JP7444701B2 - 基板処理装置、基板処理方法、学習用データの生成方法、学習方法、学習装置、学習済モデルの生成方法、及び学習済モデル - Google Patents

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Description

本発明は、基板処理装置、基板処理方法、学習用データの生成方法、学習方法、学習装置、学習済モデルの生成方法、及び学習済モデルに関する。
複数の処理ユニットを備える基板処理装置が知られている。例えば、特許文献１の基板処理装置は、複数の処理ユニットと、１つの排気流路（共通排気管）とを備える。特許文献１の基板処理装置において、各処理ユニットから排気される排気ガス（気体）は、１つの排気流路に流入して、基板処理装置の外部に排出される。
特開２０１９－９１７５８号公報
しかしながら、複数の処理ユニットから排気される気体が１つの共通排気管に流入する構成では、共通排気管を流れる気体の流量が変動し易い。換言すると、共通排気管の排気圧が変動し易い。共通排気管の排気圧が変動すると、各処理ユニットの排気圧が変動して、パーティクルが発生する可能性がある。
例えば、同時に基板を処理している処理ユニットの数の変動に応じて、共通排気管の排気圧が変動する。また、同時に基板を処理している処理ユニットの数が同じである場合でも、同時に基板を処理している処理ユニットの位置が異なると、共通排気管の排気圧が変動する。各処理ユニットから共通排気管までの距離が処理ユニットごとに異なり、処理ユニットごとに圧力損失が異なるためである。共通排気管の排気圧が変動する要因は、このように多岐にわたる。したがって、処理ユニットの排気圧を適切に調整することは容易ではない。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、処理ユニットの排気圧をより適切に調整できる基板処理装置、基板処理方法、学習用データの生成方法、学習方法、学習装置、学習済モデルの生成方法、及び学習済モデルを提供することにある。
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、複数の処理ユニットと、複数の個別排気管と、共通排気管と、複数の第１圧力調整機構と、第２圧力調整機構と、制御部とを備える。前記複数の処理ユニットは、処理対象基板を処理液で処理する手順を示す処理時手順情報に基づいて前記処理対象基板に前記処理液を供給して、前記処理対象基板を処理する。前記複数の個別排気管には、前記複数の処理ユニットから排気される気体が流入する。前記共通排気管には、前記複数の個別排気管から排気される気体が流入する。前記複数の第１圧力調整機構は、前記複数の処理ユニットから前記複数の個別排気管に流入する気体の圧力を調整する。前記第２圧力調整機構は、前記共通排気管の内部の気体の圧力を調整する。前記制御部は、前記処理時手順情報が入力されると前記複数の第１圧力調整機構の動作及び前記第２圧力調整機構の動作を規定する処理時圧力調整情報を出力する学習済モデルに対し前記処理時手順情報を入力して、前記学習済モデルから前記処理時圧力調整情報を取得し、取得した前記処理時圧力調整情報に基づいて前記複数の第１圧力調整機構及び前記第２圧力調整機構を制御する。前記学習済モデルは、学習対象基板を前記処理液で処理した結果を示す処理結果情報と、学習対象情報とが関連付けられた学習用データを機械学習することで構築される。前記学習対象情報は、前記学習対象基板の処理時における前記複数の第１圧力調整機構の動作及び前記第２圧力調整機構の動作を示す学習時圧力調整情報と、前記学習対象基板を前記処理液で処理する手順を示す学習時手順情報とを含む。
ある実施形態において、前記処理時圧力調整情報は、前記処理対象基板の処理時における前記複数の第１圧力調整機構の動作及び前記第２圧力調整機構の動作を時系列に沿って規定する。前記学習時圧力調整情報は、前記学習対象基板の処理時における前記複数の第１圧力調整機構の動作及び前記第２圧力調整機構の動作を時系列に沿って示す。
ある実施形態において、前記処理液は、複数種類の処理液を含み、前記処理ユニットから排気される気体は、前記複数種類の処理液に対応する複数種類の気体を含む。前記共通排気管は複数であり、前記複数の共通排気管は前記複数種類の気体に対応する。前記第２圧力調整機構は複数であり、前記複数の第２圧力調整機構は前記複数の共通排気管に対応する。
ある実施形態において、前記複数の個別排気管の各々は、前記複数種類の気体に対応する複数種類の個別排気管を含む。
ある実施形態において、上記基板処理装置は、切換機構を更に備える。前記切換機構は、前記複数種類の個別排気管の間で、対応する前記処理ユニットから排気される気体の流入先を切り換える。
ある実施形態において、前記第１圧力調整機構は、前記切換機構に設けられる。
ある実施形態において、上記基板処理装置は、前記学習済モデルを記憶する記憶部を更に備える。
ある実施形態において、前記学習対象情報は、前記処理液の濃度を示す濃度情報と、前記複数の処理ユニットの各々の内部の温度を示す温度情報と、前記複数の処理ユニットの位置を示す位置情報と、前記処理ユニットから排気された気体が前記共通排気管の下流端から排出されるまでの距離を示す距離情報とのうちの少なくとも１つを更に含む。
本発明の別の局面によれば、基板処理方法は、基板処理装置において処理対象基板を処理する方法である。前記基板処理装置は、複数の処理ユニットと、複数の個別排気管と、共通排気管と、複数の第１圧力調整機構と、第２圧力調整機構と、制御部とを備える。前記複数の処理ユニットは、前記処理対象基板を処理液で処理する手順を示す処理時手順情報に基づいて前記処理対象基板に前記処理液を供給して、前記処理対象基板を処理する。前記複数の個別排気管には、前記複数の処理ユニットから排気される気体が流入する。前記共通排気管には、前記複数の個別排気管から排気される気体が流入する。前記複数の第１圧力調整機構は、前記複数の処理ユニットから前記複数の個別排気管に流入する気体の圧力を調整する。前記第２圧力調整機構は、前記共通排気管の内部の気体の圧力を調整する。前記制御部は、前記複数の第１圧力調整機構及び前記第２圧力調整機構を制御する。当該基板処理方法は、前記処理時手順情報が入力されると前記複数の第１圧力調整機構の動作及び前記第２圧力調整機構の動作を規定する処理時圧力調整情報を出力する学習済モデルに対し前記処理時手順情報を入力して、前記学習済モデルから前記処理時圧力調整情報を取得するステップと、取得した前記処理時圧力調整情報に基づいて前記複数の第１圧力調整機構及び前記第２圧力調整機構を制御するステップとを包含する。前記学習済モデルは、学習対象基板を前記処理液で処理した結果を示す処理結果情報と、学習対象情報とが関連付けられた学習用データを機械学習することで構築される。前記学習対象情報は、前記学習対象基板の処理時における前記複数の第１圧力調整機構の動作及び前記第２圧力調整機構の動作を示す学習時圧力調整情報と、前記学習対象基板を前記処理液で処理する手順を示す学習時手順情報とを含む。
ある実施形態において、前記処理時圧力調整情報は、前記処理対象基板の処理時における前記複数の第１圧力調整機構の動作及び前記第２圧力調整機構の動作を時系列に沿って規定する。前記学習時圧力調整情報は、前記学習対象基板の処理時における前記複数の第１圧力調整機構の動作及び前記第２圧力調整機構の動作を時系列に沿って示す。
本発明の更に別の局面によれば、学習用データの生成方法は、基板処理装置が学習対象基板を処理した結果を示す処理結果情報を取得するステップと、学習対象情報を取得するステップと、前記処理結果情報と、前記学習対象情報とを関連付けて学習用データとして記憶部に記憶するステップとを包含する。前記基板処理装置は、複数の処理ユニットと、複数の個別排気管と、共通排気管と、複数の第１圧力調整機構と、第２圧力調整機構と、制御部とを備える。前記複数の処理ユニットは、前記学習対象基板を処理液で処理する手順を示す学習時手順情報に基づいて前記学習対象基板に前記処理液を供給して、前記学習対象基板を処理する。前記複数の個別排気管には、前記複数の処理ユニットから排気される気体が流入する。前記共通排気管には、前記複数の個別排気管から排気される気体が流入する。前記複数の第１圧力調整機構は、前記複数の処理ユニットから前記複数の個別排気管に流入する気体の圧力を調整する。前記第２圧力調整機構は、前記共通排気管の内部の気体の圧力を調整する。前記制御部は、前記複数の第１圧力調整機構及び前記第２圧力調整機構を制御する。前記学習対象情報は、前記学習対象基板の処理時における前記複数の第１圧力調整機構の動作及び前記第２圧力調整機構の動作を示す学習時圧力調整情報と、前記学習時手順情報とを含む。
ある実施形態において、前記学習時圧力調整情報は、前記学習対象基板の処理時における前記複数の第１圧力調整機構の動作及び前記第２圧力調整機構の動作を時系列に沿って示す。
本発明の更に別の局面によれば、学習方法は、上記の学習用データの生成方法に従って生成された学習用データを取得するステップと、前記学習用データを学習プログラムに入力して前記学習用データを機械学習するステップとを包含する。
本発明の更に別の局面によれば、学習装置は、記憶部と、学習部とを備える。前記記憶部は、上記の学習用データの生成方法に従って生成された学習用データを記憶する。前記学習部は、前記学習用データを学習プログラムに入力して前記学習用データを機械学習する。
本発明の更に別の局面によれば、学習済モデルの生成方法は、上記の学習用データの生成方法に従って生成された学習用データを取得するステップと、前記学習用データを機械学習することで学習済モデルを生成するステップとを包含する。
本発明の更に別の局面によれば、学習済モデルは、上記の学習用データの生成方法に従って生成された学習用データを機械学習させることで構築される。
本発明に係る基板処理装置、基板処理方法、学習用データの生成方法、学習方法、学習装置、学習済モデルの生成方法、及び学習済モデルによれば、処理ユニットの排気圧をより適切に調整できる。
本発明の実施形態に係る基板処理装置を備える基板処理学習システムの模式図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置の内部を示す平面図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置の右部の構成を示す右側面図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置の左部の構成を示す右側面図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置の中央部の構成を示す右側面図である。 第１個別排気管、第２個別排気管、及び第３個別排気管を示す正面図である。 処理ユニットの内部を示す側面図である。 処理ユニット、切換機構、及び第１個別排気管～第３個別排気管を示す平面図である。 切換機構の正面図である。 複数の処理ユニットからの排気路の系統図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置の平面図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置を示すブロック図である。 ダンパ開度調整情報を取得する処理を示すフロー図である。 装置情報を示す図である。 処理時手順情報の一例を示す図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置の動作の一例を示す図である。 基板処理装置を示すブロック図である。 テストレシピデータを示す図である。 学習時手順情報の一例を示す図である。 学習用データ生成装置を示すブロック図である。 本発明の実施形態に係る学習用データ生成方法のフロー図である。 本発明の実施形態に係る学習装置を示すブロック図である。 本発明の実施形態に係る学習方法及び学習済モデルの生成方法のフロー図である。 本発明の他の実施形態に係る基板処理装置の排気路の系統図である。
以下、図面（図１～図２４）を参照して、本発明による基板処理装置、基板処理方法、学習用データの生成方法、学習方法、学習装置、学習済モデルの生成方法、及び学習済モデルの実施形態を説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されない。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。
まず、図１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を備える基板処理学習システム２００を説明する。図１は、基板処理学習システム２００の模式図である。図１に示すように、基板処理学習システム２００は、基板処理装置１００と、基板処理装置１００Ｌと、検査装置３００と、学習用データ生成装置４００と、学習装置５００とを備える。
基板処理装置１００は、処理対象基板を処理液で処理する。基板処理装置１００は、処理対象基板を１枚ずつ処理する枚葉型の装置である。典型的には、処理対象基板は略円板状である。
基板処理装置１００Ｌは、学習対象基板を処理液で処理する。なお、学習対象基板の構成は、処理対象基板の構成と同じである。典型的には、学習対象基板は略円板状である。基板処理装置１００Ｌは、学習対象基板を１枚ずつ処理する枚葉型の装置である。基板処理装置１００Ｌの構成は、基板処理装置１００の構成と略同じである。基板処理装置１００Ｌは、基板処理装置１００と同一物であってもよい。例えば、同一の基板処理装置が過去に学習対象基板を処理し、その後、処理対象基板を処理してもよい。あるいは、基板処理装置１００Ｌは、基板処理装置１００と略同じ構成を有する別の製品であってもよい。
本明細書の以下の説明において、学習対象基板を「学習対象基板ＷＬ」と記載し、処理対象基板を「処理対象基板Ｗｐ」と記載することがある。また、学習対象基板ＷＬと処理対象基板Ｗｐとを区別して説明する必要のないときは、学習対象基板ＷＬ及び処理対象基板Ｗｐを「基板Ｗ」と記載することがある。
基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板である。
基板処理装置１００Ｌは、学習対象基板ＷＬを処理することにより、学習対象情報ＬＴＤを取得する。例えば、基板処理装置１００Ｌは、学習対象基板ＷＬを処理する度に、学習対象情報ＬＴＤを取得してもよい。あるいは、基板処理装置１００Ｌは、所定枚数の学習対象基板ＷＬを処理する度に、学習対象情報ＬＴＤを取得してもよい。具体的には、１ロットを構成する複数枚の学習対象基板ＷＬの全てに対する処理が終了する度に、学習対象情報ＬＴＤを取得してもよい。学習対象情報ＬＴＤは、例えば、処理ユニット１（図８参照）から排気される気体の圧力（排気圧）の時系列データを含む。以下、基板処理装置１００Ｌによって処理された後の学習対象基板ＷＬを、「処理後基板ＷＬａ」と記載することがある。
学習対象情報ＬＴＤは、学習用データ生成装置４００に入力される。例えば、学習対象情報ＬＴＤは、通信によって、学習用データ生成装置４００に入力されてもよい。あるいは、学習対象情報ＬＴＤは、記憶媒体を介して学習用データ生成装置４００に入力されてもよい。記憶媒体は、例えばＣＤ（コンパクト ディスク）のような光ディスクであってもよいし、ＵＳＢ（ユニバーサル シリアル バス）メモリのような記憶装置であってもよい。あるいは、学習対象情報ＬＴＤは、作業者が、キーボード、マウス又はタッチセンサのような入力装置を操作して入力してもよい。
詳しくは、学習対象情報ＬＴＤは、基板情報と関連付けられて学習用データ生成装置４００に入力される。基板情報は、例えば、ロット識別情報、基板識別情報、及び処理順番情報を含む。ロット識別情報は、ロットを識別するための情報（例えば、ロット番号）である。ロットは基板Ｗの処理単位を示す。１つのロットは、所定枚数の基板Ｗによって構成される。基板識別情報は、基板Ｗを識別するための情報である。処理順番情報は、１つのロットの中で各学習対象基板ＷＬが処理された順番を示す情報である。
検査装置３００は、処理後基板ＷＬａを検査して、処理結果情報ＲＳを作成する。処理結果情報ＲＳは、処理後基板ＷＬａごとに作成されてもよいし、所定枚数の処理後基板ＷＬａごとに作成されてもよい。例えば、１ロットごとに作成されてもよい。
処理結果情報ＲＳは、学習対象基板ＷＬを処理液で処理した結果を示す。具体的には、検査装置３００は、パーティクルを測定する装置であり、処理結果情報ＲＳは、処理後基板ＷＬａに発生しているパーティクルの数を示す。あるいは、検査装置３００は、パーティクルの数が規定値を超えているか否かを判定してもよい。この場合、処理結果情報ＲＳは、パーティクルの数が規定値を超えているか否かを判定した結果を示す。なお、検査装置３００が測定したパーティクル数を参照して、作業者が、パーティクル数が規定値を超えているか否かを判定してもよい。この場合、処理結果情報ＲＳは、作業者によって作成される。
処理結果情報ＲＳは、学習用データ生成装置４００に入力される。例えば、処理結果情報ＲＳは、通信によって、学習用データ生成装置４００に入力されてもよい。あるいは、処理結果情報ＲＳは、記憶媒体を介して学習用データ生成装置４００に入力されてもよい。あるいは、処理結果情報ＲＳは、作業者が入力装置を操作して入力してもよい。
詳しくは、処理結果情報ＲＳは、基板情報と関連付けられて学習用データ生成装置４００に入力される。処理結果情報ＲＳが、通信によって、学習用データ生成装置４００に入力される場合、基板情報は、処理結果情報ＲＳと共に、通信によって、学習用データ生成装置４００に入力される。この場合、検査装置３００に基板情報が入力される。処理結果情報ＲＳが記憶媒体を介して学習用データ生成装置４００に入力される場合も同様である。作業者が学習用データ生成装置４００に処理結果情報ＲＳを入力する場合、基板情報は、処理結果情報ＲＳと共に、作業者が入力装置を操作して学習用データ生成装置４００に入力される。
学習用データ生成装置４００は、学習対象情報ＬＴＤと処理結果情報ＲＳとを関連付けて、学習用データＬＦＤを生成する。具体的には、学習用データ生成装置４００は、基板情報を用いて、学習対象情報ＬＴＤと処理結果情報ＲＳとを関連付ける。学習用データＬＦＤは、学習対象基板ＷＬごとに作成されてもよいし、所定枚数の学習対象基板ＷＬごとに作成されてもよい。例えば、１ロットごとに作成されてもよい。
学習装置５００は、複数の学習用データＬＦＤ（学習用データセット）を機械学習することによって、学習済モデルＬＭを生成する（構築する）。詳しくは、学習装置５００は、複数の学習用データＬＦＤの中から一定の規則を見出し、その規則を表現するためのモデル（学習済モデルＬＭ）を生成する。
基板処理装置１００は、装置情報ＭＤを学習済モデルＬＭに入力する。この結果、学習済モデルＬＭからダンパ開度調整情報ＰＡが出力される。装置情報ＭＤは、基板処理装置１００が処理対象基板Ｗｐを処理液で処理する手順を示す処理時手順情報を含む。ダンパ開度調整情報ＰＡは、処理ユニット１（図８参照）から排気される気体の圧力を調整する際に参照される情報である。具体的には、第１ダンパ７３（図８参照）の開度を規定する時系列データである。
続いて、図２～図１５を参照して基板処理装置１００を更に説明する。図２は、基板処理装置１００の内部を示す平面図である。図２に示すように、基板処理装置１００は、複数（例えば、４つ）のキャリア載置部１５０と、搬送機構１５１と、基板載置部１５２Ａと、搬送機構１５３Ａと、処理ユニット１Ａ１、１Ｂ１、１Ｃ１、１Ｄ１とを備える。
複数のキャリア載置部１５０は、基板処理装置１００の端部に配置される。本明細書では、便宜上、前後方向、及び左右方向を用いて実施形態を説明することがある。ここでは、複数のキャリア載置部１５０が配置される側が、基板処理装置１００の前側である。
搬送機構１５１は、複数のキャリア載置部１５０の後側に配置される。基板載置部１５２Ａは、搬送機構１５１の後側に配置される。搬送機構１５３Ａは、基板載置部１５２Ａの後側に配置される。
処理ユニット１Ａ１、１Ｂ１、１Ｃ１、１Ｄ１は、搬送機構１５３Ａの周囲に配置される。ここでは、処理ユニット１Ａ１、１Ｂ１は、搬送機構１５３Ａの右側に配置され、処理ユニット１Ｃ１、１Ｄ１は、搬送機構１５３Ａの左側に配置される。また、処理ユニット１Ｂ１は、処理ユニット１Ａ１の後側に配置される。処理ユニット１Ｄ１は、処理ユニット１Ｃ１の後側に配置される。
複数のキャリア載置部１５０は左右方向に並ぶ。キャリア載置部１５０にはそれぞれ、１つのキャリアＣが載置される。キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。キャリアＣは、例えば、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）である。
処理ユニット１Ａ１、１Ｂ１、１Ｃ１、１Ｄ１には、搬送機構１５３Ａによって基板Ｗが搬入される。処理ユニット１Ａ１、１Ｂ１、１Ｃ１、１Ｄ１の各々は、搬送機構１５３Ａによって搬入された基板Ｗを保持した後、処理液を基板Ｗに供給して、基板Ｗを処理する。
図２に示すように、基板処理装置１００は、第１個別排気管４１Ａと、第２個別排気管４２Ａと、第３個別排気管４３Ａと、切換機構５１Ａ１と、制御装置１０１とを更に備える。
第１個別排気管４１Ａ、第２個別排気管４２Ａ、第３個別排気管４３Ａ、及び切換機構５１Ａ１は、処理ユニット１Ａ１の近傍に配置される。本実施形態では、第１個別排気管４１Ａ、第２個別排気管４２Ａ、第３個別排気管４３Ａ、及び切換機構５１Ａ１は、処理ユニット１Ａ１に隣接する。第１個別排気管４１Ａ、第２個別排気管４２Ａ、及び第３個別排気管４３Ａは、上下方向にのびる。
処理ユニット１Ａ１から排気される気体は、第１個別排気管４１Ａ、第２個別排気管４２Ａ、及び第３個別排気管４３Ａのいずれかに流入する。具体的には、切換機構５１Ａ１が、第１個別排気管４１Ａ、第２個別排気管４２Ａ、及び第３個別排気管４３Ａの間で、処理ユニット１Ａ１から排気される気体の流入先を切り換える。切換機構５１Ａ１は、制御装置１０１によって制御される。
詳しくは、処理ユニット１Ａ１は、複数種類の処理液を基板Ｗに供給可能である。したがって、処理ユニット１Ａ１から排気される気体は、複数種類の処理液に対応する複数種類の気体を含む。本実施形態では、複数種類の処理液は、第１処理液、第２処理液、及び第３処理液を含む。処理ユニット１Ａ１は、第１処理液、第２処理液、及び第３処理液を基板Ｗに供給可能である。
切換機構５１Ａ１は、処理ユニット１Ａ１が基板Ｗに第１処理液を供給している際に、処理ユニット１Ａ１から排気される気体を第１個別排気管４１Ａに流入させる。切換機構５１Ａ１は、処理ユニット１Ａ１が基板Ｗに第２処理液を供給している際に、処理ユニット１Ａ１から排気される気体を第２個別排気管４２Ａに流入させる。切換機構５１Ａ１は、処理ユニット１Ａ１が基板Ｗに第３処理液を供給している際に、処理ユニット１Ａ１から排気される気体を第３個別排気管４３Ａに流入させる。
図２に示すように、基板処理装置１００は、第１個別排気管４１Ｂと、第２個別排気管４２Ｂと、第３個別排気管４３Ｂと、切換機構５１Ｂ１とを更に備える。第１個別排気管４１Ｂ、第２個別排気管４２Ｂ、第３個別排気管４３Ｂ、及び切換機構５１Ｂ１は、処理ユニット１Ｂ１の近傍に配置される。切換機構５１Ｂ１は、制御装置１０１によって制御される。第１個別排気管４１Ｂ、第２個別排気管４２Ｂ、第３個別排気管４３Ｂ、及び切換機構５１Ｂ１の構成は、第１個別排気管４１Ａ、第２個別排気管４２Ａ、第３個別排気管４３Ａ、及び切換機構５１Ａ１の構成と略同様であるため、ここでの説明は割愛する。
図２に示すように、基板処理装置１００は、第１個別排気管４１Ｃと、第２個別排気管４２Ｃと、第３個別排気管４３Ｃと、切換機構５１Ｃ１とを更に備える。第１個別排気管４１Ｃ、第２個別排気管４２Ｃ、第３個別排気管４３Ｃ、及び切換機構５１Ｃ１は、処理ユニット１Ｃ１の近傍に配置される。切換機構５１Ｃ１は、制御装置１０１によって制御される。第１個別排気管４１Ｃ、第２個別排気管４２Ｃ、第３個別排気管４３Ｃ、及び切換機構５１Ｃ１の構成は、第１個別排気管４１Ａ、第２個別排気管４２Ａ、第３個別排気管４３Ａ、及び切換機構５１Ａ１の構成と略同様であるため、ここでの説明は割愛する。
図２に示すように、基板処理装置１００は、第１個別排気管４１Ｄと、第２個別排気管４２Ｄと、第３個別排気管４３Ｄと、切換機構５１Ｄ１とを更に備える。第１個別排気管４１Ｄ、第２個別排気管４２Ｄ、第３個別排気管４３Ｄ、及び切換機構５１Ｄ１は、処理ユニット１Ｄ１の近傍に配置される。切換機構５１Ｄ１は、制御装置１０１によって制御される。第１個別排気管４１Ｄ、第２個別排気管４２Ｄ、第３個別排気管４３Ｄ、及び切換機構５１Ｄ１の構成は、第１個別排気管４１Ａ、第２個別排気管４２Ａ、第３個別排気管４３Ａ、及び切換機構５１Ａ１の構成と略同様であるため、ここでの説明は割愛する。
なお、第１個別排気管４１Ａ～４１Ｄを区別して説明する必要のないときは、第１個別排気管４１Ａ～４１Ｄを「第１個別排気管４１」と記載することがある。同様に、第２個別排気管４２Ａ～４２Ｄを区別して説明する必要のないときは、第２個別排気管４２Ａ～４２Ｄを「第２個別排気管４２」と記載することがある。また、第３個別排気管４３Ａ～４３Ｄを区別して説明する必要のないときは、第３個別排気管４３Ａ～４３Ｄを「第３個別排気管４３」と記載することがある。
図２に示すように、基板処理装置１００は、給気管４４Ａ～４４Ｄを更に備える。給気管４４Ａは、処理ユニット１Ａ１の近傍に配置される。給気管４４Ｂは、処理ユニット１Ｂ１の近傍に配置される。給気管４４Ｃは、処理ユニット１Ｃ１の近傍に配置される。給気管４４Ｄは、処理ユニット１Ｄ１の近傍に配置される。給気管４４Ａ～４４Ｄは、上下方向に延びる。
続いて、図３及び図４を参照して基板処理装置１００を更に説明する。図３は、基板処理装置１００の右部の構成を示す右側面図である。図３に示すように、基板処理装置１００は、処理ユニット１Ａ２～１Ａ６と、処理ユニット１Ｂ２～１Ｂ６とを更に備える。
処理ユニット１Ａ２～１Ａ６は、処理ユニット１Ａ１の下方に配置される。具体的には、処理ユニット１Ａ１～１Ａ６は、上下方向に沿って１列に並ぶ。より詳しくは、処理ユニット１Ａ１～１Ａ６は、この順に上から下に向かって積層される。処理ユニット１Ａ２～１Ａ６は、処理ユニット１Ａ１と略同様の構成を有する。
処理ユニット１Ｂ２～１Ｂ６は、処理ユニット１Ｂ１の下方に配置される。具体的には、処理ユニット１Ｂ１～１Ｂ６は、上下方向に沿って１列に並ぶ。より詳しくは、処理ユニット１Ｂ１～１Ｂ６は、この順に上から下に向かって積層される。処理ユニット１Ｂ２～１Ｂ６は、処理ユニット１Ｂ１と略同様の構成を有する。
なお、処理ユニット１Ａ１～１Ａ６を区別して説明する必要のないときは、処理ユニット１Ａ１～１Ａ６を「処理ユニット１Ａ」と記載することがある。同様に、処理ユニット１Ｂ１～１Ｂ６を区別して説明する必要のないときは、処理ユニット１Ｂ１～１Ｂ６を「処理ユニット１Ｂ」と記載することがある。
給気管４４Ａは、処理ユニット１Ａ１～１Ａ６に清浄な空気を供給する。また、給気管４４Ｂは、処理ユニット１Ｂ１～１Ｂ６に清浄な空気を供給する。
図３に示すように、基板処理装置１００は、切換機構５１Ａ２～５１Ａ６を更に備える。切換機構５１Ａ２～５１Ａ６は、切換機構５１Ａ１の下方に配置される。切換機構５１Ａ２～５１Ａ６はそれぞれ、処理ユニット１Ａ２～１Ａ６に対応する。切換機構５１Ａ２～５１Ａ６は、切換機構５１Ａ１と略同様の構成を有する。切換機構５１Ａ２～５１Ａ６は、図２を参照して説明した制御装置１０１によって制御される。
図３に示すように、基板処理装置１００は、切換機構５１Ｂ２～５１Ｂ６を更に備える。切換機構５１Ｂ２～５１Ｂ６は、切換機構５１Ｂ１の下方に配置される。切換機構５１Ｂ２～５１Ｂ６はそれぞれ、処理ユニット１Ｂ２～１Ｂ６に対応する。切換機構５１Ｂ２～５１Ｂ６は、切換機構５１Ｂ１と略同様の構成を有する。切換機構５１Ｂ２～５１Ｂ６は、図２を参照して説明した制御装置１０１によって制御される。
なお、切換機構５１Ａ１～５１Ａ６を区別して説明する必要のないときは、切換機構５１Ａ１～５１Ａ６を「切換機構５１Ａ」と記載することがある。同様に、切換機構５１Ｂ１～５１Ｂ６を区別して説明する必要のないときは、切換機構５１Ｂ１～５１Ｂ６を「切換機構５１Ｂ」と記載することがある。
図４は、基板処理装置１００の左部の構成を示す右側面図である。図４に示すように、基板処理装置１００は、処理ユニット１Ｃ２～１Ｃ６と、処理ユニット１Ｄ２～１Ｄ６とを更に備える。
処理ユニット１Ｃ２～１Ｃ６は、処理ユニット１Ｃ１の下方に配置される。具体的には、処理ユニット１Ｃ１～１Ｃ６は、上下方向に沿って１列に並ぶ。より詳しくは、処理ユニット１Ｃ１～１Ｃ６は、この順に上から下に向かって積層される。処理ユニット１Ｃ２～１Ｃ６は、処理ユニット１Ｃ１と略同様の構成を有する。
処理ユニット１Ｄ２～１Ｄ６は、処理ユニット１Ｄ１の下方に配置される。具体的には、処理ユニット１Ｄ１～１Ｄ６は、上下方向に沿って１列に並ぶ。より詳しくは、処理ユニット１Ｄ１～１Ｄ６は、この順に上から下に向かって積層される。処理ユニット１Ｄ２～１Ｄ６は、処理ユニット１Ｄ１と略同様の構成を有する。
なお、処理ユニット１Ｃ１～１Ｃ６を区別して説明する必要のないときは、処理ユニット１Ｃ１～１Ｃ６を「処理ユニット１Ｃ」と記載することがある。同様に、処理ユニット１Ｄ１～１Ｄ６を区別して説明する必要のないときは、処理ユニット１Ｄ１～１Ｄ６を「処理ユニット１Ｄ」と記載することがある。更に、処理ユニット１Ａ～１Ｄを区別して説明する必要のないときは、処理ユニット１Ａ～１Ｄを「処理ユニット１」と記載することがある。
給気管４４Ｃは、処理ユニット１Ｃ１～１Ｃ６に清浄な空気を供給する。また、給気管４４Ｄは、処理ユニット１Ｄ１～１Ｄ６に清浄な空気を供給する。なお、給気管４４Ａ～４４Ｄを区別して説明する必要のないときは、給気管４４Ａ～４４Ｄを「給気管４４」と記載することがある。
図４に示すように、基板処理装置１００は、切換機構５１Ｃ２～５１Ｃ６を更に備える。切換機構５１Ｃ２～５１Ｃ６は、切換機構５１Ｃ１の下方に配置される。切換機構５１Ｃ２～５１Ｃ６はそれぞれ、処理ユニット１Ｃ２～１Ｃ６に対応する。切換機構５１Ｃ２～５１Ｃ６は、切換機構５１Ｃ１と略同様の構成を有する。切換機構５１Ｃ２～５１Ｃ６は、図２を参照して説明した制御装置１０１によって制御される。
図４に示すように、基板処理装置１００は、切換機構５１Ｄ２～５１Ｄ６を更に備える。切換機構５１Ｄ２～５１Ｄ６は、切換機構５１Ｄ１の下方に配置される。切換機構５１Ｄ２～５１Ｄ６はそれぞれ、処理ユニット１Ｄ２～１Ｄ６に対応する。切換機構５１Ｄ２～５１Ｄ６は、切換機構５１Ｄ１と略同様の構成を有する。切換機構５１Ｄ２～５１Ｄ６は、図２を参照して説明した制御装置１０１によって制御される。
なお、切換機構５１Ｃ１～５１Ｃ６を区別して説明する必要のないときは、切換機構５１Ｃ１～５１Ｃ６を「切換機構５１Ｃ」と記載することがある。同様に、切換機構５１Ｄ１～５１Ｄ６を区別して説明する必要のないときは、切換機構５１Ｄ１～５１Ｄ６を「切換機構５１Ｄ」と記載することがある。更に、切換機構５１Ａ～５１Ｄを区別して説明する必要のないときは、切換機構５１Ａ～５１Ｄを「切換機構５１」と記載することがある。
続いて、図２～図５を参照して基板処理装置１００を更に説明する。図５は、基板処理装置１００の中央部の構成を示す右側面図である。図５に示すように、基板処理装置１００は、基板載置部１５２Ｂと、搬送機構１５３Ｂとを更に備える。
基板載置部１５２Ｂは、基板載置部１５２Ａの下方に配置される。搬送機構１５１は、複数のキャリア載置部１５０と基板載置部１５２Ａとの間、及び複数のキャリア載置部１５０と基板載置部１５２Ｂとの間で基板Ｗを受け渡す。搬送機構１５１は、制御装置１０１によって制御される。
具体的には、搬送機構１５１は、複数のキャリア載置部１５０のいずれかにアクセスして、基板Ｗを把持する。その後、搬送機構１５１は、基板載置部１５２Ａと基板載置部１５２Ｂとのうちの一方に基板Ｗを搬送する。例えば、搬送機構１５１は、基板載置部１５２Ａと基板載置部１５２Ｂとに交互に基板Ｗを搬送する。
また、搬送機構１５１は、搬送機構１５３Ａによって基板載置部１５２Ａに基板Ｗが載置されると、基板載置部１５２Ａにアクセスして基板Ｗを把持する。その後、搬送機構１５１は、複数のキャリア載置部１５０のいずれかに基板Ｗを搬送する。詳しくは、複数のキャリア載置部１５０のいずれかに基板Ｗを収容する。
同様に、搬送機構１５１は、搬送機構１５３Ｂによって基板載置部１５２Ｂに基板Ｗが載置されると、基板載置部１５２Ｂにアクセスして基板Ｗを把持する。その後、搬送機構１５１は、複数のキャリア載置部１５０のいずれかに基板Ｗを搬送する。
搬送機構１５３Ａは、基板載置部１５２Ａと、図３及び図４を参照して説明した処理ユニット１Ａ１～１Ａ３、処理ユニット１Ｂ１～１Ｂ３、処理ユニット１Ｃ１～１Ｃ３、及び処理ユニット１Ｄ１～１Ｄ３との間で基板Ｗを受け渡す。搬送機構１５３Ａは、制御装置１０１によって制御される。
具体的には、搬送機構１５３Ａは、基板載置部１５２Ａにアクセスして、基板載置部１５２Ａに載置されている基板Ｗを把持する。その後、搬送機構１５３Ａは、処理ユニット１Ａ１～１Ａ３、処理ユニット１Ｂ１～１Ｂ３、処理ユニット１Ｃ１～１Ｃ３、及び処理ユニット１Ｄ１～１Ｄ３のいずれか１つに基板Ｗを搬入する。また、搬送機構１５３Ａは、処理ユニット１Ａ１～１Ａ３、処理ユニット１Ｂ１～１Ｂ３、処理ユニット１Ｃ１～１Ｃ３、及び処理ユニット１Ｄ１～１Ｄ３のいずれか１つにアクセスして基板Ｗを搬出する。その後、搬送機構１５３Ａは、基板載置部１５２Ａまで基板Ｗを搬送する。
搬送機構１５３Ｂは、搬送機構１５３Ａの下方に配置される。搬送機構１５３Ｂは、基板載置部１５２Ｂと、図３及び図４を参照して説明した処理ユニット１Ａ４～１Ａ６、処理ユニット１Ｂ４～１Ｂ６、処理ユニット１Ｃ４～１Ｃ６、及び処理ユニット１Ｄ４～１Ｄ６との間で基板Ｗを受け渡す。搬送機構１５３Ｂは、制御装置１０１によって制御される。
具体的には、搬送機構１５３Ｂは、基板載置部１５２Ｂにアクセスして、基板載置部１５２Ｂに載置されている基板Ｗを把持する。その後、搬送機構１５３Ｂは、処理ユニット１Ａ４～１Ａ６、処理ユニット１Ｂ４～１Ｂ６、処理ユニット１Ｃ４～１Ｃ６、及び処理ユニット１Ｄ４～１Ｄ６のいずれか１つに基板Ｗを搬入する。また、搬送機構１５３Ｂは、処理ユニット１Ａ４～１Ａ６、処理ユニット１Ｂ４～１Ｂ６、処理ユニット１Ｃ４～１Ｃ６、及び処理ユニット１Ｄ４～１Ｄ６のいずれか１つにアクセスして基板Ｗを搬出する。その後、搬送機構１５３Ｂは、基板載置部１５２Ｂまで基板Ｗを搬送する。
なお、搬送機構１５１、１５３Ａ、１５３Ｂは、ある処理ユニット１が基板Ｗを処理している際に、基板Ｗの処理中でない他の処理ユニット１に基板Ｗを搬送する。したがって、基板処理装置１００は、同時に複数枚の基板Ｗを処理し得る。以下、搬送機構１５３Ａ、１５３Ｂを区別して説明する必要のないときは、搬送機構１５３Ａ、１５３Ｂを「搬送機構１５３」と記載することがある。
続いて、図６を参照して基板処理装置１００を更に説明する。図６は、第１個別排気管４１Ａ、第２個別排気管４２Ａ、及び第３個別排気管４３Ａを示す正面図である。
図６に示すように、第１個別排気管４１Ａ、第２個別排気管４２Ａ、及び第３個別排気管４３Ａは、処理ユニット１Ａ６から、基板処理装置１００の上壁まで延びる。切換機構５１Ａ１～５１Ａ６は、第１個別排気管４１Ａ、第２個別排気管４２Ａ、及び第３個別排気管４３Ａに接続している。
なお、図示しないが、第１個別排気管４１Ｂ～４１Ｄ、第２個別排気管４２Ｂ～４２Ｄ、及び第３個別排気管４３Ｂ～４３Ｄも同様に、最下段の処理ユニット１（処理ユニット１Ｂ６～１Ｄ６）から基板処理装置１００の上壁まで延びる。また、切換機構５１Ｂ１～５１Ｂ６は、第１個別排気管４１Ｂ、第２個別排気管４２Ｂ、及び第３個別排気管４３Ｂに接続している。切換機構５１Ｃ１～５１Ｃ６は、第１個別排気管４１Ｃ、第２個別排気管４２Ｃ、及び第３個別排気管４３Ｃに接続している。切換機構５１Ｄ１～５１Ｄ６は、第１個別排気管４１Ｄ、第２個別排気管４２Ｄ、及び第３個別排気管４３Ｄに接続している。
続いて、図７を参照して処理ユニット１を説明する。図７は、処理ユニット１の内部を示す側面図である。図７に示すように、処理ユニット１は、処理筐体２と、基板保持部３１と、回転駆動部３２と、第１ノズル３３と、第１ノズル移動部３３ａと、第２ノズル３４と、第２ノズル移動部３４ａと、第３ノズル３５と、第３ノズル移動部３５ａと、第４ノズル３６と、第４ノズル移動部３６ａと、カップ３７と、吹出ユニット３８とを備える。また、基板処理装置１００は、第１処理液供給配管３３３と、第２処理液供給配管３４３と、第３処理液供給配管３５３と、リンス液供給配管３６３と、給気配管３９とを更に備える。
処理筐体２は箱形状を有する。処理筐体２は、基板保持部３１、回転駆動部３２、第１ノズル３３、第１ノズル移動部３３ａ、第２ノズル３４、第２ノズル移動部３４ａ、第３ノズル３５、第３ノズル移動部３５ａ、第４ノズル３６、第４ノズル移動部３６ａ、カップ３７、及び吹出ユニット３８を収容する。また、処理筐体２は、第１処理液供給配管３３３の一部、第２処理液供給配管３４３の一部、第３処理液供給配管３５３の一部、リンス液供給配管３６３の一部、及び給気配管３９の一部を収容する。処理ユニット１に搬入された基板Ｗは、処理筐体２の内部に収容される。
基板保持部３１は、基板Ｗを水平に保持する。基板保持部３１は、例えばバキューム式のスピンチャックである。なお、基板保持部３１が基板Ｗを保持する方式は、バキューム式に限定されない。基板保持部３１が基板Ｗを保持する方式は、例えば、挟持式、又はベルヌーイ式であってもよい。
回転駆動部３２は、回転軸線ＡＸを中心として基板保持部３１を回転させる。この結果、回転軸線ＡＸを中心として基板Ｗと基板保持部３１とが一体に回転する。回転軸線ＡＸは、上下方向に延びる。
第１ノズル３３は、基板Ｗの上方から、基板Ｗに第１処理液を供給する。詳しくは、第１ノズル３３は、回転中の基板Ｗに向けて第１処理液を吐出する。第１ノズル移動部３３ａは、第１ノズル３３を処理位置と退避位置との間で移動させる。第１ノズル３３は、処理位置に移動すると、平面視において基板Ｗと対向する。第１ノズル３３は、退避位置に移動すると、平面視において基板Ｗと対向しない。詳しくは、第１ノズル３３は、退避位置に移動すると、平面視において基板Ｗの周囲に退避する。
具体的には、第１ノズル移動部３３ａは、第１ノズルアーム３３１と、第１ノズル駆動部３３２とを有する。第１ノズルアーム３３１は略水平方向に沿って延びる。第１ノズルアーム３３１の先端部に第１ノズル３３が配置される。第１ノズル駆動部３３２は、上下方向に延びる回転軸線を中心に第１ノズルアーム３３１を略水平面に沿って旋回させる。この結果、上下方向に延びる回転軸線を中心とする周方向に沿って、第１ノズル３３が周方向に移動する。第１ノズル駆動部３３２は、正逆回転可能な電動モータを含む。
第１処理液供給配管３３３は、第１ノズル３３に第１処理液を供給する。第１処理液供給配管３３３は、第１処理液が流通する管状部材である。本実施形態では、第１処理液は、酸性液である。例えば、第１処理液は、フッ酸（フッ化水素酸）、塩酸過酸化水素水（ＳＰＭ）、硫酸、硫酸過酸化水素水、フッ硝酸（フッ酸と硝酸との混合液）、又は塩酸である。
第２ノズル３４は、基板Ｗの上方から、基板Ｗに第２処理液を供給する。詳しくは、第２ノズル３４は、回転中の基板Ｗに向けて第２処理液を吐出する。第２ノズル移動部３４ａは、第１ノズル移動部３３ａと同様に、第２ノズル３４を処理位置と退避位置との間で移動させる。具体的には、第２ノズル移動部３４ａは、第１ノズル移動部３３ａと同様に、第２ノズルアーム３４１と、第２ノズル駆動部３４２とを有する。第２ノズルアーム３４１及び第２ノズル駆動部３４２の構成は、第１ノズルアーム３３１及び第１ノズル駆動部３３２と同様であるため、説明を割愛する。
第２処理液供給配管３４３は、第２ノズル３４に第２処理液を供給する。第２処理液供給配管３４３は、第２処理液が流通する管状部材である。本実施形態では、第２処理液は、アルカリ液である。例えば、第２処理液は、アンモニア過酸化水素水（ＳＣ１）、アンモニア水、フッ化アンモニウム溶液、又は、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）である。
第３ノズル３５は、基板Ｗの上方から、基板Ｗに第３処理液を供給する。詳しくは、第３ノズル３５は、回転中の基板Ｗに向けて第３処理液を吐出する。第３ノズル移動部３５ａは、第１ノズル移動部３３ａと同様に、第３ノズル３５を処理位置と退避位置との間で移動させる。具体的には、第３ノズル移動部３５ａは、第１ノズル移動部３３ａと同様に、第３ノズルアーム３５１と、第３ノズル駆動部３５２とを有する。第３ノズルアーム３５１及び第３ノズル駆動部３５２の構成は、第１ノズルアーム３３１及び第１ノズル駆動部３３２と同様であるため、説明を割愛する。
第３処理液供給配管３５３は、第３ノズル３５に第３処理液を供給する。第３処理液供給配管３５３は、第３処理液が流通する管状部材である。本実施形態では、第３処理液は、有機溶剤である。例えば、第３処理液は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、メタノール、エタノール、ハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）、又はアセトンである。
第４ノズル３６は、基板Ｗの上方から、基板Ｗにリンス液を供給する。詳しくは、第４ノズル３６は、回転中の基板Ｗに向けてリンス液を吐出する。第４ノズル移動部３６ａは、第１ノズル移動部３３ａと同様に、第４ノズル３６を処理位置と退避位置との間で移動させる。具体的には、第４ノズル移動部３６ａは、第１ノズル移動部３３ａと同様に、第４ノズルアーム３６１と、第４ノズル駆動部３６２とを有する。第４ノズルアーム３６１及び第４ノズル駆動部３６２の構成は、第１ノズルアーム３３１及び第１ノズル駆動部３３２と同様であるため、説明を割愛する。
リンス液供給配管３６３は、第４ノズル３６にリンス液を供給する。リンス液供給配管３６３は、リンス液が流通する管状部材である。例えば、リンス液は、純水、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、又は、希釈された塩酸水である。
カップ３７は、基板保持部３１の周囲に配置される。カップ３７は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの側方を囲む。カップ３７は、回転中の基板Ｗから飛散する第１処理液～第３処理液及びリンス液を受け止める。
給気配管３９は、給気管４４と吹出ユニット３８とを連通させる。給気管４４を流通する気体（例えば、清浄空気）は、給気配管３９を介して吹出ユニット３８に供給される。吹出ユニット３８は、給気管４４から供給された気体を、処理筐体２の内部に供給する。吹出ユニット３８は、処理筐体２の上板２１に取り付けられる。吹出ユニット３８は、気体を下方に吹き出す。
続いて、図８を参照して、処理ユニット１、切換機構５１、及び第１個別排気管４１～第３個別排気管４３を説明する。図８は、処理ユニット１、切換機構５１、及び第１個別排気管４１～第３個別排気管４３を示す平面図である。
図８に示すように、切換機構５１は、切換筐体５２を有する。切換筐体５２は内部空間５４を有する。切換筐体５２の内部空間５４は、気体が流通する流通空間である。以下、内部空間５４を「流通空間５４」と記載することがある。
切換筐体５２は、入口開口５３を有する。入口開口５３は、流通空間５４に連通している。切換筐体５２の入口開口５３は、処理ユニット１（処理筐体２）の内部空間と連通する。したがって、処理ユニット１（処理筐体２）から流通空間５４に気体が流入する。処理ユニット１（処理筐体２）から流通空間５４に流入した気体は、流通空間５４を流通する。
切換筐体５２は、第１出口開口５５～第３出口開口５７を更に有する。第１出口開口５５～第３出口開口５７は、流通空間５４に連通する。
第１個別排気管４１の内部空間は、第１出口開口５５を介して流通空間５４に連通する。具体的には、第１個別排気管４１は、第１出口開口５５に対向する開口４１ｋを有する。
同様に、第２個別排気管４２の内部空間は、第２出口開口５６を介して流通空間５４に連通する。具体的には、第２個別排気管４２は、第２出口開口５６に対向する開口４２ｋを有する。
また、第３個別排気管４３の内部空間は、第３出口開口５７を介して流通空間５４に連通する。具体的には、第３個別排気管４３は、第３出口開口５７に対向する開口４３ｋを有する。
図８に示すように、切換機構５１は、第１開口開閉部６１～第３開口開閉部６３を更に有する。第１開口開閉部６１～第３開口開閉部６３は、流通空間５４に配置される。
第１開口開閉部６１～第３開口開閉部６３はそれぞれ第１出口開口５５～第３出口開口５７に対応する。換言すると、第１開口開閉部６１～第３開口開閉部６３はそれぞれ第１個別排気管４１の開口４１ｋ～第３個別排気管４３の開口４３ｋに対応する。
第１開口開閉部６１は、開放位置と閉塞位置との間で移動可能である。開放位置は、第１開口開閉部６１が第１出口開口５５を開放する位置である。閉塞位置は、第１開口開閉部６１が第１出口開口５５を閉塞する位置である。本実施形態では、第１開口開閉部６１は、上下方向に延びる回転軸線Ａ１を中心に揺動可能である。第２開口開閉部６２及び第３開口開閉部６３も、第１開口開閉部６１と同様に、開放位置と閉塞位置との間で移動可能である。
切換機構５１は、処理ユニット１（処理筐体２）の内部空間から流通空間５４に流入した気体を、第１個別排気管４１～第３個別排気管４３のいずれかに流入させる。例えば、第１個別排気管４１に気体を流入させる際には、第１開口開閉部６１が第１出口開口５５を開放し、第２開口開閉部６２及び第３開口開閉部６３が第２出口開口５６及び第３出口開口５７を閉塞する。この結果、第１個別排気管４１の開口４１ｋ～第３個別排気管４３の開口４３ｋのうち、第１個別排気管４１の開口４１ｋのみが流通空間５４に連通する。したがって、処理ユニット１（処理筐体２）から流通空間５４に流入した気体が、第１個別排気管４１に流入する。
続いて、図８を参照して基板処理装置１００を更に説明する。図８に示すように、基板処理装置１００は、第１圧力センサ７１と、第１ダンパ７３とを更に備える。第１ダンパ７３は、第１圧力調整機構の一例である。
第１圧力センサ７１は、処理ユニット１（処理筐体２）から第１個別排気管４１～第３個別排気管４３に流入する気体の圧力を計測する。換言すると、処理ユニット１の排気圧を計測する。例えば、第１圧力センサ７１は、切換筐体５２の入口開口５３又はその近傍に配置されて、切換筐体５２の入口開口５３に流入する気体の圧力を計測する。
第１ダンパ７３は、処理ユニット１（処理筐体２）から第１個別排気管４１～第３個別排気管４３に流入する気体の圧力を調整する。換言すると、処理ユニット１の排気圧を調整する。具体的には、第１ダンパ７３の開度が調整されることにより、処理ユニット１の排気圧が調整される。本実施形態では、第１ダンパ７３は、切換機構５１に設けられる。例えば、第１ダンパ７３は、切換筐体５２の入口開口５３又はその近傍に配置されて、切換筐体５２の入口開口５３に流入する気体の圧力を調整する。
第１ダンパ７３の開度は、制御装置１０１によって制御される。具体的には、制御装置１０１は、第１圧力センサ７１が計測した値に基づいて、第１ダンパ７３の開度を調整する。詳しくは、第１圧力センサ７１が計測する値が所定値となるように、第１ダンパ７３の開度を調整する。
続いて、図９を参照して切換機構５１を更に説明する。図９は、切換機構５１の正面図である。図９に示すように、基板処理装置１００は、第１開閉駆動部６４～第３開閉駆動部６６を更に備える。
第１開閉駆動部６４は、第１開口開閉部６１を開放位置と閉塞位置との間で移動させる。本実施形態では、第１開閉駆動部６４は、回転軸線Ａ１を中心に第１開口開閉部６１を揺動させる。第１開閉駆動部６４は、制御装置１０１によって制御される。第１開閉駆動部６４は、正逆回転可能な電動モータを含む。
第２開閉駆動部６５は、第２開口開閉部６２を開放位置と閉塞位置との間で移動させる。本実施形態では、第２開閉駆動部６５は、上下方向に延びる回転軸線Ａ２を中心に第２開口開閉部６２を揺動させる。第２開閉駆動部６５は、制御装置１０１によって制御される。第２開閉駆動部６５は、正逆回転可能な電動モータを含む。
第３開閉駆動部６６は、第３開口開閉部６３を開放位置と閉塞位置との間で移動させる。本実施形態では、第３開閉駆動部６６は、上下方向に延びる回転軸線Ａ３を中心に第３開口開閉部６３を揺動させる。第３開閉駆動部６６は、制御装置１０１によって制御される。第３開閉駆動部６６は、正逆回転可能な電動モータを含む。
続いて、図１０を参照して基板処理装置１００を更に説明する。図１０は、複数の処理ユニット１（複数の処理筐体２）からの排気路の系統図である。図１０に示すように、基板処理装置１００は、第１圧力センサ７１Ａ１～７１Ａ６、７１Ｂ１～７１Ｂ６、７１Ｃ１～７１Ｃ６、７１Ｄ１～７１Ｄ６と、第１ダンパ７３Ａ１～７３Ａ６、７３Ｂ１～７３Ｂ６、７３Ｃ１～７３Ｃ６、７３Ｄ１～７３Ｄ６とを備える。第１ダンパ７３Ａ１～７３Ａ６、７３Ｂ１～７３Ｂ６、７３Ｃ１～７３Ｃ６、７３Ｄ１～７３Ｄ６は、第１圧力調整機構の一例である。
第１圧力センサ７１Ａ１～７１Ａ６、７１Ｂ１～７１Ｂ６、７１Ｃ１～７１Ｃ６、７１Ｄ１～７１Ｄ６はそれぞれ、処理ユニット１Ａ１～１Ａ６、１Ｂ１～１Ｂ６、１Ｃ１～１Ｃ６、１Ｄ１～１Ｄ６に対応する。同様に、第１ダンパ７３Ａ１～７３Ａ６、７３Ｂ１～７３Ｂ６、７３Ｃ１～７３Ｃ６、７３Ｄ１～７３Ｄ６はそれぞれ、処理ユニット１Ａ１～１Ａ６、１Ｂ１～１Ｂ６、１Ｃ１～１Ｃ６、１Ｄ１～１Ｄ６に対応する。
図８を参照して説明した第１圧力センサ７１は、第１圧力センサ７１Ａ１～７１Ａ６、７１Ｂ１～７１Ｂ６、７１Ｃ１～７１Ｃ６、７１Ｄ１～７１Ｄ６を含む。第１圧力センサ７１Ａ１～７１Ａ６、７１Ｂ１～７１Ｂ６、７１Ｃ１～７１Ｃ６、７１Ｄ１～７１Ｄ６の構成は、図８を参照して説明した第１圧力センサ７１と同様であるため、その説明は割愛する。以下、第１圧力センサ７１Ａ１～７１Ａ６、７１Ｂ１～７１Ｂ６、７１Ｃ１～７１Ｃ６、７１Ｄ１～７１Ｄ６を区別して説明する必要のないときは、第１圧力センサ７１Ａ１～７１Ａ６、７１Ｂ１～７１Ｂ６、７１Ｃ１～７１Ｃ６、７１Ｄ１～７１Ｄ６を「第１圧力センサ７１」と記載することがある。
図８を参照して説明した第１ダンパ７３は、第１ダンパ７３Ａ１～７３Ａ６、７３Ｂ１～７３Ｂ６、７３Ｃ１～７３Ｃ６、７３Ｄ１～７３Ｄ６を含む。第１ダンパ７３Ａ１～７３Ａ６、７３Ｂ１～７３Ｂ６、７３Ｃ１～７３Ｃ６、７３Ｄ１～７３Ｄ６の構成は、図８を参照して説明した第１ダンパ７３と同様であるため、その説明は割愛する。以下、第１ダンパ７３Ａ１～７３Ａ６、７３Ｂ１～７３Ｂ６、７３Ｃ１～７３Ｃ６、７３Ｄ１～７３Ｄ６を区別して説明する必要のないときは、第１ダンパ７３Ａ１～７３Ａ６、７３Ｂ１～７３Ｂ６、７３Ｃ１～７３Ｃ６、７３Ｄ１～７３Ｄ６を「第１ダンパ７３」と記載することがある。
図１０に示すように、基板処理装置１００は、共通排気管８１Ａ、８２Ａ、８３Ａ、８１Ｂ、８２Ｂ、８３Ｂを備える。
共通排気管８１Ａには、第１個別排気管４１Ａ、４１Ｂが接続する。したがって、複数の処理ユニット１Ａから第１個別排気管４１Ａに排気される気体は、第１個別排気管４１Ａを介して共通排気管８１Ａに流入する。また、複数の処理ユニット１Ｂから第１個別排気管４１Ｂに排気される気体は、第１個別排気管４１Ｂを介して共通排気管８１Ａに流入する。
共通排気管８２Ａには、第２個別排気管４２Ａ、４２Ｂが接続する。したがって、複数の処理ユニット１Ａから第２個別排気管４２Ａに排気される気体は、第２個別排気管４２Ａを介して共通排気管８２Ａに流入する。また、複数の処理ユニット１Ｂから第２個別排気管４２Ｂに排気される気体は、第２個別排気管４２Ｂを介して共通排気管８２Ａに流入する。
共通排気管８３Ａには、第３個別排気管４３Ａ、４３Ｂが接続する。したがって、複数の処理ユニット１Ａから第３個別排気管４３Ａに排気される気体は、第３個別排気管４３Ａを介して共通排気管８３Ａに流入する。また、複数の処理ユニット１Ｂから第３個別排気管４３Ｂに排気される気体は、第３個別排気管４３Ｂを介して共通排気管８３Ａに流入する。
共通排気管８１Ｂには、第１個別排気管４１Ｃ、４１Ｄが接続する。したがって、複数の処理ユニット１Ｃから第１個別排気管４１Ｃに排気される気体は、第１個別排気管４１Ｃを介して共通排気管８１Ｂに流入する。また、複数の処理ユニット１Ｄから第１個別排気管４１Ｄに排気される気体は、第１個別排気管４１Ｄを介して共通排気管８１Ｂに流入する。
共通排気管８２Ｂには、第２個別排気管４２Ｃ、４２Ｄが接続する。したがって、複数の処理ユニット１Ｃから第２個別排気管４２Ｃに排気される気体は、第２個別排気管４２Ｃを介して共通排気管８２Ｂに流入する。また、複数の処理ユニット１Ｄから第２個別排気管４２Ｄに排気される気体は、第２個別排気管４２Ｄを介して共通排気管８２Ｂに流入する。
共通排気管８３Ｂには、第３個別排気管４３Ｃ、４３Ｄが接続する。したがって、複数の処理ユニット１Ｃから第３個別排気管４３Ｃに排気される気体は、第３個別排気管４３Ｃを介して共通排気管８３Ｂに流入する。また、複数の処理ユニット１Ｄから第３個別排気管４３Ｄに排気される気体は、第３個別排気管４３Ｄを介して共通排気管８３Ｂに流入する。
以下、共通排気管８１Ａ、８１Ｂを区別して説明する必要のないときは、共通排気管８１Ａ、８１Ｂを「共通排気管８１」と記載することがある。共通排気管８２Ａ、８２Ｂを区別して説明する必要のないときは、共通排気管８２Ａ、８２Ｂを「共通排気管８２」と記載することがある。共通排気管８３Ａ、８３Ｂを区別して説明する必要のないときは、共通排気管８３Ａ、８３Ｂを「共通排気管８３」と記載することがある。
図１０に示すように、基板処理装置１００は、第２圧力センサ８４Ａ、８５Ａ、８６Ａ、８４Ｂ、８５Ｂ、８６Ｂと、第２ダンパ８７Ａ、８８Ａ、８９Ａ、８７Ｂ、８８Ｂ、８９Ｂとを備える。第２ダンパ８７Ａ、８８Ａ、８９Ａ、８７Ｂ、８８Ｂ、８９Ｂは、第２圧力調整機構の一例である。
第２圧力センサ８４Ａ、８５Ａ、８６Ａ、８４Ｂ、８５Ｂ、８６Ｂはそれぞれ、共通排気管８１Ａ、８２Ａ，８３Ａ、８１Ｂ、８２Ｂ，８３Ｂに対応する。同様に、第２ダンパ８７Ａ、８８Ａ、８９Ａ、８７Ｂ、８８Ｂ、８９Ｂはそれぞれ、共通排気管８１Ａ、８２Ａ，８３Ａ、８１Ｂ、８２Ｂ，８３Ｂに対応する。
第２圧力センサ８４Ａは、共通排気管８１Ａの内部の気体の圧力を測定する。換言すると、共通排気管８１Ａの排気圧を測定する。同様に、第２圧力センサ８５Ａ、８６Ａ、８４Ｂ、８５Ｂ、８６Ｂはそれぞれ、共通排気管８２Ａ、８３Ａ、８１Ｂ、８２Ｂ、８３Ｂの内部の気体の圧力（排気圧）を測定する。
第２ダンパ８７Ａは、共通排気管８１Ａの内部の気体の圧力を調整する。具体的には、第２ダンパ８７Ａの開度が調整されることにより、共通排気管８１Ａの内部の気体の圧力が調整される。例えば、第２ダンパ８７Ａは、共通排気管８１Ａの入口付近に配置される。同様に、第２ダンパ８８Ａ、８９Ａ、８７Ｂ、８８Ｂ、８９Ｂはそれぞれ、共通排気管８２Ａ、８３Ａ、８１Ｂ、８２Ｂ、８３Ｂの内部の気体の圧力を調整する。
第２ダンパ８７Ａの開度は、制御装置１０１によって制御される。具体的には、制御装置１０１は、第２圧力センサ８４Ａが計測した値に基づいて、第２ダンパ８７Ａの開度を調整する。詳しくは、第２圧力センサ８４Ａが計測する値が所定値となるように、第２ダンパ８７Ａの開度を調整する。同様に、制御装置１０１は、第２圧力センサ８５Ａ、８６Ａ、８４Ｂ、８５Ｂ、８６Ｂが計測する値に基づいて、第２ダンパ８８Ａ、８９Ａ、８７Ｂ、８８Ｂ、８９Ｂのそれぞれの開度を制御する。
以下、第２圧力センサ８４Ａ、８４Ｂを区別して説明する必要のないときは、第２圧力センサ８４Ａ、８４Ｂを「第２圧力センサ８４」と記載することがある。同様に、第２圧力センサ８５Ａ、８５Ｂを区別して説明する必要のないときは、第２圧力センサ８５Ａ、８５Ｂを「第２圧力センサ８５」と記載することがある。第２圧力センサ８６Ａ、８６Ｂを区別して説明する必要のないときは、第２圧力センサ８６Ａ、８６Ｂを「第２圧力センサ８６」と記載することがある。
また、第２ダンパ８７Ａ、８７Ｂを区別して説明する必要のないときは、第２ダンパ８７Ａ、８７Ｂを「第２ダンパ８７」と記載することがある。同様に、第２ダンパ８８Ａ、８８Ｂを区別して説明する必要のないときは、第２ダンパ８８Ａ、８８Ｂを「第２ダンパ８８」と記載することがある。第２ダンパ８９Ａ、８９Ｂを区別して説明する必要のないときは、第２ダンパ８９Ａ、８９Ｂを「第２ダンパ８９」と記載することがある。
続いて、図１１を参照して共通排気管８１～８３を更に説明する。図１１は、基板処理装置１００の平面図である。
共通排気管８１Ａ、８２Ａ、８３Ａはそれぞれ、前端８１Ａｆ、８２Ａｆ、８３Ａｆを有する。共通排気管８１Ｂ、８２Ｂ、８３Ｂはそれぞれ、前端８１Ｂｆ、８２Ｂｆ、８３Ｂｆを有する。
前端８１Ａｆ、８２Ａｆ、８３Ａｆ、８１Ｂｆ、８２Ｂｆ、８３Ｂｆはそれぞれ、共通排気管８１Ａ、８２Ａ、８３Ａ、８１Ｂ、８２Ｂ、８３Ｂの上流端に相当する。
以下、前端８１Ａｆ、８１Ｂｆを区別して説明する必要のないときは、前端８１Ａｆ、８１Ｂｆを「前端８１ｆ」と記載することがある。同様に、前端８２Ａｆ、８２Ｂｆを区別して説明する必要のないときは、前端８２Ａｆ、８２Ｂｆを「前端８２ｆ」と記載することがある。前端８３Ａｆ、８３Ｂｆを区別して説明する必要のないときは、前端８３Ａｆ、８３Ｂｆを「前端８３ｆ」と記載することがある。
共通排気管８１の下流端は、第１工場配管に接続される。第１工場配管は、およそ一定の圧力に減圧されている。詳しくは、共通排気管８１の下流端は、第１工場配管を介して、第１排気処理設備に接続される。第１排気処理設備は、共通排気管８１から気体を回収する。第１排気処理設備は、例えば、基板処理装置１００が設置される工場に設けられる。同様に、共通排気管８２の下流端は、第２工場配管を介して、第２排気処理設備に接続される。共通排気管８３の下流端は、第３工場配管を介して、第３排気処理設備に接続される。
図１１に示すように、第１個別排気管４１Ｂは、第１個別排気管４１Ａよりも下流側で共通排気管８１Ａに接続する。第２圧力センサ８４Ａは、第１個別排気管４１Ｂと共通排気管８１Ａとの接続位置よりも下流側に設置される。第２個別排気管４２Ｂは、第２個別排気管４２Ａよりも下流側で共通排気管８２Ａに接続する。第２圧力センサ８５Ａは、第２個別排気管４２Ｂと共通排気管８２Ａとの接続位置よりも下流側に配置される。第３個別排気管４３Ｂは、第３個別排気管４３Ａよりも下流側で共通排気管８３Ａに接続する。第２圧力センサ８６Ａは、第３個別排気管４３Ｂと共通排気管８３Ａとの接続位置よりも下流側に配置される。
また、第１個別排気管４１Ｄは、第１個別排気管４１Ｃよりも下流側で共通排気管８１Ｂに接続する。第２圧力センサ８４Ｂは、第１個別排気管４１Ｄと共通排気管８１Ｂとの接続位置よりも下流側に設置される。第２個別排気管４２Ｄは、第２個別排気管４２Ｃよりも下流側で共通排気管８２Ｂに接続する。第２圧力センサ８５Ｂは、第２個別排気管４２Ｄと共通排気管８２Ｂとの接続位置よりも下流側に配置される。第３個別排気管４３Ｄは、第３個別排気管４３Ｃよりも下流側で共通排気管８３Ｂに接続する。第２圧力センサ８６Ｂは、第３個別排気管４３Ｄと共通排気管８３Ｂとの接続位置よりも下流側に配置される。
前端８１ｆ～８３ｆは、基板処理装置１００の外部に開放される。例えば、前端８１ｆ～８３ｆは、基板処理装置１００が設置されるクリーンルームに開放される。前端８１ｆ～８３ｆから共通排気管８１～８３に基板処理装置１００の外部の気体が流入する。前端８１ｆ～８３ｆから共通排気管８１～８３に流入した気体は、共通排気管８１～８３を流通する。また、第１個別排気管４１、第２個別排気管４２、及び第３個別排気管４３のいずれかに流入することがある。
第２ダンパ８７Ａは、第１個別排気管４１Ａと共通排気管８１Ａとの接続位置よりも上流側に配置される。例えば、第２ダンパ８７Ａは、前端８１Ａｆ付近に配置される。同様に、第２ダンパ８８Ａは、第２個別排気管４２Ａと共通排気管８２Ａとの接続位置よりも上流側に配置される。第２ダンパ８９Ａは、第３個別排気管４３Ａと共通排気管８３Ａとの接続位置よりも上流側に配置される。
第２ダンパ８７Ｂは、第１個別排気管４１Ｃと共通排気管８１Ｂとの接続位置よりも上流側に配置される。例えば、第２ダンパ８７Ｂは、前端８１Ｂｆ付近に配置される。同様に、第２ダンパ８８Ｂは、第２個別排気管４２Ｃと共通排気管８２Ｂとの接続位置よりも上流側に配置される。第２ダンパ８９Ｂは、第３個別排気管４３Ｃと共通排気管８３Ｂとの接続位置よりも上流側に配置される。
共通排気管８１Ａの内部の圧力は、第１個別排気管４１Ａから共通排気管８１Ａに流入する気体の流量の変動と、第１個別排気管４１Ｂから共通排気管８１Ａに流入する気体の流量の変動とに起因して変動する。制御装置１０１は、第２圧力センサ８４Ａが計測した値に基づいて、共通排気管８１Ａの内部の圧力が所定値となるように第２ダンパ８７Ａの開度を制御する。同様に、制御装置１０１は、第２ダンパ８８Ａ，８９Ａ、８７Ｂ、８８Ｂ、８９Ｂの開度を調整する。
以上、図２～図１１を参照して基板処理装置１００の構成を説明した。なお、図１を参照して説明した基板処理装置１００Ｌは、図２～図１１を参照して基板処理装置１００と略同じ構成を有するため、その説明は割愛する。
続いて、図１～図１２を参照して基板処理装置１００を更に説明する。図１２は、基板処理装置１００を示すブロック図である。図１２に示すように、制御装置１０１は、制御部１０２と、記憶部１０３とを含む。また、基板処理装置１００は、表示部１０４と、入力部１０５と、通信部１０６とを更に備える。
制御部１０２は、プロセッサーを有する。制御部１０２は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、又は、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を有する。あるいは、制御部１０２は、汎用演算機を有してもよい。
記憶部１０３は、制御プログラムＰＧ１及びデータを記憶する。制御プログラムＰＧ１は、コンピュータプログラムである。データは、レシピデータＲＰを含む。レシピデータＲＰは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Ｗの処理内容及び処理手順等を規定する。
記憶部１０３は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。記憶部１０３は、補助記憶装置を更に有してもよい。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を含む。記憶部１０３はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部１０２は、記憶部１０３に記憶されている制御プログラムＰＧ１及びデータに基づいて、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。
本実施形態では、記憶部１０３は、位置情報ＭＰＤと、距離情報ＭＬＤと、学習済モデルＬＭと、ダンパ開度調整情報ＰＡとを更に記憶する。位置情報ＭＰＤ及び距離情報ＭＬＤは、図１を参照して説明した装置情報ＭＤの一部である。
位置情報ＭＰＤは、基板処理装置１００における複数の処理ユニット１のそれぞれの位置を示す。位置情報ＭＰＤは、基板処理装置１００における複数の処理ユニット１のそれぞれの座標を示してもよい。距離情報ＭＬＤは、基板処理装置１００における各排気経路距離を示す。各排気経路距離は、処理ユニット１Ａ、１Ｂから排気された気体が共通排気管８１Ａ～８３Ａの下流端から排出されるまでのそれぞれの距離と、処理ユニット１Ｃ、１Ｄから排気された気体が共通排気管８１Ｂ～８３Ｂの下流端から排出されるまでのそれぞれの距離とを含む。
処理ユニット１Ａ、１Ｂにおいて、排気経路距離は処理ユニット１ごとに異なる。同様に、処理ユニット１Ｃ、１Ｄにおいて、排気経路距離は処理ユニット１ごとに異なる。排気経路距離は、共通排気管８１～８３の内部の圧力（排気圧）に影響を与える因子である。また、複数の処理ユニット１のそれぞれの位置も、共通排気管８１～８３の内部の圧力（排気圧）に影響を与える因子である。
学習済モデルＬＭは、図１を参照して説明したように、装置情報ＭＤに基づいてダンパ開度調整情報ＰＡを出力する。具体的には、制御部１０２が装置情報ＭＤを学習済モデルＬＭに入力すると、学習済モデルＬＭからダンパ開度調整情報ＰＡが出力される。
ダンパ開度調整情報ＰＡは、処理時圧力調整情報の一例である。ダンパ開度調整情報ＰＡは、第１ダンパ７３の動作と、第２ダンパ８７、８８、８９の動作とを規定する情報である。詳しくは、ダンパ開度調整情報ＰＡは、第１ダンパ７３の開度と、第２ダンパ８７、８８、８９の開度とを時系列に沿って示す時系列データである。制御部１０２は、処理対象基板Ｗｐの処理時に、ダンパ開度調整情報ＰＡに基づいて、第１ダンパ７３の動作（第１ダンパ７３の開度）と、第２ダンパ８７、８８、８９の動作（第２ダンパ８７、８８、８９の開度）とを制御する。
表示部１０４は、各種画面や各種情報を表示する。表示部１０４は、例えば、液晶ディスプレイ又は有機ＥＬディスプレイである。表示部１０４は、例えば、レシピデータＲＰの設定画面、位置情報ＭＰＤの設定画面、及び距離情報ＭＬＤの設定画面を表示してもよい。
入力部１０５は、作業者からの入力を受け付けて、制御部１０２に各種情報を出力する。例えば、入力部１０５は、レシピデータＲＰ、位置情報ＭＰＤ、及び距離情報ＭＬＤの入力を受け付けてもよい。入力部１０５は、例えば、タッチパネル及びポインティングデバイスを含む。タッチパネルは、例えば、表示部１０４の表示面に配置される。入力部１０５と表示部１０４とは、例えば、グラフィカルユーザーインターフェースを構成する。
通信部１０６は、ネットワークに接続されて、外部装置と通信する。ネットワークは、例えば、インターネット、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、公衆電話網、及び、近距離無線ネットワークを含む。通信部１０６は、通信機であり、例えば、ネットワークインターフェースコントローラーである。本実施形態では、通信部１０６は、学習装置５００との間で通信を実行する。通信部１０６は、学習装置５００から学習済モデルＬＭを受信する。制御部１０２は、通信部１０６が受信した学習済モデルＬＭを記憶部１０３に記憶させる。
続いて図１２及び図１３を参照して、ダンパ開度調整情報ＰＡを取得する処理を説明する。図１３は、ダンパ開度調整情報ＰＡを取得する処理を示すフロー図である。ダンパ開度調整情報ＰＡを取得する処理は、制御部１０２が実行する。図１３に示す処理は、入力部１０５が作業者から処理対象基板Ｗｐの処理の開始の指示を受け付けることによって開始する。
制御部１０２は、入力部１０５が作業者から処理対象基板Ｗｐの処理の開始の指示を受け付けると、装置情報ＭＤを取得する（ステップＳ１）。制御部１０２は、装置情報ＭＤを取得すると、学習済モデルＬＭに装置情報ＭＤを入力する（ステップＳ２）。その結果、学習済モデルＬＭからダンパ開度調整情報ＰＡが出力される。制御部１０２は、学習済モデルＬＭから出力されたダンパ開度調整情報ＰＡを取得する（ステップＳ３）。その結果、図１３に示す処理が終了する。
続いて、図１４を参照して装置情報ＭＤを説明する。図１４は、装置情報ＭＤを示す図である。図１４に示すように、装置情報ＭＤは、処理時手順情報ＭＰＲと、処理対象枚数情報ＭＣと、位置情報ＭＰＤと、距離情報ＭＬＤとを含む。
処理時手順情報ＭＰＲは、処理対象基板Ｗｐを処理液で処理する手順を示す。制御部１０２は、レシピデータＲＰから処理時手順情報ＭＰＲを取得してもよい。
処理対象枚数情報ＭＣは、処理対象基板Ｗｐを処理する枚数の単位を示す。既に説明したように、ダンパ開度調整情報ＰＡは時系列データであり、処理対象基板Ｗｐを処理する枚数によって内容が異なる。処理対象基板Ｗｐを処理する枚数は、例えば、ロット単位で示される。例えば、処理対象枚数情報ＭＣは、１ロットを示す。処理対象枚数情報ＭＣが１ロットを示す場合、ダンパ開度調整情報ＰＡは、１ロットを構成する複数枚の処理対象基板Ｗｐを処理する際の第１ダンパ７３の開度と、第２ダンパ８７、８８、８９の開度とを時系列に沿って示す。制御部１０２は、レシピデータＲＰから処理対象枚数情報ＭＣを取得してもよい。
位置情報ＭＰＤ及び距離情報ＭＬＤは、図１２を参照して説明したように記憶部１０３に記憶されている。制御部１０２は、記憶部１０３から位置情報ＭＰＤ及び距離情報ＭＬＤを取得する。
続いて図１５を参照して処理時手順情報ＭＰＲを説明する。図１５は処理時手順情報ＭＰＲの一例を示す図である。図１５は、処理対象基板Ｗｐを処理する手順の一例を示す。図１５に示すように、処理対象基板Ｗｐは、第１処理液及び第２処理液で薬液処理されてもよい。
続いて図１６を参照して、基板処理装置１００の動作の一例を説明する。図１６は、基板処理装置１００の動作の一例を示す図である。詳しくは、図１６は、１枚の処理対象基板Ｗｐを処理する際の基板処理装置１００の動作を示す。なお、処理対象基板Ｗｐを処理する前に、図１３を参照して説明した処理により、記憶部１０３にダンパ開度調整情報ＰＡが記憶されている。
図１６に示すように、ステップＳ１１において、処理対象基板Ｗｐが処理ユニット１に搬入される。搬入された処理対象基板Ｗｐは、基板保持部３１によって保持される。具体的には、処理対象基板Ｗｐは、搬送機構１５３によって処理ユニット１に搬入される。
ステップＳ１２において、処理対象基板Ｗｐに第１処理液が供給される。具体的には、第１ノズル３３から処理対象基板Ｗｐの上面に第１処理液が吐出される。このとき、処理ユニット１から排気される気体は、第１個別排気管４１を介して、共通排気管８１に排気される。また、制御部１０２は、第１ダンパ７３の開度と、第２ダンパ８７、８８、８９の開度とを、ダンパ開度調整情報ＰＡを参照して調整する。
第１処理液による処理の終了後、ステップＳ１３において、処理対象基板Ｗｐにリンス液が供給される。具体的には、第４ノズル３６から処理対象基板Ｗｐの上面にリンス液が吐出される。この結果、処理対象基板Ｗｐから第１処理液が除去される。詳しくは、第１処理液の液膜がリンス液の液膜に置換される。このとき、処理ユニット１から排気される気体は、第１個別排気管４１を介して、共通排気管８１に排気される。また、制御部１０２は、第１ダンパ７３の開度と、第２ダンパ８７、８８、８９の開度とを、ダンパ開度調整情報ＰＡを参照して調整する。
リンス処理後、ステップＳ１４において、処理対象基板Ｗｐに第２処理液が供給される。具体的には、第２ノズル３４から処理対象基板Ｗｐの上面に第２処理液が吐出される。このとき、処理ユニット１から排気される気体は、第２個別排気管４２を介して、共通排気管８２に排気される。また、制御部１０２は、第１ダンパ７３の開度と、第２ダンパ８７、８８、８９の開度とを、ダンパ開度調整情報ＰＡを参照して調整する。
第２処理液による処理の終了後、ステップＳ１５において、処理対象基板Ｗｐにリンス液が供給される。この結果、処理対象基板Ｗｐから第２処理液が除去される。このとき、処理ユニット１から排気される気体は、第２個別排気管４２を介して、共通排気管８２に排気される。また、制御部１０２は、第１ダンパ７３の開度と、第２ダンパ８７、８８、８９の開度とを、ダンパ開度調整情報ＰＡを参照して調整する。
リンス処理後、ステップＳ１６において、処理対象基板Ｗｐに第３処理液が供給される。具体的には、第３ノズル３５から処理対象基板Ｗｐの上面に第３処理液が吐出される。この結果、処理対象基板Ｗｐからリンス液が除去される。詳しくは、リンス液の液膜が第３処理液の液膜に置換される。このとき、処理ユニット１から排気される気体は、第３個別排気管４３を介して、共通排気管８３に排気される。また、制御部１０２は、第１ダンパ７３の開度と、第２ダンパ８７、８８、８９の開度とを、ダンパ開度調整情報ＰＡを参照して調整する。
リンス液を第３処理液に置換した後、ステップＳ１７において、制御部１０２は、回転駆動部３２を制御して、処理対象基板Ｗｐを乾燥させる。このとき、処理ユニット１から排気される気体は、第３個別排気管４３を介して、共通排気管８３に排気される。また、制御部１０２は、第１ダンパ７３の開度と、第２ダンパ８７、８８、８９の開度とを、ダンパ開度調整情報ＰＡを参照して調整する。
具体的には、制御部１０２は、処理対象基板Ｗｐの回転速度を増大させて、処理対象基板Ｗｐ上の第３処理液に大きな遠心力を付与する。この結果、処理対象基板Ｗｐに付着している第３処理液が処理対象基板Ｗｐの周囲に振り切られる。このようにして、処理対象基板Ｗｐから第３処理液を除去し、処理対象基板Ｗｐを乾燥させる。
なお、制御部１０２は、例えば処理対象基板Ｗｐの高速回転を開始してから所定時間が経過した後に、回転駆動部３２による処理対象基板Ｗｐの回転を停止させる。
処理対象基板Ｗｐの乾燥処理が終了した後、ステップＳ１８において、処理ユニット１から処理対象基板Ｗｐが搬出されて、図１６に示す処理が終了する。具体的には、処理対象基板Ｗｐは、搬送機構１５３によって処理ユニット１から搬出される。なお、図１６に示す処理は、処理対象枚数情報ＭＣによって規定される枚数の処理対象基板Ｗｐが処理されるまで繰り返される。
以上、図１～図１６を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明した。本実施形態によれば、ダンパ開度調整情報ＰＡを参照して、第１ダンパ７３の開度と、第２ダンパ８７、８８、８９の開度とを調整することができる。したがって、第１圧力センサ７１の計測値と第２圧力センサ８４、８５、８６の計測値とにのみ基づいて第１ダンパ７３の開度と第２ダンパ８７、８８、８９の開度とを調整する場合と比べて、各処理ユニット１の排気圧をより適切に調整できる。
詳しくは、第１圧力センサ７１の計測値にのみ基づいて第１ダンパ７３の開度を調整する場合、第１圧力センサ７１の計測値の変動を検出してから、第１ダンパ７３の開度が実際に調整されるまでの間に、若干の遅れが生じる。したがって、処理ユニット１の排気圧が適切でない時間帯が生じる。これに対し、本実施形態によれば、ダンパ開度調整情報ＰＡを参照して、第１ダンパ７３の開度を調整することができる。したがって、第１圧力センサ７１の計測値によることなく、第１ダンパ７３の開度を調整することができる。その結果、第１圧力センサ７１の計測値の変動を検出してから第１ダンパ７３の開度を調整する場合よりも早いタイミングで第１ダンパ７３の開度を調整することができる。よって、各処理ユニット１の排気圧をより適切に調整できる。
第２圧力センサ８４、８５、８６の計測値にのみ基づいて第２ダンパ８７、８８、８９の開度を調整する場合も同様に、第２圧力センサ８４、８５、８６の計測値の変動を検出してから、第２ダンパ８７、８８、８９の開度が実際に調整されるまでの間に、若干の遅れが生じる。したがって、共通排気管８１～８３の内部の圧力（排気圧）が適切でない時間帯が生じる。各処理ユニット１の排気圧は、共通排気管８１～８３の内部の圧力の影響を受けるため、共通排気管８１～８３の内部の圧力が適切でない時間帯が生じることにより、各処理ユニット１の排気圧が適切でない時間帯が生じる。これに対し、本実施形態によれば、ダンパ開度調整情報ＰＡを参照して、第２ダンパ８７、８８、８９の開度を調整することができる。したがって、第２圧力センサ８４、８５、８６の計測値の変動を検出してから第２ダンパ８７、８８、８９の開度を調整する場合よりも早いタイミングで第２ダンパ８７、８８、８９の開度を調整することができる。よって、各処理ユニット１の排気圧をより適切に調整できる。
続いて、図１７を参照して基板処理装置１００Ｌを説明する。図１７は、基板処理装置１００Ｌを示すブロック図である。図１７に示すように、基板処理装置１００Ｌは、図１２を参照して説明した基板処理装置１００と比べて、複数の第１ダンパ開度センサ１０７と、複数の第２ダンパ開度センサ１０８と、複数の温度センサ１０９と、複数の第１濃度センサ１１０と、複数の第２濃度センサ１１１と、複数の第３濃度センサ１１２と、複数の風量センサ１１３とを更に備える。
複数の第１ダンパ開度センサ１０７は、複数の第１ダンパ７３の開度を計測する。複数の第１ダンパ開度センサ１０７の計測値から、学習対象基板ＷＬの処理時における各第１ダンパ７３の動作を示す情報（学習時圧力調整情報）が生成される。
複数の第２ダンパ開度センサ１０８は、第２ダンパ８７、８８、８９の開度を計測する。複数の第２ダンパ開度センサ１０８の計測値から、学習対象基板ＷＬの処理時における各第２ダンパ８７、８８、８９の動作を示す情報（学習時圧力調整情報）が生成される。
温度センサ１０９は、処理ユニット１ごとに設けられる。温度センサ１０９は、処理筐体２の内部の温度を計測する。温度センサ１０９の計測値から、処理ユニット１の内部の温度を示す温度情報が生成される。
第１濃度センサ１１０は、処理ユニット１ごとに設けられる。第１濃度センサ１１０は、図７を参照して説明した第１処理液供給配管３３３に配置されて、第１処理液の濃度を計測する。第１濃度センサ１１０の計測値から、第１処理液の濃度を示す濃度情報が生成される。
第２濃度センサ１１１は、処理ユニット１ごとに設けられる。第２濃度センサ１１１は、図７を参照して説明した第２処理液供給配管３４３に配置されて、第２処理液の濃度を計測する。第２濃度センサ１１１の計測値から、第２処理液の濃度を示す濃度情報が生成される。
第３濃度センサ１１２は、処理ユニット１ごとに設けられる。第３濃度センサ１１２は、図７を参照して説明した第３処理液供給配管３５３に配置されて、第３処理液の濃度を計測する。第３濃度センサ１１２の計測値から、第３処理液の濃度を示す濃度情報が生成される。
風量センサ１１３は、処理ユニット１ごとに設けられる。風量センサ１１３は、図７を参照して説明した給気配管３９に配置されて、給気配管３９を流通する気体の流量を計測する。風量センサ１１３の計測値から、吹出ユニット３８から処理ユニット１（処理筐体２）の内部に吹き出す気体の流量を示す流量情報が生成される。
なお、基板処理装置１００は、基板処理装置１００Ｌと同様に、複数の第１ダンパ開度センサ１０７と、複数の第２ダンパ開度センサ１０８と、複数の温度センサ１０９と、複数の第１濃度センサ１１０と、複数の第２濃度センサ１１１と、複数の第３濃度センサ１１２と、複数の風量センサ１１３とを更に備えてもよい。
図１７に示すように、基板処理装置１００Ｌにおいて、記憶部１０３は、制御プログラムＰＧ２、複数のテストレシピデータＴＲＰ、複数の時系列データＴＲ、位置情報ＴＰＤ、及び距離情報ＴＬＤを記憶する。
制御プログラムＰＧ２は、コンピュータプログラムである。制御部１０２は、記憶部１０３に記憶されている制御プログラムＰＧ２及びデータに基づいて、基板処理装置１００Ｌの各部の動作を制御する。
テストレシピデータＴＲＰは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、学習対象基板ＷＬの処理内容及び処理手順等を規定する。複数のテストレシピデータＴＲＰは、互いに異なる内容を含む。
複数の時系列データＴＲは、制御部１０２が、複数の第１ダンパ開度センサ１０７、複数の第２ダンパ開度センサ１０８、複数の温度センサ１０９、複数の第１濃度センサ１１０、複数の第２濃度センサ１１１、複数の第３濃度センサ１１２、及び複数の風量センサ１１３から計測値を取得して作成する。
例えば、制御部１０２は、第１濃度センサ１１０の測定値を用いて、第１処理液の濃度の時系列に沿った変化を示すデータ（時系列データ）を作成する。第１処理液の濃度の時系列データは、第１処理液の濃度を示す濃度情報の一例である。例えば、制御部１０２は、１ロットを構成する複数枚の学習対象基板ＷＬの処理時に第１濃度センサ１１０によって測定された測定値を時系列に沿って並べて、第１処理液の濃度の時系列データを作成する。第１処理液の濃度の時系列データは、第１濃度センサ１１０ごとに作成される。
複数の時系列データＴＲは、複数の第１ダンパ７３のそれぞれの動作を示す複数の第１ダンパ時系列データを含む。詳しくは、各第１ダンパ時系列データは、各第１ダンパ７３の開度の時系列に沿った変化を示す。第１ダンパ時系列データは、制御部１０２が、第１ダンパ開度センサ１０７の計測値に基づいて作成する。第１ダンパ時系列データは、第１ダンパ開度センサ１０７ごとに作成される。複数の第１ダンパ時系列データは、学習時圧力調整情報の一部である。
また、複数の時系列データＴＲは、第２ダンパ８７、８８、８９のそれぞれの動作を示す複数の第２ダンパ時系列データを含む。詳しくは、複数の第２ダンパ時系列データは、第２ダンパ８７、８８、８９のそれぞれの開度の時系列に沿った変化を示す。第２ダンパ時系列データは、制御部１０２が、第２ダンパ開度センサ１０８の計測値に基づいて作成する。第２ダンパ時系列データは、第２ダンパ開度センサ１０８ごとに作成される。複数の第２ダンパ時系列データは、学習時圧力調整情報の一部である。
位置情報ＴＰＤは、基板処理装置１００Ｌにおける複数の処理ユニット１のそれぞれの位置を示す。位置情報ＴＰＤは、基板処理装置１００Ｌにおける複数の処理ユニット１のそれぞれの座標を示してもよい。距離情報ＴＬＤは、基板処理装置１００Ｌにおける各排気経路距離を示す。
続いて、図１８を参照してテストレシピデータＴＲＰを説明する。図１８は、テストレシピデータＴＲＰを示す図である。図１８に示すように、テストレシピデータＴＲＰは、学習時手順情報ＴＰＲと、学習対象枚数情報ＴＣと、第１ダンパ開度設定情報ＤＳ１と、第２ダンパ開度設定情報ＤＳ２とを含む。
学習時手順情報ＴＰＲは、学習対象基板ＷＬを処理液で処理する手順である学習時処理手順を示す。学習対象枚数情報ＴＣは、図１４を参照して説明した処理対象枚数情報ＭＣと同様に、学習対象基板ＷＬを処理する枚数の単位を示す。例えば、学習対象枚数情報ＴＣは、１ロットを示す。
第１ダンパ開度設定情報ＤＳ１は、各第１ダンパ７３の開度の設定値を示す。例えば、第１ダンパ開度設定情報ＤＳ１は、学習対象基板ＷＬを処理液で処理する手順に沿って変化する各第１ダンパ７３の開度の設定値を示してもよい。
第２ダンパ開度設定情報ＤＳ２は、第２ダンパ８７、８８、８９の開度の設定値を示す。例えば、第２ダンパ開度設定情報ＤＳ２は、学習対象基板ＷＬを処理液で処理する手順に沿って変化する第２ダンパ８７、８８、８９の開度の設定値を示してもよい。
第１ダンパ開度設定情報ＤＳ１及び第２ダンパ開度設定情報ＤＳ２は、学習対象基板ＷＬの処理時における第１ダンパ７３の開度、及び第２ダンパ８７、８８、８９の開度を示す。学習時処理手順に沿って学習対象基板ＷＬを処理する際に、第１ダンパ７３の開度、及び第２ダンパ８７、８８、８９の開度は、第１ダンパ開度設定情報ＤＳ１及び第２ダンパ開度設定情報ＤＳ２に設定されている開度に制御される。
既に説明したように、複数のテストレシピデータＴＲＰは、互いに異なる内容を含む。例えば、学習時手順情報ＴＰＲ及び学習対象枚数情報ＴＣが同じテストレシピデータＴＲＰの間では、第１ダンパ開度設定情報ＤＳ１と第２ダンパ開度設定情報ＤＳ２との少なくとも一方が異なる。
続いて図１９を参照して、学習時手順情報ＴＰＲを説明する。図１９は学習時手順情報ＴＰＲの一例を示す図である。図１９は、学習対象基板ＷＬを処理する手順の一例を示す。図１９に示すように、テストレシピデータＴＲＰは、学習対象基板ＷＬを第１処理液及び第２処理液で薬液処理する手順を示してもよい。
続いて図１６を参照して、基板処理装置１００Ｌの動作の一例を説明する。まず、ステップＳ１１において、学習対象基板ＷＬが処理ユニット１に搬入される。次に、ステップＳ１２において、学習対象基板ＷＬに第１処理液が供給される。このとき、処理ユニット１から排気される気体は、第１個別排気管４１を介して、共通排気管８１に排気される。また、制御部１０２は、第１ダンパ開度設定情報ＤＳ１と第２ダンパ開度設定情報ＤＳ２とに基づいて、第１ダンパ７３の開度と、第２ダンパ８７、８８、８９の開度とを制御する。
第１処理液による処理の終了後、ステップＳ１３において、学習対象基板ＷＬにリンス液が供給される。このとき、処理ユニット１から排気される気体は、第１個別排気管４１を介して、共通排気管８１に排気される。また、制御部１０２は、第１ダンパ開度設定情報ＤＳ１と第２ダンパ開度設定情報ＤＳ２とに基づいて、第１ダンパ７３の開度と、第２ダンパ８７、８８、８９の開度とを制御する。
リンス処理後、ステップＳ１４において、学習対象基板ＷＬに第２処理液が供給される。このとき、処理ユニット１から排気される気体は、第２個別排気管４２を介して、共通排気管８２に排気される。また、制御部１０２は、第１ダンパ開度設定情報ＤＳ１と第２ダンパ開度設定情報ＤＳ２とに基づいて、第１ダンパ７３の開度と、第２ダンパ８７、８８、８９の開度とを制御する。
第２処理液による処理の終了後、ステップＳ１５において、学習対象基板ＷＬにリンス液が供給される。このとき、処理ユニット１から排気される気体は、第２個別排気管４２を介して、共通排気管８２に排気される。また、制御部１０２は、第１ダンパ開度設定情報ＤＳ１と第２ダンパ開度設定情報ＤＳ２とに基づいて、第１ダンパ７３の開度と、第２ダンパ８７、８８、８９の開度とを制御する。
リンス処理後、ステップＳ１６において、学習対象基板ＷＬに第３処理液が供給される。この結果、リンス液の液膜が第３処理液の液膜に置換される。このとき、処理ユニット１から排気される気体は、第３個別排気管４３を介して、共通排気管８３に排気される。また、制御部１０２は、第１ダンパ開度設定情報ＤＳ１と第２ダンパ開度設定情報ＤＳ２とに基づいて、第１ダンパ７３の開度と、第２ダンパ８７、８８、８９の開度とを制御する。
リンス液を第３処理液に置換した後、ステップＳ１７において、制御部１０２は、回転駆動部３２を制御して、学習対象基板ＷＬを乾燥させる。このとき、処理ユニット１から排気される気体は、第３個別排気管４３を介して、共通排気管８３に排気される。また、制御部１０２は、第１ダンパ開度設定情報ＤＳ１と第２ダンパ開度設定情報ＤＳ２とに基づいて、第１ダンパ７３の開度と、第２ダンパ８７、８８、８９の開度とを制御する。
学習対象基板ＷＬの乾燥処理が終了した後、ステップＳ１８において、処理ユニット１から学習対象基板ＷＬが搬出されて、図１６に示す処理が終了する。なお、図１６に示す処理は、学習対象枚数情報ＴＣによって規定される枚数の学習対象基板ＷＬが処理されるまで繰り返される。
続いて、図２０を参照して学習用データ生成装置４００を説明する。図２０は、学習用データ生成装置４００を示すブロック図である。図２０に示すように、学習用データ生成装置４００は、制御装置４０１を備える。制御装置４０１は、制御部４０２と、記憶部４０３とを含む。
制御部４０２は、プロセッサーを有する。制御部４０２は、例えば、ＣＰＵ又はＭＰＵを有する。あるいは、制御部４０２は、汎用演算機を有してもよい。記憶部４０３は、制御プログラムＰＧ３及びデータを記憶する。制御プログラムＰＧ３は、コンピュータプログラムである。記憶部４０３は、主記憶装置を有する。記憶部４０３は、補助記憶装置を更に有してもよい。記憶部４０３はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部４０２は、記憶部４０３に記憶されている制御プログラムＰＧ３及びデータに基づいて、各種処理を実行する。
具体的には、制御部４０２は、基板処理装置１００Ｌから取得した学習対象情報ＬＴＤを記憶部４０３に記憶させる。また、制御部４０２は、検査装置３００から取得した処理結果情報ＲＳを記憶部４０３に記憶させる。そして、学習対象情報ＬＴＤと処理結果情報ＲＳとを関連付けて、学習用データＬＦＤを生成する。なお、図１を参照して説明したように、制御部４０２には、学習対象情報ＬＴＤと共に基板情報が入力される。また、制御部４０２には、処理結果情報ＲＳと共に基板情報が入力される。
図２０に示すように、学習対象情報ＬＴＤは、学習時手順情報ＴＰＲ、学習対象枚数情報ＴＣ、複数の時系列データＴＲ、位置情報ＴＰＤ、及び距離情報ＴＬＤを含む。
図２０に示すように、学習用データ生成装置４００は、表示部４０４と、入力部４０５と、通信部４０６とを更に備える。
表示部４０４は、各種画面や各種情報を表示する。表示部４０４は、例えば、液晶ディスプレイ又は有機ＥＬディスプレイである。表示部４０４は、制御部４０２に各種データを入力するための入力画面を表示してもよい。
入力部４０５は、作業者からの入力を受け付けて、制御部４０２に各種情報を出力する。入力部４０５は、例えば、タッチパネル及びポインティングデバイスを含む。入力部４０５は、学習用データＬＦＤを生成する指示の入力を受け付けてもよい。
通信部４０６は、ネットワークに接続されて、外部装置と通信する。通信部４０６は、通信機であり、例えば、ネットワークインターフェースコントローラーである。本実施形態では、通信部４０６は、基板処理装置１００Ｌ及び検査装置３００との間で通信を実行する。
通信部４０６は、基板処理装置１００Ｌから学習対象情報ＬＴＤ及び基板情報を受信する。制御部４０２は、通信部４０６が受信した学習対象情報ＬＴＤ及び基板情報を記憶部４０３に記憶させる。また、通信部４０６は、検査装置３００から処理結果情報ＲＳ及び基板情報を受信する。制御部４０２は、通信部４０６が受信した処理結果情報ＲＳ及び基板情報を記憶部４０３に記憶させる。
続いて、図２０及び図２１を参照して、本実施形態の学習用データ生成方法を説明する。図２１は、本実施形態の学習用データ生成方法のフロー図である。学習用データＬＦＤの生成は、学習用データ生成装置４００において行われる。
図２１に示すように、ステップＳ１１１において、学習用データ生成装置４００（制御部４０２）が、学習対象情報ＬＴＤを取得する。典型的には、学習用データ生成装置４００（制御部４０２）は、基板処理装置１００Ｌから学習対象情報ＬＴＤを取得する。記憶部４０３は、取得した学習対象情報ＬＴＤを記憶する。詳しくは、学習用データ生成装置４００（制御部４０２）は、学習対象情報ＬＴＤと共に基板情報を取得する。
ステップＳ１１２において、学習用データ生成装置４００（制御部４０２）が、処理結果情報ＲＳを取得する。典型的には、学習用データ生成装置４００（制御部４０２）は、検査装置３００から処理結果情報ＲＳを取得する。記憶部４０３は、取得した処理結果情報ＲＳを記憶する。詳しくは、学習用データ生成装置４００（制御部４０２）は、処理結果情報ＲＳと共に基板情報を取得する。
ステップＳ１１３において、学習用データ生成装置４００（制御部４０２）が、学習対象情報ＬＴＤと処理結果情報ＲＳとを関連付けて、学習用データＬＦＤを生成する。詳しくは、学習用データ生成装置４００（制御部４０２）は、基板情報を用いて、学習対象情報ＬＴＤと処理結果情報ＲＳとを関連付ける。記憶部４０３には、複数の学習用データＬＦＤが記憶される。例えば、１ロットごとに学習用データＬＦＤが記憶される。
なお、学習用データ生成装置４００は、複数の基板処理装置１００Ｌと通信可能に接続されてもよい。
続いて、図２２を参照して学習装置５００を説明する。図２２は、学習装置５００を示すブロック図である。図２２に示すように、学習装置５００は、制御装置５０１を備える。制御装置５０１は、制御部５０２と、記憶部５０３とを含む。制御部５０２は、学習部の一例である。
制御部５０２は、プロセッサーを有する。制御部５０２は、例えば、ＣＰＵ又はＭＰＵを有する。あるいは、制御部５０２は、汎用演算機を有してもよい。制御部５０２は、ＮＣＵ（Ｎｅｕｒａｌ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を更に有してもよい。
記憶部５０３は、制御プログラムＰＧ４及びデータを記憶する。制御プログラムＰＧ４は、コンピュータプログラムである。記憶部５０３は、主記憶装置を有する。記憶部５０３は、補助記憶装置を更に有してもよい。記憶部５０３はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部５０２は、記憶部５０３に記憶されている制御プログラムＰＧ４及びデータに基づいて、各種処理を実行する。
記憶部５０３は、学習プログラムＬＰＧを更に記憶する。制御部５０２は、学習用データ生成装置４００から取得した複数の学習用データＬＦＤを記憶部５０３に記憶させる。
学習プログラムＬＰＧは、複数の学習用データＬＦＤの中から一定の規則を見出し、見出した規則を表現する学習済モデルＬＭを生成するための機械学習アルゴリズムを実行するためのプログラムである。制御部５０２が学習プログラムＬＰＧを実行することにより、複数の学習用データＬＦＤが機械学習されて、推論プログラムのパラメータが調整される。この結果、学習済モデルＬＭが生成される。
機械学習アルゴリズムは、教師あり学習であれば、特に限定されず、例えば、決定木、最近傍法、単純ベイズ分類器、サポートベクターマシン、又は、ニューラルネットワークである。したがって、学習済モデルＬＭは、決定木、最近傍法、単純ベイズ分類器、サポートベクターマシン、又は、ニューラルネットワークを含む。学習済モデルＬＭを生成する機械学習において、誤差逆伝搬法を利用してもよい。
例えば、ニューラルネットワークは、入力層、単数又は複数の中間層、及び、出力層を含む。具体的には、ニューラルネットワークは、ディープニューラルネットワーク（ＤＮＮ：Ｄｅｅｐ Ｎｅｕｒａｌ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、再帰型ニューラルネットワーク（ＲＮＮ：Ｒｅｃｕｒｒｅｎｔ Ｎｅｕｒａｌ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、又は、畳み込みニューラルネットワーク（ＣＮＮ：Ｃｏｎｖｏｌｕｔｉｏｎａｌ Ｎｅｕｒａｌ Ｎｅｔｗｏｒｋ）であり、ディープラーニングを行う。例えば、ディープニューラルネットワークは、入力層、複数の中間層、及び、出力層を含む。
図２２に示すように、学習装置５００は、表示部５０４と、入力部５０５と、通信部５０６とを更に備える。
表示部５０４は、各種画面や各種情報を表示する。表示部５０４は、例えば、液晶ディスプレイ又は有機ＥＬディスプレイである。表示部５０４は、制御部５０２に各種データを入力するための入力画面を表示してもよい。
入力部５０５は、作業者からの入力を受け付けて、制御部５０２に各種情報を出力する。入力部５０５は、例えば、タッチパネル及びポインティングデバイスを含む。入力部５０５は、学習済モデルＬＭを生成する指示の入力を受け付けてもよい。
通信部５０６は、ネットワークに接続されて、外部装置と通信する。通信部５０６は、通信機であり、例えば、ネットワークインターフェースコントローラーである。本実施形態では、通信部５０６は、学習用データ生成装置４００との間で通信を実行する。また、通信部５０６は、図１２を参照して説明したように、基板処理装置１００との間で通信を実行する。
通信部５０６は、学習用データ生成装置４００から複数の学習用データＬＦＤを受信する。制御部５０２は、通信部５０６が受信した複数の学習用データＬＦＤを記憶部５０３に記憶させる。また、通信部５０６は、基板処理装置１００に学習済モデルＬＭを送信する。
続いて、図２２及び図２３を参照して、本実施形態の学習方法及び学習済モデルの生成方法を説明する。図２３は、本実施形態の学習方法及び学習済モデルの生成方法のフロー図である。学習用データＬＦＤの学習及び学習済モデルＬＭの生成は、学習装置５００において行われる。
図２３に示すように、ステップＳ１２１において、制御部５０２は、記憶部５０３から複数の学習用データＬＦＤを取得する。
次に、ステップＳ１２２において、制御部５０２は、学習プログラムＬＰＧに基づいて複数の学習用データＬＦＤを機械学習する。
次に、ステップＳ１２３において、制御部５０２は、複数の学習用データＬＦＤの機械学習が終了するか否かを判定する。機械学習を終了するか否かは、予め定められた条件にしたがって決定される。例えば、機械学習は、所定数以上の学習用データＬＦＤを機械学習すると終了する。
機械学習が終了しない場合（ステップＳ１２３においてＮｏ）、処理は、ステップＳ１２１に戻る。その場合、機械学習が繰り返される。一方、機械学習が終了した場合（ステップＳ１２３においてＹｅｓ）、処理は、ステップＳ１２４に進む。
ステップＳ１２４において、制御部５０２は、複数の学習済パラメータ（係数）を適用したモデル（１以上の関数）を、学習済モデルＬＭとして出力する。記憶部５０３は学習済モデルＬＭを記憶する。この結果、学習方法が終了し、学習済モデルＬＭが生成される。
なお、学習装置５００は、複数の学習用データ生成装置４００と通信可能に接続されてもよい。
以上、図１７～図２３を参照して、学習済モデルＬＭを生成する処理を説明した。本実施形態によれば、学習用データＬＦＤは、処理結果情報ＲＳと学習対象情報ＬＴＤとが関連付けられて生成される。学習対象情報ＬＴＤは、学習時手順情報ＴＰＲと、学習対象枚数情報ＴＣと、第１ダンパ開度設定情報ＤＳ１と、第２ダンパ開度設定情報ＤＳ２とを含む。図１を参照して説明したように、処理結果情報ＲＳは、処理後基板ＷＬａに発生しているパーティクルの数を示す。あるいは、処理結果情報ＲＳは、パーティクルの数が規定値を超えているか否かを判定した結果を示す。したがって、学習済モデルＬＭから出力されるダンパ開度調整情報ＰＡを参照して第１ダンパ７３の開度及び第２ダンパ８７、８８、８９の開度を調整することにより、パーティクル数を抑制することができる。
また、本実施形態によれば、処理対象基板Ｗｐの処理に用いる処理液の種類や、処理対象基板Ｗｐを処理する手順に応じて、処理ユニット１の排気圧を変更することができる。したがって、処理ユニット１の排気圧が一定値に制御される構成と比べて、パーティクル数を抑制することができる。例えば、第１処理液がＳＰＭである場合、ヒュームが発生してパーティクル数が増加することがある。これに対し、本実施形態によれば、第１処理液がＳＰＭである場合に、処理ユニット１の排気圧を大きくして、ヒュームの発生を抑制することができる。
なお、本実施形態では、基板処理装置１００の記憶部１０３が学習済モデルＬＭを記憶したが、基板処理装置１００の記憶部１０３は学習済モデルＬＭを記憶しなくてもよい。この場合、基板処理装置１００は、装置情報ＭＤを学習装置５００に送信して、学習装置５００からダンパ開度調整情報ＰＡを取得してもよい。
また、本実施形態では、学習用データ生成装置４００が学習用データＬＦＤを生成したが、基板処理装置１００Ｌが学習用データＬＦＤを生成してもよいし、学習装置５００が学習用データＬＦＤを生成してもよい。
また、本実施形態では、学習装置５００が学習済モデルＬＭを生成したが、基板処理装置１００Ｌが学習済モデルＬＭを生成してもよいし、学習用データ生成装置４００が学習済モデルＬＭを生成してもよい。
また、本実施形態では、学習対象情報ＬＴＤは、第１処理液～第３処理液のそれぞれの濃度を示す時系列データ（濃度情報）と、処理ユニット１の内部の温度を示す時系列データ（温度情報）と、吹出ユニット３８から処理ユニット１（処理筐体２）の内部に吹き出す気体の流量を示す時系列データ（流量情報）と、位置情報ＴＰＤと、距離情報ＴＬＤとを含むが、学習対象情報ＬＴＤは、濃度情報と、温度情報と、流量情報と、位置情報ＴＰＤと、距離情報ＴＬＤとのうちの一部を含んでもよいし、これらの情報を含まなくてもよい。
以上、図面（図１～図２３）を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
例えば、図１～図２３を参照して説明した実施形態では、複数の処理ユニット１Ａと、複数の処理ユニット１Ｂと、複数の処理ユニット１Ｃと、複数の処理ユニット１Ｄとが設けられたが、複数の処理ユニット１Ａと、複数の処理ユニット１Ｂと、複数の処理ユニット１Ｃと、複数の処理ユニット１Ｄとのうちの１つ、２つ、又は３つが設けられてもよい。あるいは、複数の処理ユニット１Ａと、複数の処理ユニット１Ｂと、複数の処理ユニット１Ｃと、複数の処理ユニット１Ｄとに加えて、上下方向に積層される別の複数の処理ユニット１が更に設けられてもよい。
また、図１～図２３を参照して説明した実施形態では、複数の処理ユニット１Ａと、複数の処理ユニット１Ｂと、複数の処理ユニット１Ｃと、複数の処理ユニット１Ｄとが設けられたが、１つ処理ユニット１Ａと、１つの処理ユニット１Ｂと、１つの処理ユニット１Ｃと、１つの処理ユニット１Ｄとが設けられてもよいし、１つ処理ユニット１Ａと、１つの処理ユニット１Ｂと、１つの処理ユニット１Ｃと、１つの処理ユニット１Ｄとのうちの２つ又は３つの処理ユニット１が設けられてもよい。
また、図１～図２３を参照して説明した実施形態では、処理ユニット１は６段に積層されたが、処理ユニット１は２段、３段、４段、又は５段に積層されてもよい。あるいは、処理ユニット１は７段以上に積層されてもよい。
また、図１～図２３を参照して説明した実施形態では、処理ユニット１は、３種類の処理液を用いて基板Ｗを処理できる構成であったが、処理ユニット１は、１種類の処理液又は２種類の処理液を用いて基板Ｗを処理する構成であってもよいし、４種類以上の処理液を用いて基板Ｗを処理する構成であってもよい。
また、図１～図２３を参照して説明した実施形態では、１つの処理ユニット１に対して３本の個別排気管（第１個別排気管４１、第２個別排気管４２、第３個別排気管４３）が設けられたが、例えば、１種類の処理液を用いて基板Ｗを処理する構成である場合、１つの処理ユニット１に対して１本の個別排気管が設けられる。
また、図１～図２３を参照して説明した実施形態では、第１圧力調整機構としてダンパ（第１ダンパ７３）が用いられたが、第１圧力調整機構は、処理ユニット１から第１個別排気管４１～第３個別排気管４３に流入する気体の圧力を調整できる限り、ダンパに限定されない。例えば、第１圧力調整機構として、ファンが用いられてもよい。この場合、処理時圧力調整情報は、第１圧力調整機構の動作として、ファンの動作を規定する。具体的には、ファンの回転数を規定する。また、学習時圧力調整情報は、第１圧力調整機構の動作として、学習対象基板ＷＬの処理時におけるファンの回転数の時系列データを示す。なお、第１圧力調整機構として、ファン及びダンパが用いられてもよい。
また、図１～図２３を参照して説明した実施形態では、第２圧力調整機構としてダンパ（第２ダンパ８７、８８、８９）が用いられたが、第２圧力調整機構は、共通排気管（共通排気管８１～８３）内部の気体の圧力を調整できる限り、ダンパに限定されない。例えば、第２圧力調整機構として、ファンが用いられてもよい。この場合、処理時圧力調整情報は、第２圧力調整機構の動作として、ファンの動作を規定する。具体的には、ファンの回転数を規定する。また、学習時圧力調整情報は、第２圧力調整機構の動作として、学習対象基板ＷＬの処理時におけるファンの回転数の時系列データを示す。なお、第２圧力調整機構として、ファン及びダンパが用いられてもよい。
また、図１～図２３を参照して説明した実施形態では、切換機構５１に第１ダンパ７３が設けられたが、例えば図２４に示すように、第１ダンパ７３は排気管（排気管４０）に設けられてもよい。以下、図２４を参照して、本発明の他の実施形態に係る基板処理装置１００を説明する。
図２４は、本発明の他の実施形態に係る基板処理装置１００の排気路の系統図である。詳しくは、図２４は、排気路の一部を示す。図２４に示す基板処理装置１００は、複数の排気管４０と、複数の切換機構５０と、複数の第１ダンパ７３とを備える。
図２４に示すように、排気管４０、切換機構５０、及び第１ダンパ７３は、処理ユニット１ごとに設けられる。したがって、処理ユニット１には、１本の排気管４０が接続する。第１ダンパ７３は、排気管４０に設けられる。排気管４０は、処理ユニット１から排気された気体を切換機構５０へ流通させる。切換機構５０は、排気管４０から流入した気体を、第１個別排気管４１、第２個別排気管４２、及び第３個別排気管４３のいずれかに流入させる。
本発明は、基板処理装置、基板処理方法、学習用データの生成方法、学習方法、学習装置、学習済モデルの生成方法、及び学習済モデルに好適に用いられる。
１ ：処理ユニット
４１ ：第１個別排気管
４２ ：第２個別排気管
４３ ：第３個別排気管
５１ ：切換機構
７３ ：第１ダンパ
８１ ：共通排気管
８２ ：共通排気管
８３ ：共通排気管
８７ ：第２ダンパ
８８ ：第２ダンパ
８９ ：第２ダンパ
１００ ：基板処理装置
１０２ ：制御部
１０３ ：記憶部
５００ ：学習装置
５０２ ：制御部
５０３ ：記憶部
ＬＦＤ ：学習用データ
ＬＭ ：学習済モデル
ＬＴＤ ：学習対象情報
ＭＰＲ ：処理時手順情報
ＰＡ ：ダンパ開度調整情報
ＲＳ ：処理結果情報
ＴＰＲ ：学習時手順情報
ＴＲ ：時系列データ
Ｗ ：基板

Claims (16)

  1. 処理対象基板を処理液で処理する手順を示す処理時手順情報に基づいて前記処理対象基板に前記処理液を供給して、前記処理対象基板を処理する複数の処理ユニットと、
    前記複数の処理ユニットから排気される気体が流入する複数の個別排気管と、
    前記複数の個別排気管から排気される気体が流入する共通排気管と、
    前記複数の処理ユニットから前記複数の個別排気管に流入する気体の圧力を調整する複数の第１圧力調整機構と、
    前記共通排気管の内部の気体の圧力を調整する第２圧力調整機構と、
    前記処理時手順情報が入力されると前記複数の第１圧力調整機構の動作及び前記第２圧力調整機構の動作を規定する処理時圧力調整情報を出力する学習済モデルに対し前記処理時手順情報を入力して、前記学習済モデルから前記処理時圧力調整情報を取得し、取得した前記処理時圧力調整情報に基づいて前記複数の第１圧力調整機構及び前記第２圧力調整機構を制御する制御部と
    を備え、
    前記学習済モデルは、学習対象基板を前記処理液で処理した結果を示す処理結果情報と、学習対象情報とが関連付けられた学習用データを機械学習することで構築され、前記学習対象情報は、前記学習対象基板の処理時における前記複数の第１圧力調整機構の動作及び前記第２圧力調整機構の動作を示す学習時圧力調整情報と、前記学習対象基板を前記処理液で処理する手順を示す学習時手順情報とを含む、基板処理装置。
  2. 前記処理時圧力調整情報は、前記処理対象基板の処理時における前記複数の第１圧力調整機構の動作及び前記第２圧力調整機構の動作を時系列に沿って規定し、
    前記学習時圧力調整情報は、前記学習対象基板の処理時における前記複数の第１圧力調整機構の動作及び前記第２圧力調整機構の動作を時系列に沿って示す、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記処理液は、複数種類の処理液を含み、
    前記処理ユニットから排気される気体は、前記複数種類の処理液に対応する複数種類の気体を含み、
    前記共通排気管は複数であり、前記複数の共通排気管は前記複数種類の気体に対応し、
    前記第２圧力調整機構は複数であり、前記複数の第２圧力調整機構は前記複数の共通排気管に対応する、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記複数の個別排気管の各々は、前記複数種類の気体に対応する複数種類の個別排気管を含む、請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記複数種類の個別排気管の間で、対応する前記処理ユニットから排気される気体の流入先を切り換える切換機構を更に備える、請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記第１圧力調整機構は、前記切換機構に設けられる、請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記学習済モデルを記憶する記憶部を更に備える、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  8. 前記学習対象情報は、前記処理液の濃度を示す濃度情報と、前記複数の処理ユニットの各々の内部の温度を示す温度情報と、前記複数の処理ユニットの位置を示す位置情報と、前記処理ユニットから排気された気体が前記共通排気管の下流端から排出されるまでの距離を示す距離情報とのうちの少なくとも１つを更に含む、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  9. 処理対象基板を処理液で処理する手順を示す処理時手順情報に基づいて前記処理対象基板に前記処理液を供給して、前記処理対象基板を処理する複数の処理ユニットと、
    前記複数の処理ユニットから排気される気体が流入する複数の個別排気管と、
    前記複数の個別排気管から排気される気体が流入する共通排気管と、
    前記複数の処理ユニットから前記複数の個別排気管に流入する気体の圧力を調整する複数の第１圧力調整機構と、
    前記共通排気管の内部の気体の圧力を調整する第２圧力調整機構と、
    前記複数の第１圧力調整機構及び前記第２圧力調整機構を制御する制御部と
    を備える基板処理装置において前記処理対象基板を処理する方法であって、
    前記処理時手順情報が入力されると前記複数の第１圧力調整機構の動作及び前記第２圧力調整機構の動作を規定する処理時圧力調整情報を出力する学習済モデルに対し前記処理時手順情報を入力して、前記学習済モデルから前記処理時圧力調整情報を取得するステップと、
    取得した前記処理時圧力調整情報に基づいて前記複数の第１圧力調整機構及び前記第２圧力調整機構を制御するステップと
    を包含し、
    前記学習済モデルは、学習対象基板を前記処理液で処理した結果を示す処理結果情報と、学習対象情報とが関連付けられた学習用データを機械学習することで構築され、前記学習対象情報は、前記学習対象基板の処理時における前記複数の第１圧力調整機構の動作及び前記第２圧力調整機構の動作を示す学習時圧力調整情報と、前記学習対象基板を前記処理液で処理する手順を示す学習時手順情報とを含む、基板処理方法。
  10. 前記処理時圧力調整情報は、前記処理対象基板の処理時における前記複数の第１圧力調整機構の動作及び前記第２圧力調整機構の動作を時系列に沿って規定し、
    前記学習時圧力調整情報は、前記学習対象基板の処理時における前記複数の第１圧力調整機構の動作及び前記第２圧力調整機構の動作を時系列に沿って示す、請求項９に記載の基板処理方法。
  11. 基板処理装置が学習対象基板を処理した結果を示す処理結果情報を取得するステップと、
    学習対象情報を取得するステップと、
    前記処理結果情報と、前記学習対象情報とを関連付けて学習用データとして記憶部に記憶するステップと
    を包含し、
    前記基板処理装置は、
    前記学習対象基板を処理液で処理する手順を示す学習時手順情報に基づいて前記学習対象基板に前記処理液を供給して、前記学習対象基板を処理する複数の処理ユニットと、
    前記複数の処理ユニットから排気される気体が流入する複数の個別排気管と、
    前記複数の個別排気管から排気される気体が流入する共通排気管と、
    前記複数の処理ユニットから前記複数の個別排気管に流入する気体の圧力を調整する複数の第１圧力調整機構と、
    前記共通排気管の内部の気体の圧力を調整する第２圧力調整機構と、
    前記複数の第１圧力調整機構及び前記第２圧力調整機構を制御する制御部と
    を備え、
    前記学習対象情報は、前記学習対象基板の処理時における前記複数の第１圧力調整機構の動作及び前記第２圧力調整機構の動作を示す学習時圧力調整情報と、前記学習時手順情報とを含む、学習用データの生成方法。
  12. 前記学習時圧力調整情報は、前記学習対象基板の処理時における前記複数の第１圧力調整機構の動作及び前記第２圧力調整機構の動作を時系列に沿って示す、請求項１１に記載の学習用データの生成方法。
  13. 請求項１１又は請求項１２に記載の学習用データの生成方法に従って生成された学習用データを取得するステップと、
    前記学習用データを学習プログラムに入力して前記学習用データを機械学習するステップと
    を包含する、学習方法。
  14. 請求項１１又は請求項１２に記載の学習用データの生成方法に従って生成された学習用データを記憶する記憶部と、
    前記学習用データを学習プログラムに入力して前記学習用データを機械学習する学習部と
    を備える、学習装置。
  15. 請求項１１又は請求項１２に記載の学習用データの生成方法に従って生成された学習用データを取得するステップと、
    前記学習用データを機械学習することで学習済モデルを生成するステップと
    を包含する、学習済モデルの生成方法。
  16. 請求項１１又は請求項１２に記載の学習用データの生成方法に従って生成された学習用データを機械学習させることで構築される学習済モデル。
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