CN115668448A - 基板处理装置、基板处理方法、学习用数据的生成方法、学习方法、学习装置、已学习模型的生成方法以及已学习模型 - Google Patents

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Abstract

一种基板处理装置(100)具备多个处理单元(1A1、1B1)、多个单独排气管(41A、41B)、共用排气管(81A)、多个第一压力调节机构(73A1、73B1)、第二压力调节机构(87A)以及控制部(102)。从处理单元(1A1、1B1)排出的气体流入单独排气管(41A、41B)。从单独排气管(41A、41B)排出的气体流入共用排气管(81A)。第一压力调节机构(73A1、73B1)调节从处理单元(1A1、1B1)流入单独排气管(41A、41B)的气体的压力。第二压力调节机构(87A)调节共用排气管(81A)内部的气体的压力。控制部(102)从已学习模型(LM)取得规定多个第一压力调节机构(73A1、73B1)的动作和第二压力调节机构(87A)的动作的处理时压力调节信息。

Description

基板处理装置、基板处理方法、学习用数据的生成方法、学习 方法、学习装置、已学习模型的生成方法以及已学习模型
技术领域
本发明涉及基板处理装置、基板处理方法、学习用数据的生成方法、学习方法、学习装置、已学习模型的生成方法以及已学习模型。
背景技术
已知有具备多个处理单元的基板处理装置。例如，专利文献1的基板处理装置具备多个处理单元和1个排气流路(共用排气管)。在专利文献1的基板处理装置中，从各处理单元排出的废气(气体)流入1个排气流路而向基板处理装置的外部排出。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2019-91758号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，在从多个处理单元排出的气体流入1个共用排气管的结构中，在共用排气管中流动的气体的流量容易变动。因此，共用排气管的排气压容易变动。若共用排气管的排气压变动，则各处理单元的排气压变动，而有可能产生颗粒。
例如，根据同时对基板进行处理的处理单元的数量的变动，共用排气管的排气压发生变动。另外，即使在同时对基板进行处理的处理单元的数量相同的情况下，若同时对基板进行处理的处理单元的位置不同，则共用排气管的排气压发生变动。这是因为，从各处理单元到共用排气管的距离按每个处理单元而不同，每个处理单元的压力损失不同。共用排气管的排气压发生变动的主要原因是这样的多种。因此，不容易适当地调节处理单元的排气压。
本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种能够更适当地调节处理单元的排气压的基板处理装置、基板处理方法、学习用数据的生成方法、学习方法、学习装置、已学习模型的生成方法以及已学习模型。
用于解决课题的手段
根据本发明的一方面，基板处理装置具备多个处理单元、多个单独排气管、共用排气管、多个第一压力调节机构、第二压力调节机构以及控制部。所述多个处理单元基于表示利用处理液对处理对象基板进行处理的顺序的处理时顺序信息，向所述处理对象基板供给所述处理液，而对所述处理对象基板进行处理。从多个所述处理单元排出的气体流入到多个所述单独排气管。从多个所述单独排气管排出的气体流入到所述共用排气管。多个所述第一压力调节机构对从多个所述处理单元流入到多个所述单独排气管的气体的压力进行调节。所述第二压力调节机构调节所述共用排气管的内部的气体的压力。所述控制部基于所述处理时顺序信息，从已学习模型取得规定多个所述第一压力调节机构的动作和所述第二压力调节机构的动作的处理时压力调节信息，并基于所述处理时压力调节信息控制多个所述第一压力调节机构和所述第二压力调节机构。所述已学习模型是对将处理结果信息与学习对象信息关联起来的学习用数据进行机器学习而构建的，所述处理结果信息表示利用所述处理液对学习对象基板进行了处理的结果。所述学习对象信息包括学习时压力调节信息和学习时顺序信息，所述学习时压力调节信息表示处理所述学习对象基板时的多个所述第一压力调节机构的动作和所述第二压力调节机构的动作，所述学习时顺序信息表示利用所述处理液对所述学习对象基板进行处理的顺序。
在一实施方式中，所述处理液包含多种处理液，从所述处理单元排出的气体包含与多种所述处理液对应的多种气体。所述共用排气管为多个，多个所述共用排气管对应于多种所述气体。所述第二压力调节机构为多个，多个所述第二压力调节机构对应于多个所述共用排气管。
在一实施方式中，多个所述单独排气管分别包含与多种所述气体对应的多种单独排气管。
在一实施方式中，所述基板处理装置还具备切换机构。所述切换机构在多种所述单独排气管之间，对从所对应的所述处理单元排出的气体的流入目的地进行切换。
在一实施方式中，所述第一压力调节机构设置于所述切换机构。
在一实施方式中，所述基板处理装置还具备存储所述已学习模型的存储部。
在一实施方式中，所述学习对象信息还包括以下信息中的至少一个：浓度信息，其表示所述处理液的浓度；温度信息，其表示多个所述处理单元各自的内部温度；位置信息，其表示多个所述处理单元的位置；以及距离信息，其表示从所述处理单元排出的气体从所述共用排气管的下游端排出为止的距离。
根据本发明的另一方面，基板处理方法是在基板处理装置中对处理对象基板进行处理的方法。所述基板处理装置具备多个处理单元、多个单独排气管、共用排气管、多个第一压力调节机构、第二压力调节机构以及控制部。所述多个处理单元基于表示利用处理液对所述处理对象基板进行处理的顺序的处理时顺序信息，向所述处理对象基板供给所述处理液，而对所述处理对象基板进行处理。从多个所述处理单元排出的气体流入到多个所述单独排气管。从多个所述单独排气管排出的气体流入到所述共用排气管。多个所述第一压力调节机构对从多个所述处理单元流入到多个所述单独排气管的气体的压力进行调节。所述第二压力调节机构调节所述共用排气管的内部的气体的压力。所述控制部控制多个所述第一压力调节机构盒所述第二压力调节机构。该基板处理方法包括如下步骤：：根据所述处理时顺序信息，从已学习模型取得对多个所述第一压力调节机构的动作和所述第二压力调节机构的动作进行规定的处理时压力调节信息；以及根据所述处理时压力调节信息对多个所述第一压力调节机构和所述第二压力调节机构进行控制。所述已学习模型是对将处理结果信息与学习对象信息关联起来的学习用数据进行机器学习而构建的，所述处理结果信息表示利用所述处理液对学习对象基板进行了处理的结果。所述学习对象信息包括学习时压力调节信息和学习时顺序信息，所述学习时压力调节信息表示处理所述学习对象基板时的多个所述第一压力调节机构的动作和所述第二压力调节机构的动作，所述学习时顺序信息表示利用所述处理液对所述学习对象基板进行处理的顺序。。
根据本发明的另一方面，学习用数据的生成方法包括如下步骤：取得表示基板处理装置对学习对象基板进行了处理的结果的处理结果信息；取得学习对象信息；以及将所述处理结果信息与所述学习对象信息关联起来作为学习用数据而存储于存储部。所述基板处理装置具备多个处理单元、多个单独排气管、共用排气管、多个第一压力调节机构、第二压力调节机构以及控制部。多个所述处理单元基于表示利用处理液对所述学习对象基板进行处理的顺序的学习时顺序信息，向所述学习对象基板供给所述处理液，而对所述学习对象基板进行处理。从多个所述处理单元排出的气体流入到多个所述单独排气管。从多个所述单独排气管排出的气体流入到所述共用排气管。多个所述第一压力调节机构对从多个所述处理单元流入到多个所述单独排气管的气体的压力进行调节。所述第二压力调节机构调节所述共用排气管的内部的气体的压力。所述控制部控制多个所述第一压力调节机构和所述第二压力调节机构。所述学习对象信息包括学习时压力调节信息和所述学习时顺序信息，所述学习时压力调节信息表示处理所述学习对象基板时的多个所述第一压力调节机构的动作和所述第二压力调节机构的动作。
根据本发明的另一方面，学习方法包括如下步骤：取得按照上述的学习用数据的生成方法生成的学习用数据；以及将所述学习用数据输入到学习程序来对所述学习用数据进行机械学习。
根据本发明的另一方面，学习装置具备存储部和学习部。所述存储部存储根据所述学习用数据的生成方法生成的学习用数据。所述学习部将所述学习用数据输入到学习程序来对所述学习用数据进行机器学习。
根据本发明的另一方面，已学习模型的生成方法包括如下步骤：取得按照上述的学习用数据的生成方法生成的学习用数据；以及通过对所述学习用数据进行机械学习而生成已学习模型。
根据本发明的另一方面，已学习模型是对按照上述的学习用数据的生成方法生成的学习用数据进行机器学习来构建的。
发明效果
根据本发明的基板处理装置、基板处理方法、学习用数据的生成方法、学习方法、学习装置、已学习模型的生成方法以及已学习模型，能够更适当地调节处理单元的排气压。
附图说明
图1是具备本发明的实施方式的基板处理装置的基板处理学习系统的示意图。
图2是表示本发明的实施方式的基板处理装置的内部的俯视图。
图3是表示本发明的实施方式的基板处理装置的右部结构的右侧视图。
图4是表示本发明的实施方式的基板处理装置的左部结构的右侧视图。
图5是表示本发明的实施方式的基板处理装置的中央部结构的右侧视图。
图6是表示第一单独排气管、第二单独排气管和第三单独排气管的主视图。
图7是表示处理单元的内部的侧视图。
图8是表示处理单元、切换机构以及第一单独排气管～第三单独排气管的俯视图。
图9是切换机构的主视图。
图10是从多个处理单元起的排气路径的系统图。
图11是本发明的实施方式的基板处理装置的俯视图。
图12是表示本发明的实施方式的基板处理装置的框图。
图13是表示取得挡板(damper)开度调节信息的处理的流程图。
图14是表示装置信息的图。
图15是表示处理时顺序信息的一例的图。
图16是表示本发明的实施方式的基板处理装置的动作的一例的图。
图17是表示基板处理装置的框图。
图18是表示测试制程数据的图。
图19是表示学习时顺序信息的一例的图。
图20是表示学习用数据生成装置的框图。
图21是本发明的实施方式的学习用数据生成方法的流程图。
图22是表示本发明的实施方式的学习装置的框图。
图23是本发明的实施方式的学习方法以及已学习模型的生成方法的流程图。
图24是本发明的另一实施方式的基板处理装置的排气路径的系统图。
具体实施方式
以下，参照附图(图1～图24)，对本发明的基板处理装置、基板处理方法、学习用数据的生成方法、学习方法、学习装置、已学习模型的生成方法以及已学习模型的实施方式进行说明。但是，本发明并不限定于以下的实施方式。此外，关于说明重复的部分，有时适当省略说明。另外，在图中，对相同或相当的部分标注相同的参照符号而不重复进行说明。
首先，参照图1，说明具备本实施方式的基板处理装置100的基板处理学习系统200。图1是基板处理学习系统200的示意图。如图1所示，基板处理学习系统200具备基板处理装置100、基板处理装置100L、检查装置300、学习用数据生成装置400以及学习装置500。
基板处理装置100利用处理液对处理对象基板进行处理。基板处理装置100是对处理对象基板逐片进行处理的单片型的装置。典型地，处理对象基板为大致圆板状。
基板处理装置100L利用处理液对学习对象基板进行处理。另外，学习对象基板的结构与处理对象基板的结构相同。典型地，学习对象基板为大致圆板状。基板处理装置100L是对学习对象基板逐片进行处理的单片型的装置。基板处理装置100L的结构与基板处理装置100的结构大致相同。基板处理装置100L也可以是与基板处理装置100相同的物体。例如，也可以是同一基板处理装置过去对学习对象基板进行处理，然后对处理对象基板进行处理。或者，基板处理装置100L也可以是具有与基板处理装置100大致相同的结构的其他产品。
在本说明书的以下的说明中，有时将学习对象基板记载为“学习对象基板WL”，将处理对象基板记载为“处理对象基板Wp”。另外，在无需区分学习对象基板WL与处理对象基板Wp进行说明时，有时将学习对象基板WL和处理对象基板Wp记载为“基板W”。
基板W例如是半导体晶圆、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、场发射显示器(Field Emission Display：FED)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、或太阳能电池用基板。
基板处理装置100L通过对学习对象基板WL进行处理来取得学习对象信息LTD。例如，基板处理装置100L也可以在每次对学习对象基板WL进行处理时，取得学习对象信息LTD。或者，基板处理装置100L也可以在每次对既定片数的学习对象基板WL进行处理时，取得学习对象信息LTD。具体而言，也可以在每次对构成1批次的多片学习对象基板WL的全部的处理结束时，取得学习对象信息LTD。学习对象信息LTD例如包含从处理单元1(参照图8)排出的气体的压力(排气压)的时间序列数据。以下，有时将由基板处理装置100L处理后的学习对象基板WL记载为“处理后基板WLa”。
学习对象信息LTD被输入到学习用数据生成装置400。例如，学习对象信息LTD也可以通过通信被输入到学习用数据生成装置400。或者，学习对象信息LTD也可以经由存储介质被输入到学习用数据生成装置400。存储介质例如可以是CD(Compact disc：光碟)那样的光盘，也可以是USB(Universal serial bus：通用串行总线)存储器那样的存储装置。或者，学习对象信息LTD也可以由作业者操作键盘、鼠标或者触摸传感器那样的输入装置来输入。
详细而言，学习对象信息LTD与基板信息相关联地被输入到学习用数据生成装置400。基板信息例如包含批次识别信息、基板识别信息以及处理顺序信息。批次识别信息是用于识别批次的信息(例如，批次编号)。批次表示基板W的处理单位。1个批次由既定片数的基板W构成。基板识别信息是用于识别基板W的信息。处理顺序信息是表示在1个批次中各学习对象基板WL被处理的顺序的信息。
检查装置300检查处理后基板WLa来生成处理结果信息RS。处理结果信息RS既可以针对每个处理后基板WLa生成，也可以针对每个既定片数的处理后基板WLa生成。例如，也可以按每1批次生成。
处理结果信息RS表示用处理液对学习对象基板WL进行了处理的结果。具体而言，检查装置300是测定颗粒的装置，处理结果信息RS表示处理后基板WLa中产生的颗粒的数量。或者，检查装置300也可以判定颗粒的数量是否超过了规定值。在该情况下，处理结果信息RS表示判定颗粒的数量是否超过规定值的结果。另外，也可以参照检查装置300测定出的颗粒数，作业者判定颗粒数是否超过了规定值。在该情况下，处理结果信息RS由作业者制作。
处理结果信息RS被输入到学习用数据生成装置400。例如，处理结果信息RS也可以通过通信被输入到学习用数据生成装置400。或者，处理结果信息RS也可以经由存储介质被输入到学习用数据生成装置400。或者，处理结果信息RS也可以由作业者操作输入装置来输入。
详细而言，处理结果信息RS与基板信息相关联地被输入到学习用数据生成装置400。在处理结果信息RS通过通信被输入到学习用数据生成装置400的情况下，基板信息与处理结果信息RS一起通过通信被输入到学习用数据生成装置400。在该情况下，向检查装置300输入基板信息。在处理结果信息RS经由存储介质被输入到学习用数据生成装置400的情况下也是同样如此。在作业者向学习用数据生成装置400输入处理结果信息RS的情况下，作业者操作输入装置而将基板信息与处理结果信息RS一起输入到学习用数据生成装置400。
学习用数据生成装置400将学习对象信息LTD与处理结果信息RS关联起来生成学习用数据LFD。具体而言，学习用数据生成装置400使用基板信息，将学习对象信息LTD与处理结果信息RS关联起来。学习用数据LFD既可以针对每个学习对象基板WL生成，也可以针对每个既定片数的学习对象基板WL生成。例如，也可以针对每1批次生成。
学习装置500通过对多个学习用数据LFD(学习用数据集)进行机器学习，生成(构建)已学习模型LM。详细而言，学习装置500从多个学习用数据LFD中找出一定的规则，生成用于表现该规则的模型(已学习模型LM)。
基板处理装置100将装置信息MD输入到已学习模型LM。其结果，从已学习模型LM输出挡板(damper)开度调节信息PA。装置信息MD包含表示基板处理装置100利用处理液对处理对象基板Wp进行处理的顺序的处理时顺序信息。挡板开度调节信息PA是调节从处理单元1(参照图8)排出的气体的压力时所参照的信息。具体而言，是规定第一挡板73(参照图8)的开度的时间序列数据。
接着，参照图2～图15进一步说明基板处理装置100。图2是表示基板处理装置100的内部的俯视图。如图2所示，基板处理装置100具备多个(例如4个)载体载置部150、搬送机构151、基板载置部152A、搬送机构153A、处理单元1A1、1B1、1C1、1D1。
多个载体载置部150配置于基板处理装置100的端部。在本说明书中，为了方便，有时使用前后方向以及左右方向来说明实施方式。在此，配置有多个载体载置部150的一侧是基板处理装置100的前侧。
搬送机构151配置于多个载体载置部150的后侧。基板载置部152A配置于搬送机构151的后侧。搬送机构153A配置于基板载置部152A的后侧。
处理单元1A1、1B1、1C1、1D1配置在搬送机构153A的周围。在此，处理单元1A1、1B1配置在搬送机构153A的右侧，处理单元1C1、1D1配置在搬送机构153A的左侧。另外，处理单元1B1配置在处理单元1A1的后侧。处理单元1D1配置在处理单元1C1的后侧。
多个载体载置部150沿左右方向排列。在载体载置部150上分别载置有1个载体C。载体C收容多片基板W。载体C例如是FOUP(Front Opening Unift Pod：前开式晶圆传送盒)。
通过搬送机构153A将基板W搬入到处理单元1A1、1B1、1C1、1D1。处理单元1A1、1B1、1C1、1D1分别在保持由搬送机构153A搬入的基板W之后，向基板W供给处理液，对基板W进行处理。
如图2所示，基板处理装置100还具备第一单独排气管41A、第二单独排气管42A、第三单独排气管43A、切换机构51A1、控制装置101。
第一单独排气管41A、第二单独排气管42A、第三单独排气管43A以及切换机构51A1配置在处理单元1A1的附近。在本实施方式中，第一单独排气管41A、第二单独排气管42A、第三单独排气管43A以及切换机构51A1与处理单元1A1相邻。第一单独排气管41A、第二单独排气管42A以及第三单独排气管43A沿上下方向延伸。
从处理单元1A1排出的气体流入第一单独排气管41A、第二单独排气管42A以及第三单独排气管43A中的某一个。具体而言，切换机构51A1在第一单独排气管41A、第二单独排气管42A以及第三单独排气管43A之间切换从处理单元1A1排出的气体的流入目的地。切换机构51A1由控制装置101控制。
详细而言，处理单元1A1能够向基板W供给多种处理液。因此，从处理单元1A1排出的气体包含与多种处理液对应的多种气体。在本实施方式中，多种处理液包含第一处理液、第二处理液以及第三处理液。处理单元1A1能够向基板W供给第一处理液、第二处理液以及第三处理液。
切换机构51A1在处理单元1A1向基板W供给第一处理液时，使从处理单元1A1排出的气体流入第一单独排气管41A。切换机构51A1在处理单元1A1向基板W供给第二处理液时，使从处理单元1A1排出的气体流入第二单独排气管42A。切换机构51A1在处理单元1A1向基板W供给第三处理液时，使从处理单元1A1排出的气体流入第三单独排气管43A。
如图2所示，基板处理装置100还具备第一单独排气管41B、第二单独排气管42B、第三单独排气管43B以及切换机构51B1。第一单独排气管41B、第二单独排气管42B、第三单独排气管43B以及切换机构51B1配置在处理单元1B1的附近。切换机构51B1由控制装置101控制。第一单独排气管41B、第二单独排气管42B、第三单独排气管43B以及切换机构51B1的结构与第一单独排气管41A、第二单独排气管42A、第三单独排气管43A以及切换机构51A1的结构大致相同，因此省略此处的说明。
如图2所示，基板处理装置100还具备第一单独排气管41C、第二单独排气管42C、第三单独排气管43C、切换机构51C1。第一单独排气管41C、第二单独排气管42C、第三单独排气管43C以及切换机构51C1配置在处理单元1C1的附近。切换机构51C1由控制装置101控制。第一单独排气管41C、第二单独排气管42C、第三单独排气管43C以及切换机构51C1的结构与第一单独排气管41A、第二单独排气管42A、第三单独排气管43A以及切换机构51A1的结构大致相同，因此省略此处的说明。
如图2所示，基板处理装置100还具备第一单独排气管41D、第二单独排气管42D、第三单独排气管43D以及切换机构51D1。第一单独排气管41D、第二单独排气管42D、第三单独排气管43D以及切换机构51D1配置在处理单元1D1的附近。切换机构51D1由控制装置101控制。第一单独排气管41D、第二单独排气管42D、第三单独排气管43D以及切换机构51D1的结构与第一单独排气管41A、第二单独排气管42A、第三单独排气管43A以及切换机构51A1的结构大致相同，因此省略此处的说明。
此外，在无需区分第一单独排气管41A～41D进行说明时，有时将第一单独排气管41A～41D记载为“第一单独排气管41”。同样，在无需区分第二单独排气管42A～42D进行说明时，有时将第二单独排气管42A～42D记载为“第二单独排气管42”。另外，在无需区分第三单独排气管43A～43D进行说明时，有时将第三单独排气管43A～43D记载为“第三单独排气管43”。
如图2所示，基板处理装置100还具备供气管44A～44D。供气管44A配置在处理单元1A1的附近。供气管44B配置在处理单元1B1的附近。供气管44C配置在处理单元1C1的附近。供气管44D配置在处理单元1D1的附近。供气管44A～44D在上下方向上延伸。
接着，参照图3和图4进一步说明基板处理装置100。图3是表示基板处理装置100的右部结构的右侧视图。如图3所示，基板处理装置100还具备处理单元1A2～1A6和处理单元1B2～1B6。
处理单元1A2～1A6配置于处理单元1A1的下方。具体而言，处理单元1A1～1A6沿着上下方向排成一列。更详细而言，处理单元1A1～1A6按照该顺序从上向下层叠。处理单元1A2～1A6具有与处理单元1A1大致相同的结构。
处理单元1B2～1B6配置于处理单元1B1的下方。具体而言，处理单元1B1～1B6沿着上下方向排成一列。更详细而言，处理单元1B1～1B6按照该顺序从上向下层叠。处理单元1B2～1B6具有与处理单元1B1大致相同的结构。
另外，在无需区分处理单元1A1～1A6进行说明时，有时将处理单元1A1～1A6记载为“处理单元1A”。同样地，在无需区分处理单元1B1～1B6进行说明时，有时将处理单元1B1～1B6记载为“处理单元1B”。
供气管44A向处理单元1A1～1A6供给清洁的空气。同样地，供气管44B向处理单元1B1～1B6供给清洁的空气。
如图3所示，基板处理装置100还具备切换机构51A2～51A6。切换机构51A2～51A6配置在切换机构51A1的下方。切换机构51A2～51A6分别对应于处理单元1A2～1A6。切换机构51A2～51A6具有与切换机构51A1大致相同的结构。切换机构51A2～51A6由参照图2说明的控制装置101控制。
如图3所示，基板处理装置100还具备切换机构51B2～51B6。切换机构51B2～51B6配置在切换机构51B1的下方。切换机构51B2～51B6分别对应于处理单元1B2～1B6。切换机构51B2～51B6具有与切换机构51B1大致相同的结构。切换机构51B2～51B6由参照图2说明的控制装置101控制。
另外，在无需区分切换机构51A1～51A6进行说明时，有时将切换机构51A1～51A6记载为“切换机构51A”。同样地，在无需区分切换机构51B1～51B6进行说明时，有时将切换机构51B1～51B6记载为“切换机构51B”。
图4是表示基板处理装置100的左部结构的右侧视图。如图4所示，基板处理装置100还具备处理单元1C2～1C6和处理单元1D2～1D6。
处理单元1C2～1C6配置于处理单元1C1的下方。具体而言，处理单元1C1～1C6沿着上下方向排成一列。更详细而言，处理单元1C1～1C6按照该顺序从上向下层叠。处理单元1C2～1C6具有与处理单元1C1大致相同的结构。
处理单元1D2～1D6配置于处理单元1D1的下方。具体而言，处理单元1D1～1D6沿着上下方向排成一列。更详细而言，处理单元1D1～1D6按照该顺序从上向下层叠。处理单元1D2～1D6具有与处理单元1D1大致相同的结构。
另外，在无需区分处理单元1C1～1C6进行说明时，有时将处理单元1C1～1C6记载为“处理单元1C”。同样地，在无需区分处理单元1D1～1D6进行说明时，有时将处理单元1D1～1D6记载为“处理单元1D”。而且，在无需区分处理单元1A～1D进行说明时，有时将处理单元1A～1D记载为“处理单元1”。
供气管44C向处理单元1C1～1C6供给清洁的空气。同样地，供气管44D向处理单元1D1～1D6供给清洁的空气。此外，在无需区分供气管44A～44D进行说明时，有时将供气管44A～44D记载为“供气管44”。
如图4所示，基板处理装置100还具备切换机构51C2～51C6。切换机构51C2～51C6配置在切换机构51C1的下方。切换机构51C2～51C6分别对应于处理单元1C2～1C6。切换机构51C2～51C6具有与切换机构51C1大致相同的结构。切换机构51C2～51C6由参照图2说明的控制装置101控制。
如图4所示，基板处理装置100还具备切换机构51D2～51D6。切换机构51D2～51D6配置在切换机构51D1的下方。切换机构51D2～51D6分别对应于处理单元1D2～1D6。切换机构51D2～51D6具有与切换机构51D1大致相同的结构。切换机构51D2～51D6由参照图2说明的控制装置101控制。
另外，在无需区分切换机构51C1～51C6进行说明时，有时将切换机构51C1～51C6记载为“切换机构51C”。同样地，在无需区分切换机构51D1～51D6进行说明时，有时将切换机构51D1～51D6记载为“切换机构51D”。而且，在无需区分切换机构51A～51D进行说明时，有时将切换机构51A～51D记载为“切换机构51”。
接着，参照图2～图5进一步说明基板处理装置100。图5是表示基板处理装置100的中央部结构的右侧视图。如图5所示，基板处理装置100还具备基板载置部152B和搬送机构153B。
基板载置部152B配置在基板载置部152A的下方。搬送机构151在多个载体载置部150与基板载置部152A之间、以及多个载体载置部150与基板载置部152B之间交接基板W。搬送机构151由控制装置101控制。
具体而言，搬送机构151存取多个载体载置部150中的任一个，把持基板W。之后，搬送机构151向基板载置部152A和基板载置部152B中的一方搬送基板W。例如，搬送机构151交替地向基板载置部152A和基板载置部152B搬送基板W。
另外，当通过搬送机构153A将基板W载置于基板载置部152A时，搬送机构151对基板载置部152A进行存取来把持基板W。之后，搬送机构151向多个载体载置部150中的任一个搬送基板W。详细而言，在多个载体载置部150的任一个收容基板W。
同样地，当通过搬送机构153B将基板W载置于基板载置部152B时，搬送机构151对基板载置部152B进行存取来把持基板W。之后，搬送机构151向多个载体载置部150中的任一个搬送基板W。
搬送机构153A在基板载置部152A与参照图3和图4说明的处理单元1A1～1A3、处理单元1B1～1B3、处理单元1C1～1C3以及处理单元1D1～1D3之间交接基板W。搬送机构153A由控制装置101控制。
具体而言，搬送机构153A对基板载置部152A进行存取来把持载置于基板载置部152A的基板W。之后，搬送机构153A将基板W搬入到处理单元1A1～1A3、处理单元1B1～1B3、处理单元1C1～1C3以及处理单元1D1～1D3中的任一个。另外，搬送机构153A访问处理单元1A1～1A3、处理单元1B1～1B3、处理单元1C1～1C3以及处理单元1D1～1D3中的任一个而搬出基板W。之后，搬送机构153A将基板W搬送至基板载置部152A。
搬送机构153B配置在搬送机构153A的下方。搬送机构153B在基板载置部152B与参照图3和图4说明的处理单元1A4～1A6、处理单元1B4～1B6、处理单元1C4～1C6以及处理单元1D4～1D6之间交接基板W。搬送机构153B由控制装置101控制。
具体而言，搬送机构153B对基板载置部152B进行存取来把持载置于基板载置部152B的基板W。然后，搬送机构153B向处理单元1A4～1A6、处理单元1B4～1B6、处理单元1C4～1C6以及处理单元1D4～1D6中的任一个搬入基板W。另外，搬送机构153B访问处理单元1A4～1A6、处理单元1B4～1B6、处理单元1C4～1C6以及处理单元1D4～1D6中的任一个而搬出基板W。之后，搬送机构153B将基板W搬送至基板载置部152B。
另外，搬送机构151、153A、153B在某处理单元1对基板W进行处理时，将基板W搬送至不在基板W的处理中的其他处理单元1。因此，基板处理装置100能够同时对多片基板W进行处理。以下，在无需区分搬送机构153A、153B进行说明时，有时将搬送机构153A、153B记载为“搬送机构153”。
接着，参照图6进一步说明基板处理装置100。图6是表示第一单独排气管41A、第二单独排气管42A和第三单独排气管43A的主视图。
如图6所示，第一单独排气管41A、第二单独排气管42A和第三单独排气管43A从处理单元1A6延伸至基板处理装置100的上壁。切换机构51A1～51A6与第一单独排气管41A、第二单独排气管42A和第三单独排气管43A连接。
另外，虽未图示，但第一单独排气管41B～41D、第二单独排气管42B～42D以及第三单独排气管43B～43D也同样地从最下层的处理单元1(处理单元1B6～1D6)延伸至基板处理装置100的上壁。另外，切换机构51B1～51B6与第一单独排气管41B、第二单独排气管42B以及第三单独排气管43B连接。切换机构51C1～51C6与第一单独排气管41C、第二单独排气管42C和第三单独排气管43C连接。切换机构51D1～51D6与第一单独排气管41D、第二单独排气管42D和第三单独排气管43D连接。
接着，参照图7对处理单元1进行说明。图7是表示处理单元1的内部的侧视图。如图7所示，处理单元1具备处理壳体2、基板保持部31、旋转驱动部32、第一喷嘴33、第一喷嘴移动部33a、第二喷嘴34、第二喷嘴移动部34a、第三喷嘴35、第三喷嘴移动部35a、第四喷嘴36、第四喷嘴移动部36a、杯部37以及吹出单元38。另外，基板处理装置100还具备第一处理液供给配管333、第二处理液供给配管343、第三处理液供给配管353、冲洗液供给配管363、以及供气配管39。
处理壳体2具有箱形状。处理壳体2收纳有基板保持部31、旋转驱动部32、第一喷嘴33、第一喷嘴移动部33a、第二喷嘴34、第二喷嘴移动部34a、第三喷嘴35、第三喷嘴移动部35a、第四喷嘴36、第四喷嘴移动部36a、杯部37以及吹出单元38。另外，处理壳体2收纳有第一处理液供给配管333的一部分、第二处理液供给配管343的一部分、第三处理液供给配管353的一部分、冲洗液供给配管363的一部分以及供气配管39的一部分。将搬入到处理单元1的基板W收容在处理壳体2的内部。
基板保持部31水平地保持基板W。基板保持部31例如是真空式的旋转卡盘。另外，基板保持部31保持基板W的方式并不限定于真空式。基板保持部31保持基板W的方式例如也可以是夹持式或伯努利式。
旋转驱动部32使基板保持部31以旋转轴线AX为中心旋转。其结果，基板W和基板保持部31以旋转轴线AX为中心一体地旋转。旋转轴线AX在上下方向上延伸。
第一喷嘴33从基板W的上方对基板W供给第一处理液。详细而言，第一喷嘴33向旋转中的基板W喷出第一处理液。第一喷嘴移动部33a使第一喷嘴33在处理位置与退避位置之间移动。当第一喷嘴33移动至处理位置时，在俯视时与基板W对置。当第一喷嘴33移动至退避位置时，在俯视时不与基板W对置。详细而言，当第一喷嘴33移动至退避位置时，在俯视时退避至基板W的周围。
具体而言，第一喷嘴移动部33a具有第一喷嘴臂331和第一喷嘴驱动部332。第一喷嘴臂331沿着大致水平方向延伸。在第一喷嘴臂331的前端部配置有第一喷嘴33。第一喷嘴驱动部332以在上下方向上延伸的旋转轴线为中心使第一喷嘴臂331沿着大致水平面回旋。其结果，第一喷嘴33沿着以在上下方向上延伸的旋转轴线为中心的周向在周向上移动。第一喷嘴驱动部332包括能够正反旋转的电动马达。
第一处理液供给配管333向第一喷嘴33供给第一处理液。第一处理液供给配管333是供第一处理液流通的管状部件。在本实施方式中，第一处理液是酸性液。例如，第一处理液是氢氟酸、盐酸过氧化氢水(SPM)、硫酸、硫酸过氧化氢水、氟硝酸(氢氟酸与硝酸的混合液)或盐酸。
第二喷嘴34从基板W的上方对基板W供给第二处理液。详细而言，第二喷嘴34向旋转中的基板W喷出第二处理液。与第一喷嘴移动部33a同样地，第二喷嘴移动部34a使第二喷嘴34在处理位置与退避位置之间移动。具体而言，与第一喷嘴移动部33a同样地，第二喷嘴移动部34a具有第二喷嘴臂341和第二喷嘴驱动部342。第二喷嘴臂341和第二喷嘴驱动部342的结构与第一喷嘴臂331和第一喷嘴驱动部332相同，因此省略说明。
第二处理液供给配管343向第二喷嘴34供给第二处理液。第二处理液供给配管343是供第二处理液流通的管状部件。在本实施方式中，第二处理液是碱性液。例如，第二处理液是氨过氧化氢水(SC1)、氨水、氟化铵溶液或四甲基氢氧化铵(TMAH)。
第三喷嘴35从基板W的上方对基板W供给第三处理液。详细而言，第三喷嘴35向旋转中的基板W喷出第三处理液。与第一喷嘴移动部33a同样地，第三喷嘴移动部35a使第三喷嘴35在处理位置与退避位置之间移动。具体而言，与第一喷嘴移动部33a同样地，第三喷嘴移动部35a具有第三喷嘴臂351和第三喷嘴驱动部352。第三喷嘴臂351和第三喷嘴驱动部352的结构与第一喷嘴臂331和第一喷嘴驱动部332相同，因此省略说明。
第三处理液供给配管353向第三喷嘴35供给第三处理液。第三处理液供给配管353是供第三处理液流通的管状部件。在本实施方式中，第三处理液是有机溶剂。例如，第三处理液是异丙醇(IPA)、甲醇、乙醇、氢氟醚(HFE)或丙酮。
第四喷嘴36从基板W的上方向基板W供给冲洗液。详细而言，第四喷嘴36向旋转中的基板W喷出冲洗液。与第一喷嘴移动部33a同样地，第四喷嘴移动部36a使第四喷嘴36在处理位置与退避位置之间移动。具体而言，与第一喷嘴移动部33a同样地，第四喷嘴移动部36a具有第四喷嘴臂361和第四喷嘴驱动部362。第四喷嘴臂361和第四喷嘴驱动部362的结构与第一喷嘴臂331和第一喷嘴驱动部332相同，因此省略说明。
冲洗液供给配管363向第四喷嘴36供给冲洗液。冲洗液供给配管363是供冲洗液流通的管状部件。例如，冲洗液是纯水(去离子水)、碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水或稀释的盐酸水。
杯部37配置在基板保持部31的周围。杯部37围住基板保持部31所保持的基板W的侧方。杯部37承接从旋转中的基板W飞散的第一处理液～第三处理液以及冲洗液。
供气配管39使供气管44与吹出单元38连通。在供气管44中流通的气体(例如，清洁空气)经由供气配管39被供给至吹出单元38。吹出单元38将从供气管44供给的气体供给至处理壳体2的内部。吹出单元38安装于处理壳体2的上板21。吹出单元38向下方吹出气体。
接着，参照图8对处理单元1、切换机构51以及第一单独排气管41～第三单独排气管43进行说明。图8是表示处理单元1、切换机构51以及第一单独排气管41～第三单独排气管43的俯视图。
如图8所示，切换机构51具有切换壳体52。切换壳体52具有内部空间54。切换壳体52的内部空间54是供气体流通的流通空间。以下，有时将内部空间54记载为“流通空间54”。
切换壳体52具有入口开口53。入口开口53与流通空间54连通。切换壳体52的入口开口53与处理单元1(处理壳体2)的内部空间连通。因此，气体从处理单元1(处理壳体2)流入到流通空间54。从处理单元1(处理壳体2)流入到流通空间54的气体在流通空间54流通。
切换壳体52还具有第一出口开口55～第三出口开口57。第一出口开口55～第三出口开口57与流通空间54连通。
第一单独排气管41的内部空间经由第一出口开口55与流通空间54连通。具体而言，第一单独排气管41具有与第一出口开口55对置的开口41k。
同样地，第二单独排气管42的内部空间经由第二出口开口56与流通空间54连通。具体而言，第二单独排气管42具有与第二出口开口56对置的开口42k。
另外，第三单独排气管43的内部空间经由第三出口开口57与流通空间54连通。具体而言，第三单独排气管43具有与第三出口开口57对置的开口43k。
如图8所示，切换机构51还具有第一开口开闭部61～第三开口开闭部63。第一开口开闭部61～第三开口开闭部63配置于流通空间54。
第一开口开闭部61～第三开口开闭部63分别对应于第一出口开口55～第三出口开口57。换言之，第一开口开闭部61～第三开口开闭部63分别对应于第一单独排气管41的开口41k～第三单独排气管43的开口43k。
第一开口开闭部61能够在开放位置与封闭位置之间移动。开放位置是第一开口开闭部61开放第一出口开口55的位置。封闭位置是第一开口开闭部61封闭第一出口开口55的位置。在本实施方式中，第一开口开闭部61能够以在上下方向上延伸的旋转轴线A1为中心摆动。与第一开口开闭部61同样地，第二开口开闭部62以及第三开口开闭部63也能够在开放位置与封闭位置之间移动。
切换机构51使从处理单元1(处理壳体2)的内部空间流入到流通空间54的气体流入到第一单独排气管41～第三单独排气管43中的任一个。例如，在使气体流入到第一单独排气管41时，第一开口开闭部61开放第一出口开口55，第二开口开闭部62和第三开口开闭部63封闭第二出口开口56和第三出口开口57。其结果，第一单独排气管41的开口41k～第三单独排气管43的开口43k中，仅第一单独排气管41的开口41k与流通空间54连通。因此，从处理单元1(处理壳体2)流入到流通空间54的气体流入到第一单独排气管41。
接着，参照图8进一步说明基板处理装置100。如图8所示，基板处理装置100还具备第一压力传感器71和第一挡板73。第一挡板73是第一压力调节机构的一例。
第一压力传感器71测量从处理单元1(处理壳体2)流入到第一单独排气管41～第三单独排气管43的气体的压力。换言之，测量处理单元1的排气压。例如，第一压力传感器71配置在切换壳体52的入口开口53或其附近，测量流入到切换壳体52的入口开口53的气体的压力。
第一挡板73对从处理单元1(处理壳体2)流入到第一单独排气管41～第三单独排气管43的气体的压力进行调节。换言之，调节处理单元1的排气压。具体而言，通过调节第一挡板73的开度来调节处理单元1的排气压。在本实施方式中，第一挡板73设置于切换机构51。例如，第一挡板73配置在切换壳体52的入口开口53或其附近，对流入到切换壳体52的入口开口53的气体的压力进行调节。
第一挡板73的开度由控制装置101控制。具体而言，控制装置101基于第一压力传感器71测量出的值来调节第一挡板73的开度。详细而言，将第一挡板73的开度调节成第一压力传感器71测量的值成为既定值。
接着，参照图9进一步说明切换机构51。图9是切换机构51的主视图。如图9所示，基板处理装置100还具备第一开闭驱动部64～第三开闭驱动部66。
第一开闭驱动部64使第一开口开闭部61在开放位置与封闭位置之间移动。在本实施方式中，第一开闭驱动部64使第一开口开闭部61以旋转轴线A1为中心摆动。第一开闭驱动部64由控制装置101控制。第一开闭驱动部64包括能够正反旋转的电动马达。
第二开闭驱动部65使第二开口开闭部62在开放位置与封闭位置之间移动。在本实施方式中，第二开闭驱动部65使第二开口开闭部62以在上下方向上延伸的旋转轴线A2为中心摆动。第二开闭驱动部65由控制装置101控制。第二开闭驱动部65包括能够正反旋转的电动马达。
第三开闭驱动部66使第三开口开闭部63在开放位置与封闭位置之间移动。在本实施方式中，第三开闭驱动部66使第三开口开闭部63以在上下方向上延伸的旋转轴线A3为中心摆动。第三开闭驱动部66由控制装置101控制。第三开闭驱动部66包括能够正反旋转的电动马达。
接着，参照图10进一步说明基板处理装置100。图10是从多个处理单元1(多个处理壳体2)起的排气路径的系统图。如图10所示，基板处理装置100具备第一压力传感器71A1～71A6、71B1～71B6、71C1～71C6、71D1～71D6和第一挡板73A1～73A6、73B1～73B6、73C1～73C6、73D1～73D6。第一挡板73A1～73A6、73B1～73B6、73C1～73C6、73D1～73D6是第一压力调节机构的一例。
第一压力传感器71A1～71A6、71B1～71B6、71C1～71C6、71D1～71D6分别对应于处理单元1A1～1A6、1B1～1B6、1C1～1C6、1D1～1D6。同样地，第一挡板73A1～73A6、73B1～73B6、73C1～73C6、73D1～73D6分别对应于处理单元1A1～1A6、1B1～1B6、1C1～1C6、1D1～1D6。
参照图8说明的第一压力传感器71包括第一压力传感器71A1～71A6、71B1～71B6、71C1～71C6、71D1～71D6。第一压力传感器71A1～71A6、71B1～71B6、71C1～71C6、71D1～71D6的结构与参照图8说明的第一压力传感器71相同，因此省略其说明。以下，在无需区分第一压力传感器71A1～71A6、71B1～71B6、71C1～71C6、71D1～71D6进行说明时，有时将第一压力传感器71A1～71A6、71B1～71B6、71C1～71C6、71D1～71D6记载为“第一压力传感器71”。
参照图8说明的第一挡板73包括第一挡板73A1～73A6、73B1～73B6、73C1～73C6、73D1～73D6。第一挡板73A1～73A6、73B1～73B6、73C1～73C6、73D1～73D6的结构与参照图8说明的第一挡板73相同，因此省略其说明。以下，在无需区分第一挡板73A1～73A6、73B1～73B6、73C1～73C6、73D1～73D6进行说明时，有时将第一挡板73A1～73A6、73B1～73B6、73C1～73C6、73D1～73D6记载为“第一挡板73”。
如图10所示，基板处理装置100具备共用排气管81A、82A、83A、81B、82B、83B。
第一单独排气管41A、41B与共用排气管81A连接。因此，从多个处理单元1A向第一单独排气管41A排出的气体经由第一单独排气管41A流入到共用排气管81A。另外，从多个处理单元1B向第一单独排气管41B排出的气体经由第一单独排气管41B流入到共用排气管81A。
第二单独排气管42A、42B与共用排气管82A连接。因此，从多个处理单元1A向第二单独排气管42A排出的气体经由第二单独排气管42A流入到共用排气管82A。另外，从多个处理单元1B向第二单独排气管42B排出的气体经由第二单独排气管42B流入到共用排气管82A。
第三单独排气管43A、43B与共用排气管83A连接。因此，从多个处理单元1A向第三单独排气管43A排出的气体经由第三单独排气管43A流入到共用排气管83A。另外，从多个处理单元1B向第三单独排气管43B排出的气体经由第三单独排气管43B流入到共用排气管83A。
第一单独排气管41C、41D与共用排气管81B连接。因此，从多个处理单元1C向第一单独排气管41C排出的气体经由第一单独排气管41C流入到共用排气管81B。另外，从多个处理单元1D向第一单独排气管41D排出的气体经由第一单独排气管41D流入到共用排气管81B。
第二单独排气管42C、42D与共用排气管82B连接。因此，从多个处理单元1C向第二单独排气管42C排出的气体经由第二单独排气管42C流入到共用排气管82B。另外，从多个处理单元1D向第二单独排气管42D排出的气体经由第二单独排气管42D流入到共用排气管82B。
第三单独排气管43C、43D与共用排气管83B连接。因此，从多个处理单元1C向第三单独排气管43C排出的气体经由第三单独排气管43C流入到共用排气管83B。另外，从多个处理单元1D向第三单独排气管43D排出的气体经由第三单独排气管43D流入到共用排气管83B。
以下，在无需区分共用排气管81A、81B进行说明时，有时将共用排气管81A、81B记载为“共用排气管81”。在无需区分共用排气管82A、82B进行说明时，有时将共用排气管82A、82B记载为“共用排气管82”。在无需区分共用排气管83A、83B进行说明时，有时将共用排气管83A、83B记载为“共用排气管83”。
如图10所示，基板处理装置100具备第二压力传感器84A、85A、86A、84B、85B、86B和第二挡板87A、88A、89A、87B、88B、89B。第二挡板87A、88A、89A、87B、88B、89B是第二压力调节机构的一例。
第二压力传感器84A、85A、86A、84B、85B、86B分别对应于共用排气管81A、82A、83A、81B、82B、83B。同样地，第二挡板87A、88A、89A、87B、88B、89B分别对应于共用排气管81A、82A、83A、81B、82B、83B。
第二压力传感器84A测定共用排气管81A内部的气体的压力。换言之，测定共用排气管81A的排气压。同样地，第二压力传感器85A、86A、84B、85B、86B分别测定共用排气管82A、83A、81B、82B、83B内部的气体的压力(排气压)。
第二挡板87A对共用排气管81A内部的气体的压力进行调节。具体而言，通过调节第二挡板87A的开度，来调节共用排气管81A内部的气体的压力。例如，第二挡板87A配置在共用排气管81A的入口附近。同样地，第二挡板88A、89A、87B、88B、89B分别调节共用排气管82A、83A、81B、82B、83B内部的气体的压力。
第二挡板87A的开度由控制装置101控制。具体而言，控制装置101基于第二压力传感器84A测量出的值来调节第二挡板87A的开度。详细而言，调节第二挡板87A的开度以使第二压力传感器84A测量的值成为既定值。同样地，控制装置101基于第二压力传感器85A、86A、84B、85B、86B计测的值来控制第二挡板88A、89A、87B、88B、89B各自的开度。
以下，在无需区分第二压力传感器84A、84B进行说明时，有时将第二压力传感器84A、84B记载为“第二压力传感器84”。同样地，在无需区分第二压力传感器85A、85B进行说明时，有时将第二压力传感器85A、85B记载为“第二压力传感器85”。在无需区分第二压力传感器86A、86B进行说明时，有时将第二压力传感器86A、86B记载为“第二压力传感器86”。
另外，在无需区分第二挡板87A、87B进行说明时，有时将第二挡板87A、87B记载为“第二挡板87”。同样地，在无需区分第二挡板88A、88B进行说明时，有时将第二挡板88A、88B记载为“第二挡板88”。在无需区分第二挡板89A、89B进行说明时，有时将第二挡板89A、89B记载为“第二挡板89”。
接着，参照图11进一步说明共用排气管81～83。图11是基板处理装置100的俯视图。
共用排气管81A、82A、83A分别具有前端81Af、82Af、83Af。共用排气管81B、82B、83B分别具有前端81Bf、82Bf、83Bf。
前端81Af、82Af、83Af、81Bf、82Bf、83Bf分别相当于共用排气管81A、82A、83A、81B、82B、83B的上游端。
以下，在无需区分前端81Af、81Bf进行说明时，有时将前端81Af、81Bf记载为“前端81f”。同样地，在无需区分前端82Af、82Bf进行说明时，有时将前端82Af、82Bf记载为“前端82f”。在无需区分前端83Af、83Bf进行说明时，有时将前端83Af、83Bf记载为“前端83f”。
共用排气管81的下游端与第一工厂配管连接。第一工厂配管被减压至大致固定的压力。详细而言，共用排气管81的下游端经由第一工厂配管与第一排气处理设备连接。第一排气处理设备从共用排气管81回收气体。第一排气处理设备例如设置于设置有基板处理装置100的工厂。同样地，共用排气管82的下游端经由第二工厂配管与第二排气处理设备连接。共用排气管83的下游端经由第三工厂配管与第三排气处理设备连接。
如图11所示，第一单独排气管41B在比第一单独排气管41A靠下游侧与共用排气管81A连接。第二压力传感器84A设置在比第一单独排气管41B与共用排气管81A的连接位置靠下游侧。第二单独排气管42B在比第二单独排气管42A靠下游侧与共用排气管82A连接。第二压力传感器85A配置在比第二单独排气管42B与共用排气管82A的连接位置靠下游侧。第三单独排气管43B在比第三单独排气管43A靠下游侧与共用排气管83A连接。第二压力传感器86A配置在比第三单独排气管43B与共用排气管83A的连接位置靠下游侧。
另外，第一单独排气管41D在比第一单独排气管41C靠下游侧与共用排气管81B连接。第二压力传感器84B设置在比第一单独排气管41D与共用排气管81B的连接位置靠下游侧。第二单独排气管42D在比第二单独排气管42C靠下游侧与共用排气管82B连接。第二压力传感器85B配置在比第二单独排气管42D与共用排气管82B的连接位置靠下游侧。第三单独排气管43D在比第三单独排气管43C靠下游侧与共用排气管83B连接。第二压力传感器86B配置在比第三单独排气管43D与共用排气管83B的连接位置靠下游侧。
前端81f～83f向基板处理装置100的外部开放。例如，前端81f～83f向设置有基板处理装置100的洁净室开放。基板处理装置100的外部气体从前端81f～83f流入到共用排气管81～83。从前端81f～83f流入到共用排气管81～83的气体在共用排气管81～83中流通。另外，有时流入到第一单独排气管41、第二单独排气管42和第三单独排气管43中的任一个。
第二挡板87A配置在比第一单独排气管41A与共用排气管81A的连接位置靠上游侧。例如，第二挡板87A配置在前端81Af附近。同样地，第二挡板88A配置在比第二单独排气管42A与共用排气管82A的连接位置靠上游侧。第二挡板89A配置在比第三单独排气管43A与共用排气管83A的连接位置靠上游侧。
第二挡板87B配置在比第一单独排气管41C与共用排气管81B的连接位置靠上游。例如，第二挡板87B配置在前端81Bf附近。同样地，第二挡板88B配置在比第二单独排气管42C与共用排气管82B的连接位置靠上游。第二挡板89B配置在比第三单独排气管43C与共用排气管83B的连接位置靠上游侧。
共用排气管81A内部的压力因从第一单独排气管41A流入到共用排气管81A的气体流量的变动和从第一单独排气管41B流入到共用排气管81A的气体流量的变动而变动。控制装置101基于第二压力传感器84A测量出的值，控制第二挡板87A的开度，以使共用排气管81A内部的压力成为既定值。同样地，控制装置101调节第二挡板88A、89A、87B、88B、89B的开度。
以上，参照图2～图11对基板处理装置100的结构进行了说明。另外，参照图1说明的基板处理装置100L具有与参照图2～图11的基板处理装置100大致相同的结构，因此省略其说明。
接着，参照图1～图12进一步说明基板处理装置100。图12是表示基板处理装置100的框图。如图12所示，控制装置101包括控制部102和存储部103。另外，基板处理装置100还具备显示部104、输入部105以及通信部106。
控制部102具有处理器。控制部102例如具有CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)或MPU(Micro Processing Unit：微处理单元)。或者，控制部102也可以具有通用运算器。
存储部103存储控制程序PG1和数据。控制程序PG1是计算机程序。数据包含制程数据RP。制程数据RP包含表示多个制程的信息。多个制程分别规定基板W的处理内容以及处理顺序等。
存储部103具有主存储装置。主存储装置例如是半导体存储器。存储部103还可以具有辅助存储装置。辅助存储装置例如包括半导体存储器和硬盘驱动器中的至少一方。存储部103也可以包括可移除介质。控制部102基于存储在存储部103中的控制程序PG1和数据，控制基板处理装置100各部的动作。
在本实施方式中，存储部103还存储位置信息MPD、距离信息MLD、已学习模型LM和挡板开度调节信息PA。位置信息MPD和距离信息MLD是参照图1说明的装置信息MD的一部分。
位置信息MPD表示基板处理装置100中的多个处理单元1各自的位置。位置信息MPD也可以表示基板处理装置100中的多个处理单元1各自的坐标。距离信息MLD表示基板处理装置100中的各排气路径距离。各排气路径距离包括从处理单元1A、1B排出的气体从共用排气管81A～83A的下游端排出为止的各自的距离和从处理单元1C、1D排出的气体从共用排气管81B～83B的下游端排出为止的各自的距离。
在处理单元1A、1B中，排气路径距离按每个处理单元1而不同。同样地，在处理单元1C、1D中，排气路径距离按每个处理单元1而不同。排气路径距离是对共用排气管81～83内部的压力(排气压)造成影响的因素。另外，多个处理单元1各自的位置也是对共用排气管81～83内部的压力(排气压)造成影响的因素。
如参照图1所说明的那样，已学习模型LM基于装置信息MD输出挡板开度调节信息PA。具体而言，当控制部102将装置信息MD输入到已学习模型LM时，从已学习模型LM输出挡板开度调节信息PA。
挡板开度调节信息PA是处理时压力调节信息的一例。挡板开度调节信息PA是规定第一挡板73的动作和第二挡板87、88、89的动作的信息。详细而言，挡板开度调节信息PA是沿着时间序列表示第一挡板73的开度和第二挡板87、88、89的开度的时间序列数据。控制部102在处理对象基板Wp的处理时，基于挡板开度调节信息PA，对第一挡板73的动作(第一挡板73的开度)和第二挡板87、88、89的动作(第二挡板87、88、89的开度)进行控制。
显示部104显示各种画面、各种信息。显示部104例如是液晶显示器、有机EL显示器。显示部104例如也可以显示制程数据RP的设定画面、位置信息MPD的设定画面和距离信息MLD的设定画面。
输入部105接受来自作业者的输入，向控制部102输出各种信息。例如，输入部105也可以接受制程数据RP、位置信息MPD和距离信息MLD的输入。输入部105例如包括触摸面板和指示设备。触摸面板例如配置在显示部104的显示面。输入部105和显示部104例如构成图形用户界面。
通信部106与网络连接，与外部装置进行通信。网络例如包括因特网、LAN(LocalArea Network：局域网)、公共电话网和近距离无线网络。通信部106是通信机，例如是网络接口控制器。在本实施方式中，通信部106在与学习装置500之间执行通信。通信部106从学习装置500接收已学习模型LM。控制部102将通信部106接收到的已学习模型LM存储于存储部103。
接着，参照图12和图13，对取得挡板开度调节信息PA的处理进行说明。图13是表示取得挡板开度调节信息PA的处理的流程图。取得挡板开度调节信息PA的处理由控制部102执行。通过输入部105从作业者接受处理对象基板Wp的处理开始指示，而开始图13所示的处理。
控制部102在输入部105从作业者接受了开始处理对象基板Wp的处理的指示时，取得装置信息MD(步骤S1)。控制部102在取得装置信息MD时，向已学习模型LM输入装置信息MD(步骤S2)。其结果，从已学习模型LM输出挡板开度调节信息PA。控制部102取得从已学习模型LM输出的挡板开度调节信息PA(步骤S3)。其结果，图13所示的处理结束。
接着，参照图14说明装置信息MD。图14是表示装置信息MD的图。如图14所示，装置信息MD包含处理时顺序信息MPR、处理对象片数信息MC、位置信息MPD、距离信息MLD。
处理时顺序信息MPR表示利用处理液对处理对象基板Wp进行处理的顺序。控制部102也可以从制程数据RP取得处理时顺序信息MPR。
处理对象片数信息MC表示对处理对象基板Wp进行处理的片数的单位。如已经说明的那样，挡板开度调节信息PA是时间序列数据，内容根据对处理对象基板Wp进行处理的片数而不同。对处理对象基板Wp进行处理的片数例如以批次为单位进行表示。例如，处理对象片数信息MC表示1批次。在处理对象片数信息MC表示1批次的情况下，挡板开度调节信息PA按照时间序列表示对构成1批次的多片处理对象基板Wp进行处理时的第一挡板73的开度和第二挡板87、88、89的开度。控制部102也可以从制程数据RP取得处理对象片数信息MC。
如参照图12说明的那样，将位置信息MPD和距离信息MLD存储在存储部103中。控制部102从存储部103取得位置信息MPD和距离信息MLD。
接着，参照图15说明处理时顺序信息MPR。图15是表示处理时顺序信息MPR的一例的图。图15表示对处理对象基板Wp进行处理的顺序的一例。如图15所示，处理对象基板Wp也可以利用第一处理液和第二处理液进行药液处理。
接着，参照图16，对基板处理装置100的动作的一例进行说明。图16是表示基板处理装置100的动作的一例的图。详细而言，图16表示对1片处理对象基板Wp进行处理时的基板处理装置100的动作。另外，在处理处理对象基板Wp之前，通过参照图13说明的处理，在存储部103中存储有挡板开度调节信息PA。
如图16所示，在步骤S11中，将处理对象基板Wp搬入到处理单元1。搬入的处理对象基板Wp由基板保持部31保持。具体而言，通过搬送机构153将处理对象基板Wp搬入到处理单元1。
在步骤S12中，向处理对象基板Wp供给第一处理液。具体而言，从第一喷嘴33向处理对象基板Wp的上表面喷出第一处理液。此时，从处理单元1排出的气体经由第一单独排气管41向共用排气管81排出。另外，控制部102参照挡板开度调节信息PA对第一挡板73的开度和第二挡板87、88、89的开度进行调节。
在基于第一处理液的处理结束后，在步骤S13中，向处理对象基板Wp供给冲洗液。具体而言，从第四喷嘴36向处理对象基板Wp的上表面喷出冲洗液。其结果，从处理对象基板Wp去除第一处理液。详细而言，第一处理液的液膜被置换为冲洗液的液膜。此时，从处理单元1排出的气体经由第一单独排气管41向共用排气管81排出。另外，控制部102参照挡板开度调节信息PA对第一挡板73的开度和第二挡板87、88、89的开度进行调节。
在冲洗处理后，在步骤S14中，向处理对象基板Wp供给第二处理液。具体而言，从第二喷嘴34向处理对象基板Wp的上表面喷出第二处理液。此时，从处理单元1排出的气体经由第二单独排气管42向共用排气管82排出。另外，控制部102参照挡板开度调节信息PA对第一挡板73的开度和第二挡板87、88、89的开度进行调节。
在基于第二处理液的处理结束后，在步骤S15中，向处理对象基板Wp供给冲洗液。其结果，从处理对象基板Wp去除第二处理液。此时，从处理单元1排出的气体经由第二单独排气管42向共用排气管82排出。另外，控制部102参照挡板开度调节信息PA对第一挡板73的开度和第二挡板87、88、89的开度进行调节。
在冲洗处理后，在步骤S16中，向处理对象基板Wp供给第三处理液。具体而言，从第三喷嘴35向处理对象基板Wp的上表面喷出第三处理液。其结果，从处理对象基板Wp去除冲洗液。详细而言，冲洗液的液膜被置换为第三处理液的液膜。此时，从处理单元1排出的气体经由第三单独排气管43向共用排气管83排出。另外，控制部102参照挡板开度调节信息PA对第一挡板73的开度和第二挡板87、88、89的开度进行调节。
在将冲洗液置换为第三处理液后，在步骤S17中，控制部102控制旋转驱动部32，使处理对象基板Wp干燥。此时，从处理单元1排出的气体经由第三单独排气管43向共用排气管83排出。另外，控制部102参照挡板开度调节信息PA对第一挡板73的开度和第二挡板87、88、89的开度进行调节。
具体而言，控制部102使处理对象基板Wp的旋转速度增大，对处理对象基板Wp上的第三处理液赋予较大的离心力。其结果，附着于处理对象基板Wp的第三处理液被甩向处理对象基板Wp的周围。这样，从处理对象基板Wp去除第三处理液，使处理对象基板Wp干燥。
另外，控制部102例如在从开始处理对象基板Wp的高速旋转起经过了既定时间之后，使基于旋转驱动部32的处理对象基板Wp的旋转停止。
在处理对象基板Wp的干燥处理结束之后，在步骤S18中，从处理单元1搬出处理对象基板Wp，结束图16所示的处理。具体而言，通过搬送机构153从处理单元1搬出处理对象基板Wp。此外，反复进行图16所示的处理，直到处理完处理对象片数信息MC所规定的片数的处理对象基板Wp为止。
以上，参照图1～图16对本实施方式的基板处理装置100进行了说明。根据本实施方式，能够参照挡板开度调节信息PA来调节第一挡板73的开度和第二挡板87、88、89的开度。因此，与仅基于第一压力传感器71的测量值和第二压力传感器84、85、86的测量值来调节第一挡板73的开度和第二挡板87、88、89的开度的情况相比，能够更适当地调节各处理单元1的排气压。
详细而言，在仅基于第一压力传感器71的测量值来调节第一挡板73的开度的情况下，在检测到第一压力传感器71的测量值的变动起到实际调节第一挡板73的开度为止的期间，产生些许延迟。因此，产生处理单元1的排气压不适当的时间段。与此相对，根据本实施方式，能够参照挡板开度调节信息PA来调节第一挡板73的开度。因此，能够不基于第一压力传感器71的测量值调节第一挡板73的开度。其结果，能够在比检测到第一压力传感器71的测量值的变动之后调节第一挡板73的开度的情况更早的定时调节第一挡板73的开度。因此，能够更适当地调节各处理单元1的排气压。
在仅基于第二压力传感器84、85、86的测量值来调节第二挡板87、88、89的开度的情况下也同样如此，在检测到第二压力传感器84、85、86的测量值的变动起到实际调节第二挡板87、88、89的开度为止的期间，产生些许延迟。因此，产生共用排气管81～83内部的压力(排气压)不适当的时间段。由于各处理单元1的排气压受到共用排气管81～83内部的压力的影响，因此产生共用排气管81～83内部的压力不适当的时间段，由此产生各处理单元1的排气压不适当的时间段。与此相对，根据本实施方式，能够参照挡板开度调节信息PA来调节第二挡板87、88、89的开度。因此，能够在比检测到第二压力传感器84、85、86的测量值的变动之后调节第二挡板87、88、89的开度的情况更早的定时调节第二挡板87、88、89的开度。因此，能够更适当地调节各处理单元1的排气压。
接着，参照图17对基板处理装置100L进行说明。图17是表示基板处理装置100L的框图。如图17所示，与参照图12说明的基板处理装置100相比，基板处理装置100L还具备多个第一挡板开度传感器107、多个第二挡板开度传感器108、多个温度传感器109、多个第一浓度传感器110、多个第二浓度传感器111、多个第三浓度传感器112、多个风量传感器113。
多个第一挡板开度传感器107测量多个第一挡板73的开度。根据多个第一挡板开度传感器107的测量值，生成表示学习对象基板WL的处理时的各第一挡板73的动作的信息(学习时压力调节信息)。
多个第二挡板开度传感器108测量第二挡板87、88、89的开度。根据多个第二挡板开度传感器108的测量值，生成表示学习对象基板WL的处理时的各第二挡板87、88、89的动作的信息(学习时压力调节信息)。
对每个处理单元1设置温度传感器109。温度传感器109测量处理壳体2内部的温度。根据温度传感器109的测量值，生成表示处理单元1内部的温度的温度信息。
对每个处理单元1设置第一浓度传感器110。第一浓度传感器110配置于参照图7说明的第一处理液供给配管333，测量第一处理液的浓度。根据第一浓度传感器110的测量值，生成表示第一处理液的浓度的浓度信息。
对每个处理单元1设置第二浓度传感器111。第二浓度传感器111配置于参照图7说明的第二处理液供给配管343，测量第二处理液的浓度。根据第二浓度传感器111的测量值，生成表示第二处理液的浓度的浓度信息。
对每个处理单元1设置第三浓度传感器112。第三浓度传感器112配置于参照图7说明的第三处理液供给配管353，测量第三处理液的浓度。根据第三浓度传感器112的测量值，生成表示第三处理液的浓度的浓度信息。
对每个处理单元1设置风量传感器113。风量传感器113配置于参照图7说明的供气配管39，测量在供气配管39中流通的气体的流量。根据风量传感器113的测量值，生成表示从吹出单元38吹出至处理单元1(处理壳体2)的内部的气体的流量的流量信息。
另外，与基板处理装置100L同样地，基板处理装置100还可以具备多个第一挡板开度传感器107、多个第二挡板开度传感器108、多个温度传感器109、多个第一浓度传感器110、多个第二浓度传感器111、多个第三浓度传感器112和多个风量传感器113。
如图17所示，在基板处理装置100L中，存储部103存储控制程序PG2、多个测试制程数据TRP、多个时间序列数据TR、位置信息TPD和距离信息TLD。
控制程序PG2是计算机程序。控制部102基于存储在存储部103中的控制程序PG2和数据，控制基板处理装置100L各部的动作。
测试制程数据TRP包含表示多个制程的信息。多个制程分别规定学习对象基板WL的处理内容和处理顺序等。多个测试制程数据TRP包含互不相同的内容。
控制部102从多个第一挡板开度传感器107、多个第二挡板开度传感器108、多个温度传感器109、多个第一浓度传感器110、多个第二浓度传感器111、多个第三浓度传感器112和多个风量传感器113取得测量值来生成多个时间序列数据TR。
例如，控制部102使用第一浓度传感器110的测定值，生成表示第一处理液的浓度的沿着时间序列的变化的数据(时间序列数据)。第一处理液的浓度的时间序列数据是表示第一处理液的浓度的浓度信息的一例。例如，控制部102在构成1批次的多片学习对象基板WL的处理时，按照时间序列排列由第一浓度传感器110测定出的测定值，生成第一处理液的浓度的时间序列数据。对每个第一浓度传感器110生成第一处理液的浓度的时间序列数据。
多个时间序列数据TR包含表示多个第一挡板73各自的动作的多个第一挡板时间序列数据。详细而言，各第一挡板时间序列数据表示各第一挡板73的开度沿着时间序列的变化。控制部102基于第一挡板开度传感器107的测量值来生成第一挡板时间序列数据。对每个第一挡板开度传感器107生成第一挡板时间序列数据。多个第一挡板时间序列数据是学习时压力调节信息的一部分。
另外，多个时间序列数据TR包含表示第二挡板87、88、89各自的动作的多个第二挡板时间序列数据。详细而言，多个第二挡板时间序列数据表示第二挡板87、88、89各自的开度沿着时间序列的变化。控制部102基于第二挡板开度传感器108的测量值来生成第二挡板时间序列数据。对每个第二挡板开度传感器108生成第二挡板时间序列数据。多个第二挡板时间序列数据是学习时压力调节信息的一部分。
位置信息TPD表示基板处理装置100L中的多个处理单元1各自的位置。位置信息TPD可以表示基板处理装置100L中的多个处理单元1各自的坐标。距离信息TLD表示基板处理装置100L中的各排气路径距离。
接着，参照图18对测试制程数据TRP进行说明。图18是表示测试制程数据TRP的图。如图18所示，测试制程数据TRP包括学习时顺序信息TPR、学习对象片数信息TC、第一挡板开度设定信息DS1和第二挡板开度设定信息DS2。
学习时顺序信息TPR表示通过处理液对学习对象基板WL进行处理的顺序即学习时处理顺序。与参照图14说明的处理对象片数信息MC同样地，学习对象片数信息TC表示对学习对象基板WL进行处理的片数的单位。例如，学习对象片数信息TC表示1批次。
第一挡板开度设定信息DS1表示各第一挡板73的开度的设定值。例如，第一挡板开度设定信息DS1也可以表示沿着以处理液处理学习对象基板WL的顺序变化的各第一挡板73的开度的设定值。
第二挡板开度设定信息DS2表示第二挡板87、88、89的开度的设定值。例如，第二挡板开度设定信息DS2也可以表示沿着以处理液处理学习对象基板WL的顺序变化的第二挡板87、88、89的开度的设定值。
第一挡板开度设定信息DS1和第二挡板开度设定信息DS2表示学习对象基板WL的处理时的第一挡板73的开度和第二挡板87、88、89的开度。在沿着学习时处理顺序对学习对象基板WL进行处理时，将第一挡板73的开度和第二挡板87、88、89的开度控制为第一挡板开度设定信息DS1和第二挡板开度设定信息DS2中设定的开度。
如已经说明的那样，学习时顺序信息TPR包含互不相同的内容。例如，在学习时顺序信息TPR和学习对象片数信息TC相同的学习时顺序信息TPR之间，第一挡板开度设定信息DS1和第二挡板开度设定信息DS2中的至少一方不同。
接着，参照图19，说明学习时顺序信息TPR。图19是表示学习时顺序信息TPR的一例的图。图19表示对学习对象基板WL进行处理的顺序的一例。如图19所示，测试制程数据TRP也可以表示利用第一处理液和第二处理液对学习对象基板WL进行药液处理的顺序。
接着，参照图16，对基板处理装置100L的动作的一例进行说明。首先，在步骤S11中，将学习对象基板WL搬入到处理单元1。接着，在步骤S12中，向学习对象基板WL供给第一处理液。此时，从处理单元1排出的气体经由第一单独排气管41向共用排气管81排出。另外，控制部102基于第一挡板开度设定信息DS1和第二挡板开度设定信息DS2来控制第一挡板73的开度和第二挡板87、88、89的开度。
在基于第一处理液的处理结束后，在步骤S13中，向学习对象基板WL供给冲洗液。此时，从处理单元1排出的气体经由第一单独排气管41向共用排气管81排出。另外，控制部102基于第一挡板开度设定信息DS1和第二挡板开度设定信息DS2来控制第一挡板73的开度和第二挡板87、88、89的开度。
在冲洗处理后，在步骤S14中，向学习对象基板WL供给第二处理液。此时，从处理单元1排出的气体经由第二单独排气管42向共用排气管82排出。另外，控制部102基于第一挡板开度设定信息DS1和第二挡板开度设定信息DS2来控制第一挡板73的开度和第二挡板87、88、89的开度。
在基于第二处理液的处理结束后，在步骤S15中，向学习对象基板WL供给冲洗液。此时，从处理单元1排出的气体经由第二单独排气管42向共用排气管82排出。另外，控制部102基于第一挡板开度设定信息DS1和第二挡板开度设定信息DS2来控制第一挡板73的开度和第二挡板87、88、89的开度。
在冲洗处理后，在步骤S16中，向学习对象基板WL供给第三处理液。其结果，冲洗液的液膜被置换为第三处理液的液膜。此时，从处理单元1排出的气体经由第三单独排气管43向共用排气管83排出。另外，控制部102基于第一挡板开度设定信息DS1和第二挡板开度设定信息DS2来控制第一挡板73的开度和第二挡板87、88、89的开度。
将冲洗液置换为第三处理液后，在步骤S17中，控制部102控制旋转驱动部32，使学习对象基板WL干燥。此时，从处理单元1排出的气体经由第三单独排气管43向共用排气管83排出。另外，控制部102基于第一挡板开度设定信息DS1和第二挡板开度设定信息DS2来控制第一挡板73的开度和第二挡板87、88、89的开度。
在学习对象基板WL的干燥处理结束之后，在步骤S18中，从处理单元1搬出学习对象基板WL，结束图16所示的处理。此外，反复进行图16所示的处理，直到处理完由学习对象片数信息TC规定的片数的学习对象基板WL为止。
接着，参照图20说明学习用数据生成装置400。图20是表示学习用数据生成装置400的框图。如图20所示，学习用数据生成装置400具备控制装置401。控制装置401包括控制部402和存储部403。
控制部402具有处理器。控制部402例如具有CPU或MPU。或者，控制部402也可以具有通用运算器。存储部403存储控制程序PG3和数据。控制程序PG3是计算机程序。存储部403具有主存储装置。存储部403还可以具有辅助存储装置。存储部403也可以包括可移除介质。控制部402基于存储于存储部403的控制程序PG3和数据，执行各种处理。
具体而言，控制部402使从基板处理装置100L取得的学习对象信息LTD存储于存储部403。另外，控制部402使存储部403存储从检查装置300取得的处理结果信息RS。然后，将学习对象信息LTD与处理结果信息RS关联起来生成学习用数据LFD。此外，如参照图1所说明的那样，在控制部402中，与学习对象信息LTD一起输入基板信息。另外，在控制部402中，与处理结果信息RS一起输入基板信息。
如图20所示，学习对象信息LTD包括学习时顺序信息TPR、学习对象片数信息TC、多个时间序列数据TR、位置信息TPD和距离信息TLD。
如图20所示，学习用数据生成装置400还包括显示部404、输入部405和通信部406。
显示部404显示各种画面、各种信息。显示部404例如是液晶显示器或有机EL显示器。显示部404也可以显示用于向控制部402输入各种数据的输入画面。
输入部405接受来自作业者的输入，向控制部402输出各种信息。输入部405例如包括触摸面板和指示设备。输入部405也可以接受生成学习用数据LFD的指示输入。
通信部406与网络连接，与外部装置进行通信。通信部406是通信机，例如是网络接口控制器。在本实施方式中，通信部406在与基板处理装置100L和检查装置300之间执行通信。
通信部406从基板处理装置100L接收学习对象信息LTD和基板信息。控制部402将通信部406接收到的学习对象信息LTD和基板信息存储于存储部403。另外，通信部406从检查装置300接收处理结果信息RS和基板信息。控制部402将通信部406接收到的处理结果信息RS和基板信息存储于存储部403。
接着，参照图20和图21，对本实施方式的学习用数据生成方法进行说明。图21是本实施方式的学习用数据生成方法的流程图。学习用数据LFD的生成在学习用数据生成装置400中进行。
如图21所示，在步骤S111中，学习用数据生成装置400(控制部402)取得学习对象信息LTD。典型地，学习用数据生成装置400(控制部402)从基板处理装置100L取得学习对象信息LTD。存储部403存储所取得的学习对象信息LTD。详细而言，学习用数据生成装置400(控制部402)与学习对象信息LTD一起取得基板信息。
在步骤S112中，学习用数据生成装置400(控制部402)取得处理结果信息RS。典型地，学习用数据生成装置400(控制部402)从检查装置300取得处理结果信息RS。存储部403存储所取得的处理结果信息RS。详细而言，学习用数据生成装置400(控制部402)与处理结果信息RS一起取得基板信息。
在步骤S113中，学习用数据生成装置400(控制部402)将学习对象信息LTD与处理结果信息RS关联起来生成学习用数据LFD。详细而言，学习用数据生成装置400(控制部402)使用基板信息将学习对象信息LTD与处理结果信息RS关联起来。在存储部403中存储有多个学习用数据LFD。例如，对每1批次存储学习用数据LFD。
此外，学习用数据生成装置400也可以可通信地与多个基板处理装置100L连接。
接着，参照图22对学习装置500进行说明。图22是表示学习装置500的框图。如图22所示，学习装置500具备控制装置501。控制装置501包括控制部502和存储部503。控制部502是学习部的一例。
控制部502具有处理器。控制部502例如具有CPU或MPU。或者，控制部502也可以具有通用运算器。控制部502还可以具有NCU(Neural Network Processing Unit：神经网络处理单元)。
存储部503存储控制程序PG4和数据。控制程序PG4是计算机程序。存储部503具有主存储装置。存储部503还可以具有辅助存储装置。存储部503可以包括可移除介质。控制部502基于存储在存储部503中的控制程序PG4和数据，执行各种处理。
存储部503还存储学习程序LPG。控制部502将从学习用数据生成装置400取得的多个学习用数据LFD存储于存储部503。
学习程序LPG是用于从多个学习用数据LFD中找出固定的规则，并执行用于生成表现所发现的规则的已学习模型LM的机器学习算法的程序。通过控制部502执行学习程序LPG，机器学习多个学习用数据LFD，调节推论程序的参数。其结果，生成已学习模型LM。
机器学习算法只要是监督学习，就没有特别限定，例如是决策树、最近邻法、单纯贝叶斯分类器、支持向量机或神经网络。因此，已学习模型LM包含决策树、最近邻方法、单纯贝叶斯分类器、支持向量机或神经网络。在生成已学习模型LM的机器学习中，也可以利用误差反向传播法。
例如，神经网络包括输入层、单个或多个中间层和输出层。具体而言，神经网络是深度神经网络(DNN：Deep Neural Network)、循环神经网络(RNN：Recurrent NeuralNetwork)或者卷积神经网络(CNN：Convolutter Neural Network)，进行深度学习。例如，深度神经网络包括输入层、多个中间层和输出层。
如图22所示，学习装置500还包括显示部504、输入部505和通信部506。
显示部504显示各种画面、各种信息。显示部504例如是液晶显示器或有机EL显示器。显示部504也可以显示用于向控制部502输入各种数据的输入画面。
输入部505接受来自作业者的输入，向控制部502输出各种信息。输入部505例如包括触摸面板和指示设备。输入部505也可以接受生成已学习模型LM的指示的输入。
通信部506与网络连接，与外部装置进行通信。通信部506是通信机，例如是网络接口控制器。在本实施方式中，通信部506在与学习用数据生成装置400之间执行通信。另外，如参照图12所说明的那样，通信部506在与基板处理装置100之间执行通信。
通信部506从学习用数据生成装置400接收多个学习用数据LFD。控制部502将通信部506接收到的多个学习用数据LFD存储于存储部503。另外，通信部506向基板处理装置100发送已学习模型LM。
接着，参照图22和图23，对本实施方式的学习方法和已学习模型的生成方法进行说明。图23是本实施方式的学习方法和已学习模型的生成方法的流程图。学习用数据LFD的学习和已学习模型LM的生成在学习装置500中进行。
如图23所示，在步骤S121中，控制部502从存储部503取得多个学习用数据LFD。
接着，在步骤S122中，控制部502基于学习程序LPG对多个学习用数据LFD进行机器学习。
接着，在步骤S123中，控制部502判定多个学习用数据LFD的机器学习是否结束。根据预先决定的条件来决定是否结束机器学习。例如，在机器学习既定数以上的学习用数据LFD时结束机器学习。
在机器学习未结束的情况下(步骤S123中为“否”)，处理返回到步骤S121。在该情况下，反复进行机器学习。另一方面，在机器学习已结束的情况下(步骤S123中为“是”)，处理进入步骤S124。
在步骤S124中，控制部502将应用了多个已学习参数(系数)的模型(1个以上的函数)作为已学习模型LM而输出。存储部503存储已学习模型LM。其结果，学习方法结束，生成已学习模型LM。
此外，学习装置500也可以可通信地与多个学习用数据生成装置400连接。
以上，参照图17～图23，对生成已学习模型LM的处理进行了说明。根据本实施方式，将处理结果信息RS与学习对象信息LTD关联起来生成学习用数据LFD。学习对象信息LTD包括学习时顺序信息TPR、学习对象片数信息TC、第一挡板开度设定信息DS1和第二挡板开度设定信息DS2。如参照图1说明的那样，处理结果信息RS表示在处理后基板WLa上产生的颗粒的数量。或者，处理结果信息RS表示判定颗粒的数量是否超过规定值的结果。因此，通过参照从已学习模型LM输出的挡板开度调节信息PA来调节第一挡板73的开度和第二挡板87、88、89的开度，能够抑制颗粒数量。
另外，根据本实施方式，能够根据处理对象基板Wp的处理所使用的处理液的种类、处理处理对象基板Wp的顺序，变更处理单元1的排气压。因此，与将处理单元1的排气压控制为固定值的结构相比，能够抑制颗粒数量。例如，在第一处理液为SPM的情况下，有时产生烟雾而颗粒数量增加。与此相对，根据本实施方式，在第一处理液为SPM的情况下，能够增大处理单元1的排气压来抑制烟雾的产生。
另外，在本实施方式中，基板处理装置100的存储部103存储有已学习模型LM，但基板处理装置100的存储部103也可以不存储已学习模型LM。在该情况下，基板处理装置100也可以将装置信息MD发送给学习装置500，从学习装置500取得挡板开度调节信息PA。
另外，在本实施方式中，学习用数据生成装置400生成了学习用数据LFD，但基板处理装置100L也可以生成学习用数据LFD，学习装置500也可以生成学习用数据LFD。
另外，在本实施方式中，学习装置500生成了已学习模型LM，但基板处理装置100L也可以生成已学习模型LM，学习用数据生成装置400也可以生成已学习模型LM。
另外，在本实施方式中，学习对象信息LTD包括表示第一处理液～第三处理液各自的浓度的时间序列数据(浓度信息)、表示处理单元1的内部温度的时间序列数据(温度信息)、表示从吹出单元38吹出到处理单元1(处理壳体2)的内部的气体流量的时间序列数据(流量信息)、位置信息TPD、距离信息TLD，但学习对象信息LTD可以包含浓度信息、温度信息、流量信息、位置信息TPD、距离信息TLD中的一部分，也可以不包含这些信息。
以上，参照附图(图1～图23)对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明不限于上述的实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够以各种方式实施。另外，上述的实施方式所公开的多个构成要素能够适当地改变。例如，可以将某实施方式所示的全部构成要素中的某构成要素追加到其他实施方式的构成要素中，或者也可以将某实施方式所示的全部构成要素中的几个构成要素从实施方式中删除。
为了容易理解发明，附图以各自的构成要素为主体示意性地表示，图示的各构成要素的厚度、长度、个数、间隔等有时根据附图制作的方便而与实际不同。另外，上述的实施方式所示的各构成要素的结构是一个例子，没有特别限定，当然能够在实质上不脱离本发明的效果的范围内进行各种变更。
例如，在参照图1～图23说明的实施方式中，设置有多个处理单元1A、多个处理单元1B、多个处理单元1C、多个处理单元1D，但也可以设置多个处理单元1A、多个处理单元1B、多个处理单元1C、多个处理单元1D中的1个、2个或3个。或者，除了多个处理单元1A、多个处理单元1B、多个处理单元1C、多个处理单元1D外，还设置在上下方向上层叠的其他多个处理单元1。
另外，在参照图1～图23说明的实施方式中，设置有多个处理单元1A、多个处理单元1B、多个处理单元1C和多个处理单元1D，但也可以设置1个处理单元1A、1个处理单元1B、1个处理单元1C和1个处理单元1D，也可以设置1个处理单元1A、1个处理单元1B、1个处理单元1C和1个处理单元1D中的2个或3个处理单元1。
另外，在参照图1～图23说明的实施方式中，处理单元1层叠为6层，但处理单元1也可以层叠成2层、3层、4层或5层。或者，处理单元1也可以层叠为7层以上。
另外，在参照图1～图23说明的实施方式中，处理单元1是能够使用3种处理液处理基板W的结构，但处理单元1也可以是使用1种处理液或者2种处理液处理基板W的结构，也可以是使用4种以上的处理液处理基板W的结构。
另外，在参照图1～图23说明的实施方式中，对1个处理单元1设置有3个单独排气管(第一单独排气管41、第二单独排气管42、第三单独排气管43)，但例如在使用1种处理液来处理基板W的构成的情况下，对1个处理单元1设置1个单独排气管。
另外，在参照图1～图23说明的实施方式中，作为第一压力调节机构使用了挡板(第一挡板73)，但只要能够调节从处理单元1流入到第一单独排气管41～第三单独排气管43的气体的压力，则第一压力调节机构不限定于挡板。例如，作为第一压力调节机构，也可以使用风扇。在该情况下，作为第一压力调节机构的动作，处理时压力调节信息规定风扇的动作。具体而言，规定风扇的转速。另外，作为第一压力调节机构的动作，学习时压力调节信息表示学习对象基板WL的处理时的风扇的转速的时间序列数据。另外，作为第一压力调节机构，也可以使用风扇和挡板。
另外，在参照图1～图23说明的实施方式中，作为第二压力调节机构使用了挡板(第二挡板87、88、89)，但只要能够调节共用排气管(共用排气管81～83)内部的气体的压力，则第二压力调节机构并不限定于挡板。例如，作为第二压力调节机构，也可以使用风扇。在该情况下，作为第二压力调节机构的动作，处理时压力调节信息规定风扇的动作。具体而言，规定风扇的转速。另外，作为第二压力调节机构的动作，学习时压力调节信息表示学习对象基板WL的处理时的风扇的转速的时间序列数据。另外，作为第二压力调节机构，也可以使用风扇和挡板。
另外，在参照图1～图23说明的实施方式中，在切换机构51设置有第一挡板73，但例如如图24所示，第一挡板73也可以设置于排气管(排气管40)。以下，参照图24对本发明的另一实施方式的基板处理装置100进行说明。
图24是本发明的另一实施方式的基板处理装置100的排气路径的系统图。详细而言，图24表示排气路径的一部分。图24所示的基板处理装置100具备多个排气管40、多个切换机构50和多个第一挡板73。
如图24所示，对每个处理单元1设置排气管40、切换机构50和第一挡板73。因此，1根排气管40与处理单元1连接。第一挡板73设置于排气管40。排气管40使从处理单元1排出的气体向切换机构50流通。切换机构50使从排气管40流入的气体流入第一单独排气管41、第二单独排气管42和第三单独排气管43中的任一个。
产业上的可利用性
本发明适合用于基板处理装置、基板处理方法、学习用数据的生成方法、学习方法、学习装置、已学习模型的生成方法以及已学习模型。
符号说明
1：处理单元
41：第一单独排气管
42：第二单独排气管
43：第三单独排气管
51：切换机构
73：第一挡板
81：共用排气管
82：共用排气管
83：共用排气管
87：第二挡板
88：第二挡板
89：第二挡板
100：基板处理装置
102：控制部
103：存储部
500：学习装置
502：控制部
503：存储部
LFD：学习用数据
LM：已学习模型
LTD：学习对象信息
MPR：处理时顺序信息
PA：挡板开度调节信息
RS：处理结果信息
TPR：学习时顺序信息
TR：时间序列数据
W：基板。

Claims (13)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
多个处理单元，其根据处理时顺序信息向处理对象基板供给处理液而对所述处理对象基板进行处理，所述处理时顺序信息表示利用所述处理液对所述处理对象基板进行处理的顺序；
多个单独排气管，其使从多个所述处理单元排出的气体流入；
共用排气管，其使从多个所述单独排气管排出的气体流入；
多个第一压力调节机构，其对从多个所述处理单元流入到多个所述单独排气管的气体的压力进行调节；
第二压力调节机构，其对所述共用排气管的内部的气体的压力进行调节；以及
控制部，其基于所述处理时顺序信息，从已学习模型取得对多个所述第一压力调节机构的动作和所述第二压力调节机构的动作进行规定的处理时压力调节信息，并基于所述处理时压力调节信息对多个所述第一压力调节机构和所述第二压力调节机构进行控制，
所述已学习模型是对将处理结果信息与学习对象信息关联起来的学习用数据进行机器学习而构建的，所述处理结果信息表示利用所述处理液对学习对象基板进行了处理的结果，
所述学习对象信息包括学习时压力调节信息和学习时顺序信息，所述学习时压力调节信息表示处理所述学习对象基板时的多个所述第一压力调节机构的动作和所述第二压力调节机构的动作，所述学习时顺序信息表示利用所述处理液对所述学习对象基板进行处理的顺序。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液包含多种处理液，
从所述处理单元排出的气体包含与多种所述处理液对应的多种气体，
所述共用排气管为多个，多个所述共用排气管对应于多种所述气体，
所述第二压力调节机构为多个，多个所述第二压力调节机构对应于多个所述共用排气管。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
多个所述单独排气管分别包含与多种所述气体对应的多种单独排气管。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置还具备：切换机构，其在多种所述单独排气管之间，对从所对应的所述处理单元排出的气体的流入目的地进行切换。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一压力调节机构设置于所述切换机构。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置还具备存储所述已学习模型的存储部。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述学习对象信息还包括以下信息中的至少一个：浓度信息，其表示所述处理液的浓度；温度信息，其表示多个所述处理单元各自的内部温度；位置信息，其表示多个所述处理单元的位置；以及距离信息，其表示从所述处理单元排出的气体从所述共用排气管的下游端排出为止的距离。
8.一种基板处理方法，在基板处理装置中对处理对象基板进行处理，
所述基板处理装置具备：
多个处理单元，其基于处理时顺序信息向处理对象基板供给处理液而对所述处理对象基板进行处理，所述处理时顺序信息表示利用所述处理液对所述处理对象基板进行处理的顺序；
多个单独排气管，其使从多个所述处理单元排出的气体流入；
共用排气管，其使从多个所述单独排气管排出的气体流入；
多个第一压力调节机构，其对从多个所述处理单元流入到多个所述单独排气管的气体的压力进行调节；
第二压力调节机构，其对所述共用排气管的内部的气体的压力进行调节；以及
控制部，其对多个所述第一压力调节机构和所述第二压力调节机构进行控制，
其特征在于，
所述基板处理方法包括如下步骤：
根据所述处理时顺序信息，从已学习模型取得对多个所述第一压力调节机构的动作和所述第二压力调节机构的动作进行规定的处理时压力调节信息；以及
根据所述处理时压力调节信息对多个所述第一压力调节机构和所述第二压力调节机构进行控制，
所述已学习模型是对将处理结果信息与学习对象信息关联起来的学习用数据进行机器学习而构建的，所述处理结果信息表示利用所述处理液对学习对象基板进行了处理的结果，
所述学习对象信息包括学习时压力调节信息和学习时顺序信息，所述学习时压力调节信息表示处理所述学习对象基板时的多个所述第一压力调节机构的动作和所述第二压力调节机构的动作，所述学习时顺序信息表示利用所述处理液对所述学习对象基板进行处理的顺序。
9.一种学习用数据的生成方法，其特征在于，所述生成方法包括如下步骤：
取得表示基板处理装置对学习对象基板进行了处理的结果的处理结果信息；
取得学习对象信息；以及
将所述处理结果信息与所述学习对象信息关联起来作为学习用数据而存储于存储部，
所述基板处理装置具备：
多个处理单元，其基于学习时顺序信息向所述学习对象基板供给处理液而对所述学习对象基板进行处理，所述学习时顺序信息表示利用所述处理液对所述学习对象基板进行处理的顺序；
多个单独排气管，其使从多个所述处理单元排出的气体流入；
共用排气管，其使从多个所述单独排气管排出的气体流入；
多个第一压力调节机构，其对从多个所述处理单元流入到多个所述单独排气管的气体的压力进行调节；
第二压力调节机构，其对所述共用排气管的内部的气体的压力进行调节；以及
控制部，其对多个所述第一压力调节机构和所述第二压力调节机构进行控制，
所述学习对象信息包括学习时压力调节信息和所述学习时顺序信息，所述学习时压力调节信息表示处理所述学习对象基板时的多个所述第一压力调节机构的动作和所述第二压力调节机构的动作。
10.一种学习方法，其特征在于，包括如下步骤：
取得按照权利要求9所述的学习用数据的生成方法生成的学习用数据；以及
将所述学习用数据输入到学习程序来对所述学习用数据进行机器学习。
11.一种学习装置，其特征在于，具备：
存储部，其存储按照权利要求9所述的学习用数据的生成方法生成的学习用数据；以及
学习部，其将所述学习用数据输入到学习程序来对所述学习用数据进行机器学习。
12.一种已学习模型的生成方法，其特征在于，所述生成方法包括如下步骤：
取得按照权利要求9所述的学习用数据的生成方法生成的学习用数据；以及
通过对所述学习用数据进行机器学习来生成已学习模型。
13.一种已学习模型，其特征在于，
所述已学习模型是对按照权利要求9所述的学习用数据的生成方法生成的学习用数据进行机器学习而构建的。
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