CN103219227A - 等离子体清洗方法 - Google Patents

等离子体清洗方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103219227A
CN103219227A CN2013101222245A CN201310122224A CN103219227A CN 103219227 A CN103219227 A CN 103219227A CN 2013101222245 A CN2013101222245 A CN 2013101222245A CN 201310122224 A CN201310122224 A CN 201310122224A CN 103219227 A CN103219227 A CN 103219227A
Authority
CN
China
Prior art keywords
plasma
cleaning method
plasma cleaning
radio frequency
seconds
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2013101222245A
Other languages
English (en)
Inventor
桑宁波
周军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Original Assignee
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Microelectronics Corp filed Critical Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority to CN2013101222245A priority Critical patent/CN103219227A/zh
Publication of CN103219227A publication Critical patent/CN103219227A/zh
Priority to US14/081,502 priority patent/US20140302254A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

本发明提供了一种等离子体清洗方法，包括：执行远程等离子体清洗；执行氮气射频原位等离子体清洗；执行保护膜沉积。本发明等离子体清洗方法中采用远程等离子体清洗和氮气射频原位等离子体清洗组合的方式进行清洗，大大改善了晶片的背面被金属铝污染的问题。

Description

等离子体清洗方法
技术领域
本发明涉及集成电路制造技术领域，特别涉及一种等离子体清洗方法。
背景技术
众所周知，集成电路尤其是超大规模集成电路中的主要器件是金属-氧化物-半导体场效应晶体管（metal oxide semiconductor field effect transistor，简称MOS晶体管）。随着器件尺寸的不断缩小，晶体管制造的工艺要求越来越高，晶体管制造过程中所使用的金属种类也越来越多。与此同时，在集成电路制造过程中经常会出现各种金属污染问题。一旦有金属污染硅片的背面，就会造成后续工艺设备的污染，进入后续设备的硅片也会被设备污染，导致硅片和设备的交叉污染。而且，在晶体管制造过程中部分工艺需要在相当高的温度（甚至高于1000摄氏度）下进行，高温状态下，硅片背面的金属就会扩散进入硅片内部，从而造成整个器件的失效。可见，在晶体管制造工艺过程中控制硅片背面的金属污染是非常关键、非常必要的。
其中，化学气相沉积设备通过化学气相沉积方式生长各种薄膜，制成各种晶体管，因此普遍使用于集成电路制造中。使用化学气相沉积设备在硅片上沉积薄膜时，需要先对腔体进行清洗，去除腔体中积累的沉积膜和悬浮在腔体中的微粒。如图1所示，化学气相沉积设备清洗过程一般包括远程等离子体清洗S101和保护膜沉积S102。具体的，首先，在远程等离子体系统（RPS）中通过高频电源（RF）将清洗气体NF3电离，产生含氟等离子体，含氟等离子体通过管路输送到腔体中并与腔体上的沉积膜反应生成含氟气体，含氟气体最后通过泵抽走。接着，在腔体中通入N2和C2H2气体沉积一层保护膜（Season），保护膜（Season）能够减少悬浮颗粒（Particle）掉落在wafer上的机会，同时使得腔体的氛围接近真实沉积薄膜时的环境。
化学气相沉积设备清洗完成后，硅片进入应用材料非晶碳膜（APF）机台沉积非晶碳膜（APF）。在使用应用材料非晶碳膜（APF）机台沉积非晶碳膜（APF）时，全X射线反射荧光测试（TXRF）发现了硅片的背面被金属铝污染，硅片背面的金属铝含量为4200E10Atoms/cm2，严重超出了业界的标准（<10E10Atoms/cm2）。
发明内容
本发明的目的在于提供一种等离子体清洗方法，以解决现有的硅片背面被金属铝沾污的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种等离子体清洗方法，所述等离子体清洗方法包括：
执行远程等离子体清洗；
执行氮气射频原位等离子体清洗；
执行保护膜沉积。
可选的，在所述的等离子体清洗方法中，执行远程等离子体清洗时通入一反应气体，所述反应气体为NF3。
可选的，在所述的等离子体清洗方法中，执行远程等离子体清洗的时间在200秒以上。
可选的，在所述的等离子体清洗方法中，执行氮气射频原位等离子体清洗时通入一反应气体，所述反应气体包括N2。
可选的，在所述的等离子体清洗方法中，执行氮气射频原位等离子体清洗所使用的的射频频率为13.36MHZ。
可选的，在所述的等离子体清洗方法中，执行氮气射频原位等离子体清洗的时间为10秒～30秒。
可选的，在所述的等离子体清洗方法中，执行保护膜沉积时通入一反应气体，所述反应气体为C2H2、He和Ar的混合气体。
可选的，在所述的等离子体清洗方法中，执行保护膜沉积的时间为5秒～20秒。
可选的，在所述的等离子体清洗方法中，还包括执行氧气射频原位等离子体清洗，所述氧气射频原位等离子体清洗在所述远程等离子体清洗之后执行。
可选的，在所述的等离子体清洗方法中，执行氧气射频原位等离子体清洗时通入一反应气体，所述反应气体包括O2。
可选的，在所述的等离子体清洗方法中，执行氧气射频原位等离子体清洗所使用的射频频率为13.36MHZ。
可选的，在所述的等离子体清洗方法中，执行氧气射频原位等离子体清洗的时间为10秒～60秒。
综上所述，本发明等离子体清洗方法中采用远程等离子体清洗和氮气射频原位等离子体清洗组合的方式进行清洗，大大改善了晶片的背面被金属铝污染的问题。
附图说明
图1是现有技术中一种等离子体清洗方法的流程图；
图2是发明实施例的一种等离子体清洗方法1的流程图；
图3是发明实施例的一种等离子体清洗方法2的流程图；。
图4是使用等离子体清洗方法1的膜厚统计图；
图5是使用等离子体清洗方法2的膜厚统计图；
图6是不同清洗方式下硅片背面的金属铝含量统计图；
图7是不同清洗方式下腔室内悬浮颗粒的数量统计图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的等离子体清洗方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
通过研究发现，化学气相沉积设备中加热器（Heater）所用材料是AlN，远程等离子体系统（RPS）中产生的含氟等离子体与加热器（Heater）发生了发生反应，生成了一层很薄的AlxFyOz薄膜。而之后通入N2和C2H2气体进行保护膜（Season）沉积时，N2与AlxFyOz发生反应析出了AlN，导致保护膜（Season）的表面含有金属铝。当硅片进入机台进行非晶碳（APF）薄膜沉积时，硅片的背面与保护膜（Season）接触，导致硅片的背面发生金属铝污染。
为了解决上述问题，本申请提出了如下技术方案：
【实施例一】
请参考图2，图2所示为本发明实施例的一种等离子体清洗方法的流程图。如图2所示，所述等离子体清洗方法1包括以下步骤：
S11：执行远程等离子体清洗；
S13：执行氮气射频原位等离子体清洗；
S14：执行保护膜沉积。
具体的，首先，在远程等离子体系统（RPS）中通入一反应气体，所述反应气体为NF3，通过高频电源将反应气体NF3电离产生含氟等离子体，然后，将含氟等离子体输送到腔室中，接着，执行步骤S11，含氟等离子体与腔体上的沉积膜反应生成含氟气体。远程等离子体清洗的时间一般在200秒以上，优选的，远程等离子体清洗的时间为220秒、240秒、260秒、280秒或300秒。
远程等离子体清洗完成后关闭远程等离子体系统（RPS），之后通过泵抽走含氟气体，接着进行氮气射频原位等离子体清洗。
氮气射频原位等离子体清洗时首先在腔室内通入一反应气体，所述反应气体主要为N2。当N2流量稳定在2000SCCM到10000SCCM时，开启射频，射频为13.36MHZ，功率为600W到1000W。执行步骤S13，N2发生电离产生含氮等离子体，含氮等离子体停留在腔体壁上。氮气射频原位等离子体清洗的时间一般为10秒～30秒，优选的，氮气射频原位等离子体清洗的时间为15秒、20秒或25秒。
例如，通入5500sccm的N2和2000sccm的He，待N2流量稳定开启射频，功率为1000W，开始进行氮气射频原位等离子体清洗，氮气射频原位等离子体清洗的时间为10S。氮气射频原位等离子体清洗完成后关闭反应气体，接着关闭射频。之后，通过泵抽走所有气体，时间大约10秒左右。接着，进行保护膜沉积。
保护膜沉积时通入一反应气体，所述反应气体是C2H2、He和Ar的混合气体。开启射频，开始执行步骤S14，过程中C2H2与停留在腔体壁上的含氮等离子体反应形成一层碳氮化合物，能够增加后续非晶碳层与腔体的粘附力，防止非晶碳从腔体上脱落形成悬浮颗粒（Particle）。保护膜沉积的时间一般在5秒到20秒之间，沉积时间长于5秒，短于20秒。优选的，保护膜沉积的时间为10秒、15秒或18秒。
例如，通入1400sccm的C2H2和10000sccm的Ar和1000sccm的He，稳定5S之后开启射频，功率为1400W，开始进行保护膜沉积，保护膜沉积的时间为10S，保护膜沉积完成后关闭反应气体，接着关闭射频。之后，通过泵抽走所有气体，时间大约20秒左右。
由此可见，保护膜沉积时通入的反应气体中没有包含N2，保护膜沉积沉积过程中AlxFyOz不会发生反应析出AlN，保护膜（Season）的表面也不会含有金属铝污染硅片的背面。
【实施例二】
请参考图3，图3所示为本发明实施例的一种等离子体清洗方法2的流程图。如图3所示，所述等离子体清洗方法2包括以下步骤：
S21：执行远程等离子体清洗；
S22：执行氧气射频原位等离子体清洗；
S23：执行氮气射频原位等离子体清洗；
S24：执行保护膜沉积。
远程等离子体清洗完成后，开始执行步骤S22，。氧气射频原位等离子体清洗时腔室内通入一反应气体，所述反应气体为主要是O2。O2流量稳定在4000SCCM到8000SCCM时，开启射频，射频为13.36MHZ，功率为600W到1000W。O2发生电离产生含氧等离子体，含氧等离子体与腔体撞击交换热量，使得腔体的温度快速上升到成膜工艺所需温度。氧气射频原位等离子体清洗的时间一般在10秒到60秒之间，优选的，氧气射频原位等离子体清洗的时间为20秒、30秒、40秒或50秒。
例如，通入6000sccm的O2和4000sccm的He，待O2流量稳定开启射频，功率为1000W，开始进行氧气射频原位等离子体清洗，氧气射频原位等离子体清洗的时间为10S。氧气射频原位等离子体清洗完成后关闭反应气体，接着关闭射频。之后，通过泵抽走所有气体，时间大约10秒左右。接着，进行氮气射频原位等离子体清洗和保护膜沉积。
其中，氧气射频原位等离子体清洗能够改善腔室内的温度和其它环境参数，使得腔室环境与成膜工艺时的一致。采用氧气射频原位等离子体清洗，能够使得硅片的厚度一致。请参考图4，其使用等离子体清洗方法1的膜厚统计图，如图4所示，没有氧气射频原位等离子体清洗过程，第25片硅片与其他硅片之间的膜厚有比较大的差异，硅片之间的膜厚不一致。请继续参考图5，其为使用等离子体清洗方法2的膜厚统计图，如图5所示，增加氧气射频原位等离子体清洗过程后，硅片之间的膜厚基本没有差别。
化学气相沉积设备清洗时一般采用等离子体清洗方法2，在等离子体清洗方法1的基础上增加氧气射频原位等离子体清洗，采用等离子体清洗方法2能够改善硅片背面的金属铝和悬浮颗粒（Particle）问题，同时保证硅片的膜厚一致。
化学气相沉积设备清洗完成后，硅片进入应用材料非晶碳膜（APF）机台沉积非晶碳膜（APF）。此时，使用全X射线反射荧光测试（TXRF）检测硅片背面的金属铝含量。
请参考图6，其为不同清洗方式下硅片背面的金属铝含量统计图，如图6所示，使用现有技术中一种等离子体清洗方法，金属铝含量为4200E10Atoms/cm2，而远程等离子体清洗之后通入C2H2、He和Ar的混合气体进行保护膜沉积的方式，虽然也能降低硅片背面的金属铝含量和浮颗粒（Particle）的数量，但是硅片背面的金属铝含量超过10E10Atoms/cm2，仍然达不到业界的标准（<10E10Atoms/cm2）。采用本发明实施例提供的等离子体清洗方法1和等离子体清洗方法2，硅片背面的金属铝含量分别为6E10Atoms/cm2和4E10Atoms/cm2，达到了业界的标准（<10E10Atoms/cm2）。可见，使用本发明实施例提供的等离子体清洗方法1或等离子体清洗方法2进行设备清洗，硅片背面的金属铝含量大大降低。
与此同时，腔室内的悬浮颗粒（Particle）的数量也降低了。请参考图7，其为不同清洗方式下腔室内悬浮颗粒的数量统计图，如图7所示，使用现有技术中一种等离子体清洗方法，悬浮颗粒（Particle）的数量是18个，而使用本发明实施例提供的等离子体清洗方法1和等离子体清洗方法2，悬浮颗粒（Particle）的数量都在3个左右。可见，使用本发明实施例提供的等离子体清洗方法1或等离子体清洗方法2，腔室内的悬浮颗粒（Particle）的数量也降低了。
综上，在本发明实施例提供的等离子体清洗方法中，通过远程等离子体清洗和两种原位等离子体清洗相组合的方式进行设备清洗，大大改善了硅片的背面被金属铝污染的问题。进一步的，腔室内的悬浮颗粒（Particle）问题也得到了改善。延长了化学气相沉积设备的维护周期，提高设备的使用寿命。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (12)

1.一种等离子体清洗方法，其特征在于，包括：
执行远程等离子体清洗；
执行氮气射频原位等离子体清洗；
执行保护膜沉积。
2.如权利要求1所述的等离子体清洗方法，其特征在于，执行远程等离子体清洗时通入一反应气体，所述反应气体为NF3。
3.如权利要求2所述的等离子体清洗方法，其特征在于，执行远程等离子体清洗的时间在200秒以上。
4.如权利要求1所述的等离子体清洗方法，其特征在于，执行氮气射频原位等离子体清洗时通入一反应气体，所述反应气体包括N2。
5.如权利要求4所述的等离子体清洗方法，其特征在于，执行氮气射频原位等离子体清洗所使用的的射频频率为13.36MHZ。
6.如权利要求4述的等离子体清洗方法，其特征在于，执行氮气射频原位等离子体清洗的时间为10秒～30秒。
7.如权利要求1所述的等离子体清洗方法，其特征在于，执行保护膜沉积时通入一反应气体，所述反应气体为C2H2、He和Ar的混合气体。
8.如权利要求7所述的等离子体清洗方法，其特征在于，执行保护膜沉积的时间为5秒～20秒。
9.如权利要求1至8任一项所述的等离子体清洗方法，其特征在于，还包括执行氧气射频原位等离子体清洗，所述氧气射频原位等离子体清洗在所述远程等离子体清洗之后执行。
10.如权利要求9所述的等离子体清洗方法，其特征在于，执行氧气射频原位等离子体清洗时通入一反应气体，所述反应气体包括O2。
11.如权利要求9所述的等离子体清洗方法，其特征在于，执行氧气射频原位等离子体清洗所使用的射频频率为13.36MHZ。
12.如权利要求9所述的等离子体清洗方法，其特征在于，执行氧气射频原位等离子体清洗的时间为10秒～60秒。
CN2013101222245A 2013-04-09 2013-04-09 等离子体清洗方法 Pending CN103219227A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2013101222245A CN103219227A (zh) 2013-04-09 2013-04-09 等离子体清洗方法
US14/081,502 US20140302254A1 (en) 2013-04-09 2013-11-15 Plasma cleaning method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2013101222245A CN103219227A (zh) 2013-04-09 2013-04-09 等离子体清洗方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103219227A true CN103219227A (zh) 2013-07-24

Family

ID=48816914

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2013101222245A Pending CN103219227A (zh) 2013-04-09 2013-04-09 等离子体清洗方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20140302254A1 (zh)
CN (1) CN103219227A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103526177A (zh) * 2013-09-30 2014-01-22 上海华力微电子有限公司 一种用于非晶碳沉积工艺中的清洗方法
CN106373868A (zh) * 2016-10-10 2017-02-01 昆山龙腾光电有限公司 一种阵列基板的制造方法
CN106435470A (zh) * 2016-11-09 2017-02-22 上海华力微电子有限公司 一种实现自动清洗的烘烤腔结构及其自动清洗方法
CN109904054A (zh) * 2017-12-08 2019-06-18 北京北方华创微电子装备有限公司 腔室环境恢复方法及刻蚀方法
CN111989768A (zh) * 2017-12-15 2020-11-24 朗姆研究公司 用于半导体处理的室部件的非原位涂覆
CN112736641A (zh) * 2021-01-12 2021-04-30 度亘激光技术（苏州）有限公司 半导体器件的钝化方法
CN114951148A (zh) * 2022-05-11 2022-08-30 珠海方正科技多层电路板有限公司 一种印刷线路板的清洗方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10192717B2 (en) * 2014-07-21 2019-01-29 Applied Materials, Inc. Conditioning remote plasma source for enhanced performance having repeatable etch and deposition rates
US9828672B2 (en) 2015-03-26 2017-11-28 Lam Research Corporation Minimizing radical recombination using ALD silicon oxide surface coating with intermittent restoration plasma
US20210319989A1 (en) * 2020-04-13 2021-10-14 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate
US20230073011A1 (en) * 2021-09-03 2023-03-09 Applied Materials, Inc. Shutter disk for physical vapor deposition (pvd) chamber

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0387656A1 (en) * 1989-03-14 1990-09-19 Fujitsu Limited Chemical vapor deposition method
US5824375A (en) * 1996-10-24 1998-10-20 Applied Materials, Inc. Decontamination of a plasma reactor using a plasma after a chamber clean
US5952060A (en) * 1996-06-14 1999-09-14 Applied Materials, Inc. Use of carbon-based films in extending the lifetime of substrate processing system components
JP2001335937A (ja) * 2000-05-29 2001-12-07 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 金属汚染低減方法及びプラズマ装置の再生方法
CN1507502A (zh) * 2001-05-04 2004-06-23 拉姆研究公司 处理室残留物的两步式等离子清洗
CN1914716A (zh) * 2004-01-28 2007-02-14 东京毅力科创株式会社 基板处理装置的处理室净化方法、基板处理装置和基板处理方法
CN101313085A (zh) * 2005-08-02 2008-11-26 麻省理工学院 除去化学气相沉积(cvd)腔内的表面沉积物和钝化内表面的方法
CN101378850A (zh) * 2006-02-21 2009-03-04 应用材料股份有限公司 加强用于介电膜层的远程等离子体源清洁
US20090090384A1 (en) * 2006-05-29 2009-04-09 Dong-Ho You Cleaning method of apparatus for depositing metal containing film
CN101894737A (zh) * 2009-05-19 2010-11-24 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 腔室环境的控制方法
US20110114114A1 (en) * 2008-07-14 2011-05-19 Ips Ltd. Cleaning method of apparatus for depositing carbon containing film
CN102414801A (zh) * 2009-08-27 2012-04-11 应用材料公司 在原位腔室清洁后的处理腔室去污方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5326723A (en) * 1992-09-09 1994-07-05 Intel Corporation Method for improving stability of tungsten chemical vapor deposition
US6872323B1 (en) * 2001-11-01 2005-03-29 Novellus Systems, Inc. In situ plasma process to remove fluorine residues from the interior surfaces of a CVD reactor
US20050221020A1 (en) * 2004-03-30 2005-10-06 Tokyo Electron Limited Method of improving the wafer to wafer uniformity and defectivity of a deposited dielectric film

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0387656A1 (en) * 1989-03-14 1990-09-19 Fujitsu Limited Chemical vapor deposition method
US5952060A (en) * 1996-06-14 1999-09-14 Applied Materials, Inc. Use of carbon-based films in extending the lifetime of substrate processing system components
US5824375A (en) * 1996-10-24 1998-10-20 Applied Materials, Inc. Decontamination of a plasma reactor using a plasma after a chamber clean
JP2001335937A (ja) * 2000-05-29 2001-12-07 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 金属汚染低減方法及びプラズマ装置の再生方法
CN1507502A (zh) * 2001-05-04 2004-06-23 拉姆研究公司 处理室残留物的两步式等离子清洗
CN1914716A (zh) * 2004-01-28 2007-02-14 东京毅力科创株式会社 基板处理装置的处理室净化方法、基板处理装置和基板处理方法
CN101313085A (zh) * 2005-08-02 2008-11-26 麻省理工学院 除去化学气相沉积(cvd)腔内的表面沉积物和钝化内表面的方法
CN101378850A (zh) * 2006-02-21 2009-03-04 应用材料股份有限公司 加强用于介电膜层的远程等离子体源清洁
US20090090384A1 (en) * 2006-05-29 2009-04-09 Dong-Ho You Cleaning method of apparatus for depositing metal containing film
US20110114114A1 (en) * 2008-07-14 2011-05-19 Ips Ltd. Cleaning method of apparatus for depositing carbon containing film
CN101894737A (zh) * 2009-05-19 2010-11-24 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 腔室环境的控制方法
CN102414801A (zh) * 2009-08-27 2012-04-11 应用材料公司 在原位腔室清洁后的处理腔室去污方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103526177A (zh) * 2013-09-30 2014-01-22 上海华力微电子有限公司 一种用于非晶碳沉积工艺中的清洗方法
CN103526177B (zh) * 2013-09-30 2015-12-23 上海华力微电子有限公司 一种用于非晶碳沉积工艺中的清洗方法
CN106373868A (zh) * 2016-10-10 2017-02-01 昆山龙腾光电有限公司 一种阵列基板的制造方法
CN106373868B (zh) * 2016-10-10 2020-03-10 昆山龙腾光电股份有限公司 一种阵列基板的制造方法
CN106435470A (zh) * 2016-11-09 2017-02-22 上海华力微电子有限公司 一种实现自动清洗的烘烤腔结构及其自动清洗方法
CN109904054A (zh) * 2017-12-08 2019-06-18 北京北方华创微电子装备有限公司 腔室环境恢复方法及刻蚀方法
CN111989768A (zh) * 2017-12-15 2020-11-24 朗姆研究公司 用于半导体处理的室部件的非原位涂覆
CN112736641A (zh) * 2021-01-12 2021-04-30 度亘激光技术（苏州）有限公司 半导体器件的钝化方法
CN112736641B (zh) * 2021-01-12 2022-03-29 度亘激光技术（苏州）有限公司 半导体器件的钝化方法
CN114951148A (zh) * 2022-05-11 2022-08-30 珠海方正科技多层电路板有限公司 一种印刷线路板的清洗方法
CN114951148B (zh) * 2022-05-11 2023-10-17 珠海方正科技多层电路板有限公司 一种印刷线路板的清洗方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20140302254A1 (en) 2014-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103219227A (zh) 等离子体清洗方法
US10720323B2 (en) Method for processing a semiconductor wafer using a thin edge carrier ring
US8974602B2 (en) Method of reducing contamination in CVD chamber
CN100459032C (zh) 减少反应室颗粒的工艺方法
US20140083453A1 (en) Method for in situ cleaning of mocvd reaction chamber
CN102804350A (zh) 用于覆盖高纵横比特征结构的氮化硅钝化层
US20140083451A1 (en) Method for in situ cleaning of mocvd reaction chamber
US10688538B2 (en) Aluminum fluoride mitigation by plasma treatment
CN103219226B (zh) 降低在沉积非晶碳膜时晶圆背面金属污染的方法
TW201340174A (zh) 一種mocvd設備的清潔方法
JP5763477B2 (ja) 炭化珪素成膜装置、及び炭化珪素除去方法
KR102046163B1 (ko) 반도체 소자의 제조방법
CN105839069B (zh) 一种用于化学气相沉积的清洗工艺
TW201326457A (zh) Ｍｏｃｖｄ設備之噴淋頭及其製作方法和使用方法
CN103556127A (zh) 一种气相沉积成膜设备的清洗方法
US7910484B2 (en) Method for preventing backside defects in dielectric layers formed on semiconductor substrates
US20060054183A1 (en) Method to reduce plasma damage during cleaning of semiconductor wafer processing chamber
CN102755969A (zh) 提高反应装置表面清洁能力的方法
CN113261082A (zh) 附着物除去方法和成膜方法
CN103343330B (zh) 改善硅片背面金属污染的方法
CN111146077A (zh) 一种改善薄膜缺陷的方法
US8105648B2 (en) Method for operating a chemical deposition chamber
CN105088175B (zh) 一种对沉积薄膜反应装置的处理方法、薄膜沉积方法
KR102583444B1 (ko) 성막 방법 및 성막 장치
KR20220051214A (ko) 부착물 제거 방법 및 성막 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20130724