裝置EX亦可以是例如國際公開第2001/035168號小冊子所揭示之藉由在基板P上形成干涉條紋，據以在基板上曝光線與空間圖案(line & space pattern)的曝光裝置(微影系統)。
上述實施形態之曝光裝置EX，係藉由組裝各種次系統(含各構成要素)，以能保持既定之機械精度、電氣精度、光學精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後，係進行對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系統至曝光裝置EX之組裝製程，係包含機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置EX之組裝步驟前，有各次系統個別之組裝步驟。在各種次系統組裝至曝光裝置EX之步驟結束後，即進行綜合調整， 以確保曝光裝置EX整體之各種精度。此外，曝光裝置EX之製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理之無塵室進行。
半導體元件等之微元件，如圖32所示，係經進行微元件之功能、性能設計之步驟201，根據此設計步驟製作光罩M(標線片)之步驟202，製造元件基材之基板之步驟203，包含依據上述實施形態進行基板處理(曝光處理，包含使用光罩M之圖案以曝光用光EL使基板曝光之動作、以及使曝光後基板顯影之動作)的基板処理步驟204，元件組裝步驟(包含切割步驟、結合步驟、封裝步驟等之加工製程)205，以及檢查步驟206等而製造。
又，上述各實施形態之要件可適當加以組合。又，亦有不使用部分構成要素之情形。此外，在法令許可範圍內，援用上述各實施形態及變形例所引用之關於曝光裝置等之所有公開公報及美國專利之揭示作為本文記載之一部分。

Claims (40)

  1. 一種曝光裝置，係透過光學構件與基板間之液體以曝光用光使該基板曝光，其具備：裝置機架；光學系，包含該光學構件；液浸構件，包含配置在該光學構件周圍至少一部分之第1構件、與配置在該光學構件周圍至少一部分之第2構件，可形成液浸空間；驅動裝置，可相對該第1構件、在與該光學構件之光軸實質垂直之面內移動該第2構件；以及防振裝置，透過此裝置將該第1構件支承於該裝置機架；該第2構件，係以該第2構件與能在該光學構件之下方移動之物體的相對速度，較該第1構件與該物體的相對速度小之方式移動。
  2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該防振裝置包含致動器。
  3. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該防振裝置至少控制與該光學構件之光軸實質平行或實質垂直之該第1構件之動作。
  4. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該防振裝置係控制該第1構件相對基準構件之位置。
  5. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其進一步具備檢測該第1構件之位置之第1檢測裝置；該防振裝置係根據該第1檢測裝置之檢測結果控制該第1構件之動作。
  6. 如申請專利範圍第4項之曝光裝置，其進一步具備檢測該第1構件相對該基準構件之位置之第1檢測裝置；該防振裝置係根據該第1檢測裝置之檢測結果，控制該第1構件相對該基準構件之位置。
  7. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其進一步具備檢測該第1構件之加速度之第2檢測裝置；該防振裝置根據該第2檢測裝置之檢測結果控制該第1構件之動作。
  8. 如申請專利範圍第4項之曝光裝置，其進一步具備檢測該第1構件之加速度之第2檢測裝置；該防振裝置係根據該第2檢測裝置之檢測結果，控制該第1構件相對該基準構件之位置。
  9. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該驅動裝置之至少一部分係被支承於該裝置機架。
  10. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該驅動裝置之構成可抑制隨著該第2構件之移動所產生之反作用力往該裝置機架之傳遞。
  11. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該驅動裝置之構成可抵消隨著該第2構件之移動所產生之反作用力。
  12. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該驅動裝置具有抵消隨著該第2構件之移動所產生之反作用力之至少一部分的機構。
  13. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該第2構件係透過該防振裝置被支承於該裝置機架。
  14. 一種曝光裝置，係透過光學構件與基板間之液體以曝光用光使該基板曝光，其具備：裝置機架；光學系，包含該光學構件；液浸構件，包含配置在該光學構件周圍至少一部分之第1構件、與配置在該光學構件周圍至少一部分之第2構件，可形成液浸空間；以及驅動裝置，可相對該第1構件、在與該光學構件之光軸實質垂直之面內移動該第2構件；該驅動裝置之至少一部分係被支承於該裝置機架；該第2構件，係以該第2構件與能在該光學構件之下方移動之物體的相對速度，較該第1構件與該物體的相對速度小之方式移動。
  15. 如申請專利範圍第14項之曝光裝置，其中，該驅動裝置之構成可抑制隨著該第2構件之移動所產生之反作用力往該裝置機架之傳遞。
  16. 如申請專利範圍第14項之曝光裝置，其中，該驅動裝置之構成可抵消隨著該第2構件之移動所產生之反作用力。
  17. 如申請專利範圍第14項之曝光裝置，其中，該驅動裝置具有抵消隨著該第2構件之移動所產生之反作用力至少一部分的機構。
  18. 一種曝光裝置，係透過光學構件與基板間之液體以曝光用光使該基板曝光，其具備：裝置機架；光學系，包含該光學構件；液浸構件，包含配置在該光學構件周圍至少一部分之第1構件、與配置在該光學構件周圍至少一部分之第2構件，可形成液浸空間；驅動裝置，可相對該第1構件、在與該光學構件之光軸實質垂直之面內移動該第2構件；以及支承裝置，透過此裝置將該第1構件以可動之方式支承於該裝置機架；該支承裝置具有致動器；該第2構件，係以該第2構件與能在該光學構件之下方移動之物體的相對速度，較該第1構件與該物體的相對速度小之方式移動。
  19. 如申請專利範圍第18項之曝光裝置，其中，係透過該支承裝置將該第2構件以可動之方式支承於該裝置機架。
  20. 如申請專利範圍第18項之曝光裝置，其中，該支承裝置係控制該第1構件之動作。
  21. 如申請專利範圍第20項之曝光裝置，其中，該支承裝置係控制該第1構件相對基準構件之位置。
  22. 如申請專利範圍第18項之曝光裝置，其中，該支承裝置係將該第1構件及該第2構件以可動之方式支承於該裝置機架，以藉由該致動器移動該第1構件及該第2構件。
  23. 如申請專利範圍第18項之曝光裝置，其中，該光學系係被支承於該裝置機架。
  24. 一種曝光裝置，係透過光學構件之射出面與基板間之液體以曝光用光使該基板曝光，其具備：液浸構件，包含配置在該光學構件周圍至少一部分之第1構件、與在該第1構件之下方配置在該曝光用光之光路周圍至少一部分並具有透過間隙與該第1構件之第1下面對向之第2上面與能在該光學構件之下方移動之物體可對向之第2下面並相對該第1構件可動之第2構件，能在該物體上形成液浸空間；以及防振裝置，用以抑制該第1構件之振動；該第2構件，係以該第2構件與能在該光學構件之下方移動之物體的相對速度，較該第1構件與該物體的相對速度小之方式，在與該光學構件之光軸實質垂直之面內移動。
  25. 如申請專利範圍第1至12、24項中任一項之曝光裝置，其中，該防振裝置可抑制在與該光軸實質平行之第1方向之該第1構件之振動。
  26. 如申請專利範圍第1至12、24項中任一項之曝光裝置，其中，該防振裝置可抑制隨著該第2構件之移動所產生之該第1構件之振動。
  27. 如申請專利範圍第1至12、24項中任一項之曝光裝置，其中，該防振裝置之至少一部分連接於該第1構件。
  28. 如申請專利範圍第4、6、8、21項中任一項之曝光裝置，其中，該基準構件係該光學構件。
  29. 如申請專利範圍第1至24項中任一項之曝光裝置，其進一步具備配置於該液浸構件、可供應用以形成該液浸空間之液體的供應部與配置在該液浸構件、可回收該液浸空間之液體之至少一部分的回收部；與液體從該供應部之供應及液體從該回收部之回收並行，移動該第2構件。
  30. 如申請專利範圍第29項之曝光裝置，其中，該回收部係配置於該第1構件，可回收來自該第2上面所面向之第1空間及該第2下面所面向之第2空間中之至少一方之液體之至少一部分。
  31. 如申請專利範圍第30項之曝光裝置，其中，該第2構件之至少一部分可與該回收部對向。
  32. 如申請專利範圍第29項之曝光裝置，其中，該回收部包含多孔構件。
  33. 如申請專利範圍第29項之曝光裝置，其中，該供應部係配置於該第1構件。
  34. 如申請專利範圍第1至24項中任一項之曝光裝置，其中，該第1構件進一步具有該曝光用光可通過之第1開口；該第2構件進一步具有該曝光用光可通過之第2開口。
  35. 如申請專利範圍第1至24項中任一項之曝光裝置，其中，在從該射出面射出該曝光用光之期間之至少一部分中，該第2構件可移動。
  36. 如申請專利範圍第1至24項中任一項之曝光裝置，其中，該物體包含該基板；在形成有該液浸空間之狀態下，該基板在與該光學構件之光軸實質垂直之面內，移動於第1路徑動後，移動於第2路徑；於該第1路徑中，該基板之移動包含往在該面內與第2軸實質平行之第2方向的移動；於該第2路徑中，該基板之移動包含往在該面內與該第2軸正交之第3軸實質平行之第3方向的移動；該第2構件，在該基板移動於該第2路徑之期間之至少一部分中，移動於該第3方向。
  37. 如申請專利範圍第36項之曝光裝置，其中，在該基板移動於該第1路徑時透過該液浸空間之液體對該基板之照射區域照射該曝光用光，移動於該第2路徑時則不照射該曝光用光。
  38. 如申請專利範圍第36項之曝光裝置，其中，該基板在移動於該第2路徑後，移動於第3路徑，於該第3路徑中，該基板之移動包含往與該第1方向相反之第3方向之移動；該第2構件在該基板移動於該第3路徑之期間之至少一部分中，移動於與該第2方向相反之第4方向。
  39. 如申請專利範圍第1至24項中任一項之曝光裝置，其中，該物體包含保持該基板移動之基板載台。
  40. 一種元件製造方法，包含：使用申請專利範圍第1至39項中任一項之曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光後之該基板顯影的動作。
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