KR102605398B1 - 액처리 장치 - Google Patents

액처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102605398B1
KR102605398B1 KR1020160091917A KR20160091917A KR102605398B1 KR 102605398 B1 KR102605398 B1 KR 102605398B1 KR 1020160091917 A KR1020160091917 A KR 1020160091917A KR 20160091917 A KR20160091917 A KR 20160091917A KR 102605398 B1 KR102605398 B1 KR 102605398B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exhaust
outside air
opening
control valve
air introduction
Prior art date
Application number
KR1020160091917A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170015162A (ko
Inventor
가즈야 고다
요시후미 아마노
노부야 야마모토
고 아야베
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20170015162A publication Critical patent/KR20170015162A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102605398B1 publication Critical patent/KR102605398B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Abstract

본 발명은 복수의 액처리부에서의 압력 변동을 억제하는 것을 목적으로 한다.
액처리 장치는, 복수의 액처리부와, 복수의 개별 배기로와, 공통 배기로와, 제1 외기 도입부와, 제1 조정 밸브와, 제2 외기 도입부와, 제2 조정 밸브를 구비한다. 복수의 액처리부는, 피처리체를 액처리한다. 복수의 개별 배기로는, 액처리부 내부로부터의 배기가 흐른다. 공통 배기로는, 복수의 개별 배기로로부터의 배기가 흐른다. 제1 외기 도입부는, 공통 배기로에 있어서 개별 배기로가 접속되는 복수의 접속 부위보다 최상류측에 형성되어 외기를 도입한다. 제1 조정 밸브는, 제1 외기 도입부에 설치되어 외기의 유량을 조정한다. 제2 외기 도입부는, 공통 배기로에 있어서 복수의 접속 부위 중 최상류에 위치하는 접속 부위보다 하류측에 형성되어 외기를 도입한다. 제2 조정 밸브는, 제2 외기 도입부에 설치되어 외기의 유량을 조정한다.

Description

액처리 장치{LIQUID PROCESSING APPARATUS}
개시된 실시형태는 액처리 장치에 관한 것이다.
종래, 실리콘 웨이퍼나 화합물 반도체 웨이퍼 등의 피처리체에 대해, 알칼리성 처리액이나 산성 처리액 등의 처리액을 이용하여 각종의 액처리를 행하는 액처리 장치가 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
종래 기술에 따른 액처리 장치에 있어서는, 액처리가 행해지는 액처리부를 복수 구비하고, 복수의 액처리부로부터의 배기를 공통 배기로를 통해 일괄해서 배출하도록 구성된다. 한편, 공통 배기로에는 펌프 등의 배기 기구가 접속되고, 공통 배기로의 배기량을 일정하게 유지함으로써, 액처리가 행해지는 타이밍에서 각 액처리부의 압력이 변동하는 것을 억제하고 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2012-190823호 공보
그러나, 상기한 액처리부의 배기량이 증가하면, 각 액처리부의 압력 변동을 억제하기 위해서는 한층더 개선이 필요해졌다.
실시형태의 일 양태는, 복수의 액처리부에서의 압력 변동을 억제할 수 있는 액처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태의 일 양태에 따른 액처리 장치는, 복수의 액처리부와, 복수의 개별 배기로와, 공통 배기로와, 제1 외기 도입부와, 제1 조정 밸브와, 제2 외기 도입부와, 제2 조정 밸브를 구비한다. 복수의 액처리부는, 피처리체에 대해 처리액을 공급하여 상기 피처리체를 액처리한다. 복수의 개별 배기로는, 일단이 상기 액처리부의 각각에 접속되고, 상기 액처리부 내부로부터의 배기가 흐른다. 공통 배기로는, 복수의 상기 개별 배기로의 타단이 접속되고, 복수의 상기 개별 배기로로부터의 배기가 흐른다. 제1 외기 도입부는, 상기 공통 배기로에 있어서 상기 개별 배기로가 접속되는 복수의 접속 부위보다 배기의 유동 방향의 최상류측에 형성되고, 상기 공통 배기로에 외기를 도입한다. 제1 조정 밸브는, 상기 제1 외기 도입부에 설치되고, 상기 제1 외기 도입부로부터 도입되는 외기의 유량을 조정한다. 제2 외기 도입부는, 상기 공통 배기로에 있어서 복수의 상기 접속 부위 중 최상류에 위치하는 접속 부위보다 하류측에 형성되고, 상기 공통 배기로에 외기를 도입한다. 제2 조정 밸브는, 상기 제2 외기 도입부에 설치되고, 상기 제2 외기 도입부로부터 도입되는 외기의 유량을 조정한다.
실시형태의 일 양태에 의하면, 액처리 장치에 있어서, 복수의 액처리부에서의 압력 변동을 억제할 수 있다.
도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 처리 유닛의 개략 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 처리 유닛의 구체적인 구성의 일례를 도시한 모식도이다.
도 4는 처리 스테이션의 배기 경로를 도시한 도면이다.
도 5는 제어 장치의 블록도이다.
도 6은 개별 배기로의 총 배기량과 제1, 제2 조정 밸브의 개방도의 관계의 일례를 도시한 도면이다.
도 7a는 제1, 제2 조정 밸브의 동작 설명도(그 1)이다.
도 7b는 제1, 제2 조정 밸브의 동작 설명도(그 2)이다.
도 7c는 제1, 제2 조정 밸브의 동작 설명도(그 3)이다.
도 8은 기판 처리 시스템에 있어서 실행되는 기판 처리의 처리 순서의 일례를 도시한 흐름도이다.
도 9는 기판 처리 시스템에 있어서 실행되는 배기 처리의 처리 순서의 일례를 도시한 흐름도이다.
도 10은 개방도 정보의 일례를 도시한 도면이다.
도 11은 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템에 있어서 실행되는 배기 처리의 처리 순서의 일례를 도시한 흐름도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 액처리 장치의 실시형태를 상세히 설명한다. 한편, 이하에 나타낸 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
(제1 실시형태)
<1. 기판 처리 시스템의 구성>
도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시한 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확히 하기 위해서, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입 반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입 반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 설치된다.
반입 반출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수 매의 기판, 본 실시형태에서는 반도체 웨이퍼[이하 웨이퍼(W)]를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.
반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 설치되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 설치된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 나란히 설치된다.
반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대해 미리 정해진 기판 처리를 행한다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
한편, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 먼저, 반입 반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)에 반입된다.
처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)로 복귀된다.
한편, 상기한 처리 스테이션(3)은 액처리 장치의 일례이고, 처리 유닛(16)은 액처리부의 일례이다. 또한, 도 1에 도시된 처리 유닛(16)의 대수는, 어디까지나 예시이며 한정되는 것이 아니다.
다음으로, 기판 처리 시스템(1)의 처리 유닛(16)의 개략 구성에 대해 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 처리 유닛(16)의 개략 구성을 도시한 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 챔버(20)와, 기판 유지 기구(30)와, 처리 유체 공급부(40)와, 회수컵(50)을 구비한다.
챔버(20)는, 기판 유지 기구(30)와 처리 유체 공급부(40)와 회수컵(50)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는, FFU(Fan Filter Unit)(21)가 설치된다. FFU(21)는, 챔버(20) 내에 다운플로우를 형성한다.
기판 유지 기구(30)는, 유지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비한다. 유지부(31)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 지주부(32)는, 연직 방향으로 연장되는 부재이며, 기단부가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 선단부에 있어서 유지부(31)를 수평으로 지지한다. 구동부(33)는, 지주부(32)를 연직축 주위로 회전시킨다. 이러한 기판 유지 기구(30)는, 구동부(33)를 이용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 유지부(31)를 회전시키고, 이에 의해, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.
처리 유체 공급부(40)는, 웨이퍼(W)에 대해 처리 유체를 공급한다. 처리 유체 공급부(40)는, 처리 유체 공급원(70)에 접속된다.
회수컵(50)은, 유지부(31)를 둘러싸도록 배치되고, 유지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산하는 처리액을 포집한다. 회수컵(50)의 바닥부에는, 배액구(排液口; 51)가 형성되어 있고, 회수컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액구(51)로부터 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 또한, 회수컵(50)의 바닥부에는, FFU(21)로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(16)의 외부로 배출하는 배기구(52)가 형성된다.
<2. 처리 유닛의 구체적 구성>
다음으로, 처리 유닛(16)의 구성에 대해 도 3을 참조하여 보다 구체적으로 설명한다. 도 3은 처리 유닛(16)의 구체적인 구성의 일례를 도시한 모식도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, FFU(21)에는, 밸브(22)를 통해 불활성 가스 공급원(23)이 접속된다. FFU(21)는, 불활성 가스 공급원(23)으로부터 공급되는 N2 가스 등의 불활성 가스를 챔버(20) 내에 급기한다. 한편, FFU(21)로부터 챔버(20) 내에 공급된 불활성 가스는, 대응하는 개폐 기구(후술)가 밸브 개방되었을 때에 배기구(52)로부터 챔버(20) 밖으로 배출되는데, 이것에 대해서는 이후에 설명한다.
기판 유지 기구(30)가 구비하는 유지부(31)의 상면에는, 웨이퍼(W)를 측면으로부터 유지하는 유지 부재(311)가 설치된다. 웨이퍼(W)는, 이러한 유지 부재(311)에 의해 유지부(31)의 상면으로부터 약간 이격된 상태로 수평 유지된다.
처리 유체 공급부(40)는, 노즐(41)과, 노즐(41)을 수평으로 지지하는 아암(42)과, 아암(42)을 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(43)를 구비한다. 노즐(41)에는, 도시하지 않은 배관의 일단이 접속되고, 이러한 배관의 타단은 복수로 분기되어 있다. 그리고, 분기된 배관의 각 단부에는, 각각 알칼리계 처리액 공급원(70a), 산계 처리액 공급원(70b), 유기계 처리액 공급원(70c) 및 DIW 공급원(70d)이 접속된다. 또한, 각 공급원(70a∼70d)과 노즐(41) 사이에는, 밸브(60a∼60d)가 설치된다.
처리 유체 공급부(40)는, 상기한 각 공급원(70a∼70d)으로부터 공급되는 알칼리계 처리액, 산계 처리액, 유기계 처리액 및 DIW(상온의 순수)를 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 표면(피처리면)에 대해 공급하여, 웨이퍼(W)를 액처리한다. 한편, 웨이퍼(W)는 액처리가 실시되는 피처리체의 일례이다. 또한, 상기에서는, 웨이퍼(W)의 표면을 액처리하도록 하였으나, 이것에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 웨이퍼(W)의 이면이나 둘레 가장자리부를 액처리하도록 구성해도 좋다.
본 실시형태에서는, 알칼리계 처리액으로서 SC1(암모니아, 과산화수소 및 물의 혼합액), 산계 처리액으로서 DHF(희불산), 유기계 처리액으로서 IPA(이소프로필알코올)가 이용되는 것으로 한다. 한편, 산계 처리액, 알칼리계 처리액 및 유기계 처리액은, 이들에 한정되는 것은 아니다.
<3. 처리 유닛의 배기계>
계속해서, 처리 유닛(16)의 배기에 대해 설명한다. 상기한 처리 유닛(16)의 배기구(52)에는, 개별 배기로(100)의 일단이 접속되고, 개별 배기로(100)에는 처리 유닛(16) 내부로부터의 배기가 흐른다.
한편, 개별 배기로(100)의 타단은, 공통 배기로(120)에 접속되고, 복수의 처리 유닛(16)으로부터의 배기를 공통 배기로(120)를 통해 일괄해서 배출한다. 이러한 공통 배기로(120)에는 펌프 등의 배기 기구(131∼133)(후술하는 도 4 참조)가 접속되고, 공통 배기로(120)의 배기량을 일정하게 유지함으로써, 액처리가 행해지는 타이밍에서 각 처리 유닛(16)의 압력이 변동하는 것을 억제하고 있는데, 이것에 대해서는 후술한다.
이와 같이, 개별 배기로(100)는, 배기의 유동 방향의 상류측의 일단이 처리 유닛(16)에 접속되는 한편, 하류측의 타단이 공통 배기로(120)에 접속된다. 한편, 본 명세서에 있어서 「상류」나 「하류」 등의 표현은, 예컨대 처리 유닛(16)으로부터 배출되는 배기의 유동 방향에 있어서의 「상류」 「하류」를 의미하는 것으로 한다.
그런데, 본 실시형태에 따른 처리 스테이션(3)에 있어서는, 복수의 처리 유닛(16)을 구비하여, 단위 시간당의 웨이퍼(W)의 처리 매수(스루풋)를 증대시키도록 하고 있다.
그러나, 상기한 바와 같이 처리 유닛(16)이 복수가 되거나, 처리 유닛(16)의 배기량이 증가하거나 하면, 각 처리 유닛(16)의 압력 변동을 억제하기 위해서는 한층더 개선이 필요해졌다.
그래서, 본 실시형태에 따른 처리 스테이션(3)에 있어서는, 복수의 처리 유닛(16)에서의 압력 변동을 억제할 수 있는 구성으로 하였다. 이하, 이러한 구성에 대해 상세히 설명한다.
도 4는 처리 유닛(16)을 포함하는 처리 스테이션(3)의 배기 경로를 도시한 도면이다. 한편, 도 4에서는, 5대의 처리 유닛(16)을 나타내었으나, 대수는 예시이며 한정되는 것이 아니다. 또한, 이하에서는, 5대의 처리 유닛(16)을, 제1∼제5 처리 유닛(16a∼16e)이라고 기재하는 경우가 있으며, 제1∼제5 처리 유닛(16a∼16e)을 구별하지 않을 때에 「처리 유닛(16)」이라고 기재하는 경우가 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 처리 스테이션(3)은, 상기한 개별 배기로(100)와, 공통 배기로(120)와, 개폐 기구(200)와, 제1 외기 도입부(141∼143)와, 제1 조정 밸브(151∼153)와, 제2 외기 도입부(161∼163)와, 제2 조정 밸브(171∼173)를 구비한다.
개별 배기로(100)는, 제1∼제5 처리 유닛(16a∼16e)에 각각 접속된다. 한편, 도 4에서는, 제1 처리 유닛(16a)에 접속되는 개별 배기로(100)를 「제1 개별 배기로(100a)」로 하고, 제2 처리 유닛(16b)에 접속되는 개별 배기로(100)를 「제2 개별 배기로(100b)」로 하여 나타내었다. 마찬가지로, 제3∼제5 처리 유닛(16c∼16e)에 접속되는 개별 배기로(100)를 「제3∼제5 개별 배기로(100c∼100e)」로 하여 나타내었다. 또한, 이하에서는, 제1∼제5 개별 배기로(100a∼100e)를 구별하지 않을 때에 「개별 배기로(100)」라고 기재하는 경우가 있다.
공통 배기로(120)는, 전용 공통 배기로(121∼123)를 구비하고, 처리액의 종류마다의 배기가 행해진다. 상세하게는, SC1 사용시에 처리 유닛(16)으로부터 배출되는 알칼리계 배기와, DHF 사용시에 처리 유닛(16)으로부터 배출되는 산계 배기와, IPA 사용시에 처리 유닛(16)으로부터 배출되는 유기계 배기는, 배기로의 오염 방지 등의 면에서 따로따로 배출하는 것이 바람직하다. 이 때문에, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 복수 종류의 처리액에 대응하여, 알칼리계 배기, 산계 배기 및 유기계 배기마다 배기 경로가 복수 형성되도록 하였다.
구체적으로는, 전용 공통 배기로(121)는, 알칼리계 배기가 흐르는 배기로이고, 전용 공통 배기로(122)는, 산계 배기가 흐르는 배기로이며, 전용 공통 배기로(123)는, 유기계 배기가 흐르는 배기로이다. 한편, 도 4에서는, 전용 공통 배기로(121∼123)에서의 배기의 유동 방향을 파선의 화살표 E로 나타내었다.
개폐 기구(200)는, 제1∼제5 개별 배기로(100a∼100e)의 도중에 각각 설치된다. 한편, 도 4에서는, 제1 개별 배기로(100a)에 설치되는 개폐 기구(200)를 「제1 개폐 기구(200a)」로 하고, 제2 개별 배기로(100b)에 설치되는 개폐 기구(200)를 「제2 개폐 기구(200b)」로 하여 나타내었다. 마찬가지로, 제3∼제5 개별 배기로(100c∼100e)에 설치되는 개폐 기구(200)를 「제3∼제5 개폐 기구(200c∼200e)」로 하여 나타내었다. 또한, 이하에서는, 제1∼제5 개폐 기구(200a∼200e)를 구별하지 않을 때에 「개폐 기구(200)」라고 기재하는 경우가 있다.
제1∼제5 개폐 기구(200a∼200e)는, 각각 대응하는 제1∼제5 개별 배기로(100a∼100e)를 흐르는 배기의 유출처를, 처리액의 종류에 따라 복수의 전용 공통 배기로(121∼123) 중 어느 하나로 전환한다.
상세하게는, 개별 배기로(100)는, 개폐 기구(200)에 있어서, 전용 공통 배기로(121∼123)에 각각 연결되는 3개의 배기로로 분기되고, 개폐 기구(200)는, 이러한 3개의 배기로를 선택적으로 개폐함으로써, 배기의 유출처를 전환하는 것이다. 구체적으로는, 도시는 생략하지만, 개폐 기구(200)는, 예컨대, 상기한 3개의 배기로에 개폐 밸브를 각각 구비하고, 이러한 개폐 밸브를 개폐함으로써, 배기의 유출처를 전환할 수 있으며, 따라서 처리액에 따라 적절한 배기를 행하는 것이 가능해진다.
한편, 제1∼제5 개폐 기구(200a∼200e)에는, 제어 장치(4)(도 1 참조)가 접속되고, 제1∼제5 개폐 기구(200a∼200e)는, 제어 장치(4)로부터의 지령값에 기초하여 개폐 밸브가 제어되어, 배기의 유출처가 전환된다.
또한, 전용 공통 배기로(121∼123)의 하류측에는, 상기한 배기 기구(131∼133)가 각각 접속된다. 배기 기구(131∼133)로서는, 펌프 등의 흡기 장치를 이용할 수 있다.
배기 기구(131∼133)는, 예컨대, 처리 스테이션(3)의 외부에 설치되고, 전용 공통 배기로(121∼123)를 흐르는 배기를 흡인하여, 도시하지 않은 회수 설비로 압송한다.
또한, 배기 기구(131∼133)의 배기량은 각각, 제1∼제5 처리 유닛(16a∼16e) 모두에서 배기 처리가 행해진 경우에 배출되는 배기를 흡인할 수 있는 값으로 설정되고, 전용 공통 배기로(121∼123)는, 설정된 배기량으로 일정하게 유지되는 것으로 한다.
한편, 상기에서는, 기판 처리 시스템(1)이 배기 기구(131∼133)를 구비하도록 하였으나, 이것에 한정되는 것은 아니다. 즉, 예컨대, 기판 처리 시스템(1)이 배치되는 공장측에 배기 기구(도시하지 않음)가 설치되고, 이러한 배기 기구에 전용 공통 배기로(121∼123)가 접속되는 구성이어도 좋다.
여기서, 전용 공통 배기로(121∼123) 중, 전용 공통 배기로(121)에 대해 설명한다. 한편, 이하의 전용 공통 배기로(121)의 설명은, 다른 전용 공통 배기로(122, 123)에도 타당하다.
전용 공통 배기로(121)는, 수평으로 연장되는 수평부(121x)와, 수평부(121x)의 하류측에 형성되고 하방을 향해 연직으로 연장되는 하강부(121z)를 구비한다. 한편, 전용 공통 배기로(121)는, 상기한 형상에 한정되는 것은 아니며, 예컨대, 하강부(121z)의 하류측에 수평으로 연장되는 배관이 더 설치되는 등, 그 외의 형상이어도 좋다.
전용 공통 배기로(121)의 수평부(121x)에는, 제1∼제5 개별 배기로(100a∼100e)의 타단이 접속된다. 구체적으로는, 수평부(121x)에서는, 상류측으로부터 순서대로, 제5 개별 배기로(100e), 제4 개별 배기로(100d), 제3 개별 배기로(100c), 제2 개별 배기로(100b), 제1 개별 배기로(100a)가 접속된다.
한편, 도 4에서는, 수평부(121x)에 있어서, 제1 개별 배기로(100a)가 접속되는 접속 부위(121a)를 파선으로 둘러싸서 나타내었다. 마찬가지로, 제2 개별 배기로(100b)가 접속되는 접속 부위(121b), 제3 개별 배기로(100c)가 접속되는 접속 부위(121c), 제4 개별 배기로(100d)가 접속되는 접속 부위(121d), 제5 개별 배기로(100e)가 접속되는 접속 부위(121e)를 파선으로 둘러싸서 나타내었다.
전용 공통 배기로(121)에는, 상기한 제1 외기 도입부(141), 제1 조정 밸브(151), 제2 외기 도입부(161), 및 제2 조정 밸브(171)가 설치된다.
제1 외기 도입부(141)는, 전용 공통 배기로(121)에 있어서, 배기 기구(131)와는 반대측의 단부에 형성되는 개구부이며, 이러한 개구부를 통해 전용 공통 배기로(121)에 외기를 도입한다.
상세하게는, 제1 외기 도입부(141)는, 전용 공통 배기로(121)에 있어서 개별 배기로(100)가 접속되는 복수의 접속 부위(121a∼121e)보다 배기의 유동 방향의 최상류측에 형성된다. 보다 상세하게는, 제1 외기 도입부(141)는, 복수의 접속 부위(121a∼121e) 중, 최상류에 위치하는 접속 부위(121e)보다 더욱 상류측에 형성된다.
제1 조정 밸브(151)는, 제1 외기 도입부(141)와 상기 접속 부위 중 최상류에 위치하는 접속 부위(121e) 사이[제1 외기 도입부(141)를 포함함]에 설치되고, 제1 외기 도입부(141)로부터 도입되는 외기의 유량을 조정한다. 또한, 제1 조정 밸브(151)는, 제1 외기 도입부(141)를 통해 도입한 외기의 유동 방향(화살표 D1)이, 전용 공통 배기로(121)의 제1 외기 도입부(141)가 형성된 위치에서의 배기의 유동 방향(화살표 E)에 대해 평행하게 되는 것과 같은 위치에 배치된다. 이에 의해, 예컨대, 제1 외기 도입부(141)로부터 제1 조정 밸브(151)를 통해 전용 공통 배기로(121)에 이르기까지의 유로의 압력 손실을 억제할 수 있다.
제2 외기 도입부(161)는, 전용 공통 배기로(121)에 있어서, 수평부(121x)의 최하류측이며, 또한, 하강부(121z)의 최상류측의 연직 상방에 형성되는 개구부이고, 이러한 개구부를 통해 전용 공통 배기로(121)에 외기를 도입한다.
상세하게는, 제2 외기 도입부(161)는, 전용 공통 배기로(121)에 있어서 복수의 접속 부위(121a∼121e) 중 배기의 유동 방향의 최하류에 위치하는 접속 부위(121a)보다 하류측에 형성된다.
이와 같이, 본 실시형태에서는, 전용 공통 배기로(121)에 제1, 제2 외기 도입부(141, 161)를 형성하여, 외기를 복수 부위, 구체적으로는 2부위로부터 도입하는 것과 같은 구성으로 하였다. 이에 의해, 복수의 처리 유닛(16)에서의 압력 변동을 억제할 수 있다.
즉, 예컨대 가령, 외기 도입부가 하나였던 경우, 복수의 처리 유닛(16)의 배기의 상태에 따라서는, 이러한 하나의 외기 도입부로부터 대량의 외기가 전용 공통 배기로(121)에 도입되는 경우가 있다. 대량의 외기가 하나의 외기 도입부로부터 도입되면, 외기 도입부에 가까운 처리 유닛(16)은, 그 영향을 받아 압력이 비교적 크게 저하되어, 압력 변동이 발생한다.
그래서, 본 실시형태에서는, 전용 공통 배기로(121)에 제1, 제2 외기 도입부(141, 161)를 형성함으로써, 외기가 도입되는 장소를 2부위로 분산시켜, 하나의 외기 도입부로부터 도입되는 외기의 양을 감소시키도록 하였다. 이에 의해, 대량의 외기가 전용 공통 배기로(121)에 도입되는 경우라도, 처리 유닛(16)에 대한 영향을 저감할 수 있고, 복수의 처리 유닛(16)에서의 압력 변동을 억제할 수 있다.
또한, 제2 외기 도입부(161)는, 최하류의 접속 부위(121a)보다 하류측에 위치되도록 했기 때문에, 복수의 처리 유닛(16)이나 개폐 기구(200)의 배치를 변경하지 않고, 제2 외기 도입부(161)를 전용 공통 배기로(121)에 용이하게 형성할 수 있다.
한편, 전용 공통 배기로(121)에 있어서 제2 외기 도입부(161)가 형성되는 위치는, 도 4에 도시된 위치에 한정되는 것은 아니다. 즉, 제2 외기 도입부(161)는, 전용 공통 배기로(121)에 있어서 복수의 접속 부위(121a∼121e) 중 최상류에 위치하는 접속 부위(121e)보다 하류측에 형성되어 있으면 된다.
즉, 예컨대, 제2 외기 도입부(161)는, 전용 공통 배기로(121)에 있어서 접속 부위(121a)와 접속 부위(121b) 사이나, 접속 부위(121b)와 접속 부위(121c) 사이 등 그 외의 장소에 형성되어 있어도 좋다. 제2 외기 도입부(161)에 있어서는, 상기한 그 외의 장소에 형성되어 있어도, 복수의 처리 유닛(16)에서의 압력 변동을 억제할 수 있다.
제2 조정 밸브(171)는, 제2 외기 도입부(161)에 설치되고, 제2 외기 도입부(161)로부터 도입되는 외기의 유량을 조정한다. 또한, 제2 외기 도입부(161)는, 제2 외기 도입부(161)를 통해 도입한 외기의 유동 방향(화살표 D2 참조)이, 전용 공통 배기로(121)의 제2 외기 도입부(161)가 형성된 위치에서의 배기의 유동 방향(화살표 E)에 대해 직교하는 것과 같은 위치에 배치된다.
이에 의해, 예컨대, 제2 조정 밸브(171)가 개방되어 있을 때에는, 도입한 외기를 전용 공통 배기로(121) 내부를 흐르는 배기에 합류하기 쉽게 할 수 있다. 한편, 제2 조정 밸브(171)가 폐쇄되어 있을 때에는, 상기한 바와 같이 배치됨으로써, 전용 공통 배기로(121) 내의 배기의 흐름을 저해할 우려가 없다.
한편, 상기한 제1, 제2 조정 밸브(151, 171)로서는, 예컨대 버터플라이식의 배기 댐퍼를 이용할 수 있다. 또한, 제1, 제2 조정 밸브(151, 171)에는, 제어 장치(4)(도 1 참조)가 접속되고, 제1, 제2 조정 밸브(151, 171)는, 그 개방도가 제어 장치(4)에 의해 제어되어, 제1 외기 도입부(141)나 제2 외기 도입부(161)를 통과하는 외기의 유량이 조정된다.
여기서, 제1 외기 도입부(141) 및 제2 외기 도입부(161)에 대해, 더욱 상세히 설명한다. 제1, 제2 외기 도입부(141, 161)는, 처리 스테이션(3)에 있어서 처리 유닛(16) 주변의 분위기를 외기로서 도입하고, 전용 공통 배기로(121)를 통해 배기하도록 구성된다.
상세하게는, 도 4에 도시된 바와 같이, 처리 스테이션(3)은, 케이스(3a, 3b)를 구비한다. 한편, 도 4에서는, 도시의 간략화를 위해서, 케이스(3a, 3b)를 모두 일점 쇄선으로 모식적으로 나타내었다.
케이스(3a)는, 그 내부에 제1∼제5 처리 유닛(16a∼16e)이나 제1∼제5 개폐 기구(200a∼200e) 등, 처리 스테이션(3)을 구성하는 주된 기기류를 수용한다.
케이스(3b)는, 각 공급원(70a∼70d)으로부터 제1∼제5 처리 유닛(16a∼16e)에 처리액을 공급하는 액 배관이나 밸브(60a∼60d) 등을 수용한다. 한편, 케이스(3b)는, 케이스(3a)의 내부에 배치된다.
제1 외기 도입부(141)는, 개구부가 케이스(3b) 내에 위치된다. 이에 의해, 제1 조정 밸브(151)가 개방되면, 케이스(3b) 내의 분위기는, 제1 외기 도입부(141)로부터 외기로서 전용 공통 배기로(121)에 도입되고, 처리 스테이션(3)의 외부로 배출된다.
또한, 제2 외기 도입부(161)는, 개구부가 케이스(3a) 내에 위치된다. 이에 의해, 제2 조정 밸브(171)가 개방되면, 케이스(3a) 내의 분위기는, 제2 외기 도입부(161)로부터 외기로서 전용 공통 배기로(121)에 도입되고, 처리 스테이션(3)의 외부로 배출된다.
이와 같이, 제1, 제2 외기 도입부(141, 161)를 케이스(3a, 3b) 내에 배치함으로써, 전용 공통 배기로(121)는, 처리 유닛(16) 내의 배기로와, 액 배관이나 밸브(60a∼60d)의 주변 등을 포함하는 처리 유닛(16) 주변의 배기로를 겸용할 수 있다.
한편, 상기에서는, 처리 유닛(16) 주변의 분위기를, 제1, 제2 외기 도입부(141, 161)의 양방에서 도입하도록 하였으나, 이것에 한정되지 않고, 제1, 제2 외기 도입부(141, 161) 중 어느 한쪽에서 도입하도록 구성해도 좋다.
다른 전용 공통 배기로(122, 123)는, 상기한 전용 공통 배기로(121)와 동일하게 구성된다. 즉, 전용 공통 배기로(122)는, 수평부(122x)와, 하강부(122z)를 구비한다. 수평부(122x)에는, 접속 부위(122a∼122e)를 통해 제1∼제5 개별 배기로(100a∼100e)가 접속된다.
전용 공통 배기로(122)에 있어서, 최상류에 위치하는 접속 부위(122e)보다 상류측에 제1 외기 도입부(142)가 형성되고, 이러한 제1 외기 도입부(142)와 상기 접속 부위 중 최상류에 위치하는 접속 부위(122e) 사이에는 제1 조정 밸브(152)가 설치된다. 또한, 전용 공통 배기로(122)에 있어서, 최하류에 위치하는 접속 부위(122a)보다 하류측에 제2 외기 도입부(162)가 형성되고, 이러한 제2 외기 도입부(162)에는 제2 조정 밸브(172)가 설치된다.
전용 공통 배기로(123)도, 수평부(123x)와, 하강부(123z)를 구비한다. 수평부(123x)에는, 접속 부위(123a∼123e)를 통해 제1∼제5 개별 배기로(100a∼100e)가 접속된다.
전용 공통 배기로(123)에 있어서, 최상류에 위치하는 접속 부위(123e)보다 상류측에 제1 외기 도입부(143)가 형성되고, 이러한 제1 외기 도입부(143)와 상기 접속 부위 중 최상류에 위치하는 접속 부위(123e) 사이에는 제1 조정 밸브(153)가 설치된다. 또한, 전용 공통 배기로(123)에 있어서, 최하류에 위치하는 접속 부위(123a)보다 하류측에 제2 외기 도입부(163)가 형성되고, 이러한 제2 외기 도입부(163)에는 제2 조정 밸브(173)가 설치된다.
처리 스테이션(3)은, 배기압 검출부(101∼103)를 더 구비한다. 배기압 검출부(101)는, 제1∼제5 개별 배기로(100a∼100e)에 있어서 개폐 기구(200)보다 하류측에서, 전용 공통 배기로(121)에 연결되는 유로에 각각 설치되고, 전용 공통 배기로(121)로 배출되는 배기의 배기압을 나타내는 신호를 출력한다. 즉, 배기압 검출부(101)는, 제1∼제5 처리 유닛(16a∼16e)으로부터 배출되는 알칼리계 배기의 배기압을 검출한다.
배기압 검출부(102)는, 제1∼제5 개별 배기로(100a∼100e)에 있어서 개폐 기구(200)보다 하류측에서, 전용 공통 배기로(122)에 연결되는 유로에 각각 설치되고, 전용 공통 배기로(122)로 배출되는 배기의 배기압을 나타내는 신호를 출력한다. 즉, 배기압 검출부(102)는, 제1∼제5 처리 유닛(16a∼16e)으로부터 배출되는 산계 배기의 배기압을 검출한다.
배기압 검출부(103)는, 제1∼제5 개별 배기로(100a∼100e)에 있어서 개폐 기구(200)보다 하류측에서, 전용 공통 배기로(123)에 연결되는 유로에 각각 설치되고, 전용 공통 배기로(123)로 배출되는 배기의 배기압을 나타내는 신호를 출력한다. 즉, 배기압 검출부(103)는, 제1∼제5 처리 유닛(16a∼16e)으로부터 배출되는 유기계 배기의 배기압을 검출한다.
상기한 배기압 검출부(101∼103)로부터 출력된 신호는, 제어 장치(4)(도 1 참조)에 입력된다. 한편, 배기압 검출부(101∼103)로서는, 예컨대 압력 센서 등을 이용할 수 있으나, 이것에 한정되는 것은 아니다.
상기한 바와 같이 구성된 처리 스테이션(3)에 있어서, 제1 조정 밸브(151, 152, 153), 제2 조정 밸브(171, 172, 173), 및 제1∼제5 개폐 기구(200a∼200e) 등은, 제어 장치(4)에 의해 제어된다.
<4. 제어 장치의 구체적 구성>
다음으로, 이러한 제어 장치(4)에 대해 보다 구체적으로 도 5를 참조하여 설명한다. 도 5는 제어 장치(4)의 블록도이다. 한편, 도 5 이후에서는, 제1 조정 밸브(151)나 제2 조정 밸브(171)의 제어를 예로 들어 설명한다. 한편, 제1 조정 밸브(152, 153)나 제2 조정 밸브(172, 173)의 제어에 대해서는, 이하의 제1 조정 밸브(151)나 제2 조정 밸브(171)의 설명이 타당하기 때문에, 블록도에서의 도시 및 상세한 설명을 생략한다.
또한, 도 5에서는, 본 실시형태를 설명하기 위해서 필요한 구성 요소를 기능 블록으로 나타내고 있고, 일반적인 구성 요소에 대한 기재를 생략하고 있다. 환언하면, 도 5에 도시된 각 구성 요소는 기능 개념적인 것이며, 반드시 물리적으로 도시된 바와 같이 구성되어 있을 필요는 없다. 예컨대, 각 기능 블록의 분산·통합의 구체적 형태는 도시된 것에 한정되지 않고, 그 전부 또는 일부를, 각종의 부하나 사용 상황 등에 따라, 임의의 단위로 기능적 또는 물리적으로 분산·통합하여 구성하는 것이 가능하다.
또한, 각 기능 블록에서 행해지는 각 처리 기능은, 그 전부 또는 임의의 일부가, CPU(Central Processing Unit) 등의 프로세서 및 상기 프로세서에 의해 해석 실행되는 프로그램에 의해 실현되거나, 혹은, 와이어드 로직(wired logic)에 의한 하드웨어로서 실현될 수 있는 것이다.
먼저, 이미 서술한 바와 같이, 제어 장치(4)는, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다(도 1 참조). 제어부(18)는, 예컨대 CPU이며, 기억부(19)에 기억된 도시하지 않은 프로그램을 읽어내어 실행함으로써, 예컨대 도 5에 도시된 각 기능 블록(18a, 18b)으로서 기능한다. 계속해서, 이러한 각 기능 블록(18a, 18b)에 대해 설명한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 예컨대 제어부(18)는, 개폐 기구 제어부(18a)와, 밸브 제어부(18b)를 구비한다. 또한, 기억부(19)는, 미리 정해진 양 정보(19a)를 기억한다.
개폐 기구 제어부(18a)는, 처리 유닛(16)에 있어서 이용되는 처리액의 종류에 따른 지령값을 개폐 기구(200)에 출력하여, 개폐 기구(200)의 개폐 밸브를 제어한다. 구체적으로는, 예컨대, 제1 처리 유닛(16a)에 있어서, 알칼리계 처리액인 SC1이 웨이퍼(W)에 공급되고 있는 경우, 개폐 기구 제어부(18a)는, 제1 개별 배기로(100a)가 전용 공통 배기로(121)에 연통(連通)되도록, 제1 개폐 기구(200a)를 제어한다. 이에 의해, 제1 처리 유닛(16a) 내의 알칼리계 배기를 전용 공통 배기로(121)로 배출할 수 있다.
또한, 예컨대, 제1 처리 유닛(16a)에 있어서, 산계 처리액인 DHF가 웨이퍼(W)에 공급되고 있는 경우, 개폐 기구 제어부(18a)는, 제1 개별 배기로(100a)가 전용 공통 배기로(122)에 연통되도록, 제1 개폐 기구(200a)를 제어한다. 이에 의해, 제1 처리 유닛(16a) 내의 산계 배기를 전용 공통 배기로(122)로 배출할 수 있다.
마찬가지로, 제1 처리 유닛(16a)에 있어서, 유기계 처리액인 IPA가 웨이퍼(W)에 공급되고 있는 경우, 개폐 기구 제어부(18a)는, 제1 개별 배기로(100a)가 전용 공통 배기로(123)에 연통되도록, 제1 개폐 기구(200a)를 제어한다. 이에 의해, 제1 처리 유닛(16a) 내의 유기계 배기를 전용 공통 배기로(123)로 배출할 수 있다.
밸브 제어부(18b)에는, 배기압 검출부(101)에 의해 검출된 개별 배기로(100)의 배기압을 나타내는 신호가 입력된다. 밸브 제어부(18b)는, 미리 설정되는 개별 배기로(100)의 배기압과 배기량의 관계식을 이용하여, 개별 배기로(100)의 배기압으로부터 배기량을 산출한다. 그리고, 밸브 제어부(18b)는, 개별 배기로(100)의 배기량에 기초하여, 제1 조정 밸브(151) 및 제2 조정 밸브(171)를 제어한다. 이와 같이, 배기압 검출부(101)의 출력에 기초하여 배기량을 산출할 수 있기 때문에, 배기압 검출부(101)는, 배기량 검출부의 일례라고 할 수 있다.
구체적으로는, 배기압 검출부(101)는, 상기한 바와 같이 제1∼제5 개별 배기로(100a∼100e)에 각각 설치되기 때문에, 밸브 제어부(18b)에는, 5개의 배기압 검출부(101)로부터의 신호가 입력된다.
밸브 제어부(18b)는, 5개의 배기압 검출부(101)에 의해 검출된 배기압으로부터 얻어지는 배기량을 적산하는 배기량 검출부를 가지며, 제1∼제5 개별 배기로(100a∼100e)의 배기량의 합계인 총 배기량을 산출한다. 한편, 제1∼제5 개별 배기로(100a∼100e)의 총 배기량은, 제1∼제5 처리 유닛(16a∼16e)의 총 배기량에 상당한다.
밸브 제어부(18b)는, 산출된 개별 배기로(100)의 총 배기량과 미리 설정된 배기량인 미리 정해진 양(A)을 비교하고, 비교 결과에 기초하여 제1, 제2 조정 밸브(151, 171)를 제어한다. 이러한 제1, 제2 조정 밸브(151, 171)의 제어에 대해, 도 6 내지 도 7c를 참조하여 설명한다.
도 6은 개별 배기로(100)의 총 배기량과 제1, 제2 조정 밸브(151, 171)의 개방도의 관계의 일례를 도시한 도면이다. 한편, 도 6에서는, 제1 조정 밸브(151)의 개방도를 실선으로 나타내는 한편, 제2 조정 밸브(171)의 개방도를 파선으로 나타내었다. 또한, 도 7a 내지 도 7c는, 제1, 제2 조정 밸브(151, 171)의 동작 설명도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 밸브 제어부(18b)는, 개별 배기로(100)의 총 배기량이 최대값 또는 최대값 부근인 경우, 제1, 제2 조정 밸브(151, 171)를 모두 폐쇄한다. 즉, 도 7a에 도시된 바와 같이, 개별 배기로(100)의 총 배기량이 최대값 또는 최대값 부근인 경우, 제1∼제5 처리 유닛(16a∼16e) 모두에서 배기 처리가 행해지고 있다고 추정할 수 있다.
또한, 배기 기구(131)의 배기량은, 상기한 바와 같이, 제1∼제5 처리 유닛(16a∼16e) 모두에서 배기 처리가 행해진 경우에 배출되는 배기를 흡인할 수 있는 값으로 설정된다. 그 때문에, 도 7a에서는, 제1∼제5 처리 유닛(16a∼16e)의 FFU(21)(도 3 참조)로부터의 급기량과 배기 기구(131)의 배기량 사이에서 밸런스가 취해진 상태이기 때문에, 제1 외기 도입부(141) 등으로부터 외기를 도입하는 것을 필요로 하지 않는다. 따라서, 밸브 제어부(18b)는, 개별 배기로(100)의 총 배기량이 최대값 또는 최대값 부근인 경우, 제1, 제2 조정 밸브(151, 171)를 모두 폐쇄한다.
도 6의 설명을 계속하면, 밸브 제어부(18b)는, 개별 배기로(100)의 총 배기량이 최대값 미만이고, 미리 정해진 양(A) 이상인 경우, 제1 조정 밸브(151)를 개방한다. 구체적으로는, 밸브 제어부(18b)는, 총 배기량이 최대값으로부터 감소함에 따라 제1 조정 밸브(151)를 서서히 개방하여, 총 배기량이 미리 정해진 양(A)이 되었을 때에 미리 설정된 미리 정해진 개방도(α)가 되도록 제어한다. 한편, 제2 조정 밸브(171)는 폐쇄된 채로로 한다.
즉, 도 7b에 도시된 바와 같이, 개별 배기로(100)의 총 배기량이 최대값 미만이고, 미리 정해진 양(A) 이상인 경우, 제1∼제5 처리 유닛(16a∼16e)의 일부에 있어서, 배기 처리가 행해지고 있지 않다고 추정할 수 있다.
한편, 도 7b에서는, 제4, 제5 처리 유닛(16d, 16e)에서 배기 처리가 행해지고 있지 않은 상태를 나타내었으나, 이것은 어디까지나 예시이며 한정되는 것이 아니다. 또한, 여기서 「배기 처리가 행해지고 있지 않다」란, 전용 공통 배기로(121)로의 배기가 행해지고 있지 않은 것을 의미하는 것이며, 다른 전용 공통 배기로(122, 123)로의 배기도 행해지고 있지 않은 것을 의미하는 것은 아니다.
제4, 제5 처리 유닛(16d, 16e)에서 배기 처리가 행해지고 있지 않으면, 배기 기구(131)의 배기량은 일정하기 때문에, 제1∼제3 처리 유닛(16a∼16c)의 배기량이 증대하여, 압력 변동이 발생할 우려가 있다.
그래서, 밸브 제어부(18b)는, 제1 조정 밸브(151)를 개방함으로써, 전용 공통 배기로(121)에 제1 외기 도입부(141)로부터 외기(화살표 D1)를 도입하도록 하였다. 이에 의해, 제1∼제3 처리 유닛(16a∼16c)의 배기량은 증대하기 어려워져, 압력 변동을 억제할 수 있다.
한편, 상기한 미리 정해진 양(A)은, 제1 외기 도입부(141)로부터 도입되는 외기의 유량으로 압력 변동을 억제할 수 있는 개별 배기로(100)의 총 배기량의 하한값이며, 예컨대 실험을 통해 미리 설정된다. 설정된 미리 정해진 양(A)은, 미리 정해진 양 정보(19a)로서 기억부(19)에 기억된다. 또한, 미리 정해진 개방도(α)는, 임의의 값으로 설정할 수 있다.
한편, 상기에 있어서 밸브 제어부(18b)는, 제1 조정 밸브(151)를 개방하고 제2 조정 밸브(171)를 폐쇄하도록 하였으나, 이것에 한정되지 않고, 제2 조정 밸브(171)를 개방하고 제1 조정 밸브(151)를 폐쇄하도록 해도 좋다.
도 6의 설명을 계속한다. 밸브 제어부(18b)는, 개별 배기로(100)의 총 배기량이 미리 정해진 양(A) 미만인 경우, 제1 조정 밸브(151) 및 제2 조정 밸브(171)를 개방한다. 상세하게는, 밸브 제어부(18b)는, 총 배기량이 미리 정해진 양(A) 미만인 경우, 개방하고 있는 제1 조정 밸브(151)에 더하여, 제2 조정 밸브(171)를 더 개방한다. 구체적으로는, 밸브 제어부(18b)는, 총 배기량이 미리 정해진 양(A)으로부터 감소함에 따라 제2 조정 밸브(171)를 서서히 개방하여, 총 배기량이 최소값 또는 최소값 부근이 되었을 때에 미리 정해진 개방도(α)가 되도록 제어한다. 한편, 제1 조정 밸브(151)는, 미리 정해진 개방도(α)가 유지된다.
즉, 도 7c에 도시된 바와 같이, 개별 배기로(100)의 총 배기량이 미리 정해진 양(A) 미만인 경우, 제1∼제5 처리 유닛(16a∼16e) 중, 배기 처리가 행해지고 있지 않은 처리 유닛(16)이, 도 7b에 도시된 상태로부터 더 증가했다고 추정할 수 있다. 한편, 도 7c에서는, 제2∼제5 처리 유닛(16b∼16e)에서 배기 처리가 행해지고 있지 않은 상태를 나타내었으나, 이것은 어디까지나 예시이며 한정되는 것이 아니다.
제2∼제5 처리 유닛(16b∼16e)에서 배기 처리가 행해지고 있지 않으면, 배기 기구(131)의 배기량은 일정하기 때문에, 제1 처리 유닛(16a)의 배기량이 비교적 크게 증대하여, 압력 변동이 발생할 우려가 있다.
그래서, 밸브 제어부(18b)는, 제1 조정 밸브(151)의 개방에 더하여, 제2 조정 밸브(171)도 개방함으로써, 전용 공통 배기로(121)에 제2 외기 도입부(161)로부터도 외기(화살표 D2)를 도입하도록 하였다.
즉 밸브 제어부(18b)는, 배기량 검출부에 의해 적산된 복수의 개별 배기로(100)의 배기량의 합계인 총 배기량이 미리 설정된 배기량 이상인 경우, 제2 조정 밸브(171)를 폐쇄한 상태에서, 개별 배기로(100)의 총 배기량에 따라 상기 제1 조정 밸브(151)의 개방도를 변경하고, 복수의 상기 개별 배기로(100)의 배기량의 합계인 총 배기량이 미리 설정된 배기량 미만인 경우, 상기 제1 조정 밸브(151)의 개방도를 유지한 상태에서 제2 조정 밸브(171)를 개방하고, 개별 배기로(100)의 배기량의 합계에 따라, 또한 제2 조정 밸브(171)의 개방도를 변경한다.
이와 같이, 외기를 2부위로부터 도입함으로써, 제1 처리 유닛(16a)의 배기량은 증대하기 어려워져, 압력 변동을 억제할 수 있다.
<5. 기판 처리 시스템의 구체적 동작>
다음으로, 상기한 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 배기 처리에 대해 설명한다. 여기서, 배기 처리의 설명에 들어가기 전에, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 일련의 기판 처리에 대해 설명해 둔다.
도 8은 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 기판 처리의 처리 순서의 일례를 도시한 흐름도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 제어부(18)는, 먼저, 제1 약액 처리를 행한다(단계 S101). 이러한 제1 약액 처리에서는, 먼저, 구동부(33)가 유지부(31)를 회전시킴으로써, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 미리 정해진 회전수로 회전시킨다. 계속해서, 제어부(18)는, 처리 유체 공급부(40)의 노즐(41)을 웨이퍼(W)의 중앙 상방에 위치시킨다. 그 후, 제어부(18)는, 밸브(60a)를 미리 정해진 시간 개방하여, 알칼리계 처리액 공급원(70a)으로부터 공급되는 SC1을 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 피처리면에 공급한다.
계속해서, 제어부(18)는, 제1 린스 처리를 행한다(단계 S102). 이러한 제1 린스 처리에서는, 제어부(18)는, 밸브(60d)를 미리 정해진 시간 개방하여, DIW 공급원(70d)으로부터 공급되는 DIW를 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 피처리면에 공급한다.
계속해서, 제어부(18)는, 제2 약액 처리를 행한다(단계 S103). 이러한 제2 약액 처리에서는, 제어부(18)는, 밸브(60b)를 미리 정해진 시간 개방하여, 산계 처리액 공급원(70b)으로부터 공급되는 DHF를 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 피처리면에 공급한다.
계속해서, 제어부(18)는, 제2 린스 처리를 행한다(단계 S104). 이러한 제2 린스 처리에서는, 제어부(18)는, 밸브(60d)를 미리 정해진 시간 개방하여, DIW 공급원(70d)으로부터 공급되는 DIW를 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 피처리면에 공급한다.
계속해서, 제어부(18)는, 건조 처리를 행한다(단계 S105). 이러한 건조 처리에서는, 제어부(18)는, 밸브(60c)를 미리 정해진 시간 개방하여, 유기계 처리액 공급원(70c)으로부터 공급되는 IPA를 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 피처리면에 공급한다. 그 후, 제어부(18)는, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 증속시킴으로써 웨이퍼(W) 상의 IPA를 떨쳐 버려 웨이퍼(W)를 건조시킨다.
다음으로, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 배기 처리에 대해, 도 9를 참조하여 설명한다. 도 9는 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 배기 처리의 처리 순서의 일례를 도시한 흐름도이다. 여기서는, 상기한 기판 처리와 병행하여 배기 처리가 행해지는 것으로 한다.
도 9에 도시된 바와 같이, 제어부(18)의 개폐 기구 제어부(18a)는, 처리 유닛(16)에서 이용되는 처리액의 종류에 따라 개폐 기구(200)를 제어한다(단계 S201). 이에 의해, 처리 유닛(16) 내의 분위기는, 처리액에 따라 적절히 전용 공통 배기로(121∼123)로 배출된다.
계속해서, 밸브 제어부(18b)는, 배기압 검출부(101)에 의해 검출된 배기압에 기초하여, 개별 배기로(100)의 배기량을 검출한다(단계 S202). 계속해서, 밸브 제어부(18b)는, 검출된 배기량에 기초하여 제1 조정 밸브(151) 및 제2 조정 밸브(171)를 제어한다(단계 S203). 이에 의해, 전용 공통 배기로(121)에는, 제1 외기 도입부(141)나 제2 외기 도입부(161)로부터 외기가 적절히 도입되어, 처리 유닛(16)에서의 압력 변동이 억제된다.
(제2 실시형태)
<6. 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성>
계속해서, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 대해 설명한다. 한편, 이하의 설명에서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부분에 대해서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략한다. 또한, 제2 실시형태의 설명에서도, 제1 실시형태의 설명과 마찬가지로, 제1, 제2 조정 밸브(151, 171)의 제어를 예로 들어 설명한다.
제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 제어 장치(4)는, 배기 처리에 있어서, 개폐 기구(200)의 상태를 검출하고, 검출한 개폐 기구(200)의 상태에 기초하여 제1, 제2 조정 밸브(151, 171)를 제어하도록 하였다.
구체적으로 설명하면, 제어부(18)는, 도 5에 상상선으로 나타낸 바와 같이, 개폐 기구(200)의 상태를 검출하는 상태 검출부(18c)를 더 구비한다. 또한, 기억부(19)는, 도 5에 상상선으로 나타낸 바와 같이, 개방도 정보(19b)를 기억한다. 한편, 제2 실시형태에 따른 기억부(19)는, 미리 정해진 양 정보(19a)를 기억하고 있지 않은 것으로 한다.
상태 검출부(18c)에는, 개폐 기구 제어부(18a)로부터 개폐 기구(200)에 출력된 지령값이 입력된다. 이러한 지령값은, 개폐 기구(200)에 대한 개방도를 나타내는 제어 신호이다.
상태 검출부(18c)는, 입력된 지령값에 기초하여, 개폐 기구(200)의 상태를 검출한다. 여기서, 개폐 기구(200)의 상태란, 예컨대, 제1∼제5 개폐 기구(200a∼200e) 중, 개폐 밸브가 개방되어 있는 개폐 기구(200)의 수이다.
한편, 상태 검출부(18c)에 의해 검출되는 개폐 기구(200)의 상태는, 상기에 한정되지 않고, 예컨대, 개폐 기구(200)의 개폐 밸브의 개방도 등이어도 좋다. 또한, 상기에서는, 상태 검출부(18c)는, 개폐 기구 제어부(18a)의 지령값을 이용하여 개폐 기구(200)의 상태를 검출하도록 하였으나, 이것에 한정되는 것은 아니다. 즉, 예컨대, 개폐 기구(200)의 개폐 밸브에 인코더를 부착하고, 이러한 인코더로부터 출력되는 밸브 개방도를 나타내는 신호에 기초하여 개폐 기구(200)의 상태를 검출하도록 해도 좋다.
상태 검출부(18c)는, 개폐 기구(200)의 상태를 나타내는 신호, 구체적으로는, 개폐 밸브가 개방되어 있는 개폐 기구(200)의 수를 나타내는 신호를 밸브 제어부(18b)에 출력한다. 한편, 상기한 개폐 밸브가 개방되어 있는 개폐 기구(200)의 수는, 바꿔 말하면, 제1∼제5 처리 유닛(16a∼16e) 중, 배기 처리가 행해지고, 전용 공통 배기로(121)와 연통되어 있는 처리 유닛(16)의 수라고도 할 수 있다.
밸브 제어부(18b)는, 상태 검출부(18c)에 의해 검출된 개폐 기구(200)의 상태, 바꿔 말하면, 연통되어 있는 처리 유닛(16)의 수와, 상기한 개방도 정보(19b)에 기초하여, 제1, 제2 조정 밸브(151, 171)를 제어한다. 도 10은 개방도 정보(19b)의 일례를 도시한 도면이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 연통되어 있는 처리 유닛(16)의 수에 대해, 연통되어 있는 처리 유닛(16)에 있어서 압력 변동을 억제할 수 있는 제1, 제2 조정 밸브(151, 171)의 개방도를, 미리 실험을 통해 구해 두고, 구한 개방도를 개방도 정보(19b)로서 기억부(19)에 기억해 둔다. 한편, 도 10에 있어서, 제2 미리 정해진 개방도(α0)는, 0도보다 크고, 또한, 미리 정해진 개방도(α)보다 작은 값으로 설정된다.
도 10에 대해 상세히 설명하면, 예컨대, 연통되어 있는 처리 유닛(16)의 수가 5대인 경우, 제1∼제5 처리 유닛(16a∼16e) 모두에서 배기 처리가 행해지고 있는 것을 의미한다(도 7a 참조). 따라서, 제1 실시형태에서 설명한 바와 같이, 제1 외기 도입부(141) 등으로부터 외기를 도입하는 것을 필요로 하지 않고, 따라서 제1, 제2 조정 밸브(151, 171)의 개방도는 0으로 설정된다.
또한, 연통되어 있는 처리 유닛(16)의 수가 4대, 3대로 감소함에 따라, 제1 조정 밸브(151)의 개방도는, 제2 미리 정해진 개방도(α0), 미리 정해진 개방도(α)로 단계적으로 커지도록 설정된다. 한편, 제2 조정 밸브(171)의 개방도는 0인 채로 된다. 이에 의해, 제1 실시형태에서 설명한 바와 같이, 전용 공통 배기로(121)에 제1 외기 도입부(141)로부터 외기가 도입되고, 따라서 연통되는 처리 유닛(16)의 배기량은 증대하기 어려워져, 압력 변동을 억제할 수 있다(도 7b 참조).
또한, 연통되어 있는 처리 유닛(16)의 수가 2대, 1대로 감소하면, 제1 조정 밸브(151)의 개방도는 미리 정해진 개방도(α)를 유지한 상태에서, 제2 조정 밸브(171)의 개방도는, 제2 미리 정해진 개방도(α0), 미리 정해진 개방도(α)로 단계적으로 커지도록 설정된다. 한편, 제1 조정 밸브(151)의 개방도는 미리 정해진 개방도(α)를 유지한 상태에서, 제2 조정 밸브(171)를 개방하기 시작하는 경우의 처리 유닛(16)의 대수는 미리 정해져 있다. 즉 처리 유닛(16)이, 미리 정해진 대수 이상인 경우[개방되어 있는 개폐 기구(200)의 합계가 미리 정해진 수 이상인 경우], 제2 조정 밸브(171)는 폐쇄한 상태에서, 제1 조정 밸브(151)의 개방도를 변경하고, 처리 유닛(16)이, 미리 정해진 대수 미만인 경우[개방되어 있는 개폐 기구(200)의 합계가 미리 정해진 수 미만인 경우), 제1 조정 밸브(151)의 개방도를 유지한 상태에서, 제2 조정 밸브(171)의 개방도를 변경한다. 이에 의해, 제1 실시형태에서 설명한 바와 같이, 전용 공통 배기로(121)에 제2 외기 도입부(161)로부터도 외기가 도입되고, 따라서 연통되는 처리 유닛(16)의 배기량은 증대하기 어려워져, 압력 변동을 억제할 수 있다(도 7c 참조).
이와 같이, 개방도 정보(19b)는, 개폐 기구(200)의 상태[바꿔 말하면, 연통되어 있는 처리 유닛(16)의 수]와, 개폐 기구(200)의 상태에 대응하는 제1 조정 밸브(151) 및 제2 조정 밸브(171)의 개방도를 관련시킨 정보이다. 한편, 상기에서는, 제2 조정 밸브(171)의 개방도를 0으로 한 상태에서, 단계적으로 제1 조정 밸브(151)의 개방도를 설정된 개방도까지 크게 하도록 하고, 그 후에, 제2 조정 밸브(171)의 개방도를 크게 하도록 하였다. 그에 더하여, 제1 조정 밸브(151)의 개방도를 0으로 한 상태에서, 단계적으로 제2 조정 밸브(171)의 개방도를 설정된 개방도까지 크게 하도록 하고, 그 후에, 제1 조정 밸브(151)의 개방도를 크게 하도록 해도 좋다.
<7. 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 구체적 동작>
도 11은 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 배기 처리의 처리 순서의 일례를 도시한 흐름도이다.
도 11에 도시된 바와 같이, 제어부(18)의 개폐 기구 제어부(18a)는, 처리 유닛(16)에서 이용되는 처리액의 종류에 따라 개폐 기구(200)를 제어한다(단계 S201). 계속해서, 상태 검출부(18c)는, 개폐 기구(200)의 상태를 검출한다(단계 S202a).
계속해서, 밸브 제어부(18b)는, 검출된 개폐 기구(200)의 상태에 기초하여 제1 조정 밸브(151) 및 제2 조정 밸브(171)를 제어한다(단계 S203a). 상세하게는, 밸브 제어부(18b)는, 검출된 개폐 기구(200)의 상태를 나타내는 신호가 상태 검출부(18c)로부터 입력되면, 기억부(19)로부터 개방도 정보(19b)를 읽어낸다. 개방도 정보(19b)는, 예컨대 실험을 통해 미리 설정된 제1 조정 밸브(151) 및 제2 조정 밸브(171)의 개방도이다. 상세하게는, 개방도 정보(19b)는, 개폐 기구(200)의 상태와 제1 조정 밸브(151) 및 제2 조정 밸브(171)의 개방도를 관련시킨 정보이다.
그리고, 밸브 제어부(18b)는, 개폐 기구(200)의 상태와 개방도 정보(19b)에 기초하여, 제1, 제2 조정 밸브(151, 171)를 제어한다. 이에 의해, 전용 공통 배기로(121)에는, 제1 외기 도입부(141)나 제2 외기 도입부(161)로부터 외기가 적절히 도입되어, 처리 유닛(16)에서의 압력 변동이 억제된다.
한편, 상기한 제1 조정 밸브(151)나 제2 조정 밸브(171)의 설명은, 제1 조정 밸브(152, 153)나 제2 조정 밸브(172, 173)에도 적용할 수 있기 때문에, 제1 조정 밸브(152, 153)나 제2 조정 밸브(172, 173)의 제어에 대해서는 설명을 생략한다.
전술해 온 바와 같이, 제2 실시형태에서는, 개폐 기구(200)의 상태에 기초하여 제1 조정 밸브(151∼153) 및 제2 조정 밸브(171∼173)를 제어하도록 했기 때문에, 처리 유닛(16)에서의 압력 변동을 효과적으로 억제할 수 있다.
또한, 제2 실시형태에서는, 미리 기억부(19)에 기억된 개방도 정보(19b)를 이용하도록 하였다. 이에 의해, 제1 조정 밸브(151∼153) 및 제2 조정 밸브(171∼173)의 개방도를, 간이하게 또한 조기에 제어하는 것이 가능해진다.
한편, 개방도 정보(19b)는, 제1 조정 밸브(151)에 대한 개폐 기구(200)의 위치 관계와 제1 조정 밸브(151)의 개방도를 관련시킨 정보를 포함하고 있어도 좋다.
그리고, 개방도 정보(19b)에 있어서는, 예컨대, 개폐 기구(200)의 개폐 밸브가 폐쇄되어 연통되어 있지 않은 처리 유닛(16)이 제1 조정 밸브(151)에 대해 가까운 위치 관계의 2개의 제4, 제5 처리 유닛(16d, 16e)인 경우(도 7b 참조), 제1 조정 밸브(151)의 개방도는 미리 정해진 개방도(α)로 설정된다. 한편, 여기서, 제1 조정 밸브(151)에 대해 가까운 위치 관계란, 배기의 유동 방향에 있어서 가까운 위치인 것을 의미하는 것으로 한다.
또한, 개방도 정보(19b)에 있어서는, 예컨대, 연통되어 있지 않은 처리 유닛(16)이 제1 조정 밸브(151)에 대해 가장 가까운 위치 관계의 제5 처리 유닛(16e)인 경우, 제1 조정 밸브(151)의 개방도는 제2 미리 정해진 개방도(α0)로 설정된다. 한편, 상기한 제1 조정 밸브(151)의 개방도는, 어디까지나 예시이며 한정되는 것이 아니고, 제1 조정 밸브(151)에 대한 개폐 기구(200)의 위치 관계를 고려하여, 실험 등을 통해 적절히 설정된다.
그리고, 밸브 제어부(18b)는, 상태 검출부(18c)에 의해 상태가 검출된 개폐 기구(200)의 위치 관계와, 상기한 개방도 정보(19b)에 기초하여, 제1 조정 밸브(151)의 개방도를 제어한다. 이에 의해, 제1 조정 밸브(151)의 개방도를, 상태가 검출된 개폐 기구(200)의 처리 유닛(16)과의 위치 관계에 기초하여 적절히 제어할 수 있고, 각 처리 유닛(16)의 압력 변동을 더한층 억제할 수 있다. 한편, 나머지 효과는 제1 실시형태와 동일하기 때문에, 설명을 생략한다.
한편, 상기한 실시형태에서는, 미리 정해진 개방도(α)나 제2 미리 정해진 개방도(α0)를 제1 조정 밸브(151∼153)와 제2 조정 밸브(171∼173)에서 동일한 값으로 하였으나, 이것에 한정되지 않고, 서로 상이한 값으로 해도 좋다.
또한, 상기한 제2 실시형태의 개방도 정보(19b)에 있어서는, 제1 조정 밸브(151∼153)나 제2 조정 밸브(171∼173)의 개방도를, 연통되는 처리 유닛(16)의 수에 대응시켜 설정하도록 하였으나, 이것에 한정되는 것은 아니다. 즉, 제1 조정 밸브(151∼153)나 제2 조정 밸브(171∼173)의 개방도를, 연통되는 처리 유닛(16)의 제1 외기 도입부(141∼143) 등으로부터의 거리(위치)나, 개폐 기구(200)의 개방도 등에 대응시켜 설정하도록 해도 좋다.
또한, 상기에 있어서 처리 스테이션(3)은, 기판 처리 시스템(1)이 구비하는 제어 장치(4)에 의해 제어되도록 하였으나, 이것에 한정되는 것은 아니며, 예컨대, 처리 스테이션(3) 자체가 제어 장치(4)를 구비하도록 구성해도 좋다.
한층 더한 효과나 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 양태는, 이상과 같이 나타내며 또한 기술한 특정한 상세 및 대표적인 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 따라서, 첨부한 특허청구의 범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위에서 일탈하지 않고, 여러 가지 변경이 가능하다.
1: 기판 처리 시스템 3: 처리 스테이션
4: 제어 장치 16: 처리 유닛
18: 제어부 18a: 개폐 기구 제어부
18b: 밸브 제어부 18c: 상태 검출부
19: 기억부 19a: 미리 정해진 양 정보
19b: 개방도 정보 100: 개별 배기로
101∼103: 배기압 검출부 120: 공통 배기로
121∼123: 전용 공통 배기로 121a∼121e: 접속 부위
122a∼122e: 접속 부위 123a∼123e: 접속 부위
141∼143: 제1 외기 도입부 151∼153: 제1 조정 밸브
161∼163: 제2 외기 도입부 171∼173: 제2 조정 밸브
200: 개폐 기구 W: 웨이퍼

Claims (11)

  1. 액처리 장치에 있어서,
    피처리체에 대해 처리액을 공급하여 상기 피처리체를 액처리하는 복수의 액처리부와,
    일단이 상기 액처리부의 각각에 접속되고, 상기 액처리부 내부로부터의 배기가 흐르는 복수의 개별 배기로와,
    복수의 상기 개별 배기로의 타단이 접속되고, 복수의 상기 개별 배기로로부터의 배기가 흐르는 공통 배기로와,
    상기 공통 배기로에 있어서 상기 개별 배기로가 접속되는 복수의 접속 부위보다 배기의 유동 방향의 최상류측에 형성되고, 상기 공통 배기로에 외기를 도입하는 제1 외기 도입부와,
    상기 제1 외기 도입부와 상기 접속 부위 중 최상류에 위치하는 상기 접속 부위 사이에 설치되고, 상기 제1 외기 도입부로부터 도입되는 외기의 유량을 조정하는 제1 조정 밸브와,
    상기 공통 배기로에 있어서 복수의 상기 접속 부위 중 최상류에 위치하는 접속 부위보다 하류측에 형성되고, 상기 공통 배기로에 외기를 도입하는 제2 외기 도입부와,
    상기 제2 외기 도입부에 설치되고, 상기 제2 외기 도입부로부터 도입되는 외기의 유량을 조정하는 제2 조정 밸브와,
    복수의 상기 개별 배기로의 배기량을 검출하는 배기량 검출부와,
    상기 배기량 검출부에 의해 적산된 복수의 상기 개별 배기로의 배기량의 합계가 미리 설정된 배기량 이상인 경우, 상기 제1 조정 밸브 및 상기 제2 조정 밸브 중 어느 한쪽을 폐쇄한 상태에서 다른쪽을 개방하고, 복수의 상기 개별 배기로의 배기량의 합계가 상기 미리 설정된 배기량 미만인 경우, 상기 제1 조정 밸브 및 상기 제2 조정 밸브를 개방하는 밸브 제어부
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 외기 도입부는, 상기 공통 배기로에 있어서 복수의 상기 접속 부위 중 배기의 유동 방향의 최하류에 위치하는 접속 부위보다 하류측에 형성되는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 밸브 제어부는,
    상기 배기량 검출부에 의해 검출된 복수의 상기 개별 배기로의 배기량의 합계가 상기 미리 설정된 배기량 이상인 경우, 개별 배기로의 배기량의 합계에 따라 상기 제1 조정 밸브의 개방도를 변경하고, 복수의 상기 개별 배기로의 배기량의 합계가 상기 미리 설정된 배기량 미만인 경우, 개별 배기로의 배기량의 합계에 따라, 상기 제1 조정 밸브의 개방도를 유지한 상태에서 상기 제2 조정 밸브의 개방도를 변경하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  4. 액처리 장치에 있어서,
    피처리체에 대해 처리액을 공급하여 상기 피처리체를 액처리하는 복수의 액처리부와,
    일단이 상기 액처리부의 각각에 접속되고, 상기 액처리부 내부로부터의 배기가 흐르는 복수의 개별 배기로와,
    복수의 상기 개별 배기로의 타단이 접속되고, 복수의 상기 개별 배기로로부터의 배기가 흐르는 공통 배기로와,
    상기 공통 배기로에 있어서 상기 개별 배기로가 접속되는 복수의 접속 부위보다 배기의 유동 방향의 최상류측에 형성되고, 상기 공통 배기로에 외기를 도입하는 제1 외기 도입부와,
    상기 제1 외기 도입부와 상기 접속 부위 중 최상류에 위치하는 상기 접속 부위 사이에 설치되고, 상기 제1 외기 도입부로부터 도입되는 외기의 유량을 조정하는 제1 조정 밸브와,
    상기 공통 배기로에 있어서 복수의 상기 접속 부위 중 최상류에 위치하는 접속 부위보다 하류측에 형성되고, 상기 공통 배기로에 외기를 도입하는 제2 외기 도입부와,
    상기 제2 외기 도입부에 설치되고, 상기 제2 외기 도입부로부터 도입되는 외기의 유량을 조정하는 제2 조정 밸브와,
    상기 개별 배기로에 설치되고, 상기 개별 배기로를 개폐하는 개폐 기구와,
    상기 개폐 기구의 상태로서, 상기 개폐 기구의 개폐에 의해 상기 공통 배기로와 연통되어 있는 상기 액처리부의 수를 검출하는 상태 검출부와,
    상기 상태 검출부에 의해 검출된 상기 공통 배기로와 연통되어 있는 상기 액처리부의 수가 미리 설정된 수인 경우, 상기 제1 조정 밸브 및 상기 제2 조정 밸브 중 어느 한쪽을 개방하고, 상기 공통 배기로와 연통되어 있는 상기 액처리부의 수가 상기 미리 설정된 수 미만인 경우, 개방하고 있는 상기 제1 조정 밸브 및 상기 제2 조정 밸브 중 한쪽에 더하여 다른 한쪽을 개방하는 밸브 제어부
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 개폐 기구의 상태와 상기 상태에 대응하는 상기 제1 조정 밸브 및 상기 제2 조정 밸브의 개방도를 관련시켜 개방도 정보로서 미리 기억해 두는 기억부
    를 구비하고,
    상기 밸브 제어부는, 상기 상태 검출부에 의해 검출된 상기 개폐 기구의 상태와 상기 기억부에 기억된 상기 개방도 정보에 기초하여, 상기 제1 조정 밸브 및 상기 제2 조정 밸브의 개방도를 제어하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 개방도 정보는, 상기 제1 조정 밸브에 대한 상기 개폐 기구의 위치 관계와 상기 제1 조정 밸브의 개방도를 관련시킨 정보를 포함하고,
    상기 밸브 제어부는, 상기 상태 검출부에 의해 상태가 검출된 상기 개폐 기구의 위치 관계와 상기 기억부에 기억된 상기 개방도 정보에 기초하여, 상기 제1 조정 밸브의 개방도를 제어하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 조정 밸브는, 상기 제2 외기 도입부를 통해 도입한 외기의 유동 방향이, 상기 공통 배기로의 상기 제2 외기 도입부가 형성된 위치에서의 배기의 유동 방향에 대해 직교하는 것과 같은 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 액처리부는, 상기 피처리체에 대해 복수 종류의 처리액을 공급하고,
    상기 공통 배기로는, 상기 복수 종류의 처리액에 대응하여 복수 형성되며, 상기 개별 배기로를 흐르는 배기의 유출처가 처리액의 종류에 따라 복수의 상기 공통 배기로 중 어느 하나로 전환되는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 외기 도입부 및 상기 제2 외기 도입부 중 적어도 어느 한쪽은, 상기 액처리부 주변의 분위기를 외기로서 도입하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 밸브 제어부는, 상기 개폐 기구가 개방되어 있는 합계 수가 미리 정해진 수 이상인 경우, 개방되어 있는 상기 개폐 기구의 합계 수에 따라, 상기 제2 조정 밸브를 폐쇄한 상태에서, 상기 제1 조정 밸브의 개방도를 변경하고, 상기 개폐 기구가 개방되어 있는 합계 수가 미리 정해진 수 미만인 경우, 상기 제1 조정 밸브의 개방도를 유지한 상태에서 상기 제2 조정 밸브의 개방도를 변경하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  11. 삭제
KR1020160091917A 2015-07-29 2016-07-20 액처리 장치 KR102605398B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-149512 2015-07-29
JP2015149512A JP6482979B2 (ja) 2015-07-29 2015-07-29 液処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170015162A KR20170015162A (ko) 2017-02-08
KR102605398B1 true KR102605398B1 (ko) 2023-11-22

Family

ID=57886298

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160091917A KR102605398B1 (ko) 2015-07-29 2016-07-20 액처리 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10046372B2 (ko)
JP (1) JP6482979B2 (ko)
KR (1) KR102605398B1 (ko)
TW (1) TWI637452B (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9446467B2 (en) * 2013-03-14 2016-09-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrate rinse module in hybrid bonding platform
WO2018051825A1 (ja) * 2016-09-13 2018-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6956603B2 (ja) * 2017-11-13 2021-11-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
KR102343637B1 (ko) * 2019-06-13 2021-12-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US20210265177A1 (en) * 2020-02-26 2021-08-26 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus
JP7444701B2 (ja) * 2020-05-28 2024-03-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理方法、学習用データの生成方法、学習方法、学習装置、学習済モデルの生成方法、及び学習済モデル
KR102576155B1 (ko) * 2021-06-07 2023-09-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006229062A (ja) 2005-02-18 2006-08-31 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及びその方法
JP2011204722A (ja) 2010-03-24 2011-10-13 Sumco Corp エピタキシャル成長システム

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05129240A (ja) * 1991-11-07 1993-05-25 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置
JP3337164B2 (ja) * 1993-09-30 2002-10-21 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP3587776B2 (ja) * 2000-10-10 2004-11-10 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP4830523B2 (ja) * 2006-02-08 2011-12-07 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及びその方法を実施するためのコンピュータプログラム。
CN101981668A (zh) * 2008-03-26 2011-02-23 东京毅力科创株式会社 处理腔室的排气流量的控制方法以及处理装置
JP5072892B2 (ja) * 2008-04-03 2012-11-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5369538B2 (ja) * 2008-08-12 2013-12-18 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法並びに記憶媒体
JP4853536B2 (ja) * 2009-03-13 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
US20120111835A1 (en) * 2009-07-23 2012-05-10 Sumitomo Precision Products Co., Ltd. Wet etching apparatus and method
JP5474666B2 (ja) * 2009-07-31 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法、プログラムおよびプログラム記録媒体
JP5240245B2 (ja) * 2010-06-22 2013-07-17 東京エレクトロン株式会社 流路切替え装置、処理装置、流路切替え方法及び処理方法並びに記憶媒体
JP5474853B2 (ja) * 2011-03-08 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
JP5472169B2 (ja) * 2011-03-16 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP2016149495A (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理システムおよび同システムにおける排気量調節方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006229062A (ja) 2005-02-18 2006-08-31 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及びその方法
JP2011204722A (ja) 2010-03-24 2011-10-13 Sumco Corp エピタキシャル成長システム

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170015162A (ko) 2017-02-08
US10046372B2 (en) 2018-08-14
JP2017033988A (ja) 2017-02-09
TWI637452B (zh) 2018-10-01
US20170028450A1 (en) 2017-02-02
JP6482979B2 (ja) 2019-03-13
TW201717301A (zh) 2017-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102605398B1 (ko) 액처리 장치
CN101359590B (zh) 基板处理装置和基板处理方法及存储介质
KR101464613B1 (ko) 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체
US9073103B2 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method, and recording medium having computer program for performing the same method
JP4553574B2 (ja) 基板移送モジュールの汚染を制御することができる基板処理方法
CN105575850B (zh) 基板液处理装置
US10128132B2 (en) Substrate liquid processing apparatus
KR102581139B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치에 있어서의 배기관의 막힘 검출 방법
TWI775948B (zh) 基板處理裝置
KR102518708B1 (ko) 기판 처리 장치
WO2013054849A1 (ja) 基板処理装置
JP5909477B2 (ja) 基板処理装置及び液供給装置
US8794896B2 (en) Vacuum processing apparatus and zonal airflow generating unit
KR20200086218A (ko) 기판 처리 장치
KR102585500B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP6356059B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2020041193A (ja) 真空搬送モジュール及び真空搬送方法
JP2011124343A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及びこの基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
KR102457336B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102277545B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20230411186A1 (en) Equipment front end module, operating method thereof, and substrate processing apparatus including same
KR200496544Y1 (ko) 기판 처리 장치
KR20230111298A (ko) Efem의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치
KR20230034458A (ko) 기판 처리 장치
KR20230123435A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant