RU2008108012A - Способ применения nf3 для удаления поверхностных отложений - Google Patents

Способ применения nf3 для удаления поверхностных отложений Download PDF

Info

Publication number
RU2008108012A
RU2008108012A RU2008108012/02A RU2008108012A RU2008108012A RU 2008108012 A RU2008108012 A RU 2008108012A RU 2008108012/02 A RU2008108012/02 A RU 2008108012/02A RU 2008108012 A RU2008108012 A RU 2008108012A RU 2008108012 A RU2008108012 A RU 2008108012A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
source
silicon
gas mixture
oxygen
surface deposits
Prior art date
Application number
RU2008108012/02A
Other languages
English (en)
Inventor
Бо БАЙ (US)
Бо БАЙ
Герберт Х. СОВИН (US)
Герберт Х. СОВИН
Original Assignee
Массачусетс Инститьют Оф Текнолоджи (Us)
Массачусетс Инститьют Оф Текнолоджи
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Массачусетс Инститьют Оф Текнолоджи (Us), Массачусетс Инститьют Оф Текнолоджи filed Critical Массачусетс Инститьют Оф Текнолоджи (Us)
Publication of RU2008108012A publication Critical patent/RU2008108012A/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

1. Способ удаления поверхностных отложений, причем указанный способ включает ! (a) активирование в удаленной камере газовой смеси, содержащей источник кислорода и NF3, используя достаточную мощность в течение достаточного времени, чтобы указанная газовая смесь достигла нейтральной температуры по меньшей мере примерно 3000 K для образования активированной газовой смеси, и после этого ! (b) приведение указанной активированной газовой смеси в контакт с поверхностными отложениями, удаляя тем самым по меньшей мере некоторые из указанных поверхностных отложений. ! 2. Способ по п.1, в котором указанные поверхностные отложения удаляются с внутренних поверхностей рабочей камеры, которая используется при изготовлении электронных приборов. ! 3. Способ по п.1, в котором указанный источник кислорода является газообразным кислородом или оксидами азота. ! 4. Способ по п.3, в котором указанный источник кислорода является газообразным кислородом. ! 5. Способ по п.1, в котором поверхностное отложение выбрано из группы, состоящей из кремния, допированного кремния, нитрида кремния, вольфрама, диоксида кремния, оксинитрида кремния, карбида кремния и различных кислородсодержащих соединений кремния, называемых low-k материалами. ! 6. Способ по п.5, в котором поверхностное отложение является нитридом кремния. ! 7. Способ по п.1, в котором указанная мощность генерируется источником радиочастотного излучения, источником постоянного тока или источником микроволнового излучения. ! 8. Способ по п.7, в котором указанная мощность генерируется источником радиочастотного излучения. ! 9. Способ по п.8, в котором указанная активированная газовая смесь в удаленно

Claims (14)

1. Способ удаления поверхностных отложений, причем указанный способ включает
(a) активирование в удаленной камере газовой смеси, содержащей источник кислорода и NF3, используя достаточную мощность в течение достаточного времени, чтобы указанная газовая смесь достигла нейтральной температуры по меньшей мере примерно 3000 K для образования активированной газовой смеси, и после этого
(b) приведение указанной активированной газовой смеси в контакт с поверхностными отложениями, удаляя тем самым по меньшей мере некоторые из указанных поверхностных отложений.
2. Способ по п.1, в котором указанные поверхностные отложения удаляются с внутренних поверхностей рабочей камеры, которая используется при изготовлении электронных приборов.
3. Способ по п.1, в котором указанный источник кислорода является газообразным кислородом или оксидами азота.
4. Способ по п.3, в котором указанный источник кислорода является газообразным кислородом.
5. Способ по п.1, в котором поверхностное отложение выбрано из группы, состоящей из кремния, допированного кремния, нитрида кремния, вольфрама, диоксида кремния, оксинитрида кремния, карбида кремния и различных кислородсодержащих соединений кремния, называемых low-k материалами.
6. Способ по п.5, в котором поверхностное отложение является нитридом кремния.
7. Способ по п.1, в котором указанная мощность генерируется источником радиочастотного излучения, источником постоянного тока или источником микроволнового излучения.
8. Способ по п.7, в котором указанная мощность генерируется источником радиочастотного излучения.
9. Способ по п.8, в котором указанная активированная газовая смесь в удаленной камере образует тороидальную конфигурацию, а указанная радиочастотная энергия является индуктивно-трансформаторно связанной и имеющей частоту ниже 1000 кГц.
10. Способ по п.9, в котором для усиления указанной индуктивной связи используется по меньшей мере один магнитный сердечник.
11. Способ по п.1, в котором давление в удаленной камере составляет от 0,1 торр до 20 торр.
12. Способ по п.1, в котором указанная газовая смесь, кроме того, содержит газ-носитель.
13. Способ по п.12, в котором указанный газ-носитель является по меньшей мере одним газом, выбранным из группы газов, состоящей из азота, аргона и гелия.
14. Способ по п.13, в котором указанный газ-носитель является аргоном, гелием или их смесью.
RU2008108012/02A 2005-08-02 2006-08-02 Способ применения nf3 для удаления поверхностных отложений RU2008108012A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US70484005P 2005-08-02 2005-08-02
US60/704,840 2005-08-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2008108012A true RU2008108012A (ru) 2009-09-10

Family

ID=37432251

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008108012/02A RU2008108012A (ru) 2005-08-02 2006-08-02 Способ применения nf3 для удаления поверхностных отложений

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20070028944A1 (ru)
JP (1) JP2009503270A (ru)
KR (1) KR20080050402A (ru)
CN (2) CN101278072A (ru)
RU (1) RU2008108012A (ru)
TW (1) TW200718802A (ru)
WO (1) WO2007016631A1 (ru)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8501624B2 (en) 2008-12-04 2013-08-06 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Excited gas injection for ion implant control
US20100252047A1 (en) 2009-04-03 2010-10-07 Kirk Seth M Remote fluorination of fibrous filter webs
US10256142B2 (en) 2009-08-04 2019-04-09 Novellus Systems, Inc. Tungsten feature fill with nucleation inhibition
US8501283B2 (en) * 2010-10-19 2013-08-06 Lam Research Corporation Methods for depositing bevel protective film
CN102002686A (zh) * 2010-11-02 2011-04-06 深圳市华星光电技术有限公司 化学气相沉积设备及其冷却箱
US10225919B2 (en) * 2011-06-30 2019-03-05 Aes Global Holdings, Pte. Ltd Projected plasma source
CN103071647A (zh) * 2012-01-21 2013-05-01 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 喷淋头的清洗方法
CN102615068B (zh) * 2012-03-26 2015-05-20 中微半导体设备(上海)有限公司 Mocvd设备的清洁方法
US11437269B2 (en) 2012-03-27 2022-09-06 Novellus Systems, Inc. Tungsten feature fill with nucleation inhibition
CN103219227A (zh) * 2013-04-09 2013-07-24 上海华力微电子有限公司 等离子体清洗方法
CN103556127A (zh) * 2013-11-13 2014-02-05 上海华力微电子有限公司 一种气相沉积成膜设备的清洗方法
CN103962353B (zh) * 2014-03-31 2016-03-02 上海华力微电子有限公司 等离子体刻蚀装置的腔体清洗方法
US9997405B2 (en) 2014-09-30 2018-06-12 Lam Research Corporation Feature fill with nucleation inhibition
US9828672B2 (en) * 2015-03-26 2017-11-28 Lam Research Corporation Minimizing radical recombination using ALD silicon oxide surface coating with intermittent restoration plasma
EP3095893A1 (en) * 2015-05-22 2016-11-23 Solvay SA A process for etching and chamber cleaning and a gas therefor
JP2017157778A (ja) * 2016-03-04 2017-09-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US10381235B2 (en) * 2016-05-29 2019-08-13 Tokyo Electron Limited Method of selective silicon nitride etching
KR102652258B1 (ko) * 2016-07-12 2024-03-28 에이비엠 주식회사 금속부품 및 그 제조 방법 및 금속부품을 구비한 공정챔버
CN109844904B (zh) * 2016-08-05 2023-04-28 应用材料公司 通过等离子体处理的氟化铝减少
US10573522B2 (en) 2016-08-16 2020-02-25 Lam Research Corporation Method for preventing line bending during metal fill process
US10211099B2 (en) * 2016-12-19 2019-02-19 Lam Research Corporation Chamber conditioning for remote plasma process
KR20200086750A (ko) 2017-12-07 2020-07-17 램 리써치 코포레이션 챔버 내 산화 내성 보호 층 컨디셔닝
US10760158B2 (en) 2017-12-15 2020-09-01 Lam Research Corporation Ex situ coating of chamber components for semiconductor processing
CN113166929A (zh) 2018-12-05 2021-07-23 朗姆研究公司 无空隙低应力填充
CN113196444B (zh) * 2018-12-20 2024-07-02 应用材料公司 用于供应改良的气流至处理腔室的处理空间的方法和设备
CN114293173B (zh) * 2021-12-17 2024-02-09 厦门钨业股份有限公司 一种碳掺杂化学气相沉积钨涂层的装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5211176A (en) * 1975-07-18 1977-01-27 Toshiba Corp Activation gas reaction apparatus
US5626775A (en) * 1996-05-13 1997-05-06 Air Products And Chemicals, Inc. Plasma etch with trifluoroacetic acid and derivatives
US5788778A (en) * 1996-09-16 1998-08-04 Applied Komatsu Technology, Inc. Deposition chamber cleaning technique using a high power remote excitation source
US5824375A (en) * 1996-10-24 1998-10-20 Applied Materials, Inc. Decontamination of a plasma reactor using a plasma after a chamber clean
US6107192A (en) * 1997-12-30 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Reactive preclean prior to metallization for sub-quarter micron application
US6325861B1 (en) * 1998-09-18 2001-12-04 Applied Materials, Inc. Method for etching and cleaning a substrate
KR100767762B1 (ko) * 2000-01-18 2007-10-17 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 자가 세정을 위한 원격 플라즈마 소스를 구비한 cvd 반도체 공정장치
EP1127957A1 (en) * 2000-02-24 2001-08-29 Asm Japan K.K. A film forming apparatus having cleaning function
US6391146B1 (en) * 2000-04-11 2002-05-21 Applied Materials, Inc. Erosion resistant gas energizer
US7294563B2 (en) * 2000-08-10 2007-11-13 Applied Materials, Inc. Semiconductor on insulator vertical transistor fabrication and doping process
US6815362B1 (en) * 2001-05-04 2004-11-09 Lam Research Corporation End point determination of process residues in wafer-less auto clean process using optical emission spectroscopy
DE60237380D1 (de) * 2001-08-30 2010-09-30 Anelva Corp Plasmareinigungsverfahren
US6767836B2 (en) * 2002-09-04 2004-07-27 Asm Japan K.K. Method of cleaning a CVD reaction chamber using an active oxygen species
US7371688B2 (en) * 2003-09-30 2008-05-13 Air Products And Chemicals, Inc. Removal of transition metal ternary and/or quaternary barrier materials from a substrate
US20050178333A1 (en) * 2004-02-18 2005-08-18 Asm Japan K.K. System and method of CVD chamber cleaning
US20050241671A1 (en) * 2004-04-29 2005-11-03 Dong Chun C Method for removing a substance from a substrate using electron attachment
US20060144819A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Sawin Herbert H Remote chamber methods for removing surface deposits
WO2007070116A2 (en) * 2005-08-02 2007-06-21 Massachusetts Institute Of Technology Remote chamber method using sulfur fluoride for removing surface deposits from the interior of a cvd /pecvd- plasma chamber

Also Published As

Publication number Publication date
US20070028944A1 (en) 2007-02-08
CN101313085A (zh) 2008-11-26
KR20080050402A (ko) 2008-06-05
WO2007016631A1 (en) 2007-02-08
JP2009503270A (ja) 2009-01-29
CN101278072A (zh) 2008-10-01
TW200718802A (en) 2007-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2008108012A (ru) Способ применения nf3 для удаления поверхностных отложений
RU2008108010A (ru) Способ применения фторида серы для удаления поверхностных отложений
EP0553469A3 (en) Plasma-etching process for the rapid and damage-free cleaning of reaction chambers and principally in the deposition or etching of layers on silicon substrats
Raoux et al. Remote microwave plasma source for cleaning chemical vapor deposition chambers: Technology for reducing global warming gas emissions
US20070107750A1 (en) Method of using NF3 for removing surface deposits from the interior of chemical vapor deposition chambers
SG10201803376RA (en) Atomic layer etch, reactive precursors and energetic sources for patterning applications
Chabert Deep etching of silicon carbide for micromachining applications: Etch rates and etch mechanisms
EP1191123A3 (en) Dual frequency plasma enhanced chemical vapor deposition of silicon carbide layers
US20060144820A1 (en) Remote chamber methods for removing surface deposits
TW200723968A (en) Apparatus and methods for using high frequency chokes in a substrate deposition apparatus
TWI284929B (en) Remote chamber methods for removing surface deposits
TW466266B (en) Gas for removing deposit and removal method using same
SG130195A1 (en) High aspect ratio etch using modulation of rf powers of various frequencies
WO2003088313A3 (en) Improved method for etching vias
KR102275996B1 (ko) 하이드로플루오로올레핀 식각 가스 혼합물
WO2004008816A3 (fr) Procede et dispositif pour la gravure de substrat par plasma inductif a tres forte puissance
KR100452920B1 (ko) 유도결합형 플라즈마 에칭 장치
JP2003178986A5 (ru)
JP2003109795A5 (ru)
KR101738524B1 (ko) 원격플라즈마 세정 장치 및 이를 이용한 세정방법
TWI822194B (zh) 一種晶圓清洗裝置及使用方法
TW200723352A (en) Medium pressure plasma system for removal of surface layers without substrate loss
JPH0635663B2 (ja) 表面処理方法および装置
Bergonzo et al. Photo-CVD of dielectric materials by pseudo-continuous excimer sources
Vartanian et al. Long-term evaluation of a litmas" blue" inductively-coupled plasma device for point-of-use PFC and HFC abatement

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20091005