JP2006332239A - 半導体装置、及び液浸型半導体露光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】液浸型半導体露光装置用の光学半導体装置において、空気層と液体との屈折率の違いから生じる焦点面のずれや拡散による計測誤差を低減する。
【解決手段】 半導体装置は、半導体チップ26と、この半導体チップを実装する透光部材(透明リッド)22とを有する。透光部材22と半導体チップ26とをオプティカルコンタクトにより密着させるか、或いは、(露光光として多く使われる)波長193nmの光に対する透過率が80%以上である樹脂を透光部材と半導体チップとの間に介在させる。このため、透光部材と半導体チップ(の少なくとも受光部領域)との間には、空気層が介在しない。従って、半導体装置を液浸型半導体露光装置における光学半導体装置として用いれば、計測誤差を従来よりも低減できる。
【選択図】図1
【解決手段】 半導体装置は、半導体チップ26と、この半導体チップを実装する透光部材(透明リッド)22とを有する。透光部材22と半導体チップ26とをオプティカルコンタクトにより密着させるか、或いは、(露光光として多く使われる)波長193nmの光に対する透過率が80%以上である樹脂を透光部材と半導体チップとの間に介在させる。このため、透光部材と半導体チップ(の少なくとも受光部領域)との間には、空気層が介在しない。従って、半導体装置を液浸型半導体露光装置における光学半導体装置として用いれば、計測誤差を従来よりも低減できる。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置、及び液浸型半導体露光装置に関する。
半導体露光装置は、解像度の向上が望まれており、最小解像寸法Rは通常、次式で表される。
R=k×λ/N.A. ・・・(1)
上式において、kはプロセス係数であり、λは光源光の波長であり、N.A.は開口数(投影レンズの明るさ)であり、N.A.=n×sinθで与えられる。ここで、nは露光用の照射光が透過する媒質の屈折率であり、θは露光用の照射光が入射する角度である。
R=k×λ/N.A. ・・・(1)
上式において、kはプロセス係数であり、λは光源光の波長であり、N.A.は開口数(投影レンズの明るさ)であり、N.A.=n×sinθで与えられる。ここで、nは露光用の照射光が透過する媒質の屈折率であり、θは露光用の照射光が入射する角度である。
従来の半導体露光装置では、露光用のi線(波長365nm)やエキシマレーザー光は、投影レンズを透過後、空気中を透過して半導体ウェハ等の試料に照射される。即ち、空気中で露光が行われるので、n=1である。そこで近年、屈折率nが1よりも大きな液体を投影レンズと試料との間に満たすことで、投影光学系の開口数N.A.を大きくし、最小解像寸法を縮小する液浸型半導体露光装置が開発されている(例えば特許文献1参照)。
特開平10−303114号公報
半導体露光装置には、その照射量や照度ムラ等を測定するために、フォトダイオードや撮像素子などの光学半導体装置が数多く使用されている。従来の半導体露光装置では、投影レンズを透過後、空気中を透過してきた光を光学半導体装置が受光するため、光学半導体装置の内部における半導体チップとカバーガラスとの間や、光学半導体装置と、その上に配置される光学フィルタとの間に空気層が存在しても問題はなかった。
一方、上述した液浸型半導体露光装置では、投影レンズを透過した光は純水などの液体中を透過するため、光学半導体装置内の半導体チップ−カバーガラス間、或いは、光学フィルタ−光学半導体装置間に空気層が存在すると、計測精度に誤差を与える。これは、空気と液体との屈折率の違いから露光用の照射光の焦点面が変わったり、露光用の照射光が散乱して、光学半導体装置の受光面以外に進むからである。従って、そのような位置に空気層を介在させないようにして、液浸型半導体露光装置における光学半導体装置の計測精度を向上することが望まれていた。
本発明の目的は、液浸型半導体露光装置用の光学半導体装置において、空気層と液体との屈折率の違いから生じる焦点面のずれや拡散による計測誤差を低減する技術を提供することである。
本発明の半導体装置の一形態は、半導体チップと、半導体チップを実装する透光部材(例えば透明なカバーリッド)とを有する半導体装置において、半導体チップにおける素子形成面側の表面の少なくとも一部と、透光部材とをオプティカルコンタクトにより密着させたことを特徴とする。なお、本明細書での「オプティカルコンタクト(optical contact)」とは、2つの面を研磨加工することにより、厳密に似合った2つの表面を作り出し、これらの2つの表面を接着剤無しで、即ち、何も介在させずに密着させることを意味する。ここでの「厳密に似合った」とは、「当該2つの面の間に一切の空隙を介在させることなく、当該2つの面を重ねることが可能な」という意味である。この形態では、半導体チップの表面に向けて突出した突出部を透光部材が有し、この突出部の表面と、半導体チップの表面とをオプティカルコンタクトにより密着させる構成とすることが好ましい。
本発明の半導体装置の別の形態は、半導体チップと、半導体チップを実装する透光部材とを有する半導体装置において、波長193nmの光に対する透過率が80%以上である樹脂を、半導体チップにおける素子形成面側の表面の少なくとも一部と、透光部材との間に介在させたことを特徴とする。この樹脂としては例えば、フッ素系樹脂またはフッ素系ポリマーを用いればよい。また、本発明の半導体装置では、透光部材を減光フィルタとする構成にしてもよい。
本発明の液浸型半導体露光装置は、レチクルに描画されたパターンを基板の感光面上に投影する投影光学系を有し、投影光学系における最も基板側のレンズ面と、基板との間のワーキングディスタンスの少なくとも一部を液体で満たし、パターンを感光面に焼付転写するものである。本発明の液浸型半導体露光装置は、露光光を測定する測定部を備え、上述の本発明の半導体装置を測定部が有することを特徴とする。
本発明の半導体装置では、透光部材と半導体チップとをオプティカルコンタクトにより密着させるか、或いは、波長193nmの光に対する透過率が80%以上である樹脂を、透光部材と半導体チップとの間に介在させる。このため、透光部材と半導体チップ(の少なくとも受光部領域)との間には、空気層が介在しない。従って、本発明の半導体装置を液浸型半導体露光装置用の光学半導体装置として用いれば、従来よりも計測誤差を低減できる。
以下、本発明の実施の形態について、半導体装置に係る第1〜第3の実施形態、液浸型半導体露光装置に係る第4の実施形態、本発明全体の補足事項の順に図面を参照しながら説明する。なお、各図において同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
<第1の実施形態>
図1は、本発明の第1の実施形態における半導体装置8Aの断面模式図である。図に示すように、半導体装置8Aは、COB(Chip On Board)実装用のCOB基板14及び枠体18と、透明なカバーガラス22(透光部材の一例)と、半導体チップ26とを有する。
<第1の実施形態>
図1は、本発明の第1の実施形態における半導体装置8Aの断面模式図である。図に示すように、半導体装置8Aは、COB(Chip On Board)実装用のCOB基板14及び枠体18と、透明なカバーガラス22(透光部材の一例)と、半導体チップ26とを有する。
COB基板14及び枠体18は、例えば、テフロン(登録商標)やセラミックを切削することで形成されている。なお、COB基板14及び枠体18の材料は、これらに限定されるものではなく、所望の形状に加工可能であり、且つ、十分な強度を有する絶縁性の固体であればよい。
半導体チップ26は、この例では、シリコン基板に形成されたフォトダイオードとして構成されており、その素子形成面側には、受光部28、パッド30、配線(図示せず)等が形成されている。受光部28の表面は鏡面であり、完全に平坦である。パッド30は、ボンディングワイヤ34によりCOB基板14上の電極38に接続されている。
半導体チップ26は、この例では、シリコン基板に形成されたフォトダイオードとして構成されており、その素子形成面側には、受光部28、パッド30、配線(図示せず)等が形成されている。受光部28の表面は鏡面であり、完全に平坦である。パッド30は、ボンディングワイヤ34によりCOB基板14上の電極38に接続されている。
カバーガラス22は、半導体チップ26を保護すると共に光学窓として機能する。カバーガラス22の中央には、段差になった突出部40が形成されており、突出部40において半導体チップ26側に配置される面は、その面積が半導体チップ26の受光部28の表面積と等しく、鏡面である。この突出部40の鏡面と、半導体チップ26の受光部28の表面とがオプティカルコンタクトにより密着していることが本実施形態の主な特徴である。
次に、上述した半導体装置8Aの製造方法について、各部材の作製方法、実装工程の順に説明する。まず、金やアルミニウム等の導電性素材を蒸着等の方法でCOB基板14上に付着して電極38を形成後、COB基板14上に枠体18を接着する。なお、本実施形態ではCOB基板14と枠体18とが別々に形成される例を挙げているが、COB基板14と枠体18が一体形成されたものを用いてもよい。
次に、カバーガラス22の作製方法を説明する。まず、両面が長方形である板状のガラス板(図示せず)の一方の面を全体に亘って研磨し、鏡面にする。次に、例えば波面が所定の幅であるダイシングソーを用い、ガラス板における鏡面に加工した面を外縁(4辺)に沿って切削する。これにより、切削されない部分が段差となって突出し、直方体状の突出部40が形成される。この切削の際、突出部40における切削されない表面(鏡面部分)の面積及び形状を、半導体チップ26の受光部28の表面と同じにする。ここで、突出部40において受光部28に密着する表面を除いて、カバーガラス22の表面は、鏡面でなくてもよい。また、突出部40の鏡面部分の面積及び形状は、受光部28の表面と完全に一致させなくてもよいが、少なくとも受光部28全体をオプティカルコンタクトにより突出部40の鏡面に密着させることが望ましい。従って、突出部40の鏡面部分の面積は、受光部28の表面の面積より大きくてもよい。
なお、カバーガラス22に突出部40を形成する理由は、以下の通りである。第1に、半導体チップ26の素子形成面には、配線等が形成されているため、平坦ではない部分がある。このため、半導体チップ26の素子形成面全体と、カバーガラス22とをオプティカルコンタクトにすることは必ずしも容易ではなく、そのようにする必要はない。なぜなら、受光部28がカバーガラス22とオプティカルコンタクトにより密着していれば、半導体チップ26表面上の他の部分に空気層が介在していても、前述した焦点面のずれ等による計測誤差は生じないからである。従って、カバーガラス22において受光部28に当接する部分のみを突出させて鏡面にした方が、カバーガラス22と受光部28とのオプティカルコンタクトを実現しやすい。
第2に、実装工程で用いられるボンディングワイヤ34は、半導体チップ26とは反対側に弛む。即ち、図1においてCOB基板14、枠体18、及びカバーガラス22で囲まれる空間内に、ボンディングワイヤ34が占める領域を十分に確保しておくことが望ましい。そのためには例えば、カバーガラス22は、本実施形態のように受光部28に密着する部分のみ突出させるとよい。
従って、カバーガラス22における突出部40の「段差の高さ(図1参照)」の下限値は、ボンディングワイヤ34がカバーガラス22における突出部以外の表面に当たらない程度の高さ以上であることが望ましい。また、半導体装置8A全体の高さ(寸法)が、使用目的に応じて半導体装置8Aに対し求められる寸法を超えないように、突出部40の「段差の高さ」の上限値を決めることが望ましい。
図2は、図1に示した半導体装置8Aの断面模式図を分解図にした実装工程の説明図である。以下、図2を用いて、実装工程を説明する。まず、一体化したCOB基板14及び枠体18と、半導体チップ26とを用意し、半導体チップ26の裏面(素子形成面とは反対側の面)をCOB基板14上に接着する。次に、半導体チップ26のパッド30と、COB基板14上の電極38とをボンディングワイヤ34により接続する。次に、枠体18の最上部に接着剤を塗布し、カバーガラス22の突出部40が半導体チップ26の受光部28上になるように位置合わせをする。そして、カバーガラス22の突出部40をオプティカルコンタクトにより受光部28の表面に密着させると共に、カバーガラス22の外縁部を枠体18に接着する。以上が製造方法の説明である。
このように第1の実施形態では、カバーガラス22と、半導体チップ26の受光部28との間は、オプティカルコンタクトにより密着させ、空気層を介在させない。従って、液体中で使用される光学半導体装置を構成するセンサ等に本実施形態の半導体装置8Aを使用すれば、空気と液体との屈折率の違いによる入射光の焦点面のずれや、入射光の散乱といった従来課題は解消され、計測精度を向上できる。
以下、第1の実施形態の変形例を2つ説明する。
図3は、COB基板14及び枠体18の代わりに、パッケージ基板44が用いられる半導体装置8Bの断面模式図である。この例でのパッケージ基板44は、枠状の部分と基板状の部分とが一体形成されたものであり、基板状の部分には、半導体チップ26の固定用に窪んだダイパッド部46が形成されている。また、パッケージ基板44は、外部端子としてリード48を有する。
図3は、COB基板14及び枠体18の代わりに、パッケージ基板44が用いられる半導体装置8Bの断面模式図である。この例でのパッケージ基板44は、枠状の部分と基板状の部分とが一体形成されたものであり、基板状の部分には、半導体チップ26の固定用に窪んだダイパッド部46が形成されている。また、パッケージ基板44は、外部端子としてリード48を有する。
図3の半導体装置8Bの製造方法は、前述の半導体装置8Aとほぼ同様である。即ち、パッケージ基板44のダイパッド部46に半導体チップ26の裏面を接着後、半導体チップ26のパッド30と、パッケージ基板44のリード48とをボンディングワイヤ34により接続する。そして、カバーガラス22の突出部40はオプティカルコンタクトにより受光部28の表面に密着させると共に、カバーガラス22の外縁部はパッケージ基板の上部に接着すればよい。
図4は、ボンディングワイヤ34の代わりに、バンプによりパッド30が外部端子に接続される半導体装置8Cの断面模式図である。図に示すように、半導体装置8Cは、COB基板50と、枠体54と、バッファ層56と、半導体チップ26と、カバーガラス22とで構成されている。COB基板50上には、複数のパッド30に対応する複数の電極58が形成されている。
枠体54は、断面がL字状であり、COB基板50に接着される面から、内縁側の面に亘って、複数のパッド30に対応する複数の枠体配線64が形成されている。各枠体配線64上には、バンプ66(半田バンプ)が形成されている。バンプ66は、枠体54が半導体チップ26及びCOB基板50上に配置されたときに、半導体チップ26のパッド30に対向する位置に形成されている。なお、枠体54において、COB基板50上に配置されたときに電極58に対向しない領域(図4の断面には表れておらず、図示せず)には、枠体配線64は形成されていない。以下の説明では、「枠体54におけるCOB基板50に接着される面において、配線が形成されていない領域」、及び「COB基板50における枠体54に接着される面において、配線が形成されていない領域」を、「非配線領域」という。
図5は、図4に示した半導体装置8Cの断面模式図を分解図にした実装工程の説明図である。以下、図5を用いて、半導体装置8Cの実装方法を説明する。まず、COB基板50上にバッファ層56となるシリコン系接着剤を塗布後、その上に半導体チップ26の裏面を貼り付ける。これにより、半導体チップ26はバッファ層56を介してCOB基板50上に固定される。なお、バッファ層56は、カバーガラス22の突出部40を半導体チップ26に密着させる際に、半導体チップ26に加わる押圧力を軽減し、半導体チップ26を保護する。バッファ層56は、シリコン系接着剤に限定されるものではなく、例えば、シリコン系ゴムシート上に接着剤を塗布する構成としてもよい。
次に、枠体配線64におけるバンプ66とは反対側にクリーム半田等の導電性接着剤を塗布し、バンプ66にもクリーム半田を塗布し、枠体54における非配線領域には絶縁性接着剤を塗布する。次に、バンプ66がパッド30に合わさるように、且つ、枠体配線64が電極58上になるように位置合わせをする。この状態で、バンプ66が溶けない程度に枠体54及びCOB基板50が熱くなるように、例えば、これらをホットプレート上に載置する。
その後、これらをホットプレート上から移して冷ます。これにより、先に塗布したクリーム半田及び絶縁性接着剤によって、バンプ66はパッド30に半田付けされ、枠体配線64は電極58に半田付けされ、枠体54の非配線領域はCOB基板50の非配線領域に接着される。この後、カバーガラス22の突出部40はオプティカルコンタクトにより受光部28の表面に密着させると共に、カバーガラス22の外縁部は枠体54の上部に接着すればよい。以上が半導体装置8Cの実装方法の説明である。
<第2の実施形態>
受光部28の表面とカバーガラスとの間に空気を介在させないために、第1の実施形態では両者をオプティカルコンタクトにする例を述べたが、第2の実施形態では両者間に樹脂を介在させる例を述べる。以下、どのような特性の樹脂を用いることが望ましいかを説明するが、露光光にArFエキシマレーザーを用いる液浸型半導体露光装置での使用を想定し、受光部28への入射光の波長が193.3nmと仮定して考える。なお、従来の半導体装置において実装基板とカバーガラスとの間に封入される樹脂は、短波長光に対する透過率が低いので、本発明の半導体装置内に封入する樹脂としては使用できない。
受光部28の表面とカバーガラスとの間に空気を介在させないために、第1の実施形態では両者をオプティカルコンタクトにする例を述べたが、第2の実施形態では両者間に樹脂を介在させる例を述べる。以下、どのような特性の樹脂を用いることが望ましいかを説明するが、露光光にArFエキシマレーザーを用いる液浸型半導体露光装置での使用を想定し、受光部28への入射光の波長が193.3nmと仮定して考える。なお、従来の半導体装置において実装基板とカバーガラスとの間に封入される樹脂は、短波長光に対する透過率が低いので、本発明の半導体装置内に封入する樹脂としては使用できない。
ここで、平面的な界面を形成する2つの媒体に対し光が入射する場合、これら2つの媒体の屈折率の差が小さいほど、界面において屈折や反射が生じにくい。従って、波長193.3nm近傍の光に対して、本実施形態で用いる樹脂と、その上に配置されるガラスと、その上に浸される液体(例えば純水)とで、屈折率が近いことが望ましい。その方が、界面において屈折や反射が生じにくく、受光部28に入射せずに漏洩する光量を少なくできるからである。また、波長193.3nmの光に対する透過率が80%以上、より好ましくは90%以上の樹脂が望ましい。本実施形態では一例として、旭硝子株式会社製のサイトップ(テトラフルオロ系樹脂であり、サイトップの名称は登録商標)を用いる。
なお、サイトップのようなフッ素系樹脂の代わりに、波長193.3nmの光に対する透過率が80%以上、より好ましくは90%以上の他の樹脂を用いてもよい。そのような樹脂としては例えば、米国の3M社製のノベック(登録商標)やダイニオン(フッ素系ゴムであり、ダイニオンの名称は登録商標)等のフッ素系ポリマーが挙げられる。本発明者の調査、実験によれば、サイトップは波長193.3nmの光に対し90%以上の透過率を示し、ダイニオン及びノベックは波長193.3nmの光に対し80%以上の透過率を示すことが分かった。
図6は、本発明の第2の実施形態における半導体装置8Dの断面模式図である。図に示すように、半導体装置8Dは、COB基板14と、枠体70と、透明なカバーガラス72と、ボンディングワイヤ34と、樹脂76(図中、右下がり斜線部)とを用いて半導体チップ26を実装することで構成されている。第1の実施形態との主な違いは、前述の樹脂76を用いることと、カバーガラス72が平板状であり突出部を有さないことと、枠体70には、エア抜き孔78が形成されていることである。なお、樹脂76は、この例では旭硝子株式会社製のサイトップを用い、実装後は硬化した状態である。
次に、半導体装置8Dの実装方法を説明する。まず、前述の半導体装置8Aと同様に、COB基板14上に電極38を形成し、枠体70を接着する。次に、半導体チップ26の裏面をCOB基板14上に接着する。次に、ボンディングワイヤ34によりパッド30を電極38に接続する。次に、枠体70の上部に接着剤を塗布してから、樹脂76を液体の状態で半導体チップ26の周囲に充填し、カバーガラス72を載せる。これにより、枠体70とカバーガラス72とを接着し、樹脂76を封入する。
枠体70とカバーガラス72とが完全に接着後、エア抜き孔78側が鉛直方向に上側になるように半導体装置8D全体を傾けて、COB基板14と、枠体70と、カバーガラス72とで囲まれた空間内の気体をエア抜き孔78から抜く。次に、加熱により、液状の樹脂76を体積膨張させ、樹脂76の一部をエア抜き孔78から出す。その後、冷却することで、液状の樹脂76を硬化させる。
ここで、樹脂76は、硬化するときに収縮する。樹脂76が硬化した状態において、カバーガラス72と受光部28との間が硬化した樹脂76で埋まっていれば、それで実装工程を終了してもよいし、エア抜き孔78から樹脂76をさらに注入して、COB基板14と、枠体70と、カバーガラス72とで囲まれた空間内を樹脂76で完全に埋めてもよい。但し、カバーガラス72と受光部28との間は、硬化した樹脂76で完全に埋める。以上が製造方法の説明である。
このように第2の実施形態においても、第1の実施形態と同様の効果が得られる。さらに、第2の実施形態の半導体装置8Dは、カバーガラス72に突出部や鏡面を形成する必要がないので、容易に製造できる。なお、カバーガラス72と半導体チップ26との間に介在させる樹脂は、液状よりも、硬化させたものの方が望ましい。液状の場合、振動や熱により気泡が発生するおそれがあるからである。
<第3の実施形態>
図7は、本発明の第3の実施形態における半導体装置8Eの断面模式図である。第1の実施形態との違いは、カバーガラス22の突出部40の鏡面と、半導体チップ26の受光部28との間に樹脂フィルム90(図7では黒い太線で示す)を挟むことである。
樹脂フィルム90は、第2の実施形態の樹脂76と同様に、界面を形成する周囲の媒体と比較して屈折率が大きく異ならないことが望ましい。また、樹脂フィルム90は、波長193.3nmの光に対する透過率が80%以上、より好ましくは90%以上であることが望ましい。
図7は、本発明の第3の実施形態における半導体装置8Eの断面模式図である。第1の実施形態との違いは、カバーガラス22の突出部40の鏡面と、半導体チップ26の受光部28との間に樹脂フィルム90(図7では黒い太線で示す)を挟むことである。
樹脂フィルム90は、第2の実施形態の樹脂76と同様に、界面を形成する周囲の媒体と比較して屈折率が大きく異ならないことが望ましい。また、樹脂フィルム90は、波長193.3nmの光に対する透過率が80%以上、より好ましくは90%以上であることが望ましい。
樹脂フィルム90が薄すぎると、樹脂フィルム90自体の僅かな厚さムラにより、界面での入射光の反射の影響が局所的に高くなるおそれがあるので、樹脂フィルム90の厚さは、0.3μm以上が好ましい。そのような樹脂フィルム90として、本実施形態では一例として、旭硝子株式会社製のサイトップを用いる。
第3の実施形態の半導体装置8Eの実装方法は第1の実施形態の半導体装置8Aとほぼ同様であり、主な違いは、鏡面である受光部28上に樹脂フィルム90を載置してから、カバーガラス22を受光部28に対し密着させると共に枠体18に接着することである。第3の実施形態では、鏡面である受光部28−突出部40間に樹脂フィルム90が介在するため、受光部28と突出部40とは厳密にはオプティカルコンタクトではない。しかし、少なくとも受光部28−突出部40間に空気が介在することはなく、また、樹脂フィルム90は十分に薄いので、受光部28と突出部40とは近似的にオプティカルコンタクトとなる。従って、第3の実施形態においても、第1の実施形態と同様の効果が得られる。
第3の実施形態の半導体装置8Eの実装方法は第1の実施形態の半導体装置8Aとほぼ同様であり、主な違いは、鏡面である受光部28上に樹脂フィルム90を載置してから、カバーガラス22を受光部28に対し密着させると共に枠体18に接着することである。第3の実施形態では、鏡面である受光部28−突出部40間に樹脂フィルム90が介在するため、受光部28と突出部40とは厳密にはオプティカルコンタクトではない。しかし、少なくとも受光部28−突出部40間に空気が介在することはなく、また、樹脂フィルム90は十分に薄いので、受光部28と突出部40とは近似的にオプティカルコンタクトとなる。従って、第3の実施形態においても、第1の実施形態と同様の効果が得られる。
<第4の実施形態>
図8は、本発明の第4の実施形態における液浸型半導体露光装置100の概略構成図である。液浸型半導体露光装置100は、照明系104と、コンデンサレンズ系106と、ミラー108、110と、アライメントセンサ112と、レチクルReと、レチクルステージ120と、移動鏡MRrと、レーザ干渉計システム124と、モータ130と、コラム構造体134と、先端部が防水加工された投影レンズ系(投影光学系)PLと、レチクルステージ制御器136と、主制御器140と、フォーカス・アライメントセンサFADと、ホルダテーブルWHと、アクチュエータ160a、160b、160cと、XYステージ164と、駆動モータ168と、レーザ干渉計システム172と、移動鏡MRwと、ウェハステージ制御器174と、ベース定盤176と、センサ用ステージ178とを有する。
図8は、本発明の第4の実施形態における液浸型半導体露光装置100の概略構成図である。液浸型半導体露光装置100は、照明系104と、コンデンサレンズ系106と、ミラー108、110と、アライメントセンサ112と、レチクルReと、レチクルステージ120と、移動鏡MRrと、レーザ干渉計システム124と、モータ130と、コラム構造体134と、先端部が防水加工された投影レンズ系(投影光学系)PLと、レチクルステージ制御器136と、主制御器140と、フォーカス・アライメントセンサFADと、ホルダテーブルWHと、アクチュエータ160a、160b、160cと、XYステージ164と、駆動モータ168と、レーザ干渉計システム172と、移動鏡MRwと、ウェハステージ制御器174と、ベース定盤176と、センサ用ステージ178とを有する。
露光時には、ホルダテーブルWH、アクチュエータ160a〜160c、XYステージ164、駆動モータ168、レーザ干渉計システム172、移動鏡MRw、ウェハステージ制御器174からなる露光用ステージが、図に示すように投影レンズ系PLの直下に配置される。露光前に行われる照射強度等の測定時には、前記露光用ステージ及びセンサ用ステージ178が移動して、センサ用ステージ178が投影レンズ系PLの直下に配置される。本実施形態の主な特徴は、後述の図9で説明するように、センサ用ステージ178における測定用の光学半導体装置として本発明の半導体装置が用いられていることであり、センサ用ステージ178は、本発明で言う「測定部」の一例である。他の部分の機能は、特許文献1の図1に記載のものと同様であるので、以下に簡単に説明する。
照明系104は、波長193nmのパルス光を放射するArFエキシマレーザ光源、光源からのパルス光の断面形状を整形するビームエクスパンダ、オプティカルインテグレータ、集光レンズ系などを有する。照明系104からのパルス光は、コンデンサレンズ系106、ミラー108を介してスリット状又は矩形状の照明領域としてレチクルRe上に結像する。レチクルReは、走査露光時にはレチクルステージ120上に真空吸着される。レチクルステージ120は、コラム構造体134上を図の左右(Y方向)にスキャン移動するようにガイドされ、図の紙面と垂直な方向(X方向)にも移動するようにガイドされる。
レーザ干渉計システム124は、移動鏡MRrから反射されるレーザビームを受光して、レチクルステージ120のXY平面内での座標位置や微小回転量を計測する。レチクルステージ制御器136は、レーザ干渉計システム124によって計測されるXY座標位置に基づいてモータ130を制御し、レチクルステージ120のスキャン方向の移動と非スキャン方向の移動とを制御する。
コンデンサレンズ系106とミラー108から射出されたパルス照明光がレチクルRe上の回路パターン領域の一部を照射すると、その照明領域内に存在するパターンからの結像光束が投影レンズ系PLを通して、ウェハWの表面に塗布された感応性のレジスト層に結像投影される。アライメントセンサ112は、TTR(スルーザレチクル)方式でレチクルReとウェハWとの位置ずれを計測する。この位置ずれの情報は、主制御器140に入力され、レチクルステージ120やXYステージ164の位置決めに使われる。
ホルダテーブルWHの外周部全体には一定の高さで壁部LBが設けられ、壁部LBの内側には液体LQが所定の深さで満たされている。ウェハWは、ホルダテーブルWHの内底部の窪み部分に真空吸着される。ホルダテーブルWHの内底部の周辺には、ウェハWの外周を所定の幅で取り囲むような環状の補助プレート部HRSが設けられている。この補助プレート部HRSの表面の高さは、ホルダテーブルWH上に吸着された標準的なウェハWの表面の高さとほぼ一致する。補助プレート部HRSは、フォーカス・レベリングセンサの検出点がウェハWの外形エッジの外側に位置するような場合の代替のフォーカス検出面として利用される。
XYステージ164は、駆動モータ168によりベース定盤176上をXY方向に2次元移動する。駆動モータ168の制御は、ホルダテーブルWHの端に固定された移動鏡MRwの反射面のX、Y方向の各位置変化を計測するレーザ干渉計システム172からの計測座標位置を入力するウェハステージ制御器174によって行われる。ホルダテーブルWHは、Z方向移動用のアクチュエータ160a〜160cを介してXYステージ164上に取り付けられ、Z方向への並進移動と、XY平面に対する傾斜微動とが可能である。
フォーカス・アライメントセンサFADは、オフ・アクシス方式(投影レンズ系PLの投影視野内にフォーカス検出点がない方式)のフォーカス・レベリング検出系と、オフ・アクシス方式でウェハW上のアライメント用のマークを検出するマーク検出系とを含む。フォーカス・アライメントセンサFADの先端部の光学素子の下面は、液体LQ中に配置され、その光学素子からはアライメント用の照明ビームやフォーカス検出用のビームが液体LQを通してウェハWの表面上に照射される。
フォーカス・レベリング検出系は、ウェハWの表面の最良結像面に対する位置誤差に対応したフォーカス信号を主制御器140に入力し、マーク検出系は、ウェハW上のマークの光学的な特徴に対応した光電信号を解析して、マークのXY位置又は位置ずれ量を表すアライメント信号を主制御器140に入力する。主制御器140は、フォーカス信号及びアライメント信号に基づいて、各アクチュエータ160a〜160cを駆動するための情報をウェハステージ制御器174に入力する。また、主制御器140は、アライメント信号に基づいて、レチクルReとウェハWとの相対的な位置関係を整合させるためのXYステージ164の座標位置を制御する。
図9は、図8におけるセンサ用ステージ178の断面模式図であり、センサ用ステージ178が投影レンズ系PLの直下に配置される場合を示す。図に示すように、センサ用ステージ178は、ガラス基板184と、半導体装置8Dと、ムラセンサ190と、スペーサ196と、実装基板200と、移動機構220と、センサ用ステージ制御部224とを有する。
ガラス基板184の表面(投影レンズPL側)は、例えばクロム等からなる所定の濃度の減光フィルタNDを介して、撥水コートCOで覆われている。撥水コートCO上は、投影レンズPLの先端を浸すための液体LQで満たされている。ガラス基板184は、複数の固定柱228を介して実装基板200上に固定されている。また、ガラス基板184の裏面側には、露光用のレーザー光の強度を測定する半導体装置8Dや、ムラセンサ190が配置されている。なお、図では半導体装置8Dを用いているが、本発明の他の半導体装置(8A〜8C、8E)を用いてもよい。
半導体装置8Dは、配線によって実装基板200に電気的に接続されているが、実装基板200上に固定されているのではなく、完全硬化した樹脂230(図中、右下がり斜線)を介してガラス基板184の裏面側に接着されている。ガラス基板184と半導体装置8Dとの接合を確実にするため、半導体装置8Dは、その外縁側において、接着剤によってもガラス基板184に固定されている。樹脂230は、波長193.3nmの光に対する透過率が80%以上(好ましくは90%以上)であり、第2の実施形態と同様にサイトップなどを用いればよい。なお、ガラス基板184の表面ではなく、裏面に減光フィルタNDを配置してもよく、その場合、半導体装置8Dは、樹脂230を介して減光フィルタNDに接着される。
センサ用ステージ制御部224は、主制御器140からの入力信号に従って移動機構220を制御して、前述した露光用ステージの位置制御と同様に、センサ用ステージ178全体の位置を制御する。以上、本実施形態では、センサ用ステージ178における光学半導体装置として、本発明の半導体装置(8A〜8Eのいずれか)を用いるため、投影レンズ系PLの最終面と、半導体装置(8A〜8E)の受光部との間に空気層が介在せず、従来よりも計測誤差を低減できる。
<本発明の補足事項>
第1〜第3の実施形態の半導体装置を液浸型半導体露光装置に適用する例を述べたが、本発明は、液体中で使用される他の光学半導体装置にも適用可能である。例えば、光学顕微鏡の撮像素子としても使用できる。その場合、撮像素子として形成された半導体チップの表面には多数のマイクロレンズ等が存在し、完全に平坦ではないので、例えば平坦化膜を形成し、鏡面に加工してから、カバーガラスをオプティカルコンタクトにより密着させればよい。
第1〜第3の実施形態の半導体装置を液浸型半導体露光装置に適用する例を述べたが、本発明は、液体中で使用される他の光学半導体装置にも適用可能である。例えば、光学顕微鏡の撮像素子としても使用できる。その場合、撮像素子として形成された半導体チップの表面には多数のマイクロレンズ等が存在し、完全に平坦ではないので、例えば平坦化膜を形成し、鏡面に加工してから、カバーガラスをオプティカルコンタクトにより密着させればよい。
第2及び第3の実施形態では、COB基板14及びボンディングワイヤ34を用いて半導体チップ26を実装する例を述べたが、本発明は、かかる実施形態に限定されるものではない。第2及び第3の実施形態は、図3で説明した第1の実施形態の変形例のように、COB基板ではなくパッケージ基板を用いる形態にも適用可能である。また、第2及び第3の実施形態は、図4で説明した第1の実施形態の別の変形例のように、ボンディングワイヤの代わりにバンプを用いる形態にも適用可能である。
第2及び第3の実施形態の半導体装置8D、8Eは、露光光の波長が193nmの液浸型半導体露光装置に使用されることを想定して、波長193nmの光に対する透過率が90%以上である樹脂76または樹脂フィルム90を用いる例を述べた。本発明は、かかる実施形態に限定されるものではない。液浸型半導体露光装置の露光光の波長が将来的にさらに短くなっても、その露光光の波長に対する透過率が80%以上(好ましくは90%以上)の樹脂または樹脂フィルムを用いればよく、その場合にも本発明の効果が得られる。
第1〜第3の実施形態では、半導体チップ26がフォトダイオードである例を述べたが、半導体チップ26は、他のタイプの受光素子や固体撮像素子であってもよい。また、第1〜第3の実施形態において、カバーガラス22、72自体を所定の濃度の減光フィルタとして形成してもよい。
以上詳述したように本発明は、半導体装置及び液浸型半導体露光装置において大いに利用可能である。
8A〜8E 半導体装置,22 カバーガラス,26 半導体チップ,40 突出部,
72 カバーガラス,76 樹脂,100 液浸型半導体露光装置,
72 カバーガラス,76 樹脂,100 液浸型半導体露光装置,
Claims (6)
- 半導体チップと、前記半導体チップを実装する透光部材とを有する半導体装置において、
前記半導体チップにおける素子形成面側の表面の少なくとも一部と、前記透光部材とをオプティカルコンタクトにより密着させたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記透光部材は、前記半導体チップの表面に向けて突出した突出部を有し、
前記突出部の表面と、前記半導体チップの表面とをオプティカルコンタクトにより密着させたことを特徴とする半導体装置。 - 半導体チップと、前記半導体チップを実装する透光部材とを有する半導体装置において、
波長193nmの光に対する透過率が80%以上である樹脂を、前記半導体チップにおける素子形成面側の表面の少なくとも一部と、前記透光部材との間に介在させたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項3に記載の半導体装置において、
前記樹脂は、フッ素系樹脂またはフッ素系ポリマーであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜請求項4のいずれかの半導体装置において、
前記透光部材は、減光フィルタであることを特徴とする半導体装置。 - レチクルに描画されたパターンを基板の感光面上に投影する投影光学系を有し、前記投影光学系における最も前記基板側のレンズ面と、前記基板との間のワーキングディスタンスの少なくとも一部を液体で満たし、前記パターンを前記感光面に焼付転写する液浸型半導体露光装置において、
露光光を測定する測定部を備え、前記測定部は、請求項1〜請求項5のいずれかの半導体装置を有することを特徴とする液浸型半導体露光装置。
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WO2008075749A1 (ja) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びに基板保持装置 |
CN109375473A (zh) * | 2012-12-27 | 2019-02-22 | 株式会社尼康 | 液浸部件及曝光装置 |
-
2005
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