TW201809366A - 金屬構件及其製造方法以及具有該金屬構件的處理室 - Google Patents

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Abstract

本發明有關一種金屬構件、其製造方法及具有金屬構件的處理腔室，尤其有關一種如下的金屬構件、其製造方法及具有金屬構件的處理腔室：去除構成使用在顯示器或半導體製造製程的金屬構件及具有金屬構件的處理腔室的材質的鋁合金的添加成分中的存在於表面的添加成分，之後形成無孔的阻障層，由此可防止因以往的具有多孔質層的陽極氧化膜而產生的問題、及因形成在所述母材表面的顆粒形態的添加成分而產生的問題。

Description

金屬構件及其製造方法以及具有該金屬構件的處理室
本發明有關一種金屬構件、其製造方法及具有金屬構件的處理室，尤其有關一種與使用在顯示器或半導體製造製程的處理室的內部連通的金屬構件、其製造方法及具有金屬構件的處理室。
化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）裝置、物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）裝置、乾式蝕刻裝置等（以下，稱為「處理室」）在其處理室的內部利用反應氣體、蝕刻氣體或清洗氣體（以下，稱為「處理氣體」）。主要使用Cl、F或Br等腐蝕性氣體作為這種處理氣體，因此著重要求對腐蝕的耐蝕性。也曾有使用不銹鋼作為用於處理室的金屬構件的以往技術，但也存在如下情況：導熱性不充分，在製程中釋出作為不銹鋼的合金成分的Cr或Ni等重金屬而成為污染源。因此，開發出一種利用輕於不銹鋼、導熱性優異、無重金屬污染的擔憂的純鋁或鋁合金的用於處理室的零件。
然而，純鋁或鋁合金的表面耐蝕性欠佳，因此研究出進行表面處理的方法。作為對純鋁或鋁合金的母材進行陽極氧化處理而形成陽極氧化膜的方法，可考慮在純鋁的母材形成陽極氧化膜的方法、與在鋁合金的母材形成陽極氧化膜的方法，但在考慮到費用方面時，非純鋁的鋁合金為現實的考慮對象。
作為以往在鋁合金的母材形成陽極氧化膜的方法的一例，通常使用如下方法：如圖1、圖2（a）及圖2（b）所示，對鋁合金母材1進行陽極氧化處理而形成陽極氧化膜，所述陽極氧化膜包括陽極氧化阻障層及連續地形成到所述陽極氧化阻障層的上部的陽極氧化多孔質層12。以往技術是通過在鋁合金的母材較厚地形成包括具有多個貫通的孔（pore）12a的陽極氧化多孔質層12的表面-多孔性陽極氧化膜，進而提高鋁合金母材1的耐蝕性及耐電壓性。在此，以往的表面-多孔性陽極氧化膜中阻障層13的厚度形成為100 nm以下，但為了耐電壓性，以數十μm至數百μm形成陽極氧化多孔質層12。以往的表面-多孔性陽極氧化膜的大部分厚度構成為陽極氧化多孔質層12，因此產生因內部應力的變化或熱膨脹的影響而在陽極氧化膜產生龜裂（Crack）或陽極氧化膜剝離的問題，且產生如下問題：發生電漿堆積到所露出的所述鋁合金母材1的部位的電漿電弧放電（Plasma Arcing）而所述鋁合金母材1的表面局部熔化或缺損。另外，產生沉積在陽極氧化膜的多孔質層12的孔12a的內部的異物釋氣（Out-gasing）而在基板形成顆粒、或製程中所使用的氟化物（氟類物質）殘留在所述孔12a後在下一製程中使用時掉落到基板表面而在基板產生顆粒的問題，因此引起製程不良、生產收率下降、及處理室的維護週期縮短的問題。
為了解決這種以往的表面-多孔性陽極氧化膜的問題，本申請人在不對外公開的狀態下，對如下技術進行了內部嘗試：在包括鋁合金材質的母材表面形成僅包括陽極氧化阻障層的陽極氧化膜，將陽極氧化膜的厚度成長為100 nm以上至小於1 μm。發現如下情況：在包括鋁合金材質的母材的表面以100 nm以上至小於1 μm形成所述陽極氧化阻障層的情況下，表面不存在多孔性的多孔質層12，故而因多孔質層22引起的上述以往問題得到解決。
然而，在包括純鋁的母材表面形成僅包括陽極氧化阻障層的陽極氧化膜，將陽極氧化膜的厚度成長為100 nm以上至小於1 μm的金屬構件中，不產生在CVD製程過程中矽（Si）顯現為雜質而發生不良的新問題，但在包括鋁合金材質的母材的表面形成僅包括陽極氧化阻障層的陽極氧化膜，將陽極氧化膜的厚度成長為100 nm以上至小於1 μm的金屬構件中，發現了這一問題。作為一例，根據非公開的內部實驗結果可知，如圖3至圖5所示（在圖5中表示有金屬塗布層17，但其僅是為了對母材2與陽極氧化阻障層進行表面分析（掃描式電子顯微鏡（Scanning Electron Microscope，SEM））而任意形成，並非是對母材2進行陽極氧化處理而形成），例如如果將包括矽（Si）作為添加成分的鋁合金的母材2陽極氧化而將陽極氧化阻障層在母材2的表面成長為特定厚度（100 nm以上至1 μm），則因曾以顆粒形態存在於所述母材2的表面的矽（Si）而無法順利地向包括矽15的周邊部進行陽極氧化（圖5）。因此，發現如下問題：在採用金屬構件的製程（例如，CVD製程）中，所述矽作為雜質而發揮作用，或產生因此引起的電弧放電問題。
如上所述，解決無法在包括鋁合金的母材表面形成表面-多孔性陽極氧化膜的金屬構件、或在包括純鋁的母材表面形成僅包括陽極氧化阻障層的陽極氧化膜的金屬構件中發現，但可在包括鋁合金材質的母材表面形成僅包括陽極氧化阻障層的陽極氧化膜的金屬構件中發現的新問題的必要性日益增加。
另外，近年來半導體製造製程包括10 nm級的微細製程，因此高溫加熱處理氣體而使其轉換成高密度電漿。對此，本申請人在不對外公開的狀態下進行內部實驗，結果發現如下問題：所述高密度電漿不僅對處理室內部的零件產生影響，而且還對與處理室的內部連通的零件產生影響，因此零件的雜質流入到處理室內部而在半導體製程過程中作為雜質發揮作用。 [現有技術文獻] [專利文獻] （專利文獻1）韓國註冊專利第0482862號 （專利文獻2）韓國公開專利第2011-0130750號 （專利文獻3）韓國公開專利第2008-0000112號
[發明欲解決的課題] 本發明是為了解決上述問題而提出，其目的在於提供一種具有較高的耐蝕性、耐電壓性及耐電漿性、並且同時解決因以往的表面-多孔性陽極氧化膜的多孔質層的孔（pore）而產生的問題、及因構成母材的添加成分而產生的問題，且與使用在顯示器或半導體製造製程的處理室的內部連通的金屬構件、其製造方法及具有金屬構件的處理室。 [解決課題的手段]
本發明的一特徵的金屬構件與流入處理氣體的處理室的內部連通，所述金屬構件的特徵在於包括：母材，包括含有添加成分的金屬合金，從表面去除所述添加成分中的至少任一種添加成分而成；以及陽極氧化阻障層，形成在所述母材的表面。
另外，所述金屬構件的特徵在於：所述處理室為CVD處理室，所述金屬構件為向所述CVD處理室的內部供給處理氣體的供給線、或排出供給在所述CVD處理室的內部的處理氣體的排氣線。
另外，所述金屬構件的特徵在於：所述處理室為乾式蝕刻處理室，所述金屬構件為向所述乾式蝕刻處理室的內部供給處理氣體的供給線、或排出供給在所述乾式蝕刻處理室的內部的處理氣體的排氣線。
另外，所述金屬構件的特徵在於：所述金屬合金為鋁合金，所述陽極氧化阻障層為將所述鋁合金陽極氧化而形成的陽極氧化鋁（Al2 O3 ）。
另外，所述金屬構件的特徵在於：所述鋁合金為6000系列的鋁合金，從所述母材的表面去除的添加成分包括矽（Si）。
另外，所述金屬構件的特徵在於：所述鋁合金為5000系列的鋁合金，從所述母材的表面去除的添加成分包括鎂（Mg）。
另外，所述金屬構件的特徵在於：所述母材表面包括實質上形成為平面的平面區域與不規則地凹陷的多個凹陷區域，所述陽極氧化阻障層以固定厚度連續地形成到所述凹陷區域與平面區域。
另外，所述金屬構件的特徵在於：所述陽極氧化阻障層的厚度為100 nm以上至小於1 μm之間。
本發明的其他特徵的金屬構件與流入處理氣體的處理室的內部連通，所述金屬構件的特徵在於包括：母材，由Al-Mg-Si系鋁合金所製成；以及表面-非多孔性陽極氧化膜，形成在所述母材的表面上；且矽（Si）被去除而不存在於所述母材的表面，在形成在所述母材表面的凹陷區域也形成所述表面-非多孔性陽極氧化膜，所述表面-非多孔性陽極氧化膜以100 nm以上至小於1 μm的固定厚度形成。
本發明的其他特徵的金屬構件與流入處理氣體的處理室的內部連通，所述金屬構件的特徵在於包括：母材，由Al-Mg-Si系鋁合金所製成；以及表面-非多孔性陽極氧化膜，形成在所述母材的表面上；且在能量分散光譜儀（Energy Dispersive Spectrometer，EDS）對所述金屬構件的表面測得的測定成分中，未檢測到所述矽（Si）成分。
本發明的其他特徵的金屬構件與流入處理氣體的處理室的內部連通，所述金屬構件的特徵在於包括：鋁合金的母材，所述鋁合金含有0.40%至0.8%的矽（Si）、0.7%的鐵（Fe）、0.15%至0.40%的銅（Cu）、0.15%的錳（Mn）、0.8%至1.2%的鎂（Mg）、0.25%的鋅（Zn）、0.04%至0.35%的鉻（Cr）、0.15%的鈦（Ti）作為添加成分；以及表面-非多孔性陽極氧化膜，將從所述母材的表面去除所述添加成分中的矽（Si）而成的所述母材陽極氧化而形成。
另外，所述金屬構件的特徵在於：所述表面-非多孔性陽極氧化膜的厚度為100 nm以上至小於1 μm之間。
本發明的其他特徵的金屬構件與流入處理氣體的處理室的內部連通，所述金屬構件的特徵在於包括：母材，材質為含有矽（Si）、鎂（Mg）或矽（Si）及鎂（Mg）中的任一種添加成分作為主要添加成分的鋁合金材質，從表面去除所述主要添加成分中的至少任一種添加成分而成；以及表面-非多孔性陽極氧化膜，按照所述母材的表面形狀對應地形成。
本發明的其他特徵的金屬構件與流入處理氣體的處理室的內部連通，所述金屬構件的特徵在於包括：表面-非多孔性陽極氧化膜，形成在從含有矽（Si）及鎂（Mg）作為主要添加成分的熱處理鋁合金的表面去除所述矽（Si）而成的表面。
本發明的其他特徵的金屬構件與流入處理氣體的處理室的內部連通，所述金屬構件的特徵在於包括：母材，由含有0.2%至0.9%的作為添加成分的矽（Si）的鋁合金所製成；以及表面-非多孔性陽極氧化膜，形成在所述母材的表面上；且在能量分散光譜儀（Energy Dispersive Spectrometer，EDS）對所述金屬構件的表面測得的測定成分中，未檢測到所述矽（Si）成分。
本發明的一特徵的金屬構件的製造方法是製造與流入處理氣體的處理室的內部連通的金屬構件的製造方法，所述金屬構件的製造方法的特徵在於包括：從由金屬合金材質所製成的母材的表面去除構成所述母材的至少一種添加成分的步驟；以及將去除所述添加成分而成的所述母材陽極氧化而在所述母材的表面形成陽極氧化阻障層的步驟。
本發明的一特徵的處理室的特徵在於，金屬構件與流入處理氣體的內部連通，所述金屬構件包括：母材，包括包含添加成分的金屬合金材質，從表面去除所述添加成分而成；以及表面-非多孔性陽極氧化膜，將所述母材陽極氧化而形成在所述母材的表面。
另外，所述處理室的特徵在於：所述處理室為CVD處理室，所述金屬構件為向所述CVD處理室的內部供給處理氣體的供給線、或排出供給在所述CVD處理室的內部的處理氣體的排氣線。
另外，所述處理室的特徵在於：所述處理室為乾式蝕刻處理室，所述金屬構件為向所述乾式蝕刻處理室的內部供給處理氣體的供給線、或排出供給在所述乾式蝕刻處理室的內部的處理氣體的排氣線。 [發明的效果]
如上所述，本發明具有如下效果：具有耐蝕性、耐電壓性及耐電漿性，並且同時解決因以往的表面-多孔性陽極氧化膜的多孔質層而產生的問題、及因存在於母材的表面的添加成分而產生的問題。
另外，本發明具有如下效果：在利用高密度的電漿的處理室中，也防止雜質流入到處理室內部而提高處理室的製程效率及可靠性。
以下，參照附圖，詳細地對本發明的優選實施例進行說明。如果與附圖一併參照在下文中詳細敘述的實施例，則本發明的優點、特徵及達成所述優點與特徵的方法會變明確。然而，本發明並不限定於此處所說明的實施例，也可具體化成不同的形態。相反地，此處所介紹的實施例是為了可徹底且完整地表達所揭示的內容、以及可向本領域技術人員充分地傳達本發明的思想而提供，本發明僅根據申請專利的範圍來定義。在整篇說明書中，相同的圖式標號表示相同的構成要素。
參照作為本發明的理想的例示圖的剖面圖及/或俯視圖，對本說明書中所記述的實施例進行說明。為了有效地說明技術內容，在圖中誇張地表示膜及區域的厚度。因此，例示圖的形態會因製造技術及/或容許誤差等而變形。因此，本發明的實施例並不限制於所圖示的特定形態，也包括根據製造製程而產生的形態的變化。因此，圖中所例示的區域具有概略性的屬性，圖中所例示的區域的形狀用以例示元件的區域的特定形態，並非用於限制發明的範圍。
以下，參照附圖，詳細地對本發明的優選實施例進行說明。
在對各實施例進行說明時，方便起見，即便實施例不同，也對執行相同的功能的構成要素賦予相同的名稱及相同的圖式標號。另外，方便起見，省略已在其他實施例中說明的構成及動作。
圖6是表示本發明的優選實施例的金屬構件的圖，圖7是拍攝本發明的優選實施例的金屬構件的剖面C所得的放大圖，圖8是表示本發明的優選實施例的金屬構件與流入處理氣體的內部連通的CVD處理室的圖，圖9是表示本發明的優選實施例的金屬構件與流入處理氣體的內部連通的乾式蝕刻處理室的圖（在圖7中，在表面-非多孔性陽極氧化膜13的上表面塗布有用於拍攝照片的鉑17）。
本發明的優選實施例的金屬構件10的母材11包括含有添加成分的金屬合金材質。本發明的優選實施例的母材11優選為輕量、容易加工、導熱性優異、無重金屬污染的擔憂的鋁合金（Aluminium alloy）材質。在製造鋁合金時，添加各種添加成分來製造鋁合金，因此本發明的詳細說明中的添加成分是指在製造金屬合金時添加的各種元素（Mn、Si、Mg、Cu、Zn、Cr等）。
母材11的表面是去除所述添加成分中的至少任一種添加成分而成的表面。
母材11的表面包括實質上形成為平面的平面區域11a、及在母材11的表面不規則地凹陷的多個凹陷區域11b而構成。平面區域11a是母材11的表面中的除凹陷區域11b以外的區域，且是實質上平坦的區域。凹陷區域11b是從母材11的表面去除不規則地存在的添加成分中的任一種添加成分而成的區域。換句話說，凹陷區域11b是曾由添加成分佔據的區域，且是通過執行去除添加成分的製程而形成的區域。因此，凹陷區域11b呈從母材11的表面向母材11的內部方向凹陷的形狀。
在從母材11的表面去除構成所述母材的添加成分而成的母材11的表面，形成表面-非多孔性陽極氧化膜（在圖7中，以符號13表示的部分為鉑（pt），但鉑是為了拍攝照片而以固定厚度均勻地塗布在表面-非多孔性陽極氧化膜13的上表面，因此為了便於說明，以下由符號13表示表面-非多孔性陽極氧化膜）。在從母材11的表面去除構成所述母材的添加成分後，在所述母材的上部形成表面-非多孔性陽極氧化膜13，因此在能量分散光譜儀（Energy Dispersive Spectrometer，EDS）對本發明的優選實施例的金屬構件的表面測得的測定成分中，不會檢測到從表面去除的添加成分（例如，在從母材11的表面去除矽（Si）的情況下，在能量分散光譜儀對母材11的表面測得的測定成分中，未檢測到矽（Si））。
表面-非多孔性陽極氧化膜13包括氧化鋁（Al2 O3 ），且具有在其表面無孔（pore）的非多孔性特性。
表面-非多孔性陽極氧化膜13跨及母材11的凹陷區域11b的表面與平面區域11a的表面整體而以固定厚度連續地形成。表面-非多孔性陽極氧化膜13還按照母材11的凹陷區域11b的形狀形成，因此在表面-非多孔性陽極氧化膜13形成多個呈與凹陷區域11b對應的形狀的凹陷部13a。
表面-非多孔性陽極氧化膜13以100 nm以上至小於1 μm之間的厚度跨及母材11的整個表面而按照固定厚度連續地形成。在表面-非多孔性陽極氧化膜13的厚度小於100 nm的情況下，在耐蝕性、耐電壓性及耐電漿性的方面不利，在表面-非多孔性陽極氧化膜13的厚度為1 μm以上的情況下，製造收率較低，故而表面-非多孔性陽極氧化膜的厚度優選為100 nm以上至小於1 μm之間。
本發明的優選實施例的表面-非多孔性陽極氧化膜13發揮高耐蝕性及高耐電壓性的特性，不產生因以往的表面-多孔性陽極氧化膜的多孔質層而產生的異物等的沉積及釋氣引起的問題。另外，在去除添加成分而成的母材11的表面形成表面-非多孔性陽極氧化膜13，因此解決因表面-多孔性陽極氧化膜的多孔質層而產生的問題，與此同時，在去除添加成分而成的母材11的表面連續地形成表面-非多孔性陽極氧化膜13，故而可防止所述添加成分以顆粒形態掉落而作為雜質發揮作用，可防止電漿電弧放電（Plasma arcing）現象。
以下，對形成在本發明的優選實施例的金屬構件10的母材11的表面的表面-非多孔性陽極氧化膜13的製造方法的一例進行說明。本發明的優選實施例的表面-非多孔性陽極氧化膜13可為以如下方式形成的陽極氧化阻障層：將對鋁合金材質的母材11進行陽極氧化而形成的陽極氧化阻障層成長為特定厚度。
在形成本發明的優選實施例的陽極氧化阻障層的過程中使用的電解液優選為硼酸電解液。如果在硼酸電解液槽內對母材11流通電流，則在母材11的表面形成陽極氧化阻障層。此後，一面固定地保持電流密度，一面增加電壓，在所述電壓達到特定電壓前，將陽極氧化阻障層成長為特定厚度。在隨著時間的推移而電壓線性地增加的期間，為了固定地保持電流密度而固定地保持電場強度（Eletric field strength）。
更具體而言，在母材11中離子化的Al3 + 離子向已形成的陽極氧化阻障層方向、即母材11的外側方向流入，在電解液中離子化的O2 - 與OH- 離子也向已形成的陽極氧化阻障層方向、即母材11的內部方向流入，由此陽極氧化阻障層繼續成長為特定厚度。因此，母材11與陽極氧化阻障層的結合部分及陽極氧化阻障層與所述電解液的邊界部分、即陽極氧化阻障層的上部表面保持無孔（pore）狀態而成長。
本發明的優選實施例的金屬構件10的陽極氧化阻障層具有不存在以往在表面形成有孔（pore）的多孔質層的非多孔性特性，其表面及內部以無孔（pore）的方式形成，陽極氧化阻障層的厚度t以具有足以應對處理氣體的耐蝕性、耐電壓性及耐電漿性的方式形成。
本發明的優選實施例的陽極氧化阻障層的厚度t優選為形成為數百nm，更優選為形成為100 nm以上至小於1 μm之間。這種陽極氧化阻障層的厚度充分厚於以往的表面-多孔性陽極氧化膜中的陽極氧化阻障層的通常的厚度（100 nm以下）。
製造本發明的優選實施例的金屬構件10的製造方法包括：草酸處理步驟，對鋁合金材質的母材11進行草酸處理；水洗處理步驟，對母材11進行水洗處理；硝酸處理步驟，對母材11進行硝酸處理；氫氟酸處理步驟，對母材11進行氫氟酸處理；以及陽極氧化阻障層形成步驟，將母材11陽極氧化而在母材11的表面形成陽極氧化阻障層。
草酸處理步驟是通過將鋁合金材質的母材11浸漬到氫氧化鈉（Sodium Hydroxide）溶液來對母材11的表面進行蝕刻（Etching）而使母材11的表面平坦的步驟，因經由這種草酸處理步驟的母材11的表面被蝕刻而曾存在於母材11的內部的添加成分的一部分露出到表面外部、或在脫離表面後以附著在表面的形態存在。在不另外進行去除這種添加成分的製程而形成表面-非多孔性陽極氧化膜13的情況下，無法均勻地形成表面-非多孔性陽極氧化膜13，因此在本發明的優選實施例中採用去除所述添加成分的氫氟酸處理製程。
氫氟酸處理步驟是去除存在於母材11的表面的添加成分的步驟，可使用氫氟酸（Nydrofluoric Acid）溶液、氟化銨（Ammouium Fluoride）溶液、氫氟酸與硝酸的混合溶液、氟化銨與硝酸的混合溶液中的任一種溶液。如果執行氫氟酸處理步驟，則去除存在於母材11的表面的添加成分，因此在曾由添加成分佔據的位置形成凹陷區域11b。
在執行氫氟酸處理步驟後，執行將母材11陽極氧化而在母材11的表面形成陽極氧化阻障層的陽極氧化阻障層形成步驟。在硼酸電解液槽內對母材11流通電流而在母材11的表面形成非多孔性的陽極氧化阻障層，之後一面固定地保持電流密度，一面增加電壓，在所述電壓達到特定電壓前，將陽極氧化阻障層成長為特定厚度。陽極氧化阻障層跨及母材11的凹陷區域11b與平面區域11a整體而以固定厚度連續地形成，之前已對此進行了說明，因此省略說明。
水洗處理步驟可在草酸處理步驟後及/或氫氟酸處理步驟後進行，所述水洗處理步驟是用水清洗母材11的表面而去除殘留在母材11的表面的異物、與草酸處理中所使用的溶液及/或氫氟酸處理中所使用的溶液的步驟。硝酸處理步驟是將母材11浸漬到硝酸（Nitric Acid）溶液而對母材11的表面進行一種酸（Acid）處理的步驟，可在所述氫氟酸處理步驟前進行。
根據本發明的優選實施例，構成金屬構件10的母材11的鋁合金可為6000系列的鋁合金。在6000系列的鋁合金中，添加成分中的矽（Si）為主要問題，可通過從母材11的表面去除以顆粒形態殘留在母材11的表面的矽（Si）而將表面-非多孔性陽極氧化膜以均勻的厚度形成到母材11的整個表面。在此，從母材11的表面去除的矽（Si）包括矽化合物、例如矽化鎂（Mg2 Si）。
根據本發明的優選實施例，構成金屬構件10的母材11的鋁合金可為5000系列的鋁合金。在5000系列的鋁合金中，添加成分中的鎂（Mg）為主要問題，可通過從母材11的表面去除鎂（Mg）而將表面-非多孔性陽極氧化膜以均勻的厚度形成到母材11的整個表面。
根據本發明的優選實施例，構成金屬構件10的母材11的鋁合金可為鋁（Al）-鎂（Mg）-矽（Si）系鋁合金。在鋁（Al）-鎂（Mg）-矽（Si）系鋁合金中，可通過從母材11的表面去除以顆粒形態殘留在母材11的表面的矽（Si）而將表面-非多孔性陽極氧化膜以均勻的厚度形成到母材11的整個表面。
根據本發明的優選實施例，構成金屬構件10的母材11的鋁合金可為含有0.40%至0.8%的矽（Si）、0.7%的鐵（Fe）、0.15%至0.40%的銅（Cu）、0.15%的錳（Mn）、0.8%至1.2%的鎂（Mg）、0.25%的鋅（Zn）、0.04%至0.35%的鉻（Cr）、0.15%的鈦（Ti）作為添加成分的鋁合金。在此情況下，可通過從母材11的表面去除以顆粒形態殘留在母材11的表面的矽（Si）而將表面-非多孔性陽極氧化膜以均勻的厚度形成到母材11的整個表面。
根據本發明的優選實施例，構成金屬構件10的母材11的鋁合金可為含有矽（Si）、鎂（Mg）、或矽（Si）及鎂（Mg）中任一添加成分作為主要添加成分的鋁合金。在此情況下，可通過從母材11的表面去除矽（Si）及/或鎂（Mg）而將表面-非多孔性陽極氧化膜以均勻的厚度形成到母材11的整個表面。
根據本發明的優選實施例，構成金屬構件10的母材11的鋁合金可為含有矽（Si）及鎂（Mg）作為主要添加成分的熱處理鋁合金。在含有矽（Si）及鎂（Mg）作為主要添加成分的熱處理鋁合金中，可通過從母材11的表面去除矽（Si）而將表面-非多孔性陽極氧化膜以均勻的厚度形成到母材11的整個表面。
根據本發明的優選實施例，構成金屬構件10的母材11的鋁合金可為含有0.2%至0.9%的矽（Si）的鋁合金。在含有0.2%至0.9%的矽（Si）的鋁合金中，可通過從母材11的表面去除矽（Si）而將表面-非多孔性陽極氧化膜以均勻的厚度形成到母材11的整個表面。
以下，參照圖8，對本發明的優選實施例的包括表面-非多孔性陽極氧化膜的上述金屬構件10與流入處理氣體的內部連通的CVD處理室（Chemical Vapor Deposition process chamber）100進行說明。
如圖8所示，CVD處理室100包括如下部件而構成：供給線110，向CVD處理室100的內部供給處理氣體；基座（Susceptor）120，設置到CVD處理室100的內部而支撐基板S；背襯板（Backing plate）130，與供給線110連通，配置到CVD處理室100的上部；擴散器（Diffuser）140，配置到背襯板130的下部而將從供給線110供給的處理氣體供給到基板S；遮蔽框（Shadow frame）150，配置到基座120與擴散器140之間而覆蓋基板S的邊緣；排氣線160，排出供給在CVD處理室100的內部的處理氣體；以及氣體流量裝置（MFC，Mass Flow Controller）170，控制處理氣體的流量。
使用在CVD處理室100的基板S可為晶片（Wafer）或玻璃（Glass）。
在CVD處理室100的內部，設置基座120、背襯板130、擴散器140及遮蔽框150等，且提供反應空間，以便可實現利用處理氣體進行的化學氣相沉積（CVD）。
供給線110在CVD處理室100的上部與CVD處理室100的內部連通，發揮向CVD處理室100的內部供給處理氣體的作用。
在CVD處理室100的上部配置背襯板130，背襯板130與供給線110連通。
排氣線160在CVD處理室100的下部與CVD處理室100的內部連通，發揮向CVD處理室100的外部排出CVD處理室100的內部的處理氣體的作用。因此，在對基板S執行化學氣相沉積製程後，化學氣相沉積製程中所使用的處理氣體通過排氣線160而排出到外部。
基座120設置到CVD處理室100的內部的下部空間，發揮在化學氣相沉積製程中支撐基板S的作用。
在基座120的內部，可具有用以根據製程條件而加熱基板S的加熱器（未圖示）。
背襯板130以與供給線110連通的方式配置到CVD處理室100的上部，發揮如下作用：使從供給線110供給的處理氣體向下述擴散器140流動，由此有助於經由擴散器140均勻地噴射處理氣體。
擴散器140以與基座120對向的方式設置到背襯板130的下部，發揮向基板S均勻地噴射處理氣體的作用。
另外，在擴散器140形成貫通擴散器140的上表面與下表面的多個貫通孔141。
貫通孔141可呈上部直徑大於下部直徑的孔（Orifice）形狀。
另外，貫通孔141可跨及擴散器140的整體面積而以均勻的密度形成，因此可向基板S的整個區域固定地噴射氣體。
即，從所述氣體供給線供給的處理氣體通過背襯板130而流入到擴散器140，所述處理氣體通過擴散器140的貫通孔141而均勻地噴射到基板S。
遮蔽框150發揮防止在基板S的邊緣部分沉積薄膜的作用，配置到基座120與擴散器140之間。
在此情況下，遮蔽框150可固定到CVD處理室100的側面。
氣體流量裝置170通過流路171而與CVD處理室100連接，發揮控制在CVD處理室100的內部空間流動的氣體、即處理氣體的流量的作用。
具有如上所述的構成的CVD處理室100在從供給線110供給的處理氣體流入到背襯板130後，通過擴散器140的貫通孔141而向基板S噴射所述處理氣體，由此對基板S執行化學氣相沉積製程。
在此情況下，處理氣體被加熱而轉換成電漿狀態，電漿具有較強的腐蝕性與侵蝕性。因此，與電漿直接接觸的CVD處理室100的內部面、與設置到CVD處理室100的內部的基座120、背襯板130、擴散器140、遮蔽框150等（以下，稱為「內部零件」）會因電漿電弧放電現象等而發生腐蝕及侵蝕等。
*83因此，優選為CVD處理室100的內部面、基座120、背襯板130、擴散器140、遮蔽框150中的至少任一部件包括包含表面-非多孔性陽極氧化膜13的金屬構件10，由此可解決上述腐蝕及侵蝕等問題。
換句話說，本發明的優選實施例的上述金屬構件10在形成表面-非多孔性陽極氧化膜13前，從母材11的表面去除在形成表面-非多孔性陽極氧化膜13時成為問題的添加成分，因此可提高耐蝕性、耐電壓性及耐電漿性，並且同時解決以往因孔（pore）引起的釋氣及產生顆粒的問題。因此，通過將這種金屬構件10構成為CVD處理室100的內部零件，通過CVD處理室100而製造的成品的收率提高，CVD處理室100的製程效率提高，維護週期也變長。
另外，在利用CVD處理室100的化學氣相沉積為製造10 nm級的基板S的微細製程的情況下，高溫加熱處理氣體而使其轉換成高密度電漿。這種高密度電漿不僅對CVD處理室100的內部零件產生影響，而且對與CVD處理室100的內部連通的供給線110、排氣線160、氣體流量裝置170及流路171產生影響，因此供給線110、排氣線160、氣體流量裝置170及流路171的雜質掉落而流入到CVD處理室100的內部，從而引起CVD處理室100的製造製程的不良率會變高的問題。
因此，優選為供給線110、排氣線160、氣體流量裝置170及流路171中的至少任一部件包括包含表面-非多孔性陽極氧化膜13的金屬構件10。
在此情況下，為了防止與CVD處理室100的內部連通的供給線110的內部面的雜質掉落，優選為在供給線110的內部面形成表面-非多孔性陽極氧化膜13。另外，為了防止與CVD處理室100的內部連通的排氣線160、氣體流量裝置170及流路171的內部面的雜質掉落，優選為分別在排氣線160、氣體流量裝置170及流路171的內部面形成表面-非多孔性陽極氧化膜13。
如上所述，使與CVD處理室100的內部連通的零件、即供給線110、排氣線160、氣體流量裝置170及流路171包括包含表面-非多孔性陽極氧化膜13的金屬構件10，由此可分別提高供給線110、排氣線160、氣體流量裝置170及流路171的內部面的耐電漿性，由此可防止雜質因高密度電漿而掉落。因此，在為了進行CVD處理室100的微細製程而利用高密度電漿的情況下，也可防止雜質流入到CVD處理室100的內部而提高CVD處理室100的製程效率及可靠性。
以下，參照圖9，對本發明的優選實施例的包括表面-非多孔性陽極氧化膜13的上述金屬構件10與流入處理氣體的內部連通的乾式蝕刻處理室（Dry etching process chamber）200進行說明。
如圖9所示，乾式蝕刻處理室包括如下部件而構成：供給線210，向乾式蝕刻處理室200的內部供給處理氣體；下部電極（Bottom electrode）220，設置到乾式蝕刻處理室200的內部而支撐基板S；上部電極（Upper eletrode）230，配置到下部電極220的上部而將從供給線210供給的處理氣體供給到基板S；壁襯（Wall liner）240，設置到乾式蝕刻處理室200的內壁；排氣線250，排出供給在乾式蝕刻處理室200的內部的處理氣體；以及氣體流量裝置270，控制處理氣體的流量。
使用在乾式蝕刻處理室200的基板S可為晶片（Wafer）或玻璃（Glass）。
在乾式蝕刻處理室200的內部設置下部電極220、上部電極230及壁襯240等，且提供反應空間，以便可實現利用處理氣體進行的乾式蝕刻。
供給線210在乾式蝕刻處理室200的上部與乾式蝕刻處理室200的內部連通，發揮向乾式蝕刻處理室200的內部供給處理氣體的作用。
排氣線250在乾式蝕刻處理室200的下部與乾式蝕刻處理室200的內部連通，發揮向乾式蝕刻處理室200的外部排出乾式蝕刻處理室200的內部的處理氣體的作用。因此，在對基板S執行乾式蝕刻製程後，乾式蝕刻製程中所使用的處理氣體通過排氣線250而排出到外部。
下部電極220設置到乾式蝕刻處理室200的內部的下部空間，發揮在乾式蝕刻製程中支撐基板S的作用。
另外，下部電極220可具有將基板S產生靜電的情況最少化的靜電夾頭（ESC，Electrode Static Chuck）（未圖示）、與固定地保持基板S周圍的處理氣體的流量的擋板（Baffle）（未圖示），因此可對基板S進行均勻的蝕刻。
上部電極230以與基座120對向的方式設置到乾式蝕刻處理室200的下部，發揮對基板S均勻地噴射處理氣體的作用。
另外，在上部電極230形成貫通上部電極230的上表面與下表面的多個貫通孔231。
貫通孔231可呈上部直徑大於下部直徑的孔形狀。
另外，貫通孔231可跨及上部電極230的整體面積而以均勻的密度形成，因此可向基板S的整個區域固定地噴射氣體。
即，從所述氣體供給線供給的處理氣體流入到上部電極230，所述處理氣體通過上部電極230的貫通孔231而均勻地噴射到基板S。
壁襯240能夠以可裝卸的方式設置到乾式蝕刻處理室200的內壁，發揮減少乾式蝕刻處理室200的污染的作用。
即，如果因長時間執行乾式蝕刻製程而在乾式蝕刻處理室200的內部產生污染，則可通過分離壁襯240而進行清洗、或設置嶄新的壁襯240來改善乾式蝕刻處理室200的內部環境。
氣體流量裝置270通過流路271而與乾式蝕刻處理室200連接，發揮控制在乾式蝕刻處理室200的內部空間流動的氣體、即處理氣體的流量的作用。
在具有如上所述的構成的乾式蝕刻處理室200中，從供給線210供給的處理氣體流入到上部電極230而通過上部電極230的貫通孔231噴射到基板S，由此對基板S執行乾式蝕刻製程。
在此情況下，處理氣體被加熱而轉換成電漿狀態，電漿具有較強的腐蝕性與侵蝕性。因此，與所述電漿直接接觸的乾式蝕刻處理室200的內部面、與設置到乾式蝕刻處理室200的內部的下部電極220、下部電極220的靜電夾頭、下部電極220的擋板、上部電極230、壁襯240等（以下，稱為「內部零件」）會因電漿電弧放電現象等而發生腐蝕及侵蝕等。
因此，優選為乾式蝕刻處理室200的內部面、供給線210、下部電極220、下部電極220的靜電夾頭、下部電極220的擋板、上部電極230、壁襯240中的至少任一部件包括包含表面-非多孔性陽極氧化膜13的金屬構件10，由此可解決上述腐蝕及侵蝕等問題。
換句話說，本發明的優選實施例的上述金屬構件10在形成表面-非多孔性陽極氧化膜13前，從母材11表面去除在形成表面-非多孔性陽極氧化膜13時成為問題的添加成分，因此可提高耐蝕性、耐電壓性及耐電漿性，並且同時解決以往因孔（pore）引起的釋氣及產生顆粒的問題。因此，通過將這種金屬構件10構成為乾式蝕刻處理室200的內部零件，通過乾式蝕刻處理室200而製造的成品的收率提高，乾式蝕刻處理室200的製程效率提高，維護週期也變長。
另外，在利用乾式蝕刻處理室200的乾式蝕刻為製造10 nm級的基板S的微細製程的情況下，高溫加熱處理氣體而使其轉換成高密度電漿。這種高密度電漿不僅對乾式蝕刻處理室200的內部零件產生影響，而且還對與乾式蝕刻處理室200的內部連通的供給線210、排氣線250、氣體流量裝置270及流路271產生影響，因此供給線210、排氣線250、氣體流量裝置270及流路271的雜質掉落而流入到乾式蝕刻處理室200的內部，因此引起乾式蝕刻處理室200的製造製程的不良率會變高的問題。
因此，優選為供給線210、排氣線250、氣體流量裝置270及流路271中的至少任一部件包括包含表面-非多孔性陽極氧化膜13的金屬構件10。
在此情況下，為了防止與乾式蝕刻處理室200的內部連通的供給線210的內部面的雜質掉落，優選為在供給線210的內部面形成表面-非多孔性陽極氧化膜13。另外，為了防止與乾式蝕刻處理室200的內部連通的排氣線250、氣體流量裝置270及流路271的內部面的雜質掉落，優選為分別在排氣線250、氣體流量裝置270及流路271的內部面形成表面-非多孔性陽極氧化膜13。
如上所述，使與乾式蝕刻處理室200的內部連通的零件、即供給線210、排氣線250、氣體流量裝置270及流路271包括包含表面-非多孔性陽極氧化膜13的金屬構件10，由此可分別提高供給線210、排氣線250、氣體流量裝置270及流路271的內部面的耐電漿性，由此可防止雜質因高密度電漿而掉落。因此，在為了進行乾式蝕刻處理室200的微細製程而利用高密度電漿的情況下，也可防止雜質流入到乾式蝕刻處理室200的內部而提高乾式蝕刻處理室200的製程效率及可靠性。
如上所述，參照本發明的優選實施例進行了說明，但本技術領域的普通技術人員可在不脫離隨附的權利要求書中所記載的本發明的思想及領域的範圍內，對本發明進行各種修正或變形而實施。
1‧‧‧鋁合金母材
2、11‧‧‧母材
10‧‧‧金屬構件
11a‧‧‧平面區域
11b‧‧‧凹陷區域
12‧‧‧陽極氧化多孔質層/多孔質層
12a‧‧‧孔
13‧‧‧表面-非多孔性陽極氧化膜/阻障層
13a‧‧‧凹陷部
15‧‧‧矽
17‧‧‧金屬塗布層/鉑
100‧‧‧CVD處理室
110、210‧‧‧供給線
120‧‧‧基座
130‧‧‧背襯板
140‧‧‧擴散器
141、231‧‧‧貫通孔
150‧‧‧遮蔽框
160、250‧‧‧排氣線
170、270‧‧‧氣體流量裝置
171、271‧‧‧流路
200‧‧‧乾式蝕刻處理室
220‧‧‧下部電極
230‧‧‧上部電極
240‧‧‧壁襯
A‧‧‧表面
B、C‧‧‧剖面
S‧‧‧基板
t‧‧‧厚度
圖1是表示形成有表面-多孔性陽極氧化膜的以往技術的金屬構件的圖。 圖2（a）是拍攝形成有表面-多孔性陽極氧化膜的以往技術的金屬構件的表面所得的照片的放大圖。 圖2（b）是拍攝形成有表面-多孔性陽極氧化膜的以往技術的金屬構件的剖面所得的照片的放大圖。 圖3是表示作為本發明的背景技術的形成有僅包括陽極氧化阻障層的陽極氧化膜的金屬構件的圖。 圖4是拍攝形成有僅包括陽極氧化阻障層的陽極氧化膜的金屬構件的表面A所得的照片的放大圖。 圖5是拍攝形成有僅包括陽極氧化阻障層的陽極氧化膜的金屬構件的剖面B所得的照片的剖面圖。 圖6是表示本發明的優選實施例的金屬構件的圖。 圖7是拍攝本發明的優選實施例的金屬構件的剖面C所得的放大圖。 圖8是表示本發明的優選實施例的金屬構件與流入處理氣體的內部連通的CVD處理室的圖。 圖9是表示本發明的優選實施例的金屬構件與流入處理氣體的內部連通的乾式蝕刻處理室的圖。

Claims (19)

  1. 一種金屬構件，其設置在流入處理氣體的處理室內、或與所述處理室的內部連通，所述金屬構件包括： 母材，包括含有添加成分的金屬合金，藉由從表面去除所述添加成分中的至少任一種添加成分而成；以及 陽極氧化阻障層，形成在所述母材的所述表面上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的金屬構件，其中所述金屬合金為鋁合金，所述陽極氧化阻障層為將所述鋁合金陽極氧化而形成的陽極氧化鋁。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的金屬構件，其中所述鋁合金為6000系列的鋁合金，從所述母材的所述表面去除的所述添加成分包括矽。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的金屬構件，其中所述鋁合金為5000系列的鋁合金，從所述母材的所述表面去除的所述添加成分包括鎂。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的金屬構件，其中所述母材的所述表面包括實質上形成為平面的平面區域與不規則地凹陷的多個凹陷區域，所述陽極氧化阻障層以固定厚度連續地形成在所述凹陷區域與所述平面區域中。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的金屬構件，其中所述陽極氧化阻障層的厚度為100 nm以上至小於1 μm。
  7. 一種金屬構件，其設置在流入處理氣體的處理室內、或與所述處理室的內部連通，所述金屬構件包括： 母材，由鋁-鎂-矽系鋁合金所製成；以及 表面-非多孔性陽極氧化膜，形成在所述母材的表面上；且 矽被去除而不存在於所述母材的所述表面，在形成在所述母材的所述表面的凹陷區域也形成所述表面-非多孔性陽極氧化膜，所述表面-非多孔性陽極氧化膜以100 nm以上至小於1 μm的固定厚度形成。
  8. 一種金屬構件，其設置到流入處理氣體的處理室內、或與所述處理室的內部連通，所述金屬構件包括： 母材，由鋁-鎂-矽系鋁合金所製成；以及 表面-非多孔性陽極氧化膜，形成在所述母材的表面上；且 在能量分散光譜儀對所述金屬構件的表面測得的測定成分中，未檢測到矽成分。
  9. 一種金屬構件，其設置到流入處理氣體的處理室內、或與所述處理室的內部連通，所述金屬構件包括： 鋁合金的母材，所述鋁合金含有0.40%至0.8%的矽、0.7%的鐵、0.15%至0.40%的銅、0.15%的錳、0.8%至1.2%的鎂、0.25%的鋅、0.04%至0.35%的鉻、0.15%的鈦作為添加成分；以及 表面-非多孔性陽極氧化膜，藉由將從所述母材的表面去除所述添加成分中的矽而成的所述母材陽極氧化而形成。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的金屬構件其中所述表面-非多孔性陽極氧化膜的厚度為100 nm以上至小於1 μm。
  11. 一種金屬構件，其設置到流入處理氣體的處理室內、或與所述處理室的內部連通，所述金屬構件包括： 母材，材質為含有矽、鎂、矽及鎂中的任一種添加成分作為主要添加成分的鋁合金材質，從表面去除所述主要添加成分中的至少任一種添加成分而成；以及 表面-非多孔性陽極氧化膜，按照所述母材的所述表面形狀對應地形成。
  12. 一種金屬構件，其設置到流入處理氣體的處理室內、或與所述處理室的內部連通，所述金屬構件包括： 表面-非多孔性陽極氧化膜，形成在從含有矽及鎂作為主要添加成分的熱處理鋁合金的表面去除所述矽而成的表面上。
  13. 一種金屬構件，其設置到流入處理氣體的處理室內、或與所述處理室的內部連通，所述金屬構件包括： 母材，由含有0.2%至0.9%的作為添加成分的矽的鋁合金所製成；以及 表面-非多孔性陽極氧化膜，形成在所述母材的表面上；且 在能量分散光譜儀對所述金屬構件的表面測得的測定成分中，未檢測到矽成分。
  14. 一種金屬構件的製造方法，其是製造設置到流入處理氣體的處理室內、或與所述處理室的內部連通的金屬構件的製造方法，所述金屬構件的製造方法包括： 從由金屬合金材質所製成的母材的表面去除構成所述母材的至少一種添加成分的步驟；以及 將去除所述添加成分而成的所述母材陽極氧化而在所述母材的所述表面形成陽極氧化阻障層的步驟。
  15. 一種處理室，其中金屬構件與流入處理氣體的所述處理室內部連通、或設置到所述處理室內部，所述金屬構件包括： 母材，包括包含添加成分的金屬合金材質，藉由從表面去除所述添加成分而成；以及 表面-非多孔性陽極氧化膜，將所述母材陽極氧化而形成在所述母材的所述表面。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的處理室，其中所述處理室為化學氣相沉積處理室， 所述金屬構件為向所述化學氣相沉積處理室的內部供給所述處理氣體的供給線、或排出供給在所述化學氣相沉積處理室的內部的所述處理氣體的排氣線。
  17. 如申請專利範圍第15項所述的處理室，其中所述處理室為乾式蝕刻處理室， 所述金屬構件為向所述乾式蝕刻處理室的內部供給所述處理氣體的供給線、或排出供給在所述乾式蝕刻處理室的內部的所述處理氣體的排氣線。
  18. 如申請專利範圍第15項所述的處理室，其中所述處理室為化學氣相沉積處理室，且包括： 基座，設置到所述化學氣相沉積處理室的內部而支撐基板（S）；背襯板，配置到所述化學氣相沉積處理室的上部；擴散器，配置到所述背襯板的下部而向所述基板（S）供給所述處理氣體；以及遮蔽框，配置到所述基座與所述擴散器之間而覆蓋所述基板（S）的邊緣；且 所述基座、所述背襯板、所述擴散器、所述遮蔽框中的至少任一部件包括所述金屬構件。
  19. 根據權利要求15所述的處理室，所述處理室為乾式蝕刻處理室，且包括： 下部電極（220），設置到所述乾式蝕刻處理室的內部而支撐基板（S）；上部電極，配置到所述下部電極的上部而向所述基板（S）供給所述處理氣體；以及壁襯，設置到所述乾式蝕刻處理室的內壁；且所述上部電極、所述下部電極、所述壁襯中的至少任一部件包括所述金屬構件。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102652258B1 (ko) * 2016-07-12 2024-03-28 에이비엠 주식회사 금속부품 및 그 제조 방법 및 금속부품을 구비한 공정챔버
KR102505530B1 (ko) * 2018-09-11 2023-03-03 노벨리스 인크. 고도 변형가능 및 열적 처리가능 연속 코일 및 이의 생산 방법
KR102197887B1 (ko) 2018-11-01 2021-01-05 (주)티티에스 양극 산화 피막 제조 방법
KR20210100372A (ko) * 2020-02-06 2021-08-17 (주)포인트엔지니어링 양극산화막 구조체
CN115838954B (zh) * 2022-11-16 2023-11-03 苏州外延世电子材料有限公司 一种适用于cvd设备气体扩散器的表面处理工艺

Family Cites Families (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2062464A (en) * 1931-02-14 1936-12-01 Lilienfeld Julius Edgar Anodes, method of forming the same, and formation electrolyte therefor
US3493474A (en) * 1966-04-29 1970-02-03 Gen Motors Corp Aluminum plating process
US3505179A (en) * 1966-05-25 1970-04-07 Oberdorfer Foundries Inc Method of producing permanent colored aluminum castings
US3799848A (en) * 1971-04-01 1974-03-26 S Bereday Method for electrolytically coating anodized aluminum with polymers
US3971710A (en) * 1974-11-29 1976-07-27 Ibm Anodized articles and process of preparing same
JPS57101696A (en) * 1980-12-12 1982-06-24 Daiwa Seiko Inc Almite-treating method for aluminum alloy die-cast material
US4812951A (en) * 1987-03-20 1989-03-14 Aerovox M, Inc. Electrolytic capacitor and electrolyte therefor
US5230788A (en) * 1989-04-24 1993-07-27 Pechiney Recherche Insulated metal substrates and process for the production thereof
US5160653A (en) * 1990-02-28 1992-11-03 Aerovox M, Inc. Electrolytic capacitor and electrolyte therefor
US5192610A (en) * 1990-06-07 1993-03-09 Applied Materials, Inc. Corrosion-resistant protective coating on aluminum substrate and method of forming same
US5069938A (en) * 1990-06-07 1991-12-03 Applied Materials, Inc. Method of forming a corrosion-resistant protective coating on aluminum substrate
EP0483415B1 (en) * 1990-11-02 1997-02-12 Agfa-Gevaert N.V. Method of making lithographic aluminium offset printing plates
US5289030A (en) * 1991-03-06 1994-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with oxide layer
DE4116910A1 (de) * 1991-05-21 1992-11-26 Jenoptik Jena Gmbh Verfahren zur erzeugung oxidkeramischer oberflaechenschichten auf leichtmetall-gusslegierungen
US5220140A (en) * 1991-06-17 1993-06-15 Alcan International Limited Susceptors for browning or crisping food in microwave ovens
JP3152960B2 (ja) * 1991-07-15 2001-04-03 三菱アルミニウム株式会社 真空機器用アルミニウム又はアルミニウム合金材の製造法
ES2052455B1 (es) * 1992-12-31 1994-12-01 Novamax Tech Holdings Procedimiento para la obtencion por via electrolitica sobre aluminio anodizado de una gama de colores del espectro visible.
EP0792951B1 (en) 1994-11-16 2001-09-26 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Vacuum chamber made of aluminum or its alloys
CH689065A5 (de) * 1994-11-24 1998-08-31 Alusuisse Lonza Services Ag Aluminiumoberflaechen fuer lichttechnische Zwecke.
ATE217366T1 (de) * 1996-08-15 2002-05-15 Alcan Tech & Man Ag Reflektor mit resistenter oberfläche
JPH10237692A (ja) 1997-02-28 1998-09-08 Hitachi Ltd Ａｌ又はＡｌ合金製真空チャンバ部材の表面処理方法
JP4601731B2 (ja) * 1997-08-26 2010-12-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、半導体装置を有する電子機器及び半導体装置の作製方法
JPH11140690A (ja) * 1997-11-14 1999-05-25 Kobe Steel Ltd 耐熱割れ性および耐食性に優れたＡｌ材料
US6149793A (en) * 1998-06-04 2000-11-21 Kemet Electronics Corporation Method and electrolyte for anodizing valve metals
US6073577A (en) * 1998-06-30 2000-06-13 Lam Research Corporation Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof
JP4194143B2 (ja) * 1998-10-09 2008-12-10 株式会社神戸製鋼所 ガス耐食性とプラズマ耐食性に優れたアルミニウム合金材
US6235181B1 (en) * 1999-03-10 2001-05-22 Kemet Electronics Corporation Method of operating process for anodizing valve metals
US6267861B1 (en) * 2000-10-02 2001-07-31 Kemet Electronics Corporation Method of anodizing valve metals
US6391787B1 (en) * 2000-10-13 2002-05-21 Lam Research Corporation Stepped upper electrode for plasma processing uniformity
JP2003034894A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Kobe Steel Ltd 耐腐食性に優れたＡｌ合金部材
JP2003173929A (ja) * 2001-09-26 2003-06-20 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd キャパシタ層形成用の積層板及びその製造方法
US20030075453A1 (en) * 2001-10-19 2003-04-24 Dolan Shawn E. Light metal anodization
US7033447B2 (en) * 2002-02-08 2006-04-25 Applied Materials, Inc. Halogen-resistant, anodized aluminum for use in semiconductor processing apparatus
US7048814B2 (en) * 2002-02-08 2006-05-23 Applied Materials, Inc. Halogen-resistant, anodized aluminum for use in semiconductor processing apparatus
US6866945B2 (en) * 2003-01-06 2005-03-15 General Motors Corporation Magnesium containing aluminum alloys and anodizing process
JP2004225113A (ja) * 2003-01-23 2004-08-12 Kobe Steel Ltd 耐腐食性及び耐プラズマ性に優れたＡｌ合金部材
US20040221959A1 (en) * 2003-05-09 2004-11-11 Applied Materials, Inc. Anodized substrate support
JP4308572B2 (ja) * 2003-05-13 2009-08-05 日本パーカライジング株式会社 熱交換器用アルミニウム合金製基体の表面処理方法およびこの方法により製造された熱交換器
KR100519463B1 (ko) * 2003-08-26 2005-10-06 고등기술연구원연구조합 알루미늄 소재의 스머트 제거용 혼합산 수용액과 그 제거방법
US8974590B2 (en) * 2003-12-18 2015-03-10 The Armor All/Stp Products Company Treatments and kits for creating renewable surface protective coatings
US7645341B2 (en) * 2003-12-23 2010-01-12 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses
US7323230B2 (en) * 2004-08-02 2008-01-29 Applied Materials, Inc. Coating for aluminum component
GB0500407D0 (en) * 2005-01-10 2005-02-16 Short Brothers Plc Anodising aluminium alloy
JP4929727B2 (ja) 2005-02-14 2012-05-09 東洋製罐株式会社 プラズマ処理用ガス供給管
JP4603402B2 (ja) * 2005-03-31 2010-12-22 富士フイルム株式会社 微細構造体およびその製造方法
KR101297489B1 (ko) * 2005-06-17 2013-08-16 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 금속 산화물막, 적층체, 금속 부재 및 그 제조 방법
EP1914330A4 (en) * 2005-06-17 2010-03-03 Univ Tohoku PROTECTION FILM STRUCTURE OF METAL ELEMENT, METAL COMPONENT WITH PROTECTIVE FILM STRUCTURE AND DEVICE FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR OR A FLAT DISPLAY WITH PROTECTIVE FILM STRUCTURE
KR100915722B1 (ko) * 2005-06-23 2009-09-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반도체 처리 장치용의 구성 부재 및 그 제조 방법, 및반도체 처리 장치
RU2008108012A (ru) * 2005-08-02 2009-09-10 Массачусетс Инститьют Оф Текнолоджи (Us) Способ применения nf3 для удаления поверхностных отложений
KR20080050401A (ko) * 2005-08-02 2008-06-05 매사추세츠 인스티튜트 오브 테크놀로지 Ｃｖｄ/ｐｅｃｖｄ-플라즈마 챔버 내부의 표면 퇴적물을제거하기 위하여 플루오르화황을 이용한 원격 챔버 방법
RU2008108013A (ru) * 2005-08-02 2009-09-10 Массачусетс Инститьют Оф Текнолоджи (Us) Способ удаления поверхностных отложений и пассивирования внутренних поверхностей реактора химического осаждения из паровой фазы
US20090047447A1 (en) * 2005-08-02 2009-02-19 Sawin Herbert H Method for removing surface deposits and passivating interior surfaces of the interior of a chemical vapor deposition reactor
US8679252B2 (en) * 2005-09-23 2014-03-25 Lam Research Corporation Actively heated aluminum baffle component having improved particle performance and methods of use and manufacture thereof
US20100219079A1 (en) * 2006-05-07 2010-09-02 Synkera Technologies, Inc. Methods for making membranes based on anodic aluminum oxide structures
KR20080000112A (ko) 2006-06-26 2008-01-02 삼성전자주식회사 건식식각장치의 상부전극 및 그를 구비한 건식식각장치
JP4168066B2 (ja) * 2006-08-11 2008-10-22 株式会社神戸製鋼所 プラズマ処理装置に用いられる陽極酸化処理用アルミニウム合金およびその製造方法、陽極酸化皮膜を有するアルミニウム合金部材、ならびにプラズマ処理装置
EP1900855A3 (en) * 2006-09-15 2013-06-19 FUJIFILM Corporation Microstructure and method of manufacturing the same
US20100028572A1 (en) * 2006-10-06 2010-02-04 Asahi Tech Co., Ltd. Corrosion-resistant member and process for producing the same
JP5252613B2 (ja) * 2006-12-25 2013-07-31 国立大学法人東北大学 イオン注入装置およびイオン注入方法
JPWO2008081748A1 (ja) * 2006-12-28 2010-04-30 国立大学法人東北大学 半導体又は平面デイスプレイの製造装置に使用される構造部材とその製造方法
US8017247B2 (en) * 2007-03-30 2011-09-13 Alcoa Inc. Self cleaning aluminum alloy substrates
WO2008124062A1 (en) * 2007-04-05 2008-10-16 Worcester Polytechnic Institute Composite structures with porous anodic oxide layers and methods of fabrication
JP2009074133A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Fujifilm Corp 微細構造体
JP5294048B2 (ja) * 2007-12-05 2013-09-18 富士電機株式会社 アルミナナノホールアレー及び磁気記録媒体の作製方法
US8044427B2 (en) * 2008-06-24 2011-10-25 Dicon Fiberoptics, Inc. Light emitting diode submount with high thermal conductivity for high power operation
JP5394021B2 (ja) * 2008-08-06 2014-01-22 アイシン精機株式会社 アルミニウム合金ピストン部材およびその製造方法
KR101293434B1 (ko) * 2008-12-02 2013-08-05 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 플라즈마 처리 장치용 부재 및 그의 제조방법
US20100307579A1 (en) * 2009-06-03 2010-12-09 Massachusetts Institute Of Technology Pseudo-Periodic Structure for Use in Thin Film Solar Cells
KR20120101290A (ko) * 2009-06-26 2012-09-13 후지필름 가부시키가이샤 광반사 기판 및 그 제조 방법
KR20110130750A (ko) 2010-05-28 2011-12-06 알티솔라 주식회사 화학 기상 증착 장치
JP2012057251A (ja) * 2010-08-13 2012-03-22 Toshiba Corp 保護膜とその形成方法、並びに半導体製造装置およびプラズマ処理装置
JP5616969B2 (ja) * 2010-08-30 2014-10-29 シャープ株式会社 型の製造方法および反射防止材の製造方法
EP2630276A4 (en) * 2010-10-21 2017-04-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a nano-structure
CN102595833A (zh) * 2011-01-05 2012-07-18 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 铝或铝合金的壳体及其制造方法
WO2012104902A1 (ja) * 2011-01-31 2012-08-09 国立大学法人東北大学 半導体装置及びその製造方法
CN102650052B (zh) * 2011-02-28 2016-07-20 中山市海量五金制造有限公司 铝或铝合金的壳体及其制造方法
JP2013168622A (ja) * 2011-03-28 2013-08-29 Fujifilm Corp 発光素子用反射基板およびその製造方法
US20130137244A1 (en) * 2011-05-26 2013-05-30 Solexel, Inc. Method and apparatus for reconditioning a carrier wafer for reuse
CN102337572B (zh) 2011-09-26 2014-07-23 上海瑞尔实业有限公司 一种硅铜铸造铝合金的染色阳极氧化方法
WO2013058327A1 (ja) * 2011-10-19 2013-04-25 富士フイルム株式会社 熱電変換素子及びその製造方法
JP6001989B2 (ja) * 2012-10-09 2016-10-05 アート金属工業株式会社 内燃機関用ピストンの表面改質方法及び内燃機関用ピストン
CN103789808B (zh) * 2012-10-31 2017-12-01 深圳富泰宏精密工业有限公司 铝合金的表面处理方法及铝制品
CN103834901A (zh) * 2012-11-26 2014-06-04 威斯科高新技术有限公司 金属产品的表面处理方法
JP5741561B2 (ja) * 2012-12-04 2015-07-01 日本軽金属株式会社 ペリクル枠及びその製造方法
US20140353028A1 (en) 2013-05-29 2014-12-04 Apple Inc. Alternative manufacturing processes for aluminum enclosures
US9051658B2 (en) * 2013-09-27 2015-06-09 Apple Inc. Methods for forming white anodized films by forming branched pore structures
KR20150040631A (ko) * 2013-10-07 2015-04-15 지케이 주식회사 다이캐스트용 알루미늄 합금과 휴대용 전기장치의 메탈 케이스 및 그 제조방법
US9663870B2 (en) * 2013-11-13 2017-05-30 Applied Materials, Inc. High purity metallic top coat for semiconductor manufacturing components
JP2016089261A (ja) * 2014-11-11 2016-05-23 株式会社神戸製鋼所 アルミニウム合金材、接合体、自動車用部材、及びアルミニウム合金材の製造方法
US20160258064A1 (en) * 2015-03-06 2016-09-08 Applied Materials, Inc. Barrier anodization methods to develop aluminum oxide layer for plasma equipment components
EP3178540A1 (en) * 2015-12-09 2017-06-14 Point Engineering Co., Ltd. Fluid permeable anodic oxide film and fluid permeable body using anodic oxide film
KR102464817B1 (ko) * 2016-03-31 2022-11-09 에이비엠 주식회사 금속부품 및 그 제조 방법 및 금속부품을 구비한 공정챔버
US10174436B2 (en) * 2016-04-06 2019-01-08 Apple Inc. Process for enhanced corrosion protection of anodized aluminum
KR102652258B1 (ko) * 2016-07-12 2024-03-28 에이비엠 주식회사 금속부품 및 그 제조 방법 및 금속부품을 구비한 공정챔버
US10710102B2 (en) * 2017-09-08 2020-07-14 Point Engineering Co., Ltd. Fluid permeable member

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