TW201717301A - 液體處理裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明之課題,係抑制在複數之液體處理部之壓力變動。解決前述課題之手段係一種液體處理裝置,具備:複數之液體處理部、複數之個別排氣管路、共通排氣管路、第1外氣引進部、第1調整閥、第2外氣引進部、以及第2調整閥。複數之液體處理部,對被處理體進行液體處理。複數之個別排氣管路,使來自液體處理部內的排氣流通。共通排氣管路,使來自複數之個別排氣管路的排氣流通。第1外氣引進部,設在共通排氣管路中,比連接個別排氣管路的複數之連接部位,更為偏向最上游側,並引進外氣。第1調整閥,設在第1外氣引進部,並調整外氣的流量。第2外氣引進部,設在共通排氣管路中,比複數之連接部位之中位於最上游的連接部位,更為偏向下游側,並引進外氣。第2調整閥,設在第2外氣引進部,並調整外氣的流量。
Description
本發明所揭露之實施態樣,係關於液體處理裝置。
以往,已知有液體處理裝置,使用鹼性處理液或酸性處理液等處理液,以對矽晶圓或化合物半導體晶圓等被處理體,進行各種液體處理(例如參照專利文獻1)。
習知技術之液體處理裝置,係構成為具備複數進行液體處理之液體處理部,同時透過共通排氣管路而將來自複數之液體處理部之排氣一併排出。又,共通排氣管路連接著泵等的排氣機構,藉由使共通排氣管路的排氣量維持固定,而在進行液體處理的時間點,抑制各液體處理部的壓力變動。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2012-190823號公報
[發明所欲解決的問題] 然而,若上述液體處理部的排氣量增加,則為了抑制各液體處理部的壓力變動,需要更進一步的改善。
實施態樣之一態樣的目的在於提供一種液體處理裝置,其可以抑制在複數之液體處理部之壓力變動。 [解決問題之技術手段]
依本發明實施態樣之一態樣的液體處理裝置,具備:複數之液體處理部、複數之個別排氣管路、共通排氣管路、第1外氣引進部、第1調整閥、第2外氣引進部、以及第2調整閥。複數之液體處理部,對被處理體供給處理液,而使該被處理體進行液體處理。複數之個別排氣管路,一端分別連接各該液體處理部,以使來自該液體處理部內的排氣流通。共通排氣管路,連接複數之該個別排氣管路的另一端,以使來自複數之該個別排氣管路的排氣流通。第1外氣引進部,設在該共通排氣管路中,比連接該個別排氣管路的複數之連接部位,更為偏向排氣之流動方向的最上游側,並將外氣引進該共通排氣管路。第1調整閥,設在該第1外氣引進部,並調整由該第1外氣引進部所引進之外氣的流量。第2外氣引進部,設在該共通排氣管路中,比複數之該連接部位之中位於最上游的連接部位,更為偏向下游側,並將外氣引進該共通排氣管路。第2調整閥,設在該第2外氣引進部,並調整由該第2外氣引進部所引進之外氣的流量。 [發明之效果]
若依實施態樣之一態樣,於液體處理裝置,可抑制在複數之液體處理部之壓力變動。
以下,參照隨附圖式,詳細說明本案所揭露之液體處理裝置的實施態樣。又,本發明不限定於以下所示之實施態樣。
(第一實施態樣) <1、基板處理系統的構成> 圖1為表示依本實施態樣之基板處理系統的概略構成之圖式。以下,為了使位置關係明確,規定互相垂直的X軸、Y軸及Z軸,並將Z軸正方向定為鉛直向上的方向。
如圖1所示,基板處理系統1包含「搬入出站2」及「處理站3」。搬入出站2與處理站3係鄰接設置。
搬入出站2包含「載體載置部11」及「搬送部12」。在載體載置部11載置複數之載體C,該複數之載體C以水平狀態收容複數片基板,本實施態樣中,係半導體晶圓(以下稱作「晶圓W」)。
搬送部12鄰接載體載置部11而設置,於其內部具備「基板搬送裝置13」及「傳遞部14」。基板搬送裝置13具備晶圓固持機構,用以固持晶圓W。又,基板搬送裝置13能向水平方向及鉛直方向移動,並能以鉛直軸為中心旋轉;使用晶圓固持機構,在載體C與傳遞部14之間搬送晶圓W。
處理站3係鄰接搬送部12而設置。處理站3包含「搬送部15」及「複數之處理單元16」。複數之處理單元16,係於搬送部15的兩側並列而設置。
於搬送部15的內部,具備「基板搬送裝置17」。基板搬送裝置17具備晶圓固持機構,用以固持晶圓W。又,基板搬送裝置17能向水平方向及鉛直方向移動,並能以鉛直軸為中心旋轉;使用晶圓固持機構,在傳遞部14與處理單元16之間搬送晶圓W。
處理單元16,對於由基板搬送裝置17搬送之晶圓W,進行既定的基板處理。
又,基板處理系統1包含「控制裝置4」。控制裝置4例如為電腦,其包含「控制部18」及「儲存部19」。在儲存部19儲存「控制於基板處理系統1中執行的各種處理之程式」。控制部18,藉由讀取並執行儲存於儲存部19的程式,以控制基板處理系統1的動作。
又,關聯的程式,係記錄於可由電腦讀取的儲存媒體,亦可自儲存媒體安裝至控制裝置4之儲存部19。作為可由電腦讀取的儲存媒體,例如包含硬碟(HD)、軟性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)及記憶卡等。
如上述構成之基板處理系統1中,首先,搬入出站2之基板搬送裝置13,從載置於載體載置部11之載體C,將晶圓W取出,並將取出之晶圓W載置於傳遞部14。載置於傳遞部14之晶圓W,係藉由處理站3之基板搬送裝置17,從傳遞部14取出,並向處理單元16搬入。
向處理單元16搬入之晶圓W,在利用處理單元16處理後,藉由基板搬送裝置17從處理單元16搬出,並載置於傳遞部14。然後,載置於傳遞部14之處理完畢的晶圓W,藉由基板搬送裝置13,返回載體載置部11之載體C。
又,上述之處理站3係液體處理裝置的一例,處理單元16係液體處理部的一例。再者,圖1所示之處理單元16的台數,終究僅係例示,而非用以限定。
接著,就基板處理系統1之處理單元16之概略構成,參照圖2說明。圖2為表示處理單元16的概略構成之圖式。
如圖2所示,處理單元16包含:腔室20、基板固持機構30、處理流體供給部40及回收杯50。
腔室20,係用以收容:基板固持機構30、處理流體供給部40及回收杯50。在腔室20的頂棚部,設有「風機過濾機組(Fan Filter Unit,FFU)21」。風機過濾機組21,於腔室20內形成降流。
基板固持機構30包含:固持部31、支柱部32及驅動部33。固持部31,將晶圓W水平固持。支柱部32為在鉛直方向延伸的構件,其基端部係藉由驅動部33可旋轉地支持,於其前端部將固持部31水平支持。驅動部33,使支柱部32繞著鉛直軸旋轉。關聯的基板固持機構30,藉由使用驅動部33而使支柱部32旋轉,以使支持於支柱部32的固持部31旋轉,藉此,使固持於固持部31的晶圓W旋轉。
處理流體供給部40對晶圓W供給處理流體。處理流體供給部40連接於處理流體供給源70。
回收杯50係配置成包圍固持部31,藉由固持部31的旋轉,捕集自晶圓W飛散的處理液。在回收杯50的底部,形成排液口51;藉由回收杯50捕集之處理液,自關聯的排液口51向處理單元16的外部排出。又,在回收杯50的底部形成排氣口52,用以自風機過濾機組21將供給的氣體向處理單元16的外部排出。
<2、處理單元的具體構成> 接著,就處理單元16之構成,參照圖3具體說明。圖3為表示處理單元16的具體構成的一例之示意式。
如圖3所示,風機過濾機組21透過「閥22」而連接「惰性氣體供給源23」。風機過濾機組21將惰性氣體供給源23所供給之N2氣體等惰性氣體,供給至腔室20內。又,從風機過濾機組21對腔室20內所供給之惰性氣體,會在對應之開閉機構(後述)開啟時,由排氣口52排出至腔室20外,不過此點將留待後文說明。
於基板固持機構30所具備之「固持部31」的頂面,設有「固持構件311」,將晶圓W由側面加以固持。晶圓W藉由該固持構件311,而在些微離開固持部31頂面的狀態下,呈水平地受到固持。
處理流體供給部40,具備:「噴嘴41」、水平支持噴嘴41的「臂體42」、以及使臂體42旋轉及升降的「旋轉升降機構43」。噴嘴41連接未圖示之配管的一端,該配管之另一端則分支成複數。然後,分支之配管的各端部,分別連接:「鹼系處理液供給源70a」、「酸系處理液供給源70b」、「有機系處理液供給源70c及去離子水供給源70d」。又,各供給源70a~70d與噴嘴41之間,設有「閥60a~60d」。
處理流體供給部40使上述之各供給源70a~70d所供給之鹼系處理液、酸系處理液、有機系處理液及去離子水(常溫之純水),從噴嘴41供給至晶圓W的表面(被處理面),而對晶圓W進行液體處理。又,晶圓W係受到液體處理之被處理體的一例。又,於前文中,係對晶圓W的表面進行液體處理,但不限定於此,例如亦可構成為對晶圓W的背面或邊緣部進行液體處理。
於本實施態樣,設定為使用SC1(氨、雙氧水及水的混合液)作為鹼系處理液、使用DHF(稀釋氫氟酸)作為酸系處理液、使用IPA(異丙醇)作為有機系處理液。又,酸系處理液、鹼系處理液及有機系處理液,並不限於此等。
<3、處理單元的排氣系統> 接下來,就處理單元16之排氣,進行說明。於上述之處理單元16的「排氣口52」,連接著「個別排氣管路100」的一端,而個別排氣管路100內則流通來自處理單元16內的排氣。
又,在個別排氣管路100的另一端,則連接著「共通排氣管路120」,並透過共通排氣管路120而將來自複數處理單元16的排氣一併排出。該共通排氣管路120連接著泵等的「排氣機構131~133」(參照後述圖4),藉由使共通排氣管路120的排氣量維持固定,而在進行液體處理的時間點抑制各處理單元16的壓力變動,不過此點將留待後文說明。
如此這般,個別排氣管路100一方面係以排氣之流動方向的上游側的這一端連接至處理單元16,另一方面則以下游側的另一端連接至共通排氣管路120。又,於本說明書中,「上游」或「下游」等的用語,係意指例如從處理單元16排出之排氣的流動方向上的「上游」、「下游」。
話說回來,於本實施態樣關聯之處理站3,具備複數之處理單元16,以加大每一單位時間的晶圓W之處理枚數(產率)。
然而,如上述般,一旦處理單元16為複數、或處理單元16的排氣量增加,則為了抑制各處理單元16的壓力變動,需要更進一步的改善。
有鑑於此,依本實施態樣之處理站3,係構成為可以抑制在複數之處理單元16之壓力變動。以下,就該構成進行詳細說明。
圖4為表示包含處理單元16之處理站3的排氣路徑之圖式。又,於圖4中,繪示了5台處理單元16,但台數係例示,並非用以限定。又,於下文中,有時會將5台處理單元16記載為第1~第5處理單元16a~16e;而在不區分第1~第5處理單元16a~16e時,有時會記載為「處理單元16」。
如圖4所示,處理站3包含:上述之個別排氣管路100、共通排氣管路120、開閉機構200、第1外氣引進部141~143、第1調整閥151~153、第2外氣引進部161~163、以及第2調整閥171~173。
個別排氣管路100分別連接第1~第5處理單元16a~16e。又,於圖4,係將連接至第1處理單元16a的個別排氣管路100標示為「第1個別排氣管路100a」,將連接至第2處理單元16b的個別排氣管路100標示為「第2個別排氣管路100b」。同樣地,連接至第3~第5處理單元16c~16e的個別排氣管路100就標示為「第3~第5個別排氣管路100c~100e」。又,於下文中,在不區分第1~第5個別排氣管路100a~100e時,有時會記載為「個別排氣管路100」。
共通排氣管路120具備「專用共通排氣管路121~123」,分別進行各處理液種類的排氣。詳而言之,使用SC1時從處理單元16排出之鹼系排氣、使用DHF時從處理單元16排出之酸系排氣、與使用IPA時從處理單元16排出之有機系排氣,基於防止排氣管路之污染的層面來看,較佳係分別排出。因此,依本實施態樣之基板處理系統1,係對應複數種類的處理液,依鹼系排氣、酸系排氣及有機系排氣之別,設置複數之排氣路徑。
具體而言,專用共通排氣管路121係流通鹼系排氣的排氣管路,專用共通排氣管路122係流通酸系排氣的排氣管路,專用共通排氣管路123係流通有機系排氣的排氣管路。又,於圖4中,以箭頭E代表在專用共通排氣管路121~123之排氣流動方向。
開閉機構200係分別設在第1~第5個別排氣管路100a~100e的中途。又,於圖4中,將設於第1個別排氣管路100a的開閉機構200標示為「第1開閉機構200a」,將設於第2個別排氣管路100b的開閉機構200標示為「第2開閉機構200b」。同樣地,設於第3~第5個別排氣管路100c~100e的開閉機構200就標示為「第3~第5開閉機構200c~200e」。又,於下文中,在不區分第1~第5開閉機構200a~200e時,有時會記載為「開閉機構200」。
第1~第5開閉機構200a~200e,依處理液的種類,而使流通於所分別對應的第1~第5個別排氣管路100a~100e之排氣的流出目的地,切換成複數之專用共通排氣管路121~123中的任一個。
詳而言之,個別排氣管路100係在開閉機構200,分支成分別連結專用共通排氣管路121~123的3個排氣管路;開閉機構200係藉由選擇性地開閉該3個排氣管路,而切換排氣之流出目的地。具體而言,雖省略圖示,不過開閉機構200在例如上述之3個排氣管路分別具備開閉閥,藉由開閉該開閉閥,而可以切換排氣之流出目的地,因此可以依處理液而進行適當之排氣。
又,第1~第5開閉機構200a~200e連接著控制裝置4(參照圖1),第1~第5開閉機構200a~200e基於來自控制裝置4之指令値而使開閉閥受到控制,並切換排氣之流出目的地。
又,於專用共通排氣管路121~123的下游側,分別連接上述之排氣機構131~133。就排氣機構131~133而言,可使用泵等吸氣裝置。
排氣機構131~133係設於例如處理站3之外部,抽吸在專用共通排氣管路121~123流通的排氣,並壓送至未圖示之回收設備。
又,排氣機構131~133之排氣量分別設定為:可以抽吸第1~第5處理單元16a~16e全部進行排氣處理之情況下所排出之排氣的值;而專用共通排氣管路121~123則要固定保持在所設定之排氣量。
又,於前文中,基板處理系統1係設為具備排氣機構131~133,但並不限定於此。亦即,例如亦可係如下構成:在配置有基板處理系統1的工廠側設置排氣機構(未圖示),而於該排氣機構連接專用共通排氣管路121~123。
在此,於專用共通排氣管路121~123之中,針對專用共通排氣管路121進行說明。又,下文之專用共通排氣管路121的說明,亦適用於其他的專用共通排氣管路122、123。
專用共通排氣管路121具備:水平延伸之水平部121x、以及設於水平部121x之下游側且向下方鉛直延伸之下降部121z。又,專用共通排氣管路121並不限定於上述形狀,亦可係例如再進一步設置在下降部121z之下游側水平延伸之配管等其他形狀。
於專用共通排氣管路121之水平部121x,連接第1~第5個別排氣管路100a~100e的另一端。具體而言,於水平部121x,係自上游側依序連接:第5個別排氣管路100e、第4個別排氣管路100d、第3個別排氣管路100c、第2個別排氣管路100b、第1個別排氣管路100a。
又,於圖4中,在水平部121x,連接著第1個別排氣管路100a的連接部位121a,係以虛線加框標示。同樣地,連接著第2個別排氣管路100b的連接部位121b、連接著第3個別排氣管路100c的連接部位121c、連接著第4個別排氣管路100d的連接部位121d、連接著第5個別排氣管路100e的連接部位121e,皆以虛線加框標示。
於專用共通排氣管路121,設有上述之第1外氣引進部141、第1調整閥151、第2外氣引進部161、以及第2調整閥171。
第1外氣引進部141係一開口部,設在專用共通排氣管路121中之與排氣機構131為相反側之端部;而透過該開口部,對專用共通排氣管路121引進外氣。
詳而言之,第1外氣引進部141係設在專用共通排氣管路121中,比連接個別排氣管路100之複數連接部位121a~121e,更為偏向排氣之流動方向最上游側。更詳而言之,第1外氣引進部141係設在比複數連接部位121a~121e中位於最上游之連接部位121e,還要更偏向上游側。
第1調整閥151設在第1外氣引進部141、與該連接部位之中位於最上游之連接部位121e之間(包含第1外氣引進部141),並調整從第1外氣引進部141引進之外氣的流量。又,第1調整閥151之位置係配置成:使透過第1外氣引進部141引進之外氣的流動方向(箭頭D1),平行於專用共通排氣管路121中設置第1外氣引進部141之位置上的排氣流動方向(箭頭E)。藉此,可以抑制例如從第1外氣引進部141、經過第1調整閥151、到專用共通排氣管路121為止之流路的壓力損失。
第2外氣引進部161係一開口部,設在專用共通排氣管路121中之水平部121x之最下游側、且為下降部121z之最上游側的鉛直上方;而透過該開口部,對專用共通排氣管路121引進外氣。
詳而言之,第2外氣引進部161係設在專用共通排氣管路121中,比複數之連接部位121a~121e之中位於排氣之流動方向的最下游之連接部位121a,更為偏向下游側。
如此這般,於本實施態樣,構成為在專用共通排氣管路121設置第1、第2外氣引進部141、161,而使外氣引進自複數處,具體而言係2處。藉此,可以抑制在複數之處理單元16之壓力變動。
亦即,假設例如外氣引進部係1個的情況下,則有時會視複數之處理單元16之排氣狀態,而從該1個外氣引進部對專用共通排氣管路121引進大量之外氣。若從1個外氣引進部引進大量之外氣,則靠近外氣引進部的處理單元16,會受到其影響,壓力較大幅地降低,而產生壓力變動。
有鑑於此,於本實施態樣,藉由在專用共通排氣管路121設置第1、第2外氣引進部141、161,而使引進外氣之處所分散成2處,減少從1個外氣引進部所引進之外氣的量。藉此,即使在對專用共通排氣管路121引進大量的外氣之情況下,仍可降低對處理單元16的影響,而可以抑制在複數之處理單元16之壓力變動。
又,由於使第2外氣引進部161位在比最下游之連接部位121a更為下游側,因此不用變更複數之處理單元16或開閉機構200之配置,而使第2外氣引進部161易於設在專用共通排氣管路121。
又,在專用共通排氣管路121上設置第2外氣引進部161之位置,並不限定於圖4所示之位置。亦即,第2外氣引進部161只要係位在專用共通排氣管路121中,比複數連接部位121a~121e中位於最上游之連接部位121e,更為偏向下游側即可。
亦即,例如第2外氣引進部161亦可設在專用共通排氣管路121上的連接部位121a與連接部位121b之間、或是連接部位121b與連接部位121c之間等其他處所。第2外氣引進部161即使是設在上述之其他處所,仍可以抑制在複數之處理單元16之壓力變動。
第2調整閥171係設在第2外氣引進部161,並調整由第2外氣引進部161所引進之外氣的流量。又,第2外氣引進部161之位置係配置成:使透過第2外氣引進部161引進之外氣的流動方向(參照箭頭D2),正交於專用共通排氣管路121中設置第2外氣引進部161之位置上的排氣之流動方向(箭頭E)。
藉此,例如在開啟第2調整閥171時,可以使所引進之外氣易於和在專用共通排氣管路121內流通之排氣匯流。另一方面,在關閉第2調整閥171時,則藉由上述配置,而不會有阻礙專用共通排氣管路121內之排氣流動之虞。
又,作為上述之第1、第2調整閥151、171,可以使用例如蝴蝶式的排氣風門。又,第1、第2調整閥151、171連接控制裝置4(參照圖1),而第1、第2調整閥151、171之開度就由控制裝置4所控制,以調整通過第1外氣引進部141及第2外氣引進部161之外氣的流量。
此處,就第1外氣引進部141及第2外氣引進部161進行進一步的詳細說明。第1、第2外氣引進部141、161係構成為在處理站3引進處理單元16周邊的環境氣體作為外氣,並透過專用共通排氣管路121排氣。
詳而言之,如圖4所示,處理站3具備外殼3a、3b。又,於圖4中為使圖示簡略,因此使外殼3a、3b皆以一點鏈線示意繪示。
外殼3a在其內部,收容第1~第5處理單元16a~16e及第1~第5開閉機構200a~200e等構成處理站3的主要機器類。
外殼3b收容從各供給源70a~70d對第1~第5處理單元16a~16e供給處理液之液體配管或閥60a~60d等。又,外殼3b係配置於外殼3a內部。
第1外氣引進部141之開口部係位於外殼3b內。藉此,一旦第1調整閥151開啟,則外殼3b內的環境氣體,就會作為外氣而由第1外氣引進部141引進專用共通排氣管路121,並排出至處理站3外部。
又,第2外氣引進部161之開口部係位於外殼3a內。藉此,一旦第2調整閥171開啟,則外殼3a內的環境氣體,就會作為外氣而由第2外氣引進部161引進專用共通排氣管路121,並排出至處理站3外部。
如此這般,藉由將第1、第2外氣引進部141、161配置於外殼3a、3b內,專用共通排氣管路121就可兼用作為處理單元16內的排氣管路、以及包含液體配管及閥60a~60d之周邊等的處理單元16周邊的排氣管路。
又,於前文中,係使處理單元16周邊的環境氣體,以第1、第2外氣引進部141、161雙方來引進,但並不限定於此,亦可構成為以第1、第2外氣引進部141、161中的任一方引進。
其他的專用共通排氣管路122、123,係如上述之專用共通排氣管路121同樣地構成。亦即,專用共通排氣管路122具備水平部122x及下降部122z。水平部122x透過連接部位122a~122e,而與第1~第5個別排氣管路100a~100e連接。
在專用共通排氣管路122,在比位於最上游之連接部位122e更為偏向上游側設有第1外氣引進部142,而在該第1外氣引進部142與前述連接部位之中位於最上游之連接部位122e之間設有第1調整閥152。又,在專用共通排氣管路122,在比位於最下游之連接部位122a更為偏向下游側設有第2外氣引進部162,而在該第2外氣引進部162設有第2調整閥172。
專用共通排氣管路123也具備水平部123x及下降部123z。水平部123x透過連接部位123a~123e,而與第1~第5個別排氣管路100a~100e連接。
在專用共通排氣管路123,在比位於最上游之連接部位123e更為偏向上游側設有第1外氣引進部143,而在該第1外氣引進部143與前述連接部位之中位於最上游之連接部位123e之間設有第1調整閥153。又,在專用共通排氣管路123,在比位於最下游之連接部位123a更為偏向下游側設有第2外氣引進部163,而在該第2外氣引進部163設有第2調整閥173。
處理站3進一步地具備排氣壓偵側部101~103。排氣壓偵側部101於第1~第5個別排氣管路100a~100e,在比開閉機構200更為偏向下游側,分別設在連結專用共通排氣管路121的流路,並對專用共通排氣管路121輸出信號,該信號顯示所排出之排氣的排氣壓。亦即,排氣壓偵側部101偵測由第1~第5處理單元16a~16e排出之鹼系排氣的排氣壓。
排氣壓偵側部102於第1~第5個別排氣管路100a~100e,在比開閉機構200更為偏向下游側,分別設在連結專用共通排氣管路122的流路,並對專用共通排氣管路122輸出信號,該信號顯示所排出之排氣的排氣壓。亦即,排氣壓偵側部102偵測由第1~第5處理單元16a~16e排出之酸系排氣的排氣壓。
排氣壓偵側部103於第1~第5個別排氣管路100a~100e,在比開閉機構200更為偏向下游側,分別設在連結專用共通排氣管路123的流路,並對專用共通排氣管路123輸出信號,該信號顯示所排出之排氣的排氣壓。亦即,排氣壓偵側部103偵測由第1~第5處理單元16a~16e排出之有機系排氣的排氣壓。
上述之排氣壓偵側部101~103所輸出之信號,係輸出至控制裝置4(參照圖1)。又,就排氣壓偵側部101~103而言,可使用例如壓力感測器等,但並不限定於此。
於如上構成之處理站3,第1調整閥151.152.153、第2調整閥171.172.173、以及第1~第5開閉機構200a~200e等,係由控制裝置4所控制。
<4、控制裝置的具體構成> 接著,就關聯之控制裝置4,參照圖5具體說明。圖5係控制裝置4的方塊圖。又,於圖5以後,會以第1調整閥151或第2調整閥171之控制為例,進行說明。又,至於第1調整閥152、153或第2調整閥172、173之控制,由於適用下文之第1調整閥151及第2調整閥171的說明,因此就省略在方塊圖之圖示及詳細說明。
又,於圖5,係以機能方塊代表用以說明本實施態樣所需的構成要素,至於一般性的構成要素就省略記載。換言之,於圖5所圖示之各構成要素係機能概念性之物,未必需要如物理性圖示般構成。例如,各機能方塊之分散・統合的具體形態並不限定於圖中所示;其全部或部分,皆可依各種負載或使用狀況等,而以任意單位進行機能性或物理性之分散・統合來構成。
更進一步地,由各機能方塊所進行之各處理機能,其全部或任意之部分,皆得以CPU(Central Processing Unit)等處理器及該處理器所分析執行之程式實現、或是以佈線邏輯之硬體實現。
首先,如前文所述,控制裝置4具備「控制部18」及「儲存部19」(參照圖1)。控制部18係例如CPU,藉由讀取並執行儲存在儲存部19之未圖示之程式,而發揮作為例如圖5所示之各機能方塊18a、18b的機能。接下來,就該各機能方塊18a、18b進行說明。
如圖5所示,例如控制部18具備「開閉機構控制部18a」及「閥控制部18b」。又,儲存部19儲存「既定量資訊19a」。
開閉機構控制部18a依在處理單元16所使用之處理液的種類,而對開閉機構200輸出指令値,並控制開閉機構200的開閉閥。具體而言,例如於第1處理單元16a,在對晶圓W供給作為鹼系處理液之SC1的情況下,開閉機構控制部18a就控制第1開閉機構200a,以使第1個別排氣管路100a與專用共通排氣管路121連通。藉此,可以使第1處理單元16a內的鹼系排氣往專用共通排氣管路121排出。
又,例如,於第1處理單元16a,在對晶圓W供給作為酸系處理液之DHF的情況下,開閉機構控制部18a就控制第1開閉機構200a,以使第1個別排氣管路100a與專用共通排氣管路122連通。藉此,可以使第1處理單元16a內的酸系排氣往專用共通排氣管路122排出。
同樣地,於第1處理單元16a,在對晶圓W供給作為有機系處理液之IPA的情況下,開閉機構控制部18a就控制第1開閉機構200a,以使第1個別排氣管路100a與專用共通排氣管路123連通。藉此,可以使第1處理單元16a內的有機系排氣往專用共通排氣管路123排出。
對於閥控制部18b會輸入一信號,該信號顯示以排氣壓偵側部101所偵測到的個別排氣管路100的排氣壓。閥控制部18b使用預先設定之個別排氣管路100的排氣壓與排氣量間的關係式,從個別排氣管路100的排氣壓計算出排氣量。然後,閥控制部18b基於個別排氣管路100的排氣量,控制第1調整閥151及第2調整閥171。如此這般,由於可以基於排氣壓偵側部101之輸出而算出排氣量,故排氣壓偵側部101可視作排氣量偵側部的一例。
具體而言,由於排氣壓偵側部101係如上述般分別設於第1~第5個別排氣管路100a~100e,因此對於閥控制部18b會輸入來自5個排氣壓偵側部101的信號。
閥控制部18b具有排氣量偵側部,基於得自5個排氣壓偵側部101所偵測到的排氣壓,進行排氣量的累計,以算出第1~第5個別排氣管路100a~100e之排氣量的總和,即總排氣量。又,第1~第5個別排氣管路100a~100e的總排氣量,相當於第1~第5處理單元16a~16e的總排氣量。
閥控制部18b,對於算出之個別排氣管路100的總排氣量、與預先設定之排氣量,亦即既定量A,進行比較,並基於比較結果以控制第1、第2調整閥151、171。就該第1、第2調整閥151、171之控制,參照圖6~圖7C進行說明。
圖6為表示個別排氣管路100的總排氣量與第1、第2調整閥151、171的開度間之關係的一例之圖式。又,於圖6中,一方面以實線繪示第1調整閥15的開度,另一方面以虛線繪示第2調整閥171的開度。又,圖7A~圖7C為第1、第2調整閥151、171的動作說明圖。
如圖6所示,在個別排氣管路100之總排氣量在最大値或者最大値附近時,閥控制部18b使第1、第2調整閥151、171皆關閉。亦即,如圖7A所示,在個別排氣管路100之總排氣量在最大値或者最大値附近時,可以推定在第1~第5處理單元16a~16e的全部皆在進行排氣處理。
又,排氣機構131之排氣量,如上述般,設定為:可以抽吸第1~第5處理單元16a~16e全部進行排氣處理之情況下所排出之排氣的值。因此,於圖7A中,由於來自第1~第5處理單元16a~16e之風機過濾機組21(參照圖3)的供氣量、與排氣機構131的排氣量之間,係取得平衡之狀態,因此不需要從第1外氣引進部141等引進外氣。是故,在個別排氣管路100之總排氣量在最大値或者最大値附近時,閥控制部18b使第1、第2調整閥151、171皆關閉。
接續圖6之說明,在個別排氣管路100之總排氣量未達到最大値、而在既定量A以上時,閥控制部18b就開啟第1調整閥151。具體而言,閥控制部18b會進行如下控制:隨著總排氣量由最大値減少,而逐漸開啟第1調整閥151,以在總排氣量達到既定量A時,能成為預先設定的既定開度α。又,第2調整閥171則設為維持關閉之狀態。
亦即,如圖7B所示,在個別排氣管路100之總排氣量未達到最大値、而在既定量A以上時,可以推定在第1~第5處理單元16a~16e中,有部分未進行排氣處理。
又,雖於圖7B繪示在第4、第5處理單元16d、16e未進行排氣處理之狀態,但此終究僅係例示,而非用以限定。又,在此所謂「未進行排氣處理」,係意指並未進行排向專用共通排氣管路121之排氣,並非意指排向其他專用共通排氣管路122、123之排氣也未進行。
若在第4、第5處理單元16d、16e未進行排氣處理,則由於排氣機構131之排氣量係固定,因此第1~第3處理單元16a~16c的排氣量會增大,而有發生壓力變動之虞。
有鑑於此,閥控制部18b藉由開啟第1調整閥151,以由第1外氣引進部141對專用共通排氣管路121引進外氣(箭頭D1)。藉此,第1~第3處理單元16a~16c的排氣量不易增大,而可以抑制壓力變動。
又,上述之既定量A,係從第1外氣引進部141引進之外氣的流量下,可抑制壓力變動之個別排氣管路100的總排氣量下限値,係例如透過實驗而預先設定。所設定之既定量A,會作為既定量資訊19a而儲存在儲存部19。又,既定開度α可以設定為任意値。
又,於上述中,閥控制部18b係開啟第1調整閥151、關閉第2調整閥171,但並不限定於此;亦可係開啟第2調整閥171、關閉第1調整閥151。
接續圖6之說明。在個別排氣管路100之總排氣量未達到既定量A時,閥控制部18b就開啟第1調整閥151及第2調整閥171。詳而言之,閥控制部18b在總排氣量未達到既定量A時,除了處於開啟狀態的第1調整閥151,還會再開啟第2調整閥171。具體而言,閥控制部18b會進行如下控制:隨著總排氣量由既定量A減少,而逐漸開啟第2調整閥171,以在總排氣量達到最小値或者最小値附近時,能成為既定開度α。又,第1調整閥151則維持既定開度α。
亦即,如圖7C所示,在個別排氣管路100之總排氣量未達到既定量A時,可以推定在第1~第5處理單元16a~16e之中,未進行排氣處理的處理單元16,從圖7B所示之狀態更進一步地增加了。又,雖於圖7C繪示在第2~第5處理單元16b~16e未進行排氣處理之狀態,但此終究僅係例示,而非用以限定。
若在第2~第5處理單元16b~16e未進行排氣處理,則由於排氣機構131之排氣量係固定,因此第1處理單元16a的排氣量會有較大幅的增加,而有發生壓力變動之虞。
有鑑於此,閥控制部18b藉由除了使第1調整閥151開啟、再加上也使第2調整閥171開啟,而變成也從第2外氣引進部161對專用共通排氣管路121引進外氣(箭頭D2)。也就是說當排氣量偵側部累計出的複數之個別排氣管路100之排氣量的總和,亦即總排氣量達到所設定之排氣量以上的情況下,閥控制部18b就會在第2調整閥171關閉的狀態下,依個別排氣管路100的總排氣量而變更前述第1調整閥151的開度;而當複數之前述個別排氣管路100之排氣量的總和,亦即總排氣量未達到所設定之排氣量時,就在維持前述第1調整閥151的開度之狀態下,開啟第2調整閥171,並依個別排氣管路100的排氣量總和,更進一步地變更第2調整閥171的開度。如此這般,藉由從2處引進外氣,使得第1處理單元16a的排氣量難以增大,而可以抑制壓力變動。
<5、基板處理系統的具體動作> 接著,就上述之基板處理系統1中所執行之排氣處理進行說明。在此,於進入排氣處理的說明之前,就本實施態樣之基板處理系統1中所執行之一連串基板處理,先行說明。
圖8為表示在基板處理系統所執行之基板處理之處理程序的一例之流程圖。
如圖8所示,控制部18首先會進行第1化學藥液處理(步驟S101)。在該第1化學藥液處理,首先藉由以驅動部33使固持部31旋轉,而以既定旋轉數使固持部31所固持的晶圓W旋轉。接下來,控制部18使處理流體供給部40的噴嘴41位於晶圓W的中央上方。其後,控制部18以既定時間使閥60a開放,而由噴嘴41對晶圓W的被處理面,供給來自鹼系處理液供給源70a所供給之SC1。
接下來,控制部18進行第1沖洗處理(步驟S102)。於該第1沖洗處理,控制部18以既定時間使閥60d開放,而由噴嘴41對晶圓W的被處理面,供給來自去離子水供給源70d所供給之去離子水。
接下來,控制部18進行第2化學藥液處理(步驟S103)。於該第2化學藥液處理,控制部18以既定時間使閥60b開放,而由噴嘴41對晶圓W的被處理面,供給來自酸系處理液供給源70b所供給之DHF。
接下來,控制部18進行第2沖洗處理(步驟S104)。於該第2沖洗處理,控制部18以既定時間使閥60d開放,而由噴嘴41對晶圓W的被處理面,供給來自去離子水供給源70d所供給之去離子水。
接下來,控制部18進行乾燥處理(步驟S105)。於該乾燥處理,控制部18以既定時間使閥60c開放,而由噴嘴41對晶圓W的被處理面,供給來自有機系處理液供給源70c所供給之IPA。其後,控制部18藉由加快晶圓W之轉速,而甩除晶圓W上的IPA,使晶圓W乾燥。
接著,就基板處理系統1中執行之排氣處理,參照圖9進行說明。圖9為表示在基板處理系統1執行之排氣處理之處理程序的一例之流程圖。在此設作排氣處理係與上述基板處理並行執行。
如圖9所示,控制部18的開閉機構控制部18a,依在處理單元16所使用之處理液的種類,而控制開閉機構200(步驟S201)。藉此,處理單元16內的環境氣體,會依處理液而排出至適當的專用共通排氣管路121~123。
接著,閥控制部18b根據排氣壓偵側部101所偵測到的排氣壓,而偵測個別排氣管路100的排氣量(步驟S202)。接下來,閥控制部18b根據所偵側到的排氣量,控制第1調整閥151及第2調整閥171(步驟S203)。藉此以對專用共通排氣管路121適度引進來自第1外氣引進部141或第2外氣引進部161的外氣,而抑制在處理單元16的壓力變動。
(第2實施態樣) <6、依第2實施態樣之基板處理系統的構成> 接下來,就第2實施態樣關聯之基板處理系統1進行說明。又,於下文之說明,對於與已說明過之部分同樣的部分,會標註與已說明過之部分相同的符號,並省略重複說明。又,在第2實施態樣之說明亦同,會與第1實施態樣之說明同樣地以第1、第2調整閥151、171的控制為例,進行說明。
依第2實施態樣之基板處理系統1的控制裝置4,係於排氣處理偵測開閉機構200之狀態,並根據偵側到的開閉機構200之狀態,控制第1、第2調整閥151、171。
具體說明如下:控制部18如圖5之假想線所示,更進一步地具備偵測開閉機構200之狀態的狀態偵側部18c。又,儲存部19如圖5之假想線所示,儲存開度資訊19b。又,依第2實施態樣之儲存部19,設為未儲存既定量資訊19a。
對於狀態偵側部18c,會輸入開閉機構控制部18a對開閉機構200所輸出之指令値。該指令値係對開閉機構200顯示開度的控制信號。
狀態偵側部18c根據所輸入之指令値,偵測開閉機構200的狀態。在此所謂開閉機構200之狀態,係例如在第1~第5開閉機構200a~200e中,開閉閥係開啟之開閉機構200的數量。
又,在狀態偵側部18c所偵側之開閉機構200的狀態,並不限於前文所述,例如亦可係開閉機構200之開閉閥的開度等。又,於前文中,狀態偵側部18c係使用開閉機構控制部18a的指令値以偵測開閉機構200之狀態,但並不限定於此。亦即,亦可係例如在開閉機構200的開閉閥安裝編碼器,並根據由該編碼器輸出之表示閥開度的信號,以偵測開閉機構200的狀態。
狀態偵側部18c對閥控制部18b輸出顯示開閉機構200之狀態的信號,具體而言,係顯示有開啟開閉閥之開閉機構200之數量的信號。又,上述之「有開啟開閉閥之開閉機構200之數量」,換言之,亦可說是在第1~第5處理單元16a~16e之中,有進行排氣處理、並與專用共通排氣管路121連通之處理單元16的數量。
閥控制部18b係根據狀態偵側部18c所偵測到的開閉機構200之狀態,換言之,係根據連通中之處理單元16的數量、與上述之開度資訊19b,而控制第1、第2調整閥151、171。圖10為表示開度資訊19b的一例之圖式。
如圖10所示,預先透過實驗,求取相對於連通中之處理單元16的數量,而可在連通之處理單元16抑制壓力變動之第1、第2調整閥151、171的開度;並將所求得之開度,作為開度資訊19b,事先儲存在儲存部19。又,於圖10中,第2既定開度α0係設定為大於0度、且小於既定開度α的數値。
就圖10詳細說明如下:例如,當連通中之處理單元16的數量係5台的情況下,就代表在第1~第5處理單元16a~16e的全部,皆在進行排氣處理(參照圖7A)。是故,如同在第1實施態樣之說明般,不需要由第1外氣引進部141等引進外氣,因此第1、第2調整閥151、171的開度係設定為0。
又,隨著連通中之處理單元16的數量減少成4台、3台,則第1調整閥151的開度設定,就階段性地加大至第2既定開度α0、既定開度α。又,第2調整閥171的開度則維持在0。藉此,如同在第1實施態樣之說明般,由第1外氣引進部141對專用共通排氣管路121引進外氣,因此連通中之處理單元16的排氣量難以增大,而可以抑制壓力變動(參照圖7B)。
更進一步地,隨著連通中之處理單元16的數量減少成2台、1台,則在第1調整閥151的開度維持在既定開度α之狀態下,使第2調整閥171的開度設定,階段性地加大至第2既定開度α0、既定開度α。又,第1調整閥151的開度維持在既定開度α之狀態下、開始開啟第2調整閥171之情況下的處理單元16之台數,係預先決定好的。也就是說當處理單元16達到預先決定之台數以上的情況下(開啟之開閉機構200的總和達到預先決定之數量以上的情況下),就在關閉第2調整閥171之狀態下,變更第1調整閥151的開度;而當處理單元16未達到預先決定之台數的情況下(開啟之開閉機構200的總和未達到預先決定之數量的情況下),就在維持第1調整閥151的開度之狀態下,變更第2調整閥171的開度。藉此,如同在第1實施態樣之說明般,對於專用共通排氣管路121亦會由第2外氣引進部161引進外氣,因此連通中之處理單元16的排氣量難以增大,而可以抑制壓力變動(參照圖7C)。
如此這般,開度資訊19b係使開閉機構200之狀態(換言之,連通中之處理單元16的數量)、與對應開閉機構200之狀態的第1調整閥151及第2調整閥171的開度,相關聯的資訊。又,於前文中,係在使第2調整閥171的開度為0的狀態下,階段性地使第1調整閥151的開度加大到所設定之開度為止,其後再使第2調整閥171的開度加大。亦可取而代之,改為係在使第1調整閥151的開度為0的狀態下,階段性地使第2調整閥171的開度加大到所設定之開度為止,其後再使第1調整閥151的開度加大。
<7、依第2實施態樣之基板處理系統的具體動作> 圖11為表示在第2實施態樣之基板處理系統1執行的排氣處理之處理程序的一例之流程圖。
如圖11所示,控制部18的開閉機構控制部18a,依在處理單元16所使用之處理液的種類,控制開閉機構200(步驟S201)。接下來,狀態偵側部18c會偵測開閉機構200之狀態(步驟S202a)。
接下來,閥控制部18b根據偵側到的開閉機構200之狀態,而控制第1調整閥151及第2調整閥171(步驟S203a)。詳而言之,一旦顯示所偵側到的開閉機構200之狀態的信號,由狀態偵側部18c輸入,閥控制部18b就會由儲存部19讀取開度資訊19b。開度資訊19b係例如透過實驗而預先設定之第1調整閥151及第2調整閥171的開度。詳而言之,開度資訊19b係使開閉機構200之狀態、與第1調整閥151及第2調整閥171的開度相關聯的資訊。
然後,閥控制部18b根據開閉機構200之狀態與開度資訊19b,而控制第1、第2調整閥151、171。藉此以對專用共通排氣管路121適度引進來自第1外氣引進部141或第2外氣引進部161的外氣,而抑制在處理單元16的壓力變動。
又,由於上述之第1調整閥151及第2調整閥171之說明,亦適用於第1調整閥152、153及第2調整閥172、173,因此對於第1調整閥152、153及第2調整閥172、173之控制,就省略說明。
如前文所述,在第2實施態樣,係根據開閉機構200之狀態而控制第1調整閥151~153及第2調整閥171~173,因此可以有效抑制在處理單元16之壓力變動。
又,於第2實施態樣,係使用預先儲存在儲存部19的開度資訊19b。藉此,可以簡易且及早控制第1調整閥151~153及第2調整閥171~173的開度。
又,開度資訊19b亦可包含使「相對於第1調整閥151之開閉機構200的位置關係」與「第1調整閥151的開度」相關聯的資訊。
然後,於開度資訊19b,在例如開閉機構200的開閉閥係關閉而未連通之處理單元16,乃是相對於第1調整閥151為較近之位置關係的2個,即第4、第5處理單元16d、16e時(參照圖7B),第1調整閥151的開度就設定在既定開度α。又,在此,所謂「相對於第1調整閥151為較近之位置關係」,意指在排氣之流動方向上係較近之位置。
又,於開度資訊19b,在例如未連通之處理單元16,乃是相對於第1調整閥151為最近之位置關係的第5處理單元16e時,第1調整閥151的開度就設定在第2既定開度α0。又,上述之第1調整閥151的開度,終究僅係例示,而非用以限定;要考量相對於第1調整閥151之開閉機構200的位置關係,而透過實驗等適度設定。
然後,閥控制部18b係根據以狀態偵側部18c偵側狀態之開閉機構200的位置關係、以及上述之開度資訊19b,而控制第1調整閥151的開度。藉此,可以根據偵側到狀態之開閉機構200與處理單元16之位置關係,適當控制第1調整閥151的開度,而能更加抑制各處理單元16之壓力變動。又,由於其餘效果係與第1實施態樣相同,因此省略說明。
又,於上述之實施態樣,在第1調整閥151~153及第2調整閥171~173之既定開度α及第2既定開度α0係設為相同的數値,但並不限定於此,亦可設為彼此不同的數値。
又,於上述之第2實施態樣之開度資訊19b,係使第1調整閥151~153及第2調整閥171~173的開度,對應連通中之處理單元16的數量來設定,但並不限定於此。亦即,第1調整閥151~153及第2調整閥171~173的開度,亦可對應連通中之處理單元16與第1外氣引進部141~143等之間的距離(位置)、或是開閉機構200的開度等來設定。
又,於前文中,處理站3係由基板處理系統1所具備之控制裝置4所控制,但不限定於此,例如亦可構成為處理站3本身具備控制裝置4。
更進一步的效果或變形例,可由所屬技術領域中具有通常知識者輕易導出。因此,本發明之更廣泛的態樣,並不受前文所示及記述之特定詳情及代表性實施態樣所限定。是故,本發明可以在不脫離隨附申請專利範圍、及以其均等物所定義之總括性之發明概念的精神或範圍內,進行各種變更,該等變更亦涵括在本發明。
1‧‧‧基板處理系統
2‧‧‧搬入出站
3‧‧‧處理站
3a、3b‧‧‧外殼
4‧‧‧控制裝置
11‧‧‧載體載置部
12‧‧‧搬送部
13‧‧‧基板搬送裝置
14‧‧‧傳遞部
15‧‧‧搬送部
16‧‧‧處理單元
16a~16e‧‧‧第1~第5處理單元
17‧‧‧基板搬送裝置
18‧‧‧控制部
18a‧‧‧開閉機構控制部
18b‧‧‧閥控制部
18c‧‧‧狀態偵側部
19‧‧‧儲存部
19a‧‧‧既定量資訊
19b‧‧‧開度資訊
20‧‧‧腔室
21‧‧‧風機過濾機組
22‧‧‧閥
23‧‧‧惰性氣體供給源
30‧‧‧基板固持機構
31‧‧‧固持部
311‧‧‧固持構件
32‧‧‧支柱部
33‧‧‧驅動部
40‧‧‧處理流體供給部
41‧‧‧噴嘴
42‧‧‧臂體
43‧‧‧旋轉升降機構
50‧‧‧回收杯
51‧‧‧排液口
52‧‧‧排氣口
60a~60d‧‧‧閥
70‧‧‧處理流體供給源
70a‧‧‧鹼系處理液供給源
70b‧‧‧酸系處理液供給源
70c‧‧‧有機系處理液供給源
70d‧‧‧去離子水供給源
100‧‧‧個別排氣管路
100a~100e‧‧‧第1~第5個別排氣管路
101~103‧‧‧排氣壓偵側部
120‧‧‧共通排氣管路
121~123‧‧‧專用共通排氣管路
121x~123x‧‧‧水平部
121z~123z‧‧‧下降部
121a~121e‧‧‧連接部位
122a~122e‧‧‧連接部位
123a~123e‧‧‧連接部位
131~133‧‧‧排氣機構
141~143‧‧‧第1外氣引進部
151~153‧‧‧第1調整閥
161~163‧‧‧第2外氣引進部
171~173‧‧‧第2調整閥
200‧‧‧開閉機構
200a~200e‧‧‧第1~第5開閉機構
C‧‧‧載體
W‧‧‧晶圓
A‧‧‧既定量
α‧‧‧既定開度
α0‧‧‧第2既定開度
D1、D2、E‧‧‧箭頭
S101~S105、S201~S203、S202a、S203a‧‧‧步驟
2‧‧‧搬入出站
3‧‧‧處理站
3a、3b‧‧‧外殼
4‧‧‧控制裝置
11‧‧‧載體載置部
12‧‧‧搬送部
13‧‧‧基板搬送裝置
14‧‧‧傳遞部
15‧‧‧搬送部
16‧‧‧處理單元
16a~16e‧‧‧第1~第5處理單元
17‧‧‧基板搬送裝置
18‧‧‧控制部
18a‧‧‧開閉機構控制部
18b‧‧‧閥控制部
18c‧‧‧狀態偵側部
19‧‧‧儲存部
19a‧‧‧既定量資訊
19b‧‧‧開度資訊
20‧‧‧腔室
21‧‧‧風機過濾機組
22‧‧‧閥
23‧‧‧惰性氣體供給源
30‧‧‧基板固持機構
31‧‧‧固持部
311‧‧‧固持構件
32‧‧‧支柱部
33‧‧‧驅動部
40‧‧‧處理流體供給部
41‧‧‧噴嘴
42‧‧‧臂體
43‧‧‧旋轉升降機構
50‧‧‧回收杯
51‧‧‧排液口
52‧‧‧排氣口
60a~60d‧‧‧閥
70‧‧‧處理流體供給源
70a‧‧‧鹼系處理液供給源
70b‧‧‧酸系處理液供給源
70c‧‧‧有機系處理液供給源
70d‧‧‧去離子水供給源
100‧‧‧個別排氣管路
100a~100e‧‧‧第1~第5個別排氣管路
101~103‧‧‧排氣壓偵側部
120‧‧‧共通排氣管路
121~123‧‧‧專用共通排氣管路
121x~123x‧‧‧水平部
121z~123z‧‧‧下降部
121a~121e‧‧‧連接部位
122a~122e‧‧‧連接部位
123a~123e‧‧‧連接部位
131~133‧‧‧排氣機構
141~143‧‧‧第1外氣引進部
151~153‧‧‧第1調整閥
161~163‧‧‧第2外氣引進部
171~173‧‧‧第2調整閥
200‧‧‧開閉機構
200a~200e‧‧‧第1~第5開閉機構
C‧‧‧載體
W‧‧‧晶圓
A‧‧‧既定量
α‧‧‧既定開度
α0‧‧‧第2既定開度
D1、D2、E‧‧‧箭頭
S101~S105、S201~S203、S202a、S203a‧‧‧步驟
【圖1】 圖1為表示依第1實施態樣之基板處理系統的概略構成之圖式。 【圖2】 圖2為表示處理單元的概略構成之圖式。 【圖3】 圖3為概略表示處理單元之具體構成的一例之圖式。 【圖4】 圖4為表示處理站的排氣路徑之圖式。 【圖5】 圖5為控制裝置的方塊圖。 【圖6】 圖6為表示個別排氣管路的總排氣量與第1、第2調整閥的開度間之關係的一例之圖式。 【圖7A】 圖7A為第1、第2調整閥的動作說明圖(其1)。 【圖7B】 圖7B為第1、第2調整閥的動作說明圖(其2)。 【圖7C】 圖7C為第1、第2調整閥的動作說明圖(其3)。 【圖8】 圖8為表示在基板處理系統執行之基板處理之處理程序的一例之流程圖。 【圖9】 圖9為表示在基板處理系統執行之排氣處理之處理程序的一例之流程圖。 【圖10】 圖10為表示開度資訊的一例之圖式。 【圖11】 圖11為表示依第2實施態樣之基板處理系統執行的排氣處理之處理程序的一例之流程圖。
16a~16e‧‧‧第1~第5處理單元
100a~100e‧‧‧第1~第5個別排氣管路
101‧‧‧排氣壓偵側部
121‧‧‧專用共通排氣管路
131‧‧‧排氣機構
141‧‧‧第1外氣引進部
151‧‧‧第1調整閥
161‧‧‧第2外氣引進部
171‧‧‧第2調整閥
200a~200e‧‧‧第1~第5開閉機構
D1、D2、E‧‧‧箭頭
W‧‧‧晶圓
Claims (11)
- 一種液體處理裝置,包括: 複數之液體處理部,對被處理體供給處理液,而使該被處理體進行液體處理; 複數之個別排氣管路,一端分別連接各該液體處理部,以使來自該液體處理部內的排氣流通; 共通排氣管路,連接複數之該個別排氣管路的另一端,以使來自複數之該個別排氣管路的排氣流通; 第1外氣引進部,設在該共通排氣管路中,比連接該個別排氣管路的複數之連接部位更為偏向排氣之流動方向的最上游側,用以將外氣引進該共通排氣管路; 第1調整閥,設在該第1外氣引進部、與該連接部位之中位於最上游的該連接部位之間,用以調整由該第1外氣引進部所引進之外氣的流量; 第2外氣引進部,設在該共通排氣管路中,比複數之該連接部位之中位於最上游的連接部位更為偏向下游側,用以將外氣引進該共通排氣管路;以及 第2調整閥,設在該第2外氣引進部,用以調整由該第2外氣引進部所引進之外氣的流量。
- 如申請專利範圍第1項之液體處理裝置,其中, 該第2外氣引進部, 係設在該共通排氣管路中,比複數之該連接部位之中位於排氣之流動方向的最下游之連接部位,更為偏向下游側。
- 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置,其中,更包括: 排氣量偵側部,偵側複數之該個別排氣管路之排氣量;以及 閥控制部,當該排氣量偵側部所累計的複數之該個別排氣管路之排氣量的總和達到預先所設定之排氣量以上的情況下,在該第1調整閥及該第2調整閥中之任一方關閉的狀態下,開啟另一方之調整閥;而當複數之該個別排氣管路之排氣量的總和未達到該所設定之排氣量的情況下,就開啟該第1調整閥及該第2調整閥。
- 如申請專利範圍第3項之液體處理裝置,其中, 該閥控制部, 當該排氣量偵側部所累計的複數之該個別排氣管路之排氣量的總和達到該所設定之排氣量以上的情況下,依個別排氣管路之排氣量的總和而變更該第1調整閥的開度;而當複數之該個別排氣管路之排氣量的總和未達到該所設定之排氣量的情況下,依個別排氣管路之排氣量的總和,在維持該第1調整閥的開度之狀態下,變更該第2調整閥的開度。
- 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置,其中,更包括: 開閉機構,設於該個別排氣管路,使該個別排氣管路開啟或關閉; 狀態偵側部,偵側該開閉機構之狀態;以及 閥控制部,根據該狀態偵側部所偵測到的該開閉機構之狀態,控制該第1調整閥及該第2調整閥的開度。
- 如申請專利範圍第5項之液體處理裝置,其中,更包括: 儲存部,使該開閉機構之狀態、與對應於該狀態之該第1調整閥及該第2調整閥的開度相關聯,而作為開度資訊預先加以儲存; 該閥控制部, 根據該狀態偵側部所偵測到的該開閉機構之狀態與該儲存部所儲存之該開度資訊,而控制該第1調整閥及該第2調整閥的開度。
- 如申請專利範圍第6項之液體處理裝置,其中, 該開度資訊, 包含使「該開閉機構相對於該第1調整閥的位置關係」與「該第1調整閥的開度」二者相關聯的資訊; 該閥控制部, 根據「以該狀態偵側部偵側到狀態之該開閉機構的位置關係」、與「儲存於該儲存部的該開度資訊」,控制該第1調整閥的開度
- 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置,其中, 該第2調整閥係配置於: 「透過該第2外氣引進部所引進之外氣的流動方向」,正交於「該共通排氣管路中設置該第2外氣引進部之位置上的排氣之流動方向」之位置。
- 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置,其中, 該液體處理部,對該被處理體供給複數種類的處理液; 該共通排氣管路, 係該對應於該複數種類的處理液而設置複數個, 並且依處理液之種類,而使流通於該個別排氣管路之排氣的流出目的地,切換成複數之該共通排氣管路中的任一個。
- 如申請專利範圍第1或2項之液體處理裝置,其中, 該第1外氣引進部與該第2外氣引進部其中至少任一方,將該液體處理部周邊的環境氣體作為外氣而引進。
- 如申請專利範圍第6項之液體處理裝置,其中, 該閥控制部, 當開啟之該開閉機構的總和數量達到預先決定之數量以上的情況下,依開啟之該開閉機構的總和數量,而在關閉該第2調整閥的狀態下,變更該第1調整閥的開度;當開啟之該開閉機構的總和數量未達到預先決定之數量的情況下,就在維持該第1調整閥的開度的狀態下,變更該第2調整閥的開度。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015149512A JP6482979B2 (ja) | 2015-07-29 | 2015-07-29 | 液処理装置 |
JP2015-149512 | 2015-07-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201717301A true TW201717301A (zh) | 2017-05-16 |
TWI637452B TWI637452B (zh) | 2018-10-01 |
Family
ID=57886298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW105123346A TWI637452B (zh) | 2015-07-29 | 2016-07-25 | 液體處理裝置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10046372B2 (zh) |
JP (1) | JP6482979B2 (zh) |
KR (1) | KR102605398B1 (zh) |
TW (1) | TWI637452B (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9446467B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-09-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrate rinse module in hybrid bonding platform |
WO2018051825A1 (ja) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP6956603B2 (ja) * | 2017-11-13 | 2021-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
KR102343637B1 (ko) * | 2019-06-13 | 2021-12-28 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
US20210265177A1 (en) * | 2020-02-26 | 2021-08-26 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
JP7502157B2 (ja) | 2020-02-26 | 2024-06-18 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP7444701B2 (ja) * | 2020-05-28 | 2024-03-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理方法、学習用データの生成方法、学習方法、学習装置、学習済モデルの生成方法、及び学習済モデル |
KR102576155B1 (ko) * | 2021-06-07 | 2023-09-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR102594076B1 (ko) * | 2021-07-08 | 2023-10-25 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05129240A (ja) * | 1991-11-07 | 1993-05-25 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置 |
JP3337164B2 (ja) * | 1993-09-30 | 2002-10-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JP3587776B2 (ja) * | 2000-10-10 | 2004-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置及び塗布方法 |
JP4471865B2 (ja) | 2005-02-18 | 2010-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及びその方法 |
JP4830523B2 (ja) * | 2006-02-08 | 2011-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及びその方法を実施するためのコンピュータプログラム。 |
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JP5633167B2 (ja) | 2010-03-24 | 2014-12-03 | 株式会社Sumco | エピタキシャル成長システム |
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-
2015
- 2015-07-29 JP JP2015149512A patent/JP6482979B2/ja active Active
-
2016
- 2016-07-14 US US15/209,982 patent/US10046372B2/en active Active
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Publication number | Publication date |
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KR20170015162A (ko) | 2017-02-08 |
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JP6482979B2 (ja) | 2019-03-13 |
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