JP7066868B2 - 反応室コンポーネント、作製方法、及び反応室 - Google Patents

反応室コンポーネント、作製方法、及び反応室 Download PDF

Info

Publication number
JP7066868B2
JP7066868B2 JP2020547138A JP2020547138A JP7066868B2 JP 7066868 B2 JP7066868 B2 JP 7066868B2 JP 2020547138 A JP2020547138 A JP 2020547138A JP 2020547138 A JP2020547138 A JP 2020547138A JP 7066868 B2 JP7066868 B2 JP 7066868B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reaction chamber
oxide film
film layer
coated
chamber component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020547138A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021515849A (ja
Inventor
リ、イチェン
ペン、ユリン
ツァオ、ヨンヨウ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Original Assignee
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from CN201810190001.5A external-priority patent/CN110246738A/zh
Priority claimed from CN201820317132.0U external-priority patent/CN208580713U/zh
Application filed by Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd filed Critical Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Publication of JP2021515849A publication Critical patent/JP2021515849A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7066868B2 publication Critical patent/JP7066868B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/02—Apparatus characterised by being constructed of material selected for its chemically-resistant properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81—Coating or impregnation
    • C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
    • C04B41/87—Ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/06—Anodisation of aluminium or alloys based thereon characterised by the electrolytes used
    • C25D11/08—Anodisation of aluminium or alloys based thereon characterised by the electrolytes used containing inorganic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/06—Anodisation of aluminium or alloys based thereon characterised by the electrolytes used
    • C25D11/10—Anodisation of aluminium or alloys based thereon characterised by the electrolytes used containing organic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/18—After-treatment, e.g. pore-sealing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/18—After-treatment, e.g. pore-sealing
    • C25D11/24—Chemical after-treatment
    • C25D11/246—Chemical after-treatment for sealing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32467—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/02—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties
    • B01J2219/0204—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties comprising coatings on the surfaces in direct contact with the reactive components
    • B01J2219/0218—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties comprising coatings on the surfaces in direct contact with the reactive components of ceramic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/02—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties
    • B01J2219/0204—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties comprising coatings on the surfaces in direct contact with the reactive components
    • B01J2219/0236—Metal based
    • B01J2219/024—Metal oxides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/02—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties
    • B01J2219/025—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties characterised by the construction materials of the reactor vessel proper
    • B01J2219/0277—Metal based
    • B01J2219/029—Non-ferrous metals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0894—Processes carried out in the presence of a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H01J2237/3341—Reactive etching

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

[0001]本開示は、マイクロエレクトロニクス処理の技術分野に属し、特に、反応室コンポーネント、作製方法、及び反応室に関する。
[0002]半導体製造プロセスでは、プラズマの生成用の反応室コンポーネントを製造するために、アルミニウム合金が広く使用されている。これは、アルミニウム合金が高い強度と良好な溶接性を有するだけでなく、アルミニウム合金の陽極酸化皮膜が良好な耐食性も有するためである。しかしながら、アルミニウム合金は、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｓｉ、等などの多く合金元素を含有する。プラズマエッチング処理では、反応室中で使用される反応ガスは、ＣＦ4／Ｏ2、ＮＦ3、Ｃｌ2、ＣＨ4／Ａｒ、等を含み、これらの反応ガスは、Ｃｌ及びＦなどの多数の活性フリーラジカルを発生させ、アルミニウム合金の合金元素と反応して、金属化合物粒子を生成する可能性があり、それは、反応室の表面上に金属汚染を容易に引き起こし、デバイスの電気的性能に深刻な影響を及ぼし得る。加えて、反応室中の金属化合物粒子は、洗浄することが困難であり、長期間の蓄積は、反応室全体を故障させ得る。
[0003]現在、反応室コンポーネントの基材は通常、Ａ６０６１などの６０００系アルミニウム合金から作られ、反応室コンポーネントがプラズマによって腐食されるのを防止するために、硫酸陽極法によってコンポーネントの表面上に酸化アルミニウム皮膜の層が形成される。しかしながら、実際の応用では、反応室コンポーネントは、プラズマ衝撃の環境において依然として容易に腐食される可能性があり、それは、反応室の寿命を低減するだけでなく、室への金属汚染も引き起こす。
[0004]本開示は、既存の技術に存在する技術的問題のうちの少なくとも１つを解決することを目的としており、反応室コンポーネント、作製方法、及び反応室を提案するもので、それらは、反応室コンポーネントの耐食性を改善することができ、それにより、反応室の寿命を改善させ、反応室コンポーネントの表面上の金属汚染を低減する。
[0005]上記の問題のうちの１つを解決するために、本開示は、本体と、本体の被覆されるべき表面上に配置される酸化皮膜層とを含む、反応室コンポーネントを提供する。本体は、５０００系アルミニウム合金材料から作られる。
[0006]いくつかの実施形態では、反応室コンポーネントは更に、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層の表面を被覆するセラミック層を含む。
[0007]いくつかの実施形態では、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層の表面は、セラミック層と酸化皮膜層との間の粘着性を改善するための所定の粗さを有する。
[0008]いくつかの実施形態では、所定の粗さは、３．２μｍ～６．３μｍの値範囲を有する。
[0009]いくつかの実施形態では、セラミック層は、酸化イットリウム又は酸化ジルコニウムを含む。
[0010]いくつかの実施形態では、セラミック層の厚さは、５０μｍ～２００μｍの範囲に及ぶ。
[0011]いくつかの実施形態では、酸化皮膜層は、本体の被覆されるべき表面を酸化させることによって作られる。
[0012]いくつかの実施形態では、酸化皮膜層の厚さは、５０μｍ～６０μｍの範囲に及ぶ。
[0013]別の技術的解決策として、本開示はまた、本開示によって提供される上述された反応室コンポーネントを含む反応室を提供する。
[0014]別の技術的解決策として、本開示はまた、５０００系アルミニウム合金材料で本体を製造することと、酸化皮膜層で本体の被覆されるべき表面を被覆することとを含む、反応室コンポーネントを作製するための方法を提供する。
[0015]いくつかの実施形態では、酸化皮膜層で本体の被覆されるべき表面を被覆する処理中に、酸化処理が、酸化皮膜層を形成するために、本体の被覆されるべき表面上に実行され得る。
[0016]いくつかの実施形態では、酸化皮膜層を形成するために、本体の被覆されるべき表面上に酸化処理を実行することは、本体を予熱することと、酸化皮膜層を形成するために、陽極酸化処理のための硝酸及びシュウ酸を含む電気めっき槽中に本体を漬けることとを含む。
[0017]いくつかの実施形態では、硝酸の質量分率とシュウ酸の質量分率との比は、０．８～１．２の範囲に及ぶ。
[0018]いくつかの実施形態では、その比は、１であることができる。
[0019]いくつかの実施形態では、酸化皮膜層で本体の被覆されるべき表面を被覆するステップ後に、方法は更に、酸化皮膜層に封止処理を実行することを含む。
[0020]いくつかの実施形態では、本体の被覆されるべき表面上に酸化皮膜層を形成した後に、方法は更に、セラミック層で本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層の表面を被覆することを含む。
[0021]いくつかの実施形態では、本体の被覆されるべき表面上に酸化皮膜層を形成した後に、しかしセラミック層で本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層の表面を被覆する前に、方法は更に、表面に、セラミック層と酸化皮膜層との間の粘着性を改善することができる所定の粗さを有させるために、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層の表面に粗化処理を実行することを含む。
[0022]いくつかの実施形態では、表面に、セラミック層と酸化皮膜層との間の粘着性を改善することができる所定の粗さを有させるために、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層の表面に粗化処理を実行することは、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層の表面をサンドブラストすることと、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層の表面を洗浄することとを含む。
[0023]いくつかの実施形態では、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層の表面上のセラミック層を被覆することは、酸化皮膜層を予熱することと、事前設定された純度及び事前設定された粒度を有するセラミック粉末を選択することと、セラミック層を形成するために、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層の表面上にセラミック粉末をスプレーすることと、セラミック層をアニールすることとを含む。
[0024]いくつかの実施形態では、事前設定された純度は、９９．９９％よりも高くあり得、事前設定された粒度の値範囲は、５μｍ～１０μｍであり得る。
[0025]本開示は、以下の有益な効果を有する：
[0026]本開示は、反応室コンポーネントのより高い強度の必要性のみを考慮し、６０００系アルミニウム合金を使用する既存の技術における技術的偏見を克服する。本開示では、反応室コンポーネントの本体を製造するために、５０００系アルミニウム合金が使用される。５０００系アルミニウム合金は、Ｓｉ元素をほとんど含有しないＡ５０５２などの加工硬化型ＡｌーＭｇアルミニウム合金であるため、粒界腐食しにくい。それ故に、反応室コンポーネントの耐食性は改善されることができ、それにより、反応室の寿命を増大させ、反応室の表面上の金属汚染を低減する。
[0027]本開示のある実施形態による、反応室コンポーネントの概略構造図である。 [0028]本開示のある実施形態による、反応室コンポーネントを作製するための方法のフローチャートである。 [0029]本開示のある実施形態による、反応室コンポーネントを作製するための方法の別のフローチャートである。
[0030]当業者が本開示の技術的解決策をより良好に理解することを可能にするために、本開示によって提供される反応室コンポーネント、作製方法、及び反応室が、添付の図面を参照して以下で詳細に説明されることになる。
[0031]本明細書では、反応室コンポーネントは、反応室の内壁、内壁上に配置されたライニング、調整ブラケット、及び静電チャックを含み得るが、それらに限定されない。
[0032]図１は、反応室コンポーネントの概略構造図である。図１に示されるように、本開示のある実施形態は、本体１と、本体１の表面の酸化皮膜層１１とを含む、反応室コンポーネントを提供する。本体の被覆されるべき表面は、本体１の被覆されるべき外面全体であることができるか、又はそれは、本体１の被覆されるべき外面の一部を選択的に被覆することもできる。例えば、本体の被覆されるべき表面は、反応室中に露出される本体１の被覆されるべき表面であることができる。
[0033]本体１は、５０００系アルミニウム合金材料から作られことができる。
[0034]多くの場合、本体を製造するために、６０００系アルミニウム合金が使用される。６０００系アルミニウム合金は、熱処理可能な強化型Ａｌ－Ｍｇ－Ｓｉアルミニウム合金（例えば、Ａ６０６１）である。アルミニウム合金は、より多くのＳｉ元素を添加してＭｇ2Ｓｉ強化相を形成し、それにより、基板の強度を増大させる。しかしながら、過剰なＳｉ元素は、粒界腐食を引き起こす可能性があり、それは、反応室コンポーネントの耐食性に影響を及ぼす。
[0035]この実施形態では、反応室コンポーネントのより高い強度の必要性のみを考慮し、６０００系アルミニウム合金を使用する既存の技術における技術的バイアスが克服されることができる。本体１を製造するために、５０００系アルミニウム合金が使用される。５０００系アルミニウム合金は、加工硬化型Ａｌ－Ｍｇアルミニウム合金（例えば、Ａ５０５２、Ａ５０５４、Ａ５０８３、等）であり、Ｓｉ元素をほとんど含有しないので、粒界腐食しにくい。それ故に、反応室コンポーネントの耐食性は改善されることができ、それにより、反応室の寿命を改善し、反応室コンポーネントの表面上の金属汚染を低減する。
[0036]この実施形態では、酸化皮膜層１１は、本体１の被覆されるべき表面を酸化させることによって作られる。酸化皮膜層１１は、高い粗さと、良好な耐食性及び耐磨耗性とを有する。いくつかの実施形態では、酸化皮膜層１１の厚さは、５０μｍ～６０μｍの範囲に及ぶ。
[0037]この実施形態では、反応室コンポーネントは更に、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層１１の表面を被覆するセラミック層１２を含む。セラミック層１２は、プラズマによる腐食を防止するためのバリア層として使用されることができるため、反応室コンポーネントの耐食性は、更に改善されることができる。
[0038]いくつかの実施形態では、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層１１の表面は、セラミック層１２と酸化皮膜層１１との間の粘着性を改善するための所定の粗さを有する。好ましくは、所定の粗さは、３．２μｍ～６．３μｍの範囲に及び、この範囲内では、酸化皮膜層１１及びセラミック層１２は、強固な粘着性を有する。
[0039]ここで、上述された所定の粗さは、プラズマサンドブラストによって得られることができるが、それに限定されないことに留意されたい。
[0040]いくつかの実施形態では、上述されたセラミック層１２は、まず、本体１の温度が１００℃～１２０℃に達するまで本体１を予熱し、次いで、９９．９９％よりも高い純度及び５μｍ～１０μｍの粒度範囲を有するセラミック粉末を選択し、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層１１の表面上にセラミック粉末をスプレーして、上述されたセラミック層１２を形成し、その後、セラミック層１２をアニールし、好ましくは、ただしそれに限定されないが、１００℃～１２０℃の温度で２～５時間アニールするという方法によって得られることができる。この方法によって形成されたセラミック層１２は、より高い純度及び密度を有することができるだけでなく、より小さい気孔率も有することができ、それは、プラズマによる腐食をより良好に防止することができる。
[0041]いくつかの実施形態では、セラミック層１２は、酸化イットリウム又は酸化ジルコニウムを含むが、それらに限定されない。酸化イットリウムと酸化ジルコニウムとの両方は、酸化アルミニウムよりも良好なプラズマ耐食性及びより長い寿命を有するので、酸化アルミニウムのみがバリア層として使用される既存の技術におけるバリア層と比較して、酸化皮膜層１１及びセラミック層１２の２つのバリア層の使用は、反応室コンポーネントの耐食性及び寿命を大幅に改善することができる。
[0042]加えて、セラミック層１２の厚さは、５０μｍ～２００μｍの範囲に及び、それは、耐食性の要件を十分に満たすことができる。
[0043]本開示のある実施形態によると、本開示の前述の実施形態において提供される反応室コンポーネントを含む反応室が更に提供される。
[0044]具体的には、反応室は、物理蒸着室、化学蒸着室、エッチング室を含むが、それらに限定されない。
[0045]本開示の実施形態によって提供される反応室は、上記の実施形態において提供される反応室コンポーネントを使用することによって、反応室の耐食性を改善することができ、それにより、反応室の寿命を増大し、反応室コンポーネントの表面上の金属汚染を低減する。
[0046]図１及び図２を参照すると、本開示の実施形態によって提供される反応室コンポーネントを作製するための方法は、以下を含む：
Ｓ１：５０００系アルミニウム合金材料を使用することによって本体１を製造すること、及び、
Ｓ２：酸化皮膜層１１で本体１の被覆されるべき表面を被覆すること。
[0047]反応室コンポーネントを作製するために、本開示の実施形態において提供された上記の作製方法を使用することは、反応室コンポーネントの耐食性を改善することができ、それにより、反応室の寿命を増大させ、反応室コンポーネントの表面上の金属汚染を低減する。
[0048]上記のステップＳ２では、酸化皮膜層１１を形成するために、本体１の被覆されるべき表面が酸化され得る。酸化皮膜層１１は、高い強度と、良好な耐食性及び耐磨耗性とを有し得る。いくつかの実施形態では、酸化皮膜層の厚さは、５０μｍ～６０μｍの範囲に及ぶ。
[0049]いくつかの実施形態では、前述のＳ２は、以下を含む：
Ｓ２１：本体１を予熱すること、及び、
Ｓ２２：酸化皮膜層１１を形成するために、陽極酸化処理を実行するための硝酸及びシュウ酸を含む電気めっき槽中に本体１を漬けること。
[0050]上記のステップＳ２１では、好ましくは、コンポーネント本体１を３０℃～４０℃の温水に漬けて予熱することができる。具体的には、攪拌法を使用して電気めっき槽中の溶液を均一な温度に保つことができ、実際の処理温度に応じて温度を設定することができる。
[0051]上記のステップＳ２２では、混酸陽極酸化法を適用することによって、酸化皮膜層１１が形成されることができる。多くの場合、６０００系アルミニウム合金は、より多くのＳｉ材料を含有する。陽極酸化処理中に、ケイ素は、元素粒子として皮膜中に残存し、酸化又は溶解されないことがある。混酸系陽極酸化は、高電圧を必要とする。皮膜中に残存したケイ素は、酸化皮膜の気孔率を容易により大きくする可能性があり、皮膜が厚いとクラックを形成しやすくなる。この実施形態では、本体１が５０００系アルミニウム合金材料から作られ、酸化皮膜層１１が混酸陽極酸化法によって形成されているので、それは、強度の要件を満たすことができるだけでなく、酸化皮膜層１１の密度についての要件も満たすことができる。
[0052]従って、５０００系アルミニウム合金材料を使用することによって本体１を製造するための方法に基づいて、上記のステップＳ２２は、混酸陽極酸化法を使用して酸化皮膜層１１を形成することであり、それは、酸化皮膜層１１の気孔率を低減することができるだけでなく、高温（例えば、８０℃～１２０℃）でのクラックの発生を回避するためにより良好な温度耐性を有する酸化皮膜層１１を得ることもでき、１４ｎｍを超えるエッチング装置の要件を満たすのにより適している。当然ながら、実際の応用では、酸化皮膜層１１を形成するために、他の酸化法が使用されることもできる。
[0053]好ましくは、硝酸の質量分率とシュウ酸の質量分率との比は、０．８～１．２の範囲に及ぶ。より好ましくは、その比は、１とすることができ、それは更に、酸化皮膜層１１の気孔率を低減することができる。
[0054]いくつかの実施形態では、上記のステップＳ２の後に、方法は更に、酸化皮膜層１１に封止処理を実行することを含む。具体的には、封止処理は、加圧（例えば１１０ｋＰａ）水蒸気封止又は沸騰水封止などの方法を採用することができる。
[0055]実際の用途では、他の混酸、例えば、硝酸とクロム酸、硝酸とリン酸、等が使用されることもできる。
[0056]図３を参照すると、好ましくは、上記のステップＳ２の後に、方法は更に以下を含む：
Ｓ３：セラミック層１２で本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層１１の表面を被覆すること。
[0057]セラミック層１２は、プラズマによる腐食を防止するためのバリア層として使用されることができるので、反応室コンポーネントの耐食性が更に改善されることができる。
[0058]いくつかの実施形態では、セラミック層１２の厚さは、５０μｍ～２００μｍの範囲に及び、この範囲は、耐食性要件を十分に満たすことができる。
[0059]いくつかの実施形態では、ステップＳ２の後且つステップＳ３の前に、方法は更に以下を含む：
[0060]ステップ２３では、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層１１の表面は、表面がセラミック層１２と酸化皮膜層１１との間の粘着性を改善するための所定の粗さを有することができるように、粗化され得る。
[0061]更に、前述された所定の粗さの値範囲は、３．２μｍ～６．３μｍであり得、この範囲内では、酸化皮膜層１１とセラミック層１２との間の粘着性は、強固であることができる。
[0062]加えて、好ましくは、上記のステップＳ２３は、以下を含む：
Ｓ２３１：本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層１１の表面をサンドブラストすること、及び、
Ｓ２３２：本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層１１の表面を洗浄すること。
[0063]上記のステップＳ２３１では、サンドブラストの方法は、プラズマサンドブラストの方法であることができるが、それに限定されない。
[0064]いくつかの実施形態では、上記のステップＳ３は、以下を含む：
Ｓ３１：酸化皮膜層１１を予熱すること、
Ｓ３２：事前設定された純度及び事前設定された粒度を有するセラミック粉末を選択すること、及び、セラミック層１２を形成するために、本体の被覆されるべき表面から離れた酸化皮膜層１１の表面にセラミック粉末をスプレーすること、及び、
Ｓ３３：セラミック層をアニールすること。
[0065]上記のステップＳ３１では、本体１の温度が１００℃～１２０℃に達するまで、本体１は予熱され得る。
[0066]上記のステップＳ３２では、いくつかの実施形態では、事前設定された純度は、９９．９９％よりも高くあることができ、事前設定された粒度の値範囲は、５μｍ～１０μｍであることができる。
[0067]上記のステップＳ３３では、１００℃～１２０℃の温度で２～５時間アニールすることが好ましいが、それに限定されない。
[0068]この方法によって形成されたセラミック層１２は、より高い純度及び密度を有することができるだけでなく、より小さい気孔率も有することができ、それは、プラズマによる腐食をより良好に防止することができる。
[0069]いくつかの実施形態では、セラミック層１２は、酸化イットリウム又は酸化ジルコニウムを含む。酸化イットリウムと酸化ジルコニウムとの両方が、酸化アルミニウムよりも良好なプラズマ耐食性及びより長い寿命を有するので、酸化アルミニウムのみがバリア層として使用される既存の技術と比較して、酸化皮膜層１１及びセラミック層１２の２つのバリア層の使用は、反応室コンポーネントの耐食性及び寿命を大きく改善することができる。
[0070]上記の実装形態は、本開示の原理を例示するために使用される単に例証的な実装形態に過ぎず、本開示はそれに限定されないことを理解されたい。当業者であれば、本開示の趣旨及び本質から逸脱することなく様々な修正及び改善を行うことができ、これらの修正及び改善もまた本開示の範囲と見なされる。
以下に、出願当初の特許請求の範囲に記載の事項を、そのまま、付記しておく。
［Ｃ１］
反応室コンポーネントであって、
本体と、
前記本体の被覆されるべき表面上に配置される酸化皮膜層と
を備え、前記本体は、５０００系アルミニウム合金材料から作られる、反応室コンポーネント。
［Ｃ２］
前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の表面を被覆するセラミック層を更に備える、Ｃ１に記載の反応室コンポーネント。
［Ｃ３］
前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の前記表面は、前記セラミック層と前記酸化皮膜層との間の粘着性を改善するための所定の粗さを有する、
Ｃ２に記載の反応室コンポーネント。
［Ｃ４］
前記所定の粗さは、３．２μｍ～６．３μｍの値範囲を有する、Ｃ３に記載の反応室コンポーネント。
［Ｃ５］
前記セラミック層は、酸化イットリウム又は酸化ジルコニウムを備える、Ｃ２に記載の反応室コンポーネント。
［Ｃ６］
前記セラミック層の厚さは、５０μｍ～２００μｍの範囲に及ぶ、Ｃ２に記載の反応室コンポーネント。
［Ｃ７］
前記酸化皮膜層は、前記本体の前記被覆されるべき表面を酸化させることによって作られる、Ｃ１に記載の反応室コンポーネント。
［Ｃ８］
前記酸化皮膜層の厚さは、５０μｍ～６０μｍの範囲に及ぶ、Ｃ１に記載の反応室コンポーネント。
［Ｃ９］
Ｃ１～８のうちのいずれか一項に記載の前記反応室コンポーネントを備える、反応室。
［Ｃ１０］
反応室コンポーネントを作製するための方法であって、
５０００系アルミニウム合金材料を使用することによって本体を製造することと、
酸化皮膜層で前記本体の被覆されるべき表面を被覆することと
を備える、方法。
［Ｃ１１］
前記酸化皮膜層で前記本体の前記被覆されるべき表面を被覆するステップ中に、前記酸化皮膜層を形成するために、前記表面に酸化処理を実行する、Ｃ１０に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
［Ｃ１２］
前記酸化皮膜層を形成するために、前記本体の前記被覆されるべき表面上に酸化処理を実行するステップは、
前記コンポーネント本体を予熱することと、
前記酸化皮膜層を形成するために、陽極酸化処理のための硝酸及びシュウ酸を含む電気めっき槽中に前記本体を漬けることと
を備える、Ｃ１１に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
［Ｃ１３］
硝酸の質量分率とシュウ酸の質量分率との比は、０．８～１．２の範囲に及ぶ、Ｃ１２に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
［Ｃ１４］
前記比は、１である、Ｃ１３に機作の反応室コンポーネントを作製するための方法。
［Ｃ１５］
前記酸化皮膜層で前記本体の前記被覆されるべき表面を被覆するステップ後に、前記方法は、
前記酸化皮膜層に封止処理を実行することを更に備える、Ｃ１０に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
［Ｃ１６］
前記本体の前記被覆されるべき表面上で酸化皮膜層を形成するステップ後に、前記方法は、
セラミック層で前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の表面を被覆することを更に備える、Ｃ１０に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
［Ｃ１７］
前記本体の前記被覆されるべき表面上に酸化皮膜層を形成するステップ後に、及び前記セラミック層で前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記皮膜層の前記表面を被覆する前に、前記方法は、
前記表面に、前記セラミック層と前記酸化皮膜層との間の粘着性を改善することができる所定の粗さを有させるために、前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の前記表面を粗化することを更に備える、Ｃ１６に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
［Ｃ１８］
前記表面に、前記セラミック層と前記酸化皮膜層との間の粘着性を改善することができる所定の粗さを有させるために、前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の前記表面を粗化するステップは、
前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の前記表面をサンドブラストすることと、
前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の前記表面を洗浄することと
を備える、Ｃ１７に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
［Ｃ１９］
前記セラミック層で前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の前記表面を被覆するステップは、
前記酸化皮膜層を予熱することと、
事前設定された純度及び事前設定された粒度を有するセラミック粉末を選択することと、前記セラミック層を形成するために、前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の前記表面に前記セラミック粉末をスプレーすることと、
前記セラミック層をアニールすることと
を備える、Ｃ１６に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
［Ｃ２０］
前記事前設定された純度は、９９．９９％よりも高く、前記事前設定された粒度の値範囲は、５μｍ～１０μｍである、Ｃ１９に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。

Claims (14)

  1. 反応室コンポーネントであって、前記反応室コンポーネントを備える反応室は、プラズマの生成のために使用され、前記反応室コンポーネントは、
    本体と、
    前記本体の被覆されるべき表面上に配置される酸化皮膜層と
    を備え、前記本体は、５０００系アルミニウム合金材料から作られ、
    前記本体の前記被覆されるべき表面は、前記反応室中に露出される前記本体の表面であり、
    前記反応室コンポーネントは、前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の表面を被覆するセラミック層を更に備え、
    前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の前記表面は、前記反応室中に露出される前記酸化皮膜層の表面であり、
    前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の前記表面は、前記セラミック層と前記酸化皮膜層との間の粘着性を改善するための所定の粗さを有し、
    前記所定の粗さは、３．２μｍ～６．３μｍの値範囲を有する、反応室コンポーネント。
  2. 前記セラミック層は、酸化イットリウム又は酸化ジルコニウムを備える、請求項１に記載の反応室コンポーネント。
  3. 前記セラミック層の厚さは、５０μｍ～２００μｍの範囲に及ぶ、請求項１に記載の反応室コンポーネント。
  4. 前記酸化皮膜層は、前記本体の前記被覆されるべき表面を酸化させることによって作られる、請求項１に記載の反応室コンポーネント。
  5. 前記酸化皮膜層の厚さは、５０μｍ～６０μｍの範囲に及ぶ、請求項１に記載の反応室コンポーネント。
  6. 請求項１～５のうちのいずれか一項に記載の前記反応室コンポーネントを備える、反応室。
  7. 反応室コンポーネントを作製するための方法であって、前記反応室コンポーネントを備える反応室は、プラズマの生成のために使用され、反応室コンポーネントを作製するための前記方法は、
    ５０００系アルミニウム合金材料を使用することによって本体を製造することと、
    酸化皮膜層で前記本体の被覆されるべき表面を被覆することと、ここにおいて、前記本体の前記被覆されるべき表面は、前記反応室中に露出される前記本体の表面である、
    前記表面に、セラミック層と前記酸化皮膜層との間の粘着性を改善することができる所定の粗さを有させるために、前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の表面を粗化することと、ここにおいて、前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の前記表面は、前記反応室中に露出される前記酸化皮膜層の表面であり、前記所定の粗さは、３．２μｍ～６．３μｍの値範囲を有する、
    前記セラミック層で前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の前記表面を被覆することと
    を備える、反応室コンポーネントを作製するための方法。
  8. 前記酸化皮膜層で前記本体の前記被覆されるべき表面を被覆するステップ中に、前記酸化皮膜層を形成するために、前記表面に酸化処理を実行する、請求項７に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
  9. 前記酸化皮膜層を形成するために、前記本体の前記被覆されるべき表面上に酸化処理を実行するステップは、
    前記本体を予熱することと、
    前記酸化皮膜層を形成するために、陽極酸化処理のための硝酸及びシュウ酸を含む電気めっき槽中に前記本体を漬けることと
    を備える、請求項８に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
  10. 硝酸の質量分率とシュウ酸の質量分率との比は、０．８～１．２の範囲に及ぶ、請求項９に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
  11. 前記比は、１である、請求項１０に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
  12. 前記酸化皮膜層で前記本体の前記被覆されるべき表面を被覆するステップ後に、前記方法は、
    前記酸化皮膜層に封止処理を実行することを更に備える、請求項７に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
  13. 前記表面に、前記セラミック層と前記酸化皮膜層との間の粘着性を改善することができる所定の粗さを有させるために、前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の前記表面を粗化するステップは、
    前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の前記表面をサンドブラストすることと、
    前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の前記表面を洗浄することと
    を備える、請求項７に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
  14. 前記セラミック層で前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の前記表面を被覆するステップは、
    前記酸化皮膜層を予熱することと、
    事前設定された純度及び事前設定された粒度を有するセラミック粉末を選択することと、前記セラミック層を形成するために、前記本体の前記被覆されるべき表面から離れた前記酸化皮膜層の前記表面に前記セラミック粉末を溶射することと、ここにおいて、前記事前設定された純度は、９９．９９％よりも高く、前記事前設定された粒度の値範囲は、５μｍ～１０μｍである、
    前記セラミック層をアニールすることと
    を備える、請求項７に記載の反応室コンポーネントを作製するための方法。
JP2020547138A 2018-03-08 2018-12-03 反応室コンポーネント、作製方法、及び反応室 Active JP7066868B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810190001.5A CN110246738A (zh) 2018-03-08 2018-03-08 反应腔室部件结构及其制备方法、反应腔室
CN201820317132.0 2018-03-08
CN201820317132.0U CN208580713U (zh) 2018-03-08 2018-03-08 反应腔室部件结构及反应腔室
CN201810190001.5 2018-03-08
PCT/CN2018/118897 WO2019169912A1 (zh) 2018-03-08 2018-12-03 反应腔室部件及其制备方法、反应腔室

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021515849A JP2021515849A (ja) 2021-06-24
JP7066868B2 true JP7066868B2 (ja) 2022-05-13

Family

ID=67845803

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020547138A Active JP7066868B2 (ja) 2018-03-08 2018-12-03 反応室コンポーネント、作製方法、及び反応室

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20200406222A1 (ja)
JP (1) JP7066868B2 (ja)
KR (1) KR102434345B1 (ja)
WO (1) WO2019169912A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006241589A (ja) 2005-01-18 2006-09-14 Applied Materials Inc 多層コーティングを有する耐食アルミニウムコンポーネント
WO2006135043A1 (ja) 2005-06-17 2006-12-21 Tohoku University 金属部材の保護膜構造及び保護膜構造を用いた金属部品並びに保護膜構造を用いた半導体又は平板ディスプレイ製造装置
JP2007180291A (ja) 2005-12-28 2007-07-12 Kobe Steel Ltd プラズマ処理装置用部材
JP2016500757A (ja) 2012-10-17 2016-01-14 コンステリウム フランス アルミニウム合金製真空チャンバ要素
JP2017150085A (ja) 2014-09-17 2017-08-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用の部品の製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2943634B2 (ja) * 1994-11-16 1999-08-30 株式会社神戸製鋼所 ＡｌまたはＡｌ合金製真空チャンバ部材の表面処理方法
KR200418119Y1 (ko) * 2005-01-18 2006-06-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 다층 코팅된 내식성 알루미늄 부품
KR100995774B1 (ko) * 2008-06-25 2010-11-22 주식회사 아스플로 세라믹이 코팅된 반도체 제조용 부품 제조방법
CN103484809B (zh) * 2012-06-14 2015-09-02 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 抗腐蚀涂层的制作方法、抗腐蚀涂层、等离子体加工设备
CN103794458B (zh) * 2012-10-29 2016-12-21 中微半导体设备(上海)有限公司 用于等离子体处理腔室内部的部件及制造方法
US9865434B2 (en) * 2013-06-05 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Rare-earth oxide based erosion resistant coatings for semiconductor application
US20150099359A1 (en) * 2013-10-03 2015-04-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Nozzle design for improved distribution of reactants for large format substrates
CN104916564B (zh) * 2014-03-13 2018-01-09 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室以及等离子体加工设备
US20180195196A1 (en) * 2017-01-06 2018-07-12 Mks Instruments, Inc. Protective oxide coating with reduced metal concentrations

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006241589A (ja) 2005-01-18 2006-09-14 Applied Materials Inc 多層コーティングを有する耐食アルミニウムコンポーネント
WO2006135043A1 (ja) 2005-06-17 2006-12-21 Tohoku University 金属部材の保護膜構造及び保護膜構造を用いた金属部品並びに保護膜構造を用いた半導体又は平板ディスプレイ製造装置
JP2007180291A (ja) 2005-12-28 2007-07-12 Kobe Steel Ltd プラズマ処理装置用部材
JP2016500757A (ja) 2012-10-17 2016-01-14 コンステリウム フランス アルミニウム合金製真空チャンバ要素
JP2017150085A (ja) 2014-09-17 2017-08-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用の部品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019169912A1 (zh) 2019-09-12
KR102434345B1 (ko) 2022-08-19
US20200406222A1 (en) 2020-12-31
KR20200112949A (ko) 2020-10-05
JP2021515849A (ja) 2021-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3308091B2 (ja) 表面処理方法およびプラズマ処理装置
JP5313227B2 (ja) 半導体材料処理装置のアルミニウムめっき構成要素および該構成要素を製造する方法
US7364798B2 (en) Internal member for plasma-treating vessel and method of producing the same
CN104046981B (zh) 等离子体室部件上的抗腐蚀铝涂层
JP4796464B2 (ja) 耐食性に優れたアルミニウム合金部材
TW201510288A (zh) 用於電鍍黏附之陽極氧化架構
US20220336192A1 (en) Metal component and manufacturing method thereof and process chamber having the metal component
JP3761040B2 (ja) 真空装置用構造材料および真空装置用構造部材
KR20230027298A (ko) 내침식성 금속 플루오르화 코팅된 물건들, 이들의 제조 방법 및 사용 방법
JP6257944B2 (ja) アルミニウム合金部材およびアルミニウム合金の表面保護膜形成方法
JP2004003022A (ja) プラズマ処理容器内部材
CN113891960B (zh) 耐蚀性构件
JP2003321760A (ja) プラズマ処理容器内部材およびその製造方法
JP7066868B2 (ja) 反応室コンポーネント、作製方法、及び反応室
US20240271310A1 (en) Reaction chamber component, preparation method, and reaction chamber
CN110246738A (zh) 反应腔室部件结构及其制备方法、反应腔室
KR20170055431A (ko) 금속부품 및 그 제조 방법 및 금속부품을 구비한 공정챔버
JP2023116088A (ja) 金属材料及びプラズマ発生装置
CN117070878A (zh) 耐腐蚀涂层、提高表面耐腐蚀性的方法和半导体处理装置
JP2007126752A (ja) プラズマ処理容器内部材およびその製造方法
JP2007119924A (ja) プラズマ処理容器内用高純度溶射皮膜被覆部材およびその製造方法
JP2011093772A (ja) 耐プラズマ特性を備えたグラファイト部材

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201022

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210914

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210928

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211222

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220329

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220427

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7066868

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150