TWI625600B - 曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式、及記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種曝光裝置，其具備包含配置在光學構件周圍至少一部分之第1構件與配置在光學構件周圍一部分之第2構件而能形成液體之液浸空間的液浸構件、可相對第1構件移動第2構件的驅動裝置、以及控制驅動裝置的控制裝置。控制裝置，以從同一列中所含之第1照射區域之曝光結束至第2照射區域之曝光開始為止之基板之第1移動期間中之第2構件的第1動作、與從某一列之第3照射區域之曝光結束至另一列之第4照射區域之曝光開始為止之基板之第2移動期間中之第2構件的第2動作不同之方式，控制驅動裝置。

Description

曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式、及記錄媒體
本發明係關於曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式、及記錄媒體。
本申請案主張2012年10月12日提出申請之日本國專利申請2012-227051號之優先權，並將其內容援用於此。
於微影製程使用之曝光裝置中，有一種例如下述專利文獻1所揭露之透過液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置。
先行技術文獻
[專利文獻1]美國專利第7864292號
於液浸曝光裝置中，當發生例如液體從既定空間流出或殘留在基板等物體上時，即有可能發生曝光不良之情形。其結果，即有可能產生不良元件。
本發明態樣之目的，在提供一種能抑制曝光不良之發生之曝光裝置及曝光方法。又，本發明態樣之另一目的，在提供一種能抑制不良 元件之產生之元件製造方法、程式及記錄媒體。
本發明第1態樣，提供一種曝光裝置，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光：其具備：液浸構件，包含配置在該光學構件周圍之至少一部分之第1構件與配置在光學構件周圍之一部分之第2構件，可形成液體之液浸空間；驅動裝置，可相對第1構件移動第2構件；以及控制裝置，係控制驅動裝置；在使基板上之一列中所含之配置在與掃描方向交叉之方向之複數個照射區域之各個依序曝光前或曝光後，進行與一列不同列之照射區域之曝光；控制裝置，係以從相同列中所含之第1照射區域之曝光結束至第2照射區域之曝光開始為止之基板之第1移動期間中之第2構件的第1動作、與從某一列中之第3照射區域之曝光結束至另一列之第4照射區域之曝光開始為止之基板之第2移動期間中之第2構件的第2動作不同之方式，控制驅動裝置。
本發明第2態樣，提供一種曝光裝置，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光：其具備：液浸構件，包含具有第1下面、配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件與具有和第1下面透過間隙對向之第2上面及基板可對向之第2下面、配置在曝光用光之光路周圍之至少一部分的第2構件，可形成液體之液浸空間；驅動裝置，可相對第1構件移動第2構件；以及控制裝置， 係控制驅動裝置；在使基板上之一列中所含之配置在與掃描方向交叉之方向之複數個照射區域之各個依序曝光前或曝光後，進行與一列不同列之照射區域之曝光；控制裝置，係以從相同列中所含之第1照射區域之曝光結束至第2照射區域之曝光開始為止之基板之第1移動期間中之第2構件的第1動作、與從某一列中之第3照射區域之曝光結束至另一列之第4照射區域之曝光開始為止之基板之第2移動期間中之第2構件的第2動作不同之方式，控制驅動裝置。
本發明第3態樣，提供一種曝光裝置，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光：其具備：液浸構件，包含配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件與配置在光學構件周圍之至少一部分的第2構件，可形成液體之液浸空間；驅動裝置，可相對第1構件移動第2構件；以及控制裝置，係控制驅動裝置；使於掃描方向之第1尺寸之第1、第2照射區域依序曝光前或曝光後，使於掃描方向之與第1尺寸不同之第2尺寸之第3、第4照射區域依序曝光；控制裝置，係以在從第1照射區域之曝光結束至第2照射區域之曝光開始為止之基板之第1移動期間中之第2構件的第1動作、與在從第3照射區域之曝光結束至第4照射區域之曝光開始為止之基板之第2移動期間中之第2構件的第2動作不同之方式，控制驅動裝置。
本發明第4態樣，提供一種曝光裝置，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光：其具 備：液浸構件，包含具有第1下面、配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件與具有和第1下面透過間隙對向之第2上面及基板可對向之第2下面、配置在曝光用光之光路周圍之至少一部分的第2構件，可形成液體之液浸空間；驅動裝置，可相對第1構件移動第2構件；以及控制裝置，係控制驅動裝置；在於掃描方向之第1尺寸之第1、第2照射區域依序曝光前或曝光後，使於掃描方向之與第1尺寸不同之第2尺寸之第3、第4照射區域依序曝光；控制裝置，係以從第1照射區域之曝光結束至第2照射區域之曝光開始為止之基板之第1移動期間中之第2構件的第1動作、與從第3照射區域之曝光結束至第4照射區域之曝光開始為止之基板之第2移動期間中之第2構件的第2動作不同之方式，控制該驅動裝置。
本發明第5態樣，提供一種曝光裝置，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光：其具備：液浸構件，包含配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件、與配置在光學構件周圍之一部分的第2構件，可形成液體之液浸空間；驅動裝置，可相對第1構件移動第2構件；以及控制裝置，係控制驅動裝置；在於掃描方向分別為第1、第2尺寸之第1、第2照射區域依序曝光前或曝光後，使於掃描方向之第3尺寸之第3、第4照射區域依序曝光；控制裝置，係以從第1照射區域之曝光結束至第2照射區域之曝光開始為止之基板之第1移動期間中之第2構件的第1動作、與從第3照射區域之曝光結束至第4照射區域之曝光開始為止之基板之第2移動期間中之第2構件的第2動作不同之方式，控制驅動裝置。
本發明第6態樣，提供一種曝光裝置，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光：其具備：液浸構件，包含具有第1下面、配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件與具有和第1下面透過間隙對向之第2上面及基板可對向之第2下面、配置在曝光用光之光路周圍之至少一部分的第2構件，可形成液體之液浸空間；驅動裝置，可相對第1構件移動第2構件；以及控制裝置，係控制驅動裝置；在於掃描方向之分別為第1、第2尺寸之第1、第2照射區域依序曝光前或曝光後，使於掃描方向之第3尺寸之第3、第4照射區域依序曝光；控制裝置，係以從第1照射區域之曝光結束至第2照射區域之曝光開始為止之基板之第1移動期間中之第2構件的第1動作、與從第3照射區域之曝光結束至第4照射區域之曝光開始為止之基板之第2移動期間中之第2構件的第2動作不同之方式，控制驅動裝置。
本發明第7態樣，提供一種曝光裝置，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光：其具備：液浸構件，包含配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件、與配置在光學構件周圍之一部分的第2構件，可形成液體之液浸空間；驅動裝置，可相對第1構件移動第2構件；以及控制裝置，係控制驅動裝置；該控制裝置，係以在從第1照射區域之曝光結束至第2照射區域之曝光開始為止之基板之第1移動期間中第2構件以第1移動條件移動至與掃描方向交叉之方向之一側、與在從第2照射區域之曝光開始至曝光結束為止之基 板之第2曝光期間中第2構件以和第1移動條件不同之第2移動條件移動至與掃描方向交叉之方向之另一側之方式，控制驅動裝置。
本發明第8態樣，提供一種曝光裝置，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光：其具備：液浸構件，包含具有第1下面、配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件與具有和第1下面透過間隙對向之第2上面及基板可對向之第2下面、配置在曝光用光之光路周圍之至少一部分的第2構件，可形成液體之液浸空間；驅動裝置，可相對第1構件移動第2構件；以及控制裝置，係控制驅動裝置；控制裝置，係以在從第1照射區域之曝光結束至第2照射區域之曝光開始為止之該基板之第1移動期間中第2構件以第1移動條件移動至與掃描方向交叉之方向之一側、與在從第2照射區域之曝光開始至曝光結束為止之基板之第2曝光期間中第2構件以和第1移動條件不同之第2移動條件移動至與掃描方向交叉之方向之另一側之方式，控制驅動裝置。
本發明第9態樣，提供一種曝光裝置，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光：其具備：液浸構件，包含配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件、與配置在光學構件周圍之一部分的第2構件，可形成液體之液浸空間；驅動裝置，可相對第1構件移動第2構件；以及控制裝置，係控制驅動裝置；在基板中一列所含之配置在與掃描方向交叉之方向之複數個照射區域之各個 依序曝光前或曝光後，進行使與一列不同之列之照射區域曝光；控制裝置控制驅動裝置，在從某一列之照射區域之曝光結束、至次一待曝光之另一列之照射區域之曝光開始為止之基板之移動期間中，相對第1構件移動第2構件。
本發明第10態樣，提供一種曝光裝置，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光：其具備：液浸構件，包含具有第1下面、配置在光學構件周圍之至少一部分的第1構件與具有和第1下面透過間隙對向之第2上面及基板可對向之第2下面、配置在曝光用光之光路周圍之至少一部分的第2構件，可形成液體之液浸空間；驅動裝置，可相對第1構件移動第2構件；以及控制裝置，係控制驅動裝置；在基板中一列所含之配置在與掃描方向交叉之方向之複數個照射區域之各個依序曝光前或曝光後，進行使與一列不同之列之照射區域曝光；控制裝置控制驅動裝置，在從某一列之照射區域之曝光結束、至次一待曝光之另一列之照射區域之曝光開始為止之基板之移動期間中，相對第1構件移動第2構件。
本發明第11態樣，提供一種元件製造方法，包含：例如使用第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第8、第9及第10態樣中任一態樣之曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光後之基板顯影的動作。
本發明第12態樣，提供一種曝光方法，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光，其包 含：使用包含配置在光學構件周圍之至少一部分之第1構件、與配置在光學構件周圍之一部分之第2構件的液浸構件，形成液體之液浸空間的動作；透過液浸空間之液體，以從射出面射出之曝光用光使基板上一列中所含之配置在與掃描方向交叉之方向之複數個照射區域之各個依序曝光的動作；在使一列中所含之照射區域曝光之前或曝光後，透過液浸空間之液體使與一列不同之列之照射區域曝光的動作；以及以從相同列中所含之第1照射區域之曝光結束至第2照射區域之曝光開始為止之基板之第1移動期間中之第2構件的第1動作、與從某一列之第3照射區域之曝光結束至另一列之第4照射區域之曝光開始為止之基板之第2移動期間中之該第2構件的第2動作不同之方式，於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第13態樣，提供一種曝光方法，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光，其包含：使用包含具有第1下面、配置在光學構件周圍之至少一部分之第1構件與具有和第1下面透過間隙對向之第2上面及基板可對向之第2下面、配置在曝光用光之光路周圍之至少一部分之第2構件的液浸構件，形成液體之液浸空間的動作；透過液浸空間之液體，以從射出面射出之曝光用光，使基板上一列中所含之配置在與掃描方向交叉之方向之複數個照射區域之各個依序曝光的動作；在使一列中所含之照射區域曝光之前曝光後，透過液浸空間之液體使與一列不同之列之照射區域曝光的動作；以及以從相同列中所含之第1照射區域之曝光結束至第2照射區域之曝光開始為止之基 板之第1移動期間中之第2構件的第1動作、與從某一列之第3照射區域之曝光結束至另一列之第4照射區域之曝光開始為止之基板之第2移動期間中之第2構件的第2動作不同之方式，於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第14態樣，提供一種曝光方法，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光，其包含：使用包含配置在光學構件周圍之至少一部分之第1構件、與配置在光學構件周圍之一部分之第2構件的液浸構件，形成液體之液浸空間的動作；透過液浸空間之該液體，以從該射出面射出之曝光用光，使於掃描方向之第1尺寸之第1、第2照射區域依序曝光的動作；在使第1、第2照射區域曝光之前或曝光後，透過液浸空間之液體，以從射出面射出之曝光用光，使於掃描方向之與第1尺寸不同之第2尺寸之第3、第4照射區域依序曝光的動作；以及以從第1照射區域之曝光結束至第2照射區域之曝光開始為止之基板之第1移動期間中之第2構件的第1動作、與從第3照射區域之曝光結束至第4照射區域之曝光開始為止之基板之第2移動期間中之第2構件的第2動作不同之方式，於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第15態樣，提供一種曝光方法，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光，其包含：使用包含具有第1下面、配置在光學構件周圍之至少一部分之第1構 件與具有和第1下面透過間隙對向之第2上面及基板可對向之第2下面、配置在曝光用光之光路周圍之至少一部分之第2構件的液浸構件，形成液體之液浸空間的動作；透過液浸空間之液體，以從射出面射出之曝光用光，使於掃描方向之第1尺寸之第1、第2照射區域依序曝光的動作；在使第1、第2照射區域曝光之前或曝光後，透過液浸空間之液體，以從射出面射出之曝光用光，使於掃描方向之與第1尺寸不同之第2尺寸之第3、第4照射區域依序曝光的動作；以及以從第1照射區域之曝光結束至第2照射區域之曝光開始為止之基板之第1移動期間中之第2構件的第1動作、與從第3照射區域之曝光結束至第4照射區域之曝光開始為止之基板之第2移動期間中之第2構件的第2動作不同之方式，於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第16態樣，提供一種曝光方法，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光，其包含：使用包含配置在光學構件周圍之至少一部分之第1構件、與配置在光學構件周圍之一部分之第2構件的液浸構件，形成液體之液浸空間的動作；透過液浸空間之液體，以從射出面射出之曝光用光，使於掃描方向之分別為第1、第2尺寸之第1、第2照射區域依序曝光的動作；在使第1、第2照射區域曝光之前或曝光後，透過液浸空間之液體，以從射出面射出之曝光用光，使於掃描方向之第3尺寸之第3、第4照射區域依序曝光的動作；以及以從第1照射區域之曝光結束至第2照射區域之曝光開始為止之基板之第1移動期間中之第2構件的第1動作、與從第3照射區域之曝光結束至 第4照射區域之曝光開始為止之基板之第2移動期間中之第2構件的第2動作不同之方式，於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第17態樣，提供一種曝光方法，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光，其包含：使用包含具有第1下面、配置在光學構件周圍之至少一部分之第1構件與具有和第1下面透過間隙對向之第2上面及基板可對向之第2下面、配置在曝光用光之光路周圍之至少一部分之第2構件的液浸構件，形成液體之液浸空間的動作；透過液浸空間之液體，以從射出面射出之曝光用光，使於掃描方向之分別為第1、第2尺寸之第1、第2照射區域依序曝光的動作；在使第1、第2照射區域曝光之前或曝光後，透過液浸空間之液體，以從射出面射出之曝光用光，使於掃描方向之第3尺寸之第3、第4照射區域依序曝光的動作；以及以從第1照射區域之曝光結束至第2照射區域之曝光開始為止之基板之第1移動期間中之第2構件的第1動作、與從第3照射區域之曝光結束至第4照射區域之曝光開始為止之基板之第2移動期間中之第2構件的第2動作不同之方式，於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第18態樣，提供一種曝光方法，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光，其包含：使用包含配置在光學構件周圍之至少一部分之第1構件、與配置在光 學構件周圍之一部分之第2構件的液浸構件，形成液體之液浸空間的動作；透過液浸空間之液體，以從射出面射出之曝光用光使基板之第1、第2照射區域依序曝光的動作；以及以在從該第1照射區域之曝光結束至該第2照射區域之曝光開始為止之該基板之第1移動期間中該第2構件以第1移動條件移動至與該掃描方向交叉之方向之一側、而在從該第2照射區域之曝光開始至曝光結束為止之該基板之第2曝光期間中該第2構件以和該第1移動條件不同之第2移動條件移動至與該掃描方向交叉之方向之另一側之方式，於該基板之曝光之至少一部分中，相對該第1構件移動該第2構件的動作。
本發明第19樣，提供一種曝光方法，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光，其包含：使用包含具有第1下面、配置在光學構件周圍之至少一部分之第1構件與具有和第1下面透過間隙對向之第2上面及基板可對向之第2下面、配置在曝光用光之光路周圍之至少一部分之第2構件的液浸構件，形成液體之液浸空間的動作；透過液浸空間之液體，以從射出面射出之曝光用光使基板之第1、第2照射區域依序曝光的動作；以及以在從該第1照射區域之曝光結束至該第2照射區域之曝光開始為止之該基板之第1移動期間中該第2構件以第1移動條件移動至與該掃描方向交叉之方向之一側、而在從該第2照射區域之曝光開始至曝光結束為止之該基板之第2曝光期間中該第2構件以和該第1移動條件不同之第2移動條件移動至與該掃描方向交叉之方向之另一側之方式，於該基板之曝光之至少一部分中，相對該第1 構件移動該第2構件的動作。
本發明第20態樣，提供一種曝光方法，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光，其包含：使用包含配置在光學構件周圍之至少一部分之第1構件、與配置在光學構件周圍之一部分之第2構件的液浸構件，形成液體之液浸空間的動作；透過液浸空間之液體，以從射出面射出之曝光用光使該基板上一列中所含之配置在與掃描方向交叉之方向之複數個照射區域之各個依序曝光的動作；在使一列中所含之照射區域曝光之前或曝光後，透過液浸空間之液體使與一列不同之列之照射區域曝光的動作；以及在從某一列之照射區域之曝光結束、至次一待曝光之另一列之照射區域之曝光開始為止之基板之移動期間中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第21態樣，提供一種曝光方法，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光，其包含：使用包含具有第1下面、配置在光學構件周圍之至少一部分之第1構件與具有和第1下面透過間隙對向之第2上面及基板可對向之第2下面、配置在曝光用光之光路周圍之至少一部分之第2構件的液浸構件，形成液體之液浸空間的動作；透過液浸空間之液體，以從射出面射出之曝光用光使基板上一列中所含之配置在與掃描方向交叉之方向之複數個照射區域之各個依序曝光的動作；在使一列中所含之照射區域曝光之前或曝光後，透過液浸空間之液體使與一列不同之列之照射區域曝光的動作；以及在從某 一列之照射區域之曝光結束、至次一待曝光之另一列之照射區域之曝光開始為止之基板之移動期間中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第22態樣，提供一種元件製造方法，其包含：使用第12、第13、第14、第15、第16、第17、第18、第19、第20及第21態樣中任一態樣之曝光方法使基板曝光的動作；以及使曝光後之基板顯影的動作。
本發明第23態樣，提供一種程式，係使電腦實施一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光之曝光裝置之控制，其使之實施：使用包含具有第1下面、配置在光學構件周圍之至少一部分之第1構件與具有和第1下面透過間隙對向之第2上面及基板可對向之第2下面、配置在曝光用光之光路周圍之至少一部分之第2構件的液浸構件，形成液體之液浸空間的動作；透過液浸空間之液體，以從射出面射出之曝光用光，使基板上一列中所含之配置在與掃描方向交叉之方向之複數個照射區域之各個依序曝光的動作；在使一列中所含之照射區域曝光之前曝光後，透過液浸空間之液體使與一列不同之列之照射區域曝光的動作；以及以從相同列中所含之第1照射區域之曝光結束至第2照射區域之曝光開始為止之基板之第1移動期間中之第2構件的第1動作、與從某一列之第3照射區域之曝光結束至另一列之第4照射區域之曝光開始為止之基板之第2移動期間中之第2構件的第2動作不同之方式，於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第24態樣，提供一種程式，係使電腦實施一邊相對 從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光之曝光裝置之控制，其使之實施：使用包含具有第1下面、配置在光學構件周圍之至少一部分之第1構件與具有和第1下面透過間隙對向之第2上面及基板可對向之第2下面、配置在曝光用光之光路周圍之至少一部分之第2構件的液浸構件，形成液體之液浸空間的動作；透過液浸空間之液體，以從射出面射出之曝光用光，使於掃描方向之第1尺寸之第1、第2照射區域依序曝光的動作；在使第1、第2照射區域曝光之前或曝光後，透過液浸空間之液體，以從射出面射出之曝光用光，使於掃描方向之與第1尺寸不同之第2尺寸之第3、第4照射區域依序曝光的動作；以及以從第1照射區域之曝光結束至第2照射區域之曝光開始為止之基板之第1移動期間中之第2構件的第1動作、與從第3照射區域之曝光結束至第4照射區域之曝光開始為止之基板之第2移動期間中之第2構件的第2動作不同之方式，於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第25態樣，提供一種程式，係使電腦實施一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光之曝光裝置之控制，其使之實施：使用包含具有第1下面、配置在光學構件周圍之至少一部分之第1構件與具有和第1下面透過間隙對向之第2上面及基板可對向之第2下面、配置在曝光用光之光路周圍之至少一部分之第2構件的液浸構件，形成液體之液浸空間的動作；透過液浸空間之液體，以從射出面射出之曝光用光，使於掃描方向之分別為第1、第2尺寸之第1、 第2照射區域依序曝光的動作；在使第1、第2照射區域曝光之前或曝光後，透過液浸空間之液體，以從射出面射出之曝光用光，使於掃描方向之第3尺寸之第3、第4照射區域依序曝光的動作；以及以從第1照射區域之曝光結束至第2照射區域之曝光開始為止之基板之第1移動期間中之第2構件的第1動作、與從第3照射區域之曝光結束至第4照射區域之曝光開始為止之基板之第2移動期間中之第2構件的第2動作不同之方式，於基板之曝光之至少一部分中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第26態樣，提供一種程式，係使電腦實施一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光之曝光裝置之控制，其使之實施：使用包含具有第1下面、配置在光學構件周圍之至少一部分之第1構件與具有和第1下面透過間隙對向之第2上面及基板可對向之第2下面、配置在曝光用光之光路周圍之至少一部分之第2構件的液浸構件，形成液體之液浸空間的動作；透過液浸空間之液體，以從射出面射出之曝光用光使基板之第1、第2照射區域依序曝光的動作；以及以在從該第1照射區域之曝光結束至該第2照射區域之曝光開始為止之該基板之第1移動期間中該第2構件以第1移動條件移動至與該掃描方向交叉之方向之一側、而在從該第2照射區域之曝光開始至曝光結束為止之該基板之第2曝光期間中該第2構件以和該第1移動條件不同之第2移動條件移動至與該掃描方向交叉之方向之另一側之方式，於該基板之曝光之至少一部分中，相對該第1構件移動該第2構件的動作。
本發明第27態樣，提供一種程式，係使電腦實施一邊相對 從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過射出面與基板間之液體以曝光用光使基板之複數個照射區域之各個依序曝光之曝光裝置之控制，其使之實施：使用包含具有第1下面、配置在光學構件周圍之至少一部分之第1構件與具有和第1下面透過間隙對向之第2上面及基板可對向之第2下面、配置在曝光用光之光路周圍之至少一部分之第2構件的液浸構件，形成液體之液浸空間的動作；透過液浸空間之液體，以從射出面射出之曝光用光使基板上一列中所含之配置在與掃描方向交叉之方向之複數個照射區域之各個依序曝光的動作；在使一列中所含之照射區域曝光之前或曝光後，透過液浸空間之液體使與一列不同之列之照射區域曝光的動作；以及在從某一列之照射區域之曝光結束、至次一待曝光之另一列之照射區域之曝光開始為止之基板之移動期間中，相對第1構件移動第2構件的動作。
本發明第28態樣，提供一種電腦可讀取之記錄媒體，其記錄有第23、第24、第25、第26及第27態樣中任一態樣之程式。
根據本發明之態樣，能抑制曝光不良之發生。又，根據本發明之態樣，能抑制不良元件之產生。
1‧‧‧光罩載台
2‧‧‧基板載台
2C‧‧‧可動子
3‧‧‧測量載台
3C‧‧‧可動子
4‧‧‧測量系統
5、5S、5T‧‧‧液浸構件
6‧‧‧控制裝置
7‧‧‧記憶裝置
8A‧‧‧基準機架
8B‧‧‧裝置機架
9‧‧‧腔室裝置
10‧‧‧防振裝置
11‧‧‧驅動系統
12‧‧‧射出面
13‧‧‧終端光學元件
13F‧‧‧終端光學元件之側面
14‧‧‧基座構件
14G‧‧‧導引面
14M‧‧‧固定子
15‧‧‧驅動系統
21、21T‧‧‧第1構件
21S‧‧‧支承構件
22、22T‧‧‧第2構件
22S‧‧‧支承構件
23、23S、23T‧‧‧下面
24‧‧‧液體回收部
24C‧‧‧液體回收裝置
24R‧‧‧回收流路
25、25T‧‧‧上面
26、26T‧‧‧下面
27、27T‧‧‧液體回收部
27C‧‧‧液體回收裝置
27R‧‧‧回收流路
28‧‧‧第1構件之內側面
29‧‧‧外側面
30‧‧‧內側面
31‧‧‧液體供應部
31R‧‧‧供應流路
31S‧‧‧液體供應裝置
32‧‧‧驅動裝置
34、34S‧‧‧開口
35‧‧‧開口
35U‧‧‧第2構件之內面
36、37‧‧‧多孔構件
38‧‧‧誘導部
38K‧‧‧狹縫
38R‧‧‧壁部
40‧‧‧開口
2001、2002‧‧‧基板載台
C‧‧‧測量構件
CS‧‧‧空間
d1~d6‧‧‧位置
EL‧‧‧曝光用光
EX‧‧‧曝光裝置
Ga~Gj、Gpq、Gr‧‧‧列
IL‧‧‧照明系
IR‧‧‧照明區域
Jm、Jrm、Jr、Js、Jsm‧‧‧位置
K‧‧‧光路
LG、LG1~LG3‧‧‧界面
LQ‧‧‧液體
LS‧‧‧液浸空間
M‧‧‧光罩
P‧‧‧基板
PL‧‧‧投影光學系
PR‧‧‧投影區域
S、S1~S3、Sa3、Sa4‧‧‧照射區域
Sc1~Sc4‧‧‧照射區域
Sd1~Sd3‧‧‧照射區域
Se12‧‧‧照射區域
Sf1~Sf4‧‧‧照射區域
Si1~Si2‧‧‧照射區域
Sj1~Sj4‧‧‧照射區域
Sm1~Sm2、Sn1~Sn2、Sp~Sq、Sr1~Sr2‧‧‧照射區域
SP1~SP3‧‧‧第1~第3空間
SPK‧‧‧光路空間
T‧‧‧覆蓋構件
Tc1~Tc3、Ts、Ts1、Ts2‧‧‧期間
Tp1~Tp5‧‧‧路徑
圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置之一例的圖。
圖2係顯示第1實施形態之液浸構件之一例的側視剖面圖。
圖3係顯示第1實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。
圖4係顯示第1實施形態之液浸構件之一動作例的圖。
圖5係從下方觀察第1實施形態之液浸構件的圖。
圖6係顯示第1實施形態之液浸構件之一例的分解立體圖。
圖7係顯示第1實施形態之液浸構件之一例的分解立體圖。
圖8係顯示第1實施形態之第1構件之一例的圖。
圖9係用以說明第1實施形態之液浸構件之一動作例的圖。
圖10係用以說明第1實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖11係用以說明第1實施形態之曝光裝置之一動作例的示意圖。
圖12係用以說明第1實施形態之液浸構件之一動作例的示意圖。
圖13係用以說明第1實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖14係用以說明第1實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖15係用以說明第1實施形態之第2構件之一動作例的圖。
圖16係用以說明第1實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖17係用以說明第1實施形態之第2構件之一動作例的圖。
圖18係用以說明第2實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖19係用以說明第2實施形態之第2構件之一動作例的圖。
圖20係用以說明第3實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖21係用以說明第3實施形態之第2構件之一動作例的圖。
圖22係用以說明第4實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖23係用以說明第4實施形態之第2構件之一動作例的圖。
圖24係用以說明第4實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖25係用以說明第4實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖26係用以說明第4實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖27係用以說明第4實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖28係用以說明第4實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖29係用以說明第4實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖30係用以說明第5實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖31A係用以說明第5實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖3IB係用以說明第5實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖31C係用以說明第5實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖32A係用以說明第5實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖32B係用以說明第5實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。
圖33係顯示液浸構件之一例的圖。
圖34係顯示液浸構件之一例的圖。
圖35係顯示液浸構件之一例的圖。
圖36係顯示液浸構件之一例的圖。
圖37係顯示基板載台之一例的圖。
圖38係用以說明元件製造方法之一例的流程圖。
以下，一邊參照圖式一邊說明本發明之實施形態，但本發明並不限定於此。以下之說明中，係設定一XYZ正交座標系，一邊參照此XYZ正交座標系一邊說明各部之位置關係。並設水平面內之既定方向為X軸方向、於水平面內與X軸方向正交之方向為Y軸方向、分別與X軸方向及Y軸方向正交之方向(亦即鉛直方向)為Z軸方向。此外，設繞X軸、Y軸 及Z軸旋轉(傾斜)方向分別為θ X、θ Y及θ Z方向。
<第1實施形態>
首先，說明第1實施形態。圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置EX之一例的概略構成圖。本實施形態之曝光裝置EX係透過液體LQ以曝光用光EL使基板P曝光之液浸曝光裝置。於本實施形態，形成有將曝光用光EL之光路以液體LQ加以充滿之液浸空間LS。液浸空間LS係被液體充滿之部分(空間、區域)。基板P係透過液浸空間LS之液體LQ以曝光用光EL加以曝光。本實施形態中，液體LQ係使用水(純水)。
本實施形態之曝光裝置EX，係例如美國專利第6897963號說明書、歐洲專利公開第1713113號說明書等所揭示之具備基板載台與測量載台的曝光裝置。
圖1中，曝光裝置EX，具備：可保持光罩M移動的光罩載台1、可保持基板P移動的基板載台2、不保持基板P而可搭載測量曝光用光EL之測量構件(測量器)C移動的測量載台3、測量基板載台2及測量載台3之位置的測量系統4、以曝光用光EL照明光罩M的照明系IL、將經曝光用光EL照明之光罩M之圖案之像投影至基板P的投影光學系PL、形成液浸空間LS的液浸構件5、控制曝光裝置EX全體之動作的控制裝置6、以及連接於控制裝置6用以儲存與曝光相關之各種資訊的記憶裝置7。
又，曝光裝置EX，亦具備支承投影光學系PL及包含測量系統4之各種測量系統的基準機架8A、支承基準機架8A的裝置機架8B、配置在基準機架8A與裝置機架8B之間用以抑制振動從裝置機架8B傳遞至基準機架8A的防振裝置10。本實施形態中，防振裝置10包含氣體彈簧(例 如air mount)。此外，亦可將檢測基板P上之對準標記的檢測系統、或檢測基板P等物體之表面位置的檢測系統之一方或兩方支承於基準機架8A。
又，曝光裝置EX，具備調整曝光用光EL行進之空間CS之環境(温度、濕度、壓力及潔淨度中之至少一種)的腔室裝置9。於空間CS，至少配置有投影光學系PL、液浸構件5、基板載台2及測量載台3。本實施形態中，光罩載台1及照明系IL之至少一部分亦配置於空間CS。
光罩M包含形成有待投影至基板P之元件圖案之標線片(reticle)。光罩M包含透射型光罩，此種透射型光罩具有例如玻璃板等之透明板、與在該透明板上使用鉻等遮光材料形成之圖案。又，光罩M亦可使用反射型光罩。
基板P係用以製造元件之基板。基板P包含例如半導體晶圓等之基材與該基材上形成之感光膜。感光膜係感光材(photoresist光阻劑)之膜。又，基板P除感光膜外亦可再包含其他膜。例如，基板P可包含反射防止膜、或包含保護感光膜之保護膜(topcoat膜)。
照明系IL對照明區域IR照射曝光用光EL。照明區域IR包含從照明系IL射出之曝光用光EL可照射之位置。照明系IL以均勻照度分布之曝光用光EL照明配置在照明區域IR之光罩M之至少一部分。從照明系IL射出之曝光用光EL，係使用例如從水銀燈射出之輝線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)、ArF準分子雷射光(波長193nm)及F2雷射光(波長157nm)等之真空紫外光(VUV光)等。本實施形態中，曝光用光EL係使用紫外光(真空紫外光)之ArF準分子雷射光。
光罩載台1能在保持光罩M之狀態下移動。光罩載台1係 藉由例如美國專利第6452292號所揭示之包含平面馬達之驅動系統11之作動而移動。本實施形態中，光罩載台1可藉由驅動系統11之作動，移動於X軸、Y軸、Z軸、θ X、θ Y及θ Z方向之6個方向。又，驅動系統11可不包含平面馬達。例如，驅動系統11可包含線性馬達。
投影光學系PL將曝光用光EL照射於既定投影區域PR。投影區域PR包含從投影光學系PL射出之曝光用光EL可照射到之位置。投影光學系PL將光罩M之圖案像以既定投影倍率投影至配置在投影區域PR之基板P之至少一部分。本實施形態中，投影光學系PL為縮小系。投影光學系PL之投影倍率為1/4。又，投影光學系PL之投影倍率亦可以是1/5、或1/8等。當然，投影光學系PL亦可以是等倍系及放大系之任一者。本實施形態中，投影光學系PL之光軸與Z軸平行。又，投影光學系PL可以是不包含反射光學元件之折射系、不包含折射光學元件之反射系、或包含反射光學元件與折射光學元件之反射折射系中之任一種。又，投影光學系PL可形成倒立像與正立像之任一種。
投影光學系PL，包含具有曝光用光EL射出之射出面12的終端光學元件13。終端光學元件13係構成投影光學系PL之一部分之光學構件。射出面12朝向投影光學系PL之像面射出曝光用光EL。終端光學元件13係投影光學系PL之複數個光學元件中、最接近投影光學系PL之像面的光學元件。投影區域PR包含從射出面12射出之曝光用光EL可照射到之位置。本實施形態中，射出面12朝向-Z軸方向。從射出面12射出之曝光用光EL，行進於-Z軸方向。射出面12與XY平面平行。又，朝向-Z軸方向之射出面12可以是凸面、亦可以是凹面。此外，射出面12可相對XY 平面傾斜、亦可包含曲面。本實施形態中，終端光學元件13之光軸與Z軸平行。
本實施形態中，在與終端光學元件13之光軸平行之方向，射出面12側為-Z軸側、入射面側為+Z軸側。在與投影光學系PL之光軸平行之方向，投影光學系PL之像面側為-Z軸側、投影光學系PL之物體面側為+Z軸側。
基板載台2，能在保持有基板P之狀態下，在包含來自射出面12之曝光用光EL可照射到之位置(投影區域PR)的XY平面內移動。測量載台3，能在搭載有測量構件(測量器)C之狀態下，在包含來自射出面12之曝光用光EL可照射到之位置(投影區域PR)的XY平面內移動。基板載台2及測量載台3之各個，能在基座構件14之導引面14G上移動。導引面14G與XY平面實質平行。
基板載台2具有例如美國專利申請公開第2007/0177125號說明書、及美國專利申請公開第2008/0049209號說明書等所揭示之將基板P保持成可釋放之第1保持部與配置在第1保持部周圍、將覆蓋構件T保持成可釋放之第2保持部。第1保持部將基板P保持成基板P之表面(上面)與XY平面實質平行。被保持於第1保持部之基板P之上面與被保持於第2保持部之覆蓋構件T之上面，實質上配置在同一平面內。於Z軸方向，射出面12與被保持於第1保持部之基板P之上面間之距離，和射出面12與被保持於第2保持部之覆蓋構件T之上面間之距離實質相等。又，於Z軸方向，射出面12與基板P上面間之距離和射出面12與覆蓋構件T上面間之距離實質相等，包含射出面12與基板P上面間之距離和射出面12與覆蓋 構件T上面間之距離之差，在基板P之曝光時射出面12與基板P上面間之距離(所謂，工作距離)之例如10%以內的情形。當然，被保持於第1保持部之基板P之上面與被保持於第2保持部之覆蓋構件T之上面可以不是配置在同一平面內。例如，於Z軸方向，基板P上面之位置與覆蓋構件T上面之位置可以不同。例如，基板P之上面與覆蓋構件T之上面之間可以有段差。此外，覆蓋構件T之上面可相對基板P之上面傾斜、或覆蓋構件T之上面可包含曲面。
基板載台2及測量載台3，係藉由例如美國專利第6452292號所揭示之包含平面馬達之驅動系統15之作動而移動。驅動系統15具有配置在基板載台2之可動子2C、配置在測量載台3之可動子3C、與配置在基座構件14之固定子14M。基板載台2及測量載台3可分別藉由驅動系統15之作動，在導引面14G上移動於X軸、Y軸、Z軸、θ X、θ Y及θ Z方向之6個方向。又，驅動系統15可不包含平面馬達。例如，驅動系統15可包含線性馬達。
測量系統4包含干涉儀系統。干涉儀系統包含對基板載台2之測量鏡(mirror)及測量載台3之測量鏡照射測量光，以測量該基板載台2及測量載台3之位置的單元。又，測量系統可包含例如美國專利申請公開第2007/0288121號說明書所揭示之編碼器系統。此外，測量系統4亦可僅包含干涉儀系統及編碼器系統中之任一方。
實施基板P之曝光處理時、或實施既定測量處理時，控制裝置6根據測量系統4之測量結果，實施基板載台2(基板P)及測量載台3(測量構件C)之位置控制。
其次，說明本實施形態之液浸構件5。又，亦可將液浸構件稱為嘴(nozzle)構件。圖2係與XZ平面平行之液浸構件5的剖面圖。圖3係將圖2之一部分予以放大的圖。圖4係顯示液浸構件5之一動作例的圖，圖5係從下側(-Z側)觀察液浸構件5的圖。圖6及圖7係液浸構件5的分解立體圖。
液浸構件5在能於終端光學元件13之下方移動之物體上形成液體LQ之液浸空間LS。
能在終端光學元件13之下方移動之物體，可在包含與射出面12對向之位置的XY平面內移動。該物體能與射出面12對向、能配置於投影區域PR。該物體能在液浸構件5之下方移動、能與液浸構件5對向。本實施形態中，該物體包含基板載台2之至少一部分(例如基板載台2之覆蓋構件T)、被保持於基板載台2(第1保持部)之基板P、及測量載台3中之至少一者。於基板P之曝光中，形成一將終端光學元件13之射出面12與基板P間之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿之液浸空間LS。形成一在基板P被曝光用光EL照射時，僅包含投影區域PR之基板P之表面部分區域被液體LQ覆蓋之液浸空間LS。
以下之說明中，係設物體為基板P。又，如前所述，物體可以是基板載台2及測量載台3中之至少一方，亦可以是與基板P、基板載台2及測量載台3不同之其他物體。
液浸空間LS有跨於2個物體形成之情形。例如，液浸空間LS有跨於基板載台2之覆蓋構件T與基板P而形成之情形。液浸空間LS亦有跨於基板載台2與測量載台3而形成之情形。
液浸空間LS係以從終端光學元件13之射出面12射出之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿之方式形成。液浸空間LS之至少一部分形成在終端光學元件13與基板P(物體)間之空間。又，液浸空間LS之至少一部分形成在液浸構件5與基板P(物體)之間之空間。
液浸構件5，具備配置在終端光學元件13周圍至少一部分之第1構件21、與在第1構件21之下方配置在光路K周圍之至少一部分可相對第1構件21移動之第2構件22。第2構件22相對第1構件21是可動的。
第1構件21係配置在較第2構件22離開基板P(物體)之位置。第2構件22之至少一部分配置在第1構件21與基板P(物體)之間。第2構件22之至少一部分係配置在終端光學元件13與基板P(物體)之間。又，第2構件22亦可以不是配置在終端光學元件13與基板P(物體)之間。
第1構件21，具有朝向-Z軸方向之下面23與配置在下面23周圍之至少一部分、可回收液體LQ之液體回收部24。又，亦可將液體回收部24稱為可回收流體(液體LQ及氣體之一方或兩方)之流體回收部。第2構件22，具有朝向+Z軸方向之上面25、朝向-Z軸方向之下面26、以及配置在下面26周圍之至少一部分之流體回收部27。液體回收部24回收液浸空間LS之液體LQ之至少一部分。流體回收部27回收液浸空間LS之液體LQ之至少一部分。又，可將下面23稱為第1下面。此外，亦可將上面25稱為第2上面、將下面26稱為第2下面。
第1構件21，具有與終端光學元件13之側面13F對向之內側面28、與相對光路K(終端光學元件13之光軸)朝向外側之外側面29。第 2構件22，具有透過間隙與外側面29對向之內側面30。又，可將第1構件21之內側面28稱為對向面。
第1構件21之內側面28，透過間隙與終端光學元件13之側面13F對向。
第2構件22可對向於下面23。第2構件22可對向於液體回收部24。第2構件22之上面25之至少一部分，透過間隙與下面23對向。上面25之至少一部分透過間隙與射出面12對向。當然，上面25亦可不與射出面12對向。
基板P(物體)可對向於下面26。基板P(物體)可對向於流體回收部27之至少一部分。基板P之上面之至少一部分透過間隙與下面26對向。基板P之上面之至少一部分透過間隙與射出面12對向。
於Z軸方向，基板P(物體)之上面與射出面12間之間隙之尺寸，較基板P之上面與下面26間之間隙之尺寸大。又，基板P(物體)之上面與射出面12間之間隙之尺寸，可與基板P之上面與下面26間之間隙之尺寸實質不相等。此外，基板P(物體)之上面與射出面12間之間隙之尺寸，可較基板P之上面與下面26間之間隙之尺寸小。
下面23與上面25之間形成第1空間SP1。下面26與基板P(物體)之上面之間形成第2空間SP2。側面13F與內側面28之間形成第3空間SP3。
上面25相對液體LQ為撥液性。本實施形態中，上面25包含含氟之樹脂之膜之表面。上面25包含PFA(Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)之膜之表面。又，上面25亦可包含PTFE(Poly tetra fluoro ethylene)之膜之表面。上面25對液體LQ之上面25之接觸角大於90度。又，上面25對液體LQ之接觸角，例如可大於100度、亦可大於110度、或大於120度。
由於上面25對液體LQ為撥液性，因此於第1空間SP1之液體LQ產生氣體部分、或氣泡混入液體LQ之情形受到抑制。
又，上面25對液體LQ之接觸角可大於基板P之上面對液體LQ之接觸角。又，上面25對液體LQ之接觸角可小於基板P之上面對液體LQ之接觸角。又，上面25對液體LQ之接觸角亦可與基板P之上面對液體LQ之接觸角實質相等。
又，上面25對液體LQ可以是親液性。上面25對液體LQ之接觸角可小於90度、可小於80度、亦可小於70度。據此，於第1空間SP1中液體LQ可順暢的流動。
又，下面23對液體LQ可以是撥液性。例如，下面23及上面25之兩方可對液體LQ為撥液性。下面23對液體LQ之接觸角，可以是大於90度、大於100度、大於110度、亦可大於120度。
此外，亦可以是下面23對液體LQ為撥液性、而上面25對液體LQ為親液性。下面23對液體LQ之接觸角，可較上面25對液體LQ之接觸角大。
又，下面23對液體LQ亦可以是親液性。例如，下面23及上面25之兩方對液體LQ可以是親液性。下面23對液體LQ之接觸角，可以是小於90度、小於80度、或小於70度。
此外，亦可以是下面23對液體LQ為親液性、而上面25對 液體LQ為撥液性。下面23對液體LQ之接觸角，可較上面25對液體LQ之接觸角小。
本實施形態中，下面26對液體LQ為親液性。下面26對液體LQ之接觸角可小於90度、小於80度、亦可小於70度。本實施形態中，下面26對液體LQ之接觸角較基板P之上面對液體LQ之接觸角小。又，下面26對液體LQ之接觸角可大於、或實質等於基板P之上面對液體LQ之接觸角。
終端光學元件13之側面13F配置在射出面12之周圍。側面13F係不射出曝光用光EL之非射出面。曝光用光EL通過射出面12、但不通過側面13F。
第1構件21之下面23不回收液體LQ。下面23為非回收部，無法回收液體LQ。第1構件21之下面23，能在與第2構件22之間保持液體LQ。
第2構件22之上面25不回收液體LQ。上面25為非回收部，無法回收液體LQ。第2構件22之上面25，能在與第1構件21之間保持液體LQ。
第2構件22之下面26不回收液體LQ。下面26為非回收部，無法回收液體LQ。第2構件22之下面26，能在與基板P(物體)之間保持液體LQ。
內側面28、外側面29及內側面30不回收液體LQ。內側面28、外側面29及內側面30為非回收部，無法回收液體LQ。
本實施形態中，下面23與XY平面實質平行。上面25亦與 XY平面實質平行。下面26亦與XY平面實質平行。亦即，下面23與上面25實質平行。上面25與下面26實質平行。
又，下面23相對XY平面可以是非平行，亦可包含曲面。下面23可相對XY平面傾斜、亦可包含曲面。
又，上面25相對XY平面可以是非平行。上面25可相對XY平面傾斜、亦可包含曲面。
又，下面26相對XY平面可以是非平行。下面26可相對XY平面傾斜、亦可包含曲面。
又，下面23與上面25可以是平行的、亦可以是非平行。上面25與下面26可以是平行的、亦可以是非平行。下面23與下面26可以是平行的、亦可以是非平行。
第1構件21具有從射出面12射出之曝光用光EL可通過之開口34。第2構件22具有從射出面12射出之曝光用光EL可通過之開口35。又，可將開口34稱為第1開口、將開口35稱為第2開口。於開口34之內側配置終端光學元件13之至少一部分。於開口34之下端周圍配置下面23。於開口35之上端周圍配置上面25。於開口35之下端周圍配置下面26。
本實施形態中，第2構件22之內面35U之至少一部分，係於相對光路K之放射方向朝外側向上方傾斜。第2構件22之內面35U之至少一部分，規定面向光路K之開口35。據此，在第2構件22之內面35U配置於液浸空間LS之狀態下，第2構件22能順暢的移動。此外，即使在第2構件22之內面35U配置於液浸空間LS之狀態下第2構件22移動，液浸空間LS之液體LQ之壓力變動的情形亦會受到抑制。
開口34於XY平面內之尺寸，較開口35之尺寸大。於X軸方向，開口34之尺寸較開口35之尺寸大。於Y軸方向，開口34之尺寸較開口35之尺寸大。本實施形態中，緊接著射出面12之下方，不配置第1構件21。第1構件21之開口34配置在射出面12之周圍。開口34較射出面12大。在終端光學元件13之側面13F與第1構件21之間所形成之間隙之下端，係面向第2構件22之上面25。第2構件22之開口35配置成與射出面12對向。開口35於XY平面內之形狀係於X軸方向長之長方形狀。又，開口35之形狀亦可以是於X軸方向長之橢圓形、或於X軸方向長之多角形。
又，開口34之尺寸可較開口35之尺寸小。當然，開口34之尺寸亦可與開口35之尺寸實質相等。
第1構件21配置在終端光學元件13之周圍。第1構件21為環狀構件。第1構件21被配置成不接觸終端光學元件13。第1構件21與終端光學元件13之間形成有間隙。第1構件21不與射出面12對向。又，第1構件21之一部分可與射出面12對向。亦即，第1構件21之一部分，可以是配置在射出面12與基板P(物體)之上面之間。又，第1構件21亦可以不是環狀。例如，第1構件21可配置在終端光學元件13(光路K)周圍之一部分。例如，第1構件21可在終端光學元件13(光路K)之周圍配置複數個。
第2構件22配置在光路K之周圍。第2構件22為環狀構件。第2構件22被配置成不接觸第1構件21。第2構件22與第1構件21之間形成有間隙。
第1構件21透過支承構件21S被支承於裝置機架8B。又，第1構件21亦可是透過支承構件被支承於基準機架8A。
第2構件22透過支承構件22S被支承於裝置機架8B。支承構件22S相對光路K在第1構件21之外側連接於第2構件22。又，第1構件21亦可是透過支承構件被支承於基準機架8A。
第2構件22可相對第1構件21移動。第2構件22可相對終端光學元件13移動。第2構件22與第1構件21之相對位置可變化。第2構件22與終端光學元件13之相對位置可變化。
第2構件22可在與終端光學元件13之光軸垂直之XY平面內移動。第2構件22可與XY平面實質平行的移動。如圖4所示，本實施形態中，第2構件22至少能於X軸方向移動。又，第2構件22亦可在X軸方向之外，另於Y軸、Z軸、θ X、θ Y及θ Z中至少一方向移動。
本實施形態中，終端光學元件13實質不移動。第1構件21亦實質不移動。
第2構件22能在第1構件21之至少一部分之下方移動。第2構件22能在第1構件21與基板P(物體)之間移動。
因第2構件22在XY平面內移動，使得第1構件21之外側面29與第2構件22之內側面30間之間隙尺寸變化。換言之，因第2構件22在XY平面內移動，使得外側面29與內側面30間之空間大小變化。例如，圖4所示例中，因第2構件22往-X軸方向移動，使得外側面29與內側面30間之間隙尺寸變小(外側面29與內側面30間之空間變小)。因第2構件22往+X軸方向移動，使得相對終端光學元件13之+X側之外側面 29與內側面30間之間隙之尺寸變大(外側面29與內側面30間之空間變大)。本實施形態中，第2構件22之可移動範圍，係被定為第1構件21(外側面29)與第2構件22(內側面30)不致接觸。
本實施形態中，第2構件22係藉由驅動裝置32移動。驅動裝置32可相對第1構件21移動第2構件22。驅動裝置32受控制裝置6控制。
本實施形態中，驅動裝置32移動支承構件22S。藉由支承構件22S被驅動裝置32移動，據以移動第2構件22。驅動裝置32，例如包含馬達，使用羅倫茲力移動第2構件22。
驅動裝置32透過支承構件32S被支承於裝置機架8B。第2構件22透過支承構件22S、驅動裝置32及支承構件32S被支承於裝置機架8B。即使因第2構件22之移動而產生振動，亦可藉由防振裝置10來抑制該振動傳遞至基準機架8A。
第2構件22，可與曝光用光EL從射出面12射出之期間之至少一部分並行移動。第2構件22，亦可與在液浸空間LS形成之狀態下曝光用光EL從射出面12射出之期間之至少一部分並行移動。
第2構件22，可與基板P(物體)移動之期間之至少一部分並行，進行移動。第2構件22，亦可與在液浸空間LS形成之狀態下基板P(物體)移動之期間之至少一部分並行，進行移動。
第2構件22可於基板P(物體)之移動方向移動。例如，在基板P移動之期間之至少一部分中，第2構件22可於基板P之移動方向移動。例如，基板P往XY平面內之一方向(例如+X軸方向)移動時，第 2構件22可與該基板P之移動同步，往XY平面內之一方向(+X軸方向)移動。
液浸構件5具有供應用以形成液浸空間LS之液體LQ的液體供應部31。液體供應部31係配置於第1構件21。
又，液體供應部31亦可配置在第1構件21及第2構件22之兩方。此外，液體供應部31可以是配置在第1構件21、而不配置在第2構件22。或者，液體供應部31可以是配置在第2構件22、而不配置在第1構件21。又，液體供應部31亦可配置在與第1構件21及第2構件22不同之其他構件。
液體供應部31，係在相對光路K(終端光學元件13之光軸)之放射方向配置在液體回收部24及流體回收部27之內側。本實施形態中，液體供應部31包含配置在第1構件21之內側面28的開口(液體供應口)。液體供應部31被配置成對向於側面13F。液體供應部31將液體LQ供應至側面13F與內側面28間之第3空間SP3。本實施形態中，液體供應部31係相對光路K(終端光學元件13)配置在+X軸側及-X軸側之各側。又，液體供應部31可相對光路K(終端光學元件13)配置於Y軸方向、亦可在包含X軸方向及Y軸方向之光路K(終端光學元件13)之周圍配置複數個。此外，液體供應部31可以是一個。再者，亦可取代液體供應部31、或在液體供應部31之外，於下面23設置可供應液體LQ之液體供應部。
本實施形態中，液體供應部(液體供應口)31係透過形成在第1構件21內部之供應流路31R，與液體供應裝置31S連接。液體供應裝置31S可將潔淨且温度經調整之液體LQ供應至液體供應部31。液體供 應部31，為形成液浸空間LS而供應來自液體供應裝置31S之液體LQ。
下面23之內側邊緣與上面25之間形成有開口40。包含射出面12與基板P(物體)間之光路K的光路空間SPK、和下面23與上面25間之第1空間SP1係透過開口40連結。光路空間SPK，包含射出面12與基板P(物體)間之空間、及射出面12與上面25間之空間。開口40係配置成面向光路K。側面13F與內側面28間之第3空間SP3與第1空間SP1係透過開口40連結。
來自液體供應部31之液體LQ之至少一部分，透過開口40被供應至下面23與上面25間之第1空間SP1。為形成液浸空間LS而從液體供應部31供應之液體LQ之至少一部分，透過開口34及開口35被供應至與射出面12對向之基板P(物體)上。據此，光路K即被液體LQ充滿。來自液體供應部31之液體LQ之至少一部分，被供應至下面26與基板P(物體)之上面間之第2空間SP2。
於Z軸方向，第1空間SP1之尺寸較第2空間SP2之尺寸小。當然，於Z軸方向，第1空間SP1之尺寸可與第2空間SP2之尺寸實質相等、亦可較第2空間SP2之尺寸大。
液體回收部24，係相對光路K(終端光學元件13之光軸)配置在下面23之外側。液體回收部24配置在下面23之周圍。液體回收部24配置在曝光用光EL之光路K之周圍。又，液體回收部24亦可配置在下面23之周圍之一部分。例如，液體回收部24可於下面23之周圍配置複數個。液體回收部24被配置成面向第1空間SP1。液體回收部24係回收第1空間SP1之液體LQ之至少一部分。
流體回收部27，係相對光路K(終端光學元件13之光軸)配置在下面26之外側。流體回收部27配置在下面26之周圍。流體回收部27配置在曝光用光EL之光路K之周圍。又，流體回收部27亦可配置在下面26之周圍之一部分。例如，流體回收部27可在下面26之周圍配置複數個。流體回收部27被配置成面向第2空間SP2。流體回收部27係回收第2空間SP2之液體LQ之至少一部分。
流體回收部27係相對光路K(終端光學元件13之光軸)配置在第1構件21之外側。又，流體回收部27係相對光路K(終端光學元件13之光軸)配置在第1空間SP1之外側。
本實施形態中，液體LQ從上面25側之第1空間SP1及下面26側之第2空間SP2中之一方往另一方之移動受到抑制。第1空間SP1與第2空間SP2係被第2構件22區隔。第1空間SP1之液體LQ可透過開口35移動至第2空間SP2。第1空間SP1之液體LQ不透過開口35即無法移動至第2空間SP2。相對光路K存在於較開口35外側之第1空間SP1中之液體LQ無法移動至第2空間SP2。第2空間SP2之液體LQ可透過開口35移動至第1空間SP1。第2空間SP2之液體LQ不透過開口35即無法移動至第1空間SP1。相對光路K存在於較開口35外側之第2空間SP2中之液體LQ無法移動至第1空間SP1。亦即，本實施形態中，液浸構件5除了開口35以外，不具有將第1空間SP1與第2空間SP2連接成流體可流動之流路。
本實施形態中，流體回收部27回收第2空間SP2之液體LQ之至少一部分，而不回收第1空間SP1之液體LQ。液體回收部24則回收 第1空間SP1之液體LQ之至少一部分，而不回收第2空間SP2之液體LQ。又，若在液體回收部24之下沒有第2構件22之上面25之情形時，可將物體(基板P)上之液體LQ以液體回收部24加以回收。
又，相對光路K移動至第1空間SP1之外側(外側面29之外側)之液體LQ，係藉由內側面30抑制移動至基板P上(第2空間SP2)。
液體回收部24，包含配置在第1構件21之下面23周圍之至少一部分的開口(液體回收口)。液體回收部24配置成對向於上面25。液體回收部24，透過形成在第1構件21內部之回收流路(空間)24R與液體回收裝置24C連接。液體回收裝置24C可將液體回收部24與真空系統(未圖示)加以連接。液體回收部24可回收第1空間SP1之液體LQ之至少一部分。第1空間SP1之液體LQ之至少一部分可透過液體回收部24流入回收流路24R。又，亦可將從終端光學元件13之側面13F與第1構件21之內側面間之第3空間SP3，經由第1構件21之上面，透過第1構件21之外側面29與第2構件22之內側面30間之空間，流至第2構件22之上面25上之液體LQ，以液體回收部24加以回收。亦即，亦可將液體回收部24用作為回收不透過開口40從空間SP3流至第2構件22之上面25上之液體LQ的回收部。當然，可將回收來自空間SP3之液體LQ之回收部設在第1構件21之上面，亦可設在第2構件22之上面25與內側面30中之至少一方。
本實施形態中，液體回收部24包含多孔構件36，液體回收口包含多孔構件36之孔。本實施形態中，多孔構件36包含網孔板(mesh plate)。多孔構件36，具有上面25可對向之下面、面向回收流路24R之上面、以及將下面與上面加以連結之複數個孔。液體回收部24透過多孔構件 36之孔回收液體LQ。從液體回收部24(多孔構件36之孔)回收之第1空間SP1之液體LQ，流入回收流路24R並流過該回收流路24R後，被回收至液體回收裝置24C回收。
本實施形態中，透過液體回收部24實質上僅回收液體LQ，而透過液體回收部24之氣體回收則受到限制。控制裝置6調整多孔構件36之下面側之壓力(第1空間SP1之壓力)與上面側之壓力(回收流路24R之壓力)的差，以使第1空間SP1之液體LQ通過多孔構件36之孔流入回收流路24R，氣體則不通過多孔構件36之孔。又，透過多孔構件僅回收液體之技術之一例，已揭露於例如美國專利第7292313號等中。
此外，液可透過多孔構件36回收(吸引)液體LQ及氣體之兩方。亦即，液體回收部24可將液體LQ與氣體一起回收。又，液體回收部24之下無液體LQ存在時，可從液體回收部24僅回收氣體。又，亦可不設置多孔構件36。亦即，可不透過多孔構件回收第1空間SP1之流體(液體LQ及氣體中之一方或兩方)。
本實施形態中，液體回收部24之下面包含多孔構件36之下面。液體回收部24之下面配置在下面23之周圍。本實施形態中，液體回收部24之下面與XY平面實質平行。本實施形態中，液體回收部24之下面與下面23配置在同一平面內(同面高)。
又，液體回收部24之下面可較下面23配置在+Z軸側、亦可配置在-Z軸側。此外，液體回收部24之下面可相對下面23傾斜、亦可包含曲面。
又，用以回收第1空間SP1之流體(液體LQ及氣體中之一 方或兩方)之液體回收部24，可以面向第1空間SP1之方式配置於第2構件22。液體回收部24亦可配置在第1構件21及第2構件22之兩方。液體回收部24亦可配置在第1構件21、而不配置在第2構件22。液體回收部24當然亦可配置在第2構件22、而不配置在第1構件21。
流體回收部27，包含配置在第2構件22之下面26周圍至少一部分之開口(流體回收口)。流體回收部27被配置成對向於基板P(物體)之上面。流體回收部27透過形成在第2構件22內部之回收流路(空間)27R與流體回收裝置27C連接。流體回收裝置27C可將流體回收部27與真空系統(未圖示)加以連接。流體回收部27能回收第2空間SP2之液體LQ之至少一部分。第2空間SP2之液體LQ之至少一部分可透過流體回收部27流入回收流路27R。
本實施形態中，流體回收部27包含多孔構件37，流體回收口包含多孔構件37之孔。本實施形態中，多孔構件37包含網孔板。多孔構件37，具有基板P(物體)之上面可對向之下面、面向回收流路27R之上面、以及將下面與上面加以連結之複數個孔。流體回收部27能透過多孔構件37之孔回收流體(液體LQ及氣體之一方或兩方)。從流體回收部27(多孔構件37之孔)回收之第2空間SP2之液體LQ，流入回收流路27R、在流過該回收流路27R後被回收至流體回收裝置27C。
回收流路27R係相對光路K(終端光學元件13之光軸)配置在內側面30之外側。回收流路27R配置在流體回收部27之上方。藉由第2構件22之移動，第2構件22之流體回收部27及回收流路27R即在第1構件21之外側面29之外側移動。
透過流體回收部27將液體LQ與氣體一起回收。當然，亦可透過多孔構件37僅回收液體LQ而限制透過多孔構件37之氣體回收。又，亦可不於第2構件22設置多孔構件37。亦即，可不透過多孔構件回收第2空間SP2之流體(液體LQ及氣體中之一方或兩方)。
本實施形態中，流體回收部27之下面包含多孔構件37之下面。流體回收部27之下面配置在下面26之周圍。本實施形態中，流體回收部27之下面與XY平面實質平行。本實施形態中，流體回收部27之下面較下面26配置在+Z軸側。
又，流體回收部27之下面與下面26可以是配置在同一平面內(可以是同面高)。流體回收部27之下面可較下面26配置在-Z軸側。此外，流體回收部27之下面可相對下面26傾斜、亦可包含曲面。例如，流體回收部27(多孔構件37)之下面可於相對光路K之放射方向朝外側向上方傾斜。又，亦可以是流體回收部27(多孔構件37)之下面於開口35之周圍全周其高度(Z軸方向之位置)不同。例如，位於開口35之Y軸方向兩側之流體回收部27(多孔構件37)下面之一部分，可較位於開口35之X軸方向兩側之流體回收部27(多孔構件37)下面之一部分低。例如，亦可將流體回收部27(多孔構件37)下面之形狀設定成在第2構件22之流體回收部27(多孔構件37)之下面與基板P之表面對向時，相對曝光用光之光路K形成在Y軸方向一側之流體回收部27(多孔構件37)之下面與基板P之表面間之間隙尺寸(Z軸方向之距離)，較相對曝光用光之光路K形成在X軸方向一側之流體回收部27(多孔構件37)之下面與基板P之表面間之間隙尺寸(Z軸方向之距離)小。
本實施形態中，係藉由與液體LQ從液體供應部31之供應動作並行，實施液體LQ從流體回收部27之回收動作，據以在一側之終端光學元件13及液浸構件5與另一側之基板P(物體)之間以液體LQ形成液浸空間LS。
又，本實施形態中，係與液體LQ從液體供應部31之供應動作、及流體從流體回收部27之回收動作並行，實施流體從液體回收部24之回收動作。
本實施形態中，液浸空間LS之液體LQ之界面LG之一部分，形成在第2構件22與基板P(物體)之間。
本實施形態中，液浸空間LS之液體LQ之界面LG之一部分，形成在第1構件21與第2構件22之間。
本實施形態中，液浸空間LS之液體LQ之界面LG之一部分，形成在終端光學元件13與第1構件21之間。
以下之說明中，將形成在第1構件21與第2構件22之間之液體LQ之界面LG，適當的稱為第1界面LG1。將形成在第2構件22與基板P(物體)之間之界面LG，適當的稱為第2界面LG2。並將形成在終端光學元件13與第1構件21之間之界面LG，適當的稱為第3界面LG3。
本實施形態中，第1界面LG1形成在液體回收部24之下面與上面25之間。第2界面LG2形成在液體回收部27之下面與基板P(物體)之上面之間。
本實施形態中，第1界面LG1形成在液體回收部24之下面與上面25之間，第1空間SP1之液體LQ移動至液體回收部24外側之空間 (例如外側面29與內側面30間之空間)的情形受到抑制。外側面29與內側面30間之空間不存在液體LQ，外側面29與內側面30間之空間為氣體空間。
外側面29與內側面30間之空間與空間CS連接。換言之，外側面29與內側面30間之空間係開放於環境氣氛。當空間CS之壓力為大氣壓時，外側面29與內側面30間之空間即開放於大氣。因此，第2構件22可順暢的移動。又，空間CS之壓力可較大氣壓高、亦可較大氣壓低。
圖8係從下面23側觀察第1構件21的圖。本實施形態中，於第1構件21之下面23配置有誘導來自液體供應部31之液體LQ之至少一部分的誘導部38。誘導部38係設在下面23之凸部。誘導部38將來自液體供應部31之液體LQ之至少一部分誘導至液體回收部24。
誘導部38之形狀係根據第2構件22之移動方向來決定。本實施形態中，誘導部38係設置成可促進液體LQ往與第2構件22之移動方向平行之方向的流動。
例如，在第2構件22往X軸方向移動之情形時，誘導部38之形狀係設定為於第1空間SP1中，液體LQ往與X軸方向平行之方向流動而到達液體回收部24。例如，在第2構件22往+X軸方向移動之情形時，第1空間SP1之液體LQ之至少一部分，即因誘導部38而往+X軸方向流動。在第2構件22往-X軸方向移動之情形時，第1空間SP1之液體LQ之至少一部分，即藉由誘導部38而往-X軸方向流動。
本實施形態中，誘導部38具有圍繞開口34配置之周壁部38R、與形成在該周壁部38R之一部分之狹縫(開口)38K。壁部38配置成 圍繞開口34。狹縫38K，係以能促進液體LQ在與X軸方向平行之方向之流動的方式，相對光路K形成在+X軸側及-X軸側之各側。
藉由誘導部38，在與第2構件22之移動方向平行之方向，可提高液體LQ在第1空間SP1之流速。本實施形態中，係藉由誘導部38提高液體LQ在第1空間SP1中於X軸方向之流速。亦即，朝向液體回收部24之下面與上面25間之空間流動之液體LQ之速度獲得提高。據此，相對第1構件21之第1界面LG1之位置產生變動、或第1界面LG1之形狀產生變化的情形即受到抑制。因此，第1空間SP1之液體LQ流出至第1空間SP1外側的情形受到抑制。
又，狹縫38K之形成位置，並不限定於相對光路K之+X軸側及-X軸側。例如，在第2構件22亦與Y軸平行的移動之場合，亦可相對光路K於+Y軸側及-Y軸側追加狹縫38K。即使在第2構件22不與Y軸平行的移動之場合，亦可相對光路K於+Y軸側及-Y軸側追加狹縫38K。
又，亦可不根據第2構件22之移動方向，決定誘導部38之形狀(狹縫38K之位置等)。例如，可將誘導部38之形狀設定為於光路K之全周圍，液體LQ相對光路K呈放射狀流動。
本實施形態中，第2構件22可與下面23之全部對向。例如圖2所示，在第2構件22係配置於終端光學元件13之光軸與開口35之中心實質一致之原點時，下面23之全部與第2構件22之上面25對向。又，當第2構件22被配置於原點時，射出面12之一部分與第2構件22之上面25對向。此外，當第2構件22被配置於原點時，液體回收部24之下面與 第2構件22之上面25對向。
又，本實施形態中，當第2構件22被配置於原點時，開口34之中心與開口35之中心實質一致。
其次，說明第2構件22之一動作例。第2構件22可與基板P(物體)之移動協力移動。第2構件22亦可與基板P(物體)分開獨立移動。第2構件22能與基板P(物體)之移動之至少一部分並行移動。第2構件22能在形成有液浸空間LS之狀態下移動。第2構件22能在第1空間SP1及第2空間SP2存在有液體LQ之狀態下移動。
第2構件22，亦可在第2構件22與基板P(物體)不對向時移動。例如，第2構件22可在該第2構件22之下方無物體時移動。又，第2構件22，亦可在第2構件22與基板P(物體)間之空間不存在液體LQ時移動。例如，第2構件22可在沒有形成液浸空間LS時移動。
第2構件22，例如係根據基板P(物體)之移動條件移動。控制裝置6，例如根據基板P(物體)之移動條件，與基板P(物體)之移動之至少一部分並行，使第2構件22移動。控制裝置6，一邊進行液體LQ從液體供應部31之供應與液體LQ從流體回收部27及液體回收部24之回收以持續形成液浸空間LS、一邊移動第2構件22。
本實施形態中，第2構件22能以和基板P(物體)之相對移動變小之方式移動。又，第2構件22能以和基板P(物體)之相對移動較第1構件21與基板P(物體)之相對移動小之方式移動。例如，第2構件22能與基板P(物體)同步移動。
相對移動，包含相對速度及相對加速度中之至少一方。例 如，第2構件22，可在形成有液浸空間LS之狀態、亦即、第2空間SP2中存在液體LQ之狀態下，以和基板P(物體)之相對速度變小之方式移動。又，第2構件22，可在形成有液浸空間LS之狀態、亦即、第2空間SP2中存在液體LQ之狀態下，以和基板P(物體)之相對加速度變小之方式移動。此外，第2構件22，可在形成有液浸空間LS之狀態、亦即、第2空間SP2中存在液體LQ之狀態下，以和基板P(物體)之相對速度較第1構件21與基板P(物體)之相對速度小之方式移動。再者，第2構件22，可在形成有液浸空間LS之狀態、亦即、第2空間SP2中存在液體LQ之狀態下，以和基板P(物體)之相對加速度較第1構件21與基板P(物體)之相對加速度小之方式移動。
第2構件22，例如可於基板P(物體)之移動方向移動。例如，在基板P(物體)往+X軸方向(或-X軸方向)移動時，第2構件22可往+X軸方向(或-X軸方向)移動。又，在基板P(物體)一邊往+X軸方向移動、一邊往+Y軸方向(或-Y軸方向)移動時，第2構件22可往+X軸方向移動。此外，在基板P(物體)一邊往-X軸方向移動、一邊往+Y軸方向(或-Y軸方向)移動時，第2構件22可往-X軸方向移動。亦即，本實施形態中，基板P(物體)往包含X軸方向成分之方向移動時，第2構件22可往X軸方向移動。例如，可與基板P(物體)往包含X軸方向成分之方向移動之至少一部分並行，第2構件22往X軸方向移動。
又，第2構件22亦可移動於Y軸方向。在基板P(物體)移動於包含Y軸方向成分之方向之場合，第2構件22可移動於Y軸方向。例如，可與基板P(物體)往包含Y軸方向成分之方向移動之至少一部分 並行，以和基板P(物體)之相對速度差變小之方式，第2構件22移動於Y軸方向。
圖9係顯示第2構件22移動之狀態之一例的圖。圖9係從下側(-Z軸側)觀察液浸構件5的圖。
以下之說明中，係假設第2構件22移動於X軸方向。此外，如上所述，第2構件22可移動於Y軸方向，亦可移動於包含X軸方向(或Y軸方向)成分之在XY平面內的任意方向。
在基板P(物體)移動於X軸方向(或包含X軸方向成分之在XY平面內之既定方向)之場合，第2構件22，如圖9(A)~圖9(C)所示，移動於X軸方向。
本實施形態中，第2構件22可在於X軸方向被規定之可移動範圍移動。圖9(A)中顯示了第2構件22配置在可移動範圍之最-X軸側之端部的狀態。圖9(B)顯示了第2構件22配置在可移動範圍中央的狀態。圖9(C)顯示了第2構件22配置在可移動範圍之最+X軸側端部的狀態。
以下之說明中，將圖9(A)所示之第2構件22之位置適當的稱為第1端部位置、將圖9(B)所示之第2構件22之位置適當的稱為中央位置、將圖9(C)所示之第2構件22之位置適當的稱為第2端部位置。又，如圖9(B)所示，第2構件22配置於中央位置之狀態，包含第2構件22配置於原點之狀態。
本實施形態中，係以來自射出面12之曝光用光EL可通過開口35之方式，根據第2構件22之可移動範圍之尺寸決定開口35之尺寸。 第2構件22之可移動範圍之尺寸，包含於X軸方向之第1端部位置與第2端部位置間之距離。以第2構件22即使移動於X軸方向，來自射出面12之曝光用光EL亦不會照射到第2構件22之方式，決定開口35之X軸方向尺寸。
圖9中，於X軸方向之開口35之尺寸W35，較曝光用光EL(投影區域PR)之尺寸Wpr與第2構件22之可移動範圍之尺寸(Wa+Wb)之和大。尺寸W35，被設定為在第2構件22於第1端部位置與第2端部位置之間移動之情形時，亦不會遮蔽來自射出面12之曝光用光EL的大小。據此，即使第2構件22移動，來自射出面12之曝光用光EL亦不會被第2構件22遮蔽而能照射於基板P(物體)。
其次，說明使用具有上述構成之曝光裝置EX使基板P曝光之方法。
在離開液浸構件5之基板更換位置，進行將曝光前之基板P搬入(裝載)基板載台2(第1保持部)之處理。在基板載台2離開液浸構件5之期間之至少一部分中，將測量載台3配置成與終端光學元件13及液浸構件5對向。控制裝置6，進行液體LQ從液體供應部31之供應、與液體LQ從流體回收部27之回收，於測量載台3上形成液浸空間LS。
在將曝光前之基板P裝載於基板載台2、使用測量載台3之測量處理結束後，控制裝置6移動基板載台2，以使終端光學元件13及液浸構件5與基板載台2(基板P)對向。在終端光學元件13及液浸構件5與基板載台2(基板P)對向之狀態下，與液體LQ從液體供應部31之供應並行實施液體LQ從流體回收部27之回收，據以在終端光學元件13及液浸 構件5與基板載台2(基板P)之間，形成光路K被液體LQ充滿之液浸空間LS。
本實施形態中，係與液體LQ從液體供應部31之供應及液體LQ從流體回收部27之回收並行，進行液體LQ從液體回收部24之回收。
控制裝置6，開始基板P之曝光處理。控制裝置6，在基板P上形成有液浸空間LS之狀態下，從照明系IL射出曝光用光EL。照明系IL以曝光用光EL照明光罩M。來自光罩M之曝光用光EL，透過投影光學系PL及射出面12與基板P間之液浸空間LS之液體LQ，照射於基板P。據此，基板P即被透過終端光學元件13之射出面12與基板P間之液浸空間LS之液體LQ、從射出面12射出之曝光用光EL曝光，將光罩M之圖案之像投影於基板P。
本實施形態之曝光裝置EX，係一邊使光罩M與基板P同步移動於既定掃描方向、一邊將光罩M之圖案之像投影至基板P之掃描型曝光裝置(所謂掃描步進機)。本實施形態中，以基板P之掃描方向(同步移動方向)為Y軸方向、光罩M之掃描方向(同步移動方向)亦為Y軸方向。控制裝置6使基板P相對投影光學系PL之投影區域PR移動於Y軸方向，並與該基板P往Y軸方向之移動同步，一邊相對照明系IL之照明區域IR使光罩M移於Y軸方向、一邊透過投影光學系PL與基板P上之液浸空間LS之液體LQ對基板P照射曝光用光EL。
圖10係顯示被保持於基板載台2之基板P之一例的圖。本實施形態中，作為曝光對象區域之照射(shot)區域於基板P上配置有複數個成矩陣狀。控制裝置6，相對從終端光學元件13之射出面12射出之曝光 用光EL，一邊使被保持於第1保持部之基板P移動於Y軸方向(掃描方向)、一邊透過射出面12與基板P間之液浸空間LS之液體LQ，以從射出面12射出之曝光用光EL使基板P之複數個照射區域S之各個依序曝光。
例如為使基板P之1個照射區域S曝光，控制裝置6在形成有液浸空間LS之狀態下，相對從射出面12射出之曝光用光EL(投影光學系PL之投影區域PR)使基板P移動於Y軸方向，並與該基板P往Y軸方向之移動同步，一邊相對照明系IL之照明區域IR使光罩M移動於Y軸方向、一邊透過投影光學系PL與基板P上之液浸空間LS之液體LQ對第1照射區域S照射曝光用光EL。據此，光罩M之圖案之像即被投影於該照射區域S，該照射區域S即因從射出面12出之曝光用光EL而曝光。
該照射區域S之曝光結束後，控制裝置6為開始次一照射區域S之曝光，在形成有液浸空間LS之狀態下，使基板P於XY平面內與X軸交叉之方向(例如X軸方向、或XY平面內相對X軸及Y軸方向傾斜之方向等)移動，使次一照射區域S移動至曝光開始位置。之後，控制裝置6即開始該照射區域S之曝光。
控制裝置6，在基板P(基板載台2)上形成有液浸空間LS之狀態下，反覆進行一邊相對來自射出面12之曝光用光EL照射之位置(投影區域PR)使照射區域移動於Y軸方向一邊使該照射區域曝光的動作，與在該照射區域之曝光後在基板P(基板載台2)上形成有液浸空間LS之狀態下，將基板P移動於XY平面內與Y軸方向交叉之方向(例如X軸方向、或XY平面內相對X軸及Y軸方向傾斜之方向等)以將次一照射區域配置於曝光開始位置的動作，一邊使基板P之複數個照射區域依序曝光。
以下之說明中，將為使照射區域曝光而在基板P(基板載台2)上形成有液浸空間LS的狀態下，相對來自射出面12之曝光用光EL照射之位置(投影區域PR)使基板P(照射區域)移動於Y軸方向的動作，適當的稱為掃描移動動作。並將某一照射區域之曝光完成後，在基板P(基板載台2)上形成有液浸空間LS的狀態下，在開始次一照射區域之曝光為止之期間，於XY平面內移動基板P之動作，適當的稱為步進移動動作。
本實施形態中，掃描移動動作，包含從某一照射區域S被配置於曝光開始位置之狀態至被配置於曝光結束位置之狀態為止，基板P移動於Y軸方向的動作。步進移動動作，包含從某一照射區域S被配置於曝光結束位置之狀態至次一照射區域S被配置於曝光開始位置之狀態為止，基板P於XY平面內在與Y軸方向交叉之方向移動的動作。
曝光開始位置，包含為使某一照射區域S曝光而使該照射區域S於Y軸方向之一端部通過投影區域PR之時間點之基板P的位置。曝光結束位置，包含經曝光用光EL照射後之該照射區域S於Y軸方向之另一端部通過投影區域PR之時間點之基板P的位置。
照射區域S之曝光開始位置，包含為使該照射區域S曝光之掃描移動動作開始位置。照射區域S之曝光開始位置，包含為將該照射區域S配置於曝光開始位置之步進移動動作結束位置。
照射區域S之曝光結束位置，包含為使該照射區域S曝光之掃描移動動作結束位置。照射區域S之曝光結束位置，包含該照射區域S之曝光結束後，為將次一照射區域S配置於曝光開始位置之步進移動動作開始位置。
以下之說明中，將為使某一照射區域S曝光而進行掃描移動動作之期間，適當的稱為掃描移動期間。以下之說明中，將從一照射區域S之曝光結束至為使次一照射區域S之曝光開始而進行之步進移動動作之期間，適當的稱為步進移動期間。
掃描移動期間，包含從一照射區域S之曝光開始至曝光結束為止之曝光期間。步進移動期間，包含從一照射區域S之曝光結束至次一照射區域S之曝光開始為止之基板P之移動期間。
於掃描移動動作中，會從射出面12射出曝光用光EL。於掃描移動動作中，會於基板P(物體)照射曝光用光EL。於步進移動動作中，不會從射出面12射出曝光用光EL。於步進移動動作中，不會於基板P(物體)照射曝光用光EL。
控制裝置6一邊反覆掃描移動動作與步進移動動作、一邊使基板P之複數個照射區域S之各個依序曝光。又，掃描移動動作主要係於Y軸方向之等速移動。步進移動動作包含加減速度移動。例如，從一照射區域S之曝光結束至次一照射區域S之曝光開始為止之期間之步進移動動作，包含於Y軸方向之加減速移動及於X軸方向之加減速移動中之一方或兩方。
又，於掃描移動動作及步進移動動作之至少一部分中，有液浸空間LS之至少一部分形成在基板載台2(覆蓋構件T)上之情形。又，於掃描移動動作及步進移動動作之至少一部分中，有液浸空間LS跨於基板P與基板載台2(覆蓋構件T)形成之情形。此外，在基板載台2與測量載台3近接或接觸之狀態下進行基板P之曝光之情形時，於掃描移動動作及 步進移動動作之至少一部分中，有液浸空間LS跨於基板載台2(覆蓋構件T)與測量載台3形成之情形。
控制裝置6根據基板P上之複數個照射區域S之曝光條件，控制驅動系統15移動基板P(基板載台2)。複數個照射區域S之曝光條件，例如係以稱為曝光配方(recipe)之曝光控制資訊加以規定。
曝光條件(曝光控制資訊)包含複數個照射區域S之排列資訊(複數個照射區域S之各個在基板P之位置)。此外，曝光條件(曝光控制資訊)亦包含複數個照射區域S各個之尺寸資訊(於Y軸方向之尺寸資訊)。
如圖10所示，於基板P設有照射區域S之列。本實施形態中，照射區域S之列係由基板P上配置於X軸方向之複數個照射區域S所形成。1個列，包含配置於X軸方向之複數個照射區域S
於基板P，設有複數個照射區域S之列。照射區域S之列，在基板P上於Y軸方向配置複數個。圖10所示例中，於基板P設有照射區域S之列Ga~列Gj。列Ga係複數個列Ga~Gj中配置在最-Y側之列。於Y軸方向，列Gb配置在列Ga之旁(相鄰)。列Gb配置在列Ga之+Y側。於Y軸方向，列Gc配置在列Gb之旁。列Gc配置在列Gb之+Y側。同樣的，列Gd~Gj配置於Y軸方向。
圖10所示例中，列Ga、Gj分別包含於基板P上配置於X軸方向之6個照射區域S。列Gb、Gi分別包含於基板P上配置於X軸方向之10個照射區域S。列Gc、Gd、Ge、Gf、Gg、Gh分別包含於基板P上配置於X軸方向之12個照射區域S。
控制裝置6根據該記憶裝置7儲存之曝光條件(曝光控制資訊)，一邊以既定移動條件移動基板P、一邊使複數個照射區域S依序曝光。基板P(物體)之移動條件，包含移動速度、加速度、移動距離、移動方向及在XY平面內之移動軌跡中之至少一種。
舉一例而言，本實施形態中，基板P之複數個照射區域S中、首先進行列Ga之照射區域S之曝光。本實施形態中，係先進行列Ga中所含之複數個照射區域S各個之曝光。使列Ga中所含之複數個照射區域S之各個依序曝光時，控制裝置6，一邊移動基板載台2使投影光學系PL之投影區域PR與基板P，沿圖10中，箭頭Sr所示之移動軌跡相對移動，一邊對投影區域PR照射曝光用光EL，透過液體LQ以曝光用光EL使列Ga之複數個照射區域S之各個依序曝光。控制裝置6，一邊反覆掃描移動動作與步進移動動作、一邊使列Ga中所含之複數個照射區域S之各個依序曝光。
本實施形態中，在列Ga中所含之複數個照射區域S之各個依序曝光後，進行列Gb之照射區域S之曝光。控制裝置6在形成有液浸空間LS之狀態下，一邊重複掃描移動動作與步進移動動作、一邊使列Gb中所含之複數個照射區域S之各個依序曝光。
在列Gb中所含之複數個照射區域S之各個依序曝光後，進行列Gc之照射區域S之各個之曝光。之後，同樣的，使列Gd~列Gj之各個中所含之複數個照射區域S之各個依序曝光。
在列Gi中所含之複數個照射區域S之各個依序曝光後，基板載台2移動至基板更換位置，進行將曝光後之基板P從基板載台2(第1保持部)搬出(卸載)之處理。
之後，反覆上述處理，複數個基板P即依序曝光。
本實施形態中，第2構件22係在基板P之曝光處理之至少一部分中移動。第2構件22，與例如在液浸空間LS形成之狀態下基板P(基板載台2)之步進移動動作之至少一部分並行移動。第2構件22，與例如在液浸空間LS形成之狀態下基板P(基板載台2)之掃描移動動作之至少一部分並行移動。與第2構件22之移動並行，從射出面12射出曝光用光EL。此外，亦可於掃描移動動作中不移動第2構件22。亦即，可不與曝光用光EL從射出面12之射出並行移動第2構件22。第2構件22，例如可在基板P(基板載台2)進行步進移動動作時，以和基板P(基板載台2)之相對移動(相對速度、相對加速度)變小之方式移動。此外，第2構件22，可在基板P(基板載台2)進行掃描移動動作時，以和基板P(基板載台2)之相對移動(相對速度、相對加速度)變小之方式移動。
圖11係以示意方式顯示一邊進行基板P之包含+X軸方向成分之步進移動、一邊使某一列G中所含之照射區域S1、照射區域S2及照射區域S3之各個依序曝光時之基板P之移動軌跡之一例的圖。
如圖11所示，照射區域S1、S2、S3曝光時，基板P係在終端光學元件13之下，依序移動於從位置d1至相對該位置d1於+Y軸側相鄰位置d2為止之路徑Tp1、從位置d2至相對該位置d2於+X軸側相鄰位置d3為止之路徑Tp2、從位置d3至相對該位置d3於-Y軸側相鄰位置d4為止之路徑Tp3、從位置d4至相對該位置d4於+X軸側相鄰位置d5為止之路徑Tp4、以及從位置d5至相對該位置d5於+Y軸側相鄰位置d6為止之路徑Tp5。位置d1、d2、d3、d4、d5、d6係於XY平面內之位置。
路徑Tp1之至少一部分係與Y軸平行之直線。路徑Tp3之至少一部分係與Y軸平行之直線。路徑Tp5之至少一部分包含與Y軸平行之直線。路徑Tp2包含經由位置d2.5之曲線。路徑Tp4包含經由位置d4.5之曲線。位置d1包含路徑Tp1之始點、位置d2包含路徑Tp1之終點。位置d2包含路徑Tp2之始點、位置d3包含路徑Tp2之終點。位置d3包含路徑Tp3之始點、位置d4包含路徑Tp3之終點。位置d4包含路徑Tp4之始點、位置d5包含路徑Tp4之終點。位置d5包含路徑Tp5之始點、位置d6包含路徑Tp5之終點。路徑Tp1係基板P移動於+Y軸方向之路徑。路徑Tp3係基板P移動於-Y軸方向之路徑。路徑Tp5係基板P移動於+Y軸方向之路徑。路徑Tp2及路徑Tp4係基板P移動於以+X軸方向為主成分之方向之路徑。
在液浸空間LS形成之狀態下基板P移動於路徑Tp1時，透過液體LQ對照射區域S1照射曝光用光EL。在液浸空間LS形成之狀態下基板P移動於路徑Tp3時，透過液體LQ對照射區域S2照射曝光用光EL。在液浸空間LS形成之狀態下基板P移動於路徑Tp5時，透過液體LQ對照射區域S3照射曝光用光EL。基板P移動於路徑Tp2及路徑Tp4時，不照射曝光用光EL。
基板P移動於路徑Tp1之動作、移動於路徑Tp3之動作、以及移動於路徑Tp5之各個動作，包含掃描移動動作。又，基板P移動於路徑Tp2之動作、及移動於路徑Tp4之各個動作，包含步進移動動作。
亦即，基板P移動於路徑Tp1之期間、移動於路徑Tp3之期間、及移動於路徑Tp5之期間之各個，係掃描移動期間(曝光期間)。基 板P移動於路徑Tp2之期間、及移動於路徑Tp4之期間之各個，係步進移動期間。
圖12係顯示第2構件22之一動作例的示意圖。圖12係從上面25側觀察第2構件22的圖。基板P位於圖10中之位置d1時，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於圖12(A)所示位置。基板P位於位置d2時，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於圖12(B)所示位置。亦即，在基板P從位置d1往位置d2之掃描動作移動中，第2構件22係往與基板P之步進移動方向(+X軸方向)相反之-X軸方向移動。基板P位於位置d2.5時，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於圖12(C)所示位置。基板P位於位置d3時，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於圖12(D)所示位置。亦即，在基板P從位置d2往位置d3之步進動作移動中，第2構件22係往與基板P之步進移動方向(+X軸方向)相同之+X軸方向移動。基板P位於位置d4時，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於圖12(E)所示位置。亦即，在基板P從位置d3往位置d4之掃描動作移動中，第2構件22係往與基板P之步進移動方向(+X軸方向)相反之-X軸方向移動。基板P位於位置d4.5時，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於圖12(F)所示位置。基板P位於位置d5時，第2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於圖12(G)所示位置。亦即，在基板P從位置d4往位置d5之步進動作移動中，第2構件22係往與基板P之步進移動方向(+X軸方向)相同之+X軸方向移動。基板P位於位置d6時，第 2構件22係相對投影區域PR(曝光用光EL之光路K)配置於圖12(H)所示位置。亦即，在基板P從位置d5往位置d6之掃描動作移動中，第2構件22係往與基板P之步進移動方向(+X軸方向)相反之-X軸方向移動。
本實施形態中，圖12(A)、圖12(D)、圖12(G)所示之第2構件22之位置，包含第2端部位置。圖12(B)、圖12(E)、圖12(H)所示之第2構件22之位置，包含第1端部位置。圖12(C)、圖12(F)所示之第2構件22之位置，包含中央位置。
以下之說明中，將圖12(A)、圖12(D)、圖12(G)所示之第2構件22之位置設為第2端部位置、將圖12(B)、圖12(E)、圖12(H)所示之第2構件22之位置設為第1端部位置、將圖12(C)、圖12(F)所示之第2構件22之位置設為中央位置。
基板P移動於路徑Tp1時，第2構件22往-X軸方向移動，而從圖12(A)所示狀態變化至圖12(B)所示狀態。亦即，第2構件22從第2端部位置經中央位置往第1端部位置移動。基板P移動於路徑Tp2時，第2構件22往+X軸方向移動，而從圖12(B)所示狀態經由圖12(C)所示狀態變化至圖12(D)所示狀態。亦即，第2構件22從第1端部位置經中央位置往第2端部位置移動。基板P移動於路徑Tp3時，第2構件22往-X軸方向移動，而從圖12(D)所示狀態變化至圖12(E)所示狀態。亦即，第2構件22從第2端部位置經中央位置往第1端部位置移動。基板P移動於路徑Tp4時，第2構件22往+X軸方向移動，而從圖12(E)所示狀態經由圖12(F)所示狀態變化至圖12(G)所示狀態。亦即，第2構件 22從第1端部位置經由中央位置往第2端部位置移動。基板P移動於路徑Tp5時，第2構件22往-X軸方向移動，而從圖12(G)所示狀態變化至圖12(H)所示狀態。亦即，第2構件22從第2端部位置經中央位置往第1端部位置移動。
亦即，本實施形態中，第2構件22在基板P沿路徑Tp2移動之期間之至少一部分中，以和基板P之相對移動變小之方式，往+X軸方向移動。換言之，第2構件22在基板P進行包含+X軸方向成分之步進移動動作之期間之至少一部分中，以和基板P在X軸方向之相對速度變小之方式，往+X軸方向移動。同樣的，第2構件22在基板P沿路徑Tp4移動之期間之至少一部分中，以和基板P於X軸方向之相對速度變小之方式，往+X軸方向移動。
又，本實施形態中，第2構件22在基板P沿路徑Tp3移動之期間之至少一部分中，往-X軸方向移動。據此，在基板P之路徑Tp3之移動後、於路徑Tp4之移動中，即使第2構件22往+X軸方向移動，曝光用光EL亦能通過開口35。基板P移動於路徑Tp1、Tp5時亦相同。
亦即，在基板P重複掃描移動動作與包含+X軸方向成分之步進移動動作之情形時，於步進移動動作中，第2構件22係以和基板P之相對速度變小之方式從第1端部位置往第2端部位置移動於+X軸方向，於掃描移動動作中，為了在次一步進移動動作中第2構件22能再度移動於+X軸方向，第2構件22從第2端部位置回到第1端部位置。亦即，在基板P於掃描移動動作之期間之至少一部分中，由於第2構件22移動於-X軸方向，因此能將開口35之尺寸抑制於所需最小限。
又，本實施形態中，即使第2構件22配置在第1端部位置(第2端部位置)，流體回收部27之至少一部分亦與基板P(物體)持續對向。據此，例如於步進移動動作中，流體回收部27可回收基板P(物體)上之液體LQ。此外，上述說明中，在一邊使基板P往+Y軸方向移動一邊掃描照射區域(例如S1)使其曝光後之步進移動動作中之第2構件22的動作、與在一邊使基板P往-Y軸方向移動一邊掃瞄照射區域(例如S2)使其曝光後之步進移動動作中之第2構件22的動作雖相同，但亦可不同。上述說明中，例如在基板P移動於路徑Tp2時之第2構件22之動作(圖12(B)~圖12(C)~圖12(D))、與在基板P移動於路徑Tp4時之第2構件22之動作(圖12(E)~圖12(F)~圖12(G))雖然相同，但亦可不同。例如，在基板P移動於路徑Tp2時之第2構件22往+X軸方向的移動距離、與在基板P移動於路徑Tp4時之第2構件22往+X軸方向的移動距離可以是不同的。例如，可在一邊使基板P往+Y軸方向移動一邊掃瞄照射區域(例如S1)使其曝光後之步進移動動作中，不使第2構件22往+X軸方向移動，或者，可在一邊使基板P往+Y軸方向移動一邊掃瞄照射區域(例如S1)使其曝光後之進移動動作中之第2構件22往+X軸方向的移動距離，較在一邊使基板P往-Y軸方向移動一邊掃瞄照射區域(例如S2)使其曝光後之步進移動動作中之第2構件22往+X軸方向之移動距離小。此外，上述說明中，在基板P往+Y軸方向移動之掃描移動動作中之第2構件22的動作、與在基板P往-Y軸方向移動之掃描移動動作中之第2構件22之動作雖然相同，但亦可不同。例如，在基板P移動於路徑Tp1時之第2構件22之動作(圖12(A)~圖12(B))、與在基板P移動於路徑Tp3 時之第2構件22之動作(圖12(G)~圖12(H))雖然相同，但可以不同。
圖13係顯示相對於終端光學元件13(投影區域PR)之第2構件22之位置之一例的圖。圖13(A)顯示第2構件22被配置於第2端部位置之例。圖13(B)顯示第2構件22被配置於第2端部位置與中央位置之間之位置之例。圖13(C)顯示第2構件22被配置於中央位置之例。圖13(D)顯示第2構件22被配置於第1端部位置與中央位置之間之位置之例。圖13(E)顯示第2構件22被配置於第1端部位置之例。
以下之說明中，將圖13(A)所示之第2構件22之位置，適當的稱為位置Jr。將圖13(B)所示之第2構件22之位置，適當的稱為位置Jrm。將圖13(C)所示之第2構件22之位置，適當的稱為位置Jm。將圖13(D)所示之第2構件22之位置，適當的稱為位置Jsm。將圖13(E)所示之第2構件22之位置，適當的稱為位置Js。
控制裝置6可控制驅動裝置32，以所定之移動條件移動第2構件22。第2構件22之移動條件，包含移動方向、移動速度、加速度及移動距離中之至少一者。控制裝置6可控制第2構件22之移動方向、移動速度、加速度及移動距離中之至少一者。
控制裝置6可控制驅動裝置32使第2構件22相對終端光學元件13(投影區域PR)之位置相異。控制裝置6可在位置Jr、位置Jrm、位置Jm、位置Jsm及位置Js之至少一個停止第2構件22。控制裝置6可在位置Jr、位置Jrm、位置Jm、位置Jsm及位置Js中所選擇之2個位置之間移動第2構件22。控制裝置6，亦可以是不限位置Jr、位置Jrm、位置Jm、位置Jsm及位置Js，而在除此以外之任意位置，停止第2構件22。
第2構件22在X軸方向所定之可移動範圍(可動範圍)移動。圖13(A)所示之第2構件22之位置Jr係第2構件22之可動範圍中最+X側之端之位置(第2端部位置)。圖13(E)所示之第2構件22之位置Js係第2構件22之可動範圍中最-X側之端之位置(第1端部位置)。圖13(C)所示之第2構件22之位置Jm係第2構件22之可動範圍中之中央的位置(中央位置)。圖13(B)所示之第2構件22之位置Jrm係第2構件22之可動範圍中，位置Jr與位置Jm之間之位置。圖13(D)所示之第2構件22之位置Jsm係第2構件22之可動範圍中，位置Js與位置Jm之間之位置。
位置Jm與位置Jr之間之第2構件22之移動距離，較位置Jm與位置Jrm之間之第2構件22之移動距離長。位置Jm與位置Js之間之第2構件22之移動距離，則較位置Jm與位置Jsm之間之第2構件22之移動距離長。
又，使用圖11及圖12所說明之例中，在基板P位於位置d1、d3、d5時，係設第2構件22被配置於位置Jr(第2端部位置)。而在基板P位於位置d1、d3、d5時，第2構件22可以是被配置在位置Jrm、亦可以是被配置在位置Jm(中央位置)。
又，使用圖11及圖12所說明之例中，在基板P位於位置d2、d4、d6時，係設第2構件22被配置於位置Js(第1端部位置)。但在基板P位於位置d2、d4、d6時，第2構件22可以是配置於位置Jsm、亦可以是配置於位置Jm(中央位置)。
又，本實施形態中，在基板P位於位置d2.5、d4.5時，第2 構件22亦可以是配置在與位置Jm(中央位置)不同之位置。亦即，在基板P位於位置d2.5、d4.5時，第2構件22可以是配置在例如位置Jsm、亦可以是位置Jrm。
如上所述，本實施形態中，係在基板P上一列(例如列Gc)中所含支配置於X軸方向之複數個照射區域S之各個依序曝光後，進行與該列(例如列Gc)不同之列(例如列Gd)之照射區域S之曝光。此外，在基板P上一列(例如列Gc)中所含之配置於X軸方向之複數個照射區域S之各個依序曝光前，進行與該列(例如列Gc)不同之列(例如列Gb)之照射區域S之曝光。
本實施形態中，控制裝置6係以同列(例如列Gc)中所含之某一照射區域S之曝光結束起至該列(例如列Gc)中所含之另一照射區域S之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中第2構件22之動作(動作方式)、與某一列(例如列Gc)之某一照射區域S之曝光結束起至另一列(例如列Gd)之照射區域S之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中第2構件22之動作(動作方式)不同之方式，控制驅動裝置32。
以下之說明中，將同一列(例如列Ga)中所含之某一照射區域(例如照射區域Sa3)之曝光結束起至該列(列Ga)中所含之另一照射區域(例如照射區域Sa4)之曝光開始為止之基板P之步進移動期間，適當的稱為照射區域Sa3、Sa4間之第1步進移動期間。又，以下之說明中，將某一列(例如列Ge)之某一照射區域(例如照射區域Se12)之曝光結束起至另一列(例如列Gf)之某一照射區域(例如照射區域Sf1)之曝光開始為止之基板P之步進移動期間，適當的稱為照射區域Se12、Sf1間之第2步 進移動期間。
第1步進移動期間包含所謂的X步進移動期間。亦即，在第1步進移動期間中進行之步進移動動作，包含所謂的X步進移動動作。第2步進移動期間包含所謂的Y步進移動期間。亦即，在第2步進移動期間中進行之步進移動動作，包含所謂的Y步進移動動作。Y步進移動期間中基板P(基板載台2)在XY平面內之移動距離，較X步進移動期間中基板P(基板載台2)在XY平面內之移動距離長的情形較多。
又，Y步進移動期間中之基板P(基板載台2)之移動距離亦可以較X步進移動期間中之基板P(基板載台2)之移動距離短。此外，Y步進移動期間中之基板P(基板載台2)之移動距離亦可與X步進移動期間中之基板P(基板載台2)之移動距離實質相等。
圖14係以示意方式顯示同一列(例如列Gc)中所含之複數個照射區域Sc1~Sc4之各個依序曝光之狀態之一例的圖。於X軸方向，照射區域Sc4係配置在照射區域Sc3之旁。於X軸方向，照射區域Sc3配置在照射區域Sc2之旁。於X軸方向，照射區域Sc2配置在照射區域Sc1之旁。照射區域Sc4較照射區域Sc3配置在+X側。照射區域Sc3較照射區域Sc2配置在+X側。照射區域Sc2較照射區域Sc1配置在+X側。
控制裝置6，在形成有液體LQ之液浸空間LS之狀態下，以基板P沿圖14中箭頭Sra所示之移動軌跡相對投影光學系PL之投影區域PR移動之方式，一邊反覆進行掃描移動動作與步進移動動作、一邊透過液體LQ使列Gc中所含之複數個照射區域Sc1~Sc4之各個依序曝光。
圖15係以示意方式顯示照射區域Sc1~Sc4之各個依序曝光 時，第2構件22之一動作(動作方式)例的圖。
圖15(A)顯示基板P配置在照射區域Sc1之曝光結束位置(照射區域Sc1之掃描移動動作結束位置、照射區域Sc1、Sc2間之步進移動動作開始位置)的狀態。
圖15(B)顯示基板P配置在照射區域Sc2之曝光開始位置(照射區域Sc2之掃描移動動作開始位置、照射區域Sc1、Sc2間之步進移動動作結束位置)的狀態。
圖15(C)顯示基板P配置在照射區域Sc2之曝光結束位置(照射區域Sc2之掃描移動動作結束位置、照射區域Sc2、Sc3間之步進移動動作開始位置)的狀態。
圖15(D)顯示基板P配置在照射區域Sc3之曝光開始位置(照射區域Sc3之掃描移動動作開始位置、照射區域Sc2、Sc3間之步進移動動作結束位置)的狀態。
以下，說明照射區域Sc1之曝光。為進行照射區域Sc1之曝光，控制裝置6，在從照射區域Sc1之曝光開始起至該照射區域Sc1之曝光結束為止之期間，進行至少包含往-Y軸方向之移動之基板P之掃描移動動作。在為進行照射區域Sc1之曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22從位置Js移動至位置Jr。如圖15(A)所示，在照射區域Sc1之曝光結束時，第2構件22係配置於位置Jr。在為進行照射區域Sc1之曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22開始從位置Js起之移動，往+X軸方向移動直到到達位置Jr為止。
其次，說明照射區域Sc1、Sc2間之步進移動。在為進行照 射區域Sc1之曝光之基板P之掃描移動動作結束後，進行照射區域Sc1、Sc2間之基板P之步進移動動作。本實施形態中，在從照射區域Sc1之曝光結束起至照射區域Sc2之曝光開始止之期間，控制裝置6，進行至少包含往-X軸方向之移動之基板P之步進移動動作。在照射區域Sc1、Sc2間之基板P之步進移動期間之至少一部分中，第2構件22往基板P之移動方向(-X軸方向)移動。第2構件22以和基板P之相對速度變小之方式移動。本實施形態中，在照射區域Sc1、Sc2間之基板P之步進移動期間(第1步進移動期間)中，第2構件22從位置Jr移動至位置Js。如圖15(B)所示，在照射區域Sc1、Sc2間之步進移動結束時，第2構件22係配置在位置Js。在照射區域Sc1、Sc2間之基板P之步進移動期間(第1步進移動期間)中，第2構件22開始從位置Jr起之移動，往-X軸方向直到到達位置Js為止。
其次，說明照射區域Sc2之曝光。照射區域Sc1、Sc2間之基板P之步進移動動作結束後，進行為使照射區域Sc2曝光之基板P之掃描移動動作。為進行照射區域Sc2之曝光，控制裝置6，在照射區域Sc2之曝光開始起至該照射區域Sc2之曝光結束為止之期間，進行至少包含往+Y軸方向之移動之基板P之掃描移動動作。在為使照射區域Sc2曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22從位置Js移動至位置Jr。圖如15(C)所示，在照射區域Sc2之曝光結束時，第2構件22係配置在位置Jr。在為使照射區域Sc2曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22開始從位置Js之移動，往+X軸方向移動直到到達位置Jr為止。
其次，說明照射區域Sc2、Sc3間之步進移動。在為使照射區域Sc2曝光之基板P之掃描移動動作結束後，進行照射區域Sc2、Sc3間 之基板P之步進移動動作。本實施形態中，在從照射區域Sc2之曝光結束至照射區域Sc3之曝光開始之期間，控制裝置6，進行至少包含往-X軸方向之移動之基板P之步進移動動作。在照射區域Sc2、Sc3間之基板P之步進移動期間之至少一部分中，第2構件22往基板P之移動方向(-X軸方向)移動。第2構件22以和基板P之相對速度變小之方式移動。本實施形態，在照射區域Sc2、Sc3間之基板P之步進移動期間(第1步進移動期間)中，第2構件22從位置Jr移動至位置Js。如圖15(D)所示，在照射區域Sc2、Sc3間之步進移動結束時，第2構件22係配置在位置Js。照射區域Sc2、Sc3間之基板P之步進移動期間(第1步進移動期間)中，第2構件22開始從位置Jr起之移動，往-X軸方向移動直到到達位置Js為止。
其次，說明照射區域Sc3之曝光。本實施形態中，為使照射區域Sc3曝光之基板P之步進移動動作及第2構件22之動作(動作方式)，與為使照射區域Sc1曝光之基板P之步進移動動作及第2構件22之動作(動作方式)相同。亦即，在從照射區域Sc3之曝光開始起至該照射區域Sc3之曝光結束為止之期間，進行包含至少往-Y軸方向之移動之基板P之掃描移動動作。又，在為使照射區域Sc3曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22從位置Js移動至位置Jr。
其次，說明照射區域Sc3、Sc4間之步進移動。本實施形態中，照射區域Sc3、Sc4間之步進移動動作及第2構件22之動作(動作方式)，與照射區域Sc1、Sc2間之步進移動動作及第2構件22之動作(動作方式)相同。亦即，在從照射區域Sc3之曝光結束起至照射區域Sc4之曝光開始沝之期間，進行包含至少往-X軸方向之移動之基板P之步進移動動作。此 外，在照射區域Sc3、Sc4間之基板P之步進移動期間中，第2構件22從位置Jr移動至位置Js。
其次，說明照射區域Sc4之曝光。本實施形態中，為使照射區域Sc4曝光之基板P之步進移動動作及第2構件22之動作(動作方式)，與為使照射區域Sc2曝光之基板P之步進移動動作及第2構件22之動作(動作方式)相同。亦即，在從照射區域Sc4之曝光開始起至該照射區域Sc4之曝光結束為止之期間，進行包含至少往+Y軸方向之移動之基板P之掃描移動動作。又，在為使照射區域Sc4曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22從位置Js移動至位置Jr。
之後，在使同一列Gc中所含之複數個照射區域Sc之各個依序曝光之場合，針對基板P(基板載台2)及第2構件22，控制裝置6係進行與參照圖15(A)~圖15(D)所說明之動作相同的動作。
如以上所述，本實施形態，在同一列Gc中所含之照射區域Sc、Sc間之基板P之第1步進移動期間中，第2構件22係於X軸方向往一側(+X側)移動。又，在第1步進移動期間中，基板P係至少於X軸方向往一側(+X側)移動。
本實施形態，在同一列Gc中所含之照射區域Sc、Sc間之基板P之第1步進移動期間中，第2構件22亦可持續移動。亦即，在基板P從列Gc之照射區域Sc(例如Sc1)之曝光結束位置移動至次一照射區域Sc(例如Sc2)之曝光開始位置為止之移動期間中，第2構件22相對終端光學元件13(第1構件21)之移動速度可以不是零。換言之，第1步進移動期間中，相對終端光學元件13(第1構件21)第2構件22可以不停止。
本實施形態，在從照射區域Sc(例如Sc1)之曝光開始至該照射區域Sc(Sc1)之曝光結束為止之曝光期間(為使照射區域Sc曝光之掃描移動期間)中，第2構件22可持續移動。
本實施形態，在從照射區域Sc(例如Sc1)之曝光開始至該照射區域Sc(Sc1)之曝光結束為止之曝光期間(為使照射區域Sc曝光之掃描移動期間)、照射區域Sc、Sc間(例如Sc1、Sc2間)之基板P之第1步進移動期間、及從次一照射區域Sc(例如Sc2)之曝光開始至曝光結束為止之曝光期間(為使照射區域Sc2曝光之掃描移動期間)之各期間中，第2構件22可持續移動。
又，在照射區域Sc之曝光期間之至少一部分中，第2構件22可相對終端光學元件13(第1構件21)是停止的。
又，在某一列(例如列Gc)中所含之照射區域Sc、Sc間之基板P之第1步進移動期間之至少一部分中，第2構件22可相對終端光學元件13(第1構件21)是停止的。
圖16係以示意方式顯示在某一列(例如列Gc)之照射區域S(例如照射區域Sc4)曝光後，進行與該列不同之另一列(例如列Gd)之照射區域S(例如照射區域Sd1)之曝光之狀態之一例的圖。於Y軸方向，包含照射區域Sd1之列Gd係配置在包含照射區域Sc4之列Gc之旁。列Gd較列Gc配置在+Y側。
於Y軸方向，照射區域Sd1之位置與照射區域Sc4之位置不同。照射區域Sd1較照射區域Sc4配置在+Y側。於於X軸方向，照射區域Sd1之位置與照射區域Sc4之位置不同。照射區域Sd1較照射區域Sc4 配置在+X側。此外，於X軸方向，照射區域Sd1之位置與照射區域Sc4之位置不可以相同、照射區域Sd1可較照射區域Sc4配置在-X側。
於X軸方向，照射區域Sd2配置在照射區域Sd1之旁。於X軸方向，照射區域Sd3配置在照射區域Sd2之旁。照射區域Sd2較照射區域Sd1配置在-X側。照射區域Sd3較照射區域Sd2配置在-X側。
控制裝置6，在形成有液體LQ之液浸空間LS之狀態下，以基板P沿圖16中箭頭Srb所示之移動軌跡相對投影光學系PL之投影區域PR移動之方式，一邊反覆進行掃描移動動作與步進移動動作、一邊透過液體LQ使列Gc中所含之照射區域Sc4曝光後，透過液體LQ使列Gd中所含之照射區域Sd1曝光。又，在列Gd中所含之照射區域Sd1曝光後，透過液體LQ使該列Gd中所含之複數個照射區域Sd2、Sd3依序曝光。
圖17係以示意方式顯示列Gc中所含之照射區域Sc4曝光後，使列Gd中所含之照射區域Sd1曝光時之第2構件22之一動作(動作方式)例的圖。
圖17(A)顯示基板P配置在照射區域Sc4之曝光結束位置(照射區域Sc4之掃描移動動作結束位置、照射區域Sc4、Sd1間之步進移動動作開始位置)的狀態。
圖17(B)顯示基板P從照射區域Sc4之曝光結束位置移動至照射區域Sd1之曝光開始位置(照射區域Sd1之掃描移動動作開始位置)途中的狀態。
圖17(C)顯示基板P配置在照射區域Sd1之曝光開始位置(照射區域Sd1之掃描移動動作開始位置、照射區域Sc4、Sd1間之步進移 動動作結束位置)的狀態。
圖17(D)顯示基板P配置在照射區域Sd1之曝光結束位置(照射區域Sd1之掃描移動動作結束位置、照射區域Sd1、Sd2間之步進移動動作開始位置)的狀態。
圖17(E)顯示基板P配置在照射區域Sd2之曝光開始位置(照射區域Sd2之掃描移動動作開始位置、照射區域Sd1、Sd2間之步進移動動作結束位置)的狀態。
其次，說明照射區域Sc4之曝光。如參照圖15所做之說明，在從照射區域Sc4之曝光開始至該照射區域Sc4之曝光結束為止之期間，進行包含至少往+Y軸方向之移動之基板P之掃描移動動作。在為使照射區域Sc4曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22從位置Js移動至位置Jr。如圖17(A)所示，於照射區域Sc4之曝光結束時，第2構件22係配置在位置Jr。為使照射區域Sc4曝光之掃描移動期間中，第2構件22可持續移動。又，在為使照射區域Sc4曝光之掃描移動期間之至少一部分中，第2構件22可以是停止的。
其次，說明照射區域Sc4、Sd1間之步進移動。在為使照射區域Sc4曝光之基板P之掃描移動動作結束後，進行照射區域Sc4、Sd1間之基板P之步進移動動作。
本實施形態中，從列Gc之照射區域Sc4之曝光結束至列Gd之照射區域Sd1之曝光開始為止之基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)，較從同一列Gc中所含之照射區域Sc(例如照射區域Sc2)之曝光結束至次一照射區域Sc(例如照射區域Sc3)之曝光開始為止之基板P之步 進移動期間(第1步進移動期間)長。
又，本實施形態中，從列Gc之照射區域Sc4之曝光結束位置至列Gd之照射區域Sd1之曝光開始位置為止之基板P之步進移動距離，較從同一列Gc中所含之照射區域Sc(例如照射區域Sc2)之曝光結束位置至次一照射區域Sc(例如照射區域Sc3)之曝光開始位置為止之基板P之步進移動距離長。
本實施形態中，從照射區域Sc4之曝光結束至照射區域Sd1之曝光開始為止之期間中，控制裝置6進行包含至少往-X軸方向及-Y軸方向之移動之基板P之步進移動動作。本實施形態中，照射區域Sc4、Sd1間之基板P之步進移動動作，如圖17(A)及圖17(B)所示，包含基板P至少移動於X軸方向之第1動作、與圖17(B)及圖17(C)所示基板P主要移動於Y軸方向之第2動作。第1動作中，從圖17(A)所示狀態變化至圖17(B)所示狀態。第2動作中，從圖17(B)所示狀態變化至圖17(C)所示狀態。第1動作包含基板P至少往X軸方向移動之動作。本實施形態中，第1動作包含基板P一邊往-X軸方向移動、一邊往+Y軸方向及-Y軸方向之一方或兩方移動之動作。第2動作包含基板P移動於Y軸方向之動作。第2動作包含較第1動作於X軸方向之基板P之動作(移動距離、移動速度及加速度中之至少一者)小的動作。本實施形態中，第2動作包含基板P移動於-Y軸方向、而實質不移動於X軸方向之動作。此外，第2動作中，基板P可一邊移動於Y軸方向、一邊移動於X軸方向。例如，可以第2動作中於X軸方向之基板P之動作較第1動作中於X軸方向之基板P之動作小之方式，移動基板P。
亦即，本實施形態中，在從照射區域Sc4之曝光結束至照射區域Sd1之曝光開始為止之基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)中，控制裝置6進行使基板P至少往-X軸方向移動之第1動作、與使基板P主要移動於-Y軸方向之第2動作。
本實施形態中，在照射區域Sc4、Sd1間之基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)中進行基板P之第1動作之期間中，第2構件22往基板P之移動方向(-X軸方向)移動。第2構件22以和基板P之相對速度變小之方式移動。本實施形態中，在照射區域Sc4、Sd1間之基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)中進行基板P之第1動作之期間中，第2構件22從位置Jr移動至位置Js。如圖17(B)所示，在照射區域Sc4、Sd1間之步進移動動作之途中(第1動作結束)，第2構件22係配至於位置Js。換言之，在照射區域Sc4之曝光結束後、照射區域Sd1之曝光開始前，第2構件22係配置在位置Js。基板P之第1動作進行之期間中，第2構件22開始從位置Jr之移動，往-X軸方向移動直到到達位置Js為止。
本實施形態中，照射區域Sc4、Sd1間之基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)中進行基板P之第2動作之期間中，第2構件22不移動。換言之，基板P之第2動作進行之期間中，第2構件22係相對終端光學元件13(第1構件21)停止。基板P之第2動作進行之期間中，相對終端光學元件13(第1構件21)之相對速度為零。亦即，基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)中，在基板P於X軸方向實質不移動(或往X軸方向之移動小)期間中，第2構件22不移動於X軸方向。第2動作進行之期間中，第2構件22之位置係維持在位置Js。
又，在基板P之第1動作進行之期間之至少一部分中，第2構件22可以是停止的。此外，在基板P之第2動作進行之期間之至少一部分中，第2構件22可以是移動的。
又，在照射區域Sc4、Sd1間之基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)中，可以在基板P之第1動作後、進行第2動作，亦可以是在基板P之第2動作後、進行第1動作。此外，在照射區域Sc4、Sd1間之基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)中，基板P之第1動作與第2動作可以是交互進行。又，第2步進移動期間中，亦可不將基板P之動作區分為第1動作與第2動作。例如，於第2載台移動期間中，可使基板P持續移動於X軸方向與Y軸方向。此場合，例如在從圖17(A)之狀態變化至圖17(C)之狀態之期間中，可使第2構件22持續移動於-X軸方向。
其次，說明照射區域Sd1之曝光。照射區域Sc4、Sd1間之基板P之步進移動動作結束後，進行為使照射區域Sd1曝光之基板P之掃描移動動作。為使照射區域Sd1曝光，控制裝置6，在從照射區域Sd1之曝光開始至該照射區域Sd1之曝光結束為止之期間，進行包含至少往-Y軸方向之移動之基板P之掃描移動動作。
本實施形態中，在為使照射區域Sd1曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22不移動。換言之，在為使照射區域Sd1曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22相對終端光學元件13(第1構件21)是停止的。為使照射區域Sd1曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22相對終端光學元件13(第1構件21)之相對速度為零。亦即，在基板P於 X軸方向實質不移動之為使照射區域Sd1曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22不移動於X軸方向。如圖17(C)所示，在照射區域Sd1之曝光開始時，第2構件22係配置於位置Js。如圖17(D)所示，在照射區域Sd1之曝光結束時，第2構件22係配置於位置Js。亦即，在為使照射區域Sd1曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22係維持在位置Js。
又，在為使照射區域Sd1曝光之基板P之掃描移動期間之至少一部分中，第2構件22亦可移動。
其次，說明照射區域Sd1、Sd2間之步進移動。在為使照射區域Sd1曝光之基板P之掃描移動動作結束後，進行照射區域Sd1、Sd2間之基板P之步進移動動作。本實施形態，在從照射區域Sd1之曝光結束至照射區域Sd2之曝光開始為止之期間，控制裝置6進行包含至少往+X軸方向之移動之基板P之步進移動動作。在照射區域Sd1、Sd2間之基板P之步進移動期間之至少一部分中，第2構件22往基板P之移動方向(+X軸方向)移動。第2構件22以和基板P之相對速度變小之方式移動。本實施形態，在照射區域Sd1、Sd2間之基板P之步進移動期間(第1步進移動期間)中，第2構件22從位置Js移動至位置Jr。如圖17(E)所示，照射區域Sd1、Sd2間之步進移動結束時，第2構件22係配置於位置Jr。在照射區域Sd1、Sd2間之基板P之步進移動期間(第1步進移動期間)中，第2構件22開始從位置Js之移動，往+X軸方向移動直到到達位置Jr為止。
其次，說明照射區域Sd2之曝光。照射區域Sd1、Sd2間之基板P之步進移動動作結束後，進行為使照射區域Sd2曝光之基板P之掃描移動動作。在從照射區域Sd2之曝光開始至該照射區域Sd2之曝光結束 為止之期間，進行包含至少往+Y軸方向之移動之基板P之掃描移動動作。此外，在為使照射區域Sd2曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22從位置Jr移動至位置Js。
其次，說明照射區域Sd2、Sd3間之步進移動。在從照射區域Sd2之曝光結束至照射區域Sd3之曝光開始為止之期間，進行包含至少往+X軸方向之移動之基板P之步進移動動作。此外，在照射區域Sd2、Sd3間之基板P之步進移動期間中，第2構件22從位置Js移動至位置Jr。
之後，在使同一列Gd中所含之複數個照射區域Sd之各個依序曝光之場合，針對基板P(基板載台2)及第2構件22，控制裝置6進行與參照圖17(C)~圖17(E)所說明之動作相同之動作。
如參照圖15~圖17所做之說明，本實施形態中，在從某一列(例如列Gc)中所含之照射區域S(例如照射區域Sc2)之曝光結束至與該列相同列(列Gc)中所含之次一照射區域S(例如照射區域Sc3)之曝光開始為止之基板P之第1步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)、與從某一列(例如列Gc)之照射區域S(例如照射區域Sc4)之曝光結束置與該列不同之另一列(例如列Gd)之照射區域S(例如照射區域Sd1)之曝光開始為止之基板P之第2步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)不同。
本實施形態中，舉一例而言，在第1步進移動期間中，第2構件22係持續移動，而在第2步進移動期間之部分期間(進行第2動作之期間)中，第2構件22之移動停止。
又，本實施形態中，在照射區域Sc4、Sd1間之步進移動期 間(第2步進移動期間)之開始與照射區域Sd1、Sd2間之步進移動期間(第1步進移動期間)之開始時，第2構件22相對終端光學元件13(第1構件21)之位置是不同的。本實施形態中，如圖17(A)所示，在照射區域Sc4、Sd1間之步進移動期間(第2步進移動期間)之開始時，第2構件22係配置於位置Jr。如圖17(D)所示，在照射區域Sd1、Sd2間之步進移動期間(第1步進移動期間)之開始時，第2構件22係配置於位置Js。
又，本實施形態中，在照射區域Sc4、Sd1間之步進移動期間(第2步進移動期間)之結束與照射區域Sd1、Sd2間之步進移動期間(第1步進移動期間)之結束時，第2構件22相對終端光學元件13(第1構件21)之位置是不同的。本實施形態中，如圖17(C)所示，在照射區域Sc4、Sd1間之步進移動期間(第2步進移動期間)之結束時，第2構件22係配置於位置Js。如圖17(E)所示，在照射區域Sd1、Sd2間之步進移動期間(第1步進移動期間)之結束時，第2構件22係配置於位置Jr。
又，本實施形態，在照射區域Sc4、Sd1間之步進移動期間(第2步進移動期間)與照射區域Sd1、Sd2間之步進移動期間(第1步進移動期間)中，第2構件22之移動方向是不同的。本實施形態中，如圖17(A)、圖17(B)及圖17(C)所示，在照射區域Sc4、Sd1間之步進移動期間(第2步進移動期間)中，第2構件22從位置Jr移動至位置Js。亦即，第2步進移動期間中，第2構件22係移動於-X軸方向。如圖17(D)及圖17(E)所示，在照射區域Sd1、Sd2間之步進移動期間(第1步進移動期間)中，第2構件22從位置Js移動至位置Jr。亦即，第1步進移動期間中，第2構件22係移動於+X軸方向。
本實施形態，在照射區域Sc4、Sd1間之步進移動期間(第2步進移動期間)與照射區域Sd1、Sd2間之步進移動期間(第1步進移動期間)中，第2構件22之移動距離可實質相等、亦可不同。第2構件22在第1步進移動期間中之移動距離，可以較第2構件22在第2步進移動期間中之移動距離長、亦可較其短。例如，在第1步進移動期間中第2構件22在位置Js與位置Jr之間移動的場合，在第2步進移動期間中第2構件22可在位置Jr與位置Jsm之間移動、可在位置Jr與位置Jm之間移動、亦可在位置Jr與位置Jrm之間移動。此外，在第2步進移動期間中，第2構件22可在位置Jrm與位置Js之間移動、可在位置Jrm與位置Jsm之間移動、亦可在位置Jrm與位置Jm之間移動。又，例如在第2步進移動期間中，第2構件22在位置Jr與位置Js之間移動的場合，在第1步進移動期間中，第2構件22可在位置Js與位置Jrm之間移動、可在位置Js與位置Jm之間移動、亦可在位置Js與位置Jsm之間移動。此外，在第2步進移動期間中，第2構件22可在位置Jsm與位置Jr之間移動、可在位置Jsm與位置Jrm之間移動、亦可在位置Jsm與位置Jm之間移動。
又，本實施形態，在照射區域Sc4、Sd1間之步進移動期間(第2步進移動期間)與照射區域Sd1、Sd2間之步進移動期間(第1步進移動期間)中，第2構件22之移動速度可實質相等、亦可不同。第2構件22在第1步進移動期間中之移動速度，可以較第2構件22在第2步進移動期間中之移動速度高、或低。
又，本實施形態，在照射區域Sc4、Sd1間之步進移動期間(第2步進移動期間)與照射區域Sd1、Sd2間之步進移動期間(第1步進 移動期間)中，第2構件22之加速度(減速度)可實質相等、亦可不同。第2構件22在第1步進移動期間中之加速度，可以較第2構件22在第2步進移動期間中之加速度高、或低。
本實施形態中，第2構件22可移動於X軸方向，在第1、第2步進移動期間中之第2構件22之移動方向，包含於X軸方向之第2構件22之移動方向。同樣的，本實施形態中，第1、第2步進移動期間中之第2構件22之移動距離，包含於X軸方向之第2構件22之移動距離。第1、第2步進移動期間中之第2構件22之移動速度，包含於X軸方向之第2構件22之移動速度。第1、第2步進移動期間中之第2構件22之加速度，包含於X軸方向之第2構件22之加速度。
又，第2構件22亦可以在XY平面內之至少2個方向可移動。例如，第2構件22可以是能移動於X軸方向及Y軸方向之各方向。第1步進移動期間與第2步進移動期間中，在XY平面內之第2構件22相對終端光學元件13之移動方向可不同、移動距離亦可不同、移動速度亦可不同、或加速度(減速度)可以不同。
又，第2構件22可以是能移動於X軸、Y軸、Z軸、θ X、θ Y及θ Z之6個方向。在第1步進移動期間與第2步進移動期間中，於該6個方向之第2構件22相對終端光學元件13之移動方向可不同、移動距離亦可不同、移動速度亦可不同、或加速度(減速度)可以不同。
又，第2步進移動期間中，第2構件22可持續移動。亦即，第2步進移動期間中，第2構件22相對終端光學元件13(第1構件21)之移動速度可以不是零。換言之，於第2步進移動期間中，第2構件22相對\ 終端光學元件13(第1構件21)可以不是停止的。
又，第1步進移動期間及第2步進移動期間之兩方中，第2構件22可持續移動。
又，本實施形態，在從照射區域Sc4之曝光開始至曝光結束為止之曝光期間(為使照射區域Sc4曝光之曝光期間)及照射區域Sc4、Sd1間之第2步進移動期間中，第2構件22可持續移動。又，在從照射區域Sc4之曝光開始至曝光結束為止之曝光期間(為使照射區域Sc4曝光之曝光期間)、從照射區域Sc4、Sd1間之第2步進移動期間及照射區域Sd1之曝光開始至曝光結束為止之曝光期間(為使照射區域Sd1曝光之曝光期間)中，第2構件22可持續移動。
又，亦可於第1步進移動期間之至少一部分中第2構件22之移動停止，於第2步進移動期間之至少一部分中第2構件22之移動停止。第2構件22在第1步進移動期間中之移動停止時間、與第2構件22在第2步進移動期間中之移動停止時間可以是不同的。例如，第2構件22在第2步進移動期間中之移動停止時間，可以較第2構件22在第1步進移動期間中之移動停止時間長。當然，第2構件22在第2步進移動期間中之移動停止時間亦可以較第2構件22在第1步進移動期間中之移動停止時間短。
又，本實施形態，在同一列Gc中所含之照射區域Sc、Sc間之基板P之第1步進移動期間中，第2構件22係移動於-X軸方向。此外，在同一列Gd中所含之照射區域Sd、Sd間之基板P之第1步進移動期間中，第2構件22係移動於+X軸方向。在從列Gc之照射區域Sc4之曝光結束至列Gd之照射區域Sd1之曝光開始為止之基板P之第2步進移動期間 中，第2構件22，例如可以是移動於-X軸方向、亦可以是移動於-X軸方向及+X軸方向之兩側。
如以上之說明，根據本實施形態，由於設有能在第1構件21之下方移動之第2構件22，因此，即使是在形成有液浸空間LS之狀態下基板P等物體於XY平面內移動，亦能抑制例如液體LQ從液浸構件5與物體間之空間流出、或液體LQ殘留在物體上之情形。此外，亦能抑制液浸空間LS之液體LQ中產生氣泡(氣體部分)之情形。
又，本實施形態中，由於從同一列中所含之照射區域S之曝光結束至該列中所含之照射區域S之曝光開始為止之基板P之第1步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)、與從某一列之照射區域S之曝光結束至與該不同之另一列之照射區域S之曝光開始為止之基板P之第2步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)不同，因此液體LQ從液浸空間LS流出之情形、液體LQ殘留在基板P(物體)上之情形、以及液體LQ中產生氣泡之情形中的至少一種會受到抑制。在基板P之第1步進移動動作(基板P在第1步進移動期間中之動作方式)與第2步進移動動作(基板P在第2步進移動期間中之動作方式)不同之場合，根據該基板P之動作方式決定第2構件22之動作(動作方式)，據以抑制液體LQ之流出等。
從而，能抑制曝光不良之發生及不良元件之產生。
又，本實施形態中，由於第2構件22具有流體回收部27，因此能抑制在液體回收部27之下面與基板P(物體)上面之間形成之第2界面LG2之形狀變化。據此，液浸空間LS之液體LQ從液浸構件5與基板 P(物體)之間之空間流出、或基板P(物體)上殘留液體LQ之情形受到抑制。
又，本實施形態中，藉由以和基板P(物體)之相對移動(相對速度、相對加速度)變小之方式移動第2構件22，即使在形成有液浸空間LS之狀態下物體以高速移動，液體LQ從液浸空間LS流出、或基板P(物體)上殘留液體LQ、或液體LQ中產生氣泡等情形亦會受到抑制。
又，本實施形態中，由於第1構件21係配置在終端光學元件13周圍之至少一部分，因此，即使在形成有液浸空間LS之狀態下物體移動、或第2構件22移動之情形時，在終端光學元件13與第1構件21之間壓力產生變動、或液體LQ之第3界面LG3之形狀大幅變動等情形亦會受到抑制。從而，例如液體LQ中產生氣泡、或過多之力作用於終端光學元件13之情形即會受到抑制。又，本實施形態中，由於第1構件21實質上不移動，因此在終端光學元件13與第1構件21之間壓力大幅變動、或液體LQ之第1界面LG1之形狀大幅變動之情形受到抑制。
此外，第1構件21亦可以是能移動的。又，第1構件21可以是相對終端光學元件13移動。第1構件21亦可於X軸、Y軸、Z軸、θ X、θ Y及θ Z之6個方向中之至少一方向移動。例如，可為了調整終端光學元件13與第1構件21之位置關係、或調整第1構件21與第2構件22之位置關係而移動第1構件21。又，亦可與基板P(物體)之移動之至少一部分並行，移動第1構件21。例如，可於XY平面內移動較第2構件22短之距離。此外，第1構件21可以較第2構件22低之速度移動。再者，第1構件21亦可以較第2構件22低之加速度移動。
又，本實施形態中，供應用以形成液浸空間LS之液體LQ之液體供應部31係配置在第1構件21、而回收基板P(物體)上之液體LQ之流體回收部27係配置在與第1構件21透過間隙配置之第2構件22。如此，藉由從流體回收部27回收流體(液體LQ及氣體之一方或兩方)，即使第2構件22之温度變化，亦能抑制第1構件21之温度變化。從而，能抑制從液體供應部31供應之液體LQ之温度變化。
又，本實施形態中，從液體供應部31供應之液體LQ，係以接觸第1構件21之內側面28及下面23之方式流動。藉由該液體LQ，抑制第1構件21之温度變化。此外，藉由該液體LQ，調整第1構件21之温度。又，從液體供應部31供應之液體LQ，係以接觸第2構件22之上面25及下面26之方式流動。藉由該液體LQ，抑制第2構件22之温度變化。此外，藉由該液體LQ，調整第2構件22之温度。
又，亦可配置調整第1構件21之温度的第1温度調整裝置。第1温度調整裝置，可包含例如配置在第1構件21外面之帕耳帖元件。第1温度調整裝置可包含將温度調整用流體(液體及氣體之一方或兩方)供應至形成在第1構件21內部之流路的供應裝置。此外，亦可配置調整第2構件22之温度的第2温度調整裝置。第2温度調整裝置可包含配置在第2構件22外面之帕耳帖元件、亦可包含將温度調整用流體供應至形成在第2構件22內部之流路的供應裝置。
又，本實施形態，可根據第2構件22之移動條件，調整來自液體供應部31之液體供應量。又，亦可根據第2構件22之位置調整來自液體供應部31之液體供應量。例如，可以調整成在第2構件22配置在第1 端部位置及第2端部位置之至少一方時來自液體供應部31之液體供應量，多於第2構件22配置在中央位置時來自液體供應部31之液體供應量。此外，亦可在第2構件22從第2端部位置往第1端部位置移動時，使來自相對光路K配置在+X側之液體供應部31之液體供應量，多於來自配置在-X側之液體供應部31之液體供應量。再者，亦可在第2構件22從第1端部位置往第2端部位置移動時，使來自相對光路K配置在-X側之液體供應部31之液體供應量，多於來自配置在+X側之液體供應部31之液體供應量。藉由如此設定，即能抑制液體LQ中產生氣泡之情形。
又，本實施形態中，為了抑制因基板P之步進移動動作而引起之液體LQ之殘留、流出等，係相對基板P之步進移動動作，使第2構件22移動於步進方向(X軸方向)。然而，亦可在基板P之掃描移動動作及步進移動動作之至少一方中，以在掃描方向(Y軸方向)和基板P(物體)之相對速度差變小之方式，使第2構件22移動於掃描方向(Y軸方向)。
<第2實施形態>
其次，說明第2實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並省略或簡化其說明。
圖18係以示意方式顯示在某一列(例如列Ge)之照射區域S(例如照射區域Se2)曝光後，進行與該列不同之另一列(例如列Gf)之照射區域S(例如照射區域Sf1)之曝光之一狀態例的圖。於Y軸方向，包含照射區域Sf1之列Gf係配置在包含照射區域Se2之列Ge之旁。列Gf較列Ge配置在+Y側。
於Y軸方向，照射區域Sf1之位置與照射區域Se2之位置不 同。照射區域Sf1較照射區域Se2配置在+Y側。於X軸方向，照射區域Sf1之位置與照射區域Se2之位置不同。照射區域Sf1較照射區域Se2配置在+X側。本實施形態中，照射區域Se2之+X側邊緣與照射區域Sf1之-X側邊緣於X軸方向之距離，較照射區域Sf2(照射區域Se2、Sf1)於X軸方向之尺寸大。
於X軸方向，照射區域Sf2配置在照射區域Sf1之旁。於X軸方向，照射區域Sf3配置在照射區域Sf2之旁。於X軸方向，照射區域Sf4配置在照射區域Sf3之旁。照射區域Sf2較照射區域Sf1配置在-X側。照射區域Sf3較照射區域Sf2配置在-X側。照射區域Sf4較照射區域Sf3配置在-X側。
控制裝置6，在形成有液體LQ之液浸空間LS之狀態下，以相對投影光學系PL之投影區域PR使基板P沿圖18中箭頭Src所示之移動軌跡相對移動之方式，一邊重複掃描移動動作與步進移動動作，一邊使列Ge中所含之照射區域Se1、Se2透過液體LQ曝光後，使列Gf中所含之照射區域Sf1透過液體LQ曝光。又，列Gf中所含之照射區域Sf1曝光後，該列Gf中所含之複數個照射區域Sf2、Sf3、Sf4即透過液體LQ依序曝光。又，亦可相對投影光學系PL之投影區域PR使基板P沿圖18中箭頭Src2所示之移動軌跡相對移動。
圖19係以示意方式顯示列Ge中所含之照射區域Se2曝光後，列Gf中所含之照射區域Sf1曝光時之第2構件22之一動作(動作方式)例的圖。
圖19(A)顯示基板P配置在照射區域Se2之曝光結束位置 (照射區域Se2之掃描移動動作結束位置、照射區域Se2、Sf1間之步進移動動作開始位置)的狀態。
圖19(B)顯示基板P從照射區域Se2之曝光結束位置移動至照射區域Sf1之曝光開始位置(照射區域Sf1之掃描移動動作開始位置)之途中的狀態。
圖19(C)顯示基板P配置在照射區域Sf1之曝光開始位置(照射區域Sf1之掃描移動動作開始位置、照射區域Se2、Sf1間之步進移動動作結束位置)的狀態。
圖19(D)顯示基板P配置在照射區域Sf1之曝光結束位置(照射區域Sf1之掃描移動動作結束位置、照射區域Sf1、Sf2間之步進移動動作開始位置)的狀態。
接著，說明照射區域Se2之曝光。為使照射區域Se2曝光，控制裝置6，在從照射區域Se2之曝光開始至該照射區域Se2之曝光結束為止之期間，進行包含至少往+Y軸方向之移動之基板P之掃描移動動作。在為使照射區域Se2曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22從位置Js移動至位置Jr。如圖19(A)所示，照射區域Se2之曝光結束時，第2構件22係配置在位置Jr。
其次，說明照射區域Se2、Sf1間之步進移動。照射區域Se2、Sf1間之基板P之步進移動動作，係在為使照射區域Se2曝光之基板P之掃描移動動作結束後進行。
從列Ge之照射區域Se2之曝光結束起至列Gf之照射區域Sf1之曝光開始為止之基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)，較從 同一列Ge中所含之照射區域Se(例如照射區域Se1)之曝光結束起至次一照射區域Se(例如照射區域Se2)之曝光開始為止之基板P之步進移動期間(第1步進移動期間)長。
又，從列Ge之照射區域Se2之曝光結束位置起至列Gf之照射區域Sf1之曝光開始位置為止之基板P之步進移動距離，較從同一列Ge中所含之照射區域Se(例如照射區域Se1)之曝光結束位置起至次一照射區域Se(例如照射區域Se2)之曝光開始位置為止之基板P之步進移動距離長。
照射區域Se2、Sf1間之基板P之步進移動動作，包含基板P至少移動於X軸方向之動作。照射區域Se2、Sf1間之基板P之步進移動動作，包含基板P一邊往-X軸方向移動一邊往+Y軸方向移動的動作、與基板P一邊往-X軸方向移動一邊往-Y軸方向移動的動作。
於照射區域Se2、Sf1間之基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)之至少一部分中，第2構件22往基板P之移動方向(-X軸方向)移動。第2構件22以和基板P之相對速度變小之方式移動。本實施形態，於照射區域Se2、Sf1間之基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)中，第2構件22從位置Jr移動至位置Js。基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)中，第2構件22開始從位置Jr之移動，移動於-X軸方向直到到達位置Js為止。
本實施形態中，照射區域Se2、Sf1間之基板P之步進移動動作，如圖19(A)及圖19(B)所示，包含基板P主要移動於Y軸方向的第2動作、與如圖19(B)及圖19(C)所示之基板P移動於X軸方向及Y軸方向之兩方的第1動作。第2動作包含基板P主要移動於+Y軸方向之動 作。第1動作包含基板P一邊往-X軸方向移動、一邊往-Y軸方向移動之動作。基板P在第1動作中於X軸方向之移動距離，較基板P在第2動作中於X軸方向之移動距離大。如圖19(B)所示，於照射區域Se2、Sf1間之步進移動動作之途中(第2動作之結束)，第2構件22係配置於位置Jr。如圖19(C)所示，於照射區域Se2、Sf1間之步進移動動作之結束(照射區域Sf1之曝光開始)時，第2構件22係配置於位置Js。
又，照射區域Se2、Sf1間之基板P之步進移動動作，亦可包含基板P一邊往-X軸方向移動一邊往+Y軸方向及-Y軸方向中之一方或兩方移動的動作、與基板P一邊往+X軸方向移動一邊往+Y軸方向及-Y軸方向中之一方或兩方移動的動作。照射區域Se2、Sf1間之第2步進移動期間中基板P往-X軸方向及+X軸方向移動之場合，第2構件22可僅移動於-X軸方向、亦可移動於-X軸方向及+X軸方向之兩方。例如，在照射區域Se2、Sf1間之第2步進移動期間中基板P移動於-X軸方向及+X軸方向之場合，第2構件22可以和基板P之相對速度變小之方式，移動於-X軸方向及+X軸方向之兩方。
於照射區域Se2、Sf1間之基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)中，第2構件22可持續移動。於照射區域Se2、Sf1間之基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)之至少一部分中，第2構件22之移動可停止。
其次，說明照射區域Sf1之曝光。為使照射區域Sf1曝光，控制裝置6在從照射區域Sf1之曝光開始至該照射區域Sf2之曝光結束為止之期間，進行包含至少往-Y軸方向之移動之基板P之掃描移動動作。
本實施形態，在為使照射區域Sf1曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22不移動。為使照射區域Sf1曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22之位置維持於位置Js。如圖19(C)所示，照射區域Sf1之曝光開始時，第2構件22係配置於位置Js。如圖19(D)所示，照射區域Sf1之曝光結束時，第2構件22係配置於位置Js。
又，在為使照射區域Sf1曝光之基板P之掃描移動期間之至少一部分中，第2構件22可移動。又，在為使照射區域Sf1曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22可持續移動。控制裝置6，亦可以在為使照射區域Sf1曝光之基板P之掃描移動期間中第2構件22移動於X軸方向、於照射區域Sf1之曝光結束時第2構件22配置於位置Js之方式，控制驅動裝置32。
其次，說明照射區域Sf1、Sf2間之步進移動。在從照射區域Sf1之曝光結束至照射區域Sf2之曝光開始為止之期間，進行包含至少往+X軸方向之移動之基板P之步進移動動作。又，在照射區域Sf1、Sf2間之基板P之步進移動期間中，第2構件22從位置Js移動至位置Jr。
其次，說明照射區域Sf2之曝光。照射區域Sf1、Sf2間之基板P之步進移動動作結束後，進行為使照射區域Sf2曝光之基板P之掃描移動動作。在從照射區域Sf2之曝光開始至該照射區域Sf2之曝光結束為ˇ之期間，進行包含至少往+Y軸方向之移動之基板P之掃描移動動作。又，在為使照射區域Sf2曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22從位置Jr移動至位置Js。
之後，在同一列Gf中所含之複數個照射區域Sf之各個依序 曝光的場合，針對基板P(基板載台2)及第2構件22係進行與上述動作相同之動作。
本實施形態中，在照射區域Se2、Sf1間之步進移動期間(第2步進移動期間)之開始與照射區域Sf1、Sf2間之步進移動期間(第1步進移動期間)之開始時，第2構件22相對終端光學元件13(第1構件21)之位置亦不同。本實施形態中，如圖19(A)所示，在照射區域Se2、Sf1間之步進移動期間(第2步進移動期間)之開始時，第2構件22係配置於位置Jr。如圖19(D)所示，在照射區域Sf1、Sf2間之步進移動期間(第1步進移動期間)之開始時，第2構件22係配置於位置Js。
又，本實施形態，在照射區域Se2、Sf1間之步進移動期間(第2步進移動期間)之結束與照射區域Sf1、Sf2間之步進移動期間(第1步進移動期間)之結束時，第2構件22相對終端光學元件13(第1構件21)之位置不同。本實施形態中，如圖19(C)所示，在照射區域Se2、Sf1間之步進移動期間(第2步進移動期間)之結束時，第2構件22係配置在位置Js。而在照射區域Sf1、Sf2間之步進移動期間(第1步進移動期間)之結束時，第2構件22係配置在位置Jr。
本實施形態，在從某一列Gf中所含之照射區域Sf1之曝光結束起至與該列同一列Gf中所含之次一照射區域Sf2之曝光開始為止之基板P之第1步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)，與從某一列Ge之照射區域Se2之曝光結束起至與該列不同之另一列Gf之照射區域Sf1之曝光開始為止之基板P之第2步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)亦是不同的。
例如，可以是在第1步進移動期間中第2構件22持續移動，而在第2步進移動期間之至少一部分中第2構件22之移動停止。
又，在第1步進移動期間與第2步進移動期間中，第2構件22之移動方向可以不同。本實施形態，在照射區域Se2、Sf1間之步進移動期間(第2步進移動期間)，第2構件22從位置Jr移動至位置Js。亦即，第2步進移動期間中，第2構件22係移動於-X軸方向。在照射區域Sf1、Sf2間之步進移動期間(第1步進移動期間)中，第2構件22從位置Js移動至位置Jr。亦即，第1步進移動期間中，第2構件22係於移動於+X軸方向。
又，在第1步進移動期間與第2步進移動期間中，第2構件22之移動距離可以不同。第2步進移動期間中之第2構件22相對終端光學元件13之移動距離，可以較第1步進移動期間中之第2構件22相對終端光學元件13之移動距離長、亦可較其短。例如，可以是於第2步進移動期間中第2構件22在位置Jr與位置Js之間移動，而於第1步進移動期間中第2構件22則在位置Jrm與位置Jsm之間移動。此外，亦可以是於第2步進移動期間中第2構件22在位置Jrm與位置Jsm之間移動，而於第1步進移動期間中第2構件22 y在位置Jr與位置Js之間移動。
又，第1步進移動期間與第2步進移動期間中，第2構件22之移動速度可以不同。在第2步進移動期間中第2構件22相對終端光學元件13之移動速度，可以較在第1步進移動期間中之第2構件22相對終端光學元件13之移動速度高、亦可較其低。
又，第1步進移動期間與第2步進移動期間中，第2構件 22之加速度(減速度)可以不同。在第2步進移動期間中之第2構件22相對終端光學元件13之加速度，可以較在第1步進移動期間中之第2構件22相對終端光學元件13之加速度高、亦可較其低。
又，於照射區域Se1、Se2間之第1步進移動期間中，第2構件22可持續移動。此外，於照射區域Se2、Sf1間之第2步進移動期間中，第2構件22可持續移動。又，於照射區域Sf1、Sf2間之第1步進移動期間中，第2構件22可持續移動。再者，於第1步進移動期間及第2步進移動期間之兩方中，第2構件22可持續移動。
又，在從照射區域Se2之曝光開始至曝光結束為止之曝光期間、與照射區域Se2、Sf1間之第2步進移動期間中，第2構件22可持續移動。
又，在從照射區域Se2之曝光開始至曝光結束為止之曝光期間(掃描移動動作期間)、與照射區域Se2、Sf1間之第2步進移動期間、與從照射區域Sf1之曝光開始至曝光結束為止之曝光期間(掃描移動動作期間)，第2構件22可持續移動。
又，在照射區域Se1、Se2間之第1步進移動期間之至少一部分中，第2構件22之移動可停止。此外，在照射區域Se2、Sf1間之第2步進移動期間之至少一部分中，第2構件22之移動可停止。再者，在照射區域Sf1、Sf2間之第1步進移動期間之至少一部分中，第2構件22之移動可停止。
又，在照射區域Se2、Sf1間之第2步進移動期間之至少一部分中第2構件22之移動停止之場合，可以是在該第2步進移動期間中基 板P移動於Y軸方向之期間之至少一部分中，第2構件22之移動停止。
又，亦可以是在從照射區域Se2之曝光開始至曝光結束為止之曝光期間(掃描移動期間)中，第2構件22持續移動，而在照射區域Se2、Sf1間之第2步進移動期間之至少一部分中第2構件22之移動停止。
此外，亦可亦是在從照射區域Se2之曝光開始至曝光結束為止之曝光期間(掃描移動期間)及從照射區域Sf1之曝光開始至曝光結束為止之曝光期間(掃描移動期間)中，第2構件22持續，而在照射區域Se2、Sf1間之第2步進移動期間之至少一部分中，第2構件22之移動停止。
如以上之說明，本實施形態中，亦係以基板P之第1步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)與基板P之第2步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)不同之方式控制驅動裝置32，據以抑止液體LQ從液浸空間LS之流出等。因此，能抑制曝光不良之發生及不良元件之產生。
<第3實施形態>
其次，說明第3實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並省略或簡化其說明。
圖20係以示意方式顯示在某一列(例如列Ge)之照射區域S(例如照射區域Se2)曝光後，進行與該列不同之另一列(例如列Gf)之照射區域S(例如照射區域Sf1)之曝光之狀態之一例的圖。於Y軸方向，包含照射區域Sf1之列Gf係配置在包含照射區域Se2之列Ge之旁。列Gf較列Ge配置在+Y側。
控制裝置6，在形成有液體LQ之液浸空間LS之狀態下， 以基板P沿圖20中箭頭Srd所示之移動軌跡相對投影光學系PL之投影區域PR移動之方式，一邊反覆掃描移動動作與步進移動動作、一邊使列Ge中所含之照射區域Se1、Se2透過液體LQ曝光後，使列Gf中所含之照射區域Sf1透過液體LQ曝光。又，在列Gf中所含之照射區域Sf1曝光後，該列Gf中所含之複數個照射區域Sf2、Sf3、Sf4透過液體LQ依序曝光。
圖21係以示意方式顯示列Ge中所含之照射區域Se2曝光後，列Gf中所含之照射區域Sf1曝光時之第2構件22之一動作(動作方式)例的圖。
圖21(A)顯示基板P配置在照射區域Se2之曝光結束位置(照射區域Se2之掃描移動動作結束位置、照射區域Se2、Sf1間之步進移動動作開始位置)的狀態。
圖21(B)顯示基板P配置在照射區域Sf1之曝光開始位置(照射區域Sf1之掃描移動動作開始位置、照射區域Se2、Sf1間之步進移動動作結束位置)的狀態。
圖21(C)顯示基板P從照射區域Sf1之曝光結束位置移動至照射區域Sf2之曝光開始位置(照射區域Sf2之掃描移動動作開始位置)之途中的狀態。
圖21(D)顯示基板P配置於照射區域Sf2之曝光開始位置(照射區域Sf2之掃描移動動作開始位置、照射區域Sf1、Sf2間之步進移動動作結束位置)的狀態。
接著，說明照射區域Se2之曝光。為使照射區域Se2曝光，控制裝置6在從照射區域Se2之曝光開始至該照射區域Se2之曝光結束為止 之期間，進行包含至少往+Y軸方向之移動之基板P之掃描移動動作。為使照射區域Se2曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22從位置Js移動至位置Jr。如圖21(A)所示，於照射區域Se2之曝光結束時，第2構件22係配置於位置Jr。
其次，說明照射區域Se2、Sf1間之基板P之步進移動。照射區域Se2、Sf1間之基板P之步進移動動作，係在為使照射區域Se2曝光之基板P之掃描移動動作結束後進行。
從列Ge之照射區域Se2之曝光結束至列Gf之照射區域Sf1之曝光開始為止之基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)，較從同一列Ge中所含之照射區域Se(例如照射區域Se1)之曝光結束至次一照射區域Se(例如照射區域Se2)之曝光開始為止之基板P之步進移動期間(第1步進移動期間)長。
又，從列Ge之照射區域Se2之曝光結束位置至列Gf之照射區域Sf1之曝光開始位置為止之基板P之步進移動距離，較從同一列Ge中所含之照射區域Se(例如照射區域Se1)之曝光結束位置至次一照射區域Se(例如照射區域Se2)之曝光開始位置為止之基板P之步進移動距離長。
照射區域Se2、Sf1間之基板P之步進移動動作，包含基板P至少移動於X軸方向之動作。照射區域Se2、Sf1間之基板P之步進移動動作，包含基板P一邊往-X軸方向移動一邊往+Y軸方向移動的動作、與基板P一邊往-X軸方向移動一邊往-Y軸方向移動的動作。
在照射區域Se2、Sf1間之基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)之至少一部分中，第2構件22往基板P之移動方向(-X軸 方向)移動。第2構件22以和基板P之相對速度變小之方式移動。本實施形態中，在照射區域Se2、Sf1間之基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)中，第2構件22從位置Jr移動至位置Js。如圖21(B)所示，照射區域Se2、Sf1間之步進移動結束(照射區域Sf1之曝光開始)時，第2構件22係配置在位置Js。
又，照射區域Se2、Sf1間之基板P之步進移動動作，亦可包含基板P一邊往-X軸方向移動一邊往+Y軸方向及-Y軸方向中之一方或兩方移動的動作、與基板P一邊往+X軸方向移動一邊往+Y軸方向及-Y軸方向中之一方或兩方移動的動作。在照射區域Se2、Sf1間之第2步進移動期間中基板P往-X軸方向及+X軸方向移動之情形時，第2構件22可僅往-X軸方向移動、亦可以是往-X軸方向及+X軸方向之兩方移動。例如，在照射區域Se2、Sf1間之第2步進移動期間中基板P往-X軸方向及+X軸方向移動之場合，第2構件22可以是以和基板P之相對速度變小之方式，移動於-X軸方向及+X軸方向之兩方。
在照射區域Se2、Sf1間之基板P之步進移動中，第2構件22可持續移動。在照射區域Se2、Sf1間之基板P之步進移動之至少一部分中，第2構件22之移動可以是停止的。
其次，說明照射區域Sf1之曝光。為使照射區域Sf1曝光，控制裝置6在從照射區域Sf1之曝光至該照射區域Sf1之曝光結束為止之期間，進行包含至少往Y軸方向之基板P之掃描移動。在為使照射區域Sf1曝光之基板P之掃描移動中，第2構件22不移動。在為使照射區域Sf1曝光之基板P之掃描移動中，第2構件22係維持在位置Js。如圖21(B)及 圖21(C)所示，在照射區域Sf1之曝光開始及曝光結束之兩方中，第2構件22係配置在位置Js。
又，在為使照射區域Sf1曝光之基板P之掃描移動之至少一部分中，第2構件22可移動。此外，在為使照射區域Sf1曝光之基板P之掃描移動中，第2構件22可持續移動。控制裝置6，可以在為使照射區域Sf1曝光之基板P之掃描移動中使第2構件22移動於X軸方向，於照射區域Sf1之曝光結束時，第2構件22配置於位置Js之方式，控制驅動裝置32。
其次，說明照射區域Sf1、Sf2間之基板P之步進移動。照射區域Sf1、Sf2間之基板P之步進移動動作，係在為使照射區域Sf1曝光之基板P之掃描移動動作結束後進行。
在從照射區域Sf1之曝光結束至照射區域Sf2之曝光開始為止之期間，控制裝置6進行包含至少往+X軸方向移動之基板P之步進移動動作。在照射區域Sf1、Sf2間之基板P之步進移動期間之至少一部分中，第2構件22往基板P之移動方向(+X軸方向)移動。第2構件22以和基板P之相對速度變小之方式移動。本實施形態中，如圖21(C)及圖21(D)所示，在照射區域Sf1、Sf2間之基板P之步進移動期間(第1步進移動期間)中，第2構件22從位置Js移動至位置Jr。
其次，說明照射區域Sf2之曝光。如圖21(D)所示，於照射區域Sf2之曝光開始時，第2構件22係配置於位置Jr。在從照射區域Sf2之曝光開始至該照射區域Sf2之曝光結束為止之期間，控制裝置6進行包含至少往-Y軸方向移動之基板P之掃描移動動作。本實施形態，在為使照射區域Sf2曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22從位置Jr移動至 位置Js。
之後，在同一列Gf中所含之複數個照射區域Sf之各個依序曝光之場合，控制裝置6針對基板P(基板載台2)及第2構件22，進行與上述相同的動作。
本實施形態中，在照射區域Se2、Sf1間之步進移動期間(第2步進移動期間)之開始與照射區域Sf1、Sf2間之步進移動期間(第1步進移動期間)之開始時，第2構件22相對終端光學元件13(第1構件21)之位置亦不同。本實施形態中，如圖21(A)所示，在照射區域Se2、Sf1間之步進移動期間(第2步進移動期間)之開始時，第2構件22係配置在位置Jr。如圖21(C)所示，在照射區域Sf1、Sf2間之步進移動期間(第1步進移動期間)之開始時，第2構件22係配置在位置Js。
此外，在照射區域Se2、Sf1間之步進移動期間(第2步進移動期間)之結束與照射區域Sf1、Sf2間之步進移動期間(第1步進移動期間)之結束時，第2構件22相對終端光學元件13(第1構件21)之位置不同。本實施形態中，如圖21(B)所示，照射區域Se2、Sf1間之步進移動期間(第2步進移動期間)之結束時，第2構件22係配置在位置Js。如圖21(D)所示，在照射區域Sf1、Sf2間之步進移動期間(第1步進移動期間)之結束時，第2構件22係配置在位置Jr。
本實施形態中，在從某一列Gf中所含之照射區域Sf1之曝光結束至與該列同一列Gf中所含之次一照射區域Sf2之曝光開始為止之基板P之第1步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)、與從某一列Ge之照射區域Se2之曝光結束至與該列不同之另一列Gf之照射區域Sf1 之曝光開始為止之基板P之第2步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)亦不同。
此外，亦可以是在第1步進移動期間中第2構件22持續移動、而在第2步進移動期間之至少一部分中，第2構件22之移動停止。
又，在第1步進移動期間與第2步進移動期間中，第2構件22之移動方向可相同、亦可不同。本實施形態中，在照射區域Se2、Sf1間之第2步進移動期間中，第2構件22至少移動於-X軸方向。在照射區域Se1、Se2間之第1步進移動期間中，第2構件22移動於-X軸方向。在照射區域Sf1、Sf2間之第1步進移動期間中，第2構件22則移動於+X軸方向。
又，在第1步進移動期間與第2步進移動期間中，第2構件22之移動距離可不同。第2構件22在第2步進移動期間中相對終端光學元件13之移動距離，可以較第2構件22在第1步進移動期間中相對終端光學元件13之移動距離長、亦可較其短。
又，在第1步進移動期間與第2步進移動期間中，第2構件22之移動速度可以不同。第2構件22在第2步進移動期間中相對終端光學元件13之移動速度，可以較第2構件22在第1步進移動期間中相對終端光學元件13之移動速度高、亦可較其低。
又，在第1步進移動期間與第2步進移動期間中，第2構件22之加速度(減速度)可以不同。第2構件22在第2步進移動期間中相對終端光學元件13之加速度，可以較第2構件22在第1步進移動期間中相對終端光學元件13之加速度高、亦可較其低。
又，在照射區域Se1、Se2間之第1步進移動期間中，第2構件22可持續移動。此外，在照射區域Se2、Sf1間之第2步進移動期間中，第2構件22可持續移動。又，在照射區域Sf1、Sf2間之第1步進移動期間中，第2構件22可持續移動。再者，在第1步進移動期間及第2步進移動期間之兩方中，第2構件22可持續移動。
又，在從照射區域Se2之曝光開始至曝光結束為止之曝光期間、與在照射區域Se2、Sf1間之第2步進移動期間中，第2構件22可持續移動。
又，在從照射區域Se2之曝光開始至曝光結束為止之曝光期間(掃描移動動作期間)、與照射區域Se2、Sf1間之第2步進移動期間、與從照射區域Sf1之曝光開始至曝光結束為止之曝光期間(掃描移動動作期間)中，第2構件22可持續移動。
又，在照射區域Se1、Se2間之第1步進移動期間之至少一部分中，第2構件22之移動可停止。此外，在照射區域Se2、Sf1間之第2步進移動期間之至少一部分中，第2構件22之移動可停止。再者，在照射區域Sf1、Sf2間之第1步進移動期間之至少一部分中，第2構件22之移動可停止。
又，在照射區域Se2、Sf1間之第2步進移動期間之至少一部分中第2構件22之移動停止之場合，在該第2步進移動期間中之基板P移動於Y軸方向之期間之至少一部分中，第2構件22之移動可停止。
又，亦可以是在從照射區域Se2之曝光開始至曝光結束為止之曝光期間(掃描移動期間)中第2構件22持續移動，而在照射區域Se2、 Sf1間之第2步進移動期間之至少一部分中第2構件22之移動停止。
又，亦可以是在從照射區域Se2之曝光開始至曝光結束為止之曝光期間(掃描移動期間)及從照射區域Sf1之曝光開始至曝光結束為止之曝光期間(掃描移動期間)中第2構件22持續移動，而在照射區域Se2、Sf1間之第2步進移動期間之至少一部分中第2構件22之移動停止。如以上之說明，本實施形態，亦係藉由以第2構件22在基板P之第1步進移動期間中之動作(動作方式)與第2構件22在基板P之第2步進移動期間中之動作(動作方式)不同之方式控制驅動裝置32，以抑制液體LQ從液浸空間LS流出等。因此，能抑制曝光不良之發生及不良元件之產生。
又，上述第2及第3實施形態，可在照射區域Se2、Sf1間之基板P之步進移動動作中，以第2構件22遮蔽曝光用光EL之光路之方式，移動第2構件22。上述第2及第3實施形態，由於在照射區域Se2、Sf1間之基板P之步進移動動作中，基板P往-X軸方向之移動距離較長，因此，可以第2構件22之開口35之+X側端部較投影區域PR之+X側端部位在-X側之方式，移動第2構件22。不過，在開始照射區域Sf1之曝光前，必須將第2構件22移動至不會遮蔽曝光用光EL之光路之位置。
<第4實施形態>
其次，說明第4實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並省略或簡化其說明。
圖22係以示意方式顯示在某一列(例如列Gi)之照射區域S(例如照射區域Si2)曝光後，進行與列不同之另一列(例如列Gj)之照射區域S(例如照射區域Sj1)之曝光之狀態之一例的圖。於Y軸方向，包 含照射區域Sj1之列Gj，配置在包含照射區域Si2之列Gi之旁。列Gj較列Gi配置在+Y側。
於Y軸方向，照射區域Sj1之位置與照射區域Si2之位置不同。照射區域Sj1較照射區域Si2配置在+Y側。於X軸方向，照射區域Sj1之位置與照射區域Si2之位置不同。照射區域Sj1較照射區域Si2配置在+X側。本實施形態中，照射區域Si2之+X側邊緣與照射區域Sj1之-X側邊緣於X軸方向之距離，較照射區域Sj2(照射區域Si2、Sj1)於X軸方向之尺寸大。
於X軸方向，照射區域Sj2配置在照射區域Sj1之旁。於X軸方向，照射區域Sj3配置在照射區域Sj2之旁。於X軸方向，照射區域Sj4配置在照射區域Sj3之旁。照射區域Sj2較照射區域Sj1配置在-X側。照射區域Sj3較照射區域Sj2配置在-X側。照射區域Sj4較照射區域Sj3配置在-X側。
控制裝置6，在形成有液體LQ之液浸空間LS之狀態下，以基板P相對投影光學系PL之投影區域PR沿圖22中箭頭Sre所示之移動軌跡相對之方式，一邊反覆掃描移動動作與步進移動動作、一邊使列Gi中所含之照射區域Si1、Si2透過液體LQ依序曝光後，使列Gj中所含之照射區域Sj1透過液體LQ曝光。又，列Gj中所含之照射區域Sj1曝光後，該列Gj中所含之複數個照射區域Sj2、Sj3、Sj4透過液體LQ依序曝光。
本實施形態中，於Y軸方向之列Gi之照射區域Si(Si1、Si2)之尺寸Wi，與於Y軸方向之列Gj之照射區域Sj(Sj1~Sj4)之尺寸Wj不同。本實施形態中，尺寸Wj較尺寸Wi小。尺寸Wi之照射區域Si(Si1、 Si2)依序曝光後，尺寸Wj之照射區域Sj(照射區域Sj1~Sj4)即依序曝光。
本實施形態中，控制裝置6係以從照射區域Si1之曝光結束至照射區域Si2之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中第2構件22之動作(動作方式)、與從照射區域Sj1之曝光結束至照射區域Sj2之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中第2構件22之動作(動作方式)不同之方式，控制驅動裝置32。
又，本實施形態中，控制裝置6係以從照射區域Si1之曝光結束至照射區域Si2之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中第2構件22之動作(動作方式)、與從照射區域Si2之曝光結束至照射區域Sj1之曝光開始為止之基板P之步進移動期間5中第2構件22之動作(動作方式)不同之方式，控制驅動裝置32。
此外，本實施形態中，控制裝置6係以從照射區域Si2之曝光結束至照射區域Sj1之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中第2構件22之動作(動作方式)、與從照射區域Sj1之曝光結束至照射區域Sj2之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中第2構件22之動作(動作方式)不同之方式，控制驅動裝置32。
圖23係以示意方式顯示列Gi中所含之照射區域Si1、Si2曝光後，列Gj中所含之照射區域Sj1~Sj4曝光時之第2構件22之動作(動作方式)之一例的圖。
圖23(A)顯示基板P配置在照射區域Si2之曝光結束位置(照射區域Si2之掃描移動動作結束位置、照射區域Si2、Sj1間之步進移動動作開始位置)的狀態。
圖23(B)顯示基板P配置在照射區域Sj1之曝光開始位置(照射區域Sj1之掃描移動動作開始位置、照射區域Si2、Sj1間之步進移動動作結束位置)的狀態。
圖23(C)顯示基板P配置在照射區域Sj1之曝光結束位置(照射區域Sj1之掃描移動動作結束位置、照射區域Sj1、Sj2間之步進移動動作開始位置)的狀態。
圖23(D)顯示基板P配置在照射區域Sj2之曝光開始位置(照射區域Sj2之掃描移動動作開始位置、照射區域Sj1、Sj2間之步進移動動作結束位置)的狀態。
圖23(E)顯示基板P配置在照射區域Sj2之曝光結束位置(照射區域Sj2之掃描移動動作結束位置、照射區域Sj2、Sj3間之步進移動動作開始位置)的狀態。
圖23(F)顯示基板P配置在照射區域Sj3之曝光開始位置(照射區域Sj3之掃描移動動作開始位置、照射區域Sj2、Sj3間之步進移動動作結束位置)的狀態。
接著，說明照射區域Si1之曝光。為使照射區域Si1曝光，控制裝置6在從照射區域Si1之曝光開始至該照射區域Si1之曝光結束為止之期間，至少包含往-Y軸方向之移動之基板P之掃描移動動作。在為使照射區域Si1曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22從位置Js移動至位置Jr。
其次，說明照射區域Si1、Si2間之步進移動動作。照射區域Si1、Si2間之基板P之步進移動動作，係在為使照射區域Si1曝光之基板P 之掃描移動動作結束後進行。
照射區域Si1、Si2間之基板P之步進移動動作，包含基板P至少移動於X軸方向之動作。照射區域Si1、Si2間之基板P之步進移動動作，包含基板P一邊往-X軸方向移動一邊往-Y軸方向移動之動作、與基板P一邊往-X軸方向移動一邊往+Y軸方向移動之動作。
在照射區域Si1、Si2間之基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)之至少一部分中，第2構件22往基板P之移動方向(-X軸方向)移動。第2構件22以和基板P之相對速度變小之方式移動。在照射區域Si1、Si2間之基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)中，第2構件22從位置Jr移動至位置Js。
其次，說明照射區域Si2之曝光。為使區域Si2曝光，控制裝置6在從照射區域Si2之曝光開始至該照射區域Si2之曝光結束為止之期間，進行包含至少往+Y軸方向之移動之基板P之掃描移動動作。在為使照射區域Si2曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22從位置Js移動至位置Jr。如圖23(A)所示，照射區域Si2之曝光結束時，第2構件22係配置於位置Jr。
其次，說明照射區域Si2、Sj1間之步進移動。在為使照射區域Si2曝光之基板P之掃描移動動作結束後，進行照射區域Si2、Sj1間之基板P之步進移動動作。
從列Gi之照射區域Si2之曝光結束起至列Gj之照射區域Sj1之曝光開始為止之基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)，較從同一列Gi中所含之照射區域Si(例如照射區域Si1)之曝光結束起至次一照射 區域Si(例如照射區域Si2)之曝光開始為止之基板P之步進移動期間(第1步進移動期間)長。
又，從列Gi之照射區域Si2之曝光結束至列Gj之照射區域Sj1之曝光開始為止之基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)，較從同一列Gj中所含之照射區域Sj(例如照射區域Sj1)之曝光結束至次一照射區域Sj(例如照射區域Sj2)之曝光開始為止之基板P之步進移動期間(第1步進移動期間)長。
又，從列Gi之照射區域Si2之曝光結束位置至列Gj之照射區域Sj1之曝光開始位置為止之基板P之步進移動距離，較從同一列Gi中所含之照射區域Si(例如照射區域Si1)之曝光結束位置至次一照射區域Si(例如照射區域Si2)之曝光開始位置為止之基板P之步進移動距離長。
又，從列Gi之照射區域Si2之曝光結束位置至列Gj之照射區域Sj1之曝光開始位置為止之基板P之步進移動距離，較從同一列Gj中所含之照射區域Sj(例如照射區域Sj1)之曝光結束位置至次一照射區域Sj(例如照射區域Sj2)之曝光開始位置為止之基板P之步進移動距離長。
照射區域Si2、Sj1間之基板P之步進移動動作，包含基板P至少移動於X軸方向之動作。照射區域Si2、Sj1間之基板P之步進移動動作，包含基板P一邊往-X軸方向移動一邊往+Y軸方向移動之動作、與基板P一邊往-X軸方向移動一邊往-Y軸方向移動之動作。
於照射區域Si2、Sj1間之基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)之至少一部分中，第2構件22往基板P之移動方向(-X軸方向)移動。第2構件22以和基板P之相對速度變小之方式移動。於照射區 域Si2、Sj1間之基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)中，第2構件22從位置Jr移動至位置Js。如圖23(B)所示，於照射區域Si2、Sj1間之步進移動結束(照射區域Sj1之曝光開始)中，第2構件22係配置在位置Js。
又，照射區域Si2、Sj1間之基板P之步進移動動作，亦可包含基板P一邊往-X軸方向移動一邊往+Y軸方向及-Y軸方向中之一方或兩方移動之動作、與基板P一邊往+X軸方向移動一邊往+Y軸方向及-Y軸方向中之一方或兩方移動之動作。於照射區域Si2、Sj1間之第2步進移動期間中基板P往-X軸方向及+X軸方向移動之情形時，第2構件22可僅往-X軸方向移動、亦可往-X軸方向及+X軸方向之兩方移動。例如，於照射區域Si2、Sj1間之第2步進移動期間中基板P往-X軸方向及+X軸方向移動之情形時，第2構件22可以和基板P之相對速度變小之方式，往-X軸方向及+X軸方向之兩方移動。
於照射區域Si2、Sj1間之基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)中，第2構件22可持續移動。於照射區域Si2、Sj1間之基板P之步進移動期間(第2步進移動期間)之至少一部分中，第2構件22之移動可停止。此外，本實施形態，於照射區域Si2、Sj1間之基板P之步進移動動作中，可以第2構件22遮蔽曝光用光EL之光路之方式，移動第2構件22。本實施形態，於照射區域Si2、Sj1間之基板P之步進移動動作中，由於基板P往-X軸方向之移動距離長，因此亦可以第2構件22之開口35之+X側端部較投影區域PR之+X側端部位於-X側之方式，移動第2構件22。不過，必須在開始照射區域Sj1之曝光前，將第2構件22移動至不 會遮蔽曝光用光EL之光路之位置。
其次，說明照射區域Sj1之曝光。為使照射區域Sj1曝光之基板P之掃描移動動作，係在照射區域Si2、Sj1間之基板P之步進移動動作結束後進行。
從列Gj之照射區域Sj(例如照射區域Sj1)之曝光開始至該照射區域Sj(照射區域Sj1)之曝光結束為止之基板P之掃描移動期間，較從列Gi中所含之照射區域Si(例如照射區域Si1)之曝光開始至該照射區域Si(照射區域Si1)之曝光結束為止之基板P之掃描移動期間短。
又，從列Gj之照射區域Sj(例如照射區域Sj1)之曝光開始位置至該照射區域Sj(照射區域Sj1)之曝光結束位置為止之基板P之掃描移動距離，較從列Gi中所含之照射區域Si(例如照射區域Si1)之曝光開始位置至該照射區域Si(照射區域Si1)之曝光結束位置為止之基板P之掃描移動距離短。
本實施形態中，在為使照射區域Sj1曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22不移動。換言之，在為使照射區域Sj1曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22相對終端光學元件13(第1構件21)是停止的。在為使照射區域Sj1曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22相對終端光學元件13(第1構件21)之相對速度為零。亦即，在基板P於X軸方向實質不移動之為使照射區域Sj1曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22不往X軸方向移動。在為使照射區域Sj1曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22之位置被維持於位置Js。如圖23(B)及圖23(C)所示，在照射區域Sj1之曝光開始及曝光結束之兩方中，第2構件 22係配置於位置Js。
又，在為使照射區域Sj1曝光之基板P之掃描移動期間之至少一部分中，第2構件22亦可移動。此外，在為使照射區域Sj1曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22亦可持續移動。控制裝置6，亦可以在為使照射區域Sj1曝光之基板P之掃描移動期間中第2構件22移動於X軸方向，而在照射區域Sj1之曝光結束時第2構件22配置於位置Js之方式，控制驅動裝置32。
其次，說明照射區域Sj1、Sj2間之基板P之步進移動。本實施形態中，在從照射區域Sj1之曝光結束至照射區域Sj2之曝光開始為止之期間，控制裝置6進行包含至少往+X軸方向之移動之基板P之步進移動動作。於照射區域Sj1、Sj2間之基板P之步進移動期間之至少一部分中，第2構件22往基板P之移動方向(+X軸方向)移動。第2構件22以和基板P之相對速度變小之方式移動。
如圖23(C)所示，於照射區域Sj1、Sj2間之步進移動動作開始時，第2構件22係配置於位置Js。本實施形態，在照射區域Sj1、Sj2間之基板P之步進移動期間(第1步進移動期間)中，第2構件22從位置Js移動至位置Jrm。如圖23(D)所示，在照射區域Sj1、Sj2間之步進移動動作結束時，第2構件22係配置於位置Jrm。於照射區域Sj1、Sj2間之基板P之步進移動期間(第1步進移動期間)中，第2構件22開始從位置Js之移動，往+X軸方向移動直到到達位置Jrm為止。
其次，說明照射區域Sj2之曝光。在照射區域Sj1、Sj2間之基板P之步進移動動作結束後，進行為使照射區域Sj2曝光之基板P之掃描 移動動作。本實施形態，在從照射區域Sj2之曝光開始至該照射區域Sj2之曝光結束為止之期間，控制裝置6進行包含至少往+Y軸方向之移動之基板P之掃描移動動作。
本實施形態，在為使照射區域Sj2曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22從位置Jrm移動至位置Jsm。如圖23(E)所示，於照射區域Sj2之曝光結束時，第2構件22係配置於位置Jsm。在為使照射區域Sj2曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22開始從位置Jrm之移動，往-X軸方向移動直到到達位置Jsm為止。
在為使照射區域Sj2曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22可持續移動。在為使照射區域Sj2曝光之基板P之掃描移動期間之至少一部分中，第2構件22之移動可停止。
其次，說明照射區域Sj2、Sj3間之基板P之步進移動。本實施形態中，在從照射區域Sj2之曝光結束至照射區域Sj3之曝光開始為止之期間，控制裝置6進行包含至少往+X軸方向移動之基板P之步進移動動作。在照射區域Sj2、Sj3間之基板P之步進移動期間之至少一部分中，第2構件22往基板P之移動方向(+X軸方向)移動。第2構件22以和基板P之相對速度變小之方式移動。
本實施形態，在照射區域Sj2、Sj3間之基板P之步進移動期間(第1步進移動期間)中，第2構件22從位置Jsm移動至位置Jrm。如圖23(F)所示，在照射區域Sj2、Sj3間之步進移動結束(照射區域Sj3之曝光開始)時，第2構件22係配置在位置Jrm。在照射區域Sj2、Sj3間之基板P之步進移動期間(第1步進移動期間)中，第2構件22開始從位置 Jsm之移動，往+X軸方向移動直到到達位置Jrm為止。
其次，說明照射區域Sj3之曝光。為使照射區域Sj3曝光之基板P之掃描移動動作，係在照射區域Sj2、Sj3間之基板P之步進移動動作結束後進行。本實施形態中，在從照射區域Sj3之曝光開始至該照射區域Sj3之曝光結束為止之期間，控制裝置6進行包含至少往-Y軸方向之移動之基板P之掃描移動動作。
本實施形態，在為使照射區域Sj3曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22從位置Jrm移動至位置Jsm。在為使照射區域Sj3曝光之基板P之掃描移動期間中，第2構件22開始從位置Jrm之移動，往-X軸方向移動直到到達位置Jsm為止。
其次，說明照射區域Sj3、Sj4間之基板P之步進移動。於照射區域Sj3、Sj4間之步進移動動作開始時，第2構件22係配置於位置Jsm。於照射區域Sj3、Sj4間之步進移動動作結束時，第2構件22則係配置於位置Jrm。
在從照射區域Sj3之曝光結束至照射區域Sj4之曝光開始為止之期間，控制裝置6進行包含至少往+X軸方向移動之基板P之步進移動動作。於照射區域Sj3、Sj4間之基板P之步進移動期間之至少一部分中，第2構件22往基板P之移動方向(+X軸方向)移動。第2構件22以和基板P之相對速度變小之方式移動。
於照射區域Sj3、Sj4間之基板P之步進移動期間(第1步進移動期間)中，第2構件22從位置Jsm移動至位置Jrm。於照射區域Sj3、Sj4間之基板P之步進移動期間(第1步進移動期間)中，第2構件22開 始從位置Jsm之移動，往+X軸方向移動直到到達位置Jrm為止。
以下，在使同一列Gj中所含之複數個照射區域Sj之各個依序曝光之場合，控制裝置6使基板P(基板載台2)及第2構件22進行與上述同樣的動作。
本實施形態中，於照射區域Si1、Si2間之步進移動期間(第1步進移動期間)之開始與照射區域Sj2、Sj3間之步進移動期間(第1步進移動期間)之開始時，第2構件22相對終端光學元件13(第1構件21)之位置不同。本實施形態中，於照射區域Si1、Si2間之步進移動期間(第1步進移動期間)之開始時，第2構件22係位於位置Jr。照射區域Sj2、Sj3間之步進移動期間(第1步進移動期間)之開始時，第2構件22則係位於位置Jsm。本實施形態中，於照射區域Si1、Si2間之步進移動期間(第1步進移動期間)之開始與照射區域Sj2、Sj3間之步進移動期間(第1步進移動期間)之開始時，原點(中心位置Jm)與第2構件22間之距離不同。
又，本實施形態中，於照射區域Si1、Si2間之步進移動期間(第1步進移動期間)之結束與照射區域Sj2、Sj3間之步進移動期間(第1步進移動期間)之結束時，第2構件22相對終端光學元件13(第1構件21)之位置不同。本實施形態中，於照射區域Si1、Si2間之步進移動期間(第1步進移動期間)之結束時，第2構件22係位於位置Js。於照射區域Sj2、Sj3間之步進移動期間(第1步進移動期間)之結束時，第2構件22則係位於位置Jrm。本實施形態中，於照射區域Si1、Si2間之步進移動期間(第1步進移動期間)之開始與照射區域Sj2、Sj3間之步進移動期間(第1步進移動期間)之開始時，原點(中心位置Jm)與第2構件22間之距離不同。
又，本實施形態中，於照射區域Si2、Sj1間之步進移動期間(第2步進移動期間)之開始與照射區域Sj2、Sj3間之步進移動期間(第1步進移動期間)之開始時，第2構件22相對終端光學元件12(第1構件21)之位置不同。本實施形態中，於照射區域Si2、Sj1間之步進移動期間(第2步進移動期間)之開始時，第2構件22係位於位置Jr。於照射區域Sj2、Sj3間之步進移動期間(第1步進移動期間)之開始時，第2構件22則係位於位置Jsm。本實施形態中，於照射區域Si2、Sj1間之步進移動期間(第2步進移動期間)之開始與照射區域Sj2、Sj3間之步進移動期間(第1步進移動期間)之開始時，原點(中心位置Jm)與第2構件22間之距離不同。
又，本實施形態中，於照射區域Si2、Sj1間之步進移動期間(第2步進移動期間)之結束與照射區域Sj2、Sj3間之步進移動期間(第1步進移動期間)之結束時，第2構件22相對終端光學元件13(第1構件21)之位置不同。本實施形態中，於照射區域Si2、Sj1間之步進移動期間(第2步進移動期間)之結束時，第2構件22係位於位置Js。於照射區域Sj2、Sj3間之步進移動期間(第1步進移動期間)之結束時，第2構件22則係位於位置Jrm。本實施形態中，於照射區域Si2、Sj1間之步進移動期間(第2步進移動期間)之結束與照射區域Sj2、Sj3間之步進移動期間(第1步進移動期間)之結束時，原點(中心位置Jm)與第2構件22間之距離不同。
如以上所述，本實施形態中，從尺寸Wi之照射區域Si1之曝光結束至尺寸Wi之照射區域Si2之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)、與從尺寸Wj之照射區域Sj1(或Sj2)之曝光結束至尺寸Wj之照射區域Sj2(或Sj3)之曝光開始為止之基 板P之步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)不同。
又，本實施形態中，從尺寸Wi之照射區域Si2之曝光結束至尺寸Wj之照射區域Sj1之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)、與從尺寸Wj之照射區域Sj1(或Sj2)之曝光結束至尺寸Wj之照射區域Sj2(或Sj3)之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)不同。
本實施形態中，從尺寸Wi之照射區域Si1之曝光結束至尺寸Wi之照射區域Si2之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之移動距離、與從尺寸Wj之照射區域Sj1(或Sj2)之曝光結束至尺寸Wj之照射區域Sj2(或Sj3)之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之移動距離不同。本實施形態中，在從尺寸Wi之照射區域Si1之曝光結束至尺寸Wi之照射區域Si2之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中，第2構件22在位置Jr與位置Jm之間移動。在從尺寸Wj之照射區域Sj2之曝光結束至尺寸Wj之照射區域Sj3之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中，第2構件22在位置Jrm與位置Jsm之間移動。本實施形態中，從尺寸Wj之照射區域Sj1(或Sj2)之曝光結束至尺寸Wj之照射區域Sj2(或Sj3)之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之移動距離，較從尺寸Wi之照射區域Si1之曝光結束至尺寸Wi之照射區域Si2之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之移動距離短。又，在照射區域Sj1、Sj2間(Sj2、Sj3間)之步進移動期間中之第2構件22之移動距離，可較照射區域Si1、Si2間之步進移動期間中之第2構件22之移動距離長、亦可與其實質相等。
又，本實施形態中，從尺寸Wi之照射區域Si2之曝光結束至尺寸Wj之照射區域Sj1之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之移動距離、與從尺寸Wj之照射區域Sj1(或Sj2)之曝光結束至尺寸Wj之照射區域Sj2(或Sj3)之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之移動距離不同。本實施形態中，在從尺寸Wi之照射區域Si2之曝光結束至尺寸Wj之照射區域Sj1之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中，第2構件22在位置Jr與位置Jm之間移動。在從尺寸Wj之照射區域Sj2之曝光結束至尺寸Wj之照射區域Sj3之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中，第2構件22在位置Jrm與位置Jsm之間移動。本實施形態中，從尺寸Wj之照射區域Sj1(或Sj2)之曝光結束至尺寸Wj之照射區域Sj2(或Sj3)之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之移動距離，較從尺寸Wi之照射區域Si2之曝光結束至尺寸Wj之照射區域Sj1之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之移動距離短。又，在照射區域Sj1、Sj2間(Sj2、Sj3間)之步進移動期間中之第2構件22之移動距離，可較在照射區域Si2、Sj1間之步進移動期間中之第2構件22之移動距離長、亦可與其實質相等。
又，第2構件22可以不僅是移動於X軸方向，亦可移動於X軸方向及Y軸方向。第2構件22之移動距離，可以是在該XY平面內之移動距離。此外，在第2構件22是能於X軸、Y軸、Z軸、θ X、θ Y及θ Z之6個方向移動之情形時，第2構件22之移動距離，可以是於該6個方向之移動距離。
又，本實施形態中，從照射區域Si1之曝光結束至照射區域 Si2之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之移動方向、與從照射區域Sj1(或Sj2)之曝光結束至照射區域Sj2(或Sj3)之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之移動方向，可以不同。
又，本實施形態中，從照射區域Si2之曝光結束至照射區域Sj1之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之移動方向、與從照射區域Sj1(或Sj2)之曝光結束至照射區域Sj2(或Sj3)之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之移動方向，可以不同。
又，本實施形態中，從照射區域Si1之曝光結束至照射區域Si2之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之移動速度、與從照射區域Sj1(或Sj2)之曝光結束至照射區域Sj2(或Sj3)之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之移動速度，可以不同。例如，在照射區域Si1、Si2間之步進移動期間中之第2構件22之移動速度，可以較在照射區域Sj2、Sj3間之步進移動期間中之第2構件22之移動速度低、亦可較其高。
又，本實施形態中，從照射區域Si2之曝光結束至照射區域Sj1之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之移動速度、與從照射區域Sj1(或Sj2)之曝光結束至照射區域Sj2(或Sj3)之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之移動速度，可以不同。例如，在照射區域Si2、Sj1間之步進移動期間中之第2構件22之移動速度，可以較在照射區域Sj2、Sj3間之步進移動期間中之第2構件22之移動速度低、亦可較其高。
又，第2構件22可以不僅是移動於X軸方向，亦可移動於 X軸方向及Y軸方向。第2構件22之移動速度，可以是在該XY平面內之移動速度。此外，在第2構件22是能於X軸、Y軸、Z軸、θ X、θ Y及θ Z之6個方向移動之情形時，第2構件22之移動速度，可以是於該6個方向之移動速度。
又，本實施形態中，從照射區域Si1之曝光結束至照射區域Si2之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之加速度(減速度)、與從照射區域Sj1(或Sj2)之曝光結束至照射區域Sj2(或Sj3)之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之加速度(減速度)，可以不同。例如，在照射區域Si1、Si2間之步進移動期間中之第2構件22之加速度(減速度)，可以較在照射區域Sj2、Sj3間之步進移動期間中之第2構件22加速度(減速度)低、亦可較其高。
又，本實施形態中，從照射區域Si2之曝光結束至照射區域Sj1之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之加速度(減速度)、與從照射區域Sj1(或Sj2)之曝光結束至照射區域Sj2(或Sj3)之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之加速度(減速度)，可以不同。例如，在照射區域Si2、Sj1間之步進移動期間中之第2構件22之加速度(減速度)，可以較在照射區域Sj2、Sj3間之步進移動期間中之第2構件22之加速度(減速度)低、亦可較其高。
又，第2構件22可以不僅是移動於X軸方向，亦可移動於X軸方向及Y軸方向。第2構件22之加速度(減速度)，可以是在該XY平面內之加速度(減速度)。此外，在第2構件22是能於X軸、Y軸、Z軸、θ X、θ Y及θ Z之6個方向移動之情形時，第2構件22之加速度(減 速度)，可以是於該6個方向之加速度(減速度)。
又，亦可在照射區域Si1、Si2間之步進移動期間及照射區域Sj2、Sj3間之步進移動期間中之一步進移動期間中第2構件22持續移動，而在另一步進移動期間之至少一部分中第2構件22之移動停止。
又，亦可在照射區域Si2、Sj1間之步進移動期間及照射區域Sj2、Sj3間之步進移動期間中之一步進移動期間中第2構件22持續移動，而在另一步進移動期間之至少一部分中第2構件22之移動停止。
如以上之說明，本實施形態中，藉由控制驅動裝置32，以使在從尺寸Wi之照射區域Si1之曝光結束至尺寸Wi之照射區域Si2之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)、與在從尺寸Wj之照射區域Sj1之曝光結束至尺寸Wj之照射區域Sj2之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)不同，據以抑制液體LQ從液浸空間LS之流出等。因此，能抑制曝光不良之發生及不良元件之產生。
又，本實施形態中，藉由控制驅動裝置32，以使在從尺寸Wi之照射區域Si2之曝光結束至尺寸Wj之照射區域Sj1之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)、與在從尺寸Wj之照射區域Sj1之曝光結束至尺寸Wj之照射區域Sj2之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)不同，據以抑制液體LQ從液浸空間LS之流出等。因此，能抑制曝光不良之發生及不良元件之產生。
圖24係以示意方式顯示於Y軸方向之尺寸Wm之照射區域 Sm1、Sm2依序曝光、於Y軸方向之尺寸Wn之照射區域Sn1、Sn2依序曝光之例的圖。圖24中，尺寸Wn較尺寸Wm小。照射區域Sm1、Sm2包含在列Gm中。照射區域Sn1、Sn2包含在列Gn中。列Gn配置在列Gm之+Y側。又，列Gn亦可以視配置在列Gm之-Y側。列Gm之照射區域Sm1、Sm2依序曝光後，列Gn之照射區域Sn1、Sn2依序曝光。當然，亦可以是在列Gn之照射區域Sn1、Sn2依序曝光後，列Gm之照射區域Sm1、Sm2再依序曝光。
圖24所式例中，係以從照射區域Sm1之曝光結束至照射區域Sm2之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)、與從照射區域Sn1之曝光結束至照射區域Sn2之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)不同之方式，控制驅動裝置32。
圖25係以示意方式顯示於Y軸方向之尺寸Wm之照射區域Sm1、Sm2依序曝光、於Y軸方向之尺寸Wn之照射區域Sn1、Sn2依序曝光之例的圖。圖25中，尺寸Wn較尺寸Wm小。照射區域Sm1、Sm2及照射區域Sn1、Sn2包含在列Gmn中。照射區域Sm1、Sm2依序曝光後，照射區域Sn1、Sn2依序曝光。當然，亦可以是在照射區域Sn1、Sn2依序曝光後，照射區域Sm1、Sm2再依序曝光。
圖25所式例中，係以從照射區域Sm1之曝光結束至照射區域Sm2之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)、與從照射區域Sn1之曝光結束至照射區域Sn2之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)不同之方式， 控制驅動裝置32。
圖26係以示意方式顯示於Y軸方向之尺寸Wm之照射區域Sm1、Sm2依序曝光、於Y軸方向之尺寸Wn之照射區域Sn1、Sn2依序曝光之例的圖。圖26中，尺寸Wn較尺寸Wm小。照射區域Sm1包含在列Gm1中。照射區域Sm2包含在列Gm2中。列Gm1與列Gm2不同。列Gm2配置在列Gm1之+Y側。此外，列Gm2亦可以是配置在列Gm1之-Y側。照射區域Sn1包含在列Gn1中。照射區域Sn2包含在列Gn2中。列Gn1與列Gn2不同。列Gn2配置在列Gn1之+Y側。此外，列Gn2亦可以是配置在列Gn1之-Y側。圖26所示之例中，掃描移動方向亦是Y軸方向。照射區域Sm1、Sm2依序曝光後，照射區域Sn1、Sn2依序曝光。當然，亦可以是在列Gn之照射區域Sn1、Sn2依序曝光後，列Gm之照射區域Sm1、Sm2再依序曝光。
圖26所式例中，係以從照射區域Sm1之曝光結束至照射區域Sm2之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)、與從照射區域Sn1之曝光結束至照射區域Sn2之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)不同之方式，控制驅動裝置32。
圖24、圖25及圖26所式例中，例如，在照射區域Sm1、Sm2間之步進移動期間中之第2構件22之移動距離，可以較在照射區域Sn1、Sn2間之步進移動期間中之第2構件22之移動距離長。例如，亦可以是在照射區域Sm1、Sm2間之步進移動期間中，第2構件22係在位置Jr與位置Js之間移動，而在照射區域Sn1、Sn2間之步進移動期間中，第2構件 22則在位置Jrm與位置Jsm之間移動。
圖27係以示意方式顯示於Y軸方向尺寸分別為Wp、Wq之照射區域Sp、Sq依序曝光、於Y軸方向尺寸Wr之照射區域Sr1、Sr2依序曝光之例的圖。圖27中，尺寸Wq較尺寸Wp小。或者，尺寸Wq亦可較尺寸Wp大。圖27所式例中，尺寸Wr與尺寸Wp實質相等。或者，尺寸Wr亦可與尺寸Wq實質相等。又，尺寸Wr亦可與尺寸Wp、Wq相異。尺寸Wr可較尺寸Wp、Wq小、亦可較其大。尺寸Wr亦可以是較尺寸Wp及尺寸q中之一方大、而較另一方小。
照射區域Sp、Sq包含在列Gpq中。照射區域Sr1、Sr2包含在列Gr中。列Gpq配置在列Gr之+Y側。或者，列Gpq亦可配置在列Gr之-Y側。列Gpq之照射區域Sp、Sq依序曝光後，列Gr之照射區域Sr1、Sr2依序曝光。當然，亦可以是在列Gr之照射區域Sr1、Sr2依序曝光後，列Gpq之照射區域Sp、Sq再依序曝光。
圖27所式例中，係以從照射區域Sp之曝光結束至照射區域Sq之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之作(動作方式)、與從照射區域Sr1之曝光結束至照射區域Sr2之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)不同之方式，控制驅動裝置32。
圖28係以示意方式顯示於Y軸方向尺寸分別為Wp、Wq之照射區域Sp、Sq依序曝光、於Y軸方向尺寸Wr之照射區域Sr1、Sr2依序曝光之例的圖。圖28中，尺寸Wq較尺寸Wp小。或者，尺寸Wq亦可較尺寸Wp大。圖28所式例中，尺寸Wr與尺寸Wp實質相等。或者，尺寸 Wr亦可與尺寸Wq實質相等。又，尺寸Wr可與尺寸Wp、Wq相異。尺寸Wr可較尺寸Wp、Wq小、亦可較其大。尺寸Wr亦可較尺寸Wp及尺寸q中之一方大、而較另一方小。
照射區域Sp、Sq及照射區域Sr1、Sr2包含在列Gpqr中。列Gpqr係在照射區域Sp、Sq依序曝光後，照射區域Sr1、Sr2再依序曝光。當然，亦可以是在照射區域Sr1、Sr2依序曝光後，照射區域Sp、Sq再依序曝光。
圖28所式例中，係以從照射區域Sp之曝光結束至照射區域Sq之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)、與從照射區域Sr1之曝光結束至照射區域Sr2之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)不同之方式，控制驅動裝置32。
圖29係以示意方式顯示於Y軸方向尺寸分別為Wp、Wq之照射區域Sp、Sq依序曝光、於Y軸方向尺寸Wr之照射區域Sr1、Sr2依序曝光之例的圖。圖29中，尺寸Wq較尺寸Wp小。或者，尺寸Wq亦可較尺寸Wp大。圖29所式例中，尺寸Wr與尺寸Wp實質相等。又，尺寸Wr亦可與尺寸Wq實質相等。又，尺寸Wr可與尺寸Wp、Wq相異。尺寸Wr可以較尺寸Wp、Wq小、亦可較其大。尺寸Wr亦可較尺寸Wp及尺寸q中之一方大、而較另一方小。
照射區域Sp包含在列Gp中。照射區域Sq包含在列Gq中。列Gp與列Gq不同。列Gq配置在列Gp之+Y側。又，列Gq亦可以是配置在列Gp之-Y側。照射區域Sr1包含在列Gr1中。照射區域Sr2包含在 列Gr2中。列Gr1與列Gr2不同。列Gr2配置在列Gr1之+Y側。列Gr2已可以是配置在列Gr1之-Y側。圖29所式例中，掃描移動方向係Y軸方向。照射區域Sp、Sq依序曝光後，照射區域Sr1、Sr2依序曝光。當然，亦可以是在照射區域Sr1、Sr2依序曝光後，照射區域Sp、Sq再依序曝光。
圖29所式例中，係以從照射區域Sp之曝光結束至照射區域Sq之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)、與從照射區域Sr1之曝光結束至照射區域Sr2之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中之第2構件22之動作(動作方式)不同之方式，控制驅動裝置32。
圖27、圖28及圖29所式例中，例如，在照射區域Sr1、Sr2間之步進移動期間中之第2構件22之移動距離，可以較在照射區域Sp、Sq間之步進移動期間中之第2構間22之移動距離長。例如，可以是在照射區域Sr1、Sr2間之步進移動期間中，第2構件22在位置Jr與位置Js之間移動，而在照射區域Sp、Sq間之步進移動期間中，第2構件22則在位置Jrm與位置Jsm之間移動。
<第5實施形態>
接著，說明第5實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並省略或簡化其說明。
圖30係顯示於X軸方向之基板P(基板載台2)之速度及第2構件22之速度與時間間之關係之一例的圖。圖30所示之圖表中，横軸為時間、縱軸為速度。圖30中，線LP表示基板P(基板載台2)之速度，線L22表示第2構件22之速度。線LR則表示基板P(基板載台2)與第2 構件22之相對速度。
圖30中，期間Tc係進行掃描移動動作之期間。例如於圖11所示例中，期間Tc1對應基板P從位置d1往位置d2之掃描移動期間、期間Tc2對應基板P從位置d3往位置d4之掃描移動期間、期間Tc3對應基板P從位置d5往位置d6之掃描移動期間。又，期間Ts係進行步進移動動作之期間。例如於圖11所示之例中，期間Ts1對應基板P從位置d2往位置d3之步進移動期間、期間Ts2對應基板P從位置d4往位置d5之步進移動期間。
如圖30所示，本實施形態中，在步進移動期間Ts中於X軸方向之第2構件22之移動速度較基板P(基板載台2)之移動速度低。當然，第2構件22之移動速度可與基板P(基板載台2)之移動速度實質相等、亦可較基板P(基板載台2)之移動速度高。亦即，基板P(基板載台2)可較第2構件22以高速移動、或以低速移動、或以相同速度移動。
又，如圖30所示，本實施形態中，在步進移動期間Ts中於X軸方向之第2構件22之加速度較基板P(基板載台2)之加速度低。當然，第2構件22之加速度可與基板P(基板載台2)之加速度相等、亦可較基板P(基板載台2)之加速度高。
又，如圖30所示，本實施形態中，控制裝置6係以從照射區域S(例如照射區域S1)之曝光結束至次一照射區域S(例如照射區域S2)之曝光開始為止之基板P之步進移動期間中第2構件22於+X軸方向以第1移動條件移動、而在從照射區域S2之曝光開始至曝光結束為止之基板P之曝光期間(掃描移動期間)中第2構件22於-X軸方向以和第1移 動條件不同之第2移動條件移動之方式，控制驅動裝置32。
第1、第2移動條件包含第2構件22之移動速度。本實施形態中，第1、第2移動條件包含於X軸方向之第2構件22之移動速度。
又，第1、第2移動條件包含第2構件22之加速度(減速度)本實施形態中，第1、第2移動條件包含於X軸方向之第2構件22之加速度(減速度)。
例如，如圖30所示，於步進移動期間Ts中，第2構件22以速度(最高速度)Va移動。於掃描移動期間(曝光期間)Tc中，第2構件22則以速度(最高速度)Vb移動。
本實施形態，在掃描移動期間(曝光期間)Tc中之第2構件22之移動速度Vb，較在步進移動期間Ts中之第2構件22之移動速度Va低。又，本實施形態中，第2構件22之移動速度包含相對於終端光學元件13之速度(相對速度)之絶對值。
又，本實施形態，在掃描移動期間(曝光期間)Tc中之第2構件22之加速度，較在步進移動期間Ts中之第2構件22之加速度低。此外，本實施形態中，第2構件22之加速度包含相對於終端光學元件13之加速度之絶對值。
本實施形態，於掃描移動期間(曝光期間)Tc之至少一部分中，第2構件22係以一定速度移動。本實施形態中，第2構件22於掃描移動期間(曝光期間)Tc之一部分中，係以一定之速度Vb移動。於步進移動期間Ts之至少一部分中，第2構件22亦可以一定速度移動。於掃描移動期間(曝光期間)Tc中第2構件22以一定速度移動之時間Tcc，較於步進 移動期間Ts中第2構件22以一定速度移動之時間長。
又，於步進移動期間Ts中，第2構件22亦可不以一定速度移動。此外，於掃描移動期間(曝光期間)Tc中，第2構件22亦可不以一定速度移動。
又，本實施形態，在步進移動期間Ts中於X軸方向之第2構件22之移動距離較基板P(基板載台2)之移動距離短。例如，在步進移動期間Ts中第2構件22之移動距離，可以是基板P(基板載台2)之移動距離之45~65%。例如，第2構件22之移動距離可以是基板P(基板載台2)之移動距離之45%、50%、55%、60%、65%中之任一者。本實施形態，在步進移動期間Ts中第2構件22之移動距離係位置Jr與位置Jm間之距離。又，本實施形態，在步進移動期間Ts中於X軸方向之第2構件22之移動距離，較某一照射區域S之中心與相對該照射區域S於X軸方向相鄰之照射區域S之中心間之距離(距離A)短。例如，在步進移動期間Ts中第2構件22之移動距離，可以是距離A之45~65%。例如，在步進移動期間Ts中第2構件22之移動距離，可以是距離A之45%、50%、55%、60%、65%中之任一者。此外，在步進移動期間Ts中於X軸方向之第2構件22之移動距離，較於X軸方向之一個照射區域S之尺寸(尺寸B)短。例如，在步進移動動作中第2構件22之移動距離，可以是尺寸B之45~65%。例如，在步進移動動作中第2構件22之移動距離，可以是尺寸B之45%、50%、55%、60%、65%中之任一者。例如，於X軸方向之照射區域S之尺寸(尺寸B)為26mm之情形時，第2構件22之移動距離可以是約14mm。
第2構件22之移動距離，例如可基板P之表面條件加以決 定。基板P之表面條件，包含液體LQ在形成基板P表面之感光膜表面的接觸角(後退接觸角等)。此外，基板P之表面條件，包含液體LQ在形成基板P表面之保護膜(頂塗層膜)表面的接觸角(後退接觸角等)。又，基板P之表面，例如可以反射防止膜形成。此外，第2構件22之移動距離，可以預備實驗或模擬加以求出，以抑制在步進移動動作中液體LQ從液浸空間LS流出(殘留)。
如以上之說明，根據本實施形態，由於第2構件22係以在步進移動期間Ts中之第2構件22之移動條件與在掃描移動期間(曝光期間)Tc中之第2構件22之移動條件不同之方式移動，因此能抑制液體LQ從液浸空間LS之流出等。
本實施形態，在步進移動期間Ts中之基板P(基板載台2)之動作、與在掃描移動期間(曝光期間)Tc中之基板P(基板載台2)之動作不同。因此，藉由根據該基板P(基板載台2)之動作決定第2構件22之移動條件，據以抑制液體LQ之流出等。因此，能抑制曝光不良之發生及不良元件之產生。
圖31A~圖31C係顯示在步進移動期間Ts中、於X軸方向之基板P(基板載台2)之速度及第2構件22之速度與時間間之關係之一例的圖。圖31A~圖31C所示圖表中，横軸為時間、縱軸為速度。圖31A~圖31C中，線LP表示基板P(基板載台2)之速度、線L22表示第2構件22之速度。
圖31A顯示於步進移動期間Ts中，基板P往X軸方向之一側(例如+X軸方向)以速度Vc移動之狀態及以速度Vd移動之狀態的一 例。速度Vd較速度Vc高。圖31A所示例中，在基板P往+X軸方向以速度Vc移動之狀態下，第2構件22往+X軸方向以加速度Ac移動。在基板P往+X軸方向以速度Vd移動之狀態下，第2構件22往+X軸方向以加速度Ad移動。加速度Ad較加速度Ac高。圖31A係顯示在基板P之低速移動區域中，第2構件22以低加速度移動，而在基板P之高速移動區域中，第2構件22則以高加速度移動之例。
圖31B係顯示於步進移動期間Ts中，基板P往X軸方向之一側(例如+X軸方向)以速度Ve移動之狀態及以速度Vf移動之狀態的一例。速度Vf較速度Ve高。圖31B所示例中，在基板P往+X軸方向以速度Ve移動之狀態下，第2構件22往+X軸方向以加速度Ae移動。在基板P往+X軸方向以速度Vf移動之狀態下，第2構件22往+X軸方向以加速度Af移動。加速度Af較加速度Ae低。圖31B顯示在基板P之低速移動區域中，第2構件22以高加速度移動，而在基板P之高速移動區域中，第2構件22以低加速度移動之例。
圖31C係顯示於步進移動期間Ts中，基板P往X軸方向之一側(例如+X軸方向)以速度Vg移動之狀態及以速度Vh移動之狀態的一例。速度Vh較速度Vg高。圖31C所示例中，在基板P往+X軸方向以速度Vg移動之狀態下，第2構件22往+X軸方向以加速度Ag移動。在基板P往+X軸方向以速度Vh移動之狀態下，第2構件22往+X軸方向以加速度Ah移動。本實施形態中，加速度Ag與加速度Ah實質相等。本實施形態中，第2構件22於X軸方向以速度為零之狀態及最速值(最高速度)之狀態中之一方至另一方為止，實質上以等加速度移動。
又，圖31A~圖31C中所示之基板P(基板載台2)之速度及第2構件22之速度與時間間之關係，不儘可適用於參照圖11、圖14及圖15所說明之步進移動期間，亦能適用於參照圖16~圖21所說明之步進移動期間(第1、第2步進移動期間)及參照圖22~圖29所說明之步進移動期間之各個。
例如，於參照圖16~圖21所說明之實施形態之第2步進移動期間中，基板P往例如+X軸方向以從速度Vj變化至較該速度Vj高之速度Vk之方式移動之情形時，可在基板P往+X軸方向以速度Vj移動之狀態下，第2構件22往+X軸方向以加速度Aj移動，而在基板P往+X軸方向以速度Vk移動之狀態下，第2構件22往+X軸方向以較加速度Aj低之加速度Ak移動。此外，加速度Ak可較加速度Aj高。又，亦可在例如參照圖22及圖23所說明之照射區域Si2，Sj1間之步進移動期間及照射區域Sj2、Sj3間之步進移動期間之一方或兩方中，適用參照圖31A~圖31C所說明之基板P(基板載台2)之速度及第2構件22之速度與時間間之關係。
圖32A及圖32B係顯示在掃描移動期間Tc中、於X軸方向之第2構件22之速度與時間間之關係之一例的圖。輿圖32A及圖32B所示圖表中，横軸為時間、縱軸為速度。圖32A及圖32B中，線L22代表第2構件22之速度。
圖32A係顯示於掃描移動期間Tc之部分期間中，第2構件22以一定速度Vm移動之例。於掃描移動期間Tc之部分期間中，第2構件22以速度Vm等速移動。本實施形態中，速度Vm係第2構件22在掃描移動期間Tc中之最高速度。圖32A所式例中，第2構件22於X軸方向從速 度為零之狀態及最速值(最高速度)之狀態中之一方至另一方為止，實質上以等加速度移動。又，於掃描移動期間Tc之部分期間中，第2構件22亦可以較在該掃描移動期間Tc中之最高速度低之速度等速移動。
圖32B顯示於掃描移動期間Tc之部分期間中，第2構件22以一定速度Vn移動之例。於掃描移動期間Tc之部分期間中，第2構件22以速度Vn等速移動。本實施形態中，速度Vn係第2構件22在掃描移動期間Tc中之最高速度。圖32B所式例中，第2構件22經由往X軸方向以速度Vn1移動之狀態至以速度Vn2移動之狀態，而變化至以速度(最高速度)Vn移動之狀態。速度Vn1較速度Vn2低。本實施形態，在第2構件22以速度Vn2移動之期間中之第2構件22之加速度An2，較在第2構件22以速度Vn1移動之期間中之第2構件22之加速度An1低。換言之，第2構件22在低速移動區域中以高加速度移動，而在高速移動區域中則以低加速度移動。
又，上述第1~第5實施形態中，可如圖33所示，第1構件21之至少一部分與終端光學元件13之射出面12對向。圖33所示之變形例中，第1構件21具有配置在開口34周圍之上面44。於開口34之上端周圍配置上面44。於開口34之下端周圍配置下面23。上面44之一部分與射出面12對向。此外，於圖33所示例中，第2構件22之上面25之一部分亦與射出面12對向。
又，如圖34所示，第1構件之下面23可較射出面12配置在+Z側。此外，於Z軸方向之下面23之位置(高度)與射出面12之位置(高度)可實質相等。第1構件之下面23可較射出面12配置在-Z側。
又，上述各實施形態中，液浸構件5除開口35以外，不具有將第1空間SP1與第2空間SP2以流體可流通之方式加以連接之流路。然而，例如，亦可在相對光路K較開口35更外側處，形成將第1空間SP1與第2空間SP2以流體可流通之方式加以連接之開口(孔)。
又，於上述各實施形態中，液浸構件5具有第2構件22之朝向+Z軸方向之上面25與擴展在第1構件21之開口34周圍、朝向-Z軸方向之下面23透過間隙對向之構成。變形例中，液浸構件5S可具有上述以外之構成。舉一例而言，液浸構件5S可包含配置在光學構件(終端光學元件13)周圍至少一部分之第1構件21S與配置在光學構件(終端光學元件13)周圍至少一部分、具有流體回收部27S之可動之第2構件22S，如圖35所示，將第1構件21S與第2構件22S配置成在第1構件21S之曝光用光EL可通過之第1構件21S之開口34S周圍、延展至開口34S附近之下面23S與第2構件22S不對向。又或者，液浸構件5T可包含配置在光學構件(終端光學元件13)周圍至少一部分、具有流體回收部27T之第1構件21T與配置在光學構件(終端光學元件13)周圍之至少一部分之可動之第2構件22T，如圖36所示，將第1構件21S與第2構件22S配置成在第1構件21T之曝光用光EL可通過之第1構件21T之開口34T周圍、延展至開口34S附近之下面23S與第2構件22T之上面25T對向。圖36之例中，將來自與第1構件21T之下面23T間之空間之液體LQ、及來自第2構件22T之下面26T與物體(基板P)間之空間之液體LQ，從第1構件21T之流體回收部27T加以回收。另一例中，液浸構件5可具有下面23及/或上面25包含相對Z軸傾斜之面的構成。
又，於上述各實施形態中，可將從第1構件21與終端光學元件13間之空間吸引液體LQ與氣體中之至少一方之吸引口，設於第1構件21。
又，於上述各實施形態中，可將液體LQ供應至第1空間SP1之供應口設於第1構件21及第2構件22中之至少一方。例如，可在開口34與液體回收部24間之第1構件21之下面23，設置供應液體LQ之供應口。
又，上述各實施形態中，控制裝置6包含含CPU等之電腦系統。又，控制裝置6包含可實施電腦系統與外部裝置間之通訊的介面。記憶裝置7，例如包含RAM等之記憶體、硬碟、CD-ROM等之記錄媒體。於記憶裝置7安裝有用以控制電腦系統之作業系統(OS)，內儲存有用以控制曝光裝置EX之程式。
又，亦可於控制裝置6連接可輸入輸入信號之輸入裝置。輸入裝置包含鍵盤、滑鼠等之輸入機器、或可輸入來自外部裝置之資料的通訊裝置等。此外，亦可裝設液晶顯示器等之顯示裝置。
包含記錄在記憶裝置7中之程式的各種資訊，可由控制裝置(電腦系統)6加以讀取。於記憶裝置7中，儲存有使控制裝置6實施透過充滿在射出曝光用光之光學構件之射出面與基板之間之曝光用光之光路的液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制的程式。
又，儲存在記憶裝置7中之程式，可依上述實施形態使控制裝置6實施：使用包含具有第1下面、配置在該光學構件周圍之至少一部分之第1構件與具有和該第1下面透過間隙對向之第2上面及該基板可對 向之第2下面、配置在該曝光用光之光路周圍之至少一部分之第2構件的液浸構件，形成該液體之液浸空間的動作；透過該液浸空間之該液體，以從該射出面射出之該曝光用光，使該基板上一列中所含之配置在與該掃描方向交叉之方向之複數個照射區域之各個依序曝光的動作；在使該一列中所含之該照射區域曝光之前曝光後，透過該液浸空間之該液體使與該一列不同之列之照射區域曝光的動作；以及以從相同列中所含之第1照射區域之曝光結束至第2照射區域之曝光開始為止之該基板之第1移動期間中之該第2構件的第1動作、與從某一列之第3照射區域之曝光結束至另一列之第4照射區域之曝光開始為止之該基板之第2移動期間中之該第2構件的第2動作不同之方式，於該基板之曝光之至少一部分中，相對該第1構件移動該第2構件的動作。
又，儲存在記憶裝置7中之程式，可依上述實施形態使控制裝置6實施：使用包含具有第1下面、配置在該光學構件周圍之至少一部分之第1構件與具有和該第1下面透過間隙對向之第2上面及該基板可對向之第2下面、配置在該曝光用光之光路周圍之至少一部分之第2構件的液浸構件，形成該液體之液浸空間的動作；透過該液浸空間之該液體，以從該射出面射出之該曝光用光，使於該掃描方向之第1尺寸之第1、第2照射區域依序曝光的動作；在使該第1、第2照射區域曝光之前或曝光後，透過該液浸空間之該液體，以從該射出面射出之該曝光用光，使於該掃描方向之與該第1尺寸不同之第2尺寸之第3、第4照射區域依序曝光的動作；以及以從該第1照射區域之曝光結束至該第2照射區域之曝光開始為止之該基板之第1移動期間中之該第2構件的第1動作、與從該第3照射區域之 曝光結束至該第4照射區域之曝光開始為止之該基板之第2移動期間中之該第2構件的第2動作不同之方式，於該基板之曝光之至少一部分中，相對該第1構件移動該第2構件的動作。
又，儲存在記憶裝置7中之程式，可依上述實施形態使控制裝置6實施：使用包含具有第1下面、配置在該光學構件周圍之至少一部分之第1構件與具有和該第1下面透過間隙對向之第2上面及該基板可對向之第2下面、配置在該曝光用光之光路周圍之至少一部分之第2構件的液浸構件，形成該液體之液浸空間的動作；透過該液浸空間之該液體，以從該射出面射出之該曝光用光，使於該掃描方向之分別為第1、第2尺寸之第1、第2照射區域依序曝光的動作；在使該第1、第2照射區域曝光之前或曝光後，透過該液浸空間之該液體，以從該射出面射出之該曝光用光，使於該掃描方向之第3尺寸之第3、第4照射區域依序曝光的動作；以及以從該第1照射區域之曝光結束至該第2照射區域之曝光開始為止之該基板之第1移動期間中之該第2構件的第1動作、與從該第3照射區域之曝光結束至該第4照射區域之曝光開始為止之該基板之第2移動期間中之該第2構件的第2動作不同之方式，於該基板之曝光之至少一部分中，相對該第1構件移動該第2構件的動作。
又，儲存在記憶裝置7中之程式，可依上述實施形態使控制裝置6實施：使用包含具有第1下面、配置在該光學構件周圍之至少一部分之第1構件與具有和該第1下面透過間隙對向之第2上面及該基板可對向之第2下面、配置在該曝光用光之光路周圍之至少一部分之第2構件的液浸構件，形成該液體之液浸空間的動作；透過該液浸空間之該液體，以 從該射出面射出之該曝光用光使該基板之第1、第2照射區域依序曝光的動作；以及以在從該第1照射區域之曝光結束至該第2照射區域之曝光開始為止之該基板之第1移動期間中該第2構件以第1移動條件移動至與該掃描方向交叉之方向之一側、而從該第2照射區域之曝光開始至曝光結束為止之該基板之第2曝光期間中該第2構件以和該第1移動條件不同之第2移動條件移動至與該掃描方向交叉之方向之另一側之方式，於該基板之曝光之至少一部分中，相對該第1構件移動該第2構件的動作。
又，儲存在記憶裝置7中之程式，可依上述實施形態使控制裝置6實施：使用包含具有第1下面、配置在該光學構件周圍之至少一部分之第1構件與具有和該第1下面透過間隙對向之第2上面及該基板可對向之第2下面、配置在該曝光用光之光路周圍之至少一部分之第2構件的液浸構件，形成該液體之液浸空間的動作；透過該液浸空間之該液體，以從該射出面射出之該曝光用光使該基板上一列中所含之配置在與該掃描方向交叉之方向之複數個照射區域之各個依序曝光的動作；在使該一列中所含之該照射區域曝光之前或曝光後，透過該液浸空間之該液體使與該一列不同之列之照射區域曝光的動作；以及在從某一列之照射區域之曝光結束、至次一待曝光之另一列之照射區域之曝光開始為止之該基板之移動期間中，相對該第1構件移動該第2構件的動作。
藉由將記憶裝置7中儲存之程式讀取至控制裝置6，基板載台2、測量載台3及液浸構件5等曝光裝置EX之各種裝置即協同働作，在形成有液浸空間LS之狀態下，實施基板P之液浸曝光等的各種處理。
又，上述各實施形態中，投影光學系PL之終端光學元件13 之射出面12側(像面側)之光路K係被液體LQ充滿。但投影光學系PL亦可以是例如國際公開第2004/019128號小冊子所揭示之終端光學元件13之入射側(物體面側)光路亦被液體LQ充滿之投影光學系。
又，上述各實施形態中，曝光用之液體LQ雖係使用水，但亦可以是水以外之液體。液體LQ，以對曝光用光EL具有穿透性、對曝光用光EL具有高折射率、對形成投影光學系PL或基板P之表面之感光材(光阻劑)等膜安定者較佳。例如，液體LQ可以是氫氟醚(HFE)、全氟化聚醚(PFPE)、fomblin(登錄商標)oil等之氟系液體。此外，液體LQ亦可是各種流體、例如超臨界流體。
又，上述各實施形態中，基板P係雖包含半導體元件製造用之半導體晶圓。然而，基板P例如亦可包含顯示元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、或曝光裝置所使用之光罩或標線片之原版(合成石英、矽晶圓)等。
又，上述各實施形態中，雖然曝光裝置EX係使光罩M基板P同步移動以對光罩M之圖案進行掃描曝光之步進掃描(step & scan)方式之掃描型曝光裝置(掃描步進機)，但亦可以是例如使光罩M與基板P在靜止之狀態下，使光罩M之圖案一次曝光，並使基板P依序步進移動的之步進重複(step & repeat)方式的投影曝光裝置(步進機)。
再者，於曝光裝置EX係步進重複方式之曝光中，亦可在使第1圖案與基板P大致静止之狀態，使用投影光學系PL將第1圖案之縮小像轉印至基板P上後，在第2圖案與基板P大致静止之狀態，使用投影光學系PL將第2圖案之縮小像與第1圖案局部重疊而一次曝光至基板P上(接 合方式之一次曝光裝置)。又，接合方式之曝光裝置，亦可以是於基板P上至少將二個圖案局部的重疊轉印，並使基板P依序移動之步進接合(step & stitch)方式之曝光裝置。
又，曝光裝置EX亦可以是例如美國專利第6611316號所揭示之將二個光罩之圖案透過投影光學系在基板P上加以合成，以一次掃描曝光使基板P上之一個照射區域大致同時雙重曝光之曝光裝置。此外，本發明亦能適用於近接方式之曝光裝置、反射鏡投影對準器(mirror projection aligner)等。
又，上述各實施形態中，曝光裝置EX亦可以是例如美國專利第6341007號、美國專利第6208407號、美國專利第6262796號等所揭示之具備複數個基板載台之雙載台型之曝光裝置。例如圖37所示，在曝光裝置EX具備二個基板載台2001、2002之場合，可配置成與射出面12對向之物體，包含一方之基板載台、該一方之基板載台之第1保持部所保持之基板、另一方之基板載台、以及該另一方之基板載台之第1保持部所保持之基板中的至少一者。
又，曝光裝置EX亦可以是具備複數個基板載台與測量載台之曝光裝置。
曝光裝置EX可以是將半導體元件圖案曝光至基板P之半導體元件製造用之曝光裝置，亦可以是液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置，或用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、微機器、MEMS、DN晶片、標線片或光罩等之曝光裝置。
又，上述實施形態中，雖係使用在光透射性基板上形成有既 定遮光圖案(或相位圖案、減光圖案)之光透射型光罩，但亦可取代此光罩，使用例如美國專利第6778257號公報所揭示，根據待曝光圖案之電子資料來形成透射圖案或反射圖案、或形成發光圖案之可變成形光罩(電子光罩、主動光罩或影像產生器)。又，亦可取代具有非發光型影像顯示元件之可變成形光罩，而裝備包含自發光型影像顯示元件之圖案形成裝置。
上述各實施形態中，曝光裝置EX雖具備投影光學系PL，但亦可將上述各實施形態所說明之構成要件適用於不使用投影光學系PL之曝光裝置及曝光方法。例如，可將上述各實施形態所說明之構成要件適用於在透鏡等光學構件與基板之間形成液浸空間，透過該光學構件對基板照射曝光用光之曝光裝置及曝光方法。
又，曝光裝置EX亦可以是例如國際公開第2001/035168號小冊子所揭示之藉由在基板P上形成干涉條紋，據以在基板上曝光線與空間圖案(line & space pattern)的曝光裝置(微影系統)。
上述實施形態之曝光裝置EX，係藉由組裝各種次系統(含各構成要素)，以能保持既定之機械精度、電氣精度、光學精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後，係進行對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系統至曝光裝置EX之組裝製程，係包含機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置EX之組裝步驟前，有各次系統個別之組裝步驟。在各種次系統組裝至曝光裝置EX之步驟結束後，即進行綜合調整，以確保曝光裝置EX整體之各種精度。此外，曝光裝置EX之製造最好是在 溫度及清潔度等皆受到管理之無塵室進行。
半導體元件等之微元件，如圖38所示，係經進行微元件之功能、性能設計之步驟201，根據此設計步驟製作光罩M(標線片)之步驟202，製造元件基材之基板之步驟203，包含依據上述實施形態進行基板處理(曝光處理，包含使用光罩M之圖案以曝光用光EL使基板曝光之動作、以及使曝光後基板顯影之動作)的基板処理步驟204，元件組裝步驟(包含切割步驟、結合步驟、封裝步驟等之加工製程)205，以及檢査步驟206等而製造。
又，上述各實施形態之要件可適當加以組合。又，亦有不使用部分構成要素之情形。此外，在法令許可範圍內，援用上述各實施形態及變形例所引用之關於曝光裝置等之所有公開公報及美國專利之揭示作為本文記載之一部分。

Claims (57)

  1. 一種曝光裝置，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過該射出面與該基板間之液體以該曝光用光使該基板之複數個照射區域之各個依序曝光：其具備液浸構件，包含配置在該光學構件周圍之第1構件與配置在該光學構件周圍之第2構件，可形成該液體之液浸空間；驅動裝置，可相對該第1構件移動該第2構件；以及控制裝置，係控制該驅動裝置；於該掃描方向之第1尺寸之第1、第2照射區域依序曝光前或曝光後，使於該掃描方向之與該第1尺寸不同之第2尺寸之第3、第4照射區域依序曝光；該控制裝置，係以在從該第1照射區域之曝光結束至該第2照射區域之曝光開始為止之該基板之第1移動期間中之該第2構件的第1動作、與在從該第3照射區域之曝光結束至該第4照射區域之曝光開始為止之該基板之第2移動期間中之該第2構件的第2動作不同之方式，控制該驅動裝置。
  2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該第1構件，具有第1下面；該第2構件，具有和該第1下面透過間隙對向之第2上面及該基板可對向之第2下面。
  3. 一種曝光裝置，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過該射出面與該基板間之液體以該曝光用光使該基板之複數個照射區域之各個依序曝光：其具備液浸構件，包含配置在該光學構件周圍之第1構件、與配置在該光學構件周圍之第2構件，可形成該液體之液浸空間；驅動裝置，可相對該第1構件移動該第2構件；以及控制裝置，係控制該驅動裝置；在於該掃描方向分別為第1、第2尺寸之第1、第2照射區域依序曝光前或曝光後，使於該掃描方向之第3尺寸之第3、第4照射區域依序曝光；該控制裝置，係以從該第1照射區域之曝光結束至該第2照射區域之曝光開始為止之該基板之第1移動期間中之該第2構件的第1動作、與從該第3照射區域之曝光結束至該第4照射區域之曝光開始為止之該基板之第2移動期間中之該第2構件的第2動作不同之方式，控制該驅動裝置。
  4. 如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中，該第1構件，具有第1下面、配置在該光學構件周圍之至少一部分的第1構件；該第2構件，具有和該第1下面透過間隙對向之第2上面及該基板可對向之第2下面。
  5. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，由配置於該掃描方向之複數個照射區域所形成之列於該基板配置有複數個；該第1、第2照射區域係包含在同一列中。
  6. 如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中，由配置於該掃描方向之複數個照射區域所形成之列於該基板配置有複數個；該第1、第2照射區域係包含在同一列中。
  7. 如申請專利範圍第5項之曝光裝置，其中，該第3、第4照射區域係包含在同一列中。
  8. 如申請專利範圍第6項之曝光裝置，其中，該第3、第4照射區域係包含在同一列中。
  9. 如申請專利範圍第7項之曝光裝置，其中，包含該第3、第4照射區域之列與包含該第1、第2照射區域之列不同。
  10. 如申請專利範圍第8項之曝光裝置，其中，包含該第3、第4照射區域之列與包含該第1、第2照射區域之列不同。
  11. 如申請專利範圍第7項之曝光裝置，其中，該第1、第2照射區域與該第3、第4照射區域係包含在同一列中。
  12. 如申請專利範圍第8項之曝光裝置，其中，該第1、第2照射區域與該第3、第4照射區域係包含在同一列中。
  13. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，由配置於該掃描方向之複數個照射區域所形成之列於該基板配置有複數個；包含該第1照射區域之列與包含該第2照射區域之列不同；包含該第3照射區域之列與包含該第4照射區域之列不同。
  14. 如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中，由配置於該掃描方向之複數個照射區域所形成之列於該基板配置有複數個；包含該第1照射區域之列與包含該第2照射區域之列不同；包含該第3照射區域之列與包含該第4照射區域之列不同。
  15. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，於該第1移動期間與該第2移動期間中，該第2構件之移動距離不同。
  16. 如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中，於該第1移動期間與該第2移動期間中，該第2構件之移動距離不同。
  17. 如申請專利範圍第15項之曝光裝置，其中，該移動距離包含在與該掃描方向交叉之方向的移動距離。
  18. 如申請專利範圍第16項之曝光裝置，其中，該移動距離包含在與該掃描方向交叉之方向的移動距離。
  19. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，於該第1移動期間開始與該第2移動期間開始中，相對該光學構件之該第2構件之位置不同。
  20. 如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中，於該第1移動期間開始與該第2移動期間開始中，相對該光學構件之該第2構件之位置不同。
  21. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，於該第1移動期間結束與該第2移動期間結束中，相對該光學構件之該第2構件之位置不同。
  22. 如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中，於該第1移動期間結束與該第2移動期間結束中，相對該光學構件之該第2構件之位置不同。
  23. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，於該第1移動期間與該第2移動期間中，該第2構件之移動速度不同。
  24. 如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中，於該第1移動期間與該第2移動期間中，該第2構件之移動速度不同。
  25. 如申請專利範圍第23項之曝光裝置，其中，該移動速度包含在與該掃描方向交叉之方向的移動速度。
  26. 如申請專利範圍第24項之曝光裝置，其中，該移動速度包含在與該掃描方向交叉之方向的移動速度。
  27. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，於該第1移動期間與該第2移動期間中，該第2構件之加速度不同。
  28. 如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中，於該第1移動期間與該第2移動期間中，該第2構件之加速度不同。
  29. 如申請專利範圍第27項之曝光裝置，其中，該加速度包含在與該掃描方向交叉之方向的加速度。
  30. 如申請專利範圍第28項之曝光裝置，其中，該加速度包含在與該掃描方向交叉之方向的加速度。
  31. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該第2構件係在與該掃描方向交叉之方向之所定之可動範圍移動。
  32. 如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中，該第2構件係在與該掃描方向交叉之方向之所定之可動範圍移動。
  33. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，於該第1移動期間中，在該基板以第1速度移動至與該掃描方向交叉之方向之一側的第1狀態下，該第2構件以第1加速度移動至與該掃描方向交叉之方向之一側；在該基板以較該第1速度高之第2速度移動至與該掃描方向交叉之方向之一側的第2狀態下，該第2構件以較該第1加速度低之第2加速度移動至與該掃描方向交叉之方向之一側。
  34. 如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中，於該第1移動期間中，在該基板以第1速度移動至與該掃描方向交叉之方向之一側的第1狀態下，該第2構件以第1加速度移動至與該掃描方向交叉之方向之一側；在該基板以較該第1速度高之第2速度移動至與該掃描方向交叉之方向之一側的第2狀態下，該第2構件以較該第1加速度低之第2加速度移動至與該掃描方向交叉之方向之一側。
  35. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，於該第2移動期間中，在該基板以第3速度移動至與該掃描方向交叉之方向之一側的第3狀態下，該第2構件以第3加速度移動至與該掃描方向交叉之方向之一側；在該基板以較該第3速度高之第4速度移動至與該掃描方向交叉之方向之一側的第4狀態下，該第2構件以較該第3加速度低之第4加速度移動至與該掃描方向交叉之方向之一側。
  36. 如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中，於該第2移動期間中，在該基板以第3速度移動至與該掃描方向交叉之方向之一側的第3狀態下，該第2構件以第3加速度移動至與該掃描方向交叉之方向之一側；在該基板以較該第3速度高之第4速度移動至與該掃描方向交叉之方向之一側的第4狀態下，該第2構件以較該第3加速度低之第4加速度移動至與該掃描方向交叉之方向之一側。
  37. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，於該第2照射區域之曝光中該基板移動於該掃描方向之第2曝光期間中，該第2構件移動至與該掃描方向交叉之方向之另一側。
  38. 如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中，於該第2照射區域之曝光中該基板移動於該掃描方向之第2曝光期間中，該第2構件移動至與該掃描方向交叉之方向之另一側。
  39. 如申請專利範圍第37項之曝光裝置，其中，於該第2曝光期間之至少一部分中，該第2構件以一定速度移動至與該掃描方向交叉之方向之另一側。
  40. 如申請專利範圍第38項之曝光裝置，其中，於該第2曝光期間之至少一部分中，該第2構件以一定速度移動至與該掃描方向交叉之方向之另一側。
  41. 一種曝光裝置，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過該射出面與該基板間之液體以該曝光用光使該基板之複數個照射區域之各個依序曝光：其具備液浸構件，包含配置在該光學構件周圍之第1構件、與配置在該光學構件周圍之第2構件，可形成該液體之液浸空間；驅動裝置，可相對該第1構件移動該第2構件；以及控制裝置，係控制該驅動裝置；該控制裝置，係以在從第1照射區域之曝光結束至第2照射區域之曝光開始為止之該基板之第1移動期間中該第2構件以第1移動條件移動至與該掃描方向交叉之方向之一側、與在從該第2照射區域之曝光開始至曝光結束為止之該基板之曝光期間中該第2構件以和該第1移動條件不同之第2移動條件移動至與該掃描方向交叉之方向之另一側之方式，控制該驅動裝置。
  42. 如申請專利範圍第41項之曝光裝置，其中，該第1構件，具有第1下面；該第2構件，具有和該第1下面透過間隙對向之第2上面及該基板可對向之第2下面。
  43. 如申請專利範圍第41項之曝光裝置，其中，該第1、第2移動條件包含該第2構件之移動速度。
  44. 如申請專利範圍第43項之曝光裝置，其中，該第2構件在該第2曝光期間之移動速度，較該第2構件在該第1移動期間之移動速度低。
  45. 如申請專利範圍第43項之曝光裝置，其中，該第2構件在該第1移動期間及該第2曝光期間之至少一部分中係以一定速度移動；該第2曝光期間中該第2構件以一定速度移動之時間，較該第1移動期間中該第2構件以一定速度移動之時間長。
  46. 如申請專利範圍第41項之曝光裝置，其中，該第1、第2移動條件包含該第2構件之加速度。
  47. 如申請專利範圍第46項之曝光裝置，其中，該第2曝光期間中之該第2構件之加速度，較該第1移動期間中該第2構件之加速度低。
  48. 一種曝光裝置，係一邊相對從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板移動於掃描方向、一邊透過該射出面與該基板間之液體以該曝光用光使該基板之複數個照射區域之各個依序曝光：其具備液浸構件，包含配置在該光學構件周圍之第1構件、與配置在該光學構件周圍之第2構件，可形成該液體之液浸空間；驅動裝置，可相對該第1構件移動該第2構件；以及控制裝置，係控制該驅動裝置；在該基板中一列所含之配置在與該掃描方向交叉之方向之複數個照射區域之各個依序曝光前或曝光後，進行使與該一列不同之列之照射區域曝光；該控制裝置控制該驅動裝置，在從某一列之照射區域之曝光結束、至次一待曝光之另一列之照射區域之曝光開始為止之該基板之移動期間中，相對該第1構件移動該第2構件。
  49. 如申請專利範圍第48項之曝光裝置，其中，該第1構件，具有第1下面；該第2構件，具有和該第1下面透過間隙對向之第2上面及該基板可對向之第2下面。
  50. 如申請專利範圍第1至49項中任一項之曝光裝置，其中，該第2構件係移動於與該光學構件之光軸實質垂直之方向。
  51. 如申請專利範圍第1至49項中任一項之曝光裝置，其中，在該基板移動之期間之至少一部分中，該第2構件移動於該基板之移動方向。
  52. 如申請專利範圍第1至49項中任一項之曝光裝置，其中，該第2構件係以和該基板之相對速度變小之方式移動。
  53. 如申請專利範圍第1至49項中任一項之曝光裝置，其中，該第2構件係以和該基板之相對速度較該第1構件與該基板之相對速度小之方式移動。
  54. 如申請專利範圍第1至49項中任一項之曝光裝置，其中，該第2構件係在與該掃描方向交叉之方向移動。
  55. 如申請專利範圍第1至49項中任一項之曝光裝置，其中，該第1構件，具有液體供應口；該第2構件，具有配置成該基板表面對向之流體回收部；藉由一邊進行從該液體供應口之液體供應，一邊進行透過該流體回收部之液體回收，形成為該液浸空間覆蓋該基板表面的一部分。
  56. 如申請專利範圍第1至49項中任一項之曝光裝置，其中，從該第1構件與該第2構件之間的空間回收液體之液體回收部係配置於該第1構件與該第2構件之至少一方。
  57. 一種元件製造方法，包含：使用申請專利範圍第1至56項中任一項之曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光後之該基板顯影的動作。
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