TWI658335B - 液浸構件、曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式、及記錄媒體 - Google Patents

Abstract

本發明之液浸構件，係在能於光學構件下方移動之物體上形成從光學構件之射出面射出之曝光用光之光路被液體充滿之液浸空間。液浸構件具備配置在光學構件周圍至少一部分的第1構件與能在第1構件之至少一部分之外側移動、具有回收液浸空間之液體之至少一部分之回收口的第2構件。

Description

液浸構件、曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式、及記錄媒體

本發明係關於液浸構件、曝光裝置、曝光方法、元件製造方法、程式、及記錄媒體。

本申請案主張2012年4月10日申請之美國專利暫時申請61/622,235及2013年3月11日申請之美國專利申請第13/793,667號之優先權，並將其內容援用於此。

微影製程所使用之曝光裝置中，有一種例如下述專利文獻所揭示之透過液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置。

先行技術文獻

[專利文獻1]美國專利第7864292號

液浸曝光裝置中，例如當液體從既定空間流出、或殘留在基板等物體上時，即有可能發生曝光不良之情形。其結果，有可能產生不良元件。

本發明之態樣，其目的在提供一種能抑制曝光不良之發生之 液浸構件、曝光裝置及曝光方法。此外，本發明之態樣，其目的在提供一種能抑制不良元件之產生之元件製造方法、程式及記錄媒體。

本發明第1態樣，提供一種液浸構件，係以從光學構件之射出面射出之曝光用光之光路被液體充滿之方式，在能於該光學構件下方移動之物體上形成液浸空間，具備：第1構件，係配置在該光學構件周圍之至少一部分；以及第2構件，能與該第1構件隔著間隙在該第1構件之下方移動，具有回收該液浸空間之液體之至少一部分之回收口。

本發明第2態樣，提供一種液浸構件，係以從光學構件之射出面射出之曝光用光之光路被液體充滿之方式，在能於該光學構件下方移動之物體上形成液浸空間，具備：第1構件，配置在該光學構件周圍之至少一部分；以及第2構件，能相對該曝光用光之該光路在該第1構件之至少一部分之外側移動，具有回收該液浸空間之液體之至少一部分的回收口。

本發明第3態樣，提供一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光，其具備第1態樣之液浸構件。

本發明第4態樣，提供一種元件製造方法，包含：使用第1至3態樣中之任一態樣之曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光後之該基板顯影的動作。

本發明第5態樣，提供一種曝光方法，係透過液體以曝光用光使基板曝光，包含：形成從光學構件之射出面射出之該曝光用光之光路被該液體充滿之液浸空間的動作；透過該液浸空間之液體以從該射出面射出之該曝光用光使該基板曝光的動作；以及移動第2構件的動作，該第2 構件係與配置在該光學構件周圍之至少一部分之第1構件隔著間隙配置在該第1構件下方、具有回收該液浸空間之液體之至少一部分的回收口。

本發明第6態樣，提供一種元件製造方法，包含：使用第5態樣之曝光方法使基板曝光的動作，以及使曝光後基板顯影的動作。

本發明第7態樣，提供一種程式，係使電腦實施透過液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置之控制，包含：形成從光學構件之射出面射出之該曝光用光之光路被該液體充滿之液浸空間的動作；透過該液浸空間之液體以從該射出面射出之該曝光用光使該基板曝光的動作；以及移動第2構件的動作，該第2構件係與配置在該光學構件周圍之至少一部分之第1構件隔著間隙配置在該第1構件下方、具有回收該液浸空間之液體之至少一部分的回收口。

本發明第8態樣，提供一種電腦可讀取之記錄媒體，其記錄有第7態樣之程式。

根據本發明之態樣，能抑制曝光不良之發生。此外，根據本發明之態樣，能抑制不良元件之產生。

1‧‧‧光罩載台

2、2001、2002‧‧‧基板載台

2C‧‧‧驅動系統15之可動子

3‧‧‧測量載台

3C‧‧‧驅動系統15之可動子

4‧‧‧測量系統

5‧‧‧液浸構件

6‧‧‧控制裝置

7‧‧‧記憶裝置

8A‧‧‧基準框架

8B‧‧‧裝置框架

9‧‧‧腔室裝置

10‧‧‧防振裝置

11‧‧‧驅動系統

12‧‧‧射出面

13‧‧‧終端光學元件

14‧‧‧基座構件

14G‧‧‧基座構件之導引面

14M‧‧‧驅動系統15之固定子

15‧‧‧驅動系統

16‧‧‧終端光學元件之外面

21‧‧‧第1構件

21B‧‧‧下面

21C‧‧‧內面

21D‧‧‧外面

21E‧‧‧上面

21G‧‧‧導引面

21H‧‧‧開口

211‧‧‧第1部分

212‧‧‧第2部分

213‧‧‧第3部分

22、222、223‧‧‧第2構件

22A‧‧‧移動面

22B‧‧‧下面

22C‧‧‧內面

22D‧‧‧外面

223S‧‧‧空間

23‧‧‧供應口

24‧‧‧回收口

25‧‧‧多孔構件

253‧‧‧網眼板

253A‧‧‧上面

253B‧‧‧下面

254‧‧‧基座構件

26、264、265‧‧‧開口

30‧‧‧抑制部

31‧‧‧膜

32‧‧‧供氣部

33‧‧‧供氣口

34‧‧‧排氣口

35‧‧‧開口

40‧‧‧驅動系統

40C‧‧‧連接構件

41‧‧‧第1致動器

42‧‧‧第2致動器

50‧‧‧支承裝置

CS‧‧‧空間

d1~d4‧‧‧位置

e1~e4‧‧‧位置

EL‧‧‧曝光用光

EX‧‧‧曝光裝置

IL‧‧‧照明系

IR‧‧‧照明區域

K‧‧‧光路

LG1、LG2、LG3(LG)‧‧‧第1、第2、第3界面

LQ‧‧‧液體

LS‧‧‧液浸空間

M‧‧‧光罩

P‧‧‧基板

PR‧‧‧投影區域

Sa、Sb‧‧‧照射區域

T‧‧‧覆蓋構件

Tn1~Tn4‧‧‧路徑

Tp1~Tp4‧‧‧路徑

圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置之一例的圖。

圖2係顯示第1實施形態之液浸構件之一例的側視剖面圖。

圖3係從下方觀察第1實施形態之液浸構件的圖。

圖4係顯示第1實施形態之液浸構件之一部分的側視剖面圖。

圖5係顯示第1實施形態之液浸構件之一動作例的圖。

圖6係顯示第1實施形態之液浸構件之一動作例的圖。

圖7係用以說明第1實施形態之曝光裝置之一動作例的圖。

圖8係用以說明第1實施形態之曝光裝置之一動作例的示意圖。

圖9係用以說明第1實施形態之液浸構件之一動作例的示意圖。

圖10係用以說明第1實施形態之液浸構件之一動作例的示意圖。

圖11係用以說明速度剖線(speed profile)之一例的圖。

圖12係用以說明速度剖線之一例的圖。

圖13係用以說明第1實施形態之曝光裝置之一動作例的示意圖。

圖14係顯示第2實施形態之液浸構件之一例的側視剖面圖。

圖15係顯示第3實施形態之液浸構件之一例的側視剖面圖。

圖16係從下方觀察第4實施形態之液浸構件的圖。

圖17係從下方觀察第5實施形態之液浸構件的圖。

圖18係顯示基板載台之一例的圖。

圖19係用以說明元件製造方法之一例的流程圖。

以下，一邊參照圖式一邊說明本發明之實施形態，但本發明並不限定於此。以下之說明中，係設定一XYZ正交座標系，一邊參照此XYZ正交座標系一邊說明各部之位置關係。並設水平面內之既定方向為X軸方向、於水平面內與X軸方向正交之方向為Y軸方向、分別與X軸方向及Y軸方向正交之方向(亦即鉛直方向)為Z軸方向。此外，設繞X軸、Y軸及Z軸旋轉(傾斜)方向分別為θX、θY及θZ方向。

<第1實施形態>

首先，說明第1實施形態。圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置EX之一例的概略構成圖。本實施形態之曝光裝置EX係透過液體LQ以曝光用光EL使基板P曝光之液浸曝光裝置。於本實施形態，形成有將曝光用光EL之光路以液體LQ加以充滿之液浸空間LS。液浸空間係被液體充滿之部分(空間、區域)。基板P係透過液浸空間LS之液體LQ以曝光用光EL加以曝光。本實施形態中，液體LQ係使用水(純水)。

又，本實施形態之曝光裝置EX，係例如美國專利第6897963號說明書、歐洲專利公開第1713113號說明書等所揭示之具備基板載台與測量載台的曝光裝置。

圖1中，曝光裝置EX，具備：可保持光罩M移動的光罩載台1、可保持基板P移動的基板載台2、不保持基板P而可搭載測量曝光用光EL之測量構件及測量器移動的測量載台3、測量基板載台2及測量載台3之位置的測量系統4、以曝光用光EL照明光罩M的照明系IL、將經曝光用光EL照明之光罩M之圖案之像投影至基板P的投影光學系PL、形成液浸空間LS的液浸構件5、控制曝光裝置EX全體之動作的控制裝置6、以及連接於控制裝置6用以儲存與曝光相關之各種資訊的記憶裝置7。

又，曝光裝置EX，亦具備支承投影光學系PL及包含測量系統4之各種測量系統的基準框架8A、支承基準框架8A的裝置框架8B、配置在基準框架8A與裝置框架8B之間用以抑制振動從裝置框架8B傳遞至基準框架8A的防振裝置10、以及調整曝光用光EL行進之空間CS之環境(温度、濕度、壓力及潔淨度中之至少一種)的腔室裝置9。於空間CS，至少配 置有投影光學系PL、液浸構件5、基板載台2及測量載台3。本實施形態中，光罩載台1及照明系IL之至少一部分亦配置於空間CS。防振裝置10包含彈簧裝置等。本實施形態中，防振裝置10包含氣體彈簧(例如air mount)。此外，亦可將檢測基板P上之對準標記的檢測系統、或檢測基板P等物體之表面位置的檢測系統支承於基準框架8A。

光罩M包含形成有待投影至基板P之元件圖案之標線片(reticle)。光罩M包含透射型光罩，此種透射型光罩具有例如玻璃板等之透明板、與在該透明板上使用鉻等遮光材料形成之圖案。又，光罩M亦可使用反射型光罩。

基板P係用以製造元件之基板。基板P包含例如半導體晶圓等之基材與該基材上形成之感光膜。感光膜係感光材(photoresist光阻劑)之膜。又，基板P除感光膜外亦可包含其他膜。例如，基板P可包含反射防止膜、或包含保護感光膜之保護膜(topcoat膜)。

照明系IL對既定照明區域IR照射曝光用光EL。照明區域IR包含從照明系IL射出之曝光用光EL可照射之位置。照明系IL以均勻照度分布之曝光用光EL照明配置在照明區域IR之光罩M之至少一部分。從照明系IL射出之曝光用光EL，係使用例如從水銀燈射出之輝線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)、ArF準分子雷射光(波長193nm)及F₂雷射光(波長157nm)等之真空紫外光(VUV光)等。本實施形態中，曝光用光EL係使用紫外光(真空紫外光)之ArF準分子雷射光。

光罩載台1能在保持光罩M之狀態下移動。光罩載台1係藉由例如美國專利第6452292號說明書所揭示之包含平面馬達之驅動系統 之作動而移動。本實施形態中，光罩載台1可藉由驅動系統之作動，移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ方向之6個方向。又，驅動系統11可不包含平面馬達。例如，驅動系統11可包含線性馬達。

投影光學系PL將曝光用光EL照射於既定投影區域PR。投影區域PR包含從投影光學系PL射出之曝光用光EL可照射到之位置。投影光學系PL將光罩M之圖案像以既定投影倍率投影至配置在投影區域PR之基板P之至少一部分。本實施形態之投影光學系PL係投影倍率例如為1/4、1/5或1/8等之縮小系。當然，投影光學系PL亦可以是等倍系及放大系之任一者。本實施形態中，投影光學系PL之光軸與Z軸平行。又，投影光學系PL可以是不包含反射光學元件之折射系、不包含折射光學元件之反射系、或包含反射光學元件與折射光學元件之反射折射系中之任一種。

投影光學系PL，包含具有曝光用光EL射出之射出面12的終端光學元件13。射出面12朝向投影光學系PL之像面射出曝光用光EL。終端光學元件13係投影光學系PL之複數個光學元件中、最接近投影光學系PL之像面的光學元件。投影區域PR包含從射出面12射出之曝光用光EL可照射到之位置。本實施形態中，射出面12朝向-Z軸方向，與XY平面平行。又，朝向-Z軸方向之射出面12，可以是凸面、亦可以是凹面。此外，射出面12可相對XY平面傾斜、亦可包含曲面。本實施形態中，終端光學元件13之光軸與Z軸平行。本實施形態中，從射出面12射出之曝光用光EL往-Z軸方向行進。

基板載台2，能在保持有基板P之狀態下，在包含來自射出面12之曝光用光EL可照射到之位置(投影區域PR)的XY平面內移動。測 量載台3，能在搭載有測量構件(測量器)C之狀態下，在包含來自射出面12之曝光用光EL可照射到之位置(投影區域PR)的XY平面內移動。基板載台2及測量載台3之各個，能在基座構件14之導引面14G上移動。本實施形態中，導引面14G與XY平面實質平行。

又，本實施形態中，基板載台2具有例如美國專利申請公開第2007/0177125號說明書、及美國專利申請公開第2008/0049209號說明書等所揭示之將基板P保持成可釋放之第1保持部與配置在第1保持部周圍、將覆蓋構件T保持成可釋放之第2保持部。第1保持部將基板P保持成基板P之表面(上面)與XY平面實質平行。本實施形態中，被保持於第1保持部之基板P之上面與被保持於第2保持部之覆蓋構件T之上面，實質上配置在同一平面內。當然，被保持於第1保持部之基板P之上面與被保持於第2保持部之覆蓋構件T之上面可以不是配置在同一平面內，或覆蓋構件T之上面相對基板P之上面傾斜，或覆蓋構件T之上面包含曲面。

基板載台2及測量載台3，係藉由例如美國專利第6452292號所揭示之包含平面馬達之驅動系統15之作動而移動。驅動系統15具有配置在基板載台2之可動子2C、配置在測量載台3之可動子3C、與配置在基座構件14之固定子14M。基板載台2及測量載台3可分別藉由驅動系統15之作動，在導引面14G上移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ方向之6個方向。又，驅動系統15可不包含平面馬達。例如，驅動系統15可包含線性馬達。

測量系統4包含干涉儀系統。干涉儀系統包含對基板載台2之測量鏡(mirror)及測量載台3之測量鏡照射測量光，以測量該基板載台2 及測量載台3之位置的單元。又，測量系統可包含例如美國專利申請公開第2007/0288121號說明書所揭示之編碼器系統。此外，測量系統4亦可僅包含干涉儀系統及編碼器系統中之任一方。

實施基板P之曝光處理時、或實施既定測量處理時，控制裝置6根據測量系統4之測量結果，實施基板載台2(基板P)及測量載台3(測量構件C)之位置控制。

其次，說明本實施形態之液浸構件5。圖2係顯示本實施形態之液浸構件5之一例的側視剖面圖。圖3係從下側(-Z軸側)觀察液浸構件5的圖。圖4係將圖2之一部分予以放大的圖。又，本實施形態中，液浸構件5係透過支承裝置50被支承於裝置框架8B。

液浸構件5，形成將從終端光學元件13之射出面12射出之曝光用光EL之光路K以液體LQ加以充滿之液浸空間LS。液浸空間LS之一部分，係形成在能在包含與射出面12對向位置之XY平面內移動之物體與液浸構件5之間。

能在包含與射出面12對向位置之XY平面內移動之物體，包含可能與射出面12對向之物體，包含能配置在投影區域PR之物體。又，該物體包含能在終端光學元件13之下方移動之物體。本實施形態中，該物體包含基板載台2之至少一部分(例如基板載台2之覆蓋構件T)、被保持於基板載台2(第1保持部)之基板P、及測量載台3中之至少一者。於基板P之曝光中，以照射於基板P之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿之方式形成液浸空間LS。形成在基板P被曝光用光EL照射時，僅包含投影區域PR之基板P之表面部分區域被液體LQ覆蓋之液浸空間LS。

以下之說明中，與射出面12對向之物體係設為基板P。又，如前所述，能與射出面12對向之物體，亦可以是基板載台2及測量載台3之至少一方、亦可以是與基板P、基板載台2及測量載台3不同之其他物體。又，有形成跨在基板載台2之覆蓋構件T與基板P之液浸空間LS之情形，亦有形成跨在基板載台2與測量載台3之液浸空間LS之情形。

本實施形態中，液浸構件5具備配置在終端光學元件13(曝光用光EL之光路)周圍之至少一部分之第1構件21與具有回收液體LQ之回收口24之第2構件22。第2構件22之至少一部分配置在第1構件21之下方。第1構件21之至少一部分係配置在較第2構件22離開基板P(物體)之位置。第2構件22配置在第1構件21之至少一部分與基板P(物體)之間。此外，第2構件22之至少一部分係相對曝光用光EL之光路(終端光學元件13之光軸)配置在第1構件21之外側。本實施形態中，曝光用光EL之光路係包含曝光用光EL在終端光學元件13之光路(行進於終端光學元件13之曝光用光EL之光路)的概念。又，曝光用光EL之光路係包含從射出面12射出之曝光用光EL之光路K的概念。本實施形態中，第1構件21係配置在終端光學元件13(曝光用光EL在終端光學元件13之光路)周圍之至少一部分。此外，第1構件21亦可不配置在終端光學元件13之周圍而配置在從射出面12射出之曝光用光EL之光路K周圍之至少一部分。第1構件21亦可配置在終端光學元件13周圍之至少一部分及從射出面12射出之曝光用光EL之光路K周圍之至少一部分。

又，本實施形態中，液浸構件5具備供應用以形成液浸空間LS之液體LQ的供應口23。供應口23係於相對終端光學元件13之光軸(光 路K)之放射方向配置在回收口24之內側。本實施形態中，供應口23係配置於第1構件21。供應口23配置在較回收口24上方之處。又，供應口23可配置在第2構件22、亦可配置在第1構件21及第2構件22支雙方。

本實施形態中，第1構件21隔著間隙配置在終端光學元件13周圍之至少一部分。本實施形態中，第1構件21為環狀。本實施形態中，第1構件21之一部分係配置在終端光學元件13之周圍，終端光學元件13與第1構件21之間形成間隙之環(loop)。間隙之形狀可以是圓形、亦可以是非圓形。

又，本實施形態中，第1構件21之一部分係配置在射出面12之下方。亦即，第1構件21之一部分係配置在射出面12與基板P(物體)之上面之間之光路K周圍。

第1構件21，具有至少一部分與終端光學元件13之射出面12對向之第1部分211、至少一部分配置在終端光學元件13之外面16周圍之第2部分212、與配置在第2部分212周圍之第3部分213。終端光學元件13之外面16不射出曝光用光EL。換言之，曝光用光EL不會通過外面16。本實施形態中，於終端光學元件13之光軸(光路K)周圍之至少一部分，外面16係於相對終端光學元件13之光軸(光路K)之放射方向朝外側向上方傾斜。

第3部分213配置在較第1部分211上方之處。又，第3部分213係於相對終端光學元件13之光軸(光路K)之放射方向配置在第1部分211之外側。

又，第1構件21亦可不具有第1部分211。例如，第1構件 21可配置在較射出面12上方之處。此外，第1構件21亦可不具有第2部分212。例如，第1構件21(第1部分211及第3部分213)可配置在射出面12之下方。

本實施形態中，第1構件21係透過支承裝置50被支承於裝置框架8B。本實施形態中，支承裝置50與第3部分213是連接的。在第1構件21不具有第3部分213之情形時，支承裝置50可連接於該第1構件21之至少一部分。裝置框架8B之位置係實質被固定的。支承裝置50在基板P(物體)之上方支承第1構件21。支承裝置50將第1構件21支承為在終端光學元件13與第1構件21之間形成間隙。投影光學系PL(終端光學元件13)之位置係實質被固定的。第1構件21之位置亦實質被固定。亦即，本實施形態中，終端光學元件13及第1構件21實質上不會移動。終端光學元件13與第1構件21之相對位置不會變化。

第1構件21具有從射出面12射出之曝光用光EL可通過之開口21H。第1部分211具有開口21H。又，第1構件21具有至少一部分與射出面12對向之上面21A、與朝向上面21A之相反方向之下面21B。第1部分211具有上面21A及下面21B。上面21A與射出面12係隔著間隙對向。基板P(物體)可透過間隙與下面21B對向。上面21A配置在開口21H之上端周圍。下面21B配置在開口21H之下端周圍。本實施形態中，上面21A與XY平面實質平行。下面21B與XY平面實質平行。下面21B能在與基板P(物體)之間保持液體LQ。

又，第1構件21，具有配置在上面21A周圍而與終端光學元件13之外面16對向的內面21C、與朝向內面21C之相反方向的外面21D。 外面21D配置在下面21B之周圍。第2部分212具有內面21C及外面21D。外面16與內面21C隔著間隙對向。內面21C及外面21D於相對終端光學元件13之光軸(光路K)之放射方向朝外側向上方傾斜。又，內面21C及外面21D之至少一方可與終端光學元件13之光軸平行(與Z軸平行)。

又，第1構件21具有配置在內面21C周圍之上面21E、與朝向上面21E之相反方向之下面21G。第3部分213具有上面21E及下面21G。下面21G配置在外面21D之周圍。外面21D被配置成連結下面21B之外緣與下面21G之內緣。本實施形態中，上面21E及下面21G係與XY平面實質平行，但亦可不是平行。

第2構件22能相對第1構件21移動。又，第2構件22能相對終端光學元件13移動。亦即，本實施形態中，第2構件22與第1構件21之相對位置是會變化的。第2構件22與終端光學元件13之相對位置是會變化的。

本實施形態中，第2構件22能與XY平面實質平行的移動。又，第2構件22可以是僅能沿單一軸方向(例如，X軸方向、或Y軸方向)移動。又，除了往與XY平面實質平行之方向移動外，第2構件22亦可再移動於Z軸、θX、θY及θZ中之至少一方向。

第2構件22能在第1構件21之至少一部分之下方移動。本實施形態中，第2構件22能在第3部分213之下方移動。又，第2構件22能相對曝光用光EL之光路(終端光學元件13之光軸)在第1構件21之至少一部分之外側移動。本實施形態中，第2構件22能相對曝光用光EL之光路(終端光學元件13之光軸)在第1部分211及第2部分212之外側移動。在 第2構件22具有第1部分211而不具有第2部分212之情形時，第2構件22能相對曝光用光EL之光路(終端光學元件13之光軸)在第1部分211之外側移動。在第2構件22具有第2部分212而不具有第1部分211之情形時，第2構件22能相對曝光用光EL之光路(終端光學元件13之光軸)在第2部分212之外側移動。本實施形態中，第2構件22係透過支承裝置50被支承於裝置框架8B。

在與終端光學元件13之光軸平行之方向，第2構件22之至少一部分係被配置成能在第1構件21與基板P(物體)之間移動。第2構件22能在第1構件21與基板P(物體)之間移動。又，本實施形態中，第2構件22能與基板P(物體)之移動之至少一部分並行移動。又，本實施形態中，第2構件22能在形成有液浸空間LS之狀態下移動。又，第2構件22能在第2構件22與基板P(物體)間之空間之至少一部分存在有液體LQ之狀態下移動。又，第2構件22能與基板P(物體)之移動協力移動、亦能與基板P(物體)分開獨立的移動。

又，第2構件22亦可在第2構件22與基板P(物體)不對向時移動。換言之，第2構件22可在該第2構件22之下方不存在物體時移動。又，第2構件22，亦可在第2構件22與基板P(物體)間之空間不存在液體LQ時移動。例如，第2構件22可在未形成液浸空間LS時移動。

本實施形態中，第2構件22係配置在終端光學元件13周圍之至少一部分。本實施形態中，第2構件22係與第1構件21隔著間隙配置。第2構件22隔著間隙配置在第1構件21周圍之至少一部分。第2構件22係隔著間隙相對曝光用光EL之光路(終端光學元件13之光軸)配置在第1構 件21之外側。又，第2構件22係隔著間隙配置在第1構件21之至少一部分之下方。

本實施形態中，第2構件22為環狀。本實施形態中，第2構件22具有開口26。第2構件之開口26可供曝光用光EL通過。又，本實施形態中，第2構件22之開口26可配置第1構件21之至少一部分。本實施形態中，第2構件22係在第3部分213之下方，配置在第2部分212之周圍。第2構件22被配置成在第2部分212及第3部分213之間形成有間隙。

如圖3所示，本實施形態中，第2構件22為圓環狀。本實施形態中，開口26為實質圓形。

本實施形態中，第2構件22具有與第1構件21之下面21G對向的上面22A、與朝向上面22A之相反方向的下面22B。上面22A配置在開口26之周圍。基板P(物體)可與下面22B對向。第1構件21之下面21G與第2構件22之上面22A係透過間隙對向。基板P(物體)可透過間隙與下面22B對向。本實施形態中，第2構件22能與第1構件21隔著間隙在第1構件21之下面21G之下方移動。

本實施形態中，第2構件22之移動係被下面21G引導。在下面21G與上面21A隔著間隙對向之狀態下，第2構件22沿著下面21G移動。以下之說明中，將第1構件21之下面21G適當的稱為導引面21G，將第2構件22之上面22A適當的稱為移動面22A。又，第1構件21之下面21G可不具有作為導引面之功能。第2構件22可不具有第3部分213。

本實施形態中，第2構件22配置在第1構件21之外面21D 之周圍。第2構件22在外面21D周圍之空間移動。第2構件22以不和第1構件21接觸之方式，在外面21D周圍之空間移動。第2構件22能與第1構件21隔著間隙在第1構件21(第2部分212)之周圍移動。

本實施形態中，導引面21G係在下面21B及外面21D之周圍，配置在較下面21B上方處。第2構件22之下面22B配置在較第1構件21之下面21B上方處。又，第2構件22之下面22B可配置在較第1構件21之下面21B下方處。又，如前所述的未於第1構件21設置第2部分212之情形時，可在與第1構件21之下面21B同一面內、或較第1構件21之下面21B下方處，配置導引面21G。

如圖3所示，曝光裝置EX具備移動第2構件22之驅動系統40。本實施形態中，驅動系統40可使第2構件22在XY平面內移動。圖3所示例中，驅動系統40，包含連接於第2構件22之連接構件40C、可使連接構件40C移動於Y軸方向之第1致動器41、與可使第1致動器41移動於X軸方向之第2致動器42。第1致動器41及第2致動器42之至少一方，包含例如以羅倫茲力驅動之馬達等。當然，驅動系統40不限於圖3所示之形態。又，驅動系統40可以是僅能使第2構件22往單一軸方向(例如，X軸方向或Y軸方向)移動，亦可在除了往與XY平面實質平行之方向移動外，再加上使第2構件22往Z軸、θX、θY及θZ中之至少一方向移動。

驅動系統40，係以導引面21G之至少一部分與移動面22A之至少一部分持續對向之方式移動第2構件22。換言之，驅動系統40，係以移動面22A之至少一部分不會突出至導引面21G外側之方式移動第2構 件22。又，驅動系統40，係以第1構件21與第2構件22不會接觸之方式移動第2構件22。

本實施形態中，導引面21G與移動面22A之間不存在液體LQ。液體LQ對導引面21G與移動面22A之間之浸入是受到抑制的。液浸構件5具備抑制液體LQ浸入導引面21G與移動面22A間之間隙的抑制部30。抑制部30，抑制液體LQ從規定開口26之第2構件22之移動面22A內緣與第1構件21之導引面21G間之間隙浸入導引面21G與移動面22A間之空間GS。抑制部30包含配置在導引面21G之撥液性的膜31。又，抑制部30包含配置在移動面22A之撥液性的膜31。又，膜31可配置在導引面21G及移動面22A之雙方、亦可僅配置在其中一方。藉由膜31，液浸空間LS之液體LQ浸入導引面21G與移動面22A間之間隙的情形即受到抑制。

膜31對液體LQ之接觸角，例如為90度以上。又，膜31之接觸角可以是100度以上、亦可以是110度以上。膜31可以例如含氟之材料形成、或含矽之材料形成。膜31例如可含PFA(Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)、PTFE(聚四氟乙烯、Poly tetra fluoro ethylene)、PEEK(polyetheretherketone)、或鐵氟龍(登錄商標)。

又，抑制部30，包含對導引面21G與移動面22A之間供應氣體之供氣部32。本實施形態中，供氣部32，包含配置在移動面22A、對導引面21G與移動面22A間之間隙供應氣體之供氣口33。又，供氣口33可配置在導引面21G。又，供氣口33亦可配置在導引面21G及移動面22A之雙方。藉由從供氣口33供應之氣體，液浸空間LS之液體LQ浸入導引面21G與移動面22A間之間隙的情形受到抑制。

又，抑制部30可包含膜31而不包含供氣部32。或者，抑制部30亦可包含供氣部32而不包含膜31。

又，作為抑制部30，亦可於規定開口26之第2構件22之移動面22A內緣近旁與第1構件21之導引面21G中之至少一方設置凸部。

本實施形態中，導引面21G與移動面22A之間形成有氣體軸承。藉由氣體軸承，在導引面21G與移動面22A之間形成有間隙的狀態下，第2構件22以可移動之方式被支承於第1構件21。

本實施形態中，液浸構件5具有供氣口33與配置於移動面22A、用以排出導引面21G與移動面22A間之間隙之氣體之至少一部分的排氣口34。藉由來自供氣口33之氣體供應與從排氣口34之氣體排出，在導引面21G與移動面22A之間形成氣體軸承。又，供氣口33及排氣口34亦可以是配置在導引面21G。

本實施形態中，液浸構件5具有將導引面21G與移動面22A間之空間GS與液浸構件5周圍空間(腔室裝置9形成之空間)CS加以連結之孔(開口)35。本實施形態中，開口35係形成於第2構件22。開口35配置在用以規定開口26之移動面22A之內緣與供氣口33(排氣口34)之間。藉由開口35，空間GS被開放於液浸構件5周圍之空間CS(環境氣氛)。腔室裝置9形成之空間CS為大氣(大氣壓)之情形時，藉由開口35，空間GS開放於大氣。當然，腔室裝置9形成之空間CS可以不是大氣(大氣壓)。此外，亦可不設置開口35。

第2構件22具有配置在第1構件21之外面21D周圍之內面22C。內面22C連結移動面22A之內緣與下面22B之內緣。本實施形態中， 內面22C係於相對終端光學元件13之光軸(光路K)之放射方向朝外側向下方傾斜。又，內面22C亦可與終端光學元件13之光軸平行(與Z軸平行)。

供應口23透過形成在第1構件21內部之供應流路與液體供應裝置連接。供應口23，為形成液浸空間LS而供應來自液體供應裝置之液體LQ。本實施形態中，供應口23係以面向射出面12與上面21A間之間隙的方式，配置於內面21C。又，供應口23亦可以面向外面16與內面21C間之間隙的方式，配置於內面21C。從供應口23供應之液體LQ，經由開口21H被供應至基板P(物體)上。

本實施形態中，第2構件22之回收口24係配置成基板P(物體)與之對向。本實施形態中，第2構件22包含多孔構件25。本實施形態中，第2構件22之下面22B包含多孔構件25之下面。回收口24包含多孔構件25之孔。多孔構件25，例如包含燒結體或孔(pores)構件。回收口24(多孔構件25之孔)與液體回收裝置(未圖示)連接。液體回收裝置可將回收口24與真空系統(未圖示)加以連接。回收口24能回收液浸空間LS之液體LQ之至少一部分。從回收口24回收之液體LQ被回收至液體回收裝置。又，亦可於第2構件22之內面22C設置可回收液體LQ之回收口。

本實施形態中，藉由與來自供應口23之液體LQ之供應動作並行實施從回收口24之液體LQ之回收動作，據以在一側之終端光學元件13及液浸構件5與另一側之基板P(物體)之間以液體LQ形成液浸空間LS。

本實施形態中，液浸空間LS之液體LQ之界面LG之一部分係形成在第2構件22與基板P(物體)之間。第2構件22之下面22B之一 部分及內面22C與液浸空間LS之液體LQ接觸。

又，本實施形態中，液浸空間LS之液體LQ之界面LG之一部分，形成在第1構件21之導引面21G之內緣與第2構件22之移動面22A之內緣之間。導引面21G及移動面22A不與液浸空間LS之液體LQ接觸。

又，本實施形態中，液浸空間LS之液體LQ之界面LG之一部分，形成在第1構件21之內面21C與終端光學元件13之外面16之間。

此外，亦可有液浸空間LS之液體LQ之界面LG之一部分，形成在基板P(物體)與第1構件21(例如，導引面21G)之間的情形。

以下之說明中，將形成在第2構件22與基板P(物體)之間之液體LQ之界面LG適當的稱為第1界面LG1、將形成在第1構件21與第2構件22之間之液體LQ之界面LG適當的稱為第2界面LG2、將形成在第1構件21與終端光學元件13之間之液體LQ之界面LG適當的稱為第3界面LG3。

圖5及圖6係顯示第2構件22之一動作例的圖。控制裝置6根據例如基板P(物體)之移動條件，與基板P(物體)之移動之至少一部分並行，移動第2構件22。

第2構件22可一邊移動、一邊從回收口24回收液體LQ。控制裝置6，與從回收口24之液體LQ之回收並行，移動第2構件22。控制裝置6，一邊進行從供應口23之液體LQ之供應與從回收口24之液體LQ之回收以持續形成液浸空間LS、一邊移動第2構件22。

如前所述，第2構件22能在形成有液浸空間LS之狀態下， 與XY平面實質平行的移動。第2構件22能在形成有液浸空間LS之狀態下，在第1構件21(第3部分213)與基板P(物體)之間移動。第2構件22能在形成有液浸空間LS之狀態下，在第1構件21(第2部分212)周圍之空間移動。

本實施形態中，第2構件22係以和基板P(物體)之相對移動變小之方式移動。又，第2構件22係以和基板P(物體)之相對移動，較第1構件21與基板P(物體)之相對移動變小之方式移動。例如，第2構件22可與基板P(物體)同步移動。例如，第2構件22亦可以追隨基板P(物體)之方式移動。

相對移動，包含相對速度及相對加速度中之至少一方。例如，第2構件22可在形成有液浸空間LS之狀態下，以和基板P(物體)之相對速度變小之方式移動。又，第2構件22亦可在形成有液浸空間LS之狀態下，以和基板P(物體)之相對加速度變小之方式移動。此外，第2構件22可在形成有液浸空間LS之狀態下，以和基板P(物體)之相對速度，較第1構件21與基板P(物體)之相對速度變小之方式移動。又，第2構件22可在形成有液浸空間LS之狀態下，以和基板P(物體)之相對加速度，較第1構件21與基板P(物體)之相對加速度變小之方式移動。

例如圖5所示，在基板P(物體)移動於+Y軸方向時，控制裝置6以第2構件22與基板P(物體)之相對速度變小之方式，使第2構件22移動於+Y軸方向。又，控制裝置6，亦可以第2構件22與基板P(物體)之相對速度變小之方式，一邊使第2構件22移動於+Y軸方向、一邊移動於+X軸方向及-X軸方向中之至少一方。亦即，在基板P(物體)移動於+Y軸方向時，第2構件22可以和基板P(物體)之相對速度變小之方式，往包 含+Y軸方向成分之XY平面內之任意方向移動。

又，如圖6所示，在基板P(物體)移動於-Y軸方向時，控制裝置6以第2構件22與基板P(物體)之相對速度變小之方式，使第2構件22移動於-Y軸方向。又，控制裝置6亦可以第2構件22與基板P(物體)之相對速度變小之方式，一邊使第2構件22移動於-Y軸方向、一邊移動於+X軸方向及-X軸方向中之至少一方。亦即，基板P(物體)移動於-Y軸方向時，第2構件22可以和基板P(物體)之相對速度變小之方式，往包含-Y軸方向成分之XY平面內之任意方向移動。

此外，基板P(物體)移動於+X軸方向時，第2構件22可以和基板P(物體)之相對速度變小之方式，往包含+X軸方向成分之XY平面內之任意方向移動。又，基板P(物體)移動於-X軸方向時，第2構件22可以和基板P(物體)之相對速度變小之方式，往包含-X軸方向成分之XY平面內之任意方向移動。

其次，說明使用具有上述構成之曝光裝置EX使基板P曝光之方法。

在與液浸構件5分離之基板更換位置，進行將曝光前之基板P搬入(裝載於)基板載台2(第1保持部)之處理。又，在基板載台2離開液浸構件5之期間之至少一部分中，將測量載台3配置成與終端光學元件13及液浸構件5對向。控制裝置6，進行從供應口23之液體LQ之供應與從回收口24之液體LQ之回收，在測量載台3上形成液浸空間LS。

在將曝光前之基板P裝載於基板載台2、並結束使用測量載台3之測量處理後，控制裝置6移動基板載台2，以使終端光學元件13及 液浸構件5與基板載台2(基板P)對向。在終端光學元件13及液浸構件5與基板載台2(基板P)對向之狀態下，與從供應口23之液體LQ之供應並行實施從回收口24之液體LQ之回收，以在終端光學元件13及液浸構件5與基板載台2(基板P)之間形成光路K被液體LQ充滿之液浸空間LS。

控制裝置6開始基板P之曝光處理。控制裝置6，在基板P上形成有液浸空間LS之狀態下，從照明系IL射出曝光用光EL。照明系IL以曝光用光EL照明光罩M。來自光罩M之曝光用光EL，透過投影光學系PL及射出面12與基板P之間之液浸空間LS之液體LQ照射於基板P。據此，基板P即被透過液浸空間LS之液體LQ從射出面12射出之曝光用光EL曝光，光罩M之圖案之像被投影至基板P。

本實施形態之曝光裝置EX，係一邊使光罩M與基板P同步移動於既定掃描方向、一邊將光罩M之圖案之像投影至基板P之掃描型曝光裝置(所謂掃描步進機)。本實施形態中，以基板P之掃描方向(同步移動方向)為Y軸方向、光罩M之掃描方向(同步移動方向)亦為Y軸方向。控制裝置6使基板P相對投影光學系PL之投影區域PR移動於Y軸方向，並與該基板P往Y軸方向之移動同步，一邊相對照明系IL之照明區域IR使光罩M移於Y軸方向、一邊透過投影光學系PL與基板P上之液浸空間LS之液體LQ對基板P照射曝光用光EL。

圖7係顯示被保持於基板載台2之基板P之一例的圖。本實施形態中，曝光對象區域之照射區域於基板P上配置有複數個成矩陣狀。控制裝置6，透過液浸空間LS之液體LQ以曝光用光EL使被保持於第1保持部之基板P之複數個照射區域依序曝光。

例如為使基板P之第1照射區域S曝光，控制裝置6使基板P(第1照射區域S)相對投影光學系PL之投影區域PR移動於Y軸方向，並與該基板P往Y軸方向之移動同步，一邊相對照明系IL之照明區域IR使光罩M移動於Y軸方向、一邊透過投影光學系PL與基板P上之液浸空間LS之液體LQ對第1照射區域S照射曝光用光EL。據此，光罩M之圖案之像即被投影於基板P之第1照射區域S，該第1照射區域S即因從射出面12出之曝光用光EL而曝光。第1照射區域S之曝光結束後，控制裝置6為開始其次之第2照射區域S之曝光，在形成有液浸空間LS之狀態下，使基板P於XY平面內與X軸交叉之方向(例如X軸方向、或XY平面內相對X軸及Y軸方向傾斜之方向等)移動，使第2照射區域S移至曝光開始位置。之後，控制裝置6即開始第2照射區域S之曝光。

控制裝置6，在基板P(基板載台2)上形成有液浸空間LS之狀態下，反覆進行一邊相對來自射出面12之曝光用光EL照射之位置(投影區域PR)使照射區域移動於Y軸方向一邊使該照射區域曝光的動作，與在該照射區域之曝光後在基板P(基板載台2)上形成有液浸空間LS之狀態下，將基板P移動於XY平面內與Y軸方向交叉之方向(例如X軸方向、或XY平面內相對X軸及Y軸方向傾斜之方向等)以將次一照射區域配置於曝光開始位置的動作，一邊使基板P之複數個照射區域依序曝光。

以下之說明中，將為使照射區域曝光而在基板P(基板載台2)上形成有液浸空間LS的狀態下，相對來自射出面12之曝光用光EL照射之位置(投影區域PR)使基板P(照射區域)移動於Y軸方向的動作，適當的稱為掃描移動動作。並將某一照射區域之曝光完成後，在基板P(基板載台2) 上形成有液浸空間LS的狀態下，在開始次一照射區域之曝光為止之期間，於XY平面內移動基板P之動作，適當的稱為步進移動動作。控制裝置6一邊反覆掃描移動動作與步進移動動作、一邊使基板P之複數個照射區域S依序曝光。又，掃描移動動作係專於Y軸方向之等速移動。步進移動動作包含加減速度移動。例如，於X軸方向相鄰之二個照射區域間之步進移動動作，包含於Y軸方向之加減速移動、及於X軸方向之加減速移動。

又，於掃描移動動作及步進移動動作之至少一部分中，亦有液浸空間LS之至少一部分形成在基板載台2(覆蓋構件T)上之情形。

控制裝置6根據基板P上之複數個照射區域S之曝光條件，控制驅動系統15移動基板P(基板載台2)。複數個照射區域S之曝光條件，例如係以稱為曝光配方(recipe)之曝光控制資訊加以規定。曝光控制資訊儲存於記憶裝置7。控制裝置6根據該記憶裝置7儲存之曝光條件，一邊以既定移動條件移動基板P、一邊使複數個照射區域S依序曝光。基板P(物體)之移動條件，包含移動速度、加速度、移動距離、移動方向及在XY平面內之移動軌跡中之至少一種。

控制裝置6，一邊移動基板載台2使投影光學系PL之投影區域PR與基板P，沿圖7中，例如箭頭Sr所示之移動軌跡相對移動，一邊對投影區域PR照射曝光用光EL，透過液體LQ以曝光用光EL使基板P之複數個照射區域S依序曝光。

之後，反覆上述處理，使複數個基板P依序曝光。

本實施形態中，第2構件22係在基板P之曝光處理之至少一部分中移動。第2構件22，在形成有液浸空間LS之狀態下基板P(基板載 台2)進行掃描移動動作及步進移動動作時，以和基板P(基板載台2)之相對移動(相對速度、相對加速度)變小之方式移動。

圖8(A)係以示意方式顯示使照射區域Sa及照射區域Sb依序曝光時之基板P之移動軌跡之一例的圖、圖8(B)則係以示意方式顯示使照射區域Sa及照射區域Sb依序曝光時之第2構件22之移動軌跡之一例的圖。

如圖8(A)所示，照射區域Sa之曝光時，基板P係於終端光學元件13之下，依序移動於從位置d1至相對該位置d1於-Y軸側相鄰位置d2之路徑Tp1、從位置d2至相對該位置d2於-X軸側相鄰位置d3之路徑Tp2、從位置d3至相對該位置d3於+Y軸側相鄰位置d4之路徑Tp3、以及從位置d4至相對該位置d4於-X軸側相鄰位置d5之路徑Tp4。位置d1、d2、d3、d4係在XY平面內之位置。

路徑Tp1之至少一部分係與Y軸平行之直線。路徑Tp3之至少一部分係與Y軸平行之直線。路徑Tp2包含曲線。路徑Tp4包含曲線。位置d1包含路徑Tp1之始點，位置d2包含路徑Tp1之終點。位置d2包含路徑Tp2之始點，位置d3包含路徑Tp2之終點。位置d3包含路徑Tp3之始點，而位置d4包含路徑Tp3之終點。位置d4包含路徑Tp4之始點，位置d5包含路徑Tp4之終點。路徑Tp1係基板P往-Y軸方向移動之路徑。路徑Tp3係基板P往+Y軸方向移動之路徑。路徑Tp2及路徑Tp4係基板P往以-X軸方向為主成分之方向移動之路徑。

在形成有液浸空間LS之狀態下基板P移動於路徑Tp1時，係透過液體LQ被曝光用光EL照射於照射區域Sa。基板P移動於路徑Tp1之動作，包含掃描移動動作。又，在形成有液浸空間LS之狀態下基板P移 動於路徑Tp3時，係透過液體LQ被曝光用光EL照射於照射區域Sb。基板P移動於路徑Tp3之動作，包含掃描移動動作。此外，基板P移動於路徑Tp2之動作、以及移動於路徑Tp4之動作，包含步進移動動作。

當基板P依序移動於路徑Tp1、Tp2、Tp3、Tp4時，如圖8(B)所示，第2構件22依序移動於路徑Tn1、Tn2、Tn3、Tn4。路徑Tn1係從位置e1至位置e2的路徑。路徑Tn2係從位置e2至位置e3的路徑。路徑Tn3係從位置e3至位置e4的路徑。路徑Tn4係從位置e4至位置e1的路徑。路徑Tn1包含直線。路徑Tn2包含曲線。路徑Tn3包含直線。路徑Tn4包含曲線。路徑Tn1與路徑Tn3交叉。路徑Tn1及路徑Tn3相對X軸及Y軸之雙方傾斜。路徑Tn1係第2構件22一邊移動於+X軸方向、一邊移動於-Y軸方向的路徑。路徑Tn2係第2構件22往以-X軸方向為主成分之方向移動的路徑。路徑Tn3係第2構件22一邊移動於+X軸方向、一邊移動於+Y軸方向的路徑。路徑Tn4係第2構件22往以-X軸方向為主成分之方向移動的路徑。

亦即，本實施形態中，第2構件22係以描繪阿拉伯數字「8」的方式移動於XY平面內。

圖9及圖10係顯示第2構件22以描繪「8」字之方式移動之狀態之一例。圖9及圖10係從基板P(物體)側往上觀察第2構件22的圖。第2構件22，可以從圖9(A)所示狀態，依序經由圖9(B)、圖9(C)、圖9(D)、圖10(A)、圖10(B)及圖10(C)所示狀態，變化至圖10(D)所示狀態之方式移動。

圖11及圖12係顯示藉由掃描移動動作及步進移動動作使與X軸平行之相鄰複數個照射區域一邊於+X軸方向步進移動、一邊依序曝光 時之基板P(基板載台2)的移動速度與配合該基板P之移動以描繪「8」字之方式移動之第2構件22的移動速度之關係之一例的圖。

圖11(A)顯示了於X軸方向之基板P(基板載台2)及第2構件22各自之移動速度。圖11(B)顯示了於Y軸方向之基板P(基板載台2)及第2構件22各自之移動速度。圖11(A)之線Vxp顯示於X軸方向之基板P(基板載台2)之移動速度、線Vxn則顯示於X軸方向之第2構件22之移動速度。又，圖11(B)之線Vyp顯示於Y軸方向之基板P(基板載台2)之移動速度、線Vyn顯示於Y軸方向之第2構件22之移動速度。

此外，圖11中，期間Ta代表基板P(基板載台2)進行掃描移動動作之期間。期間Tb代表基板P(基板載台2)進行步進移動動作之期間。如圖11所示，於基板P(基板載台2)之掃描移動動作之期間Ta之至少一部分中，第2構件22往與基板P(基板載台2)相同之掃描方向(Y軸方向)移動，並往與基板P(基板載台2)之步進方向(+X軸方向)相反之方向(-X軸方向)移動。又，於基板P(基板載台2)之步進移動動作之期間Tb之至少一部分中，第2構件22往與基板P(基板載台2)相同之掃描方向(Y軸方向)移動，並往與基板P(基板載台2)之步進方向(+X軸方向)相同之方向(+X軸方向)移動。

圖12(A)顯示了於X軸方向之基板P(基板載台2)與第2構件22之相對速度。圖12(B)顯示了於Y軸方向之基板P(基板載台2)與第2構件22之相對速度。圖12(A)之線△Vx，顯示於X軸方向之基板P(基板載台2)與第2構件22之相對速度。圖12(B)之線△Vy，顯示於Y軸方向之基板P(基板載台2)與第2構件22之相對速度。又，圖12(A)中，同時顯示於X 軸方向之基板P(基板載台2)之移動速度Vxp、圖12(B)中同時顯示了於Y軸方向之基板P(基板載台2)之移動速度Vyp。

如圖12所示，當基板P(基板載台2)進行掃描移動動作及步進移動動作時，藉由第2構件22以描繪「8」字之方式移動，可使基板P(基板載台2)與第2構件22之相對速度(△Vx、△Vy)至少較基板P(基板載台2)之移動速度(Vxp、Vyp)小。此外，可使基板P(基板載台2)與第2構件22之相對速度(△Vx、△Vy)至少較基板P(基板載台2)與第1構件21之相對速度(Vxp、Vyp)小。

又，圖11之期間Ta中，第2構件22等速移動於掃描方向時之速度(絶對值)雖較基板P(基板載台2)等速移動於掃描方向時之速度(絶對值)小，但亦可以是相同的。此外，圖11之期間Ta中，可以沒有第2構件22等速移動於掃描方向之期間。又，圖11之期間Tb中，第2構件22移動於步進方向時之最大速度(絶對值)雖較基板P(基板載台2)移動於步進方向時之最大速度(絶對值)小，但亦可以是相同的。此外，圖11之期間Tb，第2構件22移動於掃描方向時之速度(絶對值)雖較基板P(基板載台2)移動於掃描方向時之速度(絶對值)小，但亦可以是相同的。又，期間Ta中第2構件22往步進方向移動時之最大速度(絶對值)，可與期間Tb中第2構件22往步進方向移動時之最大速度(絶對值)相同、亦可不同。例如，可使期間Ta中第2構件22往步進方向移動時之最大速度(絶對值)，大於較期間Tb中第2構件22往步進方向移動時之最大速度(絶對值)。

如以上之說明，本實施形態，由於在第1構件21之下方設置了具有可移動可能之回收口24的第2構件22，因此即使在形成有液浸空 間LS之狀態下基板P等之物體在XY平面內移動，例如液體LQ從液浸構件5與物體之間之空間流出、或液體殘留在物體上之情形亦會受到抑制。又，液浸空間LS之液體LQ中產生氣泡(氣體部分)之情形亦會受到抑制。

又，藉由以和物體之相對移動(相對速度、相對加速度)變小之方式移動第2構件22，即使在形成有液浸空間LS之狀態下物體以高速度移動，液體LQ流出、液體LQ殘留、液體LQ中產生氣泡之情形亦會受到抑制。

因此，能抑制曝光不良之發生、及產生不良元件。

又，本實施形態中，第1構件21係配置在終端光學元件13周圍之至少一部分，因此在形成有液浸空間LS之狀態下物體移動、或第2構件22移動之情形時，終端光學元件13與第1構件21之間壓力產生變動、或在第1構件21與終端光學元件13間之液體LQ之第3界面LG3之形狀產生大變動之情形會受到抑制。因此，例如液體LQ中產生氣泡、對終端光學元件13作用過多之力的情形皆會受到抑制。此外，本實施形態中，由於第1構件21實質上不移動，因此終端光學元件13與第1構件21間之壓力產生大變動、或在終端光學元件13與第1構件21間之液體LQ之第3界面LG3之形狀產生大變動之情形會受到抑制。

又，第1構件21可以是能移動的。第1構件21，亦可以是能移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ之6個方向中之至少一方向。例如，為調整終端光學元件13與第1構件21之位置關係、或調整第1構件21與第2構件22之位置關係，可移動第1構件21。此外，可與基板P(物體)之移動之至少一部分並行，移動第1構件21。例如，可於XY平面 內移動較第2構件22短之距離。又，第1構件21可以較第2構件22低之速度移動。或者，第1構件21可以較第2構件22低之加速度移動。

又，本實施形態中，第1構件21之導引面21G與第2構件22之移動面22A之間不存在液體LQ，因此第2構件22可圓滑地移動。

又，導引面21G與移動面22A之間亦可存在液體LQ。此外，可省略抑制部30。

又，本實施形態中，第1構件21與第2構件22之間可以不形成氣體軸承。又，本實施形態中，第1構件21可不具有第3部分213。此場合，可以不在第2構件22之上方配置第1構件21。亦即，第2構件22可以不在第1構件21之下方移動。此外，本實施形態中，第1構件21及第2構件22雖係被支承在裝置框架8B，但第1構件21亦可被支承在與裝置框架8B不同之其他框架。例如，第1構件21可被支承於基準框架8A。

又，本實施形態中，由於第2構件22之內面22C係於相對光路K之放射方向朝外側向下方傾斜，因此在內面22C與液浸空間LS之液體LQ接觸之狀態下移動，液浸空間LS之壓力大幅變動、或於液浸空間LS之液體LQ產生不期望之流動之情形皆會受到抑制。

又，圖8等所示例中，雖在使照射區域Sa曝光後、使相對該照射區域Sa配置在X軸方向之照射區域Sb曝光之情形時，移動第2構件22，但亦可例如圖13(A)所示，在使配置於Y軸方向之照射區域Sc、照射區域Sd及照射區域Se依序曝光後，使相對該等照射區域Se、Sd、Sc配置於X軸方向之照射區域Sf、照射區域Sg及照射區域Sh依序曝光時，如圖13(B)所示，移動第2構件22。圖13所示例中，亦可使第2構件22以例 如描繪數字「8」之方式移動。

又，上述實施形態中，基板P在進行掃描移動動作及步進移動動作時，第2構件22可不描繪阿拉伯數字「8」。例如，可將第2構件22做成僅能移動於Y軸方向，在基板P(基板載台2)進行掃描移動動作時，移動於與基板P相同之Y軸方向。

又，上述實施形態中，第2構件22雖係以導引面21G與移動面22A持續對向之方式移動，但第2構件22亦可以移動面22A之至少一部分突出至導引面21G外側之方式移動。此外，第2構件22亦可以和第1構件21之至少一部分接觸之方式移動。

又，上述實施形態中，第2構件22可在液浸空間LS形成之狀態下，以X軸方向之移動距離較Y軸方向之移動距離長之方式移動，或以Y軸方向之移動距離較X軸方向之移動距離長之方式移動。又，第2構件22可於X軸方向，移動較開口21H之尺寸長之距離、短之距離、或相等距離。此外，第2構件22可移動較照射區域S之尺寸長之距離、短之距離、或相等距離。再者，第2構件22可移動較下面21B之尺寸長之距離、短之距離、或相等距離。

<第2實施形態>

接著，說明第2實施形態。以下之說明中，對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖14係顯示本實施形態之第2構件222之一例的圖。如圖14所示，第2構件222之外面22D，可於相對光路K之放射方向朝外側向上方傾斜。如此，即使例如第1界面LG1移動至下面22B之外側，亦可藉 由傾斜之外面22D抑制液體LQ之流出。例如，圖14中，基板P(物體)往-Y軸方向移動之情形時，第1界面LG1有可能往-Y軸方向移動。由於設置了傾斜之外面22D，因此在外面22D與基板P(物體)之上面之間，第1界面LG1往-Y軸方向之移動即受到抑制。

又，即使第2構件222移動，亦能藉由傾斜之外面22D抑制液體LQ之流出。

又，本實施形態中亦可不設置氣體軸承、或第1構件21不具有第3部分213。以下之實施形態亦同。

<第3實施形態>

接著，說明第3實施形態。以下之說明中，對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖15係顯示第3實施形態之第2構件223之一例的圖。本實施形態中，第2構件223包含網眼板(mesh plate)253與支承該網眼板253之基座構件254。網眼板253與基座構件254之間形成空間223S。網眼板253，具有基板P(物體)可對向之下面253B、面向空間223S之上面253A、以及形成為將上面253A與下面253B加以連結之複數個孔(開口)。回收口24包含網眼板253之孔(開口)。與下面253B接觸之液體LQ之至少一部分，可透過回收口24流入空間223S。

圖15所示例中，空間223S與液體回收裝置(未圖示)連接。液體回收裝置包含真空系統(未圖示)。本實施形態中，上面253A側之壓力與下面253B側之壓力之差係被調整為透過回收口24僅回收網眼板253與物體之間之液體LQ，而不回收氣體。又，透過多孔構件實質上僅回收液體而 限制氣體回收之技術之一例，例如已揭示於美國專利第7292313號說明書等。

本實施形態中，第2構件223亦可一邊移動、一邊回收液體LQ。本實施形態，亦能藉由第2構件223之移動，抑制曝光不良之發生。

<第4實施形態>

接著，說明第4實施形態。以下之說明中，對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖16係顯示本實施形態之第2構件224之一例的圖。第2構件224具有配置第1構件21之至少一部分之開口264。於X軸方向之開口264與於Y軸方向之開口264之尺寸不同。圖16所示例中，於X軸方向之開口264之尺寸較於Y軸方向之開口264之尺寸小。當然，於X軸方向之開口264之尺寸可以較於Y軸方向之開口264之尺寸大。圖16所示例中，第2構件224之開口264之形狀為橢圓形。

又，圖3及圖16等所示例中，第2構件(22等)之開口(26等)雖不具角部，但亦可具角部。例如，第2構件(22等)之開口(26等)可以是三角形、四角形、五角形、六角形、七角形、八角形等之多角形。

又，圖3、圖16等所示例中，第2構件(22等)之開口(26等)與第2構件22之外形雖大致為相同形狀(相似)，但可以不是相同形狀。

<第5實施形態>

接著，說明第5實施形態。以下之說明中，對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖17係顯示本實施形態之第2構件225之一例的圖。如圖 17所示，在XY平面內之第2構件225之外形，實質上為四角形。第2構件225之開口265為圓形。當然，開口265可以是例如四角形、六角形、八角形等之多角形、橢圓形。

本實施形態中，第2構件225不具有多孔構件。圖17中，回收口24係在第2構件225之下面圍繞光路K配置有複數個。回收口24可將液體LQ與氣體加以一起回收。液浸空間LS之液體LQ之第1界面LG1係配置於回收口24。

本實施形態，亦可藉由第2構件225之移動，抑制曝光不良之發生。

又，上述實施形態中，第2構件(22等)雖係環繞終端光學元件13之光軸的環狀構件，但第2構件亦可以是配置在光軸周圍配置複數個。又，可將該等複數個第2構件做成可獨立移動。此外，亦可是複數個第2構件中、一部分第2構件移動、一部分第2構件不移動。

又，上述實施形態中，控制裝置6包含含CPU等之電腦系統。又，控制裝置6包含可實施電腦系統與外部裝置間之通訊的介面。記憶裝置7，例如包含RAM等之記憶體、硬碟、CD-ROM等之記錄媒體。於記憶裝置5安裝有用以控制電腦系統之作業系統(OS)，內儲存有用以控制曝光裝置EX之程式。

又，亦可於控制裝置6連接可輸入輸入信號之輸入裝置。輸入裝置包含鍵盤、滑鼠等之輸入機器、或可輸入來自外部裝置之資料的通訊裝置等。此外，亦可裝設液晶顯示器等之顯示裝置。

包含記錄在記憶裝置7之程式的各種資訊，可由控制裝置 (電腦系統)6加以讀取。於記憶裝置7中，儲存有使控制裝置6實施透過充滿在射出曝光用光之光學構件之射出面與基板之間之曝光用光之光路的第1液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制的程式。

又，儲存在記憶裝置7中之程式，可依上述實施形態使控制裝置6實施：形成從光學構件之射出面射出之該曝光用光之光路被該液體充滿之液浸空間的動作；透過該液浸空間之液體以從該射出面射出之該曝光用光使該基板曝光的動作；以及移動第2構件的動作，該第2構件係與配置在該光學構件周圍之至少一部分之第1構件隔著間隙配置在該第1構件下方、具有回收該液浸空間之液體之至少一部分的回收口。

藉由將記憶裝置7中儲存之程式讀取至控制裝置6，基板載台2、測量載台3及液浸構件5等曝光裝置EX之各種裝置及協同働作，在形成有第1液浸空間LS之狀態下，實施基板P之液浸曝光等的各種處理。

又，上述各實施形態中，雖然投影光學系PL之終端光學元件13之射出面12側(像面側)之光路K係被液體LQ充滿，但投影光學系PL亦可以是例如國際公開第2004/019128號所揭示之終端光學元件13之入射側(物體面側)光路亦被液體LQ充滿之投影光學系。

又，上述各實施形態中，曝光用之液體LQ雖係使用水，但亦可以是水以外之液體。液體LQ，以對曝光用光EL具有穿透性、對曝光用光EL具有高折射率、對形成投影光學系PL或基板P之表面之感光材(光阻劑)等膜安定者較佳。例如，液體LQ可以是氫氟醚(HFE)、全氟化聚醚(PFPE)、氟素潤滑油(fomblin(登錄商標)oil)等。此外，液體LQ亦可是各種流體、例如超臨界流體。

又，上述各實施形態之基板P，雖包含半導體元件製造用之半導體晶圓，亦可包含顯示元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、或曝光裝置所使用之光罩或標線片之原版(合成石英、矽晶圓)等。

又，上述各實施形態中，雖然曝光裝置EX係使光罩M基板P同步移動以對光罩M之圖案進行掃描曝光之步進掃描(step & scan)方式之掃描型曝光裝置(掃描步進機)，但亦可以是例如使光罩M與基板P在靜止之狀態下，使光罩M之圖案一次曝光，並使基板P依序步進移動的之步進重複(step & repeat)方式的投影曝光裝置(步進機)。

再者，於曝光裝置EX係步進重複方式之曝光中，亦可在使第1圖案與基板P大致静止之狀態，使用投影光學系PL將第1圖案之縮小像轉印至基板P上後，在第2圖案與基板P大致静止之狀態，使用投影光學系PL將第2圖案之縮小像與第1圖案局部重疊而一次曝光至基板P上(接合方式之一次曝光裝置)。又，接合方式之曝光裝置，亦可以是於基板P上至少將二個圖案局部的重疊轉印，並使基板P依序移動之步進接合(step & stitch)方式之曝光裝置。

又，曝光裝置EX亦可以是例如美國專利第6611316號所揭示之將二個光罩之圖案透過投影光學系在基板P上加以合成，以一次掃描曝光使基板P上之一個照射區域大致同時雙重曝光之曝光裝置。此外，本發明亦能適用於近接方式之曝光裝置、反射鏡投影對準器(mirror projection aligner)等。

又，上述各實施形態中，曝光裝置EX亦可以是例如美國專利第6341007號說明書、美國專利第6208407號說明書及美國專利第6262796 號說明書等所揭示之具備複數個基板載台之雙載台型之曝光裝置。例如圖18所示，在曝光裝置EX具備二個基板載台2001、2002之場合，可配置成與射出面12對向之物體，包含一方之基板載台、該一方之基板載台之第1保持部所保持之基板、另一方之基板載台、以及該另一方之基板載台之第1保持部所保持之基板中的至少一者。

此外，曝光裝置EX亦可以是具備複數個基板載台與測量載台之曝光裝置。

曝光裝置EX可以是將半導體元件圖案曝光至基板P之半導體元件製造用之曝光裝置，亦可以是液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置，或用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、微機器、MEMS、DN晶片、標線片或光罩等之曝光裝置。

又，上述實施形態中，雖係使用在光透射性基板上形成有既定遮光圖案(或相位圖案、減光圖案)之光透射型光罩，但亦可取代此光罩，使用例如美國專利第6778257號公報所揭示，根據待曝光圖案之電子資料來形成透射圖案或反射圖案、或形成發光圖案之可變成形光罩(電子光罩、主動光罩或影像產生器)。又，亦可取代具有非發光型影像顯示元件之可變成形光罩，而裝備包含自發光型影像顯示元件之圖案形成裝置。

上述各實施形態中，曝光裝置EX雖具備投影光學系PL，但亦可將上述各實施形態所說明之構成要件適用於不使用投影光學系PL之曝光裝置及曝光方法。例如，可將上述各實施形態所說明之構成要件適用於在透鏡等光學構件與基板之間形成液浸空間，透過該光學構件對基板照射曝光用光之曝光裝置及曝光方法。

又，曝光裝置EX亦可以是例如國際公開第2001/035168號小冊子所揭示之藉由在基板P上形成干涉條紋，據以在基板上曝光線與空間圖案(line & space pattern)的曝光裝置(微影系統)。

上述實施形態之曝光裝置EX，係藉由組裝各種次系統(含各構成要素)，以能保持既定之機械精度、電氣精度、光學精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後，係進行對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系統至曝光裝置EX之組裝製程，係包含機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置EX之組裝步驟前，有各次系統個別之組裝步驟。在各種次系統組裝至曝光裝置EX之步驟結束後，即進行綜合調整，以確保曝光裝置EX整體之各種精度。此外，曝光裝置EX之製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理之無塵室進行。

半導體元件等之微元件，如圖19所示，係經進行微元件之功能、性能設計之步驟201，根據此設計步驟製作光罩M(標線片)之步驟202，製造元件基材之基板之步驟203，包含依據上述實施形態進行基板處理(曝光處理，包含使用光罩M之圖案以曝光用光EL使基板曝光之動作、以及使曝光後基板顯影之動作)的基板処理步驟204，元件組裝步驟(包含切割步驟、結合步驟、封裝步驟等之加工製程)205，以及檢査步驟206等而製造。

又，上述各實施形態之要件可適當加以組合。又，亦有不使用部分構成要素之情形。此外，在法令許可範圍內，援用上述各實施形態 及變形例所引用之關於曝光裝置等之所有公開公報及美國專利之揭示作為本文記載之一部分。

Claims (51)

1. 一種液浸構件，係以從光學構件之射出面射出之曝光用光之光路被液體充滿之方式，在能於該光學構件下方移動之物體上形成液浸空間，該液浸構件具備：第1構件，係配置在該光學構件周圍之至少一部分，該第1構件具有第1面；第2構件，能相對該第1構件移動並且其具有回收在該液浸空間中之液體之至少一部分之回收口，該第2構件具有第2面，其面向該第1構件的該第1面，在該第1面和該第2面之間有間隙；以及供氣口，面對在該第1構件和該第2構件之間的該間隙，氣體從該供氣口被供給到該間隙，該供氣口係配置在該第1面和該第2面中的至少一者中。
2. 如申請專利範圍第1項之液浸構件，其中，該第2構件能與和該光學構件之光軸垂直之既定面實質平行的移動。
3. 如申請專利範圍第1或2項之液浸構件，其中，該第2構件能在該第1構件與該物體之間移動。
4. 如申請專利範圍第1或2項之液浸構件，其中，該第2構件，係在該第2構件與該物體之間之空間中至少一部分存在該液體之狀態下，與該物體之移動之至少一部分並行移動。
5. 如申請專利範圍第1或2項之液浸構件，其中，該第2構件能一邊從該回收口回收該液體、一邊移動。
6. 如申請專利範圍第1或2項之液浸構件，其中，該回收口係配置使其與該物體對向。
7. 如申請專利範圍第1或2項之液浸構件，其中，該第1構件相對於該光學構件是不移動的。
8. 如申請專利範圍第1或2項之液浸構件，其中，該第2構件被支承為可移動。
9. 如申請專利範圍第8項之液浸構件，其中，該第1構件的該第1面實質上實質平行於與該光學構件之光軸垂直之既定面；並且該第2構件的該第2面沿該第1面移動。
10. 如申請專利範圍第9項之液浸構件，其中，該第1面與該第2面之間不存在液體。
11. 如申請專利範圍第9項之液浸構件，其中，該液浸空間之該液體之界面之至少一部分形成在該第1面之內緣與該第2面之內緣之間。
12. 如申請專利範圍第9項之液浸構件，其中，撥液性的膜係配置在該第1面及該第2面中至少一方之中。
13. 如申請專利範圍第9項之液浸構件，其中，於該第1面與該第2面之間形成氣體軸承。
14. 如申請專利範圍第13項之液浸構件，其進一步具有排氣口，其排出在該間隙中之氣體的至少一部分，其配置在該第1面及該第2面中之至少一方；藉由從該供氣口之氣體供應及從該排氣口之氣體排出形成該氣體軸承。
15. 如申請專利範圍第9項之液浸構件，其中，該第1構件具有下面，該下面配置在從該射出面射出之該曝光用光可通過之開口周圍並且能在該第1構件與該物體之間保持該液體；並且該第1面係在該下面周圍、配置在較該下面上方之處。
16. 如申請專利範圍第15項之液浸構件，其中，該第2構件具有可對向該物體之下面；以及該第2構件之下面配置在較該第1構件之下面上方之處。
17. 如申請專利範圍第15項之液浸構件，其中，該第1構件具有連結該下面之外緣與該第1面之內緣的外面；以及該第2構件在該外面周圍之空間移動。
18. 如申請專利範圍第17項之液浸構件，其中，配置在該外面周圍之該第2構件之內面，係於相對該光路之放射方向朝外側向下方傾斜。
19. 如申請專利範圍第1或2項之液浸構件，其中，該第1構件係隔著第2間隙配置在該光學構件周圍之至少一部分。
20. 如申請專利範圍第1或2項之液浸構件，其中，該第2構件包含多孔構件；並且該回收口包含該多孔構件之孔。
21. 如申請專利範圍第1或2項之液浸構件，其進一步其有供應用以形成該液浸空間之液體的供應口。
22. 如申請專利範圍第21項之液浸構件，其中，該供應口係於相對該光路之放射方向配置在該回收口之內側。
23. 如申請專利範圍第21項之液浸構件，其中，該供應口係配置於該第1構件。
24. 如申請專利範圍第1或2項之液浸構件，其中，該液體移動到該第1面和該第2面之間的該間隙是受限制的。
25. 如申請專利範圍第1或2項之液浸構件，其中，在該液浸空間中之該液體的界面的至少一部分是形成於該第1面和該第2面之間。
26. 如申請專利範圍第1或2項之液浸構件，其中，該第1面及該第2面中至少一方具備撥液性表面。
27. 如申請專利範圍第1或2項之液浸構件，其中，藉由從該供氣口之氣體供應以形成氣體軸承於該第1面和該第2面之間。
28. 如申請專利範圍第1或2項之液浸構件，其進一步包含排出該間隙之氣體之至少一部分的排氣口，該排氣口配置在該第1面及該第2面中至少一方。
29. 如申請專利範圍第1或2項之液浸構件，其中，該第1構件係隔著第2間隙配置在該光學構件周圍之至少一部分。
30. 如申請專利範圍第29項之液浸構件，其中，該第1構件具有液體供應口，該液體經由該液體供應口而供應到該第2間隙。
31. 一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光，其具備申請專利範圍第1至30項中任一項之液浸構件。
32. 如申請專利範圍第31項之曝光裝置，其中，該第2構件係以和該物體之相對速度變小之方式移動。
33. 如申請專利範圍第31項之曝光裝置，其中，該第2構件係以和該物體之相對速度較該第1構件與該物體之相對速度小之方式移動。
34. 如申請專利範圍第31至33項中任一項之曝光裝置，其中，該第2構件與該物體同步移動。
35. 如申請專利範圍第31至33項中任一項之曝光裝置，其中，該第2構件依序移動於該既定面內之從第1位置至第2位置的第1路徑、包含從該第2位置至第3位置之曲線的第2路徑、從與該第1路徑交叉之該第3位置至第4位置的第3路徑、以及包含從該第4位置至該第1位置之曲線的第4路徑。
36. 如申請專利範圍第35項之曝光裝置，其中，在形成有該液浸空間之狀態下，該物體依序移動於至少一部分與該既定面內之第1軸平行的第5路徑、從該第1路徑終點之第5位置在與該第1軸正交之第2軸平行之方向至在與該第5位置之一側相鄰之第6位置的第6路徑、從至少一部分與該第1軸平行之該第6位置至第7位置的第7路徑、以及從該第7位置在與該第2軸平行之方向至在與該第7位置之一側相鄰之第8位置的第8路徑；該第1、第3路徑與該第1軸及該第2軸之雙方傾斜；以及在該物體移動於該第5、第6、第7、第8路徑時，該第2構件移動於該第1、第2、第3、第4路徑。
37. 如申請專利範圍第36項之曝光裝置，其進一步具備可保持該基板移動之基板載台；該物體包含該基板及該基板載台中之至少一方。
38. 如申請專利範圍第31至33項中任一項之曝光裝置，其進一步具備移動該第2構件之驅動系統。
39. 一種元件製造方法，包含：使用申請專利範圍第31至38項中任一項之曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光後之該基板顯影的動作。
40. 一種曝光方法，係透過液體以曝光用光使基板曝光，包含：形成從光學構件之射出面射出之該曝光用光之光路被該液體充滿之液浸空間的動作；透過該液浸空間之液體以從該射出面射出之該曝光用光使該基板曝光的動作；相對於第1構件而移動第2構件的動作，該第1構件配置在該光學構件周圍之至少一部分，該第2構件具有回收該液浸空間之液體之至少一部分的回收口，該第1構件具有第1面，該第2構件具有第2面，該第2面隔著在該第1面和該第2面之間的間隙對向該第1構件的該第1面；以及從供氣口供應氣體到該第1面和該第2面之間的該間隙的動作，該供氣口對向該間隙，該供氣口配置在該第1面和該第2面中之至少一方。
41. 如申請專利範圍第40項之曝光方法，其中，在使該基板上之一照射區域曝光之掃描移動動作期間之至少一部分中，該第2構件往與該基板相同之掃描方向移動、並於與該基板之步進方向相反之方向移動。
42. 如申請專利範圍第40或41項之曝光方法，其中，在該基板上之一照射區域之曝光結束後、至次一照射區域之曝光開始為止之步進移動動作期間之至少一部分中，該第2構件往與該基板相同之掃描方向移動、並移動於與該基板相同之步進方向。
43. 如申請專利範圍第40或41項之曝光方法，其中，該第2構件能與和該光學構件之光軸垂直之既定面實質平行的移動。
44. 如申請專利範圍第40或41項之曝光方法，其中，該第2構件能在該第1構件與該基板之間移動。
45. 如申請專利範圍第40或41項之曝光方法，其中，該第2構件能在該第2構件與該基板間之空間之至少一部分存在該液體之狀態下，與該基板之移動之至少一部分並行移動。
46. 如申請專利範圍第40或41項之曝光方法，其中，該第2構件能一邊從該回收口回收該液體、一邊移動。
47. 如申請專利範圍第40或41項之曝光方法，其中，該回收口係配置成與該基板對向。
48. 如申請專利範圍第40或41項之曝光方法，其中，該第2構件係以和該基板之相對速度變小之方式移動。
49. 如申請專利範圍第40或41項之曝光方法，其中，該第2構件係以和該基板之相對速度較該第1構件與該基板之相對速度小之方式移動。
50. 如申請專利範圍第40或41項之曝光方法，其中，該第2構件與該基板同步移動。
51. 一種元件製造方法，包含：使用申請專利範圍第40至50項中任一項之曝光方法使基板曝光的動作；以及使曝光後之該基板顯影的動作。