TW201806768A - 暫時固定用樹脂膜 - Google Patents

Abstract

本發明的暫時固定用樹脂膜具備：第一層，包含玻璃轉移溫度為-50℃～50℃的第一熱塑性樹脂；以及第二層，包含玻璃轉移溫度為-50℃～50℃的第二熱塑性樹脂及硬化性成分。

Description

暫時固定用樹脂膜

本發明是有關於一種暫時固定用樹脂膜。

隨著智慧型電話（smartphone）、平板個人電腦（tablet PC）等電子機器的多功能化，積層多層半導體元件且加以高容量化而成的堆疊式多晶片封裝（Multi Chip Package，MCP）正在普及。於半導體元件的安裝中，於安裝步驟中有利的膜狀接著劑作為晶粒接合（die bonding）用的接著劑而被廣泛使用。然而，儘管如上所述般有多功能化的傾向，但現行的使用打線接合的半導體元件的連接方式於資料的處理速度方面存在極限，因此有電子機器的動作變慢的傾向。另外，將消耗電力抑制地較低從而欲不充電地使用更長時間的需求高漲，故亦要求省電化。就此種觀點而言，近年來，以進一步高速化及省電化為目的，亦開發出了藉由貫通電極而非打線接合來連接半導體元件彼此的新結構的電子機器裝置。

雖然如上所述般開發出了新結構的電子機器裝置，但依然要求高容量化，從而正在進行可與封裝結構無關地積層更多層半導體元件的技術的開發。然而，為了在有限的空間內積層更多的半導體元件，半導體元件的穩定薄型化必不可少。

舉例而言，目前於將半導體元件加以薄型化的研磨步驟中，將被稱為所謂的BG帶的支撐帶貼附於半導體元件而於經支持的狀態下進行研磨的情況成為主流。然而，經薄型化的半導體元件受表面所施加的電路的影響而容易翹曲。因此，作為容易變形的帶原材料的BG帶逐漸無法充分支持經薄型化的半導體元件。

根據此種背景，提議了將作為較BG帶更硬的原材料的矽晶圓或玻璃作為支撐體的半導體元件的薄型化製程，且提議了將半導體元件與矽晶圓或玻璃的支撐體黏接的材料。於此種黏接劑中，作為重要的特性而要求能夠將研磨後的半導體元件不產生損傷地自支撐體剝離。因此，對用以滿足該些特性的剝離方法進行了努力研究。作為剝離方法，例如可列舉：利用藉由溶劑進行的黏接劑的溶解的方法；藉由利用加熱來去除黏接性以提高剝離性的方法；藉由雷射照射而使黏接劑改質或消失的方法等（專利文獻1及專利文獻2）。然而，藉由溶劑的黏接劑的溶解花費時間，因此生產性容易降低。另外，利用加熱來去除黏接性的方法中，擔心加熱會對半導體元件造成影響，並且耐熱性差，因此無法用於形成貫通電極等的製程用途。另一方面，藉由雷射照射而使黏接劑改質或消失的方法中，必須導入高價的雷射設備，應用此種製程必需相當大的投資。 [現有技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本專利第4565804號 專利文獻2：日本專利第4936667號

[發明所欲解決之課題] 近年來，以電子機器裝置的高容量化為目的而推進半導體元件等電子零件的薄型化，開發出了於加工時將電子零件固定於矽晶圓、玻璃等支撐體的黏接劑。然而，就作業性及高額的設備投資的必要性的觀點而言，黏接劑有進一步改善的餘地。特別是此種黏接劑大部分為液狀，要藉由旋塗等塗佈於電子零件或支撐體上並藉由加熱、紫外線（UV）照射等進行成膜來使用。但是，此種情況下存在以下等課題：因塗佈時的黏接劑的不均，各個電子零件中容易於加工後的電子零件的厚度中產生不均，另外，於旋塗中，需要捨棄因塗佈時的旋轉而飛散的材料。

另外，所加工的電子零件並不限定於平滑性高者，對在電路面具備焊球而具有超過80 μm的表面凹凸的晶圓進行加工的情況亦有增加傾向。於如上所述般具有大的凹凸的表面的情況下，若將凹凸充分填埋，則另一方面難以自表面剝離黏接劑。另外，於焊球的接著強度不充分的情況下，當進行黏接劑的剝離時，有焊球脫落等的擔憂。

於加工後將電子零件及支撐體自黏接劑剝離時，若黏接劑的電子零件面的剝離強度與黏接劑的支撐體面的剝離強度相近，則有容易產生電子零件的破損或黏接劑的斷裂的傾向。因產生黏接劑的斷裂，於剝離後在半導體元件及支撐體兩者上會產生黏接劑的殘膠。

本發明是鑒於所述情況而成，目的在於提供一種可良好地進行電子零件的加工，並且可容易地自加工後的電子零件及支撐體剝離的暫時固定用樹脂膜。 [解決課題之手段]

本發明提供一種暫時固定用樹脂膜，其具備：第一層，包含玻璃轉移溫度為-50℃～50℃的第一熱塑性樹脂；以及第二層，包含玻璃轉移溫度為-50℃～50℃的第二熱塑性樹脂及硬化性成分。

根據本發明的暫時固定用樹脂膜，藉由具有所述第一層及第二層兩層，可良好地進行電子零件的加工，並且可容易地自加工後的電子零件及支撐體剝離。即，藉由樹脂膜具備兩個層，可分別調整相對於電子零件面的剝離強度以及相對於支撐體面的剝離強度，可防止電子零件的破損或黏接劑的斷裂。另外，藉由將具有所述特定組成的第二層貼附於支撐體面上，可使加工時所必需的物性（例如，剪切黏度）與自支撐體的剝離性併存。進而，藉由為膜狀，可容易地控制膜厚，可減輕各個電子零件間的厚度不均。另外，本發明的暫時固定用樹脂膜可藉由層壓等簡便的方法貼合於電子零件或支撐體上，作業性亦優異。

本發明的暫時固定用樹脂膜中，相對於第二熱塑性樹脂100質量份，第二層中的硬化性成分的含量可為10質量份～500質量份。若第二層中的硬化性成分的含量為所述範圍內，則暫時固定用樹脂膜可以高水準兼具低溫貼附性、耐熱性、硬化性及剝離性。

本發明的暫時固定用樹脂膜中，第一層的厚度可為10 μm～350 μm，第二層的厚度可為10 μm～350 μm。若暫時固定用樹脂膜的厚度為所述範圍內，則可容易地將半導體元件等電子零件的表面的凹凸充分填埋，可更切實地固定電子零件以及支撐體。

本發明的暫時固定用樹脂膜中，第一層的厚度及第二層的厚度可滿足下述式（1）的關係。 (1/10)a≦b≦10a･･･（1） [式（1）中，a表示第一層的厚度，b表示第二層的厚度] 若厚度的比率為所述範圍內，則可容易地調整電子零件面的剝離強度以及黏接劑的支撐體面的剝離強度。

於本發明的暫時固定用樹脂膜中，第一熱塑性樹脂及/或第二熱塑性樹脂可為具有交聯性官能基且重量平均分子量為10萬～120萬的熱塑性樹脂。該情況下，第一層及第二層可示出更良好的剝離性。

於本發明的暫時固定用樹脂膜中，硬化性成分可為熱硬化性樹脂。

於本發明的暫時固定用樹脂膜中，第一層及/或第二層可更包含矽酮化合物。

於本發明的暫時固定用樹脂膜中，第一層及/或第二層可更包含硬化促進劑。 [發明的效果]

根據本發明，可提供一種可良好地進行電子零件的加工，並且可容易地自加工後的電子零件及支撐體剝離的暫時固定用樹脂膜。

以下，一面參照圖式一面對本發明的適宜實施形態加以詳細說明。此外，圖式中，對相同或相當部分標註相同符號，省略重複說明。另外，圖式的尺寸比率不限於圖示的比率。然而，本發明並不限定於以下實施形態。

[暫時固定用樹脂膜] 本實施形態的暫時固定用樹脂膜具備包含第一熱塑性樹脂的第一層以及包含第二熱塑性樹脂及硬化性成分的第二層。

圖1（A）為表示本實施形態的暫時固定用樹脂膜的一實施形態的俯視圖，圖1（B）為沿圖1（A）的I-I線的示意剖面圖。

圖1（A）、圖1（B）所示的暫時固定用樹脂膜片1依序具備支撐膜10、第一層21、第二層22及支撐膜10，且具有包括第一層21及第二層22的暫時固定用樹脂膜20。

本實施形態的暫時固定用樹脂膜藉由具有組成不同的兩個層，可對黏接劑的電子零件面的剝離強度以及黏接劑的支撐體面的剝離強度進行製備，可容易地自經由暫時固定用樹脂膜而固定於支撐體的電子零件及支撐體兩者剝離。另外，因是膜狀的黏接劑，故更容易控制膜厚，可減輕各個電子零件間的厚度不均。另外，本實施形態的暫時固定用樹脂膜可藉由層壓等簡便的方法貼合於電子零件或支撐體上，作業性亦優異。

（第一層） 第一層包含第一熱塑性樹脂（以下，有時亦稱為（a1）熱塑性樹脂）。作為（a1）熱塑性樹脂，只要為至少於膜層壓於電子零件或支撐體之前具有熱塑性的樹脂，則可無特別限制地使用。熱塑性樹脂亦可為藉由加熱等而形成交聯結構的樹脂。

作為（a1）熱塑性樹脂，可使用具有交聯性官能基的聚合物。作為具有交聯性官能基的聚合物，可列舉熱塑性聚醯亞胺樹脂、具有交聯性官能基的(甲基)丙烯酸共聚物、胺基甲酸酯樹脂、聚苯醚樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、苯氧基樹脂、改質聚苯醚樹脂等。該些中，較佳為具有交聯性官能基的(甲基)丙烯酸共聚物。此外，本說明書中，所謂(甲基)丙烯酸是以丙烯酸或甲基丙烯酸的任一含義使用。熱塑性樹脂可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。

具有交聯性官能基的(甲基)丙烯酸共聚物可使用藉由珠狀聚合（pearl polymerization）、溶液聚合等聚合方法所獲得者，或者亦可使用市售品。

具有交聯性官能基的聚合物可於聚合物鏈中具有交聯性官能基，亦可於聚合物鏈末端具有交聯性官能基。作為交聯性官能基，可列舉環氧基、醇性羥基、酚性羥基、羧基等。交聯性官能基可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。

（a1）熱塑性樹脂的玻璃轉移溫度（以下，有時亦表述為「Tg」）較佳為-50℃～50℃，更佳為-30℃～20℃。若Tg為此種範圍，則可抑制第一層的黏性（tack）力變得過高而操作性劣化的情況，同時可獲得更充分的流動性，進而可進一步降低硬化後的片的彈性模數，因此可進一步抑制剝離強度變得過高。

Tg是使用示差掃描熱量測定（示差掃描熱量儀（Differential Scanning Calorimeter，DSC），例如理學（股）製造的「Thermo Plus 2」）對熱塑性樹脂進行測定時的中間點玻璃轉移溫度值。具體而言，所述Tg是在昇溫速度10℃/分、測定溫度：-80℃～80℃的條件下測定熱量變化，藉由依據JIS K 7121：1987的方法所算出的中間點玻璃轉移溫度。

（a1）熱塑性樹脂的重量平均分子量並無特別限定，較佳為10萬～120萬，更佳為20萬～100萬。若熱塑性樹脂的重量平均分子量為此種範圍，則更容易確保成膜性與流動性。重量平均分子量是利用凝膠滲透層析法（Gel Penetration Chromatography，GPC）且使用基於標準聚苯乙烯的校準曲線而得的聚苯乙烯換算值。

第一層除（a1）熱塑性樹脂以外，亦可視需要包含矽酮化合物（以下，有時亦稱為（a2）矽酮化合物）、硬化促進劑（以下，有時亦稱為（a3）硬化促進劑）及其他成分。

作為（a2）矽酮化合物，只要為具有聚矽氧烷結構者則可無特別限制地使用。例如可列舉矽酮改質樹脂、純矽油（straight silicone oil）、非反應性的改質矽油、反應性的改質矽油等。矽酮化合物可單獨使用一種或組合使用兩種以上。

藉由第一層含有矽酮化合物，當將暫時固定用樹脂膜自半導體晶片及密封體以及支撐體剝離時，即便在100℃以下的低溫下亦可不使用溶劑而容易地剝離。

於本實施形態中使用的矽酮化合物為矽酮改質樹脂的情況下，只要為藉由矽酮而改質的樹脂則無特別限制。作為矽酮改質樹脂，較佳為矽酮改質醇酸樹脂。藉由第一層含有矽酮改質醇酸樹脂，當將暫時固定用樹脂膜自電子零件剝離時，可不使用溶劑而更容易地剝離。

作為獲得矽酮改質醇酸樹脂的方法，例如可列舉：（i）獲得醇酸樹脂的通常的合成反應，即，當使多元醇與脂肪酸、多元酸等反應時，使有機聚矽氧烷作為醇成分同時進行反應的方法；（ii）使預先合成的普通的醇酸樹脂與有機聚矽氧烷反應的方法。

作為用作醇酸樹脂的原料的多元醇，例如可列舉乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、新戊二醇等二元醇；甘油、三羥甲基乙烷、三羥甲基丙烷等三元醇；二甘油、三甘油、季戊四醇、二季戊四醇、甘露醇（mannite）、山梨糖醇（sorbit）等四元以上的多元醇。該些可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。

作為用作醇酸樹脂的原料的多元酸，例如可列舉鄰苯二甲酸酐、對苯二甲酸、間苯二甲酸、偏苯三甲酸酐等芳香族多元酸；琥珀酸、己二酸、癸二酸等脂肪族飽和多元酸；順丁烯二酸、順丁烯二酸酐、反丁烯二酸、衣康酸、檸康酸酐等脂肪族不飽和多元酸；環戊二烯-順丁烯二酸酐加成物、萜烯-順丁烯二酸酐加成物、松香-順丁烯二酸酐加成物等基於狄爾斯·阿爾德（Diels-Alder）反應的多元酸。該些可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。

醇酸樹脂亦可更含有改質劑或交聯劑。

改質劑可使用辛酸、月桂酸、棕櫚酸、硬脂酸、油酸、亞麻油酸、次亞麻油酸、桐酸、蓖麻油酸（ricinoleic acid）、脫水蓖麻油酸、椰子油、亞麻籽油、桐油、蓖麻油、脫水蓖麻油、大豆油、紅花籽油及該些的脂肪酸等。該些可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。

作為交聯劑，例如可列舉三聚氰胺樹脂、脲樹脂等胺基樹脂，胺基甲酸酯樹脂、環氧樹脂、酚樹脂。該些之中，胺基樹脂因可獲得藉由胺基樹脂而交聯的胺基醇酸樹脂而較佳。交聯劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。

矽酮改質醇酸樹脂可與作為硬化觸媒的酸性觸媒併用。酸性觸媒並無特別限制，可自作為醇酸樹脂的交聯反應觸媒而公知的酸性觸媒中適當選擇使用。作為此種酸性觸媒，例如適宜為對甲苯磺酸、甲磺酸等有機系酸性觸媒。酸性觸媒可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。

作為如上所述的矽酮改質醇酸樹脂，例如可列舉泰斯費恩（Tesfine）TA31-209E（日立化成聚合物（Hitachi Kasei Polymer）（股）製造，商品名）。

於本實施形態中使用的矽酮化合物為改質矽油的情況下，較佳為聚醚改質矽酮、烷基改質矽酮、環氧改質矽酮。

作為如上所述的矽酮，只要為與高分子量體相容者，則可無特別限定地使用。作為矽酮，可列舉東麗·道康寧（Toray·Dow corning）（股）製造的SH3773M、L-7001、SH-550、SH-710，信越矽酮（股）製造的X-22-163、KF-105、X-22-163B、X-22-163C，畢克（BYK）製造的BYK-UV3500等。

相對於（a1）熱塑性樹脂100質量份，第一層中的（a2）矽酮化合物的調配量較佳為0質量份～100質量份，更佳為2質量份～80質量份。若（a2）矽酮化合物的調配量為所述範圍內，則可以更高的水準使電子零件加工時的接著性與加工後的剝離性併存。

作為（a3）硬化促進劑，例如可列舉咪唑類、雙氰胺衍生物、二羧酸二醯肼、三苯基膦、四苯基鏻四苯基硼酸鹽、2-乙基-4-甲基咪唑-四苯基硼酸鹽、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一烯-7-四苯基硼酸鹽等。該些可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。

第一層中，於（a1）熱塑性樹脂包含具有環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物的情況下，較佳為含有促進所述丙烯酸共聚物中所包含的環氧基的硬化的硬化促進劑。

相對於（a1）熱塑性樹脂100質量份，第一層中的（a3）硬化促進劑的調配量較佳為0.01質量份～2.0質量份。若相對於（a1）熱塑性樹脂100質量份，（a3）硬化促進劑的調配量為0.01質量份以上，則於半導體元件的製造步驟內的熱歷程中可使第一層充分硬化，故可更切實地固定電子零件以及支撐體。若相對於（a1）熱塑性樹脂100質量份，（a3）硬化促進劑的調配量為2.0質量份以下，則暫時固定用樹脂膜的熔融黏度難以因製造步驟中的加熱而上昇，有膜的保存穩定性變得更良好的傾向。

作為其他成分，可列舉無機填料、有機填料、矽烷偶合劑、硬化性成分等。

作為無機填料，例如可列舉銀粉、金粉、銅粉等金屬填料；二氧化矽（silica）、氧化鋁（alumina）、氮化硼、二氧化鈦（titania）、玻璃（glass）、氧化鐵、陶瓷（ceramic）等非金屬無機填料等。無機填料可根據所期望的功能進行選擇。金屬填料可以對膜賦予觸變性（thixotropy）為目的而添加。非金屬無機填料可以對膜賦予低熱膨脹性及低吸濕性為目的而添加。無機填料可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。

無機填料較佳為在表面具有有機基者。藉由利用有機基修飾無機填料的表面，而容易提高製備用以形成膜的樹脂組成物時在有機溶劑中的分散性、以及膜的密接性及耐熱性。

在表面具有有機基的無機填料例如可藉由將下述通式（B-1）所表示的矽烷偶合劑與無機填料混合，在30℃以上的溫度下進行攪拌而獲得。無機填料的表面經有機基修飾可利用紫外線（UV）測定、紅外線（Infrared Radiation，IR）測定、X射線光電子能譜（X-ray photoelectron spectroscopy，XPS）測定等進行確認。

[化1]

式（B-1）中，X表示選自由苯基、縮水甘油氧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、巰基、胺基、乙烯基、異氰酸酯基及甲基丙烯醯氧基所組成的群組中的有機基，s表示0或1～10的整數，R¹¹ 、R¹² 及R¹³ 分別獨立地表示碳數1～10的烷基。作為碳數1～10的烷基，例如可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、異丙基、異丁基。就容易獲取的觀點而言，碳數1～10的烷基較佳為甲基、乙基及戊基。就耐熱性的觀點而言，X較佳為胺基、縮水甘油氧基、巰基及異氰酸酯基，更佳為縮水甘油氧基及巰基。就抑制高熱時的膜流動性，提高耐熱性的觀點而言，式（B-1）中的s較佳為0～5，更佳為0～4。

較佳的矽烷偶合劑例如可列舉：三甲氧基苯基矽烷、二甲基二甲氧基苯基矽烷、三乙氧基苯基矽烷、二甲氧基甲基苯基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、N-(1,3-二甲基亞丁基)-3-(三乙氧基矽烷基)-1-丙胺、N,N'-雙(3-(三甲氧基矽烷基)丙基)乙二胺、聚氧乙烯丙基三烷氧基矽烷、聚乙氧基二甲基矽氧烷。該些之中，較佳為3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷，更佳為三甲氧基苯基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷。矽烷偶合劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。

關於所述矽烷偶合劑的使用量，就謀求提高耐熱性的效果與保存穩定性的平衡性的觀點而言，相對於無機填料100質量份，較佳為0.01質量份～50質量份，更佳為0.05質量份～20質量份，就提高耐熱性的觀點而言，進而較佳為0.5質量份～10質量份。

關於第一層中的無機填料的調配量，就提高B階段（B-stage）狀態下的暫時固定用樹脂膜的操作性、及提高低熱膨脹性的觀點而言，相對於（a1）熱塑性樹脂100質量份，較佳為300質量份以下，更佳為200質量份以下，進而較佳為100質量份以下。無機填料的含量的下限並無特別限制，相對於熱塑性樹脂100質量份較佳為5質量份以上。藉由將無機填料的含量設為所述範圍，有可充分確保第一層的接著性，同時可賦予所期望的功能的傾向。

作為有機填料，例如可列舉碳、橡膠系填料、矽酮系微粒子、聚醯胺微粒子、聚醯亞胺微粒子等。相對於（a1）熱塑性樹脂100質量份，有機填料的調配量較佳為300質量份以下，更佳為200質量份以下，進而較佳為100質量份以下。有機填料的含量的下限並無特別限制，相對於熱塑性樹脂100質量份較佳為5質量份以上。

另外，第一層可含有環氧樹脂、酚樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂等硬化性成分。

第一層21的厚度並無特別限定，就充分填埋半導體元件等電子零件表面的凹凸的觀點而言，以乾燥後的厚度計，較佳為半導體元件等電子零件表面的凹凸的同等以下的厚度，且較佳為10 μm～350 μm。若厚度為10 μm以上，則塗敷時的厚度的不均變少，另外，因厚度充分，故膜或膜的硬化物的強度良好，可更充分地填埋半導體元件等電子零件表面的凹凸。若厚度為350 μm以下，則當與第二層22貼合時難以被壓扁，故難以產生暫時固定用樹脂膜的厚度的不均，另外，容易藉由充分的乾燥來減少膜中的殘留溶劑量，可進一步減少對膜的硬化物進行加熱時的起泡。

（第二層） 第二層包含第二熱塑性樹脂（以下，有時亦稱為（b1）熱塑性樹脂）及硬化性成分（以下，有時亦稱為（b2）硬化性成分）。

作為（b1）熱塑性樹脂，只要為至少於膜層壓於電子零件或支撐體之前具有熱塑性的樹脂，則可無特別限制地使用。熱塑性樹脂亦可為藉由加熱等而形成交聯結構的樹脂。

本實施形態中使用的（b1）熱塑性樹脂可使用具有交聯性官能基的聚合物。作為具有交聯性官能基的聚合物，可列舉熱塑性聚醯亞胺樹脂、具有交聯性官能基的(甲基)丙烯酸共聚物、胺基甲酸酯樹脂、聚苯醚樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、苯氧基樹脂、改質聚苯醚樹脂等。該些之中，較佳為具有交聯性官能基的(甲基)丙烯酸共聚物。所述樹脂可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。

具有交聯性官能基的(甲基)丙烯酸共聚物可使用藉由珠狀聚合、溶液聚合等聚合方法所獲得者，或者亦可使用市售品。

具有交聯性官能基的聚合物可於聚合物鏈中具有交聯性官能基，亦可於聚合物鏈末端具有交聯性官能基。作為交聯性官能基的具體例，可列舉環氧基、醇性羥基、酚性羥基、羧基等。交聯性官能基之中，較佳為羧基。羧基可藉由使用丙烯酸而導入至聚合物鏈中。

具有交聯性官能基的聚合物較佳為使用具有羧基的(甲基)丙烯酸共聚物，例如可列舉具有羧基的(甲基)丙烯酸酯共聚物、具有羧基的(甲基)丙烯酸共聚物。該些中，較佳為具有羧基的(甲基)丙烯酸酯共聚物。 作為所述(甲基)丙烯酸共聚物，可列舉將丙烯酸酯作為主成分者，例如可列舉丙烯酸丁酯及/或丙烯酸乙酯與乙腈的共聚物。

（b1）熱塑性樹脂的Tg較佳為-50℃～50℃，更佳為-40℃～20℃。若Tg為此種範圍，則可抑制第二層的黏性力變得過高而操作性劣化的情況，同時可獲得更充分的流動性，進而可進一步降低硬化後的第二層的彈性模數，因此可進一步抑制剝離強度變得過高。

（b1）熱塑性樹脂的重量平均分子量並無特別限定，較佳為10萬～120萬，更佳為30萬～100萬。若熱塑性樹脂的重量平均分子量為此種範圍，則容易確保成膜性與流動性。

（b2）硬化性成分並無特別限制，較佳為熱硬化性樹脂。

作為熱硬化性樹脂，例如可列舉環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚樹脂、熱硬化型聚醯亞胺樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、脲樹脂，該些可單獨使用，或者亦可組合使用兩種以上。特別是就可獲得耐熱性、作業性及可靠性優異的第二層的觀點而言，熱硬化性樹脂較佳為環氧樹脂。

環氧樹脂只要為進行硬化而具有耐熱作用者，則並無特別限定。環氧樹脂可使用雙酚A型環氧化物等二官能環氧樹脂；苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂等。另外，環氧樹脂可應用多官能環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、含雜環的環氧樹脂、脂環式環氧樹脂等普遍已知的樹脂。

作為雙酚A型環氧樹脂，可列舉日本環氧樹脂（Japan Epoxy Resin）股份有限公司製造的愛皮克特（Epikote）系列（愛皮克特（Epikote）807、愛皮克特（Epikote）815、愛皮克特（Epikote）825、愛皮克特（Epikote）827、愛皮克特（Epikote）828、愛皮克特（Epikote）834、愛皮克特（Epikote）1001、愛皮克特（Epikote）1004、愛皮克特（Epikote）1007、愛皮克特（Epikote）1009，「愛皮克特（Epikote）」是註冊商標）；陶氏化學（Dow Chemical）公司製造的DER-330、DER-301及DER-361；及新日鐵住金化學股份有限公司製造的YD8125、YDF8170等。作為苯酚酚醛清漆型環氧樹脂，可列舉日本環氧樹脂（Japan Epoxy Resin）股份有限公司製造的愛皮克特（Epikote）152、愛皮克特（Epikote）154、日本化藥股份有限公司製造的EPPN-201、陶氏化學（Dow Chemical）公司製造的DEN-438等。作為鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂，可列舉日本化藥股份有限公司製造的EOCN-102S、EOCN-103S、EOCN-104S、EOCN-1012、EOCN-1025、EOCN-1027、新日鐵住金化學股份有限公司製造的YDCN701、YDCN702、YDCN703、YDCN704等。作為多官能環氧樹脂，可列舉日本環氧樹脂（Japan Epoxy Resin）股份有限公司製造的愛普恩（Epon）1031S；汽巴精化（Ciba Specialty Chemicals）公司製造的愛牢達（Araldite）0163；長瀨化成（Nagase ChemteX）股份有限公司製造的代那科（Denacol）EX-611、EX-614、EX-614B、EX-622、EX-512、EX-521、EX-421、EX-411及EX-321等（「愛牢達（Araldite）」、「代那科（Denacol）」是註冊商標）。作為胺型環氧樹脂，可列舉日本環氧樹脂（Japan Epoxy Resin）股份有限公司製造的愛皮克特（Epikote）604；東都化成股份有限公司製造的YH-434；三菱瓦斯化學（Mitsubishi Gas Chemical）股份有限公司製造的泰拉德（TETRAD）-X及泰拉德（TETRAD）-C；住友化學股份有限公司製造的ELM-120等。作為含雜環的環氧樹脂，可列舉汽巴精化（Ciba Specialty Chemicals）公司製造的愛牢達（Araldite）PT810；UCC公司製造的ERL4234、ERL4299、ERL4221、ERL4206等。該些環氧樹脂可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。

於使用環氧樹脂作為熱硬化性樹脂的情況下，較佳為合併使用環氧樹脂硬化劑。

環氧樹脂硬化劑可使用通常所使用的公知的硬化劑。作為環氧樹脂硬化劑，例如可列舉胺類；聚醯胺；酸酐；多硫化物；三氟化硼；雙酚A、雙酚F、雙酚S等在一分子中具有2個以上酚性羥基的雙酚類；苯酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂等酚樹脂等。特別是就吸濕時的耐電蝕性優異的觀點而言，環氧樹脂硬化劑較佳為苯酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂等酚樹脂。

作為所述酚樹脂硬化劑中的較佳者，例如可列舉迪愛生（DIC）股份有限公司製造的商品名：費恩利特（Phenolite）LF2882、費恩利特（Phenolite）LF2822、費恩利特（Phenolite）TD-2090、費恩利特（Phenolite）TD-2149、費恩利特（Phenolite）VH-4150、費恩利特（Phenolite）VH4170、明和化成股份有限公司製造的商品名：H-1、日本環氧樹脂（Japan Epoxy Resin）股份有限公司製造的商品名：艾匹庫（Epi-Cure）MP402FPY、艾匹庫（Epi-Cure）YL6065、艾匹庫（Epi-Cure）YLH129B65及三井化學股份有限公司製造的商品名：美萊克（Milex）XL、美萊克（Milex）XLC、美萊克（Milex）RN、美萊克（Milex）RS、美萊克（Milex）VR（「費恩利特（Phenolite）」、「艾匹庫（Epi-Cure）」、「美萊克（Milex）」是註冊商標）。

相對於（b1）熱塑性樹脂100質量份，第二層中的（b2）硬化性成分的調配量較佳為10質量份～500質量份，更佳為50質量份～300質量份。若硬化性成分的調配量為所述範圍內，則暫時固定用樹脂膜可兼具充分的低溫貼附性、耐熱性、硬化性及剝離性。若調配量為10質量份以上，則對支撐體的貼附性及耐熱性提高，並且背面研磨時的保持性亦提高，有晶圓難以破裂的傾向。另一方面，若調配量為500質量份以下，則硬化前的黏度難以變得過低，可以相對較短的時間硬化，並且有可使電子零件在支撐體上的保持性與自支撐體的剝離性併存的傾向。

第二層除（b1）熱塑性樹脂及（b2）硬化性成分以外，亦可視需要包含矽酮化合物（以下，有時亦稱為（b3）矽酮化合物）、硬化促進劑（以下，有時亦稱為（b4）硬化促進劑）及其他成分。

（b3）矽酮化合物可使用所述作為（a2）矽酮化合物而列舉者。

藉由第二層含有矽酮化合物，當將暫時固定用樹脂膜自半導體晶片及密封體以及支撐體剝離時，即便在100℃以下的低溫下亦可不使用溶劑而容易地剝離。

相對於（b1）熱塑性樹脂100質量份，第二層中的（b3）矽酮化合物的調配量較佳為0質量份～100質量份，更佳為2質量份～80質量份。若（b3）矽酮化合物的調配量為所述範圍內，則可使電子零件加工時的接著性與加工後的剝離性併存。

（b4）硬化促進劑可使用所述作為（a3）硬化促進劑而列舉者。第二層中，於（b1）熱塑性樹脂包含具有環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物的情況下，較佳為含有促進所述丙烯酸共聚物中所包含的環氧基的硬化的硬化促進劑。

相對於（b1）熱塑性樹脂100質量份，第二層中的（b4）硬化促進劑的調配量較佳為0.01質量份～2.0質量份。若相對於（b1）熱塑性樹脂100質量份，（b4）硬化促進劑的調配量為0.01質量份以上，則於半導體元件的製造步驟內的熱歷程中可使第二層充分硬化，故可更切實地固定電子零件以及支撐體。若相對於（b1）熱塑性樹脂100質量份，（b4）硬化促進劑的調配量為2.0質量份以下，則暫時固定用樹脂膜的熔融黏度難以因製造步驟中的加熱而上昇，有膜的保存穩定性變得更良好的傾向。

作為其他成分，可列舉無機填料、有機填料、矽烷偶合劑等。

無機填料可使用上文所述者。關於第二層中的無機填料的調配量，就提高B階段狀態下的暫時固定用樹脂膜的操作性、提高低熱膨脹性的觀點而言，相對於（b1）熱塑性樹脂100質量份，較佳為300質量份以下，更佳為200質量份以下，進而較佳為100質量份以下。無機填料的含量的下限並無特別限制，相對於（b1）熱塑性樹脂100質量份，較佳為5質量份以上。藉由將無機填料的含量設為所述範圍，有可充分確保第二層的接著性，同時可賦予所期望的功能的傾向。

有機填料可使用上文所述者。相對於（b1）熱塑性樹脂100質量份，有機填料的調配量較佳為300質量份以下，更佳為200質量份以下，進而較佳為100質量份以下。有機填料的含量的下限並無特別限制，相對於熱塑性樹脂100質量份，較佳為5質量份以上。

第二層22的厚度並無特別限定，就充分固定電子零件以及搬送用的支撐體的觀點而言，較佳為10 μm～350 μm。若厚度為10 μm以上，則塗敷時的厚度的不均變少，另外，因厚度充分，故膜或膜的硬化物的強度良好，可更充分地固定電子零件以及搬送用的支撐體。若厚度為350 μm以下，則當與第一層21貼合時難以被壓扁，故難以產生暫時固定用樹脂膜的厚度的不均，另外，容易藉由充分的乾燥來減少膜中的殘留溶劑量，可進一步減少對膜的硬化物進行加熱時的起泡。

本實施形態中，第一層21與第二層22的厚度的比率較佳為滿足式（1）的關係，更佳為滿足式（2）的關係。 (1/10)a≦b≦10a･･･（1） (1/5)a≦b≦6a･･･（2） 式中，a表示第一層21的厚度，b表示第二層22的厚度。

若第一層21及第二層22的厚度的比率為所述範圍內，則可於暫時固定用樹脂膜中充分填埋半導體元件等電子零件表面的凹凸，有可充分地固定電子零件以及搬送用的支撐體的傾向。

第一層21的硬化前的剪切黏度於120℃下較佳為20000 Pa·s以下，更佳為18000 Pa·s以下。若120℃下的剪切黏度為20000 Pa·s以下，則例如當於70℃～150℃、5 mbar～15 mbar的條件下將0.02 MPa～0.2 MPa的壓力加壓1分鐘～5分鐘時，可獲得充分的流動性，因此具有凸塊等凹凸的電子零件的填埋性更優異，更容易不產生空隙地進行向電子零件的壓接。120℃下的剪切黏度亦可為500 Pa·s以上。

就膜的操作性或對支撐體的貼附性的觀點而言，第二層22的硬化前的剪切黏度於120℃下較佳為200 Pa·s～30000 Pa·s，更佳為400 Pa·s～27000 Pa·s。剪切黏度若為200 Pa·s以上，則膜的操作性進一步提高，若為30000 Pa·s以下，則容易獲得充分的貼附性。

所述剪切黏度是指下述情況下的測定值：使用先進流變擴展系統（Advanced Rheometric Expansion System，ARES）（流變科學儀器（Rheometric Scientific）公司製造），一邊對暫時固定用樹脂膜賦予5%的變形，一邊以20℃/分的昇溫速度昇溫同時進行測定。

第一層21的硬化後的貯存彈性模數於25℃下較佳為0.1 MPa～1000 MPa，更佳為1 MPa～900 MPa。若25℃下的貯存彈性模數為0.1 MPa以上，則於剝離步驟時在電子零件中難以產生殘膠，若25℃下的彈性模數為1000 MPa以下，則於剝離步驟時，就具有凸塊等凹凸的電子零件而言難以破壞凸塊等凹凸。即，本實施形態中，可設為第一層為貼附於電子零件的層。

第二層22的硬化後的貯存彈性模數於25℃下較佳為100 MPa以上，更佳為200 MPa以上。若25℃下的貯存彈性模數為100 MPa以上，則當將電子零件加以薄化時有可充分固定電子零件以及支撐體的傾向。硬化後的貯存彈性模數於25℃下可為6000 MPa以下。

第一層21的硬化後的貯存彈性模數與第二層22的硬化後的貯存彈性模數的關係較佳為第二層22的硬化後的貯存彈性模數較第一層21的硬化後的貯存彈性模數大。若硬化後的貯存彈性模數為此種關係，則可進一步降低於剝離步驟時在電子零件中產生殘膠的可能性，且可進一步防止破壞電子零件上的凸塊等凹凸，進而當將電子零件加以薄化時可更牢固地固定電子零件以及支撐體。

貯存彈性模數是指下述情況下的測定值：使用動態黏彈性測定裝置（UBM公司（股）製造），一邊以3℃/分的昇溫速度昇溫一邊進行測定。

第一層21相對於矽晶圓等電子零件的30°剝離強度於25℃下較佳為500 N/m以下，更佳為450 N/m以下。若30°剝離強度為500 N/m以下，則可進一步無殘膠地將第一層與電子零件剝離，有可降低於剝離時電子零件破裂的可能性的傾向。30°剝離強度可為10 N/m以上。

30°剝離強度可以如下方式測定。於厚度為625 μm的矽鏡晶圓（silicone mirror wafer）（6吋）表面，藉由刀片切割（blade dicing）以100 μm間隔製作寬40 μm、深40 μm的溝槽。將如此般製作而成的帶有階差的矽鏡晶圓以階差成為上面的方式置於真空層壓機（NPC（股）製造，LM-50X50-S）的平台上，將本實施形態的暫時固定用樹脂膜設置成第一層貼附於帶有階差的矽鏡晶圓側。於15 mbar的條件下以120℃的溫度、0.1 MPa的壓力對其進行2分鐘加熱加壓，並進行真空層壓而製成測定用樣品。將所獲得的測定用樣品硬化，切成10 mm寬度。藉由將剝離角度設定為30°的剝離試驗機，以300 mm/分的速度對其實施剝離試驗，將此時的剝離強度設為30°剝離強度。

第二層22相對於支撐體、例如矽鏡晶圓的90°剝離強度於25℃下較佳為5 N/m～200 N/m，更佳為6 N/m～180 N/m。若90°剝離強度為所述範圍內，則可進一步無殘膠地將第二層與支撐體剝離。90°剝離強度若為5 N/m以上，則可於研磨加工步驟中更牢固地固定電子零件以及支撐體，若為200 N/m以下，則自支撐體剝離暫時固定用樹脂膜時，可於第二層與支撐體之間無殘膠地進行剝離，可進一步降低於支撐體上殘留膜的可能性。

90°剝離強度可以如下方式測定。將厚度為625 μm的矽鏡晶圓（6吋）置於真空層壓機（NPC（股）製造，LM-50X50-S）的平台上，將本實施形態的暫時固定用樹脂膜設置成第二層貼附於矽鏡晶圓側。於15 mbar的條件下以120℃的溫度、0.1 MPa的壓力對其進行2分鐘加熱加壓，並進行真空層壓而製成測定用樣品。將所獲得的測定用樣品硬化，切成10 mm寬度。藉由將剝離角度設定為90°的剝離試驗機，以300 mm/分的速度對其實施剝離試驗，將此時的剝離強度設為90°剝離強度。

[暫時固定用樹脂膜的製造方法] 本實施形態的暫時固定用樹脂膜1例如可由圖2所示的第一樹脂片2與圖3所示的第二樹脂片3製造。

圖2（A）為表示第一樹脂片的一實施形態的俯視圖，圖2（B）為沿圖2（A）的II-II線的示意剖面圖。

圖2所示的第一樹脂片2具備：具有脫模性的支撐膜10、設置於支撐膜10上的第一層21以及設置於第一層21的與支撐膜10相反之側的保護膜30。

圖3（A）為表示第二樹脂片的一實施形態的俯視圖，圖3（B）為沿圖3（A）的III-III線的示意剖面圖。

圖3所示的第二樹脂片3具備：具有脫模性的支撐膜10、設置於支撐膜10上的第二層22以及設置於第二層22的與支撐膜10相反之側的保護膜30。

暫時固定用樹脂膜片1例如可藉由自第一樹脂片2及第二樹脂片3剝離保護膜30，並於60℃～120℃下藉由輥式層壓（roll laminate）等將第一層21面與第二層22面彼此貼合而製造。

本實施形態的第一層21及第二層22分別可藉由將所述成分於有機溶媒中混合及混練以製備清漆，將所製作的清漆塗佈於支撐膜10上並進行乾燥的方法而形成。如此般，可分別製造於支撐膜10上具備第一層21或第二層22的樹脂片2、樹脂片3。

有機溶劑並無特別限定，可自沸點考慮製膜時的揮發性等而決定。具體而言，就於製膜時難以進行膜的硬化的觀點而言，較佳為甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、甲基乙基酮、丙酮、甲基異丁基酮、甲苯、二甲苯等沸點相對低的溶劑。另外，以提高製膜性等為目的，較佳為使用沸點相對高的溶劑，例如二甲基乙醯胺、二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮、環己酮。該些溶劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。清漆中的固體成分濃度較佳為10質量%～80質量%。

所述混合及混練可適當組合使用通常的攪拌機、擂潰機、三輥磨（three-rod roll mill）、珠磨機（bead mill）等分散機而進行。所述加熱乾燥只要為所使用的溶媒充分揮發的條件則無特別限制，通常可於60℃～200℃下加熱0.1分鐘～90分鐘來進行。

設置於支撐膜10上的第一層21或第二層22可視需要貼附保護膜30。該情況下，可獲得上文所述的具有包含支撐膜10、第一層21或第二層22、以及保護膜30的3層結構的第一樹脂片2或第二樹脂片3。

如此獲得的第一樹脂片2或第二樹脂片3例如可藉由捲取為輥狀而容易地保存。另外，亦可將輥狀膜切出適宜的尺寸，製成片狀而保存。另外，將該些膜貼合而獲得的本實施形態的暫時固定用樹脂膜片1亦可同樣地藉由捲取為輥狀而容易地保存。

支撐膜10並無特別限制，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚乙烯、聚丙烯、聚醯胺、聚醯亞胺。就柔軟性及強韌性優異的觀點而言，支撐膜10較佳為聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚丙烯、聚醯胺或聚醯亞胺。另外，就提高與樹脂膜（樹脂層）的剝離性的觀點而言，較佳為使用藉由矽酮系化合物、氟系化合物等實施了脫模處理的膜作為支撐膜。

支撐膜10的厚度可根據目標柔軟性而適當改變，較佳為3 μm～350 μm。厚度若為3 μm以上，則膜強度充分，若為350 μm以下，則有可獲得充分的柔軟性的傾向。就此種觀點而言，支撐膜10的厚度更佳為5 μm～200 μm，進而較佳為7 μm～150 μm。

保護膜30並無特別限制，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚乙烯、聚丙烯。就柔軟性及強韌性的觀點而言，保護膜30較佳為聚對苯二甲酸乙二酯、聚乙烯或聚丙烯。另外，就提高與暫時固定用樹脂膜（樹脂層）的剝離性的觀點而言，較佳為使用藉由矽酮系化合物、氟系化合物等實施了脫模處理的膜作為保護膜30。

保護膜30的厚度可根據目標柔軟性而適當設定，例如，較佳為10 μm～350 μm。厚度若為10 μm以上，則膜強度更良好，若為350 μm以下，則可進一步獲得柔軟性。就此種觀點而言，保護膜30的厚度更佳為15 μm～200 μm，進而較佳為20 μm～150 μm。

作為暫時固定用樹脂膜片的另一實施形態，有圖4（A）、圖4（B）所示者。圖4（A）、圖4（B）所示的暫時固定用樹脂膜片4除根據暫時固定的構件的形狀將暫時固定用樹脂膜20及第二層22側的支撐膜10預先裁斷以外，具有與暫時固定用樹脂膜片1相同的構成。此外，圖4（A）、圖4（B）中，去除了經裁斷的暫時固定用樹脂膜20及支撐膜10的外緣部，但亦可根據暫時固定的構件的形狀在暫時固定用樹脂膜及支撐膜中設置切縫而殘留外緣部。

另外，作為另一實施形態，可列舉具備第一樹脂片2與第二樹脂片3的樹脂膜組。根據本實施形態的樹脂膜組，於使用（對電子零件進行加工）時，可將該些樹脂片的第一層及第二層貼合而作為暫時固定用樹脂膜來使用。

若使用以上所說明的構成的暫時固定用樹脂膜，則可於高溫下良好地進行電子零件的加工，並且即便於室溫下亦可容易地自加工後的電子零件及支撐體剝離，可防止在電子零件及支撐體上的殘膠。

[電子零件的加工方法] 使用本實施形態的暫時固定用樹脂膜的電子零件的加工方法大致區分而具備以下四個步驟。具備：（a）經由暫時固定用樹脂膜將電子零件與支撐體暫時固定的步驟；（b）對暫時固定於支撐體上的電子零件進行加工的加工步驟；（c）將經加工的電子零件自支撐體及暫時固定用樹脂膜分離的分離步驟；以及（d）於電子零件上有殘渣的情況下進行清洗的清洗步驟。

圖5（A）、圖5（B）及圖5（C）為用以說明電子零件的加工方法的一實施形態的示意剖面圖，圖5（D）為表示加工後的電子零件的俯視圖。

＜（a）暫時固定步驟＞ 圖5（A）表示使具有第一層41及第二層42兩層構成的膜狀的暫時固定材料40介於支撐體50及電子零件60之間，將電子零件60暫時固定於支撐體50上的步驟。此時，以第一層41接觸電子零件60側、第二層42接觸支撐體50側的方式配置膜狀的暫時固定材料40。

電子零件60的厚度並無特別限制，可設為600 μm～800 μm。

（a-1）於支撐體50上形成暫時固定材料40 使用輥式層壓機、真空層壓機等，將暫時固定用樹脂膜20的第二層22側層壓於支撐體50上，藉此可設置膜狀的暫時固定材料40。

本實施形態的支撐體的材質並無特別限制，可使用矽晶圓、玻璃晶圓、石英晶圓等基板。

亦可對支撐體進行剝離處理，藉由如圖5（A）般對支撐體50表面的全部或一部分進行剝離處理而形成剝離層52。剝離處理中所使用的剝離劑並無特別限定，例如具有氟元素的表面改質劑、聚烯烴系蠟及矽油、含有反應性基的矽油、矽酮改質醇酸樹脂因剝離性優異而較佳。

（a-2）電子零件60的貼附 接著，於晶圓接合裝置或真空層壓機上，設置形成有膜狀的暫時固定材料40的支撐體50，並藉由壓機對電子零件60進行按壓而貼附於第一層41側。

於使用晶圓接合裝置的情況下，例如使用EVG公司製造的真空壓製機EVG520IS（商品名），於氣壓1 hPa以下、壓接壓力1 MPa、壓接溫度60℃～200℃、保持時間100秒～300秒的條件下，經由膜狀的暫時固定材料40將電子零件60與支撐體50暫時固定。

於使用真空層壓機的情況下，例如可使用NPC股份有限公司製造的真空層壓機LM-50X50-S（商品名）、日合乾膜（Nichigo-Morton）股份有限公司製造的真空層壓機V130（商品名）。於氣壓1 hPa以下；壓接溫度40℃～180℃、較佳為60℃～150℃；層壓壓力0.01 MPa～0.5 MPa、較佳為0.1 MPa～0.5 MPa；保持時間1秒～600秒、較佳為30秒～300秒的按壓條件下，經由膜狀的暫時固定材料40將電子零件60與支撐體50暫時固定。

作為電子零件，可列舉半導體元件等。電子零件的材質並無特別限制，可使用矽晶圓、玻璃晶圓、石英晶圓、半導體晶圓等基板。

（a-3）暫時固定用樹脂膜的硬化 於經由膜狀的暫時固定材料40將電子零件60與支撐體50暫時固定後，進行膜狀的暫時固定材料40的硬化。只要膜可被硬化，則硬化方法並無特別限制，有藉由熱或放射線照射的方法。作為硬化方法，其中較佳為藉由熱的硬化。於藉由熱進行硬化的情況下，硬化條件較佳為於100℃～200℃下、10分鐘～300分鐘的硬化，更佳為20分鐘～210分鐘的硬化。溫度若為100℃以上，則膜充分硬化而難以於加工步驟中引起問題，若為200℃以下，則於膜的硬化中難以產生逸氣，可進一步抑制膜的剝離。另外，硬化時間若為10分鐘以上，則難以於加工步驟中引起問題，若為300分鐘以下，則作業效率難以劣化。暫時固定材料40藉由硬化而成為具備經硬化的第一層71與經硬化的第二層72的暫時固定材料70。

＜（b）加工步驟＞ 加工步驟中包括以晶圓級而使用的研磨、電極形成、金屬配線形成、保護膜形成等。研磨方式並無特別限制，可利用公知的研磨方式。研磨較佳為一邊對電子零件及研磨料（金剛石等）加水冷卻一邊進行。

例如，如圖5（B）所示般，藉由研磨機90對電子零件80的背面、即電子零件80的與膜狀的暫時固定材料70接觸之側的相反側的面進行研磨，例如將700 μm左右的厚度薄化至100 μm以下。

作為進行研磨加工的裝置，例如可列舉迪士高（DISCO）股份有限公司製造的DGP-8761（商品名）等，該情況下的切削條件可根據所需的電子零件的厚度及研磨狀態而任意選擇。

具體而言，其他步驟可列舉：用以形成電極等的金屬濺鍍、對金屬濺鍍層進行蝕刻的濕式蝕刻、用以於形成金屬配線時進行遮蓋的抗蝕劑的塗佈、利用曝光·顯影的圖案形成、抗蝕劑的剝離、乾式蝕刻、金屬鍍層的形成、用以形成TSV的矽蝕刻、矽表面的氧化膜形成等公知的製程。

圖5（C）表示於經薄化的半導體晶圓80的背面側進行乾式離子蝕刻或波希製程（Bosch process）等加工，形成貫通孔後，進行鍍銅等處理而形成貫通電極82的例子。

如此般對電子零件80實施既定的加工。圖5（D）為加工後的電子零件80的俯視圖。對於經加工的電子零件80，進而藉由沿著切割線84的切割而單片化為半導體元件。

＜（c）分離步驟＞ 圖6（A）、圖6（B）及圖6（C）為用以說明將經加工的電子零件自支撐體及膜狀的暫時固定材料分離的分離步驟的一實施形態的示意剖面圖。本實施形態的分離步驟包括：自支撐體剝離電子零件的第一剝離步驟、及自支撐體剝離膜狀的暫時固定材料的第二剝離步驟。第一剝離步驟為將於加工步驟中實施了加工的電子零件自支撐體剝離的步驟，即，對經薄型化的電子零件實施各種加工後，於切割之前自支撐體剝離的步驟。作為剝離方法，可列舉一邊將電子零件或支撐體的一者水平固定，將另一者自水平方向以一定角度提起的方法；及於電子零件的研磨面上貼附保護膜，將電子零件以及保護膜以撕拉方式自支撐體剝離的方法等，可無特別限制地採用。

本實施形態中，該些剝離方法均可應用。作為剝離方法，其中，以下方法更合適：如圖6（A）所示般將電子零件80或支撐體50的一者水平固定，將另一者自水平方向以一定角度提起的方法等，藉此可獲得電子零件80（參照圖6（C））。本實施形態中，藉由使用本實施形態的暫時固定用樹脂膜而形成膜狀的暫時固定材料，可容易地獲得殘膠等殘渣經充分減少的加工完成的電子零件。該些剝離方法通常是於室溫下實施，亦可於40℃～100℃左右的不對電子零件造成損傷的溫度下實施。於機械分解時，例如可使用剝離器（Debonder）（SUSS股份有限公司製造，DB12T）、德邦（De-Bonding）裝置（EVG公司製造，EVG805EZD）等。

於第二剝離步驟中，例如，如圖6（B）所示般，將電子零件80水平固定，將膜狀的暫時固定材料70的端部自水平方向以一定角度提起，藉此可獲得暫時固定材料經剝離的電子零件80，且可回收支撐體。

＜（d）清洗步驟＞ 於電子零件的電路形成面上，暫時固定材料的一部分容易殘存。於一部分暫時固定材料殘存於經剝離的電子零件的電路形成面上的情況下，可設置用以將其去除的清洗步驟。暫時固定材料的去除例如可藉由清洗電子零件而進行。

關於清洗液，只要為可將一部分殘存的暫時固定用樹脂膜去除的清洗液，則並無特別限制。作為此種清洗液，例如可列舉可用於稀釋暫時固定用樹脂膜組成物的所述有機溶劑。該些有機溶劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。

另外，於殘存的暫時固定用樹脂膜難以去除的情況下，亦可於有機溶劑中添加鹼類、酸類。作為鹼類的例子，可使用乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、三乙胺、氨等胺類；氫氧化四甲基銨等銨鹽類。酸類可使用乙酸、草酸、苯磺酸、十二烷基苯磺酸等有機酸。添加量以清洗液中濃度計，較佳為0.01質量%～10質量%。另外，為了提高殘存物的去除性，亦可於清洗液中添加現有的界面活性劑。

清洗方法並無特別限制，例如可列舉：使用所述清洗液進行覆液方式的清洗的方法、利用噴射噴霧的清洗方法、浸漬於清洗液槽中的方法。溫度適宜為10℃～80℃、較佳為15℃～65℃，最終進行水洗或醇清洗，進行乾燥處理，獲得薄型的電子零件80。

此外，如上所述，根據本實施形態的暫時固定用樹脂組成物，可充分減少殘膠等殘渣，故可省略清洗步驟。

關於經加工的電子零件80，與所述同樣地形成貫通電極82，進而藉由沿著切割線84的切割而單片化為半導體元件（參照圖6（D））。

本實施形態中，藉由將所獲得的半導體元件連接於其他半導體元件或半導體元件搭載用基板，可製造電子機器裝置。

圖7（A）、圖7（B）為用以說明電子機器裝置的製造方法的一實施形態的示意剖面圖。首先，藉由上文所述的方法而準備形成有貫通電極86且經單片化的半導體元件100（圖7（A））。然後，將多個半導體元件100積層於配線基板110上，藉此可獲得電子機器裝置120（圖7（B））。

以上，對本發明的暫時固定用樹脂膜、及使用暫時固定用樹脂膜的經薄型化的電子零件的製造方法的適宜實施形態進行了說明，但本發明未必限定於所述實施形態，可在不脫離其主旨的範圍內進行適當變更。 [實施例]

以下，藉由實施例及比較例對本發明進一步進行具體說明，但本發明不限定於以下的實施例。

[聚醯亞胺樹脂PI-1的合成] 於具備攪拌機、溫度計、氮置換裝置（氮流入管）及帶有接水器的回流冷卻器的燒瓶內加入作為二胺的BAPP（商品名，東京化成製造，2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷，分子量：410.51）10.26 g（0.025 mol）及1,4-丁二醇雙(3-胺基丙基)醚（東京化成製造，商品名：B-12，分子量：204.31）5.10 g（0.025 mol）、以及作為溶媒的N-甲基-2-吡咯啶酮（N-Methyl-2-pyrrolidone，NMP）100 g，進行攪拌以使二胺溶解於溶媒中。一邊於冰浴中對所述燒瓶進行冷卻，一邊將十亞甲基雙偏苯三甲酸二酐（Decamethylene Bistrimellitate Dianhydride，DBTA）26.11 g（0.05 mol）逐次少量地添加至燒瓶內的溶液中。於添加結束後，一邊吹入氮氣一邊將溶液昇溫至180℃並保溫5小時，從而獲得聚醯亞胺樹脂PI-1。聚醯亞胺樹脂PI-1為熱塑性樹脂，重量平均分子量為50000，Tg為70℃。聚醯亞胺樹脂PI-1是以於NMP中固體成分濃度成為50質量%的方式製備並使用。此外，表1及表2中所示的PI-1的調配量為固體成分的質量份。

[丙烯酸橡膠K-1的合成] 於具備攪拌機、溫度計、氮置換裝置（氮流入管）及帶有接水器的回流冷卻器的500 cc可分離式燒瓶內調配去離子水200 g、丙烯酸丁酯60 g、甲基丙烯酸甲酯10 g、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯10 g、甲基丙烯酸縮水甘油酯20 g、1.8%聚乙烯醇水溶液1.94 g、月桂基過氧化物0.2 g及正辛基硫醇0.08 g。繼而，向燒瓶中吹入N₂ 氣60分鐘而去除系統內的空氣後，將系統內溫度昇溫至65℃而進行5小時聚合。進而，將系統內溫度昇溫至90℃並持續攪拌2小時以完成聚合。藉由過濾將利用聚合反應而獲得的透明珠粒分離，以去離子水進行清洗，然後利用真空乾燥機以50℃乾燥6小時，從而獲得丙烯酸橡膠K-1。利用GPC對丙烯酸橡膠K-1進行了測定，結果丙烯酸橡膠K-1的重量平均分子量以聚苯乙烯換算計為30萬。另外，丙烯酸橡膠K-1的Tg為-20℃。

[丙烯酸橡膠K-2的合成] 於具備攪拌機、溫度計、氮置換裝置（氮流入管）及帶有接水器的回流冷卻器的500 cc可分離式燒瓶內調配去離子水200 g、丙烯酸丁酯70 g、甲基丙烯酸甲酯10 g、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯10 g、甲基丙烯酸縮水甘油酯10 g、1.8%聚乙烯醇水溶液1.94 g、月桂基過氧化物0.2 g及正辛基硫醇0.06 g。繼而，向燒瓶中吹入N₂ 氣60分鐘而去除系統內的空氣後，將系統內溫度昇溫至65℃而進行5小時聚合。進而，將系統內溫度昇溫至90℃並持續攪拌2小時以完成聚合。藉由過濾將利用聚合反應而獲得的透明珠粒分離，以去離子水進行清洗，然後利用真空乾燥機以50℃乾燥6小時，從而獲得丙烯酸橡膠K-2。利用GPC對丙烯酸橡膠K-2進行了測定，結果丙烯酸橡膠K-2的重量平均分子量以聚苯乙烯換算計為40萬。另外，丙烯酸橡膠K-2的Tg為-28℃。

（實施例1～實施例11、比較例1～比較例2） [暫時固定用樹脂膜的製備] 以表1～表3所示的質量份的組成製備用以形成第一層及第二層的清漆。將所製備的清漆塗佈於經脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯膜（帝人杜邦膜（Teijin-Dupont Film）股份有限公司製造，A31，厚度為38 μm）的脫模處理面上，於90℃下加熱乾燥5分鐘及於140℃下加熱乾燥5分鐘。然後，於樹脂層上進一步貼合所述膜作為保護膜，分別獲得帶有保護膜及支撐膜的第一樹脂片及第二樹脂片。自各樹脂片剝離保護膜，並於60℃下藉由輥式層壓將第一層及第二層貼合，獲得各暫時固定用樹脂膜。

[表1]

[表2]

[表3]

表1～表3中的各成分的詳情如下。 ·熱塑性樹脂 HTR-280-CHN：利用GPC獲得的重量平均分子量為90萬、Tg-28℃的丙烯酸橡膠（長瀨化成（Nagase ChemteX）股份有限公司製造） HTR-280-Mw1：利用GPC獲得的重量平均分子量為60萬、Tg-28℃的丙烯酸橡膠（長瀨化成（Nagase ChemteX）股份有限公司製造） HTR-860P-3CSP：利用GPC獲得的重量平均分子量為80萬、Tg12℃的丙烯酸橡膠（長瀨化成（Nagase ChemteX）股份有限公司製造） HTR-860P-3CSP-30B：利用GPC獲得的重量平均分子量為30萬、Tg12℃的丙烯酸橡膠（長瀨化成（Nagase ChemteX）股份有限公司製造） 丙烯酸橡膠K-1：上述中合成的丙烯酸橡膠（利用GPC獲得的重量平均分子量為30萬、Tg-20℃） 丙烯酸橡膠K-2：上述中合成的丙烯酸橡膠（利用GPC獲得的重量平均分子量為40萬、Tg-28℃） 聚醯亞胺樹脂PI-1：上述中合成的聚醯亞胺樹脂（利用GPC獲得的重量平均分子量為50000、Tg70℃） ·硬化性成分 YDCN-700-10：甲酚酚醛清漆型多官能環氧樹脂（新日鐵住金化學股份有限公司製造） YDF-8170C：雙酚F型二官能環氧樹脂（新日鐵住金化學股份有限公司製造） XLC-LL：苯酚芳烷基樹脂（三井化學股份有限公司製造） ·矽酮化合物 KF105：環氧改質矽酮化合物（信越矽酮股份有限公司製造） SH550：甲基苯基矽酮化合物（東麗·陶氏化學（Toray·Dow Chemical）股份有限公司製造） SH3773M：聚醚改質矽酮化合物（東麗·陶氏化學（Toray·Dow Chemical）股份有限公司製造） TA31-209E：矽酮改質醇酸樹脂（日立化成聚合物股份有限公司製造） BYK-UV3500：聚醚·丙烯酸改質矽酮化合物（畢克（BYK）製造） ·硬化促進劑 2PZ-CN：咪唑系硬化促進劑（四國化成工業股份有限公司製造） ·填料 SC2050-HLG：二氧化矽填料（雅都瑪（Admatechs）股份有限公司製造）

關於所製備的實施例及比較例的暫時固定用樹脂膜，依據以下所示的方法評價剪切黏度、階差填埋性、200℃的耐熱性評價、硬化後的彈性模數、第一層的30°剝離強度、第二層的90°剝離強度及剝離性。將其評價結果示於表4及表5中。

[硬化前的剪切黏度測定] 關於暫時固定用樹脂膜中的第一層及第二層，藉由下述方法評價硬化前的剪切黏度。對於將第一層或第二層的任一者調整為厚度120 μm的測定用單層膜，於80℃下進行層壓，並使用旋轉式黏彈性測定裝置（TA儀器（TA Instruments）股份有限公司製造，ARES）測定剪切黏度。在測定方法為「平行板（parall plate）」、測定夾具為直徑8 mm的圓形夾具、測定模式為「動態溫度斜坡（Dynamic temperature ramp）」、頻率為1 Hz的條件下進行，一邊於35℃下對測定用單層膜賦予5%的變形一邊以20℃/分的昇溫速度昇溫至120℃，測定到達120℃時的測定用膜的黏度。

[階差填埋性] 藉由下述方法評價暫時固定用樹脂膜的階差填埋性。於厚度為625 μm的矽鏡晶圓（6吋）表面，於80℃下藉由輥式層壓貼合暫時固定用樹脂膜的第二層側，獲得帶有暫時固定用樹脂膜的晶圓。接著，於厚度為625 μm的矽鏡晶圓（6吋）表面，藉由刀片切割（blade dicing）以100 μm間隔製作寬40 μm、深40 μm的溝槽。將如此般製作而成的帶有階差的矽鏡晶圓以階差成為上面的方式置於真空層壓機（NPC（股）製造，LM-50X50-S）的平台上，將上述中製作的帶有暫時固定用樹脂膜的晶圓設置成使暫時固定用樹脂膜面朝下地將暫時固定用樹脂膜的第一層貼附於帶有階差的矽鏡晶圓側。於15 mbar的條件下以120℃的溫度、0.1 MPa的壓力對其進行2分鐘加熱加壓，並進行真空層壓。 其後，使用超音波顯微鏡（SAM，英賽特（Insight）股份有限公司製造，英賽特（Insight）-300）確認暫時固定用樹脂膜的狀態。填埋性的評價基準如下。 A：空隙（void）的比例未滿5%。 B：空隙的比例為5%以上。

[200℃的耐熱性評價] 藉由下述方法評價暫時固定用樹脂膜的200℃的耐熱性。藉由刀片切割對厚度為625 μm的矽鏡晶圓（6吋）進行小片化而成為25 mm見方。於80℃下，以暫時固定用樹脂膜的第二層側貼附於經小片化的矽鏡晶圓表面的方式進行輥式層壓。接著，於80℃下，將厚度為0.1 mm～0.2 mm且大小為約18 mm見方的載玻片輥式層壓於暫時固定用樹脂膜的第一層側，從而製作暫時固定用樹脂膜由矽晶圓及載玻片夾持的積層體樣品。對所獲得的樣品於130℃下進行30分鐘加熱，繼而於170℃下進行1分鐘加熱而使暫時固定用樹脂膜硬化，其後，於200℃下進行30分鐘加熱。自載玻片面觀察如此般獲得的樣品，並利用Phtoshop（註冊商標）等軟體對圖像進行解析，根據暫時固定用樹脂膜整體的面積中空隙所佔的比例來評價200℃的耐熱性。評價基準如下。 A：空隙的比例未滿5%。 B：空隙的比例為5%以上。

[硬化後的貯存彈性模數] 關於暫時固定用樹脂膜中的第一層及第二層，藉由下述方法評價硬化後的貯存彈性模數。對於將第一層或第二層的任一者調整為厚度120 μm的測定用單層膜，於80℃下進行層壓。於110℃的烘箱中對其進行30分鐘加熱，進而於170℃下進行1小時加熱而使膜硬化後，切成厚度方向上為4 mm寬、長33 mm。將切出的測定用單層膜設置於動態黏彈性裝置（製品名：Rheogel-E4000，UMB（股）製造）並施加拉伸負荷，以頻率10 Hz、昇溫速度3℃/分進行測定，從而測定出25℃下的貯存彈性模數。

[30°剝離強度] 藉由下述方法評價矽晶圓及暫時固定用樹脂膜（第一層）之間的30°剝離強度。於厚度為625 μm的矽鏡晶圓（6吋）表面，藉由刀片切割以100 μm間隔製作寬40 μm、深40 μm的溝槽。將如此般製作而成的帶有階差的矽鏡晶圓以階差成為上面的方式置於真空層壓機（NPC（股）製造，LM-50X50-S）的平台上，將暫時固定用樹脂膜設置成第一層貼附於帶有階差的矽鏡晶圓側，於15 mbar的條件下以120℃的溫度、0.1 MPa的壓力進行2分鐘加熱加壓，並進行真空層壓。對所獲得的樣品於130℃下進行30分鐘加熱，繼而於170℃下進行1小時加熱而使其硬化。對其進一步於200℃下加熱30分鐘後，切成10 mm寬度而製成測定用膜。藉由將剝離角度設定為30°的剝離試驗機，以300 mm/分的速度對測定用膜實施剝離試驗，將此時的剝離強度設為30°剝離強度。

[90°剝離強度] 藉由下述方法評價矽鏡晶圓及暫時固定用樹脂膜（第二層）之間的90°剝離強度。將厚度為625 μm的矽鏡晶圓（6吋）置於真空層壓機（NPC（股）製造，LM-50X50-S）的平台上，將暫時固定用樹脂膜設置成第二層貼附於矽鏡晶圓側，於15 mbar的條件下以120℃的溫度、0.1 MPa的壓力進行2分鐘加熱加壓，並進行真空層壓。對所獲得的樣品於130℃下進行30分鐘加熱，繼而於170℃下進行1小時加熱而使其硬化。對其進一步於200℃下加熱30分鐘後，切成10 mm寬度而製成測定用膜。藉由將剝離角度設定為90°的剝離試驗機，以300 mm/分的速度對測定用膜實施剝離試驗，將此時的剝離強度設為90°剝離強度。

[剝離性] 藉由下述方法評價暫時固定用樹脂膜的藉由剝離裝置的剝離性。作為支撐體而使用矽鏡晶圓，於80℃下，以第二層側貼附於矽鏡晶圓的方式藉由輥式層壓貼附暫時固定用樹脂膜，藉此獲得帶有暫時固定用樹脂膜的支撐體。接著，於厚度為725 μm的矽鏡晶圓（8吋）表面，藉由刀片切割以100 μm間隔製作寬40 μm、深40 μm的溝槽而準備在表面具有階差的矽晶圓。以帶有暫時固定用樹脂膜的支撐體的暫時固定用樹脂膜的第一層接觸該矽晶圓的階差側的方式進行貼合，利用真空接合裝置（步（AYUMI）工業（股）製造的VE07-14），於5 mbar的條件下以120℃的溫度、0.1 MPa的壓力進行2分鐘加熱加壓而獲得積層體。對如此般獲得的積層體於130℃下進行30分鐘加熱，繼而於170℃下進行1小時加熱，藉此使暫時固定用樹脂膜硬化。其後，對其於200℃下加熱30分鐘後，於矽晶圓的階差側與暫時固定用樹脂膜的第一層側之間插入頂端鋒利的鑷子，沿外緣移動鑷子。將矽晶圓及支撐體可不發生破裂地剝離者設為A，將無法剝離者或可見損傷者設為B。

[表4]

[表5]

如表4及表5所示，實施例的暫時固定用樹脂膜的對矽晶圓的階差填埋性及耐熱性優異。另外確認到，矽晶圓與暫時固定用樹脂膜的第一層側之間的30°剝離強度低，矽鏡晶圓與暫時固定用樹脂膜的第二層側之間的90°剝離強度亦低，因此剝離性良好。 [產業上之可利用性]

根據本發明，可提供一種可良好地進行電子零件的加工，並且可容易地自加工後的電子零件及支撐體剝離的暫時固定用樹脂膜。

1、4‧‧‧暫時固定用樹脂膜片
2‧‧‧第一樹脂片
3‧‧‧第二樹脂片
10‧‧‧支撐膜
20‧‧‧暫時固定用樹脂膜
21‧‧‧第一層
22‧‧‧第二層
30‧‧‧保護膜
40‧‧‧暫時固定材料
41‧‧‧第一層
42‧‧‧第二層
50‧‧‧支撐體
52‧‧‧剝離層
60‧‧‧電子零件
70‧‧‧暫時固定材料
71‧‧‧第一層
72‧‧‧第二層
80‧‧‧電子零件
82‧‧‧貫通電極
84‧‧‧切割線
86‧‧‧貫通電極
90‧‧‧研磨機
100‧‧‧半導體元件
110‧‧‧配線基板
120‧‧‧電子機器裝置

圖1（A）為表示具有第一層與第二層的暫時固定用樹脂膜片的一實施形態的俯視圖，圖1（B）為沿圖1（A）的I-I線的示意剖面圖。 圖2（A）為表示第一樹脂片的一實施形態的俯視圖，圖2（B）為沿圖2（A）的II-II線的示意剖面圖。 圖3（A）為表示第二樹脂片的一實施形態的俯視圖，圖3（B）為沿圖3（A）的III-III線的示意剖面圖。 圖4（A）為表示本發明的暫時固定用樹脂膜片的另一實施形態的俯視圖，圖4（B）為沿圖4（A）的IV-IV線的示意剖面圖。 圖5（A）、圖5（B）及圖5（C）為用以說明電子零件的加工方法的一實施形態的示意剖面圖，圖5（D）為表示加工後、例如研磨後的電子零件的俯視圖。 圖6（A）～圖6（C）為用以說明將經加工的電子零件自支撐體及暫時固定用樹脂膜分離的分離步驟的一實施形態的示意剖面圖。 圖7（A）、圖7（B）是用以說明電子機器裝置的製造方法的一實施形態的示意剖面圖。

無

Claims (11)

1. 一種暫時固定用樹脂膜，其具備： 第一層，包含玻璃轉移溫度為-50℃～50℃的第一熱塑性樹脂；以及 第二層，包含玻璃轉移溫度為-50℃～50℃的第二熱塑性樹脂及硬化性成分。
2. 如申請專利範圍第1項所述的暫時固定用樹脂膜，其中相對於所述第二熱塑性樹脂100質量份，所述第二層中的所述硬化性成分的含量為10質量份～500質量份。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的暫時固定用樹脂膜，其中所述第一層的厚度為10 μm～350 μm，所述第二層的厚度為10 μm～350 μm。
4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的暫時固定用樹脂膜，其中所述第一層的厚度及所述第二層的厚度滿足下述式（1）的關係； (1/10)a≦b≦10a･･･（1） 式（1）中，a表示第一層的厚度，b表示第二層的厚度。
5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的暫時固定用樹脂膜，其中所述第一熱塑性樹脂為具有交聯性官能基且重量平均分子量為10萬～120萬的熱塑性樹脂。
6. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的暫時固定用樹脂膜，其中所述第二熱塑性樹脂為具有交聯性官能基且重量平均分子量為10萬～120萬的熱塑性樹脂。
7. 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的暫時固定用樹脂膜，其中所述硬化性成分為熱硬化性樹脂。
8. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的暫時固定用樹脂膜，其中所述第一層更包含矽酮化合物。
9. 如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的暫時固定用樹脂膜，其中所述第二層更包含矽酮化合物。
10. 如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的暫時固定用樹脂膜，其中所述第一層更包含硬化促進劑。
11. 如申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述的暫時固定用樹脂膜，其中所述第二層更包含硬化促進劑。