JP2021129061A - 半導体製造装置および製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】半導体ウエハの表面に貼り付けられた保護部材の粘着層を平坦化させる。
【解決手段】保護部材が貼り付いた半導体ウエハを載置する載置台と、保護部材が貼り付いた半導体ウエハを押圧する押圧機構と、紫外線照射機構と、載置台、押圧機構、及び紫外線照射機構を収容するチャンバーとを備え、押圧機構は紫外線透過板を含み、押圧機構は紫外線透過板を駆動し、前記保護部材が貼り付いた前記半導体ウエハを載置台に押圧する押圧力を生じ、紫外線透過板は押圧機構の載置台に面する側に設置し、且つ押圧機構から押圧力を受けるように構成されており、押圧機構を載置台と相対的に移動し、保護部材に紫外線透過板を当接するように、紫外線透過板と載置台とで保護部材が貼り付いた半導体ウエハを挟むことにより押圧すると共に、押圧された状態で紫外線照射機構により紫外線透過板を通過させるように保護部材へ紫外線を照射する半導体製造装置及び製造方法を提供する。
【選択図】図３

Description

この発明は、半導体製造装置および製造方法に関し、特に薄型半導体デバイスを製造する際に用いる半導体製造装置およびその製造方法に関する。
近年、電子機器の小型化、高密度化に伴い、半導体ウエハ等の電子部品のさらなる薄型化が望まれている。このため、半導体ウエハを厚さ数十mｍ程度まで薄くする需要が高まっている。また、生産性を向上するために、半導体ウエハの大径化も進んでいる。
通常、大径の状態で製造された半導体ウエハは、フォトレジスト、エッチング、イオン注入、ポリッシング等の工程により半導体ウエハの表面に所定の回路パターンやスパッタリングにより電極が形成された後、所定の厚さになるまで半導体ウエハの裏面をグラインダで研削する。（以下、「バックグラインド工程」と称す。）また、必要に応じて裏面処理（エッチング、ポリシング等）、切断加工処理等を実施する。
その際、半導体ウエハの回路パターン等を保護する目的で、半導体ウエハの表面に保護テープをラミネーティング（積層）した上で半導体ウエハの裏面でバックグラインド工程を行う。また、ＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）プロセスの場合、所定のチップ厚さまでハーフカットダイシング（溝入れ）工程を行った後、ラミネーティング工程及びバックグラインド工程を実施する。
一般に使用される保護テープは、基材とその上に形成された粘着剤層から構成されている。保護テープを半導体ウエハの表面にラミネーティングする際、通常、ラミネート装置を用い、ラミネートテーブルの上に半導体ウエハの表面（電子回路面）が上向きになるように半導体ウエハを載置し、その上に保護テープの粘着剤層と半導体ウエハの表面とを対面させてラミネートする。通常、圧着ローラなどの押圧手段により、貼り合わせ方向に沿って順次圧着し、保護テープと半導体ウエハの表面を密着させる。
次に、バックグラインド工程を行うため、チャックテーブルの上に半導体ウエハを載置する。この場合、半導体ウエハの裏面（保護テープが貼り付いていない面）を上向きに露出させ、半導体ウエハの表面（保護テープが貼り付いた面）を下向きにし、チャックテーブルの平坦面と対面させるように載置する。こうした状態で、チャックテーブルに保護テープを介して半導体ウエハを真空吸着しながら、半導体ウエハの裏面をグラインダによって所定の厚さまで研削する。
しかしながら、従来の保護テープの粘着剤層には厚さのばらつきが存在する。そのばらつきによって基材が部分的に盛り上がり、保護テープ表面が凸凹形状となる。粘着剤層の素材によって、保護テープ表面の高低差（ＴＴＶ；Ｔｏｔａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）は通常、２mｍ〜６mｍを有する。このため、保護テープを介して半導体ウエハをチャックテーブルに真空吸着される際、保護テープの厚さのばらつきが半導体ウエハに転写されてしまい、半導体ウエハ表面の平坦度の低下に繋がる。その結果として、バックグラインド工程を経た半導体チップの厚みの不均一性が生じ、品質低下、例えば厚さの違いからパッケージの反りに影響する原因となる。
さらにＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｅ）のように配線基板に複数の半導体チップを多段に積層する製品では、個々の半導体チップの厚さにばらつきが大きくなると、半導体チップの積層体の高さがばらつき、ワイヤボンディング工程や封止工程等、以降の工程に影響が出る恐れがある。
そこで、上述のような問題を解決すべく、切削装置によって保護テープの切削を行い、テープの表面を平坦化する技術が知られている。
しかしながら、保護テープの切削技術は、保護テープを切削装置で切削する際に、糸状の保護テープ屑が発生し、発生した保護テープ屑が半導体ウエハ表面に貼着された保護テープ上に残存し、保護テープ屑が残存した状態で半導体ウエハを研削すると半導体ウエハの保護テープ屑が残存した部位の研削厚さに影響を及ぼす恐れがある。
さらに、保護テープ屑が半導体ウエハ裏面側に回り込んで付着することもあり、当該半導体ウエハを洗浄しても保護テープ屑の除去は難しいという問題が発生する可能性がある。
本発明は、上述した従来技術による問題点に鑑みてなされたものであり、保護テープの厚さのばらつきを解消することにより、半導体ウエハの厚さ精度の低下を防ぎ、個片化された半導体チップの品質向上に繋がる半導体製造装置および半導体製造方法を提供することを目的とする。
本発明の実施形態に係る半導体製造装置によれば、保護部材が貼り付いた半導体ウエハを載置する載置台と、前記載置台と対向して配置され、前記保護部材が貼り付いた前記半導体ウエハを押圧する押圧機構と、前記保護部材に紫外線を照射する紫外線照射機構と、前記載置台、前記押圧機構、前記紫外線照射機構を収容するチャンバーとを備え、前記押圧機構は紫外線透過板を含み、前記押圧機構は、前記紫外線透過板を駆動し、前記保護部材が貼り付いた前記半導体ウエハを前記載置台に押圧する押圧力を生じ、前記紫外線透過板は前記押圧機構の前記載置台に面する側に設置し、且つ前記押圧機構から前記押圧力を受けるように構成されており、前記押圧機構を前記載置台と相対的に移動し、前記保護部材の前記半導体ウエハと貼り付いた面の反対面に、前記紫外線透過板を当接するように、前記紫外線透過板と前記載置台とで前記保護部材が貼り付いた前記半導体ウエハを挟むことにより押圧すると共に、押圧された状態で前記紫外線照射機構により前記紫外線透過板を通過させるように前記保護部材へ前記紫外線を照射することを特徴とする。
また、本発明の他の実施形態に係る半導体製造方法によれば、第一主面と第二主面とを有する半導体ウエハ及び第一主面と第二主面とを有する保護部材を準備する工程と、前記半導体ウエハの第一主面と前記保護部材の第一主面とを貼り付けるラミネーティング工程と、前記半導体ウエハに貼り付けられた前記保護部材の第二主面を押圧面として押圧する工程と、前記保護部材の第二主面を押圧した状態で、前記半導体ウエハと貼り付いた前記保護部材に紫外線を照射による硬化する工程とを備え、前記保護部材の厚さが前記押圧する工程によって実質的に均一となり、前記保護部材が前記硬化する工程によって実質的に均一な状態で固定されることを特徴とする。
本発明に係る半導体製造装置又は半導体製造方法によれば、半導体ウエハの表面に保護部材が貼り付いた状態で、保護部材の粘着層の凸凹を平坦化させ、保護部材の厚さが実質的に均一となることにより、半導体ウエハの厚さの不均一性を低減する効果を奏する。
本発明の一の実施形態に係る半導体製造装置の横断面図である。 図１の破線部に対応する断面拡大図である。 本発明の一の実施形態に係る半導体製造装置の横断面図である。 図３の破線部に対応する断面拡大図である。 本発明の他の実施形態に係る半導体製造装置の上面図である。 本発明の他の実施形態に係る半導体製造装置の説明図である。 本発明の他の実施形態に係る半導体製造装置の上面図である。 本発明の他の実施形態に係る半導体製造装置の説明図である。 本発明の他の実施形態に係る半導体製造方法のフロー図である。
本発明を実施するための形態につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態１〕
図１は、本発明の実施形態１に係る半導体製造装置１を示したもので、保護部材９が貼り付いた半導体ウエハ８を載置する載置台２と、載置台２と対向して配置される押圧機構３と、保護部材９の粘着層１１(図２で示す)を硬化するための紫外線照射機構６と、載置台２、押圧機構３、及び紫外線照射機構６を収容するチャンバー４とを備える。
載置台２の上に、半導体ウエハ８を載置する。半導体ウエハ８の表面には、図示しないラミネート装置を用いてラミネーティング工程を完成させ、保護部材９が粘着層１１により貼り付けられた状態である。
押圧機構３は、平板７を含むことが好ましい。押圧機構３は、昇降機構（図示さず）によって昇降自在に設けられる。押圧機構３の昇降動作によって平板７を駆動し、保護部材９が貼り付いた半導体ウエハ８を載置台２に押圧する押圧力を生ずる。
平板７は、押圧機構３の載置台２に面する側に設置し、且つ押圧機構３から押圧力を受けるように構成される。本実施の形態では、平板７として紫外線透過板を用いたが、それに限らない。
図２は、図１の破線部Ｘに対応する拡大図であり、押圧を行う前の保護部材９と半導体ウエハ８との断面を示す。保護部材９は、基材１０及び粘着層１１を主体とした２層以上の積層構造となっている。保護部材９は、半導体ウエハ８の第一主面８ａに貼り付けられた第一主面９ａと、第一主面９ａの反対側にあり、平板７から押圧を受ける第二主面９ｂとを有する。また、基材１０と粘着層１１とに接する第三主面９ｃがある。図２に示すように、粘着層１１の厚さはばらつきを有する。その影響を受けて、粘着層１１と基材１０とに接する第三主面９ｃには、凸凹が出ている。また、第三主面９ｃの凸凹によって基材１０が部分的に盛り上がる。その結果として、保護部材９の第二主面９ｂも凸凹形状となる。
続いて、図３及び図４に示すように、昇降機構（図示せず）によって押圧機構３を載置台２と相対的に移動し、保護部材９の第二主面９ｂに、平板７を当接するように、平板７と載置台２とで保護部材９が貼り付いた半導体ウエハ８を挟むことにより押圧すると共に、押圧された状態で紫外線照射機構６により平板７を通過させるように保護部材９へ紫外線を照射し、保護部材９の粘着層１１を硬化させる。
図４は、図３の破線部Ｘ’に対応する拡大図であり、押圧を行った後の保護部材９と半導体ウエハ８との断面を示す。基材１０と粘着層１１とに接する第三主面９ｃの凸凹及び保護部材９の第二主面９ｂの凸凹は、押圧により矯正されたため、第三主面９ｃと第二主面９ｂとは平坦となっている。さらに、保護部材９の粘着層１１は、押圧により矯正された状態で紫外線の照射により硬化し、第三主面９ｃと第二主面９ｂの平坦状態が維持される。
本実施の形態では、保護部材９を押圧し、押圧された状態で保護部材９を硬化するという手順だが、それに限らない。例えば、同時に押圧及び硬化を行う等の手順によって実施してもよい。
尚、本実施の形態では、チャンバー４内で保護部材９に紫外線を照射するように構成されているため、押圧機構３の周囲に紫外線が漏れ出すことがなくなり、処理待ちの保護部材９の貼り付けられた半導体ウエハ８へ紫外線が当たる恐れが無くなる。
本実施の形態では、押圧機構３の昇降動作によって押圧機構３を載置台２と相対的に移動したが、載置台２の昇降動作によって相対的に移動してもよく、押圧機構３及び載置台２両方の昇降動作によって相対的に移動してもよい。
保護部材９としては、例えば、テープ、フィルム又はシートの状態で用いることができる。好ましくは、テープの状態で用いること。
また、本実施の形態では、保護部材９の粘着層１１が紫外線硬化タイプの粘着材であるため、硬化手段としては、紫外線を照射する手段を用いたが、他の硬化手段を用いてもよい。例えば、保護部材の粘着層１１の硬化タイプに合わせて、放射線照射、加熱、又はそれらの手段の組み合わせによって保護部材９の粘着層１１を硬化してもよい。
照射手段としては、紫外線に限らず、特定光を照射、或いは加熱により特性が変化する粘着層を用いて、対応する特定光或いは加熱手段を用いても良い。
加熱手段としては、例えば加熱気体或は熱線を採用してもよい。
粘着層１１としては、半導体装置を製造する際に使用されている公知の熱硬化性あるいは光硬化性の粘着材料を使用することができる。
本実施の形態では、紫外線を用いて保護部材９の粘着層１１を硬化するため、粘着層１１は、紫外線硬化性を有する材質を使用し、基材１０は、紫外線透過性を有する材質を使用する。
平板7は、剛性があり、表面精度の高いものを用いるのが好ましい。例えば、ガラスプレート、鋼板又は樹脂製の平板を用いることができる。なお、放射線照射手段を用いて保護部材９の粘着層１１を硬化する場合、平板7の材質は、放射線透過性が良いものを使用するのが好ましい。
本実施の形態では、平板7としては、紫外線透過性のあるガラスプレートを用いたが、保護部材９を押圧する面の平坦性と硬度が確保でき、かつ紫外線透過性を有するものであればガラス製に限らない。上記の条件を満たすものであれば、例えば樹脂製でも良い。また、紫外線照射の照射条件による温度上昇現象を抑制するために、平板7は紫外線拡散フィルタを備えたガラスプレートを用いてもよい。
本実施の形態では、半導体製造装置１の中でラミネーディングされていない保護部材９に対して紫外線からの影響を避けるため、或いは半導体製造装置１のウエハローダ、アライメント部等、押圧処理待ちの半導体ウエハ８に貼り付けされた保護部材９に対して紫外線からの影響を避けるため、チャンバー４の中で押圧及び硬化を行うことが好ましい。
チャンバー４は、少なくとも押圧機構３及び紫外線照射機構６を収容する。また、チャンバー４は、必要に応じ、載置台、ウエハローダ、搬送部、アライメント部、ラミネート部、ウエハアンローダを備えてもよい。
本実施の形態では、チャンバー４の外壁は、紫外線遮断性を有する。また、他の放射線照射手段を用いて保護部材９の粘着層１１を硬化する場合、チャンバー４の外壁は、その放射線に対して遮断性を有することが好ましい。また、加熱手段によって保護部材９の粘着層１１を硬化する場合、断熱性のチャンバー４を利用してもよい。
押圧機構３は、保護部材９の半導体ウエハ８と貼り付けられた第一主面９ａの反対面（即ち、第二主面９ｂ）の全域を同時に押圧するように構成されることが好ましい。また、同時に押圧を行う範囲は、保護部材９の第一主面９ａの範囲より大きい或は等しいことが好ましい。
紫外線照射を行う範囲は、保護部材９と半導体ウエハ８に貼り付けられた第一主面９ａの範囲より大きい或は等しいことが好ましい。なお、紫外線の照射量は、粘着層１１の材質によって適宜に設定する。
本発明の半導体製造装置１は、さらに連結治具５を含んでもよい。本実施の形態では、連結治具５は、押圧機構３と平板７とを連結し、押圧機構３の昇降と連動する。
押圧機構３と紫外線照射機構６とは、インライン方式又はスタンドアローン方式により配置されてもよい。インライン方式においては、押圧機構３と紫外線照射機構６は、バックグラインディング部、アライメント部、ラミネート部、又は洗浄部等とシステム化され、一連の流れとなるように配置される。また、スタンドアローン方式においては、押圧機構３と紫外線照射機構６は、他の機構から独立し、単独で配置される。
保護部材９の厚さは、押圧機構３の押圧によって実質的に均一となり、また、保護部材９が紫外線照射機構６によって実質的に均一な状態で固定される。
押圧機構３の押圧によって保護部材９の厚さばらつきを示すＴＴＶ（Ｔｏｔａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）が1mm以下になることが好ましい。
〔実施例１〕
図５に示すように、本発明の半導体製造装置１はチャンバー４を備え、チャンバー４の中には、前述紫外線照射機構（図示せず）、押圧機構（図示せず）、載置台（図示せず）及び紫外線透光板（図示せず）を収容する。さらに、本発明の半導体製造装置１はウエハローダ１２、ウエハアンローダ１３、搬送部１４、アライメント部１５、及びラミネート部１６を備える。この実施形態では、保護部材のラミネート装置にインライン方式により押圧機構と紫外線照射機構とが配置される。
次に、本発明の実施例１に係る半導体製造装置について、図５と図６を用いて説明する。まず、複数の半導体ウエハ（図示せず）の収容されたキャリアケース（図示せず）をウエハローダ１２にセットする。次に、半導体ウエハを搬送部１４の搬送機構によってウエハローダ１２からアライメント部１５へ搬入し、アライメント工程を行う。その後、半導体ウエハを搬送部１４の搬送機構によってアライメント部１５からラミネート部１６へ搬入し、半導体ウエハ（図示せず）と保護部材（図示せず）とを貼り付けるラミネーティング工程を行う。ラミネーティング工程では、半導体ウエハに保護部材を貼り付けた後、保護部材は半導体ウエハのサイズでカットされ、半導体ウエハ上にラミネートされる。続いて、保護部材が貼り付けられた半導体ウエハを再度、搬送部１４の搬送機構によってラミネート部１６からチャンバー４へ搬入する。チャンバー４には、載置台（図示せず）、押圧機構（図示せず）、紫外線照射機構（図示せず）及び紫外線透光板（図示せず）が収容されている。チャンバー４のなかに搬入された、保護部材が貼り付けられた半導体ウエハは載置台に保持される。その後、押圧機構により保護部材が貼り付けられた半導体ウエハを押圧し、保護部材の粘着層を平坦化する。その状態で紫外線照射機構から紫外線透過板を通して、保護部材の粘着層に紫外線を照射し、平坦化された粘着層を硬化させる。次に、処理が完了した半導体ウエハを搬送部１４の搬送機構によってチャンバー４からウエハアンローダ１３に搬送する。ウエハアンローダ１３では、ラミネート処理が完了した半導体ウエハがウエハカセットケース（図示せず）に収容される。
尚、本実施例では、保護部材のラミネート装置に適用した場合について説明したが、保護部材が貼り付けられた半導体ウエハの裏面を研削し、半導体ウエハを薄型化するバックグラインディング装置に、本発明の押圧機構と紫外線照射機構を適用し、バックグラインディング工程の前に半導体ウエハに貼り付けられた保護部材の粘着層を平坦化するように構成しても良い。
〔実施例２〕
本発明の実施形態に係る半導体製造装置は、押圧機構及び紫外線照射機構はスダンドアロン方式により配置される。ここでは、スダンドアロン方式の例として実施例２を説明する。また、実施例１と基本的に共通する部分については、原則として説明を繰り返さない。
続いて、本発明の実施例２に係る半導体製造装置ついて図7と図８を用いて説明する。まず、先行のラミネーティング工程によって保護部材（図示せず）が貼り付いた状態の半導体ウエハ（図示せず）が収容されたウエハカセットケース（図示せず）がウエハローダ１２にセットされる。次に、半導体ウエハを搬送部１４の搬送機構によってウエハローダ１２からアライメント部１５へ搬入し、アライメント工程を行う。続いて、アライメントされた半導体ウエハを搬送部１４の搬送機構によってアライメント部１５からチャンバー４へ搬入する。チャンバー４には、載置台（図示せず）、押圧機構（図示せず）、紫外線照射機構（図示せず）及び紫外線透光板（図示せず）が収容されている。チャンバー４の中に搬入された保護部材が貼り付けられた半導体ウエハは載置台に保持される。その後、押圧機構により保護部材が貼り付けられた半導体ウエハを押圧し、保護部材の粘着層を平坦化する。その状態で紫外線照射機構から紫外線透過板を通して、保護部材の粘着層に紫外線を照射し、平坦化された粘着層を硬化させる。次に、処理が完了した半導体ウエハを搬送部１４の搬送機構によってチャンバー４からウエハアンローダ１３に搬送する。ウエハアンローダ１３では、押圧工程等が完了した半導体ウエハがウエハカセットケース（図示せず）に収容される。
本発明の実施例１と２では、ウエハローダ１２とウエハアンローダ１３は別々に設けられたが、まとめてウエハローダ/アンローダとして設けられてもよい。
〔実施形態２〕
続いて、本発明に係る半導体製造方法１００のフローを示す図９を用いて説明する。第一主面８ａと第二主面８ｂとを有する半導体ウエハ８及び第一主面９ａと第二主面９ｂとを有する保護部材９を準備する工程１１０と、半導体ウエハ８の第一主面８ａと保護部材９の第一主面９ａとを貼り付けるラミネーティング工程１２０と、半導体ウエハ８に貼り付けられた保護部材９の第二主面９ｂを押圧面として押圧する工程１３０と、保護部材９の第二主面９ｂを押圧した状態で、半導体ウエハ８と貼り付いた保護部材９に紫外線を照射による硬化する工程１４０とを備える。
保護部材９の粘着層１１の厚さが押圧する工程１３０によって実質的に均一となり、また、保護部材９の粘着層１１が硬化する工程１４０によって実質的に均一な状態で固定される。
押圧する工程１３０によって保護部材９の厚さばらつきを示すＴＴＶ（Ｔｏｔａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）が1mm以下になることが好ましい。
押圧する工程１３０は、本発明に係る半導体製造装置の押圧機構により保護部材９の第二主面９ｂの全域を同時に押圧したほうが好ましい。
本実施の形態では、保護部材９の粘着層１１を硬化する工程１４０としては、紫外線硬化タイプの粘着層１１の保護部材９を用いたことで、紫外線を照射する方法を用いたが、粘着層１１のタイプに応じて他の硬化する方法を用いてもよい。例えば、放射線の照射、加熱、又はそれらの方法の組み合わせによって保護部材９の粘着層１１を硬化してもよい。
照射方法としては、紫外線に限らず、特定光を照射、或いは加熱により特性が変化する粘着層１１を用いて、対応する特定光或いは加熱手段を用いてもよい。好ましくは、紫外線を用いること。
加熱方法としては、例えば加熱気体或は熱線を採用してもよい。
本発明の半導体製造方法には、さらにバックグラインディング工程、アライメント工程、剥離工程、又は洗浄工程を備えてもよい。
尚、本発明の半導体ウエハ８に貼り付けられた保護部材９を押圧し、紫外線を照射し、半導体ウエハ８の保護部材９の粘着層１１を平坦化した状態で硬化させる工程は、半導体ウエハ８に保護部材９をラミネートした後であって、半導体ウエハ８の裏面を研削し薄型化するバックグラインディング工程の前であればどの段階で実施しても良い。
押圧する工程１３０及び硬化する工程１４０はインライン方式又はスタンドアローン方式によって行うことが可能である。インライン方式においては、押圧する工程１３０と硬化する工程１４０は、バックグラインディング工程、アライメント工程、剥離工程、又は洗浄工程等とシステム化され、一連の流れとなるように行う。また、スタンドアローン方式においては、押圧する工程１３０と硬化する工程１４０は、他の工程から独立し、単独で行なう。
以上のように、本発明に係る半導体製造装置及び半導体製造方法は、薄型半導体デバイスを製造するのに有用であり、特に、保護部材の粘着層の凸凹が平坦化され、保護部材の厚さが実質的に均一となることにより、半導体ウエハの厚さの不均一性を低減する効果を奏する。
本発明の幾つかの実施形態を説明したが、上記実施形態は、例示であり、本発明を上記形態に限定することを意図するものではない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施することが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。
１ 半導体製造装置
２ 載置台
３ 押圧機構
４ チャンバー
５ 連結治具
６ 紫外線照射機構
７ 平板
８ 半導体ウエハ
９ 保護部材
１０ 基材
１１ 粘着層
１２ ウエハローダ
１３ ウエハアンローダ
１４ 搬送部
１５ アライメント部
１６ ラミネート部

Claims (10)

  1. 保護部材が貼り付いた半導体ウエハを載置する載置台と、
    前記載置台と対向して配置され、前記保護部材が貼り付いた前記半導体ウエハを押圧する押圧機構と、
    前記保護部材に紫外線を照射する紫外線照射機構と、
    前記載置台、前記押圧機構、前記紫外線照射機構を収容するチャンバーとを備え、
    前記押圧機構は紫外線透過板を含み、
    前記押圧機構は、前記紫外線透過板を駆動し、前記保護部材が貼り付いた前記半導体ウエハを前記載置台に押圧する押圧力を生じ、
    前記紫外線透過板は前記押圧機構の前記載置台に面する側に設置し、且つ前記押圧機構から前記押圧力を受けるように構成されており、
    前記押圧機構を前記載置台と相対的に移動し、前記保護部材の前記半導体ウエハと貼り付いた面の反対面に、前記紫外線透過板を当接するように、前記紫外線透過板と前記載置台とで前記保護部材が貼り付いた前記半導体ウエハを挟むことにより押圧すると共に、押圧された状態で前記紫外線照射機構により前記紫外線透過板を通過させるように前記保護部材へ前記紫外線を照射することを特徴とする半導体製造装置。
  2. 前記押圧機構と前記紫外線照射機構とはインライン方式又はスタンドアローン方式により配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
  3. 前記押圧機構は、前記保護部材の前記半導体ウエハと貼り付いた面の反対面の全域を同時に押圧するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
  4. 前記紫外線透過板は、ガラスプレートまたは紫外線拡散フィルタを備えたガラスプレートであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
  5. ウエハローダ、ウエハアンローダ、搬送部、バックグラインディング部、アライメント部、ラミネート部、又は洗浄部を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
  6. 第一主面と第二主面とを有する半導体ウエハ及び第一主面と第二主面とを有する保護部材を準備する工程と、
    前記半導体ウエハの第一主面と前記保護部材の第一主面とを貼り付けるラミネーティング工程と、
    前記半導体ウエハに貼り付けられた前記保護部材の第二主面を押圧面として押圧する工程と、
    前記保護部材の第二主面を押圧した状態で、前記半導体ウエハと貼り付いた前記保護部材に紫外線を照射による硬化する工程と、を備え、
    前記保護部材の厚さが前記押圧する工程によって実質的に均一となり、
    前記保護部材が前記硬化する工程によって実質的に均一な状態で固定されることを特徴とする半導体製造方法。
  7. 前記押圧する工程によって前記保護部材のＴＴＶが1mm以下になることを特徴とする請求項６に記載の半導体製造方法。
  8. 前記押圧する工程は、紫外線透過板により前記の保護部材の第二主面の全域を同時に押圧することを特徴とする請求項６に記載の半導体製造方法。
  9. 前記押圧する工程と前記硬化する工程とはインライン方式又はスタンドアローン方式によって行われることを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載の半導体製造方法。
  10. バックグラインディング工程、アライメント工程、剥離工程、又は洗浄工程を備えることを特徴とする請求項６〜９のいずれか一項に記載の半導体製造方法。
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