TW201729337A - 原位可移除式靜電吸盤 - Google Patents

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Abstract

本文所述的實施例大體上關於靜電吸盤(ESC, electrostatic chuck)。ESC可包括：適於靜電式耦接基板至ESC的第一複數個電極，以及適於靜電式耦接ESC至基板支座的第二複數個電極。取代內部地設置於基板支座內，該ESC可簡單地從基板支座移除並且從腔室移除，以用於維修或置換的目的。

Description

原位可移除式靜電吸盤
本文所述的實施例大體上關於靜電吸盤（ESC）。更具體地，本文所述的實施例係關於原位可移除式靜電吸盤表面。
在基板的處理中，例如半導體基板與顯示器，基板在處理期間係固持在處理腔室中的支座上。支座可包括ESC，ESC具有電極可以電性偏壓來固持基板在支座上。支座可包括基座，基座支撐ESC於腔室中，且基座可以升高或降低ESC與基板的高度。基座也可提供對於連接導線、氣管等的保護性圍繞，連接導線、氣管等連接至支座的部分。
在用於處理基板的某些電漿處理中，能量化的氣體係用於處理基板，藉由例如蝕刻或沉積材料在基板上，或清洗腔室中的表面。這些能量化的氣體可包括高腐蝕性的種類（例如化學蝕刻劑），以及能量離子化與激化的種類，可能腐蝕ESC的部分。腐蝕的ESC會有問題，因為損傷的ESC可能無法提供所欲的電性特性來用於處理基板或固持基板。另外，從ESC腐蝕出的粒子可能汙染正在腔室中處理的基板。
因此，當ESC已經腐蝕或累積了處理沉積物係在曝露至多個電漿處理循環之後需要多方面清洗時，ESC最後將需要置換或整修。ESC的置換通常需要腔室對大氣打開。一旦ESC已經置換，整個腔室在冗長的泵抽處理之前，必須小心地擦拭與清潔。因此，置換ESC是耗時且花錢的處理。
因此，所欲的是具有一種ESC，當該ESC需要置換時，對於生產力有減少的影響。
在一實施例中，提供一種靜電吸盤。該靜電吸盤包含：一實質上剛性的支撐層，該支撐層具有一底表面與一頂表面，該底表面界定該靜電吸盤的一底部；一第一電極；以及一第二電極，該第二電極至少部分交插於該第一電極。一介電質層具有一頂表面係界定該靜電吸盤的一頂部，且該等第一與第二電極可設置於該介電質層的該頂表面與該支撐層的該頂表面之間。該支撐層、電極、與介電質層可形成一單一主體。一第一連接器可耦接於該第一電極並且可曝露於該靜電吸盤的該底部。一第二連接器可耦接於該第二電極並且可曝露於該靜電吸盤的該底部。該等第一與第二連接器可配置成透過具有一彈簧裝載的導體之一接觸而電連接於一電源。
在另一實施例中，提供一種用於吸附一基板的設備。該設備包括一支撐構件，該支撐構件包括：一頂表面；一第一複數個升舉銷，該第一複數個升舉銷設置通過形成通過該頂表面的孔；以及一第二複數個升舉銷，該第二複數個升舉銷設置通過形成通過該頂表面的孔。該設備也包括一靜電吸盤，該靜電吸盤設置於該支撐構件的該頂表面上。該靜電吸盤包括：一實質上剛性的支撐層，該支撐層具有一底表面與一頂表面，該底表面界定該靜電吸盤的一底部。一第一電極可至少部分交插於一第二電極。一介電質層可具有一頂表面係界定該靜電吸盤的一頂部，且該等第一與第二電極可設置於該介電質層的該頂表面與該支撐層的該頂表面之間。該設備另外包括一第一致動器，該第一致動器係配置成將該第一複數個升舉銷轉移於一升高位置與一縮回位置之間，該升高位置突伸通過該介電質層的該頂表面，且該縮回位置齊平或低於該介電質層的該頂表面。該設備另外包括一第二致動器，該第二致動器係配置成將該第二複數個升舉銷轉移於一升高位置與一縮回位置之間，該升高位置使該靜電吸盤間隔於該支撐構件的該頂表面，且該縮回位置使該靜電吸盤坐落於該支撐構件的該頂表面上。
在又另一實施例中，提供一種方法，用於置換一處理腔室內的一靜電吸盤。該方法包括：致動一第一組升舉銷，以使一第一靜電吸盤間隔於設置於該處理腔室中的一支撐構件。該第一靜電吸盤可機器人式地從該第一組升舉銷移除，且一第二靜電吸盤可機器人式地放置於該第一組升舉銷上。可致動該第一組升舉銷，以設置該第二靜電吸盤於該支撐構件上。
本文所述的實施例大體上關於靜電吸盤(ESC, electrostatic chuck)，該靜電吸盤可從真空處理腔室原位移除。亦即，該ESC可從處理腔室被置換，而不用移除破壞真空。因此，該ESC有利地允許以對於基板處理最少的中斷來置換，並且消除昂貴的腔室清洗、烘乾、與泵抽，腔室清洗、烘乾、與泵抽通常相關於為了促成傳統ESC的置換而將處理腔室打開。
第1圖為真空處理腔室100的示意、橫剖面視圖，真空處理腔室100包括基板支座150與ESC 120的一實施例。雖然處理腔室100係例示為蝕刻腔室，其他種處理腔室（例如，沉積、離子植入、退火、電漿處理、與其他）可適於使用本文所述的基板支座與ESC之至少一者。
處理腔室100通常包括壁部130與噴嘴106，壁部130與噴嘴106界定了處理空間105。處理空間105可透過流量閥開孔108來存取，使得基板121可機器人式地轉移進與出腔室100。排氣區域128可包括壁部126，且排氣區域128可耦接於真空泵136，真空泵136可適於從處理空間105透過排氣區域128排放處理氣體並且排出腔室100。
基板支座150可設置於腔室100內。基板支座150可包括基板支座主體118，基板支座主體118可設置於處理空間105內。支座主體118可為固定的，如同第1圖所示，或者支座主體118可耦接於致動器，來升高與降低基板支座主體118。支座主體118包括第一複數個升舉銷孔160與第二複數個升舉銷孔162。ESC 120係可移除地耦接於支座主體118。ESC 120係配置來在處理期間保持基板121於其上。ESC 120包括升舉銷孔125，升舉銷孔125對準於第一複數個升舉銷孔160。ESC 120在處理薄基板時會特別有用。
第一複數個升舉銷123可移動地設置通過於支座主體118與ESC 120的孔160、125。第一複數個升舉銷123介接於第一致動器190中，第一致動器190通過支座主體118與ESC 120將升舉銷123轉移於第一或降低位置與第二或升高位置之間，第一或降低位置齊平於或在ESC 120的基板支撐表面166之下，且第二或升高位置延伸於支撐表面166之上。在第一位置中，基板121位於支撐表面166上。在第二位置中，基板121係間隔於支撐表面166之上，以允許機器人式地轉移基板進與出處理腔室100。可設想到，除了使用升舉銷之外，複數個分離的指部或箍設備可用於轉移基板進與出處理腔室100。
第二複數個升舉銷122設置通過於形成通過支座主體118的第二升舉銷孔。第二複數個升舉銷122介接於第二致動器192中，第二致動器192通過支座主體118將升舉銷122轉移於第一或降低位置與第二或升高位置之間，第一或降低位置齊平於或在支座主體118的上表面168之下，且第二或升高位置延伸於上表面168之上。在第一位置中，ESC 120位於支座主體118的上表面168上。在第二位置中，ESC 120係間隔於支座表面168之上，以允許機器人式地轉移ESC 120進與出處理腔室100，而不用打開處理腔室100至大氣。類似於上述的基板轉移，可設想到，藉由複數個分離的指部或箍設備，可執行ESC 120的轉移。
關於可移除式ESC 120，支座主體118可包括氣體導管103與電性導管（第1圖未圖示），氣體導管103與電性導管將相關於第2圖更詳細敘述，用於提供電力與背側氣體至ESC 120。支座主體118也可包括加熱及/或冷卻組件（未圖示），加熱及/或冷卻組件適於維持支座主體118在所欲的溫度。加熱及/或冷卻組件可為電阻式加熱器、流體導管與類似者。
處理腔室100也包括氣體分配設備，用於提供處理及/或清洗氣體至處理腔室100。在第1圖繪示的實施例中，氣體分配設備係為形成通過腔室壁部130的至少一噴嘴106的形式。氣體控制板138可耦接於形成通過壁部130的噴嘴106，以透過形成通過噴嘴106的氣體通道提供處理氣體至處理空間105。氣體控制板138可包括含矽的氣體供應源、含氧的氣體供應源、與含氮的氣體供應源，或者適於處理該腔室100內的基板之其他氣體。
電漿產生器也可耦接於腔室100。電漿產生器可包括耦接於電極或天線的信號產生器145。信號產生器145通常提供適於形成及/或維持腔室100中的電漿之頻率的能量。例如，信號產生器145可提供大約50 kHz至大約2.45 GHz的頻率的信號。信號產生器145可透過匹配網路140耦接於電極，以最小化在使用期間的反射電力。RF電力可施加通過ESC 120中的電極，混合有ESC 120外部的吸附DC電壓。RF電力也可從支座主體118通過ESC 120電容性耦合至基板121。
電極可為天線，包括至少一RF線圈112。RF線圈112可設置於腔室100之上，且RF線圈112可配置來電感式耦合RF能量至處理氣體，該處理氣體通過噴嘴106從氣體控制板138提供至處理空間105。
第2圖為第1圖繪示的基板支座150的示意、橫剖面視圖。支座主體118另外可包括基座208，基座208可容納用於提供電力、氣體或感測至ESC 120的各種導管或引線。例如，第一電引線205可耦接於第一電源204，且第一電引線205可延伸通過基座208至ESC 120。第二電引線207可耦接於第二電源206，且第二電引線207也可延伸通過基座208至ESC 120。第一電引線205與第二電引線207以一或更多個耦接機構端接在支座主體118內，當ESC 120位於支座主體118上時，該一或更多個耦接機構係配置來提供電連接於ESC 120。氣體導管203可耦接於氣源202並且可延伸通過基座208至出口212，出口212可形成於ESC 120的支撐表面266上。氣源202可適於提供背側熱轉移氣體（例如，氦、氫、氮、氬、或其他惰性氣體）至ESC 120與基板121之間的區域。該等氣體可適於促成基板121與ESC 120之間的熱轉移。關於ESC 120的詳情以及ESC 120如何耦接於支座主體118將相關於第5圖更詳細地敘述。
如同上面討論的，ESC 120係可移除地連接於支座主體118。ESC 120可透過夾具、螺絲、真空或其他合適的方法而固定至支座主體118。在第2圖繪示的實施例中，ESC 120係靜電耦接於支座主體118。
ESC 120的支撐表面166可另外包括一或更多個氣體通道210。氣體通道210可形成於ESC 120的表面上，ESC 120的表面可接觸於基板121。一或更多個氣體通道210可用各種取向配置，例如單一同中心圓形形態、徑向形態、或線性格柵形態。從氣源202通過氣體導管203提供至出口212的氣體可傳送通過一或更多個氣體通道210，以促成基板121與ESC 120之間的熱轉移。可設想到，一或更多個氣體通道210的深度可適於促成藉由傳導的熱轉移。因此，該深度可足夠淺，以允許氣體原子行進於基板121與ESC 120之間，以促成藉由熱傳導的熱轉移。一或更多個分隔器214（例如，柱或脊）可分隔且界定一或更多個氣體通道210。分隔器214可接觸於基板121並且從一或更多個氣體通道210延伸延伸數微米，例如大約1 μm與大約10 μm之間，例如，大約2 μm與大約5 μm之間。
如同第2圖所示，ESC 120可靜電耦接於基板支座主體118，且基板121可靜電耦接於ESC 120。ESC 120可包括一或更多個分離的電極組件，電極組件的細節將相關於第5圖詳細地討論。在第一電極組件係用於耦接ESC 120至支座主體118且第二電極組件係用於固定基板121至ESC 120的實施例中，第一電源204可透過第一電引線205耦接於第一電極組件，而第二電源206可透過第二電引線207耦接於第二電極組件。在操作上，第一電源204可提供電信號，該電信號可使ESC 120吸附至基板支座主體118，且第二電源206可提供電信號，該電信號可使基板121吸附至ESC 120。基板121與ESC 120在基板121上的執行處理操作期間可維持吸附。為了從基板支座主體118移除基板121或ESC 120或兩者，可提供具有極性相反於用於吸附基板/ESC的信號之電信號脈衝，以允許基板121從ESC 120移除以及ESC 120從支座主體118移除。
第3圖為第2圖的基板支座150的示意、橫剖面視圖，其中基板121位於升高位置中。一旦基板121已經從ESC 120靜電去耦接，啟用第一致動器190，以將接觸於第二升舉銷123的末端之升舉環302升高。當升舉環302升高朝向支座主體118時，升舉銷123向上位移且突伸通過支撐表面166，直到基板121間隔於支撐表面166之上一段距離，該段距離允許機器人葉片（未圖示）通過基板121與支撐表面166之間，以促成基板121的機器人式轉移。藉由啟用第一致動器190，以導致第一升舉環302移動遠離支座主體118，基板121可坐落於支撐表面166上，藉此允許升舉銷123返回縮回位置，該縮回位置降低基板121且使基板121坐落於支撐表面166上，如同第2圖所示。
一旦位於支撐表面166上，藉由從第二電源206提供電信號來靜電耦接基板121至ESC 120，基板121可固定至基板支座150。
第4圖為第2圖的基板支座150的示意、橫剖面視圖，其中所示的ESC 120位於升高位置中、間隔於支座主體118的上表面168之上。一旦ESC 120從基板支座主體118靜電去耦接或未固定，可啟用第二致動器192，以使第二升舉環304位移朝向支座主體118。第二升舉環304接觸於第二升舉銷122的末端，導致升舉銷122延伸通過支座主體118並且接合於ESC 120，藉此使ESC 120間隔於支座主體118的上表面168之上，以允許空間給機器人葉片（未圖示）延伸於支座主體118與ESC 120之間，以促成ESC 120從腔室100機器人式移除與置換，而不用破壞真空。一旦置換的ESC 120已經放置在第二升舉銷122上，第二致動器192可降低升舉環304，因此允許升舉銷122縮回至主體118中且使ESC 120坐落在上表面168上，如同第2圖所示。從腔室100快速且簡易地移除ESC 120而不用曝露處理空間105至大氣的功能可減少相關於傳統ESC維修程序的費用與時間。
一旦ESC 120設置於主體118的上表面168上，ESC 120可用合適的方式耦接於基板支座150。例如，可藉由第一電源204提供電信號至ESC 120，以靜電耦接ESC 120至支座主體118的上表面168。
可使用單一機器人端部受動器（亦即，機器人葉片或夾子）來移除基板121與ESC 120兩者。在一範例中，端部受動器可具有第一區域與第二區域，該第一區域的尺寸經過設計以接合於基板121，第二區域的尺寸經過設計以接合於ESC 120。另一範例中，基板121與ESC 120具有相似的直徑，因此允許單一端部受動器用於轉移基板121與ESC 120兩者。
第5圖與第6圖為設置於支座主體118上的ESC 120的一實施例的詳細橫剖面與分解視圖。在第5圖中，為了清楚起見，已經省略升舉銷與相關的致動器。ESC 120可包括支撐層514與介電質層515。支撐層514可由可以支撐介電質層515並且具有所欲的熱轉移特性之材料形成，例如玻璃或金屬材料。介電質層515可由介電質材料或陶瓷材料形成（例如，氮化鋁或氧化鋁），或者可為層疊在一起的多層介電質材料。例如，底部介電質層550、中間介電質層560、與頂部介電質層570可層疊在一起，以形成介電質層515。陶瓷材料或介電質材料的合適範例包括聚合體（亦即，聚酰亞胺）、藍寶石、氧化矽（例如，石英或玻璃）、氧化鋁、氮化鋁、含釔的材料、氧化釔、釔鋁石榴石（yttrium-aluminum-garnet）、氧化鈦、氮化鈦、碳化矽、與類似者。選擇用於支撐層514與介電質層515的材料可具有類似的熱膨脹係數，以在受到溫度循環時減少該等層之間的機械應力。
ESC 120包括至少一電極組件係用於固定基板121至ESC 120。該至少一電極組件也可用於固定ESC 120至支座主體118的上表面168。選擇性地，且如同第1圖所示，不同的電極組件可用於固定基板121至ESC 120以及固定ESC 120至支座主體118的上表面168。電極組件可設置於支撐層514與介電質層515之間，或者嵌入於介電質層515內。
例如，如同第5圖所示，ESC 120可包括上電極組件530與下電極組件540。下電極組件540可設置於支撐層514上，或者設置於介電質層515中，且下電極組件540係配置來透過靜電吸附而固定ESC 120至支座主體118。上電極組件530可設置於頂部介電質層570內並且可適於靜電耦接基板121至ESC 120。
下電極組件540可設置於介電質層515的底部介電質層550與中間介電質層560之間。中間介電質層560可適於防止上電極組件530與下電極組件540之間的電荷洩漏。上電極組件530可設置於介電質層515的頂部介電質層570與中間介電質層560之間。頂部介電質層570之面離中間介電質層560的表面界定了支撐表面166，在處理期間支撐表面166上放有基板121。
上電極組件530包括複數個分散的電極，顯示為第一電極517與第二電極519。第一電極517係顯示有正電荷施加，而第二電極519係顯示有負電荷施加。相似的，下電極組件540包括複數個分散的電極，顯示為第三電極523與第四電極521，第三電極523有正電荷施加，而第四電極521有負電荷施加。
上電極組件530可透過通孔516、518、一或更多個連接器512、一或更多個導體510、與引線502、504而電性耦接於第一電源204。第一通孔516可耦接於一或更多個第一電極517，且第一通孔516可延伸通過介電質層515與支撐層514至連接器512。一或更多個第一電極517可由具有熱膨脹係數相似於相鄰的介電質層515之金屬材料製成。第一通孔516可由導電材料製成，例如銅或鋁。連接器512可形成於支撐層514中，且連接器512也可由導電材料製成，例如銅或鋁。如同所示，連接器512接觸於導體510。當ESC 120從支座主體118被升舉時，導體510可延伸稍微超出支座主體118的頂表面。導體510（例如，彈簧）可由導電材料製成，例如銅或鋁。導體510可耦接於基板支座主體118，例如藉由焊接或其他合適的連接，且第一引線502可電性耦接於導體510。第一引線502可延伸通過支座主體118與基座208至第一電源204。第一引線502也可由導電材料製成，例如銅或鋁。
第二通孔518可耦接於第二電極519，且第二通孔518可延伸通過介電質層515與支撐層514至連接器512。導體510可電性耦接於連接器512與支座主體118。第二引線504可耦接於導體510並且可延伸通過支座主體118與基座208至第一電源204。耦接一或更多個第二電極519與第一電源204的元件可由實質上相同的材料製成，如同上述。
在操作上，正電荷可施加至一或更多個第一電極517，且負電荷可施加至上電極組件530的一或更多個第二電極519，以當電力從第一電源204提供時，產生靜電力。在吸附期間，產生自上電極517、519的靜電力將設置於其上的基板吸附且固持在固定的位置中。當供應自第一電源204的電力關閉時，上電極517、519中產生的電荷消失，將固持在ESC 120上的基板釋放。
類似於上電極組件530，下電極組件540可透過通孔520、522、連接器512、導體510、與引線506、508而電性耦接於第二電源206。第三通孔522可耦接於一或更多個第三電極523，且第三通孔522可延伸通過介電質層515與支撐層514至連接器512。第三通孔522可由導電材料製成，例如銅或鋁。連接器512可形成於支撐層514中並且也可由導電材料製成，例如銅或鋁。如同所示，連接器512接觸於導體510。當ESC 120從支座主體118被升舉時，導體510可延伸超出支座主體118的頂表面。導體510（例如，彈簧）可由導電材料製成，例如銅或鋁。導體510可耦接於支座主體118，例如藉由焊接，且第三引線506可電性耦接於導體510。第三引線506可延伸通過支座主體118與基座208至第二電源206。第三引線506也可由導電材料製成，例如銅或鋁。
第四通孔520可耦接於一或更多個第四電極521，且第四通孔520可延伸通過介電質層515與支撐層514至連接器512。導體510可電性耦接於連接器512與支座主體118。第四引線508可耦接於導體510並且可延伸通過支座主體118與基座208至第二電源206。耦接一或更多個第四電極521與第二電源206的元件可由實質上相同的材料製成，如同上述。
在操作上，正電荷可施加至一或更多個第三電極523，且負電荷可施加至下電極組件540的一或更多個第四電極521，以當電力從第二電源206提供時，產生靜電力。在吸附期間，產生自下電極521、523的靜電力將ESC 120吸附且固持在支座主體118上的固定的位置中。當供應自第二電源206的電力關閉時，下電極521、523中產生的電荷消失，將固持在支座主體118上的ESC 120釋放。也可設想到，可使用機械機構來夾設ESC 120至支座主體118。在此實施例中，夾設機構可提供電性路徑給上及/或下電極，這可消除通孔形成通過ESC 120的需求。
ESC 120會比傳統的ESC需要較少的材料與較少的處理步驟來製造。因此，可大大減少使用與製造ESC的成本。另外，該ESC可從基板支座簡易地移除，且腔室也可減少所有權的成本。修正與預防性的維修，以及甚至ESC的置換可用更有效率且成本有效的方式來執行。
雖然前述是關於本揭示案之實施例，本揭示案之其他與進一步實施例可被設想出而無偏離其基本範圍，且其範圍是由下面的申請專利範圍來決定。
100‧‧‧處理腔室
103‧‧‧氣體導管
105‧‧‧處理空間
106‧‧‧噴嘴
108‧‧‧流量閥開孔
112‧‧‧RF線圈
118‧‧‧支座主體
120‧‧‧ESC
121‧‧‧基板
122‧‧‧升舉銷
123‧‧‧升舉銷
125‧‧‧升舉銷孔
126‧‧‧壁部
128‧‧‧排氣區域
130‧‧‧壁部
136‧‧‧真空泵
138‧‧‧氣體控制板
140‧‧‧匹配網路
145‧‧‧信號產生器
150‧‧‧基板支座
160‧‧‧升舉銷孔
162‧‧‧升舉銷孔
166‧‧‧支撐表面
168‧‧‧上表面
190‧‧‧第一致動器
192‧‧‧第二致動器
202‧‧‧氣源
203‧‧‧氣體導管
204‧‧‧第一電源
205‧‧‧第一電引線
206‧‧‧第二電源
207‧‧‧第二電引線
208‧‧‧基座
210‧‧‧氣體通道
212‧‧‧出口
214‧‧‧分隔器
266‧‧‧支撐表面
302‧‧‧升舉環
304‧‧‧升舉環
502‧‧‧引線
504‧‧‧引線
506‧‧‧引線
508‧‧‧引線
510‧‧‧導體
512‧‧‧連接器
514‧‧‧支撐層
515‧‧‧介電質層
516‧‧‧通孔
517‧‧‧第一電極
518‧‧‧通孔
519‧‧‧第二電極
520‧‧‧通孔
521‧‧‧第四電極
522‧‧‧通孔
523‧‧‧第三電極
530‧‧‧上電極組件
540‧‧‧下電極組件
550‧‧‧底部介電質層
560‧‧‧中間介電質層
570‧‧‧頂部介電質層
因此，藉由參照實施例，可更詳細瞭解本揭示案之上述特徵，且對簡短總結於上的本揭示案有更具體的敘述，某些實施例是例示於所附圖式中。但是，注意到，所附圖式只例示本揭示案之一般實施例且因此不視為限制其範圍，因為本揭示案可容許其他等效實施例。
第1圖為處理腔室的示意、橫剖面視圖，處理腔室具有基板支座。
第2圖為第1圖繪示的基板支座的示意、橫剖面視圖，例示坐落於基板支座的ESC上的基板。
第3圖為基板支座的示意、橫剖面視圖，例示藉由升舉銷而間隔於ESC之上的基板。
第4圖為基板支座的示意、橫剖面視圖，例示藉由升舉銷而間隔於基板支座主體之上的ESC。
第5圖為ESC相對於基板支座的一實施例的詳細、橫剖面視圖。
第6圖為第5圖例示的ESC的簡化分解視圖。
為了促進瞭解，已經在任何可能的地方使用相同的元件符號來表示圖式中共同的相同元件。可瞭解到，一實施例中揭示的元件可有利地用於其他實施例中，而不用具體詳述。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
502‧‧‧引線
504‧‧‧引線
506‧‧‧引線
508‧‧‧引線
510‧‧‧導體
512‧‧‧連接器
514‧‧‧支撐層
515‧‧‧介電質層
516‧‧‧通孔
517‧‧‧第一電極
518‧‧‧通孔
519‧‧‧第二電極
520‧‧‧通孔
521‧‧‧第四電極
522‧‧‧通孔
523‧‧‧第三電極
530‧‧‧上電極組件
540‧‧‧下電極組件
550‧‧‧底部介電質層
560‧‧‧中間介電質層
570‧‧‧頂部介電質層

Claims (20)

  1. 一種靜電吸盤，包括： 一支撐層，該支撐層具有一底表面與一頂表面，該底表面界定該靜電吸盤的一底部； 一介電質層，該介電質層的一熱膨脹係數等於該支撐層的一熱膨脹係數，該介電質層設置於該支撐層的該頂表面上，其中該介電質層具有界定該靜電吸盤的一頂部的一頂表面； 一第一電極，該第一電極設置於該介電質層中； 一第二電極，該第二電極設置於該介電質層中並交插於該第一電極； 複數個連接器，該複數個連接器通過該靜電吸盤的該底部耦接該第一電極與該第二電極。
  2. 如請求項1所述之靜電吸盤，其中該第一連接器包括一導電墊。
  3. 如請求項1所述之靜電吸盤，該靜電吸盤進一步包括： 一或更多個導電通孔，該一或更多個導電通孔通過該支撐層將該墊電連接至該第一電極。
  4. 如請求項1所述之靜電吸盤，其中該支撐層包括一玻璃或陶瓷材料。
  5. 如請求項1所述之靜電吸盤，其中該介電質層包括一玻璃或陶瓷材料。
  6. 如請求項1所述之靜電吸盤，其中該複數個連接器經配置以接觸複數個彈簧裝載導體。
  7. 如請求項1所述之靜電吸盤，其中該第一電極包括複數個指部，該複數個指部係交插於該第二電極的複數個指部。
  8. 如請求項1所述之靜電吸盤，其中該支撐層與該介電質層具有一氣體導管形成於其中以及複數個升舉銷孔形成通過其中。
  9. 如請求項8所述之靜電吸盤，其中該介電質層的該頂表面具有一或更多個氣體通道形成於其中，該等氣體通道耦接於該氣體導管。
  10. 一種用於吸附一基板的設備，包括： 一基底構件，該基底構件包含複數個升舉銷，該基底構件具有一頂表面； 一靜電吸盤，該靜電吸盤設置於該基底構件的該頂表面上，該靜電吸盤包含： 一支撐層，該支撐層具有一底表面與一頂表面，該底表面界定該靜電吸盤的一底部； 一介電質層，該介電質層設置於該支撐層的該頂表面上，該介電質層具有界定該靜電吸盤的一頂部的一頂表面； 一第一電極，該第一電極設置於該介電質層中並於該介電質層的該頂表面與該支撐層的該頂表面之間； 一第二電極，該第二電極設置於該介電質層中並交插於該第一電極；以及 複數個致動器，該複數個致動器係配置成將該複數個升舉銷轉移於一升高位置與一縮回位置之間。
  11. 如請求項10所述之設備，其中該基底構件的該頂表面包括： 一凹部，用於接收該靜電吸盤。
  12. 如請求項11所述之設備，其中該靜電吸盤進一步包括： 一或更多個氣體傳送凹槽，該一或更多個氣體傳送凹槽形成於該靜電吸盤的一外部邊緣並且耦接於形成於該靜電吸盤的該頂表面中的一或更多個氣體傳送凹槽，形成於該靜電吸盤的該外部邊緣中的該等氣體傳送凹槽係由形成於該基底構件的該頂表面之該凹部的一側壁圍繞。
  13. 如請求項10所述之設備，其中複數個連接器通過該靜電吸盤的該底部耦接該第一電極與該第二電極。
  14. 如請求項13所述之設備，其中該複數個連接器經配置以接觸複數個彈簧裝載導體。
  15. 如請求項10所述之設備，其中該靜電吸盤與該基底構件具有電連接，該等電連接係配置成回應於該靜電吸盤相對於該基底構件的位置而自動地接合與分離。
  16. 如請求項10所述之設備，其中該支撐層與該介電質層包括一玻璃或陶瓷材料。
  17. 如請求項10所述之設備，其中該介電質層的一熱膨脹係數等於該支撐層的一熱膨脹係數。
  18. 如請求項10所述之設備，其中該第一電極包括複數個指部，該複數個指部交插於該第二電極的複數個指部。
  19. 一種方法，用於置換一處理腔室內的一靜電吸盤，該方法包括以下步驟： 升高第一複數個升舉銷，以使一第一靜電吸盤間隔於一支撐構件； 從該第一複數個升舉銷移除該第一靜電吸盤； 將一第二靜電吸盤放置於該第一複數個升舉銷上；及 致動該第一複數個升舉銷，以設置該第二靜電吸盤於該支撐構件上。
  20. 如請求項19所述之方法，其中將該第二靜電吸盤放置於該第一複數個升舉銷上之步驟係包括以下步驟： 將形成通過於該第二靜電吸盤的孔對準於第二複數個升舉銷。
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